JPH11316976A - 相変化記録媒体 - Google Patents
相変化記録媒体Info
- Publication number
- JPH11316976A JPH11316976A JP10300612A JP30061298A JPH11316976A JP H11316976 A JPH11316976 A JP H11316976A JP 10300612 A JP10300612 A JP 10300612A JP 30061298 A JP30061298 A JP 30061298A JP H11316976 A JPH11316976 A JP H11316976A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高コントラスト、高感度の相変化媒体を提供
する。 【構成】 ポリカーボネート基板上に誘電体層を介して
設けられた記録層の結晶状態を熱的に変化させて光反射
率を変えることにより記録を行なう相変化記録媒体にお
いて、記録層上に反射層を設けてなり、該反射層をAl
1-x Mx (MはTa,Ti,Zr,V,Pt,Mo,C
rから選ばれる少なくとも1種の元素、xは0.01〜
0.15の数)によって形成したことを特徴とする相変
化記録媒体。
する。 【構成】 ポリカーボネート基板上に誘電体層を介して
設けられた記録層の結晶状態を熱的に変化させて光反射
率を変えることにより記録を行なう相変化記録媒体にお
いて、記録層上に反射層を設けてなり、該反射層をAl
1-x Mx (MはTa,Ti,Zr,V,Pt,Mo,C
rから選ばれる少なくとも1種の元素、xは0.01〜
0.15の数)によって形成したことを特徴とする相変
化記録媒体。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は相変化記録媒体に関
する。詳しくは記録層として相変化形の記録層を用いた
光記録媒体に関する。
する。詳しくは記録層として相変化形の記録層を用いた
光記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】相変化記録媒体はレーザービームによる
加熱により媒体の結晶相が変化する(例えば、結晶→ア
モルファス)効果を用いて情報を記録し、各結晶相の光
反射率の違いから情報を読み出すことができる。相変化
記録媒体には書き込み可能型(ライトワンス型)と書き
換え可能型(イレーザブル型)の両方があり、近年進歩
の著しい記録媒体である。相変化記録媒体のキャリアレ
ベル(CL)は記録状態と消去状態の光反射率のコント
ラストが違うほど大きくなる。コントラストを上げる為
に記録層を薄くし、その下に反射層を設け光の干渉効果
を利用する方式が提案されている(例えば昭和62年秋
季応用物理学会18p−ZP−12)。
加熱により媒体の結晶相が変化する(例えば、結晶→ア
モルファス)効果を用いて情報を記録し、各結晶相の光
反射率の違いから情報を読み出すことができる。相変化
記録媒体には書き込み可能型(ライトワンス型)と書き
換え可能型(イレーザブル型)の両方があり、近年進歩
の著しい記録媒体である。相変化記録媒体のキャリアレ
ベル(CL)は記録状態と消去状態の光反射率のコント
ラストが違うほど大きくなる。コントラストを上げる為
に記録層を薄くし、その下に反射層を設け光の干渉効果
を利用する方式が提案されている(例えば昭和62年秋
季応用物理学会18p−ZP−12)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】干渉効果を強く出すに
は反射層の光反射率を高くする必要があるが、反射率の
高い物質(例えば、Au,Ag,Cu,Al等)を用い
ると、一般に熱伝導度が大きく感度の低下をもたらす。
は反射層の光反射率を高くする必要があるが、反射率の
高い物質(例えば、Au,Ag,Cu,Al等)を用い
ると、一般に熱伝導度が大きく感度の低下をもたらす。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上述の欠点
を克服した高コントラスト、高感度の相変化記録媒体を
提供することを目的に鋭意検討した結果、本発明に到達
したものである。すなわち本発明の要旨は、ポリカーボ
ネート基板上に誘電体層を介して設けられた記録層の結
晶状態を熱的に変化させて光反射率を変えることにより
記録を行なう相変化記録媒体において、記録層上に反射
層を設けてなり、該反射層をAl 1-x Mx (MはTa,
Ti,Zr,V,Pt,Mo,Crから選ばれる少なく
とも1種の元素、xは0.01〜0.15の数)によっ
て形成したことを特徴とする相変化記録媒体に存する。
を克服した高コントラスト、高感度の相変化記録媒体を
提供することを目的に鋭意検討した結果、本発明に到達
したものである。すなわち本発明の要旨は、ポリカーボ
ネート基板上に誘電体層を介して設けられた記録層の結
晶状態を熱的に変化させて光反射率を変えることにより
記録を行なう相変化記録媒体において、記録層上に反射
層を設けてなり、該反射層をAl 1-x Mx (MはTa,
Ti,Zr,V,Pt,Mo,Crから選ばれる少なく
とも1種の元素、xは0.01〜0.15の数)によっ
て形成したことを特徴とする相変化記録媒体に存する。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。本発明による相変化形光記録媒体は、真空蒸着やス
パッタリングなど通常の薄膜形成装置により作成され
る。基板としては、低熱伝導性材料であるPC(ポリカ
ーボネート)が該基板への熱の散逸を防ぐ目的から用い
られる。基板の厚みは1〜2mm程度が一般的であり、
通常約1.2mm程度である。
る。本発明による相変化形光記録媒体は、真空蒸着やス
パッタリングなど通常の薄膜形成装置により作成され
る。基板としては、低熱伝導性材料であるPC(ポリカ
ーボネート)が該基板への熱の散逸を防ぐ目的から用い
られる。基板の厚みは1〜2mm程度が一般的であり、
通常約1.2mm程度である。
【0006】本発明においては基板上に誘電体層、記録
層、反射層を順次設ける。記録層としてはGeTe系、
InSb系、TeO2 系等が用いられる。記録層の膜厚
は記録前、記録後の屈折率、及び反射層の屈折率から最
もコントラストがとれるように最適化されるが、通常2
00Å〜600Åである。本発明においては反射層とし
てTa,Ti,Zr,V,Pt,Mo,Crから選ばれ
る一種以上の元素を含有するAl合金を用いる。添加金
属の含有量は1〜15at%(原子%)、さらに好まし
くは2〜10at%である。好ましい添加金属は上記の
うち、Ta,Ti,Zrである。反射層の膜厚は反射率
が低下せず、しかも感度が著しく低下しない範囲で選ば
れるが、300Å〜500Å程度が好ましい。干渉効果
をさらに強める為記録層の基板側に接して高屈折率の誘
電体を設ける。また、さらに、記録層の反射層側に接し
て高屈折率の誘電体を設ければより効果的である。誘電
体としては例えば、ZnS,Ta2 O5 ,SiO2 ,S
iO,ZrO2 ,Si3 N 4 ,AlN等が用いられる。
尚、誘電体を記録層の片面または両面に設ける場合は記
録層の膜厚は誘電体を含めた全体の干渉効果によって決
定される。
層、反射層を順次設ける。記録層としてはGeTe系、
InSb系、TeO2 系等が用いられる。記録層の膜厚
は記録前、記録後の屈折率、及び反射層の屈折率から最
もコントラストがとれるように最適化されるが、通常2
00Å〜600Åである。本発明においては反射層とし
てTa,Ti,Zr,V,Pt,Mo,Crから選ばれ
る一種以上の元素を含有するAl合金を用いる。添加金
属の含有量は1〜15at%(原子%)、さらに好まし
くは2〜10at%である。好ましい添加金属は上記の
うち、Ta,Ti,Zrである。反射層の膜厚は反射率
が低下せず、しかも感度が著しく低下しない範囲で選ば
れるが、300Å〜500Å程度が好ましい。干渉効果
をさらに強める為記録層の基板側に接して高屈折率の誘
電体を設ける。また、さらに、記録層の反射層側に接し
て高屈折率の誘電体を設ければより効果的である。誘電
体としては例えば、ZnS,Ta2 O5 ,SiO2 ,S
iO,ZrO2 ,Si3 N 4 ,AlN等が用いられる。
尚、誘電体を記録層の片面または両面に設ける場合は記
録層の膜厚は誘電体を含めた全体の干渉効果によって決
定される。
【0007】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例
に限定されない。
明するが本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例
に限定されない。
【0008】実施例1 基板にはポリカーボネートのディスクを用いその上にR
Fスパッタリング法により、SiO2 層を1000Å成
膜した。その上に記録層としてGeターゲット上にT
e,Biチップを配値してスパッタリングにより形成し
た。成膜速度は10Å/secとし、400Åの膜厚に
成膜した。記録層の組成はGe50Te50Bi3 であっ
た。次に反射層として、Alターゲット上にTaチップ
を配して300ÅのAlとTaの合金を成膜した。反射
層中のTa量はTaチップ数によって調整した。また比
較例としてAlのみの反射層を持つ同様のディスクを作
成した。
Fスパッタリング法により、SiO2 層を1000Å成
膜した。その上に記録層としてGeターゲット上にT
e,Biチップを配値してスパッタリングにより形成し
た。成膜速度は10Å/secとし、400Åの膜厚に
成膜した。記録層の組成はGe50Te50Bi3 であっ
た。次に反射層として、Alターゲット上にTaチップ
を配して300ÅのAlとTaの合金を成膜した。反射
層中のTa量はTaチップ数によって調整した。また比
較例としてAlのみの反射層を持つ同様のディスクを作
成した。
【0009】以上のように作成したディスクに1800
rpm、0.5MHz duty50%の条件で記録を
行なったところ、図1のような結果を得た。なお、最適
記録パワーは2次歪C2 とキャリアレベルCの比C2 /
Cが最小になる記録パワーとした。図1から明らかなよ
うにAlにTaを少量添加することによりキャリアレベ
ルを低下させずに感度を上げることが可能である。同様
な効果はAlとTa以外にAlとTi,Zr,V,P
t,Mo,Cr等との合金を用いた場合においても認め
られた。
rpm、0.5MHz duty50%の条件で記録を
行なったところ、図1のような結果を得た。なお、最適
記録パワーは2次歪C2 とキャリアレベルCの比C2 /
Cが最小になる記録パワーとした。図1から明らかなよ
うにAlにTaを少量添加することによりキャリアレベ
ルを低下させずに感度を上げることが可能である。同様
な効果はAlとTa以外にAlとTi,Zr,V,P
t,Mo,Cr等との合金を用いた場合においても認め
られた。
【0010】
【発明の効果】本発明による相変化記録媒体はC/N
比、感度共に良好な特性を示す。
比、感度共に良好な特性を示す。
【図1】反射膜中のTa含有量と最適記録パワー及び、
キャリアレベルの相関を示したグラフ。
キャリアレベルの相関を示したグラフ。
Claims (4)
- 【請求項1】 ポリカーボネート基板上に誘電体層を介
して設けられた記録層の結晶状態を熱的に変化させて光
反射率を変えることにより記録を行なう相変化記録媒体
において、記録層上に反射層を設けてなり、該反射層を
Al1-x Mx(MはTa,Ti,Zr,V,Pt,M
o,Crから選ばれる少なくとも1種の元素、xは0.
01〜0.15の数)によって形成したことを特徴とす
る相変化記録媒体。 - 【請求項2】 誘電体層としてSiO2 を含む材料が用
いられ、干渉効果が高まるように設けられている請求項
1に記載の相変化記録媒体。 - 【請求項3】 記録層の膜厚が600Å以下である請求
項1又は2に記載の相変化記録媒体。 - 【請求項4】 反射層をAlのみとした場合に比べて感
度が上がり、キャリアレベルの低下が1.5dB以下で
ある請求項1乃至3のいずれか1つに記載の相変化記録
媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10300612A JP3137093B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10300612A JP3137093B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62326238A Division JPH087880B2 (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 相変化記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11316976A true JPH11316976A (ja) | 1999-11-16 |
JP3137093B2 JP3137093B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=17886958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10300612A Expired - Lifetime JP3137093B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3137093B2 (ja) |
-
1998
- 1998-10-22 JP JP10300612A patent/JP3137093B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3137093B2 (ja) | 2001-02-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081208 Year of fee payment: 8 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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