JPH1131587A - Organic electroluminescent element and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光層を備え
た有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ
素子とも呼ぶ）に関する。特に本発明は、化学的に不安
定な正孔注入電極に起因すると考えられる有機層の不具
合を解消して、実用的な高い輝度と十分な耐久性を実現
した有機ＥＬ素子及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device having an organic light emitting layer (hereinafter referred to as an organic EL device).
Element). In particular, the present invention relates to an organic EL device that achieves practically high luminance and sufficient durability by eliminating defects of an organic layer considered to be caused by a chemically unstable hole injection electrode, and a method of manufacturing the same. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、電子注入電極と正孔注
入電極の間に蛍光性有機化合物を含む薄膜を挟んだ構造
を有し、前記薄膜に電子および正孔を注入して再結合さ
せることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この
エキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利
用して表示を行う表示素子である。2. Description of the Related Art An organic EL device has a structure in which a thin film containing a fluorescent organic compound is sandwiched between an electron injecting electrode and a hole injecting electrode, and electrons and holes are injected into the thin film and recombined. This is a display element that generates excitons (excitons) and emits light (fluorescence / phosphorescence) when the excitons are deactivated.
【０００３】前記有機ＥＬ素子の基本構成の一つを図３
に示した。この有機ＥＬ素子は、ガラス製の基板１００
上の正孔注入電極１０１にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、
正孔輸送層１０２としてトリフェニルアミン誘導体(Dia
mine) 、有機発光層１０３としてトリス（８−キノリラ
イト）アルミニウム(III) (Alq3)、電子注入電極１０４
としてマグネシウムと銀の合金を使用している。有機の
各層の厚みは５０ｎｍ程度である。各層の成膜は真空蒸
着で行っている。この有機ＥＬ素子において、電子注入
電極がマイナス、正孔注入電極をプラスとする１０Ｖの
直流電圧を加えると、１０００ｃｄ／ｍ2 程度の緑色の
発光が得られる。One of the basic structures of the organic EL device is shown in FIG.
It was shown to. This organic EL element is made of a glass substrate 100.
ITO (Indium Tin Oxide) on the hole injection electrode 101 above,
A triphenylamine derivative (Dia
mine), tris (8-quinolilite) aluminum (III) (Alq 3 ) as the organic light emitting layer 103, the electron injection electrode 104
As an alloy of magnesium and silver. The thickness of each organic layer is about 50 nm. Each layer is formed by vacuum evaporation. In this organic EL element, green light emission of about 1000 cd / m 2 can be obtained by applying a DC voltage of 10 V with the electron injection electrode being negative and the hole injection electrode being positive.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の有機Ｅ
Ｌ素子によれば、十分な輝度が得られなかった。また、
この有機ＥＬ素子は輝度半減寿命が短く、耐久性の面で
も問題があった。SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned conventional organic E
According to the L element, sufficient luminance was not obtained. Also,
This organic EL element has a short luminance half-life and has a problem in durability.
【０００５】本発明は、実用的な高い輝度と十分な耐久
性を有する有機ＥＬ素子と、このような有機ＥＬ素子を
実現する有機ＥＬ素子用材料を提供することを目的とし
ている。An object of the present invention is to provide an organic EL device having practically high luminance and sufficient durability, and a material for an organic EL device realizing such an organic EL device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された有
機エレクトロルミネッセンス素子は、電子注入電極と正
孔注入電極の間に有機層を有する有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、前記有機層と前記正孔注入電極
の間にダイヤモンド状カーボン膜を形成したことを特徴
としている。An organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic layer and the hole are provided in an organic electroluminescent device having an organic layer between an electron injection electrode and a hole injection electrode. A diamond-like carbon film is formed between the injection electrodes.
【０００７】請求項２に記載された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は、請求項１記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、前記ダイヤモンド状カーボン
膜がＣＶＤ法で形成されたダイヤモンド状カーボン膜で
あることを特徴としている。According to a second aspect of the present invention, there is provided the organic electroluminescence device according to the first aspect, wherein the diamond-like carbon film is a diamond-like carbon film formed by a CVD method. .
【０００８】請求項３に記載された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は、請求項１記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、前記ダイヤモンド状カーボン
膜にＢがドープされていることを特徴としている。According to a third aspect of the present invention, there is provided the organic electroluminescent element according to the first aspect, wherein the diamond-like carbon film is doped with B.
【０００９】請求項４に記載された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は、請求項１記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、前記ダイヤモンド状カーボン
膜にＮがドープされていることを特徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the organic electroluminescent element according to the first aspect, wherein the diamond-like carbon film is doped with N.
【００１０】請求項５に記載された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は、請求項１記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、前記ダイヤモンド状カーボン
膜の膜厚が２５オングストロームから２００オングスト
ロームの範囲であることを特徴としている。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the organic electroluminescent element according to the first aspect, wherein the diamond-like carbon film has a thickness in a range of 25 Å to 200 Å. .
【００１１】請求項６に記載された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は、請求項１記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、前記正孔注入電極がＩＴＯ膜
であることを特徴としている。According to a sixth aspect of the present invention, in the organic electroluminescent element of the first aspect, the hole injection electrode is an ITO film.
【００１２】請求項７に記載された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法は、電子注入電極と正孔注入
電極の間に有機層を有する有機エレクトロルミネッセン
ス素子の製造方法において、前記有機層と前記正孔注入
電極の間に、炭化水素系ガスを原料としたＣＶＤ法によ
ってダイヤモンド状カーボン膜を形成したことを特徴と
する。A method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 7, wherein the organic layer and the hole are provided in a method of manufacturing an organic electroluminescent device having an organic layer between an electron injection electrode and a hole injection electrode. A diamond-like carbon film is formed between the injection electrodes by a CVD method using a hydrocarbon-based gas as a raw material.
【００１３】請求項８に記載された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法は、請求項７記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記ダ
イヤモンド状カーボン膜をＣＶＤ法で形成する際、Ｂを
ドープすることを特徴としている。In the method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the present invention, B is doped when the diamond-like carbon film is formed by a CVD method. It is characterized by:
【００１４】請求項９に記載された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法は、請求項７記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記ダ
イヤモンド状カーボン膜をＣＶＤ法で形成する際、Ｎを
ドープすることを特徴としている。According to a ninth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an organic electroluminescence element according to the seventh aspect, when the diamond-like carbon film is formed by a CVD method, N is doped. It is characterized by:
【００１５】請求項１０に記載された有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法は、請求項７記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記
ダイヤモンド状カーボン膜を膜厚が２５オングストロー
ムから２００オングストロームの範囲となるように形成
することを特徴とする。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic electroluminescent element according to the seventh aspect, wherein the diamond-like carbon film has a thickness in a range of 25 Å to 200 Å. It is characterized in that it is formed so that
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】前述した従来の有機ＥＬにおい
て、十分な輝度と耐久性得られなかった原因について、
本発明者等は次のように考察した。即ち、前記有機ＥＬ
素子においては正孔注入電極としてＩＴＯを使用してい
たが、このＩＴＯは表面が化学的に不安定で酸素を放出
しやすい。このため、正孔輸送層等の有機層に接してい
るＩＴＯの表面において化学反応が生じ、有機層の機能
に支障が生じるのではないかと考えられる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the above-mentioned conventional organic EL, the reason why sufficient luminance and durability could not be obtained is as follows.
The present inventors have considered as follows. That is, the organic EL
In the device, ITO was used as the hole injection electrode, but the surface of this ITO is chemically unstable and oxygen is easily released. For this reason, it is considered that a chemical reaction occurs on the surface of ITO that is in contact with the organic layer such as the hole transport layer, which may hinder the function of the organic layer.
【００１７】ＩＴＯにそのような問題があるとすれば、
正孔注入電極としてＩＴＯの代わりに金属薄膜等を使用
することも考えられる。しかしながら、前記有機ＥＬで
は発光層からの光を正孔注入電極とガラス製の基板を通
して観察する構造であるため、正孔注入電極は透明であ
る必要がある。金属膜は一般に有色なので、有機ＥＬ素
子に使用すると観察される発光色の色彩が変わってしま
い、好ましくない。Given that ITO has such a problem,
It is conceivable to use a metal thin film or the like instead of ITO as the hole injection electrode. However, since the organic EL has a structure in which light from the light emitting layer is observed through a hole injection electrode and a glass substrate, the hole injection electrode needs to be transparent. Since the metal film is generally colored, it is not preferable to use the metal film in an organic EL device, since the observed emission color changes.
【００１８】そこで、本発明者等は、正孔注入電極とし
てはＩＴＯを用い、これと有機層との間に遮断膜を設け
て有機層の機能に支障が生じるのを防止する着想を得
た。このような遮断膜としては、化学的に安定している
等変化に強く、製造しやすく、そして発光の障害になら
ないものが好ましい。Therefore, the present inventors have obtained the idea of using ITO as the hole injection electrode and providing a blocking film between the ITO and the organic layer to prevent the function of the organic layer from being affected. . As such a blocking film, a film that is chemically stable, resistant to change, easy to manufacture, and does not hinder light emission is preferable.
【００１９】本願発明者等は、このような条件を満足す
る遮断膜とその製法について鋭意研究した。その結果、
ダイヤモンド状カーボン膜が最も適しているとの認識を
得たのである。The present inventors have intensively studied a barrier film which satisfies such conditions and a method for producing the same. as a result,
He recognized that the diamond-like carbon film was the most suitable.
【００２０】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ素子１
０を図１に示す。本例の有機ＥＬ素子１０は、電子注入
電極と正孔注入電極の間に有機層を有する有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、前記有機層と前記正孔
注入電極の間にダイヤモンド状カーボン膜を形成したこ
とを特徴とするものである。Organic EL device 1 according to an embodiment of the present invention
0 is shown in FIG. The organic EL element 10 of this example is an organic electroluminescence element having an organic layer between an electron injection electrode and a hole injection electrode, wherein a diamond-like carbon film is formed between the organic layer and the hole injection electrode. It is characterized by the following.
【００２１】この有機ＥＬ素子１０においては、ガラス
製の基板１上に正孔注入電極２としてのＩＴＯ(Indium
Tin Oxide)が形成されている。正孔注入電極２の上に
は、ダイヤモンド状カーボン（Diamond Like Carbon 、
略してＤＬＣ）膜３が形成され、その上に正孔輸送層４
としてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３メチ
ルフェニル）−１，１’−ビフェニル４，４’−ジアミ
ン（ＴＰＤ）の層が形成されている。正孔輸送層４の上
には発光層５としてトリス（８−キノリライト）アルミ
ニウム(III) (Alq3)が形成されている。発光層５の上に
は、電子注入電極６としてＡｉ：Ｌｉ合金の層が形成さ
れている。In this organic EL element 10, an ITO (Indium) as a hole injection electrode 2 is formed on a glass substrate 1.
Tin Oxide) is formed. On the hole injection electrode 2, diamond-like carbon (Diamond Like Carbon,
DLC) film 3 is formed, and a hole transport layer 4 is formed thereon.
A layer of N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3methylphenyl) -1,1'-biphenyl4,4'-diamine (TPD) is formed. Tris (8-quinolilite) aluminum (III) (Alq 3 ) is formed on the hole transport layer 4 as the light emitting layer 5. An Ai: Li alloy layer is formed as an electron injection electrode 6 on the light emitting layer 5.
【００２２】ＤＬＣ膜の成膜方法は、熱フィラメントＣ
ＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、燃焼炎法、ＲＦ
や直流の放電あるいは有磁場のプラズマＣＶＤ法等があ
る。The method of forming the DLC film is as follows.
VD method, microwave plasma CVD method, combustion flame method, RF
And a direct current discharge or a plasma CVD method with a magnetic field.
【００２３】ＣＶＤは、Chemical Vapor Deposition の
略であり、目的とする膜材料を構成する成分元素を含む
気体を原料として反応室に供給し、気相中での反応ある
いは基板表面での化学反応により目的とした材料を膜と
して堆積させる方法である。反応室への原料の供給は、
ガス状化合物の場合にはそのまま行い、蒸気圧の比較的
高い液体や固定状化合物の場合は気化させて行う。CVD is an abbreviation of Chemical Vapor Deposition, in which a gas containing a component element constituting a target film material is supplied to a reaction chamber as a raw material, and is subjected to a reaction in a gas phase or a chemical reaction on a substrate surface. This is a method of depositing a target material as a film. The supply of raw materials to the reaction chamber
In the case of a gaseous compound, it is carried out as it is, and in the case of a liquid having a relatively high vapor pressure or a fixed compound, it is carried out by vaporization.
【００２４】前述したように、ＣＶＤ法には多くの種類
があるが、これらは使用する原料の種類、反応過程の雰
囲気圧、反応促進手段等に応じて選択される。As described above, there are many types of CVD methods, and these are selected according to the type of raw materials to be used, the atmospheric pressure in the reaction process, the reaction promoting means, and the like.
【００２５】例えば、原料について述べれば、熱フィラ
メントＣＶＤ法の場合、ＣＨ3 ＯＨ、（ＣＨ3 ）ＣＯ、
ベンゼン、トルエン等、ＣＨ基を持つ有機溶媒が用いら
れる。また、マイクロ波プラズマＣＶＤ法の場合、Ｃ
Ｏ、メタン等を大量のＨ2 で希釈して用いるのが一般的
である。For example, regarding the raw materials, in the case of the hot filament CVD method, CH 3 OH, (CH 3 ) CO,
Organic solvents having a CH group, such as benzene and toluene, are used. In the case of the microwave plasma CVD method, C
Generally, O, methane and the like are diluted with a large amount of H 2 and used.
【００２６】図２は、熱フィラメントＣＶＤ法によるダ
イヤモンド状カーボン膜（ＤＬＣ膜）の生成装置の一構
成例を示す概略図である。真空槽１１の内部には、カソ
ード１２、アノード１３、ＤＬＣ膜が形成される基板１
４（本例では正孔注入電極２が形成された基板１）が配
置されている。真空槽１１の内部にはガス導入口１５を
介して原料のガスが導入される。１６は開閉可能な排気
口である。FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a configuration of a device for producing a diamond-like carbon film (DLC film) by a hot filament CVD method. Inside a vacuum chamber 11, a substrate 1 on which a cathode 12, an anode 13, and a DLC film are formed
4 (in this example, the substrate 1 on which the hole injection electrode 2 is formed). A raw material gas is introduced into the vacuum chamber 11 through a gas inlet 15. Reference numeral 16 denotes an openable / closable exhaust port.
【００２７】前記生成装置において、カソード１２とア
ノード１３の間に電圧を印加する。抵抗加熱によって十
分に昇温したカソード１２からアノード１３に向かって
熱電子が放出される。真空槽１１中に作動ガスとして導
入されている炭化水素系ガスの一部が、カソード１２か
ら放出された熱電子によってイオン化されてプラズマ状
態を形成する。イオン化された炭化水素分子は基板１４
に印加された電圧によって基板１４の方向に加速され
る。基板１４に到達して衝突した前記イオンは、基板１
４上に物理的蒸着膜を形成する。In the generator, a voltage is applied between the cathode 12 and the anode 13. Thermoelectrons are emitted from the cathode 12, which has been sufficiently heated by resistance heating, to the anode 13. Part of the hydrocarbon-based gas introduced into the vacuum chamber 11 as a working gas is ionized by thermions emitted from the cathode 12 to form a plasma state. The ionized hydrocarbon molecules are deposited on the substrate 14
Is accelerated in the direction of the substrate 14 by the voltage applied to. The ions that have reached and collided with the substrate 14
4, a physical vapor deposition film is formed.
【００２８】[0028]
【実施例】前述した本例の有機ＥＬ素子１０の製造の実
施例を図１及び表１を参照して具体的に説明する。 (1) 第１実施例 基板１の表面に厚さ０．１μｍでＩＴＯを被着し、正孔
注入電極２を形成する。この基板１を洗浄した後、正孔
注入電極２の上にＤＬＣ膜３を形成する。形成方法は前
述したＣＶＤ法である。ＤＬＣ膜３を、２５オングスト
ローム、５０オングストローム、１００オングストロー
ム、２００オングストロームの各膜厚とした４種類の基
板を作成する。また、比較のために、ＩＴＯの正孔注入
電極２のみで、ＤＬＣ膜３のない基板１も用意する。こ
れらの基板１を用いて有機ＥＬ素子を作成し、その性能
を比較する。EXAMPLE An example of manufacturing the above-described organic EL device 10 of the present example will be specifically described with reference to FIG. (1) First Example An ITO having a thickness of 0.1 μm is deposited on the surface of a substrate 1 to form a hole injection electrode 2. After washing the substrate 1, a DLC film 3 is formed on the hole injection electrode 2. The formation method is the above-mentioned CVD method. Four types of substrates are prepared in which the DLC film 3 has a film thickness of 25 Å, 50 Å, 100 Å, and 200 Å. For comparison, a substrate 1 having only the hole injection electrode 2 made of ITO and having no DLC film 3 is also prepared. An organic EL device is prepared using these substrates 1 and their performances are compared.
【００２９】前記基板１を抵抗加熱真空蒸着装置内にセ
ットし、５×１０-4Ｐａ以下の真空度まで減圧した後、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３メチルフェ
ニル）−１，１’−ビフェニル４，４’−ジアミン（Ｔ
ＰＤ）を約３オングストローム／ｓの蒸着速度で約４０
０オングストローム蒸着し、正孔輸送層４を形成する。After setting the substrate 1 in a resistance heating vacuum evaporation apparatus and reducing the pressure to a degree of vacuum of 5 × 10 −4 Pa or less,
N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl4,4'-diamine (T
PD) at a deposition rate of about 3 Å / s to about 40
The hole transport layer 4 is formed by vapor deposition of 0 Å.
【００３０】続いて、トリス（８−キノリライト）アル
ミニウム(III) (Alq3)を約３オングストローム／ｓの蒸
着速度で約５００オングストローム蒸着し、発光層５を
形成する。Subsequently, about 500 angstroms of tris (8-quinolilite) aluminum (III) (Alq 3 ) is evaporated at an evaporation rate of about 3 angstroms / s to form the light emitting layer 5.
【００３１】一度真空を解除し、薄膜パターンのマスク
を交換した後、再び装置内にセットし、５×１０-4Ｐａ
以下の真空度でＡｉ：Ｌｉ合金を抵抗加熱蒸着により約
１５００オングストローム蒸着し、電子注入電極６を形
成した。After the vacuum is released once and the mask of the thin film pattern is replaced, the mask is set again in the apparatus, and 5 × 10 −4 Pa
An electron injection electrode 6 was formed by vapor-depositing an Ai: Li alloy by resistance heating at a temperature of about 1500 angstroms at the following degree of vacuum.
【００３２】以上のようにして得られた４種類の本実施
例の有機ＥＬ素子と、ＤＬＣ膜のない比較例の有機ＥＬ
素子において、正孔注入電極２の側を陽極とし、電子注
入電極６の側を陰極として直流電圧を印加し、１０ｍＡ
／ｃｍ2 定電流駆動の連続駆動試験を行った。各素子の
発光輝度と、輝度半減期を表１に示す。The four types of organic EL devices of this example obtained as described above and the organic EL device of the comparative example without a DLC film were used.
In the device, a DC voltage was applied with the hole injection electrode 2 side as an anode and the electron injection electrode 6 side as a cathode, and 10 mA was applied.
/ Cm 2 Constant current drive continuous drive test was performed. Table 1 shows the light emission luminance and the luminance half life of each element.
【００３３】[0033]
【表１】 [Table 1]
【００３４】表１から分かるように、１０ｍＡ／ｃｍ2
定電流駆動における各素子の発光輝度は、従来例（ＤＬ
Ｃ膜がないもの）に比べ、ＤＬＣ膜を有する有機ＥＬ素
子は約２５％前後高い値を示した。As can be seen from Table 1, 10 mA / cm 2
The light emission luminance of each element in the constant current driving is the same as the conventional example (DL
The organic EL device having the DLC film showed a value about 25% higher than that of the device without the C film).
【００３５】表１から分かるように、１０ｍＡ／ｃｍ2
連続駆動試験における各素子の輝度半減期は、従来例
（ＤＬＣ膜がないもの）に比べ、ＤＬＣ膜を有する有機
ＥＬ素子は約４倍から２４倍の長さを示した。As can be seen from Table 1, 10 mA / cm 2
The luminance half-life of each element in the continuous driving test was about 4 to 24 times longer in the organic EL element having the DLC film than in the conventional example (without the DLC film).
【００３６】このようにＤＬＣ膜を有する本実施例の有
機ＥＬ素子は、輝度と寿命の点で従来よりも高い性能を
示した。これは、表面が化学的に不安定なＩＴＯの正孔
注入電極２と、これに隣接する有機層である正孔輸送層
４との間に、化学的に安定で変化しにくいＤＬＣ膜３を
遮蔽膜として設けたため、正孔輸送層４等の有機層の機
能が正孔注入電極２のＩＴＯによって阻害されることが
なくなったためと考えられる。As described above, the organic EL device of this embodiment having the DLC film exhibited higher performance than the conventional device in terms of luminance and life. This means that a DLC film 3 that is chemically stable and hard to change is provided between a hole injection electrode 2 of ITO whose surface is chemically unstable and a hole transport layer 4 which is an organic layer adjacent thereto. It is considered that the function of the organic layer such as the hole transport layer 4 was not hindered by the ITO of the hole injection electrode 2 because the layer was provided as the shielding film.
【００３７】(2) 第２実施例 前記ＤＬＣ膜の電気抵抗を制御するため、ＤＬＣ膜をＣ
ＶＤ法によって形成する際、ＤＬＣ膜にＢ（ボロン）を
ドープする。これ以外は前述した第１実施例と同様の方
法で有機ＥＬ素子を作製した。本実施例の有機ＥＬ素子
によれば、ＤＬＣ膜の導電性が高まり、駆動電圧が低く
なるので、素子内の発熱が減少して寿命がさらに向上
し、輝度半減期が大幅に改善された。(2) Second Embodiment In order to control the electric resistance of the DLC film, the DLC film is
When forming by the VD method, B (boron) is doped into the DLC film. Except for this, an organic EL device was manufactured in the same manner as in the first embodiment. According to the organic EL device of this example, since the conductivity of the DLC film was increased and the driving voltage was lowered, the heat generation in the device was reduced, the life was further improved, and the luminance half-life was significantly improved.
【００３８】(3) 第３実施例 前記ＤＬＣ膜の電気抵抗を制御するため、ＤＬＣ膜をＣ
ＶＤ法によって形成する際、ＤＬＣ膜にＮ（窒素）をド
ープする。これ以外は前述した第１実施例と同様の方法
で有機ＥＬ素子を作製した。本実施例の有機ＥＬ素子に
よれば、ＤＬＣ膜の導電性が高まり、駆動電圧が低くな
るので、素子内の発熱が減少して寿命がさらに向上し、
輝度半減期が大幅に改善された。(3) Third Embodiment In order to control the electric resistance of the DLC film, the DLC film is
When forming by the VD method, the DLC film is doped with N (nitrogen). Except for this, an organic EL device was manufactured in the same manner as in the first embodiment. According to the organic EL device of the present embodiment, the conductivity of the DLC film is increased and the driving voltage is reduced, so that heat generation in the device is reduced and the life is further improved,
The brightness half-life has been greatly improved.
【００３９】[0039]
【発明の効果】電子注入電極と正孔注入電極の間に有機
層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、有機層と正孔注入電極の間にダイヤモンド状カーボ
ン膜を形成した本発明の有機エレクトロルミネッセンス
素子によれば、高い発光輝度が得られ、また連続駆動時
における輝度劣化を抑えることができた。これによっ
て、有機ＥＬ素子のディスプレイとしての実用化が促進
される。According to the present invention, there is provided an organic electroluminescence device having an organic layer between an electron injection electrode and a hole injection electrode, wherein a diamond-like carbon film is formed between the organic layer and the hole injection electrode. According to the method, high light emission luminance was obtained, and luminance deterioration during continuous driving was able to be suppressed. This promotes the practical use of the organic EL element as a display.
【図１】本発明の実施の形態の一例である有機ＥＬ素子
の構造を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic EL element which is an example of an embodiment of the present invention.
【図２】ＣＶＤ法によるダイヤモンド状カーボン膜（Ｄ
ＬＣ膜）の生成装置の一構成例を示す概略図である。FIG. 2 shows a diamond-like carbon film (D
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of an apparatus for generating an LC film.
【図３】従来の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図であ
る。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a conventional organic EL element.
２ 正孔注入電極 ３ ダイヤモンド状カーボン膜 ４ 有機層としての正孔輸送層 ６ 電子注入電極 １０ 有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素
子）Reference Signs List 2 hole injection electrode 3 diamond-like carbon film 4 hole transport layer as organic layer 6 electron injection electrode 10 organic electroluminescence element (organic EL element)
Claims (10)
層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、前記有機層と前記正孔注入電極の間にダイヤモンド
状カーボン膜を形成したことを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子。1. An organic electroluminescence device having an organic layer between an electron injection electrode and a hole injection electrode, wherein a diamond-like carbon film is formed between the organic layer and the hole injection electrode. Organic electroluminescent element.
法で形成されたダイヤモンド状カーボン膜であることを
特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセン
ス素子。2. The method according to claim 1, wherein said diamond-like carbon film is formed by CVD.
2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the organic electroluminescence device is a diamond-like carbon film formed by a method.
ープされている請求項１記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。3. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein said diamond-like carbon film is doped with B.
ープされている請求項１記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。4. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein said diamond-like carbon film is doped with N.
２５オングストロームから２００オングストロームの範
囲であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。5. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the thickness of the diamond-like carbon film is in a range of 25 Å to 200 Å.
項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。6. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the hole injection electrode is an ITO film.
層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法において、前記有機層と前記正孔注入電極の間に、炭
化水素系ガスを原料としたＣＶＤ法によってダイヤモン
ド状カーボン膜を形成したことを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス素子の製造方法。7. A method for manufacturing an organic electroluminescence device having an organic layer between an electron injection electrode and a hole injection electrode, wherein a hydrocarbon-based gas is used as a raw material between the organic layer and the hole injection electrode. A method for manufacturing an organic electroluminescent device, wherein a diamond-like carbon film is formed by a CVD method.
法で形成する際、Ｂをドープすることを特徴とする請求
項７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。8. The method according to claim 1, wherein the diamond-like carbon film is formed by CVD.
8. The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 7, wherein B is doped at the time of formation by a method.
法で形成する際、Ｎをドープすることを特徴とする請求
項７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。9. The method according to claim 1, wherein the diamond-like carbon film is formed by CVD.
8. The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 7, wherein N is doped at the time of formation by a method.
が２５オングストロームから２００オングストロームの
範囲となるように形成することを特徴とする請求項７記
載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。10. The method according to claim 7, wherein the diamond-like carbon film is formed so as to have a thickness in a range of 25 Å to 200 Å.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9183660A JPH1131587A (en) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | Organic electroluminescent element and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP9183660A JPH1131587A (en) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | Organic electroluminescent element and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131587A true JPH1131587A (en) | 1999-02-02 |
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| JP (1) | JPH1131587A (en) |
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