JPH11312950A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH11312950A JPH11312950A JP12087498A JP12087498A JPH11312950A JP H11312950 A JPH11312950 A JP H11312950A JP 12087498 A JP12087498 A JP 12087498A JP 12087498 A JP12087498 A JP 12087498A JP H11312950 A JPH11312950 A JP H11312950A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 弾性表面波装置における反射器の反射量を増
加させて通過帯域を広帯域とし、且つエネルギーロスを
低減する。 【解決手段】 同一圧電基板上１に隣接して平行に形成
したくし形電極３ａとグレーティング反射器２ａからな
る弾性表面波装置において、くし形電極３ａの金属パタ
ーンのライン部の幅（ＬI）とグレーティング反射器２
ａの金属パターンのライン部の幅（ＬR）とを異ならせ
ると共に、くし形電極３ａの非金属パターンのスペース
部の幅（ＳI）とグレーティング反射器２ａの非金属パ
ターンのスペース部の幅（ＳR）とを異ならせ、くし形
電極３ａにおけるライン部のスペース部に対する比率
を、グレーティング反射器２ａにおけるライン部のスペ
ース部に対する比率より大きくする。
加させて通過帯域を広帯域とし、且つエネルギーロスを
低減する。 【解決手段】 同一圧電基板上１に隣接して平行に形成
したくし形電極３ａとグレーティング反射器２ａからな
る弾性表面波装置において、くし形電極３ａの金属パタ
ーンのライン部の幅（ＬI）とグレーティング反射器２
ａの金属パターンのライン部の幅（ＬR）とを異ならせ
ると共に、くし形電極３ａの非金属パターンのスペース
部の幅（ＳI）とグレーティング反射器２ａの非金属パ
ターンのスペース部の幅（ＳR）とを異ならせ、くし形
電極３ａにおけるライン部のスペース部に対する比率
を、グレーティング反射器２ａにおけるライン部のスペ
ース部に対する比率より大きくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、弾性表面波装置
に関し、特に周波数通過帯域（以下、通過帯域と記載す
る）内のリップルを少なくして通過帯域の広帯域化、お
よび通過帯域内におけるエネルギーロスの低減化に優れ
た弾性表面波装置を提供する。
に関し、特に周波数通過帯域（以下、通過帯域と記載す
る）内のリップルを少なくして通過帯域の広帯域化、お
よび通過帯域内におけるエネルギーロスの低減化に優れ
た弾性表面波装置を提供する。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の弾性表面波装置の構成図で
ある。図において、１は圧電基板、２は圧電基板１上に
形成された金属薄膜のパターンにより形成されたグレー
ティング反射器、３は圧電基板１上にグレーティング反
射器２と隣接して平行に形成された金属薄膜のパターン
によるくし形電極である。
ある。図において、１は圧電基板、２は圧電基板１上に
形成された金属薄膜のパターンにより形成されたグレー
ティング反射器、３は圧電基板１上にグレーティング反
射器２と隣接して平行に形成された金属薄膜のパターン
によるくし形電極である。
【０００３】グレーティング反射器２には金属薄膜が蒸
着されていないスリット状の縦長の開口部が所定間隔で
複数本並列に形成されて、この開口部をスペース（フリ
ー部）、金属薄膜によるパターン部をライン（メタライ
ズ部）とする。また、くし形電極３は金属薄膜による一
対の櫛歯状のパターンが所定幅のスペース（フリー部）
を開けて交互に噛み合わさって形成されている。
着されていないスリット状の縦長の開口部が所定間隔で
複数本並列に形成されて、この開口部をスペース（フリ
ー部）、金属薄膜によるパターン部をライン（メタライ
ズ部）とする。また、くし形電極３は金属薄膜による一
対の櫛歯状のパターンが所定幅のスペース（フリー部）
を開けて交互に噛み合わさって形成されている。
【０００４】尚、くし形電極３のライン幅ＬIとグレー
ティング反射器２のライン幅ＬRとの間には次のような
関係がある。
ティング反射器２のライン幅ＬRとの間には次のような
関係がある。
【０００５】ＬI≒ＬR
【０００６】また、くし形電極３のスペース幅ＳIとグ
レーティング反射器２のスペース幅ＳRとの間には以下
のような関係がある。
レーティング反射器２のスペース幅ＳRとの間には以下
のような関係がある。
【０００７】ＳI≒ＳR
【０００８】例えば、くし形電極のくし部の交差幅（以
降、交差幅と記載）を小さくするため、ＬR:ＳR＝３.
５:１.５，ＬI:ＳI＝３.５:１.５とし、グレーティング
反射器２おけるスペース幅（ＳR）とライン幅（ＬR）と
の比率と、くし形電極３におけるスペース幅（ＳI）と
ライン幅（ＬI）との比率を同等にする。すると、例え
ば圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3６
４゜ＲＹ−ｃｕｔ基板を用いた場合、通過帯域は図３に
示すように５０ＭＨｚとなる。
降、交差幅と記載）を小さくするため、ＬR:ＳR＝３.
５:１.５，ＬI:ＳI＝３.５:１.５とし、グレーティング
反射器２おけるスペース幅（ＳR）とライン幅（ＬR）と
の比率と、くし形電極３におけるスペース幅（ＳI）と
ライン幅（ＬI）との比率を同等にする。すると、例え
ば圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3６
４゜ＲＹ−ｃｕｔ基板を用いた場合、通過帯域は図３に
示すように５０ＭＨｚとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の弾性表面装置は
以上のように、くし形電極３とグレーティング反射器２
ではスペース幅ＳIとスペース幅ＳRが同等幅であるた
め、グレーティング反射器２のサイドローブによる通過
特性のリップル４である細かい波が通過帯域の近傍で発
生し、通過帯域の広帯域化設計時にはこの波に通過帯域
がかかると帯域幅が狭くなったり、通過帯域にリップル
４が発生する問題点があった。
以上のように、くし形電極３とグレーティング反射器２
ではスペース幅ＳIとスペース幅ＳRが同等幅であるた
め、グレーティング反射器２のサイドローブによる通過
特性のリップル４である細かい波が通過帯域の近傍で発
生し、通過帯域の広帯域化設計時にはこの波に通過帯域
がかかると帯域幅が狭くなったり、通過帯域にリップル
４が発生する問題点があった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、グレーティング反射器のサイド
ローブによる通過特性のリップルの間隔を広げることで
通過帯域の広帯域化およびエネルギーロスの低減化を計
ると共に、小型化された表面弾性波装置を得ることを目
的とする。
ためになされたもので、グレーティング反射器のサイド
ローブによる通過特性のリップルの間隔を広げることで
通過帯域の広帯域化およびエネルギーロスの低減化を計
ると共に、小型化された表面弾性波装置を得ることを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る弾
性表面波装置は、同一圧電基板上に隣接して平行に形成
したくし形電極と反射器からなる弾性表面波装置におい
て、くし形電極の金属パターンのライン部の幅（ＬI）
と反射器の金属パターンのライン部の幅（ＬR）とを異
ならせ共に、くし形電極の非金属パターンのスペース部
の幅（ＳI）と反射器の非金属パターンのスペース部の
幅（ＳR）とを異ならせ、くし形電極におけるライン部
のスペース部に対する比率を、グレーティング反射器に
おけるライン部のスペース部に対する比率より大きくし
たものである。
性表面波装置は、同一圧電基板上に隣接して平行に形成
したくし形電極と反射器からなる弾性表面波装置におい
て、くし形電極の金属パターンのライン部の幅（ＬI）
と反射器の金属パターンのライン部の幅（ＬR）とを異
ならせ共に、くし形電極の非金属パターンのスペース部
の幅（ＳI）と反射器の非金属パターンのスペース部の
幅（ＳR）とを異ならせ、くし形電極におけるライン部
のスペース部に対する比率を、グレーティング反射器に
おけるライン部のスペース部に対する比率より大きくし
たものである。
【００１２】請求項２の発明に係る弾性表面波装置は、
くし形電極のライン幅（ＬI）、反射器のライン幅
（ＬR）、くし形電極のスペース幅（ＳI）、反射器のス
ペース幅（ＳR）の平均値で以下の式が成り立つように
各幅を設定したものである。 ２≧（ＬR＋ＳR）／（ＬI＋ＳI）≧０．５ 且つ、ＬI
／ＳI＞ＬR／ＳR 且つ、０．９≧ＬI／（ＬI＋ＳI）＞
ＬR／（ＬR＋ＳR）≧０．２
くし形電極のライン幅（ＬI）、反射器のライン幅
（ＬR）、くし形電極のスペース幅（ＳI）、反射器のス
ペース幅（ＳR）の平均値で以下の式が成り立つように
各幅を設定したものである。 ２≧（ＬR＋ＳR）／（ＬI＋ＳI）≧０．５ 且つ、ＬI
／ＳI＞ＬR／ＳR 且つ、０．９≧ＬI／（ＬI＋ＳI）＞
ＬR／（ＬR＋ＳR）≧０．２
【００１３】請求項３の発明に係る弾性表面波装置は、
圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６０
〜６８゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたものである。
圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６０
〜６８゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたものである。
【００１４】請求項４の発明に係る弾性表面波装置は、
圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(３７
〜４５゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたものである。
圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(３７
〜４５゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたものである。
【００１５】請求項５の発明に係る弾性表面波装置は、
圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＴａＯ3（３
２〜４６゜Ｙ−ｃｕｔ）ウエアを用いたものである。
圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＴａＯ3（３
２〜４６゜Ｙ−ｃｕｔ）ウエアを用いたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１に係る表面弾性波装置について説明する。
実験で確認した所、くし形電極と反射器のライン幅をス
ペース幅に近づける、またはスペース幅以下にするとグ
レーティング反射器２からの反射量が増加するため、グ
レーティング反射器２による通過特性のリップル間の間
隔が広がる。しかし、その一方、くし形電極３のライン
幅をスペース幅に近づける、又はスペース幅以下にする
と電気容量を同じにする為、くし部の交差幅を大きくす
る必要がある。その結果、チップ（装置）のサイズが大
きくなり、抵抗損も大きくなってエネルギーロスも増え
る。
実施の形態１に係る表面弾性波装置について説明する。
実験で確認した所、くし形電極と反射器のライン幅をス
ペース幅に近づける、またはスペース幅以下にするとグ
レーティング反射器２からの反射量が増加するため、グ
レーティング反射器２による通過特性のリップル間の間
隔が広がる。しかし、その一方、くし形電極３のライン
幅をスペース幅に近づける、又はスペース幅以下にする
と電気容量を同じにする為、くし部の交差幅を大きくす
る必要がある。その結果、チップ（装置）のサイズが大
きくなり、抵抗損も大きくなってエネルギーロスも増え
る。
【００１７】そこで、上記装置の小型化、エネルギーロ
スの低減化のためにはくし形電極のライン幅を太くして
抵抗損を減らし、静電容量を増やして交差幅を小さくす
ればよい。即ち、くし形電極のメタライズ比をグレーテ
ィング反射器のメタライズ比より大きくすることで、グ
レーティング反射器のサイドローブによるリップル間隔
が広がり、かつ、小型化、エネルギーロス低減化が可能
となる。
スの低減化のためにはくし形電極のライン幅を太くして
抵抗損を減らし、静電容量を増やして交差幅を小さくす
ればよい。即ち、くし形電極のメタライズ比をグレーテ
ィング反射器のメタライズ比より大きくすることで、グ
レーティング反射器のサイドローブによるリップル間隔
が広がり、かつ、小型化、エネルギーロス低減化が可能
となる。
【００１８】図１は上記内容を勘案して作成された本実
施の形態に係る表面弾性波装置の構成図である。図にお
いて、１Ａは本実施の形態に係る表面弾性波装置の本体
である。この装置において、２ａは圧電基板１に金属被
膜によるパターンで形成されたグリッド状のグレーティ
ング反射器であり、このグレーティング反射器２ａを形
成するメタライズされたラインの幅（ＬR）は２.７５×
αμｍ、ライン間の非メタライズのスペースの幅
（ＳR）は２.２５×αμｍとする。ここでαは縮小率を
示し、１.１≧α＞０である。α≒０．５
施の形態に係る表面弾性波装置の構成図である。図にお
いて、１Ａは本実施の形態に係る表面弾性波装置の本体
である。この装置において、２ａは圧電基板１に金属被
膜によるパターンで形成されたグリッド状のグレーティ
ング反射器であり、このグレーティング反射器２ａを形
成するメタライズされたラインの幅（ＬR）は２.７５×
αμｍ、ライン間の非メタライズのスペースの幅
（ＳR）は２.２５×αμｍとする。ここでαは縮小率を
示し、１.１≧α＞０である。α≒０．５
【００１９】３ａは圧電基板１上にグレーティング反射
器２ａに隣接して平行に金属被膜によるパターンで形成
されたくし形電極であり、このくし形電極３ａは一対の
くし形パターン（ライン）を所定の間隙（スペース）を
設けて交互に噛み合わせて形成している。このくし形電
極３ａの場合、櫛歯を形成するラインの幅（ＬI）は３.
５×αμｍ、隣接するライン間のスペースの幅（ＳI）
は１.５×αμｍとする。ここで、圧電基板１はアルミ
ニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６４゜ＲＹ−Ｃｕｔ)ウ
エハとする。
器２ａに隣接して平行に金属被膜によるパターンで形成
されたくし形電極であり、このくし形電極３ａは一対の
くし形パターン（ライン）を所定の間隙（スペース）を
設けて交互に噛み合わせて形成している。このくし形電
極３ａの場合、櫛歯を形成するラインの幅（ＬI）は３.
５×αμｍ、隣接するライン間のスペースの幅（ＳI）
は１.５×αμｍとする。ここで、圧電基板１はアルミ
ニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６４゜ＲＹ−Ｃｕｔ)ウ
エハとする。
【００２０】上記のように各幅を設定することで、ＬR:
ＳR＝２.７５:２.２５，ＬI:ＳI＝３.５:１.５，(ＬI＞
ＬR，ＳI＜ＳR)との関係となり、サイドローブのリップ
ル間隔は図２に示すように６７.４ＭＨｚとなる。これ
は従来技術のリップル間隔５０ＭＨｚに対して１７.４
ＭＨｚ広がったことになる。
ＳR＝２.７５:２.２５，ＬI:ＳI＝３.５:１.５，(ＬI＞
ＬR，ＳI＜ＳR)との関係となり、サイドローブのリップ
ル間隔は図２に示すように６７.４ＭＨｚとなる。これ
は従来技術のリップル間隔５０ＭＨｚに対して１７.４
ＭＨｚ広がったことになる。
【００２１】尚、上記のようにライン幅とスペース幅を
決めると、くし形電極３ａのメタライズ比とグレーティ
ング反射器２ａのメタライズ比との関係は以下のように
なる。
決めると、くし形電極３ａのメタライズ比とグレーティ
ング反射器２ａのメタライズ比との関係は以下のように
なる。
【００２２】 ＬI／(ＬI＋ＳI)＝３.５／５＝０.７＞ＬR／(ＬR＋ＳR)＝２.７５／５ ＝０．５５ ＬI／(ＬI＋ＳI)：くし形電極３ａのメタライズ比 ＬR／(ＬR＋ＳR)：グレーティング反射器２ａのメタラ
イズ比
イズ比
【００２３】くし形電極３ａのメタライズ比を０.７と
しているが、くし形電極３ａで表面弾性波（ＳＡＷ）を
出す限界のメタライズ比を０.９とし、メタライズ比の
理論的な最適値を０.５前後とした場合に、くし形電極
３ａのメタライズ比は以下の数値内に入ればよい。
しているが、くし形電極３ａで表面弾性波（ＳＡＷ）を
出す限界のメタライズ比を０.９とし、メタライズ比の
理論的な最適値を０.５前後とした場合に、くし形電極
３ａのメタライズ比は以下の数値内に入ればよい。
【００２４】０.９≧{ＬI／(ＬI＋ＳI)}≧０.４
【００２５】但し、パターンをウエットエッチングによ
り作成する場合、くし形電極３ａのライン幅ＬＩ、グレ
ーティング反射器２ａのライン幅ＬＲは４０〜５０％程
細くなるため、くし形電極３ａのメタライズ比は以下の
数値内に入ればよい。
り作成する場合、くし形電極３ａのライン幅ＬＩ、グレ
ーティング反射器２ａのライン幅ＬＲは４０〜５０％程
細くなるため、くし形電極３ａのメタライズ比は以下の
数値内に入ればよい。
【００２６】 ０.９≧{ＬI／(ＬI＋ＳI)}≧０.４×０.５＝０.２ ∴ ０.９≧{ＬI／(ＬI＋ＳI)}＞{ＬR／(ＬR＋ＳR)}≧０.２
【００２７】実施の形態２．上記実施の形態では、圧電
基板１をアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６４゜
ＲＹ−ｃｕｔ)ウエハとしたが、ＬｉＮｂＯ3(４１゜ＲＹ
−ｃｕｔ)ウエハにアルミニュームを成膜した圧電基板
に、ＬR:ＳR＝３.５:１.５，ＬI:ＳI＝３.５:１.５の関
係でグレーティング反射器２ａとくし形電極３ａを形成
するとグレーティング反射器２ａのサイドローブによる
通過特性のリップル間隔は図５に示すように８１.５Ｍ
Ｈｚとなった。
基板１をアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６４゜
ＲＹ−ｃｕｔ)ウエハとしたが、ＬｉＮｂＯ3(４１゜ＲＹ
−ｃｕｔ)ウエハにアルミニュームを成膜した圧電基板
に、ＬR:ＳR＝３.５:１.５，ＬI:ＳI＝３.５:１.５の関
係でグレーティング反射器２ａとくし形電極３ａを形成
するとグレーティング反射器２ａのサイドローブによる
通過特性のリップル間隔は図５に示すように８１.５Ｍ
Ｈｚとなった。
【００２８】しかし、実施の形態１で説明したように、
上記グレーティング反射器２ａのライン幅とスペース幅
の比を２.７５：２.２５とし、くし形電極３ａのメタラ
イズ比とグレーティング反射器２ａのメタライズ比との
関係を０.９≧ＬI／(ＬI＋ＳI)＞ＬR／(ＬR＋ＳR)≧０.
２にすると、グレーティング反射器２ａのサイドローブ
による通過特性のリップル間隔は図４に示すように８
１.５ＭＨｚから１０２ＭＨｚに広げることができた。
上記グレーティング反射器２ａのライン幅とスペース幅
の比を２.７５：２.２５とし、くし形電極３ａのメタラ
イズ比とグレーティング反射器２ａのメタライズ比との
関係を０.９≧ＬI／(ＬI＋ＳI)＞ＬR／(ＬR＋ＳR)≧０.
２にすると、グレーティング反射器２ａのサイドローブ
による通過特性のリップル間隔は図４に示すように８
１.５ＭＨｚから１０２ＭＨｚに広げることができた。
【００２９】実施の形態３．上記実施の形態２ではウエ
ハにＬｉＮｂＯ3を使用したが、ＬｉＴａＯ3（３２〜４
６゜Ｙ−ＣＵＴ）を使用し、くし形電極３ａのメタライ
ズ比とグレーティング反射器２ａのメタライズ比との関
係を０．９≧ＬI／(ＬI＋ＳI)＞ＬR／(ＬR＋ＳR)≧０.
２にしてもグレーティング反射器２ａのサイドローブに
よる通過特性のリップル間隔を広げることができる。
ハにＬｉＮｂＯ3を使用したが、ＬｉＴａＯ3（３２〜４
６゜Ｙ−ＣＵＴ）を使用し、くし形電極３ａのメタライ
ズ比とグレーティング反射器２ａのメタライズ比との関
係を０．９≧ＬI／(ＬI＋ＳI)＞ＬR／(ＬR＋ＳR)≧０.
２にしてもグレーティング反射器２ａのサイドローブに
よる通過特性のリップル間隔を広げることができる。
【００３０】実施の形態４．上記各実施の形態では、グ
レーティング反射器２ａをグリッド状にして各メタライ
ズ（ライン）部を短絡した形にしたが、各メタライズ部
間をオープンにして形成してもよく、またくし形電極３
ａと同様の形に形成してもよい。要はグレーティング反
射器の形状によらずウエハの素材の選択とくし形電極の
メタライズ比と反射器のメタライズ比との関係を、０.
９≧ＬI／(ＬI＋ＳI)＞ＬR／(ＬR＋ＳR)≧０.２にする
ことで反射器のサイドローブによる通過特性のリップル
間隔を広げることができる。
レーティング反射器２ａをグリッド状にして各メタライ
ズ（ライン）部を短絡した形にしたが、各メタライズ部
間をオープンにして形成してもよく、またくし形電極３
ａと同様の形に形成してもよい。要はグレーティング反
射器の形状によらずウエハの素材の選択とくし形電極の
メタライズ比と反射器のメタライズ比との関係を、０.
９≧ＬI／(ＬI＋ＳI)＞ＬR／(ＬR＋ＳR)≧０.２にする
ことで反射器のサイドローブによる通過特性のリップル
間隔を広げることができる。
【００３１】上記くし形電極のメタライズ比と反射器の
メタライズ比との関係はＬｉＮｂＯ3（６４゜ＲＹ−ｃ
ｕｔ）ウエハのみならず他の圧電性基板にも適用でき
る。上記くし形電極のメタライズ比と反射器のメタライ
ズ比との関係は、１.５ＧＨｚ以下の周波数帯域で用い
る弾性表面波装置で特に有効である。
メタライズ比との関係はＬｉＮｂＯ3（６４゜ＲＹ−ｃ
ｕｔ）ウエハのみならず他の圧電性基板にも適用でき
る。上記くし形電極のメタライズ比と反射器のメタライ
ズ比との関係は、１.５ＧＨｚ以下の周波数帯域で用い
る弾性表面波装置で特に有効である。
【００３２】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、同一圧電基板
上に隣接して平行に形成したくし形電極と反射器からな
る弾性表面波装置において、くし形電極の金属パターン
のライン部の幅(ＬI)と反射器の金属パターンのライン
部の幅(ＬR)とを異ならせ共に、くし形電極の非金属パ
ターンのスペース部の幅(ＳI)と反射器の非金属パター
ンのスペース部の幅(ＳR)とを異ならせ、くし形電極に
おけるライン部のスペース部に対する比率を、グレーテ
ィング反射器におけるライン部のスペース部に対する比
率より大きくすることで、反射器によるサイドローブに
よるリップル間隔が広がるため通過帯域が広帯域で、し
かもエネルギーロスの少ない小型の弾性表面波装置を得
ることができるという効果がある。
上に隣接して平行に形成したくし形電極と反射器からな
る弾性表面波装置において、くし形電極の金属パターン
のライン部の幅(ＬI)と反射器の金属パターンのライン
部の幅(ＬR)とを異ならせ共に、くし形電極の非金属パ
ターンのスペース部の幅(ＳI)と反射器の非金属パター
ンのスペース部の幅(ＳR)とを異ならせ、くし形電極に
おけるライン部のスペース部に対する比率を、グレーテ
ィング反射器におけるライン部のスペース部に対する比
率より大きくすることで、反射器によるサイドローブに
よるリップル間隔が広がるため通過帯域が広帯域で、し
かもエネルギーロスの少ない小型の弾性表面波装置を得
ることができるという効果がある。
【００３３】請求項２の発明によれば、くし形電極のラ
イン幅(ＬI)、反射器のライン幅(ＬR)、くし形電極のス
ペース幅(ＳI)、反射器のスペース幅(ＳR)の平均値で以
下の式が成り立つように各幅を設定したことで、圧電基
板の製造方法に拘わらずサイドローブのリップル間隔が
広くなり通過帯域の広域化が可能になるという効果があ
る。 ２≧(ＬR＋ＳR）／（ＬI＋ＳI)≧０.５ 且つ、ＬI／Ｓ
I＞ＬR／ＳR且つ、０.９≧ＬI／（ＬI＋ＳI)＞ＬR／
（ＬR＋ＳR)≧０.２
イン幅(ＬI)、反射器のライン幅(ＬR)、くし形電極のス
ペース幅(ＳI)、反射器のスペース幅(ＳR)の平均値で以
下の式が成り立つように各幅を設定したことで、圧電基
板の製造方法に拘わらずサイドローブのリップル間隔が
広くなり通過帯域の広域化が可能になるという効果があ
る。 ２≧(ＬR＋ＳR）／（ＬI＋ＳI)≧０.５ 且つ、ＬI／Ｓ
I＞ＬR／ＳR且つ、０.９≧ＬI／（ＬI＋ＳI)＞ＬR／
（ＬR＋ＳR)≧０.２
【００３４】請求項３の発明によれば、圧電基板にアル
ミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６０〜６８゜ＲＹ−
ｃｕｔ)ウエアを用い、くし形電極におけるライン部の
スペース部に対する比率を、グレーティング反射器にお
けるライン部のスペース部に対する比率より大きくする
ことで、より通過帯域を広帯域化できるという効果があ
る。
ミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６０〜６８゜ＲＹ−
ｃｕｔ)ウエアを用い、くし形電極におけるライン部の
スペース部に対する比率を、グレーティング反射器にお
けるライン部のスペース部に対する比率より大きくする
ことで、より通過帯域を広帯域化できるという効果があ
る。
【００３５】請求項４の発明によれば、圧電基板にアル
ミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(３７〜４５゜ＲＹ−
ｃｕｔ)ウエアを用い、くし形電極におけるライン部の
スペース部に対する比率を、グレーティング反射器にお
けるライン部のスペース部に対する比率より大きくする
ことで、より通過帯域を広帯域化できるという効果があ
る。
ミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(３７〜４５゜ＲＹ−
ｃｕｔ)ウエアを用い、くし形電極におけるライン部の
スペース部に対する比率を、グレーティング反射器にお
けるライン部のスペース部に対する比率より大きくする
ことで、より通過帯域を広帯域化できるという効果があ
る。
【００３６】請求項５の発明によれば、圧電基板にアル
ミニュームを成膜したＬｉＴａＯ3(３２〜４６゜ＲＹ−
ｃｕｔ)ウエアを用い、くし形電極におけるライン部の
スペース部に対する比率を、グレーティング反射器にお
けるライン部のスペース部に対する比率より大きくする
ことで、より通過帯域を広帯域化できるという効果があ
る。
ミニュームを成膜したＬｉＴａＯ3(３２〜４６゜ＲＹ−
ｃｕｔ)ウエアを用い、くし形電極におけるライン部の
スペース部に対する比率を、グレーティング反射器にお
けるライン部のスペース部に対する比率より大きくする
ことで、より通過帯域を広帯域化できるという効果があ
る。
【図１】 この発明の実施の形態に係る弾性表面波装置
の構成図である。
の構成図である。
【図２】 本実施の形態に係る弾性表面波装置の反射器
のサイドローブによる通過特性のリップルを示す図であ
る。
のサイドローブによる通過特性のリップルを示す図であ
る。
【図３】 従来の弾性表面波装置の反射器のサイドロー
ブによる通過特性のリップルを示す図である。
ブによる通過特性のリップルを示す図である。
【図４】 他の実施の形態に係る弾性表面波装置の反射
器のサイドローブによる通過特性のリップルを示す図で
ある。
器のサイドローブによる通過特性のリップルを示す図で
ある。
【図５】 他の実施の形態に係る弾性表面波装置におい
てくし形電極のメタライズ比とグレーティング反射器の
メタライズ比を改善する前の反射器のサイドローブによ
る通過特性のリップルを示す図である。
てくし形電極のメタライズ比とグレーティング反射器の
メタライズ比を改善する前の反射器のサイドローブによ
る通過特性のリップルを示す図である。
【図６】 従来の弾性表面波装置の構成図である。
１Ａ 弾性表面波、１ 圧電基板、２ａ グレーティン
グ反射器、３ａ くし形電極。
グ反射器、３ａ くし形電極。
Claims (5)
- 【請求項１】 同一圧電基板上に隣接して平行に形成し
たくし形電極と反射器からなる弾性表面波装置におい
て、前記くし形電極の金属パターンのライン部の幅（Ｌ
I）と反射器の金属パターンのライン部の幅（ＬR）とを
異ならせ共に、前記くし形電極の非金属パターンのスペ
ース部の幅（ＳI）と反射器の非金属パターンのスペー
ス部の幅（ＳR）とを異ならせ、くし形電極におけるラ
イン部のスペース部に対する比率を、グレーティング反
射器におけるライン部のスペース部に対する比率より大
きくしたことを特徴とする弾性表面波装置 - 【請求項２】 くし形電極のライン幅（ＬI）、反射器
のライン幅（ＬR）、くし形電極のスペース幅（ＳI）、
反射器のスペース幅（ＳR）の平均値で以下の式が成り
立つように各幅を設定したことを特徴とする請求項１に
記載の弾性表面波装置。 ２≧(ＬR＋ＳR）／（ＬI＋ＳI)≧０.５ 且つ、ＬI／Ｓ
I＞ＬR／ＳR 且つ、０.９≧ＬI／（ＬI＋ＳI)＞ＬR／
（ＬR＋ＳR)≧０.２ - 【請求項３】 圧電基板にアルミニュームを成膜したＬ
ｉＮｂＯ3(６０〜６８゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波装
置。 - 【請求項４】 圧電基板にアルミニュームを成膜したＬ
ｉＮｂＯ3(３７〜４５゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波装
置。 - 【請求項５】 圧電基板にアルミニュームを成膜したＬ
ｉＴａＯ3(３２〜４６゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12087498A JPH11312950A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12087498A JPH11312950A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11312950A true JPH11312950A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=14797102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12087498A Pending JPH11312950A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11312950A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100796073B1 (ko) | 2005-05-11 | 2008-01-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 램파형 고주파 디바이스 |
-
1998
- 1998-04-30 JP JP12087498A patent/JPH11312950A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100796073B1 (ko) | 2005-05-11 | 2008-01-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 램파형 고주파 디바이스 |
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