JPH11312950A - Surface acoustic wave device - Google Patents
Surface acoustic wave deviceInfo
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- JPH11312950A JPH11312950A JP12087498A JP12087498A JPH11312950A JP H11312950 A JPH11312950 A JP H11312950A JP 12087498 A JP12087498 A JP 12087498A JP 12087498 A JP12087498 A JP 12087498A JP H11312950 A JPH11312950 A JP H11312950A
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- comb
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、弾性表面波装置
に関し、特に周波数通過帯域（以下、通過帯域と記載す
る）内のリップルを少なくして通過帯域の広帯域化、お
よび通過帯域内におけるエネルギーロスの低減化に優れ
た弾性表面波装置を提供する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly, to reducing the ripple in a frequency pass band (hereinafter referred to as a pass band) so as to widen the pass band and energy loss in the pass band. Provided is a surface acoustic wave device that is excellent in reducing the surface acoustic wave.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図６は従来の弾性表面波装置の構成図で
ある。図において、１は圧電基板、２は圧電基板１上に
形成された金属薄膜のパターンにより形成されたグレー
ティング反射器、３は圧電基板１上にグレーティング反
射器２と隣接して平行に形成された金属薄膜のパターン
によるくし形電極である。2. Description of the Related Art FIG. 6 is a block diagram of a conventional surface acoustic wave device. In the figure, 1 is a piezoelectric substrate, 2 is a grating reflector formed by a pattern of a metal thin film formed on the piezoelectric substrate 1, and 3 is formed on the piezoelectric substrate 1 adjacent to and parallel to the grating reflector 2. This is a comb-shaped electrode formed by a metal thin film pattern.
【０００３】グレーティング反射器２には金属薄膜が蒸
着されていないスリット状の縦長の開口部が所定間隔で
複数本並列に形成されて、この開口部をスペース（フリ
ー部）、金属薄膜によるパターン部をライン（メタライ
ズ部）とする。また、くし形電極３は金属薄膜による一
対の櫛歯状のパターンが所定幅のスペース（フリー部）
を開けて交互に噛み合わさって形成されている。In the grating reflector 2, a plurality of slit-like vertically long openings in which a metal thin film is not deposited are formed in parallel at a predetermined interval, and these openings are used as spaces (free portions) and a pattern portion made of a metal thin film. Is a line (metallization section). The comb-shaped electrode 3 is formed by a pair of comb-shaped patterns of a metal thin film having a space of a predetermined width (free portion).
Are formed by alternately meshing.
【０００４】尚、くし形電極３のライン幅ＬIとグレー
ティング反射器２のライン幅ＬRとの間には次のような
関係がある。The following relationship exists between the line width L I of the comb-shaped electrode 3 and the line width L R of the grating reflector 2.
【０００５】ＬI≒ＬR [0005] L I ≒ L R
【０００６】また、くし形電極３のスペース幅ＳIとグ
レーティング反射器２のスペース幅ＳRとの間には以下
のような関係がある。The following relationship exists between the space width S I of the comb-shaped electrode 3 and the space width S R of the grating reflector 2.
【０００７】ＳI≒ＳR [0007] S I ≒ S R
【０００８】例えば、くし形電極のくし部の交差幅（以
降、交差幅と記載）を小さくするため、ＬR:ＳR＝３.
５:１.５，ＬI:ＳI＝３.５:１.５とし、グレーティング
反射器２おけるスペース幅（ＳR）とライン幅（ＬR）と
の比率と、くし形電極３におけるスペース幅（ＳI）と
ライン幅（ＬI）との比率を同等にする。すると、例え
ば圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3６
４゜ＲＹ−ｃｕｔ基板を用いた場合、通過帯域は図３に
示すように５０ＭＨｚとなる。For example, in order to reduce the intersecting width (hereinafter referred to as the intersecting width) of the interdigital part of the interdigital electrode, L R : S R = 3.
5: 1.5, L I : S I = 3.5: 1.5, the ratio of the space width (S R ) to the line width (L R ) in the grating reflector 2 and the space in the comb-shaped electrode 3 The ratio between the width (S I ) and the line width (L I ) is made equal. Then, for example, LiNbO 3 6 in which an aluminum film is formed on a piezoelectric substrate
When a 4 ゜ RY-cut substrate is used, the pass band is 50 MHz as shown in FIG.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】従来の弾性表面装置は
以上のように、くし形電極３とグレーティング反射器２
ではスペース幅ＳIとスペース幅ＳRが同等幅であるた
め、グレーティング反射器２のサイドローブによる通過
特性のリップル４である細かい波が通過帯域の近傍で発
生し、通過帯域の広帯域化設計時にはこの波に通過帯域
がかかると帯域幅が狭くなったり、通過帯域にリップル
４が発生する問題点があった。As described above, the conventional elastic surface device has a comb-shaped electrode 3 and a grating reflector 2.
Since the space width S I and the space width S R are equal to each other, a fine wave that is a ripple 4 of the pass characteristic due to the side lobe of the grating reflector 2 is generated near the pass band. When a pass band is applied to this wave, there is a problem that the bandwidth becomes narrow or a ripple 4 occurs in the pass band.
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、グレーティング反射器のサイド
ローブによる通過特性のリップルの間隔を広げることで
通過帯域の広帯域化およびエネルギーロスの低減化を計
ると共に、小型化された表面弾性波装置を得ることを目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems. The present invention has been made to widen the pass band and reduce energy loss by increasing the interval of the ripple in the pass characteristic due to the side lobe of the grating reflector. It is another object of the present invention to obtain a surface acoustic wave device having a reduced size.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る弾
性表面波装置は、同一圧電基板上に隣接して平行に形成
したくし形電極と反射器からなる弾性表面波装置におい
て、くし形電極の金属パターンのライン部の幅（ＬI）
と反射器の金属パターンのライン部の幅（ＬR）とを異
ならせ共に、くし形電極の非金属パターンのスペース部
の幅（ＳI）と反射器の非金属パターンのスペース部の
幅（ＳR）とを異ならせ、くし形電極におけるライン部
のスペース部に対する比率を、グレーティング反射器に
おけるライン部のスペース部に対する比率より大きくし
たものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave device comprising a comb-shaped electrode and a reflector formed adjacently and in parallel on the same piezoelectric substrate. Line width of metal pattern of electrode (L I )
And the width (L R ) of the line portion of the metal pattern of the reflector and the width (S I ) of the space portion of the non-metal pattern of the comb-shaped electrode and the width (S I ) of the space portion of the non-metal pattern of the reflector S R ), and the ratio of the line portion to the space portion in the comb-shaped electrode is made larger than the ratio of the line portion to the space portion in the grating reflector.
【００１２】請求項２の発明に係る弾性表面波装置は、
くし形電極のライン幅（ＬI）、反射器のライン幅
（ＬR）、くし形電極のスペース幅（ＳI）、反射器のス
ペース幅（ＳR）の平均値で以下の式が成り立つように
各幅を設定したものである。 ２≧（ＬR＋ＳR）／（ＬI＋ＳI）≧０．５ 且つ、ＬI
／ＳI＞ＬR／ＳR 且つ、０．９≧ＬI／（ＬI＋ＳI）＞
ＬR／（ＬR＋ＳR）≧０．２A surface acoustic wave device according to a second aspect of the present invention
The following formula is established by the average value of the line width of the comb electrode (L I ), the line width of the reflector (L R ), the space width of the comb electrode (S I ), and the space width of the reflector (S R ). Each width is set as described above. 2 ≧ (L R + S R ) / (L I + S I ) ≧ 0.5 and L I
/ S I > L R / S R and 0.9 ≧ L I / (L I + S I )>
L R / (L R + S R) ≧ 0.2
【００１３】請求項３の発明に係る弾性表面波装置は、
圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６０
〜６８゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave device.
LiNbO 3 (60
-RY-cut) ware.
【００１４】請求項４の発明に係る弾性表面波装置は、
圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(３７
〜４５゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたものである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave device comprising:
LiNbO 3 (37
RY-cut) -ware.
【００１５】請求項５の発明に係る弾性表面波装置は、
圧電基板にアルミニュームを成膜したＬｉＴａＯ3（３
２〜４６゜Ｙ−ｃｕｔ）ウエアを用いたものである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave device.
LiTaO 3 (3) with aluminum film deposited on piezoelectric substrate
2-46 ゜ Y-cut) wear.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１に係る表面弾性波装置について説明する。
実験で確認した所、くし形電極と反射器のライン幅をス
ペース幅に近づける、またはスペース幅以下にするとグ
レーティング反射器２からの反射量が増加するため、グ
レーティング反射器２による通過特性のリップル間の間
隔が広がる。しかし、その一方、くし形電極３のライン
幅をスペース幅に近づける、又はスペース幅以下にする
と電気容量を同じにする為、くし部の交差幅を大きくす
る必要がある。その結果、チップ（装置）のサイズが大
きくなり、抵抗損も大きくなってエネルギーロスも増え
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Hereinafter, a surface acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention will be described.
According to experiments, when the line width between the comb-shaped electrode and the reflector is made closer to or less than the space width, the amount of reflection from the grating reflector 2 increases. The interval increases. However, on the other hand, if the line width of the comb-shaped electrode 3 is made closer to or less than the space width, the intersection width of the comb portions needs to be increased in order to make the electric capacity the same. As a result, the size of the chip (device) increases, the resistance loss increases, and the energy loss increases.
【００１７】そこで、上記装置の小型化、エネルギーロ
スの低減化のためにはくし形電極のライン幅を太くして
抵抗損を減らし、静電容量を増やして交差幅を小さくす
ればよい。即ち、くし形電極のメタライズ比をグレーテ
ィング反射器のメタライズ比より大きくすることで、グ
レーティング反射器のサイドローブによるリップル間隔
が広がり、かつ、小型化、エネルギーロス低減化が可能
となる。Therefore, in order to reduce the size and energy loss of the above device, the line width of the comb-shaped electrode may be increased to reduce the resistance loss, and the capacitance may be increased to reduce the cross width. That is, by making the metallization ratio of the comb-shaped electrode larger than the metallization ratio of the grating reflector, the ripple interval due to the side lobe of the grating reflector is widened, and the size and energy loss can be reduced.
【００１８】図１は上記内容を勘案して作成された本実
施の形態に係る表面弾性波装置の構成図である。図にお
いて、１Ａは本実施の形態に係る表面弾性波装置の本体
である。この装置において、２ａは圧電基板１に金属被
膜によるパターンで形成されたグリッド状のグレーティ
ング反射器であり、このグレーティング反射器２ａを形
成するメタライズされたラインの幅（ＬR）は２.７５×
αμｍ、ライン間の非メタライズのスペースの幅
（ＳR）は２.２５×αμｍとする。ここでαは縮小率を
示し、１.１≧α＞０である。α≒０．５FIG. 1 is a configuration diagram of a surface acoustic wave device according to the present embodiment, which is created in consideration of the above contents. In the figure, 1A is a main body of the surface acoustic wave device according to the present embodiment. In this apparatus, reference numeral 2a denotes a grid-like grating reflector formed by forming a pattern of a metal film on the piezoelectric substrate 1. The width ( LR ) of the metallized lines forming the grating reflector 2a is 2.75.times.
α μm, and the width (S R ) of the non-metallized space between lines is 2.25 × α μm. Here, α indicates a reduction ratio, and 1.1 ≧ α> 0. α ≒ 0.5
【００１９】３ａは圧電基板１上にグレーティング反射
器２ａに隣接して平行に金属被膜によるパターンで形成
されたくし形電極であり、このくし形電極３ａは一対の
くし形パターン（ライン）を所定の間隙（スペース）を
設けて交互に噛み合わせて形成している。このくし形電
極３ａの場合、櫛歯を形成するラインの幅（ＬI）は３.
５×αμｍ、隣接するライン間のスペースの幅（ＳI）
は１.５×αμｍとする。ここで、圧電基板１はアルミ
ニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６４゜ＲＹ−Ｃｕｔ)ウ
エハとする。Reference numeral 3a denotes a comb-shaped electrode formed on the piezoelectric substrate 1 in a pattern made of a metal film in parallel with the grating reflector 2a, and the comb-shaped electrode 3a forms a pair of comb-shaped patterns (lines) in a predetermined manner. The gaps (spaces) are provided and alternately meshed. In the case of the comb-shaped electrode 3a, the width (L I ) of the line forming the comb teeth is 3.
5 × αμm, width of space between adjacent lines (S I )
Is set to 1.5 × α μm. Here, the piezoelectric substrate 1 is a LiNbO 3 (64 ゜ RY-Cut) wafer on which aluminum is formed.
【００２０】上記のように各幅を設定することで、ＬR:
ＳR＝２.７５:２.２５，ＬI:ＳI＝３.５:１.５，(ＬI＞
ＬR，ＳI＜ＳR)との関係となり、サイドローブのリップ
ル間隔は図２に示すように６７.４ＭＨｚとなる。これ
は従来技術のリップル間隔５０ＭＨｚに対して１７.４
ＭＨｚ広がったことになる。By setting each width as described above, L R :
S R = 2.75: 2.25, L I : S I = 3.5: 1.5, (L I >
L R , S I <S R ), and the ripple interval between side lobes is 67.4 MHz as shown in FIG. This is 17.4 for a prior art ripple spacing of 50 MHz.
MHz has spread.
【００２１】尚、上記のようにライン幅とスペース幅を
決めると、くし形電極３ａのメタライズ比とグレーティ
ング反射器２ａのメタライズ比との関係は以下のように
なる。When the line width and the space width are determined as described above, the relationship between the metallization ratio of the comb-shaped electrode 3a and the metallization ratio of the grating reflector 2a is as follows.
【００２２】 ＬI／(ＬI＋ＳI)＝３.５／５＝０.７＞ＬR／(ＬR＋ＳR)＝２.７５／５ ＝０．５５ ＬI／(ＬI＋ＳI)：くし形電極３ａのメタライズ比 ＬR／(ＬR＋ＳR)：グレーティング反射器２ａのメタラ
イズ比L I / (L I + S I ) = 3.5 / 5 = 0.7> L R / (L R + S R ) = 2.75 / 5 = 0.55 L I / (L I + S I ): metallization ratio of comb electrodes 3a L R / (L R + S R): metallization ratio of grating reflectors 2a
【００２３】くし形電極３ａのメタライズ比を０.７と
しているが、くし形電極３ａで表面弾性波（ＳＡＷ）を
出す限界のメタライズ比を０.９とし、メタライズ比の
理論的な最適値を０.５前後とした場合に、くし形電極
３ａのメタライズ比は以下の数値内に入ればよい。Although the metallization ratio of the comb-shaped electrode 3a is set to 0.7, the metallization ratio at which the surface acoustic wave (SAW) is generated by the comb-shaped electrode 3a is set to 0.9, and the theoretical optimum value of the metallization ratio is set to 0.9. When it is set to about 0.5, the metallization ratio of the comb-shaped electrode 3a may be within the following numerical values.
【００２４】０.９≧{ＬI／(ＬI＋ＳI)}≧０.４0.9 ≧ {L I / (L I + S I )} ≧ 0.4
【００２５】但し、パターンをウエットエッチングによ
り作成する場合、くし形電極３ａのライン幅ＬＩ、グレ
ーティング反射器２ａのライン幅ＬＲは４０〜５０％程
細くなるため、くし形電極３ａのメタライズ比は以下の
数値内に入ればよい。However, when the pattern is formed by wet etching, the line width LI of the comb-shaped electrode 3a and the line width LR of the grating reflector 2a are reduced by about 40 to 50%, so that the metallization ratio of the comb-shaped electrode 3a is as follows. It should be within the numerical value of.
【００２６】 ０.９≧{ＬI／(ＬI＋ＳI)}≧０.４×０.５＝０.２ ∴ ０.９≧{ＬI／(ＬI＋ＳI)}＞{ＬR／(ＬR＋ＳR)}≧０.２0.9 ≧ {L I / (L I + S I )} ≧ 0.4 × 0.5 = 0.2 ∴ 0.9 ≧ {L I / (L I + S I )}> {L R / (L R + S R) } ≧ 0.2
【００２７】実施の形態２．上記実施の形態では、圧電
基板１をアルミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６４゜
ＲＹ−ｃｕｔ)ウエハとしたが、ＬｉＮｂＯ3(４１゜ＲＹ
−ｃｕｔ)ウエハにアルミニュームを成膜した圧電基板
に、ＬR:ＳR＝３.５:１.５，ＬI:ＳI＝３.５:１.５の関
係でグレーティング反射器２ａとくし形電極３ａを形成
するとグレーティング反射器２ａのサイドローブによる
通過特性のリップル間隔は図５に示すように８１.５Ｍ
Ｈｚとなった。Embodiment 2 FIG. In the above embodiment, the piezoelectric substrate 1 is a LiNbO 3 (64 ゜ RY-cut) wafer on which aluminum is formed, but the LiNbO 3 (41 ゜ RY) is used.
-Cut) Combine the grating reflector 2a with a piezoelectric substrate in which aluminum is formed on a wafer in a relationship of L R : S R = 3.5: 1.5, L I : S I = 3.5: 1.5. When the shaped electrode 3a is formed, the ripple interval of the transmission characteristic due to the side lobe of the grating reflector 2a is 81.5M as shown in FIG.
Hz.
【００２８】しかし、実施の形態１で説明したように、
上記グレーティング反射器２ａのライン幅とスペース幅
の比を２.７５：２.２５とし、くし形電極３ａのメタラ
イズ比とグレーティング反射器２ａのメタライズ比との
関係を０.９≧ＬI／(ＬI＋ＳI)＞ＬR／(ＬR＋ＳR)≧０.
２にすると、グレーティング反射器２ａのサイドローブ
による通過特性のリップル間隔は図４に示すように８
１.５ＭＨｚから１０２ＭＨｚに広げることができた。However, as described in the first embodiment,
The ratio of the line width to the space width of the grating reflector 2a is 2.75: 2.25, and the relationship between the metallization ratio of the comb-shaped electrode 3a and the metallization ratio of the grating reflector 2a is 0.9 ≧ L I / ( L I + S I)> L R / (L R + S R) ≧ 0.
2, the ripple interval of the transmission characteristic due to the side lobe of the grating reflector 2a is 8 as shown in FIG.
It was able to expand from 1.5 MHz to 102 MHz.
【００２９】実施の形態３．上記実施の形態２ではウエ
ハにＬｉＮｂＯ3を使用したが、ＬｉＴａＯ3（３２〜４
６゜Ｙ−ＣＵＴ）を使用し、くし形電極３ａのメタライ
ズ比とグレーティング反射器２ａのメタライズ比との関
係を０．９≧ＬI／(ＬI＋ＳI)＞ＬR／(ＬR＋ＳR)≧０.
２にしてもグレーティング反射器２ａのサイドローブに
よる通過特性のリップル間隔を広げることができる。Embodiment 3 In the second embodiment, LiNbO 3 is used for the wafer, but LiTaO 3 (32 to 4
(6 ゜ Y-CUT), and the relationship between the metallization ratio of the comb-shaped electrode 3a and the metallization ratio of the grating reflector 2a is 0.9 ≧ L I / (L I + S I )> L R / (L R + S R ) ≧ 0.
2, the ripple interval of the transmission characteristic due to the side lobe of the grating reflector 2a can be widened.
【００３０】実施の形態４．上記各実施の形態では、グ
レーティング反射器２ａをグリッド状にして各メタライ
ズ（ライン）部を短絡した形にしたが、各メタライズ部
間をオープンにして形成してもよく、またくし形電極３
ａと同様の形に形成してもよい。要はグレーティング反
射器の形状によらずウエハの素材の選択とくし形電極の
メタライズ比と反射器のメタライズ比との関係を、０.
９≧ＬI／(ＬI＋ＳI)＞ＬR／(ＬR＋ＳR)≧０.２にする
ことで反射器のサイドローブによる通過特性のリップル
間隔を広げることができる。Embodiment 4 In each of the above embodiments, the grating reflector 2a is formed in a grid shape and each metallized (line) portion is short-circuited. However, the metallized portion may be formed open, and the comb-shaped electrode 3 may be formed.
It may be formed in the same shape as a. In short, regardless of the shape of the grating reflector, the relationship between the selection of the material of the wafer and the metallization ratio of the comb-shaped electrode and the metallization ratio of the reflector is set to 0.1.
By setting 9 ≧ L I / (L I + S I )> L R / (L R + S R ) ≧ 0.2, the ripple interval of the pass characteristic due to the side lobe of the reflector can be widened.
【００３１】上記くし形電極のメタライズ比と反射器の
メタライズ比との関係はＬｉＮｂＯ3（６４゜ＲＹ−ｃ
ｕｔ）ウエハのみならず他の圧電性基板にも適用でき
る。上記くし形電極のメタライズ比と反射器のメタライ
ズ比との関係は、１.５ＧＨｚ以下の周波数帯域で用い
る弾性表面波装置で特に有効である。The relationship between the metallization ratio of the comb-shaped electrode and the metallization ratio of the reflector is LiNbO 3 (64 ゜ RY-c
out) The present invention can be applied not only to a wafer but also to other piezoelectric substrates. The relationship between the metallization ratio of the interdigital electrode and the metallization ratio of the reflector is particularly effective in a surface acoustic wave device used in a frequency band of 1.5 GHz or less.
【００３２】[0032]
【発明の効果】請求項１の発明によれば、同一圧電基板
上に隣接して平行に形成したくし形電極と反射器からな
る弾性表面波装置において、くし形電極の金属パターン
のライン部の幅(ＬI)と反射器の金属パターンのライン
部の幅(ＬR)とを異ならせ共に、くし形電極の非金属パ
ターンのスペース部の幅(ＳI)と反射器の非金属パター
ンのスペース部の幅(ＳR)とを異ならせ、くし形電極に
おけるライン部のスペース部に対する比率を、グレーテ
ィング反射器におけるライン部のスペース部に対する比
率より大きくすることで、反射器によるサイドローブに
よるリップル間隔が広がるため通過帯域が広帯域で、し
かもエネルギーロスの少ない小型の弾性表面波装置を得
ることができるという効果がある。According to the first aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave device comprising a comb-shaped electrode and a reflector formed adjacently and in parallel on the same piezoelectric substrate. The width (L I ) and the width (L R ) of the line portion of the metal pattern of the reflector are made different, and the width (S I ) of the space portion of the non-metal pattern of the comb electrode and the width of the non-metal pattern of the reflector are changed. By making the width (S R ) of the space part different from that of the comb electrode and making the ratio of the line part to the space part larger than the ratio of the line part to the space part in the grating reflector, the ripple due to the side lobe by the reflector is obtained. Since the interval is widened, there is an effect that a small surface acoustic wave device having a wide pass band and a small energy loss can be obtained.
【００３３】請求項２の発明によれば、くし形電極のラ
イン幅(ＬI)、反射器のライン幅(ＬR)、くし形電極のス
ペース幅(ＳI)、反射器のスペース幅(ＳR)の平均値で以
下の式が成り立つように各幅を設定したことで、圧電基
板の製造方法に拘わらずサイドローブのリップル間隔が
広くなり通過帯域の広域化が可能になるという効果があ
る。 ２≧(ＬR＋ＳR）／（ＬI＋ＳI)≧０.５ 且つ、ＬI／Ｓ
I＞ＬR／ＳR且つ、０.９≧ＬI／（ＬI＋ＳI)＞ＬR／
（ＬR＋ＳR)≧０.２According to the second aspect of the present invention, the line width (L I ) of the comb electrode, the line width (L R ) of the reflector, the space width (S I ) of the comb electrode, and the space width of the reflector (L I ). By setting each width so that the following equation is satisfied with the average value of S R ), the ripple interval of the side lobe is widened and the pass band can be widened regardless of the method of manufacturing the piezoelectric substrate. is there. 2 ≧ (L R + S R ) / (L I + S I ) ≧ 0.5 and L I / S
I> L R / S R and, 0.9 ≧ L I / (L I + S I)> L R /
(L R + S R ) ≧ 0.2
【００３４】請求項３の発明によれば、圧電基板にアル
ミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(６０〜６８゜ＲＹ−
ｃｕｔ)ウエアを用い、くし形電極におけるライン部の
スペース部に対する比率を、グレーティング反射器にお
けるライン部のスペース部に対する比率より大きくする
ことで、より通過帯域を広帯域化できるという効果があ
る。According to the third aspect of the present invention, LiNbO 3 (60-68 ゜ RY-) in which aluminum is formed on a piezoelectric substrate is formed.
(cut) By using the wear and making the ratio of the line portion to the space portion in the comb-shaped electrode larger than the ratio of the line portion to the space portion in the grating reflector, there is an effect that the pass band can be further broadened.
【００３５】請求項４の発明によれば、圧電基板にアル
ミニュームを成膜したＬｉＮｂＯ3(３７〜４５゜ＲＹ−
ｃｕｔ)ウエアを用い、くし形電極におけるライン部の
スペース部に対する比率を、グレーティング反射器にお
けるライン部のスペース部に対する比率より大きくする
ことで、より通過帯域を広帯域化できるという効果があ
る。According to the invention of claim 4, LiNbO 3 (37-45 ° RY-) in which aluminum is formed on the piezoelectric substrate is formed.
(cut) By using the wear and making the ratio of the line portion to the space portion in the comb-shaped electrode larger than the ratio of the line portion to the space portion in the grating reflector, there is an effect that the pass band can be further broadened.
【００３６】請求項５の発明によれば、圧電基板にアル
ミニュームを成膜したＬｉＴａＯ3(３２〜４６゜ＲＹ−
ｃｕｔ)ウエアを用い、くし形電極におけるライン部の
スペース部に対する比率を、グレーティング反射器にお
けるライン部のスペース部に対する比率より大きくする
ことで、より通過帯域を広帯域化できるという効果があ
る。According to the fifth aspect of the present invention, LiTaO 3 (32 to 46 ° RY−) in which aluminum is formed on a piezoelectric substrate is formed.
(cut) By using the wear and making the ratio of the line portion to the space portion in the comb-shaped electrode larger than the ratio of the line portion to the space portion in the grating reflector, there is an effect that the pass band can be further broadened.
【図１】 この発明の実施の形態に係る弾性表面波装置
の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
【図２】 本実施の形態に係る弾性表面波装置の反射器
のサイドローブによる通過特性のリップルを示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram illustrating a ripple of a transmission characteristic due to a side lobe of a reflector of the surface acoustic wave device according to the present embodiment.
【図３】 従来の弾性表面波装置の反射器のサイドロー
ブによる通過特性のリップルを示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a ripple of a transmission characteristic due to a side lobe of a reflector of a conventional surface acoustic wave device.
【図４】 他の実施の形態に係る弾性表面波装置の反射
器のサイドローブによる通過特性のリップルを示す図で
ある。FIG. 4 is a diagram illustrating a ripple of a transmission characteristic due to a side lobe of a reflector of a surface acoustic wave device according to another embodiment.
【図５】 他の実施の形態に係る弾性表面波装置におい
てくし形電極のメタライズ比とグレーティング反射器の
メタライズ比を改善する前の反射器のサイドローブによ
る通過特性のリップルを示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating ripples in transmission characteristics due to side lobes of a reflector before a metallization ratio of a comb electrode and a metallization ratio of a grating reflector are improved in a surface acoustic wave device according to another embodiment.
【図６】 従来の弾性表面波装置の構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a conventional surface acoustic wave device.
１Ａ 弾性表面波、１ 圧電基板、２ａ グレーティン
グ反射器、３ａ くし形電極。1A surface acoustic wave, 1 piezoelectric substrate, 2a grating reflector, 3a comb-shaped electrode.
Claims (5)
たくし形電極と反射器からなる弾性表面波装置におい
て、前記くし形電極の金属パターンのライン部の幅（Ｌ
I）と反射器の金属パターンのライン部の幅（ＬR）とを
異ならせ共に、前記くし形電極の非金属パターンのスペ
ース部の幅（ＳI）と反射器の非金属パターンのスペー
ス部の幅（ＳR）とを異ならせ、くし形電極におけるラ
イン部のスペース部に対する比率を、グレーティング反
射器におけるライン部のスペース部に対する比率より大
きくしたことを特徴とする弾性表面波装置1. In a surface acoustic wave device comprising a comb-shaped electrode and a reflector formed adjacently and in parallel on the same piezoelectric substrate, a width (L) of a line portion of a metal pattern of the comb-shaped electrode is defined.
I ) and the width (L R ) of the line portion of the metal pattern of the reflector are made different, and the width (S I ) of the space portion of the non-metal pattern of the comb-shaped electrode and the space portion of the non-metal pattern of the reflector width (S R) and with different, the ratio of the space portion of the line portion in the comb electrodes, grating reflectors surface acoustic wave device characterized by being larger than the ratio of the space portion of the line portion in the
のライン幅（ＬR）、くし形電極のスペース幅（ＳI）、
反射器のスペース幅（ＳR）の平均値で以下の式が成り
立つように各幅を設定したことを特徴とする請求項１に
記載の弾性表面波装置。 ２≧(ＬR＋ＳR）／（ＬI＋ＳI)≧０.５ 且つ、ＬI／Ｓ
I＞ＬR／ＳR 且つ、０.９≧ＬI／（ＬI＋ＳI)＞ＬR／
（ＬR＋ＳR)≧０.２2. The line width of a comb-shaped electrode (L I ), the line width of a reflector (L R ), the space width of a comb-shaped electrode (S I ),
2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein each width is set such that the following expression is satisfied by an average value of the space width (S R ) of the reflector. 3. 2 ≧ (L R + S R ) / (L I + S I ) ≧ 0.5 and L I / S
I> L R / S R and, 0.9 ≧ L I / (L I + S I)> L R /
(L R + S R ) ≧ 0.2
ｉＮｂＯ3(６０〜６８゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波装
置。3. An L film having an aluminum film formed on a piezoelectric substrate.
LiNbO 3 (60 to 68 ° RY-cut) surface acoustic wave device according to claim 1 or 2, characterized by using a software.
ｉＮｂＯ3(３７〜４５゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波装
置。4. An L film obtained by forming an aluminum film on a piezoelectric substrate.
LiNbO 3 (37 to 45 ° RY-cut) surface acoustic wave device according to claim 1 or 2, characterized by using a software.
ｉＴａＯ3(３２〜４６゜ＲＹ−ｃｕｔ)ウエアを用いたこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波装
置。5. An L film obtained by forming an aluminum film on a piezoelectric substrate.
3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein iTaO 3 (32-46 ゜ RY-cut) wear is used.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12087498A JPH11312950A (en) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12087498A JPH11312950A (en) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | Surface acoustic wave device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11312950A true JPH11312950A (en) | 1999-11-09 |
Family
ID=14797102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12087498A Pending JPH11312950A (en) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11312950A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100796073B1 (en) | 2005-05-11 | 2008-01-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Lamb wave type high frequency device |
-
1998
- 1998-04-30 JP JP12087498A patent/JPH11312950A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100796073B1 (en) | 2005-05-11 | 2008-01-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Lamb wave type high frequency device |
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