JPH11312815A - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- JPH11312815A JPH11312815A JP10118718A JP11871898A JPH11312815A JP H11312815 A JPH11312815 A JP H11312815A JP 10118718 A JP10118718 A JP 10118718A JP 11871898 A JP11871898 A JP 11871898A JP H11312815 A JPH11312815 A JP H11312815A
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜太陽電池を構成する各膜を分割する際の
熱による盛り上がりや溶融だれ、さらには膜質の劣化
を、膜分割のために照射するレーザを適切なものとする
ことにより抑制する。 【解決手段】 絶縁性基板１上に形成した、下部電極層
（金属膜）２、半導体接合層３および上部電極層（透明
導電膜）４を、パルス幅が４０ｎｓ以下となるように連
続発振させたレーザビームＬ1、Ｌ2およびＬ3を照射す
ることにより分割する。
熱による盛り上がりや溶融だれ、さらには膜質の劣化
を、膜分割のために照射するレーザを適切なものとする
ことにより抑制する。 【解決手段】 絶縁性基板１上に形成した、下部電極層
（金属膜）２、半導体接合層３および上部電極層（透明
導電膜）４を、パルス幅が４０ｎｓ以下となるように連
続発振させたレーザビームＬ1、Ｌ2およびＬ3を照射す
ることにより分割する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜太陽電池の製
造方法に関するものであり、さらに詳しくは例えばカル
コパライト構造半導体を利用した化合物薄膜太陽電池モ
ジュールの製造方法に関するものである。
造方法に関するものであり、さらに詳しくは例えばカル
コパライト構造半導体を利用した化合物薄膜太陽電池モ
ジュールの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳ）薄膜太
陽電池モジュールの構造および製造方法については、例
えば、1995年第13回ヨーロッパ光起電力太陽エネルギー
会議論文集p1451〜p1455（13th European Photovoltaic
Solar Conference 1995 pp.1451-1455）に示されてい
る。このようなＣＩＳ薄膜太陽電池は、ユニットセルを
直列接続した構造を有しており、例えば、図６に示した
ように、絶縁性基板４１上に、下部電極層４２、ＣＩＳ
薄膜とＣｄＳ薄膜とを接合したｐｎ接合層４３、上部電
極層４４がこの順に形成されて太陽電池ユニット（ユニ
ットセル）が構成されており、ｐｎ接合層４３が除去さ
れている部分において上部電極層４４が下部電極層４２
と接触することにより、隣接するユニットセルが直列接
続している。
陽電池モジュールの構造および製造方法については、例
えば、1995年第13回ヨーロッパ光起電力太陽エネルギー
会議論文集p1451〜p1455（13th European Photovoltaic
Solar Conference 1995 pp.1451-1455）に示されてい
る。このようなＣＩＳ薄膜太陽電池は、ユニットセルを
直列接続した構造を有しており、例えば、図６に示した
ように、絶縁性基板４１上に、下部電極層４２、ＣＩＳ
薄膜とＣｄＳ薄膜とを接合したｐｎ接合層４３、上部電
極層４４がこの順に形成されて太陽電池ユニット（ユニ
ットセル）が構成されており、ｐｎ接合層４３が除去さ
れている部分において上部電極層４４が下部電極層４２
と接触することにより、隣接するユニットセルが直列接
続している。
【０００３】このようなＣＩＳ薄膜太陽電池の製造方法
としては、フォトリソグラフィー法が用いられる。この
製造方法を図７を参照しながら以下に説明する。まず、
絶縁性基板４１上に金属膜を形成して下部電極層４２と
する（図７（ａ））。この金属膜は例えばスパッタリン
グ法により形成されるＭｏ薄膜である。この下部電極層
４２上にレジスト４５を所定のパターンに印刷し、露光
し、現像し（図７（ｂ））、下部電極層４２をエッチン
グする（図７（ｃ））。レジスト４５を除去し、洗浄お
よび乾燥工程を経て、下部電極層４２のパターニングを
完成させる（図７（ｄ））。このパターン化された下部
電極層４２上にｐｎ接合層４３として半導体膜を形成す
る（図７（ｅ））。ｐｎ接合層４３は、例えば蒸着法ま
たはスパッタリング法により成膜されるＣｕＩｎＳｅ2
薄膜と、さらにその上に例えば化学析出法により成膜さ
れるＣｄＳ薄膜とを含む層である。このｐｎ接合層４３
を、下部電極層４２と同様の方法によりレジスト４６を
用いてエッチングしてパターン化する（図７（ｆ）
（ｇ））。さらに、図示は省略するが、このｐｎ接合層
上４３に上部電極層として透明導電膜を成膜し、上記と
同様の方法によりパターニングする。この透明導電膜
は、例えばスパッタリング法により成膜されたＩＴＯ薄
膜とされる（図６参照）。
としては、フォトリソグラフィー法が用いられる。この
製造方法を図７を参照しながら以下に説明する。まず、
絶縁性基板４１上に金属膜を形成して下部電極層４２と
する（図７（ａ））。この金属膜は例えばスパッタリン
グ法により形成されるＭｏ薄膜である。この下部電極層
４２上にレジスト４５を所定のパターンに印刷し、露光
し、現像し（図７（ｂ））、下部電極層４２をエッチン
グする（図７（ｃ））。レジスト４５を除去し、洗浄お
よび乾燥工程を経て、下部電極層４２のパターニングを
完成させる（図７（ｄ））。このパターン化された下部
電極層４２上にｐｎ接合層４３として半導体膜を形成す
る（図７（ｅ））。ｐｎ接合層４３は、例えば蒸着法ま
たはスパッタリング法により成膜されるＣｕＩｎＳｅ2
薄膜と、さらにその上に例えば化学析出法により成膜さ
れるＣｄＳ薄膜とを含む層である。このｐｎ接合層４３
を、下部電極層４２と同様の方法によりレジスト４６を
用いてエッチングしてパターン化する（図７（ｆ）
（ｇ））。さらに、図示は省略するが、このｐｎ接合層
上４３に上部電極層として透明導電膜を成膜し、上記と
同様の方法によりパターニングする。この透明導電膜
は、例えばスパッタリング法により成膜されたＩＴＯ薄
膜とされる（図６参照）。
【０００４】この方法は、工程数が多く大面積の太陽電
池の製造に適していないため、近年、レーザスクライブ
法が検討されている。この方法は、各薄膜の分割をアー
クランプなどの連続放電ランプによってＮｄ：ＹＡＧ結
晶を励起して発振したレーザ（例えばＮｄ：ＹＡＧレー
ザ）基本波を照射することにより各薄膜を分割するもの
である。
池の製造に適していないため、近年、レーザスクライブ
法が検討されている。この方法は、各薄膜の分割をアー
クランプなどの連続放電ランプによってＮｄ：ＹＡＧ結
晶を励起して発振したレーザ（例えばＮｄ：ＹＡＧレー
ザ）基本波を照射することにより各薄膜を分割するもの
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レーザスクライブ法においてＮｄ：ＹＡＧレーザを連続
発振させて得られる各レーザパルスのピークエネルギー
は、十分に高いものではなかった。そのため、各薄膜に
照射して除去したスクライブ溝には、熱による盛り上が
り２１（図８（ａ））、スクライブ溝における残留物２
４（図８（ｂ））、溶融だれ２５（図８（ｃ））、さら
には膜質が劣化するという問題があった。その結果、各
薄膜の分割によるダメージ部の面積比率が高くなり、薄
膜太陽電池の発電効率が制限されることになっていた。
レーザスクライブ法においてＮｄ：ＹＡＧレーザを連続
発振させて得られる各レーザパルスのピークエネルギー
は、十分に高いものではなかった。そのため、各薄膜に
照射して除去したスクライブ溝には、熱による盛り上が
り２１（図８（ａ））、スクライブ溝における残留物２
４（図８（ｂ））、溶融だれ２５（図８（ｃ））、さら
には膜質が劣化するという問題があった。その結果、各
薄膜の分割によるダメージ部の面積比率が高くなり、薄
膜太陽電池の発電効率が制限されることになっていた。
【０００６】特に、絶縁性基板上に成膜された金属膜の
分割部分における膜の盛り上がりが大きいと、その上に
成膜する半導体膜の被着性が悪化し、膜剥がれなどが問
題になる。また、図９に示したように、半導体膜４３の
分割部分における膜の盛り上がりが過度に至ると、金属
膜４２と透明導電膜４４の接続ができなくなる場合もあ
る。
分割部分における膜の盛り上がりが大きいと、その上に
成膜する半導体膜の被着性が悪化し、膜剥がれなどが問
題になる。また、図９に示したように、半導体膜４３の
分割部分における膜の盛り上がりが過度に至ると、金属
膜４２と透明導電膜４４の接続ができなくなる場合もあ
る。
【０００７】また、レーザを用いずに切削などの方法に
より薄膜を分割するメカニカルスクライブ法も検討され
ているが、この方法には加工速度に制限があり、しかも
ダストが発生するという問題もある。
より薄膜を分割するメカニカルスクライブ法も検討され
ているが、この方法には加工速度に制限があり、しかも
ダストが発生するという問題もある。
【０００８】本発明は、上記従来の技術が有する問題を
解決すべく、発電効率、生産効率の観点から優れた薄膜
太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
解決すべく、発電効率、生産効率の観点から優れた薄膜
太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜太陽電池
を製造する際の薄膜の分割方法を鋭意検討した結果完成
されたものであって、この分割方法を利用した薄膜太陽
電池の製造方法を提供するものである。
を製造する際の薄膜の分割方法を鋭意検討した結果完成
されたものであって、この分割方法を利用した薄膜太陽
電池の製造方法を提供するものである。
【００１０】このような分割方法による本発明の第１の
薄膜太陽電池の製造方法は、絶縁性基板上に、短冊状に
分割された薄膜からなる２以上の太陽電池ユニットを前
記太陽電池ユニットが直列接続するように形成する薄膜
太陽電池の製造方法であって、前記絶縁性基板上に金属
膜を形成する工程と、前記金属膜を短冊状に分割する工
程と、前記金属膜上にカルコパライト構造半導体層を含
む半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜を短冊状に
分割する工程と、前記半導体膜上および前記半導体膜が
分割され前記金属膜が露出している部分に透明導電膜を
形成する工程と、前記透明導電膜を短冊状に分割する工
程とを含み、前記金属膜、前記半導体膜および前記透明
導電膜を、パルス幅が１〜４０ｎｓとなるように連続発
振させたレーザを照射して分割することを特徴とする。
薄膜太陽電池の製造方法は、絶縁性基板上に、短冊状に
分割された薄膜からなる２以上の太陽電池ユニットを前
記太陽電池ユニットが直列接続するように形成する薄膜
太陽電池の製造方法であって、前記絶縁性基板上に金属
膜を形成する工程と、前記金属膜を短冊状に分割する工
程と、前記金属膜上にカルコパライト構造半導体層を含
む半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜を短冊状に
分割する工程と、前記半導体膜上および前記半導体膜が
分割され前記金属膜が露出している部分に透明導電膜を
形成する工程と、前記透明導電膜を短冊状に分割する工
程とを含み、前記金属膜、前記半導体膜および前記透明
導電膜を、パルス幅が１〜４０ｎｓとなるように連続発
振させたレーザを照射して分割することを特徴とする。
【００１１】また、本発明の第２の薄膜太陽電池の製造
方法は、絶縁性基板上に、短冊状に分割された薄膜から
なる２以上の太陽電池ユニットを前記太陽電池ユニット
が直列接続するように形成する薄膜太陽電池の製造方法
であって、前記絶縁性基板上に金属膜を形成する工程
と、前記金属膜を短冊状に分割する工程と、前記金属膜
上にカルコパライト構造半導体接合層を含む半導体膜を
形成する工程と、前記半導体膜を短冊状に分割する工程
と、前記半導体膜上および前記半導体膜が分割され前記
金属膜が露出している部分に透明導電膜を形成する工程
と、前記透明導電膜を短冊状に分割する工程とを含み、
前記金属膜、前記半導体膜および前記透明導電膜を、レ
ーザ結晶としてＮｄ：ＹＡＧまたはＮｄ：ＹＶＯ4を用
い、レーザダイオードによる励起により発振させたレー
ザを照射して分割することを特徴とする。
方法は、絶縁性基板上に、短冊状に分割された薄膜から
なる２以上の太陽電池ユニットを前記太陽電池ユニット
が直列接続するように形成する薄膜太陽電池の製造方法
であって、前記絶縁性基板上に金属膜を形成する工程
と、前記金属膜を短冊状に分割する工程と、前記金属膜
上にカルコパライト構造半導体接合層を含む半導体膜を
形成する工程と、前記半導体膜を短冊状に分割する工程
と、前記半導体膜上および前記半導体膜が分割され前記
金属膜が露出している部分に透明導電膜を形成する工程
と、前記透明導電膜を短冊状に分割する工程とを含み、
前記金属膜、前記半導体膜および前記透明導電膜を、レ
ーザ結晶としてＮｄ：ＹＡＧまたはＮｄ：ＹＶＯ4を用
い、レーザダイオードによる励起により発振させたレー
ザを照射して分割することを特徴とする。
【００１２】このような薄膜太陽電池とすることによ
り、ランプ励起のＮｄ：ＹＡＧレーザ基本波を用いて各
薄膜を分割したときに生じるような熱に起因する問題を
抑制することができる。また、フォトリソグラフィー法
を用いた場合よりも効率的に薄膜太陽電池を製造するこ
とができる。
り、ランプ励起のＮｄ：ＹＡＧレーザ基本波を用いて各
薄膜を分割したときに生じるような熱に起因する問題を
抑制することができる。また、フォトリソグラフィー法
を用いた場合よりも効率的に薄膜太陽電池を製造するこ
とができる。
【００１３】前記薄膜太陽電池の製造方法においては、
前記半導体膜および前記透明導電膜を、各々の膜が有す
るバンドギャップ以上の光子エネルギーに対応する波長
を有するレーザを照射して分割することが好ましい。こ
の好ましい例によれば、さらにきれいな加工面を得るこ
とができ、太陽電池として寄与する面積を増大させるこ
とができる。
前記半導体膜および前記透明導電膜を、各々の膜が有す
るバンドギャップ以上の光子エネルギーに対応する波長
を有するレーザを照射して分割することが好ましい。こ
の好ましい例によれば、さらにきれいな加工面を得るこ
とができ、太陽電池として寄与する面積を増大させるこ
とができる。
【００１４】また、前記薄膜太陽電池においては、前記
カルコパライト構造半導体層と、IIｂ族元素およびVIｂ
族元素を含む化合物半導体層とのｐｎ接合が含まれるよ
うに、前記半導体膜を形成することが好ましい。
カルコパライト構造半導体層と、IIｂ族元素およびVIｂ
族元素を含む化合物半導体層とのｐｎ接合が含まれるよ
うに、前記半導体膜を形成することが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の薄膜太陽電池の製
造方法について具体的に説明する。
造方法について具体的に説明する。
【００１６】本発明の薄膜太陽電池の製造方法の好まし
い例によれば、絶縁性基板の上に成膜された、金属膜、
半導体膜および透明導電膜のいずれの膜を分割する際に
も、従来よりもパルス幅が短いレーザが用いられる。従
来のスクライブ法に用いられていたＮｄ：ＹＡＧレーザ
は、アークランプによって励起しているため、一定の長
さ以上の固体結晶が必要で、レーザ発振器における共振
器も長くなり、連続発振でレーザを用いる際のパルス幅
が長くなっていた。パルス幅が長いと、各レーザパルス
でのピークエネルギーを十分に高くできない。これは、
図２に示したように、平均出力が一定の範囲内にある場
合には、パルス幅が長いと高いピークエネルギーが得ら
れないからである。なお、図２において平均出力は斜線
部分の面積に相当し、パルス幅はピーク出力の半値幅に
より定められる。
い例によれば、絶縁性基板の上に成膜された、金属膜、
半導体膜および透明導電膜のいずれの膜を分割する際に
も、従来よりもパルス幅が短いレーザが用いられる。従
来のスクライブ法に用いられていたＮｄ：ＹＡＧレーザ
は、アークランプによって励起しているため、一定の長
さ以上の固体結晶が必要で、レーザ発振器における共振
器も長くなり、連続発振でレーザを用いる際のパルス幅
が長くなっていた。パルス幅が長いと、各レーザパルス
でのピークエネルギーを十分に高くできない。これは、
図２に示したように、平均出力が一定の範囲内にある場
合には、パルス幅が長いと高いピークエネルギーが得ら
れないからである。なお、図２において平均出力は斜線
部分の面積に相当し、パルス幅はピーク出力の半値幅に
より定められる。
【００１７】従来のランプ励起のＮｄ：ＹＡＧレーザ
は、繰り返し周波数１〜３０ｋＨｚにおいてパルス幅が
７０〜２００ｎｓもある。しかし、本発明では、レーザ
ダイオードにより励起した従来よりもパルス幅を短くし
たレーザを用いるため、高いピークエネルギーを有する
レーザにより、各薄膜を分割することが可能となる。従
って、照射された部分の材料の蒸発が大きくなり、分割
部分における膜の盛り上がり、残留物、溶融による短絡
を抑制することができる。
は、繰り返し周波数１〜３０ｋＨｚにおいてパルス幅が
７０〜２００ｎｓもある。しかし、本発明では、レーザ
ダイオードにより励起した従来よりもパルス幅を短くし
たレーザを用いるため、高いピークエネルギーを有する
レーザにより、各薄膜を分割することが可能となる。従
って、照射された部分の材料の蒸発が大きくなり、分割
部分における膜の盛り上がり、残留物、溶融による短絡
を抑制することができる。
【００１８】レーザダイオードによる励起により発振す
るレーザの例を図３に示す。このような固体レーザにお
いては、レーザダイオード６の発振ピーク波長とレーザ
結晶８の吸収ピーク波長とが一致するように温度チュー
ニングすることにより、レンズ７により集光されるレー
ザダイオード励起パワーをわずか数ｍｍ長のレーザ結晶
に吸収させることができる。従って、ランプ励起のレー
ザと異なり、レーザ結晶を短くして共振器のミラー間の
距離を短くすることが可能となり、出力ミラー９から発
振するレーザ光のパルス幅を短くすることもできる。上
記に説明したように、同じ出力であっても各パルスのピ
ーク出力が大きくなると、照射された部分において薄膜
材料の蒸発が大きくなるため、熱による変形を伴わない
薄膜のシャープな微細加工には有利である。なお、レー
ザ結晶８には、Ｎｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＶＯ4（ネオジ
ウム添加バナジウム酸イットリウム）を用いることが好
ましい。
るレーザの例を図３に示す。このような固体レーザにお
いては、レーザダイオード６の発振ピーク波長とレーザ
結晶８の吸収ピーク波長とが一致するように温度チュー
ニングすることにより、レンズ７により集光されるレー
ザダイオード励起パワーをわずか数ｍｍ長のレーザ結晶
に吸収させることができる。従って、ランプ励起のレー
ザと異なり、レーザ結晶を短くして共振器のミラー間の
距離を短くすることが可能となり、出力ミラー９から発
振するレーザ光のパルス幅を短くすることもできる。上
記に説明したように、同じ出力であっても各パルスのピ
ーク出力が大きくなると、照射された部分において薄膜
材料の蒸発が大きくなるため、熱による変形を伴わない
薄膜のシャープな微細加工には有利である。なお、レー
ザ結晶８には、Ｎｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＶＯ4（ネオジ
ウム添加バナジウム酸イットリウム）を用いることが好
ましい。
【００１９】図４に、従来のランプ励起の固体レーザの
例を示す。この固体レーザでは、楕円鏡１５内に並列に
フラッシュランプ１６とレーザ結晶１８とが配置されて
いる。このような構造では、ミラー１７、１９間の間隔
の狭小化には制限が伴うことになる。
例を示す。この固体レーザでは、楕円鏡１５内に並列に
フラッシュランプ１６とレーザ結晶１８とが配置されて
いる。このような構造では、ミラー１７、１９間の間隔
の狭小化には制限が伴うことになる。
【００２０】さらに、半導体膜や透明導電膜にレーザを
照射する場合は、加工する膜の特性に適合するレーザビ
ーム、具体的には加工・除去する膜への吸収が高くなる
波長のレーザビームを選択して照射することにより、膜
の表面上でほとんどのエネルギーが吸収されて下層膜へ
のダメージが少ない状態で、膜を光化学反応により選択
的に加工できる。具体的には、各膜のバンドギャップよ
りも高い光子エネルギーをもつ、波長のレーザビームを
選択することが好ましい。
照射する場合は、加工する膜の特性に適合するレーザビ
ーム、具体的には加工・除去する膜への吸収が高くなる
波長のレーザビームを選択して照射することにより、膜
の表面上でほとんどのエネルギーが吸収されて下層膜へ
のダメージが少ない状態で、膜を光化学反応により選択
的に加工できる。具体的には、各膜のバンドギャップよ
りも高い光子エネルギーをもつ、波長のレーザビームを
選択することが好ましい。
【００２１】このような薄膜太陽電池の例を図１に示
す。この薄膜太陽電池は、ガラス板などの絶縁性基板１
上に、Ｍｏ薄膜などの金属膜からなる下部電極層２、ｐ
型半導体層とｎ型半導体層とからなる接合層およびＺｎ
Ｏ層などの窓層を含む半導体接合層３、ＩＴＯ膜などの
透明導電膜からなる上部電極層４が、この順に形成され
てなるものである。上記各層はそれぞれ溝部により分断
されている。図１には示されていないが、この薄膜太陽
電池には、複数の溝部が互いにほぼ平行に膜面内をスリ
ット状に伸長している。この溝部により、上記各層は互
いに平行に配列した短冊状態となるように分割され、こ
のように短冊状に分割された各層により、膜厚方向に１
つのユニットセルが構成されている。
す。この薄膜太陽電池は、ガラス板などの絶縁性基板１
上に、Ｍｏ薄膜などの金属膜からなる下部電極層２、ｐ
型半導体層とｎ型半導体層とからなる接合層およびＺｎ
Ｏ層などの窓層を含む半導体接合層３、ＩＴＯ膜などの
透明導電膜からなる上部電極層４が、この順に形成され
てなるものである。上記各層はそれぞれ溝部により分断
されている。図１には示されていないが、この薄膜太陽
電池には、複数の溝部が互いにほぼ平行に膜面内をスリ
ット状に伸長している。この溝部により、上記各層は互
いに平行に配列した短冊状態となるように分割され、こ
のように短冊状に分割された各層により、膜厚方向に１
つのユニットセルが構成されている。
【００２２】図１に示したように、このユニットセル
は、上部電極が隣接する一方のユニットセルの下部電極
と電気的に接続してユニットセル間の直列接続を構成し
ている。また、ユニットセルの下部電極は、必要に応じ
て隣接する他方のユニットセルの上部電極と電気的に接
続している。このように、ユニットセルの直列接続は、
必要に応じて定められる所望の数のユニットセル間にお
いて順次構成される。この接続は、図１に示すように、
半導体膜の溝部に形成された上部電極が下部電極と接続
することにより確保されている。
は、上部電極が隣接する一方のユニットセルの下部電極
と電気的に接続してユニットセル間の直列接続を構成し
ている。また、ユニットセルの下部電極は、必要に応じ
て隣接する他方のユニットセルの上部電極と電気的に接
続している。このように、ユニットセルの直列接続は、
必要に応じて定められる所望の数のユニットセル間にお
いて順次構成される。この接続は、図１に示すように、
半導体膜の溝部に形成された上部電極が下部電極と接続
することにより確保されている。
【００２３】図１に示した薄膜太陽電池は、各層のスリ
ット状分断部分の位置関係に一つの特徴を有する。すな
わち、従来型の薄膜太陽電池と同様、下部電極層２の溝
部と半導体膜３の溝部とが重ならないように形成されて
いるばかりではなく、上部電極層４の溝部が半導体膜の
溝部と重ならないように、この溝部を挟んで下部電極の
溝部と反対側に形成されている。
ット状分断部分の位置関係に一つの特徴を有する。すな
わち、従来型の薄膜太陽電池と同様、下部電極層２の溝
部と半導体膜３の溝部とが重ならないように形成されて
いるばかりではなく、上部電極層４の溝部が半導体膜の
溝部と重ならないように、この溝部を挟んで下部電極の
溝部と反対側に形成されている。
【００２４】この薄膜太陽電池は、従来のランプ励起に
より発振したレーザ基本波を用いたスクライブを利用し
た構成とは異なり、各ユニットセルの良好な直列接続を
確保するために絶縁層を形成する必要がない。このた
め、発電に寄与する面積の比率を高めることができる。
より発振したレーザ基本波を用いたスクライブを利用し
た構成とは異なり、各ユニットセルの良好な直列接続を
確保するために絶縁層を形成する必要がない。このた
め、発電に寄与する面積の比率を高めることができる。
【００２５】なお、各膜の膜厚は、特に限定されるもの
ではないが、金属膜については０．５〜２．０μｍ、ｐ
ｎ接合を含む半導体接合層については０．４〜４．０μ
ｍ、透明導電膜については０．０５〜１．０μｍとする
ことが好ましい。
ではないが、金属膜については０．５〜２．０μｍ、ｐ
ｎ接合を含む半導体接合層については０．４〜４．０μ
ｍ、透明導電膜については０．０５〜１．０μｍとする
ことが好ましい。
【００２６】図５は、本発明の薄膜太陽電池の製造方法
の例を示すものである。この製造方法を図５（ａ）〜
（ｅ）に沿って説明する。
の例を示すものである。この製造方法を図５（ａ）〜
（ｅ）に沿って説明する。
【００２７】まず絶縁性基板１上に、下部電極層２とし
て、例えばＭｏ薄膜などの金属膜をスパッタリング法に
より成膜する（図５（ａ））。このときの膜厚は０．５
〜２．０μｍである。次に、この金属膜をレーザビーム
Ｌ1を用いたレーザスクライブ法により短冊状に分割す
る（図５（ｂ））。このときのレーザビームのパルス幅
は４０ｎｓ以下が好ましい。
て、例えばＭｏ薄膜などの金属膜をスパッタリング法に
より成膜する（図５（ａ））。このときの膜厚は０．５
〜２．０μｍである。次に、この金属膜をレーザビーム
Ｌ1を用いたレーザスクライブ法により短冊状に分割す
る（図５（ｂ））。このときのレーザビームのパルス幅
は４０ｎｓ以下が好ましい。
【００２８】例えば、Ｍｏ薄膜の膜厚が１．０μｍであ
り、波長が１．０６μｍでパルス幅が７０ｎｓ以上のラ
ンプ励起によるＮｄ：ＹＡＧレーザを１００ｍｍ／秒で
走査しながら照射して、スクライブ溝の幅が１００μｍ
になるように加工した場合、分割部分端部の盛り上がり
２３（図８参照）が膜厚２２の２倍程度の２．０μｍ前
後になる。そのため、半導体膜を成膜した際の被着性が
悪く、膜剥がれなどが問題になる。一方、波長が１．０
６μｍでパルス幅が４０ｎｓ以下のレーザダイオード励
起によるＮｄ：ＹＡＧレーザまたはＮｄ：ＹＶＯ4レー
ザを用いて同じ加工をした場合は、分割部端部の盛り上
がりが０．８μｍ以下（パルス幅４０ｎｓで０．８μｍ
程度、パルス幅３０ｎｓで０．６μｍ程度）となり、半
導体膜の被着性は改善される。
り、波長が１．０６μｍでパルス幅が７０ｎｓ以上のラ
ンプ励起によるＮｄ：ＹＡＧレーザを１００ｍｍ／秒で
走査しながら照射して、スクライブ溝の幅が１００μｍ
になるように加工した場合、分割部分端部の盛り上がり
２３（図８参照）が膜厚２２の２倍程度の２．０μｍ前
後になる。そのため、半導体膜を成膜した際の被着性が
悪く、膜剥がれなどが問題になる。一方、波長が１．０
６μｍでパルス幅が４０ｎｓ以下のレーザダイオード励
起によるＮｄ：ＹＡＧレーザまたはＮｄ：ＹＶＯ4レー
ザを用いて同じ加工をした場合は、分割部端部の盛り上
がりが０．８μｍ以下（パルス幅４０ｎｓで０．８μｍ
程度、パルス幅３０ｎｓで０．６μｍ程度）となり、半
導体膜の被着性は改善される。
【００２９】Ｍｏ薄膜のレーザ波長に対する反射率は、
波長１．０μｍで約６０％、波長０．５μｍで約５０％
であり、短波長になるほど反射率が小さくなって吸収率
が向上する。そのため、レーザ結晶にＮｄ：ＹＡＧやＮ
ｄ：ＹＶＯ4を用いたレーザダイオード励起によるレー
ザの高調波（第２高調波（波長約０．５３μｍ）や第３
高調波（波長約０．３５５μｍ））で加工すると、膜の
盛り上がりはさらに改善される。例えばＮｄ：ＹＡＧレ
ーザの第２高調波をパルス幅４０ｎｓ以下として１００
ｍｍ／秒で走査しながら照射して、上記と同様の加工を
実施した場合、溝端部の盛り上がりを０．４μｍ以下と
することができる。
波長１．０μｍで約６０％、波長０．５μｍで約５０％
であり、短波長になるほど反射率が小さくなって吸収率
が向上する。そのため、レーザ結晶にＮｄ：ＹＡＧやＮ
ｄ：ＹＶＯ4を用いたレーザダイオード励起によるレー
ザの高調波（第２高調波（波長約０．５３μｍ）や第３
高調波（波長約０．３５５μｍ））で加工すると、膜の
盛り上がりはさらに改善される。例えばＮｄ：ＹＡＧレ
ーザの第２高調波をパルス幅４０ｎｓ以下として１００
ｍｍ／秒で走査しながら照射して、上記と同様の加工を
実施した場合、溝端部の盛り上がりを０．４μｍ以下と
することができる。
【００３０】次に、下部電極層２を覆うように、ｐ型半
導体層として、カルコパライト構造半導体薄膜、例えば
ＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳ）膜またはＧａを固溶したＣｕ
（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳ）膜を蒸着法またはス
パッタリング法により成膜する。さらにｎ型半導体層と
して、例えばＣｄＳ、ＺｎＯ、Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ）、Ｚｎ
（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）などの少なくともIIｂ族元素およびVI
ｂ族元素を含む化合物層を化学析出法またはスパッタリ
ング法で成膜することにより、ｐｎ接合層３とする（図
２（ｃ））。
導体層として、カルコパライト構造半導体薄膜、例えば
ＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳ）膜またはＧａを固溶したＣｕ
（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳ）膜を蒸着法またはス
パッタリング法により成膜する。さらにｎ型半導体層と
して、例えばＣｄＳ、ＺｎＯ、Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ）、Ｚｎ
（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）などの少なくともIIｂ族元素およびVI
ｂ族元素を含む化合物層を化学析出法またはスパッタリ
ング法で成膜することにより、ｐｎ接合層３とする（図
２（ｃ））。
【００３１】このようにして形成されたｐｎ接合を含む
半導体膜をレーザビームＬ2で分割する（図２
（ｄ））。このときのレーザビームも、上記と同様の理
由からパルス幅を４０ｎｓ以下とすることが好ましく、
さらに高調波を利用することが好ましい。
半導体膜をレーザビームＬ2で分割する（図２
（ｄ））。このときのレーザビームも、上記と同様の理
由からパルス幅を４０ｎｓ以下とすることが好ましく、
さらに高調波を利用することが好ましい。
【００３２】特に半導体膜は積層膜であるため、レーザ
ビーム照射側から順に加工されていくことが好ましい。
レーザビームが上層を透過して下層から溶融していく場
合、例えばＣｄＳ膜／ＣＩＧＳ膜／Ｍｏ膜の積層構造に
おいてＣｄＳ膜を透過してＣＩＧＳ膜とＭｏ膜が先に溶
融して加工されると、スクライブ溝の側面に下層膜の残
留物が付着し、リークの原因となりやすい。そのため、
上層を構成するｎ型半導体層に吸収されるレーザの波長
を選択することが好ましい。
ビーム照射側から順に加工されていくことが好ましい。
レーザビームが上層を透過して下層から溶融していく場
合、例えばＣｄＳ膜／ＣＩＧＳ膜／Ｍｏ膜の積層構造に
おいてＣｄＳ膜を透過してＣＩＧＳ膜とＭｏ膜が先に溶
融して加工されると、スクライブ溝の側面に下層膜の残
留物が付着し、リークの原因となりやすい。そのため、
上層を構成するｎ型半導体層に吸収されるレーザの波長
を選択することが好ましい。
【００３３】例えばＣｄＳ膜のエネルギーギャップは約
２．５ｅＶ、窓層として形成されるＺｎＯ膜は約３．２
ｅＶであって、これらのエネルギーギャップを超える光
子エネルギーを有するレーザ波長はそれぞれ０．５０μ
ｍ以下、０．３９μｍ以下である。従って、具体的に
は、レーザ結晶にＮｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＶＯ4を用い
たレーザダイオード励起によるレーザの第３高調波（波
長約０．３５５μｍ）や第４高調波（波長約０．２６６
μｍ）を用いることが好ましく、この範囲で発振するレ
ーザを選択することが好ましい。なお、他のＺｎ系薄膜
を用いた場合でも、選択する波長は０．３９μｍ以下と
することが好ましい。
２．５ｅＶ、窓層として形成されるＺｎＯ膜は約３．２
ｅＶであって、これらのエネルギーギャップを超える光
子エネルギーを有するレーザ波長はそれぞれ０．５０μ
ｍ以下、０．３９μｍ以下である。従って、具体的に
は、レーザ結晶にＮｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＶＯ4を用い
たレーザダイオード励起によるレーザの第３高調波（波
長約０．３５５μｍ）や第４高調波（波長約０．２６６
μｍ）を用いることが好ましく、この範囲で発振するレ
ーザを選択することが好ましい。なお、他のＺｎ系薄膜
を用いた場合でも、選択する波長は０．３９μｍ以下と
することが好ましい。
【００３４】従来のランプ励起によるパルス幅７０ｎｓ
のＮｄ：ＹＡＧレーザ第３高調波（波長約０．３５５μ
ｍ）により、ＣｄＳ膜／ＣＩＧＳ膜／Ｍｏ膜またはＺｎ
（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜／ＣＩＧＳ膜／Ｍｏ膜（膜厚３．０
μｍ）に、繰り返し周波数１０ｋＨｚ、１００ｍｍ／秒
で走査しながら照射して、Ｍｏ膜が残存するように半導
体膜を分割すると、分割部分の膜の盛り上がり高さは
１．０〜２．０μｍとなる。この程度にまでスクライブ
溝部分における膜の盛り上がりが高くなると、図９に示
したように下部電極層４２（金属膜）と上部電極層４４
（透明導電膜）との接続が困難となる場合がある。一
方、レーザ結晶にＮｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＶＯ4を用い
たレーザダイオード励起によるパルス幅を４０ｎｓ以下
としたレーザの第３高調波（波長約０．３５５μｍ）を
照射して、上記と同様に半導体膜を加工した場合には、
膜の盛り上がりが０．３μｍ以下であるシャープな加工
面を得ることができるため、上下電極層の接続も容易と
なる。
のＮｄ：ＹＡＧレーザ第３高調波（波長約０．３５５μ
ｍ）により、ＣｄＳ膜／ＣＩＧＳ膜／Ｍｏ膜またはＺｎ
（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜／ＣＩＧＳ膜／Ｍｏ膜（膜厚３．０
μｍ）に、繰り返し周波数１０ｋＨｚ、１００ｍｍ／秒
で走査しながら照射して、Ｍｏ膜が残存するように半導
体膜を分割すると、分割部分の膜の盛り上がり高さは
１．０〜２．０μｍとなる。この程度にまでスクライブ
溝部分における膜の盛り上がりが高くなると、図９に示
したように下部電極層４２（金属膜）と上部電極層４４
（透明導電膜）との接続が困難となる場合がある。一
方、レーザ結晶にＮｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＶＯ4を用い
たレーザダイオード励起によるパルス幅を４０ｎｓ以下
としたレーザの第３高調波（波長約０．３５５μｍ）を
照射して、上記と同様に半導体膜を加工した場合には、
膜の盛り上がりが０．３μｍ以下であるシャープな加工
面を得ることができるため、上下電極層の接続も容易と
なる。
【００３５】さらに続いて、ｐｎ接合を含む半導体膜上
に、上部電極層４として、例えばＺｎＯ膜、ＺｎＯ：Ａ
ｌ膜、ＩＴＯ膜などをスパッタリング法により成膜す
る。この透明導電膜は半導体膜を分割して形成された溝
部分にも形成され、この部分に形成された透明導電膜に
より上部電極層４と下部電極層２とが電気的に接続する
（図２（ｅ））。
に、上部電極層４として、例えばＺｎＯ膜、ＺｎＯ：Ａ
ｌ膜、ＩＴＯ膜などをスパッタリング法により成膜す
る。この透明導電膜は半導体膜を分割して形成された溝
部分にも形成され、この部分に形成された透明導電膜に
より上部電極層４と下部電極層２とが電気的に接続する
（図２（ｅ））。
【００３６】この透明導電膜はレーザビームＬ3により
分割される（図２（ｆ））。このときのレーザビーム
も、上記と同様の理由からパルス幅を４０ｎｓ以下とす
ることが好ましく、さらに高調波を利用することが好ま
しい。
分割される（図２（ｆ））。このときのレーザビーム
も、上記と同様の理由からパルス幅を４０ｎｓ以下とす
ることが好ましく、さらに高調波を利用することが好ま
しい。
【００３７】例えばＺｎＯ膜のエネルギーギャップは約
３．２ｅＶ、ＺｎＯ：Ａｌ膜は約３．３ｅＶ、ＩＴＯ膜
のエネルギーギャップは約４．２ｅＶであって、エネル
ギーギャップを超える光子エネルギーを有するレーザ波
長はそれぞれ０．３９μｍ以下、０．３８μｍ以下、
０．３０μｍ以下である。従って、具体的にはレーザ結
晶にＮｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＶＯ4を用いたレ−ザダイ
オ−ド励起によるレーザの第３高調波（波長約０．３５
５μｍ）や第４高調波（波長約０．２６６μｍ）を用い
ることが好ましく、この範囲で発振する波長のレーザを
選択して用いることが好ましい。このようなレーザによ
り加工すれば、透明導電膜の表面上でほとんどのエネル
ギーが吸収されて下層膜へのダメージが少ない状態で、
膜を光化学反応により選択的に加工できる。
３．２ｅＶ、ＺｎＯ：Ａｌ膜は約３．３ｅＶ、ＩＴＯ膜
のエネルギーギャップは約４．２ｅＶであって、エネル
ギーギャップを超える光子エネルギーを有するレーザ波
長はそれぞれ０．３９μｍ以下、０．３８μｍ以下、
０．３０μｍ以下である。従って、具体的にはレーザ結
晶にＮｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＶＯ4を用いたレ−ザダイ
オ−ド励起によるレーザの第３高調波（波長約０．３５
５μｍ）や第４高調波（波長約０．２６６μｍ）を用い
ることが好ましく、この範囲で発振する波長のレーザを
選択して用いることが好ましい。このようなレーザによ
り加工すれば、透明導電膜の表面上でほとんどのエネル
ギーが吸収されて下層膜へのダメージが少ない状態で、
膜を光化学反応により選択的に加工できる。
【００３８】従来のランプ励起によるパルス幅７０ｎｓ
のＮｄ：ＹＡＧレーザ第３高調波（波長約０．３５５μ
ｍ）により、ＺｎＯ膜／ＣｄＳ膜／ＣＩＧＳ膜／Ｍｏ膜
またはＺｎＯ膜／Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜／ＣＩＧＳ膜
／Ｍｏ膜（膜厚３．０μｍ）に繰り返し周波数１０ｋＨ
ｚ、１００ｍｍ／秒で走査しながら照射して、ＺｎＯ膜
（膜厚０．２μｍ）のみを分割すると、分割部分の膜の
盛り上がりは０．４μｍ程度となる。一方、レーザ結晶
にＮｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＶＯ4を用い、レーザダイオ
ードにより励起されたレーザの第３高調波（波長約０．
３５５μｍ）のパルス幅を４０ｎｓ以下で照射して、上
記と同様に半導体膜を加工した場合には、膜の盛り上が
りが０．１μｍ以下であるシャープな加工面を得ること
ができる。
のＮｄ：ＹＡＧレーザ第３高調波（波長約０．３５５μ
ｍ）により、ＺｎＯ膜／ＣｄＳ膜／ＣＩＧＳ膜／Ｍｏ膜
またはＺｎＯ膜／Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜／ＣＩＧＳ膜
／Ｍｏ膜（膜厚３．０μｍ）に繰り返し周波数１０ｋＨ
ｚ、１００ｍｍ／秒で走査しながら照射して、ＺｎＯ膜
（膜厚０．２μｍ）のみを分割すると、分割部分の膜の
盛り上がりは０．４μｍ程度となる。一方、レーザ結晶
にＮｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＶＯ4を用い、レーザダイオ
ードにより励起されたレーザの第３高調波（波長約０．
３５５μｍ）のパルス幅を４０ｎｓ以下で照射して、上
記と同様に半導体膜を加工した場合には、膜の盛り上が
りが０．１μｍ以下であるシャープな加工面を得ること
ができる。
【００３９】以上に説明した実施形態によれば、絶縁性
基板上に成膜された、金属膜、半導体膜、透明導電膜の
いずれの分割部分も、熱的な影響が軽減されたシャープ
な加工面により構成することができる。さらに、加工・
除去する膜に吸収係数が高くなる波長のレーザを選択的
に照射すると、表面上でほとんどのエネルギーが吸収さ
れ、上層膜を選択的に加工しながら下層膜へのダメージ
を少なくすることができる。
基板上に成膜された、金属膜、半導体膜、透明導電膜の
いずれの分割部分も、熱的な影響が軽減されたシャープ
な加工面により構成することができる。さらに、加工・
除去する膜に吸収係数が高くなる波長のレーザを選択的
に照射すると、表面上でほとんどのエネルギーが吸収さ
れ、上層膜を選択的に加工しながら下層膜へのダメージ
を少なくすることができる。
【００４０】
【発明の効果】本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれ
ば、薄膜太陽電池を構成する金属膜、半導体膜および透
明導電膜を、パルス幅が１〜４０ｎｓとなるように連続
発振させたレーザを照射して分割することにより、ある
いはレーザ結晶としてＮｄ：ＹＡＧまたはＮｄ：ＹＶＯ
4 を用い、レーザダイオードによる励起により発振させ
たレーザを照射して分割することにより、各膜の分割部
分を熱による影響が軽減されたシャープな加工面とし
て、分割によるダメージ部の面積比率を低くして薄膜太
陽電池の発電効率を向上させることができる。
ば、薄膜太陽電池を構成する金属膜、半導体膜および透
明導電膜を、パルス幅が１〜４０ｎｓとなるように連続
発振させたレーザを照射して分割することにより、ある
いはレーザ結晶としてＮｄ：ＹＡＧまたはＮｄ：ＹＶＯ
4 を用い、レーザダイオードによる励起により発振させ
たレーザを照射して分割することにより、各膜の分割部
分を熱による影響が軽減されたシャープな加工面とし
て、分割によるダメージ部の面積比率を低くして薄膜太
陽電池の発電効率を向上させることができる。
【図１】 本発明の薄膜太陽電池の例の断面構造を示す
図である。
図である。
【図２】 レーザのパルスにおけるパルス幅とピーク出
力との関係を示す図である。
力との関係を示す図である。
【図３】 レーザダイオード励起によるレーザ発振の概
略を示す図である。
略を示す図である。
【図４】 ランプ励起によるレーザ発振の概略を示す図
である。
である。
【図５】 本発明の薄膜太陽電池の製造方法の例を断面
方向から示す図である。
方向から示す図である。
【図６】 フォトリソグラフィー法により製造された薄
膜太陽電池の例の断面構造を示す図である。
膜太陽電池の例の断面構造を示す図である。
【図７】 従来のフォトリソグラフィー法による薄膜太
陽電池の製造方法の例を断面方向から示す図である。
陽電池の製造方法の例を断面方向から示す図である。
【図８】 レーザの照射による膜の変形を説明するため
の図である。
の図である。
【図９】 半導体膜の熱による変形（盛り上がり）によ
る影響を説明するための図である。
る影響を説明するための図である。
１ 絶縁性基板 ２ 下部電極層 ３ 半導体接合層 ４ 上部電極層 ６ レーザダイオード ８ レーザ結晶 ９ 出力ミラー
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に、短冊状に分割された薄
膜からなる２以上の太陽電池ユニットを前記太陽電池ユ
ニットが直列接続するように形成する薄膜太陽電池の製
造方法であって、 前記絶縁性基板上に金属膜を形成する工程と、前記金属
膜を短冊状に分割する工程と、前記金属膜上にカルコパ
ライト構造半導体層を含む半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜を短冊状に分割する工程と、前記半導体膜
上および前記半導体膜が分割され前記金属膜が露出して
いる部分に透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電
膜を短冊状に分割する工程とを含み、 前記金属膜、前記半導体膜および前記透明導電膜を、パ
ルス幅が１〜４０ｎｓとなるように連続発振させたレー
ザを照射して分割することを特徴とする薄膜太陽電池の
製造方法。 - 【請求項２】 絶縁性基板上に、短冊状に分割された薄
膜からなる２以上の太陽電池ユニットを前記太陽電池ユ
ニットが直列接続するように形成する薄膜太陽電池の製
造方法であって、 前記絶縁性基板上に金属膜を形成する工程と、前記金属
膜を短冊状に分割する工程と、前記金属膜上にカルコパ
ライト構造半導体層を含む半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜を短冊状に分割する工程と、前記半導体膜
上および前記半導体膜が分割され前記金属膜が露出して
いる部分に透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電
膜を短冊状に分割する工程とを含み、 前記金属膜、前記半導体膜および前記透明導電膜を、レ
ーザ結晶としてＮｄ：ＹＡＧまたはＮｄ：ＹＶＯ4 を用
い、レーザダイオードによる励起により発振させたレー
ザを照射して分割することを特徴とする薄膜太陽電池の
製造方法。 - 【請求項３】 前記半導体膜および前記透明導電膜を、
各々の膜が有するバンドギャップ以上の光子エネルギー
に対応する波長を有するレーザを照射して分割する請求
項１または２に記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項４】 前記カルコパライト構造半導体層と、II
ｂ族元素およびVIｂ族元素を含む化合物半導体層とのｐ
ｎ接合が含まれるように、前記半導体膜を形成する請求
項１〜３のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10118718A JPH11312815A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10118718A JPH11312815A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11312815A true JPH11312815A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=14743381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10118718A Withdrawn JPH11312815A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11312815A (ja) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE112007000266T5 (de) | 2006-01-30 | 2008-11-27 | Honda Motor Co., Ltd. | Solarzelle und Verfahren zur Herstellung derselben |
| DE112006002716T5 (de) | 2005-10-13 | 2009-01-29 | Honda Motor Co., Ltd. | Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung |
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| WO2009041660A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
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| JP2010082651A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Shibuya Kogyo Co Ltd | レーザ加工装置 |
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