JPH11312447A

JPH11312447A - 近接センサ

Info

Publication number: JPH11312447A
Application number: JP12020098A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Maeda; 陽一前田; Tamotsu Minamitani; 保南谷; Masanaga Nishikawa; 雅永西川; Tomoharu Sato; 友春佐藤
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-04-30
Filing date: 1998-04-30
Publication date: 1999-11-09

Abstract

(57)【要約】【課題】部品点数を削減でき、かつ小型で安価な近接
センサを得る。【解決手段】半導体磁気抵抗素子２２に直列に抵抗素
子２３が接続されている。磁気抵抗素子２２と抵抗素子
２３のそれぞれの一端は、増幅用トランジスタ４のベー
スに接続されている。磁気抵抗素子２２の他端は、トラ
ンジスタ４のエミッタに接続されている。抵抗素子２３
の他端は、トランジスタ４のコレクタに接続されてい
る。半導体磁気抵抗素子２２には、磁気感応したときの
抵抗値が磁気不感応のときの抵抗値の１．２倍以上にな
るものを用いるのが望ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、近接センサ、特
に、産業機械用磁性***置検出センサや鋼球検出センサ
等として用いられる近接センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の近接センサとして、実公平３−３
６０２０号公報記載のものが知られている。図１２に示
すように、この近接センサ９１は、二つの強磁性体磁気
抵抗素子Ｍ１，Ｍ２を直列接続した磁気抵抗部品ＭＲ
と、磁気抵抗部品ＭＲにバイアス磁界を印加する永久磁
石（図示せず）と、強磁性体磁気抵抗素子Ｍ１，Ｍ２の
接点を一方の入出端子に接続したオペアンプ９２とで構
成されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、強磁性
体磁気抵抗素子Ｍ１，Ｍ２単体の磁気抵抗変化量は非常
に小さく、磁気感応したときの抵抗値が磁気不感応のと
きの抵抗値の１．０３倍程度でしかない。従って、強磁
性体磁気抵抗素子Ｍ１，Ｍ２を、トランジスタを利用し
た無接点近接スイッチに使用すると、トランジスタの温
度特性等のばらつきにより、スイッチング動作が安定し
ないという問題がある。すなわち、一般的なトランジス
タのベース・エミッタ間電圧Ｖ_BEのしきい値は０．６〜
０．７Ｖであり、トランジスタの温度特性等のばらつき
の影響からスイッチング動作を安定に保つためには、約
１７％の電圧ばらつきを有するＶ_BEのしきい値を越える
電圧変化が必要である。

【０００４】ところが、前述したように、磁気感応した
ときに３％程度の抵抗変化しかない強磁性体磁気抵抗素
子Ｍ１，Ｍ２では、トランジスタの温度特性等のばらつ
きの範囲を越える安定領域でトランジスタを動作させる
ことはできない。そこで、強磁性体磁気抵抗素子Ｍ１，
Ｍ２の僅かな磁気抵抗変化量でスイッチング動作をさせ
るためには、多段増幅器あるいはオペアンプ９２等の高
利得増幅器に頼らざるを得ず、電圧変位の検出回路は素
子数が多くなってコスト高となっていた。

【０００５】そこで、本発明の目的は、部品点数を削減
でき、かつ小型で安価な近接センサを提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係る近接センサは、（ａ）半導体磁
気抵抗素子と、（ｂ）前記半導体磁気抵抗素子に直列に
接続された抵抗素子と、（ｃ）前記半導体磁気抵抗素子
をベース・エミッタ間に接続し、かつ、前記抵抗素子を
ベース・コレクタ間に接続した増幅用トランジスタと、
を備えたことを特徴とする。ここに、増幅用トランジス
タには、電界制御トランジスタ（ＦＥＴ）等が含まれ
る。この場合、増幅用トランジスタのベース、エミッタ
及びコレクタは、それぞれＦＥＴのゲート、ソース及び
ドレインを意味する。

【０００７】以上の構成により、磁気感応素子として用
いられる半導体磁気抵抗素子は、磁気感応したときの抵
抗変化が大きいため、従来の多段増幅器あるいは高利得
増幅器を必要としない。従って、電圧変位の検出回路の
部品点数が削減される。

【０００８】また、半導体磁気抵抗素子にバイアス磁界
を印加する手段を設けることにより、検知物である鋼球
が検出穴を通過すると、検知物とバイアス磁界を印加す
る手段との間に集中磁界が発生し、半導体磁気抵抗素子
の抵抗値変化を得ることができる。

【０００９】さらに、磁気感応したときの抵抗値が磁気
不感応のときの抵抗値の１．２倍以上になる半導体磁気
抵抗素子を用いることにより、磁気感応したときに２０
％以上の抵抗変化が得られ、トランジスタの温度特性等
のばらつきの範囲を越える安定領域でトランジスタが動
作する。また、半導体磁気抵抗素子と抵抗素子とを単一
基板上に設けることにより、部品点数がさらに抑えられ
る。

【００１０】さらに、増幅用トランジスタのベース側電
圧を一定にするための電圧補償回路を前記増幅用トラン
ジスタのコレクタ側に接続することにより、センサ電源
から供給される電圧の変動が大きくても、増幅用トラン
ジスタの動作限界点以上にはベース側電圧が変動せず、
増幅用トランジスタのスイッチング動作が安定する。ま
た、増幅用トランジスタの出力波形を整形するための波
形整形回路を増幅用トランジスタの次段に設けることに
より、整形された矩形パルスが出力される。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る近接センサの
実施形態について添付図面を参照して説明する。各実施
形態において同一部品及び同一部分には同じ符号を付し
た。

【００１２】［第１実施形態、図１〜図７］第１実施形
態は鋼球センサを例にして説明する。図１及び図２に示
すように、鋼球センサ１は、磁気感応部品２と、磁気感
応部品２にバイアス磁場を印加する磁石３と、ＮＰＮ型
の増幅用トランジスタ４と、部品２〜４を搭載するため
の回路基板６と、非磁性保護ケース７にて構成されてい
る。

【００１３】磁気感応部品２は、図３に示すように、基
板２１と、この基板２１の上面２１ａに設けられた半導
体磁気抵抗素子２２及び抵抗素子２３とからなる。半導
体磁気抵抗素子２２は、磁界が強くなるにつれて抵抗値
が大きくなる。半導体磁気抵抗素子２２には、磁気感応
したときの抵抗値が磁気不感応のときの抵抗値の１．２
倍以上になるものを用いるのが望ましい。これにより、
半導体磁気抵抗素子２２が磁気感応したときに２０％以
上の抵抗変化が得られ、増幅用トランジスタ４の温度特
性等のばらつきの範囲を越える安定領域で増幅用トラン
ジスタ４を動作させることができる。

【００１４】半導体磁気抵抗素子２２は所定の磁気抵抗
値を得るため蛇行形状とされ、磁気抵抗素子２２のセグ
メントの幅Ｗと長さＬの比Ｗ／Ｌを大きくして高感度な
ものにしている。半導体磁気抵抗素子２２は、たとえば
ＩｎＳｂ，ＩｎＡｓ，ＧａＡｓ等の化合物半導体を蒸着
法やスパッタリング法等で基板２１上に薄膜状に設けた
後、この化合物半導体薄膜の表面にＡｌ等のメタル膜を
蒸着法やスパッタリング法等の方法で所定のピッチにて
形成したものである。あるいは、半導体磁気抵抗素子２
２は、ＩｎＳｂ等の単結晶半導体基板２１の表面にＡｌ
等のメタル膜を所定のピッチで形成したものであっても
よい。また、半導体薄膜は、上記のように基板２１上に
直接形成したり、単結晶半導体基板をそのまま用いても
よいし、別に成膜した半導体薄膜や単結晶半導体基板を
ガラス、アルミナ、フェライト等の基板２１上に接着剤
で貼り付けた複合基板としたものであってもよい。Ｉｎ
Ｓｂを採用した場合には、高感度の磁気抵抗素子２２が
得られる。

【００１５】抵抗素子２３は、基板２１上に形成された
ＩｎＳｂ等の半導体薄膜やＩｎＳｂ等の単結晶半導体基
板や、Ａｌ、ニクロム等の金属薄膜やメタルグレーズ等
の厚膜を蛇行状にライン形成したものである。この抵抗
素子２３は、トランジスタ４の動作点を調整するための
ものである。

【００１６】半導体磁気抵抗素子２２の一方の端部は出
力電極２４に接続され、他方の端部は中継電極２６に接
続されている。抵抗素子２３の一方の端部は出力電極２
５に接続され、他方の端部は中継電極２６に接続されて
いる。

【００１７】磁石３は回路基板６を挟んで磁気感応部品
２に対向している。この磁石３は永久磁石であってもよ
いし、電磁石であってもよい。磁石３により半導体磁気
抵抗素子２２にバイアス磁界を印加すると、検知物であ
る鋼球３０が検出穴１０を通過する際、鋼球３０と磁石
３との間に集中磁界が発生し、半導体磁気抵抗素子２２
の抵抗値変化を得ることができる。

【００１８】非磁性保護ケース７には、鋼球３０の通過
が可能な径を有する検出穴１０が設けられている。磁気
感応部品２、磁石３及び増幅用トランジスタ４を搭載し
た回路基板６は、非磁性保護ケース７の部品収容部１１
に収納され、磁気感応部品２の半導体磁気抵抗素子２２
等が設けられている上面２１ａが検出穴１０の軸方向に
対して略平行になるように配置されている。

【００１９】図４は、鋼球センサ１の電気回路図であ
る。半導体磁気抵抗素子２２に直列に抵抗素子２３が接
続されている。磁気抵抗素子２２と抵抗素子２３のそれ
ぞれの一端は、中継電極２６を介して増幅用トランジス
タ４のベースに接続され、磁気抵抗素子２２の他端は出
力電極２４を介してトランジスタ４のエミッタに接続さ
れ、抵抗素子２３の他端は出力電極２５を介してトラン
ジスタ４のコレクタに接続されている。つまり、半導体
磁気抵抗素子２２はトランジスタ４のベース・エミッタ
間に接続され、抵抗素子２３はベース・コレクタ間に接
続されている。トランジスタ４は、半導体磁気抵抗素子
２２の出力端（中継電極２６）から取り出される磁気抵
抗変化量に応じた電圧変化量を増幅するものである。そ
して、トランジスタ４の動作点は、半導体磁気抵抗素子
２２と抵抗素子２３の分圧比によって決定される。トラ
ンジスタ４はＦＥＴでもよいし、シリコントランジス
タ、ゲルマニウムトランジスタ等であってもよい。この
回路は、抵抗素子２３の一端とトランジスタ４のコレク
タが出力端子１５に接続され、半導体磁気抵抗素子２２
の一端とトランジスタ４のエミッタが出力端子１６に接
続されている、２線式出力結線回路となっている。

【００２０】次に、以上の構成からなる鋼球センサ１の
作用効果について説明する。予め、出力端子１５に、セ
ンサ電源によって直流電圧Ｖｃを印加し、抵抗素子２３
に直流電流を流しておく。鋼球３０が検出穴１０を通過
していないとき、磁石３によるバイアス磁場は半導体磁
気抵抗素子２２へ集中しておらず、半導体磁気抵抗素子
２２の抵抗に変化はなく、その抵抗値は低い。従って、
中継電極２６の電圧、言い換えると、トランジスタ４の
ベース・エミッタ間電圧Ｖ_BEは小さく、トランジスタ４
の動作点に達しない。図５に示すようにトランジスタ４
は遮断領域であるため、トランジスタ４はＯＦＦ状態の
ままであり、鋼球センサ１の出力電流Ｉは下降してい
る。

【００２１】次に、鋼球３０が検出穴１０を通過してい
るとき、磁石３によるバイアス磁場は半導体磁気抵抗素
子２２へ集中するので、半導体磁気抵抗素子２２の抵抗
値は高くなる。従って、中継電極２６の電圧、言い換え
ると、トランジスタ４のベース・エミッタ間電圧Ｖ_BEは
大きくなり、図５に示すようにトランジスタ４は能動領
域に到達するため、トランジスタ４はＯＮ状態となる。
これにより、トランジスタ４のコレクタ電流Ｉｃが増大
し、鋼球センサ１の出力電流Ｉが上昇する。

【００２２】鋼球３０が検出穴１０を通過して離反する
と、磁石３によるバイアス磁場は半導体磁気抵抗素子２
２への集中がなくなり、半導体磁気抵抗素子２２の抵抗
値は元の低い値となる。従って、トランジスタ４のベー
ス・エミッタ間電圧Ｖ_BEは小さくなり、トランジスタ４
はＯＦＦ状態となり、鋼球センサ１の出力電流Ｉは下降
する。

【００２３】こうして、図６に示すような鋼球センサ１
のパルス状の出力電流波形が得られ、この出力電流波形
のパルス数をカウントすることによって、無接触で鋼球
３０の通過数を検出することができる。

【００２４】また、図７（Ａ）に示すように、鋼球セン
サ１の出力端子１６に負荷抵抗ＲＬを接続して、鋼球セ
ンサ１の端子１５と負荷抵抗ＲＬの端子１００に直流電
圧Ｖｃを印加すれば、出力端子１０１から出力電圧波形
Ｖｏｕｔ（図７（Ｂ）参照）を取り出すことができ、こ
の出力電圧波形Ｖｏｕｔのパルス数をカウントすること
によって、無接触で鋼球３０の通過数を検出することが
できる。

【００２５】以上の構成の鋼球センサ１は、磁気感応素
子として半導体磁気抵抗素子２２を用いたので、磁気感
応したときの抵抗変化量が大きくなり、多段増幅器ある
いは高利得増幅器を使用しなくても、ベース・エミッタ
間電圧Ｖ_BEのしきい値を挟んだスイッチング動作が１個
のトランジスタ４で可能となる。そして、半導体磁気抵
抗素子２２及び抵抗素子２３を単一基板２１上に設けて
いるので、部品点数をさらに抑えることができると共
に、素子２２，２３相互間の熱結合性を良くすることが
できる。

【００２６】［第２実施形態、図８］第２実施形態は、
磁性***置検出センサを例にして説明する。図８は磁性
***置検出センサ３１の構成を示す電気回路図である。
磁性***置検出センサ３１は、磁気感応部品２、ＮＰＮ
型の増幅用トランジスタ４、増幅器３２、発光ダイオー
ド３３、ツェナーダイオード３４、定電流電源３５及び
ダイオード３６にて構成されている。

【００２７】増幅器３２の入力端子はトランジスタ４の
コレクタに接続され、出力端子は発光ダイオード３３の
アノードに接続されると共にトランジスタ４のコレクタ
にフィードバック接続されている。発光ダイオード３３
のアノードは定電流電源３５の出力端子に接続されてい
る。定電流電源３５の入力端子は整流用ダイオード３６
を介して出力端子１５に接続されている。ツェナーダイ
オード３４のカソード側はトランジスタ４のコレクタに
接続され、アノード側は接地されている。

【００２８】ツェナーダイオード３４は、磁性体４２の
検知の有無に限らず半導体磁気抵抗素子２２とトランジ
スタ４の安定動作を補償するために、定電圧を維持する
ものである。定電流電源３５は、センサ３１に流入する
電流の上限を決定するものであり、磁性体検知時の定電
流動作を補償する。ダイオード３６は、センサ電源を逆
接続した際にセンサ３１を保護するためのものである。

【００２９】以上の構成からなる磁性***置検出センサ
３１の作用効果について説明する。予め、出力端子１５
に、センサ電源によって直流電圧Ｖｃを印加し、抵抗素
子２３に直流電流を流しておく。ロッド４１の頭部に設
けた磁性体４２が磁性***置検出センサ３１から離れて
いるとき、磁石３によるバイアス磁場は半導体磁気抵抗
素子２２へ集中しておらず、半導体磁気抵抗素子２２の
抵抗に変化はなく、その抵抗値は低い。従って、中継電
極２６の電圧、言い換えると、トランジスタ４のベース
・エミッタ間電圧Ｖ_BEは小さく、前記第１実施形態の図
５に示すようにトランジスタ４は遮断領域であるため、
トランジスタ４はＯＦＦ状態のままであり、磁性***置
検出センサ３１に流れる電流は小さく、磁性***置検出
センサ３１は非検出状態である。

【００３０】次に、磁性体４２が磁性***置検出センサ
３１に近づいたとき、磁石３によるバイアス磁場は半導
体磁気抵抗素子２２へ集中するので、半導体磁気抵抗素
子２２の抵抗値は高くなる。従って、中継電極２６の電
圧、言い換えると、トランジスタ４のベース・エミッタ
間電圧Ｖ_BEは大きくなり、図５に示すようにトランジス
タ４は能動領域に到達するため、トランジスタ４はＯＮ
状態となる。これにより、出力電極２５の電圧、言い換
えると、トランジスタ４のコレクタ側の電圧が下がる。
すると、増幅器３２は、予め決められた電流量をトラン
ジスタ４のコレクタに流し、同時に、発光ダイオード３
３を点灯させて磁性体検知状態を告知させる。こうして
磁性***置検出センサ３１の出力端子１５，１６の電流
量を変化させる。

【００３１】なお、磁性***置検出センサ３１に要求さ
れる磁気感応時の電流ばらつきが大きくても実用上問題
とならない場合、あるいは、磁気感応告知を必要としな
い場合には、部品３２〜３６を省略することもできる。
また、この磁性***置検出センサ３１は磁気感応感度が
良いため、検知物がたとえば磁石のように磁化されてい
る場合には、検知物の接近による磁界変化を半導体磁気
抵抗素子２２の抵抗変化として検知することができるの
で、半導体磁気抵抗素子２２に磁界をバイアスする磁石
３を省略することもできる。

【００３２】［第３実施形態、図９］第３実施形態は、
電圧補償回路を有した鋼球センサについて説明する。図
９に示すように、鋼球センサ５１は、前記第１実施形態
で説明した鋼球センサ１において、増幅用トランジスタ
４のコレクタ側（出力電極２５）と抵抗素子２３との間
に電圧補償回路５２を挿入したものと同様のものであ
る。

【００３３】この電圧補償回路５２は、増幅用トランジ
スタ４のベース側電圧を一定にするものである。センサ
電源によって出力端子１５に印加される直流電圧Ｖｃの
変動が大きい場合、半導体磁気抵抗素子２２の出力端電
圧（中継電極２６での電圧）が増幅用トランジスタ４の
動作限界点以上に変動することがある。そこで、電圧補
償回路５２を設けて、中継電極２６の電圧を増幅用トラ
ンジスタ４の動作限界点以上には変動させないで、増幅
用トランジスタ４のスイッチング動作を安定させる。

【００３４】電圧補償回路５２は、図９に示すように抵
抗素子５３とツェナーダイオード５４を組み合わせたデ
ィスクリート回路で構成してもよいし、定電圧レギュレ
ータ等のＩＣで構成してもよい。また、電圧補償回路５
２を、増幅用トランジスタ４のコレクタ側（出力電極２
５）と抵抗素子２３との間ではなく、増幅用トランジス
タ４のコレクタ側（出力電極２５）と出力端子１５との
間に挿入しても同様の作用効果が得られる。

【００３５】［第４実施形態、図１０］第４実施形態
は、波形整形回路を有した鋼球センサについて説明す
る。図１０に示すように、鋼球センサ６１は、前記第３
実施形態で説明した鋼球センサ５１において、増幅用ト
ランジスタ４の次段に波形整形回路６２を設けたものと
同様のものである。

【００３６】この波形整形回路６２は、増幅用トランジ
スタ４の出力波形を整形するものである。増幅用トラン
ジスタ４の動作点を直線領域で使用する場合、トランジ
スタ４の出力波形が完全な矩形パルスにならないことが
ある。そこで、波形整形回路６２を設けることにより、
増幅用トランジスタ４の出力波形を整形して、完全な矩
形パルスを出力することができる。波形整形回路６２
は、図１０に示すようにＰＮＰ型トランジスタ６３と抵
抗素子６４を組み合わせたディスクリート回路で構成し
てもよいし、ロジックＩＣで構成してもよい。

【００３７】［他の実施形態］なお、本発明に係る近接
センサは前記実施形態に限定するものではなく、その要
旨の範囲内で種々に変更することができる。例えば、前
記実施形態では、ＮＰＮ型トランジスタを用いている
が、図１１に示すように、ＰＮＰ型トランジスタ８を用
いてもよい。このとき、出力電圧の極性は逆になる。ま
た、半導体磁気抵抗素子と抵抗素子とを単一基板上に設
けないで、独立した部品として構成したものであっても
よい。さらに、検知物が磁石のように磁化されている場
合には、バイアス磁界を印加する磁石を省略することも
できる。

【００３８】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、磁気感応素子として半導体磁気抵抗素子を用い
たので、磁気感応したときの抵抗変化が大きくなり、多
段増幅器あるいは高利得増幅器を必要としない。従っ
て、電圧変位の検出回路の部品点数を削減することがで
き、小型で安価な近接センサを得ることができる。さら
に、磁気感応素子として、強磁性体磁気抵抗素子を用い
る場合は、低磁場で磁気抵抗変化が飽和するため、磁化
されていない検知物を検知するためのバイアス磁界の印
加方法等に制約があり、磁化されていない検知物の検知
が困難であるのに対して、磁気感応素子として半導体磁
気抵抗素子を用いる場合は、磁石で容易にバイアス磁界
を印加して使用することができるため、磁化されている
かどうかに関係なく磁性体であれば容易に検知すること
ができる。

【００３９】また、半導体磁気抵抗素子にバイアス磁界
を印加する手段を設けることにより、検知物が接近した
場合の検知物とバイアス磁界を印加する手段との間の磁
界変化率を大きくすることができ、磁気抵抗変化の感度
を向上させることができる。さらに、磁気感応したとき
の抵抗値が磁気不感応のときの抵抗値の１．２倍以上に
なる半導体磁気抵抗素子を用いることにより、磁気感応
したときに２０％以上の抵抗変化が得られ、トランジス
タの温度特性等のばらつきの範囲を越える安定領域でト
ランジスタを動作させることができる。また、半導体磁
気抵抗素子と抵抗素子とを単一基板上に設けることによ
り、部品点数をさらに抑えることができる。

【００４０】さらに、増幅用トランジスタのベース側電
圧を一定にするための電圧補償回路を増幅用トランジス
タのコレクタ側に接続することにより、センサ電源から
供給される電圧の変動が大きくても、増幅用トランジス
タの動作限界点以上にはベース側電圧が変動せず、増幅
用トランジスタのスイッチング動作を安定させることが
できる。また、増幅用トランジスタの出力波形を整形す
るための波形整形回路を増幅用トランジスタの次段に設
けることにより、整形された矩形パルスを出力すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る近接センサの第１実施形態を示す
平面図。

【図２】図１に示した近接センサの一部切欠き正面図。

【図３】半導体磁気抵抗素子及び抵抗素子を設けた基板
を示す斜視図。

【図４】図１に示した近接センサの電気回路図。

【図５】増幅用トランジスタの電流−電圧特性を示すグ
ラフ。

【図６】図１に示した近接センサの出力電流波形を示す
グラフ。

【図７】（Ａ）は図１に示した近接センサの出力端子に
負荷抵抗を接続した電気回路図、（Ｂ）はその出力電圧
波形を示すグラフ。

【図８】本発明に係る近接センサの第２実施形態を示す
電気回路図。

【図９】本発明に係る近接センサの第３実施形態を示す
電気回路図。

【図１０】本発明に係る近接センサの第４実施形態を示
す電気回路図。

【図１１】他の実施形態を示す電気回路図。

【図１２】従来の近接センサを示す電気回路図。

【符号の説明】

１…鋼球センサ２…磁気感応部品３…磁石４，８…増幅用トランジスタ２１…基板２２…半導体磁気抵抗素子２３…抵抗素子３１…磁性***置検出センサ５１，６１…鋼球センサ５２…電圧補償回路６２…波形整形回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐藤友春京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体磁気抵抗素子と、前記半導体磁気抵抗素子に直列に接続された抵抗素子
と、前記半導体磁気抵抗素子をベース・エミッタ間に接続
し、かつ、前記抵抗素子をベース・コレクタ間に接続し
た増幅用トランジスタと、を備えたことを特徴とする近接センサ。
【請求項２】前記半導体磁気抵抗素子にバイアス磁界
を印加する手段を備えたことを特徴とする請求項１記載
の近接センサ。
【請求項３】前記半導体磁気抵抗素子が磁気感応した
ときの抵抗値が、磁気不感応のときの抵抗値の１．２倍
以上であることを特徴とする請求項１及び請求項２記載
の近接センサ。
【請求項４】前記半導体磁気抵抗素子と前記抵抗素子
とが単一基板上に設けられていることを特徴とする請求
項１ないし請求項３記載の近接センサ。
【請求項５】前記増幅用トランジスタのベース側電圧
を一定にするための電圧補償回路を、前記増幅用トラン
ジスタのコレクタ側に接続したことを特徴とする請求項
１ないし請求項４記載の近接センサ。
【請求項６】前記増幅用トランジスタの出力波形を整
形するための波形整形回路を、前記増幅用トランジスタ
の次段に設けたことを特徴とする請求項１ないし請求項
５記載の近接センサ。