JPH11308003A - 非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路 - Google Patents
非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路Info
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- JPH11308003A JPH11308003A JP10115236A JP11523698A JPH11308003A JP H11308003 A JPH11308003 A JP H11308003A JP 10115236 A JP10115236 A JP 10115236A JP 11523698 A JP11523698 A JP 11523698A JP H11308003 A JPH11308003 A JP H11308003A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 NRDガイドに搭載されるデバイスの、調整
および固定を容易にする。 【解決手段】 NRDガイドの誘電体ストリップ1を、
一部の区間において上側半分が省かれた形状に形成し、
残る誘電体ストリップの上面に複数のテーパー導体2
a、2bを並設する。
および固定を容易にする。 【解決手段】 NRDガイドの誘電体ストリップ1を、
一部の区間において上側半分が省かれた形状に形成し、
残る誘電体ストリップの上面に複数のテーパー導体2
a、2bを並設する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、素子の搭載に好適
な非放射性誘電体線路、非放射性誘電体線路と並行線路
との接続のためのモード変換器、非放射性誘電体線路を
用いた高周波回路に関する。
な非放射性誘電体線路、非放射性誘電体線路と並行線路
との接続のためのモード変換器、非放射性誘電体線路を
用いた高周波回路に関する。
【0002】
【従来の技術】周波数が高い電磁波の伝送に際し、伝送
損が少なく、かつ、線路の曲がりや不連続があっても放
射を避けることができる線路として、図2に示すよう
な、非放射性誘電体線路(Non-Radiative Dielectric Wa
veguide;以下NRDガイドという)が考案され、例え
ば、米山務:“非放射性誘電体線路を用いたミリ波集積
回路”,信学論,J73−C−I,3,pp.87−9
4(‘90−03)に開示されている。
損が少なく、かつ、線路の曲がりや不連続があっても放
射を避けることができる線路として、図2に示すよう
な、非放射性誘電体線路(Non-Radiative Dielectric Wa
veguide;以下NRDガイドという)が考案され、例え
ば、米山務:“非放射性誘電体線路を用いたミリ波集積
回路”,信学論,J73−C−I,3,pp.87−9
4(‘90−03)に開示されている。
【0003】NRDガイドは、使用する電磁波の半波長
以下の間隔で対向する2枚の平行平板導体10と、その
間に設けられた誘電体ストリップ1とを有して構成され
る。NRDガイドにおいて、電磁波は、誘電体ストリッ
プに沿って伝播し、かつ、誘電体ストリップからの放射
波は、平行平板導波路の遮断効果により完全に抑圧され
る。従って、NRDガイドを伝播する電磁波は、誘電体
ストリップの内部にのみ、限定して存在し得る。
以下の間隔で対向する2枚の平行平板導体10と、その
間に設けられた誘電体ストリップ1とを有して構成され
る。NRDガイドにおいて、電磁波は、誘電体ストリッ
プに沿って伝播し、かつ、誘電体ストリップからの放射
波は、平行平板導波路の遮断効果により完全に抑圧され
る。従って、NRDガイドを伝播する電磁波は、誘電体
ストリップの内部にのみ、限定して存在し得る。
【0004】NRDガイドの伝送モードは、図3の
(a)に示すように、磁界が誘電体Iと空気IIとの境界
面に平行なLSMモードと、図3の(b)に示すよう
に、電界がこの境界面に平行なLSEモードとが存在す
る。動作モードとしては、低損失で伝送されることから
LSMモードが選ばれる。
(a)に示すように、磁界が誘電体Iと空気IIとの境界
面に平行なLSMモードと、図3の(b)に示すよう
に、電界がこの境界面に平行なLSEモードとが存在す
る。動作モードとしては、低損失で伝送されることから
LSMモードが選ばれる。
【0005】NRD回路に半導体デバイスが実装された
回路としては、例えば、図7に示すように構成されるも
のが挙げられる。図7において、誘電体ストリップ1に
おける、電磁波の電波方向に垂直な断面に、回路基板6
0が配置される。回路基板60は、誘電体基板に、銅箔
によってRFチョークパターンが形成され、半導体デバ
イス61(例えば、ビームリードダイオード)が、2の
銅箔にまたがって搭載される。
回路としては、例えば、図7に示すように構成されるも
のが挙げられる。図7において、誘電体ストリップ1に
おける、電磁波の電波方向に垂直な断面に、回路基板6
0が配置される。回路基板60は、誘電体基板に、銅箔
によってRFチョークパターンが形成され、半導体デバ
イス61(例えば、ビームリードダイオード)が、2の
銅箔にまたがって搭載される。
【0006】このような回路構造とすることによって、
NRDガイドにおけるLSMモードの電界は、半導体デ
バイス61に直接印加される。
NRDガイドにおけるLSMモードの電界は、半導体デ
バイス61に直接印加される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構造では、NRD導波路に対して基板が垂直になってい
るので回路基板面を実装したままでは直接目視すること
が困難である。このため回路の調整が難しく、また、基
板の固定が難しいという問題がある。
構造では、NRD導波路に対して基板が垂直になってい
るので回路基板面を実装したままでは直接目視すること
が困難である。このため回路の調整が難しく、また、基
板の固定が難しいという問題がある。
【0008】さらに、振動などに対する信頼性が劣るこ
と、および、製造上作業性が悪いので生産性を上げるこ
とが難しいこと等の問題点がある。
と、および、製造上作業性が悪いので生産性を上げるこ
とが難しいこと等の問題点がある。
【0009】本発明は、デバイスをNRDガイドに実装
するに際し、回路の調整、および、固定を容易にする構
造を提供することを目的とする。
するに際し、回路の調整、および、固定を容易にする構
造を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1の態様によれば、誘電体ストリップ、
および、これを挟む対向面が形成された導体を有する非
放射性誘電体線路であって、上記対向面に挟まれる領域
に、複数の導体が伝播方向に沿って並設される区間を有
することを特徴とする非放射性誘電体線路が提供され
る。
に、本発明の第1の態様によれば、誘電体ストリップ、
および、これを挟む対向面が形成された導体を有する非
放射性誘電体線路であって、上記対向面に挟まれる領域
に、複数の導体が伝播方向に沿って並設される区間を有
することを特徴とする非放射性誘電体線路が提供され
る。
【0011】本発明の第2の態様によれば、非放射性誘
電体線路におけるLSMモードと、並行導体におけるT
Eモードとの変換を行うことを特徴とするモード変換回
路が提供される。
電体線路におけるLSMモードと、並行導体におけるT
Eモードとの変換を行うことを特徴とするモード変換回
路が提供される。
【0012】本発明の第3の態様によれば、誘電体スト
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体を
有する非放射性誘電体線路と、誘電体ストリップ、およ
び、この上に並設される複数の導体を有する線路とが接
続されて構成されることを特徴とするモード変換回路が
提供される。
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体を
有する非放射性誘電体線路と、誘電体ストリップ、およ
び、この上に並設される複数の導体を有する線路とが接
続されて構成されることを特徴とするモード変換回路が
提供される。
【0013】本発明の第4の態様によれば、誘電体スト
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体が
配設される非放射性誘電体線路を有し、上記誘電体スト
リップは、一部の区間において、上記対向面の少なくと
も一方の面との間に空隙を残して形成され、当該空隙を
残して形成された面のいずれかに複数の導体が並設され
ることを特徴とするモード変換回路が提供される。
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体が
配設される非放射性誘電体線路を有し、上記誘電体スト
リップは、一部の区間において、上記対向面の少なくと
も一方の面との間に空隙を残して形成され、当該空隙を
残して形成された面のいずれかに複数の導体が並設され
ることを特徴とするモード変換回路が提供される。
【0014】本発明の第5の態様によれば、誘電体スト
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体を
有する非放射性誘電体線路を有し、上記非放射性誘電体
線路の一部の区間において、誘電体の上側半分が省か
れ、残る誘電体の上面に複数の導体が並設されることを
特徴とするモード変換回路が提供される。
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体を
有する非放射性誘電体線路を有し、上記非放射性誘電体
線路の一部の区間において、誘電体の上側半分が省か
れ、残る誘電体の上面に複数の導体が並設されることを
特徴とするモード変換回路が提供される。
【0015】本発明の第6の態様によれば、上記第2か
ら5のいずれかの態様におけるモード変換回路におい
て、上記並設される複数の導体のうち少なくとも1つの
導体は、伝播方向に並ぶ区間を複数有し、上記導体は、
区間相互に絶縁されることを特徴とするモード変換回路
が提供される。
ら5のいずれかの態様におけるモード変換回路におい
て、上記並設される複数の導体のうち少なくとも1つの
導体は、伝播方向に並ぶ区間を複数有し、上記導体は、
区間相互に絶縁されることを特徴とするモード変換回路
が提供される。
【0016】本発明の第7の態様によれば、上記第2か
ら5のいずれかの態様におけるモード変換回路を有し、
上記誘電体上の導体間に二端子デバイスが接続されるこ
とを特徴とする高周波回路が提供される。
ら5のいずれかの態様におけるモード変換回路を有し、
上記誘電体上の導体間に二端子デバイスが接続されるこ
とを特徴とする高周波回路が提供される。
【0017】本発明の第8の態様によれば、上記第6の
対応におけるモード変換回路を有し、上記誘電体上の導
体間に三端子デバイスが接続されることを特徴とする高
周波回路。
対応におけるモード変換回路を有し、上記誘電体上の導
体間に三端子デバイスが接続されることを特徴とする高
周波回路。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【0019】まず、図1を参照して、本発明の第1の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【0020】図1において、本実施の形態の非放射性誘
電体線路(NRDガイドという)は、誘電体ストリップ
1の一部が切り取られて、そこに複数の導体2a,2b
が並設された誘電体基板101が配設されて構成され
る。なお、図1において、誘電体ストリップ1を挟む導
体板10(図2参照)は省略されている。
電体線路(NRDガイドという)は、誘電体ストリップ
1の一部が切り取られて、そこに複数の導体2a,2b
が並設された誘電体基板101が配設されて構成され
る。なお、図1において、誘電体ストリップ1を挟む導
体板10(図2参照)は省略されている。
【0021】次に、図3を参照して、本実施の形態のN
RDガイドにおけるモード変換機能について説明する。
RDガイドにおけるモード変換機能について説明する。
【0022】NRDガイドにおけるLSMモードは、図
3(a)に示す様に上下導体板の中央付近横向きの電界
成分が最も大きい。従って、図1に示すようなNRDガ
イドでは、NRDガイドを伝搬する電磁界(LSMモー
ド)は、複数の導体2a,2bが並設された誘電体基板
101において、電極2a,2bのテーパー部分に沿っ
て伝播し、電磁界エネルギーは準TEモードとして電極
間に集中する様になる。誘電体基板101上の準TEモ
ード電磁波は、さらに電極2a,2bのテーパー部分を
伝播してNRDガイドに再入射する。
3(a)に示す様に上下導体板の中央付近横向きの電界
成分が最も大きい。従って、図1に示すようなNRDガ
イドでは、NRDガイドを伝搬する電磁界(LSMモー
ド)は、複数の導体2a,2bが並設された誘電体基板
101において、電極2a,2bのテーパー部分に沿っ
て伝播し、電磁界エネルギーは準TEモードとして電極
間に集中する様になる。誘電体基板101上の準TEモ
ード電磁波は、さらに電極2a,2bのテーパー部分を
伝播してNRDガイドに再入射する。
【0023】誘電体基板101上の電磁波は近接並行す
る導体間の準TEモードであり、電界は電極間に水平に
集中している。このため、この導体間にトランジスタお
よびダイオード等の、半導体素子を接続すれば増幅器や
ミキサ等の能動回路を構成できる。また、誘電体基板は
水平に置かれているので回路を容易に目視することが可
能となる。従って、回路をNRDガイドから取り外すこ
となく調整することが可能になり、かつ下側の接地導体
板に固定しやすくなる。またNRDガイドの一部の誘電
体基板を削って構成することが可能であるから一体化が
容易になる。本実施の形態のNRDガイドを適用するこ
とによって、NRD回路で能動回路を構成することが容
易になり、かつ信頼性および生産性を向上させることが
可能になる。
る導体間の準TEモードであり、電界は電極間に水平に
集中している。このため、この導体間にトランジスタお
よびダイオード等の、半導体素子を接続すれば増幅器や
ミキサ等の能動回路を構成できる。また、誘電体基板は
水平に置かれているので回路を容易に目視することが可
能となる。従って、回路をNRDガイドから取り外すこ
となく調整することが可能になり、かつ下側の接地導体
板に固定しやすくなる。またNRDガイドの一部の誘電
体基板を削って構成することが可能であるから一体化が
容易になる。本実施の形態のNRDガイドを適用するこ
とによって、NRD回路で能動回路を構成することが容
易になり、かつ信頼性および生産性を向上させることが
可能になる。
【0024】次に、図5を参照して、本発明の第2の実
施の形態について説明する。本実施の形態では、NRD
ガイドにダイオードを実装する例について説明する。
施の形態について説明する。本実施の形態では、NRD
ガイドにダイオードを実装する例について説明する。
【0025】図5において、誘電体基板101は、誘電
体ストリップ1の一部の誘電体を削ぎ取ることによって
形成し、その平面上に2枚のテーパーストリップ導体電
極2a,2bを形成する。電極が最も接近した中央部付
近にダイオード3を実装する。NRDガイドのLSMモ
ードの電磁波はテーパーストリップ導体電極2a,2b
を伝播してダイオード3に印加される。
体ストリップ1の一部の誘電体を削ぎ取ることによって
形成し、その平面上に2枚のテーパーストリップ導体電
極2a,2bを形成する。電極が最も接近した中央部付
近にダイオード3を実装する。NRDガイドのLSMモ
ードの電磁波はテーパーストリップ導体電極2a,2b
を伝播してダイオード3に印加される。
【0026】このような、ダイオード3を搭載したNR
Dガイドを適用して、変調器、検波器、ミキサ、および
スイッチ等のNRD回路を構成することが可能となる。
Dガイドを適用して、変調器、検波器、ミキサ、および
スイッチ等のNRD回路を構成することが可能となる。
【0027】次に、図6を参照して、本発明の第3の実
施の形態について説明する。本実施の形態は、NRD導
波路にトランジスタを実装する例である。
施の形態について説明する。本実施の形態は、NRD導
波路にトランジスタを実装する例である。
【0028】図6において、誘電体基板101は、誘電
体ストリップ1の一部の誘電体を削ぎ取ることによって
形成し、その平面上に3枚のテーパーストリップ導体電
極7a,7b,7cを形成する。電極が最も接近した中
央部付近にダイオード3を実装する。NRDガイドのL
SMモードの電磁波はテーパーストリップ導体電極7
a,7b,7cを伝播してトランジスタ8に印加され
る。
体ストリップ1の一部の誘電体を削ぎ取ることによって
形成し、その平面上に3枚のテーパーストリップ導体電
極7a,7b,7cを形成する。電極が最も接近した中
央部付近にダイオード3を実装する。NRDガイドのL
SMモードの電磁波はテーパーストリップ導体電極7
a,7b,7cを伝播してトランジスタ8に印加され
る。
【0029】次に、図7を参照して、本発明の第4の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【0030】半導体基板101は、第3の実施の形態と
同様に構成することができる。
同様に構成することができる。
【0031】搭載すべき半導体デバイスが電界効果トラ
ンジスタである場合には、図7に示すように、8の場
合、7aをゲート電極、7bをソース電極、および7c
をドレイン電極と接続する。
ンジスタである場合には、図7に示すように、8の場
合、7aをゲート電極、7bをソース電極、および7c
をドレイン電極と接続する。
【0032】第3および第4の実施例を適用することに
より、NRDガイドを用いた能動回路を構成することが
できる。具体的には、例えば、増幅器を構成することが
できる。
より、NRDガイドを用いた能動回路を構成することが
できる。具体的には、例えば、増幅器を構成することが
できる。
【0033】なお、上述した各実施の形態において、テ
ーパーストリップ導体のテーパー形状は、インピーダン
スが滑らかに接続される形状であればよく、その幅の変
化は、直線的な変化であっても、指数関数的な変化であ
ってもよい。
ーパーストリップ導体のテーパー形状は、インピーダン
スが滑らかに接続される形状であればよく、その幅の変
化は、直線的な変化であっても、指数関数的な変化であ
ってもよい。
【0034】また、必要に応じて、チョーク構造を導体
パターンよって形成してもよい。これによって、上下の
導体板10と結合して伝播可能となるTEMモードを抑
制するたことが可能となる。
パターンよって形成してもよい。これによって、上下の
導体板10と結合して伝播可能となるTEMモードを抑
制するたことが可能となる。
【0035】さらに、誘電体基板101は、誘電体スト
リップ1と一体化している必要はなく、異なる誘電体基
板101上に構成した回路を、切断された誘電体ストリ
ップ1同士の間に挿入してもよい。
リップ1と一体化している必要はなく、異なる誘電体基
板101上に構成した回路を、切断された誘電体ストリ
ップ1同士の間に挿入してもよい。
【0036】より具体的には、ミキサにおけるIF回
路、検波器における出力回路、ならびに、スイッチおよ
び増幅器におけるバイアス回路などは、図5の符号5、
図6の符号7に示すように、異なる誘電体基板上に適当
に構成した回路を、金リボン4等によって接続するによ
って実現することができる。また、上下どちらかの導体
板10に穴を開け、貫通コンデンサ9を介して近接位置
から直接バイアスすることもできる。
路、検波器における出力回路、ならびに、スイッチおよ
び増幅器におけるバイアス回路などは、図5の符号5、
図6の符号7に示すように、異なる誘電体基板上に適当
に構成した回路を、金リボン4等によって接続するによ
って実現することができる。また、上下どちらかの導体
板10に穴を開け、貫通コンデンサ9を介して近接位置
から直接バイアスすることもできる。
【0037】
【発明の効果】本発明によれば、非放射性誘電体線路に
おけるLSMモードを、近接並行する導体間の準TEモ
ードに変換することができる。準TEモードでは、電界
は電極間に水平に集中している。
おけるLSMモードを、近接並行する導体間の準TEモ
ードに変換することができる。準TEモードでは、電界
は電極間に水平に集中している。
【0038】従って、この導体間にトランジスタおよび
ダイオード等の、半導体素子を接続すれば増幅器やミキ
サ等の能動回路を構成できる。
ダイオード等の、半導体素子を接続すれば増幅器やミキ
サ等の能動回路を構成できる。
【0039】また、誘電体基板は、上下の導体板におけ
る対向面を基準として水平に配置することができる。こ
のため、回路を容易に目視することができる。従って、
回路をNRD導波路から取り外すことなく調整すること
が可能になる。また、下側導体板に固定することも容易
となる。
る対向面を基準として水平に配置することができる。こ
のため、回路を容易に目視することができる。従って、
回路をNRD導波路から取り外すことなく調整すること
が可能になる。また、下側導体板に固定することも容易
となる。
【0040】またNRD導波路における、誘電体ストリ
ップの一部を削って構成することが可能であるから、一
体化が容易になる。本構造により、NRD回路で能動回
路を構成することが容易になり、かつ信頼性および生産
性を向上させることが可能になる。
ップの一部を削って構成することが可能であるから、一
体化が容易になる。本構造により、NRD回路で能動回
路を構成することが容易になり、かつ信頼性および生産
性を向上させることが可能になる。
【図1】 本発明の第1の実施の形態におけるNRDガ
イドを示す説明図であって、(a)誘電体ストリップの
上面図、(b)(a)の#1−#1’断面図、(c)側
面図である。
イドを示す説明図であって、(a)誘電体ストリップの
上面図、(b)(a)の#1−#1’断面図、(c)側
面図である。
【図2】 非放射性誘電体線路の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図3】 非放射性誘電体線路の電磁界を示す説明図で
あって、(a)LSM01モード、(b)LSE01モ
ードを示す説明図である。
あって、(a)LSM01モード、(b)LSE01モ
ードを示す説明図である。
【図4】 本発明の第2の実施の形態におけるモード変
換回路を示す説明図である。
換回路を示す説明図である。
【図5】 本発明の第3の実施の形態におけるモード変
換回路を示す説明図である。
換回路を示す説明図である。
【図6】 本発明の第4の実施の形態におけるモード変
換回路を示す説明図である。
換回路を示す説明図である。
【図7】 従来の高周波回路を示す説明図である。
1…誘電体ストリップ、2,2a,2b…導体、3…ダ
イオード、5…IF回路、バイアス回路、6…DCバイ
アス回路、7a,7b,7c…電極、8…トランジス
タ、9…貫通コンデンサ、10…導体板、101…誘電
体基板。
イオード、5…IF回路、バイアス回路、6…DCバイ
アス回路、7a,7b,7c…電極、8…トランジス
タ、9…貫通コンデンサ、10…導体板、101…誘電
体基板。
Claims (11)
- 【請求項1】 誘電体ストリップ、および、これを挟む
対向面が形成された導体を有する非放射性誘電体線路で
あって、 上記対向面に挟まれる領域に、複数の導体が伝播方向に
沿って並設される区間を有することを特徴とする非放射
性誘電体線路。 - 【請求項2】 請求項1記載の非放射性誘電体線路にお
いて、 上記複数の導体は、それらにおけるTEモードの電界
が、非放射性誘電体線路におけるLSMモードの電界に
対応する位置関係に配設されることを特徴とする非放射
性誘電体線路。 - 【請求項3】 請求項1および2のいずれか一項に記載
の非放射性誘電体線路において、 上記並設される複数の導体のうち少なくとも1つの導体
は、伝播方向に並ぶ区間を複数有し、 上記導体は、区間相互に絶縁されることを特徴とする非
放射性誘電体線路。 - 【請求項4】非放射性誘電体線路におけるLSMモード
と、並行導体におけるTEモードとの変換を行うことを
特徴とするモード変換回路。 - 【請求項5】誘電体ストリップ、および、これを挟む対
向面が形成された導体を有する非放射性誘電体線路と、 誘電体ストリップ、および、この上に並設される複数の
導体を有する線路とが接続されて構成されることを特徴
とするモード変換回路。 - 【請求項6】誘電体ストリップ、および、これを挟む対
向面が形成された導体が配設される非放射性誘電体線路
を有し、 上記誘電体ストリップは、一部の区間において、上記対
向面の少なくとも一方の面との間に空隙を残して形成さ
れ、当該空隙を残して形成された面のいずれかに複数の
導体が並設されることを特徴とするモード変換回路。 - 【請求項7】誘電体ストリップ、および、これを挟む対
向面が形成された導体を有する非放射性誘電体線路を有
し、 上記非放射性誘電体線路の一部の区間において、誘電体
の上側半分が省かれ、残る誘電体の上面に複数の導体が
並設されることを特徴とするモード変換回路。 - 【請求項8】 請求項5から7のいずれか一項に記載の
モード変換回路において、 非放射性誘電体線路におけるLSMモードと、並設され
る複数の導体におけるTEモードとの変換を行うことを
特徴とするモード変換回路。 - 【請求項9】 請求項4から8のいずれか一項に記載の
モード変換回路において、 上記並設される複数の導体のうち少なくとも1つの導体
は、伝播方向に並ぶ区間を複数有し、 上記導体は、区間相互に絶縁されることを特徴とするモ
ード変換回路。 - 【請求項10】 請求項4から8のいずれか一項に記載
のモード変換回路を有し、 上記誘電体上の導体間に二端子デバイスが接続されるこ
とを特徴とする高周波回路。 - 【請求項11】 請求項9に記載のモード変換回路を有
し、 上記誘電体上の導体間に三端子デバイスが接続されるこ
とを特徴とする高周波回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10115236A JPH11308003A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | 非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10115236A JPH11308003A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | 非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11308003A true JPH11308003A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14657721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10115236A Pending JPH11308003A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | 非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11308003A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1263078A2 (en) * | 2001-05-28 | 2002-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transmission line, integrated circuit and transmitter-receiver |
-
1998
- 1998-04-24 JP JP10115236A patent/JPH11308003A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1263078A2 (en) * | 2001-05-28 | 2002-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transmission line, integrated circuit and transmitter-receiver |
EP1263078A3 (en) * | 2001-05-28 | 2003-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transmission line, integrated circuit and transmitter-receiver |
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