JPH1130623A - 走査型静電容量顕微鏡 - Google Patents
走査型静電容量顕微鏡Info
- Publication number
- JPH1130623A JPH1130623A JP9186665A JP18666597A JPH1130623A JP H1130623 A JPH1130623 A JP H1130623A JP 9186665 A JP9186665 A JP 9186665A JP 18666597 A JP18666597 A JP 18666597A JP H1130623 A JPH1130623 A JP H1130623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- resonance
- frequency
- sample
- capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査型静電容量顕微鏡では、ＬＣ共振回路の
傾きが急なところで測定した場合にもっとも感度がよい
が、ＬＣ共振回路の共振周波数は用いるカンチレバーや
測定する試料もしくはそれらの位置関係により順次変化
してしまうためその都度発振周波数を設定する必要があ
るが、そのためには、共振回路特性を知るために何らか
の信号をモニターする必要がある。従来は検波回路にお
いてピーク検波した直流電圧をモニターしていたが、直
流であるためにＳ／Ｎが悪いという問題があった。 【課題手段】 本発明は、発振回路と共振回路と検波回
路からなるキャパシンタンスセンサーを有する走査型静
電容量顕微鏡において、共振回路特性の変化を読みとる
手段と、測定感度が最適となるように、発振回路の発振
周波数もしくは共振回路の共振周波数を調整する手段を
有するとともに発振周波数を変調する手段を有すること
を特徴とする走査型静電容量顕微鏡を提供する。
傾きが急なところで測定した場合にもっとも感度がよい
が、ＬＣ共振回路の共振周波数は用いるカンチレバーや
測定する試料もしくはそれらの位置関係により順次変化
してしまうためその都度発振周波数を設定する必要があ
るが、そのためには、共振回路特性を知るために何らか
の信号をモニターする必要がある。従来は検波回路にお
いてピーク検波した直流電圧をモニターしていたが、直
流であるためにＳ／Ｎが悪いという問題があった。 【課題手段】 本発明は、発振回路と共振回路と検波回
路からなるキャパシンタンスセンサーを有する走査型静
電容量顕微鏡において、共振回路特性の変化を読みとる
手段と、測定感度が最適となるように、発振回路の発振
周波数もしくは共振回路の共振周波数を調整する手段を
有するとともに発振周波数を変調する手段を有すること
を特徴とする走査型静電容量顕微鏡を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量を検出す
ることのできる走査型プローブ顕微鏡に関するものであ
る。
ることのできる走査型プローブ顕微鏡に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】先端の鋭い探針により試料表面を走査す
ることで、試料表面の情報を原子レベルの高空間分解能
で調べる技術として、様々なタイプの走査型プローブ顕
微鏡が提案されている。走査型プローブ顕微鏡の代表的
なものとしては、探針と試料間のトンネル電流を利用す
る走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）や、探針と試料間に
働く微小な力を使用する原子間力顕微鏡（以下、「ＡＦ
Ｍ」と称す）や、探針と試料との間の静電容量を計測す
る走査型静電容量顕微鏡等がある。走査型静電容量顕微
鏡は、主としてＡＦＭをベースにしており、ＡＦＭによ
り探針を試料表面に走査させながら同時に静電容量の情
報を取得するが、静電容量情報は発振回路、共振回路、
検波回路からなるキャパシタンスセンサーにより探針−
試料間のキャパシタンス変化をＬＣ共振回路の共振周波
数変化として検出する。
ることで、試料表面の情報を原子レベルの高空間分解能
で調べる技術として、様々なタイプの走査型プローブ顕
微鏡が提案されている。走査型プローブ顕微鏡の代表的
なものとしては、探針と試料間のトンネル電流を利用す
る走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）や、探針と試料間に
働く微小な力を使用する原子間力顕微鏡（以下、「ＡＦ
Ｍ」と称す）や、探針と試料との間の静電容量を計測す
る走査型静電容量顕微鏡等がある。走査型静電容量顕微
鏡は、主としてＡＦＭをベースにしており、ＡＦＭによ
り探針を試料表面に走査させながら同時に静電容量の情
報を取得するが、静電容量情報は発振回路、共振回路、
検波回路からなるキャパシタンスセンサーにより探針−
試料間のキャパシタンス変化をＬＣ共振回路の共振周波
数変化として検出する。
【０００３】キャパシタンスセンサーにおける発振周波
数は、発振回路中の可変容量コンデンサのトリマーをド
ライバー等を用いて回すことでおよそ９３０〜１０５０
ＭＨｚの範囲で変化する。また、キャパシタンスセンサ
ーのＬＣ共振回路中にはバリキャップダイオードがあり
ここに検波回路からの電圧をフィードバックして共振周
波数を調節するする機構を有している。
数は、発振回路中の可変容量コンデンサのトリマーをド
ライバー等を用いて回すことでおよそ９３０〜１０５０
ＭＨｚの範囲で変化する。また、キャパシタンスセンサ
ーのＬＣ共振回路中にはバリキャップダイオードがあり
ここに検波回路からの電圧をフィードバックして共振周
波数を調節するする機構を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】走査型静電容量顕微鏡
では、ＬＣ共振回路の傾きが急なところで測定した場合
にもっとも感度がよいが、ＬＣ共振回路の共振周波数は
用いるカンチレバーや測定する試料もしくはそれらの位
置関係により順次変化してしまうためその都度発振周波
数を設定する必要があるが、そのためには、共振回路特
性を知るために何らかの信号をモニターする必要があ
る。従来は検波回路においてピーク検波した直流電圧を
モニターしていたが、直流であるためにＳ／Ｎが悪いと
いう問題があった。
では、ＬＣ共振回路の傾きが急なところで測定した場合
にもっとも感度がよいが、ＬＣ共振回路の共振周波数は
用いるカンチレバーや測定する試料もしくはそれらの位
置関係により順次変化してしまうためその都度発振周波
数を設定する必要があるが、そのためには、共振回路特
性を知るために何らかの信号をモニターする必要があ
る。従来は検波回路においてピーク検波した直流電圧を
モニターしていたが、直流であるためにＳ／Ｎが悪いと
いう問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は以上の点を考慮
したものであり、発振回路と共振回路と検波回路からな
る容量センサーを有する走査型静電容量顕微鏡におい
て、共振回路特性の変化を読みとる手段と、測定感度が
最適となるように、発振回路の発振周波数もしくは共振
回路の共振周波数を調整する手段を有するとともに発振
周波数を変調する手段を有することを特徴とする走査型
静電容量顕微鏡を提供する。
したものであり、発振回路と共振回路と検波回路からな
る容量センサーを有する走査型静電容量顕微鏡におい
て、共振回路特性の変化を読みとる手段と、測定感度が
最適となるように、発振回路の発振周波数もしくは共振
回路の共振周波数を調整する手段を有するとともに発振
周波数を変調する手段を有することを特徴とする走査型
静電容量顕微鏡を提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】まず最初に、図２を用いて共振特
性計測機構について説明する。図２（ａ）は発振回路、
共振回路、検波回路からなる静電容量測定機構の概略図
である。発振回路で発生した高周波信号は、共振回路を
経て検波回路へと伝わり、高周波の振幅がピーク検波さ
れる。図２（ｂ）は共振回路の共振特性を示しており、
横軸は高周波信号の周波数、縦軸はピーク検波される高
周波信号の振幅である。検波回路に伝わる高周波信号の
振幅は高周波信号の周波数が共振回路の共振周波数（ω
ｒ）に一致したときに最大であり、高周波信号の周波数
が共振周波数からずれるに従って小さくなる。例えば、
高周波信号の発振周波数をωｏとすると、図２（ｂ）中
に示したωｏにおいて共振特性のカーブは右下がりの傾
きを有しており、共振回路中のキャパシタンスの増加に
より共振周波数および共振特性のカーブが左（低周波）
側にシフトし検波される振幅は小さくなる。一方、発振
周波数（ωｏ）が共振周波数（ωｒ）よりも左側にある
ときにはキャパシタンスの増加により検波される振幅が
逆に大きくなる。また、キャパシタンス変化を検出する
感度は共振特性のカーブの傾きが急なところほど高くな
る。図２（ｃ）は、図２（ｂ）の共振特性を有する共振
回路中の可変容量ダイオードに、交流電圧を印加したと
きにロックスインアンプにより検出される交流電圧の周
波数における容量変化の様子（ｄＣ／ｄＶ）を示してい
るが、これはすなわち、図２（ｂ）の微分値を示してい
る。ロックインアンプで検出される容量変化は図２
（ｂ）において共振特性のカーブの傾きの大きいところ
ほど大きな絶対値を有しており、この点において、走査
型容量顕微鏡としての感度が最大となる。
性計測機構について説明する。図２（ａ）は発振回路、
共振回路、検波回路からなる静電容量測定機構の概略図
である。発振回路で発生した高周波信号は、共振回路を
経て検波回路へと伝わり、高周波の振幅がピーク検波さ
れる。図２（ｂ）は共振回路の共振特性を示しており、
横軸は高周波信号の周波数、縦軸はピーク検波される高
周波信号の振幅である。検波回路に伝わる高周波信号の
振幅は高周波信号の周波数が共振回路の共振周波数（ω
ｒ）に一致したときに最大であり、高周波信号の周波数
が共振周波数からずれるに従って小さくなる。例えば、
高周波信号の発振周波数をωｏとすると、図２（ｂ）中
に示したωｏにおいて共振特性のカーブは右下がりの傾
きを有しており、共振回路中のキャパシタンスの増加に
より共振周波数および共振特性のカーブが左（低周波）
側にシフトし検波される振幅は小さくなる。一方、発振
周波数（ωｏ）が共振周波数（ωｒ）よりも左側にある
ときにはキャパシタンスの増加により検波される振幅が
逆に大きくなる。また、キャパシタンス変化を検出する
感度は共振特性のカーブの傾きが急なところほど高くな
る。図２（ｃ）は、図２（ｂ）の共振特性を有する共振
回路中の可変容量ダイオードに、交流電圧を印加したと
きにロックスインアンプにより検出される交流電圧の周
波数における容量変化の様子（ｄＣ／ｄＶ）を示してい
るが、これはすなわち、図２（ｂ）の微分値を示してい
る。ロックインアンプで検出される容量変化は図２
（ｂ）において共振特性のカーブの傾きの大きいところ
ほど大きな絶対値を有しており、この点において、走査
型容量顕微鏡としての感度が最大となる。
【０００７】以下に、図１により本発明の実施の形態で
ある走査型容量顕微鏡を説明するが、本発明はこの形態
に限られるものではない。ところで、本発明の実施の形
態である走査型静電容量顕微鏡は、カンチレバー１とカ
ンチレバーホルダー２と導線３とキャパシタンスセンサ
ー４と試料５と試料ホルダー６とチューブ型ピエゾ素子
７と半導体レーザー８と２分割光検出器９とインターフ
ェースボックス１０とロックインアンプ１１とピエゾ駆
動電源１２とコンピュータ１３とＣＲＴ１４とからな
る。
ある走査型容量顕微鏡を説明するが、本発明はこの形態
に限られるものではない。ところで、本発明の実施の形
態である走査型静電容量顕微鏡は、カンチレバー１とカ
ンチレバーホルダー２と導線３とキャパシタンスセンサ
ー４と試料５と試料ホルダー６とチューブ型ピエゾ素子
７と半導体レーザー８と２分割光検出器９とインターフ
ェースボックス１０とロックインアンプ１１とピエゾ駆
動電源１２とコンピュータ１３とＣＲＴ１４とからな
る。
【０００８】カンチレバー１は先端付近に探針を有する
シリコン製のカンチレバーにコバルトならびにクロムを
コートしたものであり、導線３によりキャパシタンスセ
ンサー４に電気的に接続されている。カンチレバーホル
ダー２は浮遊容量の低減のため絶縁物であるポリカーボ
ネートからなるが、セラミック等の他の絶縁物で作って
もよい。試料５はシリコン基板であり、表面は酸化膜で
覆われており裏面にはアルミニウムの電極が形成されて
いる。試料５は導電性ペーストによりアルミニウム製の
試料ホルダー６に取り付けられており、さらに試料ホル
ダー６は試料５をカンチレバー１に対して走査させるた
めのチューブ型ピエゾ素子７に取り付けられている。カ
ンチレバー１の撓みは半導体レーザー８および２分割光
検出器９を用いて光てこ法により検出する。試料５は、
ピエゾ駆動電源１２によりチューブ型ピエゾ素子７に電
圧を印加することによりカンチレバー１に対して走査さ
せるが、２分割光検出器９の信号によりカンチレバー１
の撓みが一定になるようにチューブ型ピエゾ素子７にフ
ィードバック電圧を印加する。このとき得られる試料５
の表面形状の情報は静電容量の情報とともにコンピュー
タ１３に取り込まれる。
シリコン製のカンチレバーにコバルトならびにクロムを
コートしたものであり、導線３によりキャパシタンスセ
ンサー４に電気的に接続されている。カンチレバーホル
ダー２は浮遊容量の低減のため絶縁物であるポリカーボ
ネートからなるが、セラミック等の他の絶縁物で作って
もよい。試料５はシリコン基板であり、表面は酸化膜で
覆われており裏面にはアルミニウムの電極が形成されて
いる。試料５は導電性ペーストによりアルミニウム製の
試料ホルダー６に取り付けられており、さらに試料ホル
ダー６は試料５をカンチレバー１に対して走査させるた
めのチューブ型ピエゾ素子７に取り付けられている。カ
ンチレバー１の撓みは半導体レーザー８および２分割光
検出器９を用いて光てこ法により検出する。試料５は、
ピエゾ駆動電源１２によりチューブ型ピエゾ素子７に電
圧を印加することによりカンチレバー１に対して走査さ
せるが、２分割光検出器９の信号によりカンチレバー１
の撓みが一定になるようにチューブ型ピエゾ素子７にフ
ィードバック電圧を印加する。このとき得られる試料５
の表面形状の情報は静電容量の情報とともにコンピュー
タ１３に取り込まれる。
【０００９】静電容量の計測は、直流バイアスならびに
〜１０0ｋＨｚのモジュレーション電圧を発振器を内蔵
するロックインアンプ１１よりインターフェースボック
ス１０および試料ホルダー６を介して試料５に印加し、
アース電位のカンチレバー１との間の電圧により試料５
中に形成される空乏層の厚みの変化に伴う探針−試料間
のモジュレーション周波数での静電容量変化をキャパシ
タンスセンサー４ならびにロックインアンプ１１により
検出する。ロックインアンプ１１は、〜１０0ｋＨｚの
交流電圧出力ならびに４つの−１０．５Ｖ〜＋１０．５
Ｖの直流出力を有しているものを使用した。また、この
ロックインアンプ１１は２相ロックインアンプであるの
で、２つの信号出力を有しており、チャンネル１（ＣＨ
１）にはＸもしくは振幅（Ｒ）をチャンネル２（ＣＨ
２）にはＹもしくは位相を選択することができる。な
お、本発明者らは、ロックインアンプ１１として、Stan
ford Reseach Systems社のModel SR830 DSP Lock-in am
plifierを用いている。
〜１０0ｋＨｚのモジュレーション電圧を発振器を内蔵
するロックインアンプ１１よりインターフェースボック
ス１０および試料ホルダー６を介して試料５に印加し、
アース電位のカンチレバー１との間の電圧により試料５
中に形成される空乏層の厚みの変化に伴う探針−試料間
のモジュレーション周波数での静電容量変化をキャパシ
タンスセンサー４ならびにロックインアンプ１１により
検出する。ロックインアンプ１１は、〜１０0ｋＨｚの
交流電圧出力ならびに４つの−１０．５Ｖ〜＋１０．５
Ｖの直流出力を有しているものを使用した。また、この
ロックインアンプ１１は２相ロックインアンプであるの
で、２つの信号出力を有しており、チャンネル１（ＣＨ
１）にはＸもしくは振幅（Ｒ）をチャンネル２（ＣＨ
２）にはＹもしくは位相を選択することができる。な
お、本発明者らは、ロックインアンプ１１として、Stan
ford Reseach Systems社のModel SR830 DSP Lock-in am
plifierを用いている。
【００１０】次に図３により、キャパシタンスセンサー
４と試料５とインターフェースボックス１０とロックイ
ンアンプ１１との間の信号の往来について説明する。キ
ャパシタンスセンサー４は発振回路中に可変容量ダイオ
ードを有しており、発振周波数を外部電圧により変化さ
せる機能を有している。なお、この技術は、本出願人が
出願した未公開の技術である特願平９−１０１６６５号
に詳細に記載されている。共振回路中の可変容量ダイオ
ードは、外部回路からプラスの電圧をかけたときに空乏
層が生じるように取り付けられている。このため、ロッ
クインアンプ１１の直流出力１からの電圧にインターフ
ェースボックスにおいて＋１０Ｖを加えた電圧を可変容
量ダイオードに対して印加する。発振回路中の可変容量
ダイオードは、外部回路からプラスの電圧をかけたとき
に空乏層が生じるように取り付けられているため、ロッ
クインアンプ１１の直流出力２からの電圧にインターフ
ェースボックスにおいて＋１０Ｖを加えた電圧を可変容
量ダイオードに対して印加する。また、インターフェー
スボックス１１中のスイッチの切り替えによりにより発
振回路中の可変容量ダイオードに対して直流電圧ととも
に交流電圧を印加することも可能である。ここで、スイ
ッチはロックインアンプ１１からの交流電圧出力を共振
回路もしくは試料のいずれかに選択して印加するための
機能を備えている。なお、本発明の実施の形態である走
査型静電容量顕微鏡は、試料に対しては直流電圧出力３
と交流電圧出力を加えた電圧が印加することが可能であ
る。また、キャパシタンスセンサー４の信号出力は、イ
ンターフェースボックス１０を介してロックインアンプ
１１の信号入力端子に接続されている。
４と試料５とインターフェースボックス１０とロックイ
ンアンプ１１との間の信号の往来について説明する。キ
ャパシタンスセンサー４は発振回路中に可変容量ダイオ
ードを有しており、発振周波数を外部電圧により変化さ
せる機能を有している。なお、この技術は、本出願人が
出願した未公開の技術である特願平９−１０１６６５号
に詳細に記載されている。共振回路中の可変容量ダイオ
ードは、外部回路からプラスの電圧をかけたときに空乏
層が生じるように取り付けられている。このため、ロッ
クインアンプ１１の直流出力１からの電圧にインターフ
ェースボックスにおいて＋１０Ｖを加えた電圧を可変容
量ダイオードに対して印加する。発振回路中の可変容量
ダイオードは、外部回路からプラスの電圧をかけたとき
に空乏層が生じるように取り付けられているため、ロッ
クインアンプ１１の直流出力２からの電圧にインターフ
ェースボックスにおいて＋１０Ｖを加えた電圧を可変容
量ダイオードに対して印加する。また、インターフェー
スボックス１１中のスイッチの切り替えによりにより発
振回路中の可変容量ダイオードに対して直流電圧ととも
に交流電圧を印加することも可能である。ここで、スイ
ッチはロックインアンプ１１からの交流電圧出力を共振
回路もしくは試料のいずれかに選択して印加するための
機能を備えている。なお、本発明の実施の形態である走
査型静電容量顕微鏡は、試料に対しては直流電圧出力３
と交流電圧出力を加えた電圧が印加することが可能であ
る。また、キャパシタンスセンサー４の信号出力は、イ
ンターフェースボックス１０を介してロックインアンプ
１１の信号入力端子に接続されている。
【００１１】ところで、キャパシタンスセンサー４は、
図２により説明した回路構成を有するものである。キャ
パシタンスセンサー４内の共振回路は導線３ならびにカ
ンチレバー１に接続されており、カンチレバー１と周囲
との浮遊容量により共振回路の共振周波数が変化する。
このため、共振周波数および共振特性を計測し、その共
振特性に対応させて発振周波数を決定する必要がある。
以下に、最適な測定条件を得るための発振周波数ならび
に共振回路特性のチューニング過程について説明する。
図２により説明した回路構成を有するものである。キャ
パシタンスセンサー４内の共振回路は導線３ならびにカ
ンチレバー１に接続されており、カンチレバー１と周囲
との浮遊容量により共振回路の共振周波数が変化する。
このため、共振周波数および共振特性を計測し、その共
振特性に対応させて発振周波数を決定する必要がある。
以下に、最適な測定条件を得るための発振周波数ならび
に共振回路特性のチューニング過程について説明する。
【００１２】まず、カンチレバー１の探針と試料５とを
近接させた状態で、図３に示されるスイッチにより発振
回路中の可変容量ダイオードに対して例えば、１００ｋ
Ｈｚ、1００ｍＶｐ−ｐの交流電圧を印加する。この状
態で、発振回路中の可変容量ダイオードに加える直流電
圧をスイープさせ、その時ロックインアンプ１１のＣＨ
１において、キャパシタンスセンサー４の信号の１００
ｋＨｚ成分をモニターする。ロックインアンプ１１で検
出される信号の大きい発振周波数を選択し、図３中に示
されるスイッチにより試料に交流電圧を印加するととも
に、探針と試料５とを接触させて試料５の測定を行う。
近接させた状態で、図３に示されるスイッチにより発振
回路中の可変容量ダイオードに対して例えば、１００ｋ
Ｈｚ、1００ｍＶｐ−ｐの交流電圧を印加する。この状
態で、発振回路中の可変容量ダイオードに加える直流電
圧をスイープさせ、その時ロックインアンプ１１のＣＨ
１において、キャパシタンスセンサー４の信号の１００
ｋＨｚ成分をモニターする。ロックインアンプ１１で検
出される信号の大きい発振周波数を選択し、図３中に示
されるスイッチにより試料に交流電圧を印加するととも
に、探針と試料５とを接触させて試料５の測定を行う。
【００１３】また、発振回路中の可変容量ダイオードに
対して加える直流電圧を一定にしておいて、共振回路中
の可変容量ダイオードに対して加える直流電圧を変化さ
せることにより、最適な測定条件を求めることも可能で
ある。
対して加える直流電圧を一定にしておいて、共振回路中
の可変容量ダイオードに対して加える直流電圧を変化さ
せることにより、最適な測定条件を求めることも可能で
ある。
【００１４】
【発明考案の効果】本発明により、キャパシタンスセン
サーの共振回路の共振特性を効率よく測定し、共振特性
に対応させて発振周波数もしくは共振回路の共振周波数
を設定する機能が提供される。
サーの共振回路の共振特性を効率よく測定し、共振特性
に対応させて発振周波数もしくは共振回路の共振周波数
を設定する機能が提供される。
【図１】は、本発明の走査型静電容量顕微鏡の概略図で
ある。
ある。
【図２】は、キャパシタンスセンサーならびに共振特性
計測機能の原理を説明するための概略図である。
計測機能の原理を説明するための概略図である。
【図３】は、本実施例の回路構成を説明するための概略
図である。
図である。
１・・・カンチレバー ２・・・カンチレバーホルダー ３・・・導線 ４・・・キャパシタンスセンサー ５・・・試料 ６・・・試料ホルダー ７・・・チューブ型ピエゾ素子 ８・・・半導体レーザー ９・・・２分割光検出器 １０・・インターフェースボックス １１・・ロックインアンプ １２・・ピエゾ駆動電源 １３・・コンピュータ １４・・ＣＲＴ（モニター）
Claims (5)
- 【請求項１】発振回路と共振回路と検波回路からなるキ
ャパシタンスセンサーを有する走査型静電容量顕微鏡に
おいて、前記共振回路特性の変化を読みとる手段と、測
定感度が最適となるように、発振回路の発振周波数もし
くは共振回路の共振周波数を調整する手段を有するとと
もに発振周波数を変調する手段を有することを特徴とす
る走査型静電容量顕微鏡。 - 【請求項２】請求項１において、発振周波数の変調を、
発振回路中の可変容量ダイオードに直流ならびに交流電
圧を印加することにより行うことを特徴とする走査型静
電容量顕微鏡。 - 【請求項３】請求項１において、変調周波数での容量セ
ンサーの出力信号変化をロックインアンプにより検出す
る機能を有することを特徴とする走査型静電容量顕微
鏡。 - 【請求項４】請求項３において、発振周波数をスイープ
させながらロックインアンプの出力を記憶装置に取り込
み、発振周波数に対する検波回路でピーク検波される信
号変化を表示装置上に表示し、それにより最適な発振周
波数を選択出来る機能を有することを特徴とする走査型
静電容量顕微鏡。 - 【請求項５】請求項３において、交流電圧を発振回路も
しくは試料に印加する切り替え手段を有することを特徴
とする走査型静電容量顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9186665A JPH1130623A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 走査型静電容量顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9186665A JPH1130623A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 走査型静電容量顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1130623A true JPH1130623A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16192534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9186665A Pending JPH1130623A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 走査型静電容量顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1130623A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000052439A1 (fr) * | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Riken | Appareil capacitif de mesure de force |
| JP2002323432A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-11-08 | Seiko Instruments Inc | 走査型非線形誘電率顕微鏡を応用した超高感度変位計測方式 |
| JP2002323431A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-11-08 | Seiko Instruments Inc | 高次非線形誘電率を計測する走査型非線形誘電率顕微鏡 |
| KR100721586B1 (ko) | 2005-07-12 | 2007-05-23 | 파크시스템스 주식회사 | 주사 정전용량 현미경, 그 구동방법 및 이를 수행하기 위한프로그램이 기록된 기록매체 |
| JP2011075571A (ja) * | 2001-02-26 | 2011-04-14 | Sii Nanotechnology Inc | 走査型非線形誘電率顕微鏡を応用した超高感度変位計測方式 |
-
1997
- 1997-07-11 JP JP9186665A patent/JPH1130623A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000052439A1 (fr) * | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Riken | Appareil capacitif de mesure de force |
| AU743046B2 (en) * | 1999-03-04 | 2002-01-17 | Fuence Co., Ltd. | Capacitive force gauge |
| US6628124B1 (en) | 1999-03-04 | 2003-09-30 | Riken | Electrocapacitive force measuring apparatus |
| JP2002323432A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-11-08 | Seiko Instruments Inc | 走査型非線形誘電率顕微鏡を応用した超高感度変位計測方式 |
| JP2002323431A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-11-08 | Seiko Instruments Inc | 高次非線形誘電率を計測する走査型非線形誘電率顕微鏡 |
| JP2011075571A (ja) * | 2001-02-26 | 2011-04-14 | Sii Nanotechnology Inc | 走査型非線形誘電率顕微鏡を応用した超高感度変位計測方式 |
| JP4693270B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2011-06-01 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 高次非線形誘電率を計測する走査型非線形誘電率顕微鏡 |
| KR100721586B1 (ko) | 2005-07-12 | 2007-05-23 | 파크시스템스 주식회사 | 주사 정전용량 현미경, 그 구동방법 및 이를 수행하기 위한프로그램이 기록된 기록매체 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6614227B2 (en) | Scanning microwave microscope capable of realizing high resolution and microwave resonator | |
| US5319977A (en) | Near field acoustic ultrasonic microscope system and method | |
| JP2915554B2 (ja) | バリアハイト測定装置 | |
| EP0890820B1 (en) | Scanning probe microscope | |
| EP0429773B1 (en) | Atomic photo-absorption force microscope | |
| US6185991B1 (en) | Method and apparatus for measuring mechanical and electrical characteristics of a surface using electrostatic force modulation microscopy which operates in contact mode | |
| US5222396A (en) | Tunnelling acoustic microscope | |
| US20060231756A1 (en) | Analytical scanning evanescent microwave microscope and control stage | |
| US6172506B1 (en) | Capacitance atomic force microscopes and methods of operating such microscopes | |
| US10060862B2 (en) | Microwave impedance microscopy using a tuning fork | |
| JPH0830708B2 (ja) | 原子間力顕微鏡 | |
| US6823724B1 (en) | Method and apparatus for measuring values of physical property | |
| JPH1130619A (ja) | 走査プローブ顕微鏡 | |
| US8869311B2 (en) | Displacement detection mechanism and scanning probe microscope using the same | |
| JPH07318568A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
| JPH1048224A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
| JPH1130622A (ja) | 走査型静電容量顕微鏡 | |
| JPH1130623A (ja) | 走査型静電容量顕微鏡 | |
| JP2005164544A (ja) | プローブ装置、走査型プローブ顕微鏡および試料表示方法 | |
| JP2003042931A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
| JP2002116132A (ja) | 信号検出装置、該信号検出装置によって構成した走査型原子間力顕微鏡、および信号検出方法 | |
| JP2000199736A (ja) | 走査型近視野顕微鏡 | |
| JP4388559B2 (ja) | 走査型近視野顕微鏡 | |
| JP2004109052A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡用プローブ及びそれを用いた走査型プローブ顕微鏡 | |
| JP2005227139A (ja) | 原子間力顕微鏡用カンチレバー |