JPH11304740A - 導電性ペースト充填状態検査方法 - Google Patents
導電性ペースト充填状態検査方法Info
- Publication number
- JPH11304740A JPH11304740A JP10928798A JP10928798A JPH11304740A JP H11304740 A JPH11304740 A JP H11304740A JP 10928798 A JP10928798 A JP 10928798A JP 10928798 A JP10928798 A JP 10928798A JP H11304740 A JPH11304740 A JP H11304740A
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- Japan
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- conductive paste
- via hole
- infrared light
- amount
- filling state
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- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板のビアホール部の導通不良を未然に防止
し、製品歩留まりの向上やロスコストの削減を図ること
のできる導電性ペースト充填状態検査方法を提供する。 【解決手段】 基板11のビアホール12aに充填した
導電性ペースト13を加熱し、導電性ペースト13から
放射される赤外光18を検出し、その量またはその時間
変化量を計測することにより、導電性ペースト13の充
填状態を検出する。
し、製品歩留まりの向上やロスコストの削減を図ること
のできる導電性ペースト充填状態検査方法を提供する。 【解決手段】 基板11のビアホール12aに充填した
導電性ペースト13を加熱し、導電性ペースト13から
放射される赤外光18を検出し、その量またはその時間
変化量を計測することにより、導電性ペースト13の充
填状態を検出する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビアホールを有す
る基板の製造工程において、ビアホールに充填された導
電性ペーストの充填状態を検出する導電性ペースト充填
状態検査方法に関するものである。
る基板の製造工程において、ビアホールに充填された導
電性ペーストの充填状態を検出する導電性ペースト充填
状態検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ビアホールへの導電性ペーストの充填が
不十分な場合には、導電性ペーストが硬化した後に、基
板のビアホール部において導通不良が発生しやすいた
め、導電性ペーストの充填状態を検出することによって
導通不良を未然に防止することが望まれている。ところ
が、ビアホール部の内部は外観上不可視であるために外
側からの目視検査は困難である。
不十分な場合には、導電性ペーストが硬化した後に、基
板のビアホール部において導通不良が発生しやすいた
め、導電性ペーストの充填状態を検出することによって
導通不良を未然に防止することが望まれている。ところ
が、ビアホール部の内部は外観上不可視であるために外
側からの目視検査は困難である。
【0003】そこで、充填状態が不十分な導電性ペース
トを検出するため、ビアホールに充填される導電性ペー
ストを電気的に計測する方法が考えられる。
トを検出するため、ビアホールに充填される導電性ペー
ストを電気的に計測する方法が考えられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、基板のビア
ホールに充填された直後の導電性ペーストは固体化して
いないので、導電性を計測するための検針を当てること
が困難であり、仮に当てたとしても硬化後と同等もしく
は相関性のある抵抗値を示すとは限らず、更に導電性ペ
ースト自体の導通抵抗も大きいため、電気的にも導電性
ペーストの充填状態を検出することは困難である。
ホールに充填された直後の導電性ペーストは固体化して
いないので、導電性を計測するための検針を当てること
が困難であり、仮に当てたとしても硬化後と同等もしく
は相関性のある抵抗値を示すとは限らず、更に導電性ペ
ースト自体の導通抵抗も大きいため、電気的にも導電性
ペーストの充填状態を検出することは困難である。
【0005】従って、現状では導電性ペーストの充填状
態を検出してビアホール部の導通不良を未然に防止する
ことは困難であり、適切な検査方法がなかった。
態を検出してビアホール部の導通不良を未然に防止する
ことは困難であり、適切な検査方法がなかった。
【0006】そこで、本発明は上記のような問題点を解
決し、導電性ペーストが硬化する前にその良・不良を検
出することによって導通不良を未然に防止し、製品歩留
まりの向上やロスコストの削減を図ることのできる導電
性ペースト充填状態検査方法を提供することを目的とす
るものである。
決し、導電性ペーストが硬化する前にその良・不良を検
出することによって導通不良を未然に防止し、製品歩留
まりの向上やロスコストの削減を図ることのできる導電
性ペースト充填状態検査方法を提供することを目的とす
るものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本願第1発明は、基板のビアホールに充填した導電性
ペーストを加熱し、導電性ペーストから放射される赤外
光を検出し、その量またはその時間変化量を計測するこ
とにより、導電性ペーストの充填状態を検出することを
特徴とする。
に本願第1発明は、基板のビアホールに充填した導電性
ペーストを加熱し、導電性ペーストから放射される赤外
光を検出し、その量またはその時間変化量を計測するこ
とにより、導電性ペーストの充填状態を検出することを
特徴とする。
【0008】上記第1発明によれば、基板のビアホール
に充填された導電性ペーストが加熱されることによって
赤外光を放射し、検出された赤外光の放射量やその時間
変化量を計測することによって、ビアホール部の導電性
ペーストの良・不良を検出し、ビアホール部の導通不良
を未然に防止することができる。
に充填された導電性ペーストが加熱されることによって
赤外光を放射し、検出された赤外光の放射量やその時間
変化量を計測することによって、ビアホール部の導電性
ペーストの良・不良を検出し、ビアホール部の導通不良
を未然に防止することができる。
【0009】また上記目的を達成するために本願第2発
明は、基板のビアホールに充填した導電性ペーストを加
熱し、導電性ペーストから放射される赤外光を検出し、
検出した赤外光を可視光に変換した後に、その量または
その時間変化量を計測することにより、導電性ペースト
の充填状態を検出することを特徴とする。
明は、基板のビアホールに充填した導電性ペーストを加
熱し、導電性ペーストから放射される赤外光を検出し、
検出した赤外光を可視光に変換した後に、その量または
その時間変化量を計測することにより、導電性ペースト
の充填状態を検出することを特徴とする。
【0010】上記第2発明によれば、基板のビアホール
に充填された導電性ペーストが加熱されて放射する赤外
光を可視光に変換するので、CCDカメラ等の可視光撮
像器等を用いて撮像でき、それによって得られた画像の
分解能が非常に良く、赤外光を直接に撮像する場合に比
べてコストを低減できる。
に充填された導電性ペーストが加熱されて放射する赤外
光を可視光に変換するので、CCDカメラ等の可視光撮
像器等を用いて撮像でき、それによって得られた画像の
分解能が非常に良く、赤外光を直接に撮像する場合に比
べてコストを低減できる。
【0011】また、導電性ペーストの表面及び裏面から
放射される赤外光のそれぞれについて検出すると好適で
あり、表面及び裏面のそれぞれの検出結果を複合して良
・不良を判定することができ、検出を正確に行うことが
できる。
放射される赤外光のそれぞれについて検出すると好適で
あり、表面及び裏面のそれぞれの検出結果を複合して良
・不良を判定することができ、検出を正確に行うことが
できる。
【0012】なお、本明細書でいう赤外光とは、遠赤外
光をも含んでいる。
光をも含んでいる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の導電性ペースト充
填状態検査方法の一実施形態について図1〜図7を参照
しながら説明する。
填状態検査方法の一実施形態について図1〜図7を参照
しながら説明する。
【0014】第1実施形態に用いる検査装置の概略構成
を示す図1において、11は基板、12aは基板11に
設けられたビアホール、13はビアホール12aに充填
された導電性ペーストである。なお、前記ビアホール1
2aと導電性ペースト13とからなる部分およびその近
傍をビアホール部12と称す。
を示す図1において、11は基板、12aは基板11に
設けられたビアホール、13はビアホール12aに充填
された導電性ペーストである。なお、前記ビアホール1
2aと導電性ペースト13とからなる部分およびその近
傍をビアホール部12と称す。
【0015】14は赤外光撮像装置であり、導電性ペー
スト13の導通不良を未然に防止するためにビアホール
部12からの赤外光18を撮像する。第1実施形態で
は、導電性ペースト13の表面と裏面との両側から放射
される赤外光18のそれぞれを赤外光撮像装置14が撮
像している。15はビアホール部12を加熱する光源装
置、16は光源装置15からのレーザ光等の射出光を集
光するレンズである。17は情報処理装置であり、赤外
光撮像装置14が撮像することによって検出した赤外光
18の量や時間変化量等の情報を入力し、導電性ペース
ト13の充填状態を解析する。
スト13の導通不良を未然に防止するためにビアホール
部12からの赤外光18を撮像する。第1実施形態で
は、導電性ペースト13の表面と裏面との両側から放射
される赤外光18のそれぞれを赤外光撮像装置14が撮
像している。15はビアホール部12を加熱する光源装
置、16は光源装置15からのレーザ光等の射出光を集
光するレンズである。17は情報処理装置であり、赤外
光撮像装置14が撮像することによって検出した赤外光
18の量や時間変化量等の情報を入力し、導電性ペース
ト13の充填状態を解析する。
【0016】上記検査装置における導電性ペースト13
の充填状態検査方法について説明すれば、まず、光源装
置15からのレーザ光をレンズ16によって基板11の
ビアホール部12周辺に照射する。するとビアホール部
12の導電性ペースト13が加熱されて温熱効果が生
じ、まずビアホール部12からその表面側に赤外光18
が放射される。そして赤外光撮像装置14によって光源
装置15からの光照射後の赤外光18の放射量を撮像す
る。また、ビアホール部12の温熱効果はその裏面にも
伝導して放射されるため、同様に赤外光18の放射量を
裏面側にも設けられた赤外光撮像装置14によって撮像
する。
の充填状態検査方法について説明すれば、まず、光源装
置15からのレーザ光をレンズ16によって基板11の
ビアホール部12周辺に照射する。するとビアホール部
12の導電性ペースト13が加熱されて温熱効果が生
じ、まずビアホール部12からその表面側に赤外光18
が放射される。そして赤外光撮像装置14によって光源
装置15からの光照射後の赤外光18の放射量を撮像す
る。また、ビアホール部12の温熱効果はその裏面にも
伝導して放射されるため、同様に赤外光18の放射量を
裏面側にも設けられた赤外光撮像装置14によって撮像
する。
【0017】図2は、ビアホール部12(図1)の導電
性ペースト13の充填状態の良・不良を模式的に示した
断面図である。21は基板、22は正常な充填状態の良
ビアホール部、23は内部に基板の屑等の異物23aが
入り込んだ不良ビアホール部、24はビアホールの加工
穴径24aが小さいために導電性ペースト13の充填量
が少ない不良ビアホール部、25は導電性ペースト13
の表面(または裏面)に凹み25aがあるために導電性
ペースト13の充填量が少ない不良ビアホール部、26
は導電性ペースト13が抜けて貫通穴26aが開いた不
良ビアホール部である。
性ペースト13の充填状態の良・不良を模式的に示した
断面図である。21は基板、22は正常な充填状態の良
ビアホール部、23は内部に基板の屑等の異物23aが
入り込んだ不良ビアホール部、24はビアホールの加工
穴径24aが小さいために導電性ペースト13の充填量
が少ない不良ビアホール部、25は導電性ペースト13
の表面(または裏面)に凹み25aがあるために導電性
ペースト13の充填量が少ない不良ビアホール部、26
は導電性ペースト13が抜けて貫通穴26aが開いた不
良ビアホール部である。
【0018】図3は、上記各良・不良のビアホール部2
2〜26の表面から放射される赤外光放射量を模式的に
示したグラフである。つまり、各良・不良のビアホール
部22〜26について、図1に示したような検査装置を
用い、レーザ光等の加熱光源からの光線を各ビアホール
部22〜26に照射し、その加熱後に各ビアホール部2
2〜26の表面側で検出した赤外光放射量を計測して得
られた数値をグラフ化したものである。このグラフにお
いて、31は図2で示した正常な充填状態の良ビアホー
ル部22における赤外光放射量、32は異物による不良
ビアホール部23における赤外光放射量、33は加工穴
径が小さい不良ビアホール部24における赤外光放射
量、34は凹みによる不良ビアホール部25における赤
外光放射量、35は貫通穴による不良ビアホール部26
における赤外光放射量である。また、ハッチングで示す
36、37、38、39はそれぞれ不良ビアホール部2
3〜26の赤外光放射量と良ビアホール部22の赤外光
放射量との差を示している。
2〜26の表面から放射される赤外光放射量を模式的に
示したグラフである。つまり、各良・不良のビアホール
部22〜26について、図1に示したような検査装置を
用い、レーザ光等の加熱光源からの光線を各ビアホール
部22〜26に照射し、その加熱後に各ビアホール部2
2〜26の表面側で検出した赤外光放射量を計測して得
られた数値をグラフ化したものである。このグラフにお
いて、31は図2で示した正常な充填状態の良ビアホー
ル部22における赤外光放射量、32は異物による不良
ビアホール部23における赤外光放射量、33は加工穴
径が小さい不良ビアホール部24における赤外光放射
量、34は凹みによる不良ビアホール部25における赤
外光放射量、35は貫通穴による不良ビアホール部26
における赤外光放射量である。また、ハッチングで示す
36、37、38、39はそれぞれ不良ビアホール部2
3〜26の赤外光放射量と良ビアホール部22の赤外光
放射量との差を示している。
【0019】図4は、上記各良・不良のビアホール部2
2〜26の裏面から放射される赤外光放射量を模式的に
示したグラフである。つまり図3と同様に、良・不良の
ビアホール部22〜26の裏面側で検出した赤外光放射
量を計測して得られた数値をグラフ化したものである。
このグラフにおいて、41は良ビアホール部22におけ
る赤外光放射量、42は異物による不良ビアホール部2
3における赤外光放射量、43は加工穴径が小さい不良
ビアホール部24における赤外光放射量、44は凹みに
よる不良ビアホール部25における赤外光放射量、45
は貫通穴による不良ビアホール部26における赤外光放
射量である。また、ハッチングで示す46、47、4
8、49はそれぞれ不良ビアホール部23〜26の赤外
光放射量と良ビアホール部22の赤外光放射量との差を
示している。
2〜26の裏面から放射される赤外光放射量を模式的に
示したグラフである。つまり図3と同様に、良・不良の
ビアホール部22〜26の裏面側で検出した赤外光放射
量を計測して得られた数値をグラフ化したものである。
このグラフにおいて、41は良ビアホール部22におけ
る赤外光放射量、42は異物による不良ビアホール部2
3における赤外光放射量、43は加工穴径が小さい不良
ビアホール部24における赤外光放射量、44は凹みに
よる不良ビアホール部25における赤外光放射量、45
は貫通穴による不良ビアホール部26における赤外光放
射量である。また、ハッチングで示す46、47、4
8、49はそれぞれ不良ビアホール部23〜26の赤外
光放射量と良ビアホール部22の赤外光放射量との差を
示している。
【0020】図5は、図3(表面側)と図4(裏面側)
で示した赤外光放射量の計測結果の内、それぞれ良ビア
ホール部のもの31ないし41との差の絶対値を各不良
ビアホール部別に加算した赤外光放射量を模式的に示し
たグラフである。このグラフにおいて、51は赤外光放
射量31と41の絶対値和(=0)、52は赤外光放射
量32と42の絶対値和、53は赤外光放射量33と4
2の絶対値和、54は赤外光放射量34と44の絶対値
和、55は赤外光放射量35と45の絶対値和である。
各放射量の絶対値和がシキイ値を超えたときにそれぞれ
ビアホール部の導電性ペーストの充填状態が不良とみな
される。このように、各ビアホール部の表面及び裏面か
らの赤外光放射量の計測結果を複合することによって、
例えば表面側のみの検査に比べ、不良検出能力を高める
ことができる。
で示した赤外光放射量の計測結果の内、それぞれ良ビア
ホール部のもの31ないし41との差の絶対値を各不良
ビアホール部別に加算した赤外光放射量を模式的に示し
たグラフである。このグラフにおいて、51は赤外光放
射量31と41の絶対値和(=0)、52は赤外光放射
量32と42の絶対値和、53は赤外光放射量33と4
2の絶対値和、54は赤外光放射量34と44の絶対値
和、55は赤外光放射量35と45の絶対値和である。
各放射量の絶対値和がシキイ値を超えたときにそれぞれ
ビアホール部の導電性ペーストの充填状態が不良とみな
される。このように、各ビアホール部の表面及び裏面か
らの赤外光放射量の計測結果を複合することによって、
例えば表面側のみの検査に比べ、不良検出能力を高める
ことができる。
【0021】図6は、第2実施形態に用いる検査装置の
概略構成を示している。この実施形態では、ビアホール
部12の導電性ペースト13から放射される赤外光18
を可視光に変換し、その量または時間変化量を計測する
ことで導電性ペースト13の充填状態を検出している。
第1実施形態で赤外光18を検出するために赤外光撮像
装置14を利用していたのに対し、第2実施形態では導
電性ペースト13の表面及び裏面から放射される赤外光
18を一旦可視光に変換する可視光変換素子63で受光
し、この可視光変換素子63をCCDカメラ等の可視光
撮像器64によって撮像することで赤外光18を検出す
る。可視光変換素子63は輝尽発光体と呼ばれるもの等
を採用すると好適である。
概略構成を示している。この実施形態では、ビアホール
部12の導電性ペースト13から放射される赤外光18
を可視光に変換し、その量または時間変化量を計測する
ことで導電性ペースト13の充填状態を検出している。
第1実施形態で赤外光18を検出するために赤外光撮像
装置14を利用していたのに対し、第2実施形態では導
電性ペースト13の表面及び裏面から放射される赤外光
18を一旦可視光に変換する可視光変換素子63で受光
し、この可視光変換素子63をCCDカメラ等の可視光
撮像器64によって撮像することで赤外光18を検出す
る。可視光変換素子63は輝尽発光体と呼ばれるもの等
を採用すると好適である。
【0022】第1実施形態と同様に、11は基板、12
aは基板11に設けられたビアホール、13はビアホー
ル12aに充填される導電性ペースト、12はビアホー
ル部12である。15はビアホール部12を加熱する光
源装置、16は光源装置15からの射出光を集光するレ
ンズである。17は情報処理装置であり、可視光撮像装
置64によってビアホール部12表裏面から検出される
赤外光18の量や時間変化量等の情報を入力し、導電性
ペースト13の充填状態を解析する。撮像後の画像情報
をもとに不良検出を行う原理は第1実施形態のものと同
様であるが、赤外光18を可視光に変換することで、画
像の分解能が良くなり、赤外光撮像装置に代えてCCD
カメラ等の可視光撮像器を用いることができるのでコス
トも低減できる。
aは基板11に設けられたビアホール、13はビアホー
ル12aに充填される導電性ペースト、12はビアホー
ル部12である。15はビアホール部12を加熱する光
源装置、16は光源装置15からの射出光を集光するレ
ンズである。17は情報処理装置であり、可視光撮像装
置64によってビアホール部12表裏面から検出される
赤外光18の量や時間変化量等の情報を入力し、導電性
ペースト13の充填状態を解析する。撮像後の画像情報
をもとに不良検出を行う原理は第1実施形態のものと同
様であるが、赤外光18を可視光に変換することで、画
像の分解能が良くなり、赤外光撮像装置に代えてCCD
カメラ等の可視光撮像器を用いることができるのでコス
トも低減できる。
【0023】図7は、第3実施形態を示す概略図であ
る。本実施形態では、加熱手段としてIH(電磁誘導加
熱)を利用した外は、上記に示した検出装置の基本構成
や導電性ペースト13の充填状態の不良を検出する手段
と同様である。
る。本実施形態では、加熱手段としてIH(電磁誘導加
熱)を利用した外は、上記に示した検出装置の基本構成
や導電性ペースト13の充填状態の不良を検出する手段
と同様である。
【0024】第3実施形態では、ビアホール部12の導
電性ペースト13を加熱する手段として、光源装置から
の光を集光して利用するのではなく、ビアホール部12
近傍に配したコイル72に高周波電流を通電し、この高
周波電流が導電性ペースト13に電磁誘導作用を生じ、
加熱される。コイル72のサイズを小さくし、複数配列
することによって、基板11のビアホール部12を選択
的に加熱することが可能となる。
電性ペースト13を加熱する手段として、光源装置から
の光を集光して利用するのではなく、ビアホール部12
近傍に配したコイル72に高周波電流を通電し、この高
周波電流が導電性ペースト13に電磁誘導作用を生じ、
加熱される。コイル72のサイズを小さくし、複数配列
することによって、基板11のビアホール部12を選択
的に加熱することが可能となる。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来の検査方法では検出が困難であった充填状態が不十分
な導電性ペーストに対し、それが硬化する前にその良・
不良を検出することによって導通不良を未然に防止し、
製品歩留まりの向上やロスコストの削減を図ることので
きると共に、放射赤外光を可視光に変換することによっ
て、その検出を低コストで精度良く行うこともできる導
電性ペースト充填状態検査方法を提供することができ
る。
来の検査方法では検出が困難であった充填状態が不十分
な導電性ペーストに対し、それが硬化する前にその良・
不良を検出することによって導通不良を未然に防止し、
製品歩留まりの向上やロスコストの削減を図ることので
きると共に、放射赤外光を可視光に変換することによっ
て、その検出を低コストで精度良く行うこともできる導
電性ペースト充填状態検査方法を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に用いる検査装置の全体
構成を示す概略図。
構成を示す概略図。
【図2】同上実施形態における導電性ペーストの充填状
態不良例を模式的に示した断面図。
態不良例を模式的に示した断面図。
【図3】同上実施形態におけるビアホール部の表面から
の赤外光放射量を模式的に示したグラフ。
の赤外光放射量を模式的に示したグラフ。
【図4】同上実施形態におけるビアホール部の裏面から
の赤外光放射量を模式的に示したグラフ。
の赤外光放射量を模式的に示したグラフ。
【図5】図3と図4に示した赤外光放射量の検出結果を
複合したものを模式的に示したグラフ。
複合したものを模式的に示したグラフ。
【図6】本発明の第2実施形態に用いる検査装置の全体
構成を示す概略図。
構成を示す概略図。
【図7】本発明の第3実施形態に用いる検査装置の要部
の構成を示す概略図。
の構成を示す概略図。
11 基板 12 ビアホール部 12a ビアホール 13 導電性ペースト 14 赤外光撮像装置 15 光源装置 16 レンズ 17 情報処理装置 18 赤外光 22 良ビアホール部 23〜26 不良ビアホール部 63 可視光変換素子 64 可視光撮像装置 72 高周波電流を通電するコイル
Claims (5)
- 【請求項1】 基板のビアホールに充填した導電性ペー
ストを加熱し、導電性ペーストから放射される赤外光を
検出し、その量またはその時間変化量を計測することに
より、導電性ペーストの充填状態を検出することを特徴
とする導電性ペースト充填状態検査方法。 - 【請求項2】 基板のビアホールに充填した導電性ペー
ストを加熱し、導電性ペーストから放射される赤外光を
検出し、検出した赤外光を可視光に変換した後に、その
量またはその時間変化量を計測することにより、導電性
ペーストの充填状態を検出することを特徴とする導電性
ペースト充填状態検査方法。 - 【請求項3】 導電性ペーストを加熱する手段として、
レーザ光を用いる請求項1または2記載の導電性ペース
ト充填状態検査方法。 - 【請求項4】 導電性ペーストを加熱する手段として、
電磁誘導加熱を用いる請求項1または2記載の導電性ペ
ースト充填状態検査方法。 - 【請求項5】 導電性ペーストの表面及び裏面から放射
される赤外光のそれぞれについて検出する請求項1また
は2記載の導電性ペースト充填状態検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10928798A JPH11304740A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 導電性ペースト充填状態検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10928798A JPH11304740A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 導電性ペースト充填状態検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH11304740A true JPH11304740A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14506359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP10928798A Pending JPH11304740A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 導電性ペースト充填状態検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11304740A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2008078291A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 貫通孔中の樹脂組成物の検査方法及び装置 |
JP2009036715A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Nagoya Electric Works Co Ltd | 放射線検査装置、放射線検査方法および放射線検査プログラム |
CN103234977A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-08-07 | 哈尔滨工业大学 | 倒装焊芯片焊点缺陷双热像仪红外测温检测法 |
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1998
- 1998-04-20 JP JP10928798A patent/JPH11304740A/ja active Pending
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