JPH11304740A - 導電性ペースト充填状態検査方法 - Google Patents
導電性ペースト充填状態検査方法Info
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- JPH11304740A JPH11304740A JP10928798A JP10928798A JPH11304740A JP H11304740 A JPH11304740 A JP H11304740A JP 10928798 A JP10928798 A JP 10928798A JP 10928798 A JP10928798 A JP 10928798A JP H11304740 A JPH11304740 A JP H11304740A
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- Japan
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- infrared light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板のビアホール部の導通不良を未然に防止
し、製品歩留まりの向上やロスコストの削減を図ること
のできる導電性ペースト充填状態検査方法を提供する。 【解決手段】 基板１１のビアホール１２ａに充填した
導電性ペースト１３を加熱し、導電性ペースト１３から
放射される赤外光１８を検出し、その量またはその時間
変化量を計測することにより、導電性ペースト１３の充
填状態を検出する。
し、製品歩留まりの向上やロスコストの削減を図ること
のできる導電性ペースト充填状態検査方法を提供する。 【解決手段】 基板１１のビアホール１２ａに充填した
導電性ペースト１３を加熱し、導電性ペースト１３から
放射される赤外光１８を検出し、その量またはその時間
変化量を計測することにより、導電性ペースト１３の充
填状態を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビアホールを有す
る基板の製造工程において、ビアホールに充填された導
電性ペーストの充填状態を検出する導電性ペースト充填
状態検査方法に関するものである。
る基板の製造工程において、ビアホールに充填された導
電性ペーストの充填状態を検出する導電性ペースト充填
状態検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ビアホールへの導電性ペーストの充填が
不十分な場合には、導電性ペーストが硬化した後に、基
板のビアホール部において導通不良が発生しやすいた
め、導電性ペーストの充填状態を検出することによって
導通不良を未然に防止することが望まれている。ところ
が、ビアホール部の内部は外観上不可視であるために外
側からの目視検査は困難である。
不十分な場合には、導電性ペーストが硬化した後に、基
板のビアホール部において導通不良が発生しやすいた
め、導電性ペーストの充填状態を検出することによって
導通不良を未然に防止することが望まれている。ところ
が、ビアホール部の内部は外観上不可視であるために外
側からの目視検査は困難である。
【０００３】そこで、充填状態が不十分な導電性ペース
トを検出するため、ビアホールに充填される導電性ペー
ストを電気的に計測する方法が考えられる。
トを検出するため、ビアホールに充填される導電性ペー
ストを電気的に計測する方法が考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、基板のビア
ホールに充填された直後の導電性ペーストは固体化して
いないので、導電性を計測するための検針を当てること
が困難であり、仮に当てたとしても硬化後と同等もしく
は相関性のある抵抗値を示すとは限らず、更に導電性ペ
ースト自体の導通抵抗も大きいため、電気的にも導電性
ペーストの充填状態を検出することは困難である。
ホールに充填された直後の導電性ペーストは固体化して
いないので、導電性を計測するための検針を当てること
が困難であり、仮に当てたとしても硬化後と同等もしく
は相関性のある抵抗値を示すとは限らず、更に導電性ペ
ースト自体の導通抵抗も大きいため、電気的にも導電性
ペーストの充填状態を検出することは困難である。
【０００５】従って、現状では導電性ペーストの充填状
態を検出してビアホール部の導通不良を未然に防止する
ことは困難であり、適切な検査方法がなかった。
態を検出してビアホール部の導通不良を未然に防止する
ことは困難であり、適切な検査方法がなかった。
【０００６】そこで、本発明は上記のような問題点を解
決し、導電性ペーストが硬化する前にその良・不良を検
出することによって導通不良を未然に防止し、製品歩留
まりの向上やロスコストの削減を図ることのできる導電
性ペースト充填状態検査方法を提供することを目的とす
るものである。
決し、導電性ペーストが硬化する前にその良・不良を検
出することによって導通不良を未然に防止し、製品歩留
まりの向上やロスコストの削減を図ることのできる導電
性ペースト充填状態検査方法を提供することを目的とす
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本願第１発明は、基板のビアホールに充填した導電性
ペーストを加熱し、導電性ペーストから放射される赤外
光を検出し、その量またはその時間変化量を計測するこ
とにより、導電性ペーストの充填状態を検出することを
特徴とする。
に本願第１発明は、基板のビアホールに充填した導電性
ペーストを加熱し、導電性ペーストから放射される赤外
光を検出し、その量またはその時間変化量を計測するこ
とにより、導電性ペーストの充填状態を検出することを
特徴とする。
【０００８】上記第１発明によれば、基板のビアホール
に充填された導電性ペーストが加熱されることによって
赤外光を放射し、検出された赤外光の放射量やその時間
変化量を計測することによって、ビアホール部の導電性
ペーストの良・不良を検出し、ビアホール部の導通不良
を未然に防止することができる。
に充填された導電性ペーストが加熱されることによって
赤外光を放射し、検出された赤外光の放射量やその時間
変化量を計測することによって、ビアホール部の導電性
ペーストの良・不良を検出し、ビアホール部の導通不良
を未然に防止することができる。
【０００９】また上記目的を達成するために本願第２発
明は、基板のビアホールに充填した導電性ペーストを加
熱し、導電性ペーストから放射される赤外光を検出し、
検出した赤外光を可視光に変換した後に、その量または
その時間変化量を計測することにより、導電性ペースト
の充填状態を検出することを特徴とする。
明は、基板のビアホールに充填した導電性ペーストを加
熱し、導電性ペーストから放射される赤外光を検出し、
検出した赤外光を可視光に変換した後に、その量または
その時間変化量を計測することにより、導電性ペースト
の充填状態を検出することを特徴とする。
【００１０】上記第２発明によれば、基板のビアホール
に充填された導電性ペーストが加熱されて放射する赤外
光を可視光に変換するので、ＣＣＤカメラ等の可視光撮
像器等を用いて撮像でき、それによって得られた画像の
分解能が非常に良く、赤外光を直接に撮像する場合に比
べてコストを低減できる。
に充填された導電性ペーストが加熱されて放射する赤外
光を可視光に変換するので、ＣＣＤカメラ等の可視光撮
像器等を用いて撮像でき、それによって得られた画像の
分解能が非常に良く、赤外光を直接に撮像する場合に比
べてコストを低減できる。
【００１１】また、導電性ペーストの表面及び裏面から
放射される赤外光のそれぞれについて検出すると好適で
あり、表面及び裏面のそれぞれの検出結果を複合して良
・不良を判定することができ、検出を正確に行うことが
できる。
放射される赤外光のそれぞれについて検出すると好適で
あり、表面及び裏面のそれぞれの検出結果を複合して良
・不良を判定することができ、検出を正確に行うことが
できる。
【００１２】なお、本明細書でいう赤外光とは、遠赤外
光をも含んでいる。
光をも含んでいる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の導電性ペースト充
填状態検査方法の一実施形態について図１〜図７を参照
しながら説明する。
填状態検査方法の一実施形態について図１〜図７を参照
しながら説明する。
【００１４】第１実施形態に用いる検査装置の概略構成
を示す図１において、１１は基板、１２ａは基板１１に
設けられたビアホール、１３はビアホール１２ａに充填
された導電性ペーストである。なお、前記ビアホール１
２ａと導電性ペースト１３とからなる部分およびその近
傍をビアホール部１２と称す。
を示す図１において、１１は基板、１２ａは基板１１に
設けられたビアホール、１３はビアホール１２ａに充填
された導電性ペーストである。なお、前記ビアホール１
２ａと導電性ペースト１３とからなる部分およびその近
傍をビアホール部１２と称す。
【００１５】１４は赤外光撮像装置であり、導電性ペー
スト１３の導通不良を未然に防止するためにビアホール
部１２からの赤外光１８を撮像する。第１実施形態で
は、導電性ペースト１３の表面と裏面との両側から放射
される赤外光１８のそれぞれを赤外光撮像装置１４が撮
像している。１５はビアホール部１２を加熱する光源装
置、１６は光源装置１５からのレーザ光等の射出光を集
光するレンズである。１７は情報処理装置であり、赤外
光撮像装置１４が撮像することによって検出した赤外光
１８の量や時間変化量等の情報を入力し、導電性ペース
ト１３の充填状態を解析する。
スト１３の導通不良を未然に防止するためにビアホール
部１２からの赤外光１８を撮像する。第１実施形態で
は、導電性ペースト１３の表面と裏面との両側から放射
される赤外光１８のそれぞれを赤外光撮像装置１４が撮
像している。１５はビアホール部１２を加熱する光源装
置、１６は光源装置１５からのレーザ光等の射出光を集
光するレンズである。１７は情報処理装置であり、赤外
光撮像装置１４が撮像することによって検出した赤外光
１８の量や時間変化量等の情報を入力し、導電性ペース
ト１３の充填状態を解析する。
【００１６】上記検査装置における導電性ペースト１３
の充填状態検査方法について説明すれば、まず、光源装
置１５からのレーザ光をレンズ１６によって基板１１の
ビアホール部１２周辺に照射する。するとビアホール部
１２の導電性ペースト１３が加熱されて温熱効果が生
じ、まずビアホール部１２からその表面側に赤外光１８
が放射される。そして赤外光撮像装置１４によって光源
装置１５からの光照射後の赤外光１８の放射量を撮像す
る。また、ビアホール部１２の温熱効果はその裏面にも
伝導して放射されるため、同様に赤外光１８の放射量を
裏面側にも設けられた赤外光撮像装置１４によって撮像
する。
の充填状態検査方法について説明すれば、まず、光源装
置１５からのレーザ光をレンズ１６によって基板１１の
ビアホール部１２周辺に照射する。するとビアホール部
１２の導電性ペースト１３が加熱されて温熱効果が生
じ、まずビアホール部１２からその表面側に赤外光１８
が放射される。そして赤外光撮像装置１４によって光源
装置１５からの光照射後の赤外光１８の放射量を撮像す
る。また、ビアホール部１２の温熱効果はその裏面にも
伝導して放射されるため、同様に赤外光１８の放射量を
裏面側にも設けられた赤外光撮像装置１４によって撮像
する。
【００１７】図２は、ビアホール部１２（図１）の導電
性ペースト１３の充填状態の良・不良を模式的に示した
断面図である。２１は基板、２２は正常な充填状態の良
ビアホール部、２３は内部に基板の屑等の異物２３ａが
入り込んだ不良ビアホール部、２４はビアホールの加工
穴径２４ａが小さいために導電性ペースト１３の充填量
が少ない不良ビアホール部、２５は導電性ペースト１３
の表面（または裏面）に凹み２５ａがあるために導電性
ペースト１３の充填量が少ない不良ビアホール部、２６
は導電性ペースト１３が抜けて貫通穴２６ａが開いた不
良ビアホール部である。
性ペースト１３の充填状態の良・不良を模式的に示した
断面図である。２１は基板、２２は正常な充填状態の良
ビアホール部、２３は内部に基板の屑等の異物２３ａが
入り込んだ不良ビアホール部、２４はビアホールの加工
穴径２４ａが小さいために導電性ペースト１３の充填量
が少ない不良ビアホール部、２５は導電性ペースト１３
の表面（または裏面）に凹み２５ａがあるために導電性
ペースト１３の充填量が少ない不良ビアホール部、２６
は導電性ペースト１３が抜けて貫通穴２６ａが開いた不
良ビアホール部である。
【００１８】図３は、上記各良・不良のビアホール部２
２〜２６の表面から放射される赤外光放射量を模式的に
示したグラフである。つまり、各良・不良のビアホール
部２２〜２６について、図１に示したような検査装置を
用い、レーザ光等の加熱光源からの光線を各ビアホール
部２２〜２６に照射し、その加熱後に各ビアホール部２
２〜２６の表面側で検出した赤外光放射量を計測して得
られた数値をグラフ化したものである。このグラフにお
いて、３１は図２で示した正常な充填状態の良ビアホー
ル部２２における赤外光放射量、３２は異物による不良
ビアホール部２３における赤外光放射量、３３は加工穴
径が小さい不良ビアホール部２４における赤外光放射
量、３４は凹みによる不良ビアホール部２５における赤
外光放射量、３５は貫通穴による不良ビアホール部２６
における赤外光放射量である。また、ハッチングで示す
３６、３７、３８、３９はそれぞれ不良ビアホール部２
３〜２６の赤外光放射量と良ビアホール部２２の赤外光
放射量との差を示している。
２〜２６の表面から放射される赤外光放射量を模式的に
示したグラフである。つまり、各良・不良のビアホール
部２２〜２６について、図１に示したような検査装置を
用い、レーザ光等の加熱光源からの光線を各ビアホール
部２２〜２６に照射し、その加熱後に各ビアホール部２
２〜２６の表面側で検出した赤外光放射量を計測して得
られた数値をグラフ化したものである。このグラフにお
いて、３１は図２で示した正常な充填状態の良ビアホー
ル部２２における赤外光放射量、３２は異物による不良
ビアホール部２３における赤外光放射量、３３は加工穴
径が小さい不良ビアホール部２４における赤外光放射
量、３４は凹みによる不良ビアホール部２５における赤
外光放射量、３５は貫通穴による不良ビアホール部２６
における赤外光放射量である。また、ハッチングで示す
３６、３７、３８、３９はそれぞれ不良ビアホール部２
３〜２６の赤外光放射量と良ビアホール部２２の赤外光
放射量との差を示している。
【００１９】図４は、上記各良・不良のビアホール部２
２〜２６の裏面から放射される赤外光放射量を模式的に
示したグラフである。つまり図３と同様に、良・不良の
ビアホール部２２〜２６の裏面側で検出した赤外光放射
量を計測して得られた数値をグラフ化したものである。
このグラフにおいて、４１は良ビアホール部２２におけ
る赤外光放射量、４２は異物による不良ビアホール部２
３における赤外光放射量、４３は加工穴径が小さい不良
ビアホール部２４における赤外光放射量、４４は凹みに
よる不良ビアホール部２５における赤外光放射量、４５
は貫通穴による不良ビアホール部２６における赤外光放
射量である。また、ハッチングで示す４６、４７、４
８、４９はそれぞれ不良ビアホール部２３〜２６の赤外
光放射量と良ビアホール部２２の赤外光放射量との差を
示している。
２〜２６の裏面から放射される赤外光放射量を模式的に
示したグラフである。つまり図３と同様に、良・不良の
ビアホール部２２〜２６の裏面側で検出した赤外光放射
量を計測して得られた数値をグラフ化したものである。
このグラフにおいて、４１は良ビアホール部２２におけ
る赤外光放射量、４２は異物による不良ビアホール部２
３における赤外光放射量、４３は加工穴径が小さい不良
ビアホール部２４における赤外光放射量、４４は凹みに
よる不良ビアホール部２５における赤外光放射量、４５
は貫通穴による不良ビアホール部２６における赤外光放
射量である。また、ハッチングで示す４６、４７、４
８、４９はそれぞれ不良ビアホール部２３〜２６の赤外
光放射量と良ビアホール部２２の赤外光放射量との差を
示している。
【００２０】図５は、図３（表面側）と図４（裏面側）
で示した赤外光放射量の計測結果の内、それぞれ良ビア
ホール部のもの３１ないし４１との差の絶対値を各不良
ビアホール部別に加算した赤外光放射量を模式的に示し
たグラフである。このグラフにおいて、５１は赤外光放
射量３１と４１の絶対値和（＝０）、５２は赤外光放射
量３２と４２の絶対値和、５３は赤外光放射量３３と４
２の絶対値和、５４は赤外光放射量３４と４４の絶対値
和、５５は赤外光放射量３５と４５の絶対値和である。
各放射量の絶対値和がシキイ値を超えたときにそれぞれ
ビアホール部の導電性ペーストの充填状態が不良とみな
される。このように、各ビアホール部の表面及び裏面か
らの赤外光放射量の計測結果を複合することによって、
例えば表面側のみの検査に比べ、不良検出能力を高める
ことができる。
で示した赤外光放射量の計測結果の内、それぞれ良ビア
ホール部のもの３１ないし４１との差の絶対値を各不良
ビアホール部別に加算した赤外光放射量を模式的に示し
たグラフである。このグラフにおいて、５１は赤外光放
射量３１と４１の絶対値和（＝０）、５２は赤外光放射
量３２と４２の絶対値和、５３は赤外光放射量３３と４
２の絶対値和、５４は赤外光放射量３４と４４の絶対値
和、５５は赤外光放射量３５と４５の絶対値和である。
各放射量の絶対値和がシキイ値を超えたときにそれぞれ
ビアホール部の導電性ペーストの充填状態が不良とみな
される。このように、各ビアホール部の表面及び裏面か
らの赤外光放射量の計測結果を複合することによって、
例えば表面側のみの検査に比べ、不良検出能力を高める
ことができる。
【００２１】図６は、第２実施形態に用いる検査装置の
概略構成を示している。この実施形態では、ビアホール
部１２の導電性ペースト１３から放射される赤外光１８
を可視光に変換し、その量または時間変化量を計測する
ことで導電性ペースト１３の充填状態を検出している。
第１実施形態で赤外光１８を検出するために赤外光撮像
装置１４を利用していたのに対し、第２実施形態では導
電性ペースト１３の表面及び裏面から放射される赤外光
１８を一旦可視光に変換する可視光変換素子６３で受光
し、この可視光変換素子６３をＣＣＤカメラ等の可視光
撮像器６４によって撮像することで赤外光１８を検出す
る。可視光変換素子６３は輝尽発光体と呼ばれるもの等
を採用すると好適である。
概略構成を示している。この実施形態では、ビアホール
部１２の導電性ペースト１３から放射される赤外光１８
を可視光に変換し、その量または時間変化量を計測する
ことで導電性ペースト１３の充填状態を検出している。
第１実施形態で赤外光１８を検出するために赤外光撮像
装置１４を利用していたのに対し、第２実施形態では導
電性ペースト１３の表面及び裏面から放射される赤外光
１８を一旦可視光に変換する可視光変換素子６３で受光
し、この可視光変換素子６３をＣＣＤカメラ等の可視光
撮像器６４によって撮像することで赤外光１８を検出す
る。可視光変換素子６３は輝尽発光体と呼ばれるもの等
を採用すると好適である。
【００２２】第１実施形態と同様に、１１は基板、１２
ａは基板１１に設けられたビアホール、１３はビアホー
ル１２ａに充填される導電性ペースト、１２はビアホー
ル部１２である。１５はビアホール部１２を加熱する光
源装置、１６は光源装置１５からの射出光を集光するレ
ンズである。１７は情報処理装置であり、可視光撮像装
置６４によってビアホール部１２表裏面から検出される
赤外光１８の量や時間変化量等の情報を入力し、導電性
ペースト１３の充填状態を解析する。撮像後の画像情報
をもとに不良検出を行う原理は第１実施形態のものと同
様であるが、赤外光１８を可視光に変換することで、画
像の分解能が良くなり、赤外光撮像装置に代えてＣＣＤ
カメラ等の可視光撮像器を用いることができるのでコス
トも低減できる。
ａは基板１１に設けられたビアホール、１３はビアホー
ル１２ａに充填される導電性ペースト、１２はビアホー
ル部１２である。１５はビアホール部１２を加熱する光
源装置、１６は光源装置１５からの射出光を集光するレ
ンズである。１７は情報処理装置であり、可視光撮像装
置６４によってビアホール部１２表裏面から検出される
赤外光１８の量や時間変化量等の情報を入力し、導電性
ペースト１３の充填状態を解析する。撮像後の画像情報
をもとに不良検出を行う原理は第１実施形態のものと同
様であるが、赤外光１８を可視光に変換することで、画
像の分解能が良くなり、赤外光撮像装置に代えてＣＣＤ
カメラ等の可視光撮像器を用いることができるのでコス
トも低減できる。
【００２３】図７は、第３実施形態を示す概略図であ
る。本実施形態では、加熱手段としてＩＨ（電磁誘導加
熱）を利用した外は、上記に示した検出装置の基本構成
や導電性ペースト１３の充填状態の不良を検出する手段
と同様である。
る。本実施形態では、加熱手段としてＩＨ（電磁誘導加
熱）を利用した外は、上記に示した検出装置の基本構成
や導電性ペースト１３の充填状態の不良を検出する手段
と同様である。
【００２４】第３実施形態では、ビアホール部１２の導
電性ペースト１３を加熱する手段として、光源装置から
の光を集光して利用するのではなく、ビアホール部１２
近傍に配したコイル７２に高周波電流を通電し、この高
周波電流が導電性ペースト１３に電磁誘導作用を生じ、
加熱される。コイル７２のサイズを小さくし、複数配列
することによって、基板１１のビアホール部１２を選択
的に加熱することが可能となる。
電性ペースト１３を加熱する手段として、光源装置から
の光を集光して利用するのではなく、ビアホール部１２
近傍に配したコイル７２に高周波電流を通電し、この高
周波電流が導電性ペースト１３に電磁誘導作用を生じ、
加熱される。コイル７２のサイズを小さくし、複数配列
することによって、基板１１のビアホール部１２を選択
的に加熱することが可能となる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来の検査方法では検出が困難であった充填状態が不十分
な導電性ペーストに対し、それが硬化する前にその良・
不良を検出することによって導通不良を未然に防止し、
製品歩留まりの向上やロスコストの削減を図ることので
きると共に、放射赤外光を可視光に変換することによっ
て、その検出を低コストで精度良く行うこともできる導
電性ペースト充填状態検査方法を提供することができ
る。
来の検査方法では検出が困難であった充填状態が不十分
な導電性ペーストに対し、それが硬化する前にその良・
不良を検出することによって導通不良を未然に防止し、
製品歩留まりの向上やロスコストの削減を図ることので
きると共に、放射赤外光を可視光に変換することによっ
て、その検出を低コストで精度良く行うこともできる導
電性ペースト充填状態検査方法を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に用いる検査装置の全体
構成を示す概略図。
構成を示す概略図。
【図２】同上実施形態における導電性ペーストの充填状
態不良例を模式的に示した断面図。
態不良例を模式的に示した断面図。
【図３】同上実施形態におけるビアホール部の表面から
の赤外光放射量を模式的に示したグラフ。
の赤外光放射量を模式的に示したグラフ。
【図４】同上実施形態におけるビアホール部の裏面から
の赤外光放射量を模式的に示したグラフ。
の赤外光放射量を模式的に示したグラフ。
【図５】図３と図４に示した赤外光放射量の検出結果を
複合したものを模式的に示したグラフ。
複合したものを模式的に示したグラフ。
【図６】本発明の第２実施形態に用いる検査装置の全体
構成を示す概略図。
構成を示す概略図。
【図７】本発明の第３実施形態に用いる検査装置の要部
の構成を示す概略図。
の構成を示す概略図。
１１ 基板 １２ ビアホール部 １２ａ ビアホール １３ 導電性ペースト １４ 赤外光撮像装置 １５ 光源装置 １６ レンズ １７ 情報処理装置 １８ 赤外光 ２２ 良ビアホール部 ２３〜２６ 不良ビアホール部 ６３ 可視光変換素子 ６４ 可視光撮像装置 ７２ 高周波電流を通電するコイル
Claims (5)
- 【請求項１】 基板のビアホールに充填した導電性ペー
ストを加熱し、導電性ペーストから放射される赤外光を
検出し、その量またはその時間変化量を計測することに
より、導電性ペーストの充填状態を検出することを特徴
とする導電性ペースト充填状態検査方法。 - 【請求項２】 基板のビアホールに充填した導電性ペー
ストを加熱し、導電性ペーストから放射される赤外光を
検出し、検出した赤外光を可視光に変換した後に、その
量またはその時間変化量を計測することにより、導電性
ペーストの充填状態を検出することを特徴とする導電性
ペースト充填状態検査方法。 - 【請求項３】 導電性ペーストを加熱する手段として、
レーザ光を用いる請求項１または２記載の導電性ペース
ト充填状態検査方法。 - 【請求項４】 導電性ペーストを加熱する手段として、
電磁誘導加熱を用いる請求項１または２記載の導電性ペ
ースト充填状態検査方法。 - 【請求項５】 導電性ペーストの表面及び裏面から放射
される赤外光のそれぞれについて検出する請求項１また
は２記載の導電性ペースト充填状態検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10928798A JPH11304740A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 導電性ペースト充填状態検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10928798A JPH11304740A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 導電性ペースト充填状態検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11304740A true JPH11304740A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14506359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10928798A Pending JPH11304740A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 導電性ペースト充填状態検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11304740A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007064757A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 接点接合部の検査方法 |
| JP2008078291A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 貫通孔中の樹脂組成物の検査方法及び装置 |
| JP2009036715A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Nagoya Electric Works Co Ltd | 放射線検査装置、放射線検査方法および放射線検査プログラム |
| CN103234977A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-08-07 | 哈尔滨工业大学 | 倒装焊芯片焊点缺陷双热像仪红外测温检测法 |
| CN103258755A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-08-21 | 哈尔滨工业大学 | 倒装焊芯片焊点缺陷背视测温检测法 |
| CN103383368A (zh) * | 2013-07-12 | 2013-11-06 | 哈尔滨工业大学 | 点阵式热传导测温检测工件缺陷法 |
| US20220089478A1 (en) * | 2019-02-01 | 2022-03-24 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Method for producing a glass-plastic connection |
-
1998
- 1998-04-20 JP JP10928798A patent/JPH11304740A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007064757A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 接点接合部の検査方法 |
| JP2008078291A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 貫通孔中の樹脂組成物の検査方法及び装置 |
| JP2009036715A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Nagoya Electric Works Co Ltd | 放射線検査装置、放射線検査方法および放射線検査プログラム |
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| CN103383368A (zh) * | 2013-07-12 | 2013-11-06 | 哈尔滨工业大学 | 点阵式热传导测温检测工件缺陷法 |
| US20220089478A1 (en) * | 2019-02-01 | 2022-03-24 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Method for producing a glass-plastic connection |
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