JPH11302551A - Dipyrromethene metal chelate compound and photorecording medium containing the same - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject new compound recordable and reproducible at a short wavelength and useful as a recording layer of an additional recording type high density photorecording medium, having a specific dipyrromethene-based compound as a ligand. SOLUTION: This chelate compound is composed of (A) a compound of formula I [R1 to R5 are each H, a halogen, an amino, a 1-20C alkyl or the like; A is a (substituted) heterocyclic ring or a (substituted) naphthalene ring] and (B) a metal ion, e.g. bis[(1-phenyl-4-azaisoindol-3-yl) (3,5-diphenylpyrrol-2,2- diyl)methene]copper. The chelate compound is obtained by, e.g. reacting a compound of formula II with a compound of formula II to obtain the compound of formula I and reacting the resultant compound with an acetic acid salt or a halide of a metal such as nickel, cobalt, iron, copper, zinc, etc.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なジピロメテ
ン金属キレート化合物、及びこれを用いた、従来に比較
して高密度に記録および再生可能な光記録媒体に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel dipyrromethene metal chelate compound and an optical recording medium using the same, which can record and reproduce data at a higher density than before.

【０００２】[0002]

【従来の技術】現在、ＣＤと比較して大容量な光記録媒
体として、容量４．７ＧＢであるＤＶＤが開発され、商
品化されている。ＤＶＤは再生専用媒体であるので、こ
の容量に見合った記録再生可能な光記録媒体が望まれて
いる。その中でも、追記型のものはＤＶＤ−Ｒと呼ぶ。2. Description of the Related Art At present, a DVD having a capacity of 4.7 GB has been developed and commercialized as an optical recording medium having a larger capacity than a CD. Since a DVD is a read-only medium, an optical recording medium capable of recording and reproducing data corresponding to the capacity is desired. Among them, the write-once type is called DVD-R.

【０００３】ＤＶＤでは高密度記録を行うためにレーザ
ー光の発振波長が６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ近傍とＣＤの
場合より短波長化している。このような短波長用途の有
機色素系光記録媒体の色素としては、シアニン、アゾ、
ベンゾピラン、ベンゾジフラノン、インジゴ、ジオキサ
ジン、ポルフィリン系色素等が提案されており、特開平
４−７４６９０号公報、特開平５−３８８７８号公報、
特開平６−４０１６１号公報、特開平６−４０１６２号
公報、特開平６−１９９０４５号公報、特開平６−３３
６０８６号公報、特開平７−７６１６９号公報、特開平
７−１２５４４１号公報、特開平７−２６２６０４号公
報、特開平９−１５６２１８号公報、特開平９−１９３
５４４号公報、特開平９−１９３５４５号公報、特開平
９−１９３５４７号公報、特開平９−１９４７４８号公
報、特開平９−２０２０５２号公報、特開平９−２６７
５６２号公報、特開平９−２７４７３２号公報等がある
が、耐久性の問題や、特に短波長用途に固有の問題、例
えば、絞られたレーザー光で小さいピットを開けるべき
ところが、周りへの影響が大きく分布の大きいピットに
なり、ジッターが大きくなったり、半径方向へのクロス
トークが悪化する、あるいはピットが極端に小さくなっ
て十分な変調度がとれない、などについてはなんら解決
されていないのが現状である。[0003] In order to perform high-density recording in DVDs, the oscillation wavelength of laser light is shorter than 630 nm to 680 nm as compared with CDs. Dyes of such organic dye-based optical recording media for short wavelength use include cyanine, azo,
Benzopyran, benzodifuranone, indigo, dioxazine, porphyrin dyes and the like have been proposed, JP-A-4-74690, JP-A-5-38878,
JP-A-6-40161, JP-A-6-40162, JP-A-6-199045, JP-A-6-33
6086, JP-A-7-76169, JP-A-7-125441, JP-A-7-262604, JP-A-9-156218, JP-A-9-193
544, JP-A-9-193545, JP-A-9-193747, JP-A-9-194748, JP-A-9-202052, JP-A-9-267
562, JP-A-9-274732 and the like, there is a problem of durability, especially a problem specific to a short wavelength application, for example, a place where a small pit should be opened with a narrowed laser beam has an influence on surroundings. There is no solution to the problem of large pits with large distribution, increased jitter, worse crosstalk in the radial direction, or extremely small pits and insufficient modulation. Is the current situation.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なジピロメテン金属キレート化合物、及びこれを含有す
る、波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録
および再生が可能な高密度記録に適した光記録媒体を提
供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a novel dipyrromethene metal chelate compound and a high-density recording medium containing the same, which can be recorded and reproduced with a short wavelength laser having a wavelength of 520 to 690 nm. An optical recording medium is provided.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、 下記一般式（１）で示されるジピロメテン系化合物と
金属イオンとのジピロメテン金属キレート化合物、Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, completed the present invention. That is, the present invention provides a dipyrromethene metal chelate compound of a dipyrromethene compound represented by the following general formula (1) and a metal ion:

【０００６】[0006]

【化４】 Embedded image

【０００７】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は
各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、スルホ
ン酸基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲノアルキ
ル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキ
シアルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ
アルコキシ基、アルキルチオアルキル基、アルキルチオ
アルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ア
ルキルアミノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニ
ル基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニ
ルアミノ基、アリールアミノカルボニル基、アリールオ
キシカルボニル基、アラルキル基、アリール基、アリー
ルスルホニル基、アリールチオ基、ヘテロアリール基、
ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、ヘテ
ロアリールスルホニル基、アルキルチオ基、アルケニル
オキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、
アルコキシカルボニルアルコキシカルボニル基、アルキ
ルカルボニルアルコキシカルボニル基、ヒドロキシアル
キルアミノカルボニル基、ジ（ヒドロキシアルキル）ア
ミノカルボニル基、アルコキシアルキルアミノカルボニ
ル基、ジ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基ま
たは炭素数２〜２０のアルケニル基を表わし、Ａは置換
または未置換の複素環およびナフタレン環を表す。］ 下記一般式（２）で示される記載のジピロメテン金
属キレート化合物、Wherein R ₁ , R ₂ , R ₃ , R ₄ and R ₅ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, C1-C20 alkyl, halogenoalkyl, alkoxyalkyl, alkoxy, alkoxyalkoxy, aryloxy, dialkylaminoalkoxy, alkylthioalkyl, alkylthioalkoxy, acyl, alkoxycarbonyl, alkylamino Carbonyl group, dialkylaminocarbonyl group, alkylcarbonylamino group, arylcarbonylamino group, arylaminocarbonyl group, aryloxycarbonyl group, aralkyl group, aryl group, arylsulfonyl group, arylthio group, heteroaryl group,
Heteroaryloxy group, heteroarylthio group, heteroarylsulfonyl group, alkylthio group, alkenyloxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group,
Alkoxycarbonylalkoxycarbonyl group, alkylcarbonylalkoxycarbonyl group, hydroxyalkylaminocarbonyl group, di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl group, alkoxyalkylaminocarbonyl group, di (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group or alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms And A represents a substituted or unsubstituted heterocyclic ring and a naphthalene ring. A dipyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (2):

【０００８】[0008]

【化５】 Embedded image

【０００９】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は
式（１）と同じ意味を表し、Ｍはニッケル、コバルト、
鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウ
ム、イリジウム、白金、マンガンまたは亜鉛を表す］Wherein R ₁ , R ₂ , R ₃ , R ₄ and R ₅ have the same meaning as in formula (1), M is nickel, cobalt,
Represents iron, ruthenium, rhodium, palladium, copper, osmium, iridium, platinum, manganese or zinc]

【００１０】下記一般式（３）で示される記載のジ
ピロメテン金属キレート化合物、A dipyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (3):

【００１１】[0011]

【化６】 Embedded image

【００１２】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は
式（１）と同じ意味を表し、Ｘ₁及びＸ ₂は炭素数１〜２
０のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシアル
キル基、アルキルチオアルキル基、ジアルキルアミノア
ルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルコキシアルコ
キシ基、アルキルチオアルコキシ基、、ジアルキルアミ
ノアルコキシアルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキ
シアルキルチオ基、アルキルチオカルボニルアルキルチ
オ基、ジアルキルアミノアルキルチオ基、アリールオキ
シ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリ
ールオキシ基、ヘテロアリールチオ基及びハロゲン原子
を表す］ 基板上に、少なくとも記録層及び反射層を有する光記
録媒体において、記録層中に、〜のいずれかに記載
のジピロメテン金属キレート化合物を含有する光記録媒
体、 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択されるレーザ
ー光に対して記録及び再生が可能である記載の光記録
媒体、に関するものである。[Wherein, R₁, R_Two, R_Three, R_FourAnd R_FiveIs
Represents the same meaning as in equation (1), and X₁And X _TwoIs carbon number 1-2
0 alkyl group, halogenoalkyl group, alkoxyalkyl
Kill group, alkylthioalkyl group, dialkylamino
Alkyl, alkoxy, alkoxyalkoxy
Xy, alkylthioalkoxy, dialkylamido
Alkoxyalkoxy, alkylthio, alkoxy
Silalkylthio group, alkylthiocarbonylalkylthio
O group, dialkylaminoalkylthio group, aryloxy
Si, arylthio, heteroaryl, heteroaryl
Oxy group, heteroarylthio group and halogen atom
The optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate
In the recording medium, in the recording layer, any of-
Recording medium containing dipyrromethene metal chelate compound
Body, laser selected from the wavelength range of 520-690 nm
-Optical recording that can be recorded and reproduced with respect to light
Media.

【００１３】[0013]

【発明の実施の形態】本発明の記録層に含有される一般
式（１）で示されるジピロメテン金属キレート化合物の
具体例を次に述べる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific examples of the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1) contained in the recording layer of the present invention will be described below.

【００１４】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄及びＲ₅の具体例とし
ては、水素原子；ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシ基；
アミノ基；カルボキシ基；スルホン基；フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素のハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、iso−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−
メチルブチル基、neo−ペンチル基、１，２−ジメチル
プロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、シクロ−ペ
ンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３
−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチ
ルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジ
メチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−
ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１
−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチル
ブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチ
ルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エ
チル−２−メチルプロピル基、シクロ−ヘキシル基、ｎ
−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキ
シル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル
基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２
−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、
２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチル
ヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、ｎ−
ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デ
シル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−
ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル
基、１，３，５，７−テトラメチルオクチル基、４−ブ
チルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−ト
リデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、６，
６−ジエチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペ
ンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−
ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、
２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−シクロ
−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−シクロ
−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等の炭素数１
〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；Specific examples of R ₁ , R ₂ , R ₃ , R ₄ and R ₅ include a hydrogen atom; a nitro group; a cyano group;
Amino group; carboxy group; sulfone group; fluorine, chlorine,
Halogen atom of bromine or iodine; methyl group, ethyl group, n
-Propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, iso-
Butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, iso-pentyl group, 2-methylbutyl group, 1-
Methylbutyl group, neo-pentyl group, 1,2-dimethylpropyl group, 1,1-dimethylpropyl group, cyclopentyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3
-Methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-methylpentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,2-
Dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1,1
-Dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,2,2-trimethylbutyl group, 1,1,2-trimethylbutyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group, Cyclo-hexyl group, n
-Heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5-methylhexyl group, 2,4-dimethylpentyl group, n-octyl group, 2
-Ethylhexyl group, 2,5-dimethylhexyl group,
2,5,5-triethylpentyl group, 2,4-dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group, n-
Nonyl group, 3,5,5-trimethylhexyl group, n-decyl group, 4-ethyloctyl group, 4-ethyl-4,5-
Dimethylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 1,3,5,7-tetramethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-tridecyl group, 6-methyl- 4-butyloctyl group, 6,
6-diethyloctyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-
Dimethylheptyl group, 2,4-dimethylheptyl group,
1,2,5,5-tetramethylhexyl group, 1-cyclo-pentyl-2,2-dimethylpropyl group, 1-cyclo-hexyl-2,2-dimethylpropyl group, etc.
-20 linear, branched or cyclic alkyl groups;

【００１５】クロロメチル基、ジクロロメチル基、フル
オロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ノナフルオロブチル基等のハロゲノアルキル
基；メトキシエチル基、エトキシエチル基、iso−プロ
ピルオキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−メ
トキシブチル基等のアルコキシアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、iso−プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブト
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、iso−ペ
ントキシ基、neo−ペントキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ
基、ｎ−ドデシルオキシ基等のアルコキシ基；メトキシ
エトキシ基、エトキシエトキシ基、３−メトキシプロピ
ルオキシ基、３−iso−プロピルオキシプロピルオキシ
基等のアルコキシアルコキシ基；ホルミル基、アセチル
基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、
iso−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル
基、ｎ−ペンチルカルボニル基、iso−ペンチルカルボ
ニル基、neo−ペンチルカルボニル基、２−メチルブチ
ルカルボニル基、ニトロベンジルカルボニル基等のアシ
ル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、
iso−プロピルオキシカルボニル基、2，４−ジメチルブ
チルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；Halogenoalkyl groups such as chloromethyl group, dichloromethyl group, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group and nonafluorobutyl group; methoxyethyl group, ethoxyethyl group, iso-propyloxyethyl group; Alkoxyalkyl groups such as 3-methoxypropyl group and 2-methoxybutyl group; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, iso-butoxy group, sec-butoxy group, t- Alkoxy groups such as butoxy group, n-pentoxy group, iso-pentoxy group, neo-pentoxy group, n-hexyloxy group, n-dodecyloxy group; methoxyethoxy group, ethoxyethoxy group, 3-methoxypropyloxy group, 3 An alkoxyalkoxy group such as -iso-propyloxypropyloxy group; Mill group, an acetyl group, ethylcarbonyl group, n- propyl group,
acyl groups such as iso-propylcarbonyl group, n-butylcarbonyl group, n-pentylcarbonyl group, iso-pentylcarbonyl group, neo-pentylcarbonyl group, 2-methylbutylcarbonyl group and nitrobenzylcarbonyl group; methoxycarbonyl group; An ethoxycarbonyl group,
alkoxycarbonyl groups such as iso-propyloxycarbonyl group and 2,4-dimethylbutyloxycarbonyl group;

【００１６】メチルアミノカルボニル基、エチルアミノ
カルボニル基、ｎ−プロピルアミノカルボニル基、ｎ−
ブチルアミノカルボニル基、ｎ−ヘキシルアミノカルボ
ニル基等のアルキルアミノカルボニル基；アセチルアミ
ノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニ
ルアミノ基等のアルキルカルボニルアミノ基；フェノキ
シ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ
基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノ
キシ基、４−iso−プロピルフェノキシ基等のアリール
オキシ基；フェニルアミノカルボニル基、４−メチルフ
ェニルアミノカルボニル基、２−メトキシフェニルアミ
ノカルボニル基、４−ｎ−プロピルフェニルアミノカル
ボニル基等のアリールアミノカルボニル基；ジメチルア
ミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジ−
ｎ−プロピルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−ブチルアミ
ノカルブニル基、Ｎ−メチル−Ｎ−シクロヘキシルアミ
ノカルボニル基等のジアルキルアミノカルボニル基；２
−メチルチオエトキシ基、２−エチルチオエトキシ基、
２−ｎ−プロピルチオエトキシ基、２−iso−プロピル
チオエトキシ基、２−ｎ−ブチルチオエトキシ基、２−
iso−ブチルチオエトキシ基のアルキルチオアルコキシ
基；Methylaminocarbonyl, ethylaminocarbonyl, n-propylaminocarbonyl, n-
Alkylaminocarbonyl groups such as butylaminocarbonyl group and n-hexylaminocarbonyl group; alkylcarbonylamino groups such as acetylamino group, ethylcarbonylamino group and n-butylcarbonylamino group; phenoxy group, 2-methylphenoxy group, 4 Aryloxy groups such as -methylphenoxy group, 4-t-butylphenoxy group, 2-methoxyphenoxy group, 4-iso-propylphenoxy group; phenylaminocarbonyl group, 4-methylphenylaminocarbonyl group, 2-methoxyphenylamino Arylaminocarbonyl groups such as carbonyl group and 4-n-propylphenylaminocarbonyl group; dimethylaminocarbonyl group, diethylaminocarbonyl group, di-
dialkylaminocarbonyl groups such as n-propylaminocarbonyl group, di-n-butylaminocarbenyl group, N-methyl-N-cyclohexylaminocarbonyl group; 2
-Methylthioethoxy group, 2-ethylthioethoxy group,
2-n-propylthioethoxy group, 2-iso-propylthioethoxy group, 2-n-butylthioethoxy group, 2-
an alkylthioalkoxy group of an iso-butylthioethoxy group;

【００１７】フェノキシカルボニル基、２−メチルフェ
ノキシカルボニル基、４−メトキシフェニルカルボニル
基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基等のアリー
ルオキシカルボニル基；フェニルカルボニルアミノ基、
４−エチルフェニルカルボニルアミノ基、３−ブチルフ
ェニルカルボニルアミノ基等のアリールカルボニルアミ
ノ基；ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベンジル
基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、トリメ
チルベンジル基、ジクロロベンジル基、メトキシベンジ
ル基、エトキシベンジル基、トリフルオロメチルベンジ
ル基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シ
アノナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基等のアラルキル基；フェニル基、ニトロフェニル
基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチル
フェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル
基、ジクロロフェニル基、メトキシフェニル基、エトキ
シフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノフェニル基、ナフチル基、ニトロナフ
チル基、シアノナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メ
チルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基等のアリール基；ピロリル基、チエニル基、フラ
ニル基、オキサゾイル基、イソオキサゾイル基、ベンゾ
オキサゾイル基、ピリジル基、イミダゾイル基、ベンゾ
チアゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドリル基等のヘテロアリール基；Aryloxycarbonyl groups such as phenoxycarbonyl group, 2-methylphenoxycarbonyl group, 4-methoxyphenylcarbonyl group and 4-t-butylphenoxycarbonyl group; phenylcarbonylamino group;
Arylcarbonylamino groups such as 4-ethylphenylcarbonylamino group and 3-butylphenylcarbonylamino group; benzyl group, nitrobenzyl group, cyanobenzyl group, hydroxybenzyl group, methylbenzyl group, trimethylbenzyl group, dichlorobenzyl group, methoxy Aralkyl groups such as benzyl, ethoxybenzyl, trifluoromethylbenzyl, naphthylmethyl, nitronaphthylmethyl, cyanonaphthylmethyl, trifluoromethylnaphthylmethyl; phenyl, nitrophenyl, cyanophenyl, hydroxy Phenyl, methylphenyl, dimethylphenyl, trimethylphenyl, dichlorophenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, trifluoromethylphenyl, N, N
Aryl groups such as dimethylaminophenyl, naphthyl, nitronaphthyl, cyanonaphthyl, hydroxynaphthyl, methylnaphthylmethyl, trifluoromethylnaphthylmethyl; pyrrolyl, thienyl, furanyl, oxazoyl, isoxazoyl Heteroaryl groups such as a group, a benzoxazoyl group, a pyridyl group, an imidazoyl group, a benzothiazoyl group, a benzimidazoyl group, a benzofuranyl group and an indolyl group;

【００１８】メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピ
ルチオ基、iso−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、i
so−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチル
チオ基、n-ペンチルチオ基、iso−ペンチルチオ基、２
−メチルブチルチオ基、１−メチルブチルチオ基、neo
−ペンチルチオ基、１，２−ジメチルプロピルチオ基、
１，１−ジメチルプロピルチオ基等のアルキルチオ基；
フェニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メト
キシフェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基等
のアリールチオ基；アリルオキシカルボニル基、２−ブ
テノキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボニル
基；ベンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカ
ルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基；メトキ
シカルボニルメトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ルメトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニルメ
トキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニルメトキ
シカルボニル基等のアルコキシカルボニルアルコキシカ
ルボニル基；Methylthio, ethylthio, n-propylthio, iso-propylthio, n-butylthio, i
so-butylthio group, sec-butylthio group, t-butylthio group, n-pentylthio group, iso-pentylthio group, 2
-Methylbutylthio group, 1-methylbutylthio group, neo
-Pentylthio group, 1,2-dimethylpropylthio group,
Alkylthio groups such as 1,1-dimethylpropylthio group;
Arylthio groups such as phenylthio group, 4-methylphenylthio group, 2-methoxyphenylthio group and 4-t-butylphenylthio group; alkenyloxycarbonyl groups such as allyloxycarbonyl group and 2-butenoxycarbonyl group; benzyl Aralkyloxycarbonyl groups such as oxycarbonyl group and phenethyloxycarbonyl group; alkoxycarbonylalkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonylmethoxycarbonyl group, ethoxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonylmethoxycarbonyl group and isopropoxycarbonylmethoxycarbonyl group;

【００１９】メチルカルボニルメトキシカルボニル基、
エチルカルボニルメトキシカルボニル基等のアルキルカ
ルボニルアルコキシカルボニル基；２−ヒドロキシエチ
ルアミノカルボニル基、２−ヒドロキシプロピルアミノ
カルボニル基、３−ヒドロキシプロピルアミノカルボニ
ル基等のモノ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル
基；ジ（ヒドロキシエチル）アミノカルボニル基、ジ
（２−ヒドロキシプロピル）アミノカルボニル基、ジ
（３-ヒドロキシプロピル）アミノカルボニル基等のジ
（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル基；メトキシ
メチルアミノカルボニル基、２−メトキシエチルアミノ
カルボニル基、エトキシメチルアミノカルボニル基、２
−エトキシエチルアミノカルボニル基、プロポキシメチ
ルアミノカルボニル基、２−エトキシエチルアミノカル
ボニル基、２−プロポキシエチルアミノカルボニル基等
のモノ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基；A methylcarbonylmethoxycarbonyl group,
Alkylcarbonylalkoxycarbonyl groups such as ethylcarbonylmethoxycarbonyl group; mono (hydroxyalkyl) aminocarbonyl groups such as 2-hydroxyethylaminocarbonyl group, 2-hydroxypropylaminocarbonyl group and 3-hydroxypropylaminocarbonyl group; di (hydroxy Di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl groups such as ethyl) aminocarbonyl group, di (2-hydroxypropyl) aminocarbonyl group and di (3-hydroxypropyl) aminocarbonyl group; methoxymethylaminocarbonyl group, 2-methoxyethylaminocarbonyl Group, ethoxymethylaminocarbonyl group, 2
Mono (alkoxyalkyl) aminocarbonyl groups such as -ethoxyethylaminocarbonyl group, propoxymethylaminocarbonyl group, 2-ethoxyethylaminocarbonyl group, 2-propoxyethylaminocarbonyl group;

【００２０】ジ（メトキシエチル）アミノカルボニル
基、ジ（エトキシメチル）アミノカルボニル基、ジ（エ
トキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（プロポキシエ
チル）アミノカルボニル基等のジ（アルコキシアルキ
ル）アミノカルボニル基；２−ヒドロキシエトキシ基、
３−ヒドロキシプロポキシ基、５−ヒドロキシペンチル
オキシ基，４−ヒドロキシ−シクロ−ヘキシルオキシ基
等のヒドロキシアルコキシ基；ビニル基、プロペニル
基、１−ブテニル基、iso−ブテニル基、１−ペンテニ
ル基、２−ペンテニル基、２−メチル−１−ブテニル
基、３−メチル−１−ブテニル基、２−メチル−２−ブ
テニル基、２，２−ジシアノビニル基、２−シアノ−２
−メチルカルボキシルビニル基、２−シアノ−２−メチ
ルスルホンビニル基等の炭素数２〜２０のアルケニル等
を挙げることができる。Di (alkoxyalkyl) aminocarbonyl groups such as di (methoxyethyl) aminocarbonyl group, di (ethoxymethyl) aminocarbonyl group, di (ethoxyethyl) aminocarbonyl group and di (propoxyethyl) aminocarbonyl group; A hydroxyethoxy group,
Hydroxyalkoxy groups such as 3-hydroxypropoxy group, 5-hydroxypentyloxy group, 4-hydroxy-cyclo-hexyloxy group; vinyl group, propenyl group, 1-butenyl group, iso-butenyl group, 1-pentenyl group, 2 -Pentenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 3-methyl-1-butenyl group, 2-methyl-2-butenyl group, 2,2-dicyanovinyl group, 2-cyano-2
Alkenyl having 2 to 20 carbon atoms such as -methylcarboxylvinyl group and 2-cyano-2-methylsulfonevinyl group.

【００２１】一般式（１）で示されるジピロメテン系化
合物において、Ａで示される未置換の複素環の具体例と
しては、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジ
ン、フラン、チオフェン、ピロール、オキサゾール、チ
アゾール、インドール、クロメン、キノリン、イソキノ
リン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、フタラ
ジン、プテリジン等が挙げられる。また、これらの複素
環およびナフタレン環は置換されていても良く、その際
の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アラルキル基、アリール基、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、カルバモイル
基、アシル基、アシルアミノ基、スルファモイル基、ス
ルホンアミド基、アミノ基、ヒドロキシル基、チオール
基、カルボン酸基、スルホン酸基等が挙げられる。In the dipyrromethene compound represented by the general formula (1), specific examples of the unsubstituted heterocyclic ring represented by A include pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, furan, thiophene, pyrrole, oxazole, thiazole, indole Chromene, quinoline, isoquinoline, cinnoline, quinazoline, quinoxaline, phthalazine, pteridine and the like. Further, these heterocyclic ring and naphthalene ring may be substituted, in which case, as a substituent, an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an aralkyl group, an aryl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, Examples include an ester group, a carbamoyl group, an acyl group, an acylamino group, a sulfamoyl group, a sulfonamide group, an amino group, a hydroxyl group, a thiol group, a carboxylic acid group, and a sulfonic acid group.

【００２２】Ｘ₁、Ｘ₂の具体例としてはメチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル
基、iso−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、iso−ペンチル基、２−メチルブ
チル基、１−メチルブチル基、neo−ペンチル基、１，
２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル
基、シクロ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチル
ペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチ
ル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル
基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチ
ル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブ
チル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル
基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，
２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチル
ブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロ
−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル
基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５
−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ
−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチ
ルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、
２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチル
ペンチル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘ
キシル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−
エチル−４，５−ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル
基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラメチルオ
クチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオ
クチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチル
オクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−テトラ
デシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプ
チル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチ
ルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル
基、１−シクロ−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル
基、１−シクロ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル
基等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキ
ル基；Specific examples of X ₁ and X ₂ include methyl, ethyl, n-propyl, iso-propyl, n-butyl, iso-butyl, sec-butyl, t-butyl and n-butyl. -Pentyl group, iso-pentyl group, 2-methylbutyl group, 1-methylbutyl group, neo-pentyl group, 1,
2-dimethylpropyl group, 1,1-dimethylpropyl group, cyclopentyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-methylpentyl group, 3, 3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group , 2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,
2,2-trimethylbutyl group, 1,1,2-trimethylbutyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group, cyclo-hexyl group, n-heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5
-Methylhexyl group, 2,4-dimethylpentyl group, n
-Octyl group, 2-ethylhexyl group, 2,5-dimethylhexyl group, 2,5,5-triethylpentyl group,
2,4-dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group, n-nonyl group, 3,5,5-trimethylhexyl group, n-decyl group, 4-ethyloctyl group, 4-
Ethyl-4,5-dimethylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 1,3,5,7-tetramethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-tridecyl Group, 6-methyl-4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2,4- 1 to 1 carbon atoms such as a dimethylheptyl group, a 2,2,5,5-tetramethylhexyl group, a 1-cyclo-pentyl-2,2-dimethylpropyl group and a 1-cyclo-hexyl-2,2-dimethylpropyl group. 20 linear, branched or cyclic alkyl groups;

【００２３】クロロメチル基、ジクロロメチル基、フル
オロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ノナフルオロブチル基等のハロゲノアルキル
基；メトキシエチル基、エトキシエチル基、iso−プロ
ピルオキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−メ
トキシブチル基等のアルコキシアルキル基；２−メチル
チオエチル基、２−エチルチオエチル基、２−ｎ−プロ
ピルチオエチル基、２−iso−プロピルチオエチル基、
２−ｎ−ブチルチオエチル基、２−iso−ブチルチオエ
チル基のアルキルチオアルキル基；２−ジメチルアミノ
エチル基、２−（２−ジメチルアミノエトキシ）エチル
基、４−ジメチルアミノブチル基、１−ジメチルアミノ
プロパン−２−イル基、３−ジメチルアミノプロピル
基、２−ジメチルアミノ−２−メチルプロピル基、２−
ジエチルアミノエチル基、２−２−ジエチルアミノエト
キシエチル基、３−ジエチルアミノプロピル基、１−ジ
エチルアミノプロピル基、２−ジ−iso−プロピ ルア
ミノエチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基等の
直鎖又は分岐のジアルキルアミノアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、iso−プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブト
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、iso−ペ
ントキシ基、neo−ペントキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ
基、ｎ−ドデシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、
４−メチルシクロヘキシルオキシ基、４−エチルシクロ
ヘキシル基、２−ｎ−プロピルシクロヘキシルオキシ
基、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ基、アダマン
タン−1−イルオキシ基、ボルネオル基等のアルコキシ
基；Halogenoalkyl groups such as chloromethyl group, dichloromethyl group, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group and nonafluorobutyl group; methoxyethyl group, ethoxyethyl group, iso-propyloxyethyl group; Alkoxyalkyl groups such as 3-methoxypropyl group and 2-methoxybutyl group; 2-methylthioethyl group, 2-ethylthioethyl group, 2-n-propylthioethyl group, 2-iso-propylthioethyl group,
Alkylthioalkyl group of 2-n-butylthioethyl group, 2-iso-butylthioethyl group; 2-dimethylaminoethyl group, 2- (2-dimethylaminoethoxy) ethyl group, 4-dimethylaminobutyl group, 1- Dimethylaminopropan-2-yl group, 3-dimethylaminopropyl group, 2-dimethylamino-2-methylpropyl group, 2-
Straight chain such as diethylaminoethyl, 2-2-diethylaminoethoxyethyl, 3-diethylaminopropyl, 1-diethylaminopropyl, 2-di-iso-propylaminoethyl, 2-di-n-butylaminoethyl, etc. Branched dialkylaminoalkyl groups; methoxy, ethoxy, n-propoxy, iso-propoxy, n-butoxy, iso-butoxy, sec-butoxy, t-butoxy, n-pentoxy, iso- Pentoxy group, neo-pentoxy group, n-hexyloxy group, n-dodecyloxy group, cyclohexyloxy group,
Alkoxy groups such as 4-methylcyclohexyloxy group, 4-ethylcyclohexyl group, 2-n-propylcyclohexyloxy group, 4-t-butylcyclohexyloxy group, adamantane-1-yloxy group, and borneol group;

【００２４】２−メトキシエトキシ基、１−メトキシブ
タン−２−イルオキシ基、１−メトキシブタン−１−イ
ルオキシ基、１−メトキシプロパン−２−イルオキシ
基、２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ基、２−エ
トキシエトキシ基、２−エトキシプロパン−２−イルオ
キシ基、２−iso−プロポキシエトキシ基、２−ブトキ
シエトキシ基、２−iso−ブトキシエトキシ基、２−ｔ
−ブトキシエトキシ基、２−（２−ブトキシエトキシ）
エトキシ基等の直鎖又は分岐のアルコキシアルコキシ
基；２−ジメチルアミノエトキシ基、２−（２−ジメチ
ルアミノエトキシ）エトキシ基、４−ジメチルアミノブ
トキシ基、１−ジメチルアミノプロパン−２−イルオキ
シ基、３−ジメチルアミノプロポキシ基、２−ジメチル
アミノ−２−メチルプロポキシ基、２−ジエチルアミノ
エトキシ基、２−（２−ジエチルアミノエトキシ）エト
キシ基、３−ジエチルアミノプロポキシ基、１−ジエチ
ルアミノプロポキシ基、２−ジ−iso−プロピルアミノ
エトキシ基、２−ジ−ｎ−ブチルアミノエトキシ基等の
直鎖又は分岐のジアルキルアミノアルコキシ基；フェノ
キシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキ
シ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェ
ノキシ基、４−iso−プロピルフェノキシ基等のアリー
ルオキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピ
ルチオ基、iso−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、i
so−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチル
チオ基、n-ペンチルチオ基、iso−ペンチルチオ基、２
−メチルブチルチオ基、１−メチルブチルチオ基、neo
−ペンチルチオ基、１，２−ジメチルプロピルチオ基、
１，１−ジメチルプロピルチオ基等のアルキルチオ基；
フェニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メト
キシフェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基等
のアリールチオ基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲン原子を挙げることができる。2-methoxyethoxy group, 1-methoxybutan-2-yloxy group, 1-methoxybutan-1-yloxy group, 1-methoxypropan-2-yloxy group, 2- (2-methoxyethoxy) ethoxy group, 2-ethoxyethoxy group, 2-ethoxypropan-2-yloxy group, 2-iso-propoxyethoxy group, 2-butoxyethoxy group, 2-iso-butoxyethoxy group, 2-t
-Butoxyethoxy group, 2- (2-butoxyethoxy)
A linear or branched alkoxyalkoxy group such as an ethoxy group; a 2-dimethylaminoethoxy group, a 2- (2-dimethylaminoethoxy) ethoxy group, a 4-dimethylaminobutoxy group, a 1-dimethylaminopropan-2-yloxy group, 3-dimethylaminopropoxy group, 2-dimethylamino-2-methylpropoxy group, 2-diethylaminoethoxy group, 2- (2-diethylaminoethoxy) ethoxy group, 3-diethylaminopropoxy group, 1-diethylaminopropoxy group, 2-di Linear or branched dialkylaminoalkoxy groups such as -iso-propylaminoethoxy group, 2-di-n-butylaminoethoxy group; phenoxy group, 2-methylphenoxy group, 4-methylphenoxy group, 4-t-butyl Phenoxy group, 2-methoxyphenoxy group, 4-iso-p Pirufenokishi aryloxy group such as a group; methylthio group, ethylthio group, n- propylthio group, iso- propylthio group, n- butylthio group, i
so-butylthio group, sec-butylthio group, t-butylthio group, n-pentylthio group, iso-pentylthio group, 2
-Methylbutylthio group, 1-methylbutylthio group, neo
-Pentylthio group, 1,2-dimethylpropylthio group,
Alkylthio groups such as 1,1-dimethylpropylthio group;
Arylthio groups such as phenylthio group, 4-methylphenylthio group, 2-methoxyphenylthio group, and 4-t-butylphenylthio group; and halogen atoms of fluorine, chlorine, bromine and iodine.

【００２５】一般式（１）で示されるジピロメテン系化
合物と一緒にキレート化合物を形成する金属としては、
一般にジピロメテン系化合物とキレート化合物を形成す
る能力を有する金属であれば特に制限されないが、ニッ
ケル、コバルト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、銅、オスミウム、イリジウム、白金、マンガン、亜
鉛等の遷移元素やホウ素原子が好ましい。The metal forming a chelate compound together with the dipyrromethene compound represented by the general formula (1) includes
Generally, there is no particular limitation as long as the metal has the ability to form a chelate compound with a dipyrromethene-based compound, but transition elements such as nickel, cobalt, iron, ruthenium, rhodium, palladium, copper, osmium, iridium, platinum, manganese, and zinc, A boron atom is preferred.

【００２６】本発明の一般式（１）で示されるジピロメ
テン系化合物と金属イオンとのジピロメテン金属キレー
ト化合物は、以下のようにして容易に製造することがで
きる。即ち、代表的には、まず、例えば臭化水素酸、塩
化水素等の酸触媒の存在下、一般式（４）で示される化
合物と一般式（５）で示される化合物、または一般式
（６）で示される化合物と一般式（７）で示される化合
物とを反応させ、一般式（１）で示されるジピロメテン
系化合物を製造する。そして、一般式（２）で示される
ジピロメテン金属キレート化合物を製造するには、得ら
れた一般式（１）で示されるジピロメテン系化合物に、
ニッケル、コバルト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、銅、オスミウム、イリジウム、白金、マンガ
ン、亜鉛等の酢酸塩、ハロゲン化物を反応させる。又、
一般式（３）で示されるジピロメテン金属キレート化合
物を製造するには、得られた一般式（１）で示されるジ
ピロメテン系化合物に、三フッ化ホウ素酸、三塩化ホウ
素酸を反応させたり、さらに、このようにして得られた
Ｘ₁、Ｘ₂がハロゲン原子である化合物に、ナトリウムメ
トキシド、カリウムエトキシド等のアルコキシド類、ナ
トリウムフェノキシド、ナトリウム−２−メトキシフェ
ノキシド等のフェノキシド類、ブチルマグネシウムブロ
マイド、ブチルリチウム、フェニルマグネシウムブロマ
イド等の有機金属試薬類、メチルメルカプタンナトリウ
ム、４−ｔ−ブチルフェニルチオールナトリウム塩等の
チオール塩類などと反応させ、ハロゲン原子を置換して
目的の化合物を得ることができる。The dipyrromethene metal chelate compound of the present invention represented by the general formula (1) and a metal ion can be easily produced as follows. That is, typically, first, a compound represented by the general formula (4) and a compound represented by the general formula (5) or a compound represented by the general formula (6) in the presence of an acid catalyst such as hydrobromic acid and hydrogen chloride. ) Is reacted with a compound represented by the general formula (7) to produce a dipyrromethene compound represented by the general formula (1). Then, in order to produce the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (2), the obtained dipyrromethene-based compound represented by the general formula (1)
React with acetates and halides such as nickel, cobalt, iron, ruthenium, rhodium, palladium, copper, osmium, iridium, platinum, manganese and zinc. or,
In order to produce the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (3), the obtained dipyrromethene compound represented by the general formula (1) is reacted with boron trifluoride or boron trichloride, The compounds thus obtained wherein X ₁ and X ₂ are halogen atoms include alkoxides such as sodium methoxide and potassium ethoxide, phenoxides such as sodium phenoxide and sodium-2-methoxyphenoxide, and butylmagnesium bromide. Butyllithium, phenylmagnesium bromide, and other organometallic reagents, thiol salts such as sodium methylmercaptan, and sodium 4-t-butylphenylthiol, and the like, to replace the halogen atom to obtain the desired compound. .

【００２７】[0027]

【化７】 （式中、Ｒ₄、Ｒ₅及びＡは前記に同じ。）Embedded image (In the formula, R ₄ , R ₅ and A are the same as described above.)

【００２８】[0028]

【化８】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は前記に同じ。）Embedded image (In the formula, R ₁ , R ₂ and R ₃ are the same as described above.)

【００２９】[0029]

【化９】 （式中、Ｒ₅及びＡは前記に同じ。）Embedded image (In the formula, R ₅ and A are the same as described above.)

【００３０】[0030]

【化１０】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は前記に同じ。）Embedded image (In the formula, R ₁ , R ₂ , R ₃ and R ₄ are the same as described above.)

【００３１】一般式（１）で示されるジピロメテン系化
合物と金属イオンとのジピロメテン金属キレート化合物
の具体例としては、表−１及び表−２に示す置換基及び
金属を有する化合物が挙げられる。尚、表−１及び表−
２に示す置換基とは、前記一般式（２）及び（３）の置
換基をそれぞれ示している。Specific examples of the dipyrromethene metal chelate compound of the dipyrromethene compound represented by the general formula (1) and a metal ion include compounds having a substituent and a metal shown in Tables 1 and 2. Table-1 and Table-
The substituents shown in 2 are the substituents of the general formulas (2) and (3), respectively.

【００３２】[0032]

【表１】 [Table 1]

【００３３】[0033]

【表２】 [Table 2]

【００３４】[0034]

【表３】 [Table 3]

【００３５】本発明の具体的構成について以下に説明す
る。本発明の光記録媒体は図１に示すような貼り合わせ
構造を有している。すなわち、基板１上に記録層２が形
成されており、その上に密着して反射層３が設けられて
おり、さらにその上に接着層４を介して基板５が貼り合
わされている。ただし、記録層２の下または上に別の層
があっても良く、反射層３の上に別の層があっても良
い。The specific structure of the present invention will be described below. The optical recording medium of the present invention has a bonding structure as shown in FIG. That is, the recording layer 2 is formed on the substrate 1, the reflective layer 3 is provided in close contact with the recording layer 2, and the substrate 5 is bonded thereon via the adhesive layer 4. However, another layer may be provided below or above the recording layer 2, and another layer may be provided above the reflective layer 3.

【００３６】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常
ＤＶＤとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径
８０ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径
１５ｍｍ程度の穴が開いている。As a material of the substrate, basically, any material may be used as long as it is transparent at the wavelength of the recording light and the reproducing light. For example, polymer materials such as acrylic resins such as polycarbonate resin, vinyl chloride resin and polymethyl methacrylate, polystyrene resins and epoxy resins, and inorganic materials such as glass are used.
These substrate materials are formed into a disk shape by injection molding or the like. If necessary, guide grooves or pits may be formed on the substrate surface. Such guide grooves and pits
It is desirable to apply it at the time of molding the substrate, but it can also be applied using an ultraviolet curable resin layer on the substrate. When used as a normal DVD, it is a disk having a thickness of about 1.2 mm and a diameter of about 80 to 120 mm, and a hole having a diameter of about 15 mm is formed in the center.

【００３７】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、その吸収極大が４５０ｎｍ〜
６３０ｎｍ付近に存在する一般式（１）で示されるジピ
ロメテン系化合物と金属イオンとのジピロメテン金属キ
レート化合物を含有する。中でも、５２０ｎｍ〜６９０
ｎｍより選択される記録および再生レーザー波長に対し
て適度な光学定数を有する必要がある。In the present invention, a recording layer is provided on a substrate. The recording layer of the present invention has an absorption maximum of 450 nm or more.
It contains a dipyrromethene metal chelate compound of a dipyrromethene compound represented by the general formula (1) present at about 630 nm and a metal ion. Among them, 520 nm to 690
It is necessary to have an appropriate optical constant for a recording and reproducing laser wavelength selected from nm.

【００３８】光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表さ
れる（ｉは虚数単位を表す）。式中のｎ、ｋは、実数部
ｎと虚数部ｋとに相当する係数である。ここでは、ｎを
屈折率、ｋを消衰係数とする。The optical constant is represented by a complex refractive index (n + ki) (i represents an imaginary unit). N and k in the expression are coefficients corresponding to the real part n and the imaginary part k. Here, n is a refractive index, and k is an extinction coefficient.

【００３９】一般に有機色素の屈折率と消衰係数は大き
な波長依存性を示す。この特徴を考慮して、目的とする
レーザー波長において好ましい光学定数を有する有機色
素を選択し、記録層を製膜することで、高い反射率を有
し、かつ、感度の良い媒体とすることができる。In general, the refractive index and extinction coefficient of an organic dye show a large wavelength dependence. In consideration of this feature, by selecting an organic dye having a preferable optical constant at the target laser wavelength and forming a recording layer, it has a high reflectance, and can be a medium with high sensitivity. it can.

【００４０】本発明によれば、記録層に必要な光学定数
は、前記レーザー光の波長において、ｎが１．８以上、
かつ、ｋが０．０４〜０．４０であり、好ましくは、ｎ
が２． ０以上で、かつ、ｋが０．０４〜０．２０であ
る。ｎが１．８より小さい値になると正確な信号読み取
りに必要な反射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４
０を越えても反射率が低下して良好な再生信号が得られ
ないだけでなく、再生光により信号が変化しやすく実用
に適さない。この特徴を考慮して、目的とするレーザー
波長において好ましい光学定数を有する有機色素を選択
し記録層を成膜することで、高い反射率を有し、かつ、
感度の良い媒体とすることができる。本発明で使用する
一般式（１）で示されるジピロメテン系化合物と金属イ
オンとのジピロメテン金属キレート化合物は、いずれも
上記の好ましい光学定数を有するものである。According to the present invention, the optical constant required for the recording layer is such that n is 1.8 or more at the wavelength of the laser light,
And k is 0.04 to 0.40, preferably n
Is 2. 0 or more, and k is 0.04 to 0.20. If n is smaller than 1.8, the reflectance and signal modulation required for accurate signal reading cannot be obtained, and k is 0.4.
If the value exceeds 0, not only is the reflectance lowered and a good reproduction signal cannot be obtained, but also the signal is easily changed by the reproduction light, which is not suitable for practical use. In consideration of this feature, by selecting an organic dye having a preferable optical constant at the target laser wavelength and forming a recording layer, having a high reflectance, and,
A medium with good sensitivity can be obtained. The dipyrromethene metal chelate compound of the dipyrromethene compound represented by the general formula (1) and a metal ion used in the present invention has a preferable optical constant as described above.

【００４１】本発明の光記録媒体を５２０ｎｍ〜６９０
ｎｍから選択されるレーザー光で再生することは、基本
的には、反射率が２０％あれば一応可能であるが、３０
％以上の反射率が好ましい。The optical recording medium of the present invention has a thickness of 520 nm to 690.
Reproduction with a laser beam selected from nm is basically possible if the reflectivity is 20%.
% Is preferred.

【００４２】また、記録特性などの改善のために、波長４
５０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を持ち、５２０ｎｍ〜
６９０ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の色素と混合し
ても良い。具体的には、シアニン色素、スクアリリウム
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色
素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオ
ピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニル
メタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色
素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニ
ン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサ
ジン系色素などがあり、複数の色素の混合であっても良
い。これらの色素の混合割合は、０．１％〜３０％程度
である。In order to improve recording characteristics and the like, a wavelength of 4
It has an absorption maximum at 50 nm to 630 nm, and
It may be mixed with other dyes having a large refractive index at 690 nm. Specifically, cyanine dyes, squarylium dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes,
Porphyrin dyes, tetrapyraporphyrazine dyes, indophenol dyes, pyrylium dyes, thiopyrylium dyes, azurenium dyes, triphenylmethane dyes, xanthene dyes, indathrene dyes, indigo dyes, thioindigo dyes And merocyanine dyes, thiazine dyes, acridine dyes, oxazine dyes, and the like, and a mixture of a plurality of dyes may be used. The mixing ratio of these dyes is about 0.1% to 30%.

【００４３】記録層を製膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのような効
果を有する化合物を前記色素の置換基として導入するこ
とも可能である。When forming the recording layer, if necessary, a quencher, a dye decomposition accelerator, an ultraviolet absorber, an adhesive, or the like is mixed with the above-mentioned dye, or a compound having such an effect. Can be introduced as a substituent of the dye.

【００４４】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフ
ェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミン
も好適である。Specific examples of the quencher include metal such as bisacetylthionates, bisdithio-α-diketones, bisdithiols such as bisphenyldithiols, thiocatechols, salicylaldehyde oximes, and thiobisphenolates. Complexes are preferred. Amines are also suitable.

【００４５】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。Examples of the thermal decomposition accelerator include metal compounds such as metal anti-knocking agents, metallocene compounds, and acetylacetonate metal complexes.

【００４６】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などを併用することもできる。好まし
いバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、
ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタ
ン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポ
リオレフィンなどが挙げられる。Further, if necessary, a binder, a leveling agent, an antifoaming agent and the like can be used in combination. Preferred binders include polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, nitrocellulose, cellulose acetate,
Ketone resin, acrylic resin, polystyrene resin, urethane resin, polyvinyl butyral, polycarbonate, polyolefin and the like can be mentioned.

【００４７】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。When a recording layer is formed on a substrate, in order to improve the solvent resistance, reflectance, recording sensitivity, etc. of the substrate,
A layer made of an inorganic substance or a polymer may be provided on the substrate.

【００４８】ここで、記録層における一般式（１）で示
されるジピロメテン系化合物と金属イオンとのジピロメ
テン金属キレート化合物の含有量は、３０％以上、好ま
しくは６０％以上である。尚、実質的に１００％である
ことも好ましい。Here, the content of the dipyrromethene metal chelate compound of the dipyrromethene compound represented by the general formula (1) and the metal ion in the recording layer is 30% or more, preferably 60% or more. In addition, it is also preferable that it is substantially 100%.

【００４９】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。Examples of the method for providing the recording layer include coating methods such as spin coating, spraying, casting, and dipping, sputtering, chemical vapor deposition, and vacuum vapor deposition. Is preferred.

【００５０】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示されるジピロメテン系化合物と
金属イオンとのジピロメテン金属キレート化合物を１〜
４０重量％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶
媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この
際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが
好ましい。例えば、メタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、アリル
アルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テ
トラフルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘ
キサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジ
メチルシクロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水
素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族
炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラク
ロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素
系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソ
プロピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、
アセトン、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノンなどのケ
トン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル系
溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても良
く、あるいは、複数混合しても良い。When a coating method such as a spin coating method is used, a dipyrromethene metal chelate compound of a dipyrromethene compound represented by the general formula (1) and a metal ion may be used in an amount of 1 to 1
A coating solution dissolved or dispersed in a solvent is used in an amount of 40% by weight, preferably 3 to 30% by weight. At this time, it is preferable to select a solvent that does not damage the substrate. For example, alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, octafluoropentanol, allyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, and tetrafluoropropanol, hexane, heptane, octane, decane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, dimethylcyclohexane Aliphatic or alicyclic hydrocarbon solvents such as, toluene, xylene, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, carbon tetrachloride, chloroform, tetrachloroethane, halogenated hydrocarbon solvents such as dibromoethane, diethyl ether, Ether solvents such as dibutyl ether, diisopropyl ether, dioxane,
Examples include ketone solvents such as acetone and 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone, ester solvents such as ethyl acetate and methyl lactate, and water. These may be used alone or in combination.

【００５１】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。If necessary, the dye of the recording layer may be dispersed in a polymer thin film or the like.

【００５２】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。When a solvent that does not damage the substrate cannot be selected, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, or the like is effective.

【００５３】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。色素層
の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため
記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅
が小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は
反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。The thickness of the dye layer is not particularly limited, but is preferably 50 nm to 300 nm. If the thickness of the dye layer is less than 50 nm, recording cannot be performed due to large thermal diffusion, or a recording signal will be distorted and the signal amplitude will be small. On the other hand, when the film thickness is larger than 300 nm, the reflectivity decreases and the reproduction signal characteristics deteriorate.

【００５４】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射層の材料と
しては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例え
ば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、
Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属お
よび半金族を挙げることができる。また、Ａｕを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。Next, on the recording layer, preferably 50 nm
A reflective layer having a thickness of 300 nm is formed. As a material of the reflection layer, a material having sufficiently high reflectance at the wavelength of the reproduction light, for example, Au, Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, P
The metals t, Ta, Cr and Pd can be used alone or as an alloy. Among them, Au, Al,
Ag has a high reflectance and is suitable as a material for the reflective layer. In addition, the following may be included. For example, M
g, Se, Hf, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, F
e, Co, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, S
Examples include metals such as i, Ge, Te, Pb, Po, Sn, and Bi and metalloids. Further, those containing Au as a main component are preferable because a reflection layer having high reflectance can be easily obtained. Here, the main component means a component having a content of 50% or more. It is also possible to form a multilayer film by alternately stacking low-refractive-index thin films and high-refractive-index thin films with a material other than a metal, and use it as a reflective layer.

【００５５】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。As a method of forming the reflection layer, for example,
Examples include a sputtering method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method, and a vacuum vapor deposition method. In addition, a known inorganic or organic intermediate layer or adhesive layer may be provided on the substrate or below the reflective layer to improve the reflectance, the recording characteristics, and the adhesion.

【００５６】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げること
ができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ
₄、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂などが挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性 樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液
を塗布し、乾燥することによって形成することができ
る。紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒
に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、
紫外線を照射して硬化させることによって形成すること
ができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタ
ンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステル
アクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることがで
きる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても
良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。The material of the protective layer on the reflective layer is not particularly limited as long as it protects the reflective layer from external force. As organic substances, thermoplastic resins, thermosetting resins,
An electron beam curable resin, an ultraviolet curable resin, and the like can be given. Further, as the inorganic substance, SiO ₂ , Si ₃ N
₄ , MgF ₂ , SnO _{2 and the} like. A thermoplastic resin, a thermosetting resin, or the like can be formed by dissolving in a suitable solvent, applying a coating solution, and drying. The ultraviolet curable resin is applied as it is or after dissolving it in an appropriate solvent to prepare a coating solution,
It can be formed by irradiating and curing ultraviolet rays. As the ultraviolet curable resin, for example, acrylate resins such as urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyester acrylate can be used. These materials may be used alone or as a mixture, and may be used not only as a single layer but also as a multilayer film.

【００５７】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。As a method of forming the protective layer, a coating method such as a spin coating method or a casting method, a sputtering method or a chemical vapor deposition method is used as in the recording layer. Of these, the spin coating method is preferable.

【００５８】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは５μｍ〜２０μｍであ
る。The thickness of the protective layer is generally 0.1 μm to 1 μm.
In the present invention, the range is from 3 μm to
It is 30 μm, more preferably 5 μm to 20 μm.

【００５９】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。A label or the like can be further printed on the protective layer.

【００６０】また、反射層面に保護シートまたは基板を
張り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。Alternatively, a protective sheet or a substrate may be bonded to the reflective layer surface, or two optical recording media may be bonded together with the reflective layer surfaces facing each other.

【００６１】また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の
付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を製
膜しても良い。Further, an ultraviolet curable resin, an inorganic thin film, or the like may be formed on the mirror surface of the substrate to protect the surface and prevent adhesion of dust and the like.

【００６２】本発明でいう波長５２０ｎｍ〜６９０ｎｍ
のレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域
の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３３
ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波
長６８０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レー
ザー、波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーなど
が挙げられる。本発明では、これらから選択される１波
長または複数波長において高密度記録および再生が可能
となる。The wavelength of 520 to 690 nm in the present invention
The laser is not particularly limited. For example, a dye laser capable of selecting a wavelength in a wide range of a visible light region or a wavelength of 633 is used.
helium-neon laser, high-power semiconductor lasers with wavelengths of around 680, 650, and 635 nm, and a harmonic conversion YAG laser with a wavelength of 532 nm. According to the present invention, high-density recording and reproduction can be performed at one wavelength or a plurality of wavelengths selected from these.

【００６３】[0063]

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れにより何ら限定されるものではない。EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited thereto.

【００６４】［実施例１］ジピロメテン金属キレート化
合物（２−１）の合成 窒素気流下、エタノール５０mLに１−フェニル−４−ア
ザイソインドール０．２８ｇ及び２−ホルミル−３，５
−ジフェニルピロール０．３６ｇを溶解し、４７％−臭
化水素酸０．２６ｇを滴下し、還流温度で１時間撹拌し
た。溶媒を留去した後、残渣にトルエンを添加し、水洗
後、濃縮した残渣にヘキサンを添加して析出した結晶を
濾取し、ヘキサンで洗浄して、下記構造式（１−ａ）で
示される化合物０．４６ｇを得た。Example 1 Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (2-1) 0.28 g of 1-phenyl-4-azaisoindole and 2-formyl-3,5 in 50 mL of ethanol under a nitrogen stream.
-Diphenylpyrrole (0.36 g) was dissolved, 47% -hydrobromic acid (0.26 g) was added dropwise, and the mixture was stirred at reflux temperature for 1 hour. After evaporating the solvent, toluene was added to the residue, and after washing with water, hexane was added to the concentrated residue. The precipitated crystals were collected by filtration, washed with hexane, and represented by the following structural formula (1-a). 0.46 g of the compound obtained was obtained.

【００６５】[0065]

【化１１】 Embedded image

【００６６】[0066]

【表４】 [Table 4]

【００６７】次に、窒素気流下、エタノール３０mLに式
（１−ａ）で示された化合物０．１７ｇを溶解し、酢酸
銅１水和物０．８６ｇを加えて、還流温度で３時間撹拌
した。冷却後、析出物を濾取し、水洗後、エタノールで
洗浄して下記構造式（２−１）で示される化合物を０．
１３ｇ得た。Next, under a nitrogen stream, 0.17 g of the compound represented by the formula (1-a) is dissolved in 30 mL of ethanol, 0.86 g of copper acetate monohydrate is added, and the mixture is stirred at reflux temperature for 3 hours. did. After cooling, the precipitate was collected by filtration, washed with water, and then washed with ethanol to give the compound represented by the following structural formula (2-1) in 0.1.
13 g were obtained.

【００６８】[0068]

【化１２】 Embedded image

【００６９】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, it was confirmed that the substance was the target substance.

【００７０】[0070]

【表５】 [Table 5]

【００７１】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５９０ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は０．７３×１０⁵mL／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 590 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 0.73 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【００７２】［実施例２］ジピロメテン金属キレート化
合物（２−２）の合成 窒素気流下、エタノール１５０mLに１−（２，４−ジイ
ソプロピルフェニル)−ベンゾ［ｆ］イソインドール
２．６ｇ及び２−ホルミル−３，５−ジメチル−４−エ
チルピロール１．２ｇを溶解し、４７％−臭化水素酸
１．４ｇを滴下した後、室温下に２時間撹拌し、さらに
４５℃で１時間撹拌した。溶媒を留去した後、残渣にト
ルエンを添加し、水洗後、濃縮した残渣をカラム精製を
して、下記構造式（１−ｂ）で示される化合物２．１５
ｇを得た。Example 2 Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (2-2) In a nitrogen stream, 2.6 g of 1- (2,4-diisopropylphenyl) -benzo [f] isoindole and 150 g of 2-formyl were added to 150 mL of ethanol. After dissolving 1.2 g of -3,5-dimethyl-4-ethylpyrrole and dropping 1.4 g of 47% -hydrobromic acid, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and further at 45 ° C. for 1 hour. After the solvent was distilled off, toluene was added to the residue, washed with water, and the concentrated residue was subjected to column purification to give a compound 2.15 represented by the following structural formula (1-b).
g was obtained.

【００７３】[0073]

【化１３】 Embedded image

【００７４】下記の分析結果より、（１−ｂ）であるこ
とを確認した。From the following analysis results, it was confirmed that (1-b).

【００７５】[0075]

【表６】 [Table 6]

【００７６】次に、窒素気流下、エタノール３００mLに
式（１−ｂ）で示された化合物０．１ｇを溶解し、ビス
（アセチルアセトナト）銅（II）０．５７ｇを加えて、
還流温度で１６時間撹拌した。溶媒を１５０mL留去後冷
却し、析出物を濾取し、水洗後、エタノールで洗浄して
下記構造式（２−２）で示される化合物を０．２６ｇ得
た。Then, under a nitrogen stream, 0.1 g of the compound represented by the formula (1-b) was dissolved in 300 mL of ethanol, and 0.57 g of bis (acetylacetonato) copper (II) was added.
Stirred at reflux temperature for 16 hours. After distilling off 150 mL of the solvent and cooling, the precipitate was collected by filtration, washed with water, and then washed with ethanol to obtain 0.26 g of a compound represented by the following structural formula (2-2).

【００７７】[0077]

【化１４】 Embedded image

【００７８】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, it was confirmed that the target substance was obtained.

【００７９】[0079]

【表７】 [Table 7]

【００８０】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において６０１ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は０．４５×１０⁵mL／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained exhibited a maximum absorption at 601 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 0.45 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【００８１】［実施例３］ジピロメテン金属キレート化
合物（２−３）の合成 次に、窒素気流下、エタノール１００mLに式（１−ｂ）
で示された化合物０．５ｇを溶解し、酢酸亜鉛２水和物
０．２４ｇを加えて、還流温度で５時間撹拌した。溶媒
を５０mL留去後冷却し、析出物を濾取し、水洗後、エタ
ノールで洗浄して下記構造式（２−３）で示される化合
物を０．３３ｍｇ得た。[Example 3] Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (2-3) Then, under a nitrogen stream, 100 mL of ethanol was added to formula (1-b).
Was dissolved, 0.24 g of zinc acetate dihydrate was added, and the mixture was stirred at reflux temperature for 5 hours. The solvent was distilled off after distilling off 50 mL, and the precipitate was collected by filtration, washed with water, and then washed with ethanol to obtain 0.33 mg of a compound represented by the following structural formula (2-3).

【００８２】[0082]

【化１５】 Embedded image

【００８３】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, it was confirmed that the product was the target product.

【００８４】[0084]

【表８】 [Table 8]

【００８５】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５９６ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は１．５８×１０⁵mL／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained exhibited a maximum absorption at 596 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 1.58 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【００８６】［実施例４］ジピロメテン金属キレート化
合物（２−４）の合成 次に、窒素気流下、エタノール５００mLに式（１−ｂ）
で示された化合物２ｇを溶解し、酢酸コバルト４水和物
１．０８ｇを加えて、還流温度で５時間撹拌した。溶媒
を３００mL留去後冷却し、析出物を濾取し、水洗後、エ
タノールで洗浄して下記構造式（２−４）で示される化
合物を０．５９ｇ得た。Example 4 Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (2-4) Next, under a nitrogen stream, 500 mL of ethanol was added to the formula (1-b).
Was dissolved, 1.08 g of cobalt acetate tetrahydrate was added, and the mixture was stirred at reflux temperature for 5 hours. After distilling off 300 mL of the solvent and cooling, the precipitate was collected by filtration, washed with water, and washed with ethanol to obtain 0.59 g of a compound represented by the following structural formula (2-4).

【００８７】[0087]

【化１６】 Embedded image

【００８８】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, it was confirmed that the substance was the target substance.

【００８９】[0089]

【表９】 [Table 9]

【００９０】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において６３９ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は０．６４×１０⁵mL／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 639 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 0.64 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【００９１】［実施例５］ピロメテン金属キレート化合
物（２−５）の合成 窒素気流下、エタノール１２５mLに１−トルイル−ベン
ゾ［ｆ］イソインドール１．７ｇ及び２−ホルミル−
３，５−ジメチル−４−エチルピロール１．０ｇを溶解
し、４７％−臭化水素酸１．２ｇを滴下した後、室温下
に２時間撹拌し、さらに４５℃で１時間撹拌した。溶媒
を留去した後、残渣にトルエンを添加し、水洗後、濃縮
した残渣をカラム精製して、下記構造式（１−ｃ）で示
される化合物１．３ｇを得た。Example 5 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (2-5) Under a nitrogen stream, 1.7 g of 1-toluyl-benzo [f] isoindole and 125 g of 2-formyl- were added to 125 mL of ethanol.
After dissolving 1.0 g of 3,5-dimethyl-4-ethylpyrrole and dropping 1.2 g of 47% -hydrobromic acid, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and further at 45 ° C. for 1 hour. After the solvent was distilled off, toluene was added to the residue, and after washing with water, the concentrated residue was purified by column to obtain 1.3 g of a compound represented by the following structural formula (1-c).

【００９２】[0092]

【化１７】 Embedded image

【００９３】下記の分析結果より、（１−ｃ）であるこ
とを確認した。From the following analysis results, it was confirmed that the value was (1-c).

【００９４】[0094]

【表１０】 [Table 10]

【００９５】次に、窒素気流下、エタノール５０mLに式
（１−ｃ）で示された化合物２００ｍｇを溶解し、酢酸
亜鉛２水和物０．１１ｇを加えて、還流温度で２時間撹
拌した。溶媒を２５mL留去後冷却し、析出物を濾取し、
水洗後、エタノールで洗浄して下記構造式（２−５）で
示される化合物を０．１７ｇ得た。Next, 200 mg of the compound represented by the formula (1-c) was dissolved in 50 mL of ethanol under a nitrogen stream, 0.11 g of zinc acetate dihydrate was added, and the mixture was stirred at reflux temperature for 2 hours. After evaporating 25 mL of the solvent, the mixture was cooled, and the precipitate was collected by filtration.
After washing with water, the precipitate was washed with ethanol to obtain 0.17 g of a compound represented by the following structural formula (2-5).

【００９６】[0096]

【化１８】 Embedded image

【００９７】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, the product was confirmed to be the target product.

【００９８】[0098]

【表１１】 [Table 11]

【００９９】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において６０３ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は１．２９×１０⁵mL／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 603 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 1.29 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【０１００】［実施例６］ピロメテン金属キレート化合
物（２−６）の合成 次に、窒素気流下、エタノール５０mLに式（１−ｃ）で
示された化合物０．２ｇを溶解し、酢酸コバルト４水和
物０．１３ｇを加えて、還流温度で２．５時間撹拌し
た。溶媒を２５ｍＬ留去後冷却し、析出物を濾取し、水
洗後、エタノールで洗浄して下記構造式（２−６）で示
される化合物を０．１８ｇ得た。Example 6 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (2-6) Next, 0.2 g of the compound represented by the formula (1-c) was dissolved in 50 mL of ethanol under a nitrogen stream, and cobalt acetate 4 0.13 g of hydrate was added and stirred at reflux temperature for 2.5 hours. After distilling off 25 mL of the solvent and cooling, the precipitate was collected by filtration, washed with water, and then washed with ethanol to obtain 0.18 g of a compound represented by the following structural formula (2-6).

【０１０１】[0101]

【化１９】 Embedded image

【０１０２】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, it was confirmed that the substance was the target substance.

【０１０３】[0103]

【表１２】 [Table 12]

【０１０４】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において６４１ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は０．７４３×１０⁵mL／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 641 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 0.743 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【０１０５】［実施例７］ピロメテン金属キレート化合
物（２−７）の合成 次に、窒素気流下、エタノール５０mLに式（１−ｃ）で
示された化合物０．２ｇを溶解し、ビス（アセチルアセ
トナト）銅（II）０．１３ｇを加えて、還流温度で５時
間撹拌した。溶媒を２５mL留去後冷却し、析出物を濾取
し、水洗後、エタノールで洗浄して下記構造式（２−
７）で示される化合物を０．１２ｇ得た。Example 7 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (2-7) Next, 0.2 g of the compound represented by the formula (1-c) was dissolved in 50 mL of ethanol under a nitrogen stream, and bis (acetyl) was added. 0.13 g of (acetonato) copper (II) was added, and the mixture was stirred at reflux temperature for 5 hours. After distilling off 25 mL of the solvent, the mixture was cooled, and the precipitate was collected by filtration, washed with water, and then washed with ethanol to give the following structural formula (2-
0.12 g of the compound represented by 7) was obtained.

【０１０６】[0106]

【化２０】 Embedded image

【０１０７】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, the product was confirmed to be the target product.

【０１０８】[0108]

【表１３】 [Table 13]

【０１０９】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において６１５ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は０．４８×１０⁵mL／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained exhibited a maximum absorption at 615 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 0.48 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【０１１０】［実施例８］ピロメテン金属キレート化合
物（３−１）の合成 窒素気流下、エタノール１００mLに１−メシチル−ベン
ゾ［ｆ］イソインドール３ｇ及び２−ホルミル−３，５
−ジメチル−４−エチルピロール１．６ｇを溶解し、４
７％−臭化水素酸２ｇを滴下した後、室温下に５時間撹
拌した。溶媒を留去した後、残渣にトルエンを添加し、
水洗後、濃縮した残渣をカラム精製して、下記構造式
（１−ｄ）で示される化合物３．２ｇを得た。Example 8 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (3-1) 3 g of 1-mesityl-benzo [f] isoindole and 100 g of 2-formyl-3,5 in 100 mL of ethanol under a nitrogen stream.
Dissolve 1.6 g of dimethyl-4-ethylpyrrole,
After dropping 2 g of 7% -hydrobromic acid, the mixture was stirred at room temperature for 5 hours. After distilling off the solvent, toluene was added to the residue,
After washing with water, the concentrated residue was purified by column to obtain 3.2 g of a compound represented by the following structural formula (1-d).

【０１１１】[0111]

【化２１】 Embedded image

【０１１２】下記の分析結果より、（１−ｄ）であるこ
とを確認した。From the following analysis results, it was confirmed that it was (1-d).

【０１１３】[0113]

【表１４】 [Table 14]

【０１１４】次に、窒素気流下、トルエン４０mLに式
（１−ｄ）で示された化合物０．３ｇを溶解し、Ｎ，Ｎ
−ジイソプロピルアミン０．１５ｇを加えて、ボロント
リフルオリドエーテル錯体０．２ｇを滴下した後、室温
下に４時間撹拌した。トルエン抽出物を水洗後、トルエ
ンを濃縮した残渣をカラム精製して、下記構造式（３−
１）で示される化合物０．２５ｇを得た。Next, under nitrogen stream, 0.3 g of the compound represented by the formula (1-d) was dissolved in 40 mL of toluene.
-Diisopropylamine (0.15 g) was added, and boron trifluoride ether complex (0.2 g) was added dropwise, followed by stirring at room temperature for 4 hours. After washing the toluene extract with water, the residue obtained by concentrating the toluene was purified by column to obtain the following structural formula (3-
0.25 g of the compound represented by 1) was obtained.

【０１１５】[0115]

【化２２】 Embedded image

【０１１６】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, it was confirmed that the substance was the target substance.

【０１１７】[0117]

【表１５】 [Table 15]

【０１１８】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において６２７．５ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は１．６４×１０⁵mL／ｇ・ｃｍであっ
た。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 627.5 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 1.64 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【０１１９】［実施例９］ジピロメテン金属化合物（２
−１）０．２ｇをジメチルシクロヘキサン１０ｍｌに溶
解し、色素溶液を調製した。基板は、ポリカーボネート
樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．８μ
ｍ）を有する直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状
のものを用いた。Example 9 Dipyrromethene metal compound (2
-1) 0.2 g was dissolved in 10 ml of dimethylcyclohexane to prepare a dye solution. The substrate is made of a continuous guide groove made of polycarbonate resin (track pitch: 0.8μ).
m), a disk-shaped one having a diameter of 120 mm and a thickness of 0.6 mm was used.

【０１２０】この基板上に色素溶液を回転数１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、７０℃で３時間乾燥して記録層
を形成した。The dye solution was placed on the substrate at a rotational speed of 1500 r.
pm, and dried at 70 ° C for 3 hours to form a recording layer.

【０１２１】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてAuをスパッタし、厚さ
１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、ア
ルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー
２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒで
行った。Au was sputtered on this recording layer using a sputtering apparatus (CDI-900, manufactured by Balzers) to form a reflective layer having a thickness of 100 nm. Argon gas was used as a sputtering gas. The sputtering was performed under the conditions of a sputtering power of 2.5 kW and a sputtering gas pressure of 1.0 × 10 ⁻² Torr.

【０１２２】さらに反射層上に紫外線硬化性接着剤ＳＤ
−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
し、その上にポリカーボネート樹脂製で直径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状基板をのせた後、紫外線を
照射して貼り合わせた光記録媒体を作製した。Further, an ultraviolet-curable adhesive SD is applied on the reflective layer.
-301 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals) is spin-coated, and a polycarbonate resin having a diameter of 120 m is coated thereon.
After placing a disc-shaped substrate having a thickness of 0.6 mm and a thickness of 0.6 mm, the substrate was laminated by irradiating ultraviolet rays to produce an optical recording medium.

【０１２３】得られた光記録媒体に、波長６３５ｎｍで
レンズの開口数が０．６の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−
１０００）およびＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダー
を用いて、線速３．８ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷ
で最短ピット長が０．４０μｍになるように記録した。
記録後、６５０ｎｍ、６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘ
ッド（レンズの開口数は０．６）を搭載した評価装置を
用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を
測定した結果、６５０ｎｍ再生で反射率５２％、ジッタ
ー８．８％、変調度０．６７、６３５ｎｍ再生で反射率
５１％、ジッター８．８％、変調度０．６６といずれも
良好な値を示した。また、１００時間のカーボンアーク
での耐光性試験、並びに８０℃、８５％の耐湿熱試験後
も変化は見られなかった。The obtained optical recording medium is equipped with a semiconductor laser head having a wavelength of 635 nm and a lens numerical aperture of 0.6, and an optical disk evaluation apparatus (DDU- manufactured by Pulstec Industrial).
1000) and KENWOOD EFM encoder, linear velocity 3.8 m / s, laser power 10 mW
The recording was performed so that the shortest pit length was 0.40 μm.
After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with a 650 nm and 635 nm red semiconductor laser head (the numerical aperture of the lens was 0.6), and the reflectance, jitter and modulation were measured. 52%, jitter 8.8%, modulation degree 0.67, and 635 nm reproduction showed good values of 51%, jitter 8.8% and modulation degree 0.66. No change was observed even after the light resistance test with a carbon arc for 100 hours and the heat and humidity resistance test at 80 ° C. and 85%.

【０１２４】〔実施例１０〜３０〕表−１及び表−２に
記載したジピロメテン金属キレート化合物を用いる以外
は実施例９と同様にして光記録媒体を作製し、記録し
た。記録後、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍ赤色半導体レ
ーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生
し、反射率、ジッターおよび変調度を測定した結果、い
ずれも良好な値を示した。また、１００時間のカーボン
アークでの耐光性試験、並びに８０℃、８５％の耐湿熱
試験後も変化は見られなかった。[Examples 10 to 30] An optical recording medium was prepared and recorded in the same manner as in Example 9 except that the dipyrromethene metal chelate compounds described in Tables 1 and 2 were used. After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with 650 nm and 635 nm red semiconductor laser heads, and the reflectance, the jitter and the modulation were measured. No change was observed even after the light resistance test with a carbon arc for 100 hours and the heat and humidity resistance test at 80 ° C. and 85%.

【０１２５】以上の実施例１０〜３０において、各光記
録媒体を６３５ｎｍで記録して、６５０および６３５ｎ
ｍで再生したときの反射率、ジッター、変調度を表−３
にまとめて示す。尚、極大吸収は記録層として成膜した
状態で測定したものである。In Examples 10 to 30 described above, each optical recording medium was recorded at 635 nm, and 650 and 635n
Table 3 shows the reflectance, jitter, and modulation factor when reproduced at m.
Are shown together. The maximum absorption was measured in a state where the recording layer was formed.

【０１２６】〔比較例１〕実施例９において、ベンゾピ
ロメテン金属化合物（２−１）の代わりに、ペンタメチ
ンシアニン色素ＮＫ−２９２９「1,3,3,1',3',3'-ヘキ
サメチル-2',2'-(4,5,4',5'-ジベンゾ)インドジカルボ
シアニンパークロレート、日本感光色素研究所製」を用
いてテトラフルオロプロパノールに溶解してスピンコー
トする以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製し
た媒体に実施例９と同様に６３５ｎｍ半導体レーザーヘ
ッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置
（ＤＤＵ−１０００）および、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭ
エンコーダーを用いて、線速度３．８ｍ／ｓ、レーザー
パワー１０ｍＷで記録した。記録後、６５０ｎｍおよび
６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調
度を測定した結果、６５０ｎｍ再生で反射率９％、ジッ
ター２０％以上、変調度０．１３、６３５ｎｍ再生で反
射率９％、ジッター２０％以上、変調度０．１５と劣っ
ていた。また、１００時間のカーボンアークでの耐光性
試験後、信号は劣化し、再生ができなかった。[Comparative Example 1] In Example 9, a pentamethine cyanine dye NK-2929 “1,3,3,1 ′, 3 ′, 3′-hexamethyl-) was used instead of the benzopyrromethene metal compound (2-1). 2 ', 2'-(4,5,4 ', 5'-dibenzo) indodicarbocyanine perchlorate, manufactured by Japan Photographic Dye Laboratories Co., Ltd.'' Thus, an optical recording medium was manufactured. An optical disk evaluation device (DDU-1000) manufactured by Pulstec Industrial having a 635 nm semiconductor laser head mounted on the manufactured medium as in Example 9, and an EFM manufactured by KENWOOD
Recording was performed at a linear velocity of 3.8 m / s and a laser power of 10 mW using an encoder. After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with 650 nm and 635 nm red semiconductor laser heads, and the reflectance, jitter, and modulation were measured. As a result, the reflectance was 9%, the jitter was 20% or more, and the modulation was 650 nm. The reflectivity was 9%, the jitter was 20% or more, and the modulation factor was 0.15 at 0.13 and 635 nm reproduction. Also, after the light fastness test with a carbon arc for 100 hours, the signal deteriorated and could not be reproduced.

【０１２７】[0127]

【表１６】 [Table 16]

【０１２８】[0128]

【表１７】 [Table 17]

【０１２９】[0129]

【表１８】 [Table 18]

【０１３０】[0130]

【表１９】 [Table 19]

【０１３１】[0131]

【発明の効果】本発明のジピロメテン金属キレート化合
物を記録層として用いることにより、高密度光記録媒体
として非常に注目されている波長５２０〜６９０ｎｍの
レーザーで記録再生が可能で耐久性に優れた追記型光記
録媒体を提供することが可能となる。By using the dipyrromethene metal chelate compound of the present invention as a recording layer, it is possible to record / reproduce information with a laser having a wavelength of 520 to 690 nm, which has been attracting much attention as a high-density optical recording medium, and to achieve additional durability. It is possible to provide a type optical recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】従来の光記録媒体および本発明の層構成を示す
断面構造図である。FIG. 1 is a sectional structural view showing a conventional optical recording medium and a layer structure of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 接着層 ５ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Recording layer 3 Reflective layer 4 Adhesive layer 5 Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ (72)発明者 熊谷 洋二郎 大阪府八尾市弓削町南一丁目43番地 山本 化成株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁶ Identification code FI G11B 7/24 516 G11B 7/24 516 (72) Inventor Yujiro Kumagai 1-43 Minami, Yuge-cho, Yao-shi, Osaka Yamamoto Kasei Co., Ltd. (72) Inventor Denmi Misawa 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Mitsui Chemicals Co., Ltd. (72) Inventor Taizo Nishimoto 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi Kanagawa Prefecture Inside Mitsui Chemicals Co., Ltd. Mitsui Chemicals Co., Ltd. (72) Inventor Keisuke Takuma 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるジピロメテ
ン系化合物と金属イオンとのジピロメテン金属キレート
化合物。 【化１】 ［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は各々独立に水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シ基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、炭素
数１〜２０のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコ
キシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ
基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノアルコキシ
基、アルキルチオアルキル基、アルキルチオアルコキシ
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミ
ノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、アル
キルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ
基、アリールアミノカルボニル基、アリールオキシカル
ボニル基、アラルキル基、アリール基、アリールスルホ
ニル基、アリールチオ基、ヘテロアリール基、ヘテロア
リールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、ヘテロアリー
ルスルホニル基、アルキルチオ基、アルケニルオキシカ
ルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキ
シカルボニルアルコキシカルボニル基、アルキルカルボ
ニルアルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキルアミ
ノカルボニル基、ジ（ヒドロキシアルキル）アミノカル
ボニル基、アルコキシアルキルアミノカルボニル基、ジ
（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基または炭素
数２〜２０のアルケニル基を表わし、Ａは置換または未
置換の複素環およびナフタレン環を表す。］1. A dipyrromethene metal chelate compound of a dipyrromethene compound represented by the following general formula (1) and a metal ion. Embedded image [Wherein, R ₁ , R ₂ , R ₃ , R ₄ and R ₅ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a carbon number of 1 To 20 alkyl groups, halogenoalkyl groups, alkoxyalkyl groups, alkoxy groups, alkoxyalkoxy groups, aryloxy groups, dialkylaminoalkoxy groups, alkylthioalkyl groups, alkylthioalkoxy groups, acyl groups, alkoxycarbonyl groups, alkylaminocarbonyl groups, Dialkylaminocarbonyl, alkylcarbonylamino, arylcarbonylamino, arylaminocarbonyl, aryloxycarbonyl, aralkyl, aryl, arylsulfonyl, arylthio, heteroaryl, heteroaryloxy, A teloarylthio group, a heteroarylsulfonyl group, an alkylthio group, an alkenyloxycarbonyl group, an aralkyloxycarbonyl group, an alkoxycarbonylalkoxycarbonyl group, an alkylcarbonylalkoxycarbonyl group, a hydroxyalkylaminocarbonyl group, a di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl group, It represents an alkoxyalkylaminocarbonyl group, a di (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and A represents a substituted or unsubstituted heterocyclic ring and naphthalene ring. ] 【請求項２】 下記一般式（２）で示される請求項１記
載のジピロメテン金属キレート化合物。 【化２】 ［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は式（１）と同
じ意味を表し、Ｍはニッケル、コバルト、鉄、ルテニウ
ム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウム、イリジウ
ム、白金、マンガンまたは亜鉛を表す］2. The dipyrromethene metal chelate compound according to claim 1, represented by the following general formula (2). Embedded image [Wherein, R ₁ , R ₂ , R ₃ , R ₄ and R ₅ represent the same meaning as in formula (1), and M represents nickel, cobalt, iron, ruthenium, rhodium, palladium, copper, osmium, iridium, platinum Represents manganese or zinc] 【請求項３】 下記一般式（３）で示される請求項１記
載のジピロメテン金属キレート化合物。 【化３】 ［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は式（１）と同
じ意味を表し、Ｘ₁及びＸ ₂は炭素数１〜２０のアルキル
基、ハロゲノアルキル基、アルコキシアルキル基、アル
キルチオアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ア
ルコキシ基、アルコキシアルコキシアルコキシ基、アル
キルチオアルコキシ基、、ジアルキルアミノアルコキシ
アルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシアルキルチ
オ基、アルキルチオカルボニルアルキルチオ基、ジアル
キルアミノアルキルチオ基、アリールオキシ基、アリー
ルチオ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリールオキシ
基、ヘテロアリールチオ基及びハロゲン原子を表す］3. The method according to claim 1, which is represented by the following general formula (3).
Dipyrromethene metal chelate compound. Embedded image[Wherein, R₁, R_Two, R_Three, R_FourAnd R_FiveIs the same as equation (1)
Represents the same meaning, X₁And X _TwoIs alkyl having 1 to 20 carbon atoms
Group, halogenoalkyl group, alkoxyalkyl group,
Thioalkyl groups, dialkylaminoalkyl groups,
Alkoxy group, alkoxyalkoxyalkoxy group, al
Quilthioalkoxy group, dialkylaminoalkoxy
Alkoxy group, alkylthio group, alkoxyalkylthio
O group, alkylthiocarbonylalkylthio group, dial
Killaminoalkylthio, aryloxy, aryl
Luthio, heteroaryl, heteroaryloxy
Represents a group, a heteroarylthio group and a halogen atom] 【請求項４】 基板上に少なくとも記録層及び反射層を
有する光記録媒体において、記録層中に、請求項１〜３
のいずれかに記載のジピロメテン金属キレート化合物を
含有する光記録媒体。4. An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer comprises
An optical recording medium containing the dipyrromethene metal chelate compound according to any one of the above. 【請求項５】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
されるレーザー光に対して記録及び再生が可能である請
求項４記載の光記録媒体。5. The optical recording medium according to claim 4, wherein recording and reproduction can be performed with respect to a laser beam selected from a wavelength range of 520 to 690 nm.