JPH11256057A - Dipyrromethene-metal chelate compound and optical recording medium containing the same - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dipyrromethene-metal chelate compd. which comprises a dipyrromethene compd. and a dioxometal deriv. and is useful as an optical recording medium which makes recording and reproduction with a short- wavelegth laser possible and is suitable for high-density recording. SOLUTION: This dipyrromethene-metal chelate compd. is represented by the formula (wherein R1 to R7 are each H, a halogen, nitro, cyano, hydroxyl, amino, carboxyl, sulfo, alkyl, halogenoalkyl, alkoxyalkyl, alkoxy, alkoxyalkoxy, aryloxy, dialkylaminoalkoxy, alkylthioalkoxy, acyl, alkoxycarbonyl, alkylaminocarbonyl, dialkylaminocarbonyl, alkylcarbonylamino, or the like). Dioxometal derivs. such as acetylacetonate salts, acetates, etc., of Mg, Al, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Sn, Pd, etc., are listed as the dioxometal derivs. for forming the chelate compd.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なジピロメテ
ン金属キレート化合物、及びこれを用いた、従来に比較
して高密度に記録および再生可能な光記録媒体に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel dipyrromethene metal chelate compound and an optical recording medium using the same, which can record and reproduce data at a higher density than before.

【０００２】[0002]

【従来の技術】現在、ＣＤと比較して大容量な光記録媒
体として、容量４．７ＧＢであるＤＶＤが開発され、商
品化されている。ＤＶＤは再生専用媒体であるので、こ
の容量に見合った記録再生可能な光記録媒体が望まれて
いる。その中でも、追記型のものはＤＶＤ−Ｒと呼ぶ。2. Description of the Related Art At present, a DVD having a capacity of 4.7 GB has been developed and commercialized as an optical recording medium having a larger capacity than a CD. Since a DVD is a read-only medium, an optical recording medium capable of recording and reproducing data corresponding to the capacity is desired. Among them, the write-once type is called DVD-R.

【０００３】ＤＶＤでは高密度記録を行うためにレーザ
ー光の発振波長が６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ近傍とＣＤの
場合より短波長化している。このような短波長用途の有
機色素系光記録媒体の色素としては、シアニン、アゾ、
ベンゾピラン、ベンゾジフラノン、インジゴ、ジオキサ
ジン、ポルフィリン系色素等が提案されており、特開平
４−７４６９０号公報、特開平５−３８８７８号公報、
特開平６−４０１６１号公報、特開平６−４０１６２号
公報、特開平６−１９９０４５号公報、特開平６−３３
６０８６号公報、特開平７−７６１６９号公報、特開平
７−１２５４４１号公報、特開平７−２６２６０４号公
報、特開平９−１５６２１８号公報、特開平９−１９３
５４４号公報、特開平９−１９３５４５号公報、特開平
９−１９３５４７号公報、特開平９−１９４７４８号公
報、特開平９−２０２０５２号公報、特開平９−２６７
５６２号公報、特開平９−２７４７３２号公報等がある
が、耐久性の問題や、特に短波長用途に固有の問題、例
えば、絞られたレーザー光で小さいピットを開けるべき
ところが、周りへの影響が大きく分布の大きいピットに
なり、ジッターが大きくなったり、半径方向へのクロス
トークが悪化する、あるいはピットが極端に小さくなっ
て十分な変調度がとれない、などについてはなんら解決
されていないのが現状である。[0003] In order to perform high-density recording in DVDs, the oscillation wavelength of laser light is shorter than 630 nm to 680 nm as compared with CDs. Dyes of such organic dye-based optical recording media for short wavelength use include cyanine, azo,
Benzopyran, benzodifuranone, indigo, dioxazine, porphyrin dyes and the like have been proposed, JP-A-4-74690, JP-A-5-38878,
JP-A-6-40161, JP-A-6-40162, JP-A-6-199045, JP-A-6-33
6086, JP-A-7-76169, JP-A-7-125441, JP-A-7-262604, JP-A-9-156218, JP-A-9-193
544, JP-A-9-193545, JP-A-9-193747, JP-A-9-194748, JP-A-9-202052, JP-A-9-267
562, JP-A-9-274732 and the like, there is a problem of durability, especially a problem specific to a short wavelength application, for example, a place where a small pit should be opened with a narrowed laser beam has an influence on surroundings. There is no solution to the problem of large pits with large distribution, increased jitter, worse crosstalk in the radial direction, or extremely small pits and insufficient modulation. Is the current situation.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なジピロメテン金属キレート化合物、及びこれを含有す
る、波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録
および再生が可能な高密度記録に適した光記録媒体を提
供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a novel dipyrromethene metal chelate compound and a high-density recording medium containing the same, which can be recorded and reproduced with a short wavelength laser having a wavelength of 520 to 690 nm. An optical recording medium is provided.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、 下記一般式（１）で示されるジピロメテン系化合物
とジオキソ金属誘導体とのジピロメテン金属キレート化
合物、Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, completed the present invention. That is, the present invention provides a dipyrromethene metal chelate compound of a dipyrromethene compound represented by the following general formula (1) and a dioxo metal derivative:

【０００６】[0006]

【化６】 Embedded image

【０００７】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₇は各々独立に水素原子、
ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、ア
ミノ基、カルボキシル基、スルホン基、炭素数１〜２０
のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシアルキ
ル基、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アリー
ルオキシ基、ジアルキルアミノアルコキシ基、アルキル
チオアルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル
基、アルキルアミノカルボニル基、ジアルキルアミノカ
ルボニル基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカ
ルボニルアミノ基、アリールアミノカルボニル基、アリ
ールオキシカルボニル基、アラルキル基、アリール基、
ヘテロアリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、
アルケニルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
ボニル基、アルコキシカルボニルアルコキシカルボニル
基、アルキルカルボニルアルコキシカルボニル基、モノ
（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル基、ジ（ヒド
ロキシアルキル）アミノカルボニル基、モノ（アルコキ
シアルキル）アミノカルボニル基、ジ（アルコキシアル
キル）アミノカルボニル基または炭素数２〜２０のアル
ケニル基を表わす。但し、Ｒ₂とＲ₃又はＲ₅とＲ₆は結合
して芳香環を形成してもよい。）(Wherein, R _{1 to} R ₇ each independently represent a hydrogen atom,
Halogen atom, nitro group, cyano group, hydroxy group, amino group, carboxyl group, sulfone group, carbon number 1-20
Alkyl group, halogenoalkyl group, alkoxyalkyl group, alkoxy group, alkoxyalkoxy group, aryloxy group, dialkylaminoalkoxy group, alkylthioalkoxy group, acyl group, alkoxycarbonyl group, alkylaminocarbonyl group, dialkylaminocarbonyl group, alkyl Carbonylamino group, arylcarbonylamino group, arylaminocarbonyl group, aryloxycarbonyl group, aralkyl group, aryl group,
Heteroaryl group, alkylthio group, arylthio group,
Alkenyloxycarbonyl, aralkyloxycarbonyl, alkoxycarbonylalkoxycarbonyl, alkylcarbonylalkoxycarbonyl, mono (hydroxyalkyl) aminocarbonyl, di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl, mono (alkoxyalkyl) aminocarbonyl, (Alkoxyalkyl) represents an aminocarbonyl group or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. However, R ₂ and R ₃ or R ₅ and R ₆ may combine to form an aromatic ring. )

【０００８】 下記一般式（２）で示される記載の
ジピロメテン金属キレート化合物、A dipyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (2):

【０００９】[0009]

【化７】 Embedded image

【００１０】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₇は前記一般式（１）と同
じ意味を表わし、Ｒ₈〜Ｒ₁₀は各々独立に水素原子、ハ
ロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミ
ノ基、カルボキシル基、スルホン基、炭素数１〜２０の
アルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシアルキル
基、アルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル
基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、または炭素数２〜２０
のアルケニル基を表わす。Ｍはマグネシウム、アルミニ
ウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、
スズ、パラジウムを表わす。）(Wherein, R _{1 to} R ₇ have the same meaning as in the above formula (1), and R _{8 to} R ₁₀ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group) Group, carboxyl group, sulfone group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, halogenoalkyl group, alkoxyalkyl group, alkoxy group, acyl group, alkoxycarbonyl group, aralkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkylthio group, arylthio group , Or 2-20 carbon atoms
Represents an alkenyl group of M is magnesium, aluminum, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc,
Represents tin and palladium. )

【００１１】 下記一般式（３）で示される記載の
ジピロメテン金属キレート化合物、A dipyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (3):

【００１２】[0012]

【化８】 Embedded image

【００１３】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₇は前記一般式（１）と同
じ意味を表わし、Ｒ₁₁は水素原子、ハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシ
ル基、スルホン基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロ
ゲノアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキル
基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、または炭素数２〜２０のアルケニル基
を表わす。Ｍは前記一般式（２）と同じ意味を表わ
す。）(Wherein R _{1 to} R ₇ have the same meanings as in the above formula (1), and R ₁₁ represents a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfone Group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, halogenoalkyl group, alkoxyalkyl group, alkoxy group, acyl group, alkoxycarbonyl group, aralkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkylthio group,
Represents an arylthio group or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. M has the same meaning as in the general formula (2). )

【００１４】 下記一般式（４）で示される又は
記載のジピロメテン金属キレート化合物A dipyrromethene metal chelate compound represented or described by the following general formula (4):

【００１５】[0015]

【化９】 Embedded image

【００１６】（式中、Ｒ₁₂〜Ｒ₃₀は各々独立に水素原
子、ハロゲン原子、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル
基、スルホン基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲ
ノアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、
アルコキシアルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキ
ルアミノアルコキシ基、アルキルチオアルコキシ基、ア
シル基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカル
ボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、アルキルカ
ルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、アリ
ールアミノカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルオキシカル
ボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシ
カルボニルアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニ
ルアルコキシカルボニル基、モノ（ヒドロキシアルキ
ル）アミノカルボニル基、ジ（ヒドロキシアルキル）ア
ミノカルボニル基、モノ（アルコキシアルキル）アミノ
カルボニル基、ジ（アルコキシアルキル）アミノカルボ
ニル基または炭素数２〜２０のアルケニル基を表わし、
Ｒ₈〜Ｒ₁₀及びＭは前記一般式（２）と同じ意味を表
す。）(Wherein, R _{12 to} R ₃₀ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfone group, 20 alkyl groups, halogenoalkyl groups, alkoxyalkyl groups, alkoxy groups,
Alkoxyalkoxy, aryloxy, dialkylaminoalkoxy, alkylthioalkoxy, acyl, alkoxycarbonyl, alkylaminocarbonyl, dialkylaminocarbonyl, alkylcarbonylamino, arylcarbonylamino, arylaminocarbonyl, aryl Oxycarbonyl group, aralkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkylthio group, arylthio group, alkenyloxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group, alkoxycarbonylalkoxycarbonyl group, alkylcarbonylalkoxycarbonyl group, mono (hydroxyalkyl) aminocarbonyl group A di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl group, a mono (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group, Kokishiarukiru) an amino group or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms,
R _{8 to} R ₁₀ and M represent the same meaning as in the general formula (2). )

【００１７】 下記一般式（５）で示される又は
記載のジピロメテン金属キレート化合物A dipyrromethene metal chelate compound represented or described by the following general formula (5):

【００１８】[0018]

【化１０】 （式中、Ｒ₁₂〜Ｒ₃₀及びＭは前記一般式（４）と同じ意
味を表わし、Ｒ₁₁は前記一般式（３）と同じ意味を表わ
す。）Embedded image (In the formula, R _{12 to} R ₃₀ and M have the same meaning as in the general formula (4), and R ₁₁ has the same meaning as in the general formula (3).)

【００１９】 基板上に少なくとも記録層及び反射層
を有する光記録媒体において、記録層中に、〜のい
ずれかに記載のジピロメテン金属キレート化合物を含有
する光記録媒体、 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択されるレー
ザー光に対して記録及び再生が可能である記載の光記
録媒体、に関するものである。In an optical recording medium having at least a recording layer and a reflection layer on a substrate, an optical recording medium containing a dipyrromethene metal chelate compound according to any of the above in the recording layer, selected from a wavelength range of 520 to 690 nm. And an optical recording medium capable of recording and reproducing with respect to a laser beam to be recorded.

【００２０】[0020]

【発明の実施の形態】本発明の一般式（１）で示される
ジピロメテン系化合物とジオキソ金属誘導体とのジピロ
メテン金属キレート化合物の具体例について以下に説明
する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Specific examples of a dipyrromethene metal chelate compound of a dipyrromethene compound represented by the general formula (1) and a dioxo metal derivative according to the present invention will be described below.

【００２１】Ｒ₁〜Ｒ₇及びＲ₁₂〜Ｒ₃₀の具体例として
は、水素原子；ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシ基；ア
ミノ基；カルボキシル基、；スルホン基；フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素のハロゲン原子；メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチル
ブチル基、１−メチルブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、
１，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピ
ル基、ｃｙｃｌｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−
メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチル
ペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチル
ブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチ
ルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメ
チルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチル
ブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、
１，２，２−トリエチルブチル基、１，１，２−トリエ
チルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃ
ｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘ
キシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル
基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル
基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−
ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル
基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメ
チルペンチル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチ
ルヘキシル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、
４−エチル−４，５−ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデ
シル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラメチ
ルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチ
ルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブ
チルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−テ
トラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチル
ヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジ
メチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキ
シル基、１−ｃｙｃｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチル
プロピル基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメ
チルプロピル基等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環
状のアルキル基；Specific examples of R _{1 to} R ₇ and R _{12 to} R ₃₀ include a hydrogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfone group, and fluorine, chlorine, bromine and iodine. Halogen atom; methyl group, ethyl group, n-propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, iso-pentyl group, 2 -Methylbutyl group, 1-methylbutyl group, neo-pentyl group,
1,2-dimethylpropyl group, 1,1-dimethylpropyl group, cyclo-pentyl group, n-hexyl group, 4-
Methylpentyl, 3-methylpentyl, 2-methylpentyl, 1-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2,3-dimethylbutyl, 1,3-dimethylbutyl, 2,2- Dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group,
1,2,2-triethylbutyl group, 1,1,2-triethylbutyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group, c
Cyclo-hexyl group, n-heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5-methylhexyl group, 2,4-dimethylpentyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl Group, 2,5-
Dimethylhexyl group, 2,5,5-triethylpentyl group, 2,4-dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group, n-nonyl group, 3,5,5-trimethylhexyl group, n-decyl Group, 4-ethyloctyl group,
4-ethyl-4,5-dimethylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 1,3,5,7-tetramethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n -Tridecyl group, 6-methyl-4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2, Carbon number such as 4-dimethylheptyl group, 2,2,5,5-tetramethylhexyl group, 1-cyclo-pentyl-2,2-dimethylpropyl group, 1-cyclo-hexyl-2,2-dimethylpropyl group 1-20 linear, branched or cyclic alkyl groups;

【００２２】クロロメチル基、ジクロロメチル基、フル
オロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ノナフルオロブチル基等のハロゲノアルキル
基；メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｉｓｏ−プ
ロピルオキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−
メトキシブチル基等のアルコキシアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−
ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｉｓ
ｏ−ペントキシ基、ｎｅｏ−ペントキシ基、ｎ−ヘキシ
ルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基等のアルコキシ基；Halogenoalkyl groups such as chloromethyl group, dichloromethyl group, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group and nonafluorobutyl group; methoxyethyl group, ethoxyethyl group, iso-propyloxyethyl group; 3-methoxypropyl group, 2-
Alkoxyalkyl groups such as methoxybutyl group; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, iso-butoxy group, sec-
Butoxy group, t-butoxy group, n-pentoxy group, is
alkoxy groups such as o-pentoxy group, neo-pentoxy group, n-hexyloxy group, n-dodecyloxy group;

【００２３】メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ
基、３−メトキシプロピルオキ基、３−（ｉｓｏ−プロ
ピルオキシ）プロピルオキシ基等のアルコキシアルコキ
シ基；フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−
メトキシフェノキシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキ
シ基等のアリールオキシ基；２−ジメチルアミノエトキ
シ基、２−（２−ジメチルアミノエトキシ）エトキシ
基、４−ジメチルアミノブトキシ基、１−ジメチルアミ
ノプロパン−２−イルオキシ基、３−ジメチルアミノプ
ロポキシ基、２−ジメチルアミノ−２−メチルプロポキ
シ基、２−ジエチルアミノエトキシ基、２−（２−ジエ
チルアミノエトキシ）エトキシ基、３−ジエチルアミノ
プロポキシ基、１−ジエチルアミノプロポキシ基、２−
ジ−ｉｓｏ−プロピルアミノエトキシ基、２−ジ−ｎ−
ブチルアミノエトキシ基等の直鎖又は分岐のジアルキル
アミノアルコキシ基；Alkoxyalkoxy groups such as methoxyethoxy, ethoxyethoxy, 3-methoxypropyloxy, 3- (iso-propyloxy) propyloxy; phenoxy, 2-methylphenoxy, 4-methylphenoxy, 4-t-butylphenoxy group, 2-
Aryloxy groups such as methoxyphenoxy group and 4-iso-propylphenoxy group; 2-dimethylaminoethoxy group, 2- (2-dimethylaminoethoxy) ethoxy group, 4-dimethylaminobutoxy group and 1-dimethylaminopropane-2 -Yloxy group, 3-dimethylaminopropoxy group, 2-dimethylamino-2-methylpropoxy group, 2-diethylaminoethoxy group, 2- (2-diethylaminoethoxy) ethoxy group, 3-diethylaminopropoxy group, 1-diethylaminopropoxy group , 2-
Di-iso-propylaminoethoxy group, 2-di-n-
A linear or branched dialkylaminoalkoxy group such as a butylaminoethoxy group;

【００２４】２−メチルチオエトキシ基、２−エチルチ
オエトキシ基、２−ｎ−プロピルチオエトキシ基、２−
ｉｓｏ−プロピルチオエトキシ基、２−ｎ−ブチルチオ
エトキシ基、２−ｉｓｏ−ブチルチオエトキシ基のアル
キルチオアルコキシ基；ホルミル基、アセチル基、エチ
ルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉｓｏ−
プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｎ−
ペンチルカルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル
基、ｎｅｏ−ペンチルカルボニル基、２−メチルブチル
カルボニル基、ニトロベンジルカルボニル基等のアシル
基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イ
ソプロピルオキシカルボニル基、２，４−ジメチルブチ
ルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メ
チルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、
ｎ−プロピルアミノカルボニル基、ｎ−ブチルアミノカ
ルボニル基、ｎ−ヘキシルアミノカルボニル基等のアル
キルアミノカルボニル基；ジメチルアミノカルボニル
基、ジエチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−プロピルア
ミノカルボニル基、ジ−ｎ−ブチルアミノカルブニル
基、Ｎ−メチル−Ｎ−シクロヘキシルアミノカルボニル
基等のジアルキルアミノカルボニル基；2-methylthioethoxy, 2-ethylthioethoxy, 2-n-propylthioethoxy, 2-
iso-propylthioethoxy group, 2-n-butylthioethoxy group, alkylthioalkoxy group of 2-iso-butylthioethoxy group; formyl group, acetyl group, ethylcarbonyl group, n-propylcarbonyl group, iso-
Propylcarbonyl group, n-butylcarbonyl group, n-
Acyl groups such as pentylcarbonyl group, iso-pentylcarbonyl group, neo-pentylcarbonyl group, 2-methylbutylcarbonyl group and nitrobenzylcarbonyl group; methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, isopropyloxycarbonyl group and 2,4-dimethyl An alkoxycarbonyl group such as a butyloxycarbonyl group; a methylaminocarbonyl group, an ethylaminocarbonyl group,
alkylaminocarbonyl groups such as n-propylaminocarbonyl group, n-butylaminocarbonyl group and n-hexylaminocarbonyl group; dimethylaminocarbonyl group, diethylaminocarbonyl group, di-n-propylaminocarbonyl group, di-n-butyl A dialkylaminocarbonyl group such as an aminocarbenyl group or an N-methyl-N-cyclohexylaminocarbonyl group;

【００２５】アセチルアミノ基、エチルカルボニルアミ
ノ基、ブチルカルボニルアミノ基等のアルキルカルボニ
ルアミノ基；フェニルアミノカルボニル基、４−メチル
フェニルアミノカルボニル基、２−メトキシフェニルア
ミノカルボニル基、４−ｎ−プロピルフェニルアミノカ
ルボニル基等のアリールアミノカルボニル基；フェニル
カルボニルアミノ基、４−エチルフェニルカルボニルア
ミノ基、３−ブチルフェニルカルボニルアミノ基等のア
リールカルボニルアミノ基；フェノキシカルボニル基、
２−メチルフェノキシカルボニル基、４−メトキシフェ
ニルカルボニル基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニ
ル基等のアリールオキシカルボニル基；ベンジル基、ニ
トロベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジ
ル基、メチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジク
ロロベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベンジ
ル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル
基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等のアラル
キル基；フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニ
ル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、ジメ
チルフェニル基、トリメチルフェニル基、ジクロロフェ
ニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ト
リフルオロメチルフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ
フェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナ
フチル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル基、
トリフルオロメチルナフチル基等のアリール基；ピロリ
ル基、チエニル基、フラニル基、オキサゾイル基、イソ
オキサゾイル基、オキサジアゾイル基、イミダゾイル
基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾイル基、ベン
ゾイミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチア
ゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル基、
インドイル基等のヘテロアリール基；Alkylcarbonylamino groups such as acetylamino group, ethylcarbonylamino group and butylcarbonylamino group; phenylaminocarbonyl group, 4-methylphenylaminocarbonyl group, 2-methoxyphenylaminocarbonyl group and 4-n-propylphenyl An arylaminocarbonyl group such as an aminocarbonyl group; an arylcarbonylamino group such as a phenylcarbonylamino group, a 4-ethylphenylcarbonylamino group, or a 3-butylphenylcarbonylamino group; a phenoxycarbonyl group;
Aryloxycarbonyl groups such as 2-methylphenoxycarbonyl group, 4-methoxyphenylcarbonyl group and 4-t-butylphenoxycarbonyl group; benzyl group, nitrobenzyl group, cyanobenzyl group, hydroxybenzyl group, methylbenzyl group, trimethylbenzyl Group, dichlorobenzyl group, methoxybenzyl group, ethoxybenzyl group, trifluoromethylbenzyl group, naphthylmethyl group, nitronaphthylmethyl group, cyanonaphthylmethyl group, hydroxynaphthylmethyl group, methylnaphthylmethyl group, trifluoromethylnaphthylmethyl group Aralkyl groups such as phenyl, nitrophenyl, cyanophenyl, hydroxyphenyl, methylphenyl, dimethylphenyl, trimethylphenyl, dichlorophenyl, methoxyphenyl Group, ethoxyphenyl group, trifluoromethylphenyl group, N, N-dimethylaminophenyl group, naphthyl group, nitronaphthyl group, cyanonaphthyl group, hydroxynaphthyl group, methylnaphthyl group,
Aryl group such as trifluoromethylnaphthyl group; pyrrolyl group, thienyl group, furanyl group, oxazoyl group, isoxazoyl group, oxadiazoyl group, imidazoyl group, benzoxazoyl group, benzothiazoyl group, benzimidazoyl group, benzoxazoyl group , Benzothiazoyl group, benzimidazoyl group, benzofuranyl group,
A heteroaryl group such as an indoyl group;

【００２６】メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピ
ルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ
基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ
−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチ
ルチオ基、２−メチルブチルチオ基、１−メチルブチル
チオ基、ｎｅｏ−ペンチルチオ基、１，２−ジメチルプ
ロピルチオ基、１，１−ジメチルプロピルチオ基等のア
ルキルチオ基；フェニルチオ基、４−メチルフェニルチ
オ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフ
ェニルチオ基等のアリールチオ基；アリルオキシカルボ
ニル基、２−ブテノキシカルボニル基等のアルケニルオ
キシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、フェ
ネチルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボ
ニル基；メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニルメトキシカルボニル基、ｎ−プロポキ
シカルボニルメトキシカルボニル基、イソプロポキシカ
ルボニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニ
ルアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルメトキシ
カルボニル基、エチルカルボニルメトキシカルボニル基
等のアルキルカルボニルアルコキシカルボニル基；Methylthio, ethylthio, n-propylthio, iso-propylthio, n-butylthio, iso-butylthio, sec-butylthio, t-
-Butylthio group, n-pentylthio group, iso-pentylthio group, 2-methylbutylthio group, 1-methylbutylthio group, neo-pentylthio group, 1,2-dimethylpropylthio group, 1,1-dimethylpropylthio group Alkylthio groups such as phenylthio group, 4-methylphenylthio group, 2-methoxyphenylthio group, and 4-tert-butylphenylthio group; and alkenyl groups such as allyloxycarbonyl group and 2-butenoxycarbonyl group; Oxycarbonyl group; aralkyloxycarbonyl group such as benzyloxycarbonyl group and phenethyloxycarbonyl group; methoxycarbonylmethoxycarbonyl group, ethoxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonylmethoxycarbonyl group, isopropoxycarbonylmethoxy Carbonyl alkoxycarbonyl alkoxycarbonyl group such as a group; methylcarbonyl methoxycarbonyl group, alkylcarbonyl alkoxycarbonyl groups such as ethylcarbonyl, methoxycarbonyl group;

【００２７】ヒドロキシエチルアミノカルボニル基、２
−ヒドロキシプロピルアミノカルボニル基、３−ヒドロ
キシプロピルアミノカルボニル基等のモノ（ヒドロキシ
アルキル）アミノカルボニル基；ジ（ヒドロキシエチ
ル）アミノカルボニル基、ジ（２−ヒドロキシプロピ
ル）アミノカルボニル基、ジ（３−ヒドロキシプロピ
ル）アミノカルボニル基等のジ（ヒドロキシアルキル）
アミノカルボニル基；メトキシメチルアミノカルボニル
基、メトキシエチルアミノカルボニル基、エトキシメチ
ルアミノカルボニル基、エトキシエチルアミノカルボニ
ル基、プロポキシエチルアミノカルボニル基等のモノ
（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基；ジ（メト
キシエチル）アミノカルボニル基、ジ（エトキシメチ
ル）アミノカルボニル基、ジ（エトキシエチル）アミノ
カルボニル基、ジ（プロポキシエチル）アミノカルボニ
ル基等のジ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル
基；ビニル基、プロペニル基、１−ブテニル基、ｉｓｏ
−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、
２−メチル−１−ブテニル基、３−メチル−１−ブテニ
ル基、２−メチル−２−ブテニル基、２，２−ジシアノ
ビニル基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニル
基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニル基等の炭素
数２〜２０のアルケニル等を挙げることができる。Hydroxyethylaminocarbonyl group, 2
Mono (hydroxyalkyl) aminocarbonyl groups such as -hydroxypropylaminocarbonyl group and 3-hydroxypropylaminocarbonyl group; di (hydroxyethyl) aminocarbonyl group, di (2-hydroxypropyl) aminocarbonyl group, di (3-hydroxy Di (hydroxyalkyl) such as propyl) aminocarbonyl group
Aminocarbonyl group; mono (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group such as methoxymethylaminocarbonyl group, methoxyethylaminocarbonyl group, ethoxymethylaminocarbonyl group, ethoxyethylaminocarbonyl group, propoxyethylaminocarbonyl group; di (methoxyethyl) amino Di (alkoxyalkyl) aminocarbonyl groups such as carbonyl group, di (ethoxymethyl) aminocarbonyl group, di (ethoxyethyl) aminocarbonyl group, di (propoxyethyl) aminocarbonyl group; vinyl group, propenyl group, 1-butenyl group , Iso
-Butenyl group, 1-pentenyl group, 2-pentenyl group,
2-methyl-1-butenyl group, 3-methyl-1-butenyl group, 2-methyl-2-butenyl group, 2,2-dicyanovinyl group, 2-cyano-2-methylcarboxylvinyl group, 2-cyano- Examples thereof include alkenyl having 2 to 20 carbon atoms such as a 2-methylsulfone vinyl group.

【００２８】Ｒ₈〜Ｒ₁₁の具体例としては、水素原子；
ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシ基；アミノ基；カルボ
キシル基；スルホン基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の
ハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メ
チルブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチル
プロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル
基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１
−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，
３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、
２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル
基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、
２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２
−トリエチルブチル基、１，１，２−トリエチルブチル
基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−
ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、
３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メ
チルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オ
クチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘ
キシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４
−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチ
ル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル
基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル
−４，５−ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ
−ドデシル基、１，３，５，７−テトラメチルオクチル
基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル
基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチ
ル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−テトラデシル
基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル
基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘ
プチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、
１−ｃｙｃｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル
基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロ
ピル基等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアル
キル基；Specific examples of R _{8 to} R ₁₁ include a hydrogen atom;
A nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfone group, a halogen atom of fluorine, chlorine, bromine, or iodine; a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group,
iso-propyl group, n-butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, iso-pentyl group, 2-methylbutyl group, 1-methylbutyl group, neo-pentyl group, 1,2-dimethylpropyl group, 1,1-dimethylpropyl group, cyclo
-Pentyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1
-Methylpentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2,
3-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group,
2,2-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group,
2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,2,2
-Triethylbutyl group, 1,1,2-triethylbutyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group, cyclo-
Hexyl group, n-heptyl group, 2-methylhexyl group,
3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5-methylhexyl group, 2,4-dimethylpentyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, 2,5-dimethylhexyl group, 2,5,5- Triethylpentyl group, 2,4
-Dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group, n-nonyl group, 3,5,5-trimethylhexyl group, n-decyl group, 4-ethyloctyl group, 4-ethyl-4,5-dimethyl Hexyl group, n-undecyl group, n
-Dodecyl group, 1,3,5,7-tetramethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-tridecyl group, 6-methyl-4-butyloctyl group, 6,6- Diethyloctyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2,4-dimethylheptyl group, 2,2,5,5-tetramethylhexyl group ,
A linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a 1-cyclo-pentyl-2,2-dimethylpropyl group and a 1-cyclo-hexyl-2,2-dimethylpropyl group;

【００２９】クロロメチル基、ジクロロメチル基、フル
オロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ノナフルオロブチル基等のハロゲノアルキル
基；メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｉｓｏ−プ
ロピルオキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−
メトキシブチル基等のアルコキシアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−
ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｉｓ
ｏ−ペントキシ基、ｎｅｏ−ペントキシ基、ｎ−ヘキシ
ルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基等のアルコキシ基；
ホルミル基、アセチル基、エチルカルボニル基、ｎ−プ
ロピルカルボニル基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、
ｎ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、
ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ｎｅｏ−ペンチルカル
ボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、ニトロベン
ジルカルボニル基等のアシル基；メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボ
ニル基、２，４−ジメチルブチルオキシカルボニル基等
のアルコキシカルボニル基；ベンジル基、ニトロベンジ
ル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチ
ルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジクロロベンジ
ル基、メトキシベンジル基、エトキシベンジル基、トリ
フルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル基、ニトロ
ナフチルメチル基、シアノナフチルメチル基、ヒドロキ
シナフチルメチル基、メチルナフチルメチル基、トリフ
ルオロメチルナフチルメチル基等のアラルキル基；Halogenoalkyl groups such as chloromethyl group, dichloromethyl group, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group and nonafluorobutyl group; methoxyethyl group, ethoxyethyl group, iso-propyloxyethyl group; 3-methoxypropyl group, 2-
Alkoxyalkyl groups such as methoxybutyl group; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, iso-butoxy group, sec-
Butoxy group, t-butoxy group, n-pentoxy group, is
alkoxy groups such as o-pentoxy group, neo-pentoxy group, n-hexyloxy group, n-dodecyloxy group;
Formyl group, acetyl group, ethylcarbonyl group, n-propylcarbonyl group, iso-propylcarbonyl group,
n-butylcarbonyl group, n-pentylcarbonyl group,
acyl groups such as iso-pentylcarbonyl group, neo-pentylcarbonyl group, 2-methylbutylcarbonyl group and nitrobenzylcarbonyl group; methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, isopropyloxycarbonyl group and 2,4-dimethylbutyloxycarbonyl group Benzyl, nitrobenzyl, cyanobenzyl, hydroxybenzyl, methylbenzyl, trimethylbenzyl, dichlorobenzyl, methoxybenzyl, ethoxybenzyl, trifluoromethylbenzyl, naphthylmethyl Aralkyl groups such as nitronaphthylmethyl group, cyanonaphthylmethyl group, hydroxynaphthylmethyl group, methylnaphthylmethyl group, trifluoromethylnaphthylmethyl group;

【００３０】フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフ
ェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、
ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、ジクロロ
フェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル
基、トリフルオロメチルフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アミノフェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シ
アノナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチ
ル基、トリフルオロメチルナフチル基等のアリール基；
ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オキサゾイル
基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル基、イミダ
ゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾイル
基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベ
ンゾチアゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラ
ニル基、インドイル基等のヘテロアリール基；メチルチ
オ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プ
ロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ
基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペ
ンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、２−メチルブ
チルチオ基、１−メチルブチルチオ基、ｎｅｏ−ペンチ
ルチオ基、１，２−ジメチルプロピルチオ基、１，１−
ジメチルプロピルチオ基等のアルキルチオ基；フェニル
チオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェ
ニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基等のアリー
ルチオ基；ビニル基、プロペニル基、１−ブテニル基、
ｉｓｏ−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニ
ル基、２−メチル−１−ブテニル基、３−メチル−１−
ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル基、２，２−ジ
シアノビニル基、２−シアノ−２−メチルカルボキシル
ビニル基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニル基等
の炭素数２〜２０のアルケニル等を挙げることができ
る。Phenyl, nitrophenyl, cyanophenyl, hydroxyphenyl, methylphenyl,
Dimethylphenyl, trimethylphenyl, dichlorophenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, trifluoromethylphenyl, N, N-dimethylaminophenyl, naphthyl, nitronaphthyl, cyanonaphthyl, hydroxynaphthyl, methyl Aryl groups such as naphthyl group and trifluoromethylnaphthyl group;
Pyrrolyl group, thienyl group, furanyl group, oxazoyl group, isoxazoyl group, oxadiazoyl group, imidazoyl group, benzoxazoyl group, benzothiazoyl group, benzimidazoyl group, benzoxazoyl group, benzothiazoyl group, benzimidazoyl group A heteroaryl group such as benzofuranyl group, indoyl group, etc .; methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, iso-propylthio group, n-butylthio group, iso-butylthio group, sec-butylthio group, t-butylthio group, n- Pentylthio, iso-pentylthio, 2-methylbutylthio, 1-methylbutylthio, neo-pentylthio, 1,2-dimethylpropylthio, 1,1-
Alkylthio groups such as dimethylpropylthio group; arylthio groups such as phenylthio group, 4-methylphenylthio group, 2-methoxyphenylthio group and 4-t-butylphenylthio group; vinyl group, propenyl group, 1-butenyl group,
iso-butenyl group, 1-pentenyl group, 2-pentenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 3-methyl-1-
C2-C20 alkenyl such as butenyl, 2-methyl-2-butenyl, 2,2-dicyanovinyl, 2-cyano-2-methylcarboxylvinyl, and 2-cyano-2-methylsulfonevinyl; And the like.

【００３１】一般式（１）で示されるジピロメテン系化
合物と一緒にキレート化合物を形成するジオキソ金属誘
導体としては、一般にジピロメテン系化合物とキレート
化合物を形成する能力を有するものであれば特に制限さ
れないが、マグネシウム、アルミニウム、マンガン、
鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、スズ、パラジウム
等のアセチルアセトナート塩又は酢酸塩等のジオキソ誘
導体が挙げられる。The dioxometal derivative which forms a chelate compound together with the dipyrromethene compound represented by the general formula (1) is not particularly limited as long as it generally has the ability to form a chelate compound with the dipyrromethene compound. Magnesium, aluminum, manganese,
Examples include dioxo derivatives such as acetylacetonate salts such as iron, cobalt, nickel, copper, zinc, tin, and palladium, and acetate salts.

【００３２】本発明の一般式（１）で示されるジピロメ
テン系化合物とジオキソ金属誘導体とのジピロメテン金
属キレート化合物は、以下のようにして容易に製造する
ことができる。即ち、代表的には、まず、例えば臭化水
素酸、塩化水素、オキシ塩化リン等の酸触媒の存在下、
一般式（６）で示される化合物と一般式（７）で示され
る化合物、または一般式（８）で示される化合物と一般
式（９）で示される化合物を反応させるか、一般式（１
０）で示される化合物と一般式（１１）で示される化合
物、または一般式（１２）で示される化合物と一般式
（１３）で示される化合物を反応させる。あるいは一般
式（６）で示される化合物と一般式（１４）で示される
化合物を反応させるか、または一般式（１０）で示され
る化合物と一般式（１５）で示される化合物を反応させ
る。次にマグネシウム、アルミニウム、マンガン、鉄、
コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、スズ、パラジウム等の
アセチルアセトナート塩又は酢酸塩と反応させる。The dipyrromethene metal chelate compound of the dipyrromethene compound represented by the general formula (1) and the dioxo metal derivative of the present invention can be easily produced as follows. That is, typically, first, for example, in the presence of an acid catalyst such as hydrobromic acid, hydrogen chloride, phosphorus oxychloride,
The compound represented by the general formula (6) and the compound represented by the general formula (7) or the compound represented by the general formula (8) is reacted with the compound represented by the general formula (9), or the compound represented by the general formula (1)
The compound represented by formula (11) or the compound represented by formula (11) or the compound represented by formula (12) is reacted with the compound represented by formula (13). Alternatively, the compound represented by the general formula (6) is reacted with the compound represented by the general formula (14), or the compound represented by the general formula (10) is reacted with the compound represented by the general formula (15). Next, magnesium, aluminum, manganese, iron,
React with acetylacetonate salt or acetate such as cobalt, nickel, copper, zinc, tin, palladium and the like.

【００３３】[0033]

【化１１】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は前記に同じ。）Embedded image (In the formula, R ₁ , R ₂ and R ₃ are the same as described above.)

【００３４】[0034]

【化１２】 （式中、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆及びＲ₇は前記に同じ。）Embedded image (In the formula, R ₄ , R ₅ , R ₆ and R ₇ are the same as described above.)

【００３５】[0035]

【化１３】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、及びＲ₄は前記に同じ。）Embedded image (Wherein, R ₁ , R ₂ , R ₃ , and R ₄ are the same as described above.)

【００３６】[0036]

【化１４】 （式中、Ｒ₅、Ｒ₆及びＲ₇は前記に同じ。）Embedded image (In the formula, R ₅ , R ₆ and R ₇ are the same as described above.)

【００３７】[0037]

【化１５】 （式中、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈、
Ｒ₁₉及びＲ₂₀は前記に同じ。）Embedded image (Wherein, R ₁₂ , R ₁₃ , R ₁₄ , R ₁₅ , R ₁₆ , R ₁₇ , R ₁₈ ,
R ₁₉ and R ₂₀ are the same as above. )

【００３８】[0038]

【化１６】 （式中、Ｒ₂₁、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇、
Ｒ₂₈、Ｒ₂₉及びＲ₃₀は前記に同じ。）Embedded image (Wherein, R ₂₁ , R ₂₂ , R ₂₃ , R ₂₄ , R ₂₅ , R ₂₆ , R ₂₇ ,
R ₂₈ , R ₂₉ and R ₃₀ are the same as above. )

【００３９】[0039]

【化１７】 （式中、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈、
Ｒ₁₉、Ｒ₂₀、及びＲ₂₁は前記に同じ。）Embedded image (Wherein, R ₁₂ , R ₁₃ , R ₁₄ , R ₁₅ , R ₁₆ , R ₁₇ , R ₁₈ ,
R ₁₉ , R ₂₀ and R ₂₁ are the same as described above. )

【００４０】[0040]

【化１８】 （式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇、Ｒ₂₈、
Ｒ₂₉及びＲ₃₀は前記に同じ。）Embedded image (Wherein, R ₂₂ , R ₂₃ , R ₂₄ , R ₂₅ , R ₂₆ , R ₂₇ , R ₂₈ ,
R ₂₉ and R ₃₀ are the same as above. )

【００４１】[0041]

【化１９】 （式中、Ｒ₄は前記に同じ。Ｘは水素、塩素、臭素）Embedded image (Wherein R ₄ is the same as above; X is hydrogen, chlorine, bromine)

【００４２】[0042]

【化２０】 （式中、Ｒ₂₁は前記に同じ。Ｘは水素、塩素、臭素）Embedded image (Wherein, R ₂₁ is the same as above; X is hydrogen, chlorine, bromine)

【００４３】一般式（１）で示されるジピロメテン系化
合物とジオキソ金属誘導体とのジピロメテン金属キレー
ト化合物の具体例としては、表−１、表−２、表−３、
及び表−４に示す置換基及び金属を有する化合物が挙げ
られる。尚、各表はそれぞれ一般式（２）、（３）、
（４）及び（５）に対応する置換基及び金属原子Ｍを示
している。Specific examples of the dipyrromethene metal chelate compound of the dipyrromethene compound represented by the general formula (1) and the dioxo metal derivative are shown in Tables 1, 2 and 3,
And compounds having a substituent and a metal shown in Table-4. In addition, each table has the general formula (2), (3),
The substituent and the metal atom M corresponding to (4) and (5) are shown.

【００４４】[0044]

【表１】 [Table 1]

【００４５】[0045]

【表２】 [Table 2]

【００４６】[0046]

【表３】 [Table 3]

【００４７】[0047]

【表４】 [Table 4]

【００４８】本発明の具体的構成について以下に説明す
る。本発明の光記録媒体は図１に示すような貼り合わせ
構造を有している。すなわち、基板１上に記録層２が形
成されており、その上に密着して反射層３が設けられて
おり、さらにその上に接着層４を介して基板５が貼り合
わされている。ただし、記録層２の下または上に別の層
があっても良く、反射層３の上に別の層があっても良
い。The specific structure of the present invention will be described below. The optical recording medium of the present invention has a bonding structure as shown in FIG. That is, the recording layer 2 is formed on the substrate 1, the reflective layer 3 is provided in close contact with the recording layer 2, and the substrate 5 is bonded thereon via the adhesive layer 4. However, another layer may be provided below or above the recording layer 2, and another layer may be provided above the reflective layer 3.

【００４９】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常
ＤＶＤとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径
８０ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径
１５ｍｍ程度の穴が開いている。As a material of the substrate, basically, any material may be used as long as it is transparent at the wavelength of the recording light and the reproducing light. For example, polymer materials such as acrylic resins such as polycarbonate resin, vinyl chloride resin and polymethyl methacrylate, polystyrene resins and epoxy resins, and inorganic materials such as glass are used.
These substrate materials are formed into a disk shape by injection molding or the like. If necessary, guide grooves or pits may be formed on the substrate surface. Such guide grooves and pits
It is desirable to apply it at the time of molding the substrate, but it can also be applied using an ultraviolet curable resin layer on the substrate. When used as a normal DVD, it is a disk having a thickness of about 1.2 mm and a diameter of about 80 to 120 mm, and a hole having a diameter of about 15 mm is formed in the center.

【００５０】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、その吸収極大が４５０ｎｍ〜
６３０ｎｍ付近に存在する一般式（１）で示されるジピ
ロメテン系化合物とジオキソ金属誘導体とのジピロメテ
ン金属キレート化合物を含有する。中でも、５２０ｎｍ
〜６９０ｎｍより選択される記録および再生レーザー波
長に対して適度な光学定数を有する必要がある。In the present invention, a recording layer is provided on a substrate. The recording layer of the present invention has an absorption maximum of 450 nm or more.
It contains a dipyrromethene metal chelate compound of a dipyrromethene compound represented by the general formula (1) and a dioxo metal derivative present at around 630 nm. Among them, 520 nm
It is necessary to have an appropriate optical constant for a recording and reproducing laser wavelength selected from ６690 nm.

【００５１】光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表さ
れる（ｉは虚数単位を表す）。式中のｎ、ｋは、実数部
ｎと虚数部ｋとに相当する係数である。ここでは、ｎを
屈折率、ｋを消衰係数とする。The optical constant is represented by a complex refractive index (n + ki) (i represents an imaginary unit). N and k in the expression are coefficients corresponding to the real part n and the imaginary part k. Here, n is a refractive index, and k is an extinction coefficient.

【００５２】一般に有機色素の屈折率と消衰係数は大き
な波長依存性を示す。この特徴を考慮して、目的とする
レーザー波長において好ましい光学定数を有する有機色
素を選択し、記録層を成膜することで、高い反射率を有
し、かつ、感度の良い媒体とすることができる。In general, the refractive index and the extinction coefficient of an organic dye show a large wavelength dependence. In consideration of this feature, by selecting an organic dye having a preferable optical constant at the target laser wavelength and forming a recording layer, it has a high reflectance, and can be a medium with high sensitivity. it can.

【００５３】本発明によれば、記録層に必要な光学定数
は、前記レーザー光の波長において、ｎが１．８以上、
かつ、ｋが０．０４〜０．４０であり、好ましくは、ｎ
が２．０以上で、かつ、ｋが０．０４〜０．２０であ
る。ｎが１．８より小さい値になると正確な信号読み取
りに必要な反射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４
０を越えても反射率が低下して良好な再生信号が得られ
ないだけでなく、再生光により信号が変化しやすく実用
に適さない。この特徴を考慮して、目的とするレーザー
波長において好ましい光学定数を有する有機色素を選択
し記録層を成膜することで、高い反射率を有し、かつ、
感度の良い媒体とすることができる。本発明で使用する
一般式（１）で示されるジピロメテン系化合物とジオキ
ソ金属誘導体とのジピロメテン金属キレート化合物は、
いずれも上記の好ましい光学定数を有するものである。According to the present invention, the optical constant required for the recording layer is such that n is 1.8 or more at the wavelength of the laser light,
And k is 0.04 to 0.40, preferably n
Is 2.0 or more, and k is 0.04 to 0.20. If n is smaller than 1.8, the reflectance and signal modulation required for accurate signal reading cannot be obtained, and k is 0.4.
If the value exceeds 0, not only is the reflectance lowered and a good reproduction signal cannot be obtained, but also the signal is easily changed by the reproduction light, which is not suitable for practical use. In consideration of this feature, by selecting an organic dye having a preferable optical constant at the target laser wavelength and forming a recording layer, having a high reflectance, and,
A medium with good sensitivity can be obtained. The dipyrromethene metal chelate compound of the dipyrromethene compound represented by the general formula (1) and the dioxo metal derivative used in the present invention is:
All have the above preferred optical constants.

【００５４】本発明の光記録媒体を５２０ｎｍ〜６９０
ｎｍから選択されるレーザー光で再生することは、基本
的には、反射率が２０％あれば一応可能であるが、３０
％以上の反射率が好ましい。The optical recording medium of the present invention has a thickness of 520 nm to 690.
Reproduction with a laser beam selected from nm is basically possible if the reflectivity is 20%.
% Is preferred.

【００５５】また、記録特性などの改善のために、波長
４５０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を持ち、５２０ｎｍ
〜６９０ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の色素と混合
しても良い。具体的には、シアニン系色素、スクアリリ
ウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色
素、ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系
色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チ
オピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニ
ルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色
素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニ
ン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサ
ジン系色素などがあり、複数の色素の混合であっても良
い。これらの色素の混合割合は、０．１％〜３０％程度
である。In order to improve the recording characteristics, etc., it has an absorption maximum at a wavelength of 450 nm to 630 nm and has a maximum of 520 nm.
You may mix with the pigment | dye other than the above which has a large refractive index in -690 nm. Specifically, cyanine dyes, squarylium dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, porphyrin dyes, tetrapyraporphyrazine dyes, indophenol dyes, pyrylium dyes, thiopyrylium dyes, azurenium dyes, tri There are phenylmethane dyes, xanthene dyes, indazulene dyes, indigo dyes, thioindigo dyes, merocyanine dyes, thiazine dyes, acridine dyes, oxazine dyes, etc. good. The mixing ratio of these dyes is about 0.1% to 30%.

【００５６】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのような効
果を有する化合物を前記色素の置換基として導入するこ
とも可能である。When forming a recording layer, a quencher, a dye decomposition accelerator, an ultraviolet absorber, an adhesive, or the like may be mixed with the above-described dye, if necessary, or a compound having such an effect. Can be introduced as a substituent of the dye.

【００５７】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフ
ェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミン
も好適である。Specific examples of the quencher include metal acetylacetonates, bisdithio-α-diketones, bisdithiols such as bisphenyldithiols, thiocatechols, salicylaldehyde oximes, and thiobisphenolates. Complexes are preferred. Amines are also suitable.

【００５８】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。Examples of the thermal decomposition accelerator include metal compounds such as metal anti-knocking agents, metallocene compounds, and acetylacetonate metal complexes.

【００５９】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などを併用することもできる。好まし
いバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、
ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタ
ン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポ
リオレフィンなどが挙げられる。Further, if necessary, a binder, a leveling agent, an antifoaming agent and the like can be used in combination. Preferred binders include polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, nitrocellulose, cellulose acetate,
Ketone resin, acrylic resin, polystyrene resin, urethane resin, polyvinyl butyral, polycarbonate, polyolefin and the like can be mentioned.

【００６０】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。When a recording layer is formed on a substrate, in order to improve the solvent resistance, reflectance, recording sensitivity, etc. of the substrate,
A layer made of an inorganic substance or a polymer may be provided on the substrate.

【００６１】ここで、記録層における一般式（１）で示
されるジピロメテン系化合物とジオキソ金属誘導体との
ジピロメテン金属キレート化合物の含有量は、３０％以
上、好ましくは６０％以上である。尚、実質的に１００
％であることも好ましい。Here, the content of the dipyrromethene metal chelate compound of the dipyrromethene compound represented by the general formula (1) and the dioxo metal derivative in the recording layer is at least 30%, preferably at least 60%. In addition, substantially 100
% Is also preferable.

【００６２】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。The method for providing the recording layer includes, for example, a coating method such as a spin coating method, a spraying method, a casting method, and a dipping method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and a vacuum vapor deposition method. Is preferred.

【００６３】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示されるジピロメテン系化合物と
ジオキソ金属誘導体とのジピロメテン金属キレート化合
物を１〜４０重量％、好ましくは３〜３０重量％となる
ように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いる
が、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選
ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノー
ル、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロ
ソルブ、テトラフルオロプロパノールなどのアルコール
系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シク
ロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキ
サン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族または脂環
式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなど
の芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、
テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲン化
炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなどのエーテ
ル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２
−ブタノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチ
ルなどのエステル系溶媒、水などが挙げられる。これら
は単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良
い。When a coating method such as a spin coating method is used, 1 to 40% by weight, preferably 3 to 30% by weight of a dipyrromethene metal chelate compound of a dipyrromethene compound represented by the general formula (1) and a dioxo metal derivative is used. %, A coating solution dissolved or dispersed in a solvent is used. In this case, it is preferable to select a solvent that does not damage the substrate. For example, methanol, ethanol,
Alcohol solvents such as isopropyl alcohol, octafluoropentanol, allyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, and tetrafluoropropanol; aliphatics and fats such as hexane, heptane, octane, decane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, and dimethylcyclohexane Cyclic hydrocarbon solvents, toluene, xylene, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, carbon tetrachloride, chloroform,
Halogenated hydrocarbon solvents such as tetrachloroethane and dibromoethane, ether solvents such as diethyl ether, dibutyl ether, diisopropyl ether and dioxane, acetone, 3-hydroxy-3-methyl-2
-Ketone solvents such as butanone, ester solvents such as ethyl acetate and methyl lactate, and water. These may be used alone or in combination.

【００６４】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。It is to be noted that, if necessary, the dye of the recording layer may be used by dispersing it in a polymer thin film or the like.

【００６５】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。When a solvent that does not damage the substrate cannot be selected, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, or the like is effective.

【００６６】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。色素層
の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため
記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅
が小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は
反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。The thickness of the dye layer is not particularly limited, but is preferably 50 nm to 300 nm. If the thickness of the dye layer is less than 50 nm, recording cannot be performed due to large thermal diffusion, or a recording signal will be distorted and the signal amplitude will be small. On the other hand, when the film thickness is larger than 300 nm, the reflectivity decreases and the reproduction signal characteristics deteriorate.

【００６７】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射層の材料と
しては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例え
ば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、
Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ，Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属お
よび半金族を挙げることができる。また、Ａｕを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。Next, on the recording layer, preferably,
A reflective layer having a thickness of 300 nm is formed. As a material of the reflection layer, a material having sufficiently high reflectance at the wavelength of the reproduction light, for example, Au, Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, P
The metals t, Ta, Cr and Pd can be used alone or as an alloy. Among them, Au, Al,
Ag has a high reflectance and is suitable as a material for the reflective layer. In addition, the following may be included. For example, M
g, Se, Hf, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, F
e, Co, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, S
Examples include metals such as i, Ge, Te, Pb, Po, Sn, and Bi and metalloids. Further, those containing Au as a main component are preferable because a reflection layer having high reflectance can be easily obtained. Here, the main component means a component having a content of 50% or more. It is also possible to form a multilayer film by alternately stacking low-refractive-index thin films and high-refractive-index thin films with a material other than a metal, and use it as a reflective layer.

【００６８】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。As a method of forming the reflection layer, for example,
Examples include a sputtering method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method, and a vacuum vapor deposition method. In addition, a known inorganic or organic intermediate layer or adhesive layer may be provided on the substrate or below the reflective layer to improve the reflectance, the recording characteristics, and the adhesion.

【００６９】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げること
ができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ
₄、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂などが挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外
線を照射して硬化させることによって形成することがで
きる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンア
クリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアク
リレートなどのアクリレート樹脂を用いることができ
る。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良
く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。The material of the protective layer on the reflective layer is not particularly limited as long as it protects the reflective layer from external force. As organic substances, thermoplastic resins, thermosetting resins,
An electron beam curable resin, an ultraviolet curable resin, and the like can be given. Further, as the inorganic substance, SiO ₂ , Si ₃ N
₄ , MgF ₂ , SnO _{2 and the} like. A thermoplastic resin, a thermosetting resin, or the like can be formed by dissolving in a suitable solvent, applying a coating solution, and drying.
The ultraviolet curable resin can be formed by preparing a coating solution as it is or by dissolving it in an appropriate solvent, applying the coating solution, and irradiating ultraviolet rays to cure the resin. As the ultraviolet curable resin, for example, acrylate resins such as urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyester acrylate can be used. These materials may be used alone or as a mixture, and may be used not only as a single layer but also as a multilayer film.

【００７０】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。As a method for forming the protective layer, a coating method such as a spin coating method or a casting method, a sputtering method or a chemical vapor deposition method is used as in the recording layer. Among them, the spin coating method is preferable.

【００７１】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは５μｍ〜２０μｍであ
る。The thickness of the protective layer is generally 0.1 μm to 1 μm.
In the present invention, the range is from 3 μm to
It is 30 μm, more preferably 5 μm to 20 μm.

【００７２】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。A label or the like can be further printed on the protective layer.

【００７３】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。Alternatively, a protective sheet or a substrate may be bonded to the reflective layer surface, or two optical recording media may be bonded to each other with the reflective layer surfaces facing each other.

【００７４】また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の
付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成
膜しても良い。Further, an ultraviolet curable resin, an inorganic thin film or the like may be formed on the mirror surface of the substrate to protect the surface and prevent adhesion of dust and the like.

【００７５】本発明でいう波長５２０ｎｍ〜６９０ｎｍ
のレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域
の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３３
ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波
長６８０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レー
ザー、波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーなど
が挙げられる。本発明では、これらから選択される１波
長または複数波長において高密度記録および再生が可能
となる。The wavelength of 520 nm to 690 nm in the present invention
The laser is not particularly limited. For example, a dye laser capable of selecting a wavelength in a wide range of a visible light region or a wavelength of 633 is used.
helium-neon laser, high-power semiconductor lasers with wavelengths of around 680, 650, and 635 nm, and a harmonic conversion YAG laser with a wavelength of 532 nm. According to the present invention, high-density recording and reproduction can be performed at one wavelength or a plurality of wavelengths selected from these.

【００７６】[0076]

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れにより何ら限定されるものではない。EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited thereto.

【００７７】実施例１ ジピロメテン金属キレート化合
物（４−１）の合成 窒素気流下、エタノール６０ｍＬに１−ホルミル−３−
（２、４−ジイソプロピルフェニル）イソインドール
３．０ｇ及び１−（２、４−ジイソプロピルフェニル）
イソインドール２．８ｇを溶解し、臭化水素酸２ｍｌを
滴下し、２０℃で１時間撹拌した。濃縮後、カラムクロ
マトグラフィー（シリカゲル／トルエン）にて精製し、
下記構造式（ａ）で示される化合物を２．８ｇ得た。Example 1 Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (4-1) In a nitrogen stream, 1-formyl-3- was added to 60 mL of ethanol.
3.0 g of (2,4-diisopropylphenyl) isoindole and 1- (2,4-diisopropylphenyl)
2.8 g of isoindole was dissolved, 2 ml of hydrobromic acid was added dropwise, and the mixture was stirred at 20 ° C for 1 hour. After concentration, purification by column chromatography (silica gel / toluene)
2.8 g of a compound represented by the following structural formula (a) was obtained.

【００７８】[0078]

【化２１】 下記の分析結果より（ａ）であることを確認した。Embedded image The following analysis result confirmed that it was (a).

【００７９】[0079]

【表５】 [Table 5]

【００８０】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５６０．５ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数０．８４×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであっ
た。The compound thus obtained exhibited a maximum absorption at 560.5 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 0.84 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【００８１】窒素気流下、エタノール５０ｍＬに式
（ａ）で示される化合物０．８５ｇ及びビス（アセチル
アセトナト）銅（II）０．４ｇを還流下で２時間撹拌し
た。室温まで冷却後、沈殿物をろ取、メタノール２０ｍ
Ｌにて洗浄後、乾燥して下記構造式（４−１）で示され
る化合物を０．９ｇ得た。In a nitrogen stream, 0.85 g of the compound represented by the formula (a) and 0.4 g of bis (acetylacetonato) copper (II) were stirred in 50 mL of ethanol under reflux for 2 hours. After cooling to room temperature, the precipitate was collected by filtration, and methanol 20m
After washing with L, drying was performed to obtain 0.9 g of a compound represented by the following structural formula (4-1).

【００８２】[0082]

【化２２】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。Embedded image The following analysis results confirmed that the product was the target product.

【００８３】[0083]

【表６】 [Table 6]

【００８４】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５９３ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数１．３１×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained exhibited a maximum absorption at 593 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 1.31 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【００８５】実施例２ ジピロメテン金属キレート化合
物（５−１）の合成 窒素気流下、エタノール５０ｍＬに式（ａ）で示される
化合物０．８ｇ及び酢酸銅（II）一水和物０．２８ｇを
還流下で２時間撹拌した。濃縮後、ｎ−ヘプタン１５ｍ
Ｌを添加、冷却して、沈澱物をろ取、ｎ−ヘプタン５ｍ
Ｌで洗浄、乾燥して下記構造式（５−１）で示される化
合物を０．７ｇ得た。Example 2 Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (5-1) In a nitrogen stream, 0.8 g of the compound represented by the formula (a) and 0.28 g of copper (II) acetate monohydrate were refluxed in 50 mL of ethanol. Stirred under for 2 hours. After concentration, n-heptane 15m
L, cooled, and the precipitate was collected by filtration, n-heptane 5m
After washing with L and drying, 0.7 g of a compound represented by the following structural formula (5-1) was obtained.

【００８６】[0086]

【化２３】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。Embedded image The following analysis results confirmed that the product was the target product.

【００８７】[0087]

【表７】 [Table 7]

【００８８】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において６００ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数１．３６×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 600 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 1.36 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【００８９】実施例３ ジピロメテン金属キレート化合
物（４−１９）の合成 窒素気流下、トルエン５０ｍＬに１−（２、４−ジイソ
プロピルフェニル）イソインドール１．４ｇ及び２、６
−ジクロロベンズアルデヒド０．４ｇを還流下で２時間
撹拌した。濃縮後、カラムクロマトグラフィー（シリカ
ゲル／トルエン）にて精製し、下記構造式（ｂ）で示さ
れる化合物を０．６ｇ得た。Example 3 Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (4-19) 1.4 g of 1- (2,4-diisopropylphenyl) isoindole and 50 g of toluene were added to 50 mL of toluene under a nitrogen stream.
0.4 g of dichlorobenzaldehyde was stirred under reflux for 2 hours. After concentration, the residue was purified by column chromatography (silica gel / toluene) to obtain 0.6 g of a compound represented by the following structural formula (b).

【００９０】[0090]

【化２４】 下記の分析結果より（ｂ）であることを確認した。Embedded image The following analysis result confirmed that it was (b).

【００９１】[0091]

【表８】 [Table 8]

【００９２】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５８１ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数０．６１×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 581 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 0.61 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【００９３】窒素気流下、エタノール３０ｍＬに式
（ｂ）で示される化合物０．１４ｇ及びビス（アセチル
アセトナト）銅（II）０．３ｇを還流下で３時間撹拌し
た。室温まで冷却後、沈殿物をろ取、メタノール２０ｍ
Ｌにて洗浄後、乾燥して下記構造式（４−１９）で示さ
れる化合物を０．１ｇ得た。Under a nitrogen stream, 0.14 g of the compound represented by the formula (b) and 0.3 g of bis (acetylacetonato) copper (II) were stirred in 30 mL of ethanol under reflux for 3 hours. After cooling to room temperature, the precipitate was collected by filtration, and methanol 20m
After washing with L, 0.1 g of the compound represented by the following structural formula (4-19) was obtained by drying.

【００９４】[0094]

【化２５】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。Embedded image The following analysis results confirmed that the product was the target product.

【００９５】[0095]

【表９】 [Table 9]

【００９６】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５９８ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数１．０５×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 598 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 1.05 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【００９７】実施例４ ジピロメテン金属キレート化合
物（４−２０）の合成 窒素気流下、トルエン３０ｍＬに１−（２、４−ジイソ
プロピルフェニル）イソインドール０．７ｇ及び４−ブ
ロモベンズアルデヒド０．２ｇを還流下で４時間撹拌し
た。濃縮後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル／
トルエン）にて精製し、下記構造式（ｃ）で示される化
合物を０．２ｇ得た。Example 4 Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (4-20) 0.7 g of 1- (2,4-diisopropylphenyl) isoindole and 0.2 g of 4-bromobenzaldehyde were refluxed in 30 mL of toluene under a nitrogen stream. For 4 hours. After concentration, column chromatography (silica gel /
(Toluene) to obtain 0.2 g of a compound represented by the following structural formula (c).

【００９８】[0098]

【化２６】 下記の分析結果より（ｃ）であることを確認した。Embedded image The following analysis result confirmed that it was (c).

【００９９】[0099]

【表１０】 [Table 10]

【０１００】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５７５ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数０．６３×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 575 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 0.63 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【０１０１】窒素気流下、エタノール３０ｍＬに式
（ｃ）で示される化合物０．１８ｇ及びビス（アセチル
アセトナト）銅（II）０．０７ｇを還流下で４時間撹拌
した。室温まで冷却後、沈殿物をろ取、メタノール１０
ｍＬにて洗浄後、乾燥して下記構造式（４−２０）で示
される化合物を０．１５ｇ得た。Under a nitrogen stream, 0.18 g of the compound represented by the formula (c) and 0.07 g of bis (acetylacetonato) copper (II) were stirred in 30 mL of ethanol under reflux for 4 hours. After cooling to room temperature, the precipitate was collected by filtration, and methanol 10
After washing with mL, drying was performed to obtain 0.15 g of a compound represented by the following structural formula (4-20).

【０１０２】[0102]

【化２７】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。Embedded image The following analysis results confirmed that the product was the target product.

【０１０３】[0103]

【表１１】 [Table 11]

【０１０４】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５８９．５ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数１．１１×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであっ
た。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 589.5 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 1.11 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【０１０５】実施例５ ジピロメテン金属キレート化合
物（４−１４）の合成 窒素気流下、エタノール３０ｍＬに１−ホルミル−３−
フェニルイソインドール０．３３ｇ及び１−（２、４−
ジイソプロピルフェニル）イソインドール０．３３ｇを
溶解し、臭化水素酸１ｍｌを滴下し、２０℃で１時間撹
拌した。濃縮後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲ
ル／トルエン）にて精製し、下記構造式（ｄ）で示され
る化合物を０．５ｇ得た。Example 5 Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (4-14) In a nitrogen stream, 1-formyl-3-ethanol was added to 30 mL of ethanol.
0.33 g of phenylisoindole and 1- (2,4-
0.33 g of diisopropylphenyl) isoindole was dissolved, 1 ml of hydrobromic acid was added dropwise, and the mixture was stirred at 20 ° C. for 1 hour. After concentration, the residue was purified by column chromatography (silica gel / toluene) to obtain 0.5 g of a compound represented by the following structural formula (d).

【０１０６】[0106]

【化２８】 下記の分析結果より（ｄ）であることを確認した。Embedded image The following analysis result confirmed that it was (d).

【０１０７】[0107]

【表１２】 [Table 12]

【０１０８】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５７３．０ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数０．９４×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであっ
た。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 573.0 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 0.94 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【０１０９】窒素気流下、エタノール５０ｍＬに式
（ｄ）で示される化合物０．２４ｇ及びビス（アセチル
アセトナト）銅（II）０．１３ｇを還流下で２時間撹拌
した。室温まで冷却後、沈殿物をろ取、メタノール２０
ｍＬにて洗浄後、乾燥して下記構造式（４−１４）で示
される化合物を少量の下記構造式（ｅ）で示される化合
物の混合物として０．２ｇ得た。In a nitrogen stream, 0.24 g of the compound represented by the formula (d) and 0.13 g of bis (acetylacetonato) copper (II) were stirred in 50 mL of ethanol under reflux for 2 hours. After cooling to room temperature, the precipitate was collected by filtration, and methanol 20
After washing with mL, it was dried to obtain 0.2 g of a compound represented by the following structural formula (4-14) as a mixture of a small amount of the compound represented by the following structural formula (e).

【０１１０】[0110]

【化２９】 Embedded image

【０１１１】[0111]

【化３０】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。Embedded image The following analysis results confirmed that the product was the target product.

【０１１２】[0112]

【表１３】 [Table 13]

【０１１３】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において６０１ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数１．０８×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。The compound thus obtained exhibited a maximum absorption at 601 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 1.08 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【０１１４】実施例６ ジピロメテン金属キレート化合
物（３−２３）の合成 窒素気流下、塩化メチレン５０ｍＬに１−（２−イソプ
ロピル−４−ジエチルアミノフェニル）イソインドール
４．９ｇ、２−ホルミル−３，５−ジメチル−４−エチ
ルピロール１．７ｇ及びオキシ塩化リン２．２ｇを室温
で１時間撹拌した。反応混合物を水２００ｍＬに排出
し、炭酸水素ナトリウム１０ｇを添加してトルエン２５
０ｍＬにて抽出後、トルエン層を分取、水洗、ろ過し、
溶媒を濃縮した。残留物をカラムクロマトグラフィー
（アルミナ／トルエン）にて精製し、下記構造式（ｆ）
で示される化合物を３．０ｇ得た。Example 6 Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (3-23) In a nitrogen stream, 4.9 g of 1- (2-isopropyl-4-diethylaminophenyl) isoindole and 50-mL of methylene chloride, and 2-formyl-3,5 1.7 g of -dimethyl-4-ethylpyrrole and 2.2 g of phosphorus oxychloride were stirred at room temperature for 1 hour. The reaction mixture was discharged into 200 mL of water, 10 g of sodium hydrogen carbonate was added, and toluene was added.
After extraction with 0 mL, the toluene layer was separated, washed with water, filtered,
The solvent was concentrated. The residue was purified by column chromatography (alumina / toluene) to give the following structural formula (f)
3.0 g of the compound represented by was obtained.

【０１１５】[0115]

【化３１】 下記の分析結果より（ｆ）であることを確認した。Embedded image The following analysis result confirmed that it was (f).

【０１１６】[0116]

【表１４】 [Table 14]

【０１１７】窒素気流下、エタノール１００ｍＬに式
（ｆ）で示される化合物１．４ｇ及び酢酸銅（II）一水
和物０．８３ｇを室温で１時間撹拌した。濃縮後、ｎ−
ヘプタン２０ｍＬを添加、冷却して、沈殿物をろ取、ｎ
−ヘプタン１０ｍＬにて洗浄後、乾燥して下記構造式
（３−２３）で示される化合物を０．８ｇ得た。In a nitrogen stream, 1.4 g of the compound represented by the formula (f) and 0.83 g of copper (II) acetate monohydrate were stirred in 100 mL of ethanol at room temperature for 1 hour. After concentration, n-
Add 20 mL of heptane, cool and collect the precipitate by filtration.
-After washing with 10 mL of heptane and drying, 0.8 g of a compound represented by the following structural formula (3-23) was obtained.

【０１１８】[0118]

【化３２】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。Embedded image The following analysis results confirmed that the product was the target product.

【０１１９】[0119]

【表１５】 [Table 15]

【０１２０】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５８９．５ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数１．４３×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであっ
た。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 589.5 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 1.43 × 10 ⁵ mL / g · cm.

【０１２１】実施例７ ジピロメテン金属キレート化合物（４−１）０．２ｇを
ジメチルシクロヘキサン１０ｍｌに溶解し、色素溶液を
調製した。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した
案内溝（トラックピッチ：０．８μｍ）を有する直径１
２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状のものを用いた。Example 7 A dye solution was prepared by dissolving 0.2 g of the dipyrromethene metal chelate compound (4-1) in 10 ml of dimethylcyclohexane. The substrate is made of polycarbonate resin and has a continuous guide groove (track pitch: 0.8 μm) and a diameter of 1 μm.
A disc having a thickness of 20 mm and a thickness of 0.6 mm was used.

【０１２２】この基板上に色素溶液を回転数１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、７０℃で３時間乾燥して記録層
を形成した。The dye solution was placed on the substrate at a rotational speed of 1500 r.
pm, and dried at 70 ° C for 3 hours to form a recording layer.

【０１２３】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚
さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒ
で行った。Au was sputtered on this recording layer using a sputtering apparatus (CDI-900) manufactured by Balzers to form a reflective layer having a thickness of 100 nm. Sputter gas includes
Argon gas was used. The sputtering conditions were as follows: a sputtering power of 2.5 kW and a sputtering gas pressure of 1.0 × 10 ⁻² Torr.
I went in.

【０１２４】さらに反射層上に紫外線硬化性接着剤ＳＤ
−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
し、その上にポリカーボネート樹脂製で直径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状基板をのせた後、紫外線を
照射して貼り合わせた光記録媒体を作製した。Further, an ultraviolet-curable adhesive SD is applied on the reflective layer.
-301 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals) is spin-coated, and a polycarbonate resin having a diameter of 120 m is coated thereon.
After placing a disc-shaped substrate having a thickness of 0.6 mm and a thickness of 0.6 mm, the substrate was laminated by irradiating ultraviolet rays to produce an optical recording medium.

【０１２５】得られた光記録媒体に、波長６３５ｎｍで
レンズの開口数が０．６の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−
１０００）およびＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダー
を用いて、線速３．８ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷ
で最短ピット長が０．４０μｍになるように記録した。
記録後、６５０ｎｍ、６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘ
ッド（レンズの開口数は０．６）を搭載した評価装置を
用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を
測定した結果、６５０ｎｍ再生で反射率５０％、ジッタ
ー９．０％、変調度０．６７、６３５ｎｍ再生で反射率
４７％、ジッター９．１％、変調度０．６６といずれも
良好な値を示した。また、１００時間のカーボンアーク
での耐光性試験、並びに８０℃、８５％の耐湿熱試験後
も変化は見られなかった。An optical disk evaluation apparatus (DDU- manufactured by Pulstec Industrial) equipped with a semiconductor laser head having a wavelength of 635 nm and a lens numerical aperture of 0.6 on the obtained optical recording medium.
1000) and KENWOOD EFM encoder, linear velocity 3.8 m / s, laser power 10 mW
The recording was performed so that the shortest pit length was 0.40 μm.
After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with a 650 nm and 635 nm red semiconductor laser head (the numerical aperture of the lens was 0.6), and the reflectance, jitter and modulation were measured. 50%, jitter 9.0%, degree of modulation 0.67, and a good value of 47%, 9.1% jitter, and 0.66 degree of modulation were obtained in reproduction at 635 nm. No change was observed even after the light resistance test with a carbon arc for 100 hours and the heat and humidity resistance test at 80 ° C. and 85%.

【０１２６】実施例８〜２８ 表−１〜４に記載したジピロメテン金属キレート化合物
を用いる以外は実施例７と同様にして光記録媒体を作製
し、記録した。記録後、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍ赤
色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信
号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測定した
結果、いずれも良好な値を示した。また、１００時間の
カーボンアークでの耐光性試験、並びに８０℃、８５％
の耐湿熱試験後も変化は見られなかった。Examples 8 to 28 Optical recording media were prepared and recorded in the same manner as in Example 7, except that the dipyrromethene metal chelate compounds described in Tables 1 to 4 were used. After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with 650 nm and 635 nm red semiconductor laser heads, and the reflectance, the jitter and the modulation were measured. In addition, a light resistance test with a carbon arc for 100 hours, and 80 ° C., 85%
No change was observed even after the moisture and heat resistance test.

【０１２７】以上の実施例７〜２８において、各光記録
媒体を６３５ｎｍで記録して、６５０および６３５ｎｍ
で再生したときの反射率、ジッター、変調度を表−５に
まとめて示す。尚、極大吸収は記録層として成膜した状
態で測定したものである。In the above Examples 7 to 28, each optical recording medium was recorded at 635 nm, and was recorded at 650 nm and 635 nm.
Table 5 summarizes the reflectance, jitter, and degree of modulation when the data was reproduced by the method shown in FIG. The maximum absorption was measured in a state where the recording layer was formed.

【０１２８】比較例１ 実施例７において、ジピロメテン金属キレート化合物
（４−１）の代わりに、ペンタメチンシアニン色素ＮＫ
−２９２９「1,3,3,1',3',3'-ヘキサメチル-2',2'-（4,
5,4',5'-ジベンゾ）インドジカルボシアニンパークロレ
ート、日本感光色素研究所製」を用いてテトラフルオロ
プロパノールに溶解してスピンコートする以外は同様に
して光記録媒体を作製した。作製した媒体に実施例７と
同様に６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したパル
ステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１００
０）および、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用
いて、線速度３．８ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで
記録した。記録後、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を
再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測定した結
果、６５０ｎｍ再生で反射率９％、ジッター２０％以
上、変調度０．１３、６３５ｎｍ再生で反射率９％、ジ
ッター２０％以上、変調度０．１５と劣っていた。ま
た、１００時間のカーボンアークでの耐光性試験後、信
号は劣化し、再生ができなかった。Comparative Example 1 In Example 7, a pentamethine cyanine dye NK was used instead of the dipyrromethene metal chelate compound (4-1).
−2929 "1,3,3,1 ', 3', 3'-Hexamethyl-2 ', 2'-(4,
An optical recording medium was prepared in the same manner as above except that the solution was dissolved in tetrafluoropropanol and spin-coated using "5,4 ', 5'-dibenzo) indodicarbocyanine perchlorate, manufactured by Japan Photographic Dye Laboratories. An optical disk evaluation device (DDU-100 manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd.) having a 635 nm semiconductor laser head mounted on the prepared medium in the same manner as in Example 7.
0) and recording was performed at a linear velocity of 3.8 m / s and a laser power of 10 mW using a KENWOOD EFM encoder. After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with 650 nm and 635 nm red semiconductor laser heads, and the reflectance, jitter, and modulation were measured. As a result, the reflectance was 9%, the jitter was 20% or more, and the modulation was 650 nm. The reflectivity was 9%, the jitter was 20% or more, and the modulation factor was 0.15 at 0.13 and 635 nm reproduction. Also, after the light fastness test with a carbon arc for 100 hours, the signal deteriorated and could not be reproduced.

【０１２９】[0129]

【表１６】 [Table 16]

【０１３０】[0130]

【表１７】 [Table 17]

【０１３１】[0131]

【表１８】 [Table 18]

【０１３２】[0132]

【表１９】 [Table 19]

【０１３３】[0133]

【発明の効果】本発明のジピロメテン金属キレート化合
物を記録層として用いることにより、高密度光記録媒体
として非常に注目されている波長５２０〜６９０ｎｍの
レーザーで記録再生が可能で耐久性に優れた追記型光記
録媒体を提供することが可能となる。By using the dipyrromethene metal chelate compound of the present invention as a recording layer, it is possible to record / reproduce information with a laser having a wavelength of 520 to 690 nm, which has been attracting much attention as a high-density optical recording medium, and to achieve additional durability. It is possible to provide a type optical recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】従来および本発明の光記録媒体の層構成を示す
断面構造図である。FIG. 1 is a cross-sectional structural view showing a layer configuration of an optical recording medium of the related art and the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 接着層 ５ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Recording layer 3 Reflective layer 4 Adhesive layer 5 Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 熊谷 洋二郎 大阪府八尾市弓削町南１丁目43番地 山本 化成株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yojiro Kumagai 1-43, Yuge-cho Minami, Yao-shi, Osaka Yamamoto Kasei Co., Ltd. (72) Inventor Denmi Misawa 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Kanagawa Mitsui Chemicals, Inc. (72) Inventor Taizo Nishimoto 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Mitsui Chemical Co., Ltd. (72) Inventor U. Tsukahara 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Inside Mitsui Chemicals, Inc.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるジピロメテ
ン系化合物とジオキソ金属誘導体とのジピロメテン金属
キレート化合物。 【化１】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₇は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カ
ルボキシル基、スルホン基、炭素数１〜２０のアルキル
基、ハロゲノアルキル基、アルコキシアルキル基、アル
コキシ基、アルコキシアルコキシ基、アリールオキシ
基、ジアルキルアミノアルコキシ基、アルキルチオアル
コキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキ
ルアミノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル
基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニル
アミノ基、アリールアミノカルボニル基、アリールオキ
シカルボニル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロア
リール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル
基、アルコキシカルボニルアルコキシカルボニル基、ア
ルキルカルボニルアルコキシカルボニル基、モノ（ヒド
ロキシアルキル）アミノカルボニル基、ジ（ヒドロキシ
アルキル）アミノカルボニル基、モノ（アルコキシアル
キル）アミノカルボニル基、ジ（アルコキシアルキル）
アミノカルボニル基または炭素数２〜２０のアルケニル
基を表わす。但し、Ｒ₂とＲ₃又はＲ₅とＲ₆は結合して芳
香環を形成してもよい。）1. A dipyrromethene metal chelate compound of a dipyrromethene compound represented by the following general formula (1) and a dioxo metal derivative. Embedded image (Wherein, R _{1 to} R ₇ are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfone group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenoalkyl group, Alkoxyalkyl group, alkoxy group, alkoxyalkoxy group, aryloxy group, dialkylaminoalkoxy group, alkylthioalkoxy group, acyl group, alkoxycarbonyl group, alkylaminocarbonyl group, dialkylaminocarbonyl group, alkylcarbonylamino group, arylcarbonylamino group , Arylaminocarbonyl, aryloxycarbonyl, aralkyl, aryl, heteroaryl, alkylthio, arylthio, alkenyloxycarbonyl, aralkyloxycarbonyl, alkoxycarbonyl Alkoxycarbonyl group, alkylcarbonyl alkoxycarbonyl group, mono (hydroxyalkyl) aminocarbonyl group, di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl group, mono (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group, di (alkoxyalkyl)
Represents an aminocarbonyl group or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. However, R ₂ and R ₃ or R ₅ and R ₆ may combine to form an aromatic ring. ) 【請求項２】 下記一般式（２）で示される請求項１記
載のジピロメテン金属キレート化合物。 【化２】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₇は前記一般式（１）と同じ意味を表わ
し、Ｒ₈〜Ｒ₁₀は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボ
キシル基、スルホン基、炭素数１〜２０のアルキル基、
ハロゲノアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキ
シ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキル
基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、または炭素数２〜２０のアルケニル基
を表わす。Ｍはマグネシウム、アルミニウム、マンガ
ン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、スズ、パラジ
ウムを表わす。）2. The dipyrromethene metal chelate compound according to claim 1, represented by the following general formula (2). Embedded image (Wherein, R _{1 to} R ₇ have the same meaning as in the general formula (1), and R _{8 to} R ₁₀ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom,
Nitro group, cyano group, hydroxy group, amino group, carboxyl group, sulfone group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
Halogenoalkyl group, alkoxyalkyl group, alkoxy group, acyl group, alkoxycarbonyl group, aralkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkylthio group,
Represents an arylthio group or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. M represents magnesium, aluminum, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, tin, and palladium. ) 【請求項３】 下記一般式（３）で示される請求項１記
載のジピロメテン金属キレート化合物。 【化３】 （式中、 Ｒ₁〜Ｒ₇は前記一般式（１）と同じ意味を表
わし、Ｒ₁₁は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シア
ノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲノアルキ
ル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アシル
基、アルコキシカルボニル基、アラルキル基、アリール
基、ヘテロアリール基、アルキルチオ基、アリールチオ
基、または炭素数２〜２０のアルケニル基を表わす。Ｍ
は前記一般式（２）と同じ意味を表わす。）3. The dipyrromethene metal chelate compound according to claim 1, which is represented by the following general formula (3). Embedded image (Wherein, R _{1 to} R ₇ have the same meaning as in the general formula (1), and R ₁₁ represents a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfone group, a carbon atom An alkyl group having 1 to 20 alkyl groups, a halogenoalkyl group, an alkoxyalkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, an aralkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkylthio group, an arylthio group, or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms Represents a group, M
Has the same meaning as in the general formula (2). ) 【請求項４】 下記一般式（４）で示される請求項１又
は２記載のジピロメテン金属キレート化合物。 【化４】 （式中、Ｒ₁₂〜Ｒ₃₀は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒ
ドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン基、
炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲノアルキル基、ア
ルコキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルコ
キシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノアルコキ
シ基、アルキルチオアルコキシ基、アシル基、アルコキ
シカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、ジアル
キルアミノカルボニル基、アルキルカルボニルアミノ
基、アリールカルボニルアミノ基、アリールアミノカル
ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキル
基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、アルケニルオキシカルボニル基、アラ
ルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアル
コキシカルボニル基、アルキルカルボニルアルコキシカ
ルボニル基、モノ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボ
ニル基、ジ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル
基、モノ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基、
ジ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基または炭
素数２〜２０のアルケニル基を表わし、Ｒ₈〜Ｒ₁₀及び
Ｍは前記一般式（２）と同じ意味を表す。）4. The dipyrromethene metal chelate compound according to claim 1, which is represented by the following general formula (4). Embedded image (Wherein, R _{12 to} R ₃₀ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfone group,
C1-C20 alkyl group, halogenoalkyl group, alkoxyalkyl group, alkoxy group, alkoxyalkoxy group, aryloxy group, dialkylaminoalkoxy group, alkylthioalkoxy group, acyl group, alkoxycarbonyl group, alkylaminocarbonyl group, dialkyl Aminocarbonyl group, alkylcarbonylamino group, arylcarbonylamino group, arylaminocarbonyl group, aryloxycarbonyl group, aralkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkylthio group,
Arylthio, alkenyloxycarbonyl, aralkyloxycarbonyl, alkoxycarbonylalkoxycarbonyl, alkylcarbonylalkoxycarbonyl, mono (hydroxyalkyl) aminocarbonyl, di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl, mono (alkoxyalkyl) aminocarbonyl Group,
It represents a di (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and R _{8 to} R ₁₀ and M have the same meanings as in the general formula (2). ) 【請求項５】 下記一般式（５）で示される請求項１又
は３記載のジピロメテン金属キレート化合物。 【化５】 （式中、Ｒ₁₂〜Ｒ₃₀及びＭは前記一般式（４）と同じ意
味を表わし、Ｒ₁₁は前記一般式（３）と同じ意味を表わ
す。）5. The dipyrromethene metal chelate compound according to claim 1, which is represented by the following general formula (5). Embedded image (In the formula, R _{12 to} R ₃₀ and M have the same meaning as in the general formula (4), and R ₁₁ has the same meaning as in the general formula (3).) 【請求項６】 基板上に少なくとも記録層及び反射層を
有する光記録媒体において、記録層中に、請求項１〜５
のいずれかに記載のジピロメテン金属キレート化合物を
含有する光記録媒体。6. An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer includes
An optical recording medium containing the dipyrromethene metal chelate compound according to any one of the above. 【請求項７】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
されるレーザー光に対して記録及び再生が可能である請
求項６記載の光記録媒体。7. The optical recording medium according to claim 6, wherein recording and reproduction can be performed with respect to a laser beam selected from a wavelength range of 520 to 690 nm.