JPH11296820A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH11296820A JPH11296820A JP3658799A JP3658799A JPH11296820A JP H11296820 A JPH11296820 A JP H11296820A JP 3658799 A JP3658799 A JP 3658799A JP 3658799 A JP3658799 A JP 3658799A JP H11296820 A JPH11296820 A JP H11296820A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高記録密度による出力の低下とバルクハウゼ
ンノイズの低減を対策すること。 【解決手段】 磁気的バイアス磁場を印加する永久磁石
膜を備えたＭＲヘッドにおいて、再生トラック幅ｗ≦
１．５μｍに対して、永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積
Ｍｒｔが、下式のような関係にあるとき、対称性に優れ
た波形を有し、高出力でバルクハウゼンノイズを抑制し
たＭＲヘッドを作製する。 Ｍｒｔ≧１．０×ｗ＋０．５ Ｍｒｔ≦３．６×ｗ−０．４
ンノイズの低減を対策すること。 【解決手段】 磁気的バイアス磁場を印加する永久磁石
膜を備えたＭＲヘッドにおいて、再生トラック幅ｗ≦
１．５μｍに対して、永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積
Ｍｒｔが、下式のような関係にあるとき、対称性に優れ
た波形を有し、高出力でバルクハウゼンノイズを抑制し
たＭＲヘッドを作製する。 Ｍｒｔ≧１．０×ｗ＋０．５ Ｍｒｔ≦３．６×ｗ−０．４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク装
置、ＶＴＲ等の磁気記録装置に用いられる磁気抵抗効果
型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）に関するもので、特に再生
素子部を構成する永久磁石膜の膜厚及び残留磁化と、再
生トラック幅との数量的関係に係わる。
置、ＶＴＲ等の磁気記録装置に用いられる磁気抵抗効果
型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）に関するもので、特に再生
素子部を構成する永久磁石膜の膜厚及び残留磁化と、再
生トラック幅との数量的関係に係わる。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク装置あるいはＶＴＲ等の
磁気記録装置において、高記録密度による小形大容量化
は急激な勢いで進展している。このような動向に呼応し
て磁気ヘッドの高性能化が進められ、電磁誘導方式であ
る薄膜磁気ヘッドに代わり、再生素子に磁気抵抗効果現
象を利用したＭＲヘッドが適用されるようになった。
磁気記録装置において、高記録密度による小形大容量化
は急激な勢いで進展している。このような動向に呼応し
て磁気ヘッドの高性能化が進められ、電磁誘導方式であ
る薄膜磁気ヘッドに代わり、再生素子に磁気抵抗効果現
象を利用したＭＲヘッドが適用されるようになった。
【０００３】このような従来のＭＲヘッドは、例えば、
IEEE Tras.Magn.Vol 26(1990)pp1689に開示されてい
る。その概要を図１２を用いて説明する。磁気記録媒体
上の磁気信号を再生する磁気抵抗効果型素子（ＭＲ素
子）９１は、パーマロイ等の磁気抵抗効果を有する材料
の薄膜で構成される。このＭＲ素子９１は、非磁性材料
からなる再生ギャップ９２を介してシールド磁性膜９３
および９４によって挟まれる。
IEEE Tras.Magn.Vol 26(1990)pp1689に開示されてい
る。その概要を図１２を用いて説明する。磁気記録媒体
上の磁気信号を再生する磁気抵抗効果型素子（ＭＲ素
子）９１は、パーマロイ等の磁気抵抗効果を有する材料
の薄膜で構成される。このＭＲ素子９１は、非磁性材料
からなる再生ギャップ９２を介してシールド磁性膜９３
および９４によって挟まれる。
【０００４】この図１２に示すＭＲヘッドは、記録ヘッ
ドと再生ヘッドとが分離しているタイプのものである。
再生ヘッドはＭＲ素子９１であり、再生時にＭＲ素子９
１を使用して信号情報を読み取る。記録ヘッドは、記録
磁極８４及びコイル８０からなる記録専用の誘導型磁気
ヘッドである。記録ヘッドを構成する記録磁極８４及び
コイル８０は、図１２に示すように、再生ヘッドを構成
するＭＲ素子９１の上部に配置される。
ドと再生ヘッドとが分離しているタイプのものである。
再生ヘッドはＭＲ素子９１であり、再生時にＭＲ素子９
１を使用して信号情報を読み取る。記録ヘッドは、記録
磁極８４及びコイル８０からなる記録専用の誘導型磁気
ヘッドである。記録ヘッドを構成する記録磁極８４及び
コイル８０は、図１２に示すように、再生ヘッドを構成
するＭＲ素子９１の上部に配置される。
【０００５】磁気記録装置においてその記録容量を増加
させるためには、通常、トラック密度かもしくは線記録
密度を高めることが行われる。そこで、トラック密度を
高めるには、トラック幅を狭くしなければならない。ト
ラック幅を減少させるに伴い、以下のような不具合が生
じる。
させるためには、通常、トラック密度かもしくは線記録
密度を高めることが行われる。そこで、トラック密度を
高めるには、トラック幅を狭くしなければならない。ト
ラック幅を減少させるに伴い、以下のような不具合が生
じる。
【０００６】すなわち、ＭＲ素子の長さが短くなるた
め、ＭＲ素子自体の抵抗が低下し、再生出力が著しく減
少してしまう。このため、再生出力を実用上問題になら
ない程度に保つためには、再生素子の抵抗を増大させる
か、あるいはＭＲ素子の再生感度を向上させる手段を講
じる必要がある
め、ＭＲ素子自体の抵抗が低下し、再生出力が著しく減
少してしまう。このため、再生出力を実用上問題になら
ない程度に保つためには、再生素子の抵抗を増大させる
か、あるいはＭＲ素子の再生感度を向上させる手段を講
じる必要がある
【０００７】一方、検出再生素子であるＭＲ素子は、素
子内に発生する磁壁と磁区構造の影響を受けやすく、再
生時にノイズとして再生信号に重畳してくる。このよう
なノイズ信号をバルクハウゼンノイズと呼ばれ、その抑
制と規制が問題にされ、対策が行われてきた。磁区の発
生を抑制するための手段として、例えばIEEE Trans.Mag
n.Vol.32(1996)pp19に開示されているような、永久磁石
膜をＭＲ素子に隣接させて形成配置して、そのＭＲ素子
にバイアス磁場を印加するという方法がある。この方法
によれば、印加バイアス磁場はＭＲ素子のトラック端部
に発生する反磁場の影響を緩和でき、その結果、素子内
に磁区等が発生することを抑制することが可能となる。
子内に発生する磁壁と磁区構造の影響を受けやすく、再
生時にノイズとして再生信号に重畳してくる。このよう
なノイズ信号をバルクハウゼンノイズと呼ばれ、その抑
制と規制が問題にされ、対策が行われてきた。磁区の発
生を抑制するための手段として、例えばIEEE Trans.Mag
n.Vol.32(1996)pp19に開示されているような、永久磁石
膜をＭＲ素子に隣接させて形成配置して、そのＭＲ素子
にバイアス磁場を印加するという方法がある。この方法
によれば、印加バイアス磁場はＭＲ素子のトラック端部
に発生する反磁場の影響を緩和でき、その結果、素子内
に磁区等が発生することを抑制することが可能となる。
【０００８】しかし、永久磁石膜を用いて磁区構造の安
定化を図ると、素子の再生感度を低下させるおそれが生
じる。そのため、安定化のためのバイアス磁場強度の選
択には注意が必要である。
定化を図ると、素子の再生感度を低下させるおそれが生
じる。そのため、安定化のためのバイアス磁場強度の選
択には注意が必要である。
【０００９】すなわち、バルクハウゼンノイズが発生し
ないように必要な磁場強度を印加すること、および適正
な範囲内にバイアス磁場の強度を保持し再生感度を低下
させないことが求められる。また、バイアス磁場の強度
を変化させると再生信号の線形性の指標である非対称性
も変動することから、これらの全ての要素について満足
いく最適なバイアス磁場の設定を行う必要がある。
ないように必要な磁場強度を印加すること、および適正
な範囲内にバイアス磁場の強度を保持し再生感度を低下
させないことが求められる。また、バイアス磁場の強度
を変化させると再生信号の線形性の指標である非対称性
も変動することから、これらの全ての要素について満足
いく最適なバイアス磁場の設定を行う必要がある。
【００１０】一方、この永久磁石膜の好ましい材質及び
組成を米国特許５４３４８２６が開示している。そこで
開示されている永久磁石膜はＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴ
ａ、ＣｏＣｒＴａＰｔおよびＣｏＣｒＰｔＢ等があり、
５０〜６０ｎｍの範囲の膜厚に対して、残留磁化と膜厚
との積が２．３８〜３．７８［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］にな
る場合が最適域であることを、独自に作製した測定装置
を用いて明らかにしている。
組成を米国特許５４３４８２６が開示している。そこで
開示されている永久磁石膜はＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴ
ａ、ＣｏＣｒＴａＰｔおよびＣｏＣｒＰｔＢ等があり、
５０〜６０ｎｍの範囲の膜厚に対して、残留磁化と膜厚
との積が２．３８〜３．７８［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］にな
る場合が最適域であることを、独自に作製した測定装置
を用いて明らかにしている。
【００１１】さらに、この永久磁石膜の磁気特性は、当
然ながら、ＭＲヘッドの再生特性大きな影響を与える
が、特開平７−９３７１４号公報は、永久磁石膜の保磁
力Ｈｃの特性を向上させることにより、バルクハウゼン
ノイズあるいはＭＲヘッドの再生出力のばらつきを低減
できること説明している。
然ながら、ＭＲヘッドの再生特性大きな影響を与える
が、特開平７−９３７１４号公報は、永久磁石膜の保磁
力Ｈｃの特性を向上させることにより、バルクハウゼン
ノイズあるいはＭＲヘッドの再生出力のばらつきを低減
できること説明している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】永久磁石膜が発生する
バイアス磁場は、ＭＲ素子内の磁化回転を抑制して安定
化させる効果がある。ところが、記録密度を向上させる
ためのトラック幅狭小化に伴い、隣接する永久磁石膜の
間隔が従来考えられていた範囲を超えて狭くなると、バ
イアス磁場の強度が過大になってしまう。その結果、Ｍ
Ｒ素子の感度は低下し、再生出力の低減が避けられなく
なる。さらに、バイアス磁場の効果が適正値より外れる
ため、再生波形の対称性を保証する再生信号の線形範囲
が急速に狭まり、再生波形の非対称分の増加が同時に懸
念され、再生信号の誤り率の増大につながる。
バイアス磁場は、ＭＲ素子内の磁化回転を抑制して安定
化させる効果がある。ところが、記録密度を向上させる
ためのトラック幅狭小化に伴い、隣接する永久磁石膜の
間隔が従来考えられていた範囲を超えて狭くなると、バ
イアス磁場の強度が過大になってしまう。その結果、Ｍ
Ｒ素子の感度は低下し、再生出力の低減が避けられなく
なる。さらに、バイアス磁場の効果が適正値より外れる
ため、再生波形の対称性を保証する再生信号の線形範囲
が急速に狭まり、再生波形の非対称分の増加が同時に懸
念され、再生信号の誤り率の増大につながる。
【００１３】本発明の目的は、バルクハウゼンノイズの
発生に見られるＭＲ素子の再生不安定性を除去し、再生
信号出力を高めると共に、波形の非対称性を低減するＭ
Ｒヘッドを得るための実際的な解決方法を提供すること
にある。そのうえ、トラック幅の減少に対応した最適な
永久磁石膜の適用を提供するものである。以下、本発明
を詳細に述べることにする。
発生に見られるＭＲ素子の再生不安定性を除去し、再生
信号出力を高めると共に、波形の非対称性を低減するＭ
Ｒヘッドを得るための実際的な解決方法を提供すること
にある。そのうえ、トラック幅の減少に対応した最適な
永久磁石膜の適用を提供するものである。以下、本発明
を詳細に述べることにする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前述した技術課題を解決
するために、本発明は、ＭＲ素子の再生出力と再生ノイ
ズに多大な影響を与える永久磁石膜と再生トラック幅の
物理的な寸法あるいは物性値等について考察を加え、適
切に設計に反映できるような具体的手法を模索した結
果、想到されたものである。
するために、本発明は、ＭＲ素子の再生出力と再生ノイ
ズに多大な影響を与える永久磁石膜と再生トラック幅の
物理的な寸法あるいは物性値等について考察を加え、適
切に設計に反映できるような具体的手法を模索した結
果、想到されたものである。
【００１５】ＭＲヘッドに用いられる永久磁石膜は、素
子にバイアス磁場を印加することでノイズ制御を行う。
しかし、バイアス磁場が大きすぎると再生感度が下がり
出力の不足をきたす原因となる。また、永久磁石膜によ
るバイアス磁場の効果は、再生トラック幅、永久磁石膜
厚、永久磁石の残留磁束密度によってその効率が変化す
る。さらに、永久磁石膜の物性値は、バイアス磁場の強
度、分布等に強い影響を持っている。
子にバイアス磁場を印加することでノイズ制御を行う。
しかし、バイアス磁場が大きすぎると再生感度が下がり
出力の不足をきたす原因となる。また、永久磁石膜によ
るバイアス磁場の効果は、再生トラック幅、永久磁石膜
厚、永久磁石の残留磁束密度によってその効率が変化す
る。さらに、永久磁石膜の物性値は、バイアス磁場の強
度、分布等に強い影響を持っている。
【００１６】したがって、これらの多数のパラメータを
適切に組み合わせ規制することは実際上非常に困難であ
るが、本発明によりそれが容易に実行でき、従来のＭＲ
ヘッドに比べて出力特性、ノイズ特性に格段に優れたＭ
Ｒヘッドを得ることが可能となる。
適切に組み合わせ規制することは実際上非常に困難であ
るが、本発明によりそれが容易に実行でき、従来のＭＲ
ヘッドに比べて出力特性、ノイズ特性に格段に優れたＭ
Ｒヘッドを得ることが可能となる。
【００１７】本発明においては、磁気抵抗効果を有する
検出素子であるＭＲ素子を、バイアス磁場によって安定
化させることが主要技術である。本発明によるＭＲヘッ
ドは、磁気抵抗効果を有するＭＲ素子とこのＭＲ素子に
磁気的バイアス磁場を印加するための永久磁石膜を備え
た磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、再生トラック幅
をｗ［μｍ］、永久磁石膜の残留磁化Ｍｒと膜厚ｔの積
をＭｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］とした時の再生トラック
幅と永久磁石膜の残留磁化膜厚積Ｍｒｔの関係が、 Ｍｒｔ≧１．０×ｗ＋０．５ （１） Ｍｒｔ≦３．６×ｗ−０．４ （２） を満足する関係を有するとともに、再生トラック幅ｗが
１．５μｍ以下であることを条件とする。
検出素子であるＭＲ素子を、バイアス磁場によって安定
化させることが主要技術である。本発明によるＭＲヘッ
ドは、磁気抵抗効果を有するＭＲ素子とこのＭＲ素子に
磁気的バイアス磁場を印加するための永久磁石膜を備え
た磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、再生トラック幅
をｗ［μｍ］、永久磁石膜の残留磁化Ｍｒと膜厚ｔの積
をＭｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］とした時の再生トラック
幅と永久磁石膜の残留磁化膜厚積Ｍｒｔの関係が、 Ｍｒｔ≧１．０×ｗ＋０．５ （１） Ｍｒｔ≦３．６×ｗ−０．４ （２） を満足する関係を有するとともに、再生トラック幅ｗが
１．５μｍ以下であることを条件とする。
【００１８】このＭＲヘッドを用いることにより、高ト
ラック密度に応じて再生トラック幅が狭くなっても再生
波形の非対称性、再生出力および再生出力のばらつきの
少ない良好な再生特性を得ることが可能となる。さら
に、バルクハウゼンノイズを効果的に除去できる永久磁
石膜と再生トラック幅の関係を利用できるため、高い性
能が得られる。
ラック密度に応じて再生トラック幅が狭くなっても再生
波形の非対称性、再生出力および再生出力のばらつきの
少ない良好な再生特性を得ることが可能となる。さら
に、バルクハウゼンノイズを効果的に除去できる永久磁
石膜と再生トラック幅の関係を利用できるため、高い性
能が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明によるＭＲヘッドの磁極部
の構造について図８を参照して説明する。図８におい
て、符号８２はＭＲ素子であって、ＭＲ素子８２に隣接
させて永久磁石膜８１を形成している。また、符号８３
はＭＲ素子に通電するための電極、８４は記録磁極であ
る。ＭＲ素子８２は下部シールド膜８５および上部シー
ルド膜８６によって磁気的にシールドされている。
の構造について図８を参照して説明する。図８におい
て、符号８２はＭＲ素子であって、ＭＲ素子８２に隣接
させて永久磁石膜８１を形成している。また、符号８３
はＭＲ素子に通電するための電極、８４は記録磁極であ
る。ＭＲ素子８２は下部シールド膜８５および上部シー
ルド膜８６によって磁気的にシールドされている。
【００２０】第１の実施例を説明する。この実施例で
は、ＭＲヘッドの再生特性が０に近い非対象を実現する
ための条件を見い出すことを課題とする。
は、ＭＲヘッドの再生特性が０に近い非対象を実現する
ための条件を見い出すことを課題とする。
【００２１】図１に、再生トラック幅ｗが０．７〜１．
５μｍの各場合について、永久磁石膜８１の残留磁化Ｍ
ｒと膜厚ｔとの積（以下、永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積という）Ｍｒｔに対する再生波形の非対称特性の関
係を示す。図１のグラフの横軸は永久磁石膜の残留磁化
・膜厚積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ2］、縦軸は再生波形
非対称性を％で表示したものである。ここで、再生波形
の非対称性は以下の式によって定義される。 非対称性［％］＝［（Ｖ＋−Ｖ−）／（Ｖ＋＋Ｖ−）］
×１００ 上の式において、Ｖ＋およびＶ−はそれぞれ正の信号出
力と負の信号出力を表す。
５μｍの各場合について、永久磁石膜８１の残留磁化Ｍ
ｒと膜厚ｔとの積（以下、永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積という）Ｍｒｔに対する再生波形の非対称特性の関
係を示す。図１のグラフの横軸は永久磁石膜の残留磁化
・膜厚積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ2］、縦軸は再生波形
非対称性を％で表示したものである。ここで、再生波形
の非対称性は以下の式によって定義される。 非対称性［％］＝［（Ｖ＋−Ｖ−）／（Ｖ＋＋Ｖ−）］
×１００ 上の式において、Ｖ＋およびＶ−はそれぞれ正の信号出
力と負の信号出力を表す。
【００２２】ハードディスク装置のように記録されたデ
ジタル符号化された信号を再生する場合、磁気ヘッドか
ら得られる再生波形はアナログ信号であり、これから
０、１のデジタル符号に再生する必要がある。この過程
において、前記非対称性が増加すると再生波形が歪んで
正しく０、１の符号を再生できなくなる。
ジタル符号化された信号を再生する場合、磁気ヘッドか
ら得られる再生波形はアナログ信号であり、これから
０、１のデジタル符号に再生する必要がある。この過程
において、前記非対称性が増加すると再生波形が歪んで
正しく０、１の符号を再生できなくなる。
【００２３】一般に、ハードディスク装置に組み込まれ
るＭＲヘッドについては、非対称性の許容限界を−１５
〜＋１５％としている。しかし、この非対称性の許容限
界では再生符号の誤り率が１０〜１００倍程度大きくな
る可能性があるため、非対称性は−１０〜＋１０％の範
囲であることが望ましい。
るＭＲヘッドについては、非対称性の許容限界を−１５
〜＋１５％としている。しかし、この非対称性の許容限
界では再生符号の誤り率が１０〜１００倍程度大きくな
る可能性があるため、非対称性は−１０〜＋１０％の範
囲であることが望ましい。
【００２４】そこで、本発明では、ＭＲヘッドの再生特
性が−１０〜＋１０％の非対称を実現するように設定す
ることとした。図１に示す特性曲線群を見れば明らかな
ように、０．７〜１．５μｍの再生トラック幅ｗに対し
て、永久磁石膜のＭｒｔを増加させて行くにつれて、非
対称性の値は正から負に変化する。
性が−１０〜＋１０％の非対称を実現するように設定す
ることとした。図１に示す特性曲線群を見れば明らかな
ように、０．７〜１．５μｍの再生トラック幅ｗに対し
て、永久磁石膜のＭｒｔを増加させて行くにつれて、非
対称性の値は正から負に変化する。
【００２５】例えば、再生トラック幅０．７μｍの場
合、永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔ＝０．８
［ｍｅｍｕ／ｃｍ2］の時、非対称性が＋３３％であっ
たものが、Ｍｒｔ＝１．２０［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］にな
ると非対称性は＋１０％に改善される。さらに、Ｍｒｔ
＝２．２４［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］以上になると非対称性
は−１０％以上になる。以上の結果から再生トラック幅
ｗが０．７μｍの場合は、永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積Ｍｒｔの下限値は１．２０［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］で
あり、上限値は２．２４［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］である。
合、永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔ＝０．８
［ｍｅｍｕ／ｃｍ2］の時、非対称性が＋３３％であっ
たものが、Ｍｒｔ＝１．２０［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］にな
ると非対称性は＋１０％に改善される。さらに、Ｍｒｔ
＝２．２４［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］以上になると非対称性
は−１０％以上になる。以上の結果から再生トラック幅
ｗが０．７μｍの場合は、永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積Ｍｒｔの下限値は１．２０［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］で
あり、上限値は２．２４［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］である。
【００２６】上記した手順を、再生トラック幅ｗ＝０．
７以外にも適用して、各トラック幅における永久磁石膜
の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの上限値及び下限値を求め
ると、以下の表１の通りとなる。
７以外にも適用して、各トラック幅における永久磁石膜
の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの上限値及び下限値を求め
ると、以下の表１の通りとなる。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１に得られた永久磁石膜の残留磁化・膜
厚の積Ｍｒｔの下限および上限について、それぞれ再生
トラック幅ｗとの関係を直線式で表すと、Ｍｒｔの下限
値については、 Ｍｒｔ＝１．０×ｗ＋０．５ ・・・・（１）となり、 Ｍｒｔの上限値については、 Ｍｒｔ＝３．６×ｗ−０．４ ・・・・（２）となる。
厚の積Ｍｒｔの下限および上限について、それぞれ再生
トラック幅ｗとの関係を直線式で表すと、Ｍｒｔの下限
値については、 Ｍｒｔ＝１．０×ｗ＋０．５ ・・・・（１）となり、 Ｍｒｔの上限値については、 Ｍｒｔ＝３．６×ｗ−０．４ ・・・・（２）となる。
【００２９】この結果から、永久磁石バイアスを適用し
たＭＲヘッドにおいて、再生信号の非対称性を±１０％
の範囲に制御するためには、式（１）および式（２）に
よって規定される範囲を満足するように永久磁石膜の残
留磁化・膜厚の積Ｍｒｔおよび再生トラック幅ｗを選択
することが必要である。
たＭＲヘッドにおいて、再生信号の非対称性を±１０％
の範囲に制御するためには、式（１）および式（２）に
よって規定される範囲を満足するように永久磁石膜の残
留磁化・膜厚の積Ｍｒｔおよび再生トラック幅ｗを選択
することが必要である。
【００３０】なお、再生の波形非対称性は０に近いほど
特性が良いことから、再生トラック幅ｗと永久磁石膜の
Ｍｒｔの関係は、図１に示された結果から、 Ｍｒｔ＝１．６×ｗ＋０．４ ・・・・（３） の関係を満足することが最も望ましいことが分かる。
特性が良いことから、再生トラック幅ｗと永久磁石膜の
Ｍｒｔの関係は、図１に示された結果から、 Ｍｒｔ＝１．６×ｗ＋０．４ ・・・・（３） の関係を満足することが最も望ましいことが分かる。
【００３１】以上のことから、ＭＲヘッドの再生特性が
０に近い非対称性を発揮するためには、再生トラック幅
ｗに対する永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの関
係を、上記（１）式を下限とし上記（２）式を上限とし
た範囲とすること、あるいは上記（３）式にできるだけ
近づける、ということが望ましいことが解る。
０に近い非対称性を発揮するためには、再生トラック幅
ｗに対する永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの関
係を、上記（１）式を下限とし上記（２）式を上限とし
た範囲とすること、あるいは上記（３）式にできるだけ
近づける、ということが望ましいことが解る。
【００３２】さらに、本発明で規定する再生トラック幅
ｗは、１．５μｍを上限とする。すなわち、再生トラッ
ク幅ｗの上限値は、 ｗ＝１．５ ・・・・（４） とする。ｗ＝１．５［μｍ］は、２ＧＢ／ｉｎ2程度の
面記録密度に対応した再生トラック幅でもある。
ｗは、１．５μｍを上限とする。すなわち、再生トラッ
ク幅ｗの上限値は、 ｗ＝１．５ ・・・・（４） とする。ｗ＝１．５［μｍ］は、２ＧＢ／ｉｎ2程度の
面記録密度に対応した再生トラック幅でもある。
【００３３】以上、（１）、（２）及び（４）式によっ
て規定される、再生トラック幅ｗに対する永久磁石膜の
残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの望ましい関係をグラフにし
て表すと、図２の、直線２２、２１及び２３で囲まれた
斜線を施した領域となる。図２は横軸が再生トラック幅
ｗ［μｍ］であり、縦軸が永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］である。この図２にお
いて、直線２１はＭｒｔの下限を規定している（１）式
であり、直線２２はＭｒｔの上限を規定している（２）
式であり、直線２３は再生トラック幅ｗの上限値を規定
している（４）式である。
て規定される、再生トラック幅ｗに対する永久磁石膜の
残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの望ましい関係をグラフにし
て表すと、図２の、直線２２、２１及び２３で囲まれた
斜線を施した領域となる。図２は横軸が再生トラック幅
ｗ［μｍ］であり、縦軸が永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］である。この図２にお
いて、直線２１はＭｒｔの下限を規定している（１）式
であり、直線２２はＭｒｔの上限を規定している（２）
式であり、直線２３は再生トラック幅ｗの上限値を規定
している（４）式である。
【００３４】すなわち、この斜線の領域は以下の３つの
式を満足している。 Ｍｒｔ≧１．０×ｗ＋０．５ ・・・・（１´） Ｍｒｔ≦３．６×ｗ−０．４ ・・・・（２´） ｗ≦１．５ ・・・・（４´）
式を満足している。 Ｍｒｔ≧１．０×ｗ＋０．５ ・・・・（１´） Ｍｒｔ≦３．６×ｗ−０．４ ・・・・（２´） ｗ≦１．５ ・・・・（４´）
【００３５】なお、式（１）あるいは（２）の左辺は永
久磁石膜の残留磁化膜厚積Ｍｒｔを示し、そのディメン
ジョンは［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］である。なお、再生トラ
ック幅ｗはμｍで表示することにする。左辺が上述した
ディメンジョンを有するため、右辺第１項の定数係数は
［ｍｅｍｕ／ｃｍ２／μｍ］、第２項の定数係数は［ｍ
ｅｍｕ／ｃｍ２］のディメンジョンを持つことになる。
久磁石膜の残留磁化膜厚積Ｍｒｔを示し、そのディメン
ジョンは［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］である。なお、再生トラ
ック幅ｗはμｍで表示することにする。左辺が上述した
ディメンジョンを有するため、右辺第１項の定数係数は
［ｍｅｍｕ／ｃｍ２／μｍ］、第２項の定数係数は［ｍ
ｅｍｕ／ｃｍ２］のディメンジョンを持つことになる。
【００３６】本発明による第２の実施例を説明する。こ
の実施例では、ＭＲヘッドの再生特性が±１０％以内の
非対称性を実現するための条件（第１の実施例における
条件）に、さらに、ＭＲヘッドが規定の出力を確保でき
るという条件が付加される。
の実施例では、ＭＲヘッドの再生特性が±１０％以内の
非対称性を実現するための条件（第１の実施例における
条件）に、さらに、ＭＲヘッドが規定の出力を確保でき
るという条件が付加される。
【００３７】ハードディスクドライブ装置では０、１の
符号を記録再生するために、磁気記録媒体に記録される
磁化の反転現象を用いている。磁気記録媒体内の磁化の
反転にともなう磁場変化は、ＭＲヘッドによる再生波形
から０、１の符号に変換されるが、例えば符号配列が
｛００００｝のように０符号信号が連続する場合は、磁
化の反転周期が長く、反対に｛１１１１｝のように１が
連続する場合は磁化の反転周期が短くなる。
符号を記録再生するために、磁気記録媒体に記録される
磁化の反転現象を用いている。磁気記録媒体内の磁化の
反転にともなう磁場変化は、ＭＲヘッドによる再生波形
から０、１の符号に変換されるが、例えば符号配列が
｛００００｝のように０符号信号が連続する場合は、磁
化の反転周期が長く、反対に｛１１１１｝のように１が
連続する場合は磁化の反転周期が短くなる。
【００３８】現在、ハードディスク装置に用いられてい
る符号再生方式では、最低周波数と最高周波数の比が
１：５ないし１：６の範囲に設定されているが、隣り合
う信号波との重なり合いによる再生波形の干渉効果によ
って、高周波になるほど再生出力が減少する傾向を有す
る。この時、最高周波数に対する再生出力と最低周波数
に対する再生出力の振幅強度比は、２５〜３５％程度に
なる。
る符号再生方式では、最低周波数と最高周波数の比が
１：５ないし１：６の範囲に設定されているが、隣り合
う信号波との重なり合いによる再生波形の干渉効果によ
って、高周波になるほど再生出力が減少する傾向を有す
る。この時、最高周波数に対する再生出力と最低周波数
に対する再生出力の振幅強度比は、２５〜３５％程度に
なる。
【００３９】一方、ハードディスク装置で誤り無く符号
再生するには、ＭＲヘッドからの再生出力が１ｍＶ程度
必要であることから、低周波域での再生出力は最低０．
３〜０．４ｍＶあることが望ましい。このため、本発明
では低周波域の再生出力を０．４ｍＶ以上確保出来る永
久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔを見いだすことに
した。
再生するには、ＭＲヘッドからの再生出力が１ｍＶ程度
必要であることから、低周波域での再生出力は最低０．
３〜０．４ｍＶあることが望ましい。このため、本発明
では低周波域の再生出力を０．４ｍＶ以上確保出来る永
久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔを見いだすことに
した。
【００４０】図３に、再生トラック幅ｗが０．７〜１．
５μｍの各場合について、永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積Ｍｒｔに対する孤立再生波の再生出力の関係を示
す。図３のグラフの横軸は永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］であり、縦軸は再生出
力［ｍＶ］である。
５μｍの各場合について、永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積Ｍｒｔに対する孤立再生波の再生出力の関係を示
す。図３のグラフの横軸は永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］であり、縦軸は再生出
力［ｍＶ］である。
【００４１】図３によれば、例えば、再生トラック幅ｗ
が０．７μｍの場合、永久磁石膜残留磁化・膜厚の積Ｍ
ｒｔが０．８８［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］のときは、約０．
５［ｍＶ］の再生出力を与えることがわかる。さらに再
生トラック幅ｗが０．７〜１．５μｍで、永久磁石膜の
残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔが増加するにともない再生出
力は減少する傾向を一般的に示している。
が０．７μｍの場合、永久磁石膜残留磁化・膜厚の積Ｍ
ｒｔが０．８８［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］のときは、約０．
５［ｍＶ］の再生出力を与えることがわかる。さらに再
生トラック幅ｗが０．７〜１．５μｍで、永久磁石膜の
残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔが増加するにともない再生出
力は減少する傾向を一般的に示している。
【００４２】また、図３から、再生トラック幅ｗ＝０．
７μｍの場合、０．４［ｍＶ］以上の再生出力を得るた
めには、永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔが１．
２７［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］以下であることが必要である
ことがわかる。同様にして、再生トラック幅ｗが０．７
μｍ以外の場合についても、０．４［ｍＶ］以上の再生
出力を得るための、永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍ
ｒｔの上限値を求めると、以下の表２のようになる。
７μｍの場合、０．４［ｍＶ］以上の再生出力を得るた
めには、永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔが１．
２７［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］以下であることが必要である
ことがわかる。同様にして、再生トラック幅ｗが０．７
μｍ以外の場合についても、０．４［ｍＶ］以上の再生
出力を得るための、永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍ
ｒｔの上限値を求めると、以下の表２のようになる。
【００４３】
【表２】
【００４４】表２に得られた永久磁石膜の残留磁化・膜
厚の積Ｍｒｔを再生トラック幅ｗの関係を直線式で表す
と、 Ｍｒｔ＝４．５×ｗ−２．０ ・・・・（５）となる。 すなわち、再生出力を０．４［ｍＶ］以上に確保するた
めには、 Ｍｒｔ≦４．５×ｗ−２．０ ・・・・（５´） であることが必要となる。
厚の積Ｍｒｔを再生トラック幅ｗの関係を直線式で表す
と、 Ｍｒｔ＝４．５×ｗ−２．０ ・・・・（５）となる。 すなわち、再生出力を０．４［ｍＶ］以上に確保するた
めには、 Ｍｒｔ≦４．５×ｗ−２．０ ・・・・（５´） であることが必要となる。
【００４５】以上のことから、永久磁石膜によるバイア
ス磁場を用いたＭＲヘッドにおいて、再生信号の非対称
性を±１０％の範囲内に規制し、且つ再生出力が０．４
［ｍＶ］以上に確保するためには、上記の（１´）式、
（２´）式、（４´）式及び（５´）式をすべて満足す
るものでなければならない。そのような領域を図４に斜
線で示す。
ス磁場を用いたＭＲヘッドにおいて、再生信号の非対称
性を±１０％の範囲内に規制し、且つ再生出力が０．４
［ｍＶ］以上に確保するためには、上記の（１´）式、
（２´）式、（４´）式及び（５´）式をすべて満足す
るものでなければならない。そのような領域を図４に斜
線で示す。
【００４６】図４は、横軸は再生トラック幅ｗ［μ
ｍ］、縦軸が永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔ[m
emu/cm2]である。図４において、直線２１、２２及び２
３は図２の場合と同様に、（１）式、（２）式及び
（４）式を表すものであり、直線３３は上の（５）式を
表している。
ｍ］、縦軸が永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔ[m
emu/cm2]である。図４において、直線２１、２２及び２
３は図２の場合と同様に、（１）式、（２）式及び
（４）式を表すものであり、直線３３は上の（５）式を
表している。
【００４７】以上、説明したように、永久磁石膜にうよ
るバイアス磁場を用いたＭＲヘッドにおいて、図４の斜
線でしるされた領域を選択することによって、再生信号
の非対称性を±１０％の範囲内に規制し、且つ再生出力
を０．４［ｍＶ］以上に確保することが可能となる。
るバイアス磁場を用いたＭＲヘッドにおいて、図４の斜
線でしるされた領域を選択することによって、再生信号
の非対称性を±１０％の範囲内に規制し、且つ再生出力
を０．４［ｍＶ］以上に確保することが可能となる。
【００４８】第３の実施例を説明する。この実施例で
は、ＭＲヘッドの再生特性が±１０％以内の非対称性を
実現するという条件（第１の実施例で与えられる条件）
に、さらに、永久磁石膜のヒステリシス特性を低下させ
るという条件が付加される。ここでいうヒステリシス
は、ＭＲヘッドに連続的に変化する外部磁場を加えたと
きに、ＭＲ素子の出力変化特性曲線に現れるヒステリシ
スを意味する。このヒステリシスは印加磁場の変化と出
力の変化によって与えられる。本発明ではヒステリシス
のディメンジョンを［ｍＶ・Ｏｅ］とする。
は、ＭＲヘッドの再生特性が±１０％以内の非対称性を
実現するという条件（第１の実施例で与えられる条件）
に、さらに、永久磁石膜のヒステリシス特性を低下させ
るという条件が付加される。ここでいうヒステリシス
は、ＭＲヘッドに連続的に変化する外部磁場を加えたと
きに、ＭＲ素子の出力変化特性曲線に現れるヒステリシ
スを意味する。このヒステリシスは印加磁場の変化と出
力の変化によって与えられる。本発明ではヒステリシス
のディメンジョンを［ｍＶ・Ｏｅ］とする。
【００４９】図５は、再生トラック幅ｗが０．７〜１．
５［μｍ］の各場合について、永久磁石膜の残留磁化・
膜厚の積Ｍｒｔに対するヒステリシスの関係について示
すグラフである。図５のグラフの縦軸はヒステリシス
［ｍＶ・Ｏｅ］であり、横軸は永久磁石膜の残留磁化・
膜厚の積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］である。
５［μｍ］の各場合について、永久磁石膜の残留磁化・
膜厚の積Ｍｒｔに対するヒステリシスの関係について示
すグラフである。図５のグラフの縦軸はヒステリシス
［ｍＶ・Ｏｅ］であり、横軸は永久磁石膜の残留磁化・
膜厚の積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］である。
【００５０】図５のよれば、例えば、再生トラック幅ｗ
が０．７［μｍ］の場合、永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積Ｍｒｔが０．８８［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］のとき、ヒ
ステリシスは４．２［ｍＶ・Ｏｅ］である。Ｍｒｔがそ
れより増加して１．６［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］となると、
ヒステリシスは急激に減少して１．２［ｍＶ・Ｏｅ］と
なる。さらにＭｒｔが増加して３．９［ｍｅｍｕ／ｃｍ
２］となると、ヒステリシスはさらに減少して０．２
［ｍＶ・Ｏｅ］となる。
が０．７［μｍ］の場合、永久磁石膜の残留磁化・膜厚
の積Ｍｒｔが０．８８［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］のとき、ヒ
ステリシスは４．２［ｍＶ・Ｏｅ］である。Ｍｒｔがそ
れより増加して１．６［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］となると、
ヒステリシスは急激に減少して１．２［ｍＶ・Ｏｅ］と
なる。さらにＭｒｔが増加して３．９［ｍｅｍｕ／ｃｍ
２］となると、ヒステリシスはさらに減少して０．２
［ｍＶ・Ｏｅ］となる。
【００５１】一般に、再生素子に現れるヒステリシスは
再生出力のばらつきの原因となり、ディスクドライブ装
置のノイズ源となることが分かっている。このため、デ
ィスクドライブ装置で許容される最大の出力ばらつき
は、５〜１０％程度であり、これを前記の再生出力の最
小値０．４［ｍＶ］の場合で考えると、許容ばらつきの
範囲は０．０３［ｍＶ］となる。
再生出力のばらつきの原因となり、ディスクドライブ装
置のノイズ源となることが分かっている。このため、デ
ィスクドライブ装置で許容される最大の出力ばらつき
は、５〜１０％程度であり、これを前記の再生出力の最
小値０．４［ｍＶ］の場合で考えると、許容ばらつきの
範囲は０．０３［ｍＶ］となる。
【００５２】一方、ディスクドライブ装置の磁気記録媒
体から発生する信号磁場の大きさについていうと、磁気
記録媒体のＭｒｔが０．５〜０．８［ｍｅｍｕ／ｃ
ｍ２］であることを考慮すると、４０［Ｏｅ］程度の磁
場が磁気抵抗効果型磁気ヘッドに加わると考えられる。
体から発生する信号磁場の大きさについていうと、磁気
記録媒体のＭｒｔが０．５〜０．８［ｍｅｍｕ／ｃ
ｍ２］であることを考慮すると、４０［Ｏｅ］程度の磁
場が磁気抵抗効果型磁気ヘッドに加わると考えられる。
【００５３】この結果から許容されるヒステリシスの最
大値は、印加磁場の大きさと出力許容ばらつきの積から
規定されて、１．２［ｍＶ・Ｏｅ］となることが分か
る。再生出力のばらつきの少ない磁気抵抗効果型ヘッド
を得るためには、ヒステリシスが１．２［ｍＶ・Ｏｅ］
以下になるよう永久磁石膜のＭｒｔを制御する必要があ
る。
大値は、印加磁場の大きさと出力許容ばらつきの積から
規定されて、１．２［ｍＶ・Ｏｅ］となることが分か
る。再生出力のばらつきの少ない磁気抵抗効果型ヘッド
を得るためには、ヒステリシスが１．２［ｍＶ・Ｏｅ］
以下になるよう永久磁石膜のＭｒｔを制御する必要があ
る。
【００５４】図５で得られた結果を元に、再生トラック
幅ｗが０．７〜１．５［μｍ］の各場合について、永久
磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの下限値を求める
と、以下の表３に示すようになる。
幅ｗが０．７〜１．５［μｍ］の各場合について、永久
磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの下限値を求める
と、以下の表３に示すようになる。
【００５５】
【表３】
【００５６】表３に得られた永久磁石膜の残留磁化・膜
厚の積Ｍｒｔと再生トラック幅ｗの関係を直線式で表す
と、 Ｍｒｔ＝３．７×ｗ−１．２ ・・・・（６）となる。 すなわち、再生出力のばらつきを規定するヒステリシス
の大きさが１．２［ｍＶ・Ｏｅ］以下にするには、 Ｍｒｔ≧３．７×ｗ−１．２ ・・・・（６´） であることが必要となる。
厚の積Ｍｒｔと再生トラック幅ｗの関係を直線式で表す
と、 Ｍｒｔ＝３．７×ｗ−１．２ ・・・・（６）となる。 すなわち、再生出力のばらつきを規定するヒステリシス
の大きさが１．２［ｍＶ・Ｏｅ］以下にするには、 Ｍｒｔ≧３．７×ｗ−１．２ ・・・・（６´） であることが必要となる。
【００５７】以上のことから、永久磁石バイアス方式の
ＭＲヘッドにおいて、再生信号の非対称性を±１０％の
範囲内に制御し、且つヒステリシスの大きさを１．２
［ｍＶ・Ｏｅ］以下とした再生特性を得るためには、上
記の（１´）式、（２´）式、（４´）式及び（６´）
式をすべて満足するものでなければならない。そのよう
な領域を図６に斜線で示す。
ＭＲヘッドにおいて、再生信号の非対称性を±１０％の
範囲内に制御し、且つヒステリシスの大きさを１．２
［ｍＶ・Ｏｅ］以下とした再生特性を得るためには、上
記の（１´）式、（２´）式、（４´）式及び（６´）
式をすべて満足するものでなければならない。そのよう
な領域を図６に斜線で示す。
【００５８】図６は、横軸は再生トラック幅ｗ［μｍ］
であり、縦軸が永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔ
[memu/cm2]である。図６において、直線２１、２２及び
２３は図２の場合と同様に、（１）式、（２）式及び
（４）式を表し、直線５３は上の（６）式を表してい
る。
であり、縦軸が永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔ
[memu/cm2]である。図６において、直線２１、２２及び
２３は図２の場合と同様に、（１）式、（２）式及び
（４）式を表し、直線５３は上の（６）式を表してい
る。
【００５９】第４の実施例を説明する。この実施例で
は、ＭＲヘッドの再生特性が±１０％以内の非対称性を
実現するための条件（第１の実施例における条件）と、
さらに、永久磁石膜のヒステリシス特性を低下させると
いう条件（第３の実施例における条件）とが重畳して付
加される。
は、ＭＲヘッドの再生特性が±１０％以内の非対称性を
実現するための条件（第１の実施例における条件）と、
さらに、永久磁石膜のヒステリシス特性を低下させると
いう条件（第３の実施例における条件）とが重畳して付
加される。
【００６０】したがって、この実施例は、上記の（１
´）式、（２´）式、（４´）式、（５´）式及び（６
´）式をすべて満足するものでなければならない。その
ような領域を図７に斜線で示す。
´）式、（２´）式、（４´）式、（５´）式及び（６
´）式をすべて満足するものでなければならない。その
ような領域を図７に斜線で示す。
【００６１】図７は、横軸が再生トラック幅ｗ［μｍ］
であり、縦軸が永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔ
[memu/cm2]である。図７において、直線２１、２２及び
２３は図２の場合と同様に、（１）式、（２）式及び
（４）式を表すものであり、直線３３は上の（５）式
を、直線５３は（６）式を表している。
であり、縦軸が永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔ
[memu/cm2]である。図７において、直線２１、２２及び
２３は図２の場合と同様に、（１）式、（２）式及び
（４）式を表すものであり、直線３３は上の（５）式
を、直線５３は（６）式を表している。
【００６２】第５の実施例を説明する。この実施例は、
上記の第１乃至第４の実施例によるＭＲヘッドにおい
て、その角形比Ｓを規定している。角形比Ｓとは、磁気
的バイアスを印加するための手段である永久磁石膜の残
留磁化Ｍｒと飽和磁化Ｍｓの比、（すなわち、Ｓ＝Ｍｒ
／Ｍｓ）である。この実施例によるＭＲヘッドは角形比
が０．７以上１．０以下に規定される。
上記の第１乃至第４の実施例によるＭＲヘッドにおい
て、その角形比Ｓを規定している。角形比Ｓとは、磁気
的バイアスを印加するための手段である永久磁石膜の残
留磁化Ｍｒと飽和磁化Ｍｓの比、（すなわち、Ｓ＝Ｍｒ
／Ｍｓ）である。この実施例によるＭＲヘッドは角形比
が０．７以上１．０以下に規定される。
【００６３】図８に示すＭＲヘッドにおける永久磁石膜
８１の飽和磁化Ｍｓは４５０〜８００［ｅｍｕ／ｃ
ｍ３］程度になる。このとき、角形比Ｓを１とすると、
永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔが１［ｍｅｍｕ
／ｃｍ２］となるために必要な膜厚は１２０〜２２０
［Å］である。これに対して角形比Ｓを０．１とする
と、Ｍｒｔが１［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］となるために必要
な膜厚は１２００〜２２００［Å］にも達し、再生素子
の再生トラック両側が厚くなってしまう。
８１の飽和磁化Ｍｓは４５０〜８００［ｅｍｕ／ｃ
ｍ３］程度になる。このとき、角形比Ｓを１とすると、
永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔが１［ｍｅｍｕ
／ｃｍ２］となるために必要な膜厚は１２０〜２２０
［Å］である。これに対して角形比Ｓを０．１とする
と、Ｍｒｔが１［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］となるために必要
な膜厚は１２００〜２２００［Å］にも達し、再生素子
の再生トラック両側が厚くなってしまう。
【００６４】この再生素子周辺の形状は記録磁極の形状
にも影響を及ぼすことになる。再生素子周辺の形状効果
を緩和するためには、記録磁極を形成する前に磁極を配
置する面の平坦化を行うか、あるいは再生素子形状を平
坦に保つことが必要である。しかし、平坦化の作業は磁
気ヘッドの製造工数を増加させ、コストの増加につなが
るという短所を有する。これに対して再生素子の形状を
平坦に保つ技術は余分な工程を経ることなく、且つ永久
磁石膜を薄くすることで膜形成の時間も短縮することが
可能であり、ＭＲヘッドの生産性を向上させることが可
能となる。
にも影響を及ぼすことになる。再生素子周辺の形状効果
を緩和するためには、記録磁極を形成する前に磁極を配
置する面の平坦化を行うか、あるいは再生素子形状を平
坦に保つことが必要である。しかし、平坦化の作業は磁
気ヘッドの製造工数を増加させ、コストの増加につなが
るという短所を有する。これに対して再生素子の形状を
平坦に保つ技術は余分な工程を経ることなく、且つ永久
磁石膜を薄くすることで膜形成の時間も短縮することが
可能であり、ＭＲヘッドの生産性を向上させることが可
能となる。
【００６５】本実施例で使用される永久磁石膜８１の残
留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの最大値は５．２９［ｍｅｍｕ
／ｃｍ２］である。永久磁石膜８１に、例えば、飽和磁
化Ｍｓが４５０［ｅｍｕ／ｃｍ３］の永久磁石材料を用
いた場合、その膜厚は以下の関係で与えられる。 永久磁石膜厚＝（残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの最大値）／（残留磁化Ｍｒ） ＝Ｍｒｔ／（Ｍｓ×Ｓ） ＝５．２９［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］／Ｍｒ［ｅｍｕ／ｃｍ３］ ＝５．２９[memu/cm2]／（４５０[emu/cm3]×Ｓ） となる。
留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの最大値は５．２９［ｍｅｍｕ
／ｃｍ２］である。永久磁石膜８１に、例えば、飽和磁
化Ｍｓが４５０［ｅｍｕ／ｃｍ３］の永久磁石材料を用
いた場合、その膜厚は以下の関係で与えられる。 永久磁石膜厚＝（残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔの最大値）／（残留磁化Ｍｒ） ＝Ｍｒｔ／（Ｍｓ×Ｓ） ＝５．２９［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］／Ｍｒ［ｅｍｕ／ｃｍ３］ ＝５．２９[memu/cm2]／（４５０[emu/cm3]×Ｓ） となる。
【００６６】したがって、永久磁石膜の最小膜厚は角形
比Ｓが１のときに得られて、１１７６［Å］になる。角
形比Ｓが小さくなるに伴い永久磁石膜の膜厚は厚くな
り、角形比０．７で１６８０［Å］、角形比０．５で２
３５２［Å］に達する。ＭＲヘッドの素子膜厚は５００
〜６００［Å］程度であり、これに信号検出用の電極を
加えた素子部の段差は角形比０．７の時に２０００
［Å］程度になる。これは記録ギャップ長の５０％に達
する歪みを記録磁極に発生させるが、５０％以上の形状
歪みはＯ／Ｗ（オーバライト）および再生波長の特性を
著しく劣化させるため、永久磁石膜の角形比は０．７以
上であることが望ましい。
比Ｓが１のときに得られて、１１７６［Å］になる。角
形比Ｓが小さくなるに伴い永久磁石膜の膜厚は厚くな
り、角形比０．７で１６８０［Å］、角形比０．５で２
３５２［Å］に達する。ＭＲヘッドの素子膜厚は５００
〜６００［Å］程度であり、これに信号検出用の電極を
加えた素子部の段差は角形比０．７の時に２０００
［Å］程度になる。これは記録ギャップ長の５０％に達
する歪みを記録磁極に発生させるが、５０％以上の形状
歪みはＯ／Ｗ（オーバライト）および再生波長の特性を
著しく劣化させるため、永久磁石膜の角形比は０．７以
上であることが望ましい。
【００６７】この実施例は、上記の第１乃至第５の実施
例のうちいずれかによるＭＲヘッドにおいて、その永久
磁石膜８１の組成を規定している。永久磁石膜８１はＣ
ｏを主成分とする合金であり、この合金に対する添加元
素としてＣｒ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉの少なくともいずれか
１種類以上を含む。
例のうちいずれかによるＭＲヘッドにおいて、その永久
磁石膜８１の組成を規定している。永久磁石膜８１はＣ
ｏを主成分とする合金であり、この合金に対する添加元
素としてＣｒ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉの少なくともいずれか
１種類以上を含む。
【００６８】ＭＲヘッドにおいて、バイアス磁場を発生
する永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔを制御し、
良好な再生特性を得るためには、薄膜の状態で優れた磁
気特性を示す永久磁石材料を得る必要がある。Ｃｏを主
成分とする合金の永久磁石膜では膜厚が１００〜１００
０［Å］の範囲で保磁力Ｈｃ＝１０００［Ｏｅ］以上、
角形比Ｓ＝０．７以上を確保することが可能である。
する永久磁石膜の残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔを制御し、
良好な再生特性を得るためには、薄膜の状態で優れた磁
気特性を示す永久磁石材料を得る必要がある。Ｃｏを主
成分とする合金の永久磁石膜では膜厚が１００〜１００
０［Å］の範囲で保磁力Ｈｃ＝１０００［Ｏｅ］以上、
角形比Ｓ＝０．７以上を確保することが可能である。
【００６９】第７の実施例を説明する。この実施例で
は、上記の第１乃至第６の実施例のうちいずれかによる
ＭＲヘッドにおいて、磁気抵抗効果を有する再生素子が
非磁性金属のスペーサを介して積層された２つの磁性膜
によって構成している。この非磁性金属のスペーサとし
てはＣｕ、Ｔａ等の材料を用いることが可能である。ま
た、積層された磁性膜としては、ＮｉＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＴａＺｒ、ＮｉＦｅ系合金、
ＣｏＦｅ系合金、ＣｏＴａ系合金等を用いることが可能
であり、良好な磁気特性を得ることが出来る。
は、上記の第１乃至第６の実施例のうちいずれかによる
ＭＲヘッドにおいて、磁気抵抗効果を有する再生素子が
非磁性金属のスペーサを介して積層された２つの磁性膜
によって構成している。この非磁性金属のスペーサとし
てはＣｕ、Ｔａ等の材料を用いることが可能である。ま
た、積層された磁性膜としては、ＮｉＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＴａＺｒ、ＮｉＦｅ系合金、
ＣｏＦｅ系合金、ＣｏＴａ系合金等を用いることが可能
であり、良好な磁気特性を得ることが出来る。
【００７０】第８の実施例を説明する。この実施例で
は、上記の第１乃至第６の実施例のうちいずれかによる
ＭＲヘッドにおいて、再生素子を以下の形態とすること
ができる。
は、上記の第１乃至第６の実施例のうちいずれかによる
ＭＲヘッドにおいて、再生素子を以下の形態とすること
ができる。
【００７１】第１の形態： 磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）
と、Ｔａのスペーサと、ＭＲ膜にバイアスを印加するＳ
ＡＬ膜とを積層した３層膜とし、そしてこの３層膜の両
端に永久磁石膜と導電膜を設けて、再生素子とする。ス
ペーサをＴａとすることにより抵抗の高い金属膜のスペ
ーサが得られる。この再生素子を用いたＭＲヘッドはＳ
ＡＬバイアス型磁気ヘッドと呼ばれる。
と、Ｔａのスペーサと、ＭＲ膜にバイアスを印加するＳ
ＡＬ膜とを積層した３層膜とし、そしてこの３層膜の両
端に永久磁石膜と導電膜を設けて、再生素子とする。ス
ペーサをＴａとすることにより抵抗の高い金属膜のスペ
ーサが得られる。この再生素子を用いたＭＲヘッドはＳ
ＡＬバイアス型磁気ヘッドと呼ばれる。
【００７２】第２の形態： 第１の軟磁性膜と、非磁性
金属のスペーサと、第２の磁性膜と、反強磁性膜とを積
層した４層膜とし、そしてこの４層膜の両端に永久磁石
膜と導電膜を設けて、再生素子とする。この再生素子を
用いたＭＲヘッドはスピンバルブ型ＭＲヘッドあるはス
ピンバルブヘッドと呼ばれる。なお、この再生素子にお
いて、第１の軟磁性膜と第２の磁性膜の両方、またはい
ずれか一方を、複数の磁性膜を積層した膜や、磁性層間
に金属層を設けた積層フェリ層等で置換することでき
る。非磁性金属のスペーサにはＣｕ等を用いることがで
きる。
金属のスペーサと、第２の磁性膜と、反強磁性膜とを積
層した４層膜とし、そしてこの４層膜の両端に永久磁石
膜と導電膜を設けて、再生素子とする。この再生素子を
用いたＭＲヘッドはスピンバルブ型ＭＲヘッドあるはス
ピンバルブヘッドと呼ばれる。なお、この再生素子にお
いて、第１の軟磁性膜と第２の磁性膜の両方、またはい
ずれか一方を、複数の磁性膜を積層した膜や、磁性層間
に金属層を設けた積層フェリ層等で置換することでき
る。非磁性金属のスペーサにはＣｕ等を用いることがで
きる。
【００７３】ここで、スピンバルブ型ＭＲヘッドを図
９、図１０及び図１１を用いて説明する。上記の４層膜
のＭＲ素子８２とその両端に設けられた永久磁石膜８１
と電極８３（導電膜）とからなる再生素子は、第１のシ
ールド磁性膜９３と第２のシールド磁性膜９４との間に
配置される。第２のシールド磁性膜９４は基板９５の上
に絶縁膜９６を介して置かれる。第１のシールド磁性膜
９３は第２のシールド磁性膜９４の上方に、所定の間隙
を保って配置される。
９、図１０及び図１１を用いて説明する。上記の４層膜
のＭＲ素子８２とその両端に設けられた永久磁石膜８１
と電極８３（導電膜）とからなる再生素子は、第１のシ
ールド磁性膜９３と第２のシールド磁性膜９４との間に
配置される。第２のシールド磁性膜９４は基板９５の上
に絶縁膜９６を介して置かれる。第１のシールド磁性膜
９３は第２のシールド磁性膜９４の上方に、所定の間隙
を保って配置される。
【００７４】第１のシールド磁性膜９３の上方には記録
磁極８４が配置される。記録磁極８４は、図９に示すよ
うに、後方にコイル８０の中心にまで延びている。この
記録磁極８４は、図１０に示すように、保護膜９７で覆
われている。再生素子を構成するＭＲ素子８２は、図１
１に示すように、主として、下から第１の軟磁性膜とし
ての自由層８２ａ、スペーサとしての非磁性金属層８２
ｂ、第２の磁性層としての固定層８２ｃ、及び反強磁性
膜からなる反強磁性層８２ｄの４層構造である。
磁極８４が配置される。記録磁極８４は、図９に示すよ
うに、後方にコイル８０の中心にまで延びている。この
記録磁極８４は、図１０に示すように、保護膜９７で覆
われている。再生素子を構成するＭＲ素子８２は、図１
１に示すように、主として、下から第１の軟磁性膜とし
ての自由層８２ａ、スペーサとしての非磁性金属層８２
ｂ、第２の磁性層としての固定層８２ｃ、及び反強磁性
膜からなる反強磁性層８２ｄの４層構造である。
【００７５】第３の形態： 第１の軟磁性膜と、絶縁材
料のスペーサと、第２の軟磁性膜とを積層した３層膜
と、この３層膜に導電膜を設けて、再生素子とする。こ
の再生素子を用いたＭＲヘッドはトンネル接合型磁気ヘ
ッドと呼ばれる。 第４の形態： 巨大磁気抵抗効果を生じる再生素子を用
いる。
料のスペーサと、第２の軟磁性膜とを積層した３層膜
と、この３層膜に導電膜を設けて、再生素子とする。こ
の再生素子を用いたＭＲヘッドはトンネル接合型磁気ヘ
ッドと呼ばれる。 第４の形態： 巨大磁気抵抗効果を生じる再生素子を用
いる。
【００７６】
【発明の実施の形態】本発明のＭＲヘッドは以下の工程
で製造し、本発明の効果を実証することにした。まず、
Ａｌ２Ｏ３等の絶縁膜が形成されたセラミック基板上に
１〜２［μｍ］の厚さの軟磁性材料からなる下部シール
ド膜を成膜した。下部シールド膜を磁気ヘッドに必要な
形に整形した後、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁膜を用いた下部再
生ギャップを形成した。この絶縁膜の上に軟磁性膜、非
磁性スペーサ膜、磁性膜の順にスパッタ等の方法を用い
て、再生素子用の積層薄膜を形成した。この時これらの
膜は、１００〜２００［Å］程度の薄膜である必要があ
る。成膜された積層薄膜は、ミリング（イオンミリング
ともいう）等の手法により必要な素子形状に整形され
る。
で製造し、本発明の効果を実証することにした。まず、
Ａｌ２Ｏ３等の絶縁膜が形成されたセラミック基板上に
１〜２［μｍ］の厚さの軟磁性材料からなる下部シール
ド膜を成膜した。下部シールド膜を磁気ヘッドに必要な
形に整形した後、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁膜を用いた下部再
生ギャップを形成した。この絶縁膜の上に軟磁性膜、非
磁性スペーサ膜、磁性膜の順にスパッタ等の方法を用い
て、再生素子用の積層薄膜を形成した。この時これらの
膜は、１００〜２００［Å］程度の薄膜である必要があ
る。成膜された積層薄膜は、ミリング（イオンミリング
ともいう）等の手法により必要な素子形状に整形され
る。
【００７７】次に、再生素子の抵抗変化を検出するため
の電極を作製する。再生トラック幅ｗを規定するのは再
生素子に接触した２つの電極の間隔になるため、まず初
めに電極間隔を制御するためのステンシルを、フォトリ
ソグラフィーの技術を用いて再生素子の上に形成した。
この時、後述するように形成する電極材料が再生素子と
電気的に良好に接続する必要があることから、ステンシ
ルの再生素子に接触している部分はミリングによって形
成された素子幅よりも０．２〜０．３［μｍ］程度狭く
する必要があった。この時、ステンシルの幅によって規
制される再生トラック幅は、０．７〜１．５［μｍ］と
した。電極を構成する膜の内、まず第１にバイアス磁場
発生用の永久磁石膜として、ＣｏＣｒＰｔ合金を必要な
残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔを得るように膜厚を調整して
成膜し、続いて電気的良導体であるＴａ膜とＣｕ膜を成
膜した。
の電極を作製する。再生トラック幅ｗを規定するのは再
生素子に接触した２つの電極の間隔になるため、まず初
めに電極間隔を制御するためのステンシルを、フォトリ
ソグラフィーの技術を用いて再生素子の上に形成した。
この時、後述するように形成する電極材料が再生素子と
電気的に良好に接続する必要があることから、ステンシ
ルの再生素子に接触している部分はミリングによって形
成された素子幅よりも０．２〜０．３［μｍ］程度狭く
する必要があった。この時、ステンシルの幅によって規
制される再生トラック幅は、０．７〜１．５［μｍ］と
した。電極を構成する膜の内、まず第１にバイアス磁場
発生用の永久磁石膜として、ＣｏＣｒＰｔ合金を必要な
残留磁化・膜厚の積Ｍｒｔを得るように膜厚を調整して
成膜し、続いて電気的良導体であるＴａ膜とＣｕ膜を成
膜した。
【００７８】このとき、永久磁石膜の残留磁化・膜厚の
積Ｍｒｔは０．８〜３．９［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］の条件
で成膜を行った。永久磁石膜および導電膜はスパッタ法
を用いて形成した。スパッタによる成膜作業が終了した
後、ステンシルおよびステンシル上に付着した膜を除去
し、完成した再生素子の上に再びＡｌ２Ｏ３等からなる
絶縁膜を形成した。この絶縁膜は再生素子下部の絶縁膜
と合わせて再生ギャップを構成する。更に、再生ギャッ
プ上には厚さ３〜４［μｍ］の上部シールド膜を形成し
た。完成した再生ヘッドの上部に記録コイルと記録磁極
を積層し、上部に保護膜と導電パッドをとりつけてすべ
のヘッド製造工程が終了した。
積Ｍｒｔは０．８〜３．９［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］の条件
で成膜を行った。永久磁石膜および導電膜はスパッタ法
を用いて形成した。スパッタによる成膜作業が終了した
後、ステンシルおよびステンシル上に付着した膜を除去
し、完成した再生素子の上に再びＡｌ２Ｏ３等からなる
絶縁膜を形成した。この絶縁膜は再生素子下部の絶縁膜
と合わせて再生ギャップを構成する。更に、再生ギャッ
プ上には厚さ３〜４［μｍ］の上部シールド膜を形成し
た。完成した再生ヘッドの上部に記録コイルと記録磁極
を積層し、上部に保護膜と導電パッドをとりつけてすべ
のヘッド製造工程が終了した。
【００７９】再生トラック幅ｗを０．７〜１．５［μ
ｍ］、永久磁石膜のＭｒｔを０．８〜３．９［ｍｅｍｕ
／ｃｍ２］とした試作ＭＲヘッドの再生波形非対称性、
再生出力およびヒステリシスの測定結果はそれぞれ図
１、図３および図５に示したとおりである。
ｍ］、永久磁石膜のＭｒｔを０．８〜３．９［ｍｅｍｕ
／ｃｍ２］とした試作ＭＲヘッドの再生波形非対称性、
再生出力およびヒステリシスの測定結果はそれぞれ図
１、図３および図５に示したとおりである。
【００８０】
【発明の効果】本発明によるＭＲヘッドを用いることに
より、高トラック密度に応じて再生トラック幅が狭くな
っても再生波形の非対称性、再生出力および再生出力の
ばらつきの少ない良好な再生特性を得ることが可能とな
る。さらに、バルクハウゼンノイズを効果的に除去でき
る磁石膜と再生トラック幅の関係を利用できるため、高
性能なＭＲヘッドが得られる。
より、高トラック密度に応じて再生トラック幅が狭くな
っても再生波形の非対称性、再生出力および再生出力の
ばらつきの少ない良好な再生特性を得ることが可能とな
る。さらに、バルクハウゼンノイズを効果的に除去でき
る磁石膜と再生トラック幅の関係を利用できるため、高
性能なＭＲヘッドが得られる。
【図１】永久磁石膜の残留磁化と膜厚との積Ｍｒｔに対
する再生波形非対称性を示すグラフである。
する再生波形非対称性を示すグラフである。
【図２】再生波形非対称性を規制するための再生トラッ
ク幅ｗと、永久磁石膜の残留磁化と膜厚との積Ｍｒｔと
の関係を示すグラフである。
ク幅ｗと、永久磁石膜の残留磁化と膜厚との積Ｍｒｔと
の関係を示すグラフである。
【図３】永久磁石膜の残留磁化と膜厚との積Ｍｒｔに対
する再生出力を示すグラフである。
する再生出力を示すグラフである。
【図４】再生出力を規定するための再生トラック幅ｗ
と、永久磁石膜の残留磁化と膜厚の積Ｍｒｔとの関係を
示すグラフである。
と、永久磁石膜の残留磁化と膜厚の積Ｍｒｔとの関係を
示すグラフである。
【図５】永久磁石膜の残留磁化と膜厚との積Ｍｒｔに対
するヒステリシスを示すグラフである。
するヒステリシスを示すグラフである。
【図６】ヒステリシスを規制するための再生トラック幅
ｗと、永久磁石膜の残留磁化と膜厚との積Ｍｒｔとの関
係を示すグラフである。
ｗと、永久磁石膜の残留磁化と膜厚との積Ｍｒｔとの関
係を示すグラフである。
【図７】再生出力およびヒステリシスを規制するための
再生トラック幅ｗと、永久磁石膜の残留磁化と膜厚との
積Ｍｒｔとの関係を示すグラフである。
再生トラック幅ｗと、永久磁石膜の残留磁化と膜厚との
積Ｍｒｔとの関係を示すグラフである。
【図８】浮上面から見たＭＲヘッドの磁極部の概略図で
ある。
ある。
【図９】本発明が適用されるスピンバルブ型ＭＲヘッド
の斜視図であり、ＭＲヘッドの保護膜がはずされ且つＭ
Ｒヘッドの一部が断面図にて示されている。
の斜視図であり、ＭＲヘッドの保護膜がはずされ且つＭ
Ｒヘッドの一部が断面図にて示されている。
【図１０】図９のＭＲヘッドの正面図である。
【図１１】図１０のＭＲヘッドにおける再生素子を拡大
して示した図である。
して示した図である。
【図１２】従来のＭＲヘッドの構成を示す斜視図であ
る。
る。
８０ コイル、 ８１ 永久磁石膜、 ８２ 磁気抵抗
効果素子（ＭＲ素子）、８２ａ 自由層、 ８２ｂ ス
ペーサ、 ８２ｃ 固定層、８２ｄ 反強磁性層、 ８
３ 電極、 ８４ 記録磁極、８５ 下部シールド膜、
８６ 上部シールド膜、 ８７ 再生ギャップ、９１
磁気抵抗効果素子、９２ 再生ギャップ、９３ シー
ルド磁性膜（下部磁極） ９４ シールド磁性膜、９
５ 基板、 ９６ 絶縁膜、 ９７ 保護膜。
効果素子（ＭＲ素子）、８２ａ 自由層、 ８２ｂ ス
ペーサ、 ８２ｃ 固定層、８２ｄ 反強磁性層、 ８
３ 電極、 ８４ 記録磁極、８５ 下部シールド膜、
８６ 上部シールド膜、 ８７ 再生ギャップ、９１
磁気抵抗効果素子、９２ 再生ギャップ、９３ シー
ルド磁性膜（下部磁極） ９４ シールド磁性膜、９
５ 基板、 ９６ 絶縁膜、 ９７ 保護膜。
Claims (12)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果を有する薄膜を備える磁気
抵抗効果素子と前記磁気抵抗効果素子に磁気的バイアス
磁場を印加する永久磁石膜を備えた磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、前記永久磁石膜の残留磁化Ｍｒとその
膜厚ｔの積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］は、再生トラッ
ク幅ｗ［μｍ］とした場合、 Ｍｒｔ≧１．０×ｗ＋０．５ Ｍｒｔ≦３．６×ｗ−０．４ を満足する関係を有すると共に、前記再生トラック幅ｗ
が１．５μｍ以下であることを特徴とする磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記再生トラック幅ｗ［μｍ］および永
久磁石膜の残留磁化Ｍｒと膜厚ｔの積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ
／ｃｍ２］の関係が、 Ｍｒｔ≦４．５×ｗ−２．０ を満足することを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記再生トラック幅ｗ［μｍ］と永久磁
石膜の残留磁化Ｍｒと膜厚ｔの積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃ
ｍ２］の関係が、 Ｍｒｔ≧３．７×ｗ−１．２ を満足することを特徴とする請求項１または２のいずれ
かに記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記再生トラック幅ｗ［μｍ］と永久磁
石膜の残留磁化Ｍｒと膜厚ｔの積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃ
ｍ２］の関係が、 Ｍｒｔ≦４．５×ｗ−２．０ Ｍｒｔ≧３．１×ｗ−１．９ を満足することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記永久磁石膜の残留磁化Ｍｒと飽和磁
化Ｍｓの比によって与えられる角形比Ｓが以下の式 Ｓ＝Ｍｒ／Ｍｓ で与えられるとき、その角形比Ｓが０．７から１．０の
範囲であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記永久磁石膜はＣｏを主成分とする合
金であるか、もしくは前記合金に添加元素としてＣｒ、
Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉの少なくとも１種類以上を含むことを
特徴とする請求項５に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項７】 前記磁気抵抗効果素子が非磁性金属のス
ペーサを介して積層された２つの磁性膜によって構成さ
れることを特徴とする請求項６に記載の磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記磁気抵抗効果素子の再生出力の非対
称性が±１０％以内であることを特徴とする請求項１に
記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項９】 前記磁気抵抗効果素子の再生出力の非対
称性が±１０％以内で、且つ０．４ｍＶ以上の再生出力
が得られることを特徴とする請求項２に記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 前記磁気抵抗効果素子の再生出力の非
対称性が±１０％以内で、且つ再生出力のばらつきが１
０％以下であることを特徴とする請求項３に記載の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 前記磁気抵抗効果素子の再生出力の非
対称性が±１０％以内で、再生出力が０．４ｍＶ以上で
そのばらつきが１０％以下であることを特徴とする請求
項４に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 前記永久磁石膜の残留磁化Ｍｒとその
膜厚ｔの積Ｍｒｔ［ｍｅｍｕ／ｃｍ２］と再生トラック
幅ｗは、 Ｍｒｔ＝１．６×ｗ＋０．４ の関係を有し、その再生波形に実質的に非対称性が含ま
れないことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03658799A JP3839607B2 (ja) | 1998-02-16 | 1999-02-16 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの調整方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-33029 | 1998-02-16 | ||
| JP3302998 | 1998-02-16 | ||
| JP03658799A JP3839607B2 (ja) | 1998-02-16 | 1999-02-16 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11296820A true JPH11296820A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3839607B2 JP3839607B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=26371665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03658799A Expired - Fee Related JP3839607B2 (ja) | 1998-02-16 | 1999-02-16 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3839607B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6905780B2 (en) | 2001-02-01 | 2005-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current-perpendicular-to-plane-type magnetoresistive device, and magnetic head and magnetic recording-reproducing apparatus using the same |
| US7054115B2 (en) | 2000-02-02 | 2006-05-30 | Alps Electric Co., Ltd. | Spin-valve thin-film magnetic element and method for making the same |
| US7821748B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-resistance effect element including a damping factor adjustment layer, magneto-resistance effect head, magnetic storage and magnetic memory |
-
1999
- 1999-02-16 JP JP03658799A patent/JP3839607B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7054115B2 (en) | 2000-02-02 | 2006-05-30 | Alps Electric Co., Ltd. | Spin-valve thin-film magnetic element and method for making the same |
| US6905780B2 (en) | 2001-02-01 | 2005-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current-perpendicular-to-plane-type magnetoresistive device, and magnetic head and magnetic recording-reproducing apparatus using the same |
| US7223485B2 (en) | 2001-02-01 | 2007-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive device, magnetoresistive head and magnetic recording-reproducing apparatus |
| US7897274B2 (en) | 2001-02-01 | 2011-03-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive device, magnetoresistive head and magnetic recording-reproducing apparatus |
| US7821748B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-resistance effect element including a damping factor adjustment layer, magneto-resistance effect head, magnetic storage and magnetic memory |
| US8130477B2 (en) | 2005-09-29 | 2012-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-resistance effect element having a diffusive electron scattering layer, magneto-resistance effect head, magnetic storage and magnetic memory |
| US8305716B2 (en) | 2005-09-29 | 2012-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-resistance effect element including diffusive electron scattering layer, magneto-resistance effect head, magnetic storage and magnetic memory |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3839607B2 (ja) | 2006-11-01 |
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Legal Events
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