JPH11288965A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH11288965A JPH11288965A JP10108624A JP10862498A JPH11288965A JP H11288965 A JPH11288965 A JP H11288965A JP 10108624 A JP10108624 A JP 10108624A JP 10862498 A JP10862498 A JP 10862498A JP H11288965 A JPH11288965 A JP H11288965A
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- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板上のボンディングパッドに、ボールボンデ
ィング法によりワイヤーを接続する半導体装置の製造方
法において、ボールに印可された圧力または超音波によ
る衝撃により、半導体素子のメタライズ部、あるいはパ
ッシベーション部等に損傷を与えることのないボンディ
ング方法を提供。 【解決手段】ワイヤーボンディング工程において、ワイ
ヤーの先端にイニシャルボールを形成する際、スパーク
タイム、スパーク電流またはスパークパワー等のスパー
ク条件を、所定の値に設定することにより、ボンディン
グイニシャルボールの内部結晶構造を制御する。
ィング法によりワイヤーを接続する半導体装置の製造方
法において、ボールに印可された圧力または超音波によ
る衝撃により、半導体素子のメタライズ部、あるいはパ
ッシベーション部等に損傷を与えることのないボンディ
ング方法を提供。 【解決手段】ワイヤーボンディング工程において、ワイ
ヤーの先端にイニシャルボールを形成する際、スパーク
タイム、スパーク電流またはスパークパワー等のスパー
ク条件を、所定の値に設定することにより、ボンディン
グイニシャルボールの内部結晶構造を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特に半導体素子の実装に用いるワイ
ヤーボンディングの方法、及びワイヤーボンディングさ
れた半導体装置及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に半導体素子の実装に用いるワイ
ヤーボンディングの方法、及びワイヤーボンディングさ
れた半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＬＳＩ等の半導体素子は、パッケ
ージ等の半導体素子を収納する容器に実装され、半導体
素子上のボンディングパッドとパッケージ上のボンディ
ングパッドをボンディングワイヤーにより接続して用い
られる。
ージ等の半導体素子を収納する容器に実装され、半導体
素子上のボンディングパッドとパッケージ上のボンディ
ングパッドをボンディングワイヤーにより接続して用い
られる。
【０００３】ワイヤーボンディングの方法として、ボー
ルボンディング方法を用いる場合は、ワイヤーの先端を
放電または水素火炎によりボールを形成し、そのボール
に圧力または超音波を印可することにより、ボンディン
グパッドに接続する。
ルボンディング方法を用いる場合は、ワイヤーの先端を
放電または水素火炎によりボールを形成し、そのボール
に圧力または超音波を印可することにより、ボンディン
グパッドに接続する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のボール
ボンディング方法においては、ワイヤーの先端に形成さ
れたイニシャルボールを半導体素子上のボンディングパ
ッドに接合する際、そのボールに印可された圧力または
超音波による衝撃により、半導体素子のメタライズ部、
あるいはパッシベーション部等に損傷を与え、ボンディ
ングパッドの内部破壊によるボンディング不良を引き起
こす要因となるという問題が生じていた。
ボンディング方法においては、ワイヤーの先端に形成さ
れたイニシャルボールを半導体素子上のボンディングパ
ッドに接合する際、そのボールに印可された圧力または
超音波による衝撃により、半導体素子のメタライズ部、
あるいはパッシベーション部等に損傷を与え、ボンディ
ングパッドの内部破壊によるボンディング不良を引き起
こす要因となるという問題が生じていた。
【０００５】なお、ボンディング不良を防ぐ方法とし
て、たとえば、特開昭６３−７８５４１号公報には、接
合直前にボールをレーザーを用いて加熱する方法が開示
されており、また特開平４−６８７７７号公報には、銅
を用いたボールボンディングに関して、接合後のボール
形状を限定する記載がある。
て、たとえば、特開昭６３−７８５４１号公報には、接
合直前にボールをレーザーを用いて加熱する方法が開示
されており、また特開平４−６８７７７号公報には、銅
を用いたボールボンディングに関して、接合後のボール
形状を限定する記載がある。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、ボールに印可された圧
力または超音波による衝撃により、半導体素子のメタラ
イズ部、あるいはパッシベーション部等に損傷を与える
ことのないボンディング方法を提供することにある。
のであって、その主たる目的は、ボールに印可された圧
力または超音波による衝撃により、半導体素子のメタラ
イズ部、あるいはパッシベーション部等に損傷を与える
ことのないボンディング方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置の製造方法は、その概要を
述べれば、ワイヤーボンディング工程において、ワイヤ
ーの先端にイニシャルボールを形成する際、スパークタ
イム、スパーク電流またはスパークパワー等のスパーク
条件を、所定の値に設定することにより、ボンディング
イニシャルボールの内部結晶構造を制御することを特徴
とするものであり、より詳細には、下記記載の特徴を有
する。
め、本発明に係る半導体装置の製造方法は、その概要を
述べれば、ワイヤーボンディング工程において、ワイヤ
ーの先端にイニシャルボールを形成する際、スパークタ
イム、スパーク電流またはスパークパワー等のスパーク
条件を、所定の値に設定することにより、ボンディング
イニシャルボールの内部結晶構造を制御することを特徴
とするものであり、より詳細には、下記記載の特徴を有
する。
【０００８】ボンディングワイヤー先端部をボール形状
に放電加工するに際して、所定の放電電流、放電パワー
で、放電時間を所定時間内として前記ボールを形成する
ことにより、前記ボールの単位面積あたりの結晶粒の数
を小としてなるボンディングワイヤーを、ボンディング
パッドと接合することである。
に放電加工するに際して、所定の放電電流、放電パワー
で、放電時間を所定時間内として前記ボールを形成する
ことにより、前記ボールの単位面積あたりの結晶粒の数
を小としてなるボンディングワイヤーを、ボンディング
パッドと接合することである。
【０００９】また、本発明の製造方法は、前記ボンディ
ングワイヤー先端部に形成される前記ボールの理論硬度
を所定値以下となるように、前記単位面積あたりの結晶
粒の数が定められることである。
ングワイヤー先端部に形成される前記ボールの理論硬度
を所定値以下となるように、前記単位面積あたりの結晶
粒の数が定められることである。
【００１０】更に、本発明の装置は、半導体素子を搭載
する基板上のボンディングパッドと、パッケージ上のパ
ッドをボンディングワイヤーにより接続してなる半導体
装置において、表面にボンディングパッドを有する基板
と、前記ボンディングワイヤーはその先端部が放電加工
によりボール形状とされ、前記ボールは、その理論硬度
が所定値以下となるような単位面積あたりの結晶粒の数
を有することである。
する基板上のボンディングパッドと、パッケージ上のパ
ッドをボンディングワイヤーにより接続してなる半導体
装置において、表面にボンディングパッドを有する基板
と、前記ボンディングワイヤーはその先端部が放電加工
によりボール形状とされ、前記ボールは、その理論硬度
が所定値以下となるような単位面積あたりの結晶粒の数
を有することである。
【００１１】以下、本発明の実施の形態及びその具体例
を例示する実施例に即して詳細に説明する。
を例示する実施例に即して詳細に説明する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置の製造方
法は、その好ましい一実施の形態において、半導体素子
と半導体素子を収納するパッケージをボンディングワイ
ヤーで接続する半導体装置の製造方法において、ワイヤ
ー（図１の３）の先端にイニシャルボール（図２の１）
を形成するに際し、イニシャルボール中心の断面におい
て観察される単位面積あたりの結晶粒（図３の２）の数
が１３．８×１０-3／μｍ2以下になるようなスパーク
条件でボンディングを行う。
法は、その好ましい一実施の形態において、半導体素子
と半導体素子を収納するパッケージをボンディングワイ
ヤーで接続する半導体装置の製造方法において、ワイヤ
ー（図１の３）の先端にイニシャルボール（図２の１）
を形成するに際し、イニシャルボール中心の断面におい
て観察される単位面積あたりの結晶粒（図３の２）の数
が１３．８×１０-3／μｍ2以下になるようなスパーク
条件でボンディングを行う。
【００１３】
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
【００１４】［実施例１］まず、本発明の第１の実施例
を、図１乃至図３を用いて説明する。図１乃至図２は、
本発明のワイヤーボンディング装置の一実施例を説明す
るための図であり、図３は、図２のＡ−Ａ′断面を示し
た断面図である。
を、図１乃至図３を用いて説明する。図１乃至図２は、
本発明のワイヤーボンディング装置の一実施例を説明す
るための図であり、図３は、図２のＡ−Ａ′断面を示し
た断面図である。
【００１５】図１乃至図２を参照すると、ワイヤーボン
ディング工程において、ボンディング直前に、ワイヤー
３の先端にスパークロッド４によりスパークをかけて、
ワイヤー３の融解及び再結晶を行い、イニシャルボール
１を形成する。
ディング工程において、ボンディング直前に、ワイヤー
３の先端にスパークロッド４によりスパークをかけて、
ワイヤー３の融解及び再結晶を行い、イニシャルボール
１を形成する。
【００１６】ここで、スパークを行う際に、スパークジ
ェネレータを付属しているワイヤーボンディング装置を
用いる場合は、スパークパワー及びスパークタイムを変
更することによって、イニシャルボール１を構成する結
晶の構造、特に結晶粒２の径を意図的に変化させること
ができる。
ェネレータを付属しているワイヤーボンディング装置を
用いる場合は、スパークパワー及びスパークタイムを変
更することによって、イニシャルボール１を構成する結
晶の構造、特に結晶粒２の径を意図的に変化させること
ができる。
【００１７】また、スパークジェネレータを付属してい
ないワイヤーボンディング装置を用いる場合は、スパー
クパワー及びスパークタイムに準ずるスパーク条件を変
更することによって、同様にイニシャルボール１を構成
する結晶の構造、特に結晶粒２の径を意図的に変化させ
ることができる。
ないワイヤーボンディング装置を用いる場合は、スパー
クパワー及びスパークタイムに準ずるスパーク条件を変
更することによって、同様にイニシャルボール１を構成
する結晶の構造、特に結晶粒２の径を意図的に変化させ
ることができる。
【００１８】詳細に説明すると、スパークによりイニシ
ャルボール１を形成する際して、例えば、（株）カイジ
ョー社製のボンディング装置（型名ＦＢ−１１８Ａ）を
用い、Ａｕを９９．９９％以上含む直径３０μｍのワイ
ヤーをボンディングする場合には、スパークタイムを２
ｍｓｅｃ．よりも短く、あるいはスパークタイムに準ず
るスパーク条件をスパークタイムが２ｍｓｅｃ．よりも
短くなるように設定する。
ャルボール１を形成する際して、例えば、（株）カイジ
ョー社製のボンディング装置（型名ＦＢ−１１８Ａ）を
用い、Ａｕを９９．９９％以上含む直径３０μｍのワイ
ヤーをボンディングする場合には、スパークタイムを２
ｍｓｅｃ．よりも短く、あるいはスパークタイムに準ず
るスパーク条件をスパークタイムが２ｍｓｅｃ．よりも
短くなるように設定する。
【００１９】他の装置を用いる場合や、径や材質が異な
るワイヤーを使用する場合は、イニシャルボール１を構
成する結晶の構造、特に結晶粒２の径が同等になるよう
にスパークタイムを設定すればよい。
るワイヤーを使用する場合は、イニシャルボール１を構
成する結晶の構造、特に結晶粒２の径が同等になるよう
にスパークタイムを設定すればよい。
【００２０】ここで、結晶粒の再結晶処理をする際、時
間をかけて再結晶させる程、再結晶後の粒度は細かくな
り、反対に、再結晶処理の時間が短い程、大きな結晶粒
を得ることができることは公知であり、本実施例では、
再結晶処理の時間を短くして、イニシャルボール１を構
成している結晶粒２の径を大きくさせる。
間をかけて再結晶させる程、再結晶後の粒度は細かくな
り、反対に、再結晶処理の時間が短い程、大きな結晶粒
を得ることができることは公知であり、本実施例では、
再結晶処理の時間を短くして、イニシャルボール１を構
成している結晶粒２の径を大きくさせる。
【００２１】再結晶処理の時間による結晶粒の形状を図
３及び図４を用いて模式的に説明すると、従来のスパー
ク条件で形成されたイニシャルボール１は、図４に示す
ように、イニシャルボール１を構成している結晶粒２が
小さくなるが、本実施例のように、２ｍｓｅｃ．よりも
短いスパークタイムで再結晶させたイニシャルボール１
では、図３に示すように、イニシャルボール１を構成し
ている結晶粒２を大きくすることができる。
３及び図４を用いて模式的に説明すると、従来のスパー
ク条件で形成されたイニシャルボール１は、図４に示す
ように、イニシャルボール１を構成している結晶粒２が
小さくなるが、本実施例のように、２ｍｓｅｃ．よりも
短いスパークタイムで再結晶させたイニシャルボール１
では、図３に示すように、イニシャルボール１を構成し
ている結晶粒２を大きくすることができる。
【００２２】ここで、結晶粒の大きさと強度との関係を
述べると、Ｈａｌｌ−Ｐｅｔｃｈの関係式より、強度は
粒径の平方根に反比例することが知られている。
述べると、Ｈａｌｌ−Ｐｅｔｃｈの関係式より、強度は
粒径の平方根に反比例することが知られている。
【００２３】従って、イニシャルボール１を構成してい
る結晶粒２の径が大きい程、すなわち結晶粒の密度が小
さい程、イニシャルボール１自体の理論硬度は低下し、
イニシャルボール１がボンディングパッドへ与える衝撃
荷重は低くすることができる。
る結晶粒２の径が大きい程、すなわち結晶粒の密度が小
さい程、イニシャルボール１自体の理論硬度は低下し、
イニシャルボール１がボンディングパッドへ与える衝撃
荷重は低くすることができる。
【００２４】これにより、衝撃荷重によるメタライズ
部、あるいはパッシベーション部等に発生するボンディ
ングパッド内部破壊を防止することができ、ボンディン
グ不良を低減させることが可能となる。
部、あるいはパッシベーション部等に発生するボンディ
ングパッド内部破壊を防止することができ、ボンディン
グ不良を低減させることが可能となる。
【００２５】本実施例において、ワイヤーの材質はＡｕ
を９９．９９％以上含んでいるワイヤーについて述べた
が、ワイヤーはＡｕに限定されるものではなく、Ａｕに
Ｐｄ等の金属を１％程度含んでいる合金ワイヤーでも良
い。
を９９．９９％以上含んでいるワイヤーについて述べた
が、ワイヤーはＡｕに限定されるものではなく、Ａｕに
Ｐｄ等の金属を１％程度含んでいる合金ワイヤーでも良
い。
【００２６】［実施例２］次に、本発明の第２の実施例
について説明する。
について説明する。
【００２７】ワイヤーボンディング工程において、Ａｕ
を９９．９９％以上含んでいる材質のワイヤーを使用す
る際、イニシャルボール１を作製する際に、スパークタ
イムを短めに、及び、スパーク電流あるいはスパークパ
ワーを高めに設定し、図３に示すように、イニシャルボ
ール１の中心部断面において観察される単位面積あたり
の結晶粒２の数を１３．８×１０-3／μｍ2以下にす
る。
を９９．９９％以上含んでいる材質のワイヤーを使用す
る際、イニシャルボール１を作製する際に、スパークタ
イムを短めに、及び、スパーク電流あるいはスパークパ
ワーを高めに設定し、図３に示すように、イニシャルボ
ール１の中心部断面において観察される単位面積あたり
の結晶粒２の数を１３．８×１０-3／μｍ2以下にす
る。
【００２８】単位面積あたりの結晶粒２の数が１３．８
×１０-3／μｍ2以下になることにより、結晶粒２の径
は、従来のスパーク条件で形成されたイニシャルボール
１を構成する結晶粒２よりも大きくなる為、イニシャル
ボール１自体の理論硬度は低下する。この時、イニシャ
ルボール１がボンディングパッドへ与える衝撃荷重は低
くなる為、メタライズ部、あるいはパッシベーション部
等に発生するボンディングパッド内部破壊によるボンデ
ィング不良を低減させることが可能となる。
×１０-3／μｍ2以下になることにより、結晶粒２の径
は、従来のスパーク条件で形成されたイニシャルボール
１を構成する結晶粒２よりも大きくなる為、イニシャル
ボール１自体の理論硬度は低下する。この時、イニシャ
ルボール１がボンディングパッドへ与える衝撃荷重は低
くなる為、メタライズ部、あるいはパッシベーション部
等に発生するボンディングパッド内部破壊によるボンデ
ィング不良を低減させることが可能となる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イニシャルボール１の硬度を制御することができる為、
ボンディング工程において発生する、メタライズ部、あ
るいはパッシベーション部等に発生するボンディングパ
ッド内部破壊によるボンディング不良を低減させること
ができ、製品歩留まり、信頼性を特段に向上する、とい
う効果を奏する。
イニシャルボール１の硬度を制御することができる為、
ボンディング工程において発生する、メタライズ部、あ
るいはパッシベーション部等に発生するボンディングパ
ッド内部破壊によるボンディング不良を低減させること
ができ、製品歩留まり、信頼性を特段に向上する、とい
う効果を奏する。
【００３０】その理由は次の通りである。すなわち、ワ
イヤーの先端が放電時の電流によって融解／且つ再結晶
することによって形成されるイニシャルボールは、ワイ
ヤーの先端に与えるスパークタイム及びスパークパワー
によって、イニシャルボールを構成する結晶の構造は変
化する。
イヤーの先端が放電時の電流によって融解／且つ再結晶
することによって形成されるイニシャルボールは、ワイ
ヤーの先端に与えるスパークタイム及びスパークパワー
によって、イニシャルボールを構成する結晶の構造は変
化する。
【００３１】これまでに行った実験から、スパーク電流
あるいはスパークパワーが高い程、また、スパークタイ
ムが短い程、イニシャルボールを構成する結晶粒の径は
大きくなることがわかっている。
あるいはスパークパワーが高い程、また、スパークタイ
ムが短い程、イニシャルボールを構成する結晶粒の径は
大きくなることがわかっている。
【００３２】強度は粒径の平方根に反比例するという公
知の事実から、イニシャルボールを構成する結晶粒の径
が大きい程、イニシャルボール自体の理論硬度は低下
し、イニシャルボールがボンディングパッドへ与える衝
撃荷重は小さくなる。
知の事実から、イニシャルボールを構成する結晶粒の径
が大きい程、イニシャルボール自体の理論硬度は低下
し、イニシャルボールがボンディングパッドへ与える衝
撃荷重は小さくなる。
【００３３】従って、衝撃荷重によるメタライズ部、あ
るいはパッシベーション部等に発生するボンディングパ
ッド内部破壊を防止することができ、ボンディング不良
を低減することができるからである。
るいはパッシベーション部等に発生するボンディングパ
ッド内部破壊を防止することができ、ボンディング不良
を低減することができるからである。
【図１】本発明の第１及び第２の実施例に係る半導体装
置の構成を説明するための側面図である。
置の構成を説明するための側面図である。
【図２】本発明の第１及び第２の実施例に係る半導体装
置の構成を示した側面図である。
置の構成を示した側面図である。
【図３】本発明の第１及び第２の実施例に係るイニシャ
ルボールの断面を示す図であり、図２のＡ−Ａ′線の断
面図である。
ルボールの断面を示す図であり、図２のＡ−Ａ′線の断
面図である。
【図４】従来の半導体装置のイニシャルボールの断面を
示す図であり、図２のＡ−Ａ′線の断面図である。
示す図であり、図２のＡ−Ａ′線の断面図である。
１ イニシャルボール ２ 結晶粒 ３ ワイヤー ４ スパークロッド
Claims (11)
- 【請求項１】ボンディングワイヤー先端部をボール形状
に放電加工するに際して、所定の放電電流、放電パワー
で、放電時間を所定時間内として前記ボールを形成する
ことにより、前記ボールの単位面積あたりの結晶粒の数
を小としてなるボンディングワイヤーを、ボンディング
パッドと接合する、ことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】前記ボンディングワイヤー先端部に形成さ
れる前記ボールの理論硬度を所定値以下となるように、
前記単位面積あたりの結晶粒の数が定められる、ことを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記ボンディングワイヤーの先端部に形成
される前記ボールの中心断面における単位面積あたりの
結晶粒の数を所定値以下とする、ことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記ボールの中心断面における単位面積あ
たりの結晶粒の数を１３．８×１０-3／μｍ2以下とす
る、ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項５】前記ボンディングワイヤーがＡｕを主成分
とするワイヤーよりなることを特徴とする請求項１乃至
４のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】前記ボンディングワイヤーがＡｕを主成分
とし、Ｐｄを含むワイヤーよりなることを特徴とする請
求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項７】半導体素子を搭載する基板上のボンディン
グパッドと、パッケージ上のパッドをボンディングワイ
ヤーにより接続してなる半導体装置において、表面にボ
ンディングパッドを有する基板と、前記ボンディングワ
イヤーはその先端部が放電加工によりボール形状とさ
れ、前記ボールは、その理論硬度が所定値以下となるよ
うな単位面積あたりの結晶粒の数を有する、ことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項８】前記ボンディングワイヤーがＡｕを主成分
とするワイヤーよりなることを特徴とする請求項７に記
載の半導体装置。 - 【請求項９】前記ボンディングワイヤーがＡｕを主成分
とし、Ｐｄを含むワイヤーよりなることを特徴とする請
求項７に記載の半導体装置。 - 【請求項１０】ボンディングパッドに接合されるボンデ
ィングワイヤーであって、その先端部に形成されるボー
ルの理論硬度が所定値以下となるような単位面積あたり
の結晶粒の数を有する、ことを特徴とするボンディング
ワイヤー。 - 【請求項１１】前記ボールが、所定の放電電流、放電パ
ワーで、放電時間を所定時間内とする放電条件にて形成
され、前記ボールの中心断面における単位面積あたりの
結晶粒の数が１３．８×１０-3／μｍ2以下となること
を特徴とする請求項１０記載のボンディングワイヤー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10108624A JP3127881B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10108624A JP3127881B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288965A true JPH11288965A (ja) | 1999-10-19 |
| JP3127881B2 JP3127881B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=14489525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10108624A Expired - Fee Related JP3127881B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3127881B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268771A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-29 | Nippon Steel Corp | 半導体装置用金ボンディングワイヤ及びその接続方法 |
| JP2006332152A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体素子の実装方法 |
-
1998
- 1998-04-03 JP JP10108624A patent/JP3127881B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268771A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-29 | Nippon Steel Corp | 半導体装置用金ボンディングワイヤ及びその接続方法 |
| JP2006332152A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体素子の実装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3127881B2 (ja) | 2001-01-29 |
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