JPH1112437A - Sealing resin composition and sealed semiconductor device - Google Patents
Sealing resin composition and sealed semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH1112437A JPH1112437A JP18184697A JP18184697A JPH1112437A JP H1112437 A JPH1112437 A JP H1112437A JP 18184697 A JP18184697 A JP 18184697A JP 18184697 A JP18184697 A JP 18184697A JP H1112437 A JPH1112437 A JP H1112437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- resin
- sealing
- benzothiazolesulfenamide
- cyclohexyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰｄやＰｄ−Ａｕ
等のプレプレーティングを施したフレームを用いた半導
体パッケージにおいて耐リフロークラック性等の信頼性
に優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置に関
する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to Pd and Pd-Au
The present invention relates to an epoxy resin composition excellent in reliability such as reflow crack resistance in a semiconductor package using a frame subjected to pre-plating and the like, and a semiconductor sealing device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】最近の半導体装置では、半田メッキに換
えて、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングを施し
たフレームを採用した半導体パッケージが増加してい
る。2. Description of the Related Art In recent semiconductor devices, the number of semiconductor packages employing a frame plated with Pd or Pd-Au instead of solder plating is increasing.
【０００３】従来のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノ
ール樹脂及び無機質充填剤からなる樹脂組成物によって
封止したＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレ
ームを採用した半導体装置は、該プレプレーティングフ
レームと封止樹脂との接着性が著しく悪いという欠点が
あった。特に吸湿した半導体装置を赤外線（ＩＴ）リフ
ロー方式で表面実装すると、封止樹脂とリードフレー
ム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間の剥がれが
生じて著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による断線
や水分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体装置
は、長期間の信頼性を保証することができないという欠
点があった。このため、耐湿性の影響が少なく、半導体
装置全体のＩＲリフローによる表面実装を行っても耐湿
劣化の少ない成形性のよい材料の開発が強く要望されて
いた。[0003] Conventional semiconductor devices employing a pre-plating frame of Pd or Pd-Au sealed with a resin composition comprising an epoxy resin, a novolak-type phenol resin and an inorganic filler, are not sealed with the pre-plating frame. There was a drawback that the adhesion to the resin was extremely poor. In particular, when a semiconductor device that has absorbed moisture is surface-mounted by an infrared (IT) reflow method, peeling occurs between the sealing resin and the lead frame or between the sealing resin and the semiconductor chip, causing significant moisture resistance deterioration and disconnection due to corrosion of the electrode. Leakage current due to moisture or moisture, and as a result, the semiconductor device has a drawback that long-term reliability cannot be guaranteed. For this reason, there has been a strong demand for the development of a material which has little influence on moisture resistance and has good moldability with little moisture resistance deterioration even if surface mounting of the entire semiconductor device is performed by IR reflow.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消し、上記要望に応えるためになされたもので、Ｐ
ｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレームとの接
着性が高く、特に耐リフロー性とリフロー後の信頼性に
優れた、成形性のよい、封止用樹脂組成物および半導体
封止装置を提供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks and to meet the above-mentioned demands.
The present invention provides a sealing resin composition and a semiconductor sealing device having high adhesiveness to a pre-plating frame such as d or Pd-Au, and particularly having excellent reflow resistance and reliability after reflow, and having good moldability. What you want to do.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物にＮ
−シクロヘキシル−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミ
ドを配合することによって、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレ
プレーティングフレームとの接着性を大幅に向上し、上
記目的が達成されることを見いだし、本発明を完成した
ものである。Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, have found that the resin composition has an N content.
By blending -cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide, it was found that the adhesion with a pre-plating frame such as Pd or Pd-Au was greatly improved, and the above object was achieved. It is completed.
【０００６】即ち、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂、（Ｃ）Ｎ−シクロ
ヘキシル−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミドおよび
（Ｄ）無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対し
て、前記（Ｃ）のＮ−シクロヘキシル−2-ベンゾチアゾ
ールスルフェンアミドを0.001 〜0.1 重量％、また前記
（Ｄ）の無機質充填剤を25〜95重量％の割合で含有して
なることを特徴とする封止用樹脂組成物である。またこ
の封止用樹脂組成物の硬化物によって、Ｐｄ若しくはＰ
ｄ−Ａｕのプレプレーティングを施したフレームに搭載
された半導体チップを封止してなることを特徴とする半
導体封止装置である。That is, the present invention provides (A) an epoxy resin,
(B) Novolak type phenol resin, (C) N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide and (D) an inorganic filler are essential components, and the N-cyclohexyl- A sealing resin composition comprising 0.001 to 0.1% by weight of 2-benzothiazolesulfenamide and 25 to 95% by weight of the inorganic filler (D). Further, depending on the cured product of the sealing resin composition, Pd or Pd may be used.
A semiconductor sealing device characterized by sealing a semiconductor chip mounted on a frame on which d-Au has been pre-plated.
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.
【０００８】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂として
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2 個有する化
合物である限り、分子構造、分子量など特に制限はな
く、一般に封止用材料として使用されているものを広く
包含することができる。例えば、ビフェニル型、ビスフ
ェノール型の芳香族系、シクロヘキサン誘導体等脂肪族
系、また、次の一般式で示されるエポキシノボラック系
のエポキシ樹脂等が挙げられる。The epoxy resin (A) used in the present invention is not particularly limited in molecular structure and molecular weight, as long as it is a compound having at least two epoxy groups in the molecule, and is generally used as a sealing material. Can be widely encompassed. For example, biphenyl type, bisphenol type aromatic type, aliphatic type such as cyclohexane derivative, and epoxy novolak type epoxy resin represented by the following general formula can be used.
【０００９】[0009]
【化１】 （但し、式中、Ｒ1 は水素原子、ハロゲン原子又はアル
キル基を、Ｒ2 は水素原子又はアルキル基を、ｎは1 以
上の整数をそれぞれ表す）これらのエポキシ樹脂は、単
独もしくは2 種以上混合して用いる。Embedded image (In the formula, R 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group, R 2 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and n represents an integer of 1 or more.) These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more. Mix and use.
【００１０】本発明に用いる（Ｂ）ノボラック型フェノ
ール樹脂としては、フェノール、アルキルフェノール等
のフェノール類とホルムアルデヒド、パラホルムアルデ
ヒド等のアルデヒド類とを反応させて得られるノボラッ
ク型フェノール樹脂およびこれらの変性樹脂、例えばエ
ポキシ化もしくはブチル化ノボラック型フェノール樹脂
等が挙げられ、これらの樹脂は、単独もしくは2 種以上
混合して用いる。ノボラック型フェノール樹脂の配合割
合は、前述したエポキシ樹脂のエポキシ基（ａ）とノボ
ラック型フェノール樹脂のフェノール性水酸基（ｂ）と
の当量比［（ａ）／（ｂ）］が0.1 〜10の範囲内である
ことが望ましい。当量比が0.1 未満もしくは10を超える
と、耐熱性、耐湿性、成形作業性および硬化物の電気特
性が悪くなり、いずれの場合も好ましくない。従って上
記の範囲内に限定するのが良い。本発明に用いる（Ｃ）
Ｎ−シクロヘキシル−2-ベンゾチアゾールスルフェンア
ミドは、次の構造式に示されるものである。The (B) novolak-type phenolic resin used in the present invention includes a novolak-type phenolic resin obtained by reacting a phenol such as phenol or alkylphenol with an aldehyde such as formaldehyde or paraformaldehyde, or a modified resin thereof. For example, epoxidized or butylated novolak-type phenol resins are used, and these resins are used alone or in combination of two or more. The mixing ratio of the novolak type phenol resin is such that the equivalent ratio [(a) / (b)] of the epoxy group (a) of the epoxy resin to the phenolic hydroxyl group (b) of the novolak type phenol resin is in the range of 0.1 to 10. It is desirable to be within. If the equivalent ratio is less than 0.1 or more than 10, heat resistance, moisture resistance, molding workability, and electrical properties of the cured product are deteriorated, and any case is not preferable. Therefore, it is better to limit to the above range. (C) used in the present invention
N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide is represented by the following structural formula.
【００１１】[0011]
【化２】 Embedded image
【００１２】Ｎ−シクロヘキシル−2-ベンゾチアゾール
スルフェンアミドの配合割合は、全体の樹脂組成物に対
して0.001 〜0.1 重量％含有することが望ましい。この
割合が0.001 重量％未満では、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプ
レプレーティングフレームとの接着力の向上に効果な
く、また、0.1 重量％を超えると、封止樹脂の硬化等に
悪影響を与え、実用に適さず好ましくない。The compounding ratio of N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide is desirably 0.001 to 0.1% by weight based on the whole resin composition. If this ratio is less than 0.001% by weight, there is no effect on improving the adhesive strength to a pre-plating frame such as Pd or Pd-Au, and if it exceeds 0.1% by weight, it adversely affects the curing of the sealing resin, etc. Unsuitable for practical use.
【００１３】本発明に用いる（Ｄ）無機質充填剤として
は、シリカ粉末、アルミナ粉末、三酸化アンチモン、タ
ルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、クレー、マイ
カ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独
又は2 種以上混合して使用することができる。これらの
中でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末が好ましく、よく
使用される。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組
成物に対して25〜95重量％の割合で含有することが望ま
しい。その割合が25重量％未満では、耐熱性、耐湿性、
半田耐熱性、機械的特性および成形性が悪くなり、ま
た、95重量％を超えるとカサバリが大きくなり、成形性
に劣り実用に適さない。The inorganic filler (D) used in the present invention includes silica powder, alumina powder, antimony trioxide, talc, calcium carbonate, titanium white, clay, mica, red iron oxide, glass fiber and the like. Alternatively, two or more kinds can be used in combination. Among these, silica powder and alumina powder are particularly preferable and are often used. The inorganic filler is desirably contained in a proportion of 25 to 95% by weight based on the whole resin composition. If the proportion is less than 25% by weight, heat resistance, moisture resistance,
Solder heat resistance, mechanical properties, and moldability deteriorate, and if it exceeds 95% by weight, burrs increase, resulting in poor moldability and not suitable for practical use.
【００１４】本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、Ｎ−シクロヘキシル
−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミドおよび無機質充
填剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度
において、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、
合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エ
ステル類、パラフィン類等の離型剤、塩素化パラフィ
ン、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化
アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等
の着色剤、種々の硬化促進剤等を適宜、添加配合するこ
とができる。The encapsulating resin composition of the present invention contains an epoxy resin, a novolak type phenol resin, N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide and an inorganic filler as essential components. To the extent not necessary, and if necessary, for example, natural waxes,
Release agents such as synthetic waxes, metal salts of linear fatty acids, acid amides, esters, and paraffins; flame retardants such as chlorinated paraffins, brominated toluene, hexabromobenzene, and antimony trioxide; carbon black; And various curing accelerators and the like can be appropriately added and blended.
【００１５】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、Ｎ−シクロヘキシル
−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミド、無機質充填剤
およびその他の成分を配合し、ミキサー等によって十分
均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理
又はニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化さ
せ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができ
る。こうして得られた成形材料は、半導体装置をはじめ
とする電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等
に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与させることが
できる。The general method for preparing the encapsulating resin composition of the present invention as a molding material includes epoxy resin, novolak type phenol resin, N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide, inorganic filler And other components are mixed and mixed sufficiently uniformly by a mixer or the like, and then further subjected to a melt-mixing treatment by a hot roll or a mixing treatment by a kneader or the like, and then cooled and solidified, pulverized to an appropriate size, and mixed with a molding material. can do. If the molding material thus obtained is applied to sealing, coating, insulating, etc. of electronic parts or electric parts such as semiconductor devices, excellent properties and reliability can be imparted.
【００１６】本発明の半導体封止装置は、上記のように
して得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止
することにより容易に製造することができる。封止の最
も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が
あるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能
である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う
半導体装置としては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。The semiconductor sealing device of the present invention can be easily manufactured by sealing a semiconductor chip using the sealing resin obtained as described above. The most common sealing method is a low-pressure transfer molding method, but sealing by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. The sealing resin composition is heated and cured at the time of sealing, and finally a semiconductor sealing device sealed with a cured product of this composition is obtained. 150 ° C for curing by heating
It is desirable to cure by heating as described above. The semiconductor device for sealing is not particularly limited, for example, with an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, and the like.
【００１７】[0017]
【作用】本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装
置は、樹脂成分としてＮ−シクロヘキシル−2-ベンゾチ
アゾールスルフェンアミドを用いたことによって、目的
とする特性が得られるものである。即ち、ＰｄやＰｄ−
Ａｕ等のプレプレーティングフレームとの接着力を向上
させ、表面実装後のインサートと封止樹脂との接着性の
劣化を防止することができ、長期の信頼性を保証するこ
とができた。The resin composition for encapsulation and the semiconductor encapsulation device of the present invention can obtain desired characteristics by using N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide as a resin component. That is, Pd or Pd-
The adhesive strength with the pre-plating frame made of Au or the like was improved, and the deterioration of the adhesiveness between the insert after the surface mounting and the sealing resin could be prevented, so that long-term reliability could be guaranteed.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】次に本発明を実施例によって説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例及び比較例において「％」と
は「重量％」を意味する。Next, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following Examples and Comparative Examples, “%” means “% by weight”.
【００１９】実施例１ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量195
）12.5％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノー
ル当量104 ）6.7 ％、次の化３に示したＮ−シクロヘキ
シル−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミド0.01％、Example 1 Cresol novolak epoxy resin (epoxy equivalent: 195)
) 12.5%, novolak type phenol resin (phenol equivalent: 104) 6.7%, N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide 0.01% shown in the following chemical formula 3,
【００２０】[0020]
【化３】 溶融シリカ粉末80％、エステル系ワックス類 0.2％、硬
化促進剤0.19％およびシランカップリング剤0.4 ％を常
温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕
して成形材料を製造した。この成形材料を170 ℃に加熱
した金型内にトランスファー注入し、硬化させて成形品
（封止品）をつくった。この成形品について耐湿性等の
特性を試験したので、その結果を表１に示した。特に耐
湿性において本発明の顕著な効果が認められた。Embedded image 80% fused silica powder, 0.2% ester wax, 0.19% curing accelerator and 0.4% silane coupling agent are mixed at room temperature, kneaded at 90-95 ° C, and cooled and pulverized to produce molding material. did. This molding material was transfer-injected into a mold heated to 170 ° C. and cured to produce a molded product (sealed product). The molded article was tested for characteristics such as moisture resistance, and the results are shown in Table 1. In particular, a remarkable effect of the present invention was recognized on moisture resistance.
【００２１】実施例２ ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量213 ） 5.0％
に、フェノールアラルキル樹脂（フェノール当量175 ）
4.15％、前記した化３のＮ−シクロヘキシル−2-ベンゾ
チアゾールスルフェンアミド0.01％、シリカ粉末90％、
エステル系ワックス類 0.2％、硬化触媒0.14％およびシ
ランカップリング剤0.5 ％を実施例１と同様に混合、混
練、粉砕して成形材料を製造した。また、実施例１と同
様にして成形品をつくり、耐湿性等の特性試験を行った
のでその結果を表１に示した。特に耐湿性において本発
明の顕著な効果が認められた。Example 2 Biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent: 213) 5.0%
And phenol aralkyl resin (phenol equivalent 175)
4.15%, N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide 0.01% of the above formula 3, silica powder 90%,
A molding material was produced by mixing, kneading and pulverizing 0.2% of ester wax, 0.14% of curing catalyst and 0.5% of silane coupling agent in the same manner as in Example 1. In addition, a molded product was prepared in the same manner as in Example 1, and a characteristic test such as moisture resistance was performed. The results are shown in Table 1. In particular, a remarkable effect of the present invention was recognized on moisture resistance.
【００２２】実施例３ ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量213 ） 5.0％
に、フェノールアラルキル樹脂（フェノール当量175 ）
4.15％、前記した化３のＮ−シクロヘキシル−2-ベンゾ
チアゾールスルフェンアミド0.05％、硬化触媒0.14％、
シランカップリング剤0.5 ％、シリカ粉末90％およびエ
ステル系ワックス0.2 ％を実施例１と同様に混合、混
練、粉砕して成形材料を製造した。また、実施例１と同
様にして成形品をつくり、耐湿性等の特性試験を行った
のでその結果を表１に示した。特に耐湿性において本発
明の顕著な効果が認められた。Example 3 Biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent: 213) 5.0%
And phenol aralkyl resin (phenol equivalent 175)
4.15%, 0.05% of N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide of the above formula 3, 0.14% of curing catalyst,
A molding material was produced by mixing, kneading and pulverizing 0.5% of the silane coupling agent, 90% of silica powder and 0.2% of ester wax in the same manner as in Example 1. In addition, a molded product was prepared in the same manner as in Example 1, and a characteristic test such as moisture resistance was performed. The results are shown in Table 1. In particular, a remarkable effect of the present invention was recognized on moisture resistance.
【００２３】比較例 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量19
5 ）12.5％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノー
ル当量104 ） 6.7％、シリカ粉末80％、硬化促進剤0.19
％、エステル系ワックス類 0.2％およびシラン系カップ
リング剤 0.4％を混合し、実施例１と同様にして成形材
料を製造した。この成形材料を用いて成形品とし、成形
品の諸特性について実施例１と同様にして試験を行い、
その結果を表１に示した。Comparative Example Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 19)
5) 12.5%, novolak type phenol resin (phenol equivalent: 104) 6.7%, silica powder 80%, curing accelerator 0.19
%, Ester waxes 0.2% and silane coupling agent 0.4% were mixed to produce a molding material in the same manner as in Example 1. A molded article was formed using this molding material, and various properties of the molded article were tested in the same manner as in Example 1.
The results are shown in Table 1.
【００２４】[0024]
【表１】 ＊1 ：トランスファー成形によって接着面積4 ｍｍ2 の
成形品をつくり、これを175 ℃，8 時間の後硬化を行
い、剪断接着力を求めた。 ＊2 ：トランスファー成形によって成形品をつくり、こ
れを175 ℃，8 時間の後硬化を行い、適当な大きさのテ
ストピースとし、熱機器分析装置を用いて測定した。 ＊3 ：成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップ（テスト用素子）をＰｄプレ
プレーティングフレームに接着し、175 ℃で2 分間トラ
ンスファー成形して、ＱＦＰ−２０８Ｐ，2.8 ｍｍt の
成形品をつくり、これを175 ℃，8 時間の後硬化を行っ
た。こうして得た成形品を予め、85℃，40％ＲＨ，168
時間の吸湿処理した後、Ｍａｘ240 ℃のＩＲリフロー炉
を4 回通した。その後、127 ℃，2.5 気圧の飽和水蒸気
中でＰＣＴを行い、アルミニウムの腐食による断線を不
良として評価した。[Table 1] * 1: A molded article having an adhesive area of 4 mm 2 was prepared by transfer molding, and this was post-cured at 175 ° C. for 8 hours, and the shear adhesive strength was determined. * 2: A molded product was prepared by transfer molding, post-cured at 175 ° C for 8 hours, made into a test piece of appropriate size, and measured using a thermal equipment analyzer. * 3: Using a molding material, a silicon chip (test element) having two or more aluminum wirings is adhered to a Pd pre-plating frame, transfer molded at 175 ° C for 2 minutes, and QFP-208P, 2.8 make moldings mm t, which 175 ° C., was cured after 8 hours. The molded article thus obtained was previously subjected to 85 ° C., 40% RH, 168
After the moisture absorption treatment for a period of time, the mixture was passed four times through an IR reflow furnace at Max 240 ° C. Thereafter, PCT was performed in saturated steam at 127 ° C. and 2.5 atm, and a disconnection due to aluminum corrosion was evaluated as defective.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置
は、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕメッキのインサートとの接着性に
優れ、ＩＲリフロー後においても剥離することなく、耐
湿性に優れ、その結果、電極の腐食による断線や水分に
よるリーク電流の発生等を著しく低減することができ、
しかも長期間にわたって信頼性を保証することができ
る。As apparent from the above description and Table 1, the encapsulating resin composition and the semiconductor encapsulating apparatus of the present invention have excellent adhesiveness with Pd and Pd-Au plated inserts and have an IR reflow. Without exfoliation even after, excellent in moisture resistance, as a result, it is possible to significantly reduce the occurrence of leakage current due to disconnection or moisture due to electrode corrosion,
Moreover, reliability can be guaranteed for a long period of time.
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31 Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 23/31
Claims (2)
型フェノール樹脂、（Ｃ）Ｎ−シクロヘキシル−2-ベン
ゾチアゾールスルフェンアミドおよび（Ｄ）無機質充填
剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記（Ｃ）の
Ｎ−シクロヘキシル−2-ベンゾチアゾールスルフェンア
ミドを0.001 〜0.1 重量％、また前記（Ｄ）の無機質充
填剤を25〜95重量％の割合で含有してなることを特徴と
する封止用樹脂組成物。1. A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a novolak-type phenol resin, (C) N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide and (D) an inorganic filler as essential components. The N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide of (C) is contained in a proportion of 0.001 to 0.1% by weight, and the inorganic filler of (D) is contained in a proportion of 25 to 95% by weight. Resin composition for sealing.
型フェノール樹脂、（Ｃ）Ｎ−シクロヘキシル−2-ベン
ゾチアゾールスルフェンアミドおよび（Ｄ）無機質充填
剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記（Ｃ）の
Ｎ−シクロヘキシル−2-ベンゾチアゾールスルフェンア
ミドを0.001 〜0.1 重量％、また前記（Ｄ）の無機質充
填剤を25〜95重量％の割合で含有した封止用樹脂組成物
の硬化物によって、Ｐｄ若しくはＰｄ−Ａｕのプレプレ
ーティングを施したフレームに搭載された半導体チップ
を封止してなることを特徴とする半導体封止装置。2. An essential component comprising (A) an epoxy resin, (B) a novolak-type phenol resin, (C) N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide, and (D) an inorganic filler. A sealing resin composition containing the N-cyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide (C) in a proportion of 0.001 to 0.1% by weight and the inorganic filler (D) in a proportion of 25 to 95% by weight. A semiconductor sealing device characterized by sealing a semiconductor chip mounted on a Pd or Pd-Au pre-plated frame with a cured product.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18184697A JPH1112437A (en) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | Sealing resin composition and sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18184697A JPH1112437A (en) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | Sealing resin composition and sealed semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1112437A true JPH1112437A (en) | 1999-01-19 |
Family
ID=16107850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18184697A Pending JPH1112437A (en) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | Sealing resin composition and sealed semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1112437A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003055438A (en) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor device |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP18184697A patent/JPH1112437A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003055438A (en) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor device |
| JP4686935B2 (en) * | 2001-08-21 | 2011-05-25 | 住友ベークライト株式会社 | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000136290A (en) | Resin composition for sealing and semiconductor-sealed device | |
| JP3440449B2 (en) | Sealing resin composition and semiconductor sealing device | |
| JP3819220B2 (en) | Resin composition for sealing and semiconductor sealing device | |
| JPH11286594A (en) | Resin composition for sealing and semiconductor-sealed device | |
| JPH1112446A (en) | Sealing resin composition and semiconductor device sealed therewith | |
| JP2000136291A (en) | Resin composition for sealing and semiconductor-sealed device | |
| JPH0717730B2 (en) | Sealing resin composition | |
| JP2001114984A (en) | Sealing resin composition and semiconductor device sealed therewith | |
| JP3649887B2 (en) | Resin composition for sealing and semiconductor sealing device | |
| JP3298084B2 (en) | Sealing resin composition and semiconductor sealing device | |
| JP2641183B2 (en) | Resin composition for sealing | |
| JP3751171B2 (en) | Resin composition for sealing and semiconductor sealing device | |
| JPH1112437A (en) | Sealing resin composition and sealed semiconductor device | |
| JP3115693B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor encapsulation device | |
| JP3649893B2 (en) | Resin composition for sealing and semiconductor sealing device | |
| JPH11130943A (en) | Resin composition for sealing and sealed semiconductor device | |
| JPH11166103A (en) | Resin composition for packing and semiconductor packing device | |
| JPH0249329B2 (en) | ||
| JPH11181240A (en) | Resin composition for sealing and semiconductor sealer | |
| JPH11209575A (en) | Sealing resin composition and semiconductor sealing device | |
| JPH1180513A (en) | Resin composition for sealing, and semiconductor sealed device | |
| JPH1112441A (en) | Sealing resin composition and sealed semiconductor device | |
| JP2000103940A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor sealing device | |
| JP2004244556A (en) | Resin composition for encapsulation and encapsulated semiconductor device | |
| JPH11209573A (en) | Sealing resin composition and semiconductor sealing device |