JPH11283941A - Wet sand blast method and wet sand blast machine thereof - Google Patents
Wet sand blast method and wet sand blast machine thereofInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、砥粒を含むスラリ
ーを用いてウェーハ裏面に機械的ダメージを与える湿式
サンドブラスト法およびサンドブラスト機に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wet sandblasting method and a sandblasting machine for mechanically damaging the back surface of a wafer by using a slurry containing abrasive grains.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ゲッタリング技術として、ウェーハ裏面
に機械的ダメージを導入し、そこに不純物などを取り込
むことを目的としたエクストリンシックゲッタリング技
術が知られている。このエクストリンシックゲッタリン
グ技術は、ウェーハ裏面に導入した機械的ダメージが熱
処理により結晶欠陥を発生し、この結晶欠陥によってひ
ずみ場を誘起し、金属不純物を拡散させ、固着させるも
のである。2. Description of the Related Art As a gettering technique, there is known an extrinsic gettering technique for introducing mechanical damage to the back surface of a wafer and taking in impurities or the like therein. In the extrinsic gettering technique, mechanical damage introduced into the back surface of a wafer causes crystal defects due to heat treatment, and the crystal defects induce a strain field to diffuse and fix metal impurities.
【０００３】この場合のウェーハ裏面に機械的ダメージ
を導入する方法の１つとして湿式サンドブラスト法があ
り、この湿式サンドブラスト法を実施するために次のよ
うな湿式サンドブラスト機が用いられている。この湿式
サンドブラスト機は、ベルトコンベア（ウェーハ移送装
置）に設置されて連続的に移送されているウェーハに、
ＳｉＯ2 砥粒を含んだスラリーを噴射し、ＳｉＯ2 砥粒
によってウェーハ裏面に機械的ダメージを導入するよう
に構成されており、スラリーは、スラリータンクからス
ラリー噴射ノズルに供給され、該スラリー噴射ノズルか
ら圧縮エアーによって噴射され、その後再びスラリータ
ンクに戻されるようになっている。In this case, there is a wet sandblasting method as one of the methods for introducing mechanical damage to the back surface of the wafer, and the following wet sandblasting machine is used to carry out the wet sandblasting method. This wet sand blasting machine is installed on a belt conveyor (wafer transfer device) to continuously transfer wafers.
A slurry containing SiO 2 abrasive grains is sprayed, and the SiO 2 abrasive grains are configured to introduce mechanical damage to the back surface of the wafer. The slurry is supplied from a slurry tank to a slurry spray nozzle. From the air, and then returned to the slurry tank again.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記湿式サン
ドブラスト機では、スラリーが循環使用されているが、
ＳｉＯ2 砥粒はウェーハ裏面に付着したままスラリータ
ンク域外に持ち出され、そこで純水によって取り除かれ
るため、スラリータンクには回収されない。したがっ
て、スラリー循環系内のスラリーの砥粒濃度が時間の経
過とともに低くなってしまう。また、スラリータンク域
外に移送されたＳｉＯ2 砥粒を回収したとしても、洗浄
のための純水が混ざるので、この場合でも、スラリー循
環系内のスラリーの砥粒濃度が時間の経過とともに低く
なってしまうことに変わりはない。その結果、何れにし
ても、時間の経過とともにウェーハ裏面に十分な機械的
ダメージを導入できなくなってしまい、ウェーハ間で品
質にバラツキが出てしまうという問題があった。However, in the wet type sand blasting machine, the slurry is circulated and used.
The SiO 2 abrasive grains are taken out of the slurry tank area while adhering to the back surface of the wafer, where they are removed by pure water and are not collected in the slurry tank. Therefore, the concentration of the abrasive grains in the slurry in the slurry circulation system decreases with time. Further, even if the SiO 2 abrasive grains transferred to the outside of the slurry tank area are collected, pure water for cleaning is mixed, so that even in this case, the abrasive grain concentration of the slurry in the slurry circulation system decreases with time. It will not change. As a result, in any case, sufficient mechanical damage cannot be introduced to the back surface of the wafer with the passage of time, and there is a problem that the quality varies between wafers.
【０００５】このような問題を解決するには、スラリー
噴射ノズルから噴射するスラリーの量を時間とともに増
やしてウェーハ裏面に当たる噴射ＳｉＯ2 砥粒の量の低
減を抑止することも考えられるが、そのためにはポンプ
の制御が複雑になり、しかも、ＳｉＯ2 砥粒の噴射速度
が増してウェーハ裏面に圧痕が形成され品質の劣化を招
く虞があった。In order to solve such a problem, it is conceivable to increase the amount of slurry injected from the slurry injection nozzle with time to suppress a decrease in the amount of injected SiO 2 abrasive particles hitting the back surface of the wafer. In this case, the control of the pump becomes complicated, and the injection speed of the SiO 2 abrasive grains increases, so that indentations are formed on the back surface of the wafer, which may cause deterioration in quality.
【０００６】本発明は、かかる点に鑑みなされたもの
で、設備が簡単でウェーハ裏面への均質な機械的ダメー
ジを保障することができる湿式サンドブラスト法および
湿式サンドブラスト機を提供することを目的としてい
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a wet sandblasting method and a wet sandblasting machine which are simple in equipment and can guarantee uniform mechanical damage to the back surface of a wafer. .
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の湿式サン
ドブラスト法は、ウェーハの裏面に機械的ダメージを与
えるための砥粒を含むスラリーを循環させて使用するに
あたり、サンドブラスト作業継続中のスラリーの砥粒濃
度の低下を抑止するように、初期の砥粒濃度よりも高い
砥粒濃度のスラリーをスラリー循環系に連続的に補給す
ることを特徴とする。この湿式サンドブラスト法によれ
ば、スラリーの濃度低下を補うように、初期の砥粒濃度
よりも高い砥粒濃度のスラリーがスラリー循環系に連続
的に補給されるので、ウェーハ裏面に導入される機械的
ダメージがウェーハ間で均質なものとなる。また、時間
の経過とともに、スラリーを噴射させるためのポンプの
運転状態を変更させなくても済むことになる。In the wet sandblasting method according to the present invention, the slurry containing abrasive grains for giving mechanical damage to the back surface of the wafer is circulated and used. The method is characterized in that a slurry having an abrasive concentration higher than the initial abrasive concentration is continuously supplied to the slurry circulation system so as to suppress a decrease in the abrasive concentration. According to this wet sandblasting method, a slurry having an abrasive concentration higher than the initial abrasive concentration is continuously supplied to the slurry circulation system so as to compensate for a decrease in the slurry concentration. The target damage is uniform between wafers. Further, it is not necessary to change the operation state of the pump for injecting the slurry with the passage of time.
【０００８】請求項２記載の湿式サンドブラスト機は、
ウェーハを移送するウェーハ移送装置と、このウェーハ
移送装置によって移送されるウェーハの裏面にスラリー
噴射ノズルからスラリーを噴き付け、この噴き付けられ
たスラリーの一部をスラリータンクに回収し、この回収
したスラリーを前記スラリー噴射ノズルに導くスラリー
循環系とを備えた湿式サンドブラスト機において、前記
スラリータンクのほかに、前記スラリー循環系内のスラ
リーの初期の砥粒濃度よりも高い砥粒濃度のスラリーを
貯留するスラリーサブタンクを設け、前記スラリーサブ
タンクから前記スラリー循環系に連続的にスラリーを補
給するように構成されていることを特徴とする。この場
合、請求項３記載の湿式サンドブラスト機におけるよう
に、サンドブラスト作業継続中のスラリーの砥粒濃度の
低下を抑止するようにスラリーを補給するようにするこ
とが好ましい。これらの湿式サンドブラスト機によれ
ば、請求項１記載の湿式サンドブラスト法によるのと同
様な効果が得られる。[0008] The wet sand blasting machine according to claim 2 is
A wafer transfer device for transferring a wafer, and slurry is sprayed from a slurry spray nozzle onto a back surface of the wafer transferred by the wafer transfer device, and a part of the sprayed slurry is collected in a slurry tank. And a slurry circulating system that guides the slurry to the slurry injection nozzle, in addition to the slurry tank, stores a slurry having an abrasive concentration higher than the initial abrasive concentration of the slurry in the slurry circulating system. It is characterized in that a slurry sub-tank is provided and slurry is continuously supplied from the slurry sub-tank to the slurry circulation system. In this case, as in the wet sand blasting machine according to the third aspect, it is preferable to supply the slurry so as to suppress a decrease in the abrasive concentration of the slurry during the sand blasting operation. According to these wet sand blasting machines, the same effect as that obtained by the wet sand blasting method of the first aspect can be obtained.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る湿式サンドブ
ラスト機を概念的に示している。このサンドブラスト機
では、下方にスラリーメインタンク（スラリータンク）
１が配置され、このスラリーメインタンク１内には所定
量のＳｉＯ2 砥粒を含有するスラリーが貯留されてい
る。このスラリーメインタンク１には上部開口１ａが設
けられ、この上部開口１ａからスラリーが回収されるよ
うになっている。また、このスラリーメインタンク１の
上方にはベルトコンベア２が設置され、このベルトコン
ベア２によってウェーハがスラリーメインタンク１の上
方で移送されるようになっている。さらに、ベルトコン
ベア２の上方には、該ベルトコンベア２に沿って複数の
スラリー噴射ノズル３が配設され、このスラリー噴射ノ
ズル３によってウェーハ裏面にスラリーが噴射されるよ
うになっている。また、ベルトコンベア２の入口上方に
はデミスター４の吐出口４ａが設けられ、出口上方には
純水シャワー５の吐出口５ａが設けられている。なお、
同図において、符号２ａはガイドローラを、４ｂはブロ
アを示している。FIG. 1 conceptually shows a wet sand blasting machine according to the present invention. In this sandblasting machine, the slurry main tank (slurry tank)
The slurry main tank 1 stores a slurry containing a predetermined amount of SiO2 abrasive grains. The slurry main tank 1 is provided with an upper opening 1a, and the slurry is recovered from the upper opening 1a. A belt conveyor 2 is provided above the slurry main tank 1, and the wafer is transferred by the belt conveyor 2 above the slurry main tank 1. Further, a plurality of slurry injection nozzles 3 are arranged above the belt conveyor 2 along the belt conveyor 2, and the slurry injection nozzles 3 spray slurry to the back surface of the wafer. A discharge port 4a of the demister 4 is provided above the entrance of the belt conveyor 2, and a discharge port 5a of the pure water shower 5 is provided above the exit. In addition,
In the figure, reference numeral 2a indicates a guide roller, and 4b indicates a blower.
【００１０】また、スラリーメインタンク１の底部には
管路２０が連結され、この管路２０は途中で２つの管路
２０ａ，２０ｂに分岐し、一方の管路２０ａは前記スラ
リー噴射ノズル３に連結され、他方の管路２０ｂはスラ
リーサブタンク１０に連結されている。管路２０の分岐
点手前にはメインポンプ６が介装され、管路２０ａには
ノーマルオープンの開閉バルブ７が介装され、管路２０
ｂにはノーマルクローズの開閉バルブ８が介装されてい
る。A pipe 20 is connected to the bottom of the slurry main tank 1, and this pipe 20 branches into two pipes 20 a and 20 b in the middle, and one pipe 20 a is connected to the slurry injection nozzle 3. The other pipeline 20 b is connected to the slurry sub-tank 10. The main pump 6 is interposed in front of the branch point of the pipe 20, and the normally open on-off valve 7 is interposed in the pipe 20a.
A normally closed opening / closing valve 8 is interposed in b.
【００１１】また、スラリーサブタンク１０の側部には
管路２１が連結され、この管路２１は途中で２つの管路
２１ａ，２１ｂに分岐し、一方の管路２１ａは前記スラ
リーメインタンク１に連結され、他方の管路２１ｂはス
ラリーサブタンク１０に帰還している。管路２１の分岐
点手前にはサブポンプ１１が介装され、管路２１ａには
流量制御バルブ１２およびスラリー流量計１３が介装さ
れている。A pipe 21 is connected to the side of the slurry sub-tank 10, and this pipe 21 branches into two pipes 21 a and 21 b on the way, and one pipe 21 a is connected to the slurry main tank 1. The other pipe line 21 b is connected to the slurry sub-tank 10 and returns. A sub-pump 11 is interposed in front of a branch point of the pipe 21, and a flow control valve 12 and a slurry flow meter 13 are interposed in the pipe 21a.
【００１２】このように構成された湿式サンドブラスト
機では、スラリーメインタンク１およびスラリーサブタ
ンク１０に所定の砥粒濃度のＳｉＯ2 砥粒を含むスラリ
ーが貯溜される。この場合、スラリーサブタンク１０内
のＳｉＯ2 砥粒濃度をスラリーメインタンク１のそれよ
りも高くしておき、スラリーメインタンク１へのスラリ
ー供給量を調整することによってスラリーメインタンク
１内のスラリーの砥粒濃度を調整するようにすることが
好ましい。In the wet-type sand blasting machine configured as described above, the slurry containing SiO 2 abrasive grains having a predetermined abrasive grain concentration is stored in the slurry main tank 1 and the slurry sub-tank 10. In this case, the concentration of the SiO2 abrasive in the slurry sub-tank 10 is set higher than that of the slurry main tank 1 and the amount of slurry supplied to the slurry main tank 1 is adjusted by adjusting the amount of slurry supplied to the slurry main tank 1. It is preferable to adjust the concentration.
【００１３】そして、ベルトコンベア２上に裏面を上に
してウェーハが設置され、そのウェーハがスラリーメイ
ンタンク１の上部開口１ａ上を横切るように移送され
る。その際、デミスター４によってウェーハが洗浄され
る。次いでメインポンプ６によってスラリー噴射ノズル
３に供給されたスラリーがスラリー噴射ノズル３から噴
射され、ウェーハ裏面にＳｉＯ2 砥粒を吹き付ける。次
いで、純水シャワー５によってウェーハ上のＳｉＯ2 砥
粒が洗い流される。なお、ウェーハに噴射されたスラリ
ーの大部分はスラリーメインタンク１に落下しそこに貯
溜される。A wafer is placed on the belt conveyor 2 with its back face up, and the wafer is transferred across the upper opening 1 a of the slurry main tank 1. At that time, the wafer is cleaned by the demister 4. Next, the slurry supplied to the slurry injection nozzle 3 by the main pump 6 is injected from the slurry injection nozzle 3 and sprays SiO 2 abrasive grains on the back surface of the wafer. Next, the SiO2 abrasive grains on the wafer are washed away by the pure water shower 5. Most of the slurry sprayed on the wafer falls into the slurry main tank 1 and is stored there.
【００１４】その間、スラリーメインタンク１には、ス
ラリーサブタンク１０からサブポンプ１１によって流量
制御バルブ１２を介して一定量のスラリーが常時供給さ
れる。なお、スラリーサブタンク１０から供給されるス
ラリーの量は、流量計１３が所定の値になるように流量
制御バルブ１２を調整することによって設定される。In the meantime, a constant amount of slurry is constantly supplied to the slurry main tank 1 from the slurry sub-tank 10 by the sub-pump 11 via the flow control valve 12. The amount of slurry supplied from the slurry sub-tank 10 is set by adjusting the flow control valve 12 so that the flow meter 13 has a predetermined value.
【００１５】なお、上記実施の形態では、本発明の湿式
サンドブラスト機の基本的な実施の形態を示している
が、本発明を実施するために、各種の態様をとることが
できる。In the above embodiment, a basic embodiment of the wet sand blasting machine of the present invention is shown. However, various embodiments can be adopted to carry out the present invention.
【００１６】例えば、スラリーサブタンク１０からのス
ラリーの供給量がスラリーメインタンク１内のスラリー
の減少量よりも大きい場合には、スラリーメインタンク
１内のスラリーの水位が上昇する。その場合には、スラ
リー上限センサ１４によってそれを検知し、その検知信
号によってバルブ８を開かせるようにしてもよい。この
場合、スラリーメインタンク１よりもスラリーサブタン
ク１０の容量を大きくしておくことが好ましい。スラリ
ーメインタンク１内のスラリーがスラリーサブタンク１
０に流入することによって、スラリーサブタンク１０内
のスラリーの砥粒濃度の低下を極力抑えるためである。For example, when the supply amount of the slurry from the slurry sub-tank 10 is larger than the decrease amount of the slurry in the slurry main tank 1, the water level of the slurry in the slurry main tank 1 rises. In that case, the slurry 8 may be detected by the slurry upper limit sensor 14 and the valve 8 may be opened by the detection signal. In this case, it is preferable to make the capacity of the slurry sub-tank 10 larger than that of the slurry main tank 1. The slurry in the slurry main tank 1 is changed to the slurry sub tank 1
This is because, by flowing into the slurry sub-tank 10, a decrease in the abrasive grain concentration of the slurry in the slurry sub-tank 10 is suppressed as much as possible.
【００１７】また、スラリーサブタンク１０からのスラ
リーの供給量がスラリーメインタンク１内のスラリーの
減少量よりも小さい場合には、スラリーメインタンク１
内のスラリーの水位が降下する。その場合には、スラリ
ー下限センサ１５によってそれを検知し、その検知信号
によってバルブ１２開成させて一時的にスラリーサブタ
ンク１０からのスラリーの供給量を増大させるようにし
てもよい。If the amount of slurry supplied from the slurry sub-tank 10 is smaller than the amount of decrease in the slurry in the slurry main tank 1, the slurry main tank 1
The water level of the slurry inside falls. In this case, the slurry lower limit sensor 15 may detect this, and the valve 12 may be opened by the detection signal to temporarily increase the supply amount of the slurry from the slurry sub-tank 10.
【００１８】[0018]
【実施例】上記した湿式サンドブラスト機を使用して従
来の方法によるＯＳＦ密度の時間に対する変化と本発明
の方法によるＯＳＦ密度の時間に対する変化とを実験に
よって行った。装置の共通な条件は以下の通りである。 エアー圧力 ０．６０±０．０２ ｋｇ／ｃｍ2 エアー流量 １６５ ±５ ｎｌ／ｍｉｎ ポンプ圧力 １．０ ±０．２ ｋｇ／ｃｍ2 スラリー流量 ６ ±３ ｌ／ｍｉｎ スラリー濃度 （砥粒濃度） ６ 〜 ８ ｗｔ％ ベルトスピード １．０ ±０．０２ ｍ／ｍｉｎ ノズル高さ ４００ ±１０ ｍｍ ノズルスイングスピード７０ ±２ ｒ．ｐ．ｍ モニターリング ２枚／ｈ ＜１１１＞ 但し、本発明の方法では、スラリーサブタンクから２±
１ｌ／ｈで砥粒濃度（８ｗｔ％ ）のスラリーを、砥粒
濃度（６〜８ｗｔ％ ）のスラリーを４０ｌ貯溜したメ
インスラリータンクに連続注加した。EXAMPLE Using the above-mentioned wet sandblasting machine, the change of the OSF density with time according to the conventional method and the change of the OSF density with time according to the method of the present invention were experimentally performed. The common conditions of the device are as follows. Air pressure 0.60 ± 0.02 kg / cm 2 Air flow 165 ± 5 nl / min Pump pressure 1.0 ± 0.2 kg / cm 2 Slurry flow 6 ± 3 l / min Slurry concentration (abrasive particle concentration) 6 to 8 wt% Belt speed 1.0 ± 0.02 m / min Nozzle height 400 ± 10 mm Nozzle swing speed 70 ± 2 r. p. m monitoring 2 sheets / h <111> However, in the method of the present invention, 2 ± 2
A slurry having an abrasive concentration (8 wt%) of 1 l / h was continuously poured into a main slurry tank storing 40 l of a slurry having an abrasive concentration (6 to 8 wt%).
【００１９】測定は、従来の方法と本発明の方法で１時
間毎に２枚のウェーハにサンドブラストを施し、７時間
にわたって各試料裏面のＯＳＦ密度を測定した。そし
て、従来の方法による結果を表１に本発明の方法による
結果を表２に示している。The measurement was carried out by sandblasting two wafers every hour by the conventional method and the method of the present invention, and measuring the OSF density on the back surface of each sample for 7 hours. Table 1 shows the results obtained by the conventional method, and Table 2 shows the results obtained by the method of the present invention.
【００２０】[0020]
【表１】 [Table 1]
【００２１】[0021]
【表２】 [Table 2]
【００２２】表１および表２から両方法によるＯＳＦ密
度の時間に対する変化を図２のグラフに示した。このグ
ラフからも明らかなように、スラリー連続注加した本発
明の方法の場合には、従来の方法に較べＯＳＦ密度の低
下が少ないことが証明された。From Tables 1 and 2, the change of OSF density with time by both methods is shown in the graph of FIG. As is clear from this graph, it has been proved that the method of the present invention in which the slurry is continuously poured causes less decrease in the OSF density than the conventional method.
【００２３】[0023]
【発明の効果】上記したように、本発明に係る湿式サン
ドブラスト機は、ウェーハの裏面に機械的ダメージを与
えるための砥粒を含むスラリーを循環させて使用するに
あたり、サンドブラスト作業継続中のスラリーの砥粒濃
度の低下を抑止するように、初期の砥粒濃度よりも高い
砥粒濃度のスラリーをスラリー循環系に連続的に補給す
るので、安価な設備で、長時間にわたってスラリーの濃
度低下を抑えることができ、ウェーハの裏面に均質な機
械的ダメージを与えることができる。As described above, the wet sand blasting machine according to the present invention uses a slurry containing abrasive grains for mechanically damaging the back surface of the wafer while circulating the slurry. Slurry having a higher abrasive concentration than the initial one is continuously supplied to the slurry circulation system so as to suppress the decrease in the abrasive concentration, so the inexpensive equipment suppresses the decrease in the slurry concentration over a long period of time. And can provide uniform mechanical damage to the backside of the wafer.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本発明に係るスラリーの供給方法を実施するた
めのスラリーの供給装置を備えた湿式サンドブラスト機
の一例を示した模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of a wet sandblasting machine provided with a slurry supply device for performing a slurry supply method according to the present invention.
【図２】本発明の方法と従来の方法とで行った時間に対
する試料表面のＯＳＦ密度変化を示したグラフである。FIG. 2 is a graph showing a change in OSF density of a sample surface with respect to time performed by a method of the present invention and a conventional method.
１ スラリーメインタンク ２ ベルトコンベア ３ ノズル ４ 純水シャワー ５ デミスター ６ スラリー供給メインポンプ １０ スラリーサブタンク １１ スラリー供給サブポンプ １２ 流量制御バルブ Reference Signs List 1 slurry main tank 2 belt conveyor 3 nozzle 4 pure water shower 5 demister 6 slurry supply main pump 10 slurry sub tank 11 slurry supply sub pump 12 flow control valve
Claims (3)
るための砥粒を含むスラリーを循環させて使用するにあ
たり、サンドブラスト作業継続中のスラリーの砥粒濃度
の低下を抑止するように、初期の砥粒濃度よりも高い砥
粒濃度のスラリーをスラリー循環系に連続的に補給する
ことを特徴とする湿式サンドブラスト法。When a slurry containing abrasive grains for mechanically damaging the back surface of a wafer is circulated and used, an initial polishing is performed so as to suppress a decrease in the abrasive grain concentration of the slurry during sandblasting operation. A wet sandblasting method characterized by continuously supplying a slurry having an abrasive concentration higher than the particle concentration to a slurry circulation system.
と、このウェーハ移送装置によって移送されるウェーハ
の裏面にスラリー噴射ノズルからスラリーを噴き付け、
この噴き付けられたスラリーの一部をスラリータンクに
回収し、この回収したスラリーを前記スラリー噴射ノズ
ルに導くスラリー循環系とを備えた湿式サンドブラスト
機において、前記スラリータンクのほかに、前記スラリ
ー循環系内のスラリーの初期の砥粒濃度よりも高い砥粒
濃度のスラリーを貯留するスラリーサブタンクを設け、
前記スラリーサブタンクから前記スラリー循環系に連続
的にスラリーを補給するように構成されていることを特
徴とする湿式サンドブラスト機。2. A wafer transfer device for transferring a wafer, and slurry is sprayed from a slurry injection nozzle onto a back surface of the wafer transferred by the wafer transfer device,
A part of the sprayed slurry is collected in a slurry tank, and a slurry circulation system for guiding the collected slurry to the slurry injection nozzle is provided, in addition to the slurry tank, the slurry circulation system Providing a slurry sub-tank that stores a slurry with a higher abrasive concentration than the initial abrasive concentration of the slurry in,
A wet sand blasting machine configured to continuously supply slurry from the slurry sub-tank to the slurry circulation system.
砥粒濃度の低下を抑止するように、前記スラリーサブタ
ンクから前記スラリー循環系に連続的にスラリーを補給
するように構成されていることを特徴とする請求項２記
載の湿式サンドブラスト機。3. The slurry sub-tank is configured to continuously supply the slurry to the slurry circulation system so as to suppress a decrease in the abrasive grain concentration of the slurry during the sandblasting operation. The wet sandblasting machine according to claim 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8777298A JPH11283941A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Wet sand blast method and wet sand blast machine thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8777298A JPH11283941A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Wet sand blast method and wet sand blast machine thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283941A true JPH11283941A (en) | 1999-10-15 |
Family
ID=13924276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8777298A Pending JPH11283941A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Wet sand blast method and wet sand blast machine thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11283941A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100965852B1 (en) * | 2008-04-22 | 2010-06-28 | (주)일신오토클레이브 | A Catchtank of Suspensor Waterjet |
| JP2011142215A (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Nano System Solutions:Kk | Wafer processing device |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP8777298A patent/JPH11283941A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100965852B1 (en) * | 2008-04-22 | 2010-06-28 | (주)일신오토클레이브 | A Catchtank of Suspensor Waterjet |
| JP2011142215A (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Nano System Solutions:Kk | Wafer processing device |
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