JP2011142215A

JP2011142215A - Wafer processing device

Info

Publication number: JP2011142215A
Application number: JP2010002099A
Authority: JP
Inventors: Eizo Wada; 榮造和田
Original assignee: NANO SYSTEM SOLUTIONS KK
Current assignee: NANO SYSTEM SOLUTIONS KK
Priority date: 2010-01-07
Filing date: 2010-01-07
Publication date: 2011-07-21

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing device capable of integrally performing the polishing of a wafer and the formation of a gettering layer. SOLUTION: The wafer processing device 100 includes: a rotary table 110 having four wafer holding portions 111-114; a grinding portion 120 for grinding a predetermined surface of a wafer 10; a polishing portion 130 for enhancing the smoothness of the ground surface of the wafer 10; and a blasting part 140 for forming mechanical distortion on the predetermined surface of the wafer 10. The polishing processing means of the grinding portion 120 and the polishing portion 130 and the deformation processing means of the blasting portion 140 can be continuously performed only by rotating the rotary table 110. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウェーハ加工装置に関し、特にウェーハに素子を形成した後の仕上げ加工を行うウェーハ加工装置に関するものである。 The present invention relates to a wafer processing apparatus, and more particularly to a wafer processing apparatus that performs finishing after an element is formed on a wafer.

半導体製造工程では、表面に素子が形成されたウェーハに対し、ウェーハの素子形成面とは反対側の裏面を研磨することで、ウェーハを所定の厚さまで薄厚化する加工処理が行われる。この研磨は、従来より、グラインディングとポリッシングの方法を用いて行われている。 In the semiconductor manufacturing process, a processing process for thinning the wafer to a predetermined thickness is performed by polishing the back surface opposite to the element formation surface of the wafer on the wafer having the elements formed on the front surface. This polishing is conventionally performed by using grinding and polishing methods.

近年、半導体デバイスの小型化、高集積化が進められるのに伴い、ウェーハの厚さも一層薄厚化することが求められている。グラインディングとポリッシングによりウェーハの裏面を研磨してウェーハの薄厚化を進めると、例えばウェーハの厚さが３０μｍ程度では、ウェーハの裏面にゲッタリング層がほとんど存在しなくなる。ウェーハ外周部にクラックが発生する。これが原因でグライディング等より後の工程でウェーハが破損する。 In recent years, with the progress of miniaturization and high integration of semiconductor devices, it is required to further reduce the thickness of the wafer. When the thickness of the wafer is reduced by polishing the back surface of the wafer by grinding and polishing, for example, when the thickness of the wafer is about 30 μm, the gettering layer hardly exists on the back surface of the wafer. Cracks occur on the outer periphery of the wafer. This causes damage to the wafer in a later process than gliding.

ゲッタリングは、ウェーハの面に機械的な加工を加えて形成された歪部であり、これが形成されていると、ウェーハに含まれる重金属等の汚染物質がここに集積しやすくなり、汚染物質の影響を抑えて好適な半導体特性が得られるようになる。そのため、ウェーハの裏面にゲッタリング層を形成しておくのが好ましい。しかしながら、素子形成後の仕上げ工程において、ウェーハの裏面を研磨して一層の薄厚化を進めていくと、ゲッタリング層がほとんどなくなって上記の汚染物質を集積する効果が得られなくなってしまう。その結果、半導体素子として好適な特性が得られなくなってしまうおそれがある。
クラックは、ウェーハ外周部にある欠けや割れであり、ウェーハを薄膜化する前においても存在する。特にウェーハをグラインディングとポリッシングした後のウェーハにおいては微少なクラックによっても破損する。また、薄膜化工程後のウェーハは高額なため歩留まりを上げることが望まれている。 Gettering is a strained part formed by applying mechanical processing to the surface of the wafer. When this part is formed, contaminants such as heavy metals contained in the wafer are easily collected here, It is possible to obtain favorable semiconductor characteristics while suppressing the influence. Therefore, it is preferable to form a gettering layer on the back surface of the wafer. However, if the thickness of the wafer is further reduced by polishing the back surface of the wafer in the finishing process after the element formation, the gettering layer is almost lost and the effect of accumulating the contaminants cannot be obtained. As a result, there is a possibility that characteristics suitable for a semiconductor element cannot be obtained.
A crack is a chip or crack in the outer peripheral portion of the wafer and exists even before the wafer is thinned. In particular, the wafer after grinding and polishing the wafer is damaged even by a minute crack. Further, since the wafer after the thinning process is expensive, it is desired to increase the yield.

そこで、ウェーハ裏面の研磨工程が終了した後、クラックを減少させゲッタリング層を再び形成するために、ウェーハ外周部、裏面を所定のブラスト装置を用いてブラスト加工するのが好ましい。特許文献１では、サンドブラスト法により、ウェーハの裏面に石英粒子やアルミナ粒子の噴流を衝突させることで、裏面にゲッタリング層を形成している。 Therefore, after the wafer back surface polishing step is completed, it is preferable to blast the outer peripheral portion of the wafer and the back surface using a predetermined blasting device in order to reduce cracks and form the gettering layer again. In Patent Document 1, a gettering layer is formed on the back surface by causing a jet of quartz particles or alumina particles to collide with the back surface of the wafer by sandblasting.

特開平６−８１４４号公報JP-A-6-8144

しかしながら、従来は、仕上げ工程でウェーハが所定の厚さになるまでウェーハ研磨装置を用いて裏面を研磨し、その後ブラスト加工を行うには、搬送ロボット等の搬送手段を用いてウェーハを所定のブラスト装置まで移動させる必要があった。このような従来の方法では、ウェーハ研磨装置、ブラスト装置、及びその間でウェーハを搬送するための搬送手段、等を配置するのに大きなスペースが必要であった。また、ウェーハを研磨装置からブラスト装置に搬送して所定の位置に載置するとき、ウェーハをブラスト装置上に高精度に位置決めして載置する必要があり、搬送手段が高コストになるといった問題もあった。 However, conventionally, in order to polish the back surface using a wafer polishing apparatus until the wafer has a predetermined thickness in the finishing process, and then perform blasting, the wafer is transferred to a predetermined blast using a transfer means such as a transfer robot. It was necessary to move to the device. In such a conventional method, a large space is required to arrange a wafer polishing apparatus, a blasting apparatus, and a transfer means for transferring a wafer between them. Further, when the wafer is transferred from the polishing apparatus to the blasting apparatus and placed at a predetermined position, the wafer needs to be positioned and placed on the blasting apparatus with high accuracy, and the transfer means becomes expensive. There was also.

そこで、本発明はこれらの問題を解決するためになされたものであり、ウェーハの研磨とクラックの除去ゲッタリング層の形成を一体的に行うことができるウェーハ加工装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made to solve these problems, and an object thereof is to provide a wafer processing apparatus capable of integrally performing wafer polishing and crack removal gettering layer formation. .

本発明のウェーハ加工装置の第１の態様は、ウェーハを保持するウェーハ保持部を３以上有して前記ウェーハを回転移動させる回転盤と、前記ウェーハの所定の面を研削する研削部と前記ウェーハの所定の面をポリッシングして平滑度を高めるポリッシング部の少なくともいずれか１つと、前記所定の面に機械的な歪みを形成するブラスト部と、を備え、前記研削部と前記ポリッシング部の少なくともいずれか１つによる前記ウェーハの研削と前記ブラスト部による歪み形成を、前記回転盤の回転により前記ウェーハを位置決めして連続的に行うことを特徴とする。 According to a first aspect of the wafer processing apparatus of the present invention, there are three or more wafer holders for holding a wafer and rotating the wafer, a grinding unit for grinding a predetermined surface of the wafer, and the wafer At least one of polishing portions that polish the predetermined surface to increase smoothness, and a blast portion that forms mechanical strain on the predetermined surface, and at least one of the grinding portion and the polishing portion The wafer is ground by one of them and the distortion is formed by the blasting portion by continuously positioning the wafer by rotating the rotating disk.

本発明のウェーハ加工装置の他の態様は、前記ウェーハ保持部は、前記研削部と前記ポリッシング部の少なくともいずれか１つ、及び前記ブラスト部のそれぞれに対応する配置点に１つずつ配置され、さらに前記ブラスト部の前記回転盤の回転方向の別の配置点に１つ配置され、かつ、隣接する前記ウェーハ保持部間が前記回転盤の回転方向に等間隔となるように前記配置点が設定されていることを特徴とする。 In another aspect of the wafer processing apparatus of the present invention, the wafer holding part is arranged one by one at an arrangement point corresponding to each of at least one of the grinding part and the polishing part, and the blast part, Furthermore, the arrangement points are set so that one of the blast parts is arranged at another arrangement point in the rotation direction of the rotating disk and the adjacent wafer holding parts are equally spaced in the rotation direction of the rotating disk. It is characterized by being.

本発明のウェーハ加工装置の他の態様は、前記ウェーハ保持部は、前記回転盤を所定角度ずつ回転させることで、前記研削部と前記ポリッシング部の少なくともいずれか１つ、及び前記ブラスト部のそれぞれに対応する前記配置点に順次移動されることを特徴とする。 In another aspect of the wafer processing apparatus of the present invention, the wafer holding unit rotates the rotating disk by a predetermined angle so that at least one of the grinding unit and the polishing unit, and each of the blasting units Are sequentially moved to the arrangement points corresponding to the above.

本発明のウェーハ加工装置の他の態様は、前記ブラスト部は、前記所定の面に対し、所定の液体と微粒子とからなるスラリーを圧縮空気で高速に噴射することで前記機械的な歪みを形成することを特徴とする。 In another aspect of the wafer processing apparatus of the present invention, the blast portion forms the mechanical strain by injecting a slurry made of a predetermined liquid and fine particles onto the predetermined surface at high speed with compressed air. It is characterized by doing.

本発明のウェーハ加工装置の他の態様は、前記スラリーは、粒子径が略４６０ｎｍのＳｉＯ２を前記液体に混合して形成されたスラリーに、粒子径が略０．６、１．０、１．４、３．０μｍのいずれかのＳｉＣ粒子、粒子径が略１．５、２．２μｍのいずれかのＳｉＯ２粒子、粒子径が略３．３μｍのＡｌ２Ｏ３粒子、のいずれか１つ以上をさらに混合していることを特徴とする。 In another aspect of the wafer processing apparatus of the present invention, the slurry has a particle diameter of about 0.6, 1.0, 1., and the slurry formed by mixing SiO2 having a particle diameter of about 460 nm with the liquid. 4. Mix any one or more of SiC particles having a particle size of 4, 3.0 μm, SiO 2 particles having a particle size of approximately 1.5 or 2.2 μm, and Al 2 O 3 particles having a particle size of approximately 3.3 μm. It is characterized by that.

本発明によれば、ウェーハの研磨とゲッタリング層の形成を一体的に行うことができるウェーハ加工装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the wafer processing apparatus which can perform grinding | polishing of a wafer and formation of a gettering layer integrally can be provided.

本発明の第１の実施形態に係るウェーハ加工装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the wafer processing apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本実施形態のブラスト部の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of the blast part of this embodiment. 本実施形態のウェーハ加工装置でウェーハの裏面を加工する後工程の流れを説明する流れ図である。It is a flowchart explaining the flow of the post process which processes the back surface of a wafer with the wafer processing apparatus of this embodiment. 本発明の第２の実施形態に係るウェーハ加工装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the wafer processing apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention.

本発明の好ましい実施の形態におけるウェーハ加工装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、同一機能を有する各構成部については、図示及び説明簡略化のため、同一符号を付して示す。 A wafer processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, about each structural part which has the same function, the same code | symbol is attached | subjected and shown for simplification of illustration and description.

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施の形態に係るウェーハ加工装置を図１に示す。図１は、本実施形態に係るウェーハ加工装置１００の構成を示す平面図である。ウェーハ加工装置１００は、４つのウェーハ保持部１１１〜１１４を備えた回転盤１１０と、ウェーハ１０の所定の面を研削する研削部１２０と、ウェーハ１０の研削面の平滑度を高めるためのポリッシング部１３０と、ウェーハ１０の所定の面に機械的な歪みを形成するブラスト部１４０と、ウェーハ１０をウェーハ保持部１１１〜１１４上に高精度に位置決めして載置する搬送用アーム１５０とを備えている。また、ウェーハ加工装置１００と所定の位置との間でウェーハ１０を搬送する搬送ロボット２０が、ウェーハ加工装置１００に隣接する所定の位置に配置される。 (First embodiment)
A wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention is shown in FIG. FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a wafer processing apparatus 100 according to the present embodiment. The wafer processing apparatus 100 includes a turntable 110 having four wafer holding units 111 to 114, a grinding unit 120 for grinding a predetermined surface of the wafer 10, and a polishing unit for increasing the smoothness of the ground surface of the wafer 10. 130, a blast unit 140 that forms a mechanical strain on a predetermined surface of the wafer 10, and a transfer arm 150 that positions and places the wafer 10 on the wafer holding units 111 to 114 with high accuracy. Yes. Further, a transfer robot 20 that transfers the wafer 10 between the wafer processing apparatus 100 and a predetermined position is disposed at a predetermined position adjacent to the wafer processing apparatus 100.

研削部１２０とポリッシング部１３０は、ウェーハ１０が所定の厚さに薄厚化されるまでウェーハ１０の所定の面を研磨する研磨加工手段であり、ブラスト部１４０は、ウェーハ１０の所定の面に機械的な歪みを加える変形加工手段である。このように、本実施形態のウェーハ加工装置１００は、研磨加工手段と変形加工手段といった異なる加工手段を一つの装置に一体化させることで、研磨加工手段と変形加工手段とを連続的に行えるようにしている。なお、本実施形態では、ウェーハ加工装置１００が研磨加工手段として研削部１２０とポリッシング部１３０の両方を備える構成としているが、いずれか一方の研磨加工手段のみを備える構成としてもよい。 The grinding unit 120 and the polishing unit 130 are polishing processing means for polishing a predetermined surface of the wafer 10 until the wafer 10 is thinned to a predetermined thickness, and the blast unit 140 is formed on the predetermined surface of the wafer 10 with a machine. It is a deformation processing means for applying a general distortion. As described above, the wafer processing apparatus 100 according to the present embodiment can perform the polishing processing means and the deformation processing means continuously by integrating different processing means such as the polishing processing means and the deformation processing means into one apparatus. I have to. In the present embodiment, the wafer processing apparatus 100 is configured to include both the grinding unit 120 and the polishing unit 130 as polishing processing means, but may be configured to include only one of the polishing processing means.

回転盤１１０に設けられたウェーハ保持部１１１〜１１４は、回転盤１１０の円周方向に等間隔（等中心角度）に配置されており、それぞれウェーハ１０を載置して固定することができる。ウェーハ１０の固定方法として、例えばウェーハ保持部１１１〜１１４上に載置されたウェーハ１０を吸着して固定する方法を用いることができる。 The wafer holders 111 to 114 provided on the turntable 110 are arranged at equal intervals (equal center angles) in the circumferential direction of the turntable 110, and the wafers 10 can be placed and fixed respectively. As a method for fixing the wafer 10, for example, a method for adsorbing and fixing the wafer 10 placed on the wafer holding units 111 to 114 can be used.

研削部１２０は、例えばスピンドル軸の周りに高速回転する図示しないグライディングホイールをウェーハ１０に当てることで、ウェーハ１０の面を研削することができる。研削部１２０を用いることにより、ウェーハ１０を所定の厚さまで薄厚化することができる。ポリッシング部１３０も、例えばスピンドル軸の周りに高速回転する図示しないポリッシングホイールをウェーハ１０に当てて研磨するものである。ポリッシング部１３０は、研削部１２０で研削したウェーハ面をポリッシングすることで、研削面の平滑度を高めることができる。これにより、ウェーハ面を鏡面にすることができる。 The grinding unit 120 can grind the surface of the wafer 10 by, for example, applying a grinding wheel (not shown) that rotates at high speed around the spindle axis to the wafer 10. By using the grinding unit 120, the wafer 10 can be thinned to a predetermined thickness. The polishing unit 130 also polishes the wafer 10 by applying a polishing wheel (not shown) that rotates at high speed around the spindle axis, for example. The polishing unit 130 can improve the smoothness of the ground surface by polishing the wafer surface ground by the grinding unit 120. Thereby, a wafer surface can be made into a mirror surface.

本実施形態では、研磨加工手段として、研削部１２０とポリッシング部１３０とが１台ずつ設けられ、変形加工手段として、ブラスト部１４０が１台設けられており、合わせて３台の加工手段が設けられている。回転盤１１０には、それぞれの加工手段に対応する位置に、ウェーハ保持部（図１の状態ではウェーハ保持部１１２〜１１４）が配置されている。さらに、搬送用アーム１５０を用いてウェーハ１０を回転盤１１０上に載置したり移動させたりするために、加工手段が設けられていないウェーハ保持部（図１の状態ではウェーハ保持部１１１）が設けられている。 In this embodiment, one grinding part 120 and one polishing part 130 are provided as polishing means, and one blast part 140 is provided as deformation means, and three processing means are provided in total. It has been. On the turntable 110, wafer holders (wafer holders 112 to 114 in the state of FIG. 1) are arranged at positions corresponding to the respective processing means. Further, in order to place or move the wafer 10 on the turntable 110 using the transfer arm 150, a wafer holding unit (wafer holding unit 111 in the state of FIG. 1) provided with no processing means is provided. Is provided.

上記のように、図１に示す実施例では、回転盤１１０上に４つのウェーハ保持部１１１〜１１４が設けられている。そして、４つのウェーハ保持部１１１〜１１４が等間隔（等中心角度）に配置されることで、回転盤１１０を右方向に９０°単位で回転させる毎に、ウェーハ保持部１１１〜１１４がそれぞれ右方向に９０°ずつ移動する。すなわち、ウェーハ保持部１１１はウェーハ保持部１１２の位置に移動し、ウェーハ保持部１１２〜１１４も、同様に右方向に隣接するウェーハ保持部の位置に移動する。 As described above, in the embodiment shown in FIG. 1, the four wafer holders 111 to 114 are provided on the turntable 110. Since the four wafer holders 111 to 114 are arranged at equal intervals (equal center angle), the wafer holders 111 to 114 are moved to the right each time the turntable 110 is rotated by 90 ° in the right direction. Move 90 degrees in the direction. That is, the wafer holding unit 111 moves to the position of the wafer holding unit 112, and the wafer holding units 112 to 114 similarly move to the position of the wafer holding unit adjacent in the right direction.

図１に示す状態では、回転盤１１０の回転方向に合わせて、ウェーハ保持部１１２〜１１４に対応する上方位置に研削部１２０、ポリッシング部１３０、及びブラスト部１４０がこの順序で配置されている。ここで回転盤１１０を右方向に回転させると、次に研削部１２０、ポリッシング部１３０、及びブラスト部１４０に対応する下方位置には、ウェーハ保持部１１１〜１１３が配置される。以下、同様にして、回転盤１１０を右方向に回転させる毎に、ウェーハ保持部１１１〜１１４のそれぞれが、研削部１２０、ポリッシング部１３０、及びブラスト部１４０に対応する下方位置に順次配置される。 In the state shown in FIG. 1, the grinding unit 120, the polishing unit 130, and the blast unit 140 are arranged in this order at an upper position corresponding to the wafer holding units 112 to 114 according to the rotation direction of the turntable 110. Here, when the turntable 110 is rotated in the right direction, the wafer holding units 111 to 113 are disposed at lower positions corresponding to the grinding unit 120, the polishing unit 130, and the blast unit 140. Hereinafter, similarly, each time the turntable 110 is rotated to the right, each of the wafer holding units 111 to 114 is sequentially disposed at a lower position corresponding to the grinding unit 120, the polishing unit 130, and the blast unit 140. .

以下では、説明を容易とするために、図１に示す状態の回転盤１１０において、ウェーハ保持部１１１の位置を第１配置点とし、以下、ウェーハ保持部１１２〜１１４の順に第２〜第４配置点とする。このとき、第１配置点に対応する上方位置には加工手段がなく、第２〜第４配置点に対応する上方位置には、それぞれ研削部１２０、ポリッシング部１３０、及びブラスト部１４０が配置される。 In the following, for ease of explanation, the position of the wafer holding unit 111 is defined as the first arrangement point in the turntable 110 in the state shown in FIG. 1, and the second to fourth in the order of the wafer holding units 112 to 114 hereinafter. This is the placement point. At this time, there is no processing means in the upper position corresponding to the first arrangement point, and the grinding part 120, the polishing part 130, and the blast part 140 are arranged in the upper position corresponding to the second to fourth arrangement points, respectively. The

上記説明のように、本実施形態のウェーハ加工装置１００では、研磨加工手段と変形加工手段といった異なる加工手段を同じ装置内に一体化して設置しており、これにより、回転盤１１０を右方向に回転させるだけで、ウェーハ保持部１１１〜１１４に載置されたウェーハ１０に対し、研削部１２０及びポリッシング部１３０による研磨と、ブラスト部１４０による歪み形成を連続的に行うことが可能となる。すなわち、ウェーハ１０の薄厚化と、ゲッタリング層の形成を、回転盤１１０の回転だけで連続的に行うことが可能となる。 As described above, in the wafer processing apparatus 100 of the present embodiment, different processing means such as the polishing processing means and the deformation processing means are integrated and installed in the same apparatus. By simply rotating, it is possible to continuously perform polishing by the grinding unit 120 and the polishing unit 130 and strain formation by the blast unit 140 on the wafer 10 placed on the wafer holding units 111 to 114. That is, the thickness of the wafer 10 and the formation of the gettering layer can be continuously performed only by rotating the rotating disk 110.

なお、回転盤１１０の回転方向は、上記のように右方向に限定する必要はなく、例えば左方向に回転させるように構成することも可能である。この場合には、研削部１２０、ポリッシング部１３０、及びブラスト部１４０を、この順序で左方向に配置する必要がある。 Note that the rotation direction of the turntable 110 need not be limited to the right direction as described above, and may be configured to rotate in the left direction, for example. In this case, it is necessary to arrange the grinding part 120, the polishing part 130, and the blasting part 140 in the left direction in this order.

ウェーハ加工装置１００は、研削部１２０、ポリッシング部１３０、及びブラスト部１４０を筺体１０１に固定しており、回転盤１１０を回転可能に筺体１０１に固定している。これにより、研削部１２０、ポリッシング部１３０、及びブラスト部１４０と、それぞれの下方に配置されるウェーハ保持部１１１〜１１４とを高精度に位置決めすることが可能となっている。 In the wafer processing apparatus 100, the grinding unit 120, the polishing unit 130, and the blast unit 140 are fixed to the casing 101, and the rotating plate 110 is rotatably fixed to the casing 101. Thereby, it is possible to position the grinding part 120, the polishing part 130, and the blasting part 140, and the wafer holding parts 111 to 114 arranged below them with high accuracy.

その結果、研削部１２０及びポリッシング部１３０で研磨されたウェーハ１０を、ブラスト部１４０に対応する下方位置に高精度に位置決めして配置することができ、ウェーハ面に所望のゲッタリング層を高精度に形成することが可能となる。また、ポリッシング部１３０からブラスト部１４０にウェーハ１０を移動させるための搬送手段が不要となるため、コストの低減と設置スペースの削減を図ることができる。 As a result, the wafer 10 polished by the grinding part 120 and the polishing part 130 can be positioned with high precision at a lower position corresponding to the blast part 140, and a desired gettering layer can be placed on the wafer surface with high precision. Can be formed. Further, since no transfer means for moving the wafer 10 from the polishing unit 130 to the blast unit 140 is required, cost and installation space can be reduced.

ウェーハ１０にブラスト処理を行うブラスト部１４０の一例を、図２を用いて説明する。図２は、ブラスト部１４０の概略構成を示す斜視図である。ブラスト部１４０は、投射ガン（本体部）１４１、配管１４２、１４３、及び噴射ノズル１４４を備えている。配管１４３から投射ガン１４１に所定の液体と微粒子とからなるスラリーが注入され、これが配管１４２から注入された圧縮空気で噴射ノズル１４４から高速に噴射される。 An example of a blast unit 140 that performs blasting on the wafer 10 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a perspective view illustrating a schematic configuration of the blast unit 140. The blast unit 140 includes a projection gun (main body unit) 141, pipes 142 and 143, and an injection nozzle 144. A slurry composed of a predetermined liquid and fine particles is injected from the pipe 143 into the projection gun 141, and this is injected at high speed from the injection nozzle 144 with the compressed air injected from the pipe 142.

スラリーの一例として、ＳｉＯ２スラリー（粒子径４６０ｎｍ）に、ＳｉＣ粒子（粒子径０．６、１．０、１．４、３．０μｍのいずれか）、ＳｉＯ２粒子（粒子径１．５、２．２μｍのいずれか）、Ａｌ２Ｏ３粒子（粒子径３．３μｍ）のいずれか１つ以上を混合したものを用いる。なお、図２では、ブラスト部１４０としてウェット型のブラスト処理行う例を示したが、これに限定されず、ドライ型のブラスト処理を行う装置を用いてもよい。 As an example of the slurry, an SiO2 slurry (particle size: 460 nm), SiC particles (particle size: 0.6, 1.0, 1.4, or 3.0 μm), SiO2 particles (particle size: 1.5, 2. 2 μm) or a mixture of any one or more of Al 2 O 3 particles (particle diameter: 3.3 μm) is used. 2 illustrates an example in which wet blasting is performed as the blasting unit 140, but the present invention is not limited thereto, and an apparatus that performs dry blasting may be used.

本実施形態のウェーハ加工装置１００を用いてウェーハ１０を加工する工程を、図１及び図３を用いて説明する。図３は、ウェーハ加工装置１００に搬送されてきた１枚のウェーハ１０の裏面を加工する後工程の流れを説明する流れ図である。搬送ロボット２０で搬送されてきたウェーハ１０は、まずステップＳ１において、搬送アーム１５０を用いて第１配置点のウェーハ保持部（図１の状態ではウェーハ保持部１１１）上に載置されて固定される。ここでは、ウェーハ１０の裏面を加工するものとしていることから、ウェーハ１０の裏面が上方に向くように第１配置点のウェーハ保持部（ウェーハ保持部１１１）上に固定される。 A process of processing the wafer 10 using the wafer processing apparatus 100 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a flowchart for explaining the flow of the post-process for processing the back surface of one wafer 10 that has been transferred to the wafer processing apparatus 100. In step S1, the wafer 10 transferred by the transfer robot 20 is first placed and fixed on the wafer holding portion (the wafer holding portion 111 in the state of FIG. 1) at the first arrangement point using the transfer arm 150. The Here, since the back surface of the wafer 10 is processed, the wafer 10 is fixed on the wafer holding portion (wafer holding portion 111) at the first arrangement point so that the back surface of the wafer 10 faces upward.

次に、ステップＳ２において回転盤１１０が９０°回転され、これによりウェーハ保持部１１１に固定されたウェーハ１０が研削部１２０の下方の第２配置点に移動される。ステップＳ３では、研削部１２０を用いてウェーハ１０が所定の厚さになるまで裏面が研削される。ウェーハ１０の裏面の研削が終了すると、ステップＳ４で回転盤１１０が再び９０°回転される。これにより、ウェーハ保持部１１１に固定されたウェーハ１０がポリッシング部１３０の下方の第３配置点に移動する。 Next, in step S 2, the turntable 110 is rotated 90 °, whereby the wafer 10 fixed to the wafer holding unit 111 is moved to a second arrangement point below the grinding unit 120. In step S3, the back surface is ground using the grinding unit 120 until the wafer 10 has a predetermined thickness. When grinding of the back surface of the wafer 10 is completed, the turntable 110 is again rotated by 90 ° in step S4. As a result, the wafer 10 fixed to the wafer holding unit 111 moves to the third arrangement point below the polishing unit 130.

ステップＳ５では、ウェーハ保持部１１１に固定されたウェーハ１０に対し、ポリッシング部１３０を用いてポリッシングの処理を行う。そして、ポリッシング処理が終了すると、ステップＳ６で回転盤１１０がさらに９０°回転され、ウェーハ保持部１１１に固定されたウェーハ１０がブラスト部１４０の下方の第４配置点に移動される。 In step S 5, polishing is performed on the wafer 10 fixed to the wafer holding unit 111 using the polishing unit 130. When the polishing process is completed, the turntable 110 is further rotated by 90 ° in step S6, and the wafer 10 fixed to the wafer holding unit 111 is moved to a fourth arrangement point below the blast unit 140.

ステップＳ７では、ウェーハ保持部１１１に固定されたウェーハ１０に対し、ブラスト部１４０を用いてブラストの処理を行う。これにより、ウェーハ１０の裏面にゲッタリング層が形成される。ブラスト処理が終了すると、ステップＳ８で回転盤１１０がさらに９０°回転され、ウェーハ保持部１１１が再び元の第１配置点に戻る。ここで、ウェーハ１０がウェーハ保持部１１１から解放され、搬送用アーム１５０を用いてウェーハ保持部１１１から搬送ロボット２０上に移動される。その後、ステップＳ１に戻り、ゲッティング層が形成されたウェーハ１０を除去したウェーハ保持部１１１に、別のウェーハ１０が載置される。なお、ブラスト処理終了後のウェーハ１０を、ステップＳ８の回転盤１１０の回転を行う前の第４配置点で搬送ロボット２０上に移動させるようにし、ウェーハ保持部１１１にウェーハ１０が載置されていない状態で第１配置点に戻すようにしてもよい。 In step S 7, a blast process is performed on the wafer 10 fixed to the wafer holding unit 111 using the blast unit 140. As a result, a gettering layer is formed on the back surface of the wafer 10. When the blasting process is completed, the turntable 110 is further rotated by 90 ° in step S8, and the wafer holder 111 returns to the original first arrangement point again. Here, the wafer 10 is released from the wafer holding unit 111 and moved from the wafer holding unit 111 onto the transfer robot 20 using the transfer arm 150. Thereafter, the process returns to step S1, and another wafer 10 is placed on the wafer holder 111 from which the wafer 10 on which the getting layer has been formed is removed. The wafer 10 after the blasting process is moved onto the transfer robot 20 at the fourth arrangement point before the turntable 110 is rotated in step S8, and the wafer 10 is placed on the wafer holder 111. You may make it return to a 1st arrangement | positioning point in the state which does not exist.

上記では、ウェーハ保持部１１１に固定された１枚のウェーハ１０について説明したが、ウェーハ保持部１１２〜１１４に固定されたウェーハ１０も並行してそれぞれの処理が行われる。本実施形態のウェーハ加工装置１００によれば、研削部１２０、ポリッシング部１３０、及びブラスト部１４０の加工処理を連続的に行うことができ、各加工処理間の移動を、回転盤１１０の回転だけで行うことができることから、ウェーハ１０の位置決めを高精度に行うことが可能となる。 In the above description, the single wafer 10 fixed to the wafer holding unit 111 has been described. However, the wafers 10 fixed to the wafer holding units 112 to 114 are also processed in parallel. According to the wafer processing apparatus 100 of the present embodiment, the grinding unit 120, the polishing unit 130, and the blast unit 140 can be continuously processed, and the movement between the processing steps can be performed only by the rotation of the turntable 110. Therefore, the wafer 10 can be positioned with high accuracy.

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施の形態に係るウェーハ加工装置を図４に示す。図４は、第２の実施形態に係るウェーハ加装置２００の構成を示す平面図である。本実施形態のウェーハ加工装置２００は、第１の実施形態の研削部１２０に代えて、粗研削部２２１と仕上研削部２２２の２台の研削部を備える構成としている。これにより、本実施形態のウェーハ加装置２００では、研磨加工手段として、粗研削部２２１、仕上研削部２２２、及びポリッシング部１３０の３台が設けられており、変形加工手段として、ブラスト部１４０が１台設けられている。 (Second Embodiment)
A wafer processing apparatus according to the second embodiment of the present invention is shown in FIG. FIG. 4 is a plan view showing a configuration of a wafer processing apparatus 200 according to the second embodiment. The wafer processing apparatus 200 of the present embodiment is configured to include two grinding units, a rough grinding unit 221 and a finish grinding unit 222, instead of the grinding unit 120 of the first embodiment. Thereby, in the wafer processing apparatus 200 of this embodiment, three units, the rough grinding part 221, the finish grinding part 222, and the polishing part 130, are provided as polishing processing means, and the blasting part 140 is provided as deformation processing means. One is provided.

上記のように、本実施形態では加工手段が合計で４台設けられていることから、これに対応して、回転盤２１０には、ウェーハ保持部が第１の実施形態より１つ多い５台（ウェーハ保持部２１１〜２１５）設けられている。これに伴って、本実施形態では、回転盤２１０の回転角度を、１回あたり７２°としている。本実施形態のウェーハ加工装置２００によれば、粗研削部２２１、仕上研削部２２２、ポリッシング部１３０、及びブラスト部１４０の加工処理を連続的に行うことが可能となる。また、上記の各加工処理間の移動を、回転盤２１０の回転だけで行うことができることから、ウェーハ１０の位置決めを高精度に行うことが可能となる。 As described above, in the present embodiment, a total of four processing means are provided, and accordingly, on the turntable 210, five wafer holding units are added, one more than in the first embodiment. (Wafer holders 211 to 215) are provided. Accordingly, in this embodiment, the rotation angle of the turntable 210 is set to 72 ° per rotation. According to the wafer processing apparatus 200 of the present embodiment, it is possible to continuously perform the processing of the rough grinding unit 221, the finish grinding unit 222, the polishing unit 130, and the blast unit 140. Further, since the movement between the above-described processings can be performed only by the rotation of the turntable 210, the wafer 10 can be positioned with high accuracy.

本実施形態では、研削部を２台としたが、これをさらに追加することも可能である。本発明のウェーハ加工装置によれば、研磨加工手段の台数によらず、研磨加工手段と変形加工手段のブラスト部とを、回転盤の上方に所定の間隔で設置することで、研磨加工手段と変形加工手段とを連続的に行うことが可能となる。また、研磨加工手段から変形加工手段への移動を回転盤の回転のみで行えることから、ウェーハの位置決めを高精度に行うことが可能となっている。 In the present embodiment, the number of grinding parts is two, but it is also possible to add more grinding parts. According to the wafer processing apparatus of the present invention, regardless of the number of polishing processing means, the polishing processing means and the blasting portion of the deformation processing means are installed at a predetermined interval above the rotating disk, so that the polishing processing means It is possible to perform the deformation processing means continuously. Further, since the movement from the polishing processing means to the deformation processing means can be performed only by the rotation of the rotating disk, the wafer can be positioned with high accuracy.

なお、本実施の形態における記述は、本発明に係るウェーハ加工装置の一例を示すものであり、これに限定されるものではない。本実施の形態におけるウェーハ加工装置の細部構成及び詳細な動作等に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。 Note that the description in the present embodiment shows an example of the wafer processing apparatus according to the present invention, and the present invention is not limited to this. The detailed configuration and detailed operation of the wafer processing apparatus in the present embodiment can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention.

１０ウェーハ
２０搬送ロボット
１００、２００ウェーハ加工装置
１０１筺体
１１０、２１０回転盤
１１１〜１１４ウェーハ保持部
１２０研削部
１３０ポリッシング部
１４０ブラスト部
１４１投射ガン
１４２、１４３配管
１４４噴射ノズル
１５０搬送用アーム
２２１粗研削部
２２２仕上研削部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer 20 Transfer robot 100, 200 Wafer processing apparatus 101 Housing 110, 210 Turntable 111-114 Wafer holding part 120 Grinding part 130 Polishing part 140 Blasting part 141 Projection gun 142, 143 Piping 144 Injection nozzle 150 Transfer arm 221 Rough grinding Part 222 Finish grinding part

Claims

ウェーハを保持するウェーハ保持部を３以上有して前記ウェーハを回転移動させる回転盤と、
前記ウェーハの所定の面を研削する研削部と前記ウェーハの所定の面をポリッシングして平滑度を高めるポリッシング部の少なくともいずれか１つと、
前記所定の面に機械的な歪みを形成するブラスト部と、を備え、
前記研削部と前記ポリッシング部の少なくともいずれか１つによる前記ウェーハの研削と前記ブラスト部による歪み形成を、前記回転盤の回転により前記ウェーハを位置決めして連続的に行う
ことを特徴とするウェーハ加工装置。 A turntable for rotating and moving the wafer by having three or more wafer holding parts for holding the wafer;
At least one of a grinding part for grinding a predetermined surface of the wafer and a polishing part for polishing the predetermined surface of the wafer to improve smoothness;
A blast part for forming a mechanical strain on the predetermined surface,
Wafer processing characterized in that grinding of the wafer by at least one of the grinding part and the polishing part and distortion formation by the blasting part are continuously performed by positioning the wafer by rotation of the rotating disk. apparatus.

前記ウェーハ保持部は、前記研削部と前記ポリッシング部の少なくともいずれか１つ、及び前記ブラスト部のそれぞれに対応する配置点に１つずつ配置され、さらに前記ブラスト部の前記回転盤の回転方向の別の配置点に１つ配置され、かつ、隣接する前記ウェーハ保持部間が前記回転盤の回転方向に等間隔となるように前記配置点が設定されている
ことを特徴とする請求項１に記載のウェーハ加工装置。 The wafer holding part is arranged one at a position corresponding to each of at least one of the grinding part and the polishing part, and each of the blast parts, and further in the rotational direction of the rotating plate of the blast part. 2. The arrangement point is set such that one is arranged at another arrangement point and the wafer holding units adjacent to each other are equally spaced in the rotation direction of the turntable. The wafer processing apparatus as described.

前記ウェーハ保持部は、前記回転盤を所定角度ずつ回転させることで、前記研削部と前記ポリッシング部の少なくともいずれか１つ、及び前記ブラスト部のそれぞれに対応する前記配置点に順次移動される
ことを特徴とする請求項２に記載のウェーハ加工装置。 The wafer holding unit is sequentially moved to the arrangement points corresponding to at least one of the grinding unit and the polishing unit and each of the blasting units by rotating the turntable by a predetermined angle. The wafer processing apparatus according to claim 2.

前記ブラスト部は、前記所定の面に対し、所定の液体と微粒子とからなるスラリーを圧縮空気で高速に噴射することで前記機械的な歪みを形成する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のウェーハ加工装置。 The said blast part forms the said mechanical distortion by injecting the slurry which consists of a predetermined | prescribed liquid and microparticles | fine-particles with compressed air with respect to the said predetermined surface at high speed. The wafer processing apparatus of any one of Claims.

前記スラリーは、粒子径が略４６０ｎｍのＳｉＯ２を前記液体に混合して形成されたスラリーに、粒子径が略０．６、１．０、１．４、３．０μｍのいずれかのＳｉＣ粒子、粒子径が略１．５、２．２μｍのいずれかのＳｉＯ２粒子、粒子径が略３．３μｍのＡｌ２Ｏ３粒子、のいずれか１つ以上をさらに混合している
ことを特徴とする請求項４に記載のウェーハ加工装置。 The slurry is formed by mixing SiO2 having a particle size of approximately 460 nm with the liquid, and SiC particles having a particle size of approximately 0.6, 1.0, 1.4, or 3.0 μm, 5. The method according to claim 4, wherein any one or more of SiO2 particles having a particle diameter of about 1.5 or 2.2 μm and Al2O3 particles having a particle diameter of about 3.3 μm are further mixed. The wafer processing apparatus as described.