JP2011142215A - Wafer processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェーハ加工装置に関し、特にウェーハに素子を形成した後の仕上げ加工を行うウェーハ加工装置に関するものである。 The present invention relates to a wafer processing apparatus, and more particularly to a wafer processing apparatus that performs finishing after an element is formed on a wafer.
半導体製造工程では、表面に素子が形成されたウェーハに対し、ウェーハの素子形成面とは反対側の裏面を研磨することで、ウェーハを所定の厚さまで薄厚化する加工処理が行われる。この研磨は、従来より、グラインディングとポリッシングの方法を用いて行われている。 In the semiconductor manufacturing process, a processing process for thinning the wafer to a predetermined thickness is performed by polishing the back surface opposite to the element formation surface of the wafer on the wafer having the elements formed on the front surface. This polishing is conventionally performed by using grinding and polishing methods.
近年、半導体デバイスの小型化、高集積化が進められるのに伴い、ウェーハの厚さも一層薄厚化することが求められている。グラインディングとポリッシングによりウェーハの裏面を研磨してウェーハの薄厚化を進めると、例えばウェーハの厚さが30μm程度では、ウェーハの裏面にゲッタリング層がほとんど存在しなくなる。ウェーハ外周部にクラックが発生する。これが原因でグライディング等より後の工程でウェーハが破損する。 In recent years, with the progress of miniaturization and high integration of semiconductor devices, it is required to further reduce the thickness of the wafer. When the thickness of the wafer is reduced by polishing the back surface of the wafer by grinding and polishing, for example, when the thickness of the wafer is about 30 μm, the gettering layer hardly exists on the back surface of the wafer. Cracks occur on the outer periphery of the wafer. This causes damage to the wafer in a later process than gliding.
ゲッタリングは、ウェーハの面に機械的な加工を加えて形成された歪部であり、これが形成されていると、ウェーハに含まれる重金属等の汚染物質がここに集積しやすくなり、汚染物質の影響を抑えて好適な半導体特性が得られるようになる。そのため、ウェーハの裏面にゲッタリング層を形成しておくのが好ましい。しかしながら、素子形成後の仕上げ工程において、ウェーハの裏面を研磨して一層の薄厚化を進めていくと、ゲッタリング層がほとんどなくなって上記の汚染物質を集積する効果が得られなくなってしまう。その結果、半導体素子として好適な特性が得られなくなってしまうおそれがある。
クラックは、ウェーハ外周部にある欠けや割れであり、ウェーハを薄膜化する前においても存在する。特にウェーハをグラインディングとポリッシングした後のウェーハにおいては微少なクラックによっても破損する。また、薄膜化工程後のウェーハは高額なため歩留まりを上げることが望まれている。
Gettering is a strained part formed by applying mechanical processing to the surface of the wafer. When this part is formed, contaminants such as heavy metals contained in the wafer are easily collected here, It is possible to obtain favorable semiconductor characteristics while suppressing the influence. Therefore, it is preferable to form a gettering layer on the back surface of the wafer. However, if the thickness of the wafer is further reduced by polishing the back surface of the wafer in the finishing process after the element formation, the gettering layer is almost lost and the effect of accumulating the contaminants cannot be obtained. As a result, there is a possibility that characteristics suitable for a semiconductor element cannot be obtained.
A crack is a chip or crack in the outer peripheral portion of the wafer and exists even before the wafer is thinned. In particular, the wafer after grinding and polishing the wafer is damaged even by a minute crack. Further, since the wafer after the thinning process is expensive, it is desired to increase the yield.
そこで、ウェーハ裏面の研磨工程が終了した後、クラックを減少させゲッタリング層を再び形成するために、ウェーハ外周部、裏面を所定のブラスト装置を用いてブラスト加工するのが好ましい。特許文献1では、サンドブラスト法により、ウェーハの裏面に石英粒子やアルミナ粒子の噴流を衝突させることで、裏面にゲッタリング層を形成している。
Therefore, after the wafer back surface polishing step is completed, it is preferable to blast the outer peripheral portion of the wafer and the back surface using a predetermined blasting device in order to reduce cracks and form the gettering layer again. In
しかしながら、従来は、仕上げ工程でウェーハが所定の厚さになるまでウェーハ研磨装置を用いて裏面を研磨し、その後ブラスト加工を行うには、搬送ロボット等の搬送手段を用いてウェーハを所定のブラスト装置まで移動させる必要があった。このような従来の方法では、ウェーハ研磨装置、ブラスト装置、及びその間でウェーハを搬送するための搬送手段、等を配置するのに大きなスペースが必要であった。また、ウェーハを研磨装置からブラスト装置に搬送して所定の位置に載置するとき、ウェーハをブラスト装置上に高精度に位置決めして載置する必要があり、搬送手段が高コストになるといった問題もあった。 However, conventionally, in order to polish the back surface using a wafer polishing apparatus until the wafer has a predetermined thickness in the finishing process, and then perform blasting, the wafer is transferred to a predetermined blast using a transfer means such as a transfer robot. It was necessary to move to the device. In such a conventional method, a large space is required to arrange a wafer polishing apparatus, a blasting apparatus, and a transfer means for transferring a wafer between them. Further, when the wafer is transferred from the polishing apparatus to the blasting apparatus and placed at a predetermined position, the wafer needs to be positioned and placed on the blasting apparatus with high accuracy, and the transfer means becomes expensive. There was also.
そこで、本発明はこれらの問題を解決するためになされたものであり、ウェーハの研磨とクラックの除去ゲッタリング層の形成を一体的に行うことができるウェーハ加工装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made to solve these problems, and an object thereof is to provide a wafer processing apparatus capable of integrally performing wafer polishing and crack removal gettering layer formation. .
本発明のウェーハ加工装置の第1の態様は、ウェーハを保持するウェーハ保持部を3以上有して前記ウェーハを回転移動させる回転盤と、前記ウェーハの所定の面を研削する研削部と前記ウェーハの所定の面をポリッシングして平滑度を高めるポリッシング部の少なくともいずれか1つと、前記所定の面に機械的な歪みを形成するブラスト部と、を備え、前記研削部と前記ポリッシング部の少なくともいずれか1つによる前記ウェーハの研削と前記ブラスト部による歪み形成を、前記回転盤の回転により前記ウェーハを位置決めして連続的に行うことを特徴とする。 According to a first aspect of the wafer processing apparatus of the present invention, there are three or more wafer holders for holding a wafer and rotating the wafer, a grinding unit for grinding a predetermined surface of the wafer, and the wafer At least one of polishing portions that polish the predetermined surface to increase smoothness, and a blast portion that forms mechanical strain on the predetermined surface, and at least one of the grinding portion and the polishing portion The wafer is ground by one of them and the distortion is formed by the blasting portion by continuously positioning the wafer by rotating the rotating disk.
本発明のウェーハ加工装置の他の態様は、前記ウェーハ保持部は、前記研削部と前記ポリッシング部の少なくともいずれか1つ、及び前記ブラスト部のそれぞれに対応する配置点に1つずつ配置され、さらに前記ブラスト部の前記回転盤の回転方向の別の配置点に1つ配置され、かつ、隣接する前記ウェーハ保持部間が前記回転盤の回転方向に等間隔となるように前記配置点が設定されていることを特徴とする。 In another aspect of the wafer processing apparatus of the present invention, the wafer holding part is arranged one by one at an arrangement point corresponding to each of at least one of the grinding part and the polishing part, and the blast part, Furthermore, the arrangement points are set so that one of the blast parts is arranged at another arrangement point in the rotation direction of the rotating disk and the adjacent wafer holding parts are equally spaced in the rotation direction of the rotating disk. It is characterized by being.
本発明のウェーハ加工装置の他の態様は、前記ウェーハ保持部は、前記回転盤を所定角度ずつ回転させることで、前記研削部と前記ポリッシング部の少なくともいずれか1つ、及び前記ブラスト部のそれぞれに対応する前記配置点に順次移動されることを特徴とする。 In another aspect of the wafer processing apparatus of the present invention, the wafer holding unit rotates the rotating disk by a predetermined angle so that at least one of the grinding unit and the polishing unit, and each of the blasting units Are sequentially moved to the arrangement points corresponding to the above.
本発明のウェーハ加工装置の他の態様は、前記ブラスト部は、前記所定の面に対し、所定の液体と微粒子とからなるスラリーを圧縮空気で高速に噴射することで前記機械的な歪みを形成することを特徴とする。 In another aspect of the wafer processing apparatus of the present invention, the blast portion forms the mechanical strain by injecting a slurry made of a predetermined liquid and fine particles onto the predetermined surface at high speed with compressed air. It is characterized by doing.
本発明のウェーハ加工装置の他の態様は、前記スラリーは、粒子径が略460nmのSiO2を前記液体に混合して形成されたスラリーに、粒子径が略0.6、1.0、1.4、3.0μmのいずれかのSiC粒子、粒子径が略1.5、2.2μmのいずれかのSiO2粒子、粒子径が略3.3μmのAl2O3粒子、のいずれか1つ以上をさらに混合していることを特徴とする。
In another aspect of the wafer processing apparatus of the present invention, the slurry has a particle diameter of about 0.6, 1.0, 1., and the slurry formed by mixing SiO2 having a particle diameter of about 460 nm with the liquid. 4. Mix any one or more of SiC particles having a particle size of 4, 3.0 μm,
本発明によれば、ウェーハの研磨とゲッタリング層の形成を一体的に行うことができるウェーハ加工装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the wafer processing apparatus which can perform grinding | polishing of a wafer and formation of a gettering layer integrally can be provided.
本発明の好ましい実施の形態におけるウェーハ加工装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、同一機能を有する各構成部については、図示及び説明簡略化のため、同一符号を付して示す。 A wafer processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, about each structural part which has the same function, the same code | symbol is attached | subjected and shown for simplification of illustration and description.
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施の形態に係るウェーハ加工装置を図1に示す。図1は、本実施形態に係るウェーハ加工装置100の構成を示す平面図である。ウェーハ加工装置100は、4つのウェーハ保持部111〜114を備えた回転盤110と、ウェーハ10の所定の面を研削する研削部120と、ウェーハ10の研削面の平滑度を高めるためのポリッシング部130と、ウェーハ10の所定の面に機械的な歪みを形成するブラスト部140と、ウェーハ10をウェーハ保持部111〜114上に高精度に位置決めして載置する搬送用アーム150とを備えている。また、ウェーハ加工装置100と所定の位置との間でウェーハ10を搬送する搬送ロボット20が、ウェーハ加工装置100に隣接する所定の位置に配置される。
(First embodiment)
A wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention is shown in FIG. FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a
研削部120とポリッシング部130は、ウェーハ10が所定の厚さに薄厚化されるまでウェーハ10の所定の面を研磨する研磨加工手段であり、ブラスト部140は、ウェーハ10の所定の面に機械的な歪みを加える変形加工手段である。このように、本実施形態のウェーハ加工装置100は、研磨加工手段と変形加工手段といった異なる加工手段を一つの装置に一体化させることで、研磨加工手段と変形加工手段とを連続的に行えるようにしている。なお、本実施形態では、ウェーハ加工装置100が研磨加工手段として研削部120とポリッシング部130の両方を備える構成としているが、いずれか一方の研磨加工手段のみを備える構成としてもよい。
The
回転盤110に設けられたウェーハ保持部111〜114は、回転盤110の円周方向に等間隔(等中心角度)に配置されており、それぞれウェーハ10を載置して固定することができる。ウェーハ10の固定方法として、例えばウェーハ保持部111〜114上に載置されたウェーハ10を吸着して固定する方法を用いることができる。
The
研削部120は、例えばスピンドル軸の周りに高速回転する図示しないグライディングホイールをウェーハ10に当てることで、ウェーハ10の面を研削することができる。研削部120を用いることにより、ウェーハ10を所定の厚さまで薄厚化することができる。ポリッシング部130も、例えばスピンドル軸の周りに高速回転する図示しないポリッシングホイールをウェーハ10に当てて研磨するものである。ポリッシング部130は、研削部120で研削したウェーハ面をポリッシングすることで、研削面の平滑度を高めることができる。これにより、ウェーハ面を鏡面にすることができる。
The
本実施形態では、研磨加工手段として、研削部120とポリッシング部130とが1台ずつ設けられ、変形加工手段として、ブラスト部140が1台設けられており、合わせて3台の加工手段が設けられている。回転盤110には、それぞれの加工手段に対応する位置に、ウェーハ保持部(図1の状態ではウェーハ保持部112〜114)が配置されている。さらに、搬送用アーム150を用いてウェーハ10を回転盤110上に載置したり移動させたりするために、加工手段が設けられていないウェーハ保持部(図1の状態ではウェーハ保持部111)が設けられている。
In this embodiment, one grinding
上記のように、図1に示す実施例では、回転盤110上に4つのウェーハ保持部111〜114が設けられている。そして、4つのウェーハ保持部111〜114が等間隔(等中心角度)に配置されることで、回転盤110を右方向に90°単位で回転させる毎に、ウェーハ保持部111〜114がそれぞれ右方向に90°ずつ移動する。すなわち、ウェーハ保持部111はウェーハ保持部112の位置に移動し、ウェーハ保持部112〜114も、同様に右方向に隣接するウェーハ保持部の位置に移動する。
As described above, in the embodiment shown in FIG. 1, the four
図1に示す状態では、回転盤110の回転方向に合わせて、ウェーハ保持部112〜114に対応する上方位置に研削部120、ポリッシング部130、及びブラスト部140がこの順序で配置されている。ここで回転盤110を右方向に回転させると、次に研削部120、ポリッシング部130、及びブラスト部140に対応する下方位置には、ウェーハ保持部111〜113が配置される。以下、同様にして、回転盤110を右方向に回転させる毎に、ウェーハ保持部111〜114のそれぞれが、研削部120、ポリッシング部130、及びブラスト部140に対応する下方位置に順次配置される。
In the state shown in FIG. 1, the grinding
以下では、説明を容易とするために、図1に示す状態の回転盤110において、ウェーハ保持部111の位置を第1配置点とし、以下、ウェーハ保持部112〜114の順に第2〜第4配置点とする。このとき、第1配置点に対応する上方位置には加工手段がなく、第2〜第4配置点に対応する上方位置には、それぞれ研削部120、ポリッシング部130、及びブラスト部140が配置される。
In the following, for ease of explanation, the position of the
上記説明のように、本実施形態のウェーハ加工装置100では、研磨加工手段と変形加工手段といった異なる加工手段を同じ装置内に一体化して設置しており、これにより、回転盤110を右方向に回転させるだけで、ウェーハ保持部111〜114に載置されたウェーハ10に対し、研削部120及びポリッシング部130による研磨と、ブラスト部140による歪み形成を連続的に行うことが可能となる。すなわち、ウェーハ10の薄厚化と、ゲッタリング層の形成を、回転盤110の回転だけで連続的に行うことが可能となる。
As described above, in the
なお、回転盤110の回転方向は、上記のように右方向に限定する必要はなく、例えば左方向に回転させるように構成することも可能である。この場合には、研削部120、ポリッシング部130、及びブラスト部140を、この順序で左方向に配置する必要がある。
Note that the rotation direction of the
ウェーハ加工装置100は、研削部120、ポリッシング部130、及びブラスト部140を筺体101に固定しており、回転盤110を回転可能に筺体101に固定している。これにより、研削部120、ポリッシング部130、及びブラスト部140と、それぞれの下方に配置されるウェーハ保持部111〜114とを高精度に位置決めすることが可能となっている。
In the
その結果、研削部120及びポリッシング部130で研磨されたウェーハ10を、ブラスト部140に対応する下方位置に高精度に位置決めして配置することができ、ウェーハ面に所望のゲッタリング層を高精度に形成することが可能となる。また、ポリッシング部130からブラスト部140にウェーハ10を移動させるための搬送手段が不要となるため、コストの低減と設置スペースの削減を図ることができる。
As a result, the wafer 10 polished by the grinding
ウェーハ10にブラスト処理を行うブラスト部140の一例を、図2を用いて説明する。図2は、ブラスト部140の概略構成を示す斜視図である。ブラスト部140は、投射ガン(本体部)141、配管142、143、及び噴射ノズル144を備えている。配管143から投射ガン141に所定の液体と微粒子とからなるスラリーが注入され、これが配管142から注入された圧縮空気で噴射ノズル144から高速に噴射される。
An example of a
スラリーの一例として、SiO2スラリー(粒子径460nm)に、SiC粒子(粒子径0.6、1.0、1.4、3.0μmのいずれか)、SiO2粒子(粒子径1.5、2.2μmのいずれか)、Al2O3粒子(粒子径3.3μm)のいずれか1つ以上を混合したものを用いる。なお、図2では、ブラスト部140としてウェット型のブラスト処理行う例を示したが、これに限定されず、ドライ型のブラスト処理を行う装置を用いてもよい。
As an example of the slurry, an SiO2 slurry (particle size: 460 nm), SiC particles (particle size: 0.6, 1.0, 1.4, or 3.0 μm), SiO2 particles (particle size: 1.5, 2. 2 μm) or a mixture of any one or more of Al 2
本実施形態のウェーハ加工装置100を用いてウェーハ10を加工する工程を、図1及び図3を用いて説明する。図3は、ウェーハ加工装置100に搬送されてきた1枚のウェーハ10の裏面を加工する後工程の流れを説明する流れ図である。搬送ロボット20で搬送されてきたウェーハ10は、まずステップS1において、搬送アーム150を用いて第1配置点のウェーハ保持部(図1の状態ではウェーハ保持部111)上に載置されて固定される。ここでは、ウェーハ10の裏面を加工するものとしていることから、ウェーハ10の裏面が上方に向くように第1配置点のウェーハ保持部(ウェーハ保持部111)上に固定される。
A process of processing the wafer 10 using the
次に、ステップS2において回転盤110が90°回転され、これによりウェーハ保持部111に固定されたウェーハ10が研削部120の下方の第2配置点に移動される。ステップS3では、研削部120を用いてウェーハ10が所定の厚さになるまで裏面が研削される。ウェーハ10の裏面の研削が終了すると、ステップS4で回転盤110が再び90°回転される。これにより、ウェーハ保持部111に固定されたウェーハ10がポリッシング部130の下方の第3配置点に移動する。
Next, in step S <b> 2, the
ステップS5では、ウェーハ保持部111に固定されたウェーハ10に対し、ポリッシング部130を用いてポリッシングの処理を行う。そして、ポリッシング処理が終了すると、ステップS6で回転盤110がさらに90°回転され、ウェーハ保持部111に固定されたウェーハ10がブラスト部140の下方の第4配置点に移動される。
In step S <b> 5, polishing is performed on the wafer 10 fixed to the
ステップS7では、ウェーハ保持部111に固定されたウェーハ10に対し、ブラスト部140を用いてブラストの処理を行う。これにより、ウェーハ10の裏面にゲッタリング層が形成される。ブラスト処理が終了すると、ステップS8で回転盤110がさらに90°回転され、ウェーハ保持部111が再び元の第1配置点に戻る。ここで、ウェーハ10がウェーハ保持部111から解放され、搬送用アーム150を用いてウェーハ保持部111から搬送ロボット20上に移動される。その後、ステップS1に戻り、ゲッティング層が形成されたウェーハ10を除去したウェーハ保持部111に、別のウェーハ10が載置される。なお、ブラスト処理終了後のウェーハ10を、ステップS8の回転盤110の回転を行う前の第4配置点で搬送ロボット20上に移動させるようにし、ウェーハ保持部111にウェーハ10が載置されていない状態で第1配置点に戻すようにしてもよい。
In step S <b> 7, a blast process is performed on the wafer 10 fixed to the
上記では、ウェーハ保持部111に固定された1枚のウェーハ10について説明したが、ウェーハ保持部112〜114に固定されたウェーハ10も並行してそれぞれの処理が行われる。本実施形態のウェーハ加工装置100によれば、研削部120、ポリッシング部130、及びブラスト部140の加工処理を連続的に行うことができ、各加工処理間の移動を、回転盤110の回転だけで行うことができることから、ウェーハ10の位置決めを高精度に行うことが可能となる。
In the above description, the single wafer 10 fixed to the
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施の形態に係るウェーハ加工装置を図4に示す。図4は、第2の実施形態に係るウェーハ加装置200の構成を示す平面図である。本実施形態のウェーハ加工装置200は、第1の実施形態の研削部120に代えて、粗研削部221と仕上研削部222の2台の研削部を備える構成としている。これにより、本実施形態のウェーハ加装置200では、研磨加工手段として、粗研削部221、仕上研削部222、及びポリッシング部130の3台が設けられており、変形加工手段として、ブラスト部140が1台設けられている。
(Second Embodiment)
A wafer processing apparatus according to the second embodiment of the present invention is shown in FIG. FIG. 4 is a plan view showing a configuration of a
上記のように、本実施形態では加工手段が合計で4台設けられていることから、これに対応して、回転盤210には、ウェーハ保持部が第1の実施形態より1つ多い5台(ウェーハ保持部211〜215)設けられている。これに伴って、本実施形態では、回転盤210の回転角度を、1回あたり72°としている。本実施形態のウェーハ加工装置200によれば、粗研削部221、仕上研削部222、ポリッシング部130、及びブラスト部140の加工処理を連続的に行うことが可能となる。また、上記の各加工処理間の移動を、回転盤210の回転だけで行うことができることから、ウェーハ10の位置決めを高精度に行うことが可能となる。
As described above, in the present embodiment, a total of four processing means are provided, and accordingly, on the turntable 210, five wafer holding units are added, one more than in the first embodiment. (
本実施形態では、研削部を2台としたが、これをさらに追加することも可能である。本発明のウェーハ加工装置によれば、研磨加工手段の台数によらず、研磨加工手段と変形加工手段のブラスト部とを、回転盤の上方に所定の間隔で設置することで、研磨加工手段と変形加工手段とを連続的に行うことが可能となる。また、研磨加工手段から変形加工手段への移動を回転盤の回転のみで行えることから、ウェーハの位置決めを高精度に行うことが可能となっている。 In the present embodiment, the number of grinding parts is two, but it is also possible to add more grinding parts. According to the wafer processing apparatus of the present invention, regardless of the number of polishing processing means, the polishing processing means and the blasting portion of the deformation processing means are installed at a predetermined interval above the rotating disk, so that the polishing processing means It is possible to perform the deformation processing means continuously. Further, since the movement from the polishing processing means to the deformation processing means can be performed only by the rotation of the rotating disk, the wafer can be positioned with high accuracy.
なお、本実施の形態における記述は、本発明に係るウェーハ加工装置の一例を示すものであり、これに限定されるものではない。本実施の形態におけるウェーハ加工装置の細部構成及び詳細な動作等に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。 Note that the description in the present embodiment shows an example of the wafer processing apparatus according to the present invention, and the present invention is not limited to this. The detailed configuration and detailed operation of the wafer processing apparatus in the present embodiment can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention.
10 ウェーハ
20 搬送ロボット
100、200 ウェーハ加工装置
101 筺体
110、210 回転盤
111〜114 ウェーハ保持部
120 研削部
130 ポリッシング部
140 ブラスト部
141 投射ガン
142、143 配管
144 噴射ノズル
150 搬送用アーム
221 粗研削部
222 仕上研削部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10
Claims (5)
前記ウェーハの所定の面を研削する研削部と前記ウェーハの所定の面をポリッシングして平滑度を高めるポリッシング部の少なくともいずれか1つと、
前記所定の面に機械的な歪みを形成するブラスト部と、を備え、
前記研削部と前記ポリッシング部の少なくともいずれか1つによる前記ウェーハの研削と前記ブラスト部による歪み形成を、前記回転盤の回転により前記ウェーハを位置決めして連続的に行う
ことを特徴とするウェーハ加工装置。 A turntable for rotating and moving the wafer by having three or more wafer holding parts for holding the wafer;
At least one of a grinding part for grinding a predetermined surface of the wafer and a polishing part for polishing the predetermined surface of the wafer to improve smoothness;
A blast part for forming a mechanical strain on the predetermined surface,
Wafer processing characterized in that grinding of the wafer by at least one of the grinding part and the polishing part and distortion formation by the blasting part are continuously performed by positioning the wafer by rotation of the rotating disk. apparatus.
ことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ加工装置。 The wafer holding part is arranged one at a position corresponding to each of at least one of the grinding part and the polishing part, and each of the blast parts, and further in the rotational direction of the rotating plate of the blast part. 2. The arrangement point is set such that one is arranged at another arrangement point and the wafer holding units adjacent to each other are equally spaced in the rotation direction of the turntable. The wafer processing apparatus as described.
ことを特徴とする請求項2に記載のウェーハ加工装置。 The wafer holding unit is sequentially moved to the arrangement points corresponding to at least one of the grinding unit and the polishing unit and each of the blasting units by rotating the turntable by a predetermined angle. The wafer processing apparatus according to claim 2.
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のウェーハ加工装置。 The said blast part forms the said mechanical distortion by injecting the slurry which consists of a predetermined | prescribed liquid and microparticles | fine-particles with compressed air with respect to the said predetermined surface at high speed. The wafer processing apparatus of any one of Claims.
ことを特徴とする請求項4に記載のウェーハ加工装置。 The slurry is formed by mixing SiO2 having a particle size of approximately 460 nm with the liquid, and SiC particles having a particle size of approximately 0.6, 1.0, 1.4, or 3.0 μm, 5. The method according to claim 4, wherein any one or more of SiO2 particles having a particle diameter of about 1.5 or 2.2 μm and Al2O3 particles having a particle diameter of about 3.3 μm are further mixed. The wafer processing apparatus as described.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017092135A (en) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 株式会社ディスコ | Manufacturing method of device |
JP2018078235A (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | Processing method for wafer |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11283941A (en) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Wet sand blast method and wet sand blast machine thereof |
JP2002540629A (en) * | 1999-03-25 | 2002-11-26 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | Method of processing semiconductor wafer and pressure injector |
JP2007109838A (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Device and its manufacturing method |
JP2007118120A (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Nanotemu:Kk | Polishing method and device |
-
2010
- 2010-01-07 JP JP2010002099A patent/JP2011142215A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11283941A (en) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Wet sand blast method and wet sand blast machine thereof |
JP2002540629A (en) * | 1999-03-25 | 2002-11-26 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | Method of processing semiconductor wafer and pressure injector |
JP2007109838A (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Device and its manufacturing method |
JP2007118120A (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Nanotemu:Kk | Polishing method and device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017092135A (en) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 株式会社ディスコ | Manufacturing method of device |
JP2018078235A (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | Processing method for wafer |
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