JPH11283897A - Ｘ線マスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｘ線マスクウエハとサポートリング７とを接
着することに基づく転写の際のパターンの寸法精度の劣
化を防止できるＸ線マスクおよびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 シリコン基板１と、メンブレン２と、反
射防止膜３と、Ｘ線吸収体４と、エッチマスク５と、レ
ジスト６とを有するＸ線マスクウエハが、接着剤８を介
在してサポートリング７に万力１１によって押し付けら
れた状態でレジスト６がベークされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線マスクおよび
その製造方法に関し、より具体的には、Ｘ線マスクウエ
ハをサポートリングに接着してなるＸ線マスクおよびそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】これまでそれほど集積度の高くない半導
体記憶装置におけるパターンの転写には、主に紫外線に
よるリソグラフィ技術が用いられてきた。しかし、半導
体記憶装置の高集積化が進み、たとえばＤＲＡＭ（Dyna
mic Rondom Access Memory）において１Ｇｂｉｔ（ギガ
ビット）のようにＧｂｉｔ級となると、配線などの各パ
ターンがデバイスルールに従って極微細になるため、よ
り解像度の高いパターンの転写が必要となる。

【０００３】このような微細パターンの転写を行なう技
術としてＸ線によるリソグラフィ技術が期待されてい
る。このＸ線リソグラフィ技術では、露光光となるＸ線
の波長（軟Ｘ線：λ＝５〜２０ｎｍ）が紫外線に比べ短
波長となるため、紫外線によるリソグラフィよりも解像
度の高いパターンの転写が可能となる。

【０００４】このようなＸ線リソグラフィ技術に用いら
れるＸ線マスクの製造方法は、たとえば特開平７−１３
５１５７号公報に示されている。以下、この公報に示さ
れた製造方法を従来の製造方法として説明する。

【０００５】図２９〜図３５は、従来のＸ線マスクの製
造方法を工程順に示す概略断面図である。図２９を参照
して、まず、シリコン基板１上にメンブレン２が成膜さ
れる。

【０００６】図３０を参照して、シリコン基板１の一部
が除去（バックエッチ）され、メンブレン２の一部裏面
が露出する。

【０００７】図３１を参照して、メンブレン２上に、イ
ンジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）などからなる反射防止膜
兼エッチングストッパー膜（以下、単に反射防止膜と称
する）３が塗布され焼成される。

【０００８】図３２を参照して、反射防止膜３上に、タ
ングステン−チタン膜からなるＸ線吸収体４が成膜され
る。そしてこの際のＸ線吸収体４の平均膜応力を測定
し、この平均膜応力を０とするための熱処理時の温度を
決め、たとえば２５０℃でアニールして、Ｘ線吸収体４
の平均膜応力が０に調整される。

【０００９】図３３を参照して、Ｘ線吸収体４上に、レ
ジスト６が塗布され、１８０℃でベークされる。

【００１０】図３４を参照して、Ｘ線マスクウエハのシ
リコン基板１がサポートリング７に接着剤８によって接
着される。レジスト６は電子線描画（ＥＢ）された後に
現像されてレジストパターン６とされる。このレジスト
パターン６をマスクとしてＸ線吸収体４にエッチングが
施された後、レジストパターン６が除去される。

【００１１】図３５を参照して、これにより、所定のパ
ターン形状のＸ線吸収体４を有するＸ線マスクが完成す
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線マスクおよ
びその製造方法では、転写の際のパターンの寸法精度が
劣化するという問題点があった。以下、そのことについ
て詳細に説明する。

【００１３】従来の場合、レジスト６を塗布・ベークし
た後の接着の際（図３４）、力を加えてＸ線マスクウエ
ハが平らになるように接着が行なわれていた。このた
め、接着時に加えた力によってメンブレン２上のＸ線吸
収体４に新たな応力が発生する。

【００１４】またサポートリング７とＸ線マスクウエハ
との平面は通常一致しない。このため、Ｘ線マスクウエ
ハとサポートリング７との対向する面全面に接着剤８を
塗って接着を行なう場合、Ｘ線マスクウエハが変形して
接着されることになり、その結果、Ｘ線吸収体４に新た
な応力が発生してしまう。

【００１５】このようにＸ線吸収体４に新たな応力が発
生した場合、図３５に示すようにＸ線吸収体４をエッチ
ングすると、Ｘ線吸収体４の応力が部分的に緩和され
る。このため、Ｘ線吸収体４のパターンが歪んでしま
い、ＳＲ（Synchrotron Radiation ）転写の際にパター
ンの寸法精度が劣化する。

【００１６】また、Ｘ線マスクウエハとサポートリング
７との対向する面全面に接着剤８を塗って接着させても
接着剤８を均一に塗ることが難しいため、接着剤８が余
ったり、また足りなかったりする。そのため、特開昭６
２−５４９１９号公報では、図３６および図３７に示す
ようにウエハ１０１に接着される補強リング１０５の接
着面１０５ｃに溜まり溝１０５ａや貫通孔１０５ｂが設
けられている。これにより、余分な接着剤を接着面から
溝１０５ａや貫通孔１０５ｂに逃すことができる。

【００１７】なお、この公報では、接着する際にウエハ
１０１と補強リング１０５とは万力１０４により押圧さ
れ、特にウエハ１０１側は、緩衝板１０２と、押え板１
０３とを介して押圧される。

【００１８】しかし、溝１０５ａや貫通孔１０５ｂを設
けたことによって、洗浄の際にゴミがこの溝１０５ａや
貫通孔１０５ｂに溜まりやすくなり、また接着剤１０８
が足りない部分にも洗浄水とともにゴミが侵入しやす
い。その結果、ＳＲ転写の際のマスクの振動によって、
溝１０５ａなどに侵入したゴミが落ちてメンブレンに付
着すると、ＳＲ転写の際のパターンの寸法精度が劣化し
てしまう。

【００１９】また、接着の際に、Ｘ線マスクウエハの接
着面の背面を真空吸着すると吸着治具の部分にゴミが引
き寄せられ、その結果、Ｘ線マスクウエハの接着面の背
面はゴミが多くなりやすい。そのため、ＳＲ転写の際に
ゴミによってパターンの寸法が変動してしまい、寸法精
度が劣化する。

【００２０】また、接着後にレジスト６を塗布・ベーク
する方法では、レジスト６のベーク温度（日本ゼオン製
ＺＥＰ５２０は、通常は１８０℃、３０分）では、接着
剤８が軟化するため、Ｘ線マスクの変形が発生する。こ
れはサポートリング７とＸ線マスクウエハとの熱膨張率
が異なることに依存する。ガラス転移温度以上でベーク
すると接着剤８が軟化するため、Ｘ線マスクウエハとサ
ポートリング７は各々の力が解放された自由な形状にな
ろうとする。その後、ベークが終わって冷却が始まり、
ガラス転移温度以下になるとその状態でＸ線マスクウエ
ハとサポートリング７は固着されてしまう。しかし、そ
の後室温までの間の温度差と熱膨張率との差のため、Ｘ
線マスクは変形してしまう。その結果、Ｘ線吸収体４に
応力が発生する。この状態のＸ線吸収体４にエッチング
を行なうと、Ｘ線吸収体４の応力が解放されるためＸ線
吸収体４のパターンの位置歪みが発生する。このため、
ＳＲ転写の際にパターンの寸法精度が劣化する。

【００２１】それゆえ、本発明の目的は、Ｘ線マスクウ
エハをサポートリングに接着することに基づく転写の際
のパターンの寸法精度の劣化を防止できるＸ線マスクお
よびその製造方法を提供することである。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明の一の局面に従う
Ｘ線マスクは、Ｘ線マスクウエハと補強枠とを備えてい
る。Ｘ線マスクウエハは、Ｘ線を透過する材質よりなる
マスク基板と、マスク基板上に形成されかつＸ線を吸収
する材質よりなるＸ線吸収体パターンと、マスク基板を
支持する支持体とを有している。補強枠は、Ｘ線マスク
ウエハの支持体に２箇所または３箇所で接着されてい
る。

【００２３】平面は３点で規定でき、４点となると１点
はその平面から外れる可能性が高くなる。そのため、４
点目の力によってマスクが変形し、それによってＸ線吸
収体パターンの変形が発生する。

【００２４】これに対して本発明の一の局面に従うＸ線
マスクでは、接着部を２点または３点としているため、
接着による上記の４点目の力が加わることはなく、Ｘ線
マスクウエハの変形を最小限に抑えることができる。し
たがって、Ｘ線マスクウエハの変形による転写の際のパ
ターンの寸法精度の劣化は生じない。

【００２５】本発明の他の局面に従うＸ線マスクは、Ｘ
線マスクウエハと、補強枠と、接着剤とを備えている。
Ｘ線マスクウエハは、Ｘ線を透過する材質よりなるマス
ク基板と、マスク基板上に形成されかつＸ線を吸収する
材質よりなるＸ線吸収体パターンと、マスク基板を支持
する支持体とを有している。補強枠は、Ｘ線マスクウエ
ハの支持体に接着されている。接着剤は、支持体と補強
枠との対向する面の縁に沿って内周および外周の２周に
分けて支持体と補強枠とを接着し、かつ支持体と補強枠
との間の内周端および外周端を全周にわたって隙間なく
埋込んでいる。

【００２６】本発明の他の局面に従うＸ線マスクでは、
支持体と補強枠との間の内周端および外周端を全周にわ
たって隙間なく接着剤が埋込まれているため、支持体と
補強枠との間にゴミが入り込む隙間がない。よって、侵
入したゴミによって転写の際のパターンの寸法精度が劣
化したり、マスク基板が割れることはない。

【００２７】また内周および外周の２周に分けているた
め、内周部と外周部との間の中央部の接着剤を省くこと
ができ、全面に接着剤を用いる場合よりも接着剤の量を
少なくすることができる。

【００２８】上記局面において好ましくは、支持体と補
強枠との対向する面の間から外周側へはみ出した接着剤
の端部はＸ線マスクウエハの外周面に接する範囲内に位
置し、かつ支持体と補強枠との対向する面の間から内周
側へはみ出した接着剤の端部は補強枠の内周面に接する
範囲内に位置している。

【００２９】これにより、はみ出した接着剤によって、
露光の際のＸ線マスクと露光されるべきウエハとの間の
ギャップ設定に支障が生じたり、接着剤が露光光を導く
ビームラインの取出口に接触することが防止される。

【００３０】本発明の一の局面に従うＸ線マスクの製造
方法は、Ｘ線マスクウエハの支持体に補強枠を接着した
後に、支持体上に塗布されたレジストをベークする方法
であって、レジストをベークする工程は、補強枠に対す
るＸ線マスクウエハの位置を規制した状態で行なわれ
る。

【００３１】本発明の一の局面に従うＸ線マスクの製造
方法では、補強枠とＸ線マスクウエハとの位置が規制さ
れた状態でレジストがベークされるため、このベークに
よって接着剤が軟化しても補強枠とＸ線マスクウエハと
の熱による変形は防止される。このため、Ｘ線マスクウ
エハと補強枠との熱膨張差に基づくＸ線マスクウエハの
歪みの発生を防止でき、よって、転写の際のパターンの
寸法精度の劣化を防止することができる。

【００３２】上記局面において好ましくは、補強枠に対
するＸ線マスクウエハの位置を規制した状態は、補強枠
とＸ線マスクウエハとを互いに押圧した状態である。

【００３３】これにより、Ｘ線マスクウエハとサポート
リングとをレジストのベーク時に変形しないよう押さえ
つけることが可能となる。

【００３４】上記局面において好ましくは、補強枠に対
するＸ線マスクウエハの位置を規制した状態は、互いに
動かないように補強枠とＸ線マスクウエハとの縦方向お
よび横方向の双方から保持部材を接触させた状態であ
る。

【００３５】これにより、Ｘ線マスクウエハとサポート
リングとを、レジストのベーク時に変形しないよう保つ
ことができる。

【００３６】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法は、Ｘ線マスクウエハの支持体に補強枠を接着する
方法であって、一定の間隔をおいて支持体と補強枠とを
対向するように保持した状態で外力を加えずに支持体と
補強枠との対向面が接着される。

【００３７】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法では、外力を加えずに接着するため、この外力によ
ってＸ線マスクウエハがサポートリングの形状に合わせ
て変形することはない。よって、この変形による転写の
際のパターンの寸法精度の劣化が生じることが防止され
る。

【００３８】上記局面において好ましくは、補強枠の接
着面の背面を真空吸着部材に真空吸着させて補強枠と支
持体とが接着される。

【００３９】このようにＸ線マスクウエハではなく補強
枠を真空吸着することにより、Ｘ線マスクウエハの歪み
を防止でき、この歪みによる転写の際のパターンの寸法
精度の劣化を防止することができる。

【００４０】また、Ｘ線マスクウエハではなく補強枠を
真空吸着することにより、Ｘ線マスクウエハを真空吸着
する場合よりもＸ線マスクウエハに付着するゴミの量を
少なくすることができる。このため、この付着したゴミ
による転写の際のパターンの寸法精度の劣化を防止する
ことができる。

【００４１】また、Ｘ線マスクウエハに対する補強枠の
位置調整が容易となる。上記局面において好ましくは、
接着剤とは異なる材質よりなるスペーサを補強枠と支持
体との間に挟んで補強枠と支持体とが接着される。

【００４２】これにより、Ｘ線マスクウエハに対する補
強枠の高さを規定しなくても、所定の隙間をもってＸ線
マスクウエハと補強枠とを保持し接着することが可能と
なる。

【００４３】上記局面において好ましくは、Ｘ線マスク
ウエハと補強枠との保持は、Ｘ線マスクウエハの接着面
の接着を３点以下で支持する、およびＸ線マスクウエハ
の外周面を３点以下で支持するの少なくともいずれかで
行なわれる。

【００４４】これにより、Ｘ線マスクウエハの位置決め
を行なうことができる。上記局面において好ましくは、
Ｘ線マスクウエハの支持体に補強枠を接着剤で接着した
後に、支持体上に塗布されたレジストを、接着剤のガラ
ス転移温度未満の温度でベークする工程がさらに備えら
れている。

【００４５】これにより、接着剤が軟化することによる
転写の際のパターンの寸法精度の劣化を防止することが
できる。

【００４６】本発明のさらに他の局面に従うＸ線マスク
の製造方法は以下の工程を備えている。

【００４７】まず支持体上にＸ線を透過する材質よりな
るマスク基板と、マスク基板の表面上にＸ線を吸収する
材質よりなるＸ線吸収体とが順次成膜される。そして支
持体が接着剤で補強枠に接着される。そして補強枠が接
着された状態で、マスク基板の裏面が露出するように支
持体が選択的に除去される。そしてＸ線吸収体上にレジ
ストが塗布される。そして支持体を選択的に除去した後
に、塗布されたレジストが、接着剤のガラス転移温度未
満の温度でベークされる。

【００４８】本発明のさらに他の局面に従うＸ線マスク
の製造方法では、支持体を補強枠に接着した後に支持体
が選択的に除去される。補強枠に接着する前に支持体を
選択的に除去すると、支持体に歪みが生じてしまうが、
支持体を補強枠に接着した後であれば補強枠は剛性が大
きいため支持体に歪みが生じることは抑制される。とこ
ろが、この後のレジストのベーク時に接着剤が軟化する
とＸ線吸収体のパターンの位置歪みが生じてしまう。そ
こで、レジストのベーク温度を接着剤のガラス転移温度
未満としてベーク時の接着剤の軟化を防止することで、
接着剤の軟化による転写の際のパターンの寸法精度の劣
化が防止される。

【００４９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。

【００５０】実施の形態１ 図１〜図６は、本発明の実施の形態１におけるＸ線マス
クの製造方法を工程順に示す概略断面図である。図１を
参照して、まず支持体であるシリコン基板１上にマスク
基板であるＳｉＣなどのメンブレン２が成膜された後、
シリコン基板１にバックエッチが施され、メンブレン２
の裏面が露出する。

【００５１】図２を参照して、シリコン基板１の裏面に
接着剤８を介して補強枠であるサポートリング７が接着
される。

【００５２】図３を参照して、メンブレン２上に、たと
えばインジウム・錫酸化物などからなる反射防止膜３
と、たとえばタンタル系の材料よりなるＸ線吸収体４
と、たとえばタングステンよりなるエッチマスク５とが
順次成膜される。

【００５３】図４を参照して、エッチマスク５上に、レ
ジスト６が塗布され、たとえば１８０℃でベークされ
る。このレジスト６のベーク温度が接着剤８のガラス転
移温度よりも高い場合には、このベーク時に接着剤８が
軟化してしまい、Ｘ線マスクウエハとサポートリング７
との熱膨張差に基づく位置ずれが発生してしまう。

【００５４】このため、本実施の形態では、たとえば図
７に示すようにＸ線マスクウエハとサポートリング７と
を万力１１によって締めつけた状態でベークが行なわれ
る。このとき、万力１１で締めつけるポイントは、Ｘ線
マスクウエハとサポートリング７との接着を行なったポ
イントが好ましい。

【００５５】図５を参照して、ベークが終了した後、電
子線描画機でレジスト６にパターンが描かれた後、現像
されてレジストパターン６が形成される。このレジスト
パターン６を用いてエッチマスク５にエッチングが行な
われる。この後、パターニングされたエッチマスク５を
用いてＸ線吸収体４にエッチングが施され、Ｘ線吸収体
４がパターニングされる。最後に、レジスト６とエッチ
マスク５とが除去されて、図６に示すＸ線マスクが完成
する。

【００５６】本実施の形態では、上述したようにレジス
ト６のベーク時にＸ線マスクウエハとサポートリング７
とが万力１１によって締めつけられるため、接着剤８が
軟化してもＸ線マスクウエハとサポートリング７との位
置ずれを防ぐことができる。このため、この位置ずれに
おける転写の際のパターンの寸法精度の劣化を防止する
ことができる。

【００５７】なお、本実施の形態では、万力１１で締め
つけた状態でレジスト６のベークが行なわれている。し
かし、図８に示すように、サポートリング７とＸ線マス
クウエハとが支持棒１３、１４に接するよう配置され、
横方向および縦方向の動きを規制した状態でレジスト６
のベークが行なわれてもよい。横方向および縦方向から
動きが規制されていれば、レジスト６のベーク時に接着
剤８が軟化してもＸ線マスクウエハとサポートリング７
との位置ずれが生ずることはないからである。

【００５８】ただしこの場合、支持棒１３、１４および
その支持棒１３、１４を支持する固定台１２とは、熱膨
張率の小さな材質よりなっていることが好ましい。熱膨
張率の大きい材質よりなっていた場合、支持棒１３、１
４および固定台１２自体が熱によって変形し、Ｘ線マス
クウエハとサポートリング７との位置ずれが生じるおそ
れがあるからである。

【００５９】なお、レジスト６のベーク時にＸ線マスク
ウエハとサポートリング７との位置ずれを防ぐ別の方法
として、レジスト６のベーク温度を接着剤８のガラス転
移温度よりも低くする方法もある。たとえば米国エポキ
シテクノロジー社製（（株）理経、取り扱い）のエポパ
ック３０１（接着剤）のガラス転移温度はカタログによ
ると４８℃であり、エポパック３５４は１３０℃であ
る。このため、接着剤８にこれらの種類を用いた場合に
は、この接着剤８のガラス転移温度よりもベーク温度の
低いレジスト６が用いられればよい。

【００６０】このようにレジスト６のベーク温度が接着
剤８のガラス転移温度よりも低い場合には、レジスト６
のベーク時に接着剤８が軟化することはない。よって、
接着剤８が軟化することによるＸ線マスクウエハとサポ
ートリング７との変形は生じず、この変形に基づく転写
の際のパターンの寸法精度の劣化を防止することができ
る。したがって、レジスト６のベーク時に図７や図８に
示すようにＸ線マスクウエハとサポートリング７とを万
力１１によって締めつけたり、支持棒１３、１４によっ
て動きを規制したりする必要もなくなる。

【００６１】なお、室温硬化型の接着剤や、紫外線硬化
型の接着剤を用いると、接着の際のＸ線マスクウエハと
サポートリング７との熱膨張による変形を防ぐことがで
きる。このため、歪みはより少なくなり、パターンの寸
法精度の向上に効果がある。

【００６２】また本実施の形態では、図１〜図３に示す
ようにメンブレン２の成膜、バックエッチ、サポートリ
ング７の接着後に、反射防止膜３とＸ線吸収体４とエッ
チマスク５とが成膜されている。しかし、ここまでの工
程はこの工程に限らず、たとえば図１に示すバックエッ
チ後に図９に示すように反射防止膜３とＸ線吸収体４と
エッチマスク５とを順次成膜してからシリコン基板１に
サポートリング７を接着して図３に示す状態としてもよ
い。

【００６３】また図１０に示すようにシリコン基板１上
にメンブレン２と反射防止膜３とＸ線吸収体４とエッチ
マスク５とを成膜した後に図９に示すようにバックエッ
チを行なってからサポートリング７を接着して図３に示
す状態としてもよい。

【００６４】また図１０に示すようにシリコン基板１上
に各膜が成膜された後に図１１に示すようにサポートリ
ング７を接着してからシリコン基板１にバックエッチを
施して図３に示す状態としてもよい。

【００６５】サポートリング７にシリコン基板１を接着
する前にシリコン基板１にバックエッチが施されると、
このバックエッチによりシリコン基板１に歪みが生じて
しまう。これに対して、上記のようにシリコン基板１を
サポートリング７に接着した後にシリコン基板１にバッ
クエッチを施す場合には、サポートリング７の剛性が大
きいため、このバックエッチによってシリコン基板１に
歪みが生じることは抑制される。またＸ線吸収体４の成
膜直後にアニールなどによりＸ線吸収体４の平均膜応力
が０に調整されていれば、Ｘ線吸収体４の膜応力により
歪みが生じることも防止される。

【００６６】ところが、この後に図４に示すようにレジ
スト６のベーク時に接着剤８が軟化してしまうと、図６
に示すＸ線吸収体４のパターンの位置歪みが生じてしま
う。そこで、このような位置歪みが生じないように、レ
ジスト６のベーク温度を接着剤８のガラス転移温度未満
として、接着剤８の軟化が防止される。

【００６７】実施の形態２ 図１２および図１３は、本発明の実施の形態２における
Ｘ線マスクの構成を概略的に示す平面図および断面図で
ある。図１２と図１３とを参照して、Ｘ線マスクは、Ｘ
線マスクウエハと補強枠であるサポートリング７とが接
着剤８によって接着されて構成されている。

【００６８】Ｘ線マスクウエハは、支持体であるシリコ
ン基板１と、マスク基板であるメンブレン２と、反射防
止膜３と、Ｘ線吸収体４とを有している。メンブレン２
は、Ｘ線透過性基板であり、たとえば厚さ１〜２μｍで
軽元素（たとえばＳｉＣ）からなっており、シリコン基
板１上に形成されている。反射防止膜３は、メンブレン
２の表面に形成され、たとえばインジウム・錫酸化物な
どからなっており、アライメント光の反射を防止する役
割をなすものである。Ｘ線吸収体４は、反射防止膜３上
に所定の形状で形成され、Ｘ線の透過を遮る材料、たと
えばタンタル系の材料よりなっている。

【００６９】本実施の形態のＸ線マスクの構造で特に注
目すべきは、Ｘ線マスクウエハとサポートリング７との
接着箇所である。つまり、Ｘ線マスクウエハはサポート
リング７に３点で接着されている。

【００７０】次に、本実施の形態の製造方法について説
明する。図１４〜図１８は、本発明の実施の形態２にお
けるＸ線マスクの製造方法を工程順に示す概略断面図で
ある。まず図１４を参照して、シリコン基板１上に厚さ
１〜２μｍで軽元素からなるメンブレン２と、たとえば
インジウム・錫酸化物などからなる反射防止膜３と、た
とえばタンタル系の材料よりなるＸ線吸収体４と、たと
えばタングステンよりなるエッチマスク５とが順次成膜
される。

【００７１】図１５を参照して、シリコン基板１の一部
にバックエッチが施され、メンブレン２の裏面が露出す
る。

【００７２】図１６を参照して、エッチマスク５上にレ
ジスト６が塗布され、たとえば１８０℃でベークされ
る。

【００７３】図１７を参照して、シリコン基板１の裏面
に接着剤８を介してサポートリング７が接着される。こ
の際、接着剤８は、接着箇所が３点となるようにつけら
れる。

【００７４】図１８を参照して、電子線描画機でレジス
ト６にパターンが描かれた後、現像されてレジストパタ
ーン６が形成される。このレジストパターン６を用いて
エッチマスク５にエッチングが行なわれる。この後、パ
ターニングされたエッチマスク５を用いてＸ線吸収体４
にエッチングが施され、Ｘ線吸収体４がパターニングさ
れる。この後、レジスト６とエッチマスク５とが除去さ
れて図１２および図１３に示すＸ線マスクが完成する。

【００７５】平面は３点で規定できるが、４点となると
１点はその平面からずれる可能性がある。このため、Ｘ
線マスクウエハとサポートリング７とを４点で接着した
場合、４点目の力によってＸ線マスクウエハが変形し、
それによってＸ線吸収体４に応力が発生する。その結
果、Ｘ線吸収体４のエッチングを行なうとＸ線吸収体４
のパターンの変形が発生してしまい、ＳＲ転写の際のパ
ターンの寸法精度が劣化する。

【００７６】本実施の形態では、Ｘ線マスクウエハとサ
ポートリング７との接着ポイントは３点であるため、４
点目の力によってＸ線マスクウエハが変形することはな
く、その変形によって転写の際のパターンの寸法精度が
劣化することはない。

【００７７】なお、本実施の形態では、４点目の力によ
るマスクの変形を防止すべく接着ポイントを３点とした
が、接着ポイントは２点であってもよい。２点であれ
ば、３点と同様、４点目の力によるマスクの変形を防止
することができるからである。ただし、１箇所で接着さ
れている場合には、以下に述べるように問題がある。

【００７８】Ｘ線マスクウエハがサポートリング７との
対向面全面で接着された場合には、Ｘ線マスクウエハは
サポートリング７の形状に合わせて変形してしまい、転
写の際の寸法精度が劣化してしまう。またＸ線マスクウ
エハがサポートリング７に対して局所的に１点でのみ接
着されている場合には、接着強度が弱くなってしまう。

【００７９】また、本実施の形態では、図１４に示すよ
うにシリコン基板１上にメンブレン２と、反射防止膜３
と、Ｘ線吸収体４と、エッチマスク５とを成膜した後に
図１５に示すようにバックエッチが行なわれている。し
かし、図１９に示すようにシリコン基板１上にメンブレ
ン２のみを成膜した状態でバックエッチを行なってから
反射防止膜３と、Ｘ線吸収体４と、エッチマスク５とを
成膜して図１５に示す状態としてもよい。

【００８０】また、Ｘ線マスクウエハとサポートリング
７との接着の際、加熱硬化型の接着剤８の場合は、硬化
温度をレジストベーク温度以下にすることが好ましい。
なお、レジストベーク以外でも応力調整のためのアニー
ルやエッチング時の加熱などが行なわれるときは、その
加熱温度はレジストベーク温度以下とすることがよい。
このように接着後の熱履歴をレジストベーク温度以下と
するのは、レジストベーク温度以上で接着などを行なう
と、レジスト６の感度が変化し、パターンの寸法精度が
劣化するためである。

【００８１】実施の形態３ 図２０と図２１とは、本発明の実施の形態３におけるＸ
線マスクの構成を概略的に示す断面図と平面図である。
図２０と図２１とを参照して、本実施の形態のＸ線マス
クの構成は、図１２と図１３とに示した実施の形態２と
比較して接着状態が異なっている。

【００８２】本実施の形態では、接着剤８はＸ線マスク
ウエハとサポートリング７との対向する面の全面にむら
なく位置し、かつＸ線マスクウエハとサポートリング７
との対向部の内周側および外周側の双方へはみ出してい
る。接着剤８の外周側へはみ出した部分の端部Ｐ１はＸ
線マスクウエハの外周面１ａに接する範囲内に位置して
いる。つまり、接着剤８の端部Ｐ１はＸ線吸収体４の上
面より突出することはなく、Ｘ線マスクウエハの厚さｄ
ｍの範囲内に位置している。また接着剤８の内周側へは
み出した部分の端部Ｐ２はサポートリング７の内周面７
ａに接する範囲内に位置している。つまり、端部Ｐ２は
サポートリング７の下面から突出することはなく、サポ
ートリング７の厚さｄｓの範囲内に位置している。

【００８３】なお、これ以外の構成については実施の形
態２とほぼ同じであるため、同一の部材については同一
の符号を付し、その説明を省略する。

【００８４】接着剤８の外周側のはみ出し量がＸ線マス
クウエハの厚さｄｍよりも大きい場合は、ＳＲ露光の際
のＸ線マスクと露光されるべきウエハとの間のギャップ
設定に支障が生ずる。また、接着剤８の内周側のはみ出
し量がサポートリング７の内周側での厚さｄｓより大き
いと、ＳＲ光を導くビームラインの取出口（スナウト）
２０に接着剤８の内周側はみだし部が接触するおそれが
ある。

【００８５】本実施の形態では、接着剤８の外周側のは
み出し量がＸ線マスクウエハの厚さよりも小さく、かつ
内周側のはみ出し量がサポートリング７の厚さよりも小
さいため、ＳＲ露光の際のＸ線マスクと露光されるべき
ウエハとのギャップ設定に支障をきたすことはなく、ま
たＳＲ光を導くビームラインの取出口２０に接着剤８が
接触することもない。

【００８６】また、接着剤８がＸ線マスクウエハとサポ
ートリング７との対向面の全周にわたってはみ出すこと
によって、Ｘ線マスクウエハとサポートリング７との接
着面の隙間がなくなる。そのため、この隙間にマスク洗
浄の際に洗浄液やそれと一緒に微小なゴミが入ることも
ない。もし隙間に洗浄液やゴミが入ると、転写の際にマ
スクの振動によって隙間からゴミや、乾燥後の洗浄液の
カスが出てくる。そのゴミなどがマスクに乗ると転写時
のパターンの寸法変化が生じる。またゴミなどがＸ線マ
スクと露光されるべきウエハとの間に挟まった場合に
は、Ｘ線マスクが移動される際にそのゴミなどをこすり
ながら移動することになるため、Ｘ線マスクのメンブレ
ン部が割れるという事態が発生する。しかし、本実施の
形態では接着面に隙間がないため、このような問題点は
発生しない。

【００８７】なお、本実施の形態では、全面にわたって
接着剤８がはみ出す接着を行なっているが、接着部の外
周と内周にわたって接着剤をコーティングしてもよい。
これによって、接着剤８の不足によって部分的にはみ出
しがなかったり、逆に多量の接着剤８がはみ出している
などの不均一な状態を解消できる。このように均一にコ
ーティングすることによって洗浄の際のゴミの侵入や洗
浄液のしみ込みを回避できる。

【００８８】なお、接着剤８をはみ出させたり、コーテ
ィングすることは洗浄のみに効果があるのではなく、接
着後にバックエッチを行なう工程でも効果がある。それ
は、バックエッチ時のエッチング液の接着部への侵入を
防ぐことが可能なためである。これにより、バックエッ
チ時のゴミの接着部への侵入を防いだり、エッチング液
のしみ込みによる不必要な部分のエッチングが回避さ
れ、それによって転写時のゴミの発生を防ぐことができ
る。また接着部へのエッチング液のしみ込みによる接着
剤８の溶解のための接着力の低下を防ぐこともできる。

【００８９】なお上記の場合は、Ｓｉ（シリコン）のバ
ックエッチ時間とその間の接着剤の溶解量を考慮して溶
解量以上に接着剤をコーティングするとより好ましい。

【００９０】実施の形態４ 図２２と図２３とは、本発明の実施の形態４におけるＸ
線マスクの構成を概略的に示す断面図および平面図であ
る。図２２と図２３とを参照して、本実施の形態のＸ線
マスクの構成は、実施の形態３の構成と比較して、接着
状態が異なっている。

【００９１】本実施の形態では、Ｘ線マスクウエハとサ
ポートリング７との対向面全面が接着されるのではな
く、対向する部分の縁に沿って内周および外周の２周８
ａ、８ｂに分かれて接着され、かつＸ線マスクウエハと
サポートリング７との間の内周端および外周端が全周に
わたって隙間なく埋込まれている。

【００９２】なお、これ以外の構成については実施の形
態３とほぼ同じであるため、同一の部材については同一
の符号を付し、その説明を省略する。

【００９３】本実施の形態では、内周側接着剤８ａと外
周側接着剤８ｂとが各々、内周側および外周側へはみ出
しているため、上述した実施の形態３と同じ効果を得る
ことができる。

【００９４】本実施の形態においても、内周側接着剤８
ａの内周側はみ出し部はサポートリング７の厚みを超え
ないことが好ましく、かつ外周側接着剤８ｂの外周側の
はみ出し部はＸ線マスクウエハの厚みを超えないことが
好ましい。これにより、ＳＲ露光の際のＸ線マスクとウ
エハとのギャップ設定に支障をきたすことはなく、また
ＳＲ光を導くビームラインの取出口が接触することもな
いからである。

【００９５】加えて内周側接着部８ａと外周側接着部８
ｂとに分けて接着を行なうことにより、実施の形態３の
接着状態よりも接着剤８の量を少なくすることが可能と
なる。

【００９６】実施の形態５ 図２４は、本発明の実施の形態５におけるＸ線マスクの
製造方法を示す図である。図２４を参照して、Ｘ線マス
クウエハとサポートリング７とを接着する工程におい
て、接着装置台３１に支持された保持支柱３２によって
Ｘ線マスクウエハとサポートリング７とが一定の間隔を
おいて対向するように保持される。そしてＸ線マスクウ
エハとサポートリング７との間にある接着剤８がこの保
持された状態で硬化することによってＸ線マスクウエハ
とサポートリング７とが外部から力を加えることなしに
接着される。

【００９７】なお、Ｘ線マスクウエハとサポートリング
７との各面内は保持支柱３２によって各々３点で支えら
れている。

【００９８】またＸ線マスクウエハの回転位置を制御す
るため、Ｘ線マスクウエハがオリエンテーションフラッ
トを有するウエハの場合には、図２５に示すようにオリ
エンテーションフラット部が保持支柱３２によって２点
で支持され、かつ他の外周部が保持支柱３２によって１
点で支持され、合計３点で位置決めが行なわれる。

【００９９】またＸ線マスクウエハが外周にノッチを有
するウエハの場合には、図２６に示すようにノッチ部に
おいて１点、他の外周部において１点の計２点で位置決
めが行なわれる。サポートリング７についてもＸ線マス
クウエハと同様にして位置決めが行なわれる。

【０１００】本実施の形態では、Ｘ線マスクウエハに力
を加えずにそっと接着するため、Ｘ線マスクが外力によ
り変形することはない。よって、既にＸ線吸収体パター
ンがあるＸ線マスクウエハを接着する場合には、Ｘ線吸
収体のパターンの歪みが発生することはない。また、Ｘ
線吸収体のパターニング前のＸ線マスクウエハなら、Ｘ
線吸収体に力が加わることによる内部応力の発生がない
ため、Ｘ線吸収体のエッチング後に内部応力の解放によ
るパターンの歪みが発生しない。

【０１０１】また、Ｘ線マスクウエハを真空吸着する必
要はないため、Ｘ線マスクに力を加えることはなく、上
記のようにＸ線マスクに力を加えることによるパターン
の歪みは発生しない。なお、真空吸着も微小な３点で吸
着すれば変形量を少なくすることができる。しかし、真
空吸着では吸着部分で空気を吸引するためゴミが集まり
やすい。その結果、Ｘ線マスク表面にゴミが集まり、転
写のときにパターン精度の低下や、メンブレン破損の問
題が発生する。本発明は、このような問題点を解消する
ことが可能である。

【０１０２】なお、接着の際には、３点以下の接着を行
なうと、Ｘ線マスクウエハの変形を減少させることがで
きるため、より好ましい。これは、上記で説明したよう
に、面は３点で規定でき、４点目があるとそれによって
面が変形するからである。

【０１０３】なお、図２７に示すように接着の際に、サ
ポートリング７の接着面の背面を真空吸着装置４１によ
って吸着して接着が行なわれてもよい。この場合、サポ
ートリング７を真空吸着することになるが、サポートリ
ング７は剛性が高いため真空吸着しても変形量が微量で
あり、Ｘ線マスクウエハを変化させる効果を無視するこ
とができる。また、吸着に伴うゴミの発生もサポートリ
ング７の背面のため、転写への影響は無視できる。な
お、サポートリング７を吸着しているため、サポートリ
ング７を動かすことが容易となる。そのため、接着時の
サポートリング７とＸ線マスクウエハとの位置調整が容
易になるといった効果もある。

【０１０４】図２４では、接着層の厚さを確保するため
にＸ線マスクウエハの位置とサポートリング７との位置
を規定している。サポートリング７の高さを規定しなく
ても接着は可能であるが、その場合は、各々の平面度や
表面の凹凸状態によって接着剤８がしみ出てくるためむ
らが発生しやすい。図２８に示すように、下側にサポー
トリング７を置き、上側にＸ線マスクウエハを配置して
接着することもできる。この場合は、Ｘ線マスクウエハ
の高さを規定する保持支柱を設けることができない。そ
こで、このような場合には、接着層の厚さを規定するた
めに接着剤８の中にスペーサ５１が混入されている。こ
のスペーサ５１としては、直径数μｍ〜数１０μｍ程度
のシリカ球などを用いることが好ましい。

【０１０５】この場合も、Ｘ線マスクウエハに力を加え
ずに接着できるため、Ｘ線マスクの位置歪みを抑えるこ
とができ、かつ真空吸着をしていないためＸ線マスク表
面にゴミが溜まることもない。

【０１０６】なお、図２４、図２７および図２８におい
ては、説明の便宜上、Ｘ線マスクウエハがシリコン基板
１とメンブレン２とから構成されている場合について示
しているが、これに限られず、メンブレン２上に反射防
止膜、Ｘ線吸収体、エッチマスク、レジストなどのいず
れかが形成されていてもよい。

【０１０７】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。

【０１０８】

【発明の効果】本発明の一の局面に従うＸ線マスクで
は、接着部を２点または３点としているため、接着によ
る４点目の力が加わることはなく、Ｘ線マスクウエハの
変形を最小限に抑えることができる。したがって、Ｘ線
マスクウエハの変形による転写の際のパターンの寸法精
度の劣化は生じない。

【０１０９】本発明の他の局面に従うＸ線マスクでは、
支持体と補強枠との間の内周端および外周端を全周にわ
たって隙間なく接着剤が埋込まれているため、支持体と
補強枠との間にゴミが入り込む隙間がない。よって、侵
入したゴミによって転写の際のパターンの寸法精度が劣
化したり、マスク基板が割れることはない。

【０１１０】また内周および外周の２周に分けているた
め、内周部と外周部との間の中央部の接着剤を省くこと
ができ、全面に接着剤を用いる場合よりも接着剤の量を
少なくすることができる。

【０１１１】上記局面において好ましくは、支持体と補
強枠との対向する面の間から外周側へはみ出した接着剤
の端部はＸ線マスクウエハの外周面に接する範囲内に位
置し、かつ支持体と補強枠との対向する面の間から内周
側へはみ出した接着剤の端部は補強枠の内周面に接する
範囲内に位置している。

【０１１２】これにより、はみ出した接着剤によって、
露光の際のＸ線マスクと露光されるべきウエハとの間の
ギャップ設定に支障が生じたり、接着剤が露光光を導く
ビームラインの取出口に接触することが防止される。

【０１１３】本発明の一の局面に従うＸ線マスクの製造
方法では、補強枠とＸ線マスクウエハとの位置が規制さ
れた状態でレジストがベークされるため、このベークに
よって接着剤が軟化しても補強枠とＸ線マスクウエハと
の熱による変形は防止される。このため、Ｘ線マスクウ
エハと補強枠との熱膨張差に基づくＸ線マスクウエハの
歪みの発生を防止でき、よって、転写の際のパターンの
寸法精度の劣化を防止することができる。

【０１１４】上記局面において好ましくは、補強枠に対
するＸ線マスクウエハの位置を規制した状態は、補強枠
とＸ線マスクウエハとを互いに押圧した状態である。

【０１１５】これにより、Ｘ線マスクウエハとサポート
リングとをレジストのベーク時に変形しないよう押さえ
つけることが可能となる。

【０１１６】上記局面において好ましくは、補強枠に対
するＸ線マスクウエハの位置を規制した状態は、互いに
動かないように補強枠とＸ線マスクウエハとの縦方向お
よび横方向の双方から保持部材を接触させた状態であ
る。

【０１１７】これにより、Ｘ線マスクウエハとサポート
リングとを、レジストのベーク時に変形しないよう保つ
ことができる。

【０１１８】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法では、外力を加えずに接着するため、この外力によ
ってＸ線マスクウエハがサポートリングの形状に合わせ
て変形することはない。よって、この変形による転写の
際のパターンの寸法精度の劣化が生じることが防止され
る。

【０１１９】上記局面において好ましくは、補強枠の接
着面の背面を真空吸着部材に真空吸着させて補強枠と支
持体とが接着される。

【０１２０】このようにＸ線マスクウエハではなく補強
枠を真空吸着することにより、Ｘ線マスクウエハの歪み
を防止でき、この歪みによる転写の際のパターンの寸法
精度の劣化を防止することができる。

【０１２１】また、Ｘ線マスクウエハではなく補強枠を
真空吸着することにより、Ｘ線マスクウエハを真空吸着
する場合よりもＸ線マスクウエハに付着するゴミの量を
少なくすることができる。このため、この付着したゴミ
による転写の際のパターンの寸法精度の劣化を防止する
ことができる。

【０１２２】また、Ｘ線マスクウエハに対する補強枠の
位置調整が容易となる。上記局面において好ましくは、
接着剤とは異なる材質よりなるスペーサを補強枠と支持
体との間に挟んで補強枠と支持体とが接着される。

【０１２３】これにより、Ｘ線マスクウエハに対する補
強枠の高さを規定しなくても、所定の隙間をもってＸ線
マスクウエハと補強枠とを保持し接着することが可能と
なる。

【０１２４】上記局面において好ましくは、Ｘ線マスク
ウエハと補強枠との保持は、Ｘ線マスクウエハの接着面
の接着を３点以下で支持する、およびＸ線マスクウエハ
の外周面を３点以下で支持するの少なくともいずれかで
行なわれる。

【０１２５】これにより、Ｘ線マスクウエハの位置決め
を行なうことができる。上記局面において好ましくは、
Ｘ線マスクウエハの支持体に補強枠を接着剤で接着した
後に、支持体上に塗布されたレジストを、接着剤のガラ
ス転移温度未満の温度でベークする工程がさらに備えら
れている。

【０１２６】これにより、接着剤が軟化することによる
転写の際のパターンの寸法精度の劣化を防止することが
できる。

【０１２７】本発明のさらに他の局面に従うＸ線マスク
の製造方法では、支持体は補強枠に接着された後に選択
的に除去されるため、補強枠の剛性により支持体に歪み
が生じることは抑制される。また、レジストのベーク温
度が接着剤のガラス転移温度未満とされているため、接
着剤の軟化による位置歪みも生じない。よって、転写の
際のパターンの寸法精度の劣化が防止される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第１工程を示す概略断面図である。

【図２】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第２工程を示す概略断面図である。

【図３】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第３工程を示す概略断面図である。

【図４】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第４工程を示す概略断面図である。

【図５】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第５工程を示す概略断面図である。

【図６】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第６工程を示す概略断面図である。

【図７】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
接着の際の様子を示す図である。

【図８】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
接着の際の様子を示す図である。

【図９】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の変形例を示す概略断面図である。

【図１０】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスク
の製造方法の変形例を示す概略断面図である。

【図１１】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスク
の製造方法の変形例を示す図である。

【図１２】 本発明の実施の形態２におけるＸ線マスク
の構成を概略的に示す平面図である。

【図１３】 本発明の実施の形態２におけるＸ線マスク
の構成を概略的に示す断面図である。

【図１４】 本発明の実施の形態２におけるＸ線マスク
の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。

【図１５】 本発明の実施の形態２におけるＸ線マスク
の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。

【図１６】 本発明の実施の形態２におけるＸ線マスク
の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。

【図１７】 本発明の実施の形態２におけるＸ線マスク
の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。

【図１８】 本発明の実施の形態２におけるＸ線マスク
の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。

【図１９】 本発明の実施の形態２におけるＸ線マスク
の製造方法の変形例を示す概略断面図である。

【図２０】 本発明の実施の形態３におけるＸ線マスク
の構成を概略的に示す断面図である。

【図２１】 本発明の実施の形態３におけるＸ線マスク
の構成を概略的に示す平面図である。

【図２２】 本発明の実施の形態４におけるＸ線マスク
の構成を概略的に示す断面図である。

【図２３】 本発明の実施の形態４におけるＸ線マスク
の構成を概略的に示す平面図である。

【図２４】 本発明の実施の形態５におけるＸ線マスク
の製造方法の接着の様子を示す図である。

【図２５】 Ｘ線マスクウエハを位置決めする様子を示
す図である。

【図２６】 Ｘ線マスクウエハを位置決めする様子を示
す図である。

【図２７】 本発明の実施の形態３におけるＸ線マスク
の製造方法の変形例を示す図である。

【図２８】 本発明の実施の形態５におけるＸ線マスク
の製造方法の変形例を示す図である。

【図２９】 従来のＸ線マスクの製造方法の第１工程を
示す概略断面図である。

【図３０】 従来のＸ線マスクの製造方法の第２工程を
示す概略断面図である。

【図３１】 従来のＸ線マスクの製造方法の第３工程を
示す概略断面図である。

【図３２】 従来のＸ線マスクの製造方法の第４工程を
示す概略断面図である。

【図３３】 従来のＸ線マスクの製造方法の第５工程を
示す概略断面図である。

【図３４】 従来のＸ線マスクの製造方法の第６工程を
示す概略断面図である。

【図３５】 従来のＸ線マスクの製造方法の第７工程を
示す概略断面図である。

【図３６】 公報に開示された接着方法を説明するため
の断面図である。

【図３７】 公報に開示された補強リングの接着面の様
子を示す図である。

【符号の説明】

１ シリコン基板、２ メンブレン、３ 反射防止膜、
４ Ｘ線吸収体、５エッチマスク、６ レジスト、７
サポートリング、８ 接着剤。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉瀬 幸司 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 綾 淳 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｘ線を透過する材質よりなるマスク基板
   と、前記マスク基板上に形成されかつＸ線を吸収する材
   質よりなるＸ線吸収体パターンと、前記マスク基板を支
   持する支持体とを有するＸ線マスクウエハと、 前記Ｘ線マスクウエハの前記支持体に２箇所または３箇
   所で接着された補強枠とを備えた、Ｘ線マスク。
2. 【請求項２】 Ｘ線を透過する材質よりなるマスク基板
   と、前記マスク基板上に形成されかつＸ線を吸収する材
   質よりなるＸ線吸収体パターンと、前記マスク基板を支
   持する支持体とを有するＸ線マスクウエハと、 前記Ｘ線マスクウエハの前記支持体に接着された補強枠
   と、 前記支持体と前記補強枠との対向する面の縁にそって内
   周および外周の２周に分けて前記支持体と前記補強枠と
   を接着し、かつ前記支持体と前記補強枠との間の内周端
   および外周端を全周にわたって隙間なく埋込む接着剤と
   を備えた、Ｘ線マスク。
3. 【請求項３】 前記支持体と前記補強枠との対向する面
   の間から外周側へはみ出した前記接着剤の端部は前記Ｘ
   線マスクウエハの外周面に接する範囲内に位置し、かつ
   前記支持体と前記補強枠との対向する面の間から内周側
   へはみ出した前記接着剤の端部は前記補強枠の内周面に
   接する範囲内に位置している、請求項２に記載のＸ線マ
   スク。
4. 【請求項４】 Ｘ線マスクの支持体に補強枠を接着した
   後に、前記支持体上に塗布されたレジストをベークする
   Ｘ線マスクの製造方法であって、 前記レジストをベークする工程は、前記補強枠に対する
   前記Ｘ線マスクウエハの位置を規制した状態で行なわれ
   る、Ｘ線マスクの製造方法。
5. 【請求項５】 前記補強枠に対するＸ線マスクウエハの
   位置を規制した状態は、前記補強枠と前記Ｘ線マスクウ
   エハとを互いに押圧した状態である、請求項４に記載の
   Ｘ線マスクの製造方法。
6. 【請求項６】 前記補強枠に対する前記Ｘ線マスクウエ
   ハの位置を規制した状態は、互いに動かないように前記
   補強枠と前記Ｘ線マスクウエハとの縦方向および横方向
   の双方から保持部材を接触させた状態である、請求項４
   に記載のＸ線マスクの製造方法。
7. 【請求項７】 Ｘ線マスクウエハの支持体に補強枠を接
   着するＸ線マスクの製造方法であって、 一定の間隔をおいて前記支持体と前記補強枠とを対向す
   るように保持した状態で外力を加えずに前記支持体と前
   記補強枠との対向面を接着する、Ｘ線マスクの製造方
   法。
8. 【請求項８】 前記補強枠の接着面の背面を真空吸着部
   材に真空吸着させて前記補強枠と前記支持体とを接着す
   る、請求項７に記載のＸ線マスクの製造方法。
9. 【請求項９】 接着剤とは異なる材質よりなるスペーサ
   を前記補強枠と前記支持体との間に挟んで前記補強枠と
   前記支持体とを接着する、請求項７に記載のＸ線マスク
   の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記Ｘ線マスクウエハの保持は、前記
    Ｘ線マスクウエハの接着面の背面を３点以下で保持す
    る、および前記Ｘ線マスクウエハの外周面を３点以下で
    保持するの少なくともいずれかで行なわれる、請求項７
    〜９のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法。
11. 【請求項１１】 前記Ｘ線マスクウエハの前記支持体に
    前記補強枠を接着剤で接着した後に、前記支持体上に塗
    布されたレジストを、前記接着剤のガラス転移温度未満
    の温度でベークする工程をさらに備える、請求項７〜１
    ０のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法。
12. 【請求項１２】 支持体上にＸ線を透過する材質よりな
    るマスク基板と、前記マスク基板の表面上にＸ線を吸収
    する材質よりなるＸ線吸収体とを順次成膜する工程と、 前記支持体を接着剤で補強枠に接着する工程と、 前記補強枠が接着された状態で前記マスク基板の裏面が
    露出するように前記支持体を選択的に除去する工程と、 前記Ｘ線吸収体上にレジストを塗布する工程と、 前記支持体を選択的に除去した後に、塗布された前記レ
    ジストを、前記接着剤のガラス転移温度未満の温度でベ
    ークする工程とを備えた、Ｘ線マスクの製造方法。