JPH11282419A - 素子駆動装置および方法、画像表示装置 - Google Patents
素子駆動装置および方法、画像表示装置Info
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Abstract
マトリクス駆動するような場合の電圧降下による動作不
良を防止する。 【解決手段】 制御電極22の制御信号によりスイッチ
ング手段17,20がオン状態とされると、信号電極2
1の制御電流が第二トランジスタ18により制御電圧に
変換されて電圧保持手段16に保持され、第一トランジ
スタ15のゲート電極に印加されるので、これで電源電
極13の駆動電圧が駆動電流に変換されて能動素子12
に供給される。能動素子12を動作制御するために信号
電極21には制御電圧でなく制御電流が入力されるの
で、一個の信号電極21に多数の能動素子12が接続さ
れる構造でも電圧降下による動作格差が発生しない。第
一第二トランジスタ15,18がカレントミラー回路を
形成するため、能動素子12には信号電極21の制御電
流に対応した駆動電流を供給できる。
Description
流により能動素子を駆動制御する素子駆動装置と、この
素子駆動装置で多数の能動素子を駆動制御する画像表示
装置とに関する。
が各種装置に利用されており、例えば、画像表示装置で
は能動素子として発光素子などの表示素子が利用されて
いる。この発光素子としてはEL素子などがあり、この
EL素子としては無機素子と有機素子とがある。
実現できるとして、例えば、液晶ディスプレイのバック
ライトなどとして実用化されている。一方、有機EL素
子は、開発から日が浅く耐久性などの研究課題を有する
が、低電圧の直流電流で駆動することができ、高輝度を
高効率に実現することかでき、応答性も良好であるなど
の特性を具備するため実用化が要望されている。有機E
L素子は上述のように電流で駆動制御されるため、電圧
で駆動制御される従来の無機EL素子とは素子駆動装置
の構造も相違することになる。
は、有機EL素子などの電流制御型の発光素子をアクテ
ィブマトリクス方式で駆動する素子駆動装置が開示され
ている。しかし、この素子駆動装置では、有機EL素子
の階調を複数のトランジスタのオンオフで制御するた
め、多階調を表現するためにはトランジスタの個数が膨
大となり実用的でない。
無機EL素子を電圧駆動する素子駆動装置が開示されて
いる。上記公報の素子駆動装置では、所定の駆動電圧が
印加される電源電極が無機EL素子にTFTを介して接
続されており、このTFTにより電源電極に印加される
駆動電圧をゲート電極に印加される制御電圧に対応した
駆動電流に変換して無機EL素子に供給する。
のゲート電極に電圧保持手段が接続されており、この電
圧保持手段に保持させる電圧を制御することで無機EL
素子の発光輝度を制御するので、前述した特開平8−5
4835号公報の装置のように、素子単位の階調数を増
加させるためにトランジスタの個数を増大させる必要も
ない。
電流制御型の能動素子である有機EL素子に応用した素
子駆動装置を一従来例として図15を参照して以下に説
明する。なお、同図は一従来例の素子駆動装置を示す回
路図である。
置1は、能動素子として有機EL素子2を具備してお
り、一対の電源電極として電源線3と接地線4とを具備
している。電源線3には所定の駆動電圧が印加されてお
り、接地線4は接地されている。
続されているが、接地線4にはTFT5を介して接続さ
れている。このTFT5は、電源線3から接地線4に印
加される駆動電圧をゲート電極に印加される制御電圧に
対応した駆動電流に変換して有機EL素子2に供給す
る。
として保持コンデンサ6が接続されており、この保持コ
ンデンサ6も接地線4に接続されている。また、この保
持コンデンサ6およびTFT5のゲート電極には、スイ
ッチング手段であるスイッチング素子7を介して信号電
極である信号線8が接続されており、このスイッチング
素子7の制御端子には、制御電極である制御線9が接続
されている。
TFT5のゲート電極に印加し、スイッチング素子7
は、保持コンデンサ6と信号線8との接続をオンオフす
る。信号線8には、有機EL素子2の発光輝度を駆動制
御するための制御電圧が供給され、制御線9には、スイ
ッチング素子7を動作制御するための制御信号が入力さ
れる。
機EL素子2を可変自在な発光輝度で駆動制御すること
ができる。その場合、制御線9に制御信号を入力してス
イッチング素子7をオン状態に動作制御し、この状態で
信号線8から有機EL素子2の発光輝度に対応した制御
電圧を保持コンデンサ6に供給して保持させる。
はTFT5のゲート電極に印加されるので、電源線3に
常時印加されている駆動電圧がTFT5によりゲート電
圧に対応した駆動電流に変換されて有機EL素子2に供
給されることになり、この状態は制御線9の制御信号に
よりスイッチング素子7がオフ状態に動作制御されても
継続される。
換されて有機EL素子2に供給される駆動電流は、保持
コンデンサ6からTFT5のゲート電極に印加される電
圧に対応するので、有機EL素子2は信号線8に供給さ
れた制御電圧に対応した輝度で発光することになる。
画像表示装置として利用することが想定されている。そ
の場合、(m×n)個の有機EL素子2をm行n列に配列
し、m個の信号線8とn個の制御線9とに制御電圧と制
御信号とをマトリクス入力して(m×n)個の保持コンデ
ンサ6に制御電圧を個々に保持させる。
n)個のTFT5により(m×n)個の保持コンデンサ6
の保持電圧に対応した駆動電流として(m×n)個の有機
EL素子2に個々に印加されるので、これらの有機EL
素子2を個々に相違する輝度で発光させて画素単位で階
調表現されたドットマトリクスの画像を表示することが
できる。
装置1では、有機EL素子2に可変自在に供給する駆動
電流をTFT5により電源線3に供給される駆動電圧か
ら生成することができる。このTFT5が駆動電圧から
生成する駆動電流は保持コンデンサ6の保持電圧により
制御することができ、この保持コンデンサ6の保持電圧
は信号線8に供給する制御電圧により制御することがで
きる。
前述のような画像表示装置を製造した場合、m個の信号
線8には(m×n)個の有機EL素子2がn個ずつ接続さ
れることになる。そこで、高精細な画像表示装置を形成
するために微細構造の信号線8に多数の有機EL素子2
を接続すると、信号線8での電圧降下により有機EL素
子2に供給される駆動電圧が変動することになる。
性が製造誤差のために一定しないと、保持コンデンサ6
に所望の制御電圧を保持させて電源線3に駆動電圧を供
給しても、有機EL素子2に供給される駆動電流は制御
電圧に対応しないことになる。
EL素子2が所望の輝度で発光しないことになるので、
素子駆動装置1を利用した画像表示装置による階調画像
の表示品質が低下することになる。
たものであり、有機EL素子などの能動素子を所望の状
態に動作制御できる素子駆動装置と、この素子駆動装置
を利用して多数の能動素子で画像を表示する画像表示装
置と、を提供することを目的とする。
置では、制御電極に入力される制御信号により第一第二
スイッチング手段がオン状態とされると、第二スイッチ
ング手段を介して信号電極から入力される制御電流が変
換トランジスタにより制御電圧に変換され、この制御電
圧が第一スイッチング手段を介して電圧保持手段に保持
される。この電圧保持手段に保持されてゲート電極に印
加される制御電圧に対応して駆動トランジスタが電源電
極の駆動電圧を駆動電流に変換するので、この駆動電流
が供給される能動素子は信号電極に入力された制御電流
に対応して動作制御されることになり、この動作状態は
第一第二スイッチング手段がオフ状態とされても電圧保
持手段の電圧保持により継続される。能動素子を動作制
御するために信号電極には制御電圧でなく制御電流が入
力されるので、一個の信号電極に多数の能動素子が接続
されるような構造でも、電圧降下による能動素子の動作
格差が発生しない。駆動トランジスタと変換トランジス
タとがカレントミラー回路を形成するため、駆動トラン
ジスタが製造誤差のために所望の動作特性を発揮しなく
とも、変換トランジスタが同様な製造誤差により動作特
性が同等に変動していれば、駆動トランジスタが駆動電
圧から変換する駆動電流は変換トランジスタに供給され
る制御電流に対応することになり、能動素子には信号電
極の制御電流に対応した駆動電流が供給される。
個の制御電極に順番に入力される制御信号により(m×
n)個の第一第二スイッチング手段がm個ずつオン状態
とされると、m個ずつオン状態とされる(m×n)個の第
二スイッチング手段を介してm個の信号電極から順番に
入力されるn個の制御電流が(m×n)個の変換トランジ
スタにより(m×n)個の制御電圧に順番に変換されるの
で、この(m×n)個の制御電圧がm個ずつオン状態とさ
れる(m×n)個の第一スイッチング手段を介して(m×
n)個の電圧保持手段に順番に保持される。この(m×
n)個の電圧保持手段の個々の保持電圧に対応して(m×
n)個の駆動トランジスタが一個の電源電極の駆動電圧
を駆動電流に個々に変換するので、この(m×n)個の駆
動電流が個々に供給される(m×n)個の能動素子は信号
電極に入力された制御電流に対応して個々に動作制御さ
れることになり、この動作状態は第一第二スイッチング
手段がオフ状態とされても電圧保持手段の電圧保持によ
り継続される。(m×n)個の能動素子を動作制御するた
めにm個の信号電極には制御電圧でなく制御電流が入力
されるので、m個の信号電極に多数の(m×n)個の能動
素子がn個ずつ接続された構造でも、電圧降下による
(m×n)個の能動素子の動作格差が発生しない。駆動ト
ランジスタと変換トランジスタとがカレントミラー回路
を形成するため、駆動トランジスタが製造誤差のために
所望の動作特性を発揮しなくとも、変換トランジスタが
同様な製造誤差により動作特性が同等に変動していれ
ば、駆動トランジスタが駆動電圧から変換する駆動電流
は変換トランジスタに供給される制御電流に対応するこ
とになり、能動素子には信号電極の制御電流に対応した
駆動電流が供給される。
て、変換トランジスタは制御電圧を制御電流に変換でき
れば良いので、例えば、これを抵抗素子とすることも可
能である。この場合、抵抗素子と駆動トランジスタとは
カレントミラー回路を形成しないので、信号電極から抵
抗素子に供給される制御電流と駆動トランジスタが駆動
電圧から変換する駆動電流との対応の精度は低下する
が、それでも能動素子には信号電極の制御電流に対応し
た駆動電流が供給されることになり、信号電極に制御電
圧を印加した場合の電圧降下が駆動電流に影響すること
はない。
て、駆動トランジスタとカレントミラー回路を形成する
変換トランジスタに、信号電極から制御電流でなく制御
電圧を印加することも可能である。この場合、信号電極
から変換トランジスタに入力される制御電圧は、変換ト
ランジスタに自身の電気抵抗により制御電流として入力
されるので、これが制御電圧に変換されて電圧保持手段
に保持される。信号電極の制御電圧には電圧降下が発生
するが、駆動トランジスタと変換トランジスタとがカレ
ントミラー回路を形成するので、駆動トランジスタと変
換トランジスタとの製造誤差による駆動電流の変動は防
止される。
る他の発明としては、前記能動素子が有機EL素子から
なる。従って、能動素子である有機EL素子が信号電極
に入力された制御電流に対応した輝度で発光することに
なる。
他の発明としては、前記駆動トランジスタと前記変換ト
ランジスタとの各々がTFTからなり、前記駆動トラン
ジスタと前記変換トランジスタとのTFTが一個の回路
基板の近接した位置に並設されている。
スタとの動作特性は同様な製造誤差により同等に変動す
るので、駆動トランジスタが駆動電圧から変換する駆動
電流は変換トランジスタに供給される制御電流に対応す
ることになり、能動素子には信号電極の制御電流に対応
した駆動電流が供給される。
る他の発明としては、前記駆動トランジスタに第一抵抗
素子が直列に接続されており、前記変換トランジスタに
第二抵抗素子が直列に接続されている。
する電流変化の割合が直列に接続された第一抵抗素子に
より低減されることになり、電源電極の駆動電圧の変動
による能動素子の駆動電流の変化の割合が低減される。
このような第一抵抗素子に対して第二抵抗素子が変換ト
ランジスタにも同様に接続されているので、駆動トラン
ジスタと変換トランジスタとのカレントミラー回路とし
ての動作は良好に維持される。
他の発明としては、前記第一第二抵抗素子の各々がドレ
イン電極とゲート電極とが短絡されたTFTからなる。
従って、第一第二抵抗素子の各々がドレイン電極とゲー
ト電極とが短絡されたTFTからなるので、これらは抵
抗素子として機能することになる。例えば、駆動トラン
ジスタと変換トランジスタともTFTからなる場合、こ
れらと第一第二抵抗素子のTFTとが同一工程で製造さ
れる。
る他の発明としては、前記第一抵抗素子と前記第二抵抗
素子とのTFTが一個の回路基板の近接した位置に並設
されている。従って、第一第二抵抗素子の抵抗特性は同
様な製造誤差により同等に変動するので、駆動トランジ
スタと変換トランジスタとのカレントミラー回路として
の動作が良好に維持される。
他の発明としては、前記第一スイッチング手段と前記第
二スイッチング手段とがTFTからなる。従って、駆動
トランジスタと変換トランジスタとや第一第二抵抗素子
がTFTからなる場合、これらと第一第二スイッチング
手段のTFTとが同一工程で製造される。
子駆動装置と、m行n列に配列された表示素子からなる
(m×n)個の前記能動素子と、を具備している。
n列に配列された表示素子からなる(m×n)個の能動素
子が、本発明の素子駆動装置により個々に相違する表示
状態に駆動されるので、画素単位で階調表現されたドッ
トマトリクスの画像が表示される。本発明の素子駆動装
置では、信号電極の制御電流に良好に対応した駆動電流
が能動素子に供給されるので、本発明の画像表示装置で
は、画素が個々に適正な階調濃度で表示動作を実行す
る。
子駆動装置の(m×n)個の前記能動素子がm行n列に配
列された表示素子からなる。
明の素子駆動装置の(m×n)個の能動素子が、m行n列
に配列された表示素子として個々に相違する表示状態に
駆動されるので、画素単位で階調表現されたドットマト
リクスの画像が表示される。本発明の素子駆動装置で
は、信号電極の制御電流に良好に対応した駆動電流が能
動素子に供給されるので、本発明の画像表示装置では、
画素が個々に適正な階調濃度で表示動作を実行する。
および図2を参照して以下に説明する。ただし、本実施
の形態に関して前述した一従来例と同一の部分は、同一
の名称を使用して詳細な説明は省略する。なお、図1は
本実施の形態の素子駆動装置の回路構造を示す回路図、
図2はTFTの薄膜構造を示す平面図である。
に示すように、一従来例の素子駆動装置1と同様に、能
動素子として有機EL素子12を具備しており、一対の
電源電極として電源線13と接地線14とを具備してい
る。電源線13には所定の駆動電圧が印加されており、
接地線14は接地されている。
に接続されており、接地線14にはポリシリコン製のn
チャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)FET
(Field Effect Transistor)からなる駆動TFT15を
介して接続されている。この駆動TFT15は、電源線
13から接地線14に印加される駆動電圧をゲート電極
に印加される制御電圧に対応した駆動電流に変換して有
機EL素子12に供給する。
持手段として保持コンデンサ16が接続されており、こ
の保持コンデンサ16も接地線14に接続されている。
この保持コンデンサ16および駆動TFT15のゲート
電極には、スイッチング手段である第一スイッチング素
子17の一端が接続されているが、一従来例の素子駆動
装置1とは相違して、この第一スイッチング素子17の
他端には、電流変換素子として変換トランジスタである
変換TFT18が接続されている。
に、駆動TFT15と同一構造に形成されており、一個
の回路基板19の駆動TFT15に近接した位置に並設
されている。この変換TFT18も駆動TFT15と同
様に接地線14に接続されており、これらのTFT1
5,18により第一スイッチング素子17を介してカレ
ントミラー回路が形成されている。
段である第二スイッチング素子20を介して信号電極で
ある信号線21が接続されており、この第二スイッチン
グ素子20の制御端子にも第一スイッチング素子17と
同様に制御電極である制御線22が接続されている。図
2に示すように、第一第二スイッチング素子17,20
も、駆動/変換TFT15,18と同様な構造のTFT
で形成されており、一個の回路基板19の表面に並設さ
れている。
従来例として前述した素子駆動装置1とは相違して、信
号線21に有機EL素子12の発光輝度を駆動制御する
ための制御信号が、可変自在な制御電圧でなく可変自在
な制御電流として供給される。
7と第二スイッチング素子20とを動作制御するための
制御信号が入力され、第二スイッチング素子20は、信
号線21と変換TFT18との接続をオンオフし、第一
スイッチング素子17は、変換TFT18と保持コンデ
ンサ16との接続をオンオフする。
素子20を介して信号線21から入力される制御電流を
制御電圧に変換し、保持コンデンサ16は、第一スイッ
チング素子17を介して変換TFT18から入力される
制御電圧を保持して駆動TFT15のゲート電極に印加
する。
に示すように、実際には画像表示装置1000の一部と
して利用されており、本実施の形態の画像表示装置10
00では、一個の回路基板19に(m×n)個の有機EL
素子12がm行n列に配列されて形成されている。
とされており、一個の直流電源1001が接続されてい
る。m個の接地線14も相互に接続されて一個とされて
おり、本体ハウジング(図示せず)などの大容量部品に
接続されることで接地されている。
各々発生するm個の電流ドライバ1002が個々に接続
されており、n個の制御線22の各々には、制御信号を
各々発生するn個の信号ドライバ1003が個々に接続
されている。これらのドライバ1002,1003の全
部が一個の統合制御回路(図示せず)に接続されてお
り、この統合制御回路がm個の電流ドライバ1002と
n個の信号ドライバ1003とのマトリクス駆動を統合
制御する。
4に示すように、電圧発生回路1004と電流変換回路
1005とを個々に具備しており、これらの回路100
4,1005が相互に接続されている。m個の電圧発生
回路1004の各々には、一個の直流電源1001と一
個の統合制御回路とが接続されており、m個の電流変換
回路1005の各々が、m個の信号線21に個々に接続
されている。
動作制御により直流電源1001が発生する定電圧から
各行のn個の有機EL素子12の輝度に対応した電圧を
順番に生成し、電流変換回路1005は、電圧発生回路
1004の発生電圧を“0〜2(μA)”の信号電流に変
換してm個の信号線21に個々に出力する。
の素子駆動装置11も、有機EL素子12を可変自在な
発光輝度で駆動制御することができる。その場合、制御
線22に制御信号を入力して第一第二スイッチング素子
17,20をオン状態に動作制御し、この状態で信号線
21に有機EL素子12の発光輝度に対応した制御電流
を入力する。
素子20を介して変換TFT18に入力されて制御電圧
に変換され、この制御電圧は第一スイッチング素子17
を介して保持コンデンサ16に保持される。この保持コ
ンデンサ16の保持電圧は駆動TFT15のゲート電極
に印加されるので、電源線13に常時印加されている駆
動電圧が駆動TFT15により駆動電流に変換されて有
機EL素子12に供給される。
TFT15のゲート電極に印加される電圧に対応するの
で、有機EL素子12は信号線21に供給された制御電
流に対応した輝度で発光することになり、この動作状態
は第一第二スイッチング素子17,20がオフ状態とさ
れても保持コンデンサ16の保持電圧により維持され
る。
を利用した画像表示装置1000では、縦横に配列され
た(m×n)個の有機EL素子12が個々に制御された輝
度で発光するので、これで画素単位で階調表現されたド
ットマトリクスの画像を表示することができる。
述のように有機EL素子12の発光輝度を制御するため
の制御信号を、制御電圧でなく制御電流として信号線2
1に入力する。このため、高精細な画像表示装置100
0を形成するために微細構造の信号線21に多数の有機
EL素子12を接続した構造でも、信号線21の電圧降
下により有機EL素子12の駆動電流に格差が発生する
ことがない。
では、駆動TFT15と変換TFT18とがカレントミ
ラー回路を形成するため、駆動TFT15が製造誤差の
ために所望の動作特性を発揮しなくとも、変換TFT1
8が同様な製造誤差により動作特性が同等に変動してい
れば、駆動TFT15が駆動電圧から変換する駆動電流
は変換TFT18に供給される制御電流に対応すること
になる。
1では、信号線21の制御電流に正確に対応した駆動電
流を有機EL素子12に供給することができるので、本
実施の形態の素子駆動装置11を利用した画像表示装置
1000は、画素単位で階調された画像を良好な品質で
表示することができる。
は、図2に示すように、カレントミラー回路を形成する
駆動/変換TFT15,18が一個の回路基板19の近
接した位置に並設されているので、駆動/変換TFT1
5,18の製造誤差を同様として動作特性を同等とする
ことができる。
は、第一第二スイッチング素子17,20もTFTから
なるので、これらの第一第二スイッチング素子17,2
0を駆動/変換TFT15,18と同一工程で製造する
ことができ、第一第二スイッチング素子17,20を形
成する専用の工程を必要としないので生産性が良好であ
る。
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では能動素子として有機EL
素子12を利用することを例示したが、本発明は可変自
在な駆動電流で駆動制御されるLED(Light Emitting
Diode)やLD(Laser Diode)などの各種の能動素子に適
用することができる。
トリクス状に縦横に配列して画像表示装置1000を形
成することを例示したが、例えば、素子駆動装置を一列
に配列して電子写真装置のラインヘッドを形成するよう
なことも可能である。さらに、上記形態では薄膜技術で
微細構造の素子駆動装置11を形成することを例示した
が、例えば、巨大な画像表示装置に対応するためにチッ
プ部品で素子駆動装置を組み立てるようなことも可能で
ある。
動素子である有機EL素子12を一部として具備するこ
とを例示したが、例えば、能動素子が配列された表示パ
ネルと素子駆動装置である回路パネルとを別体で形成し
て接合することも可能である。
5,18をnチャネル構造として有機EL素子12と接
地線14との中間に駆動TFT15を形成することを例
示したが、図5に第一の変形例として例示する素子駆動
装置31のように、駆動/変換TFT32,33をpチ
ャネル構造として有機EL素子12と電源線13との中
間に駆動TFT32を形成することも可能である。
8は、pチャネル構造のTFT32,33に比較して占
有面積が略半分であるため、装置の小型軽量化や有機E
L素子12の大面積化のためにはnチャネル構造のTF
T15,18を採用することが好ましい。
変換する電流変換素子として変換トランジスタである変
換TFT18を具備することを例示したが、図6に第二
の変形例として例示する素子駆動装置35のように、こ
の電流変換素子として抵抗素子36を利用することも可
能である。
とでカレントミラー回路は形成されないので、制御電流
と駆動電流との対応の精度は低下するが、それでも信号
線21には制御電圧でなく制御電流が供給されるので、
電圧降下による有機EL素子12の発光輝度の格差は防
止することができる。
でなく制御電流が供給されることを例示したが、これを
制御電圧としても変換/駆動TFT18,15とでカレ
ントミラー回路は形成されるので、制御電圧と駆動電流
とを良好に対応させることができる。
8に自身の電気抵抗により制御電流として入力されるこ
とになり、この制御電流を変換TFT18が制御電圧に
変換することになる。変換TFT18のMOS抵抗は製
造誤差が微小なので、変換TFT18の製造誤差による
制御電流の格差は微小である。
FT15のゲート電極に印加する電圧保持手段として単
体の部品からなる保持コンデンサ16を設けることを例
示したが、例えば、駆動TFT15のゲート電極を自身
の容量により電圧を保持する電圧保持手段とすることも
可能である。
を参照して以下に説明する。ただし、この実施の第二の
形態において前述した第一の形態と同一の部分は、同一
の名称および符号を使用して詳細な説明は省略する。な
お、図面は実施の第二の形態の素子駆動装置を示す回路
図である。
動TFT15に第一抵抗素子42が直列に接続されてお
り、変換TFT18に第二抵抗素子43が直列に接続さ
れている。これらの第一第二抵抗素子42,43は、例
えば、導電性の薄膜からなり、第一第二抵抗素子42,
43は同一の抵抗値に形成されている。
の素子駆動装置41は、前述した第一の形態の素子駆動
装置11と同様に機能する。ただし、本実施の形態の素
子駆動装置41では、駆動/変換TFT15に第一抵抗
素子42が直列に接続されているので、駆動TFT15
の電圧変動に対する電流変化の割合が第一抵抗素子42
により低減されている。
1は、電源線13の駆動電圧の変動に対して有機EL素
子12の駆動電流の変化が低減されるので、有機EL素
子12を所望の輝度で良好に発光させることができ、画
像表示装置を形成した場合の表示品質を向上させること
ができる。
いて、第一第二抵抗素子42,43も一個の回路基板1
9の表面の近接した位置に並設すれば、第一第二抵抗素
子42,43の製造誤差による抵抗特性の変動を同等と
することができるので、第一第二抵抗素子42,43に
よる駆動/変換TFT15,18の特性補正を同等とし
てカレントミラー回路を良好に動作させることができ
る。
抵抗素子42,43を前述のpチャネルの駆動/変換T
FT32,33に接続した素子駆動装置51も当然なが
ら実施可能である。
に、ドレイン電極とゲート電極とが短絡されたTFTで
第一第二抵抗素子62,63を形成することも可能であ
る。この場合、これらのTFTが抵抗素子として機能す
るので、素子駆動装置61も上述の素子駆動装置41と
同様に機能することができる。
二抵抗素子62,63は、駆動/変換TFT15,18
と同一工程で形成できるので、素子駆動装置61は生産
性が良好である。また、この第一第二抵抗素子62,6
3のTFTも一個の回路基板19の表面の近接した位置
に並設すれば、その製造誤差による抵抗特性の変動を同
等として駆動/変換TFT15,18からなるカレント
ミラー回路を良好に動作させることができる。
うに、pチャネルの駆動/変換TFT32,33にpチ
ャネルのTFTからなる第一第二抵抗素子72,73を
接続することも可能である。
うに、駆動トランジスタを並列に接続された複数のTF
T151〜153で形成して各々に複数の第一抵抗素子4
21〜423を一つずつ接続することも可能である。この
場合、カレントミラー回路として機能する駆動TFT1
51〜153と変換TFT18とに通電される電流の比率
が三対一となるので、微少な制御電流で多大な駆動電流
を有機EL素子12に供給することができる。
駆動トランジスタを並列に接続された複数のTFT15
1〜153として説明しているが、これは等価回路なので
実際には複数のTFT151〜153は変換TFT18の
三倍の面積の一個のTFTとして形成することができ、
同様に抵抗素子421〜423も一個の抵抗素子として形
成することができる。
電流比を設定した構造で第一第二抵抗素子を省略するこ
とも可能であり、図12に示す素子駆動装置91のよう
に、pチャネルの駆動/変換TFT321〜323,33
でカレントミラー回路の電流比を設定することも可能で
ある。
ように、カレントミラー回路の電流比を設定した構造で
第一第二抵抗素子621〜623,63をTFTで形成す
ることも可能であり、図14に示す素子駆動装置111
のように、カレントミラー回路の電流比を設定した構造
で第一第二抵抗素子721〜723,73をpチャネルの
TFTで形成することも可能である。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
動素子を可変自在な駆動電流で駆動制御する素子駆動装
置であって、所定の駆動電圧が印加される電源電極と、
この電源電極に印加される駆動電圧をゲート電極に印加
される制御電圧に対応した駆動電流に変換して前記能動
素子に供給する駆動トランジスタと、前記能動素子を駆
動制御するための制御電流が供給される信号電極と、該
信号電極に供給される制御電流を制御電圧に変換する電
流変換素子と、この電流変換素子により変換された制御
電圧を保持して前記駆動トランジスタのゲート電極に印
加する電圧保持手段と、この電圧保持手段の電圧保持を
動作制御するための制御信号が入力される制御電極と、
この制御電極に入力される制御信号に対応して前記電圧
保持手段と前記電流変換素子との接続をオンオフする第
一スイッチング手段と、前記制御電極に入力される制御
信号に対応して前記信号電極と前記電流変換素子との接
続をオンオフする第二スイッチング手段とを具備してい
ることにより、能動素子を動作制御するために信号電極
に制御電圧でなく制御電流が入力されるので、一個の信
号電極に多数の能動素子が接続されるような構造でも電
圧降下による能動素子の動作格差を防止することがで
き、信号電極の制御電流に対応した駆動電流を能動素子
に供給することができるので、能動素子を所望の状態に
動作制御することができる。
変自在な駆動電流で駆動制御される能動素子と、所定の
駆動電圧が印加される電源電極と、この電源電極に印加
される駆動電圧をゲート電極に印加される制御電圧に対
応した駆動電流に変換して前記能動素子に供給する駆動
トランジスタと、前記能動素子を駆動制御するための制
御電流が供給される信号電極と、該信号電極に供給され
る制御電流を制御電圧に変換する電流変換素子と、この
電流変換素子により変換された制御電圧を保持して前記
駆動トランジスタのゲート電極に印加する電圧保持手段
と、この電圧保持手段の電圧保持を動作制御するための
制御信号が入力される制御電極と、この制御電極に入力
される制御信号に対応して前記電圧保持手段と前記電流
変換素子との接続をオンオフする第一スイッチング手段
と、前記制御電極に入力される制御信号に対応して前記
信号電極と前記電流変換素子との接続をオンオフする第
二スイッチング手段とを具備していることにより、能動
素子を動作制御するために信号電極に制御電圧でなく制
御電流が入力されるので、一個の信号電極に多数の能動
素子が接続されるような構造でも電圧降下による能動素
子の動作格差を防止することができ、信号電極の制御電
流に対応した駆動電流を能動素子に供給することができ
るので、能動素子を所望の状態に動作制御することがで
きる。
(m×n)個の能動素子を可変自在な駆動電流で個々に駆
動制御する素子駆動装置であって、所定の駆動電圧が印
加される電源電極と、この一個の電源電極に印加される
駆動電圧を各々のゲート電極に個々に印加される制御電
圧に対応した駆動電流に個々に変換して(m×n)個の前
記能動素子に個々に供給する(m×n)個の駆動トランジ
スタと、(m×n)個の前記能動素子を個々に駆動制御す
るためのn個の制御電流が各々に順番に供給されるm個
の信号電極と、これらm個の信号電極の各々に順番に供
給されるn個の制御電流を(m×n)個の制御電圧に変換
する(m×n)個の電流変換素子と、これら(m×n)個の
電流変換素子により変換された(m×n)個の制御電圧を
個々に保持して(m×n)個の前記駆動トランジスタのゲ
ート電極に個々に印加する(m×n)個の電圧保持手段
と、これら(m×n)個の電圧保持手段の電圧保持を個々
に動作制御するための制御信号が順番に入力されるn個
の制御電極と、これらn個の制御電極に順番に入力され
るm個の制御信号に対応して(m×n)個の前記電圧保持
手段と(m×n)個の前記電流変換素子との接続を個々に
オンオフする(m×n)個の第一スイッチング手段と、n
個の前記制御電極に入力される制御信号に対応してm個
の前記信号電極と(m×n)個の前記電流変換素子との接
続を個々にオンオフする(m×n)個の第二スイッチング
手段とを具備していることにより、多数の能動素子を動
作制御するために信号電極に制御電圧でなく制御電流が
入力されるので、信号電極の電圧降下による多数の能動
素子の動作格差を防止することができ、信号電極の制御
電流に対応した駆動電流を能動素子に供給することがで
きるので、多数の能動素子を所望の状態に動作制御する
ことができる。
変自在な駆動電流で駆動制御される(m×n)個の能動素
子と、所定の駆動電圧が印加される電源電極と、この一
個の電源電極に印加される駆動電圧を各々のゲート電極
に個々に印加される制御電圧に対応した駆動電流に個々
に変換して(m×n)個の前記能動素子に個々に供給する
(m×n)個の駆動トランジスタと、(m×n)個の前記能
動素子を個々に駆動制御するためのn個の制御電流が各
々に順番に供給されるm個の信号電極と、これらm個の
信号電極の各々に順番に供給されるn個の制御電流を
(m×n)個の制御電圧に変換する(m×n)個の電流変換
素子と、これら(m×n)個の電流変換素子により変換さ
れた(m×n)個の制御電圧を個々に保持して(m×n)個
の前記駆動トランジスタのゲート電極に個々に印加する
(m×n)個の電圧保持手段と、これら(m×n)個の電圧
保持手段の電圧保持を個々に動作制御するための制御信
号が順番に入力されるn個の制御電極と、これらn個の
制御電極に順番に入力されるm個の制御信号に対応して
(m×n)個の前記電圧保持手段と(m×n)個の前記電流
変換素子との接続を個々にオンオフする(m×n)個の第
一スイッチング手段と、n個の前記制御電極に入力され
る制御信号に対応してm個の前記信号電極と(m×n)個
の前記電流変換素子との接続を個々にオンオフする(m
×n)個の第二スイッチング手段とを具備していること
により、多数の能動素子を動作制御するために信号電極
に制御電圧でなく制御電流が入力されるので、信号電極
の電圧降下による多数の能動素子の動作格差を防止する
ことができ、信号電極の制御電流に対応した駆動電流を
能動素子に供給することができるので、多数の能動素子
を所望の状態に動作制御することができる。
の何れか一記載の素子駆動装置であって、前記電流変換
素子が抵抗素子からなることにより、簡単な構造で信号
電極の制御電流を制御電圧に変換することができる。
の何れか一記載の素子駆動装置であって、前記電流変換
素子が前記駆動トランジスタとカレントミラー回路を形
成する変換トランジスタからなることにより、駆動トラ
ンジスタと変換トランジスタとがカレントミラー回路を
形成するため、信号電極の制御電流に対応した駆動電流
を能動素子に供給することができ、より良好な精度で能
動素子を所望の状態に動作制御することができる。
動素子を可変自在な駆動電流で駆動制御する素子駆動装
置であって、所定の駆動電圧が印加される電源電極と、
この電源電極に印加される駆動電圧をゲート電極に印加
される制御電圧に対応した駆動電流に変換して前記能動
素子に供給する駆動トランジスタと、前記能動素子を駆
動制御するための制御電圧が供給される信号電極と、前
記駆動トランジスタとカレントミラー回路を形成する構
造で前記信号電極に供給される制御電圧を自身の電気抵
抗により制御電流として入力して制御電圧に変換する変
換トランジスタと、この変換トランジスタにより変換さ
れた制御電圧を保持して前記駆動トランジスタのゲート
電極に印加する電圧保持手段と、この電圧保持手段の電
圧保持を動作制御するための制御信号が入力される制御
電極と、この制御電極に入力される制御信号に対応して
前記電圧保持手段と前記変換トランジスタとの接続をオ
ンオフする第一スイッチング手段と、前記制御電極に入
力される制御信号に対応して前記信号電極と前記変換ト
ランジスタとの接続をオンオフする第二スイッチング手
段とを具備していることにより、駆動トランジスタと変
換トランジスタとがカレントミラー回路を形成するた
め、信号電極の制御電圧に対応した駆動電流を能動素子
に供給することができ、能動素子を所望の状態に動作制
御することができる。
変自在な駆動電流で駆動制御される能動素子と、所定の
駆動電圧が印加される電源電極と、この電源電極に印加
される駆動電圧をゲート電極に印加される制御電圧に対
応した駆動電流に変換して前記能動素子に供給する駆動
トランジスタと、前記能動素子を駆動制御するための制
御電圧が供給される信号電極と、前記駆動トランジスタ
とカレントミラー回路を形成する構造で前記信号電極に
供給される制御電圧を自身の電気抵抗により制御電流と
して入力して制御電圧に変換する変換トランジスタと、
この変換トランジスタにより変換された制御電圧を保持
して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加する電圧
保持手段と、この電圧保持手段の電圧保持を動作制御す
るための制御信号が入力される制御電極と、この制御電
極に入力される制御信号に対応して前記電圧保持手段と
前記変換トランジスタとの接続をオンオフする第一スイ
ッチング手段と、前記制御電極に入力される制御信号に
対応して前記信号電極と前記変換トランジスタとの接続
をオンオフする第二スイッチング手段とを具備している
ことにより、駆動トランジスタと変換トランジスタとが
カレントミラー回路を形成するため、信号電極の制御電
圧に対応した駆動電流を能動素子に供給することがで
き、能動素子を所望の状態に動作制御することができ
る。
(m×n)個の能動素子を可変自在な駆動電流で個々に駆
動制御する素子駆動装置であって、所定の駆動電圧が印
加される電源電極と、この一個の電源電極に印加される
駆動電圧を各々のゲート電極に個々に印加される制御電
圧に対応した駆動電流に個々に変換して(m×n)個の前
記能動素子に個々に供給する(m×n)個の駆動トランジ
スタと、(m×n)個の前記能動素子を個々に駆動制御す
るためのn個の制御電圧が各々に順番に供給されるm個
の信号電極と、(m×n)個の前記駆動トランジスタの各
々とカレントミラー回路を個々に形成する構造でm個の
前記信号電極の各々に順番に供給されるn個の制御電圧
を自身の電気抵抗によりn個の制御電流として入力して
(m×n)個の制御電圧に変換する(m×n)個の変換トラ
ンジスタと、これら(m×n)個の変換トランジスタによ
り変換された(m×n)個の制御電圧を個々に保持して
(m×n)個の前記駆動トランジスタのゲート電極に個々
に印加する(m×n)個の電圧保持手段と、これら(m×
n)個の電圧保持手段の電圧保持を個々に動作制御する
ための制御信号が順番に入力されるn個の制御電極と、
これらn個の制御電極に順番に入力されるm個の制御信
号に対応して(m×n)個の前記電圧保持手段と(m×n)
個の前記変換トランジスタとの接続を個々にオンオフす
る(m×n)個の第一スイッチング手段と、n個の前記制
御電極に入力される制御信号に対応してm個の前記信号
電極と(m×n)個の前記変換トランジスタとの接続を個
々にオンオフする(m×n)個の第二スイッチング手段と
を具備していることにより、駆動トランジスタと変換ト
ランジスタとがカレントミラー回路を形成するため、信
号電極の制御電圧に対応した駆動電流を能動素子に供給
することができ、多数の能動素子を所望の状態に動作制
御することができる。
可変自在な駆動電流で駆動制御される(m×n)個の能動
素子と、所定の駆動電圧が印加される電源電極と、この
一個の電源電極に印加される駆動電圧を各々のゲート電
極に個々に印加される制御電圧に対応した駆動電流に個
々に変換して(m×n)個の前記能動素子に個々に供給す
る(m×n)個の駆動トランジスタと、(m×n)個の前記
能動素子を個々に駆動制御するためのn個の制御電圧が
各々に順番に供給されるm個の信号電極と、(m×n)個
の前記駆動トランジスタの各々とカレントミラー回路を
個々に形成する構造でm個の前記信号電極の各々に順番
に供給されるn個の制御電圧を自身の電気抵抗によりn
個の制御電流として入力して(m×n)個の制御電圧に変
換する(m×n)個の変換トランジスタと、これら(m×
n)個の変換トランジスタにより変換された(m×n)個
の制御電圧を個々に保持して(m×n)個の前記駆動トラ
ンジスタのゲート電極に個々に印加する(m×n)個の電
圧保持手段と、これら(m×n)個の電圧保持手段の電圧
保持を個々に動作制御するための制御信号が順番に入力
されるn個の制御電極と、これらn個の制御電極に順番
に入力されるm個の制御信号に対応して(m×n)個の前
記電圧保持手段と(m×n)個の前記変換トランジスタと
の接続を個々にオンオフする(m×n)個の第一スイッチ
ング手段と、n個の前記制御電極に入力される制御信号
に対応してm個の前記信号電極と(m×n)個の前記変換
トランジスタとの接続を個々にオンオフする(m×n)個
の第二スイッチング手段とを具備していることにより、
駆動トランジスタと変換トランジスタとがカレントミラ
ー回路を形成するため、信号電極の制御電圧に対応した
駆動電流を能動素子に供給することができ、多数の能動
素子を所望の状態に動作制御することができる。
10の何れか一記載の素子駆動装置であって、前記能動
素子が有機EL素子からなることにより、能動素子であ
る有機EL素子を信号電極の制御電流に対応した輝度で
発光させることができる。
11の何れか一記載の素子駆動装置であって、前記駆動
トランジスタと前記変換トランジスタとの各々がTFT
からなり、前記駆動トランジスタと前記変換トランジス
タとのTFTが一個の回路基板の近接した位置に並設さ
れていることにより、駆動トランジスタと変換トランジ
スタとの製造誤差による動作特性の変動を同等すること
ができるので、駆動トランジスタが駆動電圧から変換す
る駆動電流を変換トランジスタに供給される制御電流に
正確に対応させることができ、能動素子を所望の状態に
正確に動作制御することができる。
12の何れか一記載の素子駆動装置であって、前記駆動
トランジスタに第一抵抗素子が直列に接続されており、
前記変換トランジスタに第二抵抗素子が直列に接続され
ていることにより、駆動トランジスタの電圧変動に対す
る電流変化の割合を低減することができ、第一第二抵抗
素子により駆動トランジスタと変換トランジスタとのカ
レントミラー回路としての動作を良好に維持することが
できるので、能動素子を所望の状態に正確に動作制御す
ることができる。
の素子駆動装置であって、前記第一第二抵抗素子の各々
がドレイン電極とゲート電極とが短絡されたTFTから
なることにより、例えば、駆動トランジスタと変換トラ
ンジスタともTFTからなる場合、これらと第一第二抵
抗素子のTFTとを同一工程で製造することができるの
で、素子駆動装置の生産性を向上させることができる。
の素子駆動装置であって、前記第一抵抗素子と前記第二
抵抗素子とのTFTが一個の回路基板の近接した位置に
並設されていることにより、第一第二抵抗素子の製造誤
差による特性変動を同等とすることができるので、駆動
トランジスタと変換トランジスタとをカレントミラー回
路として良好に動作させることができる。
15の何れか一記載の素子駆動装置であって、前記第一
スイッチング手段と前記第二スイッチング手段とがTF
Tからなることにより、駆動トランジスタと変換トラン
ジスタとや第一第二抵抗素子がTFTからなる場合、こ
れらと第一第二スイッチング手段のTFTとを同一工程
で製造することができるので、素子駆動装置の生産性を
向上させることができる。
可変自在な駆動電流で駆動制御される能動素子と、所定
の駆動電圧が印加される電源電極と、該電源電極に印加
される駆動電圧をゲート電極に印加される制御電圧に対
応した駆動電流に変換して前記能動素子に供給する駆動
トランジスタと、前記能動素子を駆動制御するための制
御電力が供給される信号電極と、該信号電極に供給され
る制御電力に対応した制御電圧を保持して前記駆動トラ
ンジスタのゲート電極に印加する電圧保持手段と、該電
圧保持手段の電圧保持を動作制御するための制御信号が
入力される制御電極と、を具備している素子駆動装置の
素子駆動方法において、前記信号電極に制御電力として
制御電流を供給し、該信号電極に供給される制御電流を
電流変換素子により制御電圧に変換して前記電圧保持手
段に保持させ、前記制御電極に入力される制御信号に対
応して前記電圧保持手段と前記電流変換素子との接続を
オンオフするとともに前記信号電極と前記電流変換素子
との接続もオンオフするようにしたことにより、能動素
子を動作制御するために信号電極に制御電圧でなく制御
電流が入力されるので、一個の信号電極に多数の能動素
子が接続されるような構造でも電圧降下による能動素子
の動作格差を防止することができ、信号電極の制御電流
に対応した駆動電流を能動素子に供給することができる
ので、能動素子を所望の状態に動作制御することができ
る。
可変自在な駆動電流で駆動制御される能動素子と、所定
の駆動電圧が印加される電源電極と、該電源電極に印加
される駆動電圧をゲート電極に印加される制御電圧に対
応した駆動電流に変換して前記能動素子に供給する駆動
トランジスタと、前記能動素子を駆動制御するための制
御電圧が供給される信号電極と、該信号電極に供給され
る制御電圧を保持して前記駆動トランジスタのゲート電
極に印加する電圧保持手段と、該電圧保持手段の電圧保
持を動作制御するための制御信号が入力される制御電極
と、を具備している素子駆動装置の素子駆動方法であっ
て、前記信号電極に供給される制御電圧を前記駆動トラ
ンジスタとカレントミラー回路を形成する構造の変換ト
ランジスタに電気抵抗で制御電流として入力させて制御
電圧に変換させてから前記電圧保持手段に保持させ、前
記制御電極に入力される制御信号に対応して前記電圧保
持手段と前記変換トランジスタとの接続をオンオフする
とともに前記信号電極と前記変換トランジスタとの接続
をオンオフするようにしたことにより、駆動トランジス
タと変換トランジスタとがカレントミラー回路を形成す
るため、信号電極の制御電圧に対応した駆動電流を能動
素子に供給することができ、能動素子を所望の状態に動
作制御することができる。
可変自在な駆動電流で駆動制御される能動素子と、所定
の駆動電圧が印加される電源電極と、該電源電極に印加
される駆動電圧をゲート電極に印加される制御電圧に対
応した駆動電流に変換して前記能動素子に供給する駆動
トランジスタと、前記能動素子を駆動制御するための制
御電力が供給される信号電極と、該信号電極に供給され
る制御電力に対応した制御電圧を保持して前記駆動トラ
ンジスタのゲート電極に印加する電圧保持手段と、該電
圧保持手段の電圧保持を動作制御するための制御信号が
入力される制御電極と、を具備している素子駆動装置の
素子駆動方法において、前記信号電極に制御電力として
制御電流を供給し、前記信号電極に供給される制御電流
を前記駆動トランジスタとカレントミラー回路を形成す
る構造の変換トランジスタにより制御電圧に変換して前
記電圧保持手段に保持させ、前記制御電極に入力される
制御信号に対応して前記電圧保持手段と前記変換トラン
ジスタとの接続をオンオフするとともに前記信号電極と
前記変換トランジスタとの接続もオンオフするようにし
たことにより、能動素子を動作制御するために信号電極
に制御電圧でなく制御電流が入力されるので、一個の信
号電極に多数の能動素子が接続されるような構造でも電
圧降下による能動素子の動作格差を防止することがで
き、駆動トランジスタと変換トランジスタとがカレント
ミラー回路を形成するため、信号電極の制御電流に対応
した駆動電流を能動素子に供給することができ、能動素
子を所望の状態に動作制御することができる。
能動素子を可変自在な駆動電流で駆動制御する素子駆動
方法であって、第一第二トランジスタをカレントミラー
回路として動作させ、前記第一トランジスタが前記能動
素子を駆動する電流源として動作するように、前記第二
トランジスタを駆動する信号を電流値が切換自在な定電
流源から供給される電流信号とするようにしたことによ
り、能動素子を動作制御するために信号電極に制御電圧
でなく制御電流が入力されるので、一個の信号電極に多
数の能動素子が接続されるような構造でも電圧降下によ
る能動素子の動作格差を防止することができ、駆動トラ
ンジスタと変換トランジスタとがカレントミラー回路を
形成するため、信号電極の制御電流に対応した駆動電流
を能動素子に供給することができ、能動素子を所望の状
態に動作制御することができる。
能動素子を可変自在な駆動電流で駆動制御する素子駆動
方法であって、前記能動素子の駆動電流を駆動トランジ
スタで直接制御し、前記駆動トランジスタの駆動電圧を
制御する信号を電流値が切換自在な定電流源から供給さ
れる電流信号とするようにしたことにより、能動素子を
動作制御するために信号電極に制御電圧でなく制御電流
が入力されるので、一個の信号電極に多数の能動素子が
接続されるような構造でも電圧降下による能動素子の動
作格差を防止することができ、信号電極の制御電流に対
応した駆動電流を能動素子に供給することができるの
で、能動素子を所望の状態に動作制御することができ
る。
請求項3記載の発明の素子駆動装置と、m行n列に配列
された表示素子からなる(m×n)個の前記能動素子と、
を具備していることにより、画素単位で階調されたm行
n列のドットマトリクスの画像を良好な品質で表示する
ことができる。
請求項4記載の発明の素子駆動装置の(m×n)個の前記
能動素子がm行n列に配列された表示素子からなること
により、画素単位で階調されたm行n列のドットマトリ
クスの画像を良好な品質で表示することができる。
す回路図である。
構造を示す平面図である。
すブロック図である。
図である。
る。
る。
す回路図である。
る。
る。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
る。
1,101,111素子駆動装置 12 能動素子である有機EL素子 13 電源電極である電源線 14 電源電極である接地線 15,32 駆動トランジスタである駆動TFT 16 電圧保持手段である保持コンデンサ 17 第一スイッチング手段である第一スイッチング
素子 18,33 電流変換素子であり変換トランジスタで
ある変換TFT 19 回路基板 20 第二スイッチング手段である第二スイッチング
素子 21 信号電極である信号線 22 制御電極である制御線 36 電流変換素子である抵抗素子 42,62,72 第一抵抗素子 43,63,73 第二抵抗素子
Claims (23)
- 【請求項1】 能動素子を可変自在な駆動電流で駆動制
御する素子駆動装置であって、 所定の駆動電圧が印加される電源電極と、 この電源電極に印加される駆動電圧をゲート電極に印加
される制御電圧に対応した駆動電流に変換して前記能動
素子に供給する駆動トランジスタと、 前記能動素子を駆動制御するための制御電流が供給され
る信号電極と、 該信号電極に供給される制御電流を制御電圧に変換する
電流変換素子と、 この電流変換素子により変換された制御電圧を保持して
前記駆動トランジスタのゲート電極に印加する電圧保持
手段と、 この電圧保持手段の電圧保持を動作制御するための制御
信号が入力される制御電極と、 この制御電極に入力される制御信号に対応して前記電圧
保持手段と前記電流変換素子との接続をオンオフする第
一スイッチング手段と、 前記制御電極に入力される制御信号に対応して前記信号
電極と前記電流変換素子との接続をオンオフする第二ス
イッチング手段と、を具備している素子駆動装置。 - 【請求項2】 可変自在な駆動電流で駆動制御される能
動素子と、 所定の駆動電圧が印加される電源電極と、 この電源電極に印加される駆動電圧をゲート電極に印加
される制御電圧に対応した駆動電流に変換して前記能動
素子に供給する駆動トランジスタと、 前記能動素子を駆動制御するための制御電流が供給され
る信号電極と、 該信号電極に供給される制御電流を制御電圧に変換する
電流変換素子と、 この電流変換素子により変換された制御電圧を保持して
前記駆動トランジスタのゲート電極に印加する電圧保持
手段と、 この電圧保持手段の電圧保持を動作制御するための制御
信号が入力される制御電極と、 この制御電極に入力される制御信号に対応して前記電圧
保持手段と前記電流変換素子との接続をオンオフする第
一スイッチング手段と、 前記制御電極に入力される制御信号に対応して前記信号
電極と前記電流変換素子との接続をオンオフする第二ス
イッチング手段と、を具備している素子駆動装置。 - 【請求項3】 (m×n:mおよびnは自然数)個の能動
素子を可変自在な駆動電流で個々に駆動制御する素子駆
動装置であって、 所定の駆動電圧が印加される電源電極と、 この一個の電源電極に印加される駆動電圧を各々のゲー
ト電極に個々に印加される制御電圧に対応した駆動電流
に個々に変換して(m×n)個の前記能動素子に個々に供
給する(m×n)個の駆動トランジスタと、 (m×n)個の前記能動素子を個々に駆動制御するための
n個の制御電流が各々に順番に供給されるm個の信号電
極と、 これらm個の信号電極の各々に順番に供給されるn個の
制御電流を(m×n)個の制御電圧に変換する(m×n)個
の電流変換素子と、 これら(m×n)個の電流変換素子により変換された(m
×n)個の制御電圧を個々に保持して(m×n)個の前記
駆動トランジスタのゲート電極に個々に印加する(m×
n)個の電圧保持手段と、 これら(m×n)個の電圧保持手段の電圧保持を個々に動
作制御するための制御信号が順番に入力されるn個の制
御電極と、 これらn個の制御電極に順番に入力されるm個の制御信
号に対応して(m×n)個の前記電圧保持手段と(m×n)
個の前記電流変換素子との接続を個々にオンオフする
(m×n)個の第一スイッチング手段と、 n個の前記制御電極に入力される制御信号に対応してm
個の前記信号電極と(m×n)個の前記電流変換素子との
接続を個々にオンオフする(m×n)個の第二スイッチン
グ手段と、を具備している素子駆動装置。 - 【請求項4】 可変自在な駆動電流で駆動制御される
(m×n)個の能動素子と、 所定の駆動電圧が印加される電源電極と、 この一個の電源電極に印加される駆動電圧を各々のゲー
ト電極に個々に印加される制御電圧に対応した駆動電流
に個々に変換して(m×n)個の前記能動素子に個々に供
給する(m×n)個の駆動トランジスタと、 (m×n)個の前記能動素子を個々に駆動制御するための
n個の制御電流が各々に順番に供給されるm個の信号電
極と、 これらm個の信号電極の各々に順番に供給されるn個の
制御電流を(m×n)個の制御電圧に変換する(m×n)個
の電流変換素子と、 これら(m×n)個の電流変換素子により変換された(m
×n)個の制御電圧を個々に保持して(m×n)個の前記
駆動トランジスタのゲート電極に個々に印加する(m×
n)個の電圧保持手段と、 これら(m×n)個の電圧保持手段の電圧保持を個々に動
作制御するための制御信号が順番に入力されるn個の制
御電極と、 これらn個の制御電極に順番に入力されるm個の制御信
号に対応して(m×n)個の前記電圧保持手段と(m×n)
個の前記電流変換素子との接続を個々にオンオフする
(m×n)個の第一スイッチング手段と、 n個の前記制御電極に入力される制御信号に対応してm
個の前記信号電極と(m×n)個の前記電流変換素子との
接続を個々にオンオフする(m×n)個の第二スイッチン
グ手段と、を具備している素子駆動装置。 - 【請求項5】 前記電流変換素子が抵抗素子からなる請
求項1ないし4の何れか一記載の素子駆動装置。 - 【請求項6】 前記電流変換素子が前記駆動トランジス
タとカレントミラー回路を形成する変換トランジスタか
らなる請求項1ないし4の何れか一記載の素子駆動装
置。 - 【請求項7】 能動素子を可変自在な駆動電流で駆動制
御する素子駆動装置であって、 所定の駆動電圧が印加される電源電極と、 この電源電極に印加される駆動電圧をゲート電極に印加
される制御電圧に対応した駆動電流に変換して前記能動
素子に供給する駆動トランジスタと、 前記能動素子を駆動制御するための制御電圧が供給され
る信号電極と、 前記駆動トランジスタとカレントミラー回路を形成する
構造で前記信号電極に供給される制御電圧を自身の電気
抵抗により制御電流として入力して制御電圧に変換する
変換トランジスタと、 この変換トランジスタにより変換された制御電圧を保持
して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加する電圧
保持手段と、 この電圧保持手段の電圧保持を動作制御するための制御
信号が入力される制御電極と、 この制御電極に入力される制御信号に対応して前記電圧
保持手段と前記変換トランジスタとの接続をオンオフす
る第一スイッチング手段と、 前記制御電極に入力される制御信号に対応して前記信号
電極と前記変換トランジスタとの接続をオンオフする第
二スイッチング手段と、を具備している素子駆動装置。 - 【請求項8】 可変自在な駆動電流で駆動制御される能
動素子と、 所定の駆動電圧が印加される電源電極と、 この電源電極に印加される駆動電圧をゲート電極に印加
される制御電圧に対応した駆動電流に変換して前記能動
素子に供給する駆動トランジスタと、 前記能動素子を駆動制御するための制御電圧が供給され
る信号電極と、 前記駆動トランジスタとカレントミラー回路を形成する
構造で前記信号電極に供給される制御電圧を自身の電気
抵抗により制御電流として入力して制御電圧に変換する
変換トランジスタと、 この変換トランジスタにより変換された制御電圧を保持
して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加する電圧
保持手段と、 この電圧保持手段の電圧保持を動作制御するための制御
信号が入力される制御電極と、 この制御電極に入力される制御信号に対応して前記電圧
保持手段と前記変換トランジスタとの接続をオンオフす
る第一スイッチング手段と、 前記制御電極に入力される制御信号に対応して前記信号
電極と前記変換トランジスタとの接続をオンオフする第
二スイッチング手段と、を具備している素子駆動装置。 - 【請求項9】 (m×n)個の能動素子を可変自在な駆動
電流で個々に駆動制御する素子駆動装置であって、 所定の駆動電圧が印加される電源電極と、 この一個の電源電極に印加される駆動電圧を各々のゲー
ト電極に個々に印加される制御電圧に対応した駆動電流
に個々に変換して(m×n)個の前記能動素子に個々に供
給する(m×n)個の駆動トランジスタと、 (m×n)個の前記能動素子を個々に駆動制御するための
n個の制御電圧が各々に順番に供給されるm個の信号電
極と、 (m×n)個の前記駆動トランジスタの各々とカレントミ
ラー回路を個々に形成する構造でm個の前記信号電極の
各々に順番に供給されるn個の制御電圧を自身の電気抵
抗によりn個の制御電流として入力して(m×n)個の制
御電圧に変換する(m×n)個の変換トランジスタと、 これら(m×n)個の変換トランジスタにより変換された
(m×n)個の制御電圧を個々に保持して(m×n)個の前
記駆動トランジスタのゲート電極に個々に印加する(m
×n)個の電圧保持手段と、 これら(m×n)個の電圧保持手段の電圧保持を個々に動
作制御するための制御信号が順番に入力されるn個の制
御電極と、 これらn個の制御電極に順番に入力されるm個の制御信
号に対応して(m×n)個の前記電圧保持手段と(m×n)
個の前記変換トランジスタとの接続を個々にオンオフす
る(m×n)個の第一スイッチング手段と、 n個の前記制御電極に入力される制御信号に対応してm
個の前記信号電極と(m×n)個の前記変換トランジスタ
との接続を個々にオンオフする(m×n)個の第二スイッ
チング手段と、を具備している素子駆動装置。 - 【請求項10】 可変自在な駆動電流で駆動制御される
(m×n)個の能動素子と、 所定の駆動電圧が印加される電源電極と、 この一個の電源電極に印加される駆動電圧を各々のゲー
ト電極に個々に印加される制御電圧に対応した駆動電流
に個々に変換して(m×n)個の前記能動素子に個々に供
給する(m×n)個の駆動トランジスタと、 (m×n)個の前記能動素子を個々に駆動制御するための
n個の制御電圧が各々に順番に供給されるm個の信号電
極と、 (m×n)個の前記駆動トランジスタの各々とカレントミ
ラー回路を個々に形成する構造でm個の前記信号電極の
各々に順番に供給されるn個の制御電圧を自身の電気抵
抗によりn個の制御電流として入力して(m×n)個の制
御電圧に変換する(m×n)個の変換トランジスタと、 これら(m×n)個の変換トランジスタにより変換された
(m×n)個の制御電圧を個々に保持して(m×n)個の前
記駆動トランジスタのゲート電極に個々に印加する(m
×n)個の電圧保持手段と、 これら(m×n)個の電圧保持手段の電圧保持を個々に動
作制御するための制御信号が順番に入力されるn個の制
御電極と、 これらn個の制御電極に順番に入力されるm個の制御信
号に対応して(m×n)個の前記電圧保持手段と(m×n)
個の前記変換トランジスタとの接続を個々にオンオフす
る(m×n)個の第一スイッチング手段と、 n個の前記制御電極に入力される制御信号に対応してm
個の前記信号電極と(m×n)個の前記変換トランジスタ
との接続を個々にオンオフする(m×n)個の第二スイッ
チング手段と、を具備している素子駆動装置。 - 【請求項11】 前記能動素子が有機EL(Electro-Lum
inescence)素子からなる請求項1ないし10の何れか一
記載の素子駆動装置。 - 【請求項12】 前記駆動トランジスタと前記変換トラ
ンジスタとの各々がTFT(Thin Film Transistor)から
なり、 前記駆動トランジスタと前記変換トランジスタとのTF
Tが一個の回路基板の近接した位置に並設されている請
求項6ないし11の何れか一記載の素子駆動装置。 - 【請求項13】 前記駆動トランジスタに第一抵抗素子
が直列に接続されており、 前記変換トランジスタに第二抵抗素子が直列に接続され
ている請求項1ないし12の何れか一記載の素子駆動装
置。 - 【請求項14】 前記第一第二抵抗素子の各々がドレイ
ン電極とゲート電極とが短絡されたTFTからなる請求
項13記載の素子駆動装置。 - 【請求項15】 前記第一抵抗素子と前記第二抵抗素子
とのTFTが一個の回路基板の近接した位置に並設され
ている請求項14記載の素子駆動装置。 - 【請求項16】 前記第一スイッチング手段と前記第二
スイッチング手段とがTFTからなる請求項1ないし1
5の何れか一記載の素子駆動装置。 - 【請求項17】 可変自在な駆動電流で駆動制御される
能動素子と、所定の駆動電圧が印加される電源電極と、
該電源電極に印加される駆動電圧をゲート電極に印加さ
れる制御電圧に対応した駆動電流に変換して前記能動素
子に供給する駆動トランジスタと、前記能動素子を駆動
制御するための制御電力が供給される信号電極と、該信
号電極に供給される制御電力に対応した制御電圧を保持
して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加する電圧
保持手段と、該電圧保持手段の電圧保持を動作制御する
ための制御信号が入力される制御電極と、を具備してい
る素子駆動装置の素子駆動方法において、 前記信号電極に制御電力として制御電流を供給し、 該信号電極に供給される制御電流を電流変換素子により
制御電圧に変換して前記電圧保持手段に保持させ、 前記制御電極に入力される制御信号に対応して前記電圧
保持手段と前記電流変換素子との接続をオンオフすると
ともに前記信号電極と前記電流変換素子との接続もオン
オフするようにした素子駆動方法。 - 【請求項18】 可変自在な駆動電流で駆動制御される
能動素子と、所定の駆動電圧が印加される電源電極と、
該電源電極に印加される駆動電圧をゲート電極に印加さ
れる制御電圧に対応した駆動電流に変換して前記能動素
子に供給する駆動トランジスタと、前記能動素子を駆動
制御するための制御電圧が供給される信号電極と、該信
号電極に供給される制御電圧を保持して前記駆動トラン
ジスタのゲート電極に印加する電圧保持手段と、該電圧
保持手段の電圧保持を動作制御するための制御信号が入
力される制御電極と、を具備している素子駆動装置の素
子駆動方法であって、 前記信号電極に供給される制御電圧を前記駆動トランジ
スタとカレントミラー回路を形成する構造の変換トラン
ジスタに電気抵抗で制御電流として入力させて制御電圧
に変換させてから前記電圧保持手段に保持させ、 前記制御電極に入力される制御信号に対応して前記電圧
保持手段と前記変換トランジスタとの接続をオンオフす
るとともに前記信号電極と前記変換トランジスタとの接
続をオンオフするようにした素子駆動方法。 - 【請求項19】 可変自在な駆動電流で駆動制御される
能動素子と、所定の駆動電圧が印加される電源電極と、
該電源電極に印加される駆動電圧をゲート電極に印加さ
れる制御電圧に対応した駆動電流に変換して前記能動素
子に供給する駆動トランジスタと、前記能動素子を駆動
制御するための制御電力が供給される信号電極と、該信
号電極に供給される制御電力に対応した制御電圧を保持
して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加する電圧
保持手段と、該電圧保持手段の電圧保持を動作制御する
ための制御信号が入力される制御電極と、を具備してい
る素子駆動装置の素子駆動方法において、 前記信号電極に制御電力として制御電流を供給し、 前記信号電極に供給される制御電流を前記駆動トランジ
スタとカレントミラー回路を形成する構造の変換トラン
ジスタにより制御電圧に変換して前記電圧保持手段に保
持させ、 前記制御電極に入力される制御信号に対応して前記電圧
保持手段と前記変換トランジスタとの接続をオンオフす
るとともに前記信号電極と前記変換トランジスタとの接
続もオンオフするようにした素子駆動方法。 - 【請求項20】 能動素子を可変自在な駆動電流で駆動
制御する素子駆動方法であって、 第一第二トランジスタをカレントミラー回路として動作
させ、 前記第一トランジスタが前記能動素子を駆動する電流源
として動作するように、前記第二トランジスタを駆動す
る信号を電流値が切換自在な定電流源から供給される電
流信号とするようにした素子駆動方法。 - 【請求項21】 能動素子を可変自在な駆動電流で駆動
制御する素子駆動方法であって、 前記能動素子の駆動電流を駆動トランジスタで直接制御
し、 前記駆動トランジスタの駆動電圧を制御する信号を電流
値が切換自在な定電流源から供給される電流信号とする
ようにした素子駆動方法。 - 【請求項22】 請求項3記載の発明の素子駆動装置
と、 m行n列に配列された表示素子からなる(m×n)個の前
記能動素子と、を具備している画像表示装置。 - 【請求項23】 請求項4記載の発明の素子駆動装置の
(m×n)個の前記能動素子がm行n列に配列された表示
素子からなる画像表示装置。
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US09/275,889 US6091203A (en) | 1998-03-31 | 1999-03-25 | Image display device with element driving device for matrix drive of multiple active elements |
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---|---|---|---|
JP08657898A Expired - Lifetime JP3252897B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 素子駆動装置および方法、画像表示装置 |
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Cited By (180)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001166737A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Tdk Corp | カラー画像表示装置 |
KR20010051698A (ko) * | 1999-11-18 | 2001-06-25 | 이데이 노부유끼 | 표시 장치 |
EP1130565A1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-09-05 | Sony Corporation | Current drive circuit and display comprising the same, pixel circuit, and drive method |
EP1132882A2 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-12 | Lg Electronics Inc. | Active driving circuit for display panel |
EP1170718A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-09 | Seiko Epson Corporation | Current sampling circuit for organic electroluminescent display |
JP2002023697A (ja) * | 2000-04-27 | 2002-01-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2002049333A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
WO2002039420A1 (fr) * | 2000-11-07 | 2002-05-16 | Sony Corporation | Affichage a matrice active et affichage electroluminescent organique a matrice active |
JP2002517806A (ja) * | 1998-06-12 | 2002-06-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリックス電界発光表示装置 |
JP2002175029A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及び表示装置 |
JP2002518691A (ja) * | 1998-06-12 | 2002-06-25 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリックス電界発光表示装置 |
JP2002182612A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-26 | Sony Corp | 画像表示装置 |
JP2002189445A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-05 | Sony Corp | 画像表示装置とその駆動方法 |
WO2002056287A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Sony Corporation | Affichage a matrice active, affichage electroluminescent organique a matrice active et procedes de commande desdits affichages |
JP2002244618A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-08-30 | Lg Philips Lcd Co Ltd | アクティブマトリックス電界発光素子の駆動回路 |
JP2002251166A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2002287664A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Canon Inc | 表示パネルとその駆動方法 |
JP2002333862A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2003005710A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-08 | Nec Corp | 電流駆動回路及び画像表示装置 |
WO2003003339A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Active-matrix el display and its driving method |
JP2003066905A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画素構成およびアクティブマトリクス型表示装置 |
JP2003066909A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Nec Corp | 発光素子駆動回路及びそれを用いた発光表示装置 |
US6531827B2 (en) | 2000-08-10 | 2003-03-11 | Nec Corporation | Electroluminescence display which realizes high speed operation and high contrast |
WO2003027997A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ecran et procede de fonctionnement associe |
JP2003114644A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法 |
WO2003038794A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit de commande de ligne de signal, dispositif electroluminescent, et procede d'excitation |
WO2003038793A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit de commande de ligne de signal, dispositif electroluminescent, et procede d'excitation |
WO2003038796A1 (fr) * | 2001-10-31 | 2003-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit de commande de lignes de signal et dispositif electroluminescent |
WO2003038795A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit de commande de ligne de signal, dispositif electroluminescent, et procede d'excitation |
WO2003038797A1 (fr) * | 2001-10-31 | 2003-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit de commande de lignes de signal et dispositif electroluminescent |
WO2003041042A1 (en) * | 2001-10-18 | 2003-05-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | An organic electroluminescence panel, a display with the same, and an apparatus and a method for driving thereof |
JP2003177711A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の駆動方法 |
WO2002071379A3 (en) * | 2000-07-18 | 2003-07-17 | Emagin Corp | A current-type driver for organic light emitting diode displays |
WO2003063124A1 (fr) * | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Nec Corporation | Dispositif a semi-conducteur comprenant des circuits d'attaque a charge de courant de type reseau et procede d'attaque |
JP2003224437A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 電流駆動回路および該電流駆動回路を備えた表示装置 |
JP2003316319A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Rohm Co Ltd | 有機el駆動回路および有機el表示装置 |
JP2003534574A (ja) * | 2000-05-22 | 2003-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 能動マトリックスエレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2003534573A (ja) * | 2000-05-22 | 2003-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリクス表示装置 |
US6661180B2 (en) | 2001-03-22 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus |
JP2004012858A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
US6693385B2 (en) | 2001-03-22 | 2004-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a display device |
JP2004094211A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-03-25 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子及びその駆動方法 |
JP2004510210A (ja) * | 2000-09-29 | 2004-04-02 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 電流ミラー制御電子回路を備える赤外線シーンプロジェクタ |
JP2004109977A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Ind Technol Res Inst | アクティブマトリクス有機発光ダイオードの画素構造 |
US6734836B2 (en) | 2000-10-13 | 2004-05-11 | Nec Corporation | Current driving circuit |
US6753654B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
WO2004061809A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導体装置、発光表示装置およびそれらの駆動方法 |
KR100441530B1 (ko) * | 2002-06-11 | 2004-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법 |
JP2004341368A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2004347625A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 素子基板及び発光装置 |
JP2005010223A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Sony Corp | 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法 |
US6858991B2 (en) | 2001-09-10 | 2005-02-22 | Seiko Epson Corporation | Unit circuit, electronic circuit, electronic apparatus, electro-optic apparatus, driving method, and electronic equipment |
JP2005505802A (ja) * | 2001-09-20 | 2005-02-24 | パイオニア株式会社 | 発光素子駆動回路 |
US6876350B2 (en) | 2001-08-10 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
US6879110B2 (en) | 2000-07-27 | 2005-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
US6919834B2 (en) | 2003-01-06 | 2005-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, display device, and electronic device |
KR100505370B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-08-03 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 액티브 매트릭스 오-엘이디의 화소 구조 |
US6930680B2 (en) | 2001-12-13 | 2005-08-16 | Seiko Epson Corporation | Pixel circuit for light emitting element |
JP2005242323A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
JP2005268607A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Ricoh Co Ltd | 能動素子、これを用いたcmos回路及びこれを用いた表示装置 |
JP2005268618A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Ricoh Co Ltd | 能動素子、これを用いたcmos回路及びこれを用いた表示装置 |
JP2006011470A (ja) * | 2001-09-10 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | 電子装置、及び電子機器 |
JP2006039574A (ja) * | 2001-09-10 | 2006-02-09 | Seiko Epson Corp | 電子装置、及び電子機器 |
US7015882B2 (en) | 2000-11-07 | 2006-03-21 | Sony Corporation | Active matrix display and active matrix organic electroluminescence display |
JP2006085199A (ja) * | 2003-03-07 | 2006-03-30 | Canon Inc | アクティブマトリクス表示装置及びその駆動制御方法 |
KR100566813B1 (ko) * | 2000-02-03 | 2006-04-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 셀 구동회로 |
US7046240B2 (en) | 2001-08-29 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
JP2006243755A (ja) * | 1999-06-17 | 2006-09-14 | Sony Corp | 画像表示装置及びその駆動方法 |
JP2006285267A (ja) * | 1999-06-17 | 2006-10-19 | Sony Corp | 画像表示装置 |
US7138968B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-11-21 | Seiko Epson Corporation | Electronic circuit, electroluminescent display device, electro-optical device, electronic apparatus, method of controlling the current supply to an organic electroluminescent pixel, and method for driving a circuit |
JP2006338042A (ja) * | 2001-09-21 | 2006-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、発光装置の駆動方法 |
KR100672108B1 (ko) | 2003-06-25 | 2007-01-19 | 로무 가부시키가이샤 | 유기 el 소자 구동 회로 및 이를 이용한 유기 el디스플레이 장치 |
KR100675319B1 (ko) * | 2000-12-23 | 2007-01-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 패널 |
US7170479B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
US7173582B2 (en) | 2002-08-02 | 2007-02-06 | Nec Corporation | Current drive circuit and image display device |
US7184034B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2007506144A (ja) * | 2003-09-23 | 2007-03-15 | イグニス イノベーション インコーポレーテッド | ピクセルドライバ回路 |
US7193591B2 (en) | 1999-07-14 | 2007-03-20 | Sony Corporation | Current drive circuit and display device using same, pixel circuit, and drive method |
US7209101B2 (en) | 2001-08-29 | 2007-04-24 | Nec Corporation | Current load device and method for driving the same |
JP2007518118A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-07-05 | トムソン ライセンシング | 発光ディスプレイを駆動するための回路及び方法 |
JP2007188099A (ja) * | 1999-06-17 | 2007-07-26 | Sony Corp | 画像表示装置及びその駆動方法 |
US7250928B2 (en) | 2001-09-17 | 2007-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment |
US7277070B2 (en) | 2000-10-24 | 2007-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Light emitting device and method of driving the same |
KR100794150B1 (ko) * | 2000-04-27 | 2008-01-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
US7348947B2 (en) | 2003-01-07 | 2008-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, display device, and electronic apparatus |
US7365715B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit, electronic device and personal computer |
US7405713B2 (en) | 2003-12-25 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment using the same |
US7417605B2 (en) | 2002-09-26 | 2008-08-26 | Seiko Epson Corporation | Electronic circuit, electronic device, and electronic apparatus |
US7474285B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and driving method thereof |
CN100456341C (zh) * | 2005-06-30 | 2009-01-28 | 乐金显示有限公司 | 发光显示装置及其驱动方法 |
US7511687B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus and navigation system |
US7532209B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and driving method thereof |
KR100906964B1 (ko) * | 2002-09-25 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광 구동 소자와 이를 갖는 유기 전계발광 표시패널 |
US20090289931A1 (en) * | 2002-09-18 | 2009-11-26 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, matrix substrate, and electronic equipment |
JP2010055121A (ja) * | 2001-09-21 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010122700A (ja) * | 2001-09-10 | 2010-06-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
US7961160B2 (en) | 2003-07-31 | 2011-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, a driving method of a display device, and a semiconductor integrated circuit incorporated in a display device |
JP2011145690A (ja) * | 2011-03-01 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
US8026877B2 (en) | 2003-03-26 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
US8154539B2 (en) | 2003-03-07 | 2012-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Drive circuit, display apparatus using drive circuit, and evaluation method of drive circuit |
JP2013101346A (ja) * | 2012-11-22 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動方法 |
US8659529B2 (en) | 2003-01-17 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Current source circuit, a signal line driver circuit and a driving method thereof and a light emitting device |
US8890220B2 (en) | 2001-02-16 | 2014-11-18 | Ignis Innovation, Inc. | Pixel driver circuit and pixel circuit having control circuit coupled to supply voltage |
US8901579B2 (en) | 2011-08-03 | 2014-12-02 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
USRE45291E1 (en) | 2004-06-29 | 2014-12-16 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven AMOLED displays |
US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
US8994617B2 (en) | 2010-03-17 | 2015-03-31 | Ignis Innovation Inc. | Lifetime uniformity parameter extraction methods |
US8994625B2 (en) | 2004-12-15 | 2015-03-31 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display |
US9059117B2 (en) | 2009-12-01 | 2015-06-16 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
US9070775B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-06-30 | Ignis Innovations Inc. | Thin film transistor |
US9093028B2 (en) | 2009-12-06 | 2015-07-28 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for power conservation for AMOLED pixel drivers |
US9093029B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-07-28 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9111485B2 (en) | 2009-06-16 | 2015-08-18 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for color shift in displays |
US9125278B2 (en) | 2006-08-15 | 2015-09-01 | Ignis Innovation Inc. | OLED luminance degradation compensation |
US9134825B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-09-15 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
US9153172B2 (en) | 2004-12-07 | 2015-10-06 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming and driving active matrix light emitting device pixel having a controllable supply voltage |
US9171504B2 (en) | 2013-01-14 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations |
US9171500B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays |
US9275579B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-01 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9280933B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9305488B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-05 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
US9336717B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-05-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9343006B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-05-17 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
US9373645B2 (en) | 2005-01-28 | 2016-06-21 | Ignis Innovation Inc. | Voltage programmed pixel circuit, display system and driving method thereof |
US9385169B2 (en) | 2011-11-29 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US9430958B2 (en) | 2010-02-04 | 2016-08-30 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US9437137B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-09-06 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
US9606607B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-03-28 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
US9633597B2 (en) | 2006-04-19 | 2017-04-25 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
US9741282B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
US9747834B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore |
US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
US9773439B2 (en) | 2011-05-27 | 2017-09-26 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US9786223B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9786209B2 (en) | 2009-11-30 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9818376B2 (en) | 2009-11-12 | 2017-11-14 | Ignis Innovation Inc. | Stable fast programming scheme for displays |
US9830857B2 (en) | 2013-01-14 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
US9842889B2 (en) | 2014-11-28 | 2017-12-12 | Ignis Innovation Inc. | High pixel density array architecture |
US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US9934725B2 (en) | 2013-03-08 | 2018-04-03 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9947293B2 (en) | 2015-05-27 | 2018-04-17 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of reduced memory bandwidth compensation |
US9952698B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-24 | Ignis Innovation Inc. | Dynamic adjustment of touch resolutions on an AMOLED display |
US10012678B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US10019941B2 (en) | 2005-09-13 | 2018-07-10 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices |
US10078984B2 (en) | 2005-02-10 | 2018-09-18 | Ignis Innovation Inc. | Driving circuit for current programmed organic light-emitting diode displays |
US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10163996B2 (en) | 2003-02-24 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | Pixel having an organic light emitting diode and method of fabricating the pixel |
US10163401B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10176736B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10176752B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Integrated gate driver |
US10181282B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-01-15 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variations in emissive devices |
US10192479B2 (en) | 2014-04-08 | 2019-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Display system using system level resources to calculate compensation parameters for a display module in a portable device |
US10204540B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-02-12 | Ignis Innovation Inc. | High density pixel pattern |
US10235933B2 (en) | 2005-04-12 | 2019-03-19 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
US10311780B2 (en) | 2015-05-04 | 2019-06-04 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of optical feedback |
US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
US10339860B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-07-02 | Ignis Innovation, Inc. | Systems and methods of pixel calibration based on improved reference values |
US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
US10388221B2 (en) | 2005-06-08 | 2019-08-20 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving a light emitting device display |
US10410579B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-09-10 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of hybrid calibration of bias current |
WO2019186725A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US10573231B2 (en) | 2010-02-04 | 2020-02-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10586491B2 (en) | 2016-12-06 | 2020-03-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for mitigation of hysteresis |
US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
US10714018B2 (en) | 2017-05-17 | 2020-07-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for loading image correction data for displays |
US10867536B2 (en) | 2013-04-22 | 2020-12-15 | Ignis Innovation Inc. | Inspection system for OLED display panels |
US10971078B2 (en) | 2018-02-12 | 2021-04-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel measurement through data line |
US10996258B2 (en) | 2009-11-30 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays |
US10997901B2 (en) | 2014-02-28 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Display system |
US11025899B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-06-01 | Ignis Innovation Inc. | Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices |
Families Citing this family (104)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3629939B2 (ja) * | 1998-03-18 | 2005-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | トランジスタ回路、表示パネル及び電子機器 |
JP3686769B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2005-08-24 | 日本電気株式会社 | 有機el素子駆動装置と駆動方法 |
JP2000276091A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Canon Inc | フラットパネル型表示装置及びフラットパネル型表示装置の制御方法 |
KR100296113B1 (ko) * | 1999-06-03 | 2001-07-12 | 구본준, 론 위라하디락사 | 전기발광소자 |
JP3259774B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2002-02-25 | 日本電気株式会社 | 画像表示方法および装置 |
US7333156B2 (en) * | 1999-08-26 | 2008-02-19 | Canadian Space Agency | Sequential colour visual telepresence system |
JP2001092412A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-04-06 | Pioneer Electronic Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP2001183996A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Tdk Corp | 画像表示装置および薄膜表示素子の駆動方法 |
US6611108B2 (en) * | 2000-04-26 | 2003-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and driving method thereof |
US7633471B2 (en) * | 2000-05-12 | 2009-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electric appliance |
FI110946B (fi) * | 2000-05-25 | 2003-04-30 | Raisio Chem Oy | Uudentyyppinen kationinen tärkkelystuote, tuotteen valmistaminen ja käyttö |
KR100710279B1 (ko) * | 2000-07-15 | 2007-04-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 엘렉트로 루미네센스 패널 |
KR100344810B1 (ko) * | 2000-07-26 | 2002-07-20 | 엘지전자주식회사 | 고전압소자를 이용한 전류구동회로 |
JP4014831B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2007-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置及びその駆動方法 |
JP3736399B2 (ja) | 2000-09-20 | 2006-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路及び電子機器及び電気光学装置の駆動方法及び電気光学装置 |
US6774876B2 (en) | 2000-10-02 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self light emitting device and driving method thereof |
US7030847B2 (en) * | 2000-11-07 | 2006-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
KR100370286B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-01-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로 |
US6580657B2 (en) * | 2001-01-04 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Low-power organic light emitting diode pixel circuit |
WO2002067327A2 (en) * | 2001-02-16 | 2002-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel current driver for organic light emitting diode displays |
US7061451B2 (en) * | 2001-02-21 | 2006-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd, | Light emitting device and electronic device |
JPWO2002077958A1 (ja) * | 2001-03-22 | 2004-07-15 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリクス型発光素子の駆動回路 |
JP3743387B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2006-02-08 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法 |
JP4089340B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2008-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置、電気光学装置及び電子機器 |
JP2003114646A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法。 |
JP4650601B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2011-03-16 | 日本電気株式会社 | 電流駆動素子の駆動回路及び駆動方法ならびに画像表示装置 |
US11302253B2 (en) | 2001-09-07 | 2022-04-12 | Joled Inc. | El display apparatus |
EP3611716B1 (en) | 2001-09-07 | 2021-07-14 | Joled Inc. | El display panel, method of driving the same, and el display device |
WO2003027998A1 (fr) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran electroluminescent et dispositif d'affichage electroluminescent comprenant celui-ci |
US6777885B2 (en) * | 2001-10-12 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Drive circuit, display device using the drive circuit and electronic apparatus using the display device |
US7365713B2 (en) * | 2001-10-24 | 2008-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US7456810B2 (en) | 2001-10-26 | 2008-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and driving method thereof |
KR100442257B1 (ko) * | 2002-01-09 | 2004-07-30 | 엘지전자 주식회사 | 전류기입형 amoel 패널의 데이터 구동회로 |
EP2348502B1 (en) * | 2002-01-24 | 2013-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device and method of driving the semiconductor device |
JP3923341B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2007-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体集積回路およびその駆動方法 |
JP3637911B2 (ja) | 2002-04-24 | 2005-04-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置、電子機器、および電子装置の駆動方法 |
WO2003091977A1 (en) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Driver circuit of el display panel |
KR100674542B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2007-01-26 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 전류 구동형 표시 장치의 구동용 반도체 회로군, 표시 장치 |
KR20030086168A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
US7109952B2 (en) * | 2002-06-11 | 2006-09-19 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emitting display, light emitting display panel, and driving method thereof |
JP3970110B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2007-09-05 | カシオ計算機株式会社 | 電流駆動装置及びその駆動方法並びに電流駆動装置を用いた表示装置 |
JP3829778B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電子回路、電気光学装置、及び電子機器 |
JP4144462B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2008-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2004145278A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器 |
JP2004139042A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-05-13 | Seiko Epson Corp | 電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器 |
US7298350B2 (en) * | 2002-09-26 | 2007-11-20 | Seiko Epson Corporation | Image forming apparatus |
JP2004126106A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2004145300A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 電子回路、電子回路の駆動方法、電子装置、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器 |
GB0223305D0 (en) * | 2002-10-08 | 2002-11-13 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display devices |
US7317441B2 (en) * | 2002-10-09 | 2008-01-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Constant current circuit, drive circuit and image display device |
KR100923353B1 (ko) | 2002-12-27 | 2009-10-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로-루미네센스 표시장치 및 그 구동방법 |
US7333099B2 (en) * | 2003-01-06 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit, display device, and electronic apparatus |
CN1820295A (zh) * | 2003-05-07 | 2006-08-16 | 东芝松下显示技术有限公司 | El显示装置及其驱动方法 |
CN1784708A (zh) * | 2003-05-07 | 2006-06-07 | 东芝松下显示技术有限公司 | 电流输出型半导体电路、显示驱动用源极驱动器、显示装置、电流输出方法 |
KR100560780B1 (ko) | 2003-07-07 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치의 화소회로 및 그의 구동방법 |
JP2005275315A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、その駆動方法及びそれを用いた電子機器 |
US20050224197A1 (en) * | 2004-04-12 | 2005-10-13 | Cheng Wen P | Combining device for tightly fixing screen to wall |
EP1598200A3 (en) * | 2004-05-21 | 2009-05-06 | Seiko Epson Corporation | Line head and image forming apparatus incorporating the same |
JP2005340721A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Anelva Corp | 高誘電率誘電体膜を堆積する方法 |
US7868856B2 (en) * | 2004-08-20 | 2011-01-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Data signal driver for light emitting display |
US7105855B2 (en) * | 2004-09-20 | 2006-09-12 | Eastman Kodak Company | Providing driving current arrangement for OLED device |
JP4211720B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2009-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | ラインヘッド及び画像形成装置 |
JP4790292B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2011-10-12 | 三星電子株式会社 | アレイ基板及びこれを有する表示装置 |
TWI278800B (en) | 2004-10-28 | 2007-04-11 | Au Optronics Corp | Current-driven OLED panel and related pixel structure |
WO2006048801A2 (en) * | 2004-11-03 | 2006-05-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent display device |
FR2878651B1 (fr) * | 2004-12-01 | 2007-06-08 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur de neutrons a semi-conducteur |
US7502040B2 (en) * | 2004-12-06 | 2009-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, driving method thereof and electronic appliance |
US8599191B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-12-03 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US20060139265A1 (en) * | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of display device |
US20060158399A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of display device |
US7190122B2 (en) | 2005-03-01 | 2007-03-13 | Eastman Kodak Company | OLED display with improved active matrix circuitry |
US7719526B2 (en) | 2005-04-14 | 2010-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, and driving method and electronic apparatus of the display device |
US8633919B2 (en) * | 2005-04-14 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, driving method of the display device, and electronic device |
EP1720148A3 (en) * | 2005-05-02 | 2007-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and gray scale driving method with subframes thereof |
TWI271115B (en) * | 2005-08-30 | 2007-01-11 | Au Optronics Corp | Active display and driving circuit of a pixel thereof |
KR100916866B1 (ko) * | 2005-12-01 | 2009-09-09 | 도시바 모바일 디스플레이 가부시키가이샤 | El 표시 장치와 el 표시 장치의 구동 방법 |
EP1796070A1 (en) | 2005-12-08 | 2007-06-13 | Thomson Licensing | Luminous display and method for controlling the same |
JP5164857B2 (ja) | 2006-01-09 | 2013-03-21 | イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド | アクティブマトリクスディスプレイ回路の駆動方法および表示システム |
US9269322B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-02-23 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
US9489891B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-11-08 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
KR101404582B1 (ko) * | 2006-01-20 | 2014-06-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치의 구동방법 |
US20070176538A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | Eastman Kodak Company | Continuous conductor for OLED electrical drive circuitry |
KR100965022B1 (ko) * | 2006-02-20 | 2010-06-21 | 도시바 모바일 디스플레이 가부시키가이샤 | El 표시 장치 및 el 표시 장치의 구동 방법 |
US20090117859A1 (en) * | 2006-04-07 | 2009-05-07 | Belair Networks Inc. | System and method for frequency offsetting of information communicated in mimo based wireless networks |
US8254865B2 (en) | 2006-04-07 | 2012-08-28 | Belair Networks | System and method for frequency offsetting of information communicated in MIMO-based wireless networks |
US7881690B2 (en) * | 2006-04-07 | 2011-02-01 | Belair Networks Inc. | System and method for zero intermediate frequency filtering of information communicated in wireless networks |
TW200744053A (en) * | 2006-05-29 | 2007-12-01 | Himax Tech Inc | AMOLED pixel unit |
JP5466694B2 (ja) | 2008-04-18 | 2014-04-09 | イグニス・イノベーション・インコーポレイテッド | 発光デバイス・ディスプレイのためのシステムおよび駆動方法 |
JP2009288767A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-12-10 | Sony Corp | 表示装置及びその駆動方法 |
CA2637343A1 (en) | 2008-07-29 | 2010-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Improving the display source driver |
US9370075B2 (en) | 2008-12-09 | 2016-06-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for fast compensation programming of pixels in a display |
KR101138467B1 (ko) * | 2010-06-24 | 2012-04-25 | 삼성전기주식회사 | 전류 구동 회로 및 이를 포함한 광 스토리지 시스템 |
US9886899B2 (en) | 2011-05-17 | 2018-02-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel Circuits for AMOLED displays |
US9351368B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-05-24 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US20140368491A1 (en) | 2013-03-08 | 2014-12-18 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for amoled displays |
CN106898307B (zh) | 2011-05-28 | 2021-04-27 | 伊格尼斯创新公司 | 在以交错模式实施的显示器上显示图像的方法 |
CA2894717A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-12-19 | Ignis Innovation Inc. | Optoelectronic device characterization in array with shared sense line |
CA2873476A1 (en) | 2014-12-08 | 2016-06-08 | Ignis Innovation Inc. | Smart-pixel display architecture |
CA2886862A1 (en) | 2015-04-01 | 2016-10-01 | Ignis Innovation Inc. | Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging |
CA2908285A1 (en) | 2015-10-14 | 2017-04-14 | Ignis Innovation Inc. | Driver with multiple color pixel structure |
CN105741781B (zh) * | 2016-04-12 | 2018-10-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled像素驱动电路及像素驱动方法 |
CN108063905B (zh) * | 2016-11-09 | 2020-04-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素感应电路及其驱动方法、图像传感器、电子设备 |
KR102010803B1 (ko) | 2017-12-29 | 2019-09-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 디스플레이 장치 |
WO2019186723A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02148687A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-06-07 | Eastman Kodak Co | Elストレージディスプレイ装置 |
JPH0574569A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜elの駆動装置およびその駆動方法 |
JPH0854835A (ja) * | 1994-08-09 | 1996-02-27 | Nec Corp | アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4006383A (en) * | 1975-11-28 | 1977-02-01 | Westinghouse Electric Corporation | Electroluminescent display panel with enlarged active display areas |
US4528480A (en) * | 1981-12-28 | 1985-07-09 | Nippon Telegraph & Telephone | AC Drive type electroluminescent display device |
US4704559A (en) * | 1986-02-25 | 1987-11-03 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Matrix type multi-color display device |
JP2656843B2 (ja) * | 1990-04-12 | 1997-09-24 | 双葉電子工業株式会社 | 表示装置 |
JP2715943B2 (ja) * | 1994-12-02 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置の駆動回路 |
US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
US5552677A (en) * | 1995-05-01 | 1996-09-03 | Motorola | Method and control circuit precharging a plurality of columns prior to enabling a row of a display |
US5767823A (en) * | 1995-10-05 | 1998-06-16 | Micron Display, Inc. | Method and apparatus for gray scale modulation of a matrix display |
FR2741742B1 (fr) * | 1995-11-27 | 1998-02-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de commande de diodes electroluminescentes |
US5903248A (en) * | 1997-04-11 | 1999-05-11 | Spatialight, Inc. | Active matrix display having pixel driving circuits with integrated charge pumps |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP08657898A patent/JP3252897B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-03-18 TW TW088104224A patent/TW477156B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-03-25 US US09/275,889 patent/US6091203A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-30 KR KR1019990011092A patent/KR100291160B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02148687A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-06-07 | Eastman Kodak Co | Elストレージディスプレイ装置 |
JPH0574569A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜elの駆動装置およびその駆動方法 |
JPH0854835A (ja) * | 1994-08-09 | 1996-02-27 | Nec Corp | アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路 |
Cited By (381)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4965023B2 (ja) * | 1998-06-12 | 2012-07-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリックス電界発光表示装置 |
US8593376B2 (en) * | 1998-06-12 | 2013-11-26 | Koninklijke Philips N.V. | Active matrix electroluminescent display devices |
JP4820001B2 (ja) * | 1998-06-12 | 2011-11-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリックス電界発光表示装置 |
JP2002518691A (ja) * | 1998-06-12 | 2002-06-25 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリックス電界発光表示装置 |
JP2002517806A (ja) * | 1998-06-12 | 2002-06-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリックス電界発光表示装置 |
JP2006243755A (ja) * | 1999-06-17 | 2006-09-14 | Sony Corp | 画像表示装置及びその駆動方法 |
JP2007188099A (ja) * | 1999-06-17 | 2007-07-26 | Sony Corp | 画像表示装置及びその駆動方法 |
JP2006285267A (ja) * | 1999-06-17 | 2006-10-19 | Sony Corp | 画像表示装置 |
US7379039B2 (en) | 1999-07-14 | 2008-05-27 | Sony Corporation | Current drive circuit and display device using same pixel circuit, and drive method |
US7193591B2 (en) | 1999-07-14 | 2007-03-20 | Sony Corporation | Current drive circuit and display device using same, pixel circuit, and drive method |
JP4126909B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2008-07-30 | ソニー株式会社 | 電流駆動回路及びそれを用いた表示装置、画素回路、並びに駆動方法 |
EP1130565A4 (en) * | 1999-07-14 | 2006-10-04 | Sony Corp | ATTACK CIRCUIT AND DISPLAY INCLUDING THE SAME, PIXEL CIRCUIT, AND ATTACK METHOD |
US7388564B2 (en) | 1999-07-14 | 2008-06-17 | Sony Corporation | Current drive circuit and display device using same, pixel circuit, and drive method |
EP1130565A1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-09-05 | Sony Corporation | Current drive circuit and display comprising the same, pixel circuit, and drive method |
KR20010051698A (ko) * | 1999-11-18 | 2001-06-25 | 이데이 노부유끼 | 표시 장치 |
JP2001166737A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Tdk Corp | カラー画像表示装置 |
KR100566813B1 (ko) * | 2000-02-03 | 2006-04-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 셀 구동회로 |
US6535185B2 (en) | 2000-03-06 | 2003-03-18 | Lg Electronics Inc. | Active driving circuit for display panel |
EP1132882A3 (en) * | 2000-03-06 | 2002-06-05 | Lg Electronics Inc. | Active driving circuit for display panel |
EP1132882A2 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-12 | Lg Electronics Inc. | Active driving circuit for display panel |
KR100794150B1 (ko) * | 2000-04-27 | 2008-01-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
JP2002023697A (ja) * | 2000-04-27 | 2002-01-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2002049333A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
JP2003534574A (ja) * | 2000-05-22 | 2003-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 能動マトリックスエレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2003534573A (ja) * | 2000-05-22 | 2003-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリクス表示装置 |
US6943759B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-09-13 | Seiko Epson Corporation | Circuit, driver circuit, organic electroluminescent display device electro-optical device, electronic apparatus, method of controlling the current supply to an organic electroluminescent pixel, and method for driving a circuit |
WO2002005254A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Seiko Epson Corporation | Current sampling circuit for organic electroluminescent display |
EP1170718A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-09 | Seiko Epson Corporation | Current sampling circuit for organic electroluminescent display |
WO2002071379A3 (en) * | 2000-07-18 | 2003-07-17 | Emagin Corp | A current-type driver for organic light emitting diode displays |
US9489884B2 (en) | 2000-07-27 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
JP2016075954A (ja) * | 2000-07-27 | 2016-05-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US6879110B2 (en) | 2000-07-27 | 2005-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
US7158104B2 (en) | 2000-07-27 | 2007-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
JP2015132835A (ja) * | 2000-07-27 | 2015-07-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US8508439B2 (en) | 2000-07-27 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
US8035583B2 (en) | 2000-07-27 | 2011-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
US6531827B2 (en) | 2000-08-10 | 2003-03-11 | Nec Corporation | Electroluminescence display which realizes high speed operation and high contrast |
KR100437477B1 (ko) * | 2000-08-10 | 2004-06-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 높은 처리속력과 높은 콘트래스트를 실현하는전자발광디스플레이 |
JP2004510210A (ja) * | 2000-09-29 | 2004-04-02 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 電流ミラー制御電子回路を備える赤外線シーンプロジェクタ |
JP2002175029A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及び表示装置 |
US6734836B2 (en) | 2000-10-13 | 2004-05-11 | Nec Corporation | Current driving circuit |
US7317432B2 (en) | 2000-10-24 | 2008-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of driving the same |
US7277070B2 (en) | 2000-10-24 | 2007-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Light emitting device and method of driving the same |
US8558764B2 (en) | 2000-10-24 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of driving the same |
US8810486B2 (en) | 2000-11-07 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
US8558769B2 (en) | 2000-11-07 | 2013-10-15 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
WO2002039420A1 (fr) * | 2000-11-07 | 2002-05-16 | Sony Corporation | Affichage a matrice active et affichage electroluminescent organique a matrice active |
US9741289B2 (en) | 2000-11-07 | 2017-08-22 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
US10269296B2 (en) | 2000-11-07 | 2019-04-23 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
US7015882B2 (en) | 2000-11-07 | 2006-03-21 | Sony Corporation | Active matrix display and active matrix organic electroluminescence display |
US9245481B2 (en) | 2000-11-07 | 2016-01-26 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
US8120551B2 (en) | 2000-11-07 | 2012-02-21 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
JP2002182612A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-26 | Sony Corp | 画像表示装置 |
JP2002244618A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-08-30 | Lg Philips Lcd Co Ltd | アクティブマトリックス電界発光素子の駆動回路 |
JP2002189445A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-05 | Sony Corp | 画像表示装置とその駆動方法 |
KR100675319B1 (ko) * | 2000-12-23 | 2007-01-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 패널 |
US7612745B2 (en) | 2001-01-15 | 2009-11-03 | Sony Corporation | Active matrix type display device, active matrix type organic electroluminescent display device, and methods of driving such display devices |
US7019717B2 (en) | 2001-01-15 | 2006-03-28 | Sony Corporation | Active-matrix display, active-matrix organic electroluminescence display, and methods of driving them |
CN100409289C (zh) * | 2001-01-15 | 2008-08-06 | 索尼公司 | 有源矩阵型显示设备及其驱动方法 |
KR100842721B1 (ko) | 2001-01-15 | 2008-07-01 | 소니 가부시끼 가이샤 | 액티브 매트릭스형 표시 장치 및 액티브 매트릭스형 유기전계 발광 표시 장치, 및 그것들의 구동 방법 |
WO2002056287A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Sony Corporation | Affichage a matrice active, affichage electroluminescent organique a matrice active et procedes de commande desdits affichages |
US8890220B2 (en) | 2001-02-16 | 2014-11-18 | Ignis Innovation, Inc. | Pixel driver circuit and pixel circuit having control circuit coupled to supply voltage |
US8780018B2 (en) | 2001-02-21 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
US8120557B2 (en) | 2001-02-21 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
US7336035B2 (en) | 2001-02-21 | 2008-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
US6753654B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
US9431466B2 (en) | 2001-02-21 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
US7719498B2 (en) | 2001-02-21 | 2010-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
US9886895B2 (en) | 2001-02-21 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
JP2002333862A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
US9040996B2 (en) | 2001-02-21 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
US8314427B2 (en) | 2001-02-26 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
US8071982B2 (en) | 2001-02-26 | 2011-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
US6777710B1 (en) | 2001-02-26 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device with constant luminance |
US8610117B2 (en) | 2001-02-26 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
US7851796B2 (en) | 2001-02-26 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
JP2002251166A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
US7283109B2 (en) | 2001-03-22 | 2007-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a display device |
US7952541B2 (en) | 2001-03-22 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a display device |
US6693385B2 (en) | 2001-03-22 | 2004-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a display device |
US7106006B2 (en) | 2001-03-22 | 2006-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus |
US6661180B2 (en) | 2001-03-22 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus |
US6914390B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus |
US7990350B2 (en) | 2001-03-22 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus |
US7545353B2 (en) | 2001-03-22 | 2009-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus |
US8593066B2 (en) | 2001-03-22 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method for same and electronic apparatus |
JP2002287664A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Canon Inc | 表示パネルとその駆動方法 |
KR100443238B1 (ko) * | 2001-06-25 | 2004-08-04 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 전류구동회로 및 영상표시장치 |
JP2003005710A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-08 | Nec Corp | 電流駆動回路及び画像表示装置 |
US6774877B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-10 | Nec Corporation | Current driver circuit and image display device |
WO2003003339A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Active-matrix el display and its driving method |
US7176859B2 (en) | 2001-08-10 | 2007-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
US7804467B2 (en) | 2001-08-10 | 2010-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
US6876350B2 (en) | 2001-08-10 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
US8232937B2 (en) | 2001-08-10 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
US8749455B2 (en) | 2001-08-10 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
JP2003066905A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画素構成およびアクティブマトリクス型表示装置 |
US8482491B2 (en) | 2001-08-29 | 2013-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
KR100910166B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2009-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치, 발광장치의 구동방법, 소자 기판 및 전자장치 |
US8704736B2 (en) | 2001-08-29 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
US7209101B2 (en) | 2001-08-29 | 2007-04-24 | Nec Corporation | Current load device and method for driving the same |
US7046240B2 (en) | 2001-08-29 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
US8982021B2 (en) | 2001-08-29 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
US7411586B2 (en) | 2001-08-29 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
JP2003066909A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Nec Corp | 発光素子駆動回路及びそれを用いた発光表示装置 |
US6858991B2 (en) | 2001-09-10 | 2005-02-22 | Seiko Epson Corporation | Unit circuit, electronic circuit, electronic apparatus, electro-optic apparatus, driving method, and electronic equipment |
US7760162B2 (en) | 2001-09-10 | 2010-07-20 | Seiko Epson Corporation | Unit circuit, electronic circuit, electronic apparatus, electro-optic apparatus, driving method, and electronic equipment which can compensate for variations in characteristics of transistors to drive current-type driven elements |
JP2006039574A (ja) * | 2001-09-10 | 2006-02-09 | Seiko Epson Corp | 電子装置、及び電子機器 |
JP2006011470A (ja) * | 2001-09-10 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | 電子装置、及び電子機器 |
JP2010122700A (ja) * | 2001-09-10 | 2010-06-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
US7250928B2 (en) | 2001-09-17 | 2007-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment |
JP2005505802A (ja) * | 2001-09-20 | 2005-02-24 | パイオニア株式会社 | 発光素子駆動回路 |
US9165952B2 (en) | 2001-09-21 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
US8378578B2 (en) | 2001-09-21 | 2013-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8604704B2 (en) | 2001-09-21 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9847381B2 (en) | 2001-09-21 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
JP2003177711A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の駆動方法 |
US7138967B2 (en) | 2001-09-21 | 2006-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
US9876063B2 (en) | 2001-09-21 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
US9876062B2 (en) | 2001-09-21 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
US10068953B2 (en) | 2001-09-21 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
US9368527B2 (en) | 2001-09-21 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
JP2010055121A (ja) * | 2001-09-21 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
WO2003027997A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ecran et procede de fonctionnement associe |
JP2009003477A (ja) * | 2001-09-21 | 2009-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、発光装置の駆動方法 |
US8599109B2 (en) | 2001-09-21 | 2013-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
US7795618B2 (en) | 2001-09-21 | 2010-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
US8227807B2 (en) | 2001-09-21 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
JPWO2003027997A1 (ja) * | 2001-09-21 | 2005-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその駆動方法 |
US8519392B2 (en) | 2001-09-21 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
US7859520B2 (en) | 2001-09-21 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
JP2013178578A (ja) * | 2001-09-21 | 2013-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US7170094B2 (en) | 2001-09-21 | 2007-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
US8895983B2 (en) | 2001-09-21 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
JP2006338042A (ja) * | 2001-09-21 | 2006-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、発光装置の駆動方法 |
KR100924739B1 (ko) | 2001-09-21 | 2009-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 구동방법 |
JP2003114644A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法 |
JP4540903B2 (ja) * | 2001-10-03 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
KR100783707B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광 패널과 이를 포함하는 유기 전계발광 표시장치와 이의 구동 장치 및 구동 방법 |
WO2003041042A1 (en) * | 2001-10-18 | 2003-05-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | An organic electroluminescence panel, a display with the same, and an apparatus and a method for driving thereof |
US7362288B2 (en) | 2001-10-18 | 2008-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic electroluminescence panel, a display with the same, and an apparatus and a method for driving thereof |
US7180479B2 (en) | 2001-10-30 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line drive circuit and light emitting device and driving method therefor |
WO2003038795A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit de commande de ligne de signal, dispositif electroluminescent, et procede d'excitation |
US7742064B2 (en) | 2001-10-30 | 2010-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Signal line driver circuit, light emitting device and driving method thereof |
US8624802B2 (en) | 2001-10-30 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driver circuit and light emitting device and driving method therefor |
US8164548B2 (en) | 2001-10-30 | 2012-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driver circuit and light emitting device and driving method therefor |
WO2003038794A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit de commande de ligne de signal, dispositif electroluminescent, et procede d'excitation |
WO2003038793A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit de commande de ligne de signal, dispositif electroluminescent, et procede d'excitation |
US7576734B2 (en) | 2001-10-30 | 2009-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit, light emitting device, and method for driving the same |
US7961159B2 (en) | 2001-10-30 | 2011-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driver circuit, light emitting device and driving method thereof |
US8294640B2 (en) | 2001-10-31 | 2012-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
US7583257B2 (en) | 2001-10-31 | 2009-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
US7940235B2 (en) | 2001-10-31 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
US7948453B2 (en) | 2001-10-31 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
US8593377B2 (en) | 2001-10-31 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
US6963336B2 (en) | 2001-10-31 | 2005-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
WO2003038796A1 (fr) * | 2001-10-31 | 2003-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit de commande de lignes de signal et dispositif electroluminescent |
US7193619B2 (en) | 2001-10-31 | 2007-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
JPWO2003038797A1 (ja) * | 2001-10-31 | 2005-02-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号線駆動回路及び発光装置 |
US9076385B2 (en) | 2001-10-31 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
WO2003038797A1 (fr) * | 2001-10-31 | 2003-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit de commande de lignes de signal et dispositif electroluminescent |
CN100385487C (zh) * | 2001-10-31 | 2008-04-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 信号线驱动电路和发光装置 |
US7791566B2 (en) | 2001-10-31 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
JP4811845B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2011-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US7969389B2 (en) | 2001-12-13 | 2011-06-28 | Seiko Epson Corporation | Pixel circuit for a current-driven light emitting element |
US6930680B2 (en) | 2001-12-13 | 2005-08-16 | Seiko Epson Corporation | Pixel circuit for light emitting element |
US7138968B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-11-21 | Seiko Epson Corporation | Electronic circuit, electroluminescent display device, electro-optical device, electronic apparatus, method of controlling the current supply to an organic electroluminescent pixel, and method for driving a circuit |
US7551151B2 (en) | 2002-01-09 | 2009-06-23 | Seiko Epson Corporation | Electronic circuit, electroluminescent display device, electro-optical device, electronic apparatus, method of controlling the current supply to an organic electroluminescent pixel, and method for driving a circuit |
US7133012B2 (en) | 2002-01-17 | 2006-11-07 | Nec Corporation | Semiconductor device provided with matrix type current load driving circuits, and driving method thereof |
WO2003063124A1 (fr) * | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Nec Corporation | Dispositif a semi-conducteur comprenant des circuits d'attaque a charge de courant de type reseau et procede d'attaque |
JP2003224437A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 電流駆動回路および該電流駆動回路を備えた表示装置 |
JP2003316319A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Rohm Co Ltd | 有機el駆動回路および有機el表示装置 |
US7511687B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus and navigation system |
US7532209B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and driving method thereof |
US7864143B2 (en) | 2002-05-17 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
US7474285B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and driving method thereof |
US7170479B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
US7184034B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2004012858A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
KR100441530B1 (ko) * | 2002-06-11 | 2004-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법 |
JP2004094211A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-03-25 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子及びその駆動方法 |
US7173582B2 (en) | 2002-08-02 | 2007-02-06 | Nec Corporation | Current drive circuit and image display device |
US20090289931A1 (en) * | 2002-09-18 | 2009-11-26 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, matrix substrate, and electronic equipment |
US8654040B2 (en) * | 2002-09-18 | 2014-02-18 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, matrix substrate, and electronic equipment |
JP2004109977A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Ind Technol Res Inst | アクティブマトリクス有機発光ダイオードの画素構造 |
KR100505370B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-08-03 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 액티브 매트릭스 오-엘이디의 화소 구조 |
KR100906964B1 (ko) * | 2002-09-25 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광 구동 소자와 이를 갖는 유기 전계발광 표시패널 |
US7417605B2 (en) | 2002-09-26 | 2008-08-26 | Seiko Epson Corporation | Electronic circuit, electronic device, and electronic apparatus |
US7365715B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit, electronic device and personal computer |
WO2004061809A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導体装置、発光表示装置およびそれらの駆動方法 |
US7307604B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, light-emitting display device and driving method thereof |
US6919834B2 (en) | 2003-01-06 | 2005-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, display device, and electronic device |
US7348947B2 (en) | 2003-01-07 | 2008-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, display device, and electronic apparatus |
US8659529B2 (en) | 2003-01-17 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Current source circuit, a signal line driver circuit and a driving method thereof and a light emitting device |
US9626913B2 (en) | 2003-01-17 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Current source circuit, a signal line driver circuit and a driving method thereof and a light emitting device |
US10163996B2 (en) | 2003-02-24 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | Pixel having an organic light emitting diode and method of fabricating the pixel |
JP2006085199A (ja) * | 2003-03-07 | 2006-03-30 | Canon Inc | アクティブマトリクス表示装置及びその駆動制御方法 |
US8159482B2 (en) | 2003-03-07 | 2012-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Drive circuit, display apparatus using drive circuit, and evaluation method of drive circuit |
US8154539B2 (en) | 2003-03-07 | 2012-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Drive circuit, display apparatus using drive circuit, and evaluation method of drive circuit |
US8026877B2 (en) | 2003-03-26 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
JP2004347625A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 素子基板及び発光装置 |
US8400067B2 (en) | 2003-03-26 | 2013-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
US9147720B2 (en) | 2003-03-26 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
US8004200B2 (en) | 2003-03-26 | 2011-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
JP4562997B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2010-10-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 素子基板及び発光装置 |
US8759825B2 (en) | 2003-03-26 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
US8212488B2 (en) | 2003-03-26 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
US11430845B2 (en) | 2003-03-26 | 2022-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
US9698207B2 (en) | 2003-03-26 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
US9300771B2 (en) | 2003-03-26 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
JP4623939B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2011-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2004341368A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2005010223A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Sony Corp | 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法 |
JP4547873B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2010-09-22 | ソニー株式会社 | 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法 |
KR100672108B1 (ko) | 2003-06-25 | 2007-01-19 | 로무 가부시키가이샤 | 유기 el 소자 구동 회로 및 이를 이용한 유기 el디스플레이 장치 |
US7961160B2 (en) | 2003-07-31 | 2011-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, a driving method of a display device, and a semiconductor integrated circuit incorporated in a display device |
US8941697B2 (en) | 2003-09-23 | 2015-01-27 | Ignis Innovation Inc. | Circuit and method for driving an array of light emitting pixels |
US9472138B2 (en) | 2003-09-23 | 2016-10-18 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit with load-balance in current mirror circuit |
JP2007506144A (ja) * | 2003-09-23 | 2007-03-15 | イグニス イノベーション インコーポレーテッド | ピクセルドライバ回路 |
US10089929B2 (en) | 2003-09-23 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit with load-balance in current mirror circuit |
US8502751B2 (en) | 2003-09-23 | 2013-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit with load-balance in current mirror circuit |
US9852689B2 (en) | 2003-09-23 | 2017-12-26 | Ignis Innovation Inc. | Circuit and method for driving an array of light emitting pixels |
US9472139B2 (en) | 2003-09-23 | 2016-10-18 | Ignis Innovation Inc. | Circuit and method for driving an array of light emitting pixels |
JP2007518118A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-07-05 | トムソン ライセンシング | 発光ディスプレイを駆動するための回路及び方法 |
US8902137B2 (en) | 2003-12-25 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device with first and second gate signal lines and electronic equipment using the same |
US7405713B2 (en) | 2003-12-25 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment using the same |
JP2005242323A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
JP2005268607A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Ricoh Co Ltd | 能動素子、これを用いたcmos回路及びこれを用いた表示装置 |
JP2005268618A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Ricoh Co Ltd | 能動素子、これを用いたcmos回路及びこれを用いた表示装置 |
USRE47257E1 (en) | 2004-06-29 | 2019-02-26 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven AMOLED displays |
USRE45291E1 (en) | 2004-06-29 | 2014-12-16 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven AMOLED displays |
US9153172B2 (en) | 2004-12-07 | 2015-10-06 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming and driving active matrix light emitting device pixel having a controllable supply voltage |
US9970964B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-05-15 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display |
US10699624B2 (en) | 2004-12-15 | 2020-06-30 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US10012678B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US8994625B2 (en) | 2004-12-15 | 2015-03-31 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display |
US9280933B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9275579B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-01 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9728135B2 (en) | 2005-01-28 | 2017-08-08 | Ignis Innovation Inc. | Voltage programmed pixel circuit, display system and driving method thereof |
US9373645B2 (en) | 2005-01-28 | 2016-06-21 | Ignis Innovation Inc. | Voltage programmed pixel circuit, display system and driving method thereof |
US10078984B2 (en) | 2005-02-10 | 2018-09-18 | Ignis Innovation Inc. | Driving circuit for current programmed organic light-emitting diode displays |
US10235933B2 (en) | 2005-04-12 | 2019-03-19 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
US10388221B2 (en) | 2005-06-08 | 2019-08-20 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving a light emitting device display |
CN100456341C (zh) * | 2005-06-30 | 2009-01-28 | 乐金显示有限公司 | 发光显示装置及其驱动方法 |
US10019941B2 (en) | 2005-09-13 | 2018-07-10 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices |
US10453397B2 (en) | 2006-04-19 | 2019-10-22 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
US9842544B2 (en) | 2006-04-19 | 2017-12-12 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
US10127860B2 (en) | 2006-04-19 | 2018-11-13 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
US9633597B2 (en) | 2006-04-19 | 2017-04-25 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
US9125278B2 (en) | 2006-08-15 | 2015-09-01 | Ignis Innovation Inc. | OLED luminance degradation compensation |
US9530352B2 (en) | 2006-08-15 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | OLED luminance degradation compensation |
US10325554B2 (en) | 2006-08-15 | 2019-06-18 | Ignis Innovation Inc. | OLED luminance degradation compensation |
US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
US9117400B2 (en) | 2009-06-16 | 2015-08-25 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for color shift in displays |
US9111485B2 (en) | 2009-06-16 | 2015-08-18 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for color shift in displays |
US9418587B2 (en) | 2009-06-16 | 2016-08-16 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for color shift in displays |
US10553141B2 (en) | 2009-06-16 | 2020-02-04 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for color shift in displays |
US9818376B2 (en) | 2009-11-12 | 2017-11-14 | Ignis Innovation Inc. | Stable fast programming scheme for displays |
US10685627B2 (en) | 2009-11-12 | 2020-06-16 | Ignis Innovation Inc. | Stable fast programming scheme for displays |
US10304390B2 (en) | 2009-11-30 | 2019-05-28 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US10996258B2 (en) | 2009-11-30 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays |
US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US10699613B2 (en) | 2009-11-30 | 2020-06-30 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
US10679533B2 (en) | 2009-11-30 | 2020-06-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
US9786209B2 (en) | 2009-11-30 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US9059117B2 (en) | 2009-12-01 | 2015-06-16 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
US9093028B2 (en) | 2009-12-06 | 2015-07-28 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for power conservation for AMOLED pixel drivers |
US9262965B2 (en) | 2009-12-06 | 2016-02-16 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for power conservation for AMOLED pixel drivers |
US10163401B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10032399B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-07-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US11200839B2 (en) | 2010-02-04 | 2021-12-14 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US9773441B2 (en) | 2010-02-04 | 2017-09-26 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10971043B2 (en) | 2010-02-04 | 2021-04-06 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US9430958B2 (en) | 2010-02-04 | 2016-08-30 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10176736B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10395574B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-08-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10573231B2 (en) | 2010-02-04 | 2020-02-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US8994617B2 (en) | 2010-03-17 | 2015-03-31 | Ignis Innovation Inc. | Lifetime uniformity parameter extraction methods |
US9489897B2 (en) | 2010-12-02 | 2016-11-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
US9997110B2 (en) | 2010-12-02 | 2018-06-12 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
US10460669B2 (en) | 2010-12-02 | 2019-10-29 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
JP2011145690A (ja) * | 2011-03-01 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
US9134825B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-09-15 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
US10249237B2 (en) | 2011-05-17 | 2019-04-02 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
US9606607B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-03-28 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
US9355584B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-05-31 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9589490B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-03-07 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US10325537B2 (en) | 2011-05-20 | 2019-06-18 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US10580337B2 (en) | 2011-05-20 | 2020-03-03 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9171500B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays |
US10127846B2 (en) | 2011-05-20 | 2018-11-13 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9799248B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
US9093029B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-07-28 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US10032400B2 (en) | 2011-05-20 | 2018-07-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US10475379B2 (en) | 2011-05-20 | 2019-11-12 | Ignis Innovation Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
US9978297B2 (en) | 2011-05-26 | 2018-05-22 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
US9640112B2 (en) | 2011-05-26 | 2017-05-02 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
US10706754B2 (en) | 2011-05-26 | 2020-07-07 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
US9773439B2 (en) | 2011-05-27 | 2017-09-26 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US10417945B2 (en) | 2011-05-27 | 2019-09-17 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US9224954B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-12-29 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
US9070775B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-06-30 | Ignis Innovations Inc. | Thin film transistor |
US8901579B2 (en) | 2011-08-03 | 2014-12-02 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
US10453904B2 (en) | 2011-11-29 | 2019-10-22 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
US9385169B2 (en) | 2011-11-29 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
US10380944B2 (en) | 2011-11-29 | 2019-08-13 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
US9818806B2 (en) | 2011-11-29 | 2017-11-14 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
US10079269B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-09-18 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
US10453394B2 (en) | 2012-02-03 | 2019-10-22 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
US10043448B2 (en) | 2012-02-03 | 2018-08-07 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
US9343006B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-05-17 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
US9792857B2 (en) | 2012-02-03 | 2017-10-17 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
US9747834B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore |
US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
US9940861B2 (en) | 2012-05-23 | 2018-04-10 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
US10176738B2 (en) | 2012-05-23 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
US9741279B2 (en) | 2012-05-23 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
US9536460B2 (en) | 2012-05-23 | 2017-01-03 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
US9368063B2 (en) | 2012-05-23 | 2016-06-14 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
JP2013101346A (ja) * | 2012-11-22 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動方法 |
US10140925B2 (en) | 2012-12-11 | 2018-11-27 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9336717B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-05-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9786223B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US10311790B2 (en) | 2012-12-11 | 2019-06-04 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for amoled displays |
US9685114B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-06-20 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US10847087B2 (en) | 2013-01-14 | 2020-11-24 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
US9830857B2 (en) | 2013-01-14 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
US11875744B2 (en) | 2013-01-14 | 2024-01-16 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
US9171504B2 (en) | 2013-01-14 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations |
US9934725B2 (en) | 2013-03-08 | 2018-04-03 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9536465B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-01-03 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
US9305488B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-05 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
US9818323B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-11-14 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
US10198979B2 (en) | 2013-03-14 | 2019-02-05 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
US9952698B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-24 | Ignis Innovation Inc. | Dynamic adjustment of touch resolutions on an AMOLED display |
US9997107B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-06-12 | Ignis Innovation Inc. | AMOLED displays with multiple readout circuits |
US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
US10460660B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-10-29 | Ingis Innovation Inc. | AMOLED displays with multiple readout circuits |
US9721512B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | AMOLED displays with multiple readout circuits |
US10867536B2 (en) | 2013-04-22 | 2020-12-15 | Ignis Innovation Inc. | Inspection system for OLED display panels |
US9990882B2 (en) | 2013-08-12 | 2018-06-05 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
US10600362B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-03-24 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
US9437137B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-09-06 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
US10395585B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-08-27 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
US9741282B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
US10186190B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-01-22 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
US10439159B2 (en) | 2013-12-25 | 2019-10-08 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
US9831462B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
US10997901B2 (en) | 2014-02-28 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Display system |
US10176752B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Integrated gate driver |
US10192479B2 (en) | 2014-04-08 | 2019-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Display system using system level resources to calculate compensation parameters for a display module in a portable device |
US9842889B2 (en) | 2014-11-28 | 2017-12-12 | Ignis Innovation Inc. | High pixel density array architecture |
US10170522B2 (en) | 2014-11-28 | 2019-01-01 | Ignis Innovations Inc. | High pixel density array architecture |
US10181282B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-01-15 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variations in emissive devices |
US10311780B2 (en) | 2015-05-04 | 2019-06-04 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of optical feedback |
US9947293B2 (en) | 2015-05-27 | 2018-04-17 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of reduced memory bandwidth compensation |
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