JPH1126778A

JPH1126778A - 半導体力学量センサおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH1126778A
Application number: JP9181435A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Kato; 信之加藤; Toshimasa Yamamoto; 山本　　敏雅
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1997-07-07
Filing date: 1997-07-07
Publication date: 1999-01-29

Abstract

(57)【要約】【課題】梁構造体を有する半導体加速度センサにおい
て、梁構造体と固定部の付着を低減する。【解決手段】梁構造体２Ａと固定部２Ｂの表面をシリ
コン窒化膜で覆うようにし、また固定部２Ｂにおける梁
部４、５と対向する部分に４つの突起５１を形成し、さ
らに固定電極９ａ〜９ｄ、１１ａ〜１１ｄ、１３ａ〜１
３ｄ、１５ａ〜１５ｄにおける可動電極７ａ〜７ｄ、８
ａ〜８ｄと対向する部分のそれぞれに突起５２を形成す
ることによって、梁構造体２Ａと固定部２Ｂの付着を防
止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、梁構造の可動部を
有し、例えば、加速度、ヨーレート、振動等の力学量を
検出する半導体力学量センサおよびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】本出願人は、梁構造の可動部を有する半
導体力学量センサとして、貼り合わせ基板を用いたサー
ボ制御式の差動容量型加速度センサを先に提案した（特
願平８−１９１９２号）。このものは、基板上に、梁構
造体（可動部）と固定部を形成して構成されている。梁
構造体は、アンカー部と、このアンカー部により梁部を
介して支持され加速度を受けて変位する質量部を有して
おり、この質量部には可動電極が設けられている。ま
た、固定部は、基板上にアンカー部により固定され可動
電極と対向する形状の固定電極を有している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等がその加速
度センサについてさらに検討を進めたところ、梁構造体
と固定部の間隔が狭いため、梁構造体と固定部が付着し
てしまうという問題があることが判明した。例えば、梁
構造体と固定部を形成するためのエッチング時におい
て、梁構造体と固定部がシリコン基板で構成されている
ため、エッチング後の乾燥過程でシリコンとシリコンが
結合（Ｓｉ−Ｓｉ結合）してしまい、可動部が固定部に
付着してしまう。

【０００４】本発明は上記問題に鑑みたもので、可動部
と固定部の付着を低減できる構造およびその製造方法を
提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、可動部（２Ａ）
と固定部（２Ｂ）の対向するそれぞれの表面を、可動部
と固定部の付着を防止する絶縁膜（４２）にて覆うよう
にしたことを特徴としている。従って、可動部（２Ａ）
と固定部（２Ｂ）が接触しても、絶縁膜（４２）によっ
て可動部（２Ａ）と固定部（２Ｂ）が付着するのを防止
することができる。

【０００６】その絶縁膜（４２）としては、請求項２に
記載の発明のように、シリコン窒化膜を用いることがで
きる。また、請求項３に記載の発明のような突起（５
０）によって、梁部（４、５）と基板（１）との間の付
着面積を減らし、梁の復元力と比べて結合力を小さくす
ることで両者の付着を防止することができる。

【０００７】また、請求項４に記載の発明のようにシリ
コン基板に不純物拡散領域が形成されることによって、
不純物拡散領域を形成しない場合に生じる空乏層の容量
を小さくし、容量が設計値通り精度よく製作できるた
め、特性精度が向上できる。請求項５乃至８に記載の発
明によれば、請求項１に記載の半導体力学量センサを適
切に製造することができる。

【０００８】なお、請求項８に記載の発明によれば、第
１、第２のアンカー部の上にシリコン窒化膜（６８）を
形成しているため、犠牲層エッチング時にエッチングス
トッパとなるシリコン窒化膜（６５）がオーバーエッチ
ングされてもアンカー部が剥がれるのを防止することが
できる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１に、本発明の一実施形態に係る
半導体加速度センサの平面図を示す。また、図２、図３
に、図１におけるＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図を示す。
図１、図２において、基板１の上面には、単結晶シリコ
ン（単結晶半導体材料）を溝によって分離して形成され
た梁構造体（可動部）２Ａと固定部２Ｂが配置されてい
る。

【００１０】梁構造体２は、基板１側から突出する４つ
のアンカー部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄにより架設されて
おり、基板１の上面において所定間隔を隔てた位置に配
置されている。アンカー部３ａ〜３ｄはポリシリコン薄
膜よりなる。アンカー部３ａとアンカー部３ｂとの間に
は、梁部４が架設されており、アンカー部３ｃとアンカ
ー部３ｄとの間には、梁部５が架設されている。

【００１１】また、梁部４と梁部５との間には、長方形
状をなす質量部（マス部）６が架設されている。質量部
６には上下に貫通する透孔６ａが設けられている。この
透孔６ａを設けることにより、後述する犠牲層エッチン
グの際にエッチング液の進入を行い易くすることができ
る。さらに、質量部６における一方の側面（図１におい
ては左側面）からは４つの可動電極７ａ、７ｂ、７ｃ、
７ｄが突出している。この可動電極７ａ〜７ｄは棒状を
なし、等間隔をおいて平行に延びている。また、質量部
６における他方の側面（図１においては右側面）からは
４つの可動電極８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄが突出してい
る。この可動電極８ａ〜８ｄは棒状をなし、等間隔に平
行に延びている。ここで、梁部４、５、質量部６、可動
電極７ａ〜７ｄ、８ａ〜８ｄは、後述する犠牲層酸化膜
の一部もしくは全部をエッチング除去することにより、
可動となっている。

【００１２】また、基板１の上面には４つの第１の固定
電極９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄおよび第２の固定電極１１
ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄが固定されている。第１の
固定電極９ａ〜９ｄは基板１側から突出するアンカー部
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄにより支持されてお
り、梁構造体２の各可動電極（棒状部）７ａ〜７ｄの一
方の側面に対向して配置されている。また、第２の固定
電極１１ａ〜１１ｄは基板１側から突出するアンカー部
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄにより支持されてお
り、梁構造体２の各可動電極（棒状部）７ａ〜７ｄの他
方の側面に対向して配置されている。

【００１３】同様に、基板１の上面には第１の固定電極
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄおよび第２の固定電極
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄが固定されている。第
１の固定電極１３ａ〜１３ｄはアンカー部１４ａ、１４
ｂ、１４ｃ、１４ｄにより支持され、かつ、梁構造体２
の各可動電極（棒状部）８ａ〜８ｄの一方の側面に対向
して配置されている。また、第２の固定電極１５ａ〜１
５ｄはアンカー部１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄによ
り支持され、かつ、梁構造体２の各可動電極（棒状部）
８ａ〜８ｄの他方の側面に対向して配置されている。

【００１４】また、基板１の上面には、電極取出部２７
ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄが形成され、電極取出部２
７ａ〜２７ｄは基板１から突出するアンカー部２８ａ、
２８ｂ、２８ｃ、２８ｄにより支持されている。基板１
は、図２、図３に示すように、シリコン基板３０の上
に、貼り合わせ用薄膜（ポリシリコン薄膜）３１とシリ
コン酸化膜３２とシリコン窒化膜３３と導電性薄膜（リ
ン等の不純物をドーピングしたポリシリコン薄膜）３４
とシリコン窒化膜３５とを積層した構成となっており、
導電性薄膜３４がシリコン窒化膜３３、３５の内部に埋
め込まれた構造となっている。

【００１５】導電性薄膜３４は、図２に示すように、ア
ンカー部３ａ、３ｂを構成し、また図３に示すように、
アンカー部１０ａ〜１０ｄ、１２ａ〜１２ｄを構成して
いる。なお、図２、図３に図示されないアンカー部３
ｃ、３ｄ、１４ａ〜１４ｄ、１６ａ〜１６ｄ、２８ａ〜
２８ｄについても、導電性薄膜３４により構成されてい
る。

【００１６】また、導電性薄膜３４は、第１の固定電極
９ａ〜９ｄと電極取出部２７ａの間、第１の固定電極１
３ａ〜１３ｄと電極取出部２７ｂの間、第２の固定電極
１１ａ〜１１ｄと電極取出部２７ｃの間、および第２の
固定電極１５ａ〜１５ｄと電極取出部２７ｄの間をそれ
ぞれ電気的に接続する配線を形成するとともに、下部電
極（静電気力相殺用固定電極）２６を形成している。な
お、下部電極２６は基板１の上面部における梁構造体２
と対向する領域に形成されている。

【００１７】また、梁構造体２Ａと固定部２Ｂは、図
２、図３に示すように、リン等の不純物が拡散されたシ
リコン基板４１により構成され、その表面が、絶縁膜と
してのシリコン窒化膜（ＳｉＮ）４２により被覆されて
いる。また、図１、図２に示すように、アンカー部３ａ
の上方にはアルミ薄膜よりなる電極（ボンディングパッ
ト）４３が設けられている。また、図１に示すように、
電極取出部２７ａ〜２７ｄの上面にはアルミ薄膜よりな
る電極（ボンディングパッド）４４ａ、４４ｂ、４４
ｃ、４４ｄがそれぞれ設けられている。

【００１８】上記した構成において、梁構造体２の可動
電極７ａ〜７ｄと第１の固定電極９ａ〜９ｄとの間に第
１のコンデンサが、また梁構造体２の可動電極７ａ〜７
ｄと第２の固定電極１１ａ〜１１ｄとの間に第２のコン
デンサが形成される。同様に、梁構造体２の可動電極８
ａ〜８ｄと第１の固定電極１３ａ〜１３ｄとの間に第１
のコンデンサが、また梁構造体２の可動電極８ａ〜８ｄ
と第２の固定電極１５ａ〜１５ｄとの間に第２のコンデ
ンサが形成される。

【００１９】そして、第１、第２のコンデンサの容量に
基づいて梁構造体２に作用する加速度を検出することで
きるようになっている。より詳しくは、可動電極と固定
電極とにより２つの差動型静電容量を形成し、２つの容
量が等しくなるようにサーボ動作を行う。また、梁構造
体２と下部電極２６とを等電位にすることにより梁構造
体２と基板１との間に生じる静電気力を相殺する。つま
り、下部電極２６はアンカー部３ａ〜３ｄを通して梁部
４、５および質量部６と結合されているため電気的に等
電位であり、梁部４、５および静電気力により基板１に
付着することを防止することができる。すなわち、梁構
造体２はシリコン基板３０に対して絶縁されているた
め、梁構造体２とシリコン基板３０間のわずかな電位差
によっても梁構造体２が基板３０側に付着しようとする
が、それを防止することができる。

【００２０】さらに、梁構造体２Ａと固定部２Ｂの表面
がシリコン窒化膜４２で被覆されているため、梁構造体
２Ａと固定部２Ｂが接触、例えば可動電極７ａ〜７ｄ、
８ａ〜８ｄと固定電極９ａ〜９ｄ、１１ａ〜１１ｄ、１
３ａ〜１３ｄ、１５ａ〜１５ｄが接触しても、両者が付
着するのを防止することができる。さらに、図１に示す
ように、固定部２Ｂにおいて梁部４、５と対向する部分
に４つの突起５１が形成され、さらに固定電極９ａ〜９
ｄ、１１ａ〜１１ｄ、１３ａ〜１３ｄ、１５ａ〜１５ｄ
において可動電極７ａ〜７ｄ、８ａ〜８ｄと対向する部
分に突起５２が形成されている。また、図２に示すよう
に、梁４、５下部の基板１上に突起５０が形成されてい
る。このような突起５０〜５２を設けることによって、
それぞれの間の付着面積を減らし、梁の復元力と比べて
結合力を小さくすることで付着を防止することができ
る。

【００２１】また、梁構造体２Ａおよび固定部２Ｂを構
成するシリコン基板４１にリン等の不純物を拡散した拡
散領域を形成しているから、拡散領域を形成しない場合
に生じる空乏層の容量をなくし、容量が設計値通り精度
よく製作できるため、特性精度を向上することができ
る。次に、上記した半導体加速度センサの製造方法につ
いて、図１中のＣ−Ｃ断面を用いた工程図に従って説明
する。

【００２２】まず、図４（ａ）に示すように、第１の半
導体基板としての単結晶シリコン基板６０を用意する。
そして、トレンチエッチングによりシリコン基板６０に
溝６１を形成する。この溝６１は、梁構造体２Ａと固定
部２Ｂを画定するためのものである。そして、後に静電
容量を検出するための電極とするためにリン拡散等によ
り不純物を導入する。

【００２３】次に、図４（ｂ）に示すように、溝６１を
含むシリコン基板６０の上に、付着防止用のシリコン窒
化膜６２を成膜し、その後、図４（ｃ）に示すように、
犠牲層用薄膜としてのシリコン酸化膜６３をＣＶＤ法等
により成膜し、さらにシリコン酸化膜６３の表面を平坦
化する。次に、図４（ｄ）に示すように、シリコン酸化
膜６３に対しフォトリソグラフィを経て一部エッチング
して凹部６４を形成する。これは、犠牲層エッチング工
程において梁構造体２Ａがリリースされた後に表面張力
等で基板に付着するのを防止する突起５０（図２参照）
を形成するためのものである。

【００２４】次に、図５（ａ）に示すように、表面の凹
凸を増大させるためと犠牲層エッチング時のエッチング
ストッパとするためにシリコン窒化膜６５を成膜する。
そして、図５（ｂ）に示すように、シリコン窒化膜６５
とシリコン酸化膜６３とシリコン窒化膜６２の積層体に
対しフォトリソグラフィを経てドライエッチング等によ
りアンカー部形成領域に開口部６６ａ、６６ｂ、６６
ｃ、６６ｄを形成する。この開口部６６ａ〜６６ｄは、
梁構造体と下部電極とを接続するため、および固定電極
及び電極取出部と配線パターンとを接続するためのもの
である。

【００２５】引き続き、図５（ｃ）に示すように、開口
部６６ａ〜６６ｄを含むシリコン窒化膜６５の上にポリ
シリコン薄膜６７を成膜し、その後、リン拡散等により
不純物を導入し、さらに、フォトリソグラフィを経てア
ンカー部、配線、下部電極のパターン６７ａ、６７ｂ、
６７ｃ、６７ｄを形成する。このように、開口部６６ａ
〜６６ｄを含むシリコン窒化膜６５上の所定領域に導電
性薄膜として不純物ドープトポリシリコン薄膜６７を形
成する。ポリシリコン薄膜の膜厚は１〜２μｍ程度であ
る。

【００２６】この工程（開口部を含むシリコン窒化膜６
５上の所定領域に不純物ドープトポリシリコン薄膜６７
を形成する工程）において、ステッパの下部パターン分
解能を満たす程度にポリシリコン薄膜６７が薄い（１〜
２μｍ）ので、ポリシリコン薄膜６７の下でのシリコン
窒化膜６５の開口部６６ａ〜６６ｄの形状を透視するこ
とができ、フォトマスク合わせを正確に行うことができ
る。

【００２７】そして、図５（ｄ）に示すように、ポリシ
リコン薄膜６７およびシリコン窒化膜６５の上にシリコ
ン窒化膜６８を成膜し、さらにその上にシリコン酸化膜
６９を成膜する。この後、図６（ａ）に示すように、シ
リコン酸化膜６９の上に貼り合わせ用薄膜としてのポリ
シリコン薄膜７０を成膜し、貼り合わせのためにポリシ
リコン薄膜７０の表面を機械的研磨等により平坦化す
る。

【００２８】次に、図６（ｂ）に示すように、シリコン
基板６０とは別の単結晶シリコン基板（支持基板）７１
を用意し、ポリシリコン薄膜７０の表面と第２の半導体
基板としてのシリコン基板７１とを貼り合わせる。そし
て、シリコン基板６０、７１を表裏逆にして、図６
（ｃ）に示すように、シリコン基板６０側を機械的研磨
等を行い薄膜化する。この際、溝６１内のシリコン窒化
膜６２を過ぎて、シリコン酸化膜６３の層が出現するま
で研磨を行う。このようにシリコン酸化膜６３の層が出
現するまで研磨を行うと、研磨における硬度が変化する
ため、研磨の終点を容易に検出することができる。

【００２９】この後、図６（ｄ）に示すように、シリコ
ン窒化膜７２を成膜し、フォトリソグラフィを経てドラ
イエッチング等によりコンタクトホール７３及びトレン
チエッチングの溝の部分に開口部７４を形成する。そし
て、図７（ａ）に示すように、アルミ電極７５を成膜・
フォトリソグラフィを経て形成する。最後に、図７
（ｂ）に示すように、ＨＦ系のエッチング液によりシリ
コン酸化膜６３をエッチング除去し、可動電極を有する
梁構造体を可動とする。つまり、エッチング液を用いた
犠牲層エッチングにより所定領域のシリコン酸化膜６３
を除去してシリコン基板６０を可動構造とする。この
際、エッチング後の乾燥の過程で可動部が基板に付着す
るのを防止するため、バラジクロルベンゼン等の昇華剤
を用いる。

【００３０】このようにして、埋め込みＳＯＩ基板を用
い、配線パターンおよび下部電極を絶縁体分離により形
成した半導体加速度センサを形成することができる。な
お、上記した実施形態においては、犠牲層用薄膜として
シリコン酸化膜６３を用い、導電性薄膜としてポリシリ
コン薄膜６７を用いているから、犠牲層エッチング工程
において、ＨＦ系エッチング液を用いた場合、シリコン
酸化膜６３はＨＦにて溶けるがポリシリコン薄膜６７は
溶けないので、ＨＦ系エッチング液の濃度や温度を正確
に管理したり、エッチングの終了を正確に時間管理にて
行う必要がなく、製造が容易になる。

【００３１】また、アンカー部の下にシリコン窒化膜６
８（図２、図３におけるシリコン窒化膜３３）を形成す
ることにより、犠牲層エッチング時に上層側のシリコン
窒化膜６５（図２、図３におけるシリコン窒化膜３５）
がオーバエッチングなどによりなくなっても、アンカー
部が剥がれるのを防止することができる。しかも、上層
側のシリコン窒化膜６５の膜厚を増やしてアンカー部の
剥がれ防止を行った場合に比べ、本実施形態のようにア
ンカー部の下にシリコン窒化膜６８を形成した場合の方
が、応力などによる割れの可能性を少なくすることがで
きる。

【００３２】なお、上記実施形態において、可動部２Ａ
と固定部２Ｂの表面を覆う絶縁膜としてシリコン窒化膜
４２を用いるものを示したが、可動部２Ａと固定部２Ｂ
の付着を防止できるものであれば他の材料による絶縁膜
を用いてもよい。また、その絶縁膜は、可動部２Ａと固
定部２Ｂの表面の全体を覆わなくても可動部２Ａと固定
部２Ｂの対向する表面にのみ形成されているものであっ
てもよい。

【００３３】また、本発明は、上記した半導体加速度セ
ンサに限らず、半導体ヨーレートセンサなどの力学量セ
ンサにも適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る半導体加速度センサ
の平面構成を示す図である。

【図２】図１中のＡ−Ａ断面図である。

【図３】図１中のＢ−Ｂ断面図である。

【図４】図１に示す半導体加速度センサの製造方法を示
す工程図である。

【図５】図４に続く工程図である。

【図６】図５に続く工程図である。

【図７】図６に続く工程図である。

【符号の説明】

１…基板、２Ａ…梁構造体、２Ｂ…固定部、３ａ〜３ｄ
…第１のアンカー部、４、５…梁部、６…質量部、７ａ
〜７ｄ、８ａ〜８ｄ…可動電極、９ａ〜９ｄ、１１ａ〜
１１ｄ、１３ａ〜１３ｄ、１５ａ〜１５ｄ…固定電極、
１０ａ〜１０ｄ、１２ａ〜１２ｄ、１４ａ〜１４ｄ、１
６ａ〜１６ｄ、２８ａ〜２８ｄ…第２のアンカー部、６
０…第１の半導体基板、６１…溝、６３…犠牲層用薄膜
としてシリコン酸化膜、６２、６５、６８…シリコン窒
化膜、６６ａ〜６６ｃ…開口部、６７…ポリシリコン薄
膜、６９…シリコン酸化膜、７０…貼り合わせ用薄膜と
してのポリシリコン薄膜、７１…第２の半導体基板。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板（１）と、この基板上に配置されシ
リコン基板を分離して形成された可動部（２Ａ）と固定
部（２Ｂ）とを備え、前記可動部は、可動電極（７ａ〜７ｄ、８ａ〜８ｄ）を
有する質量部（６）が、前記基板上に形成されたアンカ
ー部（３ａ〜３ｄ）により梁部（４、５）を介して支持
され、力学量により変位するように構成されており、前記固定部は、前記基板上に固定され前記可動電極と対
向する形状の固定電極（９ａ〜９ｄ、１１ａ〜１１ｄ、
１３ａ〜１３ｄ、１５ａ〜１５ｄ）を有しており、前記可動部と前記固定部の対向するそれぞれの表面が、
前記可動部と前記固定部の付着を防止する絶縁膜（４
２）にて覆われていることを特徴とする半導体力学量セ
ンサ。
【請求項２】前記絶縁膜はシリコン窒化膜であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体力学量センサ。
【請求項３】前記梁部（４、５）下部の前記基板
（１）上に突起（５０）が形成されていることを特徴と
する請求項１又は２に記載の半導体力学量センサ。
【請求項４】前記可動部（２Ａ）および前記固定部
（２Ｂ）を構成するシリコン基板に不純物拡散領域が形
成されてなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
か１つに記載の半導体力学量センサ。
【請求項５】基板（１）と、この基板上に配置された
可動部（２Ａ）と固定部（２Ｂ）とを備え、前記可動部は、可動電極（７ａ〜７ｄ、８ａ〜８ｄ）を
有する質量部（６）が、前記基板上に形成された第１の
アンカー部（３ａ〜３ｄ）により梁部（４、５）を介し
て支持され、力学量により変位するように構成されてお
り、前記固定部は、前記基板上に第２のアンカー部（１０ａ
〜１０ｄ、１２ａ〜１２ｄ、１４ａ〜１４ｄ、１６ａ〜
１６ｄ）により固定され前記可動電極と対向する形状の
固定電極（９ａ〜９ｄ、１１ａ〜１１ｄ、１３ａ〜１３
ｄ、１５ａ〜１５ｄ）を有してなる半導体力学量センサ
の製造方法であって、第１の半導体基板（６０）上に前記可動部および固定部
を画定するための溝（６１）を形成し、この溝を含む前
記第１の半導体基板の表面に第１の絶縁膜（６２）を形
成し、さらにこの第１の絶縁膜の上に犠牲層用薄膜（６
３）および第２の絶縁膜（６５）を形成する工程と、前記第１の絶縁膜、犠牲層用薄膜および第２の絶縁膜に
対し、前記第１、第２のアンカー部を形成する領域に開
口部（６６ａ〜６６ｄ）を形成する工程と、前記開口部および前記第２の絶縁膜上の所定領域に前記
第１、第２のアンカー部を構成する膜（６７）を形成し
た後、その上に貼り合わせ用薄膜（７０）を形成する工
程と、この貼り合わせ用薄膜の表面と第２の半導体基板を貼り
合わせる工程と、前記溝内の前記犠牲層用薄膜が露呈するまで前記第１の
半導体基板を研磨する工程と、この後、前記犠牲層用薄膜をエッチング除去して前記第
１の半導体基板に前記可動部および前記固定部を形成す
る工程とを有することを特徴とする半導体力学量センサ
の製造方法。
【請求項６】前記第１の絶縁膜としてシリコン窒化膜
を形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体力
学量センサの製造方法。
【請求項７】前記研磨後、前記溝を除く前記第１の半
導体基板の表面に前記第１の絶縁膜と同一材料の第３の
絶縁膜（７２）を形成することを特徴とする請求項５又
は６に記載の半導体力学量センサの製造方法。
【請求項８】前記第２の絶縁膜としてシリコン窒化膜
を形成し、このシリコン窒化膜の上および前記第１、第
２のアンカー部の上にシリコン窒化膜（６８）を形成す
ることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１つに記
載の半導体力学量センサの製造方法。