JPH11265870A - Cleaning of electronic material - Google Patents
Cleaning of electronic materialInfo
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- JPH11265870A JPH11265870A JP6704798A JP6704798A JPH11265870A JP H11265870 A JPH11265870 A JP H11265870A JP 6704798 A JP6704798 A JP 6704798A JP 6704798 A JP6704798 A JP 6704798A JP H11265870 A JPH11265870 A JP H11265870A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料の洗浄方
法に関する。さらに詳しくは、本発明は、電子材料のウ
ェット洗浄において、簡単な装置を用いて、電子材料表
面に付着した微粒子汚染、有機物汚染、金属汚染など
を、効率よく除去することができる電子材料の洗浄方法
に関する。The present invention relates to a method for cleaning electronic materials. More specifically, the present invention provides a method for cleaning electronic materials that can efficiently remove fine particle contamination, organic substance contamination, metal contamination, and the like attached to the surface of electronic materials using a simple apparatus in wet cleaning of electronic materials. About the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体用シリコン基板、液晶
用ガラス基板、フォトマスク用石英基板などの電子材料
に付着した微粒子汚染は、アンモニア水と過酸化水素水
の混合液を用いる、いわゆるＳＣ１洗浄により別工程に
おいて洗浄されていた。また、有機物汚染と金属汚染
は、過酸化水素をベースとする強い酸化力を有する濃厚
薬液を用い、高温で洗浄されていた。これらの洗浄法を
採用した場合の多大な薬液コスト、リンス用の超純水コ
スト、廃液処理コスト、薬品蒸気を排気し新たに清浄空
気を作る空調コストを低減し、さらに水の大量使用、薬
物の大量廃棄、排ガスの放出などの環境への負荷を低減
するために、近年ウェット洗浄工程の見直しが進められ
ている。本発明者らは、先に洗浄対象物及び洗浄目的に
応じて、超純水又は超純水に塩酸、アンモニア、過酸化
水素、重亜硫酸塩などを溶解した水に、オゾン、水素ガ
ス、酸素ガス、炭酸ガス、塩素ガス、窒素ガス、希ガス
などの気体を溶解した省資源型の電子材料用洗浄水を開
発した。これらの電子材料用洗浄水の中で、水素ガス又
は酸素ガスを溶解した超純水は、電子材料に付着した微
粒子汚染を除去する効果が大きく、オゾンを溶解した超
純水は、電子材料に付着した有機物汚染及び金属汚染を
除去する効果が大きい。このような洗浄水に、超音波を
伝達しつつ電子材料の洗浄を行うと、各種の汚染物質の
除去をいっそう効果的に行うことができる。しかし、洗
浄水に超音波を伝達しつつ洗浄を行うためには、超音波
発振回路を備えた超音波照射ノズルなどが必要であり、
特に、極めて微細な加工が施された電子材料の洗浄に
は、超音波がもたらすキャビテーション効果による被洗
浄物の損傷を避けるために、１MHz程度以上の周波数の
超音波が要求される。このために、簡単な装置を用い
て、電子材料表面に付着した各種の汚染を効率よく除去
することができる電子材料の洗浄方法が求められてい
た。2. Description of the Related Art Conventionally, particulate contamination adhering to electronic materials such as a silicon substrate for a semiconductor, a glass substrate for a liquid crystal, and a quartz substrate for a photomask is performed by so-called SC1 cleaning using a mixed solution of aqueous ammonia and hydrogen peroxide. In a separate step. In addition, organic matter contamination and metal contamination have been washed at a high temperature using a concentrated chemical solution having a strong oxidizing power based on hydrogen peroxide. When these cleaning methods are used, the cost of chemicals, the cost of ultrapure water for rinsing, the cost of waste liquid treatment, the cost of air conditioning that exhausts chemical vapor and creates clean air, and the use of large amounts of water and drugs In recent years, a review of the wet cleaning process has been promoted in order to reduce the burden on the environment such as mass disposal of waste gas and emission of exhaust gas. The present inventors have previously determined ozone, hydrogen gas, oxygen, etc. in ultrapure water or water in which hydrochloric acid, ammonia, hydrogen peroxide, bisulfite, etc. are dissolved in ultrapure water or ultrapure water, depending on the object to be cleaned and the purpose of cleaning. We have developed a resource-saving type washing water for electronic materials in which gases such as gas, carbon dioxide, chlorine gas, nitrogen gas and rare gas are dissolved. Among these electronic material cleaning waters, ultrapure water in which hydrogen gas or oxygen gas is dissolved has a great effect of removing fine particle contamination attached to the electronic material, and ultrapure water in which ozone is dissolved is used in electronic materials. The effect of removing adhered organic matter contamination and metal contamination is great. If the electronic material is washed while transmitting ultrasonic waves to such washing water, various contaminants can be more effectively removed. However, in order to perform cleaning while transmitting ultrasonic waves to the cleaning water, an ultrasonic irradiation nozzle equipped with an ultrasonic oscillation circuit is required,
In particular, when cleaning an electronic material that has been subjected to extremely fine processing, ultrasonic waves having a frequency of about 1 MHz or more are required in order to avoid damage to the object to be cleaned due to the cavitation effect caused by the ultrasonic waves. For this reason, there has been a demand for a method of cleaning an electronic material that can efficiently remove various types of contamination attached to the surface of the electronic material using a simple device.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、電子材料の
ウェット洗浄において、簡単な装置を用いて、電子材料
表面に付着した微粒子汚染、有機物汚染、金属汚染など
を、効率よく除去することができる電子材料の洗浄方法
を提供することを目的としてなされたものである。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, in wet cleaning of an electronic material, it is possible to efficiently remove fine particle contamination, organic substance contamination, metal contamination and the like attached to the surface of the electronic material by using a simple apparatus. An object of the present invention is to provide a method for cleaning an electronic material.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、還元性ガス又は
酸化性ガスを溶解した洗浄水を、ジェット流体として被
洗浄物に噴射することにより、表面に付着した各種の汚
染を効果的に除去し得ることを見いだし、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
は、（１）還元性ガス又は酸化性ガスを溶解した洗浄水
を、ジェット流体として被洗浄物に噴射することを特徴
とする電子材料の洗浄方法、を提供するものである。さ
らに、本発明の好ましい態様として、（２）還元性ガス
が、水素ガスである第(１)項記載の電子材料の洗浄方
法、（３）酸化性ガスが、酸素ガス又はオゾンと酸素ガ
スの混合ガスである第(１)項記載の電子材料の洗浄方
法、（４）ジェット流体が、バブルジェット流体である
第(１)項記載の電子材料の洗浄方法、（５）ジェット流
体が、キャビテーションジェット流体である第(１)項記
載の電子材料の洗浄方法、（６）洗浄水が、酸の添加に
よりpH７未満に調整されたものである第(１)項記載の電
子材料の洗浄方法、及び、（７）洗浄水が、アルカリの
添加によりpH７以上に調整されたものである第(１)項記
載の電子材料の洗浄方法、を挙げることができる。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, the cleaning water in which a reducing gas or an oxidizing gas is dissolved is used as a jet fluid for an object to be cleaned. It has been found that various contaminations adhered to the surface can be effectively removed by spraying, and the present invention has been completed based on this finding. That is, the present invention provides (1) a method for cleaning an electronic material, wherein cleaning water in which a reducing gas or an oxidizing gas is dissolved is jetted as a jet fluid to an object to be cleaned. Further, as a preferred embodiment of the present invention, (2) the method for cleaning an electronic material according to (1), wherein the reducing gas is hydrogen gas, and (3) the oxidizing gas is oxygen gas or a mixture of ozone and oxygen gas. The method for cleaning an electronic material according to the above item (1), which is a mixed gas; (4) the method for cleaning an electronic material according to the above item (1), wherein the jet fluid is a bubble jet fluid; (1) The method for cleaning an electronic material according to (1), which is a jet fluid, (6) the method for cleaning an electronic material according to (1), wherein the washing water is adjusted to a pH of less than 7 by adding an acid. And (7) the method for cleaning an electronic material according to (1), wherein the cleaning water is adjusted to pH 7 or more by adding an alkali.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】本発明の電子材料の洗浄方法にお
いては、還元性ガス又は酸化性ガスを溶解した洗浄水
を、ジェット流体として被洗浄物に噴射する。使用する
還元性ガスには特に制限はなく、例えば、水素ガスなど
を挙げることができる。水素ガスを溶解して洗浄水とす
る場合、溶存水素の濃度は０.４mg／リットル以上であ
ることが好ましく、０.７mg／リットル以上であること
がより好ましく、１.０mg／リットル以上であることが
さらに好ましい。溶存水素の濃度が０.４mg／リットル
未満であると、洗浄効果が不十分となるおそれがある。
使用する酸化性ガスには特に制限はなく、例えば、酸素
ガス、オゾンと酸素ガスの混合ガスなどを挙げることが
できる。酸素ガス又はオゾンと酸素ガスの混合ガスを溶
解して洗浄水とする場合、溶存酸素の濃度は、１２mg／
リットル以上であることが好ましく、２０mg／リットル
以上であることがより好ましく、３０mg／リットル以上
であることがさらに好ましい。溶存酸素の濃度が１２mg
／リットル未満であると、洗浄効果が不十分となるおそ
れがある。また、溶存オゾンの濃度は、０.１mg／リッ
トル以上であることが好ましく、０.５mg／リットル以
上であることがより好ましく、１mg／リットル以上であ
ることがさらに好ましい。溶存オゾンの濃度が０.１mg
／リットル未満であると、洗浄効果が不十分となるおそ
れがある。本発明方法において、還元性ガス又は酸化性
ガスを溶解する水の純度には特に制限はなく、被洗浄物
に要求される表面清浄度に応じて選択することができ
る。すなわち、被洗浄物の表面清浄度の要求レベルに比
して、実質的に汚染されていない純度を有する水に、還
元性ガス又は酸化性ガスを溶解して洗浄水を製造するこ
とができる。したがって、被洗浄物が特に厳密な清浄度
を必要としない簡易な部材などである場合には、還元性
ガス又は酸化性ガスを工業用水などに溶解して、洗浄水
とすることができる。しかし、半導体用シリコン基板、
液晶用ガラス基板、フォトマスク用石英基板、その他精
密電子部品などの電子材料の表面を洗浄する場合には、
十分な高純度を有する超純水に、還元性ガス又は酸化性
ガスを溶解することが好ましい。超純水は、２５℃にお
ける電気抵抗率が１８ＭΩ・cm以上であり、有機体炭素
が１０μｇ／リットル以下であり、微粒子が１０,００
０個／リットル以下であることが好ましい。さらに、必
要に応じて、洗浄水中の極微細な異物を、フィルターを
用いて除去することもできる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a method for cleaning an electronic material according to the present invention, cleaning water in which a reducing gas or an oxidizing gas is dissolved is jetted as a jet fluid onto an object to be cleaned. The reducing gas to be used is not particularly limited, and examples thereof include hydrogen gas. When hydrogen gas is dissolved into washing water, the concentration of dissolved hydrogen is preferably 0.4 mg / L or more, more preferably 0.7 mg / L or more, and more preferably 1.0 mg / L or more. Is more preferable. If the concentration of dissolved hydrogen is less than 0.4 mg / liter, the cleaning effect may be insufficient.
The oxidizing gas used is not particularly limited, and examples thereof include oxygen gas and a mixed gas of ozone and oxygen gas. When oxygen gas or a mixed gas of ozone and oxygen gas is dissolved and used as washing water, the concentration of dissolved oxygen is 12 mg /
It is preferably at least liter, more preferably at least 20 mg / liter, even more preferably at least 30 mg / liter. 12mg dissolved oxygen concentration
If it is less than 1 / liter, the cleaning effect may be insufficient. The concentration of dissolved ozone is preferably at least 0.1 mg / liter, more preferably at least 0.5 mg / liter, and even more preferably at least 1 mg / liter. 0.1mg dissolved ozone concentration
If it is less than 1 / liter, the cleaning effect may be insufficient. In the method of the present invention, the purity of the water in which the reducing gas or the oxidizing gas is dissolved is not particularly limited, and can be selected according to the surface cleanliness required for the object to be cleaned. That is, the cleaning water can be produced by dissolving the reducing gas or the oxidizing gas in water having a purity substantially free from contamination as compared with the required level of the surface cleanliness of the object to be cleaned. Therefore, when the object to be cleaned is a simple member or the like that does not particularly require strict cleanliness, the cleaning gas can be obtained by dissolving a reducing gas or an oxidizing gas in industrial water or the like. However, silicon substrates for semiconductors,
When cleaning the surface of electronic materials such as glass substrates for liquid crystal, quartz substrates for photomasks, and other precision electronic components,
It is preferable to dissolve the reducing gas or the oxidizing gas in ultrapure water having sufficiently high purity. Ultrapure water has an electrical resistivity at 25 ° C. of 18 MΩ · cm or more, organic carbon of 10 μg / liter or less, and fine particles of 10,000 or less.
It is preferably 0 / liter or less. Further, if necessary, ultrafine foreign matters in the washing water can be removed using a filter.
【０００６】本発明方法に用いる洗浄水の製造方法には
特に制限はなく、例えば、水に還元性ガス又は酸化性ガ
スをバブリングして製造することもできる。しかし、還
元性ガス又は酸化性ガスの溶解効率を高めるためには、
水を脱気して溶存気体の飽和度を低下したのち、還元性
ガス又は酸化性ガスを供給して、水に還元性ガス又は酸
化性ガスを溶解させる方法が好ましい。ここに、気体の
飽和度とは、水中に溶解している気体の量を、圧力１０
5Ｐａ、温度２０℃における気体の溶解量で除した値で
ある。例えば、水が圧力１０5Ｐａ、温度２０℃の窒素
ガスと接して平衡状態にあるとき、水への窒素ガスの溶
解量は１９.２mg／リットルであるので、水中に溶解し
ている気体が窒素ガスのみであって、その溶解量が１
９.２mg／リットルである水の飽和度は１.０倍であり、
水中に溶解している気体が窒素ガスのみであって、その
溶解量が９.６mg／リットルである水の飽和度は０.５倍
である。圧力１０5Ｐａ、温度２０℃で空気と接して平
衡状態にある水は、窒素ガス１４.９mg／リットル及び
酸素ガス９.１mg／リットルを溶解して飽和度１.０倍の
状態となっているので、脱気により気体の溶解量を窒素
ガス１.５mg／リットル、酸素ガス０.９mg／リットルと
した水の飽和度は０.１倍である。また、水が圧力１０5
Ｐａ、温度２０℃の水素ガスと接して平衡状態にあると
き、水への水素ガスの溶解量は１.６mg／リットルであ
るので、水中に溶解している気体が水素ガスのみであ
り、その溶解量が０.８mg／リットルである水の飽和度
は０.５倍である。さらに、水が圧力１０5Ｐａ、温度２
０℃の酸素ガスと接して平衡状態にあるとき、水への酸
素ガスの溶解量は４４.０mg／リットルであるので、水
中に溶解している気体が酸素ガスのみであり、その溶解
量が２２.０mg／リットルである水の飽和度は０.５倍で
ある。The method for producing the washing water used in the method of the present invention is not particularly limited. For example, the washing water can be produced by bubbling a reducing gas or an oxidizing gas into water. However, in order to increase the dissolving efficiency of reducing gas or oxidizing gas,
After the water is degassed to reduce the degree of saturation of the dissolved gas, a method of supplying a reducing gas or an oxidizing gas to dissolve the reducing gas or the oxidizing gas in the water is preferable. Here, the gas saturation means the amount of gas dissolved in water at a pressure of 10
It is a value obtained by dividing the amount of gas dissolved at 5 Pa and a temperature of 20 ° C. For example, when water is in equilibrium with a nitrogen gas at a pressure of 10 5 Pa and a temperature of 20 ° C., the dissolved amount of the nitrogen gas in the water is 19.2 mg / liter. Nitrogen gas only and its dissolved amount is 1
The saturation of water which is 9.2 mg / liter is 1.0 times,
The only gas dissolved in the water is nitrogen gas, and the dissolved amount of 9.6 mg / liter is 0.5 times the saturation of water. Water in an equilibrium state in contact with air at a pressure of 10 5 Pa and a temperature of 20 ° C. dissolves 14.9 mg / liter of nitrogen gas and 9.1 mg / liter of oxygen gas and becomes 1.0 times as saturated. Therefore, the degree of saturation of water is 0.1 times when the amount of dissolved gas is set to 1.5 mg / liter of nitrogen gas and 0.9 mg / liter of oxygen gas by degassing. Also, if the water has a pressure of 105
When in equilibrium with a hydrogen gas at a temperature of 20 ° C. and Pa, the amount of hydrogen gas dissolved in water is 1.6 mg / liter, so the only gas dissolved in water is hydrogen gas. The saturation of water with a dissolution amount of 0.8 mg / l is 0.5 times. Further, the water has a pressure of 10 5 Pa and a temperature of 2
When in equilibrium with the oxygen gas at 0 ° C., the dissolved amount of oxygen gas in water is 44.0 mg / liter, so the only gas dissolved in water is oxygen gas. The saturation of water, which is 22.0 mg / liter, is 0.5 times.
【０００７】本発明方法に用いる洗浄水の製造におい
て、還元性ガス又は酸化性ガスを水に溶解するに際して
は、あらかじめ水を脱気して飽和度を下げ、水中の気体
溶解キャパシティーに空きを作ったのち、還元性ガス又
は酸化性ガスを溶解することが好ましい。洗浄水の製造
においては、気体透過膜モジュールを多段に用いて溶存
気体の除去及び還元性ガス又は酸化性ガスの溶解を行う
ことができる。例えば、気体透過膜モジュールを２段に
設け、前段の気体透過膜モジュールを用いて全溶存気体
を対象とする減圧膜脱気を行い、後段の気体透過膜モジ
ュールを用いて還元性ガス又は酸化性ガスを溶解するこ
とができる。気体透過膜モジュールを２段に設けて、全
溶存気体を対象とする減圧膜脱気と還元性ガス又は酸化
性ガスの溶解を２段に行うことにより、還元性ガス又は
酸化性ガスを無駄に放出することなく、ほぼ定量的に水
に溶解することができる。本発明方法に用いる洗浄水
は、水又は少量の電解質を添加した水を電気分解するこ
とによっても製造することができる。水又は少量の電解
質を添加した水の電気分解により、陰極において、水素
ガスを溶解した洗浄水を得ることができ、陽極におい
て、オゾン、酸素ガス、塩素ガスなどを溶解した洗浄水
を得ることができる。本発明方法においては、還元性ガ
ス又は酸化性ガスを溶解した洗浄水に、酸を添加するこ
とにより、pHを７未満に調整して使用することができ
る。pHを７未満に調整することにより、有機物汚染と金
属汚染の除去効果を高めることができる。pH調整に使用
する酸には特に制限はなく、例えば、塩酸、硫酸、硝
酸、フッ化水素酸、炭酸などを挙げることができる。ま
た、還元性ガス又は酸化性ガスを溶解した洗浄水に、ア
ルカリを添加することにより、pHを７以上に調整して使
用することもできる。pHを７以上に調整することによ
り、微粒子汚染の除去効果を高めることができる。pH調
整に使用するアルカリには特に制限はなく、例えば、ア
ンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどを挙
げることができる。洗浄水への酸又はアルカリの添加
は、電子材料の洗浄の目的、すなわち、被洗浄物の汚染
の状態などを考慮して選択することができる。さらに、
本発明方法においては、還元性ガス又は酸化性ガスを溶
解した洗浄水に、ヒドラジンなどの還元剤や、過酸化水
素、次亜塩素酸塩などの酸化剤を添加して使用すること
もできる。In the production of washing water used in the method of the present invention, when dissolving a reducing gas or an oxidizing gas in water, the water is degassed in advance to reduce the saturation, and the gas dissolving capacity in the water is vacated. After production, it is preferable to dissolve the reducing gas or the oxidizing gas. In the production of the washing water, the dissolved gas can be removed and the reducing gas or the oxidizing gas can be dissolved using the gas permeable membrane module in multiple stages. For example, a gas-permeable membrane module is provided in two stages, a reduced-pressure membrane degassing is performed on all dissolved gases using the gas-permeable membrane module in the previous stage, and a reducing gas or an oxidizing gas is removed using the gas-permeable membrane module in the subsequent stage. Gas can be dissolved. A gas permeable membrane module is provided in two stages, and decompression membrane degassing for all dissolved gases and dissolution of the reducing gas or oxidizing gas are performed in two stages, thereby wasting the reducing gas or oxidizing gas. It can be almost quantitatively dissolved in water without release. The washing water used in the method of the present invention can also be produced by electrolyzing water or water to which a small amount of electrolyte has been added. By electrolysis of water or water to which a small amount of electrolyte is added, it is possible to obtain washing water in which hydrogen gas is dissolved at the cathode, and to obtain washing water in which ozone, oxygen gas, chlorine gas, etc. are dissolved, at the anode. it can. In the method of the present invention, the pH can be adjusted to less than 7 by adding an acid to washing water in which a reducing gas or an oxidizing gas is dissolved. By adjusting the pH to less than 7, the effect of removing organic matter contamination and metal contamination can be enhanced. The acid used for pH adjustment is not particularly limited, and examples thereof include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrofluoric acid, and carbonic acid. Further, the pH can be adjusted to 7 or more by adding an alkali to the washing water in which the reducing gas or the oxidizing gas is dissolved, and then used. By adjusting the pH to 7 or more, the effect of removing particulate contamination can be enhanced. There is no particular limitation on the alkali used for pH adjustment, and examples thereof include ammonia, sodium hydroxide, and potassium hydroxide. The addition of an acid or an alkali to the cleaning water can be selected in consideration of the purpose of cleaning the electronic material, that is, the state of contamination of an object to be cleaned. further,
In the method of the present invention, a reducing agent such as hydrazine or an oxidizing agent such as hydrogen peroxide or hypochlorite may be added to washing water in which a reducing gas or an oxidizing gas is dissolved.
【０００８】本発明の電子材料の洗浄方法においては、
還元性ガス又は酸化性ガスを溶解した洗浄水を、ジェッ
ト流体として被洗浄物に噴射する。本発明方法におい
て、ジェット流体の形態には特に制限はなく、例えば、
バブルジェット流体、キャビテーションジェット流体な
どを挙げることができる。図１は、バブルジェット流体
用のノズルの断面図及びノズル出口形状を示す平面図で
ある。バブルジェット流体用ノズルには、送水管１に洗
浄水が高圧で送られ、送気管２に気体が高圧で送られ、
ノズル３の中で洗浄水と気体が混合する。洗浄水と気体
の混合により、気体が有しているエネルギーが洗浄水に
移行するとともに、洗浄水が微細な水流となり、ノズル
出口４から高エネルギーの水流として被洗浄物に噴射さ
れる。ノズルに送水する洗浄水の圧力は、２〜１０kg／
cm2であることが好ましく、４〜７kg／cm2であることが
より好ましい。ノズルに送気する気体の圧力は、２〜１
０kg腹cm2であることが好ましく、３〜６kg／cm2である
ことがより好ましい。図２は、キャビテーションジェッ
ト流体用のノズルの断面図及びノズル出口形状を示す平
面図である。キャビテーションジェット流体用ノズル
は、高圧水送水管５と低圧水送水管６を有し、いずれの
送水管にも洗浄水が送水される。ノズル出口において、
高圧水はノズル中央の小面積の開口部７より噴射され、
低圧水はその周辺を囲む同心円状の大面積の開口部８よ
り噴射される。高圧水と低圧水の流速比は、５：１〜２
０：１であることが好ましく、８：１〜１５：１である
ことがより好ましい。高圧水と低圧水の流速に差を設け
ることにより、高圧水と低圧水の流れの界面において渦
流が発生し、外気を巻き込んで気相からなるキャビティ
が成長する。成長したキャビティが破壊することによ
り、衝撃波が発生し、衝撃波を伴った水流として被洗浄
物に噴射される。高圧水の圧力は、５〜１００kg／cm2
であることが好ましく、２０〜８０kg／cm2であること
がより好ましい。低圧水の水圧は、０.５〜５kg／cm2で
あることが好ましく、１〜４kg／cm2であることがより
好ましい。本発明の電子材料の洗浄方法によれば、還元
性ガス又は酸化性ガスを溶解した洗浄水をジェット流体
として被洗浄物に噴射することにより、微粒子汚染、有
機物汚染、金属汚染などを効果的に除去することができ
るので、簡単な構造のジェットノズルを用いて、超音波
発振器を用いた場合と同等又はそれ以上の優れた洗浄効
果を得ることが可能となる。In the method of cleaning an electronic material according to the present invention,
Cleaning water in which a reducing gas or an oxidizing gas is dissolved is jetted as a jet fluid onto an object to be cleaned. In the method of the present invention, the form of the jet fluid is not particularly limited, for example,
Bubble jet fluid, cavitation jet fluid and the like can be mentioned. FIG. 1 is a sectional view of a nozzle for a bubble jet fluid and a plan view showing a nozzle outlet shape. To the nozzle for the bubble jet fluid, washing water is sent to the water pipe 1 at high pressure, gas is sent to the air pipe 2 at high pressure,
The cleaning water and the gas are mixed in the nozzle 3. By mixing the cleaning water and the gas, the energy of the gas is transferred to the cleaning water, and the cleaning water is turned into a fine water stream, and is jetted from the nozzle outlet 4 as a high-energy water stream to the object to be cleaned. The pressure of the washing water sent to the nozzle is 2 to 10 kg /
cm 2 , more preferably 4 to 7 kg / cm 2 . The pressure of the gas sent to the nozzle is 2 to 1
It is preferably 0 kg belly cm 2 , more preferably 3 to 6 kg / cm 2 . FIG. 2 is a sectional view of a nozzle for a cavitation jet fluid and a plan view showing a nozzle outlet shape. The nozzle for cavitation jet fluid has a high-pressure water supply pipe 5 and a low-pressure water supply pipe 6, and washing water is supplied to each of the water supply pipes. At the nozzle outlet,
The high-pressure water is injected from a small-area opening 7 in the center of the nozzle,
The low-pressure water is injected from a large concentric opening 8 surrounding the periphery. The flow rate ratio of high-pressure water to low-pressure water is 5: 1 to 2
The ratio is preferably 0: 1, more preferably 8: 1 to 15: 1. By providing a difference between the flow rates of the high-pressure water and the low-pressure water, a vortex is generated at the interface between the flows of the high-pressure water and the low-pressure water. When the grown cavity is destroyed, a shock wave is generated, and the shock wave is jetted onto the object to be cleaned as a water flow accompanied by the shock wave. The pressure of high pressure water is 5-100 kg / cm 2
And more preferably 20 to 80 kg / cm 2 . Pressure of low-pressure water is preferably 0.5 to 5 kg / cm 2, more preferably 1~4kg / cm 2. According to the method for cleaning an electronic material of the present invention, fine particles contamination, organic substance contamination, metal contamination, etc. can be effectively prevented by injecting cleaning water in which a reducing gas or an oxidizing gas is dissolved into a cleaning object as a jet fluid. Since it can be removed, a jet nozzle having a simple structure can be used to obtain an excellent cleaning effect equivalent to or better than that obtained by using an ultrasonic oscillator.
【０００９】[0009]
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。なお、実施例及び比較例におい
て、洗浄効果は下記の方法により評価した。 （１）被洗浄物 (１−１)微粒子により汚染された被洗浄物 表面を酸化した直径６インチのシリコンウェーハを、直
径１μｍ以下のアルミナ微粒子を含む超純水に３分間浸
漬したのち超純水でリンスして、被洗浄物である微粒子
により汚染されたシリコンウェーハを調製した。この汚
染シリコンウェーハは、ウェーハ１枚当たり微粒子２
０,０００個により汚染されていた。 (１−２)有機物及び銅により汚染された被洗浄物 表面を酸化した直径６インチのシリコンウェーハを、銅
１mg／リットルを含む超純水に３分間浸漬したのち、有
機系洗浄剤［ＮＣＷ−６０１Ａ、和光純薬工業(株)製］
０.２重量％を含む純水に浸漬し、超純水でリンスし
て、被洗浄物である有機物及び銅により汚染されたシリ
コンウェーハを調製した。この汚染シリコンウェーハ
は、有機物１.０×１０14炭素原子／cm2及び銅５.０×
１０14原子／cm2により汚染されていた。 （２）評価 (２−１)微粒子 レーザー散乱方式による基板上異物検査装置で微粒子を
計測し、洗浄前後の微粒子数から微粒子汚染の除去率を
求めた。 (２−２)有機物 ＦＴ−ＩＲ分析法により表面の炭素量を測定し、洗浄前
後の測定値から有機物汚染の除去率を求めた。 (２−３)銅濃度 全反射蛍光Ｘ線分析法により表面の銅濃度を測定し、洗
浄前後の銅濃度から銅汚染の除去率を求めた。 実施例１ 水素ガスを溶解した洗浄水をバブルジェット流体として
用いて、微粒子により汚染されたウェーハを洗浄した。
気体溶解膜モジュールを用いて、水素ガス１.０mg／リ
ットルを溶解した超純水からなる洗浄水を調製した。図
１に示す形状のバブルジェットノズルを、シリコンウェ
ーハの表面から２０mm離れた位置で、ウェーハの半径方
向に１０秒周期でスキャンするように設置した。このノ
ズルに、洗浄水を水圧６kg／cm2、流量１リットル／
分、清浄空気を空気圧５kg／cm2、流量２リットル／分
で送り、汚染ウェーハを５００rpmで回転させつつ、１
分間洗浄を行った。洗浄後、超純水を流量８００ml／分
で１０秒間送ってリンスし、さらにウェーハの回転速度
を１,５００rpmに高めて２０秒間保持し、乾燥した。微
粒子の除去率は、９９％以上であった。 実施例２ 酸素ガスを溶解した洗浄水をバブルジェット流体として
用いて、微粒子により汚染されたウェーハを洗浄した。
気体溶解膜モジュールを用いて、酸素ガス３０mg／リッ
トルを溶解した超純水からなる洗浄水を調製した。この
洗浄水を用い、実施例１と同様にして汚染ウェーハの洗
浄を行った。微粒子の除去率は、９９％以上であった。 比較例１ 水素ガスを溶解した洗浄水の代わりに、超純水を用い
て、実施例１と同じ洗浄を行った。微粒子の除去率は、
４１％であった。 実施例３ 水素ガスを溶解した洗浄水をキャビテーションジェット
流体として用いて、微粒子により汚染されたウェーハを
洗浄した。洗浄水は、実施例１と同じ水素ガス１.０mg
／リットルを溶解した超純水を用いた。図２に示す形状
の、中央に内径１mm、肉厚０.５mm、外側に内径４mm、
肉厚１mmの同心円状の二重ノズルからなるキャビテーシ
ョンジェットノズルを、シリコンウェーハの表面から２
０mm離れた位置で、ウェーハの半径方向に１０秒周期で
スキャンするように設置した。このノズルの内側及び外
側に、洗浄水をそれぞれ流量６００ml／分で送った。洗
浄水の流速は、ノズルの内側が１２.７ｍ／秒、外側が
１.０６ｍ／秒である。汚染ウェーハを５００rpmで回転
させつつ、１分間洗浄を行った。洗浄後、超純水を流量
８００ml／分で１０秒間送ってリンスし、さらにウェー
ハの回転速度を１,５００rpmに高めて２０秒間保持し、
乾燥した。微粒子の除去率は、９９％以上であった。 実施例４ 酸素ガスを溶解した洗浄水をキャビテーションジェット
流体として用いて、微粒子により汚染されたウェーハを
洗浄した。実施例２と同じ酸素ガス３０mg／リットルを
溶解した超純水を用い、実施例３と同様にして汚染ウェ
ーハの洗浄を行った。微粒子の除去率は、９９％以上で
あった。 比較例２ 水素ガスを溶解した洗浄水の代わりに、超純水を用い
て、実施例３と同じ洗浄を行った。微粒子の除去率は、
４５％であった。 比較例３ 水素ガスを溶解した洗浄水に超音波を伝達しつつ、微粒
子により汚染されたウェーハを洗浄した。洗浄水は、実
施例１と同じ水素ガス１.０mg／リットルを溶解した超
純水を用いた。１.６MHzの超音波発振器を内蔵した超音
波照射ノズルを、シリコンウェーハの表面から２０mm離
れた位置で、ウェーハの半径方向に１０秒周期でスキャ
ンするように設置した。このノズルに、洗浄水を流量
１.２リットル／分で送り、汚染ウェーハを５００rpmで
回転させつつ、１分間洗浄を行った。洗浄後、超純水を
流量８００ml／分で１０秒間送ってリンスし、さらにウ
ェーハの回転速度を１,５００rpmに高めて２０秒間保持
し、乾燥した。微粒子の除去率は、９９％以上であっ
た。 比較例４ 酸素ガスを溶解した洗浄水に超音波を伝達しつつ、微粒
子により汚染されたウェーハを洗浄した。実施例２と同
じ酸素ガス３０mg／リットルを溶解した超純水を用い、
比較例３と同様にして汚染ウェーハの洗浄を行った。微
粒子の除去率は、９９％以上であった。 比較例５ 水素ガスを溶解した洗浄水の代わりに、超純水を用い
て、比較例３と同じ洗浄を行った。微粒子の除去率は、
４２％であった。 比較例６ 水素ガスを溶解した洗浄水をスプレーして、微粒子によ
り汚染されたウェーハを洗浄した。洗浄水は、実施例１
と同じ水素ガス１.０mg／リットルを溶解した超純水を
用いた。スプレーノズルを、シリコンウェーハの表面か
ら２０mm離れた位置で、ウェーハの半径方向に１０秒周
期でスキャンするように設置した。このノズルに、洗浄
水を流量１.２リットル／分で送り、汚染ウェーハを５
００rpmで回転させつつ、１分間洗浄を行った。洗浄
後、超純水を流量８００ml／分で１０秒間送ってリンス
し、さらにウェーハの回転速度を１,５００rpmに高めて
２０秒間保持し、乾燥した。微粒子の除去率は、４５％
であった。 比較例７ 水素ガスを溶解した洗浄水の代わりに、実施例２と同じ
酸素ガス３０mg／リットルを溶解した洗浄水を用いて、
比較例６と同じ洗浄を行った。微粒子の除去率は、４３
％であった。 比較例８ 水素ガスを溶解した洗浄水の代わりに、超純水を用い
て、比較例６と同じ洗浄を行った。微粒子の除去率は、
３０％であった。実施例１〜４及び比較例１〜８の結果
を、第１表に示す。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, which should not be construed as limiting the present invention. In Examples and Comparative Examples, the cleaning effect was evaluated by the following method. (1) Object to be cleaned (1-1) Object to be cleaned contaminated by fine particles A silicon wafer having a diameter of 6 inches, whose surface is oxidized, is immersed in ultrapure water containing alumina fine particles having a diameter of 1 μm or less for 3 minutes, and then ultrapure. The wafer was rinsed with water to prepare a silicon wafer contaminated with the fine particles to be cleaned. This contaminated silicon wafer contains 2 fine particles per wafer.
It was contaminated by 000. (1-2) Cleaning Object Contaminated by Organic Substances and Copper A silicon wafer of 6 inches in diameter whose surface was oxidized was immersed in ultrapure water containing 1 mg / liter of copper for 3 minutes, and then an organic cleaning agent [NCW- 601A, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.]
The wafer was immersed in pure water containing 0.2% by weight and rinsed with ultrapure water to prepare a silicon wafer contaminated with an organic substance and copper as an object to be cleaned. This contaminated silicon wafer has an organic content of 1.0 × 10 14 carbon atoms / cm 2 and copper 5.0 ×
It was contaminated by 10 14 atoms / cm 2 . (2) Evaluation (2-1) Fine Particles Fine particles were measured by a foreign matter inspection device on a substrate by a laser scattering method, and the removal rate of fine particle contamination was determined from the number of fine particles before and after cleaning. (2-2) Organic matter The amount of carbon on the surface was measured by FT-IR analysis, and the removal rate of organic matter contamination was determined from the measured values before and after washing. (2-3) Copper Concentration The copper concentration on the surface was measured by total reflection X-ray fluorescence analysis, and the removal rate of copper contamination was determined from the copper concentration before and after washing. Example 1 A wafer contaminated with fine particles was cleaned using cleaning water in which hydrogen gas was dissolved as a bubble jet fluid.
Using a gas-dissolving membrane module, washing water composed of ultrapure water in which 1.0 mg / liter of hydrogen gas was dissolved was prepared. A bubble jet nozzle having the shape shown in FIG. 1 was installed at a position 20 mm away from the surface of the silicon wafer so as to scan in a radial direction of the wafer at a period of 10 seconds. The nozzle was flushed with water at a pressure of 6 kg / cm 2 and a flow rate of 1 liter /
Minute, clean air is sent at an air pressure of 5 kg / cm 2 at a flow rate of 2 liters / minute, and the contaminated wafer is rotated at 500 rpm for 1 hour.
Washing was performed for minutes. After the cleaning, rinsing was carried out by sending ultrapure water at a flow rate of 800 ml / min for 10 seconds, and the rotation speed of the wafer was increased to 1,500 rpm, held for 20 seconds, and dried. The removal rate of the fine particles was 99% or more. Example 2 A wafer contaminated with fine particles was cleaned using cleaning water in which oxygen gas was dissolved as a bubble jet fluid.
Using a gas-dissolving membrane module, cleaning water composed of ultrapure water in which 30 mg / liter of oxygen gas was dissolved was prepared. Using this cleaning water, the contaminated wafer was cleaned in the same manner as in Example 1. The removal rate of the fine particles was 99% or more. Comparative Example 1 The same cleaning as in Example 1 was performed using ultrapure water instead of the cleaning water in which hydrogen gas was dissolved. The removal rate of fine particles is
41%. Example 3 A wafer contaminated with fine particles was cleaned using cleaning water in which hydrogen gas was dissolved as a cavitation jet fluid. The washing water was 1.0 mg of hydrogen gas as in Example 1.
/ Liter of ultrapure water was used. In the shape shown in FIG. 2, the inner diameter is 1 mm, the wall thickness is 0.5 mm, the outer diameter is 4 mm,
A cavitation jet nozzle consisting of a concentric double nozzle with a thickness of 1 mm
At a position separated by 0 mm, the wafer was set to scan in the radial direction of the wafer at a period of 10 seconds. Wash water was sent to the inside and outside of the nozzle at a flow rate of 600 ml / min. The flow rate of the washing water is 12.7 m / sec inside the nozzle and 1.06 m / sec outside. Cleaning was performed for 1 minute while rotating the contaminated wafer at 500 rpm. After the cleaning, rinsing was performed by sending ultrapure water at a flow rate of 800 ml / min for 10 seconds, and the rotation speed of the wafer was increased to 1,500 rpm and held for 20 seconds.
Dried. The removal rate of the fine particles was 99% or more. Example 4 A wafer contaminated with fine particles was cleaned using cleaning water in which oxygen gas was dissolved as a cavitation jet fluid. Contaminated wafers were cleaned in the same manner as in Example 3 using ultrapure water in which 30 mg / liter of oxygen gas was dissolved as in Example 2. The removal rate of the fine particles was 99% or more. Comparative Example 2 The same cleaning as in Example 3 was performed using ultrapure water instead of the cleaning water in which hydrogen gas was dissolved. The removal rate of fine particles is
45%. Comparative Example 3 A wafer contaminated with fine particles was cleaned while transmitting ultrasonic waves to cleaning water in which hydrogen gas was dissolved. Ultra-pure water in which the same hydrogen gas as in Example 1 was dissolved at 1.0 mg / liter was used as the washing water. An ultrasonic irradiation nozzle having a built-in 1.6 MHz ultrasonic oscillator was installed at a position 20 mm away from the surface of the silicon wafer so as to scan in a radial direction of the wafer at a period of 10 seconds. Cleaning water was sent to this nozzle at a flow rate of 1.2 liter / min, and cleaning was performed for 1 minute while rotating the contaminated wafer at 500 rpm. After the cleaning, rinsing was carried out by sending ultrapure water at a flow rate of 800 ml / min for 10 seconds, and the rotation speed of the wafer was increased to 1,500 rpm, held for 20 seconds, and dried. The removal rate of the fine particles was 99% or more. Comparative Example 4 A wafer contaminated with fine particles was cleaned while transmitting ultrasonic waves to cleaning water in which oxygen gas was dissolved. Using ultrapure water in which 30 mg / liter of oxygen gas was dissolved as in Example 2,
The contaminated wafer was cleaned in the same manner as in Comparative Example 3. The removal rate of the fine particles was 99% or more. Comparative Example 5 The same cleaning as in Comparative Example 3 was performed using ultrapure water instead of the cleaning water in which hydrogen gas was dissolved. The removal rate of fine particles is
42%. Comparative Example 6 A cleaning water in which hydrogen gas was dissolved was sprayed to wash a wafer contaminated with fine particles. The washing water was used in Example 1.
Ultrapure water in which 1.0 mg / liter of hydrogen gas was dissolved was used. The spray nozzle was installed at a position 20 mm away from the surface of the silicon wafer so as to scan in a radial direction of the wafer at a period of 10 seconds. Cleaning water is sent to this nozzle at a flow rate of 1.2 liters / minute, and contaminated wafers
Washing was performed for 1 minute while rotating at 00 rpm. After the cleaning, rinsing was performed by sending ultrapure water at a flow rate of 800 ml / min for 10 seconds, and the rotation speed of the wafer was increased to 1,500 rpm, held for 20 seconds, and dried. Fine particle removal rate is 45%
Met. Comparative Example 7 Instead of the washing water in which hydrogen gas was dissolved, the same washing water in which 30 mg / liter of oxygen gas was dissolved as in Example 2 was used.
The same cleaning as in Comparative Example 6 was performed. The removal rate of fine particles is 43
%Met. Comparative Example 8 The same cleaning as in Comparative Example 6 was performed using ultrapure water instead of the cleaning water in which hydrogen gas was dissolved. The removal rate of fine particles is
30%. Table 1 shows the results of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 8.
【００１０】[0010]
【表１】 [Table 1]
【００１１】第１表の結果から、洗浄水として水素ガス
溶解水又は酸素ガス溶解水を用い、バブルジェット流体
又はキャビテーションジェット流体として汚染ウェーハ
を洗浄すると、超音波ノズルを用いて洗浄した場合と同
様に、ウェーハ表面に付着した微粒子の９９％以上を除
去し得ることが分かる。これに対して、単なる超純水を
洗浄水として用いた場合は、バブルジェット流体として
も、キャビテーションジェット流体としても微粒子の除
去率は低く、また、水素ガス溶解水又は酸素ガス溶解水
を用いても、ジェット流体としての物理的作用を及ぼさ
ないと、微粒子の除去率は低い。 実施例５ オゾン及び酸素ガスを溶解した洗浄水をバブルジェット
流体として用いて、有機物及び銅により汚染されたウェ
ーハを洗浄した。気体溶解膜モジュールを用いて、オゾ
ン２mg／リットル及び酸素ガス３０mg／リットルを溶解
した超純水からなる洗浄水を調製した。この洗浄水を用
いて、実施例１と同じ条件で、有機物及び銅により汚染
されたウェーハの洗浄を行った。有機物の除去率は９８
％、銅の除去率は９９％以上であった。 比較例９ オゾン及び酸素ガスを溶解した洗浄水の代わりに、超純
水を用いて、実施例５と同じ洗浄を行った。有機物の除
去率は２５％であり、銅の除去率は１０％以下であっ
た。 実施例６ オゾン及び酸素ガスを溶解した洗浄水をキャビテーショ
ンジェット流体として用いて、有機物及び銅により汚染
されたウェーハを洗浄した。実施例５と同じオゾン２mg
／リットル及び酸素ガス３０mg／リットルを溶解した洗
浄水を用いて、実施例３と同じ条件で、有機物及び銅に
より汚染されたウェーハの洗浄を行った。有機物の除去
率は９９％、銅の除去率は９９％以上であった。 比較例１０ オゾン及び酸素ガスを溶解した洗浄水の代わりに、超純
水を用いて、実施例６と同じ洗浄を行った。有機物の除
去率は３０％であり、銅の除去率は１０％以下であっ
た。 比較例１１ オゾン及び酸素ガスを溶解した洗浄水に超音波を伝達し
つつ、有機物及び銅に より汚染されたウェーハを洗浄した。実施例５と同じオ
ゾン２mg／リットル及び酸素ガス３０mg／リットルを溶
解した超純水を用い、比較例３と同様にして汚染ウェー
ハの洗浄を行った。有機物の除去率は９８％であり、銅
の除去率は９９％以上であった。 比較例１２ オゾン及び酸素ガスを溶解した洗浄水の代わりに、超純
水を用いて、比較例１１と同じ洗浄を行った。有機物の
除去率は３０％であり、銅の除去率は１０％以下であっ
た。 比較例１３ オゾン及び酸素ガスを溶解した洗浄水をスプレーして、
微粒子により汚染されたウェーハを洗浄した。実施例５
と同じオゾン２mg／リットル及び酸素ガス３０mg／リッ
トルを溶解し洗浄水を用い、比較例６と同じ条件で、有
機物及び銅により汚染されたウェーハの洗浄を行った。
有機物の除去率９２％であり、銅の除去率は９８％であ
った。 比較例１４ オゾン及び酸素ガスを溶解した洗浄水の代わりに、超純
水を用いて、比較例１３と同じ洗浄を行った。有機物の
除去率、銅の除去率ともに、１０％以下であった。実施
例５〜６及び比較例９〜１４の結果を、第２表に示す。From the results shown in Table 1, when hydrogen gas-dissolved water or oxygen gas-dissolved water is used as cleaning water, and a contaminated wafer is cleaned as a bubble jet fluid or a cavitation jet fluid, the same as when cleaning using an ultrasonic nozzle. It can be seen that 99% or more of the fine particles attached to the wafer surface can be removed. In contrast, when pure ultrapure water is used as the washing water, the removal rate of fine particles is low even as a bubble jet fluid or a cavitation jet fluid, and hydrogen gas dissolved water or oxygen gas dissolved water is used. However, if they have no physical effect as a jet fluid, the removal rate of fine particles is low. Example 5 A wafer contaminated with organic matter and copper was cleaned using cleaning water in which ozone and oxygen gas were dissolved as a bubble jet fluid. Using a gas-dissolved membrane module, washing water composed of ultrapure water in which 2 mg / l of ozone and 30 mg / l of oxygen gas were dissolved was prepared. Using the cleaning water, the wafer contaminated with organic substances and copper was cleaned under the same conditions as in Example 1. Organic removal rate is 98
%, And the removal rate of copper was 99% or more. Comparative Example 9 The same cleaning as in Example 5 was performed using ultrapure water instead of the cleaning water in which ozone and oxygen gas were dissolved. The removal rate of organic substances was 25%, and the removal rate of copper was 10% or less. Example 6 A wafer contaminated with organic matter and copper was cleaned using cleaning water in which ozone and oxygen gas were dissolved as a cavitation jet fluid. 2 mg of ozone as in Example 5
The wafer contaminated with organic matter and copper was cleaned under the same conditions as in Example 3 by using cleaning water in which 1 mg / liter and oxygen gas 30 mg / liter were dissolved. The organic matter removal rate was 99%, and the copper removal rate was 99% or more. Comparative Example 10 The same cleaning as in Example 6 was performed using ultrapure water instead of the cleaning water in which ozone and oxygen gas were dissolved. The organic matter removal rate was 30%, and the copper removal rate was 10% or less. Comparative Example 11 A wafer contaminated with organic substances and copper was cleaned while transmitting ultrasonic waves to cleaning water in which ozone and oxygen gas were dissolved. Contaminated wafers were cleaned in the same manner as in Comparative Example 3 using ultrapure water in which 2 mg / L of ozone and 30 mg / L of oxygen gas were dissolved as in Example 5. The removal rate of organic substances was 98%, and the removal rate of copper was 99% or more. Comparative Example 12 The same cleaning as in Comparative Example 11 was performed using ultrapure water instead of the cleaning water in which ozone and oxygen gas were dissolved. The organic matter removal rate was 30%, and the copper removal rate was 10% or less. Comparative Example 13 Spraying washing water in which ozone and oxygen gas were dissolved,
The wafer contaminated by the fine particles was cleaned. Example 5
2 mg / L of ozone and 30 mg / L of oxygen gas were dissolved and the cleaning water was used to wash the wafer contaminated with organic matter and copper under the same conditions as in Comparative Example 6.
The organic matter removal rate was 92%, and the copper removal rate was 98%. Comparative Example 14 The same cleaning as in Comparative Example 13 was performed using ultrapure water instead of the cleaning water in which ozone and oxygen gas were dissolved. Both the organic matter removal rate and the copper removal rate were 10% or less. Table 2 shows the results of Examples 5 to 6 and Comparative Examples 9 to 14.
【００１２】[0012]
【表２】 [Table 2]
【００１３】第２表の結果から、洗浄水としてオゾン及
び酸素ガスを溶解した超純水を用い、バブルジェット流
体又はキャビテーションジェット流体として汚染ウェー
ハを洗浄すると、超音波ノズルを用いて洗浄した場合と
同様に、ウェーハ表面に付着した有機物及び銅の９８〜
９９％若しくはそれ以上を除去し得ることが分かる。こ
れに対して、単なる超純水を洗浄水として用いた場合
は、バブルジェット流体としても、キャビテーションジ
ェット流体としても有機物の除去率は低く、銅の除去率
は極めて低い。また、オゾン及び酸素ガスを溶解した洗
浄水を用いても、ジェット流体としての物理的作用を及
ぼさないと、有機物の除去率が低くなる。From the results in Table 2, it can be seen that when ultrapure water in which ozone and oxygen gas is dissolved is used as cleaning water and a contaminated wafer is cleaned as a bubble jet fluid or cavitation jet fluid, the cleaning is performed using an ultrasonic nozzle. Similarly, 98 to 98 of organic substances and copper attached to the wafer surface
It can be seen that 99% or more can be removed. On the other hand, when mere ultrapure water is used as the washing water, the removal rate of organic substances is low and the removal rate of copper is extremely low both as a bubble jet fluid and a cavitation jet fluid. Further, even if the cleaning water in which ozone and oxygen gas are dissolved is used, if the physical action as the jet fluid is not exerted, the removal rate of the organic substance is reduced.
【００１４】[0014]
【発明の効果】本発明方法によれば、還元性ガス又は酸
化性ガスを溶解した洗浄水を用いる洗浄において、簡単
な構造のジェットノズルを用いて、超音波発振器を用い
た場合と同等又はそれ以上の優れた洗浄効果を得ること
ができる。According to the method of the present invention, in the cleaning using the cleaning water in which the reducing gas or the oxidizing gas is dissolved, a jet nozzle having a simple structure is used, and the cleaning is the same as or equivalent to the case using an ultrasonic oscillator. The above excellent cleaning effect can be obtained.
【図１】図１は、バブルジェット流体用のノズルの断面
図及び平面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view and a plan view of a nozzle for a bubble jet fluid.
【図２】図２は、キャビテーションジェット流体用のノ
ズルの断面図及び平面図である。FIG. 2 is a sectional view and a plan view of a nozzle for a cavitation jet fluid.
【符号の説明】 １ 送水管 ２ 送気管 ３ ノズル ４ ノズル出口 ５ 高圧水送水管 ６ 低圧水送水管 ７ 小面積の開口部 ８ 大面積の開口部[Description of Signs] 1 water pipe 2 air pipe 3 nozzle 4 nozzle outlet 5 high-pressure water pipe 6 low-pressure water pipe 7 small-area opening 8 large-area opening
Claims (1)
水を、ジェット流体として被洗浄物に噴射することを特
徴とする電子材料の洗浄方法。1. A method for cleaning an electronic material, wherein cleaning water in which a reducing gas or an oxidizing gas is dissolved is jetted as a jet fluid to an object to be cleaned.
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|---|---|---|---|
| JP06704798A JP4051693B2 (en) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | Cleaning method for electronic materials |
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