JPH1126578A - 微細接続孔の形成方法 - Google Patents
微細接続孔の形成方法Info
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- JPH1126578A JPH1126578A JP17718697A JP17718697A JPH1126578A JP H1126578 A JPH1126578 A JP H1126578A JP 17718697 A JP17718697 A JP 17718697A JP 17718697 A JP17718697 A JP 17718697A JP H1126578 A JPH1126578 A JP H1126578A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 マスクにおける開口径の拡大を抑制しなが
ら、安定した開口特性が得られる新たな微細接続孔の形
成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 微細接続孔を形成する膜を有する基板１
０１の前記膜上にマスク層１０３を形成し、マスク層１
０３上に反射防止膜１０７を形成し、反射防止膜１０７
に基板１０１側に向って縮径する孔を形成し、孔を有す
る反射防止膜１０７を用いて前記マスク層１０３に微細
接続孔形成用のパターンを形成し、微細接続孔形成用の
パターンにしたがって、前記膜に微細接続孔を形成する
ことを特徴としている。
ら、安定した開口特性が得られる新たな微細接続孔の形
成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 微細接続孔を形成する膜を有する基板１
０１の前記膜上にマスク層１０３を形成し、マスク層１
０３上に反射防止膜１０７を形成し、反射防止膜１０７
に基板１０１側に向って縮径する孔を形成し、孔を有す
る反射防止膜１０７を用いて前記マスク層１０３に微細
接続孔形成用のパターンを形成し、微細接続孔形成用の
パターンにしたがって、前記膜に微細接続孔を形成する
ことを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
分野において適用されるドライエッチング方法に関し、
特に微細接続孔の形成方法に関する。
分野において適用されるドライエッチング方法に関し、
特に微細接続孔の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のＶＬＳＩ等に見られるように、半
導体装置の高集積化および高性能化が進展するに伴い、
シリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）系材料層のドライエッチン
グについても技術的要求がますます厳しくなっている。
その中で、微細接続孔（コンタクトホール）形成工程の
位置合わせのためのマスク上の設計余裕を不要にできる
自己整合コンタクト（Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｈｅｄ Ｃｏ
ｎｔａｃｔ、以下、ＳＡＣと省略する）技術が注目され
ている。
導体装置の高集積化および高性能化が進展するに伴い、
シリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）系材料層のドライエッチン
グについても技術的要求がますます厳しくなっている。
その中で、微細接続孔（コンタクトホール）形成工程の
位置合わせのためのマスク上の設計余裕を不要にできる
自己整合コンタクト（Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｈｅｄ Ｃｏ
ｎｔａｃｔ、以下、ＳＡＣと省略する）技術が注目され
ている。
【０００３】このＳＡＣ技術の開発は、特に０．２５μ
ｍルール以降の世代で活発化しており、その背景にはい
くつかの理由がある。一つは、露光機の性能による制限
であり、もう一つはチップやセルの面積の縮小である。
ｍルール以降の世代で活発化しており、その背景にはい
くつかの理由がある。一つは、露光機の性能による制限
であり、もう一つはチップやセルの面積の縮小である。
【０００４】特に、前者は、最近発表された０．２５μ
ｍ量産向け露光機において、露光機の位置合せの際のバ
ラツキの改善不足が原因のため、配線層の微細化のトレ
ンド維持が困難になっていることを意味する。したがっ
て、位置合せの際のバラツキが大きいために、設計余裕
が大きくなる。その結果、配線幅が太くなってしまう
か、孔径が小さくなり過ぎて開口できない等の問題が生
じる。これらの問題は、０．３μｍルールからその兆候
が見え始めており、このままいくと０．２５〜０．２３
μｍルールでは回避できないと言われている。
ｍ量産向け露光機において、露光機の位置合せの際のバ
ラツキの改善不足が原因のため、配線層の微細化のトレ
ンド維持が困難になっていることを意味する。したがっ
て、位置合せの際のバラツキが大きいために、設計余裕
が大きくなる。その結果、配線幅が太くなってしまう
か、孔径が小さくなり過ぎて開口できない等の問題が生
じる。これらの問題は、０．３μｍルールからその兆候
が見え始めており、このままいくと０．２５〜０．２３
μｍルールでは回避できないと言われている。
【０００５】この位置合せの設計余裕を不要にできると
言われている技術が上記ＳＡＣ技術である。ＳＡＣの形
成法にはいくつかあり、いずれも従来の露光だけを使っ
た方法に比べてプロセスが多少複雑になるが、設計余裕
を不要にするという点では非常に効果のあるものであ
る。
言われている技術が上記ＳＡＣ技術である。ＳＡＣの形
成法にはいくつかあり、いずれも従来の露光だけを使っ
た方法に比べてプロセスが多少複雑になるが、設計余裕
を不要にするという点では非常に効果のあるものであ
る。
【０００６】また、ＳＡＣ方法を採用する場合、例え
ば、薄いＳｉ3 Ｎ4 膜上でエッチングを停止させるよう
な難度の高いエッチング技術を要求される。この問題
は、対Ｓｉ3 Ｎ4 高選択比プロセスとして、ＣＦ系保護
膜を用い、ＳｉＯ2 エッチング速度の劣化を高密度プラ
ズマの使用で防止することで解決されるとされている。
ば、薄いＳｉ3 Ｎ4 膜上でエッチングを停止させるよう
な難度の高いエッチング技術を要求される。この問題
は、対Ｓｉ3 Ｎ4 高選択比プロセスとして、ＣＦ系保護
膜を用い、ＳｉＯ2 エッチング速度の劣化を高密度プラ
ズマの使用で防止することで解決されるとされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＡＣ
技術は、トータルで見るとまだ課題が多いと言わざるを
得ない。そこで、従来から知られているような、シュリ
ンクしたマスクに微細接続孔を形成する方法も試みられ
ている。
技術は、トータルで見るとまだ課題が多いと言わざるを
得ない。そこで、従来から知られているような、シュリ
ンクしたマスクに微細接続孔を形成する方法も試みられ
ている。
【０００８】この方法においては、まず、図１２（ａ）
に示すように、層間絶縁膜２０７上にマスクとなるポリ
シリコン膜２０３を形成し、更にポリシリコン膜２０３
の両側面上にポリシリコンサイドウォール膜２１０を形
成して、開口径をシュリンクする。次いで、これに従来
のコンタクトホールエッチングを行うと、図１２（ｂ）
に示すように、ポリシリコンサイドウォール膜２１０が
顕著に後退して、マスクにおける開口径が拡大し、配線
短絡２１１を引き起こす。
に示すように、層間絶縁膜２０７上にマスクとなるポリ
シリコン膜２０３を形成し、更にポリシリコン膜２０３
の両側面上にポリシリコンサイドウォール膜２１０を形
成して、開口径をシュリンクする。次いで、これに従来
のコンタクトホールエッチングを行うと、図１２（ｂ）
に示すように、ポリシリコンサイドウォール膜２１０が
顕著に後退して、マスクにおける開口径が拡大し、配線
短絡２１１を引き起こす。
【０００９】この問題に対して、ポリシリコンサイドウ
ォール膜２１０の後退を防ぐように、対マスク高選択比
エッチング条件を設定すると、フルオロカーボンの堆積
が微細接続孔内で過剰になるため、エッチングが停止し
てしまう。したがって、マスクにおける開口径の拡大を
抑制しながら、安定した開口特性が得られる新たな微細
接続孔の形成方法が切望されている。
ォール膜２１０の後退を防ぐように、対マスク高選択比
エッチング条件を設定すると、フルオロカーボンの堆積
が微細接続孔内で過剰になるため、エッチングが停止し
てしまう。したがって、マスクにおける開口径の拡大を
抑制しながら、安定した開口特性が得られる新たな微細
接続孔の形成方法が切望されている。
【００１０】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、マスクにおける開口径の拡大を抑制しながら、安
定した開口特性が得られる新たな微細接続孔の形成方法
を提供することを目的とする。
あり、マスクにおける開口径の拡大を抑制しながら、安
定した開口特性が得られる新たな微細接続孔の形成方法
を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題点
に鑑みて鋭意検討を行った結果、マスクにおける開口径
の拡大を抑制しながら安定した開口を行うために、反射
防止膜にテーパエッチングを行い、それをマスクとして
微細接続孔の矩形マスクを形成することが好適であるこ
とを見出し本発明をするに至った。
に鑑みて鋭意検討を行った結果、マスクにおける開口径
の拡大を抑制しながら安定した開口を行うために、反射
防止膜にテーパエッチングを行い、それをマスクとして
微細接続孔の矩形マスクを形成することが好適であるこ
とを見出し本発明をするに至った。
【００１２】すなわち、本発明は、半導体装置の製造に
おいて微細接続孔を形成する方法であって、微細接続孔
を形成する膜を有する基板の前記膜上にマスク層を形成
する工程と、前記マスク層上に反射防止膜を形成する工
程と、前記反射防止膜に基板側に向って縮径する孔を形
成する工程と、前記孔を有する反射防止膜を用いて前記
マスク層に微細接続孔形成用のパターンを形成する工程
と、前記微細接続孔形成用のパターンにしたがって、前
記膜に微細接続孔を形成する工程と、を具備することを
特徴とする微細接続孔の形成方法を提供する。
おいて微細接続孔を形成する方法であって、微細接続孔
を形成する膜を有する基板の前記膜上にマスク層を形成
する工程と、前記マスク層上に反射防止膜を形成する工
程と、前記反射防止膜に基板側に向って縮径する孔を形
成する工程と、前記孔を有する反射防止膜を用いて前記
マスク層に微細接続孔形成用のパターンを形成する工程
と、前記微細接続孔形成用のパターンにしたがって、前
記膜に微細接続孔を形成する工程と、を具備することを
特徴とする微細接続孔の形成方法を提供する。
【００１３】この構成によれば、マスクの径が拡大し易
いポリシリコンサイドウォールを形成せず、微細接続孔
のマスク加工用の反射防止膜をテーパエッチングしてこ
れを転写するので、サイドウォールを用いずに直接マス
クとなる層に微細接続孔パターンを形成でき、理想の矩
形マスク形成を実現することができる。その結果、マス
クにおける開口径の拡大を抑制しながら、安定した開口
特性を得ることができる。
いポリシリコンサイドウォールを形成せず、微細接続孔
のマスク加工用の反射防止膜をテーパエッチングしてこ
れを転写するので、サイドウォールを用いずに直接マス
クとなる層に微細接続孔パターンを形成でき、理想の矩
形マスク形成を実現することができる。その結果、マス
クにおける開口径の拡大を抑制しながら、安定した開口
特性を得ることができる。
【００１４】本発明の微細接続孔の形成方法において
は、前記反射防止膜が、ＳｉＯｘＮｙ、シリコン、有機
化合物（有機塗布膜材料やアモルファスカーボン）、及
び高融点金属からなる群より選ばれた少なくとも一つを
含むことを特徴とすることが好ましい。
は、前記反射防止膜が、ＳｉＯｘＮｙ、シリコン、有機
化合物（有機塗布膜材料やアモルファスカーボン）、及
び高融点金属からなる群より選ばれた少なくとも一つを
含むことを特徴とすることが好ましい。
【００１５】すなわち、反射防止膜としては、所望のテ
ーパ形状（基板側に向って縮径する形状）が得られれ
ば、ＳｉＯｘＮｙ、シリコン等の無機系のものや、アモ
ルファスカーボン等の有機系のものを用いることができ
る。これらの膜のテーパエッチングは、エッチングレー
トを低下させたり、反応生成物を意図的に側壁に堆積さ
せたりすることにより十分に可能である。
ーパ形状（基板側に向って縮径する形状）が得られれ
ば、ＳｉＯｘＮｙ、シリコン等の無機系のものや、アモ
ルファスカーボン等の有機系のものを用いることができ
る。これらの膜のテーパエッチングは、エッチングレー
トを低下させたり、反応生成物を意図的に側壁に堆積さ
せたりすることにより十分に可能である。
【００１６】また、本発明の微細接続孔の形成方法にお
いては、マスク層が、高融点金属系材料、例えば高融点
金属シリサイド等で構成された層を含む複数の層で構成
されていることが好ましい。この構成によれば、微細接
続孔のエッチング時の選択比を高く確保することができ
るので、マスク層の厚さを薄くすることができる。
いては、マスク層が、高融点金属系材料、例えば高融点
金属シリサイド等で構成された層を含む複数の層で構成
されていることが好ましい。この構成によれば、微細接
続孔のエッチング時の選択比を高く確保することができ
るので、マスク層の厚さを薄くすることができる。
【００１７】また、本発明の微細接続孔の形成方法にお
いては、マスク層に微細接続孔形成用のパターンを形成
する工程を、低圧・高密度プラズマを発生させる装置に
おいて行うことが好ましい。この構成によれば、微細接
続孔のマスク層における開口の径を制御することができ
る。
いては、マスク層に微細接続孔形成用のパターンを形成
する工程を、低圧・高密度プラズマを発生させる装置に
おいて行うことが好ましい。この構成によれば、微細接
続孔のマスク層における開口の径を制御することができ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図１から図３は本発明の方
法に使用する高密度プラズマを発生できるプラズマ処理
装置を示した図である。図１はＲＦバイアス印加型ＥＣ
Ｒプラズマエッチング装置を示す。この装置は、マグネ
トロン１１で発生したマイクロ波を、導波管１２および
石英ベルジャー１３を介して静電チャックもしくはクラ
ンプ１６でウエハステージ１７上に設置されたウエハ１
５に到達させるものである。なお、図中１４は石英ベル
ジャー１３内に磁場を形成するためのソレノイドコイル
であり、１８は高周波電源である。
を参照して詳細に説明する。図１から図３は本発明の方
法に使用する高密度プラズマを発生できるプラズマ処理
装置を示した図である。図１はＲＦバイアス印加型ＥＣ
Ｒプラズマエッチング装置を示す。この装置は、マグネ
トロン１１で発生したマイクロ波を、導波管１２および
石英ベルジャー１３を介して静電チャックもしくはクラ
ンプ１６でウエハステージ１７上に設置されたウエハ１
５に到達させるものである。なお、図中１４は石英ベル
ジャー１３内に磁場を形成するためのソレノイドコイル
であり、１８は高周波電源である。
【００１９】図２はＭＣＲタイプ（磁場封じ込め型リア
クター）のエッチング装置を示す。この装置は、石英製
の側壁電極２０に高周波電源１８より１３．５６ＭＨｚ
のＲＦを印加し、上部電極１９をアノ一ドとして放電し
た後、上部電極１９またはチャンバー側壁に巻いたマル
チポール磁石（図示せず）で磁場封じ込めを行って比較
的高密度のプラズマを形成する機構を有するものであ
る。また、この装置においては、ウエハステージ１７に
基板バイアス４５０ｋＨｚを印加することにより入射イ
オンエネルギーを独立に制御することができる。
クター）のエッチング装置を示す。この装置は、石英製
の側壁電極２０に高周波電源１８より１３．５６ＭＨｚ
のＲＦを印加し、上部電極１９をアノ一ドとして放電し
た後、上部電極１９またはチャンバー側壁に巻いたマル
チポール磁石（図示せず）で磁場封じ込めを行って比較
的高密度のプラズマを形成する機構を有するものであ
る。また、この装置においては、ウエハステージ１７に
基板バイアス４５０ｋＨｚを印加することにより入射イ
オンエネルギーを独立に制御することができる。
【００２０】図３は誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）タイプ
のエッチング装置を示す。この装置は、高周波電源１８
から石英板２２上に蚊取り線香状に巻かれた誘導結合コ
イル２１にＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を印加して高密度
プラズマを発生させる機構を有するものである。
のエッチング装置を示す。この装置は、高周波電源１８
から石英板２２上に蚊取り線香状に巻かれた誘導結合コ
イル２１にＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を印加して高密度
プラズマを発生させる機構を有するものである。
【００２１】また、図示していないが、上記何れの装置
においても、高周波電源１８を具備したウエハステージ
１７は、温度制御用の冷媒（例えばフロリナート）を循
環できる構造を有しており、さらに単極式静電チャック
が設置されている。
においても、高周波電源１８を具備したウエハステージ
１７は、温度制御用の冷媒（例えばフロリナート）を循
環できる構造を有しており、さらに単極式静電チャック
が設置されている。
【００２２】次に、本発明の具体的な実施形態について
説明する。 （実施形態１）まず、図４（ａ）に示すように、Ｓｉ基
板１０１上にゲート酸化膜１０２を熱酸化で厚さ７ｎｍ
形成した後、その上に例えば減圧ＣＶＤ法にてリンドー
プポリシリコン膜１０３を厚さ１００ｎｍで、更にその
上に例えばプラズマＣＶＤ法でＷＳｉｘ膜１０４を厚さ
１００ｎｍで形成した。
説明する。 （実施形態１）まず、図４（ａ）に示すように、Ｓｉ基
板１０１上にゲート酸化膜１０２を熱酸化で厚さ７ｎｍ
形成した後、その上に例えば減圧ＣＶＤ法にてリンドー
プポリシリコン膜１０３を厚さ１００ｎｍで、更にその
上に例えばプラズマＣＶＤ法でＷＳｉｘ膜１０４を厚さ
１００ｎｍで形成した。
【００２３】次いで、上記サンプルに対して、エキシマ
ステッパーを用いて以下に示す条件下で０．３５μｍ幅
の所望のゲートパターンを形成した。更に、ポリシリコ
ン膜１０３及びＷＳｉｘ膜１０４で構成されるゲート電
極の側壁にＬＤＤサイドウォール膜１０５を形成した。
ステッパーを用いて以下に示す条件下で０．３５μｍ幅
の所望のゲートパターンを形成した。更に、ポリシリコ
ン膜１０３及びＷＳｉｘ膜１０４で構成されるゲート電
極の側壁にＬＤＤサイドウォール膜１０５を形成した。
【００２４】（ＷＳｉｘ膜１０４及びポリシリコン膜１
０３エッチングステップ） エッチング装置 ：ＥＣＲタイプ ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝７５／６ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ μ波出力 ：１２００Ｗ ＲＦバイアス ：７０Ｗ（ＷＳｉｘ膜）、５０Ｗ（ポ
リシリコン膜） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：４０％
０３エッチングステップ） エッチング装置 ：ＥＣＲタイプ ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝７５／６ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ μ波出力 ：１２００Ｗ ＲＦバイアス ：７０Ｗ（ＷＳｉｘ膜）、５０Ｗ（ポ
リシリコン膜） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：４０％
【００２５】 （ＬＤＤサイドウォール膜１０５形成ステップ） エッチング装置 ：アノードカップル平行平板タイプ ガス ：ＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ／Ａｒ＝４０／４
０／８００ｓｃｃｍ 圧力 ：２００Ｐａ ＲＦバイアス ：５００Ｗ（３８０ｋＨｚ） ウエハ温度 ：５０℃ オーバーエッチ ：５％
０／８００ｓｃｃｍ 圧力 ：２００Ｐａ ＲＦバイアス ：５００Ｗ（３８０ｋＨｚ） ウエハ温度 ：５０℃ オーバーエッチ ：５％
【００２６】次いで、図４（ｂ）に示すように、この上
に層間絶縁膜１０６としてＳｉＯ2膜を、例えば常圧Ｃ
ＶＤ・リフロー法により厚さ６００ｎｍで、ポリシリコ
ン膜１０３を減圧ＣＶＤ法により厚さ３００ｎｍで形成
した。その後、図４（ｃ）に示すように、その上に反射
防止膜１０７としてＳｉＯｘＮｙ膜を、例えばプラズマ
ＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍで形成した。
に層間絶縁膜１０６としてＳｉＯ2膜を、例えば常圧Ｃ
ＶＤ・リフロー法により厚さ６００ｎｍで、ポリシリコ
ン膜１０３を減圧ＣＶＤ法により厚さ３００ｎｍで形成
した。その後、図４（ｃ）に示すように、その上に反射
防止膜１０７としてＳｉＯｘＮｙ膜を、例えばプラズマ
ＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍで形成した。
【００２７】次いで、図５（ａ）に示すように、この上
にフォトレジスト膜１０８を形成して、ＫｒＦエキシマ
ステッパーによりフォトレジスト膜１０８に０．２５μ
ｍ径の開口を有するコンタクトホール（微細接続孔）パ
ターンを形成した。その際、図５（ａ）に示すように、
コンタクトホールを形成する位置と、コンタクトホール
パターンの開口の位置が右方向に０．０５μｍのホール
パターニングずれが生じていた。
にフォトレジスト膜１０８を形成して、ＫｒＦエキシマ
ステッパーによりフォトレジスト膜１０８に０．２５μ
ｍ径の開口を有するコンタクトホール（微細接続孔）パ
ターンを形成した。その際、図５（ａ）に示すように、
コンタクトホールを形成する位置と、コンタクトホール
パターンの開口の位置が右方向に０．０５μｍのホール
パターニングずれが生じていた。
【００２８】その後、例えば図１に示すＥＣＲタイプの
エッチング装置を用いて以下の条件にて反射防止膜１０
７及びポリシリコン膜１０３のエッチング（テーパーエ
ッチング）を行ったところ、図５（ｂ）に示す構造を経
て図６（ａ）に示す構造になった。
エッチング装置を用いて以下の条件にて反射防止膜１０
７及びポリシリコン膜１０３のエッチング（テーパーエ
ッチング）を行ったところ、図５（ｂ）に示す構造を経
て図６（ａ）に示す構造になった。
【００２９】（反射防止膜１０７エッチングステップ） ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝７５／８ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ μ波出力 ：１２００Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス ：５０Ｗ（８００ｋＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：１０％
【００３０】 （ポリシリコン膜１０３エッチングステップ） ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝７５／２ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ μ波出力 ：１２００Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス ：７０Ｗ（８００ｋＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：３０％
【００３１】その後、図６（ｂ）に示すように、市販の
アッシング装置によりフォトレジスト膜１０８を除去し
た。図６（ｂ）に示すように、この構造では、テーパ形
状の開口を有する反射防止膜１０７がマスクとなり、ポ
リシリコン膜１０３に０．１μｍ径の開口を有するホー
ルパターンが形成されている。
アッシング装置によりフォトレジスト膜１０８を除去し
た。図６（ｂ）に示すように、この構造では、テーパ形
状の開口を有する反射防止膜１０７がマスクとなり、ポ
リシリコン膜１０３に０．１μｍ径の開口を有するホー
ルパターンが形成されている。
【００３２】最後に、これに市販のマグネトロンタイプ
のエッチング装置により、以下の条件で層間絶縁膜１０
６をエッチングしたところ、図７（ａ）の構造を経て、
図７（ｂ）に示す構造となった。すなわち、反射防止膜
１０７は、層間絶縁膜１０６のエッチング中に除去され
た。
のエッチング装置により、以下の条件で層間絶縁膜１０
６をエッチングしたところ、図７（ａ）の構造を経て、
図７（ｂ）に示す構造となった。すなわち、反射防止膜
１０７は、層間絶縁膜１０６のエッチング中に除去され
た。
【００３３】（層間絶縁膜１０６エッチングステップ） ガス ：Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ＝５／１００
／３００ｓｃｃｍ 圧力 ：５．０Ｐａ ＲＦバイアス ：１５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：５０％
／３００ｓｃｃｍ 圧力 ：５．０Ｐａ ＲＦバイアス ：１５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：５０％
【００３４】図７（ｂ）から分かるように、この構造に
おいては、エッチング中にマスクの開口径が０．１μｍ
に保たれたため、垂直形状のコンタクトホールが形成で
きている。したがって、従来の方法では、マスクにおけ
る開口径が拡大して配線短絡を起こすところ、本実施形
態の方法では、０．０５μｍの合せずれが生じたにもか
かわらず、配線短絡はまったく起らなかった。このよう
に、本実施形態により、良好な形状の微細接続孔の形成
を実現することができ、耐圧特性として降伏電圧５０Ｖ
以上を達成できた。
おいては、エッチング中にマスクの開口径が０．１μｍ
に保たれたため、垂直形状のコンタクトホールが形成で
きている。したがって、従来の方法では、マスクにおけ
る開口径が拡大して配線短絡を起こすところ、本実施形
態の方法では、０．０５μｍの合せずれが生じたにもか
かわらず、配線短絡はまったく起らなかった。このよう
に、本実施形態により、良好な形状の微細接続孔の形成
を実現することができ、耐圧特性として降伏電圧５０Ｖ
以上を達成できた。
【００３５】（実施形態２）実施形態１と同様にして図
４（ａ）に示す構造のサンプルを作製した。次いで、図
４（ｂ）に示すように、この上に層間絶縁膜１０６とし
てＳｉＯ2膜を、例えば常圧ＣＶＤ・リフロー法により
厚さ６００ｎｍで、ポリシリコン膜１０３を減圧ＣＶＤ
法により厚さ３００ｎｍで形成した。その後、図４
（ｃ）に示すように、その上に反射防止膜１０７として
有機系反射防止膜（例えば、Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎ
ｃｅ社製 ＤＵＶ−１８）をスピンコート塗布して厚さ
１２０ｎｍで形成した。
４（ａ）に示す構造のサンプルを作製した。次いで、図
４（ｂ）に示すように、この上に層間絶縁膜１０６とし
てＳｉＯ2膜を、例えば常圧ＣＶＤ・リフロー法により
厚さ６００ｎｍで、ポリシリコン膜１０３を減圧ＣＶＤ
法により厚さ３００ｎｍで形成した。その後、図４
（ｃ）に示すように、その上に反射防止膜１０７として
有機系反射防止膜（例えば、Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎ
ｃｅ社製 ＤＵＶ−１８）をスピンコート塗布して厚さ
１２０ｎｍで形成した。
【００３６】次いで、図５（ａ）に示すように、この上
にフォトレジスト膜１０８を形成して、ＫｒＦエキシマ
ステッパーによりフォトレジスト膜１０８に０．２５μ
ｍ径の開口を有するコンタクトホール（微細接続孔）パ
ターンを形成した。その際、図５（ａ）に示すように、
コンタクトホールを形成する位置と、コンタクトホール
パターンの開口の位置が右方向に０．０５μｍのホール
パターニングずれが生じていた。
にフォトレジスト膜１０８を形成して、ＫｒＦエキシマ
ステッパーによりフォトレジスト膜１０８に０．２５μ
ｍ径の開口を有するコンタクトホール（微細接続孔）パ
ターンを形成した。その際、図５（ａ）に示すように、
コンタクトホールを形成する位置と、コンタクトホール
パターンの開口の位置が右方向に０．０５μｍのホール
パターニングずれが生じていた。
【００３７】その後、例えば図２に示すＭＣＲタイプの
エッチング装置を用いて以下の条件にて反射防止膜１０
７及びポリシリコン膜１０３のエッチング（テーパーエ
ッチング）を行ったところ、図５（ｂ）に示す構造を経
て図６（ａ）に示す構造になった。
エッチング装置を用いて以下の条件にて反射防止膜１０
７及びポリシリコン膜１０３のエッチング（テーパーエ
ッチング）を行ったところ、図５（ｂ）に示す構造を経
て図６（ａ）に示す構造になった。
【００３８】（反射防止膜１０７エッチングステップ） ガス ：Ａｒ／Ｏ2 ＝１００／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ ソース出力 ：１２００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ＲＦバイアス ：５０Ｗ（４５０ｋＨｚ） ウエハ温度 ：７０℃ オーバーエッチ ：５％
【００３９】 （ポリシリコン膜１０３エッチングステップ） ガス ：Ｃｌ2 ＝５０ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ ソース出力 ：１２００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ＲＦバイアス ：７０Ｗ（４５０ｋＨｚ） ウエハ温度 ：７０℃ オーバーエッチ ：５％
【００４０】その後、図７（ａ）に示すように、市販の
アッシング装置によりフォトレジスト膜１０８を除去し
た。このアッシング処理の際に、有機系の反射防止膜１
０７も除去された。この場合においても、図６（ｂ）に
示すように、テーパ形状の開口を有する反射防止膜１０
７がマスクとなり、ポリシリコン膜１０３に０．１μｍ
径の開口を有するホールパターンが形成された。
アッシング装置によりフォトレジスト膜１０８を除去し
た。このアッシング処理の際に、有機系の反射防止膜１
０７も除去された。この場合においても、図６（ｂ）に
示すように、テーパ形状の開口を有する反射防止膜１０
７がマスクとなり、ポリシリコン膜１０３に０．１μｍ
径の開口を有するホールパターンが形成された。
【００４１】最後に、これに市販のマグネトロンタイプ
のエッチング装置により、以下の条件で層間絶縁膜１０
６をエッチングしたところ、図７（ｂ）に示す構造とな
った。
のエッチング装置により、以下の条件で層間絶縁膜１０
６をエッチングしたところ、図７（ｂ）に示す構造とな
った。
【００４２】（層間絶縁膜１０６エッチングステップ） ガス ：Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ＝５／１００
／３００ｓｃｃｍ 圧力 ：５．０Ｐａ ＲＦバイアス ：１５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：５０％
／３００ｓｃｃｍ 圧力 ：５．０Ｐａ ＲＦバイアス ：１５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：５０％
【００４３】図７（ｂ）から分かるように、この構造に
おいては、エッチング中にマスクの開口径が０．１μｍ
に保たれたため、垂直形状のコンタクトホールが形成で
きている。したがって、従来の方法では、マスクにおけ
る開口径が拡大して配線短絡を起こすところ、本実施形
態の方法では、０．０５μｍの合せずれが生じたにもか
かわらず、配線短絡はまったく起らなかった。このよう
に、本実施形態により、良好な形状の微細接続孔の形成
を実現することができ、耐圧特性として降伏電圧５０Ｖ
以上を達成できた。
おいては、エッチング中にマスクの開口径が０．１μｍ
に保たれたため、垂直形状のコンタクトホールが形成で
きている。したがって、従来の方法では、マスクにおけ
る開口径が拡大して配線短絡を起こすところ、本実施形
態の方法では、０．０５μｍの合せずれが生じたにもか
かわらず、配線短絡はまったく起らなかった。このよう
に、本実施形態により、良好な形状の微細接続孔の形成
を実現することができ、耐圧特性として降伏電圧５０Ｖ
以上を達成できた。
【００４４】（実施形態３）まず、図８（ａ）に示すよ
うに、Ｓｉ基板１０１上にゲート酸化膜１０２を熱酸化
で厚さ７ｎｍ形成した後、その上に例えば減圧ＣＶＤ法
にてリンドープポリシリコン膜１０３を厚さ１００ｎｍ
で、更にその上に例えばプラズマＣＶＤ法でＷＳｉｘ膜
１０４を厚さ１００ｎｍで形成した。
うに、Ｓｉ基板１０１上にゲート酸化膜１０２を熱酸化
で厚さ７ｎｍ形成した後、その上に例えば減圧ＣＶＤ法
にてリンドープポリシリコン膜１０３を厚さ１００ｎｍ
で、更にその上に例えばプラズマＣＶＤ法でＷＳｉｘ膜
１０４を厚さ１００ｎｍで形成した。
【００４５】次いで、上記サンプルに対して、エキシマ
ステッパーを用いて以下に示す条件下で０．３５μｍ幅
の所望のゲートパターンを形成した。更に、ポリシリコ
ン膜１０３及びＷＳｉｘ膜１０４で構成されるゲート電
極の側壁にＬＤＤサイドウォール膜１０５を形成した。
ステッパーを用いて以下に示す条件下で０．３５μｍ幅
の所望のゲートパターンを形成した。更に、ポリシリコ
ン膜１０３及びＷＳｉｘ膜１０４で構成されるゲート電
極の側壁にＬＤＤサイドウォール膜１０５を形成した。
【００４６】（ＷＳｉｘ膜１０４及びポリシリコン膜１
０３エッチングステップ） エッチング装置 ：ＥＣＲタイプ ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝７５／６ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ μ波出力 ：１２００Ｗ ＲＦバイアス ：７０Ｗ（ＷＳｉｘ膜）、５０Ｗ（ポ
リシリコン膜） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：４０％
０３エッチングステップ） エッチング装置 ：ＥＣＲタイプ ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝７５／６ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ μ波出力 ：１２００Ｗ ＲＦバイアス ：７０Ｗ（ＷＳｉｘ膜）、５０Ｗ（ポ
リシリコン膜） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：４０％
【００４７】 （ＬＤＤサイドウォール膜１０５形成ステップ） エッチング装置 ：アノードカップル平行平板タイプ ガス ：ＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ／Ａｒ＝４０／４
０／８００ｓｃｃｍ 圧力 ：２００Ｐａ ＲＦバイアス ：５００Ｗ（３８０ｋＨｚ） ウエハ温度 ：５０℃ オーバーエッチ ：５％
０／８００ｓｃｃｍ 圧力 ：２００Ｐａ ＲＦバイアス ：５００Ｗ（３８０ｋＨｚ） ウエハ温度 ：５０℃ オーバーエッチ ：５％
【００４８】次いで、図８（ｂ）に示すように、この上
に層間絶縁膜１０６としてＳｉＯ2膜を、例えば常圧Ｃ
ＶＤ・リフロー法により厚さ６００ｎｍで、ポリシリコ
ン膜１０３を減圧ＣＶＤ法により厚さ５０ｎｍで、高融
点金属系膜として、例えばＷＳｉｘ膜をプラズマＣＶＤ
法で厚さ７０ｎｍで順次形成した。その後、図４（ｃ）
に示すように、その上に反射防止膜１０７としてＳｉＯ
ｘＮｙ膜を、例えばプラズマＣＶＤ法により厚さ１００
ｎｍで形成した。
に層間絶縁膜１０６としてＳｉＯ2膜を、例えば常圧Ｃ
ＶＤ・リフロー法により厚さ６００ｎｍで、ポリシリコ
ン膜１０３を減圧ＣＶＤ法により厚さ５０ｎｍで、高融
点金属系膜として、例えばＷＳｉｘ膜をプラズマＣＶＤ
法で厚さ７０ｎｍで順次形成した。その後、図４（ｃ）
に示すように、その上に反射防止膜１０７としてＳｉＯ
ｘＮｙ膜を、例えばプラズマＣＶＤ法により厚さ１００
ｎｍで形成した。
【００４９】次いで、図９（ａ）に示すように、この上
にフォトレジスト膜１０８を形成して、ＫｒＦエキシマ
ステッパーによりフォトレジスト膜１０８に０．２５μ
ｍ径の開口を有するコンタクトホール（微細接続孔）パ
ターンを形成した。その際、図９（ａ）に示すように、
コンタクトホールを形成する位置と、コンタクトホール
パターンの開口の位置が右方向に０．０５μｍのホール
パターニングずれが生じていた。
にフォトレジスト膜１０８を形成して、ＫｒＦエキシマ
ステッパーによりフォトレジスト膜１０８に０．２５μ
ｍ径の開口を有するコンタクトホール（微細接続孔）パ
ターンを形成した。その際、図９（ａ）に示すように、
コンタクトホールを形成する位置と、コンタクトホール
パターンの開口の位置が右方向に０．０５μｍのホール
パターニングずれが生じていた。
【００５０】その後、例えば図３に示すＩＣＰタイプの
エッチング装置を用いて以下の条件にて反射防止膜１０
７／高融点金属系膜１０９／ポリシリコン膜１０３のエ
ッチング（テーパーエッチング）を行ったところ、図９
（ｂ）に示す構造を経て図１０（ａ）に示す構造になっ
た。
エッチング装置を用いて以下の条件にて反射防止膜１０
７／高融点金属系膜１０９／ポリシリコン膜１０３のエ
ッチング（テーパーエッチング）を行ったところ、図９
（ｂ）に示す構造を経て図１０（ａ）に示す構造になっ
た。
【００５１】（反射防止膜１０７エッチングステップ） ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝５０／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ ソース出力 ：３００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ＲＦバイアス ：５０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ウエハ温度 ：７０℃ オーバーエッチ ：２０％
【００５２】（高融点金属系膜１０９／ポリシリコン膜
１０３エッチングステップ） ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝５０／５ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ μ波出力 ：４００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ＲＦバイアス ：５０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ウエハ温度 ：７０℃ オーバーエッチ ：２０％
１０３エッチングステップ） ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝５０／５ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ μ波出力 ：４００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ＲＦバイアス ：５０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ウエハ温度 ：７０℃ オーバーエッチ ：２０％
【００５３】その後、図１０（ｂ）に示すように、市販
のアッシング装置によりフォトレジスト膜１０８を除去
した。図１０（ｂ）に示すように、この構造では、テー
パ形状の開口を有する反射防止膜１０７がマスクとな
り、高融点金属系膜１０９／ポリシリコン膜１０３に
０．１μｍ径の開口を有するホールパターンが形成され
ている。
のアッシング装置によりフォトレジスト膜１０８を除去
した。図１０（ｂ）に示すように、この構造では、テー
パ形状の開口を有する反射防止膜１０７がマスクとな
り、高融点金属系膜１０９／ポリシリコン膜１０３に
０．１μｍ径の開口を有するホールパターンが形成され
ている。
【００５４】最後に、これに市販のマグネトロンタイプ
のエッチング装置により、以下の条件で層間絶縁膜１０
６をエッチングしたところ、図１１（ａ）の構造を経
て、図１１（ｂ）に示す構造となった。すなわち、高融
点金属系膜１０９上の反射防止膜１０７は、層間絶縁膜
１０６のエッチング中に除去された。
のエッチング装置により、以下の条件で層間絶縁膜１０
６をエッチングしたところ、図１１（ａ）の構造を経
て、図１１（ｂ）に示す構造となった。すなわち、高融
点金属系膜１０９上の反射防止膜１０７は、層間絶縁膜
１０６のエッチング中に除去された。
【００５５】（層間絶縁膜１０６エッチングステップ） ガス ：Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ＝５／１００
／３００ｓｃｃｍ 圧力 ：５．０Ｐａ ＲＦバイアス ：１５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：５０％
／３００ｓｃｃｍ 圧力 ：５．０Ｐａ ＲＦバイアス ：１５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：５０％
【００５６】図１１（ｂ）から分かるように、この構造
においては、エッチング中にマスクの開口径が０．１μ
ｍに保たれたため、垂直形状のコンタクトホールが形成
できている。したがって、従来の方法では、マスクにお
ける開口径が拡大して配線短絡を起こすところ、本実施
形態の方法では、０．０５μｍの合せずれが生じたにも
かかわらず、配線短絡はまったく起らなかった。このよ
うに、本実施形態により、良好な形状の微細接続孔の形
成を実現することができ、耐圧特性として降伏電圧５０
Ｖ以上を達成できた。
においては、エッチング中にマスクの開口径が０．１μ
ｍに保たれたため、垂直形状のコンタクトホールが形成
できている。したがって、従来の方法では、マスクにお
ける開口径が拡大して配線短絡を起こすところ、本実施
形態の方法では、０．０５μｍの合せずれが生じたにも
かかわらず、配線短絡はまったく起らなかった。このよ
うに、本実施形態により、良好な形状の微細接続孔の形
成を実現することができ、耐圧特性として降伏電圧５０
Ｖ以上を達成できた。
【００５７】（実施形態４）実施形態３と同様にして図
８（ａ）に示す構造のサンプルを作製した。次いで、図
８（ｂ）に示すように、この上に層間絶縁膜１０６とし
てＳｉＯ2膜を、例えば常圧ＣＶＤ・リフロー法により
厚さ６００ｎｍで、ポリシリコン膜１０３を減圧ＣＶＤ
法により厚さ５０ｎｍで、高融点金属系膜として、例え
ばＷＳｉｘ膜をプラズマＣＶＤ法で厚さ７０ｎｍで順次
形成した。その後、図８（ｃ）に示すように、その上に
反射防止膜１０７として有機系反射防止膜（例えば、Ｂ
ｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ社製 ＤＵＶ−１８）をス
ピンコート塗布して厚さ１２０ｎｍで形成した。
８（ａ）に示す構造のサンプルを作製した。次いで、図
８（ｂ）に示すように、この上に層間絶縁膜１０６とし
てＳｉＯ2膜を、例えば常圧ＣＶＤ・リフロー法により
厚さ６００ｎｍで、ポリシリコン膜１０３を減圧ＣＶＤ
法により厚さ５０ｎｍで、高融点金属系膜として、例え
ばＷＳｉｘ膜をプラズマＣＶＤ法で厚さ７０ｎｍで順次
形成した。その後、図８（ｃ）に示すように、その上に
反射防止膜１０７として有機系反射防止膜（例えば、Ｂ
ｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ社製 ＤＵＶ−１８）をス
ピンコート塗布して厚さ１２０ｎｍで形成した。
【００５８】次いで、図９（ａ）に示すように、この上
にフォトレジスト膜１０８を形成して、ＫｒＦエキシマ
ステッパーによりフォトレジスト膜１０８に０．２５μ
ｍ径の開口を有するコンタクトホール（微細接続孔）パ
ターンを形成した。その際、図９（ａ）に示すように、
コンタクトホールを形成する位置と、コンタクトホール
パターンの開口の位置が右方向に０．０５μｍのホール
パターニングずれが生じていた。
にフォトレジスト膜１０８を形成して、ＫｒＦエキシマ
ステッパーによりフォトレジスト膜１０８に０．２５μ
ｍ径の開口を有するコンタクトホール（微細接続孔）パ
ターンを形成した。その際、図９（ａ）に示すように、
コンタクトホールを形成する位置と、コンタクトホール
パターンの開口の位置が右方向に０．０５μｍのホール
パターニングずれが生じていた。
【００５９】その後、例えば図１に示すＥＣＲタイプの
エッチング装置を用いて以下の条件にて反射防止膜１０
７／高融点金属系膜１０９／ポリシリコン膜１０３のエ
ッチング（テーパーエッチング）を行ったところ、図９
（ｂ）に示す構造を経て図１０（ａ）に示す構造になっ
た。
エッチング装置を用いて以下の条件にて反射防止膜１０
７／高融点金属系膜１０９／ポリシリコン膜１０３のエ
ッチング（テーパーエッチング）を行ったところ、図９
（ｂ）に示す構造を経て図１０（ａ）に示す構造になっ
た。
【００６０】（反射防止膜１０７エッチングステップ） ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝２０／４０ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ μ波出力 ：１０００Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス ：７０Ｗ（８００ｋＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：１０％
【００６１】（高融点金属系膜１０９／ポリシリコン膜
１０３エッチングステップ） ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝８０／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ μ波出力 ：１０００Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス ：７０Ｗ（８００ｋＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：３０％
１０３エッチングステップ） ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝８０／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：０．４Ｐａ μ波出力 ：１０００Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス ：７０Ｗ（８００ｋＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：３０％
【００６２】その後、図１１（ａ）に示すように、市販
のアッシング装置によりフォトレジスト膜１０８を除去
した。このアッシング処理の際に、有機系の反射防止膜
１０７も除去された。この場合においても、図１０
（ｂ）に示すように、テーパ形状の開口を有する反射防
止膜１０７がマスクとなり、高融点金属系膜１０９／ポ
リシリコン膜１０３に０．１μｍ径の開口を有するホー
ルパターンが形成された。
のアッシング装置によりフォトレジスト膜１０８を除去
した。このアッシング処理の際に、有機系の反射防止膜
１０７も除去された。この場合においても、図１０
（ｂ）に示すように、テーパ形状の開口を有する反射防
止膜１０７がマスクとなり、高融点金属系膜１０９／ポ
リシリコン膜１０３に０．１μｍ径の開口を有するホー
ルパターンが形成された。
【００６３】最後に、これに市販のマグネトロンタイプ
のエッチング装置により、以下の条件で層間絶縁膜１０
６をエッチングしたところ、図１１（ｂ）に示す構造と
なった。
のエッチング装置により、以下の条件で層間絶縁膜１０
６をエッチングしたところ、図１１（ｂ）に示す構造と
なった。
【００６４】（層間絶縁膜１０６エッチングステップ） ガス ：Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ＝５／１００
／３００ｓｃｃｍ 圧力 ：５．０Ｐａ ＲＦバイアス ：１５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：５０％
／３００ｓｃｃｍ 圧力 ：５．０Ｐａ ＲＦバイアス ：１５００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） ウエハ温度 ：２０℃ オーバーエッチ ：５０％
【００６５】図１１（ｂ）から分かるように、この構造
においては、エッチング中にマスクの開口径が０．１μ
ｍに保たれたため、垂直形状のコンタクトホールが形成
できている。したがって、従来の方法では、マスクにお
ける開口径が拡大して配線短絡を起こすところ、本実施
形態の方法では、０．０５μｍの合せずれが生じたにも
かかわらず、配線短絡はまったく起らなかった。このよ
うに、本実施形態により、良好な形状の微細接続孔の形
成を実現することができ、耐圧特性として降伏電圧５０
Ｖ以上を達成できた。
においては、エッチング中にマスクの開口径が０．１μ
ｍに保たれたため、垂直形状のコンタクトホールが形成
できている。したがって、従来の方法では、マスクにお
ける開口径が拡大して配線短絡を起こすところ、本実施
形態の方法では、０．０５μｍの合せずれが生じたにも
かかわらず、配線短絡はまったく起らなかった。このよ
うに、本実施形態により、良好な形状の微細接続孔の形
成を実現することができ、耐圧特性として降伏電圧５０
Ｖ以上を達成できた。
【００６６】本発明について上記４つの実施形態を説明
したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものでな
く、プラズマ源や、装置構成、サンプル構造、エッチン
グガス等のプロセス条件は本発明の主旨を逸脱しない範
囲で適宜選択できるのは言うまでもない。
したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものでな
く、プラズマ源や、装置構成、サンプル構造、エッチン
グガス等のプロセス条件は本発明の主旨を逸脱しない範
囲で適宜選択できるのは言うまでもない。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の微細接続孔
の形成方法は、テーパ形状の開口を有する反射防止膜を
用いてマスク層に開口を形成するので、マスクにおける
開口径の拡大を抑制しながら、安定した開口特性が得ら
れる新規な方法である。
の形成方法は、テーパ形状の開口を有する反射防止膜を
用いてマスク層に開口を形成するので、マスクにおける
開口径の拡大を抑制しながら、安定した開口特性が得ら
れる新規な方法である。
【図１】本発明の方法において使用するＥＣＲタイプの
エッチング装置を示す概略断面図である。
エッチング装置を示す概略断面図である。
【図２】本発明の方法において使用するＭＣＲタイプの
エッチング装置を示す概略断面図である。
エッチング装置を示す概略断面図である。
【図３】本発明の方法において使用するＩＣＰタイプの
エッチング装置を示す概略断面図である。
エッチング装置を示す概略断面図である。
【図４】本発明における実施形態１及び実施形態２を説
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
【図５】本発明における実施形態１及び実施形態２を説
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
【図６】本発明における実施形態１及び実施形態２を説
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
【図７】本発明における実施形態１及び実施形態２を説
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
【図８】本発明における実施形態３及び実施形態４を説
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
【図９】本発明における実施形態３及び実施形態４を説
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
【図１０】本発明における実施形態３及び実施形態４を
説明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
説明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
【図１１】本発明における実施形態３及び実施形態４を
説明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
説明するためのサンプル断面構造を示す概略図である。
【図１２】従来の微細接続孔の形成方法を説明するため
の概略図である。
の概略図である。
１１…マグネトロン、１２…導波管、１３…石英ベルジ
ャー、１４…ソレノイドコイル、１５…ウエハ、１６…
クランプ、１７…ウエハステージ、１８…高周波電源、
１９…上部電極、２０…側壁電極、２１…誘導結合コイ
ル、２２…石英板、１０１…Ｓｉ基板、１０２…ゲート
酸化膜、１０３…ポリシリコン膜、１０４…ＷＳｉｘ
膜、１０５…ＬＤＤサイドウォール膜、１０６…層間絶
縁膜、１０７…反射防止膜、１０８…フォトレジスト
膜、１０９…高融点金属系膜。
ャー、１４…ソレノイドコイル、１５…ウエハ、１６…
クランプ、１７…ウエハステージ、１８…高周波電源、
１９…上部電極、２０…側壁電極、２１…誘導結合コイ
ル、２２…石英板、１０１…Ｓｉ基板、１０２…ゲート
酸化膜、１０３…ポリシリコン膜、１０４…ＷＳｉｘ
膜、１０５…ＬＤＤサイドウォール膜、１０６…層間絶
縁膜、１０７…反射防止膜、１０８…フォトレジスト
膜、１０９…高融点金属系膜。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置の製造において微細接続孔を
形成する方法であって、 微細接続孔を形成する膜を有する基板の前記膜上にマス
ク層を形成する工程と、 前記マスク層上に反射防止膜を形成する工程と、 前記反射防止膜に基板側に向って縮径する孔を形成する
工程と、 前記孔を有する反射防止膜を用いて前記マスク層に微細
接続孔形成用のパターンを形成する工程と、 前記微細接続孔形成用のパターンにしたがって、前記膜
に微細接続孔を形成する工程と、を具備することを特徴
とする微細接続孔の形成方法。 - 【請求項２】 前記反射防止膜は、ＳｉＯｘＮｙ、シリ
コン、有機塗布膜材料及びアモルファスカーボンからな
る群より選ばれた少なくとも一つで構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の微細接続孔の形成方法。 - 【請求項３】 前記マスク層は、高融点金属系層を含む
複数の層で構成されていることを特徴とする請求項1 又
は請求項２に記載の微細接続孔の形成方法。 - 【請求項４】 前記マスク層に微細接続孔形成用のパタ
ーンを形成する工程は、低圧・高密度プラズマを発生さ
せる装置において行うことを特徴とする請求項１乃至請
求項３のいずれかに記載の微細接続孔の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17718697A JPH1126578A (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 微細接続孔の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17718697A JPH1126578A (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 微細接続孔の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126578A true JPH1126578A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16026688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17718697A Pending JPH1126578A (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 微細接続孔の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126578A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1154468A2 (en) * | 2000-02-17 | 2001-11-14 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing an amorphous carbon layer |
| US6887645B2 (en) | 2000-08-31 | 2005-05-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Negative resist composition |
| US6967072B2 (en) | 2000-06-08 | 2005-11-22 | Applied Materials, Inc. | Photolithography scheme using a silicon containing resist |
| US7064078B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-06-20 | Applied Materials | Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme |
| US7079740B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Use of amorphous carbon film as a hardmask in the fabrication of optical waveguides |
| US7094442B2 (en) | 2004-07-13 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Methods for the reduction and elimination of particulate contamination with CVD of amorphous carbon |
| US7407893B2 (en) | 2004-03-05 | 2008-08-05 | Applied Materials, Inc. | Liquid precursors for the CVD deposition of amorphous carbon films |
| US7638440B2 (en) | 2004-03-12 | 2009-12-29 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing an amorphous carbon film for etch hardmask application |
| US7860597B2 (en) | 2001-07-27 | 2010-12-28 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
-
1997
- 1997-07-02 JP JP17718697A patent/JPH1126578A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1154468A3 (en) * | 2000-02-17 | 2004-07-21 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing an amorphous carbon layer |
| US6841341B2 (en) | 2000-02-17 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing an amorphous carbon layer |
| US7332262B2 (en) | 2000-02-17 | 2008-02-19 | Applied Materials, Inc. | Photolithography scheme using a silicon containing resist |
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| US9031685B2 (en) | 2001-07-27 | 2015-05-12 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US8027746B2 (en) | 2001-07-27 | 2011-09-27 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US7860597B2 (en) | 2001-07-27 | 2010-12-28 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US7718081B2 (en) | 2004-01-30 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration schemes |
| US7064078B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-06-20 | Applied Materials | Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme |
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