JPH11262917A - Slicing method of semiconductor single crystal ingot - Google Patents
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- JPH11262917A JPH11262917A JP6798298A JP6798298A JPH11262917A JP H11262917 A JPH11262917 A JP H11262917A JP 6798298 A JP6798298 A JP 6798298A JP 6798298 A JP6798298 A JP 6798298A JP H11262917 A JPH11262917 A JP H11262917A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体単結晶イン
ゴット（以下、単結晶インゴット又はインゴットと称す
ることがある）を簡便にスライスしてウェーハ化するこ
とができ、ウェーハ製造の生産性の向上を図ることがで
きるようにした半導体単結晶インゴットのスライス方法
及び当該スライス方法の実施を効果的に行うことのでき
る半導体単結晶インゴットの位置決め装置に関する。The present invention relates to a semiconductor single crystal ingot (hereinafter sometimes referred to as a single crystal ingot or an ingot) which can be easily sliced into a wafer, and the productivity of wafer production can be improved. The present invention relates to a semiconductor single crystal ingot slicing method which can be achieved and a semiconductor single crystal ingot positioning apparatus capable of effectively performing the slicing method.
【０００２】[0002]
【関連技術】半導体単結晶インゴット、例えば半導体シ
リコン単結晶インゴット等を切断する手段としてワイヤ
ーソー装置が知られている。図１１に示すごとく、この
ワイヤーソー装置８においては、互いに同一構成のメイ
ンローラと呼ばれる３本（又は４本）の樹脂ローラ１０
Ａ，１０Ｂ，１０Ｃがそれらの軸を互いに平行にした状
態で配置されている。2. Related Art As a means for cutting a semiconductor single crystal ingot, for example, a semiconductor silicon single crystal ingot, a wire saw device is known. As shown in FIG. 11, in this wire saw device 8, three (or four) resin rollers 10 called main rollers having the same configuration are used.
A, 10B and 10C are arranged with their axes parallel to each other.
【０００３】該ローラ１０Ａ〜１０Ｃ表面に一定ピッチ
で形成されたリング状溝１４ａ，１４ｂ，１４ｃにワイ
ヤー１２が巻回されている。駆動モータ１６に接続され
た駆動ローラ１０Ｃからの回転をワイヤー１２を介し
て、従動ローラ１０Ａ，１０Ｂに伝える構造となってい
る。A wire 12 is wound around ring-shaped grooves 14a, 14b, 14c formed at a constant pitch on the surfaces of the rollers 10A to 10C. The rotation from the drive roller 10C connected to the drive motor 16 is transmitted to the driven rollers 10A and 10B via the wire 12.
【０００４】ワイヤー１２の始端側は、張力調節機構２
０を介してワイヤー巻取りドラム２２に巻回されてい
る。同様に、ワイヤー１２の終端側は、張力調節機構３
０を介してワイヤー巻取りドラム３２に巻回されてい
る。２４及び３４はトルクモータである。The starting end of the wire 12 is connected to a tension adjusting mechanism 2.
0 is wound around the wire winding drum 22. Similarly, the terminal side of the wire 12 is connected to the tension adjusting mechanism 3.
0 is wound around the wire winding drum 32. 24 and 34 are torque motors.
【０００５】単結晶インゴット４０は、例えば半導体シ
リコン単結晶インゴットであり、インゴットの端面方位
測定〔図１０（ａ）〕の後、通常はそのオリエンテーシ
ョンフラット（以下、オリフラと略称することがある）
面又はノッチ部（又はオリフラ面の横幅の中心とインゴ
ットの中心軸とを結んだ線又はノッチとインゴットの中
心軸とを結んだ線と直交する線がインゴット面と交差す
る部位）が当て板４１の下面に接着剤によって接着され
〔図１０（ｂ）〕、該当て板４１の上面はワークプレー
ト４２の下面に接着剤によって接着される〔図１０
（ｃ）〕。The single crystal ingot 40 is, for example, a semiconductor silicon single crystal ingot. After measuring the orientation of the end face of the ingot (FIG. 10 (a)), the orientation flat is usually referred to as an orientation flat (hereinafter sometimes referred to as an orientation flat).
A surface or a notch portion (or a portion where a line connecting the center of the lateral width of the orientation flat surface and the center axis of the ingot or a line orthogonal to the line connecting the notch and the center axis of the ingot intersects the ingot surface) 10 (b)], and the upper surface of the plate 41 is bonded to the lower surface of the work plate 42 with an adhesive [FIG. 10 (b)].
(C)].
【０００６】このような構成により、駆動ローラ１０Ｃ
を回転させると、ワイヤー１２がその線方向に走行し、
これとともに砥粒を含む加工液がワイヤー１２に流し当
てられる。この状態で単結晶インゴット４０を下降さ
せ、ワイヤー１２に接触させると、ラッピング作用によ
り単結晶インゴット４０が切断され、多数枚のウェーハ
が同時に切断形成される。With such a configuration, the driving roller 10C
Is rotated, the wire 12 travels in the line direction,
At the same time, a working liquid containing abrasive grains is applied to the wire 12. When the single crystal ingot 40 is lowered in this state and brought into contact with the wire 12, the single crystal ingot 40 is cut by the lapping action, and a large number of wafers are cut and formed at the same time.
【０００７】図９に示すごとく、ＣＺ法又はＦＺ法（図
示の例は、ＣＺ法による単結晶の引上げ）によってアズ
グローンの単結晶インゴット３９が製造された後、円筒
研削（図９において、３９ａは円筒研削されたインゴッ
ト）及びノッチ研削（図９において、３９ｂはノッチ研
削されたインゴット及び４０ａはノッチ）又はオリフラ
研削等の加工処理が施される。ついで、そのノッチ研削
されたインゴット３９ｂは、適当な長さのブロック状の
インゴット４０に切断され、ワイヤーソー装置による切
断（スライス）の対象とされるものとなる。このように
加工処理された円筒状の単結晶インゴット４０は、その
中心軸と結晶面の法線とが一致していないのが普通であ
る。As shown in FIG. 9, after an as-grown single crystal ingot 39 is manufactured by the CZ method or the FZ method (in the illustrated example, a single crystal is pulled by the CZ method), cylindrical grinding (39a in FIG. Processing such as cylindrically ground ingot) and notch grinding (in FIG. 9, 39b is a notch ground ingot and 40a is a notch) or orientation flat grinding. Next, the ingot 39b that has been subjected to the notch grinding is cut into a block-shaped ingot 40 having an appropriate length, and is to be cut (sliced) by a wire saw device. The central axis of the cylindrical single crystal ingot 40 thus processed does not usually coincide with the normal of the crystal plane.
【０００８】ワイヤーソー装置８による単結晶インゴッ
ト４０の切断（スライス）処理は、単結晶インゴットの
結晶面を基準として行なわれる。単結晶インゴットの切
断方法としては、単結晶インゴット４０の結晶面とワイ
ヤー１２の走行方向、即ち切断方向とを一致させて切断
する方法（ジャストアングル）及び単結晶インゴット４
０の結晶面とワイヤー１２の走行方向、即ち切断方向と
を一致させないで、互いに所定の角度をなすようにして
切断する方法（オフアングル）とが行なわれている。The cutting (slicing) of the single crystal ingot 40 by the wire saw device 8 is performed with reference to the crystal plane of the single crystal ingot. As a method of cutting the single crystal ingot, a method of cutting the crystal plane of the single crystal ingot 40 so as to match the traveling direction of the wire 12, that is, the cutting direction (just angle), and a method of cutting the single crystal ingot 4
A method (off-angle) of cutting such that the crystal plane of 0 and the running direction of the wire 12, that is, the cutting direction are not coincident with each other but at a predetermined angle is performed.
【０００９】したがって、ワイヤーソー装置８に単結晶
インゴット４０をセットするにあたっては、ワイヤー走
行方向に対して単結晶インゴットの結晶面を、所定の切
断態様に応じて、角度をつけなかったり（ジャストアン
グルの場合）、所定の角度をつけたり（オフアングルの
場合）することが必要であった。Therefore, when the single crystal ingot 40 is set in the wire saw device 8, the crystal plane of the single crystal ingot is not angled with respect to the running direction of the wire in accordance with a predetermined cutting mode (just angle). In the case of) or a predetermined angle (in the case of an off-angle).
【００１０】この時、単結晶インゴット４０の中心軸と
結晶面の法線とは、前述したごとく、通常は一致してい
ないため、単結晶インゴット４０を切断（スライス）す
る前には、その切断方法に応じて単結晶インゴットの方
位を修正又は設定する必要があった。At this time, since the central axis of the single crystal ingot 40 and the normal of the crystal plane do not usually coincide with each other as described above, the cutting of the single crystal ingot 40 must be performed before the single crystal ingot 40 is cut (sliced). It was necessary to correct or set the orientation of the single crystal ingot according to the method.
【００１１】ここで、ワイヤーソー装置による従来の単
結晶インゴットのウェーハへの切断（スライス）の一般
的な方法をフローチャートで示すと、図１２の如くであ
る。前述したごとくアズグローンの単結晶インゴット３
９（図９）の引上げ（２００）の後、円筒研削が行われ
る（２０２）。図９において、３９ａは円筒研削された
単結晶インゴットを示す。ついで、円筒研削されたイン
ゴット端面の方位を公知のＸ線方位測定装置によって測
定してノッチ位置又はオリフラ位置を検出し（２０
４）、その方位測定値に基づいてノッチ研削又はオリフ
ラ研削を行う（２０６）。図９において、３９ｂはノッ
チ研削された単結晶インゴット及び４０ａはノッチをそ
れぞれ示す。その後、ノッチ研削又はオリフラ研削を行
った単結晶インゴットをブロック切断して所定数のブロ
ックに分けてインゴット４０を製造する（２０８）。こ
れらのブロック切断されたインゴット４０はインゴット
ストッカーに一旦収容される。FIG. 12 is a flowchart showing a general method of cutting (slicing) a conventional single crystal ingot into wafers by a wire saw apparatus. As mentioned above, as-grown single crystal ingot 3
9 (FIG. 9), a cylindrical grinding is performed (202). In FIG. 9, reference numeral 39a denotes a single crystal ingot that has been cylindrically ground. Next, the orientation of the cylindrically ground ingot end face is measured by a known X-ray orientation measurement device to detect the notch position or the orientation flat position (20).
4) Notch grinding or orientation flat grinding is performed based on the azimuth measurement value (206). In FIG. 9, reference numeral 39b denotes a notch-ground single crystal ingot, and reference numeral 40a denotes a notch. After that, the single crystal ingot that has been subjected to the notch grinding or the orientation flat grinding is cut into blocks and divided into a predetermined number of blocks to manufacture the ingot 40 (208). These ingots 40 that have been cut into blocks are temporarily stored in an ingot stocker.
【００１２】続いて、インゴットストッカーからインゴ
ット４０を受取り、公知のＸ線方位測定装置によって、
インゴット４０の端面の方位測定が行なわれる（２１
０）。これにより、当て板４１の貼付け位置を決め、そ
の貼付け位置を真上に向ける。Subsequently, the ingot 40 is received from the ingot stocker, and is received by a known X-ray azimuth measuring device.
The orientation of the end face of the ingot 40 is measured (21
0). In this way, the attachment position of the backing plate 41 is determined, and the attachment position is directed right above.
【００１３】この当て板４１の貼付け位置に当て板４１
を接着剤によって貼付ける（２１２）。ついで、該接着
剤を所定時間の放置によって硬化させる。At the position where the backing plate 41 is attached, the backing plate 41
Is attached with an adhesive (212). Next, the adhesive is cured by being left for a predetermined time.
【００１４】この貼付けられた当て板４１を介してワー
クプレート４２を接着剤によって貼付ける（２１４）。
該接着剤を所定時間の放置によって硬化させる。図１０
に、上記したインゴット４０の端面方位測定（ａ）→当
て板の４１の貼付け（ｂ）→ワークプレート４２の貼付
け（ｃ）の工程を図示した。The work plate 42 is stuck with an adhesive via the stuck backing plate 41 (214).
The adhesive is cured by leaving it for a predetermined time. FIG.
The steps of measuring the orientation of the end surface of the ingot 40 (a), attaching the backing plate 41 (b), and attaching the work plate 42 (c) are shown in FIG.
【００１５】上記のようにワークプレート４２を貼付け
たインゴット４０をワイヤーソー装置８の切断位置に取
付ける（２１６）。この後、ゴニオメーターによって、
前記した方位測定（２１０）のデータに基づいて、該イ
ンゴットを回動することにより、そのＸ軸方向及びＹ軸
方向の方位調整を行なう（２１８）ことによって、イン
ゴットの方位の設定を行なう。インゴットの方位設定
後、ワイヤーソー装置８によるインゴット４０の切断処
理が行なわれるものである（２２０）。The ingot 40 to which the work plate 42 is attached as described above is attached to the cutting position of the wire saw device 8 (216). After this, the goniometer
By rotating the ingot based on the data of the azimuth measurement (210), the azimuth in the X-axis direction and the Y-axis direction is adjusted (218), thereby setting the azimuth of the ingot. After setting the orientation of the ingot, the wire saw device 8 cuts the ingot 40 (220).
【００１６】上記した従来の方法では、複数個の単結晶
インゴット４０を直線状に配列してワイヤーソー装置で
同時に切断する態様を実施することは難かしかった。な
ぜならば、この場合、複数個の単結晶インゴット４０の
方位調整をそれぞれ別々に行う必要があるが、その方位
調整を複数個まとめて行なうことが不可能であるからで
ある。In the above-mentioned conventional method, it is difficult to implement a mode in which a plurality of single crystal ingots 40 are arranged in a straight line and cut simultaneously by a wire saw device. This is because in this case, it is necessary to separately adjust the orientations of the plurality of single crystal ingots 40, but it is impossible to perform the orientation adjustments collectively.
【００１７】上記した従来方法におけるインゴットの方
位測定は、Ｘ線方位測定装置により単結晶インゴット端
面に対する結晶面の傾きをＸ軸（単結晶インゴットの中
心軸に直交する軸）方向及びＹ軸（単結晶インゴットの
中心軸及びＸ軸に直交する軸）方向について測定してい
た。In the orientation measurement of the ingot in the above-described conventional method, the inclination of the crystal plane with respect to the end face of the single crystal ingot is measured by an X-ray orientation measuring apparatus in the X axis direction (the axis orthogonal to the central axis of the single crystal ingot) and the Y axis direction. The measurement was made in the direction of an axis perpendicular to the central axis and the X axis of the crystal ingot.
【００１８】そして、Ｘ軸方向及びＹ軸方向についての
単結晶インゴットの端面と結晶面の法線との間にズレが
ある場合には、単結晶インゴットをＸ軸方向及びＹ軸方
向に回動して単結晶インゴットの端面と結晶面の法線と
のズレを補正して互いに一致させ（ジャストアングルの
場合）、または両者間に所定の角度をつけて（オフアン
グルの場合）、単結晶インゴットをセットすることが必
要であった。If there is a deviation between the end face of the single crystal ingot in the X axis direction and the Y axis direction and the normal of the crystal plane, the single crystal ingot is rotated in the X axis direction and the Y axis direction. Then, the deviation between the end face of the single crystal ingot and the normal to the crystal plane is corrected so that they coincide with each other (in the case of just angle), or at a predetermined angle between them (in the case of off angle), and the single crystal ingot is formed. It was necessary to set.
【００１９】この単結晶インゴットの方位調整作業は、
ワイヤーソー装置の内部に単結晶インゴットを取り付け
た後、ゴニオメーターを用いて行なわれていたが、作業
するための場所が狭く、ワイヤーソー装置内のスラリー
等で汚れる上に、時間がかかり、かつ自動化もできない
等大変な労力を必要としていた。The work of adjusting the orientation of the single crystal ingot is as follows.
After installing the single crystal ingot inside the wire saw device, it was performed using a goniometer, but the place for work is small, it takes time to be soiled with slurry etc. in the wire saw device, and It required a great deal of labor, such as being unable to automate it.
【００２０】現在、半導体シリコン単結晶インゴットの
スライス加工には、φ２００ｍｍ、φ３００ｍｍとその
直径が大きくなるにつれて、スライス装置としてワイヤ
ーソー装置が導入されてきているのが一般的である。At present, for slicing a semiconductor silicon single crystal ingot, a wire saw device is generally introduced as a slicing device as its diameter increases to φ200 mm and φ300 mm.
【００２１】その際、切断されるウェーハに要求される
品質として、ウェーハの方位がある所定の方位を有する
ウェーハの製造方法としては、上述したごとく、インゴ
ット端面の方位を確認して、インゴットに所定の当て板
及びワークプレートを接着して、ワイヤーソー装置上で
インゴット端面の方位を再度確認して合わせ込んでから
インゴットを切断する一般的な方法の他に、インゴット
に所定の当て板及びワークプレートを接着した後に、イ
ンゴット切断用のワイヤーソー装置を想定した治具に乗
せてインゴットの方位を測定し、ワイヤーソー装置上に
インゴットを装着して、測定した方位の値を入力して、
自動で方位を調整してからインゴットを切断する方法と
か、インゴットの方位を測定しながら当て板及びワーク
プレートを接着して、ワイヤーソー装置に装着したらす
ぐインゴットを切断する方法とかがある。At this time, as a method of manufacturing a wafer having a predetermined orientation as a quality required for a wafer to be cut, as described above, the orientation of the end face of the ingot is confirmed, and the orientation of the ingot is determined. In addition to the general method of bonding the backing plate and the work plate, checking the orientation of the end face of the ingot on the wire saw device and fitting the same, and then cutting the ingot, the predetermined backing plate and the work plate are attached to the ingot. After bonding, put the jig assuming a wire saw device for cutting the ingot, measure the orientation of the ingot, attach the ingot on the wire saw device, enter the value of the measured orientation,
There is a method of cutting the ingot after automatically adjusting the direction, and a method of cutting the ingot as soon as it is mounted on the wire saw device by bonding the backing plate and the work plate while measuring the direction of the ingot.
【００２２】しかしながら、図１２に示した従来のイン
ゴットのスライス工程をみてみると、インゴットの端面
の方位を確認して、ウェーハにする際のオリフラ又は大
口径インゴット（ウェーハ）においては主流となって来
たノッチをいれる工程（２０６）が、インゴットの端面
の方位測定工程（２１０）の前に行われるものである。However, when looking at the conventional ingot slicing process shown in FIG. 12, the orientation of the end face of the ingot is confirmed, and it becomes the mainstream in the orientation flat or large-diameter ingot (wafer) for forming a wafer. The step of putting the notch (206) is performed before the step of measuring the orientation of the end face of the ingot (210).
【００２３】つまり、従来のインゴットのスライス方法
においては、折角ノッチ又はオリフラの研削工程で測定
した方位測定値を利用せず、ワイヤーソー装置に装着の
ため再度の方位測定を行って再確認すると言う２度手間
を行って作業工程を複雑化しているという問題があっ
た。That is, in the conventional ingot slicing method, the direction measurement value measured in the grinding step of the angle notch or the orientation flat is not used, and the direction measurement is performed again for mounting on the wire saw device, and the confirmation is performed again. There was a problem that the work process was complicated by performing the work twice.
【００２４】一方、半導体単結晶は、一定の方向に割れ
て平滑な面、即ち劈開面を作ることが知られているが、
この割れる方向は劈開方向といわれ、結晶の種類によっ
てその劈開方向も異なる。On the other hand, it is known that a semiconductor single crystal is broken in a certain direction to form a smooth plane, that is, a cleavage plane.
This breaking direction is called a cleavage direction, and the cleavage direction varies depending on the type of crystal.
【００２５】例えば、シリコン単結晶Ｗでは、図１３〜
１５に示すように結晶方位に応じて複数の劈開方向Ａが
存在することが知られている。図１３は（１００）シリ
コン単結晶、図１４は（１１０）シリコン単結晶及び図
１５は（１１１）シリコン単結晶の劈開方向をそれぞれ
示す図面である。For example, in a silicon single crystal W, FIGS.
It is known that a plurality of cleavage directions A exist according to the crystal orientation as shown in FIG. FIG. 13 is a drawing showing the cleavage direction of a (100) silicon single crystal, FIG. 14 is a drawing showing the cleavage direction of a (110) silicon single crystal, and FIG.
【００２６】従来、シリコン単結晶インゴット等の半導
体単結晶インゴットをワイヤーソー装置を用いて、スラ
イスする場合、シリコン単結晶インゴットの劈開方向と
ワイヤー走行方向がほぼ一致する方法でスライスしてい
た。Conventionally, when a semiconductor single crystal ingot such as a silicon single crystal ingot is sliced using a wire saw device, the slice has been sliced by a method in which the cleavage direction of the silicon single crystal ingot and the wire running direction substantially match.
【００２７】例えば、（１００）シリコン単インゴット
Ｗをスライスする場合には、図１３及び図１４に示すご
とくインゴットＷのオリフラ面ＯＦに当て板４１を接着
し、さらにこの当て板４１をワークプレート４２に接着
するか（図１３）又はインゴットＷを９０°回転せし
め、オリフラ面ＯＦから９０°変位した位置に当て板４
１を接着し、この当て板４１をワークプレート４２に接
着する構成（図１４）が採用されていた。For example, when slicing a (100) silicon single ingot W, as shown in FIGS. 13 and 14, a backing plate 41 is adhered to the orientation flat surface OF of the ingot W, and the backing plate 41 is further attached to a work plate 42. (FIG. 13) or rotate the ingot W by 90 °, and place the contact plate 4 at a position displaced by 90 ° from the orientation flat surface OF.
1 and the backing plate 41 is bonded to the work plate 42 (FIG. 14).
【００２８】図１３又は図１４に示すようにワークプレ
ート４２に接着されたインゴットＷはそのまま降下せし
められ、ワイヤーソー装置のワイヤー１２に押し当てら
れてスライスされる。As shown in FIG. 13 or 14, the ingot W adhered to the work plate 42 is lowered as it is, pressed against the wire 12 of the wire saw device, and sliced.
【００２９】この場合、インゴットＷの半径方向断面か
ら見て互いに直交する２つの劈開方向Ａ１、Ａ２のうち
いずれかの劈開方向とワイヤー１２の走行方向Ｙが一致
した状態で、インゴットＷはスライスされることとな
る。In this case, the ingot W is sliced in a state where one of the two cleavage directions A1 and A2 orthogonal to each other when viewed from the radial cross section of the ingot W coincides with the traveling direction Y of the wire 12. The Rukoto.
【００３０】ワイヤーソー装置で切断する場合、ワイヤ
ーの走行した跡はソーマークとしてウェーハに残るた
め、ソーマークに沿ってダメージ層が形成される。In the case of cutting with a wire saw device, traces of travel of the wire remain on the wafer as saw marks, so that a damaged layer is formed along the saw marks.
【００３１】このダメージ層はワイヤー振動等により、
スライスされた単結晶ウェーハの劈開方向にクラックを
発生させてしまう。即ち、ソーマークと単結晶の劈開方
向が合致するため、スライスされたウェーハが割れ易い
という欠点があった。This damaged layer is caused by wire vibration or the like.
Cracks occur in the cleavage direction of the sliced single crystal wafer. That is, since the cleavage direction of the single mark matches the cleavage direction of the single crystal, there is a disadvantage that the sliced wafer is easily broken.
【００３２】[0032]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来技術の問題点に鑑みなされたもので、インゴットの端
面方位測定をノッチ研削又はオリフラ研削の際に測定す
るだけとし、当て板をインゴットに固着する際の端面方
位測定を省略し、ノッチ又はオリフラを基準として当て
板をインゴットに固着し、ワイヤーソー装置にインゴッ
トを装着後、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の方位調整を行うこ
となく、インゴットをスライス（切断）してウェーハを
作成することにより、インゴットの端面方位測定を２度
行うという無駄を省き、ウェーハ品質の低下を招来する
ことなくウェーハ製造の生産性向上に寄与することがで
き、またインゴットの劈開方向とワイヤー走行後のソー
マークの方向とが一致しないよう工夫することによっ
て、スライスされたウェーハのクラック発生や割れを防
止することができるようにした半導体単結晶インゴット
のスライス方法及び当該スライス方法の実施を効果的に
行うことのできる半導体単結晶インゴットの位置決め装
置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and is intended to measure the orientation of the end face of an ingot only in notch grinding or orientation flat grinding, and to use a plate in contact with the ingot. Omitting the end face orientation measurement when attaching to the ingot, attaching the backing plate to the ingot based on the notch or orientation flat, attaching the ingot to the wire saw device, without adjusting the orientation in the X-axis direction and Y-axis direction, By slicing (cutting) an ingot to create a wafer, it is possible to eliminate the waste of measuring the orientation of the ingot twice and to contribute to an improvement in the productivity of wafer manufacturing without deteriorating the wafer quality. In addition, the ingot was sliced by devising so that the cleavage direction of the ingot did not match the direction of the saw mark after running the wire. An object of the present invention is to provide a semiconductor single crystal ingot slicing method capable of preventing cracking and cracking of a wafer and a semiconductor single crystal ingot positioning device capable of effectively performing the slicing method. I do.
【００３３】[0033]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体単結晶インゴットのスライス方法
は、半導体単結晶インゴットをワイヤーソー装置でスラ
イスする方法であり、該半導体単結晶インゴットにあら
かじめ形成されたノッチ又はオリエンテーションフラッ
トを基準として該半導体単結晶インゴットに当て板及び
ワークプレートを固着し、ついで該半導体単結晶インゴ
ットのＸ軸方向及びＹ軸方向の方位調整を行うことな
く、該半導体単結晶インゴットをスライスすることを特
徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a method of slicing a semiconductor single crystal ingot according to the present invention is a method of slicing a semiconductor single crystal ingot with a wire saw device. A backing plate and a work plate are fixed to the semiconductor single crystal ingot with reference to a previously formed notch or orientation flat, and then the semiconductor single crystal ingot is adjusted without adjusting the azimuth in the X-axis direction and the Y-axis direction. It is characterized in that a single crystal ingot is sliced.
【００３４】上記ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方
向と半導体単結晶インゴットの劈開方向とを一致させる
ことなく該半導体単結晶インゴットをスライスすれば、
ウェーハの割れを防止することができるという有利さが
ある。By slicing the semiconductor single crystal ingot without making the running direction of the wire of the wire saw device coincide with the cleavage direction of the semiconductor single crystal ingot,
There is an advantage that cracking of the wafer can be prevented.
【００３５】前記半導体単結晶インゴットが（１００）
シリコン単結晶である場合には、該半導体単結晶インゴ
ットのノッチ又はオリエンテーションフラットの横幅の
中心線と該半導体単結晶インゴットの中心軸とを結んだ
線が該半導体単結晶インゴットの中心軸を通る垂線と不
一致又は非直交状態として該半導体単結晶インゴットに
該当て板を固着するようにするのが好適である。The semiconductor single crystal ingot is (100)
In the case of a silicon single crystal, a line connecting the center axis of the lateral width of the notch or orientation flat of the semiconductor single crystal ingot and the center axis of the semiconductor single crystal ingot is a perpendicular line passing through the center axis of the semiconductor single crystal ingot. It is preferable that the plate is fixed to the semiconductor single crystal ingot as a non-orthogonal or non-orthogonal state.
【００３６】前記半導体単結晶インゴットのノッチ又は
オリエンテーションフラットの横幅の中心線と該半導体
単結晶インゴットの中心軸とを結んだ線と該半導体単結
晶インゴットの中心軸を通る垂線とのなす角度を５°以
上とするのが好ましい。The angle between the line connecting the center line of the lateral width of the notch or orientation flat of the semiconductor single crystal ingot and the center axis of the semiconductor single crystal ingot and the perpendicular passing through the center axis of the semiconductor single crystal ingot is 5 ° or more is preferable.
【００３７】複数個の前記半導体単結晶インゴットの上
面に１枚の前記当て板の下面を固着することによって複
数個のインゴットを同時に切断することができるという
メリットがある。There is an advantage that a plurality of ingots can be cut at the same time by fixing the lower surface of one backing plate to the upper surface of the plurality of semiconductor single crystal ingots.
【００３８】本発明の半導体単結晶インゴットの位置決
め装置の第１の態様は、半導体単結晶インゴットを回転
可能に載置するインゴット載置台と、半導体単結晶イン
ゴットにあらかじめ形成されたノッチ位置又はオリエン
テーションフラット位置を検出する位置検出センサーと
を有し、該半導体単結晶インゴットを回転させて該位置
検出センサーによってノッチ位置又はオリエンテーショ
ンフラット位置を検出し、該検出されたノッチ位置又は
オリエンテーションフラット位置を基準として該半導体
単結晶インゴットの位置決めを行い、該半導体単結晶イ
ンゴットの上面の所定位置に当て板の下面を固着するこ
とができるようにしたことを特徴とする。A first aspect of the apparatus for positioning a semiconductor single crystal ingot according to the present invention comprises an ingot mounting table on which a semiconductor single crystal ingot is rotatably mounted, a notch position or an orientation flat previously formed on the semiconductor single crystal ingot. A position detection sensor for detecting a position, the semiconductor single crystal ingot is rotated, the notch position or the orientation flat position is detected by the position detection sensor, and the detected notch position or the orientation flat position is referred to as a reference. The semiconductor single crystal ingot is positioned, and the lower surface of the backing plate can be fixed to a predetermined position on the upper surface of the semiconductor single crystal ingot.
【００３９】本発明の半導体単結晶インゴットの位置決
め装置の第２の態様は、半導体単結晶インゴットを回転
可能に載置するインゴット載置台と、半導体単結晶イン
ゴットにあらかじめ形成されたノッチ又はオリエンテー
ションフラットに適合可能とされた適合部を具備しかつ
該半導体単結晶インゴットに接離自在に配設された位置
決め治具とを有し、該半導体単結晶インゴットを回転さ
せて該適合部をノッチ又はオリエンテーションフラット
に適合させることによって該半導体単結晶インゴットの
位置を決定し、該半導体単結晶インゴットの上面の所定
位置に当て板の下面を固着することができるようにした
ことを特徴とする。A second aspect of the semiconductor single crystal ingot positioning apparatus according to the present invention comprises an ingot mounting table for rotatably mounting the semiconductor single crystal ingot, and a notch or orientation flat formed in advance on the semiconductor single crystal ingot. A positioning jig having a fitting portion adapted to be fitted and being disposed so as to be able to freely contact and separate from the semiconductor single crystal ingot, and rotating the semiconductor single crystal ingot to make the fitting portion a notch or an orientation flat. In this case, the position of the semiconductor single crystal ingot is determined by adjusting the position of the semiconductor single crystal ingot, and the lower surface of the backing plate can be fixed to a predetermined position on the upper surface of the semiconductor single crystal ingot.
【００４０】本発明の半導体単結晶インゴットの位置決
め装置の第３の態様は、インゴット載置台に半導体単結
晶インゴットを回転可能に載置し、半導体単結晶インゴ
ットにあらかじめ形成されたノッチ又はオリエンテーシ
ョンフラットに適合可能とされた適合部を当て板の下面
に設けかつ該当て板を該半導体単結晶インゴットに接離
自在とし、該半導体単結晶インゴットを回転させて該適
合部をノッチ又はオリエンテーションフラットに適合さ
せることによって該半導体単結晶インゴットの位置を決
定し、該半導体単結晶インゴットの上面の所定位置に当
該当て板の下面を固着することができるようにしたこと
を特徴とする。A third aspect of the semiconductor single crystal ingot positioning apparatus of the present invention is such that a semiconductor single crystal ingot is rotatably mounted on an ingot mounting table, and a notch or an orientation flat formed in advance on the semiconductor single crystal ingot is provided. An adaptable portion that is adapted to be provided is provided on the lower surface of the backing plate, and the corresponding plate is allowed to freely contact and separate from the semiconductor single crystal ingot, and the semiconductor single crystal ingot is rotated to adapt the adaptable portion to a notch or an orientation flat. Thus, the position of the semiconductor single crystal ingot is determined, and the lower surface of the backing plate can be fixed to a predetermined position on the upper surface of the semiconductor single crystal ingot.
【００４１】上記半導体単結晶インゴットの位置決め装
置の第３の態様においては、前記当て板の下面の横幅の
中心線から所定距離だけ離間した位置に適合部を設け、
また、前記当て板の側方に延長部を延在せしめ、該延長
部の下面に前記適合部を設ける構成とするのが好適であ
る。In a third aspect of the semiconductor single crystal ingot positioning apparatus, a matching portion is provided at a position separated by a predetermined distance from a center line of a lateral width of a lower surface of the backing plate,
Further, it is preferable that an extension is extended to the side of the backing plate, and the fitting portion is provided on a lower surface of the extension.
【００４２】前記インゴット載置台としては、上面に略
Ｖ字状の受け部を設けた基台と、該受け部の相対向する
受け面に回転自在に設けられた相対向する１対以上のロ
ーラとからなる構成とするのが好ましい。The ingot mounting table includes a base provided with a substantially V-shaped receiving portion on the upper surface, and one or more pairs of opposing rollers rotatably provided on opposing receiving surfaces of the receiving portion. It is preferable to adopt a configuration consisting of
【００４３】[0043]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面中、図１〜図８に基づいて説明する。図１は本発明
方法の手順を示すフローチャートである。図１〜図８に
おいて、図９〜図１２における部材又は工程と同一又は
類似部材は同一の符号を用いて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a flowchart showing the procedure of the method of the present invention. 1 to 8, the same or similar members as the members or steps in FIGS. 9 to 12 are described using the same reference numerals.
【００４４】図１において、図１２に示した従来方法と
同様に、アズグローンの単結晶インゴット３９の引上げ
（２００）、円筒研削（２０２）（図９において、３９
ａは円筒研削された単結晶インゴットを示す。）、ノッ
チ位置又はオリフラ位置の検出（２０４）、ノッチ研削
又はオリフラ研削（２０６）（図９において、３９ｂは
ノッチ研削された単結晶インゴット及び４０ａはノッチ
をそれぞれ示す。）、ブロック切断によるインゴットの
製造（２０８）まで行われ、これらのインゴット４０は
インゴットストッカーに一旦収納される。In FIG. 1, similarly to the conventional method shown in FIG. 12, the as-grown single crystal ingot 39 is pulled up (200), and the cylindrical grinding (202) (in FIG.
a shows a single crystal ingot which has been cylindrically ground. ), Notch position or orientation flat position detection (204), notch grinding or orientation flat grinding (206) (in FIG. 9, 39b indicates a notch-ground single crystal ingot and 40a indicates a notch, respectively), and ingot cutting by block cutting. The steps up to manufacturing (208) are performed, and these ingots 40 are temporarily stored in an ingot stocker.
【００４５】図１２の従来工程では、その後インゴット
４０の端面方位測定（２１０）が行われ、その測定方位
に基づいて当て板４１の貼付け位置を決めてその貼付け
位置を真上に向けてそこに当て板４１を接着剤によって
貼付け（２１２）たが、本発明では上記端面方位測定
（２１０）を省いて、ノッチ位置又はオリフラ位置の検
出（２０４）の際に既に測定された端面方位に基づいて
研削されたノッチ又はオリフラを基準として当て板４１
の貼付け位置の位置決めを行い（２０９）、その貼付け
位置を真上に向けてそこに当て板４１を接着剤による貼
付け等によって固着する（２１２）。ついで、貼付けら
れた当て板４１を介してワークプレート４２を接着剤に
よる貼付け等によって固着する（２１４）。In the conventional process of FIG. 12, after that, the end face orientation of the ingot 40 is measured (210), and the sticking position of the backing plate 41 is determined based on the measured orientation, and the sticking position is directed upward and there. Although the backing plate 41 is adhered by an adhesive (212), the present invention omits the above-mentioned end face orientation measurement (210) and based on the end face orientation already measured at the time of detecting the notch position or the orientation flat position (204). Backing plate 41 based on ground notch or orientation flat
Is positioned (209), the sticking position is directed upward, and the patch plate 41 is fixed thereto by sticking with an adhesive or the like (212). Next, the work plate 42 is fixed to the work plate 42 with the adhesive applied thereto via the attached plate 41 (214).
【００４６】上記のようにワークプレート４２を貼付け
たインゴット４０を従来と同様にワイヤーソー装置８の
切断位置に取付ける（２１６）。続いて、Ｘ軸方向及び
Ｙ軸方向の方位調整を行うことなく、直ちにワイヤーソ
ー装置８によるインゴット４０の切断処理を行う（２２
０）。このように本発明方法によれば、インゴットの端
面測定を一度行うだけで、２度目の端面方位測定及びＸ
軸方向及びＹ軸方向の方位調整を行う必要がなく、つま
り、測定の２度手間を省き、所定の方位許容値内でウェ
ーハの切断が可能となり、したがって工程の簡略化を実
現し、生産性向上を図ることができる。The ingot 40 to which the work plate 42 has been attached as described above is attached to the cutting position of the wire saw device 8 as in the prior art (216). Subsequently, the ingot 40 is immediately cut by the wire saw device 8 without performing the azimuth adjustment in the X-axis direction and the Y-axis direction (22).
0). As described above, according to the method of the present invention, the end face measurement of the ingot is performed only once, and the end face orientation measurement and X
It is not necessary to adjust the azimuths in the axial direction and the Y-axis direction, that is, it is possible to cut the wafer within a predetermined azimuth tolerance value, eliminating the need for twice the measurement, thereby simplifying the process and improving productivity. Improvement can be achieved.
【００４７】次に、上記した本発明方法を効率的に実施
するための半導体単結晶インゴットの位置決め装置につ
いて説明する。図２は本発明の半導体単結晶インゴット
の位置決め装置５０の１例を示す側面説明図である。Next, a description will be given of an apparatus for positioning a semiconductor single crystal ingot for efficiently implementing the above-described method of the present invention. FIG. 2 is an explanatory side view showing one example of a semiconductor single crystal ingot positioning apparatus 50 of the present invention.
【００４８】該位置決め装置５０はインゴット載置台５
２と位置検出センサー５４とによって構成されている。
該載置台５２は基台５６を有し、該基台５６の上面には
側面略Ｖ字状の受け部５８が突設されている。該受け部
５８の相対向する受け面５８ａ，５８ｂには１対以上
（図示例では３対）のローラ６０ａ，６０ｂが互いに対
をなし相対向して回転自在に設けられている。The positioning device 50 is mounted on the ingot mounting table 5.
2 and a position detection sensor 54.
The mounting table 52 has a base 56, and a receiving portion 58 having a substantially V-shaped side surface protrudes from an upper surface of the base 56. At least one pair (three pairs in the illustrated example) of rollers 60a and 60b are provided on opposing receiving surfaces 58a and 58b of the receiving portion 58 so as to be rotatable in opposition to each other.
【００４９】該ローラ６０ａ，６０ｂは手動で回転させ
ることもできるが、例えば、いずれか１本のローラを駆
動用モータ（図示せず）に接続した駆動ローラとするこ
ともできる。The rollers 60a and 60b can be rotated manually. For example, any one of the rollers may be a driving roller connected to a driving motor (not shown).
【００５０】位置検出センサー５４は、半導体単結晶イ
ンゴット４０にあらかじめ形成されたノッチ又はオリフ
ラ（図示の例ではノッチ４０ａ）の位置を検出するもの
である。上記した駆動用モータを設置した場合には、位
置検出センサー５４と駆動用モータとを接続し、位置検
出センサー５４からの信号により駆動ローラの回転停止
を自動的に行ってインゴットの位置決めの自動化を行う
こともできる。The position detecting sensor 54 detects the position of a notch or an orientation flat (notch 40a in the illustrated example) formed on the semiconductor single crystal ingot 40 in advance. When the above-described drive motor is installed, the position detection sensor 54 and the drive motor are connected, and the rotation of the drive roller is automatically stopped by a signal from the position detection sensor 54 to automate the positioning of the ingot. You can do it too.
【００５１】この構成により、インゴット４０を回転さ
せて位置検出センサー５４によってノッチ４０ａ（又は
オリフラ）の位置を検出し、該検出されたノッチ位置又
はオリフラ位置を基準としてインゴット４０の位置決め
を行う。これにより、当て板４１の貼付け位置を決め、
その貼付け位置を真上に向ける（図３）。この当て板４
１の貼付け位置に当て板４１を接着剤により接着する。With this configuration, the position of the notch 40a (or the orientation flat) is detected by the position detection sensor 54 by rotating the ingot 40, and the ingot 40 is positioned based on the detected notch position or the orientation flat position. With this, the position of attaching the backing plate 41 is determined,
The sticking position is directed upward (FIG. 3). This backing plate 4
The backing plate 41 is adhered to the first attaching position with an adhesive.
【００５２】ワークプレート４２の下面中央部には、当
て板４１の位置決めのための切欠き部６２が設けられて
いる（図３）。インゴット４０の上面に接着された当て
板４１を該切欠き部６２に挿入して接着剤によって接着
する。A notch 62 for positioning the backing plate 41 is provided at the center of the lower surface of the work plate 42 (FIG. 3). The backing plate 41 adhered to the upper surface of the ingot 40 is inserted into the notch 62 and adhered by an adhesive.
【００５３】このようにワークプレート４２を貼付けた
インゴット４０をワイヤーソー装置８の切断位置に取付
け、インゴット４０の方位調整を行うことなくインゴッ
ト４０のスライスを行って多数のウェーハを製造する。The ingot 40 to which the work plate 42 is attached is attached to the cutting position of the wire saw device 8, and the ingot 40 is sliced without adjusting the orientation of the ingot 40, thereby producing a large number of wafers.
【００５４】ワイヤーソー装置８によってインゴット４
０をスライスすると、ソーマークと単結晶の劈開方向と
が一致又は直交することに起因してスライスされたウェ
ーハが割れ易くなる不利を回避するために、当て板４１
をインゴット４０に貼付ける場合は、インゴット４０の
劈開方向とワイヤー１２の走行方向とを不一致又は非直
交状態とし、上記劈開方向とワイヤーソー１２の走行方
向のなす角αを５°≦α≦８５°の範囲に設定するのが
好適で、α＝４５°とするのが好ましい。The ingot 4 is moved by the wire saw device 8.
In order to avoid the disadvantage that the sliced wafer is liable to crack due to the saw mark and the cleavage direction of the single crystal being coincident or orthogonal when slicing 0, the contact plate 41 is used.
When affixing to the ingot 40, the cleavage direction of the ingot 40 and the traveling direction of the wire 12 are made to be inconsistent or non-orthogonal, and the angle α between the cleavage direction and the traveling direction of the wire saw 12 is 5 ° ≦ α ≦ 85. Is preferably set in the range of °, and α is preferably set to 45 °.
【００５５】図２及び図３には、インゴット４０として
（１００）シリコン単結晶を用いた場合を例示してある
が、この場合には、インゴット４０の中心軸とノッチ４
０ａを結んだ線とインゴット４０の中心軸を通る垂線と
を不一致又は非直交状態とし、両方の線のなす角αを上
記のように設定すればよい。FIGS. 2 and 3 show a case where a (100) silicon single crystal is used as the ingot 40. In this case, the center axis of the ingot 40 and the notch 4 are used.
The line connecting 0a and the perpendicular passing through the central axis of the ingot 40 may be in a non-coincidence or non-orthogonal state, and the angle α between both lines may be set as described above.
【００５６】インゴットの位置決め装置５０としては、
種々の態様が適用できるものであり、インゴットの位置
決め装置５０の他の態様について図４及び図５に基づい
て説明する。図４及び図５は本発明のインゴットの位置
決め装置５０の他の例を示す側面説明図で、図４は位置
決め治具をインゴットから離間させた状態、図５は位置
決め治具をインゴットに接触させた状態をそれぞれ示
す。図４及び図５において図２及び図３と同一又は類似
部材は同一符号で示す。As the ingot positioning device 50,
Various embodiments can be applied, and another embodiment of the ingot positioning device 50 will be described with reference to FIGS. 4 and 5. 4 and 5 are side views showing another example of the ingot positioning device 50 of the present invention. FIG. 4 shows a state in which the positioning jig is separated from the ingot, and FIG. 5 shows a state in which the positioning jig is brought into contact with the ingot. Each state is shown. 4 and 5, the same or similar members as those in FIGS. 2 and 3 are denoted by the same reference numerals.
【００５７】図４及び図５に示したインゴットの位置決
め装置５０も、図２に示した装置と同様の構成のインゴ
ット載置台５２を有している。この第２の態様の特徴
は、該インゴット載置台５２の側端部に支持柱６４を立
設し、該支持柱６４の上端部に位置決め治具６６をイン
ゴット載置台５２に載置されるインゴット４０に接離自
在に配設した点である。The ingot positioning device 50 shown in FIGS. 4 and 5 also has an ingot mounting table 52 having the same configuration as the device shown in FIG. The second embodiment is characterized in that a support column 64 is erected at a side end of the ingot mounting table 52, and a positioning jig 66 is mounted on an upper end of the support column 64 on the ingot mounted on the ingot mounting table 52. 40 is arranged so as to be able to approach and separate freely.
【００５８】該位置決め治具６６は基体６８を有してい
る。該基体６８は側面台形のブロック形状をなしてお
り、相対向する幅狭の上面６８ａ及び幅広の下面６８ｂ
及び該上面６８ａ及び下面６８ｂの両端部を接続する斜
面６８ｃ及び垂直面６８ｄを備えている。The positioning jig 66 has a base 68. The base 68 has a side trapezoidal block shape, and has opposed narrow upper surfaces 68a and wider lower surfaces 68b.
And an inclined surface 68c and a vertical surface 68d connecting both ends of the upper surface 68a and the lower surface 68b.
【００５９】該基体６８の幅広下面６８ｂにはアーム７
０が突設されており、該アームの先端部は軸７２を介し
て前記支持柱６４の上端部に回転自在に取りつけられて
いる。該基体６８の斜面６８ｃの中央部にはインゴット
４０のノッチ４０ａに適合する適合部（図示例では適合
突部）７４が突設されている。The arm 7 is provided on the wide lower surface 68b of the base 68.
The end of the arm is rotatably attached to the upper end of the support column 64 via a shaft 72. At the center of the slope 68c of the base 68, a fitting portion (fitting protrusion in the illustrated example) 74 that fits the notch 40a of the ingot 40 is provided so as to project therefrom.
【００６０】該位置決め治具６６をインゴット４０側に
回動することによって該適合突部７４はインゴット４０
の外周面に接触する。この状態で、インゴット４０を手
で軽く回転させて該適合突部７４をノッチ４０ａに適合
させる。By rotating the positioning jig 66 toward the ingot 40, the fitting protrusion 74 is moved to the ingot 40.
Contacts the outer peripheral surface of. In this state, the ingot 40 is lightly rotated by hand to make the fitting protrusion 74 fit the notch 40a.
【００６１】位置決め治具６６の適合突部７４がノッチ
４０ａに適合した状態のインゴット４０の真上面が当て
板４１の貼付け位置であるから、その貼付け位置に当て
板４１を接着剤により接着する。Since the right upper surface of the ingot 40 in a state where the fitting projection 74 of the positioning jig 66 is fitted to the notch 40a is the position where the backing plate 41 is pasted, the backing plate 41 is adhered to the pasting position with an adhesive.
【００６２】位置決め治具６６で位置決めを行う場合、
図５に示した距離ｔが当て板４１の横幅の１／２とし、
基体６８の上面６８ａで、接着の際の当て板４１の位置
決めを行うことができる。When performing positioning with the positioning jig 66,
The distance t shown in FIG. 5 is １ ／ of the width of the backing plate 41,
On the upper surface 68a of the base 68, the backing plate 41 can be positioned at the time of bonding.
【００６３】該当て板４１をインゴット４０に貼付けた
後、図３に示したと同様のワークプレート４２の切欠き
部６２に当て板４１を挿入して接着剤によって接着す
る。この場合、位置決め治具６６はその接着作業の邪魔
にならないように支持柱６４側に反転させておけばよ
い。After attaching the plate 41 to the ingot 40, the contact plate 41 is inserted into the notch 62 of the work plate 42 as shown in FIG. In this case, the positioning jig 66 may be inverted toward the support column 64 so as not to hinder the bonding operation.
【００６４】図４及び図５にはインゴット４０として
（１００）シリコン単結晶を用いた場合を例示してある
ので、図２及び図３の場合に述べたように、インゴット
４０の中心軸を通る垂線とインゴット４０の中心軸とノ
ッチ４０ａを結んだ線とのなす角αは、５°≦α≦８５
°が好ましく、α＝４５°が特に好ましい。そのため、
位置決め治具６６の基体６８の下面６８ｂと斜面６８ｃ
とのなす角θを４５°に設定するのが最も好ましい。FIGS. 4 and 5 illustrate a case where a (100) silicon single crystal is used as the ingot 40, and therefore pass through the center axis of the ingot 40 as described in FIGS. The angle α between the perpendicular and the line connecting the central axis of the ingot 40 and the notch 40a is 5 ° ≦ α ≦ 85
Is preferable, and α = 45 ° is particularly preferable. for that reason,
Lower surface 68b and slope 68c of base 68 of positioning jig 66
Is most preferably set to 45 °.
【００６５】続いて、インゴットの位置決め装置の別の
態様について、図６〜図８に基づいて説明する。図６及
び図７は本発明のインゴットの位置決め装置５０の別の
例を示す側面説明図で、図６は適合部を下面に設けた当
て板をインゴットから離間させた状態、図７は適合部を
下面に設けた当て板をインゴットに接触させた状態をそ
れぞれ示す。図８は適合部を下面に設けた当て板の下面
を示す拡大部分図である。図６〜図８において図２及び
図３と同一又は類似部材は同一符号で示す。Next, another embodiment of the ingot positioning device will be described with reference to FIGS. 6 and 7 are side explanatory views showing another example of the ingot positioning device 50 of the present invention. FIG. 6 shows a state in which a contact plate provided with a matching portion on the lower surface is separated from the ingot, and FIG. Respectively show a state in which a backing plate provided on the lower surface is brought into contact with the ingot. FIG. 8 is an enlarged partial view showing the lower surface of the backing plate provided with the fitting portion on the lower surface. 6 to 8, the same or similar members as those in FIGS. 2 and 3 are denoted by the same reference numerals.
【００６６】図６及び図７に示したインゴットの位置決
め装置５０も、図２に示した装置と同様の構成のインゴ
ット載置台５２を有している。この第３の態様の特徴
は、当て板４１の下面にインゴット４０のノッチ４０ａ
に適合する適合部（図示例では適合突部）７６が突設さ
れている点である。The ingot positioning device 50 shown in FIGS. 6 and 7 also has an ingot mounting table 52 having the same configuration as the device shown in FIG. The feature of the third embodiment is that the notch 40a of the ingot 40
A suitable portion (conformity protrusion in the illustrated example) 76 conforming to the above is provided.
【００６７】該適合突部７６は該当て板４１の下面の横
幅の中心線から所定間隔だけ離間した位置に設けられて
いる。図６及び図７においては、該当て板４１の側方に
延長部４１ａを延在せしめ、該延長部４１ａの下面に適
合突部７６を突設した例が示されている。The matching projection 76 is provided at a position separated from the center line of the width of the lower surface of the plate 41 by a predetermined distance. FIGS. 6 and 7 show an example in which the extension 41a is extended to the side of the plate 41 and a matching projection 76 is provided on the lower surface of the extension 41a.
【００６８】該当て板４１を下方に移動させると、該適
合突部７６はインゴット４０の外周面に接触する。この
状態で、インゴット４０を手で軽く回転させて該適合突
部７６をノッチ４０ａに適合させる。When the plate 41 is moved downward, the fitting projection 76 comes into contact with the outer peripheral surface of the ingot 40. In this state, the ingot 40 is lightly rotated by hand to make the fitting protrusion 76 fit with the notch 40a.
【００６９】当て板４１の適合突部７６がノッチ４０ａ
に適合した状態のインゴット４０の位置が当て板４１の
貼付け位置であるからそのままの状態で当該当て板４１
を接着剤により接着する。その後、前述した場合と同様
にワークプレート４２を該当て板４１の上面に接着剤に
よって貼付ける。The fitting projection 76 of the backing plate 41 is notch 40a
Since the position of the ingot 40 in a state conforming to the above is the attaching position of the backing plate 41,
Are bonded with an adhesive. Thereafter, the work plate 42 is applied to the upper surface of the plate 41 with an adhesive in the same manner as described above.
【００７０】当て板４１の下面における適合突部７６の
設置位置はいずれの部分でもよいが、図６及び図７には
インゴット４０として（１００）シリコン単結晶を用い
た場合を例示してあるので、図２及び図３の場合に述べ
たように、ウェーハの割れを防ぐために、インゴット４
０の中心軸とノッチ４０ａを結んだ線とインゴット４０
の中心軸を通る垂線とのなす角αは５°≦α≦８５°
で、α＝４５°が好ましい。そのため、図６及び図７に
示したように、α＝４５°となる位置に当て板４１の下
面の適合突部７６を形成するのが好適である。The installation position of the fitting projection 76 on the lower surface of the backing plate 41 may be any position. However, FIGS. 6 and 7 show a case where a (100) silicon single crystal is used as the ingot 40. 2 and 3, in order to prevent the wafer from cracking, the ingot 4
The line connecting the central axis of 0 and the notch 40a and the ingot 40
Is 5 ° ≦ α ≦ 85 ° with the perpendicular passing through the central axis of
And α is preferably 45 °. Therefore, as shown in FIGS. 6 and 7, it is preferable to form the matching projection 76 on the lower surface of the backing plate 41 at a position where α = 45 °.
【００７１】上記した第２及び第３の態様においても、
図２に示した場合と同様に駆動ローラを設けてもよい
が、これらの例の場合には駆動ローラを設けるまでもな
く、作業者が手で軽く押す程度で自在に回転できるよう
に構成しておけばよいものである。また、いずれの態様
においても図２の位置検出センサー５４は不要であり、
マニュアル作業で実施可能であるため、装置的に見ても
簡便な方式といえるものである。In the second and third embodiments described above,
Although a drive roller may be provided as in the case shown in FIG. 2, in these examples, it is not necessary to provide the drive roller, and the structure is such that the operator can freely rotate by lightly pushing with a hand. It is good to keep it. Further, in any of the embodiments, the position detection sensor 54 of FIG. 2 is unnecessary,
Since it can be carried out by manual work, it can be said that it is a simple system in terms of the device.
【００７２】さらに、上記したいずれの態様において
も、インゴット４０が短い場合などには複数本のインゴ
ット４０の位置決めを同時に行うことができ、それらの
インゴット４０を１枚の当て板４１を接着することによ
って同時にスライスすることができる利点がある。Further, in any of the above-described embodiments, when the ingot 40 is short or the like, the positioning of a plurality of ingots 40 can be performed simultaneously, and the ingots 40 are bonded to one backing plate 41. Has the advantage that it can be sliced simultaneously.
【００７３】上記した各態様の位置決め装置５０を用い
て（１００）シリコン単結晶のインゴット４０の位置決
めを行ってα＝４５°の状態で当て板４１を接着してワ
イヤーソー装置８によるスライスを行って得られたウェ
ーハの方位は、ウェーハの標準仕様に定められた（１０
０）≦±１°の規格にすべて合格していたことを確認し
た。The (100) silicon single crystal ingot 40 is positioned by using the positioning device 50 of each of the above-described embodiments, and the backing plate 41 is adhered at α = 45 ° to perform slicing by the wire saw device 8. The orientation of the obtained wafer is defined in the standard specification of the wafer (10
0) It was confirmed that all the specifications of ≦ ± 1 ° were passed.
【００７４】なお、図示したインゴット４０について
は、いずれもノッチ４０ａを形成した態様を示したが、
本発明のスライス方法は、オリフラを形成したインゴッ
ト４０についても全く同様に適用できるので、オリフラ
を形成したインゴットについての図示は省略してある。In the illustrated ingot 40, the notch 40a is formed.
Since the slicing method of the present invention can be applied to the ingot 40 having the orientation flat in exactly the same manner, the illustration of the ingot having the orientation flat is omitted.
【００７５】また、本発明のインゴットの位置決め装置
についても、ノッチ４０ａを形成したインゴット４０に
ついてのみを図示例では示したが、適合部７４，７６の
形状を除いて全く同様に適用できるので、同様に図示は
省略してある。Also, in the ingot positioning apparatus of the present invention, only the ingot 40 having the notch 40a is shown in the illustrated example. However, the ingot positioning apparatus can be applied in exactly the same manner except for the shapes of the conforming portions 74 and 76. Are not shown.
【００７６】インゴットの位置決め装置の適合部７４，
７６の形状は、ノッチ４０ａを研削したインゴットにつ
いては図示したごとく、ノッチ４０ａに嵌入可能な適合
突部であるのに対して、オリフラを研削したインゴット
の場合には適合部７４，７６の先端をオリフラ面に適合
するように平坦とする必要があることは勿論である。The matching part 74 of the ingot positioning device,
As shown in the figure, the shape of the ingot 76 is a fitting protrusion which can be fitted into the notch 40a as shown in the figure for an ingot having the notch 40a grounded, whereas the shape of the ingot having a ground orientation flat is the same as that of the ingot. Of course, it is necessary to be flat so as to conform to the orientation flat surface.
【００７７】[0077]
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の半導体単結
晶インゴットのスライス方法によれば、インゴットの端
面方位測定をノッチ研削又はオリフラ研削の際に測定す
るだけとし、当て板をインゴットに固着する際の端面方
位測定を省略し、ノッチ又はオリフラを基準として当て
板をインゴットに固着し、ワイヤーソー装置にインゴッ
トを装着後、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の方位調整を行うこ
となく、インゴットをスライス（切断）してウェーハを
作成することにより、インゴットの端面方位測定を２度
行うという無駄を省き、ウェーハ品質の低下を招来する
ことなくウェーハ製造の生産性向上に寄与することがで
きるという効果が達成される。また、本発明の半導体単
結晶インゴットの位置決め装置は、本発明のスライス方
法を実施する際のインゴットの位置決めを簡便に行うこ
とができるという効果を奏する。As described above, according to the semiconductor single crystal ingot slicing method of the present invention, the end face orientation of the ingot is measured only during notch grinding or orientation flat grinding, and the backing plate is fixed to the ingot. Omit the end face orientation measurement, fix the backing plate to the ingot based on the notch or orientation flat, attach the ingot to the wire saw device, and slice the ingot without adjusting the orientation in the X-axis direction and the Y-axis direction By cutting (cutting) a wafer, it is possible to eliminate the waste of measuring the end face orientation of the ingot twice and to contribute to an improvement in the productivity of wafer manufacturing without causing a decrease in the wafer quality. Achieved. Further, the apparatus for positioning a semiconductor single crystal ingot of the present invention has an effect that the ingot can be easily positioned when the slicing method of the present invention is performed.
【図１】 本発明のインゴットのスライス方法の手順を
示すフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart showing a procedure of an ingot slicing method of the present invention.
【図２】 本発明の半導体単結晶インゴットの位置決め
装置の１例を示す側面説明図である。FIG. 2 is an explanatory side view showing an example of a semiconductor single crystal ingot positioning apparatus of the present invention.
【図３】 図２の装置によって位置決めされたインゴッ
トの上方に当て板を配置した状態を示す側面説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory side view showing a state in which a caul plate is arranged above an ingot positioned by the apparatus of FIG. 2;
【図４】 本発明の半導体単結晶インゴットの位置決め
装置の他の例を示す側面説明図で、位置決め治具をイン
ゴットから離間した状態を示す図面である。FIG. 4 is an explanatory side view showing another example of the semiconductor single crystal ingot positioning apparatus of the present invention, showing a state in which a positioning jig is separated from the ingot.
【図５】 図４に示した状態から位置決め治具をインゴ
ット面に当接した状態を示す側面説明図である。。FIG. 5 is an explanatory side view showing a state in which the positioning jig abuts on the ingot surface from the state shown in FIG. 4; .
【図６】 本発明の半導体単結晶インゴットの位置決め
装置の別の例を示す側面説明図で、適合部付当て板をを
インゴットの上方に離間した状態を示す図面である。FIG. 6 is an explanatory side view showing another example of the semiconductor single crystal ingot positioning apparatus of the present invention, showing a state where a plate with a fitting portion is separated above the ingot.
【図７】 図６に示した状態から当て板をインゴット上
面に接着した状態を示す側面説明図である。7 is an explanatory side view showing a state in which the backing plate is adhered to the upper surface of the ingot from the state shown in FIG. 6;
【図８】 適合部を下面に設けた当て板の下面を示す拡
大部分図である。FIG. 8 is an enlarged partial view showing a lower surface of a backing plate provided with a matching portion on a lower surface.
【図９】 単結晶の引上げからインゴットのブロック切
断までを模式的に示した図面である。FIG. 9 is a drawing schematically showing a process from pulling a single crystal to cutting a block of an ingot.
【図１０】 インゴットの端面方位測定、当て板接着及
びワークプレート接着工程をそれぞれ模式的に示した図
面である。FIG. 10 is a drawing schematically showing an end face orientation measurement of an ingot, a backing plate bonding, and a work plate bonding process.
【図１１】 ワイヤーソー装置の１例を示す斜視図であ
る。FIG. 11 is a perspective view showing an example of a wire saw device.
【図１２】 従来のインゴットのスライス方法の手順を
示すフローチャートである。FIG. 12 is a flowchart showing a procedure of a conventional ingot slicing method.
【図１３】 （１００）シリコン単結晶の劈開方向を示
す説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram showing a cleavage direction of a (100) silicon single crystal.
【図１４】 （１１０）シリコン単結晶の劈開方向を示
す説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram showing a cleavage direction of a (110) silicon single crystal.
【図１５】 （１１１）シリコン単結晶の劈開方向を示
す説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram showing a cleavage direction of a (111) silicon single crystal.
８：ワイヤーソー装置、１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ：メイ
ンローラ、１２：ワイヤー、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ：
リング状溝、１６：駆動モータ、２０，３０：張力調節
機構、２２，３２：巻取りドラム、２４，３４：トルク
モータ、３９，３９ａ，３９ｂ，４０：単結晶インゴッ
ト、４０ａ：ノッチ（又はオリフラ）、４１：当て板、
４２：ワークプレート、５０：半導体単結晶インゴット
の位置決め装置、５２：インゴット載置台、５４：位置
検出センサー、５６：基台、５８：受け部、５８ａ，５
８ｂ：受け面、６０ａ，６０ｂ：ローラ、６２：切欠き
部、６４：支持柱、６６：位置決め治具、６８：基体、
６８ａ：上面、６８ｂ：下面、６８ｃ：斜面、６８ｄ：
垂直面、７０：アーム、７２：軸、７４，７６：適合部
（又は適合突部）。8: Wire saw device, 10A, 10B, 10C: Main roller, 12: Wire, 14a, 14b, 14c:
Ring-shaped groove, 16: drive motor, 20, 30: tension adjusting mechanism, 22, 32: winding drum, 24, 34: torque motor, 39, 39a, 39b, 40: single crystal ingot, 40a: notch (or orientation flat) ), 41: patch plate,
42: Work plate, 50: Positioning device for semiconductor single crystal ingot, 52: Ingot mounting table, 54: Position detection sensor, 56: Base, 58: Receiver, 58a, 5
8b: receiving surface, 60a, 60b: roller, 62: notch, 64: support column, 66: positioning jig, 68: base,
68a: upper surface, 68b: lower surface, 68c: slope, 68d:
Vertical plane, 70: arm, 72: axis, 74, 76: conforming part (or conforming projection).
Claims (11)
装置でスライスする方法であり、該半導体単結晶インゴ
ットにあらかじめ形成されたノッチ又はオリエンテーシ
ョンフラットを基準として該半導体単結晶インゴットに
当て板及びワークプレートを固着し、ついで、該半導体
単結晶インゴットのＸ軸方向及びＹ軸方向の方位調整を
行うことなく、該半導体単結晶インゴットをスライスす
ることを特徴とする半導体単結晶インゴットのスライス
方法。1. A method for slicing a semiconductor single crystal ingot with a wire saw device, wherein a backing plate and a work plate are fixed to the semiconductor single crystal ingot with reference to a notch or an orientation flat formed in advance on the semiconductor single crystal ingot. Then, the semiconductor single crystal ingot is sliced without adjusting the orientation of the semiconductor single crystal ingot in the X-axis direction and the Y-axis direction.
方向と半導体単結晶インゴットの劈開方向とを一致させ
ることなく該半導体単結晶インゴットをスライスするこ
とを特徴とする請求項１記載の方法。2. The method according to claim 1, wherein the semiconductor single crystal ingot is sliced without making the traveling direction of the wire of the wire saw device coincide with the cleavage direction of the semiconductor single crystal ingot.
０）シリコン単結晶であり、該半導体単結晶インゴット
のノッチ又はオリエンテーションフラットの横幅の中心
線と該半導体単結晶インゴットの中心軸とを結んだ線が
該半導体単結晶インゴットの中心軸を通る垂線と不一致
又は非直交状態として該半導体単結晶インゴットに該当
て板を固着するようにしたことを特徴とする請求項２記
載の方法。3. The semiconductor single crystal ingot having a size of (10
0) a line connecting the center axis of the lateral width of the notch or orientation flat of the semiconductor single crystal ingot and the center axis of the semiconductor single crystal ingot with a perpendicular line passing through the center axis of the semiconductor single crystal ingot; 3. The method according to claim 2, wherein the plate is fixed to the semiconductor single crystal ingot in a non-coincidence or non-orthogonal state.
はオリエンテーションフラットの横幅の中心線と該半導
体単結晶インゴットの中心軸とを結んだ線と該半導体単
結晶インゴットの中心軸を通る垂線とのなす角度が５°
以上であることを特徴とする請求項３記載の方法。4. An angle formed between a line connecting a center line of a lateral width of a notch or an orientation flat of the semiconductor single crystal ingot and a center axis of the semiconductor single crystal ingot and a perpendicular line passing through a center axis of the semiconductor single crystal ingot. Is 5 °
4. The method of claim 3, wherein:
上面に１枚の前記当て板の下面を固着することを特徴と
する請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。5. The method according to claim 1, wherein a lower surface of one of the contact plates is fixed to an upper surface of the plurality of semiconductor single crystal ingots.
置するインゴット載置台と、半導体単結晶インゴットに
あらかじめ形成されたノッチ位置又はオリエンテーショ
ンフラット位置を検出する位置検出センサーとを有し、
該半導体単結晶インゴットを回転させて該位置検出セン
サーによってノッチ位置又はオリエンテーションフラッ
ト位置を検出し、該検出されたノッチ位置又はオリエン
テーションフラット位置を基準として該半導体単結晶イ
ンゴットの位置決めを行い、該半導体単結晶インゴット
の上面の所定位置に当て板の下面を固着することができ
るようにしたことを特徴とする半導体単結晶インゴット
の位置決め装置。6. An ingot mounting table for rotatably mounting a semiconductor single crystal ingot, and a position detection sensor for detecting a notch position or an orientation flat position formed in advance on the semiconductor single crystal ingot,
The semiconductor single crystal ingot is rotated, the notch position or the orientation flat position is detected by the position detection sensor, and the semiconductor single crystal ingot is positioned based on the detected notch position or the orientation flat position, and the semiconductor single crystal ingot is positioned. An apparatus for positioning a semiconductor single crystal ingot, wherein a lower surface of a backing plate can be fixed at a predetermined position on an upper surface of the crystal ingot.
置するインゴット載置台と、半導体単結晶インゴットに
あらかじめ形成されたノッチ又はオリエンテーションフ
ラットに適合可能とされた適合部を具備しかつ該半導体
単結晶インゴットに接離自在に配設された位置決め治具
とを有し、該半導体単結晶インゴットを回転させて該適
合部をノッチ又はオリエンテーションフラットに適合さ
せることによって該半導体単結晶インゴットの位置を決
定し、該半導体単結晶インゴットの上面の所定位置に当
て板の下面を固着することができるようにしたことを特
徴とする半導体単結晶インゴットの位置決め装置。7. An ingot mounting table for rotatably mounting a semiconductor single crystal ingot, a matching portion adapted to fit a notch or an orientation flat formed in advance on the semiconductor single crystal ingot, and said semiconductor single crystal. A positioning jig disposed so as to be able to freely contact and separate from the ingot, and determine the position of the semiconductor single crystal ingot by rotating the semiconductor single crystal ingot to adjust the matching portion to a notch or an orientation flat. A semiconductor single crystal ingot positioning apparatus, wherein a lower surface of a backing plate can be fixed at a predetermined position on an upper surface of the semiconductor single crystal ingot.
ットを回転可能に載置し、半導体単結晶インゴットにあ
らかじめ形成されたノッチ又はオリエンテーションフラ
ットに適合可能とされた適合部を当て板の下面に設けか
つ該当て板を該半導体単結晶インゴットに接離自在と
し、該半導体単結晶インゴットを回転させて該適合部を
ノッチ又はオリエンテーションフラットに適合させるこ
とによって該半導体単結晶インゴットの位置を決定し、
該半導体単結晶インゴットの上面の所定位置に当該当て
板の下面を固着することができるようにしたことを特徴
とする半導体単結晶インゴットの位置決め装置。8. A semiconductor single crystal ingot is rotatably mounted on an ingot mounting table, and a fitting portion adapted to fit a notch or an orientation flat formed in advance on the semiconductor single crystal ingot is provided on a lower surface of the backing plate; Correspondingly, the plate can be freely attached to and detached from the semiconductor single crystal ingot, and the position of the semiconductor single crystal ingot is determined by rotating the semiconductor single crystal ingot to adapt the fitting portion to a notch or an orientation flat,
An apparatus for positioning a semiconductor single crystal ingot, wherein the lower surface of the backing plate can be fixed at a predetermined position on the upper surface of the semiconductor single crystal ingot.
定距離だけ離間した位置に適合部を設けたことを特徴と
する請求項８記載の装置。9. The apparatus according to claim 8, wherein a matching portion is provided at a position separated by a predetermined distance from a center line of a lateral width of a lower surface of the backing plate.
め、該延長部の下面に前記適合部を設けたことを特徴と
する請求項９記載の装置。10. The apparatus according to claim 9, wherein an extension is extended to a side of the backing plate, and the fitting portion is provided on a lower surface of the extension.
字状の受け部を設けた基台と、該受け部の相対向する受
け面に回転自在に設けられた相対向する１対以上のロー
ラとからなることを特徴とする請求項６〜１０のいずれ
か１項記載の装置。11. The apparatus according to claim 11, wherein the ingot mounting table has a substantially V
11. The base according to claim 6, further comprising a base provided with a U-shaped receiving portion, and one or more pairs of opposing rollers rotatably provided on opposing receiving surfaces of the receiving portion. An apparatus according to any one of the preceding claims.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6798298A JPH11262917A (en) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Slicing method of semiconductor single crystal ingot |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6798298A JPH11262917A (en) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Slicing method of semiconductor single crystal ingot |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11262917A true JPH11262917A (en) | 1999-09-28 |
Family
ID=13360710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6798298A Pending JPH11262917A (en) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Slicing method of semiconductor single crystal ingot |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11262917A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006061043A1 (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Workpiece holder and method for wire sawing |
| JP2011020261A (en) * | 2010-10-28 | 2011-02-03 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Wire saw and wire sawing method |
| KR20150034658A (en) * | 2013-09-26 | 2015-04-03 | 실트로닉 아게 | Method for simultaneously cutting a multiplicity of wafers from a workpiece |
| KR20210099403A (en) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 | (주)한국아이티에스 | Apparatus of transfering semiconductor single crystal ingot |
| CN113787636A (en) * | 2021-07-09 | 2021-12-14 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | Manual bar adhering method for 12-inch semiconductor wafer |
| CN116026264A (en) * | 2023-01-05 | 2023-04-28 | 扬州晶樱光电科技有限公司 | Single polycrystalline silicon rod detection device |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP6798298A patent/JPH11262917A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006061043A1 (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Workpiece holder and method for wire sawing |
| JP2008522838A (en) * | 2004-12-10 | 2008-07-03 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | Work holder and wire sawing method |
| US8061345B2 (en) | 2004-12-10 | 2011-11-22 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Method for wire sawing |
| JP4874262B2 (en) * | 2004-12-10 | 2012-02-15 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | Wire sawing method |
| JP2011020261A (en) * | 2010-10-28 | 2011-02-03 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Wire saw and wire sawing method |
| KR20150034658A (en) * | 2013-09-26 | 2015-04-03 | 실트로닉 아게 | Method for simultaneously cutting a multiplicity of wafers from a workpiece |
| KR20210099403A (en) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 | (주)한국아이티에스 | Apparatus of transfering semiconductor single crystal ingot |
| CN113787636A (en) * | 2021-07-09 | 2021-12-14 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | Manual bar adhering method for 12-inch semiconductor wafer |
| CN113787636B (en) * | 2021-07-09 | 2022-05-27 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | Manual bar adhering method for 12-inch semiconductor wafer |
| CN116026264A (en) * | 2023-01-05 | 2023-04-28 | 扬州晶樱光电科技有限公司 | Single polycrystalline silicon rod detection device |
| CN116026264B (en) * | 2023-01-05 | 2023-09-26 | 扬州晶樱光电科技有限公司 | Single polycrystalline silicon rod detection device |
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