JPH11260981A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- JPH11260981A JPH11260981A JP6371898A JP6371898A JPH11260981A JP H11260981 A JPH11260981 A JP H11260981A JP 6371898 A JP6371898 A JP 6371898A JP 6371898 A JP6371898 A JP 6371898A JP H11260981 A JPH11260981 A JP H11260981A
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- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
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Abstract
(57)【要約】
【課題】耐食性並びに半田付性に優れたリードフレーム
の製造方法を提供する。 【解決手段】打抜加工後のリードフレーム１の表面にＮ
ｉを約０．８〔μｍ〕の厚みでめっきして、下地となる
Ｎｉめっき被膜６を形成する。次に、Ｎｉめっき被膜６
の表面にＡｕ−Ｐｄ合金を約０．１〔μｍ〕の厚みでめ
っきしてＡｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７を形成する。さら
に、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７が形成されたリードフ
レーム１の表面を封孔処理剤にて封孔処理する。このよ
うにＡｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７の表面を封孔処理剤で
処理することによって、半田の濡れ性が向上し、半田付
着性を高めるとともに、耐食性を向上させることができ
る。
の製造方法を提供する。 【解決手段】打抜加工後のリードフレーム１の表面にＮ
ｉを約０．８〔μｍ〕の厚みでめっきして、下地となる
Ｎｉめっき被膜６を形成する。次に、Ｎｉめっき被膜６
の表面にＡｕ−Ｐｄ合金を約０．１〔μｍ〕の厚みでめ
っきしてＡｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７を形成する。さら
に、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７が形成されたリードフ
レーム１の表面を封孔処理剤にて封孔処理する。このよ
うにＡｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７の表面を封孔処理剤で
処理することによって、半田の濡れ性が向上し、半田付
着性を高めるとともに、耐食性を向上させることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型の半導
体装置などに用いられるリードフレームの製造方法に関
するものである。
体装置などに用いられるリードフレームの製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型の半導体装置などに用
いられるリードフレームは、基材を所定の形状に打抜加
工し、打ち抜いた基材のダイボンド部をＡｇめっきする
とともにワイヤボンディング部をＡｇ又はＡｕめっきし
た後、ダイボンド部に半導体チップをダイボンドし、ダ
イボンドした半導体チップとワイヤボンディング部をワ
イヤボンドし、さらに半導体チップやワイヤボンド部を
含む所定部位をエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂で封
止してパッケージを形成し、最後に外装半田めっき（パ
ッケージから突出する外部リードのめっき）を行って製
造されていた。
いられるリードフレームは、基材を所定の形状に打抜加
工し、打ち抜いた基材のダイボンド部をＡｇめっきする
とともにワイヤボンディング部をＡｇ又はＡｕめっきし
た後、ダイボンド部に半導体チップをダイボンドし、ダ
イボンドした半導体チップとワイヤボンディング部をワ
イヤボンドし、さらに半導体チップやワイヤボンド部を
含む所定部位をエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂で封
止してパッケージを形成し、最後に外装半田めっき（パ
ッケージから突出する外部リードのめっき）を行って製
造されていた。
【０００３】これに対して特公昭６３−４９３８２号公
報や特許公報第２５４３６１９号には、打ち抜いた基材
の表面にめっきされたＮｉ下地の表面にＰｄをめっきし
たり、あるいはＰｄのめっきとＡｕのフラッシュめっき
を行うことで、樹脂封止後の外装半田めっきを省略した
製造方法が提案されている。
報や特許公報第２５４３６１９号には、打ち抜いた基材
の表面にめっきされたＮｉ下地の表面にＰｄをめっきし
たり、あるいはＰｄのめっきとＡｕのフラッシュめっき
を行うことで、樹脂封止後の外装半田めっきを省略した
製造方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｐｄ単
独でめっきした場合には半田付性が若干劣り、Ａｕ−Ｐ
ｄ合金をめっきした場合には耐食性に劣るという問題が
ある。本発明は上記問題に鑑みて為されたものであり、
その目的とするところは、耐食性並びに半田付性に優れ
たリードフレームの製造方法を提供することにある。
独でめっきした場合には半田付性が若干劣り、Ａｕ−Ｐ
ｄ合金をめっきした場合には耐食性に劣るという問題が
ある。本発明は上記問題に鑑みて為されたものであり、
その目的とするところは、耐食性並びに半田付性に優れ
たリードフレームの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明では、上
記目的を達成するために、導電性を有する基材を所定の
形状に打ち抜く工程と、打ち抜いた基材の表面にＮｉを
めっきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＡｕの比率が５
０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっき
する工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理剤
により封孔処理する工程とを含むことを特徴とし、Ａｕ
の比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合
金をめっきすることでＰｄ単独でめっきした場合に比較
して半田付性を向上することができ、しかもＡｕ−Ｐｄ
合金めっきの表面を封孔処理材で封孔処理することでも
半田付性が向上できるとともにめっき部分の耐食性も向
上することができる。
記目的を達成するために、導電性を有する基材を所定の
形状に打ち抜く工程と、打ち抜いた基材の表面にＮｉを
めっきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＡｕの比率が５
０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっき
する工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理剤
により封孔処理する工程とを含むことを特徴とし、Ａｕ
の比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合
金をめっきすることでＰｄ単独でめっきした場合に比較
して半田付性を向上することができ、しかもＡｕ−Ｐｄ
合金めっきの表面を封孔処理材で封孔処理することでも
半田付性が向上できるとともにめっき部分の耐食性も向
上することができる。
【０００６】請求項２の発明では、上記目的を達成する
ために、導電性を有する基材を所定の形状に打ち抜く工
程と、打ち抜いた基材の表面にＮｉをめっきする工程
と、Ｎｉめっきの表面にＰｄ又はＰｄ合金をめっきする
工程と、Ｐｄめっき又はＰｄ合金めっきの表面にＡｕの
比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金
をめっきする工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封
孔処理剤により封孔処理する工程とを含むことを特徴と
し、Ａｕの比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ
−Ｐｄ合金をめっきすることでＰｄ単独でめっきした場
合に比較して半田付性を向上することができ、さらにＡ
ｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理材で封孔処理する
ことでも半田付性が向上できるとともにめっき部分の耐
食性も向上することができる。しかも、ＮｉめっきとＡ
ｕ−Ｐｄ合金めっきの間にＰｄ又はＰｄ合金をめっきし
ているため、半導体チップ接合時等の熱履歴による下地
金属のＮｉの拡散及び酸化を抑えて、後工程である半田
付け工程の半田付性が低下するのを防ぐことができる。
ために、導電性を有する基材を所定の形状に打ち抜く工
程と、打ち抜いた基材の表面にＮｉをめっきする工程
と、Ｎｉめっきの表面にＰｄ又はＰｄ合金をめっきする
工程と、Ｐｄめっき又はＰｄ合金めっきの表面にＡｕの
比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金
をめっきする工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封
孔処理剤により封孔処理する工程とを含むことを特徴と
し、Ａｕの比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ
−Ｐｄ合金をめっきすることでＰｄ単独でめっきした場
合に比較して半田付性を向上することができ、さらにＡ
ｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理材で封孔処理する
ことでも半田付性が向上できるとともにめっき部分の耐
食性も向上することができる。しかも、ＮｉめっきとＡ
ｕ−Ｐｄ合金めっきの間にＰｄ又はＰｄ合金をめっきし
ているため、半導体チップ接合時等の熱履歴による下地
金属のＮｉの拡散及び酸化を抑えて、後工程である半田
付け工程の半田付性が低下するのを防ぐことができる。
【０００７】請求項３の発明は、請求項１又は２の発明
において、Ａｕ−Ｐｄ合金にＣｕ等の第３金属を加えて
３元合金としたことを特徴とし、Ａｕ−Ｐｄ合金をめっ
きする場合に比較して外観の平滑性が向上し、ワイヤボ
ンディングが行い易くなる。
において、Ａｕ−Ｐｄ合金にＣｕ等の第３金属を加えて
３元合金としたことを特徴とし、Ａｕ−Ｐｄ合金をめっ
きする場合に比較して外観の平滑性が向上し、ワイヤボ
ンディングが行い易くなる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して詳細に説明する。 （実施形態１）図２は本実施形態におけるリードフレー
ム１を示しており、Ｃｕ又はＣｕ合金やＦｅ−Ｎｉ合金
等の導電性を有する素材から成る基材を所定の形状に打
抜加工してあり、２は半導体チップ１０がダイボンドさ
れるダイボンド部、３は内部リード、４は外部リード、
５は外部リード４を支持するタイバーである。而して、
上記形状に打抜加工した後、以下に説明する製造工程を
経てリードフレーム１が完成する。
参照して詳細に説明する。 （実施形態１）図２は本実施形態におけるリードフレー
ム１を示しており、Ｃｕ又はＣｕ合金やＦｅ−Ｎｉ合金
等の導電性を有する素材から成る基材を所定の形状に打
抜加工してあり、２は半導体チップ１０がダイボンドさ
れるダイボンド部、３は内部リード、４は外部リード、
５は外部リード４を支持するタイバーである。而して、
上記形状に打抜加工した後、以下に説明する製造工程を
経てリードフレーム１が完成する。
【０００９】まず、打抜加工後のリードフレーム１の表
面にＮｉを約０．８〔μｍ〕の厚みでめっきして、下地
となるＮｉめっき被膜６を形成する。但し、このＮｉめ
っき被膜６の厚みは０．２〜５〔μｍ〕の範囲で適宜設
定するのが望ましい。次に、Ｎｉめっき被膜６の表面に
Ａｕ−Ｐｄ合金を約０．１〔μｍ〕の厚みでめっきして
Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７を形成する。このＡｕ−Ｐ
ｄ合金はＡｕの比率（重量比）が５０％以上且つ９０％
以下のものを使用するのが望ましく、本実施形態ではＡ
ｕの比率を６０％としている。なお、Ａｕの比率を５０
％以下とすると光熱履歴によりＡｕ−Ｐｄ合金めっき被
膜７中のＰｄが酸化し、半田付性が低下するものであ
り、９０％以上では半導体チップ搭載時に使用する半田
への溶出が多くなり、半田溶接中にその下地金属である
Ｎｉめっき被膜６が露出して接合性が阻害されるもので
ある。また、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７の厚みは０．
０５〜０．５〔μｍ〕の範囲で適宜設定するのが望まし
い。このような工程により、図１に示すようにリードフ
レーム１を形成する基材１ａの表面にＮｉめっき被膜
６、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７が形成される。
面にＮｉを約０．８〔μｍ〕の厚みでめっきして、下地
となるＮｉめっき被膜６を形成する。但し、このＮｉめ
っき被膜６の厚みは０．２〜５〔μｍ〕の範囲で適宜設
定するのが望ましい。次に、Ｎｉめっき被膜６の表面に
Ａｕ−Ｐｄ合金を約０．１〔μｍ〕の厚みでめっきして
Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７を形成する。このＡｕ−Ｐ
ｄ合金はＡｕの比率（重量比）が５０％以上且つ９０％
以下のものを使用するのが望ましく、本実施形態ではＡ
ｕの比率を６０％としている。なお、Ａｕの比率を５０
％以下とすると光熱履歴によりＡｕ−Ｐｄ合金めっき被
膜７中のＰｄが酸化し、半田付性が低下するものであ
り、９０％以上では半導体チップ搭載時に使用する半田
への溶出が多くなり、半田溶接中にその下地金属である
Ｎｉめっき被膜６が露出して接合性が阻害されるもので
ある。また、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７の厚みは０．
０５〜０．５〔μｍ〕の範囲で適宜設定するのが望まし
い。このような工程により、図１に示すようにリードフ
レーム１を形成する基材１ａの表面にＮｉめっき被膜
６、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７が形成される。
【００１０】そして、半導体チップ１０をダイボンド部
２にダイボンドし、ＡｕあるいはＡｌの金属線で半導体
チップ１０と内部リード３とをワイヤボンドした後、図
３及び図４に示すように半導体チップ１０及び内部リー
ド３をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で封止してパッケ
ージ１１を形成する。次に、リードフレーム１の表面を
封孔処理剤にて封孔処理するのであるが、この封孔処理
剤及び封孔処理について説明する。
２にダイボンドし、ＡｕあるいはＡｌの金属線で半導体
チップ１０と内部リード３とをワイヤボンドした後、図
３及び図４に示すように半導体チップ１０及び内部リー
ド３をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で封止してパッケ
ージ１１を形成する。次に、リードフレーム１の表面を
封孔処理剤にて封孔処理するのであるが、この封孔処理
剤及び封孔処理について説明する。
【００１１】本実施形態における封孔処理剤は、ネオ
ペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のア
ミン塩のうち少なくとも一種類を、アルコール系、塩素
系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤に溶解して
調製されるものや、ネオペンチル脂肪酸エステル、
二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一種
類及び、５−アミノテトラゾール、５−メチルベン
ゾトリアゾールのうち少なくとも一種類を、アルコール
系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤に
溶解して調製されるものを用いる。ネオペンチル脂肪
酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、
次の化学構造式で示されるトリメチロールプロパン脂肪
酸エステルを用いることができる。
ペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のア
ミン塩のうち少なくとも一種類を、アルコール系、塩素
系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤に溶解して
調製されるものや、ネオペンチル脂肪酸エステル、
二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一種
類及び、５−アミノテトラゾール、５−メチルベン
ゾトリアゾールのうち少なくとも一種類を、アルコール
系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤に
溶解して調製されるものを用いる。ネオペンチル脂肪
酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、
次の化学構造式で示されるトリメチロールプロパン脂肪
酸エステルを用いることができる。
【００１２】
【化１】
【００１３】また、二塩基酸としては、特に限定され
るものではないが、１，１６−ヘキサデカンジカルボン
酸を用いることができるものであり、さらに二塩基酸
のアミン塩としては、特に限定されるものではないが、
１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸とモノイソプロパ
ノールアミンとの反応生成物を用いることができる。
尚、これらの二塩基酸や、二塩基酸のアミン塩の代
わりに、炭素数２以上の脂肪族カルボン酸を用いること
も可能である。
るものではないが、１，１６−ヘキサデカンジカルボン
酸を用いることができるものであり、さらに二塩基酸
のアミン塩としては、特に限定されるものではないが、
１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸とモノイソプロパ
ノールアミンとの反応生成物を用いることができる。
尚、これらの二塩基酸や、二塩基酸のアミン塩の代
わりに、炭素数２以上の脂肪族カルボン酸を用いること
も可能である。
【００１４】そして、上記のネオペンチル脂肪酸エス
テル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち一種類
以上を溶剤に溶解することによって、封孔処理剤を調製
することができる。例えば、ネオペンチル脂肪酸エス
テルと二塩基酸の組み合わせ、ネオペンチル脂肪酸
エステルと二塩基酸のアミン塩の組み合わせ、ネオ
ペンチル脂肪酸エステルと二塩基酸と二塩基酸のア
ミン塩の組み合わせで溶剤に溶解して封孔処理剤を調製
することができる。
テル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち一種類
以上を溶剤に溶解することによって、封孔処理剤を調製
することができる。例えば、ネオペンチル脂肪酸エス
テルと二塩基酸の組み合わせ、ネオペンチル脂肪酸
エステルと二塩基酸のアミン塩の組み合わせ、ネオ
ペンチル脂肪酸エステルと二塩基酸と二塩基酸のア
ミン塩の組み合わせで溶剤に溶解して封孔処理剤を調製
することができる。
【００１５】また、このネオペンチル脂肪酸エステ
ル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩から一種類以上
選ばれるものに加えて、５−アミノテトラゾールと
５−メチルベンゾトリアゾールのうち一方あるいは両方
を溶剤に溶解することによっても、封孔処理剤を調製す
ることができる。溶剤としては、アルコール系溶剤、塩
素系溶剤、フッ素系溶剤のうちから一種類以上を選んで
使用することができるものであり、例えばアルコール系
溶剤と塩素系溶剤とフッ素系溶剤を８０：１０：１０の
容量比で混合して使用することができる。ここで、アル
コール系溶剤としてはエチルアルコール、メチルアルコ
ール、イソプロピルアルコール等を、塩素系溶剤として
は１，１，１−トリクロロエタン、メチレンクロライド
等を、フッ素系溶剤としてはフロン１，１，３、フロン
２２５等を用いることができるが、溶剤は１００％エタ
ノールであっても良い。
ル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩から一種類以上
選ばれるものに加えて、５−アミノテトラゾールと
５−メチルベンゾトリアゾールのうち一方あるいは両方
を溶剤に溶解することによっても、封孔処理剤を調製す
ることができる。溶剤としては、アルコール系溶剤、塩
素系溶剤、フッ素系溶剤のうちから一種類以上を選んで
使用することができるものであり、例えばアルコール系
溶剤と塩素系溶剤とフッ素系溶剤を８０：１０：１０の
容量比で混合して使用することができる。ここで、アル
コール系溶剤としてはエチルアルコール、メチルアルコ
ール、イソプロピルアルコール等を、塩素系溶剤として
は１，１，１−トリクロロエタン、メチレンクロライド
等を、フッ素系溶剤としてはフロン１，１，３、フロン
２２５等を用いることができるが、溶剤は１００％エタ
ノールであっても良い。
【００１６】また、上記の各成分の溶剤への配合量は、
ネオペンチル脂肪酸エステルは０．０２〜０．５％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対してネオペンチル脂肪
酸エステル０．２〜５ｇ〕、二塩基酸は０．０１〜０．
５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸０．
１〜５ｇ〕、二塩基酸のアミン塩は０．０１〜０．１％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸のアミン
塩０．１〜１ｇ〕、５−アミノテトラゾールは０．００
１〜０．０５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して５
−アミノテトラゾール０．０１〜０．５ｇ〕、５−メチ
ルベンゾトリアゾールは０．００１〜０．０５％（ｗ／
ｖ）〔溶剤１リットルに対して５−メチルベンゾトリア
ゾール０．０１〜０．５ｇ〕に設定するのが好ましい。
ネオペンチル脂肪酸エステルは０．０２〜０．５％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対してネオペンチル脂肪
酸エステル０．２〜５ｇ〕、二塩基酸は０．０１〜０．
５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸０．
１〜５ｇ〕、二塩基酸のアミン塩は０．０１〜０．１％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸のアミン
塩０．１〜１ｇ〕、５−アミノテトラゾールは０．００
１〜０．０５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して５
−アミノテトラゾール０．０１〜０．５ｇ〕、５−メチ
ルベンゾトリアゾールは０．００１〜０．０５％（ｗ／
ｖ）〔溶剤１リットルに対して５−メチルベンゾトリア
ゾール０．０１〜０．５ｇ〕に設定するのが好ましい。
【００１７】上記のようにして調製した封孔処理剤に、
Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７を形成したリードフレーム
１を浸漬等することによって、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被
膜７の表面を処理（封孔処理）することができる。そし
てこのようにＡｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７の表面を封孔
処理剤で処理することによって、半田の濡れ性が向上
し、半田付着性を高めることができる。また、このよう
な効果の他に、本実施形態における封孔処理剤は、Ａｕ
−Ｐｄ合金めっき被膜７の酸化を防止する効果があり、
また摺動性を向上させることができ、特に金属材料が削
れ易いものである場合に有効である。さらに接触抵抗が
経時劣化することを防ぐことができると共に耐熱性を向
上させることができ、加えて耐食性向上の効果もある。
Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７を形成したリードフレーム
１を浸漬等することによって、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被
膜７の表面を処理（封孔処理）することができる。そし
てこのようにＡｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７の表面を封孔
処理剤で処理することによって、半田の濡れ性が向上
し、半田付着性を高めることができる。また、このよう
な効果の他に、本実施形態における封孔処理剤は、Ａｕ
−Ｐｄ合金めっき被膜７の酸化を防止する効果があり、
また摺動性を向上させることができ、特に金属材料が削
れ易いものである場合に有効である。さらに接触抵抗が
経時劣化することを防ぐことができると共に耐熱性を向
上させることができ、加えて耐食性向上の効果もある。
【００１８】上述のようにして形成されたリードフレー
ム１からタイバー５等の不要部分をカットすることによ
り、パッケージ１１の両側から外部リード４が突出した
ＤＩＰ型の半導体装置が完成する。上述のように本実施
形態によれば、導電性を有する基材１ａを所定の形状に
打ち抜く工程と、打ち抜いた基材１ａの表面にＮｉをめ
っきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＡｕの比率が５０
％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっきす
る工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理剤に
より封孔処理する工程とを含んでいるため、Ａｕの比率
が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金をめ
っきすることでＰｄ単独でめっきした場合に比較して半
田付性を向上することができ、しかもＡｕ−Ｐｄ合金め
っき被膜７の表面を封孔処理材で封孔処理することでも
半田付性が向上できるとともにめっき部分の耐食性も向
上することができる。
ム１からタイバー５等の不要部分をカットすることによ
り、パッケージ１１の両側から外部リード４が突出した
ＤＩＰ型の半導体装置が完成する。上述のように本実施
形態によれば、導電性を有する基材１ａを所定の形状に
打ち抜く工程と、打ち抜いた基材１ａの表面にＮｉをめ
っきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＡｕの比率が５０
％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっきす
る工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理剤に
より封孔処理する工程とを含んでいるため、Ａｕの比率
が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金をめ
っきすることでＰｄ単独でめっきした場合に比較して半
田付性を向上することができ、しかもＡｕ−Ｐｄ合金め
っき被膜７の表面を封孔処理材で封孔処理することでも
半田付性が向上できるとともにめっき部分の耐食性も向
上することができる。
【００１９】ところで、本実施形態ではＡｕ−Ｐｄの２
元合金をめっきしているが、これにＣｕのような第３金
属を加えた３元合金をめっきするようにしてもよい。例
えば、第３金属としてＣｕを加えたＡｕ−Ｐｄ−Ｃｕ合
金をめっきすれば、Ａｕ−Ｐｄの２元合金をめっきする
場合に比較して、外観の平滑性を向上することができ、
後のワイヤボンディングがし易くなるという利点があ
る。
元合金をめっきしているが、これにＣｕのような第３金
属を加えた３元合金をめっきするようにしてもよい。例
えば、第３金属としてＣｕを加えたＡｕ−Ｐｄ−Ｃｕ合
金をめっきすれば、Ａｕ−Ｐｄの２元合金をめっきする
場合に比較して、外観の平滑性を向上することができ、
後のワイヤボンディングがし易くなるという利点があ
る。
【００２０】（実施形態２）本実施形態では、基材１ａ
に形成したＮｉめっき被膜６の表面にＰｄを単独で約
０．１〔μｍ〕の厚みでめっきしてＰｄめっき被膜８を
形成し、このＰｄめっき被膜８の表面にＡｕ−Ｐｄ合金
を約０．００５〔μｍ〕の厚みでめっきするようにした
点に特徴があり、それ以外の工程については実施形態１
と共通であるから説明は省略する。
に形成したＮｉめっき被膜６の表面にＰｄを単独で約
０．１〔μｍ〕の厚みでめっきしてＰｄめっき被膜８を
形成し、このＰｄめっき被膜８の表面にＡｕ−Ｐｄ合金
を約０．００５〔μｍ〕の厚みでめっきするようにした
点に特徴があり、それ以外の工程については実施形態１
と共通であるから説明は省略する。
【００２１】而して、リードフレーム１の表面には図５
に示すように下地となるＮｉめっき被膜６、Ｐｄめっき
被膜８、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７が形成される。但
し、Ｐｄめっき被膜８の厚みは０．０５〜０．５〔μ
ｍ〕の範囲で適宜設定するのが望ましく、また、Ａｕ−
Ｐｄ合金めっき被膜７の厚みは０．００３以上とするの
が望ましい。なお、Ｎｉめっき被膜６の表面にＰｄを単
独でめっきする代わりに、ＰｄＮｉ等のＰｄ合金をめっ
きしてもよい。
に示すように下地となるＮｉめっき被膜６、Ｐｄめっき
被膜８、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７が形成される。但
し、Ｐｄめっき被膜８の厚みは０．０５〜０．５〔μ
ｍ〕の範囲で適宜設定するのが望ましく、また、Ａｕ−
Ｐｄ合金めっき被膜７の厚みは０．００３以上とするの
が望ましい。なお、Ｎｉめっき被膜６の表面にＰｄを単
独でめっきする代わりに、ＰｄＮｉ等のＰｄ合金をめっ
きしてもよい。
【００２２】上述のように本実施形態によれば、Ｎｉめ
っき被膜６の下地とＡｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７との間
にＰｄめっき被膜８を形成しているので、半導体チップ
接合時等の熱履歴により下地金属のＮｉの拡散及び酸化
を抑えて後工程である半田付け工程の半田付性が低下す
るのを防ぐことができ、しかも、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき
被膜７の厚みを薄くすることができる。なお、本実施形
態においても、Ａｕ−Ｐｄの２元合金をめっきしている
が、これにＣｕのような第３金属を加えた３元合金をめ
っきするようにしてもよい。
っき被膜６の下地とＡｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７との間
にＰｄめっき被膜８を形成しているので、半導体チップ
接合時等の熱履歴により下地金属のＮｉの拡散及び酸化
を抑えて後工程である半田付け工程の半田付性が低下す
るのを防ぐことができ、しかも、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき
被膜７の厚みを薄くすることができる。なお、本実施形
態においても、Ａｕ−Ｐｄの２元合金をめっきしている
が、これにＣｕのような第３金属を加えた３元合金をめ
っきするようにしてもよい。
【００２３】
【発明の効果】請求項１の発明は、導電性を有する基材
を所定の形状に打ち抜く工程と、打ち抜いた基材の表面
にＮｉをめっきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＡｕの
比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金
をめっきする工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封
孔処理剤により封孔処理する工程とを含むので、Ａｕの
比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金
をめっきすることでＰｄ単独でめっきした場合に比較し
て半田付性を向上することができ、しかもＡｕ−Ｐｄ合
金めっきの表面を封孔処理材で封孔処理することでも半
田付性が向上できるとともにめっき部分の耐食性も向上
することができるという効果がある。
を所定の形状に打ち抜く工程と、打ち抜いた基材の表面
にＮｉをめっきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＡｕの
比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金
をめっきする工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封
孔処理剤により封孔処理する工程とを含むので、Ａｕの
比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金
をめっきすることでＰｄ単独でめっきした場合に比較し
て半田付性を向上することができ、しかもＡｕ−Ｐｄ合
金めっきの表面を封孔処理材で封孔処理することでも半
田付性が向上できるとともにめっき部分の耐食性も向上
することができるという効果がある。
【００２４】請求項２の発明は、導電性を有する基材を
所定の形状に打ち抜く工程と、打ち抜いた基材の表面に
Ｎｉをめっきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＰｄ又は
Ｐｄ合金をめっきする工程と、Ｐｄめっき又はＰｄ合金
めっきの表面にＡｕの比率が５０％以上且つ９０％以下
であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっきする工程と、Ａｕ−Ｐｄ
合金めっきの表面を封孔処理剤により封孔処理する工程
とを含むので、Ａｕの比率が５０％以上且つ９０％以下
であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっきすることでＰｄ単独でめ
っきした場合に比較して半田付性を向上することがで
き、さらにＡｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理材で
封孔処理することでも半田付性が向上できるとともにめ
っき部分の耐食性も向上することができるという効果が
ある。しかも、ＮｉめっきとＡｕ−Ｐｄ合金めっきの間
にＰｄ又はＰｄ合金をめっきしているため、半導体チッ
プ接合時等の熱履歴による下地金属のＮｉの拡散及び酸
化を抑えて、後工程である半田付け工程の半田付性が低
下するのを防ぐことができるという効果がある。
所定の形状に打ち抜く工程と、打ち抜いた基材の表面に
Ｎｉをめっきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＰｄ又は
Ｐｄ合金をめっきする工程と、Ｐｄめっき又はＰｄ合金
めっきの表面にＡｕの比率が５０％以上且つ９０％以下
であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっきする工程と、Ａｕ−Ｐｄ
合金めっきの表面を封孔処理剤により封孔処理する工程
とを含むので、Ａｕの比率が５０％以上且つ９０％以下
であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっきすることでＰｄ単独でめ
っきした場合に比較して半田付性を向上することがで
き、さらにＡｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理材で
封孔処理することでも半田付性が向上できるとともにめ
っき部分の耐食性も向上することができるという効果が
ある。しかも、ＮｉめっきとＡｕ−Ｐｄ合金めっきの間
にＰｄ又はＰｄ合金をめっきしているため、半導体チッ
プ接合時等の熱履歴による下地金属のＮｉの拡散及び酸
化を抑えて、後工程である半田付け工程の半田付性が低
下するのを防ぐことができるという効果がある。
【００２５】請求項３の発明は、Ａｕ−Ｐｄ合金にＣｕ
等の第３金属を加えて３元合金としたので、Ａｕ−Ｐｄ
合金をめっきする場合に比較して外観の平滑性が向上
し、ワイヤボンディングが行い易くなるという効果があ
る。
等の第３金属を加えて３元合金としたので、Ａｕ−Ｐｄ
合金をめっきする場合に比較して外観の平滑性が向上
し、ワイヤボンディングが行い易くなるという効果があ
る。
【図１】実施形態１におけるリードフレームの要部側面
断面図である。
断面図である。
【図２】（ａ）は同上のリードフレームの一部省略した
正面図であり、（ｂ）は側面図である。
正面図であり、（ｂ）は側面図である。
【図３】同上におけるパッケージが形成された状態のリ
ードフレームの一部省略した正面図である。
ードフレームの一部省略した正面図である。
【図４】同上におけるパッケージが形成された状態のリ
ードフレームの側面図である。
ードフレームの側面図である。
【図５】実施形態２におけるリードフレームの要部側面
断面図である。
断面図である。
【符号の説明】 １ リードフレーム １ａ 基材 ６ Ｎｉめっき被膜 ７ Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性を有する基材を所定の形状に打ち
抜く工程と、打ち抜いた基材の表面にＮｉをめっきする
工程と、Ｎｉめっきの表面にＡｕの比率が５０％以上且
つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっきする工程
と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理剤により封
孔処理する工程とを含むことを特徴とするリードフレー
ムの製造方法。 - 【請求項２】 導電性を有する基材を所定の形状に打ち
抜く工程と、打ち抜いた基材の表面にＮｉをめっきする
工程と、Ｎｉめっきの表面にＰｄ又はＰｄ合金をめっき
する工程と、Ｐｄめっき又はＰｄ合金めっきの表面にＡ
ｕの比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ
合金をめっきする工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面
を封孔処理剤により封孔処理する工程とを含むことを特
徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項３】 Ａｕ−Ｐｄ合金にＣｕ等の第３金属を加
えて３元合金としたことを特徴とする請求項１又は２記
載のリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6371898A JPH11260981A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6371898A JPH11260981A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260981A true JPH11260981A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13237462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6371898A Pending JPH11260981A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260981A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1305132C (zh) * | 1999-10-01 | 2007-03-14 | 三星航空产业株式会社 | 引线框架及其电镀方法 |
| JP2010153236A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Alps Electric Co Ltd | 弾性変形部を備える接触子の製造方法 |
| KR101090259B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2011-12-06 | 로옴가부시기가이샤 | 패키지형 전자부품에 있어서의 리드 단자의 절단 방법 |
| WO2015012306A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP6371898A patent/JPH11260981A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1305132C (zh) * | 1999-10-01 | 2007-03-14 | 三星航空产业株式会社 | 引线框架及其电镀方法 |
| KR101090259B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2011-12-06 | 로옴가부시기가이샤 | 패키지형 전자부품에 있어서의 리드 단자의 절단 방법 |
| JP2010153236A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Alps Electric Co Ltd | 弾性変形部を備える接触子の製造方法 |
| WO2015012306A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
| KR20150099850A (ko) * | 2013-07-24 | 2015-09-01 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 전자 부품 및 그 제조 방법 |
| JPWO2015012306A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2017-03-02 | Ｊｘ金属株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040517 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060829 |