JPH11260981A - Manufacture of lead frame - Google Patents
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- JPH11260981A JPH11260981A JP6371898A JP6371898A JPH11260981A JP H11260981 A JPH11260981 A JP H11260981A JP 6371898 A JP6371898 A JP 6371898A JP 6371898 A JP6371898 A JP 6371898A JP H11260981 A JPH11260981 A JP H11260981A
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- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型の半導
体装置などに用いられるリードフレームの製造方法に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame used for a resin-sealed semiconductor device or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、樹脂封止型の半導体装置などに用
いられるリードフレームは、基材を所定の形状に打抜加
工し、打ち抜いた基材のダイボンド部をＡｇめっきする
とともにワイヤボンディング部をＡｇ又はＡｕめっきし
た後、ダイボンド部に半導体チップをダイボンドし、ダ
イボンドした半導体チップとワイヤボンディング部をワ
イヤボンドし、さらに半導体チップやワイヤボンド部を
含む所定部位をエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂で封
止してパッケージを形成し、最後に外装半田めっき（パ
ッケージから突出する外部リードのめっき）を行って製
造されていた。2. Description of the Related Art Conventionally, in a lead frame used for a resin-encapsulated semiconductor device, a base material is punched into a predetermined shape, a die bond portion of the punched base material is plated with Ag, and a wire bonding portion is formed. After Ag or Au plating, the semiconductor chip is die-bonded to the die-bonding part, the die-bonded semiconductor chip and the wire bonding part are wire-bonded, and a predetermined part including the semiconductor chip and the wire bonding part is thermoset resin such as epoxy resin. To form a package, and finally, an external solder plating (plating of external leads protruding from the package) is performed.
【０００３】これに対して特公昭６３−４９３８２号公
報や特許公報第２５４３６１９号には、打ち抜いた基材
の表面にめっきされたＮｉ下地の表面にＰｄをめっきし
たり、あるいはＰｄのめっきとＡｕのフラッシュめっき
を行うことで、樹脂封止後の外装半田めっきを省略した
製造方法が提案されている。On the other hand, Japanese Patent Publication No. Sho 63-49382 and Japanese Patent Publication No. 2543619 disclose Pd plating on the surface of a Ni underlayer plated on the surface of a punched base material, or Pd plating and Au plating. There has been proposed a manufacturing method in which external plating of solder after resin sealing is omitted by performing flash plating.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｐｄ単
独でめっきした場合には半田付性が若干劣り、Ａｕ−Ｐ
ｄ合金をめっきした場合には耐食性に劣るという問題が
ある。本発明は上記問題に鑑みて為されたものであり、
その目的とするところは、耐食性並びに半田付性に優れ
たリードフレームの製造方法を提供することにある。However, when plated with Pd alone, the solderability is slightly inferior, and Au-P
When the d alloy is plated, there is a problem that the corrosion resistance is poor. The present invention has been made in view of the above problems,
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a lead frame having excellent corrosion resistance and solderability.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明では、上
記目的を達成するために、導電性を有する基材を所定の
形状に打ち抜く工程と、打ち抜いた基材の表面にＮｉを
めっきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＡｕの比率が５
０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっき
する工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理剤
により封孔処理する工程とを含むことを特徴とし、Ａｕ
の比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合
金をめっきすることでＰｄ単独でめっきした場合に比較
して半田付性を向上することができ、しかもＡｕ−Ｐｄ
合金めっきの表面を封孔処理材で封孔処理することでも
半田付性が向上できるとともにめっき部分の耐食性も向
上することができる。According to the first aspect of the present invention, in order to achieve the above object, a step of punching a conductive base material into a predetermined shape, and plating the surface of the punched base material with Ni. Process and the ratio of Au on the surface of Ni plating is 5
A step of plating an Au-Pd alloy of 0% or more and 90% or less, and a step of sealing the surface of the Au-Pd alloy plating with a sealing agent.
By plating an Au-Pd alloy having a ratio of 50% or more and 90% or less, the solderability can be improved as compared with the case of plating with Pd alone, and further, Au-Pd
By sealing the surface of the alloy plating with a sealing material, the solderability can be improved and the corrosion resistance of the plated portion can also be improved.
【０００６】請求項２の発明では、上記目的を達成する
ために、導電性を有する基材を所定の形状に打ち抜く工
程と、打ち抜いた基材の表面にＮｉをめっきする工程
と、Ｎｉめっきの表面にＰｄ又はＰｄ合金をめっきする
工程と、Ｐｄめっき又はＰｄ合金めっきの表面にＡｕの
比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金
をめっきする工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封
孔処理剤により封孔処理する工程とを含むことを特徴と
し、Ａｕの比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ
−Ｐｄ合金をめっきすることでＰｄ単独でめっきした場
合に比較して半田付性を向上することができ、さらにＡ
ｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理材で封孔処理する
ことでも半田付性が向上できるとともにめっき部分の耐
食性も向上することができる。しかも、ＮｉめっきとＡ
ｕ−Ｐｄ合金めっきの間にＰｄ又はＰｄ合金をめっきし
ているため、半導体チップ接合時等の熱履歴による下地
金属のＮｉの拡散及び酸化を抑えて、後工程である半田
付け工程の半田付性が低下するのを防ぐことができる。According to a second aspect of the present invention, in order to achieve the above object, a step of punching a conductive base material into a predetermined shape, a step of plating Ni on the surface of the punched base material, A step of plating the surface with Pd or a Pd alloy, a step of plating an Au-Pd alloy having an Au ratio of 50% or more and 90% or less on the surface of the Pd plating or the Pd alloy plating, and Au-Pd alloy plating. A step of sealing the surface with a sealing agent, wherein the ratio of Au is 50% or more and 90% or less.
-By plating a Pd alloy, solderability can be improved as compared with the case of plating with Pd alone, and
By sealing the surface of the u-Pd alloy plating with a sealing material, the solderability can be improved and the corrosion resistance of the plated portion can also be improved. Moreover, Ni plating and A
Since Pd or Pd alloy is plated during the u-Pd alloy plating, the diffusion and oxidation of Ni of the base metal due to the heat history at the time of bonding the semiconductor chip and the like are suppressed, and the soldering in the soldering step which is a subsequent step is performed. It is possible to prevent the property from decreasing.
【０００７】請求項３の発明は、請求項１又は２の発明
において、Ａｕ−Ｐｄ合金にＣｕ等の第３金属を加えて
３元合金としたことを特徴とし、Ａｕ−Ｐｄ合金をめっ
きする場合に比較して外観の平滑性が向上し、ワイヤボ
ンディングが行い易くなる。According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, a ternary alloy is obtained by adding a third metal such as Cu to the Au-Pd alloy, and the Au-Pd alloy is plated. As compared with the case, the smoothness of the appearance is improved, and the wire bonding is easily performed.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して詳細に説明する。 （実施形態１）図２は本実施形態におけるリードフレー
ム１を示しており、Ｃｕ又はＣｕ合金やＦｅ−Ｎｉ合金
等の導電性を有する素材から成る基材を所定の形状に打
抜加工してあり、２は半導体チップ１０がダイボンドさ
れるダイボンド部、３は内部リード、４は外部リード、
５は外部リード４を支持するタイバーである。而して、
上記形状に打抜加工した後、以下に説明する製造工程を
経てリードフレーム１が完成する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 2 shows a lead frame 1 according to the present embodiment, which is formed by punching a base material made of a conductive material such as Cu or a Cu alloy or an Fe—Ni alloy into a predetermined shape. 2 is a die bond portion where the semiconductor chip 10 is die-bonded, 3 is an internal lead, 4 is an external lead,
Reference numeral 5 denotes a tie bar for supporting the external lead 4. Thus,
After punching into the above shape, the lead frame 1 is completed through the manufacturing steps described below.
【０００９】まず、打抜加工後のリードフレーム１の表
面にＮｉを約０．８〔μｍ〕の厚みでめっきして、下地
となるＮｉめっき被膜６を形成する。但し、このＮｉめ
っき被膜６の厚みは０．２〜５〔μｍ〕の範囲で適宜設
定するのが望ましい。次に、Ｎｉめっき被膜６の表面に
Ａｕ−Ｐｄ合金を約０．１〔μｍ〕の厚みでめっきして
Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７を形成する。このＡｕ−Ｐ
ｄ合金はＡｕの比率（重量比）が５０％以上且つ９０％
以下のものを使用するのが望ましく、本実施形態ではＡ
ｕの比率を６０％としている。なお、Ａｕの比率を５０
％以下とすると光熱履歴によりＡｕ−Ｐｄ合金めっき被
膜７中のＰｄが酸化し、半田付性が低下するものであ
り、９０％以上では半導体チップ搭載時に使用する半田
への溶出が多くなり、半田溶接中にその下地金属である
Ｎｉめっき被膜６が露出して接合性が阻害されるもので
ある。また、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７の厚みは０．
０５〜０．５〔μｍ〕の範囲で適宜設定するのが望まし
い。このような工程により、図１に示すようにリードフ
レーム１を形成する基材１ａの表面にＮｉめっき被膜
６、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７が形成される。First, Ni is plated on the surface of the lead frame 1 after punching to a thickness of about 0.8 [μm] to form a Ni plating film 6 serving as a base. However, it is desirable that the thickness of the Ni plating film 6 is appropriately set in the range of 0.2 to 5 [μm]. Then, an Au-Pd alloy is plated on the surface of the Ni plating film 6 to a thickness of about 0.1 [μm] to form an Au-Pd alloy plating film 7. This Au-P
The d alloy has an Au ratio (weight ratio) of 50% or more and 90%
It is desirable to use the following, and in this embodiment A
The ratio of u is set to 60%. The ratio of Au is 50
% Or less, Pd in the Au-Pd alloy plating film 7 is oxidized due to the photothermal history, and the solderability is deteriorated. During the welding, the Ni plating film 6, which is the base metal, is exposed, and the bondability is impaired. The Au—Pd alloy plating film 7 has a thickness of 0.1 μm.
It is desirable to set appropriately within the range of 0.5 to 0.5 [μm]. Through these steps, a Ni plating film 6 and an Au-Pd alloy plating film 7 are formed on the surface of the substrate 1a on which the lead frame 1 is formed, as shown in FIG.
【００１０】そして、半導体チップ１０をダイボンド部
２にダイボンドし、ＡｕあるいはＡｌの金属線で半導体
チップ１０と内部リード３とをワイヤボンドした後、図
３及び図４に示すように半導体チップ１０及び内部リー
ド３をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で封止してパッケ
ージ１１を形成する。次に、リードフレーム１の表面を
封孔処理剤にて封孔処理するのであるが、この封孔処理
剤及び封孔処理について説明する。Then, after the semiconductor chip 10 is die-bonded to the die bonding portion 2 and the semiconductor chip 10 and the internal leads 3 are wire-bonded with a metal wire of Au or Al, as shown in FIG. 3 and FIG. The package 11 is formed by sealing the internal leads 3 with a thermosetting resin such as an epoxy resin. Next, the surface of the lead frame 1 is sealed with a sealing agent. The sealing agent and the sealing process will be described.
【００１１】本実施形態における封孔処理剤は、ネオ
ペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のア
ミン塩のうち少なくとも一種類を、アルコール系、塩素
系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤に溶解して
調製されるものや、ネオペンチル脂肪酸エステル、
二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一種
類及び、５−アミノテトラゾール、５−メチルベン
ゾトリアゾールのうち少なくとも一種類を、アルコール
系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤に
溶解して調製されるものを用いる。ネオペンチル脂肪
酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、
次の化学構造式で示されるトリメチロールプロパン脂肪
酸エステルを用いることができる。The pore-treating agent in this embodiment is obtained by converting at least one of neopentyl fatty acid ester, dibasic acid, and dibasic acid amine salt into at least one of alcohol, chlorine, and fluorine solvents. What is prepared by dissolving, neopentyl fatty acid ester,
Dibasic acid, at least one of dibasic acid amine salts and at least one of 5-aminotetrazole and 5-methylbenzotriazole in at least one of alcohol, chlorine and fluorine solvents. Use what is prepared by dissolution. The neopentyl fatty acid ester is not particularly limited,
A trimethylolpropane fatty acid ester represented by the following chemical structural formula can be used.
【００１２】[0012]
【化１】 Embedded image
【００１３】また、二塩基酸としては、特に限定され
るものではないが、１，１６−ヘキサデカンジカルボン
酸を用いることができるものであり、さらに二塩基酸
のアミン塩としては、特に限定されるものではないが、
１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸とモノイソプロパ
ノールアミンとの反応生成物を用いることができる。
尚、これらの二塩基酸や、二塩基酸のアミン塩の代
わりに、炭素数２以上の脂肪族カルボン酸を用いること
も可能である。The dibasic acid is not particularly limited, but 1,16-hexadecanedicarboxylic acid can be used, and the dibasic acid amine salt is particularly limited. Although not something,
The reaction product of 1,16-hexadecanedicarboxylic acid and monoisopropanolamine can be used.
In addition, instead of these dibasic acids and amine salts of dibasic acids, aliphatic carboxylic acids having 2 or more carbon atoms can be used.
【００１４】そして、上記のネオペンチル脂肪酸エス
テル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち一種類
以上を溶剤に溶解することによって、封孔処理剤を調製
することができる。例えば、ネオペンチル脂肪酸エス
テルと二塩基酸の組み合わせ、ネオペンチル脂肪酸
エステルと二塩基酸のアミン塩の組み合わせ、ネオ
ペンチル脂肪酸エステルと二塩基酸と二塩基酸のア
ミン塩の組み合わせで溶剤に溶解して封孔処理剤を調製
することができる。Then, a pore-sealing agent can be prepared by dissolving at least one of the above-mentioned neopentyl fatty acid esters, dibasic acids and amine salts of dibasic acids in a solvent. For example, a combination of neopentyl fatty acid ester and dibasic acid, a combination of neopentyl fatty acid ester and amine salt of dibasic acid, and a combination of neopentyl fatty acid ester, dibasic acid and amine salt of dibasic acid are dissolved in a solvent and sealed. An agent can be prepared.
【００１５】また、このネオペンチル脂肪酸エステ
ル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩から一種類以上
選ばれるものに加えて、５−アミノテトラゾールと
５−メチルベンゾトリアゾールのうち一方あるいは両方
を溶剤に溶解することによっても、封孔処理剤を調製す
ることができる。溶剤としては、アルコール系溶剤、塩
素系溶剤、フッ素系溶剤のうちから一種類以上を選んで
使用することができるものであり、例えばアルコール系
溶剤と塩素系溶剤とフッ素系溶剤を８０：１０：１０の
容量比で混合して使用することができる。ここで、アル
コール系溶剤としてはエチルアルコール、メチルアルコ
ール、イソプロピルアルコール等を、塩素系溶剤として
は１，１，１−トリクロロエタン、メチレンクロライド
等を、フッ素系溶剤としてはフロン１，１，３、フロン
２２５等を用いることができるが、溶剤は１００％エタ
ノールであっても良い。Further, in addition to one or more selected from neopentyl fatty acid ester, dibasic acid and amine salt of dibasic acid, one or both of 5-aminotetrazole and 5-methylbenzotriazole are dissolved in a solvent. By doing so, a pore-sealing agent can be prepared. As the solvent, at least one selected from an alcohol-based solvent, a chlorine-based solvent, and a fluorine-based solvent can be used. They can be mixed and used at a volume ratio of 10. Here, as the alcohol-based solvent, ethyl alcohol, methyl alcohol, isopropyl alcohol, or the like, as the chlorine-based solvent, 1,1,1-trichloroethane, methylene chloride, or the like, and as the fluorine-based solvent, chlorofluorocarbon 1,1,3 or chlorofluorocarbon. 225 or the like can be used, but the solvent may be 100% ethanol.
【００１６】また、上記の各成分の溶剤への配合量は、
ネオペンチル脂肪酸エステルは０．０２〜０．５％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対してネオペンチル脂肪
酸エステル０．２〜５ｇ〕、二塩基酸は０．０１〜０．
５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸０．
１〜５ｇ〕、二塩基酸のアミン塩は０．０１〜０．１％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸のアミン
塩０．１〜１ｇ〕、５−アミノテトラゾールは０．００
１〜０．０５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して５
−アミノテトラゾール０．０１〜０．５ｇ〕、５−メチ
ルベンゾトリアゾールは０．００１〜０．０５％（ｗ／
ｖ）〔溶剤１リットルに対して５−メチルベンゾトリア
ゾール０．０１〜０．５ｇ〕に設定するのが好ましい。The amount of each component described above in the solvent is as follows:
0.02-0.5% neopentyl fatty acid ester
(W / v) [neopentyl fatty acid ester 0.2 to 5 g per liter of solvent], dibasic acid 0.01 to 0.
5% (w / v) [0.
1-5 g], the dibasic acid amine salt is 0.01-0.1%
(W / v) [0.1 to 1 g of dibasic acid amine salt per liter of solvent], 5-aminotetrazole is 0.00
1 to 0.05% (w / v) [5 per liter of solvent
-Aminotetrazole 0.01 to 0.5 g], 5-methylbenzotriazole is 0.001 to 0.05% (w /
v) [It is preferable to set the amount to 0.01 to 0.5 g of 5-methylbenzotriazole per liter of solvent].
【００１７】上記のようにして調製した封孔処理剤に、
Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７を形成したリードフレーム
１を浸漬等することによって、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被
膜７の表面を処理（封孔処理）することができる。そし
てこのようにＡｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７の表面を封孔
処理剤で処理することによって、半田の濡れ性が向上
し、半田付着性を高めることができる。また、このよう
な効果の他に、本実施形態における封孔処理剤は、Ａｕ
−Ｐｄ合金めっき被膜７の酸化を防止する効果があり、
また摺動性を向上させることができ、特に金属材料が削
れ易いものである場合に有効である。さらに接触抵抗が
経時劣化することを防ぐことができると共に耐熱性を向
上させることができ、加えて耐食性向上の効果もある。The sealing agent prepared as described above includes
By immersing the lead frame 1 on which the Au-Pd alloy plating film 7 is formed, the surface of the Au-Pd alloy plating film 7 can be treated (sealing treatment). By treating the surface of the Au—Pd alloy plating film 7 with the sealing agent in this manner, the wettability of the solder is improved, and the solder adhesion can be increased. In addition to such effects, the sealing agent in the present embodiment is Au
-Has an effect of preventing oxidation of the Pd alloy plating film 7,
In addition, the slidability can be improved, and this is particularly effective when the metal material is easily scraped. Further, it is possible to prevent the contact resistance from deteriorating with time and improve the heat resistance, and in addition, there is an effect of improving the corrosion resistance.
【００１８】上述のようにして形成されたリードフレー
ム１からタイバー５等の不要部分をカットすることによ
り、パッケージ１１の両側から外部リード４が突出した
ＤＩＰ型の半導体装置が完成する。上述のように本実施
形態によれば、導電性を有する基材１ａを所定の形状に
打ち抜く工程と、打ち抜いた基材１ａの表面にＮｉをめ
っきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＡｕの比率が５０
％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっきす
る工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理剤に
より封孔処理する工程とを含んでいるため、Ａｕの比率
が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金をめ
っきすることでＰｄ単独でめっきした場合に比較して半
田付性を向上することができ、しかもＡｕ−Ｐｄ合金め
っき被膜７の表面を封孔処理材で封孔処理することでも
半田付性が向上できるとともにめっき部分の耐食性も向
上することができる。By cutting unnecessary portions such as the tie bars 5 from the lead frame 1 formed as described above, a DIP type semiconductor device in which the external leads 4 protrude from both sides of the package 11 is completed. As described above, according to the present embodiment, a step of punching the conductive base material 1a into a predetermined shape, a step of plating Ni on the surface of the punched base material 1a, and a step of Au plating on the surface of the Ni plating Is 50
% And 90% or less, and a step of sealing the surface of the Au-Pd alloy plating with a sealing agent, so that the ratio of Au is 50% or more. By plating an Au-Pd alloy that is 90% or less, the solderability can be improved as compared with the case where Pd is plated alone, and the surface of the Au-Pd alloy plating film 7 is sealed with a sealing material. By performing the sealing treatment, the solderability can be improved and the corrosion resistance of the plated portion can also be improved.
【００１９】ところで、本実施形態ではＡｕ−Ｐｄの２
元合金をめっきしているが、これにＣｕのような第３金
属を加えた３元合金をめっきするようにしてもよい。例
えば、第３金属としてＣｕを加えたＡｕ−Ｐｄ−Ｃｕ合
金をめっきすれば、Ａｕ−Ｐｄの２元合金をめっきする
場合に比較して、外観の平滑性を向上することができ、
後のワイヤボンディングがし易くなるという利点があ
る。In the present embodiment, Au-Pd 2
Although the base alloy is plated, a ternary alloy obtained by adding a third metal such as Cu to the base alloy may be plated. For example, plating an Au-Pd-Cu alloy to which Cu is added as a third metal can improve the smoothness of appearance as compared with plating a binary alloy of Au-Pd,
There is an advantage that subsequent wire bonding is easily performed.
【００２０】（実施形態２）本実施形態では、基材１ａ
に形成したＮｉめっき被膜６の表面にＰｄを単独で約
０．１〔μｍ〕の厚みでめっきしてＰｄめっき被膜８を
形成し、このＰｄめっき被膜８の表面にＡｕ−Ｐｄ合金
を約０．００５〔μｍ〕の厚みでめっきするようにした
点に特徴があり、それ以外の工程については実施形態１
と共通であるから説明は省略する。(Embodiment 2) In this embodiment, the base material 1a
The Pd plating film 8 is formed by plating Pd alone on the surface of the Ni plating film 6 formed at a thickness of about 0.1 [μm], and the Au-Pd alloy is coated on the surface of the Pd plating film 8 by about 0 μm. It is characterized in that it is plated with a thickness of 0.005 [μm].
Therefore, the description is omitted.
【００２１】而して、リードフレーム１の表面には図５
に示すように下地となるＮｉめっき被膜６、Ｐｄめっき
被膜８、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７が形成される。但
し、Ｐｄめっき被膜８の厚みは０．０５〜０．５〔μ
ｍ〕の範囲で適宜設定するのが望ましく、また、Ａｕ−
Ｐｄ合金めっき被膜７の厚みは０．００３以上とするの
が望ましい。なお、Ｎｉめっき被膜６の表面にＰｄを単
独でめっきする代わりに、ＰｄＮｉ等のＰｄ合金をめっ
きしてもよい。FIG. 5 shows the surface of the lead frame 1.
As shown in FIG. 5, a Ni plating film 6, a Pd plating film 8, and an Au-Pd alloy plating film 7 serving as bases are formed. However, the thickness of the Pd plating film 8 is 0.05 to 0.5 [μ
m] is appropriately set, and Au−
The thickness of the Pd alloy plating film 7 is desirably 0.003 or more. Instead of plating Pd alone on the surface of the Ni plating film 6, a Pd alloy such as PdNi may be plated.
【００２２】上述のように本実施形態によれば、Ｎｉめ
っき被膜６の下地とＡｕ−Ｐｄ合金めっき被膜７との間
にＰｄめっき被膜８を形成しているので、半導体チップ
接合時等の熱履歴により下地金属のＮｉの拡散及び酸化
を抑えて後工程である半田付け工程の半田付性が低下す
るのを防ぐことができ、しかも、Ａｕ−Ｐｄ合金めっき
被膜７の厚みを薄くすることができる。なお、本実施形
態においても、Ａｕ−Ｐｄの２元合金をめっきしている
が、これにＣｕのような第３金属を加えた３元合金をめ
っきするようにしてもよい。As described above, according to the present embodiment, since the Pd plating film 8 is formed between the base of the Ni plating film 6 and the Au-Pd alloy plating film 7, the heat during the bonding of the semiconductor chip or the like is obtained. The history can suppress the diffusion and oxidation of Ni of the base metal to prevent the solderability of the subsequent soldering process from being deteriorated, and reduce the thickness of the Au-Pd alloy plating film 7. it can. In this embodiment, a binary alloy of Au-Pd is also plated, but a ternary alloy obtained by adding a third metal such as Cu to this may be plated.
【００２３】[0023]
【発明の効果】請求項１の発明は、導電性を有する基材
を所定の形状に打ち抜く工程と、打ち抜いた基材の表面
にＮｉをめっきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＡｕの
比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金
をめっきする工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封
孔処理剤により封孔処理する工程とを含むので、Ａｕの
比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金
をめっきすることでＰｄ単独でめっきした場合に比較し
て半田付性を向上することができ、しかもＡｕ−Ｐｄ合
金めっきの表面を封孔処理材で封孔処理することでも半
田付性が向上できるとともにめっき部分の耐食性も向上
することができるという効果がある。According to the first aspect of the present invention, a step of punching a conductive base material into a predetermined shape, a step of plating Ni on a surface of the punched base material, and Since the method includes a step of plating an Au-Pd alloy of 50% or more and 90% or less and a step of sealing the surface of the Au-Pd alloy plating with a sealing agent, the ratio of Au is 50% or more and By plating an Au-Pd alloy that is 90% or less, solderability can be improved as compared with the case of plating with Pd alone, and the surface of the Au-Pd alloy plating is sealed with a sealing material. The treatment also has the effect that the solderability can be improved and the corrosion resistance of the plated portion can also be improved.
【００２４】請求項２の発明は、導電性を有する基材を
所定の形状に打ち抜く工程と、打ち抜いた基材の表面に
Ｎｉをめっきする工程と、Ｎｉめっきの表面にＰｄ又は
Ｐｄ合金をめっきする工程と、Ｐｄめっき又はＰｄ合金
めっきの表面にＡｕの比率が５０％以上且つ９０％以下
であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっきする工程と、Ａｕ−Ｐｄ
合金めっきの表面を封孔処理剤により封孔処理する工程
とを含むので、Ａｕの比率が５０％以上且つ９０％以下
であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっきすることでＰｄ単独でめ
っきした場合に比較して半田付性を向上することがで
き、さらにＡｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理材で
封孔処理することでも半田付性が向上できるとともにめ
っき部分の耐食性も向上することができるという効果が
ある。しかも、ＮｉめっきとＡｕ−Ｐｄ合金めっきの間
にＰｄ又はＰｄ合金をめっきしているため、半導体チッ
プ接合時等の熱履歴による下地金属のＮｉの拡散及び酸
化を抑えて、後工程である半田付け工程の半田付性が低
下するのを防ぐことができるという効果がある。The invention according to claim 2 is a step of punching a conductive base material into a predetermined shape, a step of plating Ni on the surface of the punched base material, and a step of plating Pd or a Pd alloy on the surface of the Ni plating. Plating an Au-Pd alloy having a Au ratio of 50% or more and 90% or less on the surface of Pd plating or Pd alloy plating;
A step of sealing the surface of the alloy plating with a sealing agent, so that the Au-Pd alloy having an Au ratio of 50% or more and 90% or less is plated to be compared with a case where Pd is plated alone. It can be said that solderability can be improved by further performing a sealing treatment on the surface of the Au-Pd alloy plating with a sealing material, and also that the corrosion resistance of the plated portion can be improved. effective. Moreover, since Pd or a Pd alloy is plated between the Ni plating and the Au-Pd alloy plating, the diffusion and oxidation of Ni of the underlying metal due to the heat history at the time of bonding the semiconductor chip and the like are suppressed, and the solder which is a post-process is used. There is an effect that the solderability in the attaching step can be prevented from lowering.
【００２５】請求項３の発明は、Ａｕ−Ｐｄ合金にＣｕ
等の第３金属を加えて３元合金としたので、Ａｕ−Ｐｄ
合金をめっきする場合に比較して外観の平滑性が向上
し、ワイヤボンディングが行い易くなるという効果があ
る。According to a third aspect of the present invention, the Au-Pd alloy is
Au-Pd is obtained by adding a third metal such as
As compared with the case where the alloy is plated, there is an effect that the smoothness of the appearance is improved and the wire bonding is easily performed.
【図１】実施形態１におけるリードフレームの要部側面
断面図である。FIG. 1 is a side sectional view of a main part of a lead frame according to a first embodiment.
【図２】（ａ）は同上のリードフレームの一部省略した
正面図であり、（ｂ）は側面図である。FIG. 2A is a front view of the lead frame in which a part is omitted, and FIG. 2B is a side view.
【図３】同上におけるパッケージが形成された状態のリ
ードフレームの一部省略した正面図である。FIG. 3 is a partially omitted front view of the lead frame in a state where the package is formed in the same.
【図４】同上におけるパッケージが形成された状態のリ
ードフレームの側面図である。FIG. 4 is a side view of the lead frame in a state where a package is formed in the same.
【図５】実施形態２におけるリードフレームの要部側面
断面図である。FIG. 5 is a side sectional view of a main part of a lead frame according to a second embodiment.
【符号の説明】 １ リードフレーム １ａ 基材 ６ Ｎｉめっき被膜 ７ Ａｕ−Ｐｄ合金めっき被膜[Description of Signs] 1 Lead frame 1a Base material 6 Ni plating film 7 Au-Pd alloy plating film
Claims (3)
抜く工程と、打ち抜いた基材の表面にＮｉをめっきする
工程と、Ｎｉめっきの表面にＡｕの比率が５０％以上且
つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ合金をめっきする工程
と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面を封孔処理剤により封
孔処理する工程とを含むことを特徴とするリードフレー
ムの製造方法。1. A step of punching a base material having conductivity into a predetermined shape; a step of plating Ni on the surface of the punched base material; A step of plating an Au-Pd alloy, and a step of sealing the surface of the Au-Pd alloy plating with a sealing agent.
抜く工程と、打ち抜いた基材の表面にＮｉをめっきする
工程と、Ｎｉめっきの表面にＰｄ又はＰｄ合金をめっき
する工程と、Ｐｄめっき又はＰｄ合金めっきの表面にＡ
ｕの比率が５０％以上且つ９０％以下であるＡｕ−Ｐｄ
合金をめっきする工程と、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきの表面
を封孔処理剤により封孔処理する工程とを含むことを特
徴とするリードフレームの製造方法。2. A step of punching a conductive base material into a predetermined shape, a step of plating Ni on a surface of the punched base material, a step of plating Pd or a Pd alloy on a surface of the Ni plating, A on the surface of plating or Pd alloy plating
Au-Pd in which the ratio of u is 50% or more and 90% or less
A method for manufacturing a lead frame, comprising: a step of plating an alloy; and a step of sealing a surface of an Au-Pd alloy plating with a sealing agent.
えて３元合金としたことを特徴とする請求項１又は２記
載のリードフレームの製造方法。3. The method for manufacturing a lead frame according to claim 1, wherein a ternary alloy is obtained by adding a third metal such as Cu to an Au—Pd alloy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6371898A JPH11260981A (en) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | Manufacture of lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6371898A JPH11260981A (en) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | Manufacture of lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260981A true JPH11260981A (en) | 1999-09-24 |
Family
ID=13237462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6371898A Pending JPH11260981A (en) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | Manufacture of lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260981A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1305132C (en) * | 1999-10-01 | 2007-03-14 | 三星航空产业株式会社 | Lead frame and its electroplating method |
| JP2010153236A (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Alps Electric Co Ltd | Method of manufacturing contactor equipped with elastically deforming part |
| KR101090259B1 (en) * | 2002-10-17 | 2011-12-06 | 로옴가부시기가이샤 | Method for cutting lead terminal of package type electronic component |
| WO2015012306A1 (en) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Electronic component and process for producing same |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP6371898A patent/JPH11260981A/en active Pending
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| JPWO2015012306A1 (en) * | 2013-07-24 | 2017-03-02 | Ｊｘ金属株式会社 | Electronic component and manufacturing method thereof |
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