JPH11260725A - 固体デバイス製造装置 - Google Patents
固体デバイス製造装置Info
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- JPH11260725A JPH11260725A JP5543098A JP5543098A JPH11260725A JP H11260725 A JPH11260725 A JP H11260725A JP 5543098 A JP5543098 A JP 5543098A JP 5543098 A JP5543098 A JP 5543098A JP H11260725 A JPH11260725 A JP H11260725A
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- atmosphere
- temperature atmosphere
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温雰囲気の引き始め時に、反応空間内の温
度差が大きくなるのを防止することができるようにす
る。 【解決手段】 熱CVD装置は、収容容器18の内部の
高温雰囲気を排出するための排気配管41,42,43
と、この排気配管41,42,43を遮断するためのシ
ャッタ44,45,46と、排気配管41,42,43
を介して収容容器18の内部の雰囲気を引くブロア47
と、排出される雰囲気の熱を除去するための熱交換器4
8と、シャッタ44,45,46の開閉を制御すること
により、排気配管41,42,43の導通を制御する導
通制御部49とを有する。導通制御部49は、最初は、
シャッタ44を閉じ、シャッタ45,46を開くことに
より、排気配管41を遮断させ、排気配管42,43を
導通させる。そして、予め定めた一定時間が経過する
と、シャッタ44,46を開き、シャッタ45を閉じる
ことにより、排気配管41,43を導通させ、排気配管
42を遮断させる。
度差が大きくなるのを防止することができるようにす
る。 【解決手段】 熱CVD装置は、収容容器18の内部の
高温雰囲気を排出するための排気配管41,42,43
と、この排気配管41,42,43を遮断するためのシ
ャッタ44,45,46と、排気配管41,42,43
を介して収容容器18の内部の雰囲気を引くブロア47
と、排出される雰囲気の熱を除去するための熱交換器4
8と、シャッタ44,45,46の開閉を制御すること
により、排気配管41,42,43の導通を制御する導
通制御部49とを有する。導通制御部49は、最初は、
シャッタ44を閉じ、シャッタ45,46を開くことに
より、排気配管41を遮断させ、排気配管42,43を
導通させる。そして、予め定めた一定時間が経過する
と、シャッタ44,46を開き、シャッタ45を閉じる
ことにより、排気配管41,43を導通させ、排気配管
42を遮断させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高温の反応空間内
で化学反応を使って固体デバイスを製造する固体デバイ
ス製造装置に係り、特に、反応空間内の温度を急速に冷
却するための急冷装置に関する。
で化学反応を使って固体デバイスを製造する固体デバイ
ス製造装置に係り、特に、反応空間内の温度を急速に冷
却するための急冷装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスを製造する半導
体デバイス製造装置においては、化学反応を使って半導
体デバイスを製造することが多い。
体デバイス製造装置においては、化学反応を使って半導
体デバイスを製造することが多い。
【0003】例えば、半導体デバイスのウェーハに所定
の薄膜を形成する成膜装置やこのウェーハを酸化する酸
化装置等においては、化学反応を使って成膜処理や酸化
処理等を行うことが多い。
の薄膜を形成する成膜装置やこのウェーハを酸化する酸
化装置等においては、化学反応を使って成膜処理や酸化
処理等を行うことが多い。
【0004】このような半導体デバイス製造装置におい
ては、化学反応を促進するための活性化エネルギーとし
て、例えば、熱エネルギーが用いられる。言い換えれ
ば、反応空間として、高温の反応空間が用いられる。こ
の高温反応空間は、通常、その外部の雰囲気を加熱する
ことにより形成される。
ては、化学反応を促進するための活性化エネルギーとし
て、例えば、熱エネルギーが用いられる。言い換えれ
ば、反応空間として、高温の反応空間が用いられる。こ
の高温反応空間は、通常、その外部の雰囲気を加熱する
ことにより形成される。
【0005】高温反応空間を用いて半導体デバイスを製
造する場合は、スループットを向上させるために、1回
分の製造処理が終了した段階で、反応空間を急速に冷却
する必要がある。
造する場合は、スループットを向上させるために、1回
分の製造処理が終了した段階で、反応空間を急速に冷却
する必要がある。
【0006】高温反応空間を急冷する方法としては、例
えば、この反応空間の外部の高温雰囲気、すなわち、反
応空間の内部を加熱するための高温雰囲気を急速に低温
の雰囲気に置換する方法がある。この方法を実現するた
めには、高温雰囲気を急速に排出する必要がある。
えば、この反応空間の外部の高温雰囲気、すなわち、反
応空間の内部を加熱するための高温雰囲気を急速に低温
の雰囲気に置換する方法がある。この方法を実現するた
めには、高温雰囲気を急速に排出する必要がある。
【0007】この高温雰囲気を急速に排出する場合、従
来は、断面積の大きな1つの排気配管を介して高温雰囲
気をブロアにより引くことにより排出するようになって
いた。
来は、断面積の大きな1つの排気配管を介して高温雰囲
気をブロアにより引くことにより排出するようになって
いた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成では、ブロアが高温雰囲気の引き始め時から定
格で回転するため、高温雰囲気の引き始め時、その流れ
が大きく乱れる。これにより、反応空間内の温度差が高
温雰囲気の流れの方向に沿って大きくなる。その結果、
一度に複数の半導体デバイスを製造する半導体デバイス
製造装置においては、一緒に製造した複数の半導体デバ
イスの品質に差が生じるという問題があった。
うな構成では、ブロアが高温雰囲気の引き始め時から定
格で回転するため、高温雰囲気の引き始め時、その流れ
が大きく乱れる。これにより、反応空間内の温度差が高
温雰囲気の流れの方向に沿って大きくなる。その結果、
一度に複数の半導体デバイスを製造する半導体デバイス
製造装置においては、一緒に製造した複数の半導体デバ
イスの品質に差が生じるという問題があった。
【0009】そこで、本発明は、反応空間の内部を加熱
するための高温雰囲気の引き始め時、反応空間の内部の
温度差が大きくなるのを防止することができる固体デバ
イス製造装置を提供することを目的とする。
するための高温雰囲気の引き始め時、反応空間の内部の
温度差が大きくなるのを防止することができる固体デバ
イス製造装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1記載の固体デバイス製造装置は、高温反応空
間内を加熱するための高温雰囲気を排出する排気配管と
して、複数の排気配管を設け、高温雰囲気の排出量が徐
々に増大するように、この複数の排気配管の導通を制御
することにより、高温雰囲気の引き始め時、高温反応空
間内の温度差が大きくなるのを防止するようにしたもの
である。
に請求項1記載の固体デバイス製造装置は、高温反応空
間内を加熱するための高温雰囲気を排出する排気配管と
して、複数の排気配管を設け、高温雰囲気の排出量が徐
々に増大するように、この複数の排気配管の導通を制御
することにより、高温雰囲気の引き始め時、高温反応空
間内の温度差が大きくなるのを防止するようにしたもの
である。
【0011】すなわち、請求項1記載の固体デバイス製
造装置は、高温の反応空間内で化学反応を使って固体デ
バイスを製造する装置において、高温反応空間内の温度
を急冷する場合、この高温反応空間を加熱するための高
温雰囲気を排出する複数の排気配管と、この複数の排気
配管を介して排出される高温雰囲気の排出量が徐々に増
大するように、この複数の排気配管の導通を制御する導
通制御手段とを備えたことを特徴とする。
造装置は、高温の反応空間内で化学反応を使って固体デ
バイスを製造する装置において、高温反応空間内の温度
を急冷する場合、この高温反応空間を加熱するための高
温雰囲気を排出する複数の排気配管と、この複数の排気
配管を介して排出される高温雰囲気の排出量が徐々に増
大するように、この複数の排気配管の導通を制御する導
通制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0012】この固体デバイス製造装置では、高温反応
空間を急冷する場合、加熱用の高温雰囲気の排出量が徐
々に増大するように、複数の排気配管の導通が制御され
る。これにより、高温雰囲気の引き始め時に、この高温
雰囲気の流れが大きく乱れるのを防止することができる
ので、高温反応空間内の温度差が大きくなるのを防止す
ることができる。
空間を急冷する場合、加熱用の高温雰囲気の排出量が徐
々に増大するように、複数の排気配管の導通が制御され
る。これにより、高温雰囲気の引き始め時に、この高温
雰囲気の流れが大きく乱れるのを防止することができる
ので、高温反応空間内の温度差が大きくなるのを防止す
ることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明に係る固体デバイス製造装置の実施の形態を詳細に説
明する。
明に係る固体デバイス製造装置の実施の形態を詳細に説
明する。
【0014】図1は、本発明に係る固体デバイス製造装
置の一実施の形態の構成を示す側断面図である。なお、
図には、固体デバイス製造装置として、縦形の熱CVD
(CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)装置を代表として示
す。
置の一実施の形態の構成を示す側断面図である。なお、
図には、固体デバイス製造装置として、縦形の熱CVD
(CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)装置を代表として示
す。
【0015】図示の熱CVD装置は、ウェーハWの表面
に所定の薄膜を形成するための高温反応空間を形成する
反応容器11と、この反応容器11の内部を加熱するた
めのヒータ12と、反応容器11の内部の温度を検出す
るための4つの熱電対13,14,15,16と、ヒー
タ12による加熱を遮断するための断熱体17と、反応
容器11、ヒータ12、熱電対13,14,15,1
6、断熱体17等を収容するための収容容器18とを有
する。
に所定の薄膜を形成するための高温反応空間を形成する
反応容器11と、この反応容器11の内部を加熱するた
めのヒータ12と、反応容器11の内部の温度を検出す
るための4つの熱電対13,14,15,16と、ヒー
タ12による加熱を遮断するための断熱体17と、反応
容器11、ヒータ12、熱電対13,14,15,1
6、断熱体17等を収容するための収容容器18とを有
する。
【0016】また、図示の熱CVD装置は、高温反応空
間が大気に触れるのを防止するためのロードロック容器
21と、処理すべき複数のウェーハWを保持するための
ボート22と、このボート22を断熱するための保温筒
23と、反応容器11のボート挿入口を塞ぐための蓋体
24と、ボート22を昇降駆動するためのボートエレベ
ータ25とを有する。
間が大気に触れるのを防止するためのロードロック容器
21と、処理すべき複数のウェーハWを保持するための
ボート22と、このボート22を断熱するための保温筒
23と、反応容器11のボート挿入口を塞ぐための蓋体
24と、ボート22を昇降駆動するためのボートエレベ
ータ25とを有する。
【0017】また、図示の熱CVD装置は、収容容器1
8を被うためのカバー31と、反応容器11、ロードロ
ック容器21等を収容するための筐体32とを有する。
8を被うためのカバー31と、反応容器11、ロードロ
ック容器21等を収容するための筐体32とを有する。
【0018】また、図示の熱CVD装置は、収容容器1
8の内部の雰囲気を排出するための排気配管41,4
2,43と、この排気配管41,42,43を遮断する
ためのシャッタ44,45,46と、排気配管41,4
2,43を介して収容容器18の内部の高温雰囲気を引
くブロア47と、排気配管41,42,43を介して排
出される雰囲気の熱を除去するための熱交換器48と、
シャッタ43,44,45の開閉を制御することによ
り、排気配管41,42,43の導通を制御する導通制
御部49とを有する。
8の内部の雰囲気を排出するための排気配管41,4
2,43と、この排気配管41,42,43を遮断する
ためのシャッタ44,45,46と、排気配管41,4
2,43を介して収容容器18の内部の高温雰囲気を引
くブロア47と、排気配管41,42,43を介して排
出される雰囲気の熱を除去するための熱交換器48と、
シャッタ43,44,45の開閉を制御することによ
り、排気配管41,42,43の導通を制御する導通制
御部49とを有する。
【0019】上記反応容器11は、管状に形成され、垂
直に配設されている。上記ヒータ12は、この反応容器
11の周囲を囲むように配設されている。このヒータ1
2によって加熱される領域は、反応容器11の軸芯方向
(垂直方向)に4つに分割されている。上記熱電対1
3,14,15,16は、それぞれこの4つの分割加熱
領域R1,R2,R3,R4に配設されている。上記断
熱体17は、ヒータ12の周囲に配設されている。上記
カバー31は、収容容器18を上方から被うように配設
されている。
直に配設されている。上記ヒータ12は、この反応容器
11の周囲を囲むように配設されている。このヒータ1
2によって加熱される領域は、反応容器11の軸芯方向
(垂直方向)に4つに分割されている。上記熱電対1
3,14,15,16は、それぞれこの4つの分割加熱
領域R1,R2,R3,R4に配設されている。上記断
熱体17は、ヒータ12の周囲に配設されている。上記
カバー31は、収容容器18を上方から被うように配設
されている。
【0020】上記ロードロック容器21は、反応容器1
1の下方に配設されている。上記ボート22は、上記保
温筒23を介して上記蓋体24に載置されている。この
蓋体24は、ボートエレベータ25に支持されている。
1の下方に配設されている。上記ボート22は、上記保
温筒23を介して上記蓋体24に載置されている。この
蓋体24は、ボートエレベータ25に支持されている。
【0021】上記排気配管41は、上記収容容器18の
上部に接続されている。上記シャッタ44は、この排気
配管41の途中に挿入されている。上記排気配管42
は、シャッタ44をまたぐようにして、排気配管41に
並列に接続されている。この排気配管42の断面積は、
排気配管41の断面積よりかなり小さくなるように設定
されている。上記シャッタ45は、この排気配管42の
途中に挿入されている。
上部に接続されている。上記シャッタ44は、この排気
配管41の途中に挿入されている。上記排気配管42
は、シャッタ44をまたぐようにして、排気配管41に
並列に接続されている。この排気配管42の断面積は、
排気配管41の断面積よりかなり小さくなるように設定
されている。上記シャッタ45は、この排気配管42の
途中に挿入されている。
【0022】上記排気配管43は、排気配管41,42
の下流側の接続部に接続されている。この排気配管43
の断面積は、例えば、排気配管41の断面積とほぼ同じ
か少し大きくなるように設定されている。上記シャッタ
46は、この排気配管43の途中に挿入されている。上
記ブロア47は、排気配管43に対して、シャッタ46
より下流に挿入されている。一方、上記熱交換器48
は、排気配管43に対して、シャッタ46より上流に挿
入されている。
の下流側の接続部に接続されている。この排気配管43
の断面積は、例えば、排気配管41の断面積とほぼ同じ
か少し大きくなるように設定されている。上記シャッタ
46は、この排気配管43の途中に挿入されている。上
記ブロア47は、排気配管43に対して、シャッタ46
より下流に挿入されている。一方、上記熱交換器48
は、排気配管43に対して、シャッタ46より上流に挿
入されている。
【0023】上記構成においては、排気配管41,4
2,43と、シャッタ44,45,46と、ブロア47
と、熱交換器48と、導通制御部48とにより、反応容
器11の内部を急冷するための急冷装置が構成される。
2,43と、シャッタ44,45,46と、ブロア47
と、熱交換器48と、導通制御部48とにより、反応容
器11の内部を急冷するための急冷装置が構成される。
【0024】上記構成において、動作を説明する。
【0025】ボート22は、最初、図1に破線で示すよ
うに、ロードロック容器21の内部に位置決めされてい
る。そして、この状態において、処理すべき複数のウェ
ーハWがロードロック容器21の内部に搬入され、ボー
ト22に収容される。この収容処理が終了すると、ロー
ドロック容器21の内部の雰囲気が大気から不活性ガス
に置換される。これにより、反応容器11の内部が大気
に触れるのが防止される。この置換処理が終了すると、
ボート22がボートエレベータ25により反応容器11
の内部に搬入される。
うに、ロードロック容器21の内部に位置決めされてい
る。そして、この状態において、処理すべき複数のウェ
ーハWがロードロック容器21の内部に搬入され、ボー
ト22に収容される。この収容処理が終了すると、ロー
ドロック容器21の内部の雰囲気が大気から不活性ガス
に置換される。これにより、反応容器11の内部が大気
に触れるのが防止される。この置換処理が終了すると、
ボート22がボートエレベータ25により反応容器11
の内部に搬入される。
【0026】この搬入処理が終了すると、成膜処理が実
行される。これにより、ボート22に保持されている複
数のウェーハWの表面に所定の薄膜が形成される。この
成膜処理においては、反応容器11の内部がヒータ12
により加熱される。これにより、成膜のための化学反応
が促進される。この場合、4つの分割加熱領域R1,R
2,R3,R4の温度がそれぞれ熱電対13,14,1
5,16により検出される。そして、この検出出力に基
づいて、ヒータ12の温度が制御される。これにより、
4つの分割加熱領域R1,R2,R3,R4の温度が均
一に保持される。その結果、すべてのウェーハWに対し
て均一な成膜処理が施される。
行される。これにより、ボート22に保持されている複
数のウェーハWの表面に所定の薄膜が形成される。この
成膜処理においては、反応容器11の内部がヒータ12
により加熱される。これにより、成膜のための化学反応
が促進される。この場合、4つの分割加熱領域R1,R
2,R3,R4の温度がそれぞれ熱電対13,14,1
5,16により検出される。そして、この検出出力に基
づいて、ヒータ12の温度が制御される。これにより、
4つの分割加熱領域R1,R2,R3,R4の温度が均
一に保持される。その結果、すべてのウェーハWに対し
て均一な成膜処理が施される。
【0027】この成膜処理が終了すると、反応容器11
の内部の雰囲気が反応ガス等から不活性ガスに置換され
る。これにより、反応容器11の内部の圧力がロードロ
ック容器21の内部の圧力に一致させられる。その結
果、ボート22を反応容器11から搬出する場合の気流
の発生が抑制される。また、上記成膜処理が終了する
と、収容容器18の内部の高温雰囲気(反応容器11の
内部を加熱するための雰囲気)が排気配管41,42,
43を介して排出される。これにより、反応容器11の
内部が急速に冷却される。この急冷処理については、あ
とで、詳細に説明する。
の内部の雰囲気が反応ガス等から不活性ガスに置換され
る。これにより、反応容器11の内部の圧力がロードロ
ック容器21の内部の圧力に一致させられる。その結
果、ボート22を反応容器11から搬出する場合の気流
の発生が抑制される。また、上記成膜処理が終了する
と、収容容器18の内部の高温雰囲気(反応容器11の
内部を加熱するための雰囲気)が排気配管41,42,
43を介して排出される。これにより、反応容器11の
内部が急速に冷却される。この急冷処理については、あ
とで、詳細に説明する。
【0028】この置換処理や急冷処理が終了すると、ボ
ート22がボートエレベータ25により反応容器11の
内部からロードロック容器21の内部に搬出される。こ
の搬出処理が終了すると、所定の薄膜が形成された複数
のウェーハWがボート22から取り出される。この取出
し処理が終了すると、次の複数のウェーハWに対して、
上述した処理が実行される。以下、同様に、複数のウェ
ーハWに対する成膜が終了するたびに、上述した処理が
繰り返される。
ート22がボートエレベータ25により反応容器11の
内部からロードロック容器21の内部に搬出される。こ
の搬出処理が終了すると、所定の薄膜が形成された複数
のウェーハWがボート22から取り出される。この取出
し処理が終了すると、次の複数のウェーハWに対して、
上述した処理が実行される。以下、同様に、複数のウェ
ーハWに対する成膜が終了するたびに、上述した処理が
繰り返される。
【0029】ここで、上述した急冷処理を詳細に説明す
る。この急冷処理においては、導通制御部49は、ま
ず、シャッタ44を閉じ、シャッタ45,46を開く。
これにより、排気配管41が遮断され、排気配管42,
43が動通させられる。その結果、収容容器18の内部
の高温雰囲気は、断面積の小さな排気配管42とこれに
直列接続された排気配管43とを介してブロア47によ
り引き抜かれる。この場合、収容容器18から引き抜か
れた雰囲気は、熱交換器48により熱を除去される。こ
れにより、ブロア47からは、低温の雰囲気が出力され
る。
る。この急冷処理においては、導通制御部49は、ま
ず、シャッタ44を閉じ、シャッタ45,46を開く。
これにより、排気配管41が遮断され、排気配管42,
43が動通させられる。その結果、収容容器18の内部
の高温雰囲気は、断面積の小さな排気配管42とこれに
直列接続された排気配管43とを介してブロア47によ
り引き抜かれる。この場合、収容容器18から引き抜か
れた雰囲気は、熱交換器48により熱を除去される。こ
れにより、ブロア47からは、低温の雰囲気が出力され
る。
【0030】このあと、予め定めた一定時間が経過する
と、導通制御部49は、今度はシャッタ44を開き、シ
ャッタ45を閉じる。これにより、今度は、収容容器1
8の内部の高温雰囲気は、断面積の大きな排気配管41
とこれに直列接続された排気配管43とを介してブロア
47により引き抜かれる。また、この場合も、収容容器
18から引き抜かれた高温雰囲気は、熱交換器48によ
り熱を除去される。これにより、ブロア47からは、低
温の雰囲気が排出される。
と、導通制御部49は、今度はシャッタ44を開き、シ
ャッタ45を閉じる。これにより、今度は、収容容器1
8の内部の高温雰囲気は、断面積の大きな排気配管41
とこれに直列接続された排気配管43とを介してブロア
47により引き抜かれる。また、この場合も、収容容器
18から引き抜かれた高温雰囲気は、熱交換器48によ
り熱を除去される。これにより、ブロア47からは、低
温の雰囲気が排出される。
【0031】以上詳述した本実施の形態によれば、収容
容器18の内部の高温雰囲気を排出するための排気配管
として、断面積の異なる2つの排気配管41,42を設
け、最初は、断面積の小さな排気配管42を介して高温
雰囲気を排出し、排気を開始してから予め定めた一定時
間が経過すると、断面積の大きな排気配管41を介して
高温雰囲気を排出するようにしたので、高温雰囲気の引
き始め時、高温雰囲気の排出量を徐々に増大させること
ができる。
容器18の内部の高温雰囲気を排出するための排気配管
として、断面積の異なる2つの排気配管41,42を設
け、最初は、断面積の小さな排気配管42を介して高温
雰囲気を排出し、排気を開始してから予め定めた一定時
間が経過すると、断面積の大きな排気配管41を介して
高温雰囲気を排出するようにしたので、高温雰囲気の引
き始め時、高温雰囲気の排出量を徐々に増大させること
ができる。
【0032】これにより、高温雰囲気の引き始め時、高
温雰囲気の流れが乱れることを防止することができるの
で、反応容器11の内部の温度差が、高温雰囲気の流れ
の方向(垂直方向)に沿って大きくなることを防止する
ことができる。その結果、ボート22に保持されている
複数のウェーハWの品質に差が生じてしまうことが防止
することができる。
温雰囲気の流れが乱れることを防止することができるの
で、反応容器11の内部の温度差が、高温雰囲気の流れ
の方向(垂直方向)に沿って大きくなることを防止する
ことができる。その結果、ボート22に保持されている
複数のウェーハWの品質に差が生じてしまうことが防止
することができる。
【0033】以上、本発明の一実施の形態を詳細に説明
したが、本発明は、上述したような実施の形態に限定さ
れるものではない。
したが、本発明は、上述したような実施の形態に限定さ
れるものではない。
【0034】(1)例えば、先の実施の形態では、最
初、断面積の小さな排気配管42を導通させ、次に、断
面積の大きな排気配管41を導通させる場合を説明し
た。しかしながら、本発明は、最初、断面積の小さな排
気配管42を導通させ、次に、2つの排気配管41,4
2を一緒に導通させるようにしてもよい。このような構
成であっても、高温雰囲気の排出量を2段階に分けて増
大することができるので、高温雰囲気の引き始め時、反
応容器11の内部の温度差が大きくなることを防止する
ことができる。
初、断面積の小さな排気配管42を導通させ、次に、断
面積の大きな排気配管41を導通させる場合を説明し
た。しかしながら、本発明は、最初、断面積の小さな排
気配管42を導通させ、次に、2つの排気配管41,4
2を一緒に導通させるようにしてもよい。このような構
成であっても、高温雰囲気の排出量を2段階に分けて増
大することができるので、高温雰囲気の引き始め時、反
応容器11の内部の温度差が大きくなることを防止する
ことができる。
【0035】(2)また、先の実施の形態では、断面積
の異なる排気配管として、2つの排気配管41,42を
設ける場合を説明した。しかしながら、本発明は、3つ
以上の排気配管を設けるようにしてもよい。この場合、
断面積の小さな排気配管から順次導通させるようにして
もよいし、複数の排気配管を組み合わせて導通させるよ
うにしてもよい。このような構成によれば、高温雰囲気
の排出量を3段階以上に分けて増大させることができる
ので、先の実施の形態より反応容器11の内部の温度差
が大きくなることを防止する効果を高めることができ
る。
の異なる排気配管として、2つの排気配管41,42を
設ける場合を説明した。しかしながら、本発明は、3つ
以上の排気配管を設けるようにしてもよい。この場合、
断面積の小さな排気配管から順次導通させるようにして
もよいし、複数の排気配管を組み合わせて導通させるよ
うにしてもよい。このような構成によれば、高温雰囲気
の排出量を3段階以上に分けて増大させることができる
ので、先の実施の形態より反応容器11の内部の温度差
が大きくなることを防止する効果を高めることができ
る。
【0036】(3)また、先の実施の形態では、複数の
排気配管として、断面積の異なる複数の排気配管を設け
る場合を説明した。しかしながら、本発明は、断面積の
同じ複数の排気配管を設けるようにしてもよい。このよ
うな構成であっても、複数の排気配管を適宜組み合わせ
ることにより、高温雰囲気の排出量を徐々に増大させる
ことができる。
排気配管として、断面積の異なる複数の排気配管を設け
る場合を説明した。しかしながら、本発明は、断面積の
同じ複数の排気配管を設けるようにしてもよい。このよ
うな構成であっても、複数の排気配管を適宜組み合わせ
ることにより、高温雰囲気の排出量を徐々に増大させる
ことができる。
【0037】(4)また、先の実施の形態では、本発明
の急冷処理を、1回分の半導体デバイス製造処理が終了
するたびに実行される急冷処理に適用する場合を説明し
た。しかしながら、本発明は、これ以外の急冷処理、例
えば、故障の修理等のための急冷処理にも適用すること
ができる。
の急冷処理を、1回分の半導体デバイス製造処理が終了
するたびに実行される急冷処理に適用する場合を説明し
た。しかしながら、本発明は、これ以外の急冷処理、例
えば、故障の修理等のための急冷処理にも適用すること
ができる。
【0038】(5)また、先の実施の形態では、本発明
を半導体デバイス製造装置に適用する場合を説明した。
しかしながら、本発明は、半導体デバイス以外の固体デ
バイスの製造装置、例えば、液晶表示デバイスの製造装
置にも適用することができる。
を半導体デバイス製造装置に適用する場合を説明した。
しかしながら、本発明は、半導体デバイス以外の固体デ
バイスの製造装置、例えば、液晶表示デバイスの製造装
置にも適用することができる。
【0039】(6)このほかにも、本発明は、その要旨
を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論
である。
を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論
である。
【0040】
【発明の効果】以上詳述したように請求項1記載の固体
デバイス製造装置によれば、高温雰囲気を排出するため
の排気配管として、複数の排気配管を設け、高温雰囲気
の排出量が徐々に増大するように、この複数の排気配管
の導通を制御するようにしたので、高温雰囲気の引き始
め時に、反応空間内の温度差が大きくなるのを防止する
ことができる。
デバイス製造装置によれば、高温雰囲気を排出するため
の排気配管として、複数の排気配管を設け、高温雰囲気
の排出量が徐々に増大するように、この複数の排気配管
の導通を制御するようにしたので、高温雰囲気の引き始
め時に、反応空間内の温度差が大きくなるのを防止する
ことができる。
【図1】本発明に係る固体デバイス製造装置の一実施の
形態の構成を示す側断面図である。
形態の構成を示す側断面図である。
11…反応容器、12…ヒータ、13,14,15,1
6…熱電対、17…断熱体、18…収容容器、21…ロ
ードロック容器、22…ボート、23…保温筒、24…
蓋体、25…ボートエレベータ、31…カバー、32…
筐体、41,42,43…排気配管、44,45,46
…シャッタ、47…ブロア、48…熱交換器、49…導
通制御部。
6…熱電対、17…断熱体、18…収容容器、21…ロ
ードロック容器、22…ボート、23…保温筒、24…
蓋体、25…ボートエレベータ、31…カバー、32…
筐体、41,42,43…排気配管、44,45,46
…シャッタ、47…ブロア、48…熱交換器、49…導
通制御部。
Claims (1)
- 【請求項1】 高温の反応空間内で化学反応を使って固
体デバイスを製造する固体デバイス製造装置において、 前記高温反応空間内の温度を急冷する場合、この高温反
応空間を加熱するための高温雰囲気を排出する複数の排
気配管と、 この複数の排気配管を介して排出される前記高温雰囲気
の排出量が徐々に増大するように、この複数の排気配管
の導通を制御する導通制御手段とを備えたことを特徴と
する固体デバイス製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5543098A JPH11260725A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 固体デバイス製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5543098A JPH11260725A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 固体デバイス製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11260725A true JPH11260725A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=12998380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5543098A Pending JPH11260725A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 固体デバイス製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11260725A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7820118B2 (en) | 2005-08-09 | 2010-10-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus having covered thermocouple for enhanced temperature control |
US9099505B2 (en) | 2009-09-26 | 2015-08-04 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing apparatus and cooling method |
CN110042362A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-07-23 | 杨卫正 | 一种多用途化学气相沉积装置 |
-
1998
- 1998-03-06 JP JP5543098A patent/JPH11260725A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7820118B2 (en) | 2005-08-09 | 2010-10-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus having covered thermocouple for enhanced temperature control |
US9099505B2 (en) | 2009-09-26 | 2015-08-04 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing apparatus and cooling method |
CN110042362A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-07-23 | 杨卫正 | 一种多用途化学气相沉积装置 |
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