JPH11254314A - ワーク面加工装置 - Google Patents

ワーク面加工装置

Info

Publication number
JPH11254314A
JPH11254314A JP7655198A JP7655198A JPH11254314A JP H11254314 A JPH11254314 A JP H11254314A JP 7655198 A JP7655198 A JP 7655198A JP 7655198 A JP7655198 A JP 7655198A JP H11254314 A JPH11254314 A JP H11254314A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
work
wafer
processing apparatus
polishing
plates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7655198A
Other languages
English (en)
Inventor
Hatsuyuki Arai
初雪 新井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SpeedFam Co Ltd
Original Assignee
SpeedFam Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SpeedFam Co Ltd filed Critical SpeedFam Co Ltd
Priority to JP7655198A priority Critical patent/JPH11254314A/ja
Priority to US09/235,099 priority patent/US6068545A/en
Priority to TW088101845A priority patent/TW394719B/zh
Priority to EP99101694A priority patent/EP0941805A3/en
Priority to KR1019990006264A priority patent/KR19990077476A/ko
Publication of JPH11254314A publication Critical patent/JPH11254314A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワークの形状に限定されることなくワーク面
を加工することができ、しかも、ワークの研磨状態の高
精度な測定が可能なワーク面加工装置を提供する。 【解決手段】 略点対称に配され且つモータ17〜19
によって同方向に回転する3つの定盤1−1〜1−3
と、ウエハWを保持して定盤1−1〜1−3と逆方向に
回転するキャリアヘッド2と、ウエハWを定盤1−1の
径方向に揺動させる揺動機構3とを有して、ウエハWの
全面を研磨する。また、測定器4により、ウエハWの全
面の研磨状態を連続的に測定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、複数の定盤によ
りワーク面を加工すると共にワークの加工状態を測定可
能なワーク面加工装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、複数の定盤でワーク面を加工する
装置としては、例えば図11に示すような研磨装置があ
る。図11において、符号100は定盤であり、この3
つの定盤100が、点Oを中心に点対称状に配されてい
る。そして、これら3つの定盤100の間に3つの保持
具101が設けられている。これにより、回転する3つ
の定盤100に渡ってドーナッツ状のウエハWを回転さ
せながら押圧することで、ウエハWを所定厚さ迄研磨す
る。
【0003】ところで、ウエハWの酸化膜を研磨装置に
よって、所望厚さ迄研磨するには、ウエハWの研磨状態
を監視する必要がある。そこで、従来は、図12に示す
ように、定盤200の所定個所に適当な大きさの窓20
1を穿設し、定盤200の下側に配設したレーザセンサ
210からレーザ光を窓201を介してウエハWの研磨
面に照射することにより、ウエハWの研磨状態を検出し
ていた。また、二点鎖線で示すように、レーザセンサ2
10を定盤200の外側下方に配設し、オーバハングし
たウエハWのはみ出し部分にレーザ光を照射することに
より、ウエハWの研磨状態を検出する技術もある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の技術では次のような問題があった。図11に示した研
磨装置では、ウエハWの外周縁を保持具101で保持し
た状態で、回転する定盤100によってウエハWを研磨
する構成となっているので、形状がドーナッツ状のウエ
ハWしか研磨することができない。すなわち、円形状の
ウエハWを用いた場合には、図11の斜線で示すよう
に、3つの定盤100の間の円形の領域Gに対応するウ
エハWの中心部分を研磨することができないため、研磨
可能なウエハWがこの領域G以上の大きさの中心孔を有
したドーナッツ状のものに限られてしまう。上記研磨装
置に類似する技術として、特開昭64−11757号公
報記載の研削盤や特開平3−221368号公報記載の
ウエハ加工装置があるが、これらの装置も上記問題を解
決するものではない。
【0005】また、図12に示したウエハ研磨状態の測
定技術では、回転する定盤200の窓201がレーザセ
ンサ210の真上にありしかもウエハWが窓201を覆
う状態になったときにのみ、ウエハWの研磨状態をレー
ザセンサ210によって測定することができる。このた
め、測定が間欠的なものとなり、ウエハWの酸化膜が最
適な厚さ迄研磨された時点で、研磨装置を停止させるこ
とは困難である。この結果、ウエハWの研磨過剰や研磨
不足という事態が生じ易い。しかも、窓201に至った
ウエハWの部分がウエハWの中心部分なのか周辺部分な
のかを判断することができないので、研磨状態の高精度
な測定が不可能であった。これに対して、ウエハWをオ
ーバハングさせて、はみ出し部分を窓201で測定する
技術では、現在の測定個所が周辺部分であるか否かの判
断は可能である。しかし、オーバハング量がウエハWの
半径よりもかなり小さく設定されているため、ウエハW
の中心部分を測定することが不可能である。また、ウエ
ハWのオーバハング時にのみ測定が可能であるため、こ
の技術も間欠的な測定しか行えず、上記技術と同様に、
研磨過剰や研磨不足という事態が生じるおそれがある。
【0006】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、ワークの形状に限定されることなくワ
ーク面を加工することができ、しかも、ワークの研磨状
態の高精度な測定が可能なワーク面加工装置及びその方
法を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1の発明に係るワーク面加工装置は、略点対
称に配設され且つ各中心周りで回転可能な複数の定盤
と、ワークを複数の定盤に渡って接触させ、このワーク
を押圧しながら回転させる加圧体と、複数の定盤に対す
るワークの非接触部分が無くなる方向に加圧体を揺動さ
せる揺動機構とを具備する構成とした。かかる構成によ
り、点対称に配設された複数の定盤を回転させ、加圧体
によってワークをこれらの定盤に渡って接触させ、押圧
しながら回転させると、ワークの接触面が回転する複数
の定盤によって加工される。このとき、定盤に対するワ
ークの非接触部分は、定盤によって加工されないので、
揺動機構を作動させることで、ワークの非接触部分が無
くなる方向にワークが揺動され、ワークの加工面全体が
均一に加工される。
【0008】また、請求項2の発明は、請求項1に記載
のワーク面加工装置において、加圧体は、ワークの中心
が複数の定盤の中心に略一致するようにワークを複数の
定盤に渡って接触させ、揺動機構は、複数の定盤の内側
外接円の略半径分の距離だけワークが一の定盤の径方向
に移動するように、加圧体を揺動させるものである構成
とした。かかる構成により、ワークが複数の定盤に安定
して接触し、揺動機構によってワークを複数の定盤の内
側内接円の略半径分の距離だけ移動させるだけで、ワー
クの加工面全体を均一に加工することができる。
【0009】ところで、定盤は複数であればよいが、コ
スト面及びワークの安定性等の点から最適な定盤数を選
択することが好ましい。そこで、請求項3の発明は、請
求項1又は請求項2に記載のワーク面加工装置におい
て、定盤の数は3である構成とした。
【0010】また、このワーク面加工装置は、ワークの
研磨だけでなく研削等、多様に用いることができる。そ
こで、請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のい
ずれかに記載のワーク面加工装置において、定盤は、砥
石定盤,ラッピング定盤又はポリッシング定盤のいずれ
かである構成とした。
【0011】さらに、加工対象であるワークに限定はな
く、各種のワークについて全面加工することが可能であ
る。そこで、請求項5の発明は、一例として、請求項1
ないし請求項4のいずれかに記載のワーク面加工装置に
おいて、ワークはウエハである構成とした。
【0012】加工時にワークの加工面の加工状態を測定
し得れば、ワークを所望の加工量まで確実に加工するこ
とができ、高精度な加工が可能となる。そこで、請求項
6の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載
のワーク面加工装置において、光線を少なく共ワークの
加工面の中心から周縁迄走査させて加工面全体の加工状
態を測定する測定器を設けた構成としてある。かかる構
成により、測定器からの光線が回転するワーク加工面の
少なくとも中心から周縁迄走査されるので、加工面全体
を連続的に測定することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図1は、この発明の一実
施形態に係るワーク面加工装置を示す平面図であり、図
2は、図1の矢視A−A断面図である。このワーク面加
工装置は、CMP装置であり、3つの定盤1−1〜1−
3と、加圧体としてのキャリアヘッド2と、揺動機構3
と測定器4(図2参照)とを具備している。
【0014】定盤1−1〜1−3は、ウエハWの酸化膜
を研磨するための円盤体であり、図1に示すように、定
盤1−1〜1−3の中心点Oに関して略点対称に配設さ
れる。また、定盤1−1〜1−3はポリッシング定盤で
あり、図2にも示すように、各定盤1−1(1−2,1
−3)の上面には、研磨パッド1aが貼り付けられてい
る。定盤1−1〜1−3の下面中心には軸11〜13が
それぞれ固着され、各定盤1−1〜1−3が図示しない
軸受によって回転自在に支持されている。そして、この
ような定盤1−1〜1−3の軸11〜13の下端部には
ギア11a〜13aが各々固着され、これらのギア11
a〜13aがモータ17〜19の回転軸に固着されたギ
ア17a〜19aにそれぞれ噛合されている。これによ
り、モータ17〜19の作動によって、定盤1−1〜1
−3が駆動回転される。
【0015】キャリアヘッド2は、ウエハWを上記定盤
1−1〜1−3に渡って接触させ、ウエハWを押圧しな
がら回転させるための装置であり、このキャリアヘッド
2を昇降させるシリンダ20とキャリアヘッド2を回転
させるモータ21と共に支持体29に組み付けられてい
る。図3は、シリンダ20とモータ21との機構を示す
断面図である。図3に示すように、シリンダ20は、支
持体29(図2参照)に固定されたシリンダ本体20a
を貫通するピストンロッド20bとシリンダ本体20a
内に嵌められたピストン20cとで形成され、モータ2
1はピストンロッド20bに連結されている。すなわ
ち、モータ21のギア21aがベアリングを介してピス
トン20cの上部に取り付けられたギア21bに噛合さ
れ、ギア21bに固着された支持部材21cにインナー
ロッド21dが連結されている。これにより、シリンダ
20のシリンダ本体20a内の空気圧を変化させること
でキャリアヘッド2を昇降させると共に、モータ21を
作動させることで、キャリアヘッド2を回転させること
ができる。
【0016】このようなシリンダ20,モータ21を有
したキャリアヘッド2は、ウエハWへの押圧力の分布を
変えることができる構造を有している。図4はキャリア
ヘッド2の断面図である。図4に示すように、キャリア
ヘッド2はハウジング22とキャリアベース23とリテ
ーナリング24とバッキングシート25とを有してい
る。ハウジング22は、回転自在な連結部材22aを介
してピストンロッド20bに連結され、ハウジング22
の内歯ギア22bがインナーロッド21d下端部のギア
21eに噛合されている。また、キャリアベース23
は、その下面に同心状の2つのリング状隔壁23a,2
3bを有しており、リテーナリング24に支持されたバ
ッキングシート25がこれらのリング状隔壁23a,2
3bに貼着されている。すなわち、リング状隔壁23
a,23bにより、圧力室S1,S2,S3が画成さ
れ、これら圧力室S1,S2,S3にそれぞれ連通する
流通路23c,23d,23eがキャリアベース23に
設けられている。そして、インナーロッド21dに挿通
されたエアホース90,91,92がこれら流通路23
c,23d,23eにそれぞれ挿入されている。エアホ
ース90,91,92は、図2及び図3に示すように、
エアポンプ9から延出されており、エアホース90,9
1,92に供給する空気圧を変化させることで、各圧力
室S1,S2,S3内の圧力を調整することができる。
なお、このキャリアヘッド2は、揺動機構3による作用
を受けない初期状態において、ウエハWの中心が図1に
示す定盤1−1〜1−3の中心点Oに略一致するよう
に、ウエハWを定盤1−1〜1−3に接触させるように
なっている。
【0017】揺動機構3は、定盤1−1〜1−3に対す
るウエハWの非接触部分が無くなる方向にキャリアヘッ
ド2を揺動させるための機構である。図5は、揺動方向
と揺動距離を説明するための平面図であり、図6は揺動
機構3を示す断面図であり、図7は揺動機構3を示す平
面図である。図6及び図7に示すように、揺動機構3
は、レール31上で往復運動可能なスライダ30と、ス
ライダ30を往復運動させるモータ32とを有してい
る。具体的には、スライダ30上面に立設されたピン3
3に、ロッド34の右端部が回転自在に連結され、モー
タ32の回転軸には円盤体35が取り付けられている。
そして、この円盤体35上に立設されたピン36にロッ
ド34の左端部が回転自在に連結されている。これによ
り、モータ32を作動させて円盤体35を回転させる
と、ピン36が図7の二点鎖線で示す円C上を回転し、
この結果、スライダ30がこの円Cの直径Lと等しい距
離間を往復運動する。このように往復運動するスライダ
30には、支持部材37が固着されており、この支持部
材37によって、キャリア2とシリンダ20とモータ2
1が組み付けられた支持体29が支持されている。これ
により、揺動機構3を作動させることで、キャリアヘッ
ド2とウエハWとが支持体29と共に上記距離Lを揺動
する。ここで、揺動機構3によるウエハWの揺動方向と
揺動距離とについて詳しく説明する。図5の二点鎖線で
示すように、ウエハWを揺動させない上記状態では、ウ
エハWの中心と定盤1−1〜1−3の中心点Oとが略一
致しているので、この状態でウエハWを回転させながら
研磨しても、斜線で示すように、定盤1−1〜1−3に
対するウエハWの非接触部分Bが研磨されないこととな
る。したがって、この非接触部分Bが定盤1−1〜1−
3のいずれかと接触するようにウエハWを揺動させるこ
とで、非接触部分Bを無くすことができる。しかし、ウ
エハWの揺動方向や揺動距離によっては、ウエハWの安
定性が損なわれたり、無駄な電力を消費することとな
る。発明者は、かかる点に着目して、この実施形態で
は、非接触部分Bの外周円即ち定盤1−1〜1−3の内
側内接円の半径の略半分の距離Mだけ、ウエハW(破線
で示す)を定盤1−1の径方向に揺動させることとし
た。これにより、ウエハWが定盤1−1の径方向に移動
するので、ウエハWが3つの定盤1−1〜1−3によっ
て安定的に支持される。しかも、揺動機構3が最低限の
距離Mだけ、キャリアヘッド2とシリンダ20とモータ
21とでなる組付体を揺動するだけで、非接触部分Bを
無くすことができるので、揺動機構3の電力消費が少な
く、その分コストダウンを図ることができる。したがっ
て、この実施形態では、スライダ30の駆動距離Lを上
記距離Mに設定してある。
【0018】上記のように定盤1−1〜1−3によって
研磨されるウエハWの研磨状態を測定することができる
ならば、ウエハWの高精度な研磨を達成することがで
き、好ましいことである。そこで、この実施形態では、
測定器4が設けられている。図8は、測定器4の構造を
示す断面図であり、図9は測定器4の配設状態を示す断
面図である。図8に示すように、測定器4は、膜厚測定
器40と演算器41とを有してなる。膜厚測定器40
は、図9に示すように、二点鎖線で示す定盤1−2,1
−3の間隙の直下に定盤1−1側を向いて固設されたレ
ール42上にスライド自在に取り付けられている。この
膜厚測定器40は、レーザビームを下方からウエハWの
研磨面に照射し、酸化膜の膜厚値を検出して演算器41
に出力する機器であり、図8に示すように、レール42
上をスライド可能な筐体40aにレーザセンサ43とポ
リゴンミラー44とを組み付けた構造になっている。具
体的には、本図と図9に示すように、筐体40aの両側
壁間にポリゴンミラー44が回転自在に取り付けられ、
その一方端面にギア44aが固着されている。また、こ
のポリゴンミラー44の隣にはモータ45が固設され、
その回転軸に取り付けられたギア45aがギア44aに
噛合されている。そして、レーザセンサ43がポリゴン
ミラー44の鏡面44b側を向いた状態で筐体40aに
固定され、このレーザセンサ43がレーザビームPを鏡
面44bに照射すると共に、鏡面44bから反射してき
たレーザビームPを受光して、ウエハWの酸化膜の膜厚
を検出するようになっている。このような構造の膜厚測
定器40は、アーム46を介して揺動機構3の支持部材
37に連結されており、ウエハWと同期して揺動するよ
うになっている。演算器41は、膜厚測定器40から出
力される膜厚値の信号に基づいて、ウエハWの研磨面の
平坦度や均一度を演算する機器である。上記構成によ
り、膜厚測定器40のモータ45を作動させると、ギア
45a,44aの噛合によって、ポリゴンミラー44が
回転する。このため、レーザセンサ43から照射された
レーザビームPが鏡面44bの傾斜角の変化によってウ
エハWの周縁部W1側から中心部W2側に向かって走査
することとなる。このとき膜厚測定器40がウエハWと
同期して揺動するため、周縁部W1から中心部W2まで
のレーザビームPの走査が確実に行われ、その膜厚値を
示す信号が連続的且つ経時的に演算器41に出力され
る。そして、演算器41によって、ウエハWの下面全体
の平坦度と均一度が演算され、作業者はその演算結果に
よりウエハWの周縁部W1から中心部W2に至る研磨状
態を連続的且つ経時的に知ることができる。
【0019】次に、この実施形態のCMP装置が示す動
作について説明する。まず、図2において、モータ17
〜19を作動させ、定盤1−1〜1−3を同方向に回転
させた状態で、ウエハWを保持したキャリアヘッド2を
シリンダ20によって下降させると、ウエハWの中心と
定盤1−1〜1−3の中心点Oとが略一致し、ウエハW
が定盤1−1〜1−3に安定した状態で載置されてい
る。この状態で、ウエハWを回転している定盤1−1〜
1−3の研磨パッド1a上に押圧しながらモータ21に
よってキャリアヘッド2を定盤1−1〜1−3と逆方向
に回転させると、ウエハWの下面の酸化膜が研磨パッド
1aによって研磨される。しかし、この状態では、図5
に示すように、ウエハWに非接触部分Bが生じ、ウエハ
Wの全面が研磨されない。そこで、揺動機構3を駆動さ
せると、破線で示すように、ウエハWが非接触部分Bの
半径分に略等しい距離Mだけ定盤1−1の径方向に揺動
し、回転するウエハWの下面全面が定盤1−1〜1−3
に接触して、ウエハWの下面全体が定盤1−1〜1−3
の研磨パッド1aによって研磨される。
【0020】ところで、回転する円盤体の周速度は中心
からの距離に比例することから、図10に示すように、
定盤1−1に対するウエハWの接触部分における周速度
v1の分布は破線で示すようになり、定盤1−1の接触
部分における周速度v2の分布は実線で示すようにな
る。そして、ウエハWと定盤1−1とが逆方向に回転し
ていることから、ウエハWの研磨に寄与するウエハWの
各部位における相対速度はv1−(−v2)=v1+v
2である。したがって、ウエハWの回転速度と定盤1−
1の回転速度との差が異常に大きくなければ、ウエハW
のすべての部位における相対速度v1+v2が略等しく
なり、ウエハWの下面が定盤1−1の研磨パッド1aに
よって略均一に研磨されることとなる。これは、定盤1
−2,1−3の研磨パッド1aによる研磨においても同
様である。
【0021】上記のようなウエハWの研磨状態は、測定
器4によって測定される。すなわち、図8に示すよう
に、膜厚測定器40のレーザセンサ43によって回転す
るウエハWの周縁部W1から中心部W2の走査が行わ
れ、ウエハW全面の膜厚値が連続的且つ経時的に演算器
41に出力され、ウエハW全面の平坦度と均一度とが演
算される。したがって、作業者は、測定器4の測定結果
からウエハWの中心部分の研磨レートが低いと判断した
場合には、エアポンプ9からエアホース90を介してキ
ャリアヘッド2の圧力室S1に供給されている空気の圧
力を増加させて、ウエハW全面の研磨レートを等しくす
ることで平坦度を高めることができる。また、研磨均一
度が悪い場合には、モータ17〜19やモータ21の回
転数を変化させることで、ウエハWの研磨均一度を高め
ることができる。そして、測定器4の測定結果を監視
し、ウエハWの膜厚値が最適になったときに、装置を停
止させることができる。
【0022】このように、この実施形態のCMP装置に
よれば、ウエハWの全面を研磨することができるので、
形状がドーナッツ状のウエハWだけでなく、円形のウエ
ハWをも研磨することができる。また、測定器4によっ
てウエハWの研磨状態を連続的且つ経時的に知ることが
できるので、ウエハWの酸化膜が最適な膜厚値になって
いるときに、装置を停止させることができ、この結果、
ウエハWの研磨過剰や研磨不足という事態は生ぜず、高
精度な研磨が可能となる。
【0023】ここでこの実施形態の装置を利用したドレ
ッシング方法について簡単に述べておく。定盤1−1〜
1−3を長時間使用すると、研磨パッド1aが偏摩耗を
生じたり、使いものにならなくなったりする。このよう
な場合には、研磨パッド1aをドレッシング等する必要
がある。しかし、CMP装置を停止させて研磨パッド1
aのドレッシング等を行うとCMP装置の稼働率が著し
く低下することとなる。そこで、キャリアヘッド2の代
わりにリング状又は円形状のドレッサをピストンロッド
20bに取り付け、定盤1−1〜1−3を軸11〜13
から外したもう一台の装置を用意しておく。そして、こ
の装置で予め定盤1−1〜1−3の研磨パッド1aをド
レッシングしておくことで、CMP装置の定盤1−1〜
1−3の研磨パッド1aにドレッシングが必要になった
ときに、双方の定盤1−1〜1−3を迅速に交換するこ
とができる。これにより、CMP装置の停止時間が定盤
1−1〜1−3の交換時間だけになり、CMP装置の稼
働率が著しく向上する。
【0024】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
3つの定盤1−1〜1−3を用いた装置について説明し
たが、2つの定盤を用いた装置や4以上の定盤を用いた
装置を除外するものではない。また、上記実施形態で
は、定盤1−1〜1−3をモータ17〜19によって各
々独立に回転させる構成としたが、ギア機構を用いて、
1つのモータで3つの定盤1−1〜1−3を一体に同方
向に回転させる構成とすることもできる。上記実施形態
では、光線としてのレーザビームを発振するレーザセン
サ43を用いたが、これに限るものではなく、光線とし
ての白色光をウエハWに照射して、ウエハWの酸化膜の
膜厚を測定可能なセンサなど、各種の周知のセンサを用
いることができる。さらに、上記実施形態の測定器4で
は、ポリゴンミラー44を用いて、レーザビームPを走
査する構成としたが、レーザセンサ43を上向きにし
て、ウエハWの径方向に揺動させたり、レーザセンサ4
3に首振り動作を行わせて走査する構成等、レーザビー
ムPをウエハWの径方向に走査させるためのあらゆる構
成を採ることができる。
【0025】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、請求項1の
発明によれば、揺動機構の作用によってワークの加工面
全体を加工することができるので、形状がドーナッツ状
のワークだけでなく、円形等各種形状のワークを均一に
加工することができる。また、請求項2の発明によれ
ば、ワークを複数の定盤に安定して接触させることがで
きると共に、短いワーク移動距離で加工面全体を加工す
ることができる。また、請求項3の発明によれば、定盤
数を3つにしたことにより、コスト面の節約を図ること
ができるだけでなく、ワークの接触安定性をも向上させ
ることができる。請求項4の発明によれば、この発明の
ワーク面加工装置を研削装置,ラッピング装置又はポリ
ッシング装置のいずれにも適用することができる。請求
項5の発明によれば、ウエハの表面全体を均一に加工す
ることができる。さらに、請求項6の発明によれば、ワ
ークの加工面全体を連続的に測定することができるの
で、最適な加工量を検知することができ、この結果、ワ
ークの研磨過剰や研磨不足という事態の発生を防止する
ことができ、高精度なワーク加工が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係るワーク面加工装置
を示す平面図である。
【図2】図1の矢視A−A断面図である。
【図3】シリンダとモータとの機構を示す断面図であ
る。
【図4】キャリアヘッドの断面図である。
【図5】ウエハの揺動方向と揺動距離とを説明するため
の平面図である。
【図6】揺動機構を示す断面図である。
【図7】揺動機構を示す平面図である。
【図8】測定器の構造を示す断面図である。
【図9】測定器の配設状態を示す断面図である。
【図10】ウエハの接触部分の相対速度を説明するため
の平面図である。
【図11】従来の研磨装置を示す平面図である。
【図12】従来のウエハ研磨状態の測定技術を示す断面
図である。
【符号の説明】
1−1〜1−3…定盤、 1a…研磨パッド、 2…キ
ャリアヘッド、 3…揺動機構、 4…測定器、 20
…シリンダ、 21…モータ、 B…非接触部分、 W
…ウエハ。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 略点対称に配設され且つ各中心周りで回
    転可能な複数の定盤と、 ワークを上記複数の定盤に渡って接触させ、このワーク
    を押圧しながら回転させる加圧体と、 上記複数の定盤に対する上記ワークの非接触部分が無く
    なる方向に上記加圧体を揺動させる揺動機構とを具備す
    ることを特徴とするワーク面加工装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のワーク面加工装置にお
    いて、 上記加圧体は、上記ワークの中心が上記複数の定盤の中
    心に略一致するように上記ワークを上記複数の定盤に渡
    って接触させ、 上記揺動機構は、上記複数の定盤の内側外接円の略半径
    分の距離だけ上記ワークが一の定盤の径方向に移動する
    ように、上記加圧体を揺動させるものである、 ことを特徴とするワーク面加工装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載のワーク面
    加工装置において、 上記定盤の数は3である、 ことを特徴とするワーク面加工装置。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれかに記
    載のワーク面加工装置において、 上記定盤は、砥石定盤,ラッピング定盤又はポリッシン
    グ定盤のいずれかである、 ことを特徴とするワーク面加工装置。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれかに記
    載のワーク面加工装置において、 上記ワークはウエハである、 ことを特徴とするワーク面加工装置。
  6. 【請求項6】 請求項1ないし請求項5のいずれかに記
    載のワーク面加工装置において、 光線を少なく共上記ワークの加工面の中心から周縁迄走
    査させて加工面全体の加工状態を測定する測定器を設け
    た、 ことを特徴とするワーク面加工装置。
JP7655198A 1998-03-10 1998-03-10 ワーク面加工装置 Pending JPH11254314A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7655198A JPH11254314A (ja) 1998-03-10 1998-03-10 ワーク面加工装置
US09/235,099 US6068545A (en) 1998-03-10 1999-01-21 Workpiece surface processing apparatus
TW088101845A TW394719B (en) 1998-03-10 1999-02-06 Workpiece surface processing apparatus
EP99101694A EP0941805A3 (en) 1998-03-10 1999-02-08 Workpiece surface processing apparatus
KR1019990006264A KR19990077476A (ko) 1998-03-10 1999-02-25 작업편면가공장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7655198A JPH11254314A (ja) 1998-03-10 1998-03-10 ワーク面加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11254314A true JPH11254314A (ja) 1999-09-21

Family

ID=13608408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7655198A Pending JPH11254314A (ja) 1998-03-10 1998-03-10 ワーク面加工装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6068545A (ja)
EP (1) EP0941805A3 (ja)
JP (1) JPH11254314A (ja)
KR (1) KR19990077476A (ja)
TW (1) TW394719B (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6340326B1 (en) 2000-01-28 2002-01-22 Lam Research Corporation System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers
US6705930B2 (en) * 2000-01-28 2004-03-16 Lam Research Corporation System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques
US6609950B2 (en) * 2000-07-05 2003-08-26 Ebara Corporation Method for polishing a substrate
US6640155B2 (en) 2000-08-22 2003-10-28 Lam Research Corporation Chemical mechanical polishing apparatus and methods with central control of polishing pressure applied by polishing head
US6585572B1 (en) 2000-08-22 2003-07-01 Lam Research Corporation Subaperture chemical mechanical polishing system
US7481695B2 (en) 2000-08-22 2009-01-27 Lam Research Corporation Polishing apparatus and methods having high processing workload for controlling polishing pressure applied by polishing head
US6652357B1 (en) 2000-09-22 2003-11-25 Lam Research Corporation Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing
US6471566B1 (en) * 2000-09-18 2002-10-29 Lam Research Corporation Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same
US6443815B1 (en) 2000-09-22 2002-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and methods for controlling pad conditioning head tilt for chemical mechanical polishing
US7195535B1 (en) * 2004-07-22 2007-03-27 Applied Materials, Inc. Metrology for chemical mechanical polishing
GB0900949D0 (en) * 2009-01-21 2009-03-04 Ind Valve Services Pte Ltd Safety calve re-machining
DE102010063179B4 (de) * 2010-12-15 2012-10-04 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen Material abtragenden Bearbeitung beider Seiten mindestens dreier Halbleiterscheiben
CN111360687B (zh) * 2018-12-26 2021-06-01 力山工业股份有限公司 自动研磨装置
US20220297258A1 (en) * 2021-03-17 2022-09-22 Applied Materials, Inc. Substrate polishing simultaneously over multiple mini platens
CN113894680B (zh) * 2021-09-13 2023-03-31 莱州市蔚仪试验器械制造有限公司 一种加压装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3968598A (en) * 1972-01-20 1976-07-13 Canon Kabushiki Kaisha Workpiece lapping device
JPS6411757A (en) * 1987-07-01 1989-01-17 Tomoaki Goto Grinding machine
JP2644058B2 (ja) * 1989-11-10 1997-08-25 不二越機械工業株式会社 ウエハー加工装置
DE69317838T2 (de) * 1992-09-24 1998-11-12 Ebara Corp Poliergerät
US5435772A (en) * 1993-04-30 1995-07-25 Motorola, Inc. Method of polishing a semiconductor substrate
JP2910507B2 (ja) * 1993-06-08 1999-06-23 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法
US5791969A (en) * 1994-11-01 1998-08-11 Lund; Douglas E. System and method of automatically polishing semiconductor wafers
JPH08174411A (ja) * 1994-12-22 1996-07-09 Ebara Corp ポリッシング装置
US5868605A (en) * 1995-06-02 1999-02-09 Speedfam Corporation In-situ polishing pad flatness control
US5674109A (en) * 1995-09-13 1997-10-07 Ebara Corporation Apparatus and method for polishing workpiece
JPH09277158A (ja) * 1996-04-15 1997-10-28 Speedfam Co Ltd ディスクの条痕パターン形成方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0941805A3 (en) 2002-06-05
KR19990077476A (ko) 1999-10-25
US6068545A (en) 2000-05-30
TW394719B (en) 2000-06-21
EP0941805A2 (en) 1999-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11254314A (ja) ワーク面加工装置
US6074277A (en) Polishing apparatus
KR100289985B1 (ko) 연마패드의관리방법및장치
US8655478B2 (en) Dressing method, method of determining dressing conditions, program for determining dressing conditions, and polishing apparatus
KR100425937B1 (ko) 표면가공방법 및 장치
KR20050083738A (ko) 얇은 원판형상 공작물의 양면 연삭방법 및 양면 연삭장치
US20150024662A1 (en) Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder
US6066230A (en) Planarization method, workpiece measuring method, and surface planarization apparatus having a measuring device
JPH05131359A (ja) 均一速度両面研磨装置及びその使用方法
JPH11320359A (ja) 磁気ディスク基板の鏡面加工装置及び方法
US6336855B1 (en) Grindstone for ELID grinding and apparatus for ELID surface grinding
JP4324933B2 (ja) 平面研磨装置
JP2002307303A (ja) 薄板円板状ワークの両面研削方法および装置
KR100692313B1 (ko) 씨엠피 장치
JPH10180613A (ja) ポリッシング装置
JPH11221757A (ja) 回転加工工具を用いた加工方法及び加工装置
JPH065079Y2 (ja) 研摩装置
JP3007678B2 (ja) ポリッシング装置とそのポリッシング方法
JP2001293653A (ja) 平面研磨装置
JPH09193002A (ja) ウェーハ用ラップ機の定盤修正キャリヤ
JP2001239457A (ja) ポリッシング装置
JPH09323246A (ja) 両頭平面研削装置
JP2023144946A (ja) 研磨装置および研磨方法
JP2001079737A (ja) 研削砥石および両面研削装置
CN116890298A (zh) 研磨终点检测装置和cmp装置