JPH11242345A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH11242345A JPH11242345A JP10043107A JP4310798A JPH11242345A JP H11242345 A JPH11242345 A JP H11242345A JP 10043107 A JP10043107 A JP 10043107A JP 4310798 A JP4310798 A JP 4310798A JP H11242345 A JPH11242345 A JP H11242345A
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- resist
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- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学増幅型のネガレジストからなるレジスト
膜に極紫外線をパターン露光してポジ型のレジストパタ
ーンを形成する方法において、得られるレジストパター
ンの寸法精度を向上させる。 【解決手段】 ポリマーと、極紫外線が照射されると酸
を発生する酸発生剤と、酸の存在下でポリマーを架橋さ
せる架橋剤とを有する化学増幅型ネガレジストを半導体
基板１１上に塗布してレジスト膜１２を形成する。次
に、レジスト膜１２に極紫外線１３をパターン露光し
て、レジスト膜１２の露光部１２ａにおいて、酸を発生
させると共に発生した酸の働きによりポリマーを架橋さ
せる。次に、レジスト膜１２の表面にシリル化剤１５を
供給して、レジスト膜１２の未露光部１２ｂの表面にシ
リル化層１６を形成する。レジスト膜１２に対してシリ
ル化層１６をマスクとしてドライエッチングを行なっ
て、レジスト膜１２の未露光部１２ｂからなるレジスト
パターン１８を形成する。
膜に極紫外線をパターン露光してポジ型のレジストパタ
ーンを形成する方法において、得られるレジストパター
ンの寸法精度を向上させる。 【解決手段】 ポリマーと、極紫外線が照射されると酸
を発生する酸発生剤と、酸の存在下でポリマーを架橋さ
せる架橋剤とを有する化学増幅型ネガレジストを半導体
基板１１上に塗布してレジスト膜１２を形成する。次
に、レジスト膜１２に極紫外線１３をパターン露光し
て、レジスト膜１２の露光部１２ａにおいて、酸を発生
させると共に発生した酸の働きによりポリマーを架橋さ
せる。次に、レジスト膜１２の表面にシリル化剤１５を
供給して、レジスト膜１２の未露光部１２ｂの表面にシ
リル化層１６を形成する。レジスト膜１２に対してシリ
ル化層１６をマスクとしてドライエッチングを行なっ
て、レジスト膜１２の未露光部１２ｂからなるレジスト
パターン１８を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置の製造工程において、半導体基板上にレジストパター
ンを形成するパターン形成方法に関する。
置の製造工程において、半導体基板上にレジストパター
ンを形成するパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置の製造工程に
おいては、紫外線を用いたホトリソグラフィによってレ
ジストパターンを形成しているが、近年の半導体集積回
路装置の高密度化及び高集積化に伴い、微細加工技術の
必要性が増大しており、これに対応するためには、露光
光源の短波長化が望まれる。
おいては、紫外線を用いたホトリソグラフィによってレ
ジストパターンを形成しているが、近年の半導体集積回
路装置の高密度化及び高集積化に伴い、微細加工技術の
必要性が増大しており、これに対応するためには、露光
光源の短波長化が望まれる。
【０００３】露光光源の短波長化に伴い、レジスト膜の
下地基板からの反射光やレジスト膜の段差の影響が顕著
になってくるので、これらの影響を回避するために、レ
ジスト膜の表面にマスク層を形成し、該マスク層を用い
てレジスト膜をパターニングする表面解像プロセス、例
えば、露光光源としてＡｒＦエキシマレーザ（波長：１
９３ｎｍ）を用いると共に、レジスト材料として化学増
幅型レジストを用いるパターン形成方法が提案されてい
る。
下地基板からの反射光やレジスト膜の段差の影響が顕著
になってくるので、これらの影響を回避するために、レ
ジスト膜の表面にマスク層を形成し、該マスク層を用い
てレジスト膜をパターニングする表面解像プロセス、例
えば、露光光源としてＡｒＦエキシマレーザ（波長：１
９３ｎｍ）を用いると共に、レジスト材料として化学増
幅型レジストを用いるパターン形成方法が提案されてい
る。
【０００４】以下、化学増幅型ネガレジストに対してＡ
ｒＦエキシマレーザをパターン露光してポジ型のレジス
トパターンを形成する方法について、図２（ａ）〜
（ｃ）及び図３（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明す
る。
ｒＦエキシマレーザをパターン露光してポジ型のレジス
トパターンを形成する方法について、図２（ａ）〜
（ｃ）及び図３（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明す
る。
【０００５】まず、図２（ａ）に示すように、半導体基
板１の上に、ポリマーと、露光により酸を発生する酸発
生剤と、酸の存在下で加熱されるとポリマーを架橋させ
る架橋剤とを含む化学増幅型ネガレジストを塗布してレ
ジスト膜２を形成した後、図２（ｂ）に示すように、レ
ジスト膜２に対してエキシマレーザ３を所望のパターン
形状を持つマスク４を介して露光する。このようにする
と、レジスト膜２における露光部２ａにおいて酸発生剤
から酸が発生する。
板１の上に、ポリマーと、露光により酸を発生する酸発
生剤と、酸の存在下で加熱されるとポリマーを架橋させ
る架橋剤とを含む化学増幅型ネガレジストを塗布してレ
ジスト膜２を形成した後、図２（ｂ）に示すように、レ
ジスト膜２に対してエキシマレーザ３を所望のパターン
形状を持つマスク４を介して露光する。このようにする
と、レジスト膜２における露光部２ａにおいて酸発生剤
から酸が発生する。
【０００６】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板１ひいてはレジスト膜２を加熱すると、レジスト膜２
の露光部２ａにおいては、酸が発生しているのでポリマ
ーが架橋剤の働きによって架橋する一方、未露光部２ｂ
においては、酸が発生していないのでポリマーは架橋し
ない。
板１ひいてはレジスト膜２を加熱すると、レジスト膜２
の露光部２ａにおいては、酸が発生しているのでポリマ
ーが架橋剤の働きによって架橋する一方、未露光部２ｂ
においては、酸が発生していないのでポリマーは架橋し
ない。
【０００７】次に、図３（ａ）に示すように、レジスト
膜２の表面に全面に亘って、気相又は液相のジメチルシ
リルジメチルアミン（ＤＭＳＤＭＡ）からなるシリル化
剤５を供給する。このようにすると、レジスト膜２の未
露光部２ｂの表面にはシリル化層６Ａが形成されるが、
架橋している露光部２ａの表面にはシリル化層６Ａは形
成されない。
膜２の表面に全面に亘って、気相又は液相のジメチルシ
リルジメチルアミン（ＤＭＳＤＭＡ）からなるシリル化
剤５を供給する。このようにすると、レジスト膜２の未
露光部２ｂの表面にはシリル化層６Ａが形成されるが、
架橋している露光部２ａの表面にはシリル化層６Ａは形
成されない。
【０００８】次に、図３（ｂ）に示すように、レジスト
膜２に対してシリル化層６ＡをマスクとしてＯ2 ガスか
らなるエッチングガス７Ａによりドライエッチングを行
なうことにより、レジスト膜２の未露光部２ｂからなる
ポジ型のレジストパターン８Ａを形成する。
膜２に対してシリル化層６ＡをマスクとしてＯ2 ガスか
らなるエッチングガス７Ａによりドライエッチングを行
なうことにより、レジスト膜２の未露光部２ｂからなる
ポジ型のレジストパターン８Ａを形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体集積
回路装置の一層の高集積化及びダウンサイジング化の要
望に対応するために、０．１μｍ前後のライン幅を有す
る微細なレジストパターンを形成する方法の開発が望ま
れる。
回路装置の一層の高集積化及びダウンサイジング化の要
望に対応するために、０．１μｍ前後のライン幅を有す
る微細なレジストパターンを形成する方法の開発が望ま
れる。
【００１０】そこで、リソグラフィ工程における露光光
の解像度を高くするために、露光光源として、ＡｒＦエ
キシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）に代えて、波長が１
３ｎｍ帯又は５ｎｍ帯の光である極紫外線を用いること
が考慮される。
の解像度を高くするために、露光光源として、ＡｒＦエ
キシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）に代えて、波長が１
３ｎｍ帯又は５ｎｍ帯の光である極紫外線を用いること
が考慮される。
【００１１】以下、本件発明の前提として本件発明者が
考慮したパターン形成方法、つまり、下記の組成を有す
る化学増幅型ネガレジストからなるレジスト膜に極紫外
線をパターン露光してポジ型のレジストパターンを形成
する方法について、図４（ａ）〜（ｃ）及び図５
（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明する。
考慮したパターン形成方法、つまり、下記の組成を有す
る化学増幅型ネガレジストからなるレジスト膜に極紫外
線をパターン露光してポジ型のレジストパターンを形成
する方法について、図４（ａ）〜（ｃ）及び図５
（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明する。
【００１２】 ポリマー………ポリビニルフェノール １ｇ 架橋剤…………メラミン ０．２５ｇ 酸発生剤………トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０４ｇ 溶媒……………ジグライム ５ｇ まず、図４（ａ）に示すように、半導体基板１の上に化
学増幅型ネガレジストからなり０．５μｍの膜厚を有す
るレジスト膜２を形成した後、図４（ｂ）に示すよう
に、レジスト膜２に対してマスク４を介して例えば波長
が１３ｎｍ帯の光からなる極紫外線９を露光して、レジ
スト膜２の露光部２ａに酸発生剤から酸を発生させる。
学増幅型ネガレジストからなり０．５μｍの膜厚を有す
るレジスト膜２を形成した後、図４（ｂ）に示すよう
に、レジスト膜２に対してマスク４を介して例えば波長
が１３ｎｍ帯の光からなる極紫外線９を露光して、レジ
スト膜２の露光部２ａに酸発生剤から酸を発生させる。
【００１３】次に、図４（ｃ）に示すように、半導体基
板１を１００℃の温度下で６０秒間ホットプレートによ
り加熱する。このようにすると、酸発生剤から発生した
酸の働きにより、ポリマーと架橋剤とが反応して、つま
りポリマーに含まれる架橋反応基としての水酸基が架橋
剤と反応してレジスト膜２の露光部２ａは架橋する。
板１を１００℃の温度下で６０秒間ホットプレートによ
り加熱する。このようにすると、酸発生剤から発生した
酸の働きにより、ポリマーと架橋剤とが反応して、つま
りポリマーに含まれる架橋反応基としての水酸基が架橋
剤と反応してレジスト膜２の露光部２ａは架橋する。
【００１４】次に、図５（ａ）に示すように、レジスト
膜２の表面に全面に亘って、気相又は液相のジメチルシ
リルジメチルアミン（ＤＭＳＤＭＡ）からなるシリル化
剤５を供給する。このようにすると、レジスト膜２の未
露光部２ｂの表面にシリル化層６Ｂが形成されるが、架
橋しているレジスト膜２の露光部２ａにはシリル化層６
Ｂは形成されない。
膜２の表面に全面に亘って、気相又は液相のジメチルシ
リルジメチルアミン（ＤＭＳＤＭＡ）からなるシリル化
剤５を供給する。このようにすると、レジスト膜２の未
露光部２ｂの表面にシリル化層６Ｂが形成されるが、架
橋しているレジスト膜２の露光部２ａにはシリル化層６
Ｂは形成されない。
【００１５】次に、図５（ｂ）に示すように、レジスト
膜２に対してシリル化層６ＢをマスクとしてＯ2 ガスか
らなるエッチングガス７Ｂによりドライエッチングを行
なって、レジスト膜２の未露光部２ｂからなるポジ型の
レジストパターン８Ｂを形成する。
膜２に対してシリル化層６ＢをマスクとしてＯ2 ガスか
らなるエッチングガス７Ｂによりドライエッチングを行
なって、レジスト膜２の未露光部２ｂからなるポジ型の
レジストパターン８Ｂを形成する。
【００１６】ところが、図４（ｃ）に示すように、レジ
スト膜２におけるポリマーが架橋する領域（密な点々で
示す領域）は、露光部２ａのみならず未露光部２ｂにも
拡がっているので、図５（ａ）に示すように、シリル化
層６Ｂの大きさ（幅）はレジスト膜２の未露光部２ｂの
大きさ（幅）よりも小さい。このため、図５（ｂ）に示
すように、レジストパターン８Ｂの大きさ（幅）はマス
ク４の遮光部の大きさ（幅）よりも小さくなってしまう
という問題が発生した。このように、レジストパターン
８Ｂの寸法精度の低下は、半導体集積回路装置の製造方
法の後工程における不良要因になる。
スト膜２におけるポリマーが架橋する領域（密な点々で
示す領域）は、露光部２ａのみならず未露光部２ｂにも
拡がっているので、図５（ａ）に示すように、シリル化
層６Ｂの大きさ（幅）はレジスト膜２の未露光部２ｂの
大きさ（幅）よりも小さい。このため、図５（ｂ）に示
すように、レジストパターン８Ｂの大きさ（幅）はマス
ク４の遮光部の大きさ（幅）よりも小さくなってしまう
という問題が発生した。このように、レジストパターン
８Ｂの寸法精度の低下は、半導体集積回路装置の製造方
法の後工程における不良要因になる。
【００１７】前記に鑑み、本発明は、化学増幅型のネガ
レジストからなるレジスト膜に極紫外線をパターン露光
してポジ型のレジストパターンを形成する方法におい
て、得られるレジストパターンの寸法精度を向上させる
ことを目的とする。
レジストからなるレジスト膜に極紫外線をパターン露光
してポジ型のレジストパターンを形成する方法におい
て、得られるレジストパターンの寸法精度を向上させる
ことを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本件発明者は、レジスト
膜におけるポリマーが架橋する領域がレジスト膜の露光
部のみならず未露光部にも拡がる原因について検討を加
えた結果、レジスト膜に対して極紫外線をパターン露光
したときに、極紫外線のエネルギーが従来のＡｒＦエキ
シマレーザのエネルギーよりも高いので、レジスト膜の
未露光部における露光部と接する領域においても、露光
部に比べると少ないが酸発生剤から酸が発生する。この
ため、レジスト膜を加熱すると、レジスト膜の露光部の
みならず、レジスト膜の未露光部における露光部と接す
る領域においても、ポリマーが架橋するためであること
を見出した。
膜におけるポリマーが架橋する領域がレジスト膜の露光
部のみならず未露光部にも拡がる原因について検討を加
えた結果、レジスト膜に対して極紫外線をパターン露光
したときに、極紫外線のエネルギーが従来のＡｒＦエキ
シマレーザのエネルギーよりも高いので、レジスト膜の
未露光部における露光部と接する領域においても、露光
部に比べると少ないが酸発生剤から酸が発生する。この
ため、レジスト膜を加熱すると、レジスト膜の露光部の
みならず、レジスト膜の未露光部における露光部と接す
る領域においても、ポリマーが架橋するためであること
を見出した。
【００１９】また、極紫外線のエネルギーはＡｒＦエキ
シマレーザのエネルギーよりも高いので、レジスト膜の
ポリマーは、極紫外線の照射のみによって、つまり加熱
を伴わなくても、架橋することも見出した。
シマレーザのエネルギーよりも高いので、レジスト膜の
ポリマーは、極紫外線の照射のみによって、つまり加熱
を伴わなくても、架橋することも見出した。
【００２０】本発明は前記の知見に基づいてなされたも
のであって、化学増幅型のネガレジストからなるレジス
ト膜の露光部において、ポリマーを加熱を伴うことなく
極紫外線の照射のみによって架橋させるものである。
のであって、化学増幅型のネガレジストからなるレジス
ト膜の露光部において、ポリマーを加熱を伴うことなく
極紫外線の照射のみによって架橋させるものである。
【００２１】具体的には、本発明に係るパターン形成方
法は、ポリマーと、極紫外線が照射されると酸を発生す
る酸発生剤と、酸の存在下でポリマーを架橋させる架橋
剤とを有する化学増幅型ネガレジストを基板上に塗布し
てレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に極紫外線
をパターン露光することにより、レジスト膜の露光部に
おいて、酸を発生させると共に発生した酸の働きにより
ポリマーを架橋させる工程と、レジスト膜の表面にシリ
ル化剤を供給して、レジスト膜の未露光部の表面にシリ
ル化層を形成する工程と、レジスト膜に対してシリル化
層をマスクとしてドライエッチングを行なって、レジス
ト膜の未露光部からなるレジストパターンを形成する工
程とを備えている。
法は、ポリマーと、極紫外線が照射されると酸を発生す
る酸発生剤と、酸の存在下でポリマーを架橋させる架橋
剤とを有する化学増幅型ネガレジストを基板上に塗布し
てレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に極紫外線
をパターン露光することにより、レジスト膜の露光部に
おいて、酸を発生させると共に発生した酸の働きにより
ポリマーを架橋させる工程と、レジスト膜の表面にシリ
ル化剤を供給して、レジスト膜の未露光部の表面にシリ
ル化層を形成する工程と、レジスト膜に対してシリル化
層をマスクとしてドライエッチングを行なって、レジス
ト膜の未露光部からなるレジストパターンを形成する工
程とを備えている。
【００２２】本発明のパターン形成方法によると、レジ
スト膜に極紫外線をパターン露光することにより、レジ
スト膜の露光部において酸を発生させると共に発生した
酸の働きによりポリマーを架橋させるため、パターン露
光の後にレジスト膜を加熱する場合に比べて、ポリマー
の架橋反応が抑制される。このため、レジスト膜の未露
光部における露光部と隣接する領域に酸が発生しても、
レジスト膜におけるポリマーが架橋する領域は露光部に
限られる。
スト膜に極紫外線をパターン露光することにより、レジ
スト膜の露光部において酸を発生させると共に発生した
酸の働きによりポリマーを架橋させるため、パターン露
光の後にレジスト膜を加熱する場合に比べて、ポリマー
の架橋反応が抑制される。このため、レジスト膜の未露
光部における露光部と隣接する領域に酸が発生しても、
レジスト膜におけるポリマーが架橋する領域は露光部に
限られる。
【００２３】本発明のパターン形成方法において、極紫
外線は、波長が１３ｎｍ帯の光又は波長が５ｎｍ帯の光
であることが好ましい。
外線は、波長が１３ｎｍ帯の光又は波長が５ｎｍ帯の光
であることが好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
パターン形成方法について図１（ａ）〜（ｄ）を参照し
ながら説明する。
パターン形成方法について図１（ａ）〜（ｄ）を参照し
ながら説明する。
【００２５】一実施形態に係るパターン形成方法は、下
記の組成を有する化学増幅型ネガレジストを用いる。
記の組成を有する化学増幅型ネガレジストを用いる。
【００２６】 ポリマー………ポリビニルフェノール １ｇ 架橋剤…………メラミン ０．２５ｇ 酸発生剤………トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０４ｇ 溶媒……………ジグライム まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板１１の上に
化学増幅型ネガレジストからなり０．５μｍの膜厚を有
するレジスト膜１２を形成した後、図１（ｂ）に示すよ
うに、レジスト膜１２に対して例えば波長が１３ｎｍ帯
の光からなる極紫外線１３をマスク１４を介して露光し
て、レジスト膜１２の露光部１２ａにおいて、酸発生剤
から酸を発生させると共に発生した酸の働きによりポリ
マーを架橋させる。この場合、極紫外線はエネルギーが
高いので、レジスト膜１２の露光部１２ａにおいては、
極紫外線の照射のみで加熱処理を施さなくてもポリマー
は架橋する。また、パターン露光の後にレジスト膜を加
熱する場合に比べて、ポリマーの架橋反応は抑制され
る。従って、レジスト膜１２の未露光部１２ｂにおける
露光部１２ａと隣接する領域に酸が発生しても、レジス
ト膜１２におけるポリマーが架橋する領域は露光部１２
ａに限られる。
化学増幅型ネガレジストからなり０．５μｍの膜厚を有
するレジスト膜１２を形成した後、図１（ｂ）に示すよ
うに、レジスト膜１２に対して例えば波長が１３ｎｍ帯
の光からなる極紫外線１３をマスク１４を介して露光し
て、レジスト膜１２の露光部１２ａにおいて、酸発生剤
から酸を発生させると共に発生した酸の働きによりポリ
マーを架橋させる。この場合、極紫外線はエネルギーが
高いので、レジスト膜１２の露光部１２ａにおいては、
極紫外線の照射のみで加熱処理を施さなくてもポリマー
は架橋する。また、パターン露光の後にレジスト膜を加
熱する場合に比べて、ポリマーの架橋反応は抑制され
る。従って、レジスト膜１２の未露光部１２ｂにおける
露光部１２ａと隣接する領域に酸が発生しても、レジス
ト膜１２におけるポリマーが架橋する領域は露光部１２
ａに限られる。
【００２７】次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト
膜１２の表面に全面に亘って、気相又は液相のジメチル
シリルジメチルアミン（ＤＭＳＤＭＡ）からなるシリル
化剤１５を供給する。このようにすると、レジスト膜１
２の未露光部１２ｂの表面にのみ選択的にシリル化層１
６が形成される。
膜１２の表面に全面に亘って、気相又は液相のジメチル
シリルジメチルアミン（ＤＭＳＤＭＡ）からなるシリル
化剤１５を供給する。このようにすると、レジスト膜１
２の未露光部１２ｂの表面にのみ選択的にシリル化層１
６が形成される。
【００２８】次に、図１（ｄ）に示すように、レジスト
膜１２に対してシリル化層１６をマスクとしてＯ2 ガス
からなるエッチングガス１７によりドライエッチングを
行なって、レジスト膜１２の未露光部１２ｂからなるポ
ジ型のレジストパターン１８を形成する。
膜１２に対してシリル化層１６をマスクとしてＯ2 ガス
からなるエッチングガス１７によりドライエッチングを
行なって、レジスト膜１２の未露光部１２ｂからなるポ
ジ型のレジストパターン１８を形成する。
【００２９】本発明の一実施形態によると、レジスト膜
１２におけるポリマーが架橋する領域は露光部１２ａに
限られているため、レジスト膜１２の表面に形成される
シリル化層１６の大きさ（幅）はレジスト膜１２の未露
光部１２ｂの大きさ（幅）とほぼ一致するので、寸法精
度に優れたレジストパターン１７を形成することができ
る。
１２におけるポリマーが架橋する領域は露光部１２ａに
限られているため、レジスト膜１２の表面に形成される
シリル化層１６の大きさ（幅）はレジスト膜１２の未露
光部１２ｂの大きさ（幅）とほぼ一致するので、寸法精
度に優れたレジストパターン１７を形成することができ
る。
【００３０】尚、極紫外線としては、波長が１３ｎｍ帯
の光に代えて、波長が５ｎｍ帯の光を用いることができ
る。
の光に代えて、波長が５ｎｍ帯の光を用いることができ
る。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係るパターン形成方法による
と、レジスト膜に極紫外線をパターン露光することによ
り、レジスト膜の露光部において酸を発生させると共に
発生した酸の働きによりポリマーを架橋させるため、パ
ターン露光の後にレジスト膜を加熱する場合に比べて、
ポリマーの架橋反応が抑制され、レジスト膜の未露光部
における露光部と隣接する領域に酸が発生しても、レジ
スト膜におけるポリマーが架橋する領域は露光部に限ら
れるので、レジスト膜の表面に形成されるシリル化層の
大きさはレジスト膜の未露光部の大きさとほぼ一致す
る。従って、レジスト膜に対してシリル化層をマスクと
してドライエッチングを行なって得られるレジストパタ
ーンの寸法精度は大きく向上する。
と、レジスト膜に極紫外線をパターン露光することによ
り、レジスト膜の露光部において酸を発生させると共に
発生した酸の働きによりポリマーを架橋させるため、パ
ターン露光の後にレジスト膜を加熱する場合に比べて、
ポリマーの架橋反応が抑制され、レジスト膜の未露光部
における露光部と隣接する領域に酸が発生しても、レジ
スト膜におけるポリマーが架橋する領域は露光部に限ら
れるので、レジスト膜の表面に形成されるシリル化層の
大きさはレジスト膜の未露光部の大きさとほぼ一致す
る。従って、レジスト膜に対してシリル化層をマスクと
してドライエッチングを行なって得られるレジストパタ
ーンの寸法精度は大きく向上する。
【００３２】本発明のパターン形成方法において、極紫
外線として波長が１３ｎｍ帯の光又は波長が５ｎｍ帯の
光を用いると、リソグラフィ工程における露光光の解像
度を確実に向上させることができる。
外線として波長が１３ｎｍ帯の光又は波長が５ｎｍ帯の
光を用いると、リソグラフィ工程における露光光の解像
度を確実に向上させることができる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係る
パターン形成方法の各工程を示す断面図である。
パターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、従来のパターン形成方法の
各工程を示す断面図である。
各工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、従来のパターン形成方法の
各工程を示す断面図である。
各工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の前提となるパター
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、本発明の前提となるパター
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
１１ 半導体基板 １２ レジスト膜 １２ａ 露光部 １２ｂ 未露光部 １３ 極紫外線 １４ マスク １５ シリル化剤 １６ シリル化層 １７ エッチングガス １８ レジストパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 ポリマーと、極紫外線が照射されると酸
を発生する酸発生剤と、酸の存在下で前記ポリマーを架
橋させる架橋剤とを有する化学増幅型ネガレジストを基
板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に極紫外線をパターン露光することによ
り、前記レジスト膜の露光部において、酸を発生させる
と共に発生した酸の働きにより前記ポリマーを架橋させ
る工程と、 前記レジスト膜の表面にシリル化剤を供給して、前記レ
ジスト膜の未露光部の表面にシリル化層を形成する工程
と、 前記レジスト膜に対して前記シリル化層をマスクとして
ドライエッチングを行なって、前記レジスト膜の未露光
部からなるレジストパターンを形成する工程とを備えて
いることを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記極紫外線は、波長が１３ｎｍ帯の光
又は波長が５ｎｍ帯の光であることを特徴とする請求項
１に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043107A JPH11242345A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | パターン形成方法 |
| US09/212,412 US6331378B1 (en) | 1998-02-25 | 1998-12-16 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043107A JPH11242345A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11242345A true JPH11242345A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12654622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10043107A Pending JPH11242345A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11242345A (ja) |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP10043107A patent/JPH11242345A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041130 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050329 |