JPH11236530A - シリカ系被膜形成用塗布液及びシリカ系被膜 - Google Patents
シリカ系被膜形成用塗布液及びシリカ系被膜Info
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- JPH11236530A JPH11236530A JP10041896A JP4189698A JPH11236530A JP H11236530 A JPH11236530 A JP H11236530A JP 10041896 A JP10041896 A JP 10041896A JP 4189698 A JP4189698 A JP 4189698A JP H11236530 A JPH11236530 A JP H11236530A
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- coating
- silica
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 金属配線との接着性を向上させ、熱的に安定
で成膜性の良好なシリカ系被膜形成用塗布液及びシリカ
系被膜の提供。 【解決手段】 （Ａ）ＲｎＳｉ（ＯＲ）４−ｎ （Ｒは、Ｃ１〜４アルキル基、ｎは０〜２）で表される
アルコキシシラン化合物と（Ｂ）ＰｈＳｉ（ＯＲ）３ （Ｐｈはフェニル基、Ｒはアルキル基）で表されるフェ
ニルアルコキシシラン化合物を加水分解及び重縮合させ
て得られるアルコキシシランオリゴマー並びに（Ｃ）Ｈ
ｎＳｉ（ＯＲ）４−ｎ （Ｒは、Ｃ１〜４アルキル基、ｎは１又は２）で表され
るアルコキシシラン化合物、アミノアルキルアルコキシ
シラン化合物及びジルコニウムアルコキシド化合物少な
くとも一種の化合物を含有してなる塗布液及びこの塗布
液を、基体表面上に塗布後５０〜３５０℃で乾燥し、つ
いで３５０〜６００℃で焼成してなるシリカ系被膜。
で成膜性の良好なシリカ系被膜形成用塗布液及びシリカ
系被膜の提供。 【解決手段】 （Ａ）ＲｎＳｉ（ＯＲ）４−ｎ （Ｒは、Ｃ１〜４アルキル基、ｎは０〜２）で表される
アルコキシシラン化合物と（Ｂ）ＰｈＳｉ（ＯＲ）３ （Ｐｈはフェニル基、Ｒはアルキル基）で表されるフェ
ニルアルコキシシラン化合物を加水分解及び重縮合させ
て得られるアルコキシシランオリゴマー並びに（Ｃ）Ｈ
ｎＳｉ（ＯＲ）４−ｎ （Ｒは、Ｃ１〜４アルキル基、ｎは１又は２）で表され
るアルコキシシラン化合物、アミノアルキルアルコキシ
シラン化合物及びジルコニウムアルコキシド化合物少な
くとも一種の化合物を含有してなる塗布液及びこの塗布
液を、基体表面上に塗布後５０〜３５０℃で乾燥し、つ
いで３５０〜６００℃で焼成してなるシリカ系被膜。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリカ系被膜形成
用塗布液及びシリカ系被膜に関し、更に詳しくは、熱的
に安定で成膜性の良好なシリカ系被膜及びこのシリカ系
被膜形成用塗布液に関する。
用塗布液及びシリカ系被膜に関し、更に詳しくは、熱的
に安定で成膜性の良好なシリカ系被膜及びこのシリカ系
被膜形成用塗布液に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の層
間絶縁膜の平坦化方法として、パターン形成された配線
層を有する基板上に真空蒸着、ＣＶＤ等の気相成長法に
よりＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる１層目の層間絶縁膜を
形成し、２層目にＳＯＧ液（オルガノシロキサンのオリ
ゴマー液）を回転塗布し、その後熱処理することにより
オルガノシロキサン系被膜を形成する。次に１層目と同
様の方法により３層目の層間絶縁膜を形成する３層層間
膜によるＳＯＧ平坦化プロセスが広く用いられている。
間絶縁膜の平坦化方法として、パターン形成された配線
層を有する基板上に真空蒸着、ＣＶＤ等の気相成長法に
よりＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる１層目の層間絶縁膜を
形成し、２層目にＳＯＧ液（オルガノシロキサンのオリ
ゴマー液）を回転塗布し、その後熱処理することにより
オルガノシロキサン系被膜を形成する。次に１層目と同
様の方法により３層目の層間絶縁膜を形成する３層層間
膜によるＳＯＧ平坦化プロセスが広く用いられている。
【０００３】近年ＩＣ、ＬＳＩ等の高速化が進展してい
く中で３層構造の層間絶縁膜では誘電率の低減にも限界
がある為、ＳＯＧ膜単層で層間絶縁膜を形成する方法も
提案されている。しかし、ＳＯＧ膜単層では金属配線と
の接着性がＣＶＤなどで形成される酸化膜と比較して著
しく悪いため、その後の半導体製造工程で配線の断線が
生じるといった間題がある。
く中で３層構造の層間絶縁膜では誘電率の低減にも限界
がある為、ＳＯＧ膜単層で層間絶縁膜を形成する方法も
提案されている。しかし、ＳＯＧ膜単層では金属配線と
の接着性がＣＶＤなどで形成される酸化膜と比較して著
しく悪いため、その後の半導体製造工程で配線の断線が
生じるといった間題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】請求項１又は２に記載
の発明は、金属配線との接着性を向上させ、熱的に安定
で成膜性の良好なシリカ系被膜形成用塗布液を提供する
ものである。請求項３に記載の発明は、金属配線との接
着性がすぐれ、成膜が容易なシリカ系被膜を提供するも
のである。
の発明は、金属配線との接着性を向上させ、熱的に安定
で成膜性の良好なシリカ系被膜形成用塗布液を提供する
ものである。請求項３に記載の発明は、金属配線との接
着性がすぐれ、成膜が容易なシリカ系被膜を提供するも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）一般式
（Ｉ）
（Ｉ）
【化４】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、ｎは０〜２の
正数を意味する）で表されるアルコキシシラン化合物と
（Ｂ）一般式（II）
正数を意味する）で表されるアルコキシシラン化合物と
（Ｂ）一般式（II）
【化５】 （式中Ｐｈはフェニル基を意昧し、Ｒは炭素数１〜４の
アルキル基を意味する）で表されるフェニルアルコキシ
シラン化合物を加水分解及び重縮合させて得られるアル
コキシシランオリゴマー並びに（Ｃ）一般式（III）
アルキル基を意味する）で表されるフェニルアルコキシ
シラン化合物を加水分解及び重縮合させて得られるアル
コキシシランオリゴマー並びに（Ｃ）一般式（III）
【化６】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、ｎは１又は２
を意味する）で表されるアルコキシシラン化合物、アミ
ノアルキルアルコキシシラン化合物及びジルコニウムア
ルコキシド化合物からなる群から選ばれる少なくとも一
種の化合物を含有してなるシリカ系被膜形成用塗布液に
関する。
を意味する）で表されるアルコキシシラン化合物、アミ
ノアルキルアルコキシシラン化合物及びジルコニウムア
ルコキシド化合物からなる群から選ばれる少なくとも一
種の化合物を含有してなるシリカ系被膜形成用塗布液に
関する。
【０００６】また、本発明は、このシリカ系被膜形成用
塗布液において、アルコキシシランオリゴマーに対しア
ルコキシシラン化合物、アミノアルキルアルコキシシラ
ン化合物及びジルコニウムアルコキシド化合物からなる
群から選ばれる少なくとも一種の化合物を１〜１０重量
％含むシリカ系被膜形成用塗布液に関する。また、本発
明は、これらのうちのいずれかの塗布液を、基体表面上
に塗布後５０〜３５０℃で乾燥し、ついで３５０〜６０
０℃で焼成してなるシリカ系被膜に関する。
塗布液において、アルコキシシランオリゴマーに対しア
ルコキシシラン化合物、アミノアルキルアルコキシシラ
ン化合物及びジルコニウムアルコキシド化合物からなる
群から選ばれる少なくとも一種の化合物を１〜１０重量
％含むシリカ系被膜形成用塗布液に関する。また、本発
明は、これらのうちのいずれかの塗布液を、基体表面上
に塗布後５０〜３５０℃で乾燥し、ついで３５０〜６０
０℃で焼成してなるシリカ系被膜に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】前記一般式（Ｉ）で表されるアル
コキシシランは、具体的には
コキシシランは、具体的には
【化７】 等のテトラアルコキシシラン、
【化８】 等のモノアルキルトリアルコキシシラン、
【化９】 等のジアルキルジアルコキシシランがあげられ、これら
は１種または２種以上が用いられる。
は１種または２種以上が用いられる。
【０００８】前記一般式（II）で表されるフェニルトリ
アルコキシシラン化合物は、具体的には、
アルコキシシラン化合物は、具体的には、
【化１０】 等があげられる。
【０００９】前記一般式（III）で表されるアルコキシ
シラン化合物は、具体的には、
シラン化合物は、具体的には、
【化１１】 等があげられる。
【００１０】本発明におけるアミノアルキルアルコキシ
シラン化合物は、分子中にアミノアルキル基及びアルコ
キシ基を有するシラノ化合物であり、アミノアルキル基
の炭素数が１〜４のものが好ましく、またアルコキシ基
も炭素数が１〜４のものが好ましい。このようなアミノ
アルキルアルコキシシラン化合物としては、
シラン化合物は、分子中にアミノアルキル基及びアルコ
キシ基を有するシラノ化合物であり、アミノアルキル基
の炭素数が１〜４のものが好ましく、またアルコキシ基
も炭素数が１〜４のものが好ましい。このようなアミノ
アルキルアルコキシシラン化合物としては、
【化１２】 等があげられる。
【００１１】本発明に用いられるジルコニウム錯体化合
物としては、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムア
セチルアセトン、ジルコニウムアルコキシド化合物等が
あり、ジルコニウムアルコキシド化合物としては、ジル
コニウムテトラｎ−プロポキシド、ジルコニウムテトラ
iso−プロポキシド、ジルコニウムテトラｎ−ブトキシ
ド、ジルコニウムテトラiso−ブトキシド等のジルコニ
ウムテトラアルコキシド化合物（アルコキシ基の炭素数
が１〜４）、アセチルアセトンジルコニウムｎ−ブトキ
シド等があげられる。
物としては、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムア
セチルアセトン、ジルコニウムアルコキシド化合物等が
あり、ジルコニウムアルコキシド化合物としては、ジル
コニウムテトラｎ−プロポキシド、ジルコニウムテトラ
iso−プロポキシド、ジルコニウムテトラｎ−ブトキシ
ド、ジルコニウムテトラiso−ブトキシド等のジルコニ
ウムテトラアルコキシド化合物（アルコキシ基の炭素数
が１〜４）、アセチルアセトンジルコニウムｎ−ブトキ
シド等があげられる。
【００１２】本発明に用いられるアルコキシシランオリ
ゴマーの製造において使用されるテトラアルコキシシラ
ン、モノアルキルトリアルコキシシラン、ジアルキルジ
アルコキシシラン及びフェニルトリアルコキシシランの
割合に制限はないが、次のように配合されることが好ま
しい。すなわち、良質なシリカ系被膜を形成するために
は、使用するアルコキシシラン化合物の総量に対して
（ａ）テトラアルコキシシラン又はモノアルキルトリア
ルコキシシラン ９０〜５０モル％、（ｂ）ジアルキル
ジアルコキシシラン ０〜４０モル％及び（ｃ）フェニ
ルトリアルコキシシラン １０〜５０モル％を全体が１
０モル％になうように配合することが好ましい。
ゴマーの製造において使用されるテトラアルコキシシラ
ン、モノアルキルトリアルコキシシラン、ジアルキルジ
アルコキシシラン及びフェニルトリアルコキシシランの
割合に制限はないが、次のように配合されることが好ま
しい。すなわち、良質なシリカ系被膜を形成するために
は、使用するアルコキシシラン化合物の総量に対して
（ａ）テトラアルコキシシラン又はモノアルキルトリア
ルコキシシラン ９０〜５０モル％、（ｂ）ジアルキル
ジアルコキシシラン ０〜４０モル％及び（ｃ）フェニ
ルトリアルコキシシラン １０〜５０モル％を全体が１
０モル％になうように配合することが好ましい。
【００１３】本発明におけるシリカ系被膜形成用塗布液
には溶媒として、有機溶媒を使用することが好ましい。
有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノ
ール、ブタノール等のアルコール、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等の酢酸エステル、エ
チレングリコールモノメチルアセテート、エチレングリ
コールジアセテート等のグリコールアセテート系溶媒、
Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ピロリドン等のアミド系溶媒、
グリコールエーテル系溶媒等種々の溶媒があげられ、こ
れらは１種または２種以上が用いられる。
には溶媒として、有機溶媒を使用することが好ましい。
有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノ
ール、ブタノール等のアルコール、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等の酢酸エステル、エ
チレングリコールモノメチルアセテート、エチレングリ
コールジアセテート等のグリコールアセテート系溶媒、
Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ピロリドン等のアミド系溶媒、
グリコールエーテル系溶媒等種々の溶媒があげられ、こ
れらは１種または２種以上が用いられる。
【００１４】本発明におけるアルコキシシランオリゴマ
ーは、前記一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化
合物及び一般式（II）で表されるフェニルアルコキシシ
ラン化合物を加水分解、重縮合して製造されるが、この
とき触媒として塩酸、硫酸、リン酸、硝酸、フッ酸等の
無機酸、シュウ酸、マレイン酸、スルホン酸、ギ酸等の
有機酸を使用することが好ましく、アンモニア、トリメ
チルアンモニウム等の塩基性触媒を用いることもでき
る。これら触媒は、一般式（Ｉ）で表されるアルコキシ
シラン化合物の量に応じて適当量用いられるが、好適に
は一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物及び
一般式（II）で表されるフェニルアルコキシシラン化合
物の総量１モルに対し０．００１〜０．５モルの範囲で
用いられる。
ーは、前記一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化
合物及び一般式（II）で表されるフェニルアルコキシシ
ラン化合物を加水分解、重縮合して製造されるが、この
とき触媒として塩酸、硫酸、リン酸、硝酸、フッ酸等の
無機酸、シュウ酸、マレイン酸、スルホン酸、ギ酸等の
有機酸を使用することが好ましく、アンモニア、トリメ
チルアンモニウム等の塩基性触媒を用いることもでき
る。これら触媒は、一般式（Ｉ）で表されるアルコキシ
シラン化合物の量に応じて適当量用いられるが、好適に
は一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物及び
一般式（II）で表されるフェニルアルコキシシラン化合
物の総量１モルに対し０．００１〜０．５モルの範囲で
用いられる。
【００１５】また、上記の加水分解・重縮合は、前記の
溶媒中で行うことが好ましい。また、この反応に際して
水が存在させられる。水の量も適宜決められるが、あま
り少ない場合や多すぎる場合はには塗布液の保存安定性
が低下するなどの間題があるので、水の量は一般式
（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物及び一般式
（II）で表されるフェニルアルコキシシラン化合物の総
量１モルに対して０．５〜４モルの範囲とすることが好
ましい。以上のようにして得られる加水分解・重縮合生
成物の反応液（シラノールオリゴマー液）は、そのまま
使用することができる。また、溶媒を除去後、改めて前
記溶媒に溶解してシラノニルオリゴマー液としてから使
用される。上記反応温度は、０〜５０℃の範囲が好まし
い。
溶媒中で行うことが好ましい。また、この反応に際して
水が存在させられる。水の量も適宜決められるが、あま
り少ない場合や多すぎる場合はには塗布液の保存安定性
が低下するなどの間題があるので、水の量は一般式
（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物及び一般式
（II）で表されるフェニルアルコキシシラン化合物の総
量１モルに対して０．５〜４モルの範囲とすることが好
ましい。以上のようにして得られる加水分解・重縮合生
成物の反応液（シラノールオリゴマー液）は、そのまま
使用することができる。また、溶媒を除去後、改めて前
記溶媒に溶解してシラノニルオリゴマー液としてから使
用される。上記反応温度は、０〜５０℃の範囲が好まし
い。
【００１６】本発明に用いられる一般式（III）で表さ
れるアルコキシシラン化合物、アミノアルキルアルコキ
シシラン化合物及びジルコニウムアルコキシド化合物の
うち少なくとも１種の添加量は、シリカ系被膜の接着性
及び膜質の点からアルコキシシランオリゴマー（前記で
得られた加水分解・重縮合生成物の樹脂分）に対し１〜
１０重量％の範囲とすることが好ましい。
れるアルコキシシラン化合物、アミノアルキルアルコキ
シシラン化合物及びジルコニウムアルコキシド化合物の
うち少なくとも１種の添加量は、シリカ系被膜の接着性
及び膜質の点からアルコキシシランオリゴマー（前記で
得られた加水分解・重縮合生成物の樹脂分）に対し１〜
１０重量％の範囲とすることが好ましい。
【００１７】本発明のシリカ系被膜形成用塗布液は、ア
ルコキシシランオリゴマーにアルコキシシラン化合物、
またはアミノアルキルアルコキシシラン化合物、または
ジルコニウムアルコキシド化合物を混合して得られる。
ルコキシシランオリゴマーにアルコキシシラン化合物、
またはアミノアルキルアルコキシシラン化合物、または
ジルコニウムアルコキシド化合物を混合して得られる。
【００１８】このようにして得られた塗布液を用いてシ
リカ系被膜を形成するには、該塗布液をシリコンウエハ
ー、アルミニウム等の金属板、表面に金属を形成したシ
リコンウエハー、回路の形成されたシリコンウエハー等
の基体上に、浸潰法、回転塗布法等の方法で塗布した
後、５０〜３５０℃、好ましくは１００〜２５０℃で乾
燥し、ついで、窒素雰囲気中で３５０〜６００℃、好ま
しくは３５０〜４５０℃で焼成する。このシリカ系被膜
を多層配線構造の層間膜（絶縁層間膜）として半導体装
置を得ることができる。
リカ系被膜を形成するには、該塗布液をシリコンウエハ
ー、アルミニウム等の金属板、表面に金属を形成したシ
リコンウエハー、回路の形成されたシリコンウエハー等
の基体上に、浸潰法、回転塗布法等の方法で塗布した
後、５０〜３５０℃、好ましくは１００〜２５０℃で乾
燥し、ついで、窒素雰囲気中で３５０〜６００℃、好ま
しくは３５０〜４５０℃で焼成する。このシリカ系被膜
を多層配線構造の層間膜（絶縁層間膜）として半導体装
置を得ることができる。
【００１９】本発明の塗布液を用いて得られるシリカ系
被膜は、従来のアルコキシシランの加水分解縮重合を用
いて得られるシリカ系被膜と比較して、金属との接着性
が向上しており、熱的安定性、成膜性は従来のアルコキ
シシランの加水分解縮重合を用いて得られるシリカ系被
膜と同等のシリカ膜が形成される。このシリカ系被膜を
配線層間膜（層間絶縁膜）として半導体素子を得ること
ができる。
被膜は、従来のアルコキシシランの加水分解縮重合を用
いて得られるシリカ系被膜と比較して、金属との接着性
が向上しており、熱的安定性、成膜性は従来のアルコキ
シシランの加水分解縮重合を用いて得られるシリカ系被
膜と同等のシリカ膜が形成される。このシリカ系被膜を
配線層間膜（層間絶縁膜）として半導体素子を得ること
ができる。
【００２０】本発明の半導体装置の製造工程の一例を以
下に説明する。図１は、多層配線構造の半導体装置の製
造工程図である。図１において、回路素子を有するシリ
コンウエハー、ガラス板、金属板などの半導体基板１
は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保
護膜２で被覆され、露出した回路素子上に第１導体層３
が形成されている。該半導体基板上に前述したシリカ系
被膜塗布液がスピナー法などで塗布され、熱処理による
溶媒の除去及び焼成によるポリシロキサン膜からなる層
間絶縁膜４が形成される（工程（ａ））。
下に説明する。図１は、多層配線構造の半導体装置の製
造工程図である。図１において、回路素子を有するシリ
コンウエハー、ガラス板、金属板などの半導体基板１
は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保
護膜２で被覆され、露出した回路素子上に第１導体層３
が形成されている。該半導体基板上に前述したシリカ系
被膜塗布液がスピナー法などで塗布され、熱処理による
溶媒の除去及び焼成によるポリシロキサン膜からなる層
間絶縁膜４が形成される（工程（ａ））。
【００２１】次に、塩化ゴム系またはフェノールノボラ
ック系等の感光性樹脂層５が前記層間絶縁膜４上にスピ
ナー法によって形成され、公知の写真食刻技術によって
所定部分の層間絶縁膜４が露出するよっに窓６Ａが設け
られる（工程（ｂ））。
ック系等の感光性樹脂層５が前記層間絶縁膜４上にスピ
ナー法によって形成され、公知の写真食刻技術によって
所定部分の層間絶縁膜４が露出するよっに窓６Ａが設け
られる（工程（ｂ））。
【００２２】窓６Ａの層間絶縁膜４は、四フッ化炭素等
のフッ素系ガスを用いるドライエッチング手段（例え
ば、四フッ化炭素等のフッ素系ガスを用いる方法）によ
って選択的にエッチングされ、窓６Ｂが開けられる。次
いで窓６Ｂから露出した第１導体層３を腐食することな
く感光樹脂層５のみを腐食するようなエッチング溶液を
用いて感光樹脂層５が完全に除去される（工程
（ｃ））。
のフッ素系ガスを用いるドライエッチング手段（例え
ば、四フッ化炭素等のフッ素系ガスを用いる方法）によ
って選択的にエッチングされ、窓６Ｂが開けられる。次
いで窓６Ｂから露出した第１導体層３を腐食することな
く感光樹脂層５のみを腐食するようなエッチング溶液を
用いて感光樹脂層５が完全に除去される（工程
（ｃ））。
【００２３】さらに、公知の金属膜形成法及び写真食刻
技術を用いて第２導体層７を形成させ、第１導体層３と
の電気的接続が完全に行われる（工程（ｄ））。
技術を用いて第２導体層７を形成させ、第１導体層３と
の電気的接続が完全に行われる（工程（ｄ））。
【００２４】３層以上の多層配線構造体を形成する場合
は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成する。すな
わち導体層の上に絶縁層となる層間絶縁膜を形成する工
程（ａ）、この被膜の所定の場所を選択的に除去し窓を
開口して下部に存する導体層の所定部分と接続された上
部の導体を形成する工程（ｄ）を繰り返すことになる。
このようにして作製される多層配線構造体の表面には、
通常、ポリイミド樹脂等の有機材料又は窒化ケイ素等の
無機材料からなる表面保護層が形成される。表面保護層
には場合により所定部分に上記窓６Ａ、６Ｂと同様の窓
を開けてもよい。半導体装置全体は、通常、エポキシ樹
脂等を含む封止材により封止される。
は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成する。すな
わち導体層の上に絶縁層となる層間絶縁膜を形成する工
程（ａ）、この被膜の所定の場所を選択的に除去し窓を
開口して下部に存する導体層の所定部分と接続された上
部の導体を形成する工程（ｄ）を繰り返すことになる。
このようにして作製される多層配線構造体の表面には、
通常、ポリイミド樹脂等の有機材料又は窒化ケイ素等の
無機材料からなる表面保護層が形成される。表面保護層
には場合により所定部分に上記窓６Ａ、６Ｂと同様の窓
を開けてもよい。半導体装置全体は、通常、エポキシ樹
脂等を含む封止材により封止される。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明す
る。 実施例１ テトラメトキシシラン５１．０ｇ、メチルトリメトキシ
シラン２３．０ｇ、ジメチルジメトキシシラン４０．０
ｇ及びフェニルトリメトキシシラン３３．０ｇをイソプ
ロピルアルコール４００．０ｇに溶解し、この溶液に水
５０．０ｇにリン酸２１０ｇを溶解した液を撹拌下で１
時間かけて滴下した。滴下終了後５時間撹拌した後、ト
リメトキシシラン６．０ｇを添加し、更に１時間撹拌し
た。
る。 実施例１ テトラメトキシシラン５１．０ｇ、メチルトリメトキシ
シラン２３．０ｇ、ジメチルジメトキシシラン４０．０
ｇ及びフェニルトリメトキシシラン３３．０ｇをイソプ
ロピルアルコール４００．０ｇに溶解し、この溶液に水
５０．０ｇにリン酸２１０ｇを溶解した液を撹拌下で１
時間かけて滴下した。滴下終了後５時間撹拌した後、ト
リメトキシシラン６．０ｇを添加し、更に１時間撹拌し
た。
【００２６】また、この反応物溶液をスピナーを用いて
２０００rpmでシリコンウエハー上にアルミニウムを形
成した基体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプ
レート上で１分間乾燥し、４００℃で窒素雰囲気の電気
炉中で１時間焼成したところ無色透明でクラックのない
被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．３
μｍであった。
２０００rpmでシリコンウエハー上にアルミニウムを形
成した基体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプ
レート上で１分間乾燥し、４００℃で窒素雰囲気の電気
炉中で１時間焼成したところ無色透明でクラックのない
被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．３
μｍであった。
【００２７】さらに、このシリカ系被膜を碁盤目試験法
ＪｌＳ Ｋ ５４００に準じ接着力の試験を行ったとこ
ろ、被膜のはがれは認められなかった。その後、同基体
を高圧蒸気減菌器中で１２０℃、２．２Kgf/cm2の条件
で２４時間処理した後、碁盤目試験法で接着カの試験を
行ったが被膜のはがれは認められなかった。
ＪｌＳ Ｋ ５４００に準じ接着力の試験を行ったとこ
ろ、被膜のはがれは認められなかった。その後、同基体
を高圧蒸気減菌器中で１２０℃、２．２Kgf/cm2の条件
で２４時間処理した後、碁盤目試験法で接着カの試験を
行ったが被膜のはがれは認められなかった。
【Ｏ０２８】実施例２ テトラメトキシシラン１２０．０ｇ、フェニルトリメト
キシシラン４０．０ｇをイソプロピルアルコール８０
０．０ｇに溶解し、この溶液に水５５．０ｇにマレイン
酸０．５ｇを溶解した液を撹拌下で１時間かけて滴下し
た。滴下終了後５時間撹拌した後、３−アミノプロピル
トリエトキシシラン６．０ｇを添加し、更に１時間撹拌
した。
キシシラン４０．０ｇをイソプロピルアルコール８０
０．０ｇに溶解し、この溶液に水５５．０ｇにマレイン
酸０．５ｇを溶解した液を撹拌下で１時間かけて滴下し
た。滴下終了後５時間撹拌した後、３−アミノプロピル
トリエトキシシラン６．０ｇを添加し、更に１時間撹拌
した。
【００２９】また、この反応物溶液をスピナーを用いて
２０００rpmでシリコンウエハー上にアルミニウムを形
成した基体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプ
レート上で１分間乾燥し、４００℃で窒素雰囲気の電気
炉中で１時間焼成したところ無色透明でクラックのない
被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．３
μｍであった。
２０００rpmでシリコンウエハー上にアルミニウムを形
成した基体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプ
レート上で１分間乾燥し、４００℃で窒素雰囲気の電気
炉中で１時間焼成したところ無色透明でクラックのない
被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．３
μｍであった。
【００３０】さらに、このシリカ系被膜を碁盤目試験法
Ｊ１Ｓ Ｋ ５４００に準じ接着力の試験を行ったとこ
ろ、被膜のはがれは認められなかった。その後。同基体
を高圧蒸気滅菌器中で１２０℃、２．２Kgf/cm2の条件
で２４時間処理した後、碁盤目試験法で接着力の試験を
行ったが被膜のはがれは認められなかった。
Ｊ１Ｓ Ｋ ５４００に準じ接着力の試験を行ったとこ
ろ、被膜のはがれは認められなかった。その後。同基体
を高圧蒸気滅菌器中で１２０℃、２．２Kgf/cm2の条件
で２４時間処理した後、碁盤目試験法で接着力の試験を
行ったが被膜のはがれは認められなかった。
【００３１】実施例３ テトラメトキシシラン８７．０ｇ、メチルトリメトキシ
シラン４０．０ｇ及びフェニルトリメトキシシラン２
７．０ｇをイソブロビルアルコール２８０．０ｇに溶解
し、この溶液に水５０．０ｇにマレイン酸０．５ｇを溶
解した液を撹拌下で１時問かけて滴下した。滴下終了後
５時間撹拌した後、アセチルアセトンジルコニウムブト
キシド６．０ｇを添加し、更に１時間撹拌した。
シラン４０．０ｇ及びフェニルトリメトキシシラン２
７．０ｇをイソブロビルアルコール２８０．０ｇに溶解
し、この溶液に水５０．０ｇにマレイン酸０．５ｇを溶
解した液を撹拌下で１時問かけて滴下した。滴下終了後
５時間撹拌した後、アセチルアセトンジルコニウムブト
キシド６．０ｇを添加し、更に１時間撹拌した。
【Ｏ０３２】また、この反応物溶液をスピナーを用いて
２０００rpmでシリコンウエハー上にアルミニウムを形
成した基体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプ
レート上で１分間乾燥し、４００℃で窒素雰囲気の電気
炉中で１時間焼成したところ無色透明でクラックのない
被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．２
μｍであった。
２０００rpmでシリコンウエハー上にアルミニウムを形
成した基体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプ
レート上で１分間乾燥し、４００℃で窒素雰囲気の電気
炉中で１時間焼成したところ無色透明でクラックのない
被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．２
μｍであった。
【００３３】さらに、このシリカ系被膜を碁盤目試験法
ＪｌＳ Ｋ ５４００に準じ接着力の武験を行ったとこ
ろ、被膜のはがれは認められなかった。その後、同基体
を高圧蒸気滅菌器中で１２０℃、２．２Kgf/cm2の条件
で２４時間処理した後、碁盤目試験法で接着力の試験を
行ったが被膜のはがれは認められなかった。
ＪｌＳ Ｋ ５４００に準じ接着力の武験を行ったとこ
ろ、被膜のはがれは認められなかった。その後、同基体
を高圧蒸気滅菌器中で１２０℃、２．２Kgf/cm2の条件
で２４時間処理した後、碁盤目試験法で接着力の試験を
行ったが被膜のはがれは認められなかった。
【００３４】比較例１ テトラメトキシシラン５１．０ｇ、メチルトリメトキシ
シラン２３．０ｇ、ジメチルジメトキシシラン４０．０
ｇ及びフェニルトリメトキシシラン３３．０ｇをイソブ
ロピルアルコール４００．０ｇに溶解し、この溶液に水
５０．０ｇにリン酸２．０ｇを溶解した液を撹拌下で１
時間かけて滴下し、滴下終了後５時間撹拌した。
シラン２３．０ｇ、ジメチルジメトキシシラン４０．０
ｇ及びフェニルトリメトキシシラン３３．０ｇをイソブ
ロピルアルコール４００．０ｇに溶解し、この溶液に水
５０．０ｇにリン酸２．０ｇを溶解した液を撹拌下で１
時間かけて滴下し、滴下終了後５時間撹拌した。
【００３５】また、この反応物溶液をスピナーを用いて
２０００rpmでシリコンウエハー上にアルミニウムを形
成した基体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプ
レート上で１分間乾燥し、４００℃で窒秦雰囲気の電気
炉中で１時間焼成したところ無色透明でクラックのない
被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．３
μｍであった。
２０００rpmでシリコンウエハー上にアルミニウムを形
成した基体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプ
レート上で１分間乾燥し、４００℃で窒秦雰囲気の電気
炉中で１時間焼成したところ無色透明でクラックのない
被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．３
μｍであった。
【００３６】さらに、このシリカ系被膜を碁盤目試験法
ＪｌＳ Ｋ ５４００に準じ接着力の試験を行ったとこ
ろ、被膜のはがれは認められなかった。その後、同基体
を高圧蒸気滅菌器中で１２０℃、２．２Kgf/cm2の条件
で２４時間処理した後、碁盤目試験法で接着力の試験を
行った結果、碁盤目の２割の被膜がはがれた。
ＪｌＳ Ｋ ５４００に準じ接着力の試験を行ったとこ
ろ、被膜のはがれは認められなかった。その後、同基体
を高圧蒸気滅菌器中で１２０℃、２．２Kgf/cm2の条件
で２４時間処理した後、碁盤目試験法で接着力の試験を
行った結果、碁盤目の２割の被膜がはがれた。
【００３７】
【発明の効果】請求項１又は請求項２におけるシリカ系
被膜形成用塗布液は、熱的に安定で成膜性が良好であ
り、被膜の金属配線との接着性に優れる。請求項３にお
けるシリカ系被膜は、金属配線との接着性に優れ、剥が
れが生じず、成膜性が容易であり電子部品、特に半導体
の多層配線におけるＳＯＧ単層プロセスでの配線段差の
被膜等に有効である。
被膜形成用塗布液は、熱的に安定で成膜性が良好であ
り、被膜の金属配線との接着性に優れる。請求項３にお
けるシリカ系被膜は、金属配線との接着性に優れ、剥が
れが生じず、成膜性が容易であり電子部品、特に半導体
の多層配線におけるＳＯＧ単層プロセスでの配線段差の
被膜等に有効である。
【図１】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す工
程図である。
程図である。
１ 半導体基板 ２ 保護膜 ３ 第１導体層 ４ 層間絶縁膜 ５ 感光性樹脂層 ６Ａ、６Ｂ 窓 ７ 第２導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野部 茂 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 榎本 和宏 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、ｎは０〜２の
正数を意味する）で表されるアルコキシシラン化合物と
（Ｂ）一般式（II） 【化２】 （式中Ｐｈはフェニル基を意昧し、Ｒは炭素数１〜４の
アルキル基を意味する）で表されるフェニルアルコキシ
シラン化合物を加水分解及び重縮合させて得られるアル
コキシシランオリゴマー並びに（Ｃ）一般式（III） 【化３】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、ｎは１又は２
を意味する）で表されるアルコキシシラン化合物、アミ
ノアルキルアルコキシシラン化合物及びジルコニウムア
ルコキシド化合物からなる群から選ばれる少なくとも一
種の化合物を含有してなるシリカ系被膜形成用塗布液。 - 【請求項２】 アルコキシシランオリゴマーに対しアル
コキシシラン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン
化合物及びジルコニウムアルコキシド化合物からなる群
から選ばれる少なくとも一種の化合物を１〜１０重量％
含む請求項１記載のシリカ系被膜形成用塗布液。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載のいずれかの
塗布液を、基体表面上に塗布後５０〜３５０℃で乾燥
し、ついで３５０〜６００℃で焼成してなるシリカ系被
膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10041896A JPH11236530A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | シリカ系被膜形成用塗布液及びシリカ系被膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10041896A JPH11236530A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | シリカ系被膜形成用塗布液及びシリカ系被膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11236530A true JPH11236530A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12621059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10041896A Pending JPH11236530A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | シリカ系被膜形成用塗布液及びシリカ系被膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11236530A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009084646A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Terumo Kabushiki Kaisha | シリンジ用ガスケットおよびそれを備えたシリンジ |
-
1998
- 1998-02-24 JP JP10041896A patent/JPH11236530A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009084646A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Terumo Kabushiki Kaisha | シリンジ用ガスケットおよびそれを備えたシリンジ |
| JP5394256B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2014-01-22 | テルモ株式会社 | シリンジ用ガスケットおよびそれを備えたシリンジ |
| US8968260B2 (en) | 2007-12-28 | 2015-03-03 | Terumo Kabushiki Kaisha | Gasket for syringe and syringe having gasket |
| US9345837B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-05-24 | Terumo Kabushiki Kaisha | Gasket for syringe and syringe having gasket |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050502 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050913 |