JPH11233882A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH11233882A JPH11233882A JP3573198A JP3573198A JPH11233882A JP H11233882 A JPH11233882 A JP H11233882A JP 3573198 A JP3573198 A JP 3573198A JP 3573198 A JP3573198 A JP 3573198A JP H11233882 A JPH11233882 A JP H11233882A
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Abstract
基板側の両方に低屈折率層を設けていたためリッジ部に
おいて幅方向に大きな屈折率差を生じて高次モードの発
生を促していた。 【解決手段】 半導体基板側に配置したガイド層8aと
クラッド層10aとの間に該クラッド層10aの屈折率
nCLよりも低い屈折率nL を有する低屈折率層を設け
る。 【効果】 上記低屈折率層9aによって光はバリア層6
を境にして基板側にのみ拡がり、共振器長方向に伝播す
る光は半導体層の幅方向(y) ではリッジ部分とリッジ部
の外側との屈折率差の影響を受けにくくなり高次モード
の発生を防ぐことができる。
Description
は光通信等の光源であるリッジ型あるいはリッジ埋め込
み型の半導体レーザに関し、特にリッジ部の幅方向の遠
視野像の拡がりに対する厚さ方向の遠視野像の拡がりの
比であるアスペクト比を低減しつつ高次モードの発生を
抑えることのできる半導体レーザに関するものである。
shiya 、 and T. Tamamura、' Development of 1.02-μ
m pump laser diodes 、' OSA TOPS on Optical Amplif
iers and Their Applications 、 Vol.5、pp.101-104、
1996 で開示された従来の半導体レーザの屈折率分布を
示す図であり、図において、1はp型クラッド層、2は
p型低屈折率層、3はp型第2ガイド層、4はp型第1
ガイド層、5は歪量子井戸活性層、6はバリア層、7は
n型第1ガイド層、8はn型第2ガイド層、9はn型低
屈折率層、10はn型クラッド層である。
ラッド層1側から正孔が、n型クラッド層10側からは
電子が活性層5に注入され、そこで再結合することによ
って光が発生する。発生した光は、半導体層の厚さ方向
(x) 及び幅方向の屈折率分布の影響を受けて共振器長方
向に伝搬し、レーザ端面で反射しながら増幅して発振に
至る。この半導体レーザは、半導体層の厚さ方向(x) の
屈折率分布は、バリア層6を中心としてクラッド層1、
10まで対称に分布し、かつp側クラッド層1とp側第
2ガイド層3の間及びn側クラッド層10とn側第2ガ
イド層8の間にはそれぞれp型低屈折率層2及びn型低
屈折率層9が挿入されている。つまり、図に示すよう
に、p型第1ガイド層4及びn型第1ガイド層7、p型
第2ガイド層3及びn型第2ガイド層8、p型クラッド
層1及びn型クラッド層10はそれぞれ屈折率及び層厚
が等しくなっている上、屈折率及び層厚が等しい低屈折
率層2、9がp型クラッド層1とp型第2ガイド層3の
間及びn型クラッド層10とn型第2ガイド層8の間に
挿入されている。
層9は、厚さ方向(x) の光強度分布を拡げ、厚さ方向の
遠視野像の拡がりを抑えて、幅方向の遠視野像の拡がり
に対する厚さ方向の遠視野像の拡がりの比であるアスペ
クト比を低減する作用がある。
は、以上のように構成されているので、この屈折率分布
をリッジ型半導体レーザに適用すると、ガイド層を中心
としてリッジ側及び基板側に対称に光が拡がるためリッ
ジ部において幅方向の大きな屈折率差に影響を受け高次
モードが発生し、結果としてキンクを生じ光出力の低下
を招くといった問題があった。
れたものであり、アスペクト比を低減しつつ高次モード
の発生を抑えることのできる半導体レーザを提供するも
のである。
ーザ(請求項1) は、半導体基板上に、活性層を境にし
て対称にそれぞれ導電型の異なるガイド層とクラッド層
とを備えたリッジ型あるいは埋込リッジ型の屈折率導波
構造を有する半導体レーザにおいて、上記半導体基板側
に配置したガイド層とクラッド層との間に該クラッド層
の屈折率よりも小さい屈折率を有する低屈折率層を設け
たものである。
項2)は、上記半導体レーザ(請求項1)において、上
記半導体基板側のクラッド層の屈折率をリッジ側のクラ
ッド層の屈折率よりも大きくしたものである。
項3)は、上記半導体レーザ(請求項1または2)にお
いて、上記半導体基板側のガイド層厚をリッジ側のガイ
ド層厚よりも厚くしたものである。
項4) は、上記半導体レーザ(請求項1ないし3のいず
れか)において、上記半導体基板側のガイド層の屈折率
をリッジ側の屈折率よりも大きくしたものである。
係る半導体レーザの実施の形態1を説明する。図1は、
この実施の形態1である半導体レーザを示す断面図であ
る。この半導体レーザは、図1に示すように、半導体基
板14上に、基板側クラッド層10a、低屈折率層9
a、基板側第2ガイド層8a、基板側第1ガイド層7
a、歪量子井戸活性層5、バリア層6、歪量子井戸活性
層5、リッジ側第1ガイド層4a、リッジ側第2ガイド
層3a、リッジ側クラッド層1aおよびコンタクト層1
3を、順次結晶成長させたものである。リッジ側クラッ
ド層1aおよびコンタクト層13は、リッジストライプ
状に形成されており、コンタクト層13上の一部を除き
リッジ上に絶縁層12が形成されている。また、このリ
ッジ側上面にはリッジ側電極11が形成され、半導体基
板14の裏面には基板側電極15が形成されている。
板14がn型であれば、基板側クラッド層10a、低屈
折率層9a、基板側第2ガイド層8aおよび基板側第1
ガイド層7aはn型であり、リッジ側第1ガイド層4
a、リッジ側第2ガイド層3a、リッジ側クラッド層1
aおよびコンタクト層13はp型である。半導体基板1
4がp型であれば、上記とは逆の導電型となる。なお、
活性層5およびバリア層6は、ほぼ真性の半導体層であ
る。
クラッド層1aおよび基板側クラッド層10a、リッジ
側第2ガイド層3aおよび基板側第2ガイド層8a、リ
ッジ側第1ガイド層4aおよび基板側第1ガイド層7a
は、それぞれ等しい屈折率になっている。また、基板側
第2ガイド層8aと基板側クラッド層10aとの間に挿
入している低屈折率層9aの屈折率は基板側クラッド層
10aの屈折率よりも小さくなっている(nL <
nCL)。そして、活性層5の屈折率が一番大きくなって
おり、リッジ側第1ガイド層4aおよび基板側第1ガイ
ド層7a、リッジ側第2ガイド層3aおよび基板側第2
ガイド層8a、リッジ側クラッド層1aおよび基板側ク
ラッド層10a、低屈折率層9aの順に屈折率が小さく
なっている。
て説明する。まず、半導体基板14上に、MOCVD法
等により、基板側クラッド層10a、低屈折率層9a、
基板側第2ガイド層8a、基板側第1ガイド層7a、歪
量子井戸活性層5、バリア層6、歪量子井戸活性層5、
リッジ側第1ガイド層4a、リッジ側第2ガイド層3
a、リッジ側クラッド層1aおよびコンタクト層13
を、順次結晶成長させる。次にコンタクト層13上に、
ストライプ状の絶縁膜を形成し、この絶縁膜をマスクと
してコンタクト層13およびリッジ側クラッド層1aを
エッチングしてリッジストライプ形状に形成する。そし
て、マスクとして用いた絶縁膜を除去し、コンタクト層
13上にストライプ状のレジストパターンを形成し、絶
縁膜12をCVD法等により成膜して形成する。この
後、上記レジストを除去してリッジ側表面にリッジ側電
極を、半導体基板14の裏面に基板側電極をそれぞれ形
成すると、図1に示した半導体レーザが完成する。
明する。ここでは半導体基板14にn型半導体基板を用
いた場合を説明する。リッジ側電極11(n側電極)お
よび基板側電極15(p側電極)を介して電圧を印加す
ると、リッジ側クラッド層1a(p型クラッド層)側か
ら正孔が、基板側クラッド層10a(n型クラッド層)
側からは電子が活性層5に注入され、そこで正孔と電子
が再結合することによって光が発生する。発生した光
は、半導体層の厚さ方向(x) 及び幅方向の屈折率分布に
影響され共振器長方向に伝搬し、レーザ端面で反射しな
がら増幅して発振に至る。
ば、基板側第2ガイド層8aと基板側クラッド層10a
との間に挿入している低屈折率層9aの屈折率nL は、
基板側クラッド層10aの屈折率nCLよりも小さくなっ
ており(nL <nCL)、この低屈折率層9aの存在によ
って半導体層の厚さ方向(x) に光強度分布が拡がり、半
導体層の厚さ方向(x) における遠視野像の拡がりを抑え
て幅方向(y) の遠視野像の拡がりに対する厚さ方向(x)
の遠視野像の拡がりの比であるアスペクト比を低減する
ことができる。また、上記のような低屈折率層9aの存
在によって光はバリア層6を境にして基板側にのみ拡が
り、そのため、共振器長方向に伝播する光は、半導体層
の幅方向(y) ではリッジ部分とリッジ部の外側との屈折
率差の影響を受けにくく、その結果、リッジ幅を拡げて
も基本モードのみが許容され、キンク発生の原因である
高次モードの発生を防ぐことができるという効果が得ら
れる。
との間に低屈折率層を設けたリッジ型の半導体レーザが
特開平7−170011号公報に開示されている(実施
例10、図30,31参照。)。しかしながら、この半
導体レーザは、リッジ側のクラッド層を厚くすると、リ
ッジストライプ外部への無効電流が増大し、かつ素子抵
抗が増大してレーザの消費電力が増大するという課題を
解決すべく、リッジ側のクラッド層を薄く形成するため
に低屈折率層を設けたものであり、本発明のものとはそ
の課題を異にするものである。
体レーザの実施の形態2を説明する。図2は、この実施
の形態2である半導体レーザを示す断面図である。この
半導体レーザは、図2に示すように、低屈折率層9bの
屈折率nL が基板側クラッド層10bの屈折率nCLより
も小さくなっていることは(nL <nCL)、上記実施の
形態1と同じであるが、さらに実施の形態2のものでは
基板側クラッド層10bの屈折率nCLはリッジ側クラッ
ド層1bの屈折率nCUよりも大きくなっている(nCL>
nCU)。なお、その他の構造、製造方法、動作などにつ
いては上記実施の形態1と同様である。
ば、上記基板側に配置した低屈折率層9bの存在や、基
板側クラッド層10b(屈折率nCL)とリッジ側クラッ
ド層1b(屈折率nCU)の屈折率の関係(nCL>nCU)
から、半導体層の厚さ方向(x)に光強度分布が拡がり、
半導体層の厚さ方向(x) の遠視野像の拡がりを抑えて幅
方向(y) の遠視野像の拡がりに対する厚さ方向(x) の遠
視野像の拡がりの比であるアスペクト比を低減すること
ができる。また、上記のような屈折率の関係によって光
はバリア層6を境にして基板側にのみ拡がり、そのた
め、共振器長方向に伝播する光は、半導体層の幅方向
(y) ではリッジ部分とリッジ部の外側との屈折率差の影
響を受けにくくなり、その結果、リッジ幅を拡げても基
本モードのみが許容され、キンク発生の原因である高次
モードの発生を防ぐことができるという効果が得られ
る。
体レーザの実施の形態3を説明する。図3は、この実施
の形態3である半導体レーザを示す断面図である。この
半導体レーザは、図3に示すように、低屈折率層9aの
屈折率nL が基板側クラッド層10aの屈折率nCLより
も小さくなっていることは(nL <nCL)、上記実施の
形態1と同じであるが、さらに実施の形態3のもので
は、基板側第1ガイド層7b(層厚dg1 L )および基板
側第2ガイド層8b(層厚dg2L )の層厚は、それぞれ
リッジ側第1ガイド層4b(層厚dg1U )およびリッジ
側第2ガイド層3b(層厚dg2U)の層厚より厚くなっ
ている(dg1L >dg1U 、dg2L >dg2U )。なお、そ
の他の構造、製造方法、動作などについては上記実施の
形態1と同様である。
ば、基板側に配置した低屈折率層9aの存在や、基板側
の第1ガイド層7b(層厚dg1L )および第2ガイド層
8b(層厚dg2L )とリッジ側の第1ガイド層4b(層
厚dg1U )および第2ガイド層3b(層厚dg2U )の層
厚の関係(dg1L >dg1U 、dg2L >dg2U )により、
半導体層の厚さ方向(x) に光強度分布が拡がり、半導体
層の厚さ方向(x) の遠視野像の拡がりを抑えて幅方向
(y) の遠視野像の拡がりに対する厚さ方向(x) の遠視野
像の拡がりの比であるアスペクト比を低減することがで
きる。また、上記のような低屈折率層9aやガイド層の
層厚の関係によって光はバリア層6を境にして基板側に
のみ拡がり、そのため、共振器長方向に伝播する光は、
半導体層の幅方向(y) ではリッジ部分とリッジ部の外側
との屈折率差の影響を受けにくくなり、その結果、リッ
ジ幅を拡げても基本モードのみが許容され、キンク発生
の原因である高次モードの発生を防ぐことができるとい
う効果が得られる。
体レーザの実施の形態4を説明する。図4は、この実施
の形態4である半導体レーザを示す断面図である。この
半導体レーザは、図4に示すように、低屈折率層9aの
屈折率nL が基板側クラッド層10bの屈折率nCLより
も小さくなっていることは(nL <nCL)、上記実施の
形態1と同じであるが、さらに実施の形態4のもので
は、基板側第1ガイド層7c(層厚dg1 L )および基板
側第2ガイド層8c(層厚dg2L )の層厚は、それぞれ
リッジ側第1ガイド層4c(層厚dg1U )およびリッジ
側第2ガイド層3c(層厚dg2U)の層厚より厚く形成
され(dg1L >dg1U 、dg2L >dg2U )、かつ基板側
クラッド層10bの屈折率nCLはリッジ側クラッド層1
bの屈折率nCUより大きくなっている(nCL>nCU)。
なお、その他の構造、製造方法、動作などについては上
記実施の形態1と同様である。
ば、基板側に配置した低屈折率層9aの存在や、リッジ
側クラッド層1b(屈折率nCU)と基板側クラッド層1
0b(屈折率nCL)の屈折率の関係(nL <nCL)、基
板側の第1ガイド層7c(層厚dg1L )および第2ガイ
ド層8c(層厚dg2L )とリッジ側の第1ガイド層4c
(層厚dg1U )および第2ガイド層3c(層厚dg2U )
の層厚の関係(dg1L >dg1U 、dg2L >dg2U )によ
り、半導体層の厚さ方向(x) に光強度分布が拡がり、半
導体層の厚さ方向(x) の遠視野像の拡がりを抑えて幅方
向(y) の遠視野像の拡がりに対する厚さ方向(x) の遠視
野像の拡がりの比であるアスペクト比を低減することが
できる。また、上記のような低屈折率層9aやガイド層
の層厚の関係によって光はバリア層6を境にして基板側
にのみ拡がり、そのため、共振器長方向に伝播する光
は、半導体層の幅方向(y) ではリッジ部分とリッジ部の
外側との屈折率差の影響を受けにくくなり、その結果、
リッジ幅を拡げても基本モードのみが許容され、キンク
発生の原因である高次モードの発生を防ぐことができる
という効果が得られる。
体レーザの実施の形態5を説明する。図5は、この実施
の形態5である半導体レーザを示す断面図である。この
半導体レーザは、図5に示すように、低屈折率層9aの
屈折率nL が基板側クラッド層10aの屈折率nCLより
も小さくなっていることは(nL <nCL)、上記実施の
形態1と同じであるが、さらに実施の形態5のもので
は、基板側第1ガイド層7d(屈折率ng1L )および基
板側第2ガイド層8d(屈折率ng2L )の屈折率は、そ
れぞれリッジ側第1ガイド層4d(屈折率ng1U )およ
びリッジ側第2ガイド層3d(屈折率ng2U )の屈折率
よりも大きくなっている(ng1L >ng1U 、ng2L >n
g2 U )。なお、その他の構造、製造方法、動作などにつ
いては上記実施の形態1と同様である。
ば、基板側に配置した低屈折率層9aの存在や、基板側
の第1ガイド層7d(屈折率ng1L )および第2ガイド
層8d(屈折率ng2L )とリッジ側の第1ガイド層4d
(屈折率ng1U )および第2ガイド層3d(屈折率n
g2U )の屈折率の関係(ng1L >ng1U 、ng2L >n
g2U)により、半導体層の厚さ方向(x) に光強度分布が
拡がり、半導体層の厚さ方向(x) の遠視野像の拡がりを
抑えて幅方向(y) の遠視野像の拡がりに対する厚さ方向
(x) の遠視野像の拡がりの比であるアスペクト比を低減
することができる。また、上記のような低屈折率層9a
やガイド層の屈折率の関係によって光はバリア層6を境
にして基板側にのみ拡がり、そのため、共振器長方向に
伝播する光は、半導体層の幅方向(y) ではリッジ部分と
リッジ部の外側との屈折率差の影響を受けにくくなり、
その結果、リッジ幅を拡げても基本モードのみが許容さ
れ、キンク発生の原因である高次モードの発生を防ぐこ
とができるという効果が得られる。
の形態2のように基板側クラッド層10aの屈折率nCL
をリッジ側クラッド層1aの屈折率nCUより大きくして
もよく、また、上記実施の形態3のように基板側ガイド
層7d,8dの層厚をリッジ側ガイド層3d,4dの層
厚より厚く形成してもよく、さらには、上記実施の形態
4のように基板側クラッド層10aの屈折率nCLをリッ
ジ側クラッド層1aの屈折率nCUより大きくし、かつ基
板側ガイド層7d,8dの層厚をリッジ側ガイド層3
d,4dの層厚より厚く形成してもよい。
体レーザの実施の形態6を説明する。図6は、この実施
の形態6である半導体レーザを示す断面図である。この
半導体レーザは、図6に示すように、上記実施の形態1
の半導体レーザに対してリッジ部の両端を電流ブロック
層16で埋め込んだ埋込みリッジ型構造を採用したもの
である。基板側クラッド層10aと基板側第2ガイド層
8aとの間に屈折率が基板側クラッド層10aの屈折率
nCLよりも小さい低屈折率層9a(屈折率nL )が挿入
されている(nCL>nL )構造は、上記実施の形態1と
同じである。なお、その他の構造、動作などについては
上記実施の形態1と同様である。
法としては、半導体基板14上に、MOCVD法等によ
り、基板側クラッド層10a、低屈折率層9a、基板側
第2ガイド層8a、基板側第1ガイド層7a、歪量子井
戸活性層5、バリア層6、歪量子井戸活性層5、リッジ
側第1ガイド層4a、リッジ側第2ガイド層3a、リッ
ジ側クラッド層1aを順次結晶成長させる。次にリッジ
側クラッド層1a上に、ストライプ状の絶縁膜を形成
し、この絶縁膜をマスクとしてリッジ側クラッド層1a
をエッチングしてリッジストライプ形状に形成して、こ
のリッジ側クラッド層1aのエッチング除去した部分
に、MOCVD法等により電流ブロック層16を埋め込
み成長させる。そして、マスクとして用いた絶縁膜を除
去し、全面にコンタクト層13を形成する。この後、上
記リッジ上部にリッジストライプ幅より狭いストライプ
状のリッジ側電極を、半導体基板14の裏面に基板側電
極15をそれぞれ形成すると、図6に示した埋込みリッ
ジ型の半導体レーザが完成する。
も上記実施の形態1の場合と同様に低屈折率層9aの存
在によって半導体層の厚さ方向(x) に光強度分布が拡が
り、半導体層の厚さ方向(x) における遠視野像の拡がり
を抑えて幅方向(y) の遠視野像の拡がりに対する厚さ方
向(x) の遠視野像の拡がりの比であるアスペクト比を低
減することができる。また、上記のような低屈折率層9
aの存在によって光はバリア層6を境にして基板側にの
み拡がり、そのため、共振器長方向に伝播する光は、半
導体層の幅方向(y) ではリッジ部分とリッジ部の外側と
の屈折率差の影響を受けにくくなり、その結果、リッジ
幅を拡げても基本モードのみが許容され、キンク発生の
原因である高次モードの発生を防ぐことができるという
効果が得られる。
本実施の形態6のような埋込みリッジ型半導体レーザに
してもよい。
1) によれば、半導体基板側に配置したガイド層とクラ
ッド層との間に該クラッド層の屈折率よりも小さい屈折
率を有する低屈折率層を設けたので、半導体層の厚さ方
向(x) に光強度分布を拡げ、半導体層の厚さ方向(x) に
おける遠視野像の拡がりを抑えて幅方向(y) の遠視野像
の拡がりに対する厚さ方向(x) の遠視野像の拡がりの比
であるアスペクト比を低減することができるという効果
が得られる。また、上記のような低屈折率層の存在によ
って光はバリア層を境にして基板側にのみ拡がり、その
ため、共振器長方向に伝播する光は、半導体層の幅方向
(y) ではリッジ部分とリッジ部の外側との屈折率差の影
響を受けにくくなり、その結果、リッジ幅を拡げても基
本モードのみが許容され、キンク発生の原因である高次
モードの発生を防ぐことができるという効果が得られ
る。
によれば、上記半導体レーザ(請求項1)において、上
記半導体基板側のクラッド層の屈折率をリッジ側のクラ
ッド層の屈折率よりも大きくしたので、上記高次モード
の発生を防ぎ、かつ基板側への光の拡がりが促進される
ため、半導体層の厚さ方向(x) に光強度分布が拡がっ
て、半導体層の厚さ方向(x) と幅方向(y) との遠視野像
の拡がりの比であるアスペクト比をより低減することが
できるという効果がある。
によれば、上記半導体レーザ(請求項1または2)にお
いて、上記半導体基板側のガイド層厚をリッジ側のガイ
ド層厚よりも厚くしたので、上記高次モードの発生を防
ぎ、かつ基板側への光の拡がりが促進されるため、半導
体層の厚さ方向(x) に光強度分布が拡がって、半導体層
の厚さ方向(x) と幅方向(y) との遠視野像の拡がりの比
であるアスペクト比をより低減することができるという
効果がある。
によれば、上記半導体レーザ(請求項1ないし3)にお
いて、上記半導体基板側のガイド層の屈折率をリッジ側
の屈折率よりも大きくしたので、上記高次モードの発生
を防ぎ、かつ基板側への光の拡がりが促進されるため、
半導体層の厚さ方向(x) に光強度分布が拡がって、半導
体層の厚さ方向(x) と幅方向(y) との遠視野像の拡がり
の比であるアスペクト比をより低減することができると
いう効果がある。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
3d リッジ側第2ガイド層、4a,4b,4c,4d
リッジ側第1ガイド層、5 歪量子井戸活性層、6
バリア層、7a,7b,7c,7d 基板側第1ガイド
層、8a,8b,8c,8d 基板側第2ガイド層、9
a,9b 低屈折率層、10a,10b基板側クラッド
層、11 リッジ側電極、12 絶縁膜、13 コンタ
クト層、14 半導体基板、15 基板側電極、16
電流ブロック層。
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体基板上に、活性層を境にして対称
にそれぞれ導電型の異なるガイド層とクラッド層とを備
えたリッジ型あるいは埋込リッジ型の屈折率導波構造を
有する半導体レーザにおいて、 上記半導体基板側に配置したガイド層とクラッド層との
間に該クラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有する
低屈折率層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項2】 請求項1に記載の半導体レーザにおい
て、 上記半導体基板側のクラッド層の屈折率をリッジ側のク
ラッド層の屈折率よりも大きくしたことを特徴とする半
導体レーザ。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の半導体レーザ
において、 上記半導体基板側のガイド層厚をリッジ側のガイド層厚
よりも厚く形成したことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の半
導体レーザにおいて、 上記半導体基板側のガイド層の屈折率をリッジ側の屈折
率よりも大きくしたことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03573198A JP4422806B2 (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 半導体レーザ |
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JP03573198A JP4422806B2 (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 半導体レーザ |
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JP2008154958A Division JP2008219051A (ja) | 2008-06-13 | 2008-06-13 | 半導体レーザ |
Publications (2)
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005294306A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
CN1309128C (zh) * | 2000-09-19 | 2007-04-04 | 罗姆股份有限公司 | Iii-v氮化物半导体激光器件 |
JP2007095857A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
US7362788B2 (en) | 2003-09-26 | 2008-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and fabricating method thereof |
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US9008141B2 (en) | 2013-07-19 | 2015-04-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
CN106532433A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-03-22 | 苏州全磊光电有限公司 | 一种窄垂直方向远场发散角的激光器及其制备方法 |
US9871348B2 (en) | 2015-10-22 | 2018-01-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
JP2021525962A (ja) * | 2018-05-30 | 2021-09-27 | エヌライト, インコーポレイテッドNlight, Inc. | 量子井戸オフセットおよび効率的な単一モードレーザ発光を速軸に沿って有する大光共振器(loc)レーザダイオード |
-
1998
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1309128C (zh) * | 2000-09-19 | 2007-04-04 | 罗姆股份有限公司 | Iii-v氮化物半导体激光器件 |
US7362788B2 (en) | 2003-09-26 | 2008-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and fabricating method thereof |
JP2005294306A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2007095857A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
US8111726B2 (en) | 2008-10-27 | 2012-02-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
JP2014197598A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
DE102014204938A1 (de) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterlaservorrichtung |
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DE102014204938B4 (de) * | 2013-03-29 | 2020-03-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterlaservorrichtung |
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US9871348B2 (en) | 2015-10-22 | 2018-01-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
CN106532433A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-03-22 | 苏州全磊光电有限公司 | 一种窄垂直方向远场发散角的激光器及其制备方法 |
JP2021525962A (ja) * | 2018-05-30 | 2021-09-27 | エヌライト, インコーポレイテッドNlight, Inc. | 量子井戸オフセットおよび効率的な単一モードレーザ発光を速軸に沿って有する大光共振器(loc)レーザダイオード |
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