JPH11233568A - ハンダボール・キャリアテープ及びその製作方法 - Google Patents

ハンダボール・キャリアテープ及びその製作方法

Info

Publication number
JPH11233568A
JPH11233568A JP10034390A JP3439098A JPH11233568A JP H11233568 A JPH11233568 A JP H11233568A JP 10034390 A JP10034390 A JP 10034390A JP 3439098 A JP3439098 A JP 3439098A JP H11233568 A JPH11233568 A JP H11233568A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
tape
chip
electrode
carrier tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10034390A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3116888B2 (ja
Inventor
Tetsuya Tao
哲也 田尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP10034390A priority Critical patent/JP3116888B2/ja
Priority to TW088101540A priority patent/TW410399B/zh
Priority to CN99100711A priority patent/CN1234604A/zh
Priority to KR1019990004694A priority patent/KR100313729B1/ko
Publication of JPH11233568A publication Critical patent/JPH11233568A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3116888B2 publication Critical patent/JP3116888B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のバンプ形成方法に代えて、容易にかつ
正確にハンダバンプを形成できる新規な構成のハンダボ
ール・キャリアテープ及びバンプ形成方法を提供する。 【解決手段】 本ハンダボール・キャリアテープ10
は、ICチップの電極ハンダランド等にハンダバンプを
形成する際に使用するハンダボール・キャリアテープで
ある。キャリアテープは、ハンダ濡れ性が低く、かつハ
ンダの融点以上の耐熱性を有する材料で形成されたテー
プ12と、ICチップの電極配列と同じ配列で、かつ開
口径が開口端に向けて拡大するようにテープ面に設けら
れた多数個の凹部14の集団であって、かつ各ICチッ
プ毎ににテープの長手方向に離隔して設けられた凹部群
61と、各凹部にそれぞれ1個づつ収容されたハンダボ
ール18とを備えている。本キャリアテープを使うこと
により、バンプ形成もれ等の作業ミスが生じることな
く、確実に電極ハンダランドにハンダボールを転写して
バンプを形成できるので、手直し作業を殆ど要しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ICチップの電極
ハンダランド等にハンダバンプを形成する際に使用する
ハンダボール・キャリアテープ、その製作方法、その製
造装置、及び、ハンダボール・キャリアテープを使って
ICチップの電極ハンダランド等にハンダバンプを形成
する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の高集積化及び微細化に伴
い、ICパッケージのピン数が著しく多くなっているた
めに、ICパッケージを実装基板に実装するに当たり、
ピン方式を採用することが技術的に難しくなっている。
そこで、ピン方式に代わって、ハンダボールを実装基板
との接続に用いるBGA(Ball Grid Array)方式のIC
チップが多用されるようになっている。BGA方式の場
合、電極端子の数は2000〜3000程度であって、
電極端子のピッチは0.24〜0.25mm、ICチップ
の電極端子に設けられているハンダボールの大きさは約
0.15mmである。
【0003】BGAパッケージの電極等にハンダバンプ
を形成する方法は、種々あるものの、一般には、ICチ
ップの電極配置に整合する配置で所定形状の凹部を設け
た平板状の整列治具と、凹部の配列に整合するように配
列された多数個の吸着ノズルを備えたハンダボール吸着
治具とを使用している。そして、先ず、それぞれ吸着ノ
ズルにハンダボールを吸着し、吸着したハンダボールを
整列治具の各凹部上でそれぞれ脱着させ、各凹部に一個
のハンダボールを収容する。次いで、ICチップの電極
とハンダボールとを位置合わせして接触させ、続いてハ
ンダボールを溶融させ、電極に転写してハンダバンプを
形成している。また、別法として、整列治具の各凹部に
ハンダペーストを充填し、ハンダペーストを加熱して、
ペースト成分を蒸発させると共にハンダ成分を溶融さ
せ、各凹部に球状のハンダバンプを形成し、次いで、ハ
ンダバンプが形成された整列治具をICチップに対向さ
せ、電極とハンダバンプとを位置合わせして、圧着し、
加熱することにより、ハンダバンプを電極に転写してい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、13mm角の
ICチップに3000本のピンを有する最近のICチッ
プに、上述した従来のハンダバンプ形成法によりハンダ
バンプを形成しようとする、径が0.12mm程度の30
00個のハンダボールを同時に各吸着ノズルに吸着し、
ピッチが0.24mm程度で配置された整列治具の各凹部
にそれぞれ1個のハンダボールを収容することが必要に
なる。しかし、このような多ピンのICチップに、従来
のハンダバンプ形成法より微細なハンダバンプを形成す
るには、次のような問題があった。即ち、多数の微細な
ハンダボールを微小ピッチで形成されている凹部にそれ
ぞれ同時に一個づつ収容する作業は、豊富な経験、熟練
した技能、及び多大の手間とを要し、生産性が極めて低
かった。例えば、ハンダボールを吸着ノズルに吸着する
際に吸着漏れがあったり、また、吸着ノズルの吸着作用
を停止して、吸着したハンダボールを吸着ノズルから整
列治具の凹部に落下させる際に、ハンダボールが凹部に
正確に収まらず、転がって別の凹部に入ったり、整列治
具から転がり落ちたりすることが多かった。それを修正
するには、顕微鏡を覗きながら手仕事でハンダボールを
所定の凹部に再配置することが必要であって、修正作業
に多大の労力と時間とを必要とした。また、ハンダペー
ストを充填する方法でも、微小ピッチで配列された微細
な凹部にハンダペーストをそれぞれ漏れなく正確に充填
することが難しく、また、充填するハンダペーストの多
寡が生じて、ハンダ量に過不足が生じることが多かっ
た。
【0005】そこで、本発明の目的は、従来のバンプ形
成方法に代えて、容易にかつ正確にハンダバンプを形成
できる新規な構成のハンダボール・キャリアテープ、そ
の製作方法、及びバンプ形成方法等を提供することであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るハンダボール・キャリアテープは、電
子部品及びICチップの電極ハンダランド、実装基板の
端子ハンダランド等(以下、纏めてICチップの電極ハ
ンダランドと表記する)にハンダバンプを形成する際に
使用する、ハンダボール・キャリアテープであって、ハ
ンダ濡れ性が低く、かつハンダの融点以上の温度で耐熱
性を有する材料で形成されたテープと、ICチップの電
極配列と同じ配列でテープ面に設けられ、それぞれ、開
口径が開口端に向けて拡大する縦断面形状を備える多数
個の凹部の集団であって、かつ各ICチップ毎にテープ
の長手方向に離隔して設けられた凹部群と、各凹部にそ
れぞれ1個づつ収容されたハンダボールとを備えている
ことを特徴としている。
【0007】本発明でハンダとは、錫と鉛の合金からな
るハンダのみならず、広く金属接合用に用いる低融点金
属、及び低融点合金を言う。ハンダペーストとは、ハン
ダ成分と蒸発性ペースト成分との混合物を言う。本発明
でテープに使用する材料は、例えば300℃程度の温度
に耐えるポリイミド樹脂等である。凹部及びハンダボー
ルの大きさは形成するハンダバンプの大きさによって決
定される。凹部の形成方法には制約はなく、開口径が開
口端に向けて拡大するよな凹部を形成できる限り既知の
任意の方法を適用できる。
【0008】本発明の好適な実施態様では、テープが、
ハンダ濡れ性が低く、かつハンダの融点以上の温度で耐
熱性を有するプラスチックフィルムの積層膜として形成
されている。本発明の更に好適な実施態様では、テープ
が、積層膜内に長手方向に金属箔を介在させたプラスチ
ックフィルムの積層膜であって、凹部の底から金属箔を
露出させ、かつ露出した金属箔とハンダボールとが接合
している。これにより、ハンダボール・キャリアテープ
を移送する際にも、ハンダボールが凹部から外に転がっ
て移動したり、テープから転がり出たりすることがな
い。テープの両側縁部に沿ってスプロケット孔が設けて
ある。これにより、ハンダボール・キャリアテープを容
易に走行させることができる。
【0009】本発明の更に好適な実施態様では、テープ
が、周囲のテープ面より低くなっている複数個の低テー
プ面領域を各ICチップ毎にテープの長手方向に離隔し
て備え、各凹部群が、それぞれ、低テープ面領域に設け
られている。これにより、テープ面に邪魔されることな
く、ICチップ等の電極を凹部のハンダボールに接近さ
せることができるので、ICチップ等の電極と凹部のハ
ンダボールとの位置合わせ及び相互接触が容易になる。
【0010】本発明方法は、電子部品及びICチップの
電極ハンダランド、実装基板の端子ハンダランド等(以
下、纏めてICチップの電極ハンダランドと表記する)
にハンダバンプを形成する際に使用するハンダボール・
キャリアテープの製作方法であって、ハンダ濡れ性が低
く、ハンダの融点以上の温度で耐熱性を有する材料で形
成されたテープに、ICチップの電極配列と同じ配列で
配置され、かつ、それぞれ、開口径が開口端に向けて拡
大する縦断面形状を備える多数個の凹部の集団を、各I
Cチップ毎にテープの長手方向に離隔して形成する工程
と、ディスペンサから各凹部にそれぞれ1個づつハンダ
ペーストを滴下する工程と、非酸化性雰囲気内でハンダ
ペーストを加熱、溶融し、次いで冷却してハンダボール
に転化する工程とを有することを特徴としている。
【0011】本発明では、ディスペンサからハンダペー
ストを滴下しているので、ハンダペーストの滴下量を正
確に制御でき、従ってハンダボールの大小が生じない。
尚、ディスペンサからのハンダペーストの滴下に代え
て、従来と同様に、ハンダペーストを塗布した後、スキ
ージでスキージングするようにしても良い。
【0012】本発明装置は、電子部品及びICチップの
電極ハンダランド、実装基板の端子ハンダランド等(以
下、纏めてICチップの電極ハンダランドと表記する)
にハンダバンプを形成する際に使用するハンダボール・
キャリアテープの製造装置であって、ICチップの電極
配列と同じ配列で配置され、かつ、それぞれ、開口径が
開口端に向けて拡大する縦断面形状を備える多数個の凹
部の集団を、各ICチップ毎にテープの長手方向に離隔
してテープに形成する凹部形成装置と、凹部の集団をテ
ープ面に有するテープを連続的に所定間隔でステップ走
行させるテープ走行機構と、ステップ走行するテープの
走行一時停止期間に、テープの各凹部にそれぞれハンダ
ペーストを滴下するマルチノズル型ディスペンサと、テ
ープの凹部に滴下されたハンダペーストを非酸化性雰囲
気内で加熱、溶融してハンダボールに転化するリフロー
炉とを備えていることを特徴としている。
【0013】上述した本発明に係るハンダバンプ形成方
法は、上述したハンダボール・キャリアテープを使用し
て、電子部品及びICチップの電極ハンダランド、実装
基板の端子ハンダランド等(以下、纏めてICチップの
電極ハンダランドと表記する)にハンダバンプを形成す
る方法(以下、第1のハンダバンプ形成方法と言う)で
あって、ハンダボール・キャリアテープを連続的に所定
間隔でステップ走行させ、その走行一時停止期間に、電
極を下向きにしてICチップを保持し、電極と凹部とを
位置合わせして、電極をハンダボール上に接触させる工
程と、電極に接触したハンダボールを非酸化性雰囲気内
で加熱、溶融して電極のハンダランド上に転写し、ハン
ダバンプを形成する工程とを備えることを特徴としてい
る。
【0014】本発明に係る別のハンダバンプ形成方法
は、電子部品及びICチップの電極ハンダランド、実装
基板の端子ハンダランド等(以下、纏めてICチップの
電極ハンダランドと表記する)にハンダバンプを形成す
る方法(以下、第2のハンダバンプ形成方法と言う)で
あって、ハンダ濡れ性が低く、ハンダの融点以上の温度
で耐熱性を有する材料で形成されたテープに、ICチッ
プの電極配列と同じ配列で配置され、かつ、それぞれ、
開口径が開口端に向けて拡大する縦断面形状を備える多
数個の凹部の集団を、各ICチップ毎にテープの長手方
向に離隔して形成する工程と、凹部の集団をテープ面に
有するテープを連続的に所定間隔でステップ走行させ、
ステップ走行するテープの走行一時停止期間に、ディス
ペンサから各凹部にそれぞれハンダペーストを滴下する
工程と、電極を下向きにしてICチップを保持し、電極
と凹部とを位置合わせして、電極をハンダペースト上に
接触させる工程と、電極に接触したハンダペーストを非
酸化性雰囲気内で加熱、溶融して電極のハンダランド上
にハンダを転写し、ハンダバンプを形成する工程とを備
えることを特徴としている。
【0015】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例1 本実施形態例は、本発明に係るハンダバンプ・キャリア
テープの実施形態の一例である。図1は本実施形態例の
ハンダバンプ・キャリアテープの平面図、図2は図1の
矢視I−Iの本実施形態例のハンダバンプ・キャリアテ
ープの凹部の断面図である。本実施形態例のハンダバン
プ・キャリアテープ(以下、キャリアテープと言う)1
0は、電子部品及びICチップの電極ハンダランド、実
装基板の端子ハンダランド等(以下、簡単にICチップ
の電極ハンダランドを対象にする)にハンダバンプを形
成する際に使用するハンダボール・キャリアテープであ
る。本キャリアテープ10は、テープ12と、多数個の
凹部14からなる凹部群16と、各凹部14にそれぞれ
1個づつ収容されたハンダボール18からなるハンダボ
ール群20と、フィルム12を送るために凹部群16を
挟むフィルム12の両側縁部に設けられたスプロケット
孔22とを備えている。
【0016】テープ12は、ハンダ濡れ性が低く、かつ
ハンダの融点以上の温度で耐熱性を有するプラスチック
で出来た、例えばポリイミド樹脂製のテープである。
尚、テープ12は、これに限らず、複数枚のプラスチッ
クフィルムを積層した積層膜でも良い。凹部14は、I
Cチップの電極配列と同じ配列、同じ間隔ピッチでテー
プ面に設けられていて、テープ12の長手方向に沿って
ICチップの電極配列の行数(図1では11行を表示)
だけ、テープ12の幅方向に沿ってICチップの電極配
列の列数(図1では9列を表示)だけ配列されている。
凹部群16は、ハンダバンプを転写する各ICチップ毎
にテープ12に沿って所定の間隔で設けられている。凹
部14は、後述するウエットエッチング法によりテープ
12をエッチングすることにより、テープ12の所定位
置に設けられていて、図2に示すように、開口径が開口
端に向けて拡大する縦断面形状を備えている。図3に示
すように、一つの凹部14内には、一つのハンダボール
18が収容されている。
【0017】次に、図3及び図4を参照して、本実施形
態例のキャリアテープ10を作製する方法を説明する。
図3(a)〜(d)は、テープに凹部を形成する際の各
工程毎のテープの断面図、図4(a)は本実施形態例の
キャリアテープ10を製造するためのキャリアテープ製
造装置の要部構成を示す模式的斜視図、図4(b)は図
4(a)の線II−IIでのハンダボールの形成を示す模式
的テープ断面図である。先ず、図3(a)に示すよう
に、テープ12上にフォトレジスト膜24を成膜する。
次いで、図3(b)に示すように、フォトリソグラフィ
及びエッチングにより所定位置に所定ピッチで所定寸法
の開口パターン26を備えたマスク28を形成する。続
いて、エッチャントとして強力アルカリを使用したウエ
ットエッチングにより、図3(c)に示すように、マス
ク28下のテープ12をエッチングして凹部14を設け
る。次いで、マスク28を除去して、図3(d)に示す
ように、凹部14を設けたテープ12を得る。続いて、
スプロケット孔16をテープ12の両側縁部に機械的な
方法により開口する。尚、凹部14を設ける前にテープ
12にスプロケット孔16を開口しても良い。
【0018】次いで、図4に示すキャリアテープ製造装
置を使ってテープ12上にハンダバンプを形成する。キ
ャリアテープ製造装置30は、図4に示すように、テー
プ走行装置32と、ディスペンサ装置34と、加熱装置
36とを備えている。
【0019】テープ走行装置32は、テープ12のスプ
ロケット孔16を利用してテープ12を走行させる駆動
スプロケット38と、駆動スプロケット38の前段にあ
ってテープ12を案内する遊動スプロケット40とから
構成され、テープ12を連続的に所定間隔で矢印の方向
にステップ走行させる。ディスペンサ装置34は、マル
チノズル型ディスペンサ装置であって、テープ12の走
行方向に直交する方向に配列された凹部14と同じピッ
チで同じ数配列されたシリンジ(Syringe)35を下向き
に備え、各シリンジ35に設けられた流量調節装置(図
示せず)の制御下で、シリンジ35から所定量のハンダ
ペーストを凹部14に滴下する。加熱装置36は、平板
状の抵抗加熱式電気ヒータであって、凹部14に滴下さ
れたハンダペーストを溶融し、ハンダ成分以外のペース
ト成分等を蒸発させつつハンダ成分を一体化させ、ハン
ダボールに転化する。テープ12の下部に加熱装置36
を設ける代わりに、別法として、図5に示すように、テ
ープ12の走行方向から見て、ディスペンサ装置34の
後段にリフロー炉41を設けても良い。
【0020】上述のキャリアテープ製造装置30を使っ
てテープ12の凹部14にハンダペーストを滴下するに
は、先ず、テープ12をテープ走行装置34により所定
速度でステップ走行させる。先ず、凹部14の最初の列
がディスペンサ装置34のシリンジ35の直下に到達し
たとき、所定の短い時間その位置にテープ12を一時停
止させ、シリンジ35からハンダペーストを凹部14に
所定量滴下させる。次いで、再び、テープの走行を開始
し、凹部14の次の列がシリンジン42の直下に到達し
たとき、テープ12を停止させて、シリンジ35からハ
ンダペーストを凹部14に所定量滴下させ、以下、これ
を繰り返す。即ち、テープ12は、凹部14がシリンジ
35のの直下に到達する度に、その位置で短い所定時間
停止するようにステップ走行する。続いて、凹部14内
のハンダペーストは、テープ12の下方に配置されてい
る加熱装置36により加熱されて溶融し、ハンダ成分以
外のペースト成分等が蒸発すると共にハンダ成分は一体
化してハンダボールに転化する。以上の工程を経て、本
実施形態例のキャリアテープ10を作製することができ
る。
【0021】次に、第1のハンダバンプ形成方法を適用
し、本実施形態例のキャリアテープ10を使って、IC
チップの電極ハンダランドにハンダバンプを形成する手
順を説明する。尚、図6はリフロー炉のICチップとキ
ャリアテープとの状態を説明する模式的断面図、図7は
ICチップの電極ハンダランドに形成されたハンダバン
プの模式図である。先ず、電極ハンダランド44のハン
ダ濡れ性を良くするために、フラックスを電極ハンダラ
ンド44上に塗布した後、図6に示すように、リフロー
炉46内で電極ハンダランド44を下向きにしてICチ
ップ42を保持する。一方、ICチップ42の下方にキ
ャリアテープ10をステップ走行させ、キャリアテープ
10の一時停止期間に、各電極ハンダランド44が、キ
ャリアテープ10に形成したハンダボール18の真上に
来るようにICチップ42を位置決めする。次いで、I
Cチップ42を下方に動かして電極ハンダランド44と
ハンダボール18とを接触させる。ハンダボール18は
リフロー炉46により加熱されて溶融し、キャリアテー
プ10から離れて電極ハンダランド44に付着し、次い
で冷却されると、図7に示すように、ハンダバンプ48
となる。
【0022】実施形態例2 本実施形態例は、本発明に係るハンダバンプ・キャリア
テープの実施形態の別の例である。図8は本実施形態例
のハンダバンプ・キャリアテープの凹部の断面図であ
る。本実施形態例のキャリアテープ50は、テープ52
が第1層ポリイミド樹脂フィルム54、銅箔層56、及
び第2層ポリイミド樹脂フィルム58とからなる積層膜
として形成されていて、図8に示すように、テープ52
に形成された凹部14の底部から銅箔56を露出させ、
ハンダボール18と銅箔56とを接合させている構成を
有する。これにより、キャリアテープ50を動かして
も、ハンダボール18は凹部から外に移動するようなお
それが無い。キャリアテープ50は、テープ52を積層
膜として形成し、凹部14の底部から銅箔56を露出さ
せ、ハンダボール18と銅箔56とを接合させているこ
とを除いて、実施形態例1のキャリアテープ10と同様
に作製される。
【0023】実施形態例3 本実施形態例は、本発明に係るハンダバンプ・キャリア
テープの実施形態の更に別の例である。図9は本実施形
態例のハンダバンプ・キャリアテープの凹部の断面図で
ある。本実施形態例のハンダバンプ・キャリアテープ6
0は、テープ62がポリイミド樹脂フィルムを積層した
積層膜テープとして構成されていること、及び凹部64
の形状が凹部14と異なることを除いて、実施形態例1
のキャリアテープ10と同じ構成を備えている。テープ
62は、図9に示すように、4層のポリイミド樹脂フィ
ルム66A〜Dの積層膜として構成されて、凹部64
は、第1層のフィルム66A上に、それぞれ異なる開口
径の開口を有する3層のフィルム66B〜Dを、開口が
ほぼ同心状でかつその開口径が順次拡大するように、積
層することにより形成される。一つの凹部64内に、一
つのハンダボール18が収容されている。
【0024】実施形態例4 本実施形態例は、実施形態例3の改変例であって、図1
0は本実施形態例のハンダバンプ・キャリアテープの凹
部の断面図である。本実施形態例のキャリアテープ70
は、図10に示すように、第1層のフィルム66と第2
層のフィルム66Bとの間に銅箔層72を介在させ、テ
ープ62に形成された凹部64の底部から銅箔72を露
出させ、ハンダボール18(図示せず)と銅箔72とを
接合させている構成を備えていることを除いて、実施形
態例3のキャリアテープ60と同じ構成を備えている。
【0025】実施形態例5 本実施形態例は、本発明に係るハンダバンプ・キャリア
テープの実施形態の更に別の例である。図11(a)は
本実施形態例のハンダバンプ・キャリアテープの斜視
図、図11(b)は図11(a)の線III −III での凹
部の断面図である。本実施形態例のキャリアテープ80
は、図11(a)に示すように、テープ12が、周囲の
テープ面82より低くなっている低テープ面領域84を
各ICチップ毎にテープの長手方向に備え、ハンダボー
ル18を収容した凹部14の集団である凹部群がそれぞ
れ低テープ面領域84に設けられていることを除いて、
実施形態例1のキャリアテープ10と同じ構成を備えて
いる。これにより、図11(b)に示すように、凹部1
4に収容されているハンダボール18とICチップ42
の電極ハンダランド44との接触を容易にすることがで
きる。
【0026】実施形態例6 本実施形態例は、第2のハンダバンプ形成方法の実施形
態の一例であって、ハンダペーストを配置したキャリア
テープを使用して、ICチップの電極ハンダランドにハ
ンダバンプを形成する例である。本実施形態例では、図
4に示すキャリアテープ製造装置30のテープ走行装置
32及びディスペンサ装置34と、図6に示すリフロー
炉46とを使用する。先ず、実施形態例1のキャリアテ
ープ10の製作と同様にして、図2に示すように、テー
プ12に凹部14を形成する。次いで、キャリアテープ
製造装置30のテープ走行装置32及びディスペンサ装
置34を使って、実施形態例1と同様にして、ステップ
走行するテープ12の凹部14にハンダペーストを充填
し、更に、テープ12を走行させ、リフロー炉46内で
電極ハンダランド44を下向きにして保持されているI
Cチップ42の下方に、凹部14が到達した時点で、テ
ープ12の走行を一時停止させる。テープ12の一時停
止期間に、各電極ハンダランド44が凹部14に充填し
たハンダペーストの真上に来るようにICチップ42を
位置決めし、続いてICチップ42を下方に動かして電
極ハンダランド44とハンダペーストとを接触させ、リ
フロー炉46によりハンダペーストを加熱、溶融する。
これにより、ペースト成分は蒸発し、ハンダ成分は溶
融、一体化してテープ12の凹部14から離れて電極ハ
ンダランド44に付着し、次いで冷却されると、図7に
示すように、ハンダバンプ48となる。この際、電極ハ
ンダランド44のハンダ濡れ性を良くするために、フラ
ックスを電極ハンダランド44上に塗布しても良い。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、ICチップの電極配列
と同じ配列で、かつ開口径が開口端に向けて拡大するよ
うにテープ面に設けられた多数個の凹部の集団中の各凹
部に、それぞれ、ハンダボールを収容するようにハンダ
ボール・キャリアテープを構成することにより、製作が
容易で、かつ確実に電極ハンダランドにハンダボールを
転写してハンダバンプを形成できるハンダボール・キャ
リアテープを実現している。ハンダボール・キャリアテ
ープの本製作方法によれば、本発明に係るハンダボール
・キャリアテープを容易に製作することができる。本発
明に係るハンダバンプ形成方法によれば、本発明に係る
ハンダボール・キャリアテープを使用して、ハンダバン
プの形成もれ等の作業ミスが生じることなく、確実に電
極ハンダランドにハンダボールを転写してハンダバンプ
を形成できるので、ハンダバンプ形成に際し、手直し作
業を殆ど要しない。従って、本発明に係るハンダバンプ
形成方法によれば、高い生産性でICチップ等の電極に
ハンダバンプを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例1のハンダバンプ・キャリアテープ
の平面図である。
【図2】図1の矢視I−Iのハンダバンプ・キャリアテ
ープの凹部の断面図である。
【図3】図3(a)〜(d)は、テープに凹部を形成す
る際の各工程毎のテープの断面図である。
【図4】図4(a)は実施形態例1のキャリアテープを
製造するためのキャリアテープ製造装置の要部構成を示
す模式的斜視図、図4(b)は図4(a)の線II−IIで
のハンダボールの形成を示す模式的テープ断面図であ
る。
【図5】ディスペンサ装置の後方にリフロー炉を設ける
場合の構成を示す図である。
【図6】リフロー炉のICチップとキャリアテープとの
状態を説明する模式的断面図である。
【図7】ICチップの電極ハンダランドに形成されたハ
ンダバンプの模式図である。
【図8】実施形態例2のハンダバンプ・キャリアテープ
の凹部の断面図である。
【図9】実施形態例3のハンダバンプ・キャリアテープ
の凹部の断面図である。
【図10】実施形態例4のハンダバンプ・キャリアテー
プの凹部の断面図である。
【図11】図11(a)は実施形態例5のハンダバンプ
・キャリアテープの斜視図、図11(b)は図11
(a)の線III −III での凹部の断面図である。
【符号の説明】
10 実施形態例1のハンダバンプ・キャリアテープ 12 テープ 14 凹部 16 凹部群 18 ハンダボール 20 ハンダボール群 22 スプロケット孔 24 フォトレジスト膜 26 開口パターン 28 マスク 30 キャリアテープ製造装置 32 テープ走行装置 34 ディスペンサ装置 35 シリンジ 36 加熱装置 38 駆動スプロケット 40 遊動スプロケット 41 リフロー炉 42 ICチップ 44 電極ハンダランド 46 リフロー炉 48 ハンダバンプ 50 実施形態例2のハンダボール・キャリアテープ 52 テープ 54 第1層フィルム 56 銅箔層 58 第2層フィルム 60 実施形態例3のハンダバンプ・キャリアテープ 62 テープ 64 凹部 66 フィルム 70 実施形態例4のハンダボール・キャリアテープ 72 銅箔層 80 実施形態例5のハンダボール・キャリアテープ 82 周囲のテープ面 84 低テープ面領域

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子部品及びICチップの電極ハンダラ
    ンド、実装基板の端子ハンダランド等(以下、纏めてI
    Cチップの電極ハンダランドと表記する)にハンダバン
    プを形成する際に使用する、ハンダボール・キャリアテ
    ープであって、 ハンダ濡れ性が低く、かつハンダの融点以上の温度で耐
    熱性を有する材料で形成されたテープと、 ICチップの電極配列と同じ配列でテープ面に設けら
    れ、それぞれ、開口径が開口端に向けて拡大する縦断面
    形状を備える多数個の凹部の集団であって、かつ各IC
    チップ毎にテープの長手方向に離隔して設けられた凹部
    群と、 各凹部にそれぞれ1個づつ収容されたハンダボールとを
    備えていることを特徴とするハンダボール・キャリアテ
    ープ。
  2. 【請求項2】 テープが、ハンダ濡れ性が低く、かつハ
    ンダの融点以上の温度で耐熱性を有するプラスチックフ
    ィルムの積層膜として形成されていることを特徴とする
    請求項1に記載のハンダボール・キャリアテープ。
  3. 【請求項3】 テープが、積層膜内に長手方向に金属箔
    を介在させたプラスチックフィルムの積層膜であって、
    凹部の底から金属箔を露出させ、かつ露出した金属箔と
    ハンダボールとが接合していることを特徴とする請求項
    2に記載のハンダボール・キャリアテープ。
  4. 【請求項4】 テープが、周囲のテープ面より低くなっ
    ている複数個の低テープ面領域を各ICチップ毎にテー
    プの長手方向に離隔して備え、各凹部群が、それぞれ、
    低テープ面領域に設けられていることを特徴とする請求
    項1から3のうちのいずれか1項に記載のハンダボール
    ・キャリアテープ。
  5. 【請求項5】 テープの両側縁部に沿ってスプロケット
    孔が設けてあることを特徴とする請求項1から4のうち
    のいずれか1項に記載のハンダボール・キャリアテー
    プ。
  6. 【請求項6】 電子部品及びICチップの電極ハンダラ
    ンド、実装基板の端子ハンダランド等(以下、纏めてI
    Cチップの電極ハンダランドと表記する)にハンダバン
    プを形成する際に使用する、ハンダボール・キャリアテ
    ープの製作方法であって、 ハンダ濡れ性が低く、ハンダの融点以上の温度で耐熱性
    を有する材料で形成されたテープに、ICチップの電極
    配列と同じ配列で配置され、かつ、それぞれ、開口径が
    開口端に向けて拡大する縦断面形状を備える多数個の凹
    部の集団を、各ICチップ毎にテープの長手方向に離隔
    して形成する工程と、 ディスペンサから各凹部にそれぞれハンダペーストを滴
    下する工程と、 非酸化性雰囲気内でハンダペーストを加熱、溶融し、次
    いで冷却してハンダボールに転化する工程とを有するこ
    とを特徴とするハンダボール・キャリアテープの製作方
    法。
  7. 【請求項7】 電子部品及びICチップの電極ハンダラ
    ンド、実装基板の端子ハンダランド等(以下、纏めてI
    Cチップの電極ハンダランドと表記する)にハンダバン
    プを形成する際に使用する、ハンダボール・キャリアテ
    ープの製造装置であって、 ICチップの電極配列と同じ配列で配置され、かつ、そ
    れぞれ、開口径が開口端に向けて拡大する縦断面形状を
    備える多数個の凹部の集団を、各ICチップ毎にテープ
    の長手方向に離隔してテープに形成する凹部形成装置
    と、 凹部の集団をテープ面に有するテープを連続的に所定間
    隔でステップ走行させるテープ走行機構と、 ステップ走行するテープの走行一時停止期間に、テープ
    の各凹部にそれぞれハンダペーストを滴下するマルチノ
    ズル型ディスペンサと、 テープの凹部に滴下されたハンダペーストを非酸化性雰
    囲気内で加熱、溶融してハンダボールに転化するリフロ
    ー炉とを備えていることを特徴とするハンダボール・キ
    ャリアテープの製造装置。
  8. 【請求項8】 請求項1から5のうちのいずれか1項に
    記載のハンダボール・キャリアテープを使用して、電子
    部品及びICチップの電極ハンダランド、実装基板の端
    子ハンダランド等(以下、纏めてICチップの電極ハン
    ダランドと表記する)にハンダバンプを形成する方法で
    あって、 ハンダボール・キャリアテープを連続的に所定間隔でス
    テップ走行させ、その走行一時停止期間に、電極を下向
    きにしてICチップを保持し、電極と凹部とを位置合わ
    せして、電極をハンダボール上に接触させる工程と、 電極に接触したハンダボールを非酸化性雰囲気内で加
    熱、溶融して電極ハンダランド上に転写し、ハンダバン
    プを形成する工程とを備えることを特徴とするハンダバ
    ンプの形成方法。
  9. 【請求項9】 電子部品及びICチップの電極ハンダラ
    ンド、実装基板の端子ハンダランド等(以下、纏めてI
    Cチップの電極ハンダランドと表記する)にハンダバン
    プを形成する方法であって、 ハンダ濡れ性が低く、ハンダの融点以上の温度で耐熱性
    を有する材料で形成されたテープに、ICチップの電極
    配列と同じ配列で配置され、かつ、それぞれ、開口径が
    開口端に向けて拡大する縦断面形状を備える多数個の凹
    部の集団を、各ICチップ毎にテープの長手方向に離隔
    して形成する工程と、 凹部の集団をテープ面に有するテープを連続的に所定間
    隔でステップ走行させ、ステップ走行するテープの走行
    一時停止期間に、ディスペンサから各凹部にそれぞれハ
    ンダペーストを滴下する工程と、 電極を下向きにしてICチップを保持し、電極と凹部と
    を位置合わせして、電極をハンダペースト上に接触させ
    る工程と、 電極に接触したハンダペーストを非酸化性雰囲気内で加
    熱、溶融して電極のハンダランド上にハンダを転写し、
    ハンダバンプを形成する工程とを備えることを特徴とす
    るハンダバンプの形成方法。
JP10034390A 1998-02-17 1998-02-17 ハンダボール・キャリアテープ及びその製作方法 Expired - Fee Related JP3116888B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10034390A JP3116888B2 (ja) 1998-02-17 1998-02-17 ハンダボール・キャリアテープ及びその製作方法
TW088101540A TW410399B (en) 1998-02-17 1999-02-01 Solder ball carrier tape and method for manufacturing the same
CN99100711A CN1234604A (zh) 1998-02-17 1999-02-10 焊料球载带及其制造方法
KR1019990004694A KR100313729B1 (ko) 1998-02-17 1999-02-10 솔더 볼 캐리어 테이프 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10034390A JP3116888B2 (ja) 1998-02-17 1998-02-17 ハンダボール・キャリアテープ及びその製作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11233568A true JPH11233568A (ja) 1999-08-27
JP3116888B2 JP3116888B2 (ja) 2000-12-11

Family

ID=12412849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10034390A Expired - Fee Related JP3116888B2 (ja) 1998-02-17 1998-02-17 ハンダボール・キャリアテープ及びその製作方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP3116888B2 (ja)
KR (1) KR100313729B1 (ja)
CN (1) CN1234604A (ja)
TW (1) TW410399B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100371563B1 (ko) * 2000-10-13 2003-02-07 삼성테크윈 주식회사 플립칩 반도체 팩키지의 제조 방법과 이 법을 이용하여 제조된 팩키지
US6855623B2 (en) * 1999-02-24 2005-02-15 Micron Technology Inc. Recessed tape and method for forming a BGA assembly
JP2005203468A (ja) * 2004-01-14 2005-07-28 Seiko Epson Corp 電子装置及びその製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102734760A (zh) * 2011-04-13 2012-10-17 苏州世鼎电子有限公司 通过转印锡膏而在金属线路上形成电源接点的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6855623B2 (en) * 1999-02-24 2005-02-15 Micron Technology Inc. Recessed tape and method for forming a BGA assembly
KR100371563B1 (ko) * 2000-10-13 2003-02-07 삼성테크윈 주식회사 플립칩 반도체 팩키지의 제조 방법과 이 법을 이용하여 제조된 팩키지
JP2005203468A (ja) * 2004-01-14 2005-07-28 Seiko Epson Corp 電子装置及びその製造方法
US7342179B2 (en) 2004-01-14 2008-03-11 Seiko Epson Corporation Electronic device and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990072561A (ko) 1999-09-27
TW410399B (en) 2000-11-01
KR100313729B1 (ko) 2001-11-15
JP3116888B2 (ja) 2000-12-11
CN1234604A (zh) 1999-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100257420B1 (ko) 결합 재료 범프에 의해 상호접속되는 시스템
US7842599B2 (en) Bumping electronic components using transfer substrates
JP4928945B2 (ja) バンプ−オン−リードフリップチップ相互接続
US6150717A (en) Direct die contact (DDC) semiconductor package
JP3202903B2 (ja) 基板上にソルダ・ボールを形成する方法
WO2000010369A1 (fr) Realisation de bossages de soudure, methode de montage d'un dispositif electronique et structure de montage pour ce dispositif
JPH06124953A (ja) 半導体装置のバンプ形成方法
JPH11297886A (ja) はんだバンプ形成方法
JP2006210937A (ja) ハンダバンプの形成方法
JP3116888B2 (ja) ハンダボール・キャリアテープ及びその製作方法
US7819301B2 (en) Bumping electronic components using transfer substrates
US7288471B2 (en) Bumping electronic components using transfer substrates
JP2006173654A (ja) ハンダバンプの形成方法
JPH11163044A (ja) プリント配線板および電子部品実装方法
US7735717B2 (en) Method of manufacturing semiconductor apparatus and method of forming viscous liquid layer
JP3001053B2 (ja) バンプの形成方法及び電子装置
JP2870456B2 (ja) 電子部品の接合方法
JP3086125B2 (ja) 半導体チップへのバンプ形成方法および装置
JP2000022031A (ja) 導電性ボールの実装方法
JPH09326412A (ja) ハンダボールの取り付け方法
JP4502214B2 (ja) ハンダバンプの形成方法
JP2005333162A (ja) ハンダバンプの形成方法
KR101031344B1 (ko) 솔더 범프들을 형성하기 위한 템플릿 및 이를 지지하기 위한 척
JP2006012883A (ja) 電子部品はんだ接合方法,エリアアレイ型電子部品,電子回路基板および電子部品ユニット
JP2001250904A (ja) 電子部品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees