JPH11233567A - 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 - Google Patents
半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置Info
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- JPH11233567A JPH11233567A JP10029828A JP2982898A JPH11233567A JP H11233567 A JPH11233567 A JP H11233567A JP 10029828 A JP10029828 A JP 10029828A JP 2982898 A JP2982898 A JP 2982898A JP H11233567 A JPH11233567 A JP H11233567A
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- tape
- semiconductor
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】優れた耐半田耐熱性、耐湿信頼性を達成し得る
半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張
り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提供
する。 【解決手段】有機絶縁性フィルム上に少なくとも接着剤
層を有する積層体より構成された接着剤付きテープであ
って、前記有機絶縁フィルムの水蒸気透過率が０．０４
ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以上であることを特徴とする半
導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り
積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置。
半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張
り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提供
する。 【解決手段】有機絶縁性フィルム上に少なくとも接着剤
層を有する積層体より構成された接着剤付きテープであ
って、前記有機絶縁フィルムの水蒸気透過率が０．０４
ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以上であることを特徴とする半
導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り
積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路を実
装する際に用いられる、テープオートメーテッドボンデ
ィング（ＴＡＢ）方式のパターン加工テープ、ボールグ
リッドアレイパッケージ（ＢＧＡ）、チップスケールパ
ッケージ（ＣＳＰ）用インターポーザー等の半導体接続
用基板を作成するために適した接着剤付きテープおよび
それを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに
半導体装置に関する。
装する際に用いられる、テープオートメーテッドボンデ
ィング（ＴＡＢ）方式のパターン加工テープ、ボールグ
リッドアレイパッケージ（ＢＧＡ）、チップスケールパ
ッケージ（ＣＳＰ）用インターポーザー等の半導体接続
用基板を作成するために適した接着剤付きテープおよび
それを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣ）の基板には、金
属製のリードフレームを用いた方式がもっとも多く用い
られているが、近年ではガラスエポキシやポリイミド等
の有機絶縁性フィルム上に、ＩＣ接続用の導体パターン
を形成した接続用基板を介した方式が増加している。代
表的なものとして、テープオートメーテッドボンディン
グ（ＴＡＢ）方式によるテープキャリアパッケージ（Ｔ
ＣＰ）が挙げられる。
属製のリードフレームを用いた方式がもっとも多く用い
られているが、近年ではガラスエポキシやポリイミド等
の有機絶縁性フィルム上に、ＩＣ接続用の導体パターン
を形成した接続用基板を介した方式が増加している。代
表的なものとして、テープオートメーテッドボンディン
グ（ＴＡＢ）方式によるテープキャリアパッケージ（Ｔ
ＣＰ）が挙げられる。
【０００３】ＴＣＰの接続用基板（パターンテープ）に
はＴＡＢ用接着剤付きテープ（以下ＴＡＢ用テープと称
する）が使用されるのが一般的である。通常のＴＡＢ用
テープは、ポリイミドフィルム等の可撓性を有する有機
絶縁性フィルム上に、未硬化状態の接着剤層および保護
フィルム層として離型性を有するポリエステルフィルム
等を積層した３層構造より構成されている。
はＴＡＢ用接着剤付きテープ（以下ＴＡＢ用テープと称
する）が使用されるのが一般的である。通常のＴＡＢ用
テープは、ポリイミドフィルム等の可撓性を有する有機
絶縁性フィルム上に、未硬化状態の接着剤層および保護
フィルム層として離型性を有するポリエステルフィルム
等を積層した３層構造より構成されている。
【０００４】ＴＡＢ用テープは、（１） スプロケット
およびデバイス孔の穿孔、（２） 銅箔との熱ラミネー
トおよび接着剤の加熱硬化、（３） パターン形成（レ
ジスト塗布、エッチング、レジスト除去）、（４） ス
ズまたは金−メッキ処理などの加工工程を経て、接続用
基板であるＴＡＢテープ（パターンテープ）に加工され
る。図１にパターンテープの形状を示す。図１中の１は
有機絶縁性フィルム、２は接着剤、３はスプロケットホ
ール、４はデバイスホール、５は導体パターンを示す。
図２に本発明のＴＣＰ型半導体装置の一態様の断面図を
示す。パターンテープのインナーリード部６を、保護膜
１１を有する半導体集積回路８の金バンプ１０に熱圧着
（インナーリードボンディング）し、半導体集積回路を
搭載する。次いで、封止樹脂９による樹脂封止工程を経
て半導体装置が作成される。最後に、ＴＣＰ型半導体装
置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウターリード
７を介して接続され、電子機器への実装がなされる。
およびデバイス孔の穿孔、（２） 銅箔との熱ラミネー
トおよび接着剤の加熱硬化、（３） パターン形成（レ
ジスト塗布、エッチング、レジスト除去）、（４） ス
ズまたは金−メッキ処理などの加工工程を経て、接続用
基板であるＴＡＢテープ（パターンテープ）に加工され
る。図１にパターンテープの形状を示す。図１中の１は
有機絶縁性フィルム、２は接着剤、３はスプロケットホ
ール、４はデバイスホール、５は導体パターンを示す。
図２に本発明のＴＣＰ型半導体装置の一態様の断面図を
示す。パターンテープのインナーリード部６を、保護膜
１１を有する半導体集積回路８の金バンプ１０に熱圧着
（インナーリードボンディング）し、半導体集積回路を
搭載する。次いで、封止樹脂９による樹脂封止工程を経
て半導体装置が作成される。最後に、ＴＣＰ型半導体装
置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウターリード
７を介して接続され、電子機器への実装がなされる。
【０００５】近年の電子機器の小型・軽量化に伴い、半
導体パッケージも高密度実装化を目的に、これまでのパ
ッケージの側面に外部接続端子を配したスモール・アウ
トライン・パッケージ（ＳＯＰ）、クワッド・フラット
・パッケージ（ＱＦＰ）に変わって、パッケージの裏面
に外部接続端子を配列するＢＧＡ（ボール・グリッド・
アレイ）、ＣＳＰ（チップ・スケール・パッケージ）が
用いられるようになってきた。
導体パッケージも高密度実装化を目的に、これまでのパ
ッケージの側面に外部接続端子を配したスモール・アウ
トライン・パッケージ（ＳＯＰ）、クワッド・フラット
・パッケージ（ＱＦＰ）に変わって、パッケージの裏面
に外部接続端子を配列するＢＧＡ（ボール・グリッド・
アレイ）、ＣＳＰ（チップ・スケール・パッケージ）が
用いられるようになってきた。
【０００６】ＢＧＡ、ＣＳＰではＴＣＰと同様に、イン
ターポーザーと称する接続用基板が必須である。しか
し、ＩＣの接続方法において、従来のＴＣＰでは大半が
ＴＡＢ方式のギャングボンディングであるのに対し、Ｂ
ＧＡ、ＣＳＰではＴＡＢ方式およびワイヤーボンディン
グ方式のいずれかを、個々のパッケージの仕様、用途、
設計方針等により選択している点が異なっている。図３
および図４に本発明の半導体装置（ＢＧＡ，ＣＳＰ）の
一態様の断面図を示す。図中、１２、２０は有機絶縁性
フィルム、１３、２１は接着剤、１４、２２は導体パタ
ーン、１５、２３は半導体集積回路、１６、２４は封止
樹脂、１７、２５は金バンプ、１８、２６はハンダボー
ル、１９はスティフナー、２７はソルダーレジストを示
す。
ターポーザーと称する接続用基板が必須である。しか
し、ＩＣの接続方法において、従来のＴＣＰでは大半が
ＴＡＢ方式のギャングボンディングであるのに対し、Ｂ
ＧＡ、ＣＳＰではＴＡＢ方式およびワイヤーボンディン
グ方式のいずれかを、個々のパッケージの仕様、用途、
設計方針等により選択している点が異なっている。図３
および図４に本発明の半導体装置（ＢＧＡ，ＣＳＰ）の
一態様の断面図を示す。図中、１２、２０は有機絶縁性
フィルム、１３、２１は接着剤、１４、２２は導体パタ
ーン、１５、２３は半導体集積回路、１６、２４は封止
樹脂、１７、２５は金バンプ、１８、２６はハンダボー
ル、１９はスティフナー、２７はソルダーレジストを示
す。
【０００７】ここでいうインターポーザーは、前述のＴ
ＣＰのパターンテープと同様の機能を有するものなの
で、ＴＡＢ用接着剤付きテープを使用することができ
る。インナーリードを有する接続方式に有利であること
は当然であるが、半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイス
ホールを機械的に打ち抜いた後に銅箔をラミネートする
プロセスに特に適している。一方、ワイヤーボンディン
グにより接続するため、インナーリードが不要であった
り、銅箔ごと半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイスホー
ルを開けるプロセスでは、すでに銅箔を積層し接着剤を
加熱硬化させた銅張り積層板を用いてもよい。
ＣＰのパターンテープと同様の機能を有するものなの
で、ＴＡＢ用接着剤付きテープを使用することができ
る。インナーリードを有する接続方式に有利であること
は当然であるが、半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイス
ホールを機械的に打ち抜いた後に銅箔をラミネートする
プロセスに特に適している。一方、ワイヤーボンディン
グにより接続するため、インナーリードが不要であった
り、銅箔ごと半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイスホー
ルを開けるプロセスでは、すでに銅箔を積層し接着剤を
加熱硬化させた銅張り積層板を用いてもよい。
【０００８】上記のパッケージ形態ではいずれも最終的
に半導体装置用接着剤付きテープの接着剤層は、パッケ
ージ内に残留するため、絶縁性、耐熱性、接着性等の諸
特性を満たすことが要求される。電子機器の小型化、高
密度化が進行するに伴い、半導体接続用基板のパターン
ピッチ（導体幅および導体間幅）が非常に狭くなってき
ており、高い絶縁信頼性と狭い導体幅における銅箔接着
力（以下、接着力と称する）を有する接着剤の必要性が
高まっている。最近は特に、絶縁信頼性の加速試験とし
て、１３０℃，８５％ＲＨの高温高湿あるいは、１２５
℃〜１５０℃の高温で連続した電圧印加状態における絶
縁抵抗の低下速度が重要視されるようになった。
に半導体装置用接着剤付きテープの接着剤層は、パッケ
ージ内に残留するため、絶縁性、耐熱性、接着性等の諸
特性を満たすことが要求される。電子機器の小型化、高
密度化が進行するに伴い、半導体接続用基板のパターン
ピッチ（導体幅および導体間幅）が非常に狭くなってき
ており、高い絶縁信頼性と狭い導体幅における銅箔接着
力（以下、接着力と称する）を有する接着剤の必要性が
高まっている。最近は特に、絶縁信頼性の加速試験とし
て、１３０℃，８５％ＲＨの高温高湿あるいは、１２５
℃〜１５０℃の高温で連続した電圧印加状態における絶
縁抵抗の低下速度が重要視されるようになった。
【０００９】一方、プリント基板への部品実装において
も高密度実装、自動化が進められており、従来のリード
ピンを基板の穴に挿入する”挿入実装方式”に代わり、
基板表面に部品を半田付けする”表面実装方式”が主流
になってきた。表面実装方式への移行に伴い、パッケー
ジには半田耐熱性が要求されるようになってきた。
も高密度実装、自動化が進められており、従来のリード
ピンを基板の穴に挿入する”挿入実装方式”に代わり、
基板表面に部品を半田付けする”表面実装方式”が主流
になってきた。表面実装方式への移行に伴い、パッケー
ジには半田耐熱性が要求されるようになってきた。
【００１０】すなわち、従来のピン挿入実装方式では、
半田付け工程でパッケージのリード部が部分的に加熱さ
れるだけであったが、表面実装方式では、パッケージ全
体が熱媒に浸され加熱される。この表面実装方式におけ
る半田付け方法としては、半田浴浸漬、不活性ガスの飽
和蒸気による（ベーパーフェイズ法）や赤外線リフロー
法などが用いられるが、いずれの方法でもパッケージ全
体が２１０〜２７０℃の高温に加熱されることになるた
め、従来の接続用基板をインターポーザーに用いたパッ
ケージにおいては、半田付け時に膨れが発生し実装不良
となる問題がおきるのである。
半田付け工程でパッケージのリード部が部分的に加熱さ
れるだけであったが、表面実装方式では、パッケージ全
体が熱媒に浸され加熱される。この表面実装方式におけ
る半田付け方法としては、半田浴浸漬、不活性ガスの飽
和蒸気による（ベーパーフェイズ法）や赤外線リフロー
法などが用いられるが、いずれの方法でもパッケージ全
体が２１０〜２７０℃の高温に加熱されることになるた
め、従来の接続用基板をインターポーザーに用いたパッ
ケージにおいては、半田付け時に膨れが発生し実装不良
となる問題がおきるのである。
【００１１】半田付け時における実装不良は、実装工程
までにパッケージが吸湿した水分が、半田付け加熱時に
爆発的に水蒸気化、膨張することに起因するといわれて
おり、その対策としては、パッケージを完全に乾燥し密
封した容器に収納して出荷する方法が用いられている。
までにパッケージが吸湿した水分が、半田付け加熱時に
爆発的に水蒸気化、膨張することに起因するといわれて
おり、その対策としては、パッケージを完全に乾燥し密
封した容器に収納して出荷する方法が用いられている。
【００１２】しかるに、乾燥パッケージを容器に封入す
る方法は、製造工程および製品の取扱い作業が繁雑にな
るうえ、製品価格が高価になる欠点がある。
る方法は、製造工程および製品の取扱い作業が繁雑にな
るうえ、製品価格が高価になる欠点がある。
【００１３】かかる現状に基づき、接続基板の改良が種
々検討されており、例えば、吸湿された水分を抜けやす
くする目的で、接続基板に直径０．１ｍｍ以下の微細な
穴を開けることなどが提案されている。
々検討されており、例えば、吸湿された水分を抜けやす
くする目的で、接続基板に直径０．１ｍｍ以下の微細な
穴を開けることなどが提案されている。
【００１４】しかしながら、接続基板に微細な水分の抜
け穴を開ける方法は、パッケージの半田耐熱性が十分で
ないばかりか、加工工程増加によるコストアップおよび
基板上の配線の引き回しが制限されるなどの問題を残し
ていた。
け穴を開ける方法は、パッケージの半田耐熱性が十分で
ないばかりか、加工工程増加によるコストアップおよび
基板上の配線の引き回しが制限されるなどの問題を残し
ていた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した従
来の接続基板が有する問題点の解決を課題として検討し
た結果、達成されたものである。
来の接続基板が有する問題点の解決を課題として検討し
た結果、達成されたものである。
【００１６】したがって、本発明の目的は、耐半田耐熱
性、耐湿信頼性などの信頼性が優れた半導体装置用接着
剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体
接続用基板ならびに半導体装置を提供することを目的と
する。
性、耐湿信頼性などの信頼性が優れた半導体装置用接着
剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体
接続用基板ならびに半導体装置を提供することを目的と
する。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために半導体装置用接着剤付きテープの有
機絶縁フィルムの水蒸気透過率に注目し検討した結果、
半田耐熱性に優れた半導体装置用接着剤付きテープが得
られることを見出し、本発明に至ったものである。
的を達成するために半導体装置用接着剤付きテープの有
機絶縁フィルムの水蒸気透過率に注目し検討した結果、
半田耐熱性に優れた半導体装置用接着剤付きテープが得
られることを見出し、本発明に至ったものである。
【００１８】すなわち、本発明は有機絶縁性フィルム上
に、少なくとも接着剤層を有する積層体より構成された
接着剤付きテープであって、前記有機絶縁フィルムの水
蒸気透過率が０．０４ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以上であ
ることを特徴とする半導体装置用接着剤付きテープおよ
びそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならび
に半導体装置である。
に、少なくとも接着剤層を有する積層体より構成された
接着剤付きテープであって、前記有機絶縁フィルムの水
蒸気透過率が０．０４ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以上であ
ることを特徴とする半導体装置用接着剤付きテープおよ
びそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならび
に半導体装置である。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置用接着剤付き
テープに用いられる有機絶縁フィルムは、そのフィルム
の水蒸気透過率が０．０４ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以
上、好ましくは０．５０ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以上、
さらに好ましくは１．００ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以上
であることが重要である。すなわち、フィルムの水蒸気
透過率が０．０４ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ未満であれ
ば、パッケージの半田付け工程における実装不良防止効
果は発揮されない。
テープに用いられる有機絶縁フィルムは、そのフィルム
の水蒸気透過率が０．０４ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以
上、好ましくは０．５０ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以上、
さらに好ましくは１．００ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以上
であることが重要である。すなわち、フィルムの水蒸気
透過率が０．０４ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ未満であれ
ば、パッケージの半田付け工程における実装不良防止効
果は発揮されない。
【００２０】ここでいう、水蒸気透過率とは、３８℃／
９０％ＲＨ、２４ｈの条件でＡＳＴＭ Ｄ５０に従って
測定した値である。
９０％ＲＨ、２４ｈの条件でＡＳＴＭ Ｄ５０に従って
測定した値である。
【００２１】本発明で用いる有機絶縁フィルムとして
は、ポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフ
ィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ア
ラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート等のプラス
チックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロス等複合材
料からなる厚さ２５〜１２５μｍのフィルムであり、こ
れから選ばれる複数のフィルムを積層して用いても良
い。中でも、可撓性を有するポリイミドフィルムが好ま
しく用いられる。また必要に応じて、加水分解、コロナ
放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティン
グ処理等の表面処理をその片面または両面に施すことが
できる。
は、ポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフ
ィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ア
ラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート等のプラス
チックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロス等複合材
料からなる厚さ２５〜１２５μｍのフィルムであり、こ
れから選ばれる複数のフィルムを積層して用いても良
い。中でも、可撓性を有するポリイミドフィルムが好ま
しく用いられる。また必要に応じて、加水分解、コロナ
放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティン
グ処理等の表面処理をその片面または両面に施すことが
できる。
【００２２】中でも、一般にジアミンと酸無水物の加熱
閉環により合成されるポリイミドフィルムが好ましく用
いられる。用いられるジアミン成分として、ｐ−フェニ
レンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニル、４，
４’−ジアミノ−２，２−ビス（トリフルオロメチル）
ビフェニル、２−トリフルオロメチル−１，４−フェニ
レンジアミン（２，５−ジアミノベンゾトリフルオライ
ド）、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジクロロビフェ
ニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルビフェ
ニル、２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミ
ン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（トリフルオ
ロメトキシ）ビフェニル、２−メチル−１，４−フェニ
レンジアミン、２−クロロ−１，４−フェニレンジアミ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメトキシビフェ
ニル、４，４”−ジアミノターフェニル、４，４”’−
ジアミノコーターフェニル、１，４−ジアミノベンズア
ニリド、２，５−ジアミノピリジン、２，７−ジアミノ
フルオレン、ｏ−トリジンスルホン、２，１０−ビス
（４−アミノフェニル）アントラセン、１，５−ジアミ
ノナフタレン、４’−ジアミノジフェニルエーテル
（４，４’−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、４，４’−メチレンジアニリン、３，４’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、１，４−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ベンゼンなどが挙げられ、酸無水物成分とし
て、ピロメリト酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ネフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，
４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
２，２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン二無水物、オキシジフタール酸無水
物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸二無水物などが挙げられる。これらのジアミ
ン、酸無水物のうちそれぞれ２つまたはそれ以上のジア
ミン、酸無水物を用いても良い。
閉環により合成されるポリイミドフィルムが好ましく用
いられる。用いられるジアミン成分として、ｐ−フェニ
レンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニル、４，
４’−ジアミノ−２，２−ビス（トリフルオロメチル）
ビフェニル、２−トリフルオロメチル−１，４−フェニ
レンジアミン（２，５−ジアミノベンゾトリフルオライ
ド）、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジクロロビフェ
ニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルビフェ
ニル、２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミ
ン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（トリフルオ
ロメトキシ）ビフェニル、２−メチル−１，４−フェニ
レンジアミン、２−クロロ−１，４−フェニレンジアミ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメトキシビフェ
ニル、４，４”−ジアミノターフェニル、４，４”’−
ジアミノコーターフェニル、１，４−ジアミノベンズア
ニリド、２，５−ジアミノピリジン、２，７−ジアミノ
フルオレン、ｏ−トリジンスルホン、２，１０−ビス
（４−アミノフェニル）アントラセン、１，５−ジアミ
ノナフタレン、４’−ジアミノジフェニルエーテル
（４，４’−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、４，４’−メチレンジアニリン、３，４’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、１，４−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ベンゼンなどが挙げられ、酸無水物成分とし
て、ピロメリト酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ネフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，
４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
２，２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン二無水物、オキシジフタール酸無水
物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸二無水物などが挙げられる。これらのジアミ
ン、酸無水物のうちそれぞれ２つまたはそれ以上のジア
ミン、酸無水物を用いても良い。
【００２３】本発明の接着剤層は、絶縁及び接着信頼性
に優れたものであれば、熱可塑性接着剤や熱硬化性接着
剤を問わず特に限定されないが、熱可塑性樹脂（Ａ）を
含有させた接着剤が好ましく用いられる。熱可塑性樹脂
（Ａ）は軟化温度を制御するのに有効であり、接着力、
可撓性、熱応力の緩和、低吸水性による絶縁性の向上等
の機能を有する。熱可塑性樹脂の添加量は接着剤層の、
好ましくは３０〜６０重量％、さらに好ましくは３５〜
５５重量％である。
に優れたものであれば、熱可塑性接着剤や熱硬化性接着
剤を問わず特に限定されないが、熱可塑性樹脂（Ａ）を
含有させた接着剤が好ましく用いられる。熱可塑性樹脂
（Ａ）は軟化温度を制御するのに有効であり、接着力、
可撓性、熱応力の緩和、低吸水性による絶縁性の向上等
の機能を有する。熱可塑性樹脂の添加量は接着剤層の、
好ましくは３０〜６０重量％、さらに好ましくは３５〜
５５重量％である。
【００２４】熱可塑性樹脂としては、アクリロニトリル
−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリル−
ブタジエンゴム−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレン−
ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、アクリル、ポ
リビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン等公知のもの
が例示される。また、これらの熱可塑性樹脂は後述のフ
ェノール樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との反応
が可能な官能基を有していてもよい。具体的には、アミ
ノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロー
ル基、イソシアネート基、ビニル基、シラノール基等で
ある。これらの官能基により熱硬化性樹脂との結合が強
固になり、耐熱性が向上するので好ましい。熱可塑性樹
脂として銅箔との接着性、可撓性、絶縁性の点からポリ
アミド樹脂（ａ）が好ましく、種々のものが使用でき
る。特に、接着剤層に可撓性を持たせ、かつ低吸水率の
ため絶縁性にすぐれる、炭素数が３６であるジカルボン
酸（いわゆるダイマー酸）を必須成分として含むポリア
ミド樹脂（ａ’）が好適である。さらにポリアミド樹脂
（ａ’）でありかつアミン価が１以上３未満であるもの
が好ましく用いられる。ダイマー酸を含むポリアミド樹
脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により
得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、ア
ゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分
として含有してもよい。ジアミンはエチレンジアミン、
ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン等の公知のものが
使用でき、吸湿性、溶解性の点から２種以上の混合でも
よい。
−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリル−
ブタジエンゴム−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレン−
ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、アクリル、ポ
リビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン等公知のもの
が例示される。また、これらの熱可塑性樹脂は後述のフ
ェノール樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との反応
が可能な官能基を有していてもよい。具体的には、アミ
ノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロー
ル基、イソシアネート基、ビニル基、シラノール基等で
ある。これらの官能基により熱硬化性樹脂との結合が強
固になり、耐熱性が向上するので好ましい。熱可塑性樹
脂として銅箔との接着性、可撓性、絶縁性の点からポリ
アミド樹脂（ａ）が好ましく、種々のものが使用でき
る。特に、接着剤層に可撓性を持たせ、かつ低吸水率の
ため絶縁性にすぐれる、炭素数が３６であるジカルボン
酸（いわゆるダイマー酸）を必須成分として含むポリア
ミド樹脂（ａ’）が好適である。さらにポリアミド樹脂
（ａ’）でありかつアミン価が１以上３未満であるもの
が好ましく用いられる。ダイマー酸を含むポリアミド樹
脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により
得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、ア
ゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分
として含有してもよい。ジアミンはエチレンジアミン、
ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン等の公知のものが
使用でき、吸湿性、溶解性の点から２種以上の混合でも
よい。
【００２５】本発明において、接着剤層に熱硬化型樹脂
であるフェノール樹脂を添加することにより、一層絶縁
信頼性、耐薬品性、接着剤層の強度を向上させることが
できる。
であるフェノール樹脂を添加することにより、一層絶縁
信頼性、耐薬品性、接着剤層の強度を向上させることが
できる。
【００２６】フェノール樹脂（Ｂ）としては、ノボラッ
ク型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公
知のフェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、
フェノール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、
ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキ
ル置換フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等
の環状アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン
基、シアノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を
有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有す
るもの、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＳ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能
性フェノールからなる樹脂が挙げられる。中でも、レゾ
ール型フェノール樹脂は絶縁抵抗低下時間が向上させる
効果があるのでより好適である。
ク型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公
知のフェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、
フェノール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、
ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキ
ル置換フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等
の環状アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン
基、シアノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を
有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有す
るもの、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＳ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能
性フェノールからなる樹脂が挙げられる。中でも、レゾ
ール型フェノール樹脂は絶縁抵抗低下時間が向上させる
効果があるのでより好適である。
【００２７】フェノール樹脂の添加量は接着剤層の好ま
しくは５〜６０重量％、さらに好ましくは２０〜５０重
量％である。
しくは５〜６０重量％、さらに好ましくは２０〜５０重
量％である。
【００２８】本発明の接着剤層に熱硬化型樹脂であるエ
ポキシ樹脂を添加すると、接着力の向上が計れるので好
ましい。エポキシ樹脂は１分子内に２個以上のエポキシ
基を有するものであれば特に制限されないが、ビスフェ
ノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ジヒ
ドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエンジフェノー
ル、ジシクロペンタジエンジキシレノール等のジグリシ
ジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、エポ
キシ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニ
ロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、
エポキシ化メタキシレンジアミン、脂環式エポキシ等が
挙げられる。
ポキシ樹脂を添加すると、接着力の向上が計れるので好
ましい。エポキシ樹脂は１分子内に２個以上のエポキシ
基を有するものであれば特に制限されないが、ビスフェ
ノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ジヒ
ドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエンジフェノー
ル、ジシクロペンタジエンジキシレノール等のジグリシ
ジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、エポ
キシ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニ
ロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、
エポキシ化メタキシレンジアミン、脂環式エポキシ等が
挙げられる。
【００２９】エポキシ樹脂の添加量は接着剤層の好まし
くは２〜４０重量％、さらに好ましくは５〜２５重量％
である。
くは２〜４０重量％、さらに好ましくは５〜２５重量％
である。
【００３０】本発明の接着剤層にエポキシ樹脂およびフ
ェノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加すること
は何等制限されない。たとえば、芳香族ポリアミン、三
フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素
のアミン錯体、２−アルキル−４−メチルイミダゾー
ル、２−フェニル−４−アルキルイミダゾール等のイミ
ダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等
の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィ
ン、ジアザビシクロウンデセン等公知のものが使用でき
る。添加量は接着剤層１００重量部に対して０．１〜１
０重量部であると好ましい。
ェノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加すること
は何等制限されない。たとえば、芳香族ポリアミン、三
フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素
のアミン錯体、２−アルキル−４−メチルイミダゾー
ル、２−フェニル−４−アルキルイミダゾール等のイミ
ダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等
の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィ
ン、ジアザビシクロウンデセン等公知のものが使用でき
る。添加量は接着剤層１００重量部に対して０．１〜１
０重量部であると好ましい。
【００３１】以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわ
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。
【００３２】本発明では、好ましくは保護フィルム層を
設ける。ここでいう保護フィルム層とは、銅箔を熱ラミ
ネートする前に接着剤面から半導体装置用接着剤付きテ
ープの形態を損なうことなく剥離できれば特に限定され
ないが、たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコ
ーティング処理を施したポリエステルフィルム、ポリオ
レフィンフィルム、およびこれらをラミネートした紙が
挙げられる。
設ける。ここでいう保護フィルム層とは、銅箔を熱ラミ
ネートする前に接着剤面から半導体装置用接着剤付きテ
ープの形態を損なうことなく剥離できれば特に限定され
ないが、たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコ
ーティング処理を施したポリエステルフィルム、ポリオ
レフィンフィルム、およびこれらをラミネートした紙が
挙げられる。
【００３３】次に半導体装置用接着剤付きテープの製造
方法について説明する。
方法について説明する。
【００３４】可撓性を有する絶縁性フィルムに、上記接
着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接
着剤層の膜厚は５〜２５μとなるように塗布することが
好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜５分で
ある。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタノ
ール、プロパノール等のアルコール系の混合が好適であ
る。このようにして得られたフィルムに保護フィルムを
ラミネートし、最後に３５〜１５８ｍｍ程度にスリット
する。また、保護フィルムに上記接着剤組成物を塗布、
乾燥し、任意の幅にスリットした後に絶縁性フィルムと
ラミネートする方法でもよく、接着剤層と絶縁性フィル
ムの幅を異なるようにする場合に好適である。
着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接
着剤層の膜厚は５〜２５μとなるように塗布することが
好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜５分で
ある。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタノ
ール、プロパノール等のアルコール系の混合が好適であ
る。このようにして得られたフィルムに保護フィルムを
ラミネートし、最後に３５〜１５８ｍｍ程度にスリット
する。また、保護フィルムに上記接着剤組成物を塗布、
乾燥し、任意の幅にスリットした後に絶縁性フィルムと
ラミネートする方法でもよく、接着剤層と絶縁性フィル
ムの幅を異なるようにする場合に好適である。
【００３５】かくして得られた半導体装置用接着剤付き
テープを用いて、銅張り積層板あるいは半導体接続用基
板が製造できる。さらにこれらの銅張り積層板あるいは
半導体接続用基板を用いて半導体装置が製造できる。
テープを用いて、銅張り積層板あるいは半導体接続用基
板が製造できる。さらにこれらの銅張り積層板あるいは
半導体接続用基板を用いて半導体装置が製造できる。
【００３６】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前にサンプルの作成方法とその評価方
法について述べる。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前にサンプルの作成方法とその評価方
法について述べる。
【００３７】（１）半導体装置用接着剤付きテープの作
成方法 ポリアミド樹脂１００重量部（ユニケマ社製：ダイマー
酸ポリアミド樹脂”ＰＲＩＡＤＴＩＴ ２０５３”）、
エポキシ樹脂１５重量部（大日本インキ化学（株）製、
“エピクロン”ＨＰ４０３２、エポキシ当量１５０）、
ノボラック型フェノール樹脂１５重量部（群栄化学社
製：ＰＳＭ４３２６）、レゾール型フェノール樹脂６０
重量部（群栄化学社製：ＰＳ２７８０）を、濃度２０重
量％となるようにメタノール／モノクロルベンゼン混合
溶媒に３０℃で撹拌溶解して接着剤溶液を作成した。こ
の接着剤をバーコータで、保護フィルムである厚さ２５
μのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）
製”ルミラー”）に約１２μの乾燥厚さとなるように塗
布し、１００℃、１分および１６０℃で５分間の乾燥を
行ない接着剤シートを作成した。さらに、得られた接着
剤シートを表１の有機絶縁フィルムに１２０℃、１ｋｇ
／ｃｍ2の条件でラミネートして半導体装置用接着剤付
きテープを作成した。
成方法 ポリアミド樹脂１００重量部（ユニケマ社製：ダイマー
酸ポリアミド樹脂”ＰＲＩＡＤＴＩＴ ２０５３”）、
エポキシ樹脂１５重量部（大日本インキ化学（株）製、
“エピクロン”ＨＰ４０３２、エポキシ当量１５０）、
ノボラック型フェノール樹脂１５重量部（群栄化学社
製：ＰＳＭ４３２６）、レゾール型フェノール樹脂６０
重量部（群栄化学社製：ＰＳ２７８０）を、濃度２０重
量％となるようにメタノール／モノクロルベンゼン混合
溶媒に３０℃で撹拌溶解して接着剤溶液を作成した。こ
の接着剤をバーコータで、保護フィルムである厚さ２５
μのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）
製”ルミラー”）に約１２μの乾燥厚さとなるように塗
布し、１００℃、１分および１６０℃で５分間の乾燥を
行ない接着剤シートを作成した。さらに、得られた接着
剤シートを表１の有機絶縁フィルムに１２０℃、１ｋｇ
／ｃｍ2の条件でラミネートして半導体装置用接着剤付
きテープを作成した。
【００３８】（２）半導体接続基板の作成方法 半導体装置用接着剤付きテープサンプルに１８μの電解
銅箔を、１４０℃、１ｋｇ／ｃｍ2の条件でラミネート
した。続いてエアオーブン中で、８０℃、３時間、１０
０℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱硬化処理を
行ない、銅箔付きの半導体装置用接着剤付きテープを作
成した。得られた銅箔付きの半導体装置用接着剤付きテ
ープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッ
チング、レジスト剥離、金メッキを行ない、テスト用半
導体接続基板を作成した。
銅箔を、１４０℃、１ｋｇ／ｃｍ2の条件でラミネート
した。続いてエアオーブン中で、８０℃、３時間、１０
０℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱硬化処理を
行ない、銅箔付きの半導体装置用接着剤付きテープを作
成した。得られた銅箔付きの半導体装置用接着剤付きテ
ープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッ
チング、レジスト剥離、金メッキを行ない、テスト用半
導体接続基板を作成した。
【００３９】（３）半田耐熱性、耐湿信頼性評価用サン
プルの作成方法 表面にアルミニウム蒸着した模擬素子（９×９ｍｍ）を
銀ペーストにより、上記半導体接続基板に搭載した。そ
の後、東レ封止材を用い、低圧トランスファー成形法に
より成形した。１７５℃×５時間の条件でポストキュア
し、模擬パッケージを作成した。
プルの作成方法 表面にアルミニウム蒸着した模擬素子（９×９ｍｍ）を
銀ペーストにより、上記半導体接続基板に搭載した。そ
の後、東レ封止材を用い、低圧トランスファー成形法に
より成形した。１７５℃×５時間の条件でポストキュア
し、模擬パッケージを作成した。
【００４０】（４）半田耐熱性評価方法（耐リフロー
性） 上記（３）の作成方法による２０個の模擬パッケージを
８５℃／８５％ＲＨでそれぞれ１２時間、および２４時
間加湿後、最高温度２４０℃のＩＲリフロー炉で加熱処
理し、パッケージの膨れ発生数を調べた。
性） 上記（３）の作成方法による２０個の模擬パッケージを
８５℃／８５％ＲＨでそれぞれ１２時間、および２４時
間加湿後、最高温度２４０℃のＩＲリフロー炉で加熱処
理し、パッケージの膨れ発生数を調べた。
【００４１】（５）耐湿信頼性評価方法 加湿１２時間の模擬パッケージを用い、１２１℃／１０
０％ＲＨのＰＣＴ条件下で断線が発生する時間を求め
た。結果を表１に示す。
０％ＲＨのＰＣＴ条件下で断線が発生する時間を求め
た。結果を表１に示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１の実施例および比較例から本発明によ
り得られる半導体装置用接着剤付きテープは、耐半田耐
熱性、耐湿信頼性に優れていることがわかる。
り得られる半導体装置用接着剤付きテープは、耐半田耐
熱性、耐湿信頼性に優れていることがわかる。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、優れた半田耐熱性、耐
湿信頼性を有する半導体装置用接着剤付きテープおよび
それを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに
半導体装置を提供できる。
湿信頼性を有する半導体装置用接着剤付きテープおよび
それを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに
半導体装置を提供できる。
【図１】 本発明の半導体装置用接着剤付きテープを加
工して得られた、半導体集積回路搭載前の半導体接続用
基板（パターンテープ）の一態様の斜視図。
工して得られた、半導体集積回路搭載前の半導体接続用
基板（パターンテープ）の一態様の斜視図。
【図２】 本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用
いた半導体装置（ＴＣＰ）の一態様の断面図。
いた半導体装置（ＴＣＰ）の一態様の断面図。
【図３】 本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用
いた半導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図。
いた半導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図。
【図４】 本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用
いた半導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図。
いた半導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図。
１，１２，２０ 可撓性を有する絶縁性フィルム ２，１３，２１ 接着剤 ３ スプロケット孔 ４ デバイス孔 ５，１４，２２ 導体パターン ６ インナーリード部 ７ アウターリード部 ８，１５，２３ 半導体集積回路 ９，１６，２４ 封止樹脂 １０，１７，２５ 金バンプ １１ 保護膜 １８，２６ ハンダボール １９ スティフナー ２７ ソルダーレジスト
Claims (14)
- 【請求項１】有機絶縁性フィルム上に、少なくとも接着
剤層を有する積層体より構成された接着剤付きテープで
あって、前記有機絶縁フィルムの水蒸気透過率がフィル
ム厚１ｍｍ換算で０．０４ｇ／ｍ2／２４ｈ以上である
ことを特徴とする半導体装置用接着剤付きテープ。 - 【請求項２】有機絶縁フィルムの水蒸気透過率が０．５
０ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以上であることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。 - 【請求項３】有機絶縁フィルムの水蒸気透過率が１．０
０ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ以上であることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。 - 【請求項４】接着剤層が熱硬化型の接着剤であることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテー
プ。 - 【請求項５】接着剤層が、熱可塑性樹脂（Ａ）を含有す
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤
テープ。 - 【請求項６】接着剤層がフェノール樹脂（Ｂ）および／
またはエポキシ樹脂（Ｃ）を含有することを特徴とする
請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。 - 【請求項７】熱可塑性樹脂（Ａ）がポリアミド樹脂
（ａ）であることを特徴とする請求項５記載の半導体装
置用接着剤付きテープ。 - 【請求項８】ポリアミド樹脂（ａ）が炭素数３６のジカ
ルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂（ａ’）
であることを特徴とする請求項６記載の半導体装置用接
着剤付きテープ。 - 【請求項９】ポリアミド樹脂（ａ）が、炭素数３６のジ
カルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂
（ａ’）であり、かつアミン価が１以上３未満である請
求項８記載の半導体装置用接着剤付きテープ。 - 【請求項１０】請求項１〜９のいずれか記載の半導体装
置用接着剤付きテープを用いた銅張り積層板。 - 【請求項１１】請求項１〜９のいずれか記載の半導体装
置用接着剤付きテープを用いた半導体接続用基板。 - 【請求項１２】請求項１１記載の半導体接続用基板を用
いた半導体装置。 - 【請求項１３】請求項１０記載の銅張り積層板を用いた
半導体接続用基板。 - 【請求項１４】請求項１３記載の半導体接続用基板を用
いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10029828A JPH11233567A (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10029828A JPH11233567A (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003121014A Division JP3750669B2 (ja) | 2003-04-25 | 2003-04-25 | 表面実装ｂｇａ型半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233567A true JPH11233567A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12286899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10029828A Pending JPH11233567A (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233567A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017379A1 (fr) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Toray Industries, Inc. | Bande adhesive destinee a etre utilisee pour un substrat de connexion de semi-conducteurs et feuille stratifiee revetue de cuivre utilisant ladite bande |
-
1998
- 1998-02-12 JP JP10029828A patent/JPH11233567A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017379A1 (fr) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Toray Industries, Inc. | Bande adhesive destinee a etre utilisee pour un substrat de connexion de semi-conducteurs et feuille stratifiee revetue de cuivre utilisant ladite bande |
| US6982484B2 (en) | 2000-08-25 | 2006-01-03 | Toray Industries, Inc. | Semiconductor joining substrate utilizing a tape with adhesive and copper-clad laminate sheet |
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