JPH11223940A - 感光性耐熱性樹脂前駆体組成物 - Google Patents

感光性耐熱性樹脂前駆体組成物

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JPH11223940A
JPH11223940A JP5817798A JP5817798A JPH11223940A JP H11223940 A JPH11223940 A JP H11223940A JP 5817798 A JP5817798 A JP 5817798A JP 5817798 A JP5817798 A JP 5817798A JP H11223940 A JPH11223940 A JP H11223940A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】アルカリ現像可能な感光性耐熱性樹脂前駆体組
成物を提供する。 【解決手段】(a)一般式(1)で表される構造単位を
主成分とするポリマーに対して、一般式(2)または
(3)で表されるジアミン化合物と、(b)キノンジア
ジド化合物を含有することを特徴とする感光性耐熱性樹
脂前駆体組成物。 【化1】 【化2】 【化3】 (R1は少なくとも2個以上30個以下の炭素原子を有
する3価または4価の有機基。R2、R6は少なくとも
2個以上30個以下の炭素原子を有する2価の有機基。
R3、R7は炭素数2から30までの2価の有機基。R
4は芳香族を含む1価の有機基。R5は炭素数1から1
0までの有機基、あるいは水素のうち1種または2種以
上を含むもの。l、mは1から100000までの整
数、nは1または2の整数、p、qは1から4までの整
数。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体の表面保護膜
として有用な感光性耐熱性樹脂前駆体組成物に関するも
ので、さらに水系の現像液で短時間に現像できる感光性
耐熱性樹脂前駆体組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】露光した部分が現像により溶解するポジ
型の耐熱性樹脂前駆体組成物としては、ポリアミド酸に
ナフトキノンジアジドを添加したもの(特開昭52−1
3315号公報)、水酸基を有した可溶性ポリイミドに
ナフトキノンジアジドを添加したもの(特開昭64−6
0630号公報)、水酸基を有したポリアミドにナフト
キノンジアジドを添加したもの(特開昭56−2714
0号公報)などが知られていた。
【0003】しかしながら、ポリアミド酸にナフトキノ
ンジアジドを添加したものではナフトキノンジアジドの
アルカリに対する溶解阻害効果よりポリアミド酸のカル
ボキシル基の溶解性が高いために、ほとんどの場合希望
するパターンを得ることが出来ないという問題点があっ
た。また、水酸基を有した可溶性ポリイミド樹脂を添加
したものでは、今述べたような問題点は少なくなったも
のの、可溶性にするために構造が限定されること、得ら
れるポリイミド樹脂の耐溶剤性が悪い点などが問題であ
った。水酸基を有したポリアミド樹脂にナフトキノンジ
アジドを添加したものも、溶解性を出すために構造にあ
る限定はあること、そのために熱処理後に得られる樹脂
の耐溶剤性に劣ること、熱処理した膜は発煙硝酸、濃硫
酸などに溶解しないために、LSIの保護膜として使用
した場合、製品の不良検査を行うことが困難などの問題
があった。
【0004】また、熱処理後の膜の機械的特性を維持す
るためには、感光性耐熱性樹脂前駆体組成物の分子量が
ある程度以上必要である。しかしながら、このように分
子量を高くすると溶解性が低下し、現像速度が長くなる
という問題点があった。
【0005】以上の欠点を考慮し、本発明は熱処理中に
脱離し、重合反応を起こす基を末端に導入した水酸基を
有するポリアミド酸エステルにナフトキノンジアジドを
添加することで、得られる樹脂組成物が露光前はアルカ
リ現像液にほとんど溶解せず、露光すると短時間にアル
カリ現像液に溶解することを見いだしたことと、熱処理
により、末端にある基が脱離して分子量が向上するため
に、機械特性も飛躍的に向上することを見出し本発明に
至ったものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、環境に配慮
したアルカリ水溶液による短時間での現像が可能であ
り、かつ機械特性や耐熱性に優れた感光性耐熱性樹脂前
駆体組成物を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、(a)一般式
(1)で表される構造単位を主成分とするポリマーに対
して、一般式(2)または(3)で表されるジアミン化
合物と、(b)キノンジアジド化合物を含有することを
特徴とする感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。
【0008】
【化4】
【化5】
【化6】 (R1は少なくとも2個以上30個以下の炭素原子を有
する3価または4価の有機基。R2、R6は少なくとも
2個以上30個以下の炭素原子を有する2価の有機基。
R3、R7は炭素数2から30までの2価の有機基。R
4は芳香族を含む1価の有機基。R5は炭素数1から1
0までの有機基、あるいは水素のうち1種または2種以
上を含むもの。l、mは1から100000までの整
数、nは1または2の整数、p、qは1から4までの整
数。)
【0009】
【発明の実施の形態】本発明における一般式(1)で表
される構造単位を主成分とするポリマーは、加熱あるい
は適当な触媒により、イミド環やオキサゾール環などの
環状構造を有するポリマーとなり得るものである。環構
造となることで、耐熱性、耐溶剤性が飛躍的に向上す
る。
【0010】上記一般式(1)中、R1 は酸の構造成分
を表しており、この成分は芳香族環を含有し、かつ、炭
素数6〜30の3価または4価の基が好ましい。具体的
には、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット
酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビフェニルテト
ラカルボン酸、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、ビス(フタル
酸)ヘキサフルオロプロパンなどが挙げられるが、これ
らに限定されない。
【0011】また、R1としてイソフタル酸、テレフタ
ル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ジフェニルス
ルホンジカルボン酸、ジフェニルカルボン酸のような2
価の基を共重合することもできる。このような2価の基
をR1成分として使用する場合、全体の20モル%以下
が好ましい。この範囲を外れると、現像時にアルカリ現
像液に対する溶解性が低下したり、熱処理後の膜の有機
溶剤に対する耐性が低下したり、発煙硝酸などの強酸に
対する溶解性が低下するなどの問題があり好ましくな
い。本発明において、R1成分は、ただ1種のみで構成
されていても良いし、複数の組み合わせで構成されてい
ても良い。
【0012】上記一般式(1)中、R2はヒドロキシジ
アミンの構造成分を表している。この中で、R2の好ま
しい例としては、2,2−ビス(m−アミノ−p−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3’−
ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,
3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノジフェニルエ
ーテル、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジアミノ
ジフェニルスルホン、ヒドロキシ−メタフェニレンジア
ミン、2,2−ビス(p−アミノ−m−ヒドロキシフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3’−ジアミノ−
4,4’−ジヒドロキシビフェニル、3−ヒドロキシ−
1,5−ジアミノベンゼン、6−ヒドロキシ−2,4−
ジアミノピリミジン、5,6−ジアミノ−2,4−ジヒ
ドロキシピリミジン、2,4−ジアミノ−6−ヒドロキ
シトリアジンなどが挙げられるが、これらに限定されな
い。
【0013】また、1から50モル%の範囲の他のジア
ミン成分を用いて変性することもできる。これらの例と
しては、脂肪族のシクロヘキシルジアミン、メチレンビ
スシクロヘキシルアミン、芳香族のパラフェニレンジア
ミン、ジアミノジフェニルエーテル、アミノフェノキシ
ベンゼン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェ
ニルスルホン、ビス(アミノフェノキシフェニル)プロ
パン、ビス(アミノフェノキシフェニル)スルホンなど
を挙げることができる。このようなジアミン成分を50
モル%以上共重合するとアルカリ現像液に対する溶解性
が低下するため、これ以上の共重合は好ましくない。本
発明において、R2はただ1種より構成されていても良
いし、複数の組み合わせで構成されていても良い。
【0014】また、一般式(2)中のR6もR2と同様
なものから選ぶことができる。
【0015】一般式(1)中のR3はジアミン化合物を
示している。得られるポリマーの耐熱性から見ると、芳
香族環を有した化合物が好ましい。これらの例として
は、フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエーテ
ル、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニル
メタン、ジアミノベンズアニリド、アミノフェノキシベ
ンゼン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニ
ルスルホン、ビス(アミノフェノキシフェニル)プロパ
ン、ビス(アミノフェノキシフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、ビス(アミノフェノキシフェニル)スルホン
などを挙げることができる。
【0016】さらに、膜の性質を大きく変化させない範
囲で、脂肪族のジアミン化合物であるシクロヘキシルジ
アミン、メチレンビスシクロヘキシルアミンなどや、
1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシ
ロキサン、α、ω−(3−アミノプロピル)パーメチル
ポリシロキサン、1,3−ビス(4−アミノフェニル)
テトラメチルジシロキサンなどのようなシロキサン構造
を含有したものを使用することもできる。このような脂
肪族のジアミン化合物の変性量はジアミン成分全体の1
〜40モル%が望ましく、さらに望ましくは30モル%
以下である。本発明において、R3は1種類のもののみ
を使用することも、上記に記載された複数のものを使用
することもできる。
【0017】また、一般式(3)中のR7もR3と同様な
ものから選ぶことができる。
【0018】上記一般式(1)中、R4はフェノール
類、オキシム類より選択される。R4は、本発明の感光
性耐熱性樹脂前駆体組成物を加熱処理する際に脱離する
ことで、一般式(1)のポリマーの末端に新たにカルボ
キシル基を生成し、これと一般式(2)または(3)の
ジアミンが反応することで、該感光性耐熱性樹脂前駆体
組成物の分子量が大きくなり、機械特性、耐薬品性など
が向上する。
【0019】このような観点より見ると、R4は比較的
酸性度の大きな水酸基を有した化合物が好ましい。この
ような化合物を例示すると、フェノール、クレゾール、
クロロフェノール、ニトロフェノール、メトキシフェノ
ール、ヒドロキシアセトフェノン、ヒドロキシ安息香酸
エチル、ジクロロフェノール、ジニトロフェノール、ト
リニトロフェノール、トリクロロフェノール、ヒドロキ
シベンゾフェノンなどのフェノール類、ヒドロキシニト
ロピリジン、ヒドロキシニトロキノリン、ヒドロキシナ
フトキノン、ヒドロキシピリミジンなどの複素環に水酸
基が結合したフェノール類似物質、ヒドロキシベンゾト
リアゾール、ヒドロキシスクシイミド、ヒドロキシノル
ボネンヂカルボキシイミド、ヒドロキシフタルイミド、
イソニトロソアセトフェノン、イソニトロソプロピオフ
ェノン、ベンザルオキシム、1,3−ジフェニル−1,
3−プロパンジオン−2−オキシム、1−フェニル−3
−エトキシ−2−オキシムなどのオキシム類を挙げるこ
とができる。
【0020】これらの酸性度の比較的大きな水酸基とカ
ルボキシル基との間で生成するエステル結合の安定性は
比較的低く、50℃から200℃程度の温度で、容易に
アミノ基と交換反応を起こし、分子量の増大が起こる。
【0021】上記一般式(1)中、R5は炭素数1から
10までの有機基、あるいは水素を表している。ここ
で、R5が水素原子の場合、アルカリ現像液に対する溶
解速度が早くなる。また、R5が有機基の場合、アルカ
リ現像液に対する溶解速度が低下する。R5が炭素数1
0以上の有機基となると、アルカリ現像液に対する溶解
性が低下するために、露光部も溶解しない恐れがあるた
めに好ましくない。以上のことから、本発明において
は、R5における水素原子と有機基の量をコントロール
することでアルカリ現像液に対する溶解速度を制御する
ことができる。
【0022】R5の好ましい具体例としては、水素原
子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などの飽
和炭化水素基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、
ブトキシメチル基などの基、2−ヒドロキシプロピル
基、2−ヒドロキシペンチル基、2−ヒドロキシ−3−
メトキシプロピル基、2−ヒドロキシ−3−エトキシプ
ロピル基、2−ヒドロキシ−3−プロピルオキシプロピ
ル基などのアルコール性水酸基を有した有機基である。
【0023】また、これ以外にフェノール性水酸基を有
したヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基や、
炭素数10以上のヘキサデシル基、ラウリル基などの基
を全体の20モル%以下変性させることもできる。また
本発明においてR5は1種より構成されていても、2種
以上で構成されていても良い。
【0024】本発明の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物
は、まず対応するトリカルボン酸やテトラカルボン酸の
1つのカルボキシル基とフェノール類、オキシム類のエ
ステルを作り、次いでこの化合物とヒドロキシジアミン
成分あるいはジアミン成分とを反応させることで一般式
(1)のポリマーを得ることができる。
【0025】このようにして得られたポリマー1倍モル
に対して、ジアミン成分、ヒドロキシジアミン成分を
0.8〜1.2倍モルの比率で加えることで本発明の耐
熱性樹脂前駆体組成物のポリマー成分を得ることができ
る。このとき、ジアミン成分に対してヒドロキシジアミ
ン成分の比が0.1未満になるとポリマー中の水酸基の
数が少なくなりすぎるために露光部と未露光部のコント
ラストが低下する。そのため、望ましいジアミンとヒド
ロキシジアミンの比は0.1から20である。
【0026】また、このときの反応温度、反応時間など
を変えることで、得られる耐熱性樹脂前駆体組成物の分
子量を変化させることができる。このときの分子量が2
0000未満では、膜がもろくなるために機械特性及び
パターン加工性が著しく低下する。また、分子量が50
0000を越えると、ポリマーの溶解性が著しく低下す
る。そのため、分子量としては20000から5000
00が望ましい。
【0027】次いでここに感光性を付与するために、キ
ノンジアジド化合物を添加することで本発明の感光性耐
熱性樹脂前駆体組成物を得ることができる。添加される
キノンジアジド化合物としては、フェノール性の水酸基
にナフトキノンジアジドのスルホニル酸がエステル結合
した化合物が好ましい。
【0028】また、これ以外にアルコール性水酸基を有
したエチレングリコールやグリセリンなどの化合物とナ
フトキノンジアジドのスルホニル酸がエステル結合した
化合物、アミノ基を有したアニリン、フェニレンジアミ
ン、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニル
メタンなどのアミノ基とナフトキノンジアジドのスルホ
ニル酸がアミド結合した化合物、水酸基とアミノ基を有
したヒドロキシ−ジアミノピリミジン、ヒドロキシジア
ミノベンゼン、アミノフェノール、ビス(ヒドロキシ−
アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパンなどの化合物
のアミノ基とナフトキノンジアジドのスルホニル酸がア
ミド結合した化合物、あるいはこれらの化合物の水酸基
とナフトキノンジアジドのスルホニル酸がエステル結合
した化合物、さらにはアミノ基と水酸基の両者とナフト
キノンジアジドのスルホニル酸がアミド結合とエステル
結合した化合物などを使用することが出来る。
【0029】これらのキノンジアジド化合物の分子量が
1000以上になると、その後の熱処理においてキノン
ジアジド化合物が十分に熱分解しないために、得られる
膜の耐熱性、機械特性、接着性が低下するなどの問題が
生じる可能性がある。このような観点より見ると、好ま
しいキノンジアジド化合物の分子量は300から100
0である。さらに好ましくは、350から800であ
る。
【0030】本発明に用いられる溶媒としては、通常の
ポリアミド酸エステルの溶媒であるN−メチル−2−ピ
ロリドン、ガンマブチロラクトン、N,N−ジメチルフ
ォルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシドなどの極性の非プロトン溶媒、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、アセトン、
メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなどのケトン
類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、乳酸エチルなどのエステル類、トルエンなどの芳香
族炭化水素類などの溶剤を単独、または混合して使用す
ることができる。
【0031】また、2酸化ケイ素、2酸化チタンなどの
無機粒子、あるいはポリイミドの粉末などを添加するこ
ともできる。
【0032】さらにシリコンウエハーなどの下地基板と
の接着性を高めるために、シランカップリング剤、チタ
ンキレート剤などを感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワ
ニスに0.5から10重量%添加したり、前もって下地
基板をこのような薬液で処理したりすることもできる。
【0033】ワニスに添加する場合、メチルメタクリロ
キシジメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、などのシランカップリング剤、チタンキレー
ト剤、アルミキレート剤をワニス中のポリマーに対して
0.5から10重量%添加する。
【0034】基板を処理する場合、上記で述べたカップ
リング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノー
ル、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルな
どの溶媒に0.5から20重量%溶解させた溶液をスピ
ンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などで表面処
理をする。場合によっては、その後50℃から300℃
までの温度をかけることで、基板と上記カップリング剤
との反応を進行させてから使用する。
【0035】次に、本発明の感光性耐熱性前駆体組成物
を用いて耐熱性樹脂パターンを形成する方法について説
明する。
【0036】まず、感光性耐熱性前駆体組成物を基板上
に塗布する。基板としてはシリコンウエハー、セラミッ
クス類、ガリウムヒ素などが用いられるが、これらに限
定されない。塗布方法としてはスピンナを用いた回転塗
布、スプレー塗布、ロールコーティングなどの方法があ
る。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃
度、粘度などによって異なるが通常、乾燥後の膜厚が、
0.1から150μmになるように塗布される。
【0037】次に感光性耐熱性前駆体組成物を塗布した
基板を乾燥して、感光性耐熱性前駆体組成物皮膜を得
る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使
用し、50度から150度の範囲で1分から数時間行う
のが好ましい。
【0038】次に、この感光性耐熱性前駆体組成物皮膜
上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照
射し、露光する。露光に用いられる化学線としては紫外
線、可視光線、電子線、X線などがあるが、本発明では
水銀灯のi線(365nm)、h線(405nm)、g
線(436nm)を用いるのが好ましい。しかしなが
ら、450〜550nmの可視光線、350nm以下の
紫外線、電子線、X線などを使用することもできる。
【0039】ポリイミドパターンを形成するには、露光
後、現像液を用いて露光部を除去することによって達成
される。現像液としては、テトラメチルアンモニウムの
水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノー
ル、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミ
ン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミ
ノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性
を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によって
は、これらのアルカリ水溶液にN−メチル−2−ピロリ
ドン、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラ
クトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコー
ル類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソ
ブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を
組み合わせたものを添加してもよい。現像後は水にてリ
ンス処理をする。ここでもエタノール、イソプロピルア
ルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステ
ル類、酢酸、2酸化炭素、シュウ酸、リン酸などを水に
加えてリンス処理をしても良い。
【0040】現像後、200度から500度の温度を加
えて耐熱性樹脂皮膜に変換させる。この加熱処理は温度
を選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続
的に昇温しながら5分から5時間実施する。一例として
は、130度、200度、350度で各30分ずつ熱処
理する。あるいは室温より400度まで2時間かけて直
線的に昇温するなどの方法が挙げられる。
【0041】本発明による感光性耐熱性前駆体組成物に
より形成した耐熱性樹脂皮膜は、半導体のパッシベ−シ
ョン膜、半導体素子の保護膜、高密度実装用多層配線の
層間絶縁膜などの用途に用いられる。
【0042】
【実施例】以下発明をより詳細に説明するために、実施
例で説明する。
【0043】特性の測定方法 分子量の測定 ウオーターズ社製のGPC(ゲルパーミュレーション)
システムを用い、カラムに昭和電工(株)製Shode
x KF−804Fとナカライ製cosmosil 5
GPC−100を使用し、40℃でポンプの流量0.8
ml/分にて溶媒にTHF(テトラヒドロフラン)を用
いて測定した。分子量の基準には分子量500から66
000の単分散ポリスチレンを使用した。
【0044】融点の測定 島津製作所製示差熱分析装置(DSC装置)DSC−5
0を使用し、400℃まで昇温速度20℃/分にて測定
した。
【0045】膜厚の測定 大日本スクリ−ン社製光学式膜厚測定装置ラムダエ−ス
を用いて、屈折率1.64で感光性耐熱性樹脂前駆体の
膜厚を測定した。また、現像前の膜厚(T1)と現像後
の未露光部の膜厚(T2)がT2/T1(残膜率)<
0.6である場合、露光部と未露光部のコントラストが
ないとみなした。
【0046】粘度の測定 トキメック社製E型粘度計を用いて、25℃にて測定し
た。
【0047】合成例1 無水トリメリット酸−p−ニト
ロフェニルの合成 p−ニトロフェノール13.9g(0.1モル)とトリ
エチルアミン11.1g(0.11モル)をアセトン1
00gに溶解させた。この溶液を5℃以下に冷却し、こ
こに無水トリメリット酸クロリド23.2g(0.11
モル)をアセトン50gに溶解させた溶液を30分かけ
て滴下した。滴下終了後、5℃から10℃で3時間反応
させた。反応終了後、ろ過にて析出した沈殿物を集め
た。沈殿物を水1lを入れたビーカー内に入れ、攪拌し
ながら洗浄した。洗浄終了後、ろ過して白色沈殿を集め
た。集めた白色沈殿を無水酢酸で再結晶した(融点18
3℃)。
【0048】合成例2 無水トリメリット酸−p−メチ
ルカルボニルフェニルの合成 4−ヒドロキシアセトフェノン13.6g(0.1モ
ル)とトリエチルアミン11.1g(0.11モル)を
アセトン100gに溶解させた。この溶液を5℃以下に
冷却し、ここに無水トリメリット酸クロリド23.2g
(0.11モル)をアセトン50gに溶解させた溶液を
30分かけて滴下した。滴下終了後、5℃から10℃で
3時間反応させた。反応終了後、ろ過にて析出した沈殿
物を集めた。沈殿物を水1lを入れたビーカー内に入
れ、攪拌しながら洗浄した。洗浄終了後、ろ過して白色
沈殿を集めた。集めた白色沈殿を無水酢酸で再結晶した
(融点165℃)。
【0049】合成例3 無水トリメリット酸−メチルエ
ステルの合成 無水トリメリット酸クロリド23.2g(0.11モ
ル)をアセトン100gに溶解させた溶液を5℃に冷却
し、メタノール9.60g(0.3モル)とトリエチル
アミン11.1g(0.11モル)を加え、5℃から1
0℃で3時間反応させた。反応終了後、析出した沈殿を
除去し、ろ液の溶媒をエバポレーターで除去し、水で洗
浄した。この沈殿を無水酢酸で再結晶した(融点163
℃)。
【0050】実施例1 4,4’−ジアミノジフェニルエーテル10.01g
(0.05モル)をガンマブチロラクトン(GBL)5
0gに溶解させた。ここに合成例1で合成した酸無水物
の活性エステル0.1モルを加え、室温で1時間攪拌
し、続いて30℃で2時間反応させた。続いて、2,2
−ビス(m−アミノ−p−ヒドロキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン18.3g(0.05モル)を加え、
80℃で6時間反応させた。このポリマーの分子量をG
PCで測定したところ、数平均分子量は23200であ
った。このポリマー10gと下記に示すナフトキノンジ
アジド化合物(4つのQのうち1つがHである)2gを
GBL30gに溶解させて25℃での粘度が3.0Pa
・sである感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワニスAを
得た。
【0051】
【化7】 6インチシリコンウエハー上に、感光性ポリイミド前駆
体のワニスAをプリベーク後の膜厚が7μmとなるよう
に塗布し、ついでホットプレート(大日本スクリーン製
造社製SCW−636)を用いて、100℃で3分プリ
ベークすることにより、感光性ポリイミド前駆体膜を得
た。ついで、露光機(ニコン社製i線スッテパ−NSR
−1755−i7A)に、パターンの切られたレチクル
をセットし、露光量500mJ/cm2 (365nmの
強度)でi線露光を行った。
【0052】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転でテトラメチルア
ンモニウムの1.5%水溶液を10秒間噴霧した。この
後、90秒間静置し、400回転で10秒間水を噴霧し
てリンス処理、3000回転で10秒間振り切り乾燥し
た。
【0053】現像後の未露光部の膜厚は6.8μmであ
り、現像による未露光部の膜減りは0.2μmと非常に
良好であった。さらに、現像後の現像後のパターンを観
察した結果、半導体用バッファーコートとして要求に十
分耐えうる5μmのパターンが解像しており、パターン
形状も問題なかった。
【0054】実施例2 4,4’−ジアミノジフェニルエーテル5.00g
(0.025モル)と2,2−ビス(m−アミノ−p−
ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン9.15
g(0.025モル)をGBL50gに溶解させた。こ
こに合成例2で合成した酸無水物の活性エステル0.1
モルを加え、室温で1時間攪拌し、続いて30℃で2時
間反応させた。続いて、ビス(4−アミノフェノキシフ
ェニル)スルホン19.46g(0.045モル)を加
え、80℃で6時間反応させた。このポリマーの分子量
をGPCで測定したところ、数平均分子量は24100
であった。このポリマー10gと実施例1で用いたナフ
トキノンジアジド化合物2gをGBL30gに溶解させ
て25℃での粘度が2.8Pa・sである感光性耐熱性
樹脂前駆体組成物のワニスBを得た。
【0055】6インチシリコンウエハー上に、感光性ポ
リイミド前駆体のワニスBをプリベーク後の膜厚が7μ
mとなるように塗布し、ついでホットプレート(大日本
スクリーン製造社製SCW−636)を用いて、100
℃で3分プリベークすることにより、感光性ポリイミド
前駆体膜を得た。ついで、露光機(ニコン社製i線ステ
ッパ−NSR−1755−i7A)に、パターンの切ら
れたレチクルをセットし、露光量500mJ/cm
2 (365nmの強度)でi線露光を行った。
【0056】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転でテトラメチルア
ンモニウムの1.5%水溶液を10秒間噴霧した。この
後、90秒間静置し、400回転で10秒間水を噴霧し
てリンス処理、3000回転で10秒間振り切り乾燥し
た。
【0057】現像後の未露光部の膜厚は6.5μmであ
り、現像による未露光部の膜減りは0.5μmと非常に
良好であった。さらに、現像後の現像後のパターンを観
察した結果、半導体用バッファーコートとして要求に十
分耐えうる5μmのパターンが解像しており、パターン
形状も問題なかった。
【0058】実施例3 ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン19.
46g(0.045モル)と1,3−ビス(3−アミノ
プロピル)テトラメチルジシロキサン1.24g(0.
005モル)をGBL50gに溶解させた。ここに合成
例1で合成した酸無水物の活性エステル0.1モルを加
え、室温で1時間攪拌し、続いて30℃で2時間反応さ
せた。続いて、2,2−ビス(m−アミノ−p−ヒドロ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン18.3g
(0.05モル)を加え、80℃で8時間反応させた。
このポリマーの分子量をGPCで測定したところ、数平
均分子量は21000であった。
【0059】このポリマー10gと実施例1で用いたナ
フトキノンジアジド化合物2gをGBL30gに溶解さ
せて25℃での粘度が2.5Pa・sである感光性耐熱
性樹脂前駆体組成物のワニスCを得た。
【0060】6インチシリコンウエハー上に、感光性ポ
リイミド前駆体のワニスCをプリベーク後の膜厚が7μ
mとなるように塗布し、ついでホットプレート(大日本
スクリーン製造社製SCW−636)を用いて、100
℃で3分プリベークすることにより、感光性ポリイミド
前駆体膜を得た。ついで、露光機(ニコン社製i線ステ
ッパ−NSR−1755−i7A)に、パターンの切ら
れたレチクルをセットし、露光量500mJ/cm
2 (365nmの強度)でi線露光を行った。
【0061】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転でテトラメチルア
ンモニウムの1.5%水溶液を10秒間噴霧した。この
後、120秒間静置し、400回転で10秒間水を噴霧
してリンス処理、3000回転で10秒間振り切り乾燥
した。
【0062】現像後の未露光部の膜厚は6.9μmであ
り、現像による未露光部の膜減りは0.1μmと非常に
良好であった。さらに、現像後の現像後のパターンを観
察した結果、半導体用バッファーコートとして要求に十
分耐えうる5μmのパターンが解像しており、パターン
形状も問題なかった。
【0063】比較例1 4,4’−ジアミノジフェニルエーテル10.01g
(0.05モル)をガンマブチロラクトン(GBL)5
0gに溶解させた。ここに合成例1で合成した酸無水物
の活性エステル0.1モルを加え、室温で1時間攪拌
し、続いて30℃で2時間反応させた。続いて、ビス
(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン21.6g
(0.05モル)を加え、80℃で8時間反応させた。
このポリマーの分子量をGPCで測定したところ、数平
均分子量は17500であった。
【0064】このポリマー10gと実施例1で用いたナ
フトキノンジアジド化合物2gをGBL30gに溶解さ
せて25℃での粘度が2.1Pa・sである感光性耐熱
性樹脂前駆体組成物のワニスDを得た。
【0065】6インチシリコンウエハー上に、感光性ポ
リイミド前駆体のワニスDをプリベ−ク後の膜厚が7μ
mとなるように塗布し、ついでホットプレート(大日本
スクリーン製造社製SCW−636)を用いて、100
℃で3分プリベークすることにより、感光性ポリイミド
前駆体膜を得た。ついで、露光機(ニコン社製i線ステ
ッパ−NSR−1755−i7A)に、パターンの切ら
れたレチクルをセットし、露光量500mJ/cm
2 (365nmの強度)でi線露光を行った。
【0066】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転で1.5%のテト
ラメチルアンモニウム水溶液を10秒間噴霧した。この
後、90秒間静置し、400回転で10秒間水を噴霧し
てリンス処理、3000回転で10秒間振り切り乾燥し
たが、全て溶解し、パターンを得ることができなかっ
た。
【0067】比較例2 2,2−ビス(m−アミノ−p−ヒドロキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパンの量を36.6g(0.1モ
ル)に変更する以外は実施例1と同様にしてポリマーの
重合を行った。このポリマーの分子量をGPCで測定し
たところ、数平均分子量は7300であった。このポリ
マー10gと実施例1で用いたナフトキノンジアジド化
合物2gをGBL30gに溶解させて、25度での粘度
が0.1Pa・sの感光性耐熱性樹脂前駆体のワニスE
を得た。
【0068】6インチシリコンウエハー上に、感光性ポ
リイミド前駆体のワニスEをプリベーク後の膜厚が7μ
mとなるように塗布し、ついでホットプレート(大日本
スクリーン製造社製SCW−636)を用いて、100
℃で3分プリベークすることにより、感光性ポリイミド
前駆体膜を得た。ついで、露光機(ニコン社製i線ステ
ッパ−NSR−1755−i7A)に、パターンの切ら
れたレチクルをセットし、露光量500mJ/cm
2 (365nmの強度)でi線露光を行った。
【0069】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転で1.5%のテト
ラメチルアンモニウム水溶液を10秒間噴霧した。この
後、90秒間静置し、400回転で10秒間水を噴霧し
てリンス処理、3000回転で10秒間振り切り乾燥し
た。その結果、パターンは形成したものの、現像後の膜厚
が1.5μmと薄くなってしまった。
【0070】比較例3 4,4’−ジアミノジフェニルエーテル10.01g
(0.05モル))をガンマブチロラクトン(GBL)
50gに溶解させた。ここに合成例3で合成した酸無水
物の活性エステル0.1モルを加え、室温で1時間攪拌
し、続いて30℃で2時間反応させた。続いて、2,2
−ビス(m−アミノ−p−ヒドロキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン18.3g(0.05モル)を加え、
80℃で8時間反応させた。このポリマーの分子量をG
PCで測定したところ、数平均分子量は4000であっ
た。
【0071】このポリマー10gと実施例1で用いたナ
フトキノンジアジド化合物2gをGBL30gに溶解さ
せて感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワニスFを得た。
【0072】6インチシリコンウエハー上に、感光性ポ
リイミド前駆体のワニスFをプリベ−ク後の膜厚が7μ
mとなるように塗布し、ついでホットプレート(大日本
スクリーン製造社製SCW−636)を用いて、100
℃で3分プリベ−クすることにより、感光性ポリイミド
前駆体膜を得た。ついで、露光機(ニコン社製i線ステ
ッパ−NSR−1755−i7A)に、パターンの切ら
れたレチクルをセットし、露光量500mJ/cm
2 (365nmの強度)でi線露光を行った。
【0073】現像は、大日本スクリーン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転で1.5%のテト
ラメチルアンモニウム水溶液を10秒間噴霧した。この
後、90秒間静置し、400回転で10秒間水を噴霧し
てリンス処理、3000回転で10秒間振り切り乾燥し
たが、全て溶解し、パターンを得ることができなかっ
た。
【0074】
【発明の効果】本発明によって、短時間でアルカリ水溶
液現像が可能であり、かつ機械特性や耐熱性に優れた感
光性耐熱性樹脂前駆体組成物を得ることができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G03F 7/004 501 G03F 7/004 501 7/039 501 7/039 501

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(a)一般式(1)で表される構造単位を
    主成分とするポリマーに対して、一般式(2)または
    (3)で表されるジアミン化合物と、(b)キノンジア
    ジド化合物を含有することを特徴とする感光性耐熱性樹
    脂前駆体組成物。 【化1】 【化2】 【化3】 (R1は少なくとも2個以上30個以下の炭素原子を有
    する3価または4価の有機基。R2、R6は少なくとも
    2個以上30個以下の炭素原子を有する2価の有機基。
    R3、R7は炭素数2から30までの2価の有機基。R
    4は芳香族を含む1価の有機基。R5は炭素数1から1
    0までの有機基、あるいは水素のうち1種または2種以
    上を含むもの。l、mは1から100000までの整
    数、nは1または2の整数、p、qは1から4までの整
    数。)
  2. 【請求項2】(a)一般式(1)で表される化合物αモ
    ル、一般式(2)で表されるヒドロキシジアミンがβモ
    ル、一般式(3)で表されるジアミン化合物がγモルよ
    り構成され、このα、β、γの比率が 0.8≦(β+γ)/α≦1.2 0.1≦β/γ≦20 であることを特徴とする請求項1記載の感光性耐熱性樹
    脂前駆体組成物。
  3. 【請求項3】ジアミン成分の1〜40モル%がシロキサ
    ン含有ジアミンであることを特徴とする請求項1または
    2記載の感光性耐熱性樹脂組成物。
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