JPH11220012A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JPH11220012A JPH11220012A JP10018837A JP1883798A JPH11220012A JP H11220012 A JPH11220012 A JP H11220012A JP 10018837 A JP10018837 A JP 10018837A JP 1883798 A JP1883798 A JP 1883798A JP H11220012 A JPH11220012 A JP H11220012A
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- silicon nitride
- sintered body
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- electrostatic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】優れた強度を有するとともに、低抵抗化を有
し、幅広い範囲で静電吸着性を有する静電チャックを提
供する。 【解決手段】被固定物吸着面５を、窒化ケイ素を主成分
として、イッテリビウム（Ｙｂ）を酸化物換算で１〜２
０モル％の割合で含有する窒化ケイ素質焼結体であっ
て、１００℃から２５０℃の温度範囲において体積固有
抵抗率が１０8 〜１０12Ω・ｃｍの特性を有する焼結体
によって形成することにより、強度および耐熱衝撃性に
優れ、しかも少なくとも１００℃から２５０℃の温度範
囲で安定した吸着力を持つ静電チャックを得る。
し、幅広い範囲で静電吸着性を有する静電チャックを提
供する。 【解決手段】被固定物吸着面５を、窒化ケイ素を主成分
として、イッテリビウム（Ｙｂ）を酸化物換算で１〜２
０モル％の割合で含有する窒化ケイ素質焼結体であっ
て、１００℃から２５０℃の温度範囲において体積固有
抵抗率が１０8 〜１０12Ω・ｃｍの特性を有する焼結体
によって形成することにより、強度および耐熱衝撃性に
優れ、しかも少なくとも１００℃から２５０℃の温度範
囲で安定した吸着力を持つ静電チャックを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置等
においてウエハを静電的に吸着保持して処理したり、搬
送するための静電チャックに関するものである。
においてウエハを静電的に吸着保持して処理したり、搬
送するための静電チャックに関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来より、半導体製造装置において、シリ
コンウエハ等の半導体を成膜やエッチングするためには
シリコンウエハの平坦度を保ちながら保持する必要があ
るが、このような保持手段としては機械式、真空吸着
式、静電吸着式が提案されている。これらの保持手段の
中で静電的にシリコンウエハを保持することのできる静
電チャックはシリコンウエハの加工を行うに際して要求
される加工面の平坦度や平行度を容易に実現することが
でき、さらにシリコンウエハを真空中で加工処理するこ
とができるため、半導体の製造に際して最も多用されて
いる。
コンウエハ等の半導体を成膜やエッチングするためには
シリコンウエハの平坦度を保ちながら保持する必要があ
るが、このような保持手段としては機械式、真空吸着
式、静電吸着式が提案されている。これらの保持手段の
中で静電的にシリコンウエハを保持することのできる静
電チャックはシリコンウエハの加工を行うに際して要求
される加工面の平坦度や平行度を容易に実現することが
でき、さらにシリコンウエハを真空中で加工処理するこ
とができるため、半導体の製造に際して最も多用されて
いる。
【０００３】従来の静電チャックは、電極板の上にアル
ミナ、サファイヤ等からなる絶縁層を形成したもの（特
開昭６０−２６１３７７号）、絶縁性基体の上に導電層
を形成しその上に絶縁層を形成したもの（特開平４−３
４９５３号）、絶縁性基体内部に導電層を組み込んだも
の（特開昭６２−９４９５３号）などが提案されてい
る。
ミナ、サファイヤ等からなる絶縁層を形成したもの（特
開昭６０−２６１３７７号）、絶縁性基体の上に導電層
を形成しその上に絶縁層を形成したもの（特開平４−３
４９５３号）、絶縁性基体内部に導電層を組み込んだも
の（特開昭６２−９４９５３号）などが提案されてい
る。
【０００４】近年、半導体素子の集積回路の集積度が向
上するに従い、静電チャックの精度が高度化し、さらに
耐食性、耐摩耗性、耐熱衝撃性に優れたセラミックス製
静電チャックが要求されるようになってきた。
上するに従い、静電チャックの精度が高度化し、さらに
耐食性、耐摩耗性、耐熱衝撃性に優れたセラミックス製
静電チャックが要求されるようになってきた。
【０００５】従来より、静電チャックの被固定物吸着面
を高熱伝導性、耐プラズマ性の点から窒化アルミニウム
質焼結体によって形成することが特開昭６２−２８６２
４７号等にて提案されている。
を高熱伝導性、耐プラズマ性の点から窒化アルミニウム
質焼結体によって形成することが特開昭６２−２８６２
４７号等にて提案されている。
【０００６】一般に、セラミックス等の絶縁体の体積固
有抵抗値は温度が上昇するに伴い低下する。例えば窒化
アルミニウムの場合には、室温では１０14Ω・ｃｍ以上
から３００℃で１０11Ω・ｃｍ以下に減少し、室温から
３００℃では残留吸着などの問題が発生して安定した動
作を得るのは困難であり、使用温度に制限がある。特
に、需要の多い２５０℃以下の使用温度では、１０8 〜
１０12Ω・ｃｍが得られず、大きな吸着力が得られない
問題があった。
有抵抗値は温度が上昇するに伴い低下する。例えば窒化
アルミニウムの場合には、室温では１０14Ω・ｃｍ以上
から３００℃で１０11Ω・ｃｍ以下に減少し、室温から
３００℃では残留吸着などの問題が発生して安定した動
作を得るのは困難であり、使用温度に制限がある。特
に、需要の多い２５０℃以下の使用温度では、１０8 〜
１０12Ω・ｃｍが得られず、大きな吸着力が得られない
問題があった。
【０００７】安定して静電チャックを使用するために、
特開平２−１６０４４４号には絶縁層を２層以上積層す
るとともにそれぞれの層に対応する電極層及び電気回
路、スイッチングを設けて、室温から４００℃までの幅
広い温度範囲の使用に耐えられるような構造が提案され
ている。また、特開平４−３００１３７号には静電チャ
ック内にヒータ、熱電対などの温度検出器を取付け、外
部に制御部を設けて温度変化にともなって電源部を制御
して吸着力を安定させ、使用温度範囲を広げることも提
案されている。さらに、特開平５−３１５４３５号は誘
電体層を複数の抵抗率の異なる材質で形成し、使用温度
によって電圧印加の切り替えを行う方法も提案されてい
る。
特開平２−１６０４４４号には絶縁層を２層以上積層す
るとともにそれぞれの層に対応する電極層及び電気回
路、スイッチングを設けて、室温から４００℃までの幅
広い温度範囲の使用に耐えられるような構造が提案され
ている。また、特開平４−３００１３７号には静電チャ
ック内にヒータ、熱電対などの温度検出器を取付け、外
部に制御部を設けて温度変化にともなって電源部を制御
して吸着力を安定させ、使用温度範囲を広げることも提
案されている。さらに、特開平５−３１５４３５号は誘
電体層を複数の抵抗率の異なる材質で形成し、使用温度
によって電圧印加の切り替えを行う方法も提案されてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする問題点】静電チャックの表面
を形成する誘電性絶縁体として、従来から窒化アルミニ
ウムやアルミナなどが検討されているが、これらの誘電
性絶縁体では、強度および耐熱衝撃性が低く、しかも低
温から高温まで安定した吸着力を得るには至っておら
ず、上述のように静電チャックの構造を変えたり、電気
的な制御により使用できる温度範囲を広げるなどの格別
な制御、構造を必要とする。
を形成する誘電性絶縁体として、従来から窒化アルミニ
ウムやアルミナなどが検討されているが、これらの誘電
性絶縁体では、強度および耐熱衝撃性が低く、しかも低
温から高温まで安定した吸着力を得るには至っておら
ず、上述のように静電チャックの構造を変えたり、電気
的な制御により使用できる温度範囲を広げるなどの格別
な制御、構造を必要とする。
【０００９】しかし、前述したような絶縁層を２層以上
積層して電極層を増やしたものや複数の抵抗率の異なる
材質を誘電体層として用いた場合、電気回路も複雑とな
り、静電チャック自体の構造が複雑になるために製造工
程が煩雑であり、そのために製品の信頼性が低下した
り、コストが高くなるといった欠点があった。
積層して電極層を増やしたものや複数の抵抗率の異なる
材質を誘電体層として用いた場合、電気回路も複雑とな
り、静電チャック自体の構造が複雑になるために製造工
程が煩雑であり、そのために製品の信頼性が低下した
り、コストが高くなるといった欠点があった。
【００１０】また、ヒータを内蔵してその温度を検知
し、印加電圧を制御する方法においても静電チャック内
に熱電対などの温度検知器を内蔵するために検知器が故
障すると使用不可能になるという問題があり、またこの
方法においてもセラミック材料の持つ特性は本質的に変
化しないことから、その使用範囲には自ずと限界がある
ことには変わりがない。
し、印加電圧を制御する方法においても静電チャック内
に熱電対などの温度検知器を内蔵するために検知器が故
障すると使用不可能になるという問題があり、またこの
方法においてもセラミック材料の持つ特性は本質的に変
化しないことから、その使用範囲には自ずと限界がある
ことには変わりがない。
【００１１】従って、本発明の目的は、高い強度を有す
るとともに、低抵抗化を有し、幅広い範囲で静電吸着性
を有する静電チャックを提供することを目的とするもの
である。
るとともに、低抵抗化を有し、幅広い範囲で静電吸着性
を有する静電チャックを提供することを目的とするもの
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記問題
点に対して静電チャックの表面を形成するセラミック抵
抗体について特に静電チャックを構成する材料の観点か
ら検討を重ねた結果、窒化ケイ素にイッテルビウムを特
定の比率で含有せしめることによって、１００℃から２
５０℃の温度範囲において体積固有抵抗率が１０8 〜１
０12Ω・ｃｍの特性を有することを見いだし、この焼結
体を被固定物吸着面に適用することにより、少なくとも
１００℃から２５０℃の温度範囲で安定した吸着力を持
つ窒静電チャックを得るに至った。
点に対して静電チャックの表面を形成するセラミック抵
抗体について特に静電チャックを構成する材料の観点か
ら検討を重ねた結果、窒化ケイ素にイッテルビウムを特
定の比率で含有せしめることによって、１００℃から２
５０℃の温度範囲において体積固有抵抗率が１０8 〜１
０12Ω・ｃｍの特性を有することを見いだし、この焼結
体を被固定物吸着面に適用することにより、少なくとも
１００℃から２５０℃の温度範囲で安定した吸着力を持
つ窒静電チャックを得るに至った。
【００１３】即ち、本発明の静電チャックは、被固定物
吸着面が、窒化ケイ素を主成分として、イッテルビウム
（Ｙｂ）を酸化物換算で１〜２０モル％の割合で含有す
る窒化ケイ素質焼結体からなることを特徴とするもので
ある。
吸着面が、窒化ケイ素を主成分として、イッテルビウム
（Ｙｂ）を酸化物換算で１〜２０モル％の割合で含有す
る窒化ケイ素質焼結体からなることを特徴とするもので
ある。
【００１４】
【作用】窒化ケイ素質焼結体は、従来静電チャックの材
料として主に用いられているアルミナに比べて熱伝導率
が高く、また窒化アルミニウム等に比較して材料自体の
強度や熱衝撃性も高く、また、装置の軽量化が可能であ
る点で有利であるが、通常の窒化ケイ素質焼結体の体積
固有抵抗率は１０14Ω・ｃｍ程度であり、大きな吸着力
は得られない。
料として主に用いられているアルミナに比べて熱伝導率
が高く、また窒化アルミニウム等に比較して材料自体の
強度や熱衝撃性も高く、また、装置の軽量化が可能であ
る点で有利であるが、通常の窒化ケイ素質焼結体の体積
固有抵抗率は１０14Ω・ｃｍ程度であり、大きな吸着力
は得られない。
【００１５】本発明によれば、焼結体への添加剤とし
て、イッテルビウム（Ｙｂ）を用いると、焼結体中にお
いてＹｂが価数変化することによって、１００℃から２
５０℃の温度範囲において体積固有抵抗率が１０8 〜１
０12Ω・ｃｍとなる特異的な挙動を有するものと考えら
れる。かかる挙動は、Ｙｂ特有のものであって、従来か
ら窒化ケイ素の焼結助剤として用いられているＹ
2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｇｄ2
Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 、Ｌｕ2 Ｏ3 等では抵抗の変化は生じないことを確認
した。
て、イッテルビウム（Ｙｂ）を用いると、焼結体中にお
いてＹｂが価数変化することによって、１００℃から２
５０℃の温度範囲において体積固有抵抗率が１０8 〜１
０12Ω・ｃｍとなる特異的な挙動を有するものと考えら
れる。かかる挙動は、Ｙｂ特有のものであって、従来か
ら窒化ケイ素の焼結助剤として用いられているＹ
2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｇｄ2
Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 、Ｌｕ2 Ｏ3 等では抵抗の変化は生じないことを確認
した。
【００１６】本発明によれば、Ｙｂ添加系の窒化ケイ素
質焼結体を吸着面に採用することにより、１００℃から
２５０℃の温度範囲において優れた吸着特性を有すると
ともに、窒化ケイ素質焼結体の優れた熱伝導性、高強
度、高耐熱衝撃性を具備する静電チャックを得ることが
できる。
質焼結体を吸着面に採用することにより、１００℃から
２５０℃の温度範囲において優れた吸着特性を有すると
ともに、窒化ケイ素質焼結体の優れた熱伝導性、高強
度、高耐熱衝撃性を具備する静電チャックを得ることが
できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の静電チャック１は、図１
に示すように、室温における体積固有抵抗が１０14Ωｃ
ｍ以上のアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素など
のセラミックスからなる絶縁基体２の表面に電圧が印加
される電極層４が形成され、さらにその電極層４上にセ
ラミック抵抗体からなる誘電体層３が形成されている。
に示すように、室温における体積固有抵抗が１０14Ωｃ
ｍ以上のアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素など
のセラミックスからなる絶縁基体２の表面に電圧が印加
される電極層４が形成され、さらにその電極層４上にセ
ラミック抵抗体からなる誘電体層３が形成されている。
【００１８】誘電体層３は、少なくともシリコンウエハ
１０等の被固定物の吸着面５、あるいは半導体製造装置
内に露出している絶縁基体２面全体に形成される。な
お、絶縁基体２内にはヒータを内蔵させても何ら差し支
えない。さらには冷却媒体の流路を設けて静電チャック
を冷却することも可能である。
１０等の被固定物の吸着面５、あるいは半導体製造装置
内に露出している絶縁基体２面全体に形成される。な
お、絶縁基体２内にはヒータを内蔵させても何ら差し支
えない。さらには冷却媒体の流路を設けて静電チャック
を冷却することも可能である。
【００１９】本発明において、誘電体層３は、窒化ケイ
素を主体とし、イッテルビウム（Ｙｂ）を酸化物換算で
１〜２０モル％、特に２〜７モル％の割合で含有する焼
結体から構成される。また、この焼結体は、少なくとも
１００℃から２５０℃の体積固有抵抗が１０8 〜１０12
Ωｃｍの特性を具備するものである。
素を主体とし、イッテルビウム（Ｙｂ）を酸化物換算で
１〜２０モル％、特に２〜７モル％の割合で含有する焼
結体から構成される。また、この焼結体は、少なくとも
１００℃から２５０℃の体積固有抵抗が１０8 〜１０12
Ωｃｍの特性を具備するものである。
【００２０】このような窒化ケイ素質焼結体は、窒化ケ
イ素主原料に対して、酸化イッテルビウム（Ｙｂ
2 Ｏ3 ）１〜２０モル％、特に２〜７モル％の割合で添
加混合した混合物に、適宜有機バインダーを添加し、こ
れを所望の成形手段、例えば、金型プレス，冷間静水圧
プレス，押出し成形等により任意の形状に成形する。
イ素主原料に対して、酸化イッテルビウム（Ｙｂ
2 Ｏ3 ）１〜２０モル％、特に２〜７モル％の割合で添
加混合した混合物に、適宜有機バインダーを添加し、こ
れを所望の成形手段、例えば、金型プレス，冷間静水圧
プレス，押出し成形等により任意の形状に成形する。
【００２１】その後、窒素などの非酸化性雰囲気中で１
６００〜２０００℃の温度で焼成することにより、相対
密度９５％以上の焼結体を作製することができる。な
お、焼成にあたっては、焼成温度が２０００℃を越える
と窒化ケイ素が分解することから、窒素を５気圧以上に
加圧した雰囲気中で焼成することが必要である。焼成方
法としは、常圧焼成法、窒素ガス加圧焼成法、ホットプ
レス法、熱間静水圧焼成法などが採用できる。
６００〜２０００℃の温度で焼成することにより、相対
密度９５％以上の焼結体を作製することができる。な
お、焼成にあたっては、焼成温度が２０００℃を越える
と窒化ケイ素が分解することから、窒素を５気圧以上に
加圧した雰囲気中で焼成することが必要である。焼成方
法としは、常圧焼成法、窒素ガス加圧焼成法、ホットプ
レス法、熱間静水圧焼成法などが採用できる。
【００２２】また、静電チャックを作製するには、好適
には、絶縁基体２を窒化ケイ素に対してＹｂなどの価数
変化しない、Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 等の希
土類元素酸化物を１〜２０モル％添加して成形体を作製
して上記と同様にして体積固有抵抗が１０15Ωｃｍ以上
の焼結体によって形成することが望ましく、その場合、
電極層４は、タングステン、モリブデンなどの高融点金
属を絶縁基体２の成形体表面に印刷塗布して基体と同時
焼成することにより作製することができる。
には、絶縁基体２を窒化ケイ素に対してＹｂなどの価数
変化しない、Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 等の希
土類元素酸化物を１〜２０モル％添加して成形体を作製
して上記と同様にして体積固有抵抗が１０15Ωｃｍ以上
の焼結体によって形成することが望ましく、その場合、
電極層４は、タングステン、モリブデンなどの高融点金
属を絶縁基体２の成形体表面に印刷塗布して基体と同時
焼成することにより作製することができる。
【００２３】なお、上記の電極層４を具備する絶縁基体
２と、低抵抗の誘電体層３とは、焼成後に接合するか、
あるいは成形体同士で接合後、同時焼成して一体化する
ことも可能である。
２と、低抵抗の誘電体層３とは、焼成後に接合するか、
あるいは成形体同士で接合後、同時焼成して一体化する
ことも可能である。
【００２４】本発明によれば、該セラミック材料を静電
チャックとして使用した場合について説明したが、本発
明のセラミック抵抗体はその他に静電気を防止するため
の部品として、例えば半導体製造装置におけるウエハ搬
送用アーム、ウエハハンドリング用治具の他にヒータ材
料、真空管外囲管などにも使用することができる。
チャックとして使用した場合について説明したが、本発
明のセラミック抵抗体はその他に静電気を防止するため
の部品として、例えば半導体製造装置におけるウエハ搬
送用アーム、ウエハハンドリング用治具の他にヒータ材
料、真空管外囲管などにも使用することができる。
【００２５】
【実施例】平均粒径０．５μｍ、酸素含有量１．２重量
％の窒化ケイ素粉末に対して種々の添加剤を表１に示す
ような比率で添加混合した後、プレス成形によって直径
が２００ｍｍの円板状成形体を作製しこの成形体を９気
圧の窒素雰囲気中１９００℃で焼成した。
％の窒化ケイ素粉末に対して種々の添加剤を表１に示す
ような比率で添加混合した後、プレス成形によって直径
が２００ｍｍの円板状成形体を作製しこの成形体を９気
圧の窒素雰囲気中１９００℃で焼成した。
【００２６】得られた焼結体を２ｍｍ厚みに加工した
後、相対密度をアルキメデス法により測定するととも
に、体積固有抵抗の測定を行った。
後、相対密度をアルキメデス法により測定するととも
に、体積固有抵抗の測定を行った。
【００２７】抵抗測定は、焼結体を真空中４００℃のア
ニールの後に、乾燥した窒素を導入し、窒素雰囲気の降
温時に測定を行った。そして、１００℃から２５０℃ま
での体積固有抵抗を測定し、１０8 〜１０12Ωｃｍの範
囲内の特性を有するものに○、１０8 〜１０12Ωｃｍの
範囲内から逸脱するものを×として表１に示した。
ニールの後に、乾燥した窒素を導入し、窒素雰囲気の降
温時に測定を行った。そして、１００℃から２５０℃ま
での体積固有抵抗を測定し、１０8 〜１０12Ωｃｍの範
囲内の特性を有するものに○、１０8 〜１０12Ωｃｍの
範囲内から逸脱するものを×として表１に示した。
【００２８】また、上記の各焼結体を静電チャックの吸
着面として形成し、窒化ケイ素にＹ2 Ｏ3 を３モル％添
加した絶縁基体成形体に、タングステンを電極として内
蔵した基板成形体の表面に、上記の各成形体を静電チャ
ックの吸着面として積層圧着して前記条件で同時焼成し
た後、吸着面を研磨加工して外径２００ｍｍの静電チャ
ックを作製した。
着面として形成し、窒化ケイ素にＹ2 Ｏ3 を３モル％添
加した絶縁基体成形体に、タングステンを電極として内
蔵した基板成形体の表面に、上記の各成形体を静電チャ
ックの吸着面として積層圧着して前記条件で同時焼成し
た後、吸着面を研磨加工して外径２００ｍｍの静電チャ
ックを作製した。
【００２９】そして、その静電チャックに対して、１５
０℃において、８インチ径のシリコンウエハを載置して
静電吸着用電極との間に３００Ｖの電圧を印加すること
によりウエハを吸着面に吸着保持させ、その状態でシリ
コンウエハを剥がすのに必要な力を吸着力として測定
し、その結果を表１に示した。
０℃において、８インチ径のシリコンウエハを載置して
静電吸着用電極との間に３００Ｖの電圧を印加すること
によりウエハを吸着面に吸着保持させ、その状態でシリ
コンウエハを剥がすのに必要な力を吸着力として測定
し、その結果を表１に示した。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１の結果から明らかなように、セラミッ
クスの抵抗と吸着力は、焼結体の組成によって変化し、
Ｙｂ2 Ｏ3 量が１〜２０モル％の試料Ｎo.２〜８はいず
れも、１００℃から２５０℃の温度範囲において体積固
有抵抗率が１０8 〜１０12Ω・ｃｍの特性を有するもの
であり、高い吸着性を示した。これに対して、Ｙｂ2Ｏ
3 が１モル％よりも少ない試料Ｎo.１は、体積固有抵抗
が高く、吸着力も不十分であった。Ｙｂ2 Ｏ3 が２０モ
ル％を越える試料Ｎo.９では、抵抗が低くなりすぎ、吸
着力が低いものであった。
クスの抵抗と吸着力は、焼結体の組成によって変化し、
Ｙｂ2 Ｏ3 量が１〜２０モル％の試料Ｎo.２〜８はいず
れも、１００℃から２５０℃の温度範囲において体積固
有抵抗率が１０8 〜１０12Ω・ｃｍの特性を有するもの
であり、高い吸着性を示した。これに対して、Ｙｂ2Ｏ
3 が１モル％よりも少ない試料Ｎo.１は、体積固有抵抗
が高く、吸着力も不十分であった。Ｙｂ2 Ｏ3 が２０モ
ル％を越える試料Ｎo.９では、抵抗が低くなりすぎ、吸
着力が低いものであった。
【００３２】また、Ｙｂと同じ希土類元素であるＹ、Ｅ
ｒ、Ｓｍを用いた試料Ｎo.１０〜１２およびＡｌ2 Ｏ3
焼結体とＡｌＮ焼結体の試料Ｎo.１３、１４では、抵抗
が１０14Ωｃｍを越えるものであり、小さな吸着力しか
なかった。
ｒ、Ｓｍを用いた試料Ｎo.１０〜１２およびＡｌ2 Ｏ3
焼結体とＡｌＮ焼結体の試料Ｎo.１３、１４では、抵抗
が１０14Ωｃｍを越えるものであり、小さな吸着力しか
なかった。
【００３３】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、静
電チャックの吸着面を、Ｙｂを特定の比率で含有する窒
化ケイ素質焼結体により形成することにより、半導体製
造過程において少なくとも１００℃から２５０℃にわた
る温度領域において安定した吸着特性を有し、残留吸着
力もなく、しかも優れた強度と耐衝撃性を具備する静電
チャックを提供できる。したがって、静電チャックとし
て優れた信頼性と長期安定性が得られる。
電チャックの吸着面を、Ｙｂを特定の比率で含有する窒
化ケイ素質焼結体により形成することにより、半導体製
造過程において少なくとも１００℃から２５０℃にわた
る温度領域において安定した吸着特性を有し、残留吸着
力もなく、しかも優れた強度と耐衝撃性を具備する静電
チャックを提供できる。したがって、静電チャックとし
て優れた信頼性と長期安定性が得られる。
【図１】（ａ）は本発明の静電チャックの斜視図、
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
１ 静電チャック ２ 絶縁基体 ３ 誘電体層 ４ 電極層 ５ 吸着面 １０ シリコンウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜山 康三 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】被固体物吸着面が、窒化ケイ素を主成分と
して、イッテルビウム（Ｙｂ）を酸化物換算で１〜２０
モル％の割合で含有する窒化ケイ素質焼結体からなるこ
とを特徴とする静電チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018837A JPH11220012A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018837A JPH11220012A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 静電チャック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220012A true JPH11220012A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=11982684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10018837A Pending JPH11220012A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 静電チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11220012A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001253777A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-18 | Ibiden Co Ltd | セラミック基板 |
| JP2002128568A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-05-09 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性部材 |
| US6541406B1 (en) | 1999-11-15 | 2003-04-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride sintered material and process for production thereof |
| JP2003243495A (ja) * | 2002-10-30 | 2003-08-29 | Ibiden Co Ltd | セラミック基板 |
| US6825555B2 (en) | 2000-06-16 | 2004-11-30 | Ibiden Co., Ltd. | Hot plate |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP10018837A patent/JPH11220012A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541406B1 (en) | 1999-11-15 | 2003-04-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride sintered material and process for production thereof |
| US6667264B2 (en) | 1999-11-15 | 2003-12-23 | Kiyoshi Araki | Silicon nitride sintered material and process for production thereof |
| JP2001253777A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-18 | Ibiden Co Ltd | セラミック基板 |
| US6825555B2 (en) | 2000-06-16 | 2004-11-30 | Ibiden Co., Ltd. | Hot plate |
| JP2002128568A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-05-09 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性部材 |
| JP4641609B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2011-03-02 | 日本碍子株式会社 | 耐蝕性部材 |
| JP2003243495A (ja) * | 2002-10-30 | 2003-08-29 | Ibiden Co Ltd | セラミック基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050920 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050927 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060425 |