JPH11219937A - Process device - Google Patents
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- JPH11219937A JPH11219937A JP1966698A JP1966698A JPH11219937A JP H11219937 A JPH11219937 A JP H11219937A JP 1966698 A JP1966698 A JP 1966698A JP 1966698 A JP1966698 A JP 1966698A JP H11219937 A JPH11219937 A JP H11219937A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フッ素等を含む反
応性ガスを用いたプロセス全般（基板表面での薄膜の成
膜、表面処理、エッチング、表面改質、不純物添加、洗
浄（表面に付着した不純物の除去）等のプロセス）を行
う装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process using a reactive gas containing fluorine or the like (film formation on a substrate surface, surface treatment, etching, surface modification, impurity addition, cleaning (adhesion to the surface) And a process for removing the impurities.
【０００２】[0002]
【従来の技術】反応性ガスを利用したプロセスに使用す
る装置の容器内壁表面材料としては、従来アルマイト
（酸化アルミニウム）などが多く使用されてきた。しか
し、ハロゲン元素、特にフッ素元素を含むガスを使用し
たプロセスにおいては、アルマイト等の内壁表面材料が
フッ素と反応し腐食される問題がある。2. Description of the Related Art Alumite (aluminum oxide) and the like have been used in many cases as a material for the inner wall surface of a container used in a process using a reactive gas. However, in a process using a gas containing a halogen element, particularly a fluorine element, there is a problem that an inner wall surface material such as alumite reacts with fluorine and is corroded.
【０００３】一例として、アルマイト被膜したＡｌ製の
反応容器の中で多結晶Ｓｉ薄膜のエッチング処理を行う
場合について述べる。まず、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを
マイクロ波励起によりプラズマ化し、大量のＦ原子（Ｆ
ラジカル）を生成する。このＦラジカルを多結晶Ｓｉ薄
膜が表面に形成されたウエハが置かれている反応容器ま
で輸送し、Ｆラジカルと多結晶Ｓｉとを反応させ、Ｓｉ
＋４Ｆ→ＳｉＦ4 の形で蒸気圧の高いＳｉＦ4 ガスと
し、これを排気することでエッチングを行う。反応容器
内壁の材料として、従来はアルマイト被膜などが使用さ
れているが、アルマイト（Ａｌ3 Ｏ4 ）はＦ原子と反応
し、被膜表面でＡｌＦ3 が形成される。ＡｌＦ3 が増え
てくると粉状に成長し、容易に反応容器壁から剥離し
て、パーティクルあるいはウエハ表面を汚染する原因と
なる。さらに、被膜が腐食して下地のＡｌが露出すると
この反応が一層進行する。As an example, a case will be described in which a polycrystalline Si thin film is etched in a reaction vessel made of Al with an alumite coating. First, a mixed gas of CF 4 and O 2 is turned into plasma by microwave excitation, and a large amount of F atoms (F
Radicals). The F radicals are transported to a reaction vessel in which a wafer having a polycrystalline Si thin film formed on the surface is placed, where the F radicals react with the polycrystalline Si to form Si.
Etching is performed by exhausting SiF 4 gas having a high vapor pressure in the form of + 4F → SiF 4 . Conventionally, an alumite film or the like is used as a material for the inner wall of the reaction vessel. However, alumite (Al 3 O 4 ) reacts with F atoms to form AlF 3 on the surface of the film. When the amount of AlF 3 increases, it grows into a powder form, easily peels off from the reaction vessel wall, and becomes a cause of contaminating particles or the wafer surface. Further, when the film is corroded and the underlying Al is exposed, this reaction further proceeds.
【０００４】反応性ガスのプラズマをウエハ付近で生成
し、直接プラズマに晒して処理を行う装置においても同
様の現象が発生する。特にこの場合、プラズマからのイ
オンが反応容器壁にも衝突するため、上述の内壁材料の
腐食が促進され、またイオンのスパッタ作用により腐食
が一層促進されることとなる。[0004] A similar phenomenon occurs in an apparatus in which a plasma of a reactive gas is generated near a wafer and is directly exposed to the plasma to perform processing. In particular, in this case, ions from the plasma collide with the reaction vessel wall, so that the corrosion of the inner wall material described above is promoted, and the corrosion is further promoted by the ion sputtering action.
【０００５】他の例として、エキシマレーザのチャンバ
内壁の状況について述べる。ＫｒＦやＡｒＦのエキシマ
レーザは、短波長の高輝度光源として半導体製造のリソ
グラフィー工程で使用されている。そのレーザ光励起
は、ＫｒやＡｒといった希ガスとＦ2 ガスとをＮｅやＨ
ｅなどで希釈してチャンバ内に数気圧の圧力で封入し、
その中でパルス放電を起こすことによって行う。この放
電によって励起されたＡｒ、Ｋｒ、Ｆ原子がエキシマと
呼ばれるダイマーを形成し、これが崩壊する時に光を放
出する。したがって、チャンバ内では反応性の高いＦ原
子が発生し、Ｆ原子がチャンバ壁を腐食する問題が発生
する。この腐食によりＡｌＦ3 のパーティクルが発生す
るのは、上述のエッチング装置の例と同様である。ま
た、内壁材料やその不純物とＦの化合物の蒸気圧が高い
場合は、チャンバ内での不純物ガス濃度が増加する。エ
キシマレーザの場合はこのパーティクルや不純物ガスの
存在がエキシマ状態への励起効率を低下させ、レーザ出
力を著しく低下させる結果となる。このような状況で
は、高価なガスを頻繁に交換したり、レーザ励起のチャ
ンバ自体を交換する必要があり、多大なコスト増大の一
因となり、生産装置としてエキシマレーザを導入する際
の重大な課題となる。As another example, the condition of the inner wall of the chamber of the excimer laser will be described. An excimer laser such as KrF or ArF is used as a short-wavelength high-intensity light source in a lithography process of semiconductor manufacturing. The laser light excitation converts a rare gas such as Kr or Ar and an F 2 gas into Ne or H 2.
e, etc., and sealed in the chamber at a pressure of several atmospheres.
This is performed by causing a pulse discharge in the flow. The Ar, Kr, and F atoms excited by this discharge form a dimer called excimer, which emits light when it collapses. Therefore, highly reactive F atoms are generated in the chamber, and the F atoms corrode the chamber walls. The generation of AlF 3 particles due to this corrosion is the same as in the above-described example of the etching apparatus. Further, when the vapor pressure of the compound of F and the inner wall material or the impurities thereof is high, the concentration of the impurity gas in the chamber increases. In the case of an excimer laser, the presence of these particles and impurity gas lowers the excitation efficiency to the excimer state, resulting in a significant decrease in laser output. In such a situation, it is necessary to frequently exchange expensive gas or replace the laser excitation chamber itself, which causes a great increase in cost, and a serious problem when introducing an excimer laser as a production device. Becomes
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の装
置では、反応性ガスによって容器の内壁等が腐食するた
め、この腐食によってパーティクルが発生するといった
問題や、腐食した容器の交換による装置の維持コストや
プロセス時間の増加といった問題があった。As described above, in the conventional apparatus, since the inner wall and the like of the container are corroded by the reactive gas, particles are generated due to the corrosion, and the apparatus is replaced by replacing the corroded container. There were problems such as an increase in maintenance cost and process time.
【０００７】本発明は上記従来の課題に対してなされた
ものであり、反応性ガスによる容器内壁等の腐食を抑制
することにより、パーティクルの発生を防止し、装置の
維持コストの低減やプロセス時間の短縮化をはかること
が可能な装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. By suppressing the corrosion of the inner wall of a container by a reactive gas, the generation of particles is prevented, the maintenance cost of the apparatus is reduced, and the process time is reduced. It is an object of the present invention to provide a device capable of shortening the time.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明に係るプロセス装
置は、反応性ガスに晒される部材内の所望の箇所の表面
に、ポーリングの電気陰性度（Paulings Electronegati
vity）が１．０以上かつ１．５以下の金属とフッ素との
化合物膜が形成されていることを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION A process apparatus according to the present invention is provided with a method in which a surface of a desired portion in a member exposed to a reactive gas is subjected to Pauling Electronegati (Paulings Electronegati).
(vity) of 1.0 to 1.5 inclusive.
【０００９】このように、ポーリングの電気陰性度が
１．０以上かつ１．５以下の金属とフッ素とにより金属
とフッ素との安定な化合物が形成され、反応性ガスによ
る腐食を抑制して、パーティクルの発生等を防止するこ
とができる。なお、電気陰性度を前記範囲とするのは、
電気陰性度が１．０未満では金属の反応性が強くなりす
ぎ、１．５より大きい場合には金属とフッ素との結合が
弱くなり不安定になるためである。As described above, a stable compound of a metal and fluorine is formed by a metal and fluorine having a Pauling electronegativity of 1.0 or more and 1.5 or less, and corrosion by a reactive gas is suppressed. Generation of particles and the like can be prevented. It should be noted that the electronegativity is in the above range,
If the electronegativity is less than 1.0, the reactivity of the metal becomes too strong, and if it is more than 1.5, the bond between the metal and fluorine becomes weak and unstable.
【００１０】前記金属としては、Ｃａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｍ
ｇ，Ｌｉ，Ｎｉ，Ｂｅ，Ｓｃ，Ｙ，Ｚｒ，Ｔｉをあげる
ことができ、特に、Ｃａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｍｇ，Ｌｉ，Ｎ
ｉを用いることが好ましい。代表的にはＣａをあげるこ
とができ、この場合には前記化合物膜としてＣａＦ2
（フッ化カルシウム）膜が形成される。The metal includes Ca, Al, Sr, M
g, Li, Ni, Be, Sc, Y, Zr, and Ti. In particular, Ca, Al, Sr, Mg, Li, and N
It is preferable to use i. Typically, Ca can be mentioned. In this case, CaF 2 is used as the compound film.
A (calcium fluoride) film is formed.
【００１１】前記金属とフッ素との化合物膜は、溶射に
よって形成されたものであることが好ましい。溶射法と
しては、代表的にはプラズマ溶射があげられるが、その
他、ガス燃焼溶射、爆発溶射等を用いることも可能であ
る。このように、溶射によって前記化合物膜を成膜する
ことにより、膜厚の厚い（例えば５０μｍ以上）化合物
膜を形成することができ、保護膜としての性能を十分に
発揮することが可能となる。The compound film of the metal and the fluorine is preferably formed by thermal spraying. A typical example of the thermal spraying method is plasma thermal spraying, but gas thermal spraying, explosive thermal spraying and the like can also be used. Thus, by forming the compound film by thermal spraying, a compound film having a large thickness (for example, 50 μm or more) can be formed, and the performance as a protective film can be sufficiently exhibited.
【００１２】前記反応性ガスとしては、例えば反応性の
強いハロゲン元素（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等）を含むガスがあ
げられるが、本発明では金属とフッ素との安定な化合物
膜を形成することにより、このような反応性の強いガス
に対しても、十分な耐性を得ることができる。Examples of the reactive gas include a gas containing a highly reactive halogen element (F, Cl, Br, etc.). In the present invention, a stable compound film of metal and fluorine is formed. Sufficient resistance to such a highly reactive gas can be obtained.
【００１３】前記反応性ガスに晒される部材としては、
その内部で所定の処理が行われる容器を代表例としてあ
げることができ、前記反応性ガスに晒される部材内の所
望の箇所としては、容器の内壁をあげることができる。
容器としては、エッチング装置やＣＶＤ等の成膜装置に
用いるチャンバの他、エキシマレーザを励起する装置の
チャンバ等があげられる。また、前記部材としては、配
管系（ガス供給用の配管系、ガス排出用の配管系）もあ
げることができ、この場合にも配管の内壁にＣａＦ2 膜
等の化合物膜を形成することになる。また、容器や配管
の表面のみならず、これらの内部に設けられた部品の表
面に化合物膜を形成してもよい。さらに、前記部材には
容器や配管につらなる流量計、圧力計、バルブ、ガスリ
ザーバー、ポンプ、除害装置等も含まれ、反応性ガスに
晒されるこれらの表面にＣａＦ２膜等の化合物膜を形成
してもよい。The members exposed to the reactive gas include:
A container in which a predetermined treatment is performed can be given as a typical example, and a desired portion in the member exposed to the reactive gas can be an inner wall of the container.
Examples of the container include a chamber used for an excimer laser as well as a chamber used for a film forming apparatus such as an etching apparatus and a CVD apparatus. Further, examples of the member include a piping system (a piping system for gas supply and a piping system for gas discharge). In this case, too, a compound film such as a CaF 2 film is formed on the inner wall of the piping. Become. Further, the compound film may be formed not only on the surface of the container or the pipe, but also on the surface of a component provided inside these. Further, the member also includes a flow meter, a pressure gauge, a valve, a gas reservoir, a pump, an abatement device, etc. connected to a container or a pipe, and a compound film such as a CaF 2 film is coated on the surface exposed to the reactive gas. It may be formed.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施例を説
明するための図であり、ダウンフロー型エッチング装置
に本発明を適用した例である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram for explaining a first embodiment of the present invention, in which the present invention is applied to a downflow type etching apparatus.
【００１５】１１は被処理基板となるシリコンウエハ１
２が配置されるエッチングチャンバ、１３はウエハ１２
を載置するサセプタ、１４は反応性ガスを導入するガス
供給管、１５は反応性ガスを励起してプラズマを生成す
る放電管、１６は放電を励起するマイクロ波電源、１７
はマイクロ波を放電管へ伝える導波管、１８はガスを排
気する真空ポンプへつながる排気管である。チャンバ１
１の内壁表面には、ＣａＦ２ の微粒子をプラズマ中で
溶融し対象物へ吹き付けることで成膜を行うプラズマ溶
射技術により、厚さ約２５０μｍのＣａＦ2 膜（フッ化
カルシウム膜）１９が形成されている。Reference numeral 11 denotes a silicon wafer 1 serving as a substrate to be processed.
2 is an etching chamber, 13 is a wafer 12
, A gas supply pipe for introducing a reactive gas, 15 a discharge tube for exciting the reactive gas to generate plasma, 16 a microwave power supply for exciting a discharge, 17
Is a waveguide for transmitting microwaves to the discharge tube, and 18 is an exhaust pipe connected to a vacuum pump for exhausting gas. Chamber 1
A CaF 2 film (calcium fluoride film) 19 having a thickness of about 250 μm is formed on the inner wall surface of the sample 1 by a plasma spraying technique in which fine particles of CaF 2 are melted in plasma and sprayed onto an object to form a film. ing.
【００１６】ここでは、被エッチング膜として、Ｓｉウ
エハ１２表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 膜）の上に堆
積されたリン添加多結晶Ｓｉ膜（ｎ+ ｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜）を使用した。また、エッチングガスとしてはＣＦ4
＋Ｏ2 の混合ガスを用い、この混合ガスをＣＦ4 ：８０
ｓｃｃｍ、Ｏ2 ：２０ｓｃｃｍの流量でチャンバ１１内
に導入し、チャンバ１１内のガス圧力を０．５Ｔｏｒｒ
に保った。Here, as a film to be etched, a phosphorus-doped polycrystalline Si film (n + poly-Si) deposited on a silicon oxide film (SiO 2 film) on the surface of the Si wafer 12.
Membrane) was used. Further, CF 4 is used as an etching gas.
+ O 2 mixed gas, and this mixed gas is CF 4 : 80
sccm, O 2 : introduced into the chamber 11 at a flow rate of 20 sccm, and the gas pressure in the chamber 11 is set to 0.5 Torr.
Kept.
【００１７】マイクロ波の電力を７５０Ｗに設定して放
電を開始すると、ＣＦ4 、Ｏ2 混合ガスの放電で生成さ
れるＦ原子がチャンバへ供給されエッチング反応を起こ
す。この条件でのエッチング速度は、ｎ+ ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜は約３８００オングストローム／分、下地のＳｉＯ
2 膜は２５０オングストローム／分であったが、これ
らの値はチャンバ壁表面の材料がＡｌ材である場合には
それぞれ約２０％低下する。これは、エッチング種であ
るＦが金属表面で再結合してＦ2 が形成されエッチング
反応性に寄与しなくなるいわゆる失活が起こったり、Ｆ
が金属と反応してＡｌＦx が形成されるなどして、Ｆ濃
度が低下するためと考えられる。When the discharge is started with the microwave power set to 750 W, F atoms generated by the discharge of the mixed gas of CF 4 and O 2 are supplied to the chamber to cause an etching reaction. The etching rate under this condition is n + poly-S
The i-film is about 3800 angstroms / min.
The values of the two films were 250 Å / min, but these values are reduced by about 20% when the material of the chamber wall surface is Al. This is because F, which is an etching species, is recombined on the metal surface to form F 2 and does not contribute to the etching reactivity.
Is considered to be due to the fact that F reacts with the metal to form AlF x and the F concentration decreases.
【００１８】一方、ＣａＦ2 膜１９をチャンバ壁にコー
ティングしたチャンバを使用するとチャンバ壁表面での
失活が極めて少なくなる。また、ＣａＦ2 膜をプラズマ
溶射でＳｉＣ基板上に成膜した試料をエッチングした
が、エッチング速度はゼロであった。したがって、Ｃａ
Ｆ2 膜をチャンバ内壁に形成することで、チャンバ壁の
エロージョンが防止でき、さらに安定した高性能のプロ
セス性能を維持できることになる。On the other hand, when a chamber in which the CaF 2 film 19 is coated on the chamber wall is used, deactivation on the chamber wall surface is extremely reduced. A sample in which a CaF 2 film was formed on a SiC substrate by plasma spraying was etched, but the etching rate was zero. Therefore, Ca
By forming the F 2 film on the inner wall of the chamber, erosion of the chamber wall can be prevented, and stable high-performance process performance can be maintained.
【００１９】なお、図１において、プラズマを発生され
るマイクロ波放電管１７には通常石英管或いはアルミナ
管が利用されるが、プラズマで生成された高濃度Ｆ原子
やイオンによりエッチングされ、定期的な交換が必要と
なる。そこで、マイクロ波放電管１７となる石英管の内
壁にもＣａＦ2 膜を１ｍｍの厚さで成膜して使用したと
ころ、従来放電時間が６００時間程度で交換していたも
のが、その２〜３倍の時間まで交換の必要がないことが
判明した。In FIG. 1, a quartz tube or an alumina tube is usually used as the microwave discharge tube 17 for generating plasma, but is periodically etched by high-concentration F atoms or ions generated by the plasma. Replacement is necessary. Therefore, when a CaF 2 film was formed with a thickness of 1 mm on the inner wall of a quartz tube serving as the microwave discharge tube 17 and used, the discharge time was conventionally changed after about 600 hours. It turned out that there was no need for replacement until three times as long.
【００２０】なお、ＣａＦ2 が摩耗する原因はプラズマ
中のイオンによる物理スパッタであるが、ＣＤＥでは使
用圧力が高くプラズマから管壁を衝撃するイオンのエネ
ルギは平均で１０ｅＶ未満であるために、スパッタ速度
は数十オングストローム／分以下と見積もられれ、その
影響は少ないと考えられる。The cause of wear of CaF 2 is physical sputtering due to ions in the plasma. However, in CDE, since the working pressure is high and the energy of the ions bombarding the tube wall from the plasma is less than 10 eV on average, the sputtering is not performed. The speed is estimated to be tens of angstroms / minute or less, and its effect is considered to be small.
【００２１】以上のように、Ｆ原子やＦイオンを含む反
応性ガスを使用したプラズマ装置において、ガスが接触
する内壁にＣａＦ2 膜をコーティングすることで、プロ
セス性能の向上と装置寿命の向上を図ることができる。As described above, in a plasma apparatus using a reactive gas containing F atoms or F ions, coating the inner wall with which the gas comes into contact with a CaF 2 film improves the process performance and the life of the apparatus. Can be planned.
【００２２】なお、ＣａＦ2 膜のコーティングは、上記
チャンバ壁や放電管壁に限定されるものではなく、排気
系の配管内壁や真空ポンプの内壁、部品表面、除害装
置、ガス供給系においても同様の効果を示す。The coating of the CaF 2 film is not limited to the above-mentioned chamber wall and discharge tube wall, but may be applied to the exhaust pipe inner wall, vacuum pump inner wall, component surface, abatement equipment, and gas supply system. It shows a similar effect.
【００２３】次に、本発明の第２の実施形態について、
図２を参照して説明する。図２に示した装置も第１の実
施形態と同様にエッチング装置であるが、本実施形態で
はプラズマにウエハを直接晒して加工する方式の装置を
例としている。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to FIG. The apparatus shown in FIG. 2 is also an etching apparatus as in the first embodiment, but the present embodiment exemplifies an apparatus of a system in which a wafer is directly exposed to plasma for processing.
【００２４】２１は被処理基板となるシリコンウエハ２
２が配置されるエッチングチャンバであり、２３はウエ
ハ２２を載置するサセプタ、２４はガスを導入するガス
供給管、２５はガスを排気する真空ポンプへつながる排
気管である。サセプタ２３には基板バイアス用のＲＦ電
力（１３．５６Ｍｈｚ）が電源２６から供給されてい
る。また、プラズマ密度を高めて高速のエッチングを行
うために、磁石２７によりウエハ２２の表面付近にウエ
ハと平行な磁界（１２０Ｇａｕｓｓ）を与え、磁石２７
をチャンバ２１の中心軸を中心にして回転させること
で、磁界の向きを回転させて均一なエッチングを行うよ
うになっている。ガス供給管２４からは流量制御された
ガスが導入され、排気管２５によりガス排気されること
でチャンバ２１内の圧力が一定に保たれる。Reference numeral 21 denotes a silicon wafer 2 serving as a substrate to be processed.
Reference numeral 2 denotes an etching chamber, in which 23 is a susceptor on which the wafer 22 is mounted, 24 is a gas supply pipe for introducing a gas, and 25 is an exhaust pipe connected to a vacuum pump for exhausting the gas. The susceptor 23 is supplied with RF power (13.56 Mhz) for substrate bias from a power supply 26. Further, in order to increase the plasma density and perform high-speed etching, a magnetic field (120 Gauss) parallel to the wafer 22 is applied to the vicinity of the surface of the wafer 22 by the magnet 27 so that the magnet 27
Is rotated about the central axis of the chamber 21 to rotate the direction of the magnetic field to perform uniform etching. A gas whose flow rate is controlled is introduced from the gas supply pipe 24, and the pressure in the chamber 21 is kept constant by being exhausted by the exhaust pipe 25.
【００２５】本実施形態では、ＣＨＦ3 とＣＦ4 の混合
ガスを使用してシリコン酸化膜の微細溝を加工するプロ
セスを例に説明する。酸化膜の加工においては、フロロ
カーボン（ＣＦ）の堆積が生じるプロセスを用いるた
め、チャンバ２１の内壁にもＣＦ膜が形成されやすく、
これがチャンバ壁の保護膜となることが多い。しかし、
堆積が多いプロセスでは、寸法の高精度制御が行いにく
く、チャンバ内壁の堆積膜表面が時々刻々と変化するこ
とに起因して、プロセス特性の経時変化が発生するなど
の問題がある。そのため、プロセスによってはＣＨＦ3
とＣＦ4 の混合ガスのような堆積の少ないガス系を使
用する。その場合には、チャンバ壁材料がＦ原子やＦイ
オンに直接晒されることとなり、エロージョンやそれに
伴うパーティクルの発生が問題となる。エロージョンは
チャンバ内部品の寿命を短くし、装置の維持費上昇を招
き、パーティクルはデバイス歩留りの低下に繋がること
は言うまでもない。In this embodiment, a process for processing a fine groove in a silicon oxide film using a mixed gas of CHF 3 and CF 4 will be described as an example. In the processing of the oxide film, since a process that causes deposition of fluorocarbon (CF) is used, a CF film is easily formed on the inner wall of the chamber 21.
This often serves as a protective film for the chamber wall. But,
In a process with a large amount of deposition, high-precision control of dimensions is difficult to perform, and there is a problem that the process characteristics change with time due to the momentary change of the deposited film surface on the inner wall of the chamber. Therefore, depending on the process, CHF 3
And using a deposition less gas system such as a mixed gas of CF 4. In such a case, the chamber wall material is directly exposed to F atoms and F ions, and erosion and generation of particles associated therewith become a problem. Erosion shortens the life of the components in the chamber, increases the maintenance cost of the apparatus, and of course, the particles reduce the yield of the device.
【００２６】本実施形態の装置では、ＣａＦ2 膜３１を
チャンバ２１の内壁および排気管２５の内壁にプラズマ
溶射により形成してある。プラズマ３０に直接晒されて
従来エロージョンが激しく発生していた箇所では、Ｃａ
Ｆ2 膜３１を５００μｍと厚くしてあり、また部品交換
が可能となるようにしてある。一方、プラズマ３０に直
接晒されない、或いは晒されてもエロージョンの少ない
部位については、ＣａＦ2 膜３１はほとんどエッチング
されることがないため、３００μｍ程度と比較的薄い膜
厚であり、また表面部品の交換も行わない。In the apparatus of this embodiment, the CaF 2 film 31 is formed on the inner wall of the chamber 21 and the inner wall of the exhaust pipe 25 by plasma spraying. In places where erosion was conventionally severely caused by direct exposure to the plasma 30, Ca
The thickness of the F 2 film 31 is set to 500 μm and the parts can be replaced. On the other hand, a portion which is not directly exposed to the plasma 30 or has little erosion even when exposed to the plasma 30 has a relatively thin film thickness of about 300 μm because the CaF 2 film 31 is hardly etched. No exchange is performed.
【００２７】本実施形態において、エロージョンの激し
い部品としては、シールド板２８およびガス分散供給板
２９があげられる。これらの部品はＡｌ合金で作製さ
れ、その表面は陽極酸化によりアルマイト被膜が数十μ
ｍの厚さに形成されている。これらはプラズマ３０に直
接晒されるため、従来のＣＨＦ3 とＣＦ4 ガスを使用し
たプロセスでは、４０〜８０時間程度放電する毎に交換
しており、コスト上昇の大きな原因となっている。In this embodiment, the parts having severe erosion include a shield plate 28 and a gas dispersion supply plate 29. These parts are made of an Al alloy, and the surface of the
m. Since these are directly exposed to the plasma 30, in a conventional process using CHF 3 and CF 4 gas, they are replaced every time discharge is performed for about 40 to 80 hours, which is a major cause of cost increase.
【００２８】本実施形態の構成を採用することにより、
シールド板２８およびガス分散供給板２９の交換頻度
は、４００時間のＲＦ放電時間まで延びることが判明し
た。これは、ＣａＦ2 膜３１がＦ原子に対して完璧に安
定であることと同時に、物理スパッタ耐性も石英やアル
ミナの数倍程度あるためと考えられる。ガス分散供給板
２９は、ガスをチャンバ内に導入するための１ｍｍ以下
の細かい穴（ガス導入口）が数百個程度形成されたもの
であり（図２ではガス導入口は図示していないが、実際
にはガス導入口はＣａＦ2 膜３１を貫通している）、特
にガス導入口の角の部分がプラズマに強く晒されてエロ
ージョンが激しく、従来は下地のＡｌがすぐに露出し、
異常放電、Ａｌの放出による汚染、パーティクルの発生
などの問題を引き起こしていた。ＣａＦ2 膜を形成する
ことにより、このような問題が解決し、製作コストの高
いガス分散供給板２９の交換頻度を低減することができ
た。By adopting the configuration of this embodiment,
It has been found that the replacement frequency of the shield plate 28 and the gas dispersion supply plate 29 extends up to 400 hours of RF discharge time. It is considered that this is because the CaF 2 film 31 is completely stable with respect to F atoms, and at the same time, the physical sputter resistance is about several times that of quartz or alumina. The gas dispersion supply plate 29 is formed with several hundred small holes (gas inlets) of 1 mm or less for introducing gas into the chamber (gas inlets are not shown in FIG. In fact, the gas inlet penetrates through the CaF 2 film 31), especially the corners of the gas inlet are strongly exposed to the plasma, and the erosion is severe. Conventionally, the underlying Al is immediately exposed,
This has caused problems such as abnormal discharge, contamination due to release of Al, and generation of particles. By forming the CaF 2 film, such a problem was solved, and the frequency of replacing the gas dispersion supply plate 29, which was expensive to manufacture, could be reduced.
【００２９】なお、プロセス性能に関しては、ＣａＦ2
膜の形成したものとしないものとで特に変化はなかっ
た。例えば、エッチング速度はＳｉＯ2 ：４８３０オン
グストローム／分、Ｓｉ：３５０オングストローム／分
（ＲＦ電力３．５Ｗ／ｃｍ2 、ガス圧力８０ｍＴｏｒ
ｒ、ＣＨＦ3 ：５０ｓｃｃｍ、ＣＦ4 ：２０ｓｃｃｍ）
であった。As for the process performance, CaF 2
There was no particular change between the film formed and the film not formed. For example, the etching rate is 4830 Å / min for SiO 2 and 350 Å / min for Si (RF power 3.5 W / cm 2 , gas pressure 80 mTorr).
r, CHF 3 : 50 sccm, CF 4 : 20 sccm)
Met.
【００３０】また、パーティクルの発生については、部
品交換直後に数百個（ウエハ上に飛来した０．２μｍ以
上のパーティクルの個数）発生したが、１０分程度の予
備放電後には数個から十数個といった従来のチャンバ内
壁処理で得られていた値と同等のパーティクル発生率ま
で低下した。当然、従来はエロージョンが進むと数千個
のパーティクルが発生していたが、本発明により大量の
パーティクルが発生することはなくなった。Regarding the generation of particles, several hundred particles (the number of particles of 0.2 μm or more flying over the wafer) were generated immediately after component replacement, but after a preliminary discharge of about 10 minutes, several to several tens of particles were generated. The particle generation rate was reduced to the same value as that obtained by the conventional processing of the inner wall of the chamber. Naturally, in the past, thousands of particles were generated as the erosion proceeded, but the present invention no longer generates a large number of particles.
【００３１】本実施形態で用いたＣａＦ2 被膜の表面荒
さは数μｍ程度以上であるが、表面が滑らかな場合に
は、表面に極薄く形成されるフロロカーボン系の堆積膜
が剥がれやすく、これがパーティクルとなる場合があっ
た。検討を行った結果、表面荒さは０．７μｍ以上であ
ることが望ましいことがわかった。Although the surface roughness of the CaF 2 coating used in this embodiment is about several μm or more, if the surface is smooth, a fluorocarbon-based deposited film formed extremely thinly on the surface is easily peeled off. There was a case. As a result of the study, it was found that the surface roughness was desirably 0.7 μm or more.
【００３２】さらに、被膜の厚さはプラズマ溶射で使用
する微粉末の粒径の数十倍以上の厚さが必要であり、５
０μｍ以上の厚さが望ましい。これは、膜がポーラスな
ため、下地を完全にガスから保護するために必要な厚さ
である。Further, the thickness of the coating must be several tens of times or more the particle size of the fine powder used in plasma spraying.
A thickness of 0 μm or more is desirable. This is the thickness required to completely protect the substrate from gas, since the film is porous.
【００３３】以上のように、ＣａＦ2 被膜がほとんどエ
ッチングされないために、ウエハに対する汚染も低下す
る。Ｃａ自体はＳｉやＳｉＯ2 中で可動イオンを形成す
る金属元素としてデバイス特性を劣化させる可能性があ
るが、本実施形態で計測したウエハの汚染レベルは３×
１０10原子／ｃｍ2 程度と極めて少なく、全く問題とな
らないことがわかった。As described above, since the CaF 2 coating is hardly etched, contamination on the wafer is also reduced. Although Ca itself may degrade device characteristics as a metal element forming mobile ions in Si or SiO 2 , the contamination level of the wafer measured in this embodiment is 3 ×
It was found to be extremely small, about 10 10 atoms / cm 2 , and no problem at all.
【００３４】次に、本発明の第３の実施形態について、
図３を参照して説明する。本実施形態は、本発明をエキ
シマレーザ装置に適用した例である。４１はチャンバ、
４２は放電電極、４３は高速高圧パルス電源、４４はガ
ス循環用のファン、４５はガス供給管、４６は排気管あ
る。以下、ＫｒＦのエキシマ生成とレーザ発振を例に挙
げて説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to FIG. This embodiment is an example in which the present invention is applied to an excimer laser device. 41 is a chamber,
42 is a discharge electrode, 43 is a high-speed high-voltage pulse power supply, 44 is a gas circulation fan, 45 is a gas supply pipe, and 46 is an exhaust pipe. In the following, the excimer generation of KrF and laser oscillation will be described as an example.
【００３５】チャンバ４１内を排気管４６を介して真空
排気した後、充填ガス（Ｆ2 、Ｋｒ、Ｈｅ、Ｎｅ）をガ
ス導入管４５から充填する。通常、チャンバ内圧力は大
気圧以上数気圧までの範囲で使用される。電源４３から
パルス電力を放電電極４２へ供給し、電極間で大容量の
放電を励起することでレーザーの発振を行う。この放電
でＦ原子が生成され、同時に生成された励起状態のＫｒ
と反応し、短寿命のダイマーＫｒＦが形成される。この
ダイマーが崩壊する時に波長２４８ｎｍの光を放出し、
ダイマーの密度がある閾値を越えると位相の揃ったコヒ
ーレント光が得られる。これがエキシマレーザの原理で
ある。After the inside of the chamber 41 is evacuated through an exhaust pipe 46, a filling gas (F 2 , Kr, He, Ne) is filled from a gas introducing pipe 45. Usually, the pressure in the chamber is used in a range from atmospheric pressure to several atmospheric pressures. A pulse power is supplied from the power supply 43 to the discharge electrode 42, and a large-capacity discharge is excited between the electrodes to oscillate the laser. This discharge generates F atoms, and the simultaneously generated Kr in the excited state
And a short-lived dimer KrF is formed. When this dimer breaks down, it emits light at a wavelength of 248 nm,
If the density of the dimer exceeds a certain threshold, coherent light having the same phase can be obtained. This is the principle of an excimer laser.
【００３６】このエキシマレーザを運用するにあたって
は、電極や壁がＦ原子との反応でエロージョンされて起
こるガスの純度低下やパーティクルの発生により、エキ
シマダイマーの生成効率が低下し、レーザ出力が著しく
低下するという問題がある。従来、チャンバ材料として
はステンレス鋼やＡｌが使用されてきたが、Ｆ原子の失
活や反応性生成物の生成により、低発振効率、短いガス
寿命、短いチャンバ寿命が問題となってきていた。例え
ば、上述のＫｒＦエキシマレーザをＬＳＩのリソグラフ
ィー工程で使用した場合、数日間の使用でガス交換を
し、半年に一度はチャンバ自体の交換を行わないと性能
を維持できない状況であった。In operation of the excimer laser, the efficiency of excimer dimer generation is reduced due to a reduction in gas purity and generation of particles caused by erosion of the electrodes and walls due to the reaction with F atoms, resulting in a significant decrease in laser output. There is a problem of doing. Conventionally, stainless steel or Al has been used as a chamber material. However, due to deactivation of F atoms and generation of reactive products, low oscillation efficiency, short gas life, and short chamber life have become problems. For example, when the above-described KrF excimer laser is used in an LSI lithography process, the gas cannot be exchanged for several days, and the performance cannot be maintained unless the chamber itself is exchanged once every six months.
【００３７】そこで、本実施形態では、チャンバ４１お
よび排気管４６の内壁に５００μｍ厚のＣａＦ2 膜４７
をプラズマ溶射で形成した。その結果、ガス交換の頻度
が従来１週間毎であったものが、１８日まで連続して使
用することが可能となった。使用時間が長くなったの
は、今までチャンバ内壁から放出されていた不純物ガス
やパーティクルが低減されたためと考えられる。しか
し、これ以上のガスの寿命長期化を進めるためには、Ｃ
ａＦ2 の被膜形成の難しいガス循環用のファン４４およ
びファンの駆動系やバルブ内部などからの放出ガスに対
する検討が必要と考えられ、これらについてもＣａＦ2
の被膜処理を施すことが好ましい。プラズマ溶射技術を
使用することで、これらの複雑な形状の部材にも被膜形
成が可能である。これらの部品まで処理を施すことによ
り、ガス寿命がさらに向上すると考えられる。Therefore, in this embodiment, a 500 μm thick CaF 2 film 47 is formed on the inner walls of the chamber 41 and the exhaust pipe 46.
Was formed by plasma spraying. As a result, the frequency of gas exchange, which was conventionally once a week, can be used continuously up to 18 days. The prolonged use time is considered to be due to a reduction in impurity gas and particles that have been released from the inner wall of the chamber. However, in order to further extend the gas life,
Study on release gas from a driving system or valve interior fan 44 and fan for hard gas circulation of the film formation of aF 2 is considered necessary, CaF 2 also these
It is preferable to carry out a coating treatment. By using the plasma spraying technique, it is possible to form a coating on these complicated-shaped members. It is considered that the gas life is further improved by treating these parts.
【００３８】なお、チャンバ寿命については未評価であ
るが、上記の結果より、２〜３倍に寿命が延びることが
期待できる。以上のことから、エキシマレーザリソグラ
フィー実用化の最大課題であるコストの問題が解決し、
当技術を量産へと展開することが可能となった。Although the life of the chamber has not been evaluated, it can be expected that the life is extended two to three times from the above results. From the above, the problem of cost, which is the biggest issue of practical use of excimer laser lithography, was solved,
This technology can be expanded to mass production.
【００３９】次に、本発明の第４の実施形態について、
図４を参照して説明する。本実施形態は、第１、第２の
実施形態と同様、本発明をエッチング装置に適用した例
であるが、本実施形態ではフッ素系のガスを用いたプラ
ズマではなく塩素を用いたプラズマを例にとり、さらに
プラズマ励起方法として誘導結合（ＩＣＰ）型の装置を
例にあげている。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to FIG. This embodiment is an example in which the present invention is applied to an etching apparatus as in the first and second embodiments. In this embodiment, a plasma using chlorine is used instead of a plasma using a fluorine-based gas. In addition, an inductive coupling (ICP) type apparatus is taken as an example of a plasma excitation method.
【００４０】５１は被処理基板となるシリコンウエハ５
２が配置されるエッチングチャンバ、５３はウエハ５２
を載置するサセプタ、５４はガスを導入するガス供給
管、５５はガスを排気する排気管である。ＩＣＰ方式に
よりプラズマを生成するチャンバ５１の外壁材料は石英
であり、コイル状のアンテナ５６に１３．５６ＭＨｚの
ＲＦ電力が電源５７から供給される。サセプタ５３に
は、基板バイアス用のＲＦ電力（２ＭＨｚ）が電源５８
から供給される。ガスにはＣｌ2 とＯ2 の混合ガスを用
い、流量をそれぞれ５０、１０ｓｃｃｍとした。圧力は
２ｍＴｏｒｒに制御した。被エッチング膜はＳｉウエハ
上に成膜したＷＳｉx （タングステンシリサイド）とｐ
ｏｌｙ−Ｓｉの積層膜であり、ＬＳＩにおいてはトラン
ジスタのゲート電極材料として使用される。Reference numeral 51 denotes a silicon wafer 5 serving as a substrate to be processed.
2 is disposed in an etching chamber, 53 is a wafer 52
Is a gas supply pipe for introducing gas, and 55 is an exhaust pipe for exhausting gas. The outer wall material of the chamber 51 that generates plasma by the ICP method is quartz, and 13.56 MHz RF power is supplied from a power supply 57 to the coiled antenna 56. The susceptor 53 is supplied with RF power (2 MHz) for substrate bias by a power source 58.
Supplied from A mixed gas of Cl 2 and O 2 was used as the gas, and the flow rates were 50 and 10 sccm, respectively. The pressure was controlled at 2 mTorr. P and WSi film to be etched were formed on a Si wafer x (tungsten silicide)
This is a laminated film of poly-Si, and is used as a gate electrode material of a transistor in an LSI.
【００４１】本実施形態においても、ＣａＦ2 膜５９を
チャンバ５１の内壁、さらに排気管５５の内壁に形成し
た。これにより、塩素に起因するチャンバ内壁の腐食を
激減することができた。また、アンテナ５６付近の石英
管（チャンバ壁）の内側でのエロージョンが減少した。
アンテナ付近では電界によって他の部位より高いエネル
ギのイオンが発生するため、従来は石英などの誘電体表
面がスパッタでエロージョンされ、コスト増、パーティ
クルの発生、経時変化の発生原因となっていた。本実施
形態のようにＣａＦ2 被膜を施すことで、エロージョン
の程度が緩和され、このような問題が減少した。また、
石英管には繰り返してプラズマ溶射を行うことが可能と
なり、一層のコスト低減が可能となった。Also in this embodiment, the CaF 2 film 59 is formed on the inner wall of the chamber 51 and further on the inner wall of the exhaust pipe 55. As a result, the corrosion of the inner wall of the chamber due to chlorine was drastically reduced. Also, erosion inside the quartz tube (chamber wall) near the antenna 56 was reduced.
In the vicinity of the antenna, ions having a higher energy than other parts are generated by an electric field. Therefore, conventionally, a dielectric surface such as quartz is eroded by sputtering, which causes an increase in cost, generation of particles, and generation of aging. By applying the CaF 2 coating as in the present embodiment, the degree of erosion was reduced, and such a problem was reduced. Also,
The plasma spraying can be repeatedly performed on the quartz tube, and the cost can be further reduced.
【００４２】以上、本発明の各実施形態について説明し
たが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものでは
ない。上記実施形態以外に、ＣＶＤ装置、アッシング装
置或いはイオン注入装置のイオン生成室等にも本発明は
適用可能である。また、反応性ガスには、ハロゲン元素
を含むガスの他、酸素等を含む活性なガスを用いてもよ
い（例えば、アッシングに酸素或いは酸素にフッ素系ガ
スを添加したガスを使用する）。Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments. In addition to the above embodiment, the present invention is also applicable to an ion generation chamber of a CVD apparatus, an ashing apparatus, or an ion implantation apparatus. As the reactive gas, an active gas containing oxygen or the like may be used in addition to a gas containing a halogen element (for example, oxygen or a gas obtained by adding a fluorine-based gas to oxygen is used for ashing).
【００４３】また、チャンバ等の容器やガス排気用の配
管の内壁にＣａＦ2 膜等の化合物膜を形成する他、ガス
供給用の配管の内壁にも化合物膜を形成してもよく、さ
らに容器等の内部に設けられた部品の表面に化合物膜を
形成してもよい。また、容器や配管につらなる流量計、
圧力計、バルブ、ガスリザーバー、ポンプ、除害装置等
の反応性ガスに晒される箇所の表面に化合物膜を形成し
てもよい。In addition to forming a compound film such as a CaF 2 film on the inner wall of a container such as a chamber or a gas exhaust pipe, a compound film may be formed on the inner wall of a gas supply pipe. Alternatively, a compound film may be formed on the surface of a component provided inside. In addition, flow meters connected to containers and piping,
A compound film may be formed on the surface of a portion that is exposed to a reactive gas such as a pressure gauge, a valve, a gas reservoir, a pump, or an abatement device.
【００４４】また、上記実施形態ではプラズマ溶射技術
により化合物膜の形成を行ったが、ガス燃焼溶射、爆発
溶射等を用いてもよく、部品形状や母材によっては他の
適切な成膜方法を選択することも可能である。In the above embodiment, the compound film is formed by the plasma spraying technique. However, gas combustion spraying, explosive spraying, or the like may be used, and other appropriate film forming methods may be used depending on the component shape and the base material. It is also possible to select.
【００４５】また、前記実施形態では化合物膜としてＣ
ａＦ2 （フッ化カルシウム）膜を例に説明したが、Ｃａ
以外のフッ素との安定な化合物が形成される金属（Ａ
ｌ，Ｓｒ，Ｍｇ，Ｌｉ，Ｎｉ，Ｂｅ，Ｓｃ，Ｙ，Ｚｒ，
Ｔｉ）とフッ素との化合物膜を採用することも可能であ
る。In the above embodiment, the compound film is C
The aF 2 (calcium fluoride) film has been described as an example.
Other than a metal that forms a stable compound with fluorine (A
1, Sr, Mg, Li, Ni, Be, Sc, Y, Zr,
It is also possible to employ a compound film of Ti) and fluorine.
【００４６】さらに、本発明は半導体の分野に限らず、
反応性ガスによって腐食が生じるものであれば、他の分
野に対しても適用可能である。その他、本発明は、その
趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施す
ることが可能である。Further, the present invention is not limited to the field of semiconductors,
The present invention is applicable to other fields as long as the corrosion is caused by the reactive gas. In addition, the present invention can be variously modified and implemented without departing from the spirit thereof.
【００４７】[0047]
【発明の効果】本発明によれば、反応性ガスに晒される
箇所の表面に金属とフッ素との安定な化合物からなる膜
を形成することにより、反応性ガスによる腐食を抑制す
ることができ、パーティクルの発生を防止し、装置の維
持コストの低減やプロセス時間の短縮化をはかることが
可能となる。According to the present invention, by forming a film made of a stable compound of metal and fluorine on the surface of a portion exposed to a reactive gas, corrosion by the reactive gas can be suppressed, It is possible to prevent the generation of particles and to reduce the maintenance cost of the apparatus and the process time.
【図１】本発明の第１の実施形態の構成例について示し
た図。FIG. 1 is a diagram showing a configuration example according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施形態の構成例について示し
た図。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施形態の構成例について示し
た図。FIG. 3 is a diagram showing a configuration example according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第４の実施形態の構成例について示し
た図。FIG. 4 is a diagram showing a configuration example according to a fourth embodiment of the present invention.
１１、２１、４１、５１…チャンバ １２、２２、５２…ウエハ １３、２３、５３…サセプタ １４、２４、４５、５４…ガス供給管 １５…放電管 １６…マイクロ波電源 １７…導波管 １８、２５、４６、５５…排気管 １９、３１、４７、５９…ＣａＦ2 膜 ２６…電源 ２７…磁石 ２８…シールド板 ２９…ガス分散供給板 ３０…プラズマ ４２…放電電極 ４３…パルス電源 ４４…ファン ５６…アンテナ ５７、５８…電源11, 21, 41, 51 ... chamber 12, 22, 52 ... wafer 13, 23, 53 ... susceptor 14, 24, 45, 54 ... gas supply tube 15 ... discharge tube 16 ... microwave power supply 17 ... waveguide 18 25, 46, 55 ... exhaust pipes 19, 31, 47, 59 ... CaF 2 film 26 ... power supply 27 ... magnet 28 ... shield plate 29 ... gas dispersion supply plate 30 ... plasma 42 ... discharge electrode 43 ... pulse power supply 44 ... fan 56 ... Antenna 57, 58 ... Power supply
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/31 H01L 21/31 B
Claims (5)
の表面に、ポーリングの電気陰性度が１．０以上かつ
１．５以下の金属とフッ素との化合物膜が形成されてい
ることを特徴とするプロセス装置。A compound film of a metal and fluorine having a Pauling electronegativity of 1.0 or more and 1.5 or less is formed on a surface of a desired portion in a member exposed to a reactive gas. A process device.
の表面に、Ｃａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｍｇ，Ｌｉ，Ｎｉ，Ｂ
ｅ，Ｓｃ，Ｙ，Ｚｒ，Ｔｉの中から選択される金属とフ
ッ素との化合物膜が形成されていることを特徴とするプ
ロセス装置。2. The method according to claim 1, wherein the surface of a desired portion of the member exposed to the reactive gas is coated with Ca, Al, Sr, Mg, Li, Ni, B
A process apparatus, wherein a compound film of fluorine and a metal selected from among e, Sc, Y, Zr, and Ti is formed.
のであることを特徴とする請求項１または２に記載のプ
ロセス装置。3. The process apparatus according to claim 1, wherein said compound film is formed by thermal spraying.
であることを特徴とする請求項１または２に記載のプロ
セス装置。4. The process apparatus according to claim 1, wherein the reactive gas is a gas containing a halogen element.
ガスによりその内部で所定の処理が行われる容器である
ことを特徴とする請求項１または２に記載のプロセス装
置。5. The process apparatus according to claim 1, wherein the member exposed to the reactive gas is a container in which a predetermined process is performed by the reactive gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1966698A JPH11219937A (en) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Process device |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH11219937A true JPH11219937A (en) | 1999-08-10 |
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