JPH11214478A - 予備真空室およびそれを用いた真空処理装置 - Google Patents
予備真空室およびそれを用いた真空処理装置Info
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- JPH11214478A JPH11214478A JP10026316A JP2631698A JPH11214478A JP H11214478 A JPH11214478 A JP H11214478A JP 10026316 A JP10026316 A JP 10026316A JP 2631698 A JP2631698 A JP 2631698A JP H11214478 A JPH11214478 A JP H11214478A
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Abstract
よびそのような予備真空室を備えた処理装置を提供する
こと、および、大気状態と真空状態との切換を短時間で
行うことができる予備真空室およびそれを用いた真空処
理装置を提供すること。 【解決手段】 予備真空室12,13を構成する筐体30に
は、筐体30に対して半導体ウエハWを搬入または搬出す
る開口部10,14が設けられ、筐体30内にはウエハWを保持
するウエハ保持部33a',33bが設けられている。そして、
移動機構39a,39bによりウエハ保持部33a',33bを移動し
て、筐体30の突出部31a',31bとウエハ保持部33a',33bと
で区画された密閉空間32a',32bを形成する。密閉空間32
bにガスを導入することによりウエハWが冷却され、加熱
装置41により密閉空間32a'でウエハWが加熱される。
Description
エッチング装置等の真空処理装置においてバッフアやロ
ードロック室として用いられる予備真空室、およびそれ
を用いた真空処理装置に関する。
エッチング、成膜処理、アッシング、およびスパッタリ
ングなど種々の真空処理があり、これらに対応した種々
の真空処理装置が用いられている。
しては、半導体デバイスの高集積化、高スループット化
に対応するために、複数の真空処理室を共通の搬送室に
接続し、ロードロック機能を有する予備真空室を介して
搬送室に接続された搬入出室から被処理基板である半導
体ウエハの搬入出を行う、いわゆるクラスターツールタ
イプのものが用いられている。
室および真空処理室は所定の真空度に保持されており、
搬入出室から予備真空室を介して搬送室に搬入された半
導体ウエハが、搬送室に設けられた搬送アームにより所
定の真空処理室に搬入されて所定の処理が施され、処理
終了後、半導体ウエハは搬送アームにより予備真空室に
戻され、さらに搬入出室に戻される。
搬入出室と真空状態の搬送室との間にあって、搬送室と
の間で半導体ウエハの受け渡しを行う場合には真空状態
とされ、搬入出室との間で半導体ウエハの受け渡しを行
う場合には大気雰囲気にされる。
または加熱する設備を有しており、次工程のために予備
的に冷却または加熱したり、加熱により脱ガスを行うバ
ッファ機能を有している。
室は、大気状態と真空状態とを繰り返すため、この予備
真空室と他の室とを隔てるゲートが必要であり、コスト
が高いものとなる。また、予備真空室全体について大気
状態と真空状態とを繰り返すため、排気およびガス導入
に時間がかかり、処理全体のスループット向上の妨げと
なる。
を繰り返すことを回避するために、装置全体を真空雰囲
気にする方法も考えられるが、その場合にも半導体ウエ
ハの加熱や冷却のために密閉空間が必要であるため、や
はり予備真空室と他の室との間にゲートが必要となる。
であって、ゲートを削減することができる予備真空室お
よびそのような予備真空室を備えた処理装置を提供する
ことを目的とする。また、大気状態と真空状態との切換
を短時間で行うことができる予備真空室およびそれを用
いた真空処理装置を提供することを目的とする。
に、第1発明は、筐体と、筐体に対して被処理体を搬入
または搬出する開口部と、筐体内で被処理体を保持する
被処理体保持部と、前記被処理体保持部を移動して、前
記筐体の一部と前記被処理体保持部で区画された密閉空
間を形成する移動手段と、前記密閉空間にガスを導入す
るガス導入手段と、前記密閉空間を排気する排気手段と
を具備することを特徴とする予備真空室を提供する。
体を搬入または搬出する開口部と、筐体内で被処理体を
保持する被処理体保持部と、前記被処理体保持部を移動
して、前記筐体の一部と前記被処理体保持部で区画され
た密閉空間を形成する移動手段と、前記密閉空間内で被
処理体を加熱する加熱手段とを具備することを特徴とす
る予備真空室を提供する。
体を搬入または搬出する開口部と、筐体内で被処理体を
保持する第1および第2の被処理体保持部と、前記第1
の被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部と前記第
1の被処理体保持部で区画された第1の密閉空間を形成
する第1の移動手段と、前記第2の被処理体保持部を移
動して、前記筐体の他の部分と前記第2の被処理体保持
部で区画された第2の密閉空間を形成する第2の移動手
段と、前記第1の密閉空間にガスを導入するガス導入手
段と、前記第1の密閉空間を排気する排気手段と、前記
第2の密閉空間で被処理体を加熱する加熱手段とを具備
することを特徴とする予備真空室を提供する。
所定の処理を施す真空処理部と、被処理体を冷却する機
能を有する真空予備室と、前記真空処理部および前記予
備真空室が接続され、これら真空処理部および予備真空
室に対して被処理体の搬入出を行う真空雰囲気に保持さ
れる搬送室と、を具備する真空処理装置であって、前記
予備真空室は、筐体と、筐体に形成された前記搬送室に
連通する開口部と、筐体内で被処理体を保持する被処理
体保持部と、前記被処理体保持部を移動して、前記筐体
の一部と前記被処理体保持部で区画された密閉空間を形
成する移動手段と、前記密閉空間にガスを導入するガス
導入手段と、前記密閉空間を排気する排気手段とを有す
ることを特徴とする真空処理装置を提供する。
所定の処理を施す真空処理部と、被処理体を加熱する機
能を有する真空予備室と、前記真空処理部および前記予
備真空室が接続され、これら真空処理部および予備真空
室に対して被処理体の搬入出を行う真空雰囲気に保持さ
れる搬送室と、を具備する真空処理装置であって、前記
予備真空室は、筐体と、筐体に形成された前記搬送室に
連通する開口部と、筐体内で被処理体を保持する被処理
体保持部と、前記被処理体保持部を移動して、前記筐体
の一部と前記被処理体保持部で区画された密閉空間を形
成する移動手段と、前記密閉空間内で被処理体を加熱す
る加熱手段とを具備することを特徴とする真空処理装置
を提供する。
所定の処理を施す真空処理部と、被処理体を冷却および
加熱する機能を有する真空予備室と、前記真空処理部お
よび前記予備真空室が接続され、これら真空処理部およ
び予備真空室に対して被処理体の搬入出を行う真空雰囲
気に保持される搬送室と、を具備する真空処理装置であ
って、前記予備真空室は、筐体と、筐体に形成された前
記搬送室に連通する開口部と、筐体内で被処理体を保持
する第1および第2の被処理体保持部と、前記第1の被
処理体保持部を移動して、前記筐体の一部と前記第1の
被処理体保持部で区画された第1の密閉空間を形成する
第1の移動手段と、前記第2の被処理体保持部を移動し
て、前記筐体の他の部分と前記第2の被処理体保持部で
区画された第2の密閉空間を形成する第2の移動手段
と、前記第1の密閉空間にガスを導入するガス導入手段
と、前記第1の密閉空間を排気する排気手段と、前記第
2の密閉空間で被処理体を加熱する加熱手段とを具備す
ることを特徴とする真空処理装置を提供する。
所定の処理を施す複数の真空処理部と、被処理体を冷却
する機能を有する真空予備室と、前記複数の真空処理部
および前記予備真空室が接続され、これら真空処理部お
よび予備真空室に対して被処理体の搬入出を行う真空雰
囲気に保持される搬送室と、前記予備真空室を介して前
記搬送室に対する被処理体の搬入出を行う真空雰囲気に
保持される搬入出室とを具備する真空処理装置であっ
て、前記予備真空室は、筐体と、筐体に形成された前記
搬送室および前記搬入出室にそれぞれ連通する2つの開
口部と、筐体内で被処理体を保持する被処理体保持部
と、前記被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部と
前記被処理体保持部で区画された密閉空間を形成する移
動手段と、前記密閉空間にガスを導入するガス導入手段
と、前記密閉空間を排気する排気手段とを有することを
特徴とする真空処理装置を提供する。
所定の処理を施す複数の真空処理部と、被処理体を加熱
する機能を有する真空予備室と、前記複数の真空処理部
および前記予備真空室が接続され、これら真空処理部お
よび予備真空室に対して被処理体の搬入出を行う真空雰
囲気に保持される搬送室と、前記予備真空室を介して前
記搬送室に対する被処理体の搬入出を行う真空雰囲気に
保持される搬入出室とを具備する真空処理装置であっ
て、前記予備真空室は、筐体と、筐体に形成された前記
搬送室および前記搬入出室にそれぞれ連通する2つの開
口部と、筐体内で被処理体を保持する被処理体保持部
と、前記被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部と
前記被処理体保持部で区画された密閉空間を形成する移
動手段と、前記密閉空間内で被処理体を加熱する加熱手
段とを具備することを特徴とする真空処理装置を提供す
る。
所定の処理を施す複数の真空処理部と、被処理体を冷却
および加熱する機能を有する真空予備室と、前記複数の
真空処理部および前記予備真空室が接続され、これら真
空処理部および予備真空室に対して被処理体の搬入出を
行う真空雰囲気に保持される搬送室と、前記予備真空室
を介して前記搬送室に対する被処理体の搬入出を行う真
空雰囲気に保持される搬入出室とを具備する真空処理装
置であって、前記予備真空室は、筐体と、筐体に形成さ
れた前記搬送室および前記搬入出室にそれぞれ連通する
2つの開口部と、筐体内で被処理体を保持する第1およ
び第2の被処理体保持部材と、前記第1の被処理体保持
部を移動して、前記筐体の一部と前記第1の被処理体保
持部で区画された第1の密閉空間を形成する第1の移動
手段と、前記第2の被処理体保持部を移動して、前記筐
体の他の部分と前記第2の被処理体保持部で区画された
第2の密閉空間を形成する第2の移動手段と、前記第1
の密閉空間にガスを導入するガス導入手段と、前記第1
の密閉空間を排気する排気手段と、前記第2の密閉空間
で被処理体を加熱する加熱手段とを具備することを特徴
とする真空処理装置を提供する。
で所定の処理を施す複数の真空処理部と、ロードロック
機能を有する予備真空室と、前記複数の真空処理部およ
び前記予備真空室が接続され、これら真空処理部および
予備真空室に対して被処理体の搬入出を行う真空雰囲気
に保持される搬送室と、前記予備真空室を介して前記搬
送室に対する被処理体の搬入出を行う大気雰囲気に保持
される搬入出室とを具備する真空処理装置であって、前
記予備真空室は、筐体と、筐体に形成された前記真空部
および前記搬入出室のいずれか一方に連通する開口部
と、筐体内で被処理体を保持する被処理体保持部と、前
記被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部と前記被
処理体保持部で区画された密閉空間を形成する移動手段
と、前記筐体の密閉空間形成部分に設けられ、前記密閉
空間と前記開口部が連通しない他方の室との間を開閉す
るゲートバルブと、前記密閉空間にガスを導入するガス
導入手段と、前記密閉空間を排気する排気手段とを有す
ることを特徴とする真空処理装置を提供する。
処理体を保持する被処理体保持部を移動させることによ
り筐体の一部と被処理体保持部材とで区画される密閉空
間を形成し、その中にガスを供給して被処理体を冷却
し、または加熱手段により被処理体を加熱し、またはそ
の両方を行うので、真空予備室と他の室とを開閉するた
めのゲートバルブが不要となる。したがって、第4発明
ないし第6発明のように、真空に保持される搬送室に真
空処理部および予備真空室が設けられた真空処理装置、
および第7発明ないし第9発明のように、さらに予備真
空室に真空に保持された搬入出室が連通する真空処理装
置に有効である。
段およびガス導入手段を設ければ、第10発明のように
密閉空間を開閉する一つのゲートバルブを設けるのみで
真空雰囲気に保持された搬送室と大気雰囲気に保持され
た搬入出室との間でロードロック機能を果たすことがで
き、従来よりもゲートバルブ数を削減することができ
る。また、予備真空室よりも狭い密閉空間に対して排気
およびガス導入を行えばよいので真空状態と大気状態と
の間の切換を短時間で行うことができる。
明の実施の形態について説明する。図1は本発明の一実
施形態に係る処理装置を示す概略図である。この処理装
置は、いわゆるクラスタツール型の真空処理装置を構成
している。
処理体としての半導体ウエハに対して成膜処理、例えば
チタンやタングステンのようなメタルの成膜処理を行う
ための3つの真空処理室1,2,3を有している。これ
ら真空処理室1,2,3には、それぞれ排気装置が接続
されており、これら排気装置により所定の真空度に保持
されるようになっている。これらの真空処理室1,2,
3は、同図に示すように、略矩形状に形成され真空に保
持される搬送室4の3つの側面にゲートバルブ5,6,
7を介して接続され、これらのゲートバルブ5,6,7
を開放することにより搬送室4と連通され、これらを閉
じることにより搬送室4から遮断される。この搬送室4
にも排気装置が接続され、真空処理室1,2,3と同程
度の真空度に保持可能に構成されている。
との間、および後述する予備真空室との間で、被処理基
板である半導体ウエハWを搬送するウエハ搬送装置8を
備えている。この搬送装置8は、搬送室4の略中央に配
設され、多関節アーム構造を有しており、その先端のハ
ンド9上に半導体ウエハWを載せてその搬送を行う。
備真空室12,13が並設されており、搬送室4との間
には、それぞれ開口部10,11が設けられている。こ
れら予備真空室12,13は、後述するように半導体ウ
エハWを予備的に冷却する機能または加熱する機能、ま
たはこれら両方の機能を有している。
10,11に対向する部分には、それぞれ開口部14,
15が設けられており、予備真空室12,13はこれら
を介してウエハ搬入出室16に接続されている。すなわ
ち、搬送室4とウエハ搬入出室16とは予備真空室1
2,13の後述するニュートラル部40を介して連通さ
れている。なお、ウエハ搬入出室16も図示しない排気
手段により真空雰囲気に保持することが可能となってい
る。
ゲートバルブ18,19を介して半導体ウエハのカセッ
ト17を収納するカセット室20,21が連通可能に接
続されている。これらのカセット室20,21は、ゲー
トバルブ18,19を開放することによりウエハ搬入出
室16に連通され、これらを閉じることによりウエハ搬
入出室16から遮断される。また、カセット室20,2
1にはそれぞれカセット17を出し入れするためのゲー
トバルブ26,27が設けられている。これらカセット
室20,21はロードロック室として機能し、カセット
の出し入れの際には大気雰囲気にされ、処理に際しては
真空雰囲気に保持される。
ト室20,21間の中央にウエハ搬送装置23が配設さ
れている。この第2搬送装置23は多関節アーム構造を
有しており、その先端のハンド24上に半導体ウエハW
を載せて予備真空室12,13とカセット室20,21
間で半導体ウエハWが搬送される。
の間には半導体ウエハWのオリエンテーションフラット
を基準にして光学的に半導体ウエハWの位置決めをする
位置決め機構25が設けられている。そして、この位置
決め機構25により半導体ウエハWが一旦位置決めされ
た後、搬送装置23により半導体ウエハWが予備真空室
12または13へ搬送される。
2ないし図4を参照して説明する。図2は予備真空室1
2,13のA−A’線による断面図、図3は予備真空室
12のB−B’線による断面図である。図2に示すよう
に、予備真空室12および13はいずれも同じ構造を有
しているので、以下、予備真空室12についてのみ説明
する。
突出部31a,31bを有しており、その間にニュート
ラル部40を有している。予備真空室12の中には、2
つのウエハ保持部33a,33bが設けられており、こ
れらはそれぞれ駆動機構39a,39bにより上下動が
可能となっている。そして、ウエハ保持部33aを上昇
させると、ウエハ保持部33aが筐体30の壁部に当接
してシールリングにより密着され、突出部31aとウエ
ハ保持部材33aにより密閉空間32aが形成されるよ
うになっている。また、ウエハ保持部33bを下降させ
ると、ウエハ保持部33bが筐体30の壁部に当接して
シールリングにより密着され、突出部31bとウエハ保
持部33bにより密閉空間32bが形成されるようにな
っている。
る部屋を構成しており、その開口部10,14側には、
半導体ウエハWを出し入れするための窓34aが設けら
れている。また、その底部には、複数のウエハ支持ピン
36aを有するウエハ支持プレート35aが気密に取り
付けられている。一方、ウエハ保持部材33bもウエハ
を収容する部屋を構成しており、その開口部10,14
側には、半導体ウエハWを出し入れするための窓34b
が設けられている。また、その底部には、複数のウエハ
支持ピン36bを有するウエハ支持プレート35bが取
り付けられている。
イン37aおよびN2ガス供給ライン38aが接続され
ており、密閉空間32bに対応する部分には排気ライン
37bおよびN2ガス供給ライン38bが接続されてい
る。したがって、ウエハ保持部33aまたは33bで半
導体ウエハWを保持した状態で密閉空間32aまたは3
2bを形成し、その中にN2ガス供給ライン38aまた
は38bを介してN2ガスを導入することにより、半導
体ウエハWを冷却することができる。冷却終了後は、ウ
エハ保持部33aまたは33bは、図4に示すように駆
動機構39aまたは39bによりニュートラル部40に
移動され、その中の半導体ウエハWが開口部10または
14を介して隣接する搬送室4またはウエハ搬入出室1
6へ搬送され、そのウエハ保持部は次の半導体ウエハW
の搬入待ち状態となる。なお、図4は、ウエハ保持部3
3aをニュートラル部40に移動させた状態を示してい
る。
5に示す。この図では、筐体30の上側の部分に、上部
に透明な石英板43がはめ込まれた突出部31a’を有
し、その上に複数の加熱ランプ42を有する加熱装置4
1が設けられている。上側のウエハ保持部33a’は、
ランプ42の熱が半導体ウエハWに供給されるように、
上板が開口している以外は、上述のウエハ保持部33a
と同様に構成されている。なお、予備真空室12の下側
の構成は図2,3と全く同一である。
出部31a’とウエハ保持部材33a’により密閉空間
32a’が形成され、そこに半導体ウエハWを保持した
状態でランプ加熱することにより、半導体ウエハWの予
備加熱または脱ガスを行うことができる。なお、下側の
密閉空間32bでは半導体ウエハWの冷却を行うように
なっているが、その部分でも半導体ウエハの加熱を行う
ように構成することも可能である。
の真空処理装置においては、まず、カセット室20,2
1にカセット17を搬入し、ゲートバルブ26,27を
閉じ、次いで、カセット室20,21を真空雰囲気にす
る。そして、ゲートバルブ18,19を開いて処理を開
始する。真空処理室1,2,3、搬送室4、予備真空室
12,13、ウエハ搬入出室16は予め真空雰囲気に保
持されている。なお、1バッチのウエハの処理が終了す
るまでの間は、ゲートバルブ18,19は開放されてい
る。
1のカセットから搬送装置23によりウエハ搬入出室1
6に半導体ウエハWを搬入する。そして、位置決め機構
25で位置決めされた後、予備真空室12,13のいず
れかに開口部14または15を介して半導体ウエハWを
搬入する。そして、その中で上述したように密閉空間を
形成して半導体ウエハWの予備冷却または予備加熱、ま
たは脱ガスを行う。そして、このような予備的な処理が
終了すると、半導体ウエハWは搬送室4の搬送装置8に
より開口部10または11を介して搬送室4に搬送さ
れ、さらに真空処理室1,2,3のいずれかに搬入され
て、所定の処理、例えばTi、Al、W等のメタル成膜
処理が行われる。その処理が終了後、必要に応じて他の
真空処理室においても処理が行われる。
は搬送装置8により、開口部10または11を介して、
予備真空室12または13に搬送される。そして、いず
れかの予備真空室において密閉空間を形成し、冷却処理
が行われる。そして、処理終了後、半導体ウエハWは搬
送装置23により開口部14また15を介してウエハ搬
入出室16に搬送され、さらにカセット室20,21の
いずれかのカセット17に収容される。
ては、ウエハ保持部材33a,33b,33a’を移動
させることにより、ウエハ保持部材33a,33b,3
3a’と筐体30の突出部31a,31b,31a’と
で密閉空間を形成して、そこで半導体ウエハWの冷却ま
たは加熱を行うので、これら予備処理室12,13と搬
送室4との間、およびウエハ搬入出室16との間にゲー
トバルブが不要となる。したがって、装置のコストダウ
ンを図ることができる。また、半導体ウエハWを冷却す
る場合にはガスの導入および排気を行う必要があるが、
本実施形態では予備真空室全体の容積より極狭い密閉空
間に対してガス導入および排気を行えばよいのでガス導
入および排気を極めて短時間で行うことができる。
する。上記実施形態では、装置全体を真空雰囲気にして
処理を行う処理装置に本発明を適用した例を示したが、
ここでは図1の装置のウエハ搬入出室16を大気雰囲気
とし、予備真空室12,13をロードロック室として使
用する例について示す。なお、以下、予備真空室12に
ついて説明するが予備真空室13も同様の構成である。
突出部51を有しており、その下にベース部60を有し
ている。予備真空室12の中には、ウエハ保持部53が
設けられており、これらは図示しない駆動機構により上
下動が可能となっている。そして、ウエハ保持部53を
上昇させると、ウエハ保持部53が筐体50の壁部に当
接してシールリングにより密着され、突出部51とウエ
ハ保持部材53により密閉空間52が形成されるように
なっている。
部屋を構成しており、半導体ウエハWを出し入れするた
めの窓が設けられている。また、その底部には、複数の
ウエハ支持ピン56を有するウエハ支持プレート55が
気密に取り付けられている。
ン57およびN2ガス供給ライン58が接続されいる。
したがって、ウエハ保持部53で半導体ウエハWを保持
した状態で密閉空間52を形成し、その中を排気ライン
57により排気することにより真空状態とすることがで
き、N2ガス供給ライン58により大気状態とすること
ができる。一方、突出部51とウエハ搬入出室16との
間にはゲートバルブ14’が設けられている。なお、予
備真空室12の搬送室4側には、上記実施形態と同様、
開口部10が設けられている。
は、図6のように、密閉空間52が形成された状態で、
密閉空間52にN2ガスを導入して大気雰囲気とし、次
いでゲートバルブ14’を開いて大気状態のウエハ搬入
出室16から半導体ウエハWを搬入する。その後ゲート
バルブ14’を閉じ、排気ライン57を介して密閉空間
52を排気して真空状態とする。そして、ウエハ保持部
53を、図6に示すように駆動機構によりベース部60
に移動する。そして、その中の半導体ウエハWは開口部
10を介して隣接する搬送室4へ搬送される。
ートバルブでロードロック機能を果たすことができ、ゲ
ートバルブが2個必要であった従来のロードロックより
もゲートバルブ数を削減することができる。また、予備
真空室全体の容積より極狭い密閉空間に対して排気およ
びガス導入を行えばよいので、真空状態と大気状態との
切換を短時間で行うことができ、スループットを向上さ
せることができる。
空側に設けてもよい。この場合には、密閉空間52をま
ず真空状態にしてからゲートバルブを開いて真空側とウ
エハの受け渡しを行い、大気側とは開口部を介して受け
渡しを行うようにすればよい。
ることなく種々変形可能である。例えば、上記実施の形
態では予備真空室の両側に開口部を有するタイプの例に
ついて説明したが、一つの開口部を有する予備真空室を
真空処理室と並列に搬送室に取り付ける場合であっても
よい。また、成膜に限らず、エッチング等、他の処理を
行う装置であってもよい。さらに、被処理体として半導
体ウエハを適用した場合について示したが、LCD基板
等他の被処理体であってもよいことはいうまでもない。
予備真空室において、被処理体を保持する被処理体保持
部を移動させることにより筐体の一部と被処理体保持部
材とで区画される密閉空間を形成し、その中にガスを供
給して被処理体を冷却し、または加熱手段により被処理
体を加熱し、またはその両方を行うので、真空予備室と
他の室とを開閉するための高価なゲートバルブが不要と
なり、装置のコストダウンを図ることができる。このよ
うな効果は、第4発明ないし第7発明のように、真空に
保持される搬送室に真空処理部および予備真空室が設け
られた真空処理装置、および第7発明ないし第9発明の
ように、さらに予備真空室に真空に保持された搬入出室
が連通する真空処理装置において有効に発揮することが
できる。
入手段を設ければ、密閉空間を開閉する一つのゲートバ
ルブを設けるのみで真空雰囲気に保持された搬送室と大
気雰囲気に保持された搬入出室との間でロードロック機
能を果たすことができ、従来のロードロック室よりもゲ
ートバルブ数を削減することができる。また、予備真空
室よりも狭い密閉空間に対して排気およびガス導入を行
えばよいので真空状態と大気状態との間の切換を短時間
で行うことができる。
イプの真空処理装置を示す概略図。
A’線による断面図。
B’線による断面図。
を説明するための断面図。
断面図。
面図。
図。
トバルブ 12,13……予備真空室 16……ウエハ搬入出室 30……筐体 31a,31b,31a’,51……突出部 32a,32b,32a’,52……密閉空間 33a,33b,33a’,53……ウエハ保持部 37a,37b,57……排気ライン 38a,38b,58……N2ガス供給ライン 39a,39b……移動機構 41……加熱機構 W……半導体ウエハ
Claims (10)
- 【請求項1】 筐体と、 筐体に対して被処理体を搬入または搬出する開口部と、 筐体内で被処理体を保持する被処理体保持部と、 前記被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部と前記
被処理体保持部で区画された密閉空間を形成する移動手
段と、 前記密閉空間にガスを導入するガス導入手段と、 前記密閉空間を排気する排気手段とを具備することを特
徴とする予備真空室。 - 【請求項2】 筐体と、 筐体に対して被処理体を搬入または搬出する開口部と、 筐体内で被処理体を保持する被処理体保持部と、 前記被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部と前記
被処理体保持部で区画された密閉空間を形成する移動手
段と、 前記密閉空間内で被処理体を加熱する加熱手段とを具備
することを特徴とする予備真空室。 - 【請求項3】 筐体と、 筐体に対して被処理体を搬入または搬出する開口部と、 筐体内で被処理体を保持する第1および第2の被処理体
保持部と、 前記第1の被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部
と前記第1の被処理体保持部で区画された第1の密閉空
間を形成する第1の移動手段と、 前記第2の被処理体保持部を移動して、前記筐体の他の
部分と前記第2の被処理体保持部で区画された第2の密
閉空間を形成する第2の移動手段と、 前記第1の密閉空間にガスを導入するガス導入手段と、 前記第1の密閉空間を排気する排気手段と、 前記第2の密閉空間で被処理体を加熱する加熱手段とを
具備することを特徴とする予備真空室。 - 【請求項4】 被処理体に対して真空状態で所定の処理
を施す真空処理部と、 被処理体を冷却する機能を有する真空予備室と、 前記真空処理部および前記予備真空室が接続され、これ
ら真空処理部および予備真空室に対して被処理体の搬入
出を行う真空雰囲気に保持される搬送室と、を具備する
真空処理装置であって、 前記予備真空室は、筐体と、 筐体に形成された前記搬送室に連通する開口部と、 筐体内で被処理体を保持する被処理体保持部と、 前記被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部と前記
被処理体保持部で区画された密閉空間を形成する移動手
段と、 前記密閉空間にガスを導入するガス導入手段と、 前記密閉空間を排気する排気手段とを有することを特徴
とする真空処理装置。 - 【請求項5】 被処理体に対して真空状態で所定の処理
を施す真空処理部と、 被処理体を加熱する機能を有する真空予備室と、 前記真空処理部および前記予備真空室が接続され、これ
ら真空処理部および予備真空室に対して被処理体の搬入
出を行う真空雰囲気に保持される搬送室と、を具備する
真空処理装置であって、 前記予備真空室は、筐体と、 筐体に形成された前記搬送室に連通する開口部と、 筐体内で被処理体を保持する被処理体保持部と、 前記被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部と前記
被処理体保持部で区画された密閉空間を形成する移動手
段と、 前記密閉空間内で被処理体を加熱する加熱手段とを具備
することを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項6】 被処理体に対して真空状態で所定の処理
を施す真空処理部と、 被処理体を冷却および加熱する機能を有する真空予備室
と、 前記真空処理部および前記予備真空室が接続され、これ
ら真空処理部および予備真空室に対して被処理体の搬入
出を行う真空雰囲気に保持される搬送室と、を具備する
真空処理装置であって、 前記予備真空室は、筐体と、 筐体に形成された前記搬送室に連通する開口部と、 筐体内で被処理体を保持する第1および第2の被処理体
保持部と、 前記第1の被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部
と前記第1の被処理体保持部で区画された第1の密閉空
間を形成する第1の移動手段と、 前記第2の被処理体保持部を移動して、前記筐体の他の
部分と前記第2の被処理体保持部で区画された第2の密
閉空間を形成する第2の移動手段と、 前記第1の密閉空間にガスを導入するガス導入手段と、 前記第1の密閉空間を排気する排気手段と、 前記第2の密閉空間で被処理体を加熱する加熱手段とを
具備することを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項7】 被処理体に対して真空状態で所定の処理
を施す複数の真空処理部と、 被処理体を冷却する機能を有する真空予備室と、 前記複数の真空処理部および前記予備真空室が接続さ
れ、これら真空処理部および予備真空室に対して被処理
体の搬入出を行う真空雰囲気に保持される搬送室と、 前記予備真空室を介して前記搬送室に対する被処理体の
搬入出を行う真空雰囲気に保持される搬入出室とを具備
する真空処理装置であって、 前記予備真空室は、筐体と、 筐体に形成された前記搬送室および前記搬入出室にそれ
ぞれ連通する2つの開口部と、 筐体内で被処理体を保持する被処理体保持部と、 前記被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部と前記
被処理体保持部で区画された密閉空間を形成する移動手
段と、 前記密閉空間にガスを導入するガス導入手段と、 前記密閉空間を排気する排気手段とを有することを特徴
とする真空処理装置。 - 【請求項8】 被処理体に対して真空状態で所定の処理
を施す複数の真空処理部と、 被処理体を加熱する機能を有する真空予備室と、 前記複数の真空処理部および前記予備真空室が接続さ
れ、これら真空処理部および予備真空室に対して被処理
体の搬入出を行う真空雰囲気に保持される搬送室と、 前記予備真空室を介して前記搬送室に対する被処理体の
搬入出を行う真空雰囲気に保持される搬入出室とを具備
する真空処理装置であって、 前記予備真空室は、筐体と、 筐体に形成された前記搬送室および前記搬入出室にそれ
ぞれ連通する2つの開口部と、 筐体内で被処理体を保持する被処理体保持部と、 前記支持部材を含む被処理体保持部を移動して、前記筐
体の一部と前記被処理体保持部で区画された密閉空間を
形成する移動手段と、 前記密閉空間内で被処理体を加熱する加熱手段とを具備
することを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項9】 被処理体に対して真空状態で所定の処理
を施す複数の真空処理部と、 被処理体を冷却および加熱する機能を有する真空予備室
と、 前記複数の真空処理部および前記予備真空室が接続さ
れ、これら真空処理部および予備真空室に対して被処理
体の搬入出を行う真空雰囲気に保持される搬送室と、 前記予備真空室を介して前記搬送室に対する被処理体の
搬入出を行う真空雰囲気に保持される搬入出室とを具備
する真空処理装置であって、 前記予備真空室は、筐体と、 筐体に形成された前記搬送室および前記搬入出室にそれ
ぞれ連通する2つの開口部と、 筐体内で被処理体を保持する第1および第2の被処理体
保持部材と、 前記第1の被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部
と前記第1の被処理体保持部で区画された第1の密閉空
間を形成する第1の移動手段と、 前記第2の被処理体保持部を移動して、前記筐体の他の
部分と前記第2の被処理体保持部で区画された第2の密
閉空間を形成する第2の移動手段と、 前記第1の密閉空間にガスを導入するガス導入手段と、 前記第1の密閉空間を排気する排気手段と、 前記第2の密閉空間で被処理体を加熱する加熱手段とを
具備することを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項10】 被処理体に対して真空状態で所定の処
理を施す複数の真空処理部と、 ロードロック機能を有する予備真空室と、 前記複数の真空処理部および前記予備真空室が接続さ
れ、これら真空処理部および予備真空室に対して被処理
体の搬入出を行う真空雰囲気に保持される搬送室と、 前記予備真空室を介して前記搬送室に対する被処理体の
搬入出を行う大気雰囲気に保持される搬入出室とを具備
する真空処理装置であって、 前記予備真空室は、 筐体と、 筐体に形成された前記真空部および前記搬入出室のいず
れか一方に連通する開口部と、 筐体内で被処理体を保持する被処理体保持部と、 前記支持部材を含む被処理体保持部を移動して、前記筐
体の一部と前記被処理体保持部で区画された密閉空間を
形成する移動手段と、 前記筐体の密閉空間形成部分に設けられ、前記密閉空間
と前記開口部が連通しない他方の室との間を開閉するゲ
ートバルブと、 前記密閉空間にガスを導入するガス導入手段と、 前記密閉空間を排気する排気手段とを有することを特徴
とする真空処理装置。
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