JPH11214444A - 半導体装置及び回路基板 - Google Patents
半導体装置及び回路基板Info
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- JPH11214444A JPH11214444A JP1177798A JP1177798A JPH11214444A JP H11214444 A JPH11214444 A JP H11214444A JP 1177798 A JP1177798 A JP 1177798A JP 1177798 A JP1177798 A JP 1177798A JP H11214444 A JPH11214444 A JP H11214444A
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】作業性及び接続の信頼性を向上し得る半導体装
置及び回路基板を実現し難かつた。 【解決手段】半導体装置において、半導体チツプの他面
に、当該他面よりも大きい外寸を有する這上り防止手段
をその周辺部が当該半導体チツプの他面の各端部からそ
れぞれ突出するように固着するようにした。また回路基
板において、一面側に複数の突起電極が形成された半導
体チツプの他面側に、当該半導体チツプの他面よりも大
きい外寸を有する這上り防止手段を当該這上り防止手段
の周辺部が当該半導体チツプの他面の各端部からそれぞ
れ突出するように固着された半導体装置と、プリント配
線板とを設け、半導体装置をプリント配線板上に封止樹
脂を介してフリツプチツプ実装するようにした。
置及び回路基板を実現し難かつた。 【解決手段】半導体装置において、半導体チツプの他面
に、当該他面よりも大きい外寸を有する這上り防止手段
をその周辺部が当該半導体チツプの他面の各端部からそ
れぞれ突出するように固着するようにした。また回路基
板において、一面側に複数の突起電極が形成された半導
体チツプの他面側に、当該半導体チツプの他面よりも大
きい外寸を有する這上り防止手段を当該這上り防止手段
の周辺部が当該半導体チツプの他面の各端部からそれぞ
れ突出するように固着された半導体装置と、プリント配
線板とを設け、半導体装置をプリント配線板上に封止樹
脂を介してフリツプチツプ実装するようにした。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。
【０００２】発明の属する技術分野 従来の技術（図３） 発明が解決しようとする課題（図３） 課題を解決するための手段 発明の実施の形態 （１）本実施の形態による半導体装置の構成（図１） （２）本実施の形態の動作及び効果（図２） （３）他の実施の形態（図１及び図２） 発明の効果
【０００３】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及び回路
基板に関し、例えばフリツプチツプ実装に適用して好適
なものである。
基板に関し、例えばフリツプチツプ実装に適用して好適
なものである。
【０００４】
【従来の技術】近年、エレクトロニクス機器は軽薄短小
傾向を強め、高機能集積化及び信号処理の高速化が進ん
できており、これに伴い半導体チツプの電極間ピツチも
100〔μm 〕以下が要求されるようになつてきている。
傾向を強め、高機能集積化及び信号処理の高速化が進ん
できており、これに伴い半導体チツプの電極間ピツチも
100〔μm 〕以下が要求されるようになつてきている。
【０００５】この場合このような電極間ピツチの狭い半
導体チツプをはんだを用いてプリント配線板上に実装す
ることは技術的に極めて困難であり、また耐環境性が全
世界的に重要視されてきていることから、近年では半導
体チツプをはんだを用いることなくプリント配線板の実
装面にフリツプチツプ実装する方法が盛んに検討されて
きている。
導体チツプをはんだを用いてプリント配線板上に実装す
ることは技術的に極めて困難であり、また耐環境性が全
世界的に重要視されてきていることから、近年では半導
体チツプをはんだを用いることなくプリント配線板の実
装面にフリツプチツプ実装する方法が盛んに検討されて
きている。
【０００６】そしてこのようなフリツプチツプ実装法の
１つとして、従来、エポキシ等の樹脂を用いた方法があ
る。
１つとして、従来、エポキシ等の樹脂を用いた方法があ
る。
【０００７】実際上このようなフリツプチツプ実装法で
は、まず図３（Ａ）に示すように半導体チツプ１の一面
１Ａに所定パターンで形成された各電極２上にそれぞれ
めつき法、蒸着法又はワイヤーボンド法等を用いて金バ
ンプ３を形成すると共に、これと対応するプリント配線
板４の実装面４Ａの所定部位上に導電粒子を含む又は含
まない液体状若しくはフイルム状のエポキシ等の樹脂材
料からなる封止樹脂６をデイスペンス、印刷法又は張付
け法等の方法により供給する。
は、まず図３（Ａ）に示すように半導体チツプ１の一面
１Ａに所定パターンで形成された各電極２上にそれぞれ
めつき法、蒸着法又はワイヤーボンド法等を用いて金バ
ンプ３を形成すると共に、これと対応するプリント配線
板４の実装面４Ａの所定部位上に導電粒子を含む又は含
まない液体状若しくはフイルム状のエポキシ等の樹脂材
料からなる封止樹脂６をデイスペンス、印刷法又は張付
け法等の方法により供給する。
【０００８】次いでこの状態において実装装置を用いて
そのボンデイングツール７に半導体チツプ１を吸着保持
させ、当該半導体チツプ１の各金バンプ３とプリント配
線板４のそれぞれ対応するランド５とが対向するように
位置決めさせる。
そのボンデイングツール７に半導体チツプ１を吸着保持
させ、当該半導体チツプ１の各金バンプ３とプリント配
線板４のそれぞれ対応するランド５とが対向するように
位置決めさせる。
【０００９】次に図３（Ｂ）に示すようにボンデイング
ツール７を下降させ半導体チツプ１の各金バンプ３とプ
リント配線板４のそれぞれ対応するランド５とを当接さ
せた後、ボンデイングツール７により半導体チツプ１を
プリント配線板４の厚み方向に所定圧力で加圧する一
方、これと共に所定温度で加熱し、この後図３（Ｃ）に
示すようにこのボンデイングツール７を半導体チツプ１
上から取り除く。
ツール７を下降させ半導体チツプ１の各金バンプ３とプ
リント配線板４のそれぞれ対応するランド５とを当接さ
せた後、ボンデイングツール７により半導体チツプ１を
プリント配線板４の厚み方向に所定圧力で加圧する一
方、これと共に所定温度で加熱し、この後図３（Ｃ）に
示すようにこのボンデイングツール７を半導体チツプ１
上から取り除く。
【００１０】この結果半導体チツプ１の周辺に加熱され
た封止樹脂６のフイレツト６Ａが収縮しながら硬化する
とき半導体チツプ１とプリント配線板４との間に引き合
うような力が加えられることにより、封止樹脂６が導電
粒子を含む場合には半導体チツプ１の各金バンプ３とこ
れに対応するプリント配線板４の各ランド５とが導電粒
子を介して電気的に接続され、封止樹脂６が導電粒子を
含まない場合には半導体チツプ１の各金バンプ３とこれ
に対応するプリント配線板４の各ランド５とが直接電気
的に接続され、かくしてプリント配線板４の実装面４Ａ
に半導体チツプ１を実装することができる。
た封止樹脂６のフイレツト６Ａが収縮しながら硬化する
とき半導体チツプ１とプリント配線板４との間に引き合
うような力が加えられることにより、封止樹脂６が導電
粒子を含む場合には半導体チツプ１の各金バンプ３とこ
れに対応するプリント配線板４の各ランド５とが導電粒
子を介して電気的に接続され、封止樹脂６が導電粒子を
含まない場合には半導体チツプ１の各金バンプ３とこれ
に対応するプリント配線板４の各ランド５とが直接電気
的に接続され、かくしてプリント配線板４の実装面４Ａ
に半導体チツプ１を実装することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのような方
法によると、加圧及び加熱工程（図３（Ｂ））において
封止樹脂６が加熱されて硬化反応が始まる直前の温度に
達したときに、当該封止樹脂６の粘度が急激に低下する
ため、半導体チツプ１の外にはみ出した封止樹脂６が半
導体チツプ１の側面を這い上がり、ボンデイングツール
７に付着する場合がある。
法によると、加圧及び加熱工程（図３（Ｂ））において
封止樹脂６が加熱されて硬化反応が始まる直前の温度に
達したときに、当該封止樹脂６の粘度が急激に低下する
ため、半導体チツプ１の外にはみ出した封止樹脂６が半
導体チツプ１の側面を這い上がり、ボンデイングツール
７に付着する場合がある。
【００１２】そしてこの後、半導体チツプ１から離れた
ボンデイングツール７に付着する封止樹脂６は図３
（Ｃ）のようにボンデイングツール７に硬化した状態で
付着するため、当該ボンデイングツール７を清掃しなけ
れば次のボンデイング作業ができない問題があつた。
ボンデイングツール７に付着する封止樹脂６は図３
（Ｃ）のようにボンデイングツール７に硬化した状態で
付着するため、当該ボンデイングツール７を清掃しなけ
れば次のボンデイング作業ができない問題があつた。
【００１３】かかる問題を解決する１つの方法として、
封止樹脂６のプリント配線板４への供給工程（図３
（Ａ））時に当該封止樹脂６の供給量を少なくする方法
も考えられるものの、この方法によると今度は加圧及び
加熱工程（図３（Ｂ））において、半導体チツプ１の周
辺に十分な封止樹脂６のフイレツト６Ａが形成されない
ため、半導体チツプ１の各金バンプ３とこれに対応する
プリント配線板４の各ランド５とが電気的に接続し難く
なり、半導体チツプ１とプリント配線板４との接続の信
頼性が大きく低下する問題があつた。
封止樹脂６のプリント配線板４への供給工程（図３
（Ａ））時に当該封止樹脂６の供給量を少なくする方法
も考えられるものの、この方法によると今度は加圧及び
加熱工程（図３（Ｂ））において、半導体チツプ１の周
辺に十分な封止樹脂６のフイレツト６Ａが形成されない
ため、半導体チツプ１の各金バンプ３とこれに対応する
プリント配線板４の各ランド５とが電気的に接続し難く
なり、半導体チツプ１とプリント配線板４との接続の信
頼性が大きく低下する問題があつた。
【００１４】さらに上述のようなフリツプチツプ実装法
では、半導体チツプ１を高密度に実装することができる
反面、半導体チツプ１から放出される熱を効率良く外部
に放出し難く、この結果半導体チツプ１が消費電力の高
いものであつた場合に当該半導体チツプ１が自ら放出し
た熱により破損するおそれがあつた。
では、半導体チツプ１を高密度に実装することができる
反面、半導体チツプ１から放出される熱を効率良く外部
に放出し難く、この結果半導体チツプ１が消費電力の高
いものであつた場合に当該半導体チツプ１が自ら放出し
た熱により破損するおそれがあつた。
【００１５】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、作業性及び接続の信頼性を向上し得る半導体装置及
び回路基板を実現しようとするものである。
で、作業性及び接続の信頼性を向上し得る半導体装置及
び回路基板を実現しようとするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、半導体装置において、半導体チツ
プの他面に、当該他面よりも大きい外寸を有する這上り
防止手段をその周辺部が当該半導体チツプの他面の各端
部からそれぞれ突出するように固着するようにした。
め本発明においては、半導体装置において、半導体チツ
プの他面に、当該他面よりも大きい外寸を有する這上り
防止手段をその周辺部が当該半導体チツプの他面の各端
部からそれぞれ突出するように固着するようにした。
【００１７】この結果この半導体装置では、この這上り
防止手段により半導体チツプの外にはみ出し当該半導体
チツプの側面を這い上がる封止樹脂をせき止めることが
できるため、半導体装置をプリント配線板上に連続して
実装することができる。
防止手段により半導体チツプの外にはみ出し当該半導体
チツプの側面を這い上がる封止樹脂をせき止めることが
できるため、半導体装置をプリント配線板上に連続して
実装することができる。
【００１８】また本発明においては、回路基板におい
て、一面側に複数の突起電極が形成された半導体チツプ
の他面側に、当該半導体チツプの他面よりも大きい外寸
を有する這上り防止手段を当該這上り防止手段の周辺部
が当該半導体チツプの他面の各端部からそれぞれ突出す
るように固着された半導体装置と、プリント配線板とを
設け、半導体装置をプリント配線板上に封止樹脂を介し
てフリツプチツプ実装するようにした。
て、一面側に複数の突起電極が形成された半導体チツプ
の他面側に、当該半導体チツプの他面よりも大きい外寸
を有する這上り防止手段を当該這上り防止手段の周辺部
が当該半導体チツプの他面の各端部からそれぞれ突出す
るように固着された半導体装置と、プリント配線板とを
設け、半導体装置をプリント配線板上に封止樹脂を介し
てフリツプチツプ実装するようにした。
【００１９】この結果この回路基板では、この這上り防
止手段により半導体チツプの外にはみ出し当該半導体チ
ツプの側面を這い上がる封止樹脂をせき止めることがで
きるため、半導体装置をプリント配線板上に連続して実
装することができる。
止手段により半導体チツプの外にはみ出し当該半導体チ
ツプの側面を這い上がる封止樹脂をせき止めることがで
きるため、半導体装置をプリント配線板上に連続して実
装することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施の形態を詳述する。
施の形態を詳述する。
【００２１】（１）本実施の形態による半導体装置の構
成 図１において１０は全体として本実施の形態による半導
体装置を示し、半導体チツプ１上の各電極２が形成され
た一面１Ａと相対する他面１Ｂ側に接着剤１１を介して
這上り防止板１２が固着されることにより構成されてい
る。
成 図１において１０は全体として本実施の形態による半導
体装置を示し、半導体チツプ１上の各電極２が形成され
た一面１Ａと相対する他面１Ｂ側に接着剤１１を介して
這上り防止板１２が固着されることにより構成されてい
る。
【００２２】この場合這上り防止板１２は、半導体チツ
プ１の他面１Ｂよりも大きい外寸（例えば半導体チツプ
１の四辺よりも0.5 〔mm〕ずつ大きい四辺を有する程
度）で形成されており、その周辺部が当該半導体チツプ
１の他面１Ｂの各端部からそれぞれ突出すると共に、そ
の中心が半導体チツプ１の他面１Ｂと一致するように当
該半導体チツプ１に固着されている。
プ１の他面１Ｂよりも大きい外寸（例えば半導体チツプ
１の四辺よりも0.5 〔mm〕ずつ大きい四辺を有する程
度）で形成されており、その周辺部が当該半導体チツプ
１の他面１Ｂの各端部からそれぞれ突出すると共に、そ
の中心が半導体チツプ１の他面１Ｂと一致するように当
該半導体チツプ１に固着されている。
【００２３】これによりこの半導体装置１０では、図３
（Ａ）〜図（Ｃ）について上述したフリツプチツプ実装
法によりプリント配線板４上に加圧及び加熱処理を経て
実装する際に、半導体チツプ１の外にはみ出した封止樹
脂６が当該半導体チツプ１の側面を這い上がるのをこの
這上り防止板１２によつてせき止めることができるよう
になされている。この実施の形態の場合、這上り防止板
１２は例えば熱伝導率の高い銅を用いて形成されてお
り、例えば銀ペースト（エポキシ系の樹脂材料の中に銀
を入れたもの）等の熱伝導性が高い接着剤１１を用いて
半導体チツプ１上に固着されている。
（Ａ）〜図（Ｃ）について上述したフリツプチツプ実装
法によりプリント配線板４上に加圧及び加熱処理を経て
実装する際に、半導体チツプ１の外にはみ出した封止樹
脂６が当該半導体チツプ１の側面を這い上がるのをこの
這上り防止板１２によつてせき止めることができるよう
になされている。この実施の形態の場合、這上り防止板
１２は例えば熱伝導率の高い銅を用いて形成されてお
り、例えば銀ペースト（エポキシ系の樹脂材料の中に銀
を入れたもの）等の熱伝導性が高い接着剤１１を用いて
半導体チツプ１上に固着されている。
【００２４】これによりこの半導体装置１０では、半導
体チツプ１から放出される熱を接着剤１１及び這上り防
止板１２を順次介して効率良く外部に放出することがで
き、かくして半導体チツプ１が消費電力の高いものであ
つた場合においても当該半導体チツプ１が自ら放出する
熱により破損するのを未然に防止し得るようになされて
いる。
体チツプ１から放出される熱を接着剤１１及び這上り防
止板１２を順次介して効率良く外部に放出することがで
き、かくして半導体チツプ１が消費電力の高いものであ
つた場合においても当該半導体チツプ１が自ら放出する
熱により破損するのを未然に防止し得るようになされて
いる。
【００２５】（２）本実施の形態の動作及び効果 以上の構成においてこの半導体装置１０は、図３（Ａ）
〜図３（Ｃ）との対応部分に同一符号を付した図２
（Ａ）〜図２（Ｃ）に示す以下の手順によりプリント配
線板４の実装面４Ａ上に実装することができる。
〜図３（Ｃ）との対応部分に同一符号を付した図２
（Ａ）〜図２（Ｃ）に示す以下の手順によりプリント配
線板４の実装面４Ａ上に実装することができる。
【００２６】すなわちまず図２（Ａ）に示すように、プ
リント配線板４の実装面４Ａにおいける対応する位置に
封止樹脂６を供給すると共に、実装装置のボンデイング
ツール７によりこの半導体装置１０を吸着保持させ、当
該半導体装置１０を半導体チツプ１の各金バンプ３とプ
リント配線板４のそれぞれ対応するランド５とが対向す
るように位置決めさせる。
リント配線板４の実装面４Ａにおいける対応する位置に
封止樹脂６を供給すると共に、実装装置のボンデイング
ツール７によりこの半導体装置１０を吸着保持させ、当
該半導体装置１０を半導体チツプ１の各金バンプ３とプ
リント配線板４のそれぞれ対応するランド５とが対向す
るように位置決めさせる。
【００２７】続いて図２（Ｂ）に示すように、ボンデイ
ングツール７を下降させて半導体装置１０上の半導体チ
ツプ１の各金バンプ３とプリント配線板４のそれぞれ対
応するランド５とを当接させた後、ボンデイングツール
７により半導体チツプ１をプリント配線板４の厚み方向
に所定圧力及び所定温度で加圧及び加熱し、この後図２
（Ｃ）に示すようにボンデイングツール７を半導体装置
１０上から取り除く。
ングツール７を下降させて半導体装置１０上の半導体チ
ツプ１の各金バンプ３とプリント配線板４のそれぞれ対
応するランド５とを当接させた後、ボンデイングツール
７により半導体チツプ１をプリント配線板４の厚み方向
に所定圧力及び所定温度で加圧及び加熱し、この後図２
（Ｃ）に示すようにボンデイングツール７を半導体装置
１０上から取り除く。
【００２８】この結果加熱された封止樹脂６のフイレツ
ト６Ｂが収縮しながら硬化するときに半導体装置１０と
プリント配線板４との間に引き合うような力が生じるこ
とにより、封止樹脂６が導電粒子を含む場合には半導体
装置１０の半導体チツプ１の各金バンプ３とこれに対応
するプリント配線板４の各ランド５とが導電粒子を介し
て電気的に接続され、封止樹脂６が導電粒子を含まない
場合には半導体装置１０の半導体チツプ１の各金バンプ
３とこれに対応するプリント配線板４の各ランド５とが
直接電気的に接続され、かくしてプリント配線板４の実
装面４Ａに半導体装置１０が実装される。
ト６Ｂが収縮しながら硬化するときに半導体装置１０と
プリント配線板４との間に引き合うような力が生じるこ
とにより、封止樹脂６が導電粒子を含む場合には半導体
装置１０の半導体チツプ１の各金バンプ３とこれに対応
するプリント配線板４の各ランド５とが導電粒子を介し
て電気的に接続され、封止樹脂６が導電粒子を含まない
場合には半導体装置１０の半導体チツプ１の各金バンプ
３とこれに対応するプリント配線板４の各ランド５とが
直接電気的に接続され、かくしてプリント配線板４の実
装面４Ａに半導体装置１０が実装される。
【００２９】この場合半導体装置１０を加圧及び加熱す
る際（図２（Ｂ））に半導体チツプ１の外にはみ出した
封止樹脂６が当該半導体チツプ１の側面を這い上がるも
のの、この封止樹脂６は這上り防止板１２によつてせき
止められる。
る際（図２（Ｂ））に半導体チツプ１の外にはみ出した
封止樹脂６が当該半導体チツプ１の側面を這い上がるも
のの、この封止樹脂６は這上り防止板１２によつてせき
止められる。
【００３０】従つてこの半導体装置１０では、ボンデイ
ングツール７に封止樹脂６が付着するのを確実に防止す
ることができる。またこの半導体装置１０では、プリン
ト配線板４上に連続でボンデイングすることができると
共に、封止樹脂６の供給量を少なくする必要がないこと
から、半導体チツプ１の周辺に十分な封止樹脂６のフイ
レツト６Ｂを形成することができる。
ングツール７に封止樹脂６が付着するのを確実に防止す
ることができる。またこの半導体装置１０では、プリン
ト配線板４上に連続でボンデイングすることができると
共に、封止樹脂６の供給量を少なくする必要がないこと
から、半導体チツプ１の周辺に十分な封止樹脂６のフイ
レツト６Ｂを形成することができる。
【００３１】さらにこの半導体装置１０では、這上り防
止板１２の材料として熱伝導率の高い金属材料を用いて
いるため、半導体チツプ１が消費電力の高いものであつ
た場合においても半導体チツプ１の熱を効率良く外部に
放出することができ、その分半導体チツプ１が自ら放出
した熱により破損するのを未然に防止することができ
る。
止板１２の材料として熱伝導率の高い金属材料を用いて
いるため、半導体チツプ１が消費電力の高いものであつ
た場合においても半導体チツプ１の熱を効率良く外部に
放出することができ、その分半導体チツプ１が自ら放出
した熱により破損するのを未然に防止することができ
る。
【００３２】以上の構成によれば、半導体チツプ１上の
各電極２が形成された一面１Ａと相対する他面１Ｂ側に
這上り防止板１２を設けるようにしたことにより、プリ
ント配線板４上に実装する際に封止樹脂６が半導体チツ
プ１の側面を這い上がるのをこの這上り防止板１２によ
つてせき止めることができ、ボンデイングツール７に封
止樹脂６が付着するのを確実に防止することができる。
かくするにつき半導体装置１０をプリント配線板４上に
連続でボンデイングすることができると共に、当該半導
体装置１０の半導体チツプ１の周辺に十分な封止樹脂６
のフイレツト６Ｂを形成することができ、かくして作業
性及び接続の信頼性を向上し得る半導体装置１０を実現
することができる。
各電極２が形成された一面１Ａと相対する他面１Ｂ側に
這上り防止板１２を設けるようにしたことにより、プリ
ント配線板４上に実装する際に封止樹脂６が半導体チツ
プ１の側面を這い上がるのをこの這上り防止板１２によ
つてせき止めることができ、ボンデイングツール７に封
止樹脂６が付着するのを確実に防止することができる。
かくするにつき半導体装置１０をプリント配線板４上に
連続でボンデイングすることができると共に、当該半導
体装置１０の半導体チツプ１の周辺に十分な封止樹脂６
のフイレツト６Ｂを形成することができ、かくして作業
性及び接続の信頼性を向上し得る半導体装置１０を実現
することができる。
【００３３】（３）他の実施の形態 なお上述の実施の形態においては、這上り防止手段とし
ての這上り防止板１２を銅を用いて形成するようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は熱
伝導率の高い材料を用いて這上り防止板１２を形成する
ものであればその材料としては、この他例えばアルミニ
ウム等の種々の材料を広く適用することができる。
ての這上り防止板１２を銅を用いて形成するようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は熱
伝導率の高い材料を用いて這上り防止板１２を形成する
ものであればその材料としては、この他例えばアルミニ
ウム等の種々の材料を広く適用することができる。
【００３４】また上述の実施の形態においては、接着剤
１１を銀ペーストを用いるようにした場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、要は熱伝導性の高い接着
材料を用いるものであればその材料としては、この他種
々の接着材料を使用する場合においても適用できる。
１１を銀ペーストを用いるようにした場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、要は熱伝導性の高い接着
材料を用いるものであればその材料としては、この他種
々の接着材料を使用する場合においても適用できる。
【００３５】さらに上述の実施の形態においては、這上
り防止板１２を半導体チツプ１の四辺よりも0.5 〔mm〕
ずつ大きい四辺を有する形状で形成するようにした場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、要は這上り
防止板１２の周辺部が半導体チツプ１の他面１Ｂの各端
部からそれぞれ突出するような形状であればその形状と
しては、この他種々の形状を広く適用することができ
る。
り防止板１２を半導体チツプ１の四辺よりも0.5 〔mm〕
ずつ大きい四辺を有する形状で形成するようにした場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、要は這上り
防止板１２の周辺部が半導体チツプ１の他面１Ｂの各端
部からそれぞれ突出するような形状であればその形状と
しては、この他種々の形状を広く適用することができ
る。
【００３６】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、半導体装
置において、半導体チツプの他面に、当該他面よりも大
きい外寸を有する這上り防止手段をその周辺部が当該半
導体チツプの他面の各端部からそれぞれ突出するように
固着するようにしたことにより、半導体チツプの外には
み出し当該半導体チツプの側面を這い上がる封止樹脂を
当該這上り防止手段によりせき止めることができるた
め、半導体装置をプリント配線板上に連続して実装する
ことができ、かくして作業性及び接続の信頼性を向上し
得る半導体装置を実現できる。
置において、半導体チツプの他面に、当該他面よりも大
きい外寸を有する這上り防止手段をその周辺部が当該半
導体チツプの他面の各端部からそれぞれ突出するように
固着するようにしたことにより、半導体チツプの外には
み出し当該半導体チツプの側面を這い上がる封止樹脂を
当該這上り防止手段によりせき止めることができるた
め、半導体装置をプリント配線板上に連続して実装する
ことができ、かくして作業性及び接続の信頼性を向上し
得る半導体装置を実現できる。
【００３７】また上述のように本発明によれば、回路基
板において、一面側に複数の突起電極が形成された半導
体チツプの他面側に、当該半導体チツプの他面よりも大
きい外寸を有する這上り防止手段を当該這上り防止手段
の周辺部が当該半導体チツプの他面の各端部からそれぞ
れ突出するように固着された半導体装置と、プリント配
線板とを設け、半導体装置をプリント配線板上に封止樹
脂を介してフリツプチツプ実装するようにしたことによ
り、半導体チツプの外にはみ出し当該半導体チツプの側
面を這い上がる封止樹脂を当該這上り防止手段によりせ
き止めることができため、半導体装置をプリント配線板
上に連続して実装することができ、かくして作業性及び
接続の信頼性を向上し得る半導体装置の実装方法を実現
できる。
板において、一面側に複数の突起電極が形成された半導
体チツプの他面側に、当該半導体チツプの他面よりも大
きい外寸を有する這上り防止手段を当該這上り防止手段
の周辺部が当該半導体チツプの他面の各端部からそれぞ
れ突出するように固着された半導体装置と、プリント配
線板とを設け、半導体装置をプリント配線板上に封止樹
脂を介してフリツプチツプ実装するようにしたことによ
り、半導体チツプの外にはみ出し当該半導体チツプの側
面を這い上がる封止樹脂を当該這上り防止手段によりせ
き止めることができため、半導体装置をプリント配線板
上に連続して実装することができ、かくして作業性及び
接続の信頼性を向上し得る半導体装置の実装方法を実現
できる。
【図１】本実施の形態による半導体装置の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本実施の形態による半導体装置の実装手順の説
明に供する断面図である。
明に供する断面図である。
【図３】従来のフリツプチツプ実装法による半導体チツ
プの実装手順の説明に供する断面図である。
プの実装手順の説明に供する断面図である。
１……半導体チツプ、１Ａ……一面、１Ｂ……他面、２
……電極、３……金バンプ、４……プリント配線板、４
Ａ……実装面、５……ランド、６……封止樹脂、６Ａ、
６Ｂ……フイレツト、７……ボンデイングツール、１０
……半導体装置、１１……接着剤、１２……這上り防止
板。
……電極、３……金バンプ、４……プリント配線板、４
Ａ……実装面、５……ランド、６……封止樹脂、６Ａ、
６Ｂ……フイレツト、７……ボンデイングツール、１０
……半導体装置、１１……接着剤、１２……這上り防止
板。
Claims (6)
- 【請求項１】一面側に複数の突起電極が形成された半導
体チツプを有し、プリント配線板上に封止樹脂を介して
フリツプチツプ実装される半導体装置において、 上記半導体チツプの上記他面よりも大きい外寸を有する
と共に、周辺部が上記半導体チツプの上記他面の各端部
からそれぞれ突出するように上記半導体チツプの上記他
面側に固着された這上り防止手段を具えることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】上記這上り防止手段は、熱伝導率の高い材
料からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。 - 【請求項３】上記這上り防止手段は、熱伝導性が高い接
着剤を用いて上記半導体チツプの上記他面に固着された
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】一面側に複数の突起電極が形成された半導
体チツプの他面側に、上記半導体チツプの上記他面より
も大きい外寸を有する這上り防止手段を上記這上り防止
手段の周辺部が上記半導体チツプの上記他面の各端部か
らそれぞれ突出するように固着された半導体装置と、 一面側に上記半導体チツプの各上記突起電極にそれぞれ
対応させて複数の電極が形成されたプリント配線板とを
具え、 上記半導体装置の上記半導体チツプの各上記突起電極が
それぞれ上記プリント配線板の対応する各上記電極と接
合するように、上記半導体装置が上記プリント配線板上
に封止樹脂を介してフリツプチツプ実装されたことを特
徴とする回路基板。 - 【請求項５】上記這上り防止手段は、熱伝導率の高い材
料からなることを特徴とする請求項４に記載の回路基
板。 - 【請求項６】上記這上り防止手段は、熱伝導性が高い接
着剤を用いて上記半導体チツプの上記他面に固着された
ことを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177798A JPH11214444A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 半導体装置及び回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177798A JPH11214444A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 半導体装置及び回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214444A true JPH11214444A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11787395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1177798A Pending JPH11214444A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 半導体装置及び回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214444A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012174722A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-01-23 JP JP1177798A patent/JPH11214444A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012174722A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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