JPH11214292A - 処理装置 - Google Patents
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- JPH11214292A JPH11214292A JP10023783A JP2378398A JPH11214292A JP H11214292 A JPH11214292 A JP H11214292A JP 10023783 A JP10023783 A JP 10023783A JP 2378398 A JP2378398 A JP 2378398A JP H11214292 A JPH11214292 A JP H11214292A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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-
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クランプを使用せずに上側構成部材と下側構
成部材とを強固に接合でき，処理室内を気密に維持する
ことができる新しい処理装置を提供する。 【解決手段】 外側シール部材８０に環状の突起８０ｂ
を設けると共に，内側シール部材８１に突起８０ｂより
も変形しにくい環状の突起８１ｂ，８１ｃを設ける。真
空吸引口７５からの真空引きにより外側シール部材８０
の突起８０ｂが容易につぶれて蓋体３１と基台部３２と
が強固に接合する。従来のような蓋体３１に高い圧力を
与えるクランプが不要になる。
成部材とを強固に接合でき，処理室内を気密に維持する
ことができる新しい処理装置を提供する。 【解決手段】 外側シール部材８０に環状の突起８０ｂ
を設けると共に，内側シール部材８１に突起８０ｂより
も変形しにくい環状の突起８１ｂ，８１ｃを設ける。真
空吸引口７５からの真空引きにより外側シール部材８０
の突起８０ｂが容易につぶれて蓋体３１と基台部３２と
が強固に接合する。従来のような蓋体３１に高い圧力を
与えるクランプが不要になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板に対して処理
を施す処理装置に関する。
を施す処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては，例えば半導体ウェハ（以
下，「ウェハ」と称する。）等の基板とレジストとの定
着性を向上させるためにウェハに対して疎水化処理が施
されている。この疎水化処理を施す疎水化処理装置で
は，ウェハを収納する下部容器と，この下部容器を覆う
ような形状を有する蓋体とによって処理容器が構成さ
れ，その内部に形成される処理室内に搬入されたウェハ
に対して気相化したヘキサメチルジシラザン（以下，
「ＨＭＤＳ」と称する。）を供給している。
ジスト処理工程においては，例えば半導体ウェハ（以
下，「ウェハ」と称する。）等の基板とレジストとの定
着性を向上させるためにウェハに対して疎水化処理が施
されている。この疎水化処理を施す疎水化処理装置で
は，ウェハを収納する下部容器と，この下部容器を覆う
ような形状を有する蓋体とによって処理容器が構成さ
れ，その内部に形成される処理室内に搬入されたウェハ
に対して気相化したヘキサメチルジシラザン（以下，
「ＨＭＤＳ」と称する。）を供給している。
【０００３】ところで，処理室に供給される気相化した
ＨＭＤＳは所定の温度と濃度とに制御されているため，
外部の雰囲気が処理室に侵入することを防止する必要が
ある。また，疎水化処理時に発生する処理ガスが処理室
外部に漏出すると汚染の原因ともなる。従って，好適な
疎水化処理を行うためには，処理室内を気密に維持する
ことが必要となる。
ＨＭＤＳは所定の温度と濃度とに制御されているため，
外部の雰囲気が処理室に侵入することを防止する必要が
ある。また，疎水化処理時に発生する処理ガスが処理室
外部に漏出すると汚染の原因ともなる。従って，好適な
疎水化処理を行うためには，処理室内を気密に維持する
ことが必要となる。
【０００４】そこで従来より，処理室内を気密に維持す
るために，例えばクランプ等によって蓋体を機械的に加
圧して，蓋体と下部容器とを接合させるようにしてい
た。そして蓋体と下部容器との接合部の間には，例えば
環状のＯリング等のシール部材を介在させて処理室内の
気密性を確保していた。
るために，例えばクランプ等によって蓋体を機械的に加
圧して，蓋体と下部容器とを接合させるようにしてい
た。そして蓋体と下部容器との接合部の間には，例えば
環状のＯリング等のシール部材を介在させて処理室内の
気密性を確保していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで，処理室内の
圧力が高くなると，より高い圧力を蓋体にかけて，蓋体
と下部容器とを強固に接合させなければならない。ま
た，ウェハの口径が大きくなると，これに伴って処理室
も大型化するので，この場合も蓋体を高い圧力で加圧す
る必要がある。しかしながら，従来のクランプ方式だと
より大型のクランプが必要となり，その分広いスペース
が必要となり好ましくない。
圧力が高くなると，より高い圧力を蓋体にかけて，蓋体
と下部容器とを強固に接合させなければならない。ま
た，ウェハの口径が大きくなると，これに伴って処理室
も大型化するので，この場合も蓋体を高い圧力で加圧す
る必要がある。しかしながら，従来のクランプ方式だと
より大型のクランプが必要となり，その分広いスペース
が必要となり好ましくない。
【０００６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり，クランプ等を使用せずに上側構成部材と下部構成
部材とを強固に接合でき，処理室内を気密に維持するこ
とができる新しい処理装置を提供することを目的として
いる。
あり，クランプ等を使用せずに上側構成部材と下部構成
部材とを強固に接合でき，処理室内を気密に維持するこ
とができる新しい処理装置を提供することを目的として
いる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に，請求項１に記載の処理装置は，処理容器を構成する
上側構成部材と下側構成部材とが，接合部に設けられた
シール部材を介して接合自在であり，かつ接合した際に
内部に形成される処理室内で，基板に対して所定の処理
を施すように構成された装置において，下側構成部材の
接合部には，処理室の外周を全周にわたって囲む外側シ
ール部材と内側シール部材とが各々設けられ，下側構成
部材の接合部における外側シール部材と内側シール部材
との間には，真空引き手段に通ずる真空吸引口が形成さ
れたことを特徴としている。
に，請求項１に記載の処理装置は，処理容器を構成する
上側構成部材と下側構成部材とが，接合部に設けられた
シール部材を介して接合自在であり，かつ接合した際に
内部に形成される処理室内で，基板に対して所定の処理
を施すように構成された装置において，下側構成部材の
接合部には，処理室の外周を全周にわたって囲む外側シ
ール部材と内側シール部材とが各々設けられ，下側構成
部材の接合部における外側シール部材と内側シール部材
との間には，真空引き手段に通ずる真空吸引口が形成さ
れたことを特徴としている。
【０００８】かかる構成によれば，外側シール部材と内
側シール部材との間に形成される空間を真空引きするこ
とができるので，これによって上側構成部材と下側構成
部材とをシール部材を介して強固に接合できる。従っ
て，クランプは不要である。
側シール部材との間に形成される空間を真空引きするこ
とができるので，これによって上側構成部材と下側構成
部材とをシール部材を介して強固に接合できる。従っ
て，クランプは不要である。
【０００９】また，請求項２に記載の発明のように，処
理容器を構成する上側構成部材と下側構成部材とが，接
合部に設けられたシール部材を介して接合自在であり，
かつ接合した際に内部に形成される処理室内で，基板に
対して所定の処理を施すように構成された装置におい
て，上側構成部材の接合部には，処理室の外周を全周に
わたって囲む外側シール部材と内側シール部材とが各々
設けられ，上側構成部材の接合部における外側シール部
材と内側シール部材との間に，真空引き手段に通ずる真
空吸引口が形成されるようにしてもよい。
理容器を構成する上側構成部材と下側構成部材とが，接
合部に設けられたシール部材を介して接合自在であり，
かつ接合した際に内部に形成される処理室内で，基板に
対して所定の処理を施すように構成された装置におい
て，上側構成部材の接合部には，処理室の外周を全周に
わたって囲む外側シール部材と内側シール部材とが各々
設けられ，上側構成部材の接合部における外側シール部
材と内側シール部材との間に，真空引き手段に通ずる真
空吸引口が形成されるようにしてもよい。
【００１０】また，請求項３に記載の発明のように，処
理容器を構成する上側構成部材と下側構成部材とが，接
合部に設けられたシール部材を介して接合自在であり，
かつ接合した際に内部に形成される処理室内で，基板に
対して所定の処理を施すように構成された装置におい
て，下側構成部材の接合部には，処理室の外周を全周に
わたって囲む外側シール部材と内側シール部材とが各々
設けられ，上側構成部材の接合部における，下側構成部
材の接合部の外側シール部材と内側シール部材との間に
対応する部分に，真空引き手段に通ずる真空吸引口が形
成されるようにしてもよい。
理容器を構成する上側構成部材と下側構成部材とが，接
合部に設けられたシール部材を介して接合自在であり，
かつ接合した際に内部に形成される処理室内で，基板に
対して所定の処理を施すように構成された装置におい
て，下側構成部材の接合部には，処理室の外周を全周に
わたって囲む外側シール部材と内側シール部材とが各々
設けられ，上側構成部材の接合部における，下側構成部
材の接合部の外側シール部材と内側シール部材との間に
対応する部分に，真空引き手段に通ずる真空吸引口が形
成されるようにしてもよい。
【００１１】さらに請求項４に記載の発明のように，処
理容器を構成する上側構成部材と下側構成部材とが，接
合部に設けられたシール部材を介して接合自在であり，
かつ接合した際に内部に形成される処理室内で，基板に
対して所定の処理を施すように構成された装置におい
て，上側構成部材の接合部には，処理室の外周を全周に
わたって囲む外側シール部材と内側シール部材とが各々
設けられ，下側構成部材の接合部における，上側構成部
材の接合部の外側シール部材と内側シール部材との間に
対応する部分に，真空引き手段に通ずる真空吸引口が形
成されるようにしてもよい。
理容器を構成する上側構成部材と下側構成部材とが，接
合部に設けられたシール部材を介して接合自在であり，
かつ接合した際に内部に形成される処理室内で，基板に
対して所定の処理を施すように構成された装置におい
て，上側構成部材の接合部には，処理室の外周を全周に
わたって囲む外側シール部材と内側シール部材とが各々
設けられ，下側構成部材の接合部における，上側構成部
材の接合部の外側シール部材と内側シール部材との間に
対応する部分に，真空引き手段に通ずる真空吸引口が形
成されるようにしてもよい。
【００１２】これら請求項２〜４に記載の処理装置は，
その構造上，真空吸引口の位置，シール部材の位置が上
側構成部材，下側構成部材のいずれかに形成してあるだ
けの違いであり，基本的な作用効果は請求項１と全く同
様である。
その構造上，真空吸引口の位置，シール部材の位置が上
側構成部材，下側構成部材のいずれかに形成してあるだ
けの違いであり，基本的な作用効果は請求項１と全く同
様である。
【００１３】これら請求項１，２，３又は４に記載の処
理装置において，請求項５のように，外側シール部材の
材質は内側シール部材の材質よりも柔らかく，かつ外側
シール部材の高さを内側シール部材の高さよりも高く設
定してもよい。
理装置において，請求項５のように，外側シール部材の
材質は内側シール部材の材質よりも柔らかく，かつ外側
シール部材の高さを内側シール部材の高さよりも高く設
定してもよい。
【００１４】かかる構成によれば，真空吸引口からの真
空引きによって例えば上側構成部材が外圧に押されて下
降する際に，先ず上側構成部材が外側シール部材に接
し，次いで内側シール部材に接する。この時，外側シー
ル部材は内側シール部材よりも柔らかいために上側構成
部材との密着性がよく，処理室内を容易に気密にでき
る。また，内側シール部材は外側シール部材よりも硬い
ために接合状態での支持にとって好適であり，上側構成
部材は内側シール部材に支持されることによって，外側
シール部材の負担が軽減し，例えば外側シール部材の耐
久性が向上する。
空引きによって例えば上側構成部材が外圧に押されて下
降する際に，先ず上側構成部材が外側シール部材に接
し，次いで内側シール部材に接する。この時，外側シー
ル部材は内側シール部材よりも柔らかいために上側構成
部材との密着性がよく，処理室内を容易に気密にでき
る。また，内側シール部材は外側シール部材よりも硬い
ために接合状態での支持にとって好適であり，上側構成
部材は内側シール部材に支持されることによって，外側
シール部材の負担が軽減し，例えば外側シール部材の耐
久性が向上する。
【００１５】請求項６に記載の発明によれば，請求項
１，２，３又は４に記載の処理装置は，外側シール部材
の形態は内側シール部材よりも変形しやすい形状をな
し，かつ外側シール部材の高さは，内側シール部材の高
さよりも高く設定されたことを特徴としている。
１，２，３又は４に記載の処理装置は，外側シール部材
の形態は内側シール部材よりも変形しやすい形状をな
し，かつ外側シール部材の高さは，内側シール部材の高
さよりも高く設定されたことを特徴としている。
【００１６】この請求項６によれば，外側シール部材の
材質ではなく，その形状によって，請求項５と同様な作
用効果を実現している。外側シール部材の形状として
は，例えば肉薄の部分を接合面に設けたり，あるいは斜
めに起立させた部分を別途外側シール部材に設けること
などが挙げられる。
材質ではなく，その形状によって，請求項５と同様な作
用効果を実現している。外側シール部材の形状として
は，例えば肉薄の部分を接合面に設けたり，あるいは斜
めに起立させた部分を別途外側シール部材に設けること
などが挙げられる。
【００１７】請求項７に記載の発明は，請求項１，２，
３又は４のいずれかに記載の処理装置において，外側シ
ール部材における接合端面には，処理室の外周を全周に
わたって囲む凸部が形成され，この凸部を含めた外側シ
ール部材の高さは内側シール部材の高さよりも高く設定
されたことを特徴としている。
３又は４のいずれかに記載の処理装置において，外側シ
ール部材における接合端面には，処理室の外周を全周に
わたって囲む凸部が形成され，この凸部を含めた外側シ
ール部材の高さは内側シール部材の高さよりも高く設定
されたことを特徴としている。
【００１８】かかる構成によれば，外側シール部材に凸
部が設けられたことによって，上側構成部材と下側構成
部材とが接合する際に，この凸部と上側構成部材の下面
との密着性が向上する。そのため，処理室内の気密性が
向上する。
部が設けられたことによって，上側構成部材と下側構成
部材とが接合する際に，この凸部と上側構成部材の下面
との密着性が向上する。そのため，処理室内の気密性が
向上する。
【００１９】この凸部の材質は請求項８に記載の発明の
ように，内側シール部材の材質よりも柔らかいものとし
てもよい。
ように，内側シール部材の材質よりも柔らかいものとし
てもよい。
【００２０】かかる構成によれば，真空吸引口からの真
空引きによって外側シール部材の凸部が容易に変形する
ため，上側構成部材と下側構成部材との接合を容易に行
うことが可能となり，しかも処理室内の気密性がより向
上する。
空引きによって外側シール部材の凸部が容易に変形する
ため，上側構成部材と下側構成部材との接合を容易に行
うことが可能となり，しかも処理室内の気密性がより向
上する。
【００２１】請求項９に記載の発明は，外側シール部材
及び内側シール部材における各接合端面に，処理室の外
周を全周にわたって囲む凸部が各々形成され，この凸部
を含めた外側シール部材の高さは凸部を含めた内側シー
ル部材の高さよりも高く設定されたことを特徴としてい
る。
及び内側シール部材における各接合端面に，処理室の外
周を全周にわたって囲む凸部が各々形成され，この凸部
を含めた外側シール部材の高さは凸部を含めた内側シー
ル部材の高さよりも高く設定されたことを特徴としてい
る。
【００２２】かかる構成によれば，真空吸引口からの真
空引きによって上側構成部材と下側構成部材とが接合す
る際に，内側シール部材にも凸部が設けられたことによ
り上側構成部材の下面と各凸部との密着性がより向上す
る。従って，処理室内の気密性がより向上する。
空引きによって上側構成部材と下側構成部材とが接合す
る際に，内側シール部材にも凸部が設けられたことによ
り上側構成部材の下面と各凸部との密着性がより向上す
る。従って，処理室内の気密性がより向上する。
【００２３】そして請求項１０に記載の発明は，請求項
９に記載の処理装置において，外側シール部材の凸部の
材質は，内側シール部材の材質よりも柔らかいものであ
ることを特徴としている。
９に記載の処理装置において，外側シール部材の凸部の
材質は，内側シール部材の材質よりも柔らかいものであ
ることを特徴としている。
【００２４】かかる構成によれば，真空吸引口からの真
空引きによって外側シール部材に設けられた柔らかい材
質からなる凸部が容易に変形するため，上側構成部材と
下側構成部材との接合を容易に行うことが可能となり，
かつ処理室内の気密性がより向上する。
空引きによって外側シール部材に設けられた柔らかい材
質からなる凸部が容易に変形するため，上側構成部材と
下側構成部材との接合を容易に行うことが可能となり，
かつ処理室内の気密性がより向上する。
【００２５】さらに請求項１１に記載の発明のように，
外側シール部材の凸部の形態は，内側シール部材の凸部
よりも変形しやすい形状をなすようにしてもよい。
外側シール部材の凸部の形態は，内側シール部材の凸部
よりも変形しやすい形状をなすようにしてもよい。
【００２６】かかる構成によれば，真空吸引口からの真
空引きによって，凸部を含めた外側シール部材の高さと
凸部を含めた内側シール部材との高さが等しくなるまで
外側シール部材の凸部が変形する。そのため，上側構成
部材と下側構成部材との接合を容易に行うことが可能と
なる。
空引きによって，凸部を含めた外側シール部材の高さと
凸部を含めた内側シール部材との高さが等しくなるまで
外側シール部材の凸部が変形する。そのため，上側構成
部材と下側構成部材との接合を容易に行うことが可能と
なる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき本発明の
好ましい実施の形態について説明する。この実施の形態
は，ウェハに対して一連のフォトリソグラフィ工程を行
う塗布現像処理システムに組み込まれた疎水化処理装置
に適用されている。なお，図１〜図３は塗布現像処理シ
ステムの概観を示し，図１は平面，図２は正面，図３は
背面から見た様子を各々示している。
好ましい実施の形態について説明する。この実施の形態
は，ウェハに対して一連のフォトリソグラフィ工程を行
う塗布現像処理システムに組み込まれた疎水化処理装置
に適用されている。なお，図１〜図３は塗布現像処理シ
ステムの概観を示し，図１は平面，図２は正面，図３は
背面から見た様子を各々示している。
【００２８】この塗布現像処理システム１は図１に示す
ように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部
から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カ
セットＣに対してウェハＷを搬入出したりするためのカ
セットステーション２と，塗布現像処理工程の中でウェ
ハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を
多段配置している処理ステーション３と，この処理ステ
ーション３に隣接して設けられる露光装置（図示せず）
との間でウェハＷの受け渡しをするためのインターフェ
イス部４とを一体に接続した構成を有している。
ように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部
から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カ
セットＣに対してウェハＷを搬入出したりするためのカ
セットステーション２と，塗布現像処理工程の中でウェ
ハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を
多段配置している処理ステーション３と，この処理ステ
ーション３に隣接して設けられる露光装置（図示せず）
との間でウェハＷの受け渡しをするためのインターフェ
イス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２９】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置
に，例えば４個の各カセットＣがウェハＷの出入口を処
理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方
向）に沿って一列に載置自在である。そして，このカセ
ットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容され
たウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能
なウェハ搬送体１５が搬送路１５ａに沿って移動自在で
あり，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるよ
うになっている。
るカセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置
に，例えば４個の各カセットＣがウェハＷの出入口を処
理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方
向）に沿って一列に載置自在である。そして，このカセ
ットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容され
たウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能
なウェハ搬送体１５が搬送路１５ａに沿って移動自在で
あり，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるよ
うになっている。
【００３０】このウェハ搬送体１５はθ方向にも回転自
在に構成されており，後述する処理ステーション３側の
第３の処理装置群Ｇ3の多段ユニット部に属するアライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニ
ット（ＥＸＴ）にもアクセスできるように構成されてい
る。
在に構成されており，後述する処理ステーション３側の
第３の処理装置群Ｇ3の多段ユニット部に属するアライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニ
ット（ＥＸＴ）にもアクセスできるように構成されてい
る。
【００３１】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置２０が配置されており，その周囲にはユニット
としての各種処理装置が１組または複数の組にわたって
多段に集積配置されて処理装置群を構成している。この
塗布現像処理システム１においては，５つの処理装置群
Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3，Ｇ4，Ｇ5が配置可能に構成されてお
り，第１及び第２の処理装置群Ｇ1，Ｇ2は塗布現像処理
システム１の正面側に配置されており，第３の処理装置
群Ｇ3はカセットステーション２に隣接して配置されて
おり，第４の処理装置群Ｇ4はインターフェイス部４に
隣接して配置されており，破線で示した第５の処理装置
群Ｇ5は背面側に配置される。
搬送装置２０が配置されており，その周囲にはユニット
としての各種処理装置が１組または複数の組にわたって
多段に集積配置されて処理装置群を構成している。この
塗布現像処理システム１においては，５つの処理装置群
Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3，Ｇ4，Ｇ5が配置可能に構成されてお
り，第１及び第２の処理装置群Ｇ1，Ｇ2は塗布現像処理
システム１の正面側に配置されており，第３の処理装置
群Ｇ3はカセットステーション２に隣接して配置されて
おり，第４の処理装置群Ｇ4はインターフェイス部４に
隣接して配置されており，破線で示した第５の処理装置
群Ｇ5は背面側に配置される。
【００３２】第１の処理装置群Ｇ1では図２に示すよう
に，カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて
所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置，例えばレ
ジスト塗布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥＶ）
が下から順に２段に重ねられている。そして第１の処理
装置群Ｇ1と同様に，第２の処理装置群Ｇ2においても，
２台のスピンナ型処理装置，例えばレジスト塗布装置
（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２
段に重ねられている。
に，カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて
所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置，例えばレ
ジスト塗布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥＶ）
が下から順に２段に重ねられている。そして第１の処理
装置群Ｇ1と同様に，第２の処理装置群Ｇ2においても，
２台のスピンナ型処理装置，例えばレジスト塗布装置
（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２
段に重ねられている。
【００３３】第３の処理装置群Ｇ3では図３に示すよう
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブ
ン型の処理装置，例えば冷却処理を行う冷却処理装置
（ＣＯＬ），ウェハＷの位置合わせを行うアライメント
装置（ＡＬＩＭ），ウェハＷを待機させるエクステンシ
ョン装置（ＥＸＴ），加熱処理を行うプリベーキング装
置（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキング装置（ＰＯ
ＢＡＫＥ），さらにレジストとウェハＷとの定着性を高
めるための疎水化処理装置（ＡＤ）３０等が例えば８段
に重ねられている。
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブ
ン型の処理装置，例えば冷却処理を行う冷却処理装置
（ＣＯＬ），ウェハＷの位置合わせを行うアライメント
装置（ＡＬＩＭ），ウェハＷを待機させるエクステンシ
ョン装置（ＥＸＴ），加熱処理を行うプリベーキング装
置（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキング装置（ＰＯ
ＢＡＫＥ），さらにレジストとウェハＷとの定着性を高
めるための疎水化処理装置（ＡＤ）３０等が例えば８段
に重ねられている。
【００３４】これらの処理装置は配置の組合わせを自由
に変えることができる。また，処理温度の低い冷却処理
装置（ＣＯＬ），エクステンション装置（ＥＸＴ）等を
下側に配置すると共に，処理温度の高いプリベーキング
装置（ＰＲＥＢＡＫＥ），ポストベーキング装置（ＰＯ
ＢＡＫＥ）及び疎水化処理装置３０等を上側に配置する
ことによって，処理装置間の相互の熱干渉を少なくする
ことが可能となっている。
に変えることができる。また，処理温度の低い冷却処理
装置（ＣＯＬ），エクステンション装置（ＥＸＴ）等を
下側に配置すると共に，処理温度の高いプリベーキング
装置（ＰＲＥＢＡＫＥ），ポストベーキング装置（ＰＯ
ＢＡＫＥ）及び疎水化処理装置３０等を上側に配置する
ことによって，処理装置間の相互の熱干渉を少なくする
ことが可能となっている。
【００３５】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体２１が設けられている。このウェハ搬送体２１は
Ｘ方向，Ｚ方向（垂直方向）の移動及びθ方向の回転が
自在にできるように構成されており，処理ステーション
３側の第４の処理装置群Ｇ4に属するエクステンション
ユニット（ＥＸＴ）や露光装置（図示せず）側のウェハ
受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるように構成
されている。
搬送体２１が設けられている。このウェハ搬送体２１は
Ｘ方向，Ｚ方向（垂直方向）の移動及びθ方向の回転が
自在にできるように構成されており，処理ステーション
３側の第４の処理装置群Ｇ4に属するエクステンション
ユニット（ＥＸＴ）や露光装置（図示せず）側のウェハ
受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるように構成
されている。
【００３６】塗布現像処理システム１は以上のように構
成されている。次に塗布現像処理システム１内に組み込
まれた本実施の形態にかかる疎水化処理装置３０の構成
について図４及び図５に基づいて説明する。この疎水化
処理装置３０は，上側構成部材としての蓋体３１と下側
構成部材としての本体３２とから構成されている。そし
て，蓋体３１は昇降手段（図示せず）によって上下動
し，ウェハＷに対する疎水化処理は，蓋体３１と本体３
２とが接合した際に形成される処理室３３内で行われ
る。
成されている。次に塗布現像処理システム１内に組み込
まれた本実施の形態にかかる疎水化処理装置３０の構成
について図４及び図５に基づいて説明する。この疎水化
処理装置３０は，上側構成部材としての蓋体３１と下側
構成部材としての本体３２とから構成されている。そし
て，蓋体３１は昇降手段（図示せず）によって上下動
し，ウェハＷに対する疎水化処理は，蓋体３１と本体３
２とが接合した際に形成される処理室３３内で行われ
る。
【００３７】蓋体３１の上部には図４に示すように，切
換バルブ３４を備えた供給管３５の一端が接続されてお
り，この供給管３５の他端はタンク３６に接続されてい
る。このタンク３６の内部には処理液としてのＨＭＤＳ
液が貯留されており，タンク３６にはＨＭＤＳ液供給源
（図示せず）からのＨＭＤＳ液を供給するための液供給
管３７が接続されている。また，タンク３６にはバルブ
３８を備えた供給管３９の一端が接続されており，この
供給管３９の他端には，例えば窒素ガス等の搬送ガスを
供給するための搬送ガス供給源４０が接続されている。
換バルブ３４を備えた供給管３５の一端が接続されてお
り，この供給管３５の他端はタンク３６に接続されてい
る。このタンク３６の内部には処理液としてのＨＭＤＳ
液が貯留されており，タンク３６にはＨＭＤＳ液供給源
（図示せず）からのＨＭＤＳ液を供給するための液供給
管３７が接続されている。また，タンク３６にはバルブ
３８を備えた供給管３９の一端が接続されており，この
供給管３９の他端には，例えば窒素ガス等の搬送ガスを
供給するための搬送ガス供給源４０が接続されている。
【００３８】一方，本体３２の上面には図５に示すよう
に，ウェハＷを加熱するための加熱機構（図示せず）を
内蔵した環状の載置台４５が形成されている。この載置
台４５には，ウェハＷを支持するための支持ピン４６が
通過する孔４７が複数個穿設されている。また，支持ピ
ン４６の下部にはブラケット４８が接続されており，ブ
ラケット４８は昇降軸４９に接続されている。この昇降
軸４９はシリンダ５０によって上下動自在である。従っ
て，支持ピン４６はシリンダ５０の作動によって載置台
４５の上面から出没自在となるように構成されている。
これにより，支持ピン４６に支持されたウェハＷは，載
置台４５上に載置自在である。
に，ウェハＷを加熱するための加熱機構（図示せず）を
内蔵した環状の載置台４５が形成されている。この載置
台４５には，ウェハＷを支持するための支持ピン４６が
通過する孔４７が複数個穿設されている。また，支持ピ
ン４６の下部にはブラケット４８が接続されており，ブ
ラケット４８は昇降軸４９に接続されている。この昇降
軸４９はシリンダ５０によって上下動自在である。従っ
て，支持ピン４６はシリンダ５０の作動によって載置台
４５の上面から出没自在となるように構成されている。
これにより，支持ピン４６に支持されたウェハＷは，載
置台４５上に載置自在である。
【００３９】載置台４５の外周には，蓋体３１と本体３
２とを接合するための環状の基台部６０が備えられてい
る。この基台部６０の内側には凹部６１が設けられてお
り，凹部６１には図４に示した排気管６３の一端が接続
され，排気管６３の他端はエゼクタ（空気圧式真空装
置）６４に接続されている。このエゼクタ６４には駆動
用の圧力空気を供給する駆動空気供給管６５が接続され
ており，駆動空気供給管６５にはバルブ６６が設けられ
ている。
２とを接合するための環状の基台部６０が備えられてい
る。この基台部６０の内側には凹部６１が設けられてお
り，凹部６１には図４に示した排気管６３の一端が接続
され，排気管６３の他端はエゼクタ（空気圧式真空装
置）６４に接続されている。このエゼクタ６４には駆動
用の圧力空気を供給する駆動空気供給管６５が接続され
ており，駆動空気供給管６５にはバルブ６６が設けられ
ている。
【００４０】そして載置台４５外周と基台部６０内周と
の間には，例えば０．３ｍｍに設定された隙間が形成さ
れており，この隙間は基台部６０の凹部６１と通じてい
る。従って，処理室３３内部の雰囲気はエゼクタ６４の
稼働によって，載置台４５と基台部６０との間に設けら
れた隙間から凹部６１及び排気管６３を介して外部に排
気される。
の間には，例えば０．３ｍｍに設定された隙間が形成さ
れており，この隙間は基台部６０の凹部６１と通じてい
る。従って，処理室３３内部の雰囲気はエゼクタ６４の
稼働によって，載置台４５と基台部６０との間に設けら
れた隙間から凹部６１及び排気管６３を介して外部に排
気される。
【００４１】基台部６０の環状の上端面の中央部には真
空吸引口７５が設けられており，この真空吸引口７５は
真空ポンプ（図示せず）に通じており，当該真空ポンプ
（図示せず）を作動させると，真空吸引口７５から真空
引きされる。
空吸引口７５が設けられており，この真空吸引口７５は
真空ポンプ（図示せず）に通じており，当該真空ポンプ
（図示せず）を作動させると，真空吸引口７５から真空
引きされる。
【００４２】基台部６０の上端面における真空吸引口７
５を挟んだ両側には，ウェハＷの外周を全周にわたって
包囲するように形成された例えばＯリング等の外側シー
ル部材８０と内側シール部材８１とが各々設けられてい
る。外側シール部材８０と内側シール部材８１とは同心
円状に配置されている。
５を挟んだ両側には，ウェハＷの外周を全周にわたって
包囲するように形成された例えばＯリング等の外側シー
ル部材８０と内側シール部材８１とが各々設けられてい
る。外側シール部材８０と内側シール部材８１とは同心
円状に配置されている。
【００４３】外側シール部材８０は図６に示すように，
四角形の断面を有する環状の胴体部８０ａの上面に，例
えばウェハＷの外周を全周にわたり包囲するように形成
され，かつ外側に向けて仰角を持たせた環状の突起８０
ｂを有している。内側シール部材８１の上面の外周の縁
及び内周の縁には，図７に示すように，ウェハＷの外周
を全周にわたり包囲するように形成された環状の突起８
１ｂ，８１ｃがそれぞれ設けられている。そして，外側
シール部材８０の全高ｈ1は内側シール部材８１の全高
ｈ2よりも高くなるように設定されている。さらに突起
８０ｂは，胴体部８０ａの上面内周縁から仰角をもって
斜め上方に設けられている。
四角形の断面を有する環状の胴体部８０ａの上面に，例
えばウェハＷの外周を全周にわたり包囲するように形成
され，かつ外側に向けて仰角を持たせた環状の突起８０
ｂを有している。内側シール部材８１の上面の外周の縁
及び内周の縁には，図７に示すように，ウェハＷの外周
を全周にわたり包囲するように形成された環状の突起８
１ｂ，８１ｃがそれぞれ設けられている。そして，外側
シール部材８０の全高ｈ1は内側シール部材８１の全高
ｈ2よりも高くなるように設定されている。さらに突起
８０ｂは，胴体部８０ａの上面内周縁から仰角をもって
斜め上方に設けられている。
【００４４】本発明の実施の形態に係る疎水化処理装置
３０は以上のように構成されている。次に，この疎水化
処理装置３０の作用，効果について説明する。
３０は以上のように構成されている。次に，この疎水化
処理装置３０の作用，効果について説明する。
【００４５】アライメント装置（ＡＬＩＭ）によって位
置合わせが行われたウェハＷは，主搬送装置２０に保持
されて疎水化処理装置３０に搬送される。この時，疎水
化処理装置３０では蓋体３１が上に持ち上げられた状態
になっており，ウェハＷは載置台４５の支持ピン４６上
に載置される。次いで，昇降手段（図示せず）によって
蓋体３１を図８の位置から下降させる。外側シール部材
８０の全高ｈ1は内側シール部材８１の全高ｈ2よりも高
いために，先ず蓋体３１の接合部３１ａは図９に示すよ
うに，外側シール部材８０の突起８０ｂに接する。
置合わせが行われたウェハＷは，主搬送装置２０に保持
されて疎水化処理装置３０に搬送される。この時，疎水
化処理装置３０では蓋体３１が上に持ち上げられた状態
になっており，ウェハＷは載置台４５の支持ピン４６上
に載置される。次いで，昇降手段（図示せず）によって
蓋体３１を図８の位置から下降させる。外側シール部材
８０の全高ｈ1は内側シール部材８１の全高ｈ2よりも高
いために，先ず蓋体３１の接合部３１ａは図９に示すよ
うに，外側シール部材８０の突起８０ｂに接する。
【００４６】このように，接合部３１ａと突起８０ｂと
が接した状態から真空ポンプ（図示せず）を稼働させて
真空吸引口７５から真空引きする。この真空引きによっ
て蓋体３１はさらに下降して図１０に示すように，接合
部３１ａと内側シール部材８１の突起８１ｂ，８１ｃと
が接合する。この時，接合部３１ａと基台部６０の上面
及び外側シール部材８０と内側シール部材８１とによっ
て囲まれた環状の閉鎖空間が形成される。
が接した状態から真空ポンプ（図示せず）を稼働させて
真空吸引口７５から真空引きする。この真空引きによっ
て蓋体３１はさらに下降して図１０に示すように，接合
部３１ａと内側シール部材８１の突起８１ｂ，８１ｃと
が接合する。この時，接合部３１ａと基台部６０の上面
及び外側シール部材８０と内側シール部材８１とによっ
て囲まれた環状の閉鎖空間が形成される。
【００４７】この閉鎖空間を負圧にすることによって蓋
体３１が外圧に押されてさらに下降し，蓋体３１と本体
３２とが図１１に示すように，基台部６０を介して強固
に接合される。この時，蓋体３１の接合部３１ａに対し
て柔らかな突起８０ｂが全周にわたって強く密着するた
めに，蓋体３１と本体３２との接合によって形成された
処理室３３内の雰囲気が気密に維持される。
体３１が外圧に押されてさらに下降し，蓋体３１と本体
３２とが図１１に示すように，基台部６０を介して強固
に接合される。この時，蓋体３１の接合部３１ａに対し
て柔らかな突起８０ｂが全周にわたって強く密着するた
めに，蓋体３１と本体３２との接合によって形成された
処理室３３内の雰囲気が気密に維持される。
【００４８】このように，蓋体３１と本体３２とが強固
に接合した後にタンク３６の内部に供給管３９を介して
搬送ガス供給源４０からの搬送ガスを供給し，気相化し
たＨＭＤＳ液をこの搬送ガス中に混入させる。その後，
切換バルブ３４を開き，気相化したＨＭＤＳ液が混入し
た搬送ガスを供給管３５を介してウェハＷに供給し，所
定の疎水化処理を施す。
に接合した後にタンク３６の内部に供給管３９を介して
搬送ガス供給源４０からの搬送ガスを供給し，気相化し
たＨＭＤＳ液をこの搬送ガス中に混入させる。その後，
切換バルブ３４を開き，気相化したＨＭＤＳ液が混入し
た搬送ガスを供給管３５を介してウェハＷに供給し，所
定の疎水化処理を施す。
【００４９】ウェハＷに対する所定の疎水化処理が終了
した後は真空ポンプ（図示せず）の稼働を停止させ，昇
降手段（図示せず）によって蓋体３１を図８に示した上
方位置まで上昇させる。そして，このウェハＷを主搬送
装置２０に保持させて，次の冷却処理装置（ＣＯＬ）に
搬送する。
した後は真空ポンプ（図示せず）の稼働を停止させ，昇
降手段（図示せず）によって蓋体３１を図８に示した上
方位置まで上昇させる。そして，このウェハＷを主搬送
装置２０に保持させて，次の冷却処理装置（ＣＯＬ）に
搬送する。
【００５０】この実施の形態に係る疎水化処理装置３０
では，蓋体３１の接合部３１ａと基台部６０の上面及び
外側シール部材８０と内側シール部材８１とで囲まれる
閉鎖空間を真空引きすることによって，蓋体３１と本体
３２とを強固に接合させることができる。従って，従来
のようにクランプ等が不要となり，疎水化処理装置３０
をコンパクト化することが可能となる。また，塗布現像
処理システム１の小型化を図ることも可能となる。
では，蓋体３１の接合部３１ａと基台部６０の上面及び
外側シール部材８０と内側シール部材８１とで囲まれる
閉鎖空間を真空引きすることによって，蓋体３１と本体
３２とを強固に接合させることができる。従って，従来
のようにクランプ等が不要となり，疎水化処理装置３０
をコンパクト化することが可能となる。また，塗布現像
処理システム１の小型化を図ることも可能となる。
【００５１】外側シール部材８０の突起８０ｂを含めた
全高ｈ1は，内側シール部材８１の突起８１ｂ，８１ｃ
を含めた全高ｈ2よりも高く形成されており，かつ突起
８０ｂは突起８１ｂ，８１ｃよりも変形しやすく形成さ
れている。従って，真空引きによる蓋体３１の下降と共
に突起８０ｂが容易に変形し，蓋体３１と本体３２とを
容易に接合させることが可能となる。
全高ｈ1は，内側シール部材８１の突起８１ｂ，８１ｃ
を含めた全高ｈ2よりも高く形成されており，かつ突起
８０ｂは突起８１ｂ，８１ｃよりも変形しやすく形成さ
れている。従って，真空引きによる蓋体３１の下降と共
に突起８０ｂが容易に変形し，蓋体３１と本体３２とを
容易に接合させることが可能となる。
【００５２】さらに，外側シール部材８０の突起８０ｂ
は，内側シール部材８１の突起８１ｂ，８１ｃよりも柔
らかい材質から形成されているために，蓋体３１の接合
部３１ａと突起８０ｂとが強く密着した状態で，蓋体３
１と本体３２とが接合する。従って，処理室３３内の気
密性が良好に維持される。また，蓋体３１と本体３２と
の接合時には，接合部３１ａは内側シール部材８１の突
起８１ｂ，８１ｃに支えられているために，柔らかな材
質で形成される突起８０ｂの負担が軽減する。そのた
め，例えば突起８０ｂの耐久性が向上する。
は，内側シール部材８１の突起８１ｂ，８１ｃよりも柔
らかい材質から形成されているために，蓋体３１の接合
部３１ａと突起８０ｂとが強く密着した状態で，蓋体３
１と本体３２とが接合する。従って，処理室３３内の気
密性が良好に維持される。また，蓋体３１と本体３２と
の接合時には，接合部３１ａは内側シール部材８１の突
起８１ｂ，８１ｃに支えられているために，柔らかな材
質で形成される突起８０ｂの負担が軽減する。そのた
め，例えば突起８０ｂの耐久性が向上する。
【００５３】なお，この実施の形態で使用した外側シー
ル部材８０の下部に，一端が基台部６０に接続する図１
２に示すようなスプリング９０を設けるようにしてもよ
い。かかる構成によれば，外側シール部材８０の突起８
０ｂに対してスプリング９０が緩衝部材として作用す
る。このため蓋体３１と本体３２とを接合させる際に
は，突起８０ｂを痛めることがより少なくなり，耐久性
もより向上する。
ル部材８０の下部に，一端が基台部６０に接続する図１
２に示すようなスプリング９０を設けるようにしてもよ
い。かかる構成によれば，外側シール部材８０の突起８
０ｂに対してスプリング９０が緩衝部材として作用す
る。このため蓋体３１と本体３２とを接合させる際に
は，突起８０ｂを痛めることがより少なくなり，耐久性
もより向上する。
【００５４】また，この実施の形態では蓋体３１を上側
構成部材とすると共に，本体３２を下側構成部材とする
例を挙げて説明したが，本発明は係る例には限定されな
い。即ち，外側シール部材８０と内側シール部材８１と
を上側構成部材としての蓋体３１側に配置するようにし
てもよい。また，外側シール部材８０を蓋体３１側に配
置すると共に，内側シール部材８１を本体３２側に配置
するようにしてもよく，外側シール部材８０と内側シー
ル部材８１との配置をこの逆に設定してもよい。さら
に，蓋体３１側に真空吸引口７５を配置するようにして
もよい。
構成部材とすると共に，本体３２を下側構成部材とする
例を挙げて説明したが，本発明は係る例には限定されな
い。即ち，外側シール部材８０と内側シール部材８１と
を上側構成部材としての蓋体３１側に配置するようにし
てもよい。また，外側シール部材８０を蓋体３１側に配
置すると共に，内側シール部材８１を本体３２側に配置
するようにしてもよく，外側シール部材８０と内側シー
ル部材８１との配置をこの逆に設定してもよい。さら
に，蓋体３１側に真空吸引口７５を配置するようにして
もよい。
【００５５】また，基板としてウェハＷを使用した例を
挙げて説明してきたが，本発明はＬＣＤ基板を使用する
場合にも有効である。
挙げて説明してきたが，本発明はＬＣＤ基板を使用する
場合にも有効である。
【００５６】ＬＣＤ基板は一般的にウェハＷよりも大型
であり，そのためＬＣＤ基板に対して疎水化処理を行う
際にはウェハＷの場合よりも広い処理室が必要となる場
合が多い。従って，クランプ等を使用しなくても処理室
内を気密に維持することができる本発明は，ウェハの疎
水化処理の場合と同様に，ＬＣＤ基板に対する疎水化処
理に対しても効果がある。さらに，本発明は疎水化処理
のみならず，処理室内の気密性が要求される各種処理装
置に対しても適用可能である。
であり，そのためＬＣＤ基板に対して疎水化処理を行う
際にはウェハＷの場合よりも広い処理室が必要となる場
合が多い。従って，クランプ等を使用しなくても処理室
内を気密に維持することができる本発明は，ウェハの疎
水化処理の場合と同様に，ＬＣＤ基板に対する疎水化処
理に対しても効果がある。さらに，本発明は疎水化処理
のみならず，処理室内の気密性が要求される各種処理装
置に対しても適用可能である。
【００５７】
【発明の効果】請求項１〜１１に記載の発明によれば，
真空吸引口からの真空引きによって上側構成部材と下側
構成部材とを各シール部材を挟んで強固に接合させるこ
とができる。従って，従来のようなクランプ等が不要と
なり，その分だけ省スペース化を図ることができる。
真空吸引口からの真空引きによって上側構成部材と下側
構成部材とを各シール部材を挟んで強固に接合させるこ
とができる。従って，従来のようなクランプ等が不要と
なり，その分だけ省スペース化を図ることができる。
【００５８】特に請求項５，６に記載の発明によれば，
真空吸引口から真空引きすることによって外側シール部
材を内側シール部材と同じ高さになるまで容易に変形さ
せることができ，外側シール部材と上側構成部材の下面
とが強く密着する。従って，処理室内の気密性を向上さ
せることが可能となる。
真空吸引口から真空引きすることによって外側シール部
材を内側シール部材と同じ高さになるまで容易に変形さ
せることができ，外側シール部材と上側構成部材の下面
とが強く密着する。従って，処理室内の気密性を向上さ
せることが可能となる。
【００５９】特に請求項７〜１１に記載の発明によれ
ば，外側シール部材に凸部を設けたことにより，上側構
成部材の下面と凸部との密着性がより向上し，処理室内
の気密性の維持がより向上する。
ば，外側シール部材に凸部を設けたことにより，上側構
成部材の下面と凸部との密着性がより向上し，処理室内
の気密性の維持がより向上する。
【００６０】このうち請求項９に記載の発明によれば，
内側シール部材にも凸部を設けたことによって，上側構
成部材の下面と各凸部との密着性がさらに向上し，処理
室内の気密性もさらに向上する。
内側シール部材にも凸部を設けたことによって，上側構
成部材の下面と各凸部との密着性がさらに向上し，処理
室内の気密性もさらに向上する。
【００６１】そして請求項８，１０，１１の発明によれ
ば，真空吸引口からの真空引きによって上側構成部材の
下降に伴って外側シール部材の凸部が容易に変形するた
め，上側構成部材と下側構成部材との接合がより容易に
なる。しかも，上側構成部材と下側構成部材との好適な
気密の接合状態が得られる。
ば，真空吸引口からの真空引きによって上側構成部材の
下降に伴って外側シール部材の凸部が容易に変形するた
め，上側構成部材と下側構成部材との接合がより容易に
なる。しかも，上側構成部材と下側構成部材との好適な
気密の接合状態が得られる。
【図１】実施の形態に係る疎水化処理装置を有する塗布
現像処理システムを平面から見た様子を示す説明図であ
る。
現像処理システムを平面から見た様子を示す説明図であ
る。
【図２】図１の塗布現像処理システムを正面から見た様
子を示す説明図である。
子を示す説明図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムを背面から見た様
子を示す説明図である。
子を示す説明図である。
【図４】実施の形態に係る疎水化処理装置の構成の概略
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図５】図４の疎水化処理装置の蓋体と基台部とが接合
する前の装置全体の様子を示す説明図である。
する前の装置全体の様子を示す説明図である。
【図６】外側シール部材の構成を示す説明図である。
【図７】内側シール部材の構成を示す説明図である。
【図８】蓋体と基台部とが接合する前の様子を示す説明
図である。
図である。
【図９】蓋体が基台部の外側シール部材の突起と接した
様子を示す説明図である。
様子を示す説明図である。
【図１０】蓋体が基台部の外側シール部材と内側シール
部材とに接した後の様子を示す説明図である。
部材とに接した後の様子を示す説明図である。
【図１１】図４の疎水化処理装置の蓋体と基台部とが接
合した後の装置全体の様子を示す説明図である。
合した後の装置全体の様子を示す説明図である。
【図１２】図６の外側シール部材の変形例を示す説明図
である。
である。
１ 塗布現像処理システム ３０ 疎水化処理装置 ３１ 蓋体 ３２ 本体 ３３ 処理室 ６０ 基台部 ７５ 真空吸引口 ８０ 外側シール部材 ８１ 内側シール部材 ８０ｂ 突起 ８１ｂ，８１ｃ 突起 Ｃ カセット Ｗ ウェハ
Claims (11)
- 【請求項１】 処理容器を構成する上側構成部材と下側
構成部材とが，接合部に設けられたシール部材を介して
接合自在であり，かつ接合した際に内部に形成される処
理室内で，基板に対して所定の処理を施すように構成さ
れた装置において，下側構成部材の接合部には，処理室
の外周を全周にわたって囲む外側シール部材と内側シー
ル部材とが各々設けられ，下側構成部材の接合部におけ
る外側シール部材と内側シール部材との間には，真空引
き手段に通ずる真空吸引口が形成されたことを特徴とす
る処理装置。 - 【請求項２】 処理容器を構成する上側構成部材と下側
構成部材とが，接合部に設けられたシール部材を介して
接合自在であり，かつ接合した際に内部に形成される処
理室内で，基板に対して所定の処理を施すように構成さ
れた装置において，上側構成部材の接合部には，処理室
の外周を全周にわたって囲む外側シール部材と内側シー
ル部材とが各々設けられ，上側構成部材の接合部におけ
る外側シール部材と内側シール部材との間には，真空引
き手段に通ずる真空吸引口が形成されたことを特徴とす
る処理装置。 - 【請求項３】 処理容器を構成する上側構成部材と下側
構成部材とが，接合部に設けられたシール部材を介して
接合自在であり，かつ接合した際に内部に形成される処
理室内で，基板に対して所定の処理を施すように構成さ
れた装置において，下側構成部材の接合部には，処理室
の外周を全周にわたって囲む外側シール部材と内側シー
ル部材とが各々設けられ，上側構成部材の接合部におけ
る，下側構成部材の接合部の外側シール部材と内側シー
ル部材との間に対応する部分には，真空引き手段に通ず
る真空吸引口が形成されたことを特徴とする処理装置。 - 【請求項４】 処理容器を構成する上側構成部材と下側
構成部材とが，接合部に設けられたシール部材を介して
接合自在であり，かつ接合した際に内部に形成される処
理室内で，基板に対して所定の処理を施すように構成さ
れた装置において，上側構成部材の接合部には，処理室
の外周を全周にわたって囲む外側シール部材と内側シー
ル部材とが各々設けられ，下側構成部材の接合部におけ
る，上側構成部材の接合部の外側シール部材と内側シー
ル部材との間に対応する部分には，真空引き手段に通ず
る真空吸引口が形成されたことを特徴とする処理装置。 - 【請求項５】 外側シール部材の材質は内側シール部材
の材質よりも柔らかく，かつ外側シール部材の高さは，
内側シール部材の高さよりも高く設定されたことを特徴
とする請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の処理
装置。 - 【請求項６】 外側シール部材の形態は内側シール部材
よりも変形しやすい形状をなし，かつ外側シール部材の
高さは，内側シール部材の高さよりも高く設定されたこ
とを特徴とする請求項１，２，３又は４に記載の処理装
置。 - 【請求項７】 外側シール部材における接合端面には，
処理室の外周を全周にわたって囲む凸部が形成され，こ
の凸部を含めた外側シール部材の高さは内側シール部材
の高さよりも高く設定されたことを特徴とする請求項
１，２，３又は４のいずれかに記載の処理装置。 - 【請求項８】 凸部の材質は，内側シール部材の材質よ
りも柔らかいものであることを特徴とする請求項７に記
載の処理装置。 - 【請求項９】 外側シール部材及び内側シール部材にお
ける各接合端面には，処理室の外周を全周にわたって囲
む凸部が各々形成され，この凸部を含めた外側シール部
材の高さは凸部を含めた内側シール部材の高さよりも高
く設定されたことを特徴とする請求項１，２，３又は４
のいずれかに記載の処理装置。 - 【請求項１０】 外側シール部材の凸部の材質は，内側
シール部材の材質よりも柔らかいものであることを特徴
とする請求項９に記載の処理装置。 - 【請求項１１】 外側シール部材の凸部の形態は，内側
シール部材の凸部よりも変形しやすい形状をなすことを
特徴とする請求項９に記載の処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02378398A JP3323797B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 疎水化処理装置 |
| US09/235,619 US6156125A (en) | 1998-01-21 | 1999-01-21 | Adhesion apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02378398A JP3323797B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 疎水化処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214292A true JPH11214292A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3323797B2 JP3323797B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=12119933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02378398A Expired - Lifetime JP3323797B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 疎水化処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6156125A (ja) |
| JP (1) | JP3323797B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110020731A (ko) | 2009-08-24 | 2011-03-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 기억 매체 |
| KR101098535B1 (ko) | 2011-07-08 | 2011-12-26 | 신이철강주식회사 | 소수화 처리된 표면개질 흑연 분말 제조 장치 및 방법 |
| CN102314078A (zh) * | 2010-07-08 | 2012-01-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻方法 |
| US8992687B2 (en) | 2007-07-26 | 2015-03-31 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, method for processing substrate, and storage medium |
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| US20060130767A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US20060273277A1 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Heller Mark J | Plasma resistant seal assembly with replaceable barrier shield |
| KR101536257B1 (ko) * | 2009-07-22 | 2015-07-13 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 수평 흐름 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법 |
| JP5913914B2 (ja) * | 2011-11-08 | 2016-04-27 | 東京応化工業株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2764038B2 (ja) * | 1989-03-10 | 1998-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｈｍｄｓ処理装置 |
| US5252134A (en) * | 1991-05-31 | 1993-10-12 | Stauffer Craig M | Integrated delivery system for chemical vapor from non-gaseous sources for semiconductor processing |
| DE19743922C1 (de) * | 1997-10-04 | 1999-04-15 | Verschleis Schutz Technik Dr I | Verfahren zur CVD-Oberflächenbeschichtung und CVD-Reaktorsystem |
-
1998
- 1998-01-21 JP JP02378398A patent/JP3323797B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-21 US US09/235,619 patent/US6156125A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8992687B2 (en) | 2007-07-26 | 2015-03-31 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, method for processing substrate, and storage medium |
| KR20110020731A (ko) | 2009-08-24 | 2011-03-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 기억 매체 |
| US8430967B2 (en) | 2009-08-24 | 2013-04-30 | Tokyo Electron Limited | Hydrophobicizing apparatus, hydrophobicizing method and storage medium |
| CN102314078A (zh) * | 2010-07-08 | 2012-01-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻方法 |
| KR101098535B1 (ko) | 2011-07-08 | 2011-12-26 | 신이철강주식회사 | 소수화 처리된 표면개질 흑연 분말 제조 장치 및 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3323797B2 (ja) | 2002-09-09 |
| US6156125A (en) | 2000-12-05 |
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