JPH11212276A - Rinse solution for substrate for electronic parts and method for rinsing substrate for electronic parts using same - Google Patents
Rinse solution for substrate for electronic parts and method for rinsing substrate for electronic parts using sameInfo
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- JPH11212276A JPH11212276A JP2930898A JP2930898A JPH11212276A JP H11212276 A JPH11212276 A JP H11212276A JP 2930898 A JP2930898 A JP 2930898A JP 2930898 A JP2930898 A JP 2930898A JP H11212276 A JPH11212276 A JP H11212276A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品用基板のリ
ンス液、及びこのリンス液を用いた電子部品用基板のリ
ンス処理法に関する。より詳細には、本発明は、半導体
素子等の製造工程において、エッチング処理後の基板に
残存するレジストパターンを剥離液により除去したのち
の基板をリンス処理する際に有用なリンス液、及び前記
基板のリンス処理法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rinsing liquid for an electronic component substrate and a method for rinsing an electronic component substrate using the rinsing liquid. More specifically, the present invention relates to a rinsing liquid useful for rinsing a substrate after removing a resist pattern remaining on the substrate after the etching treatment with a stripping liquid in a manufacturing process of a semiconductor element or the like, and the substrate Rinsing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子の製造に
おいては、通常まずシリコンウエハーなどの基板上に酸
化膜などの薄膜を形成し、次いでその表面にホトレジス
トを均一に塗布して感光層を設けたのち、露光及び現像
処理を施してレジストパターンを形成し、続いてこのレ
ジストパターンをマスクとして、下層部の酸化膜を選択
的にエッチングしたのち、基板上のレジストパターンを
完全に除去するという工程がとられている。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices such as ICs and LSIs, usually, a thin film such as an oxide film is first formed on a substrate such as a silicon wafer, and then a photoresist is uniformly applied on the surface to provide a photosensitive layer. After that, a step of forming a resist pattern by performing exposure and development treatments, subsequently selectively etching an oxide film in a lower layer using the resist pattern as a mask, and then completely removing the resist pattern on the substrate. Has been taken.
【０００３】従来、ホトレジストパターンの除去には、
無機酸又は無機塩基を使用して除去する方法及び有機溶
剤を使用して溶解剥離除去する方法が知られているが、
無機酸又は無機塩基を使用して除去する方法は作業上危
険性を伴うので、有機溶剤を使用する方法が一般的に用
いられている。ホトレジストパターンの除去に使用され
る有機溶剤としては、例えばアルキルベンゼンスルホン
酸、芳香族炭化水素とアルキルベンゼンスルホン酸との
混合物などが知られている。しかしながら、これらの有
機溶剤を用いる方法においては、該有機溶剤によるホト
レジストパターンの溶解剥離除去後、すぐに基板を水洗
いすると、基板上に残存している剥離液中に溶解してい
るホトレジストが析出して、基板上に再付着する。した
がって、ホトレジストパターンを剥離除去後、基板を水
洗いする前に、基板をリンス処理して、基板上に残存し
ている剥離液を完全に洗い流し、該剥離液中に溶解して
いるホトレジストが基板上に再付着するのを防止する必
要がある。Conventionally, for removing a photoresist pattern,
Although a method of removing using an inorganic acid or an inorganic base and a method of dissolving and removing using an organic solvent are known,
Since the method of removing using an inorganic acid or an inorganic base involves danger in operation, a method using an organic solvent is generally used. As the organic solvent used for removing the photoresist pattern, for example, alkylbenzene sulfonic acid, a mixture of an aromatic hydrocarbon and alkylbenzene sulfonic acid, and the like are known. However, in the method using these organic solvents, after dissolving and removing the photoresist pattern by the organic solvent and immediately washing the substrate with water, the photoresist dissolved in the stripping solution remaining on the substrate is deposited. And adhere again on the substrate. Therefore, after peeling and removing the photoresist pattern, and before rinsing the substrate with water, the substrate is rinsed to completely wash away the stripping solution remaining on the substrate, and the photoresist dissolved in the stripping solution is removed from the substrate. Must be prevented from re-adhering to the surface.
【０００４】このようなリンス処理に用いられるリンス
液として、従来、トリクロロエチレン、メタノール、イ
ソプロピルアルコール、アセトン、メチルエチルケトン
などが知られている。しかし、これらのリンス液は、基
板上の剥離液の洗浄には有効ではあるが、トリクロロエ
チレンの場合、近年人体に対する有害性や廃液による環
境問題が大きくクローズアップされ、また、その他のも
のは揮発速度が速く、作業性が悪い、作業環境に悪影響
を及ぼすなど、種々の問題点を有している。また、ネガ
型のゴム系ホトレジストを用いた場合のリンス処理には
トリクロロエチレンが有効であるが、ポジ型のノボラツ
ク系ホトレジストを用いた場合のリンス処理にはトリク
ロロエチレンは効果がなく、他のリンス液を用いる必要
がある。また、逆に、メタノールなどは、リンス液とし
て、ノボラック系ホトレジストに対しては有効であるも
のの、ゴム系ホトレジストに対しては効果を示さない。
このように、従来のリンス液では、使用するホトレジス
トにより種類を変える必要があり、作業効率上極めて不
利である。As a rinsing liquid used for such a rinsing treatment, trichloroethylene, methanol, isopropyl alcohol, acetone, methyl ethyl ketone and the like are conventionally known. However, these rinsing solutions are effective for cleaning the stripping solution on the substrate, but in the case of trichlorethylene, harmfulness to the human body and environmental problems due to waste liquid have recently come to the fore. However, there are various problems such as high speed, poor workability, and adversely affecting the work environment. Trichlorethylene is effective for rinsing when a negative type rubber photoresist is used, but trichlorethylene is not effective for rinsing when a positive type novolat photoresist is used, and other rinsing liquids are used. Must be used. Conversely, methanol and the like are effective as rinsing liquids for novolak photoresists, but have no effect on rubber photoresists.
As described above, it is necessary to change the type of the conventional rinsing liquid depending on the photoresist used, which is extremely disadvantageous in work efficiency.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、半導体素子等の電子部品用基板の製造工程にお
いて、剥離液によるレジストパターン除去後の基板のリ
ンス処理に際し、リンス効果に優れ、剥離液中に溶解し
ているホトレジストの基板への再付着を防止できる新規
なリンス液及びリンス処理法を提供することにある。本
発明の他の目的は、人体に対する毒性や廃水処理などの
環境面での問題が極めて少なく、火災上の安全性にも優
れる電子部品用基板のリンス液及びリンス処理法を提供
することにある。本発明のさらに他の目的は、用いるホ
トレジストの種類に依らず使用できる、適用範囲の広い
電子部品用基板のリンス液及びリンス処理法を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate for an electronic component such as a semiconductor device, which has an excellent rinsing effect when the substrate is rinsed after removing a resist pattern with a release liquid. It is an object of the present invention to provide a novel rinsing solution and a novel rinsing method capable of preventing the photoresist dissolved in the solution from re-adhering to the substrate. Another object of the present invention is to provide a rinsing liquid and a rinsing method for an electronic component substrate, which have very few environmental problems such as toxicity to human bodies and wastewater treatment and are excellent in fire safety. . It is still another object of the present invention to provide a rinsing liquid and a rinsing method for a substrate for electronic components, which can be used regardless of the type of photoresist used.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するため鋭意研究を重ねた結果、前記基板を特定成
分を含むリンス液で処理すると、優れたリンス効果が得
られ、剥離液中に溶解しているホトレジストの基板への
再付着を防止できることを見いだし、本発明を完成し
た。すなわち、本発明は、エッチング処理後の基板に残
存するレジストパターンを剥離液で除去した後に前記基
板をリンス処理するためのリンス液であって、該リンス
液が炭酸エステルを含む電子部品用基板のリンス液を提
供する。本発明は、また、エッチング処理後の基板に残
存するレジストパターンを剥離液で除去した後に前記基
板をリンス処理する方法であって、上記記載のリンス液
を用いて基板をリンス処理する電子部品用基板のリンス
処理法を提供する。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, when the substrate is treated with a rinsing liquid containing a specific component, an excellent rinsing effect is obtained, and the stripping liquid is obtained. It has been found that the photoresist dissolved therein can be prevented from re-adhering to the substrate, and the present invention has been completed. That is, the present invention is a rinsing solution for rinsing the substrate after removing the resist pattern remaining on the substrate after the etching process with a stripping solution, wherein the rinsing solution contains a carbonate ester. Provide rinse solution. The present invention is also a method for rinsing the substrate after removing the resist pattern remaining on the substrate after the etching process with a stripping solution, wherein the substrate is rinsed using the rinsing solution described above. A method for rinsing a substrate is provided.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】［リンス液］本発明のリンス液の
特徴は炭酸エステルを含んでいる点にある。炭酸エステ
ルとしては、脂肪族炭酸エステル、脂環式炭酸エステ
ル、芳香族炭酸エステルの何れであってもよく、また、
モノエステル及びジエステルの何れであってもよい。好
ましい炭酸エステルには、下記式（１）で表される化合
物が含まれる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION [Rinse solution] The rinse solution of the present invention is characterized in that it contains a carbonate. The carbonate ester may be any of an aliphatic carbonate, an alicyclic carbonate, and an aromatic carbonate.
Any of a monoester and a diester may be used. Preferred carbonates include compounds represented by the following formula (1).
【化２】 （式中、Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なって、置換基を有
していてもよい炭化水素基又は複素環基を示し、ａ及び
ｂは、同一又は異なって、１〜６の整数を示し、ｘ及び
ｙは、同一又は異なって、０又は正の整数を示す） 炭化水素基には、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素
基、芳香族炭化水素基が含まれる。脂肪族炭化水素基と
しては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、
ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチ
ル、ドデシル、ヘキサデシル、イコシル、トリアコンチ
ル基などのアルキル基；アリル、ブテニル、ペンテニ
ル、ドデセニル、ヘキサデセニル、オクタデセニルなど
のアルケニル基；プロピニル、ヘキシニル基などのアル
キニル基などの直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素
基が挙げられる。脂肪族炭化水素基の炭素数は、例えば
１〜３０、好ましくは１〜２０、さらに好ましくは１〜
１５、特に１〜１０（例えば、１〜６）程度である。脂
環式炭化水素基としては、シクロペンチル、シクロヘキ
シル、シクロオクチルなどのシクロアルキル基；シクロ
ペンテニル、シクロへキセニルなどのシクロアルケニル
基などが挙げられる。脂環式炭化水素基の炭素数は、例
えば３〜３０、好ましくは３〜１５、さらに好ましくは
５〜８程度である。芳香族炭化水素基としては、フェニ
ル基、ナフチル基などの炭素数６〜３０、好ましくは６
〜１４程度の芳香族炭化水素基が挙げられる。Embedded image (In the formula, R 1 and R 2 are the same or different and each represents a hydrocarbon group or a heterocyclic group which may have a substituent, and a and b are the same or different and are each an integer of 1 to 6. And x and y are the same or different and each represent 0 or a positive integer.) The hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl,
Alkyl groups such as pentyl, isopentyl, hexyl, heptyl, octyl, dodecyl, hexadecyl, icosyl and triacontyl; alkenyl groups such as allyl, butenyl, pentenyl, dodecenyl, hexadecenyl and octadecenyl; alkynyl groups such as propynyl and hexynyl; A linear or branched aliphatic hydrocarbon group is exemplified. The carbon number of the aliphatic hydrocarbon group is, for example, 1 to 30, preferably 1 to 20, more preferably 1 to
15, especially about 1 to 10 (for example, 1 to 6). Examples of the alicyclic hydrocarbon group include a cycloalkyl group such as cyclopentyl, cyclohexyl, and cyclooctyl; a cycloalkenyl group such as cyclopentenyl and cyclohexenyl. The number of carbon atoms of the alicyclic hydrocarbon group is, for example, about 3 to 30, preferably about 3 to 15, and more preferably about 5 to 8. As the aromatic hydrocarbon group, a phenyl group, a naphthyl group or the like having 6 to 30 carbon atoms, preferably 6 carbon atoms.
And about 14 aromatic hydrocarbon groups.
【０００８】前記炭化水素基は置換基を有していてもよ
い。脂肪族炭化水素基の有していてもよい置換基として
は、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭
素原子など）、アリール基（ハロゲン原子、アルキル基
（例えば、炭素数１〜６程度のアルキル基）などの置換
基を有していてもよいフェニル基又はナフチル基な
ど）、複素環基（フリル、テトラヒドロフリル、チエニ
ル、ピロリル、ピロリジニル、ピリジル、ピペリジノ、
モルホリニルなどの酸素原子、硫黄原子及び窒素原子か
ら選択された１〜３個のヘテロ原子を有する５〜６員の
複素環基など）などが挙げられる。脂環式炭化水素基が
有していてもよい置換基としては、前記ハロゲン原子、
炭素数１〜１２程度（例えば、炭素数１〜６程度）のア
ルキル基などが挙げられる。芳香族炭化水素が有してい
てもよい置換基としては、炭素数１〜１２程度（例え
ば、炭素数１〜６程度）のアルキル基、炭素数１〜５程
度のアルコキシ基、前記ハロゲン原子、ニトロ基などが
挙げられる。[0008] The hydrocarbon group may have a substituent. Examples of the substituent which the aliphatic hydrocarbon group may have include, for example, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, etc.), an aryl group (a halogen atom, an alkyl group (for example, having about 1 to 6 carbon atoms) A phenyl group or a naphthyl group which may have a substituent such as an alkyl group), a heterocyclic group (furyl, tetrahydrofuryl, thienyl, pyrrolyl, pyrrolidinyl, pyridyl, piperidino,
And a 5- to 6-membered heterocyclic group having 1 to 3 hetero atoms selected from an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom such as morpholinyl. As the substituent which the alicyclic hydrocarbon group may have, the halogen atom,
Examples thereof include an alkyl group having about 1 to 12 carbon atoms (for example, about 1 to 6 carbon atoms). Examples of the substituent which the aromatic hydrocarbon may have include an alkyl group having about 1 to 12 carbon atoms (for example, about 1 to 6 carbon atoms), an alkoxy group having about 1 to 5 carbon atoms, the halogen atom, And a nitro group.
【０００９】置換基を有する炭化水素基の具体例とし
て、ハロアルキル基（トリフルオロエチル、パーフルオ
ロペンチル、パーフルオロヘキシルなど）、アラルキル
基（ベンジル、アルキルフェニルメチルなど）、複素環
基を有するアルキル基（フルフリル、テトラヒドロフル
フリル、ピリジルメチルなど）、アルキル基を有するシ
クロアルキル基（メチルシクロペンチル、メチルシクロ
ヘキシルなど）、１〜５個のアルキル基を有するフェニ
ル基（トルイル、クレジル、ノニルフェニルなど）など
が挙げられる。Specific examples of the hydrocarbon group having a substituent include a haloalkyl group (trifluoroethyl, perfluoropentyl, perfluorohexyl, etc.), an aralkyl group (benzyl, alkylphenylmethyl, etc.), and an alkyl group having a heterocyclic group. (Furfuryl, tetrahydrofurfuryl, pyridylmethyl, etc.), a cycloalkyl group having an alkyl group (methylcyclopentyl, methylcyclohexyl, etc.), a phenyl group having 1 to 5 alkyl groups (toluyl, cresyl, nonylphenyl, etc.) and the like. No.
【００１０】Ｒ1、Ｒ2における複素環基には、前記炭化
水素基が有していてもよい置換基として例示した複素環
基などが挙げられる。この複素環基は、置換基、例え
ば、前記芳香族炭化水素が有していてもよい置換基と同
様の置換基を有していてもよい。The heterocyclic group represented by R 1 and R 2 includes the heterocyclic groups exemplified as the substituent which the hydrocarbon group may have. The heterocyclic group may have a substituent, for example, a substituent similar to the substituent that the aromatic hydrocarbon may have.
【００１１】好ましいＲ1、Ｒ2には、ハロゲン原子で置
換されていてもよいアルキル基又はアルケニル基、シク
ロアルキル基、アルキルフェニル基、ベンジル基、アル
キルベンジル基などが含まれる。さらに好ましいＲ1、
Ｒ2には、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても
よい炭素数１〜３０程度（好ましくは１〜２０、さらに
好ましくは１〜１５程度）のアルキル基が含まれる。前
記ａ、ｂは、好ましくは１〜５の整数、より好ましくは
１〜４の整数である。ａ、ｂが６を越えると、その化合
物の製造工程が煩雑となる。ｘ、ｙは、好ましくは０〜
２の整数、さらに好ましくは０又は１である。Preferred R 1 and R 2 include an alkyl or alkenyl group which may be substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, an alkylphenyl group, a benzyl group, an alkylbenzyl group and the like. More preferred R 1 ,
R 2 includes an alkyl group having about 1 to 30 carbon atoms (preferably about 1 to 20, more preferably about 1 to 15) which may be substituted with a fluorine atom or a chlorine atom. A and b are preferably integers of 1 to 5, more preferably 1 to 4. When a and b exceed 6, the production process of the compound becomes complicated. x and y are preferably 0 to
It is an integer of 2, more preferably 0 or 1.
【００１２】前記式（１）で表される炭酸エステルは、
（1-1）ｘ及びｙが共に０である化合物（オキシアルキ
レン基を有しない化合物）と、（1-2）ｘ及びｙの少な
くとも一方が正の整数（例えば、１）である化合物（オ
キシアルキレン基を有する化合物）とに分類される。化
合物（1-2）は、一般に、化合物（1-1）と比較して引火
点が上昇し、安全性が向上する。The carbonate represented by the above formula (1) is
(1-1) a compound in which x and y are both 0 (compound having no oxyalkylene group) and (1-2) a compound in which at least one of x and y is a positive integer (for example, 1) Compounds having an alkylene group). Compound (1-2) generally has an increased flash point and improved safety as compared with compound (1-1).
【００１３】前記化合物（1-1）の具体例として、例え
ば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジ
イソプロピルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジ
ペンチルカーボネート、ジヘキシルカーボネート、ジヘ
プチルカーボネート、ジオクチルカーボネート、ジ（２
−エチルヘキシル）カーボネート、ジラウリルカーボネ
ート、ジトリデシルカーボネート、ジテトラデシルカー
ボネート、ジヘキサデシルカーボネート、ジ（ヘキシル
デシル）カーボネート、ジオクタデシルカーボネート、
ジエイコサニルカーボネート、ジドコサニルカーボネー
ト、ジ（オクチルドデシル）カーボネート、ジテトラコ
サニルカーボネート、ジ（トリフルオロエチル）カーボ
ネート、ジ（パーフルオロペンチルカーボネート）、ジ
（パーフルオロヘキシルカーボネート）、メチルエチル
カーボネート、メチルイソプロピルカーボネート、メチ
ルプロピルカーボネート、メチルブチルカーボネート、
メチルヘキシルカーボネート、メチルへプチルカーボネ
ート、メチルオクチルカーボネート、メチルノニルカー
ボネート、メチルデシルカーボネート、メチルドデシル
カーボネート、オクチルデシルカーボネート、ジアリル
カーボネート、ジブテニルカーボネート、ジドデセニル
カーボネート、ジオレイルカーボネート、ジエライジル
カーボネート、ジリノレイルカーボネート、ジリノレニ
ルカーボネート、ジフェニルカーボネート、ジクレジル
カーボネート、ジ（ブチルフェニル）カーボネート、ジ
（ノニルフェニル）カーボネート、ジベンジルカーボネ
ート、ジシクロヘキシルカーボネート、ジ（メチルシク
ロヘキシル）カーボネート、ジフルフリルカーボネー
ト、ジ（テトラヒドロフルフリル）カーボネートなどを
挙げることができる。Specific examples of the compound (1-1) include, for example, dimethyl carbonate, diethyl carbonate, diisopropyl carbonate, dibutyl carbonate, dipentyl carbonate, dihexyl carbonate, diheptyl carbonate, dioctyl carbonate, di (2)
-Ethylhexyl) carbonate, dilauryl carbonate, ditridecyl carbonate, ditetradecyl carbonate, dihexadecyl carbonate, di (hexyldecyl) carbonate, dioctadecyl carbonate,
Dieicosanyl carbonate, didocosanyl carbonate, di (octyldodecyl) carbonate, ditetracosanylcarbonate, di (trifluoroethyl) carbonate, di (perfluoropentylcarbonate), di (perfluorohexylcarbonate), methylethylcarbonate , Methyl isopropyl carbonate, methyl propyl carbonate, methyl butyl carbonate,
Methylhexyl carbonate, methyl heptyl carbonate, methyl octyl carbonate, methyl nonyl carbonate, methyl decyl carbonate, methyl dodecyl carbonate, octyl decyl carbonate, diallyl carbonate, dibutenyl carbonate, didedecenyl carbonate, dioleyl carbonate, dieraidyl carbonate , Dilinoleyl carbonate, dilinolenyl carbonate, diphenyl carbonate, dicresyl carbonate, di (butylphenyl) carbonate, di (nonylphenyl) carbonate, dibenzyl carbonate, dicyclohexyl carbonate, di (methylcyclohexyl) carbonate, difurfuryl carbonate, Di (tetrahydrofurfuryl) carbonate and the like can be mentioned.
【００１４】また、前記化合物（1-2）としては、例え
ば、メチル（メトキシプロピル）カーボネート、ジ（メ
トキシプロピル）カーボネート、メチル（エトキシプロ
ピル）カーボネート、ジ（エトキシプロピル）カーボネ
ート、ジ（ブトキシエチル）カーボネート、ブチル（ブ
トキシエチル）カーボネート、ブチル（ブトキシブチ
ル）カーボネート、ブトキシエチル（ブトキシプロピ
ル）カーボネート、ジ（プロポキシプロピル）カーボネ
ート、ジ（ブトキシプロピル）カーボネートなどが挙げ
られる。上記炭酸エステルは、単独で又は２種以上を混
合して使用できる。The compound (1-2) includes, for example, methyl (methoxypropyl) carbonate, di (methoxypropyl) carbonate, methyl (ethoxypropyl) carbonate, di (ethoxypropyl) carbonate, di (butoxyethyl) Examples thereof include carbonate, butyl (butoxyethyl) carbonate, butyl (butoxybutyl) carbonate, butoxyethyl (butoxypropyl) carbonate, di (propoxypropyl) carbonate, and di (butoxypropyl) carbonate. The above carbonates can be used alone or in combination of two or more.
【００１５】リンス液は、炭酸エステル単独で構成され
ていてもよいが、リンス効果が損なわれない範囲で他の
溶剤を含んでいてもよい。前記他の溶剤として、例え
ば、メタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコ
ール類；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン
類；トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類；
エーテル類；エステル類；芳香族炭化水素類などが挙げ
られる。これらの溶剤は、単独で又は２種以上を混合し
て使用することができる。リンス液中の炭酸エステルの
割合は、例えば１０〜１００重量％、好ましくは４０〜
１００重量％、さらに好ましくは７０〜１００重量％程
度である。リンス液としては、実質的に炭酸エステルの
みで構成される場合が多い。The rinsing liquid may be composed of only a carbonate ester, but may contain another solvent as long as the rinsing effect is not impaired. Examples of the other solvent include alcohols such as methanol and isopropyl alcohol; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; halogenated hydrocarbons such as trichloroethylene;
Ethers; esters; aromatic hydrocarbons and the like. These solvents can be used alone or in combination of two or more. The proportion of the carbonate in the rinsing liquid is, for example, 10 to 100% by weight, preferably 40 to 100% by weight.
It is about 100% by weight, more preferably about 70 to 100% by weight. In many cases, the rinsing liquid is substantially composed of only a carbonate ester.
【００１６】［リンス処理法］本発明のリンス処理法で
は、エッチング処理後の基板に残存するレジストパター
ンを剥離液で除去した後に、前記基板を上記のリンス液
で処理する。半導体素子などの電子部品用基板は、例え
ば、次のようにして製造される。すなわち、まず、酸化
膜などの薄膜を形成したシリコンウエハーなどからなる
基板（支持体）上に、ホトレジストを含む塗布液を均一
に塗布し、乾燥して感光層を設け、次いでこの感光層に
所望のパターンを露光したのち、現像処理を施し、さら
にポストベークしてレジストパターンを形成する。次
に、このレジストパターンをマスクとして、下層の薄膜
のうち露出した部分を選択的にエッチングした後、基板
上の該レジストパターンを剥離液により除去し、次いで
前記リンス液を用いて基板にリンス処理を施し、該剥離
液を完全に洗い流すことにより、所望の電子部品用基板
が得られる。[Rinse Treatment] In the rinse treatment of the present invention, the resist pattern remaining on the substrate after the etching treatment is removed with a stripper, and then the substrate is treated with the above rinse. A substrate for an electronic component such as a semiconductor element is manufactured, for example, as follows. That is, first, a coating solution containing a photoresist is uniformly applied on a substrate (support) made of a silicon wafer or the like on which a thin film such as an oxide film is formed, and dried to form a photosensitive layer. After exposure of the pattern, a development process is performed, and post-baking is performed to form a resist pattern. Next, using the resist pattern as a mask, the exposed portion of the lower layer thin film is selectively etched, the resist pattern on the substrate is removed with a stripping solution, and then the substrate is rinsed with the rinsing solution. Is performed, and the stripping solution is completely washed away, whereby a desired electronic component substrate is obtained.
【００１７】本発明の方法は、ネガ型ホトレジスト［例
えば、ゴム系、ポリ（フェニルホスファジン）系、ポリ
（ｐ−ビニルフェノール）系など］、及びポジ型ホトレ
ジスト［例えば、ノボラック系、ポリ（ｔ−Ｂｏｃスチ
レン）系、ポリフタルアルデヒド系、ポリカーボネート
系など］の何れに対しても適用できる。また、広範な剥
離液に対して適用可能である。代表的な剥離液として、
アルキルベンゼンスルホン酸、芳香族炭化水素又は塩素
系溶剤とアルキルベンゼンスルホン酸との混合液などの
スルホン酸系剥離液などが挙げられる。リンス液の使用
量は、基板の大きさ、ホトレジストを構成する樹脂の種
類や剥離液の種類等により適宜選択できる。The method of the present invention comprises a negative photoresist [for example, rubber type, poly (phenylphosphazine) type, poly (p-vinylphenol) type etc.], and a positive type photoresist [for example, novolak type, poly (t-type)] -Boc styrene) type, polyphthalaldehyde type, polycarbonate type, etc.]. Further, it is applicable to a wide range of stripping solutions. As a typical stripper,
Sulfonic acid-based stripping solutions such as a mixture of alkylbenzenesulfonic acid, aromatic hydrocarbon or chlorine-based solvent and alkylbenzenesulfonic acid, and the like. The amount of the rinsing liquid can be appropriately selected depending on the size of the substrate, the type of the resin constituting the photoresist, the type of the stripping liquid, and the like.
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子等の電子部
品用基板の製造工程において、剥離液によるレジストパ
ターン除去後の基板のリンス処理に際し、リンス効果に
優れ、剥離液中に溶解しているホトレジストの基板への
再付着を防止できる。また、人体に対する毒性や廃水処
理などの環境面での問題が極めて少なく、火災上の安全
性にも優れ、実用性が高い。さらに、適用範囲が広く、
剥離処理するレジストパターンがネガ型及びポジ型のい
ずれのホトレジストから形成されたものであっても有効
に使用でき、作業効率を大幅に向上できる。According to the present invention, in a process of manufacturing a substrate for an electronic component such as a semiconductor element, when a substrate is rinsed after removing a resist pattern with a stripping solution, the substrate has an excellent rinsing effect and is dissolved in the stripping solution. Of the photoresist that is present on the substrate can be prevented. In addition, there are very few environmental problems such as toxicity to the human body and wastewater treatment, excellent fire safety, and high practicality. Furthermore, the scope of application is wide,
Even if the resist pattern to be stripped is formed from either a negative type or a positive type photoresist, it can be used effectively, and the working efficiency can be greatly improved.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定され
るものではない。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００２０】実施例１〜３、比較例１〜４ シリコン基板上にポジ型ホトレジスト（ＯＦＰＲ−８０
０、東京応化工業（株）製）又はネガ型ゴム系ホトレジ
スト（ＯＭＲ−８３、東京応化工業（株）製）を、それ
ぞれ膜厚１μｍに塗布したものを準備し、それぞれ露
光、現像し、１８０℃で３０分間ポストベークを行った
後、塩素系溶剤とアルキルベンゼンスルホン酸からなる
市販の剥離液を用いて１２０℃で５分間浸漬剥離した。
次いで、表１に示すリンス液でリンス処理し、水洗して
スピンナーにより乾燥した後、リンス効果の有無を目視
により観察した。その結果を表１に示す。なお、表中、
○はリンス効果のあることを、×はリンス効果のないこ
とを表す。Examples 1-3, Comparative Examples 1-4 A positive photoresist (OFPR-80) was formed on a silicon substrate.
No. 0, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) or a negative type rubber-based photoresist (OMR-83, manufactured by Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd.) with a film thickness of 1 μm. After post-baking at 30 ° C. for 30 minutes, the substrate was immersed and peeled at 120 ° C. for 5 minutes using a commercially available stripping solution comprising a chlorine-based solvent and alkylbenzenesulfonic acid.
Next, after rinsing with a rinsing liquid shown in Table 1, washing with water and drying with a spinner, the presence or absence of a rinsing effect was visually observed. Table 1 shows the results. In the table,
O indicates that there is a rinsing effect, and X indicates that there is no rinsing effect.
【表１】 [Table 1]
Claims (3)
ストパターンを剥離液で除去した後に前記基板をリンス
処理するためのリンス液であって、該リンス液が炭酸エ
ステルを含む電子部品用基板のリンス液。1. A rinsing liquid for rinsing the substrate after removing a resist pattern remaining on the substrate after the etching treatment with a stripping liquid, wherein the rinsing liquid is a rinsing liquid for an electronic component substrate containing a carbonate ester. liquid.
請求項１記載のリンス液。 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なって、置換基を有
していてもよい炭化水素基又は複素環基を示し、ａ及び
ｂは、同一又は異なって、１〜６の整数を示し、ｘ及び
ｙは、同一又は異なって、０又は正の整数を示す）2. The rinsing solution according to claim 1, wherein the carbonate ester is represented by the following formula (1). Embedded image (In the formula, R 1 and R 2 are the same or different and each represents a hydrocarbon group or a heterocyclic group which may have a substituent, and a and b are the same or different and are each an integer of 1 to 6. And x and y are the same or different and each represent 0 or a positive integer)
ストパターンを剥離液で除去した後に前記基板をリンス
処理する方法であって、請求項１記載のリンス液を用い
て基板をリンス処理する電子部品用基板のリンス処理
法。3. A method of rinsing the substrate after removing the resist pattern remaining on the substrate after the etching process with a stripping solution, wherein the substrate is rinsed with the rinsing solution according to claim 1. Method for rinsing substrates.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2930898A JPH11212276A (en) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | Rinse solution for substrate for electronic parts and method for rinsing substrate for electronic parts using same |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2930898A JPH11212276A (en) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | Rinse solution for substrate for electronic parts and method for rinsing substrate for electronic parts using same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11212276A true JPH11212276A (en) | 1999-08-06 |
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ID=12272602
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| JP2930898A Pending JPH11212276A (en) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | Rinse solution for substrate for electronic parts and method for rinsing substrate for electronic parts using same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11212276A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008085390A2 (en) * | 2007-01-04 | 2008-07-17 | Eastman Chemical Company | Substrate cleaning processes through the use of solvents and systems |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP2930898A patent/JPH11212276A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008085390A2 (en) * | 2007-01-04 | 2008-07-17 | Eastman Chemical Company | Substrate cleaning processes through the use of solvents and systems |
| WO2008085390A3 (en) * | 2007-01-04 | 2008-10-16 | Eastman Chem Co | Substrate cleaning processes through the use of solvents and systems |
| US8021490B2 (en) | 2007-01-04 | 2011-09-20 | Eastman Chemical Company | Substrate cleaning processes through the use of solvents and systems |
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