JPH11209882A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットを向上するとともに不良基板の
発生を抑えることができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板９の膜にエッチング処理部１３０に
てエッチング処理を施す基板処理装置１００において、
搬入部１１０に第１膜厚計測部１７０ａを設けて搬出部
１２０に第２膜厚計測部１７０ｂを設ける。そして、エ
ッチング処理前の基板９の膜厚を第１膜厚計測部１７０
ａにて計測し、エッチング処理後の基板９の膜厚を第２
膜厚計測部１７０ｂにて計測する。これにより、エッチ
ング処理ごとに迅速にエッチング量を求めることができ
る。その結果、スループットを向上させるとともに不良
基板の発生を最小限に抑えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置製造
用の半導体基板や液晶パネル製造用等のガラス基板（以
下、「基板」と総称する。）の表面に形成された膜の厚
さを変化させる処理を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板にはパターン等を形成するために様
々な処理が施される。これらの処理の中には、例えばエ
ッチング処理のように基板に形成されている膜の厚さを
変化させる処理がある。ところが、基板上のパターンの
微細化の要請が近年高まってきており、このような微細
パターンの形成には膜厚を変化させる処理における膜厚
の変化量の管理が不可欠となってきた。

【０００３】そこで、例えばエッチング処理を行う場合
には基板処理装置に基板を投入する前に作業者が別途設
置されている膜厚計にて基板の膜の厚さを計測し、さら
にエッチング処理後の基板を再び膜厚計まで運搬して基
板の膜の厚さを計測するようにしている。そして、処理
前後の膜厚の差から基板に対するエッチング量を求め、
このエッチング量が適正な値となっていない場合には処
理条件を調整し直すという作業を行っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】エッチング量すなわち
膜厚変化量の上述のような管理では、処理される基板を
別途設けられた膜厚計まで作業者が運搬する必要がある
ことや計測対象となる基板やダミー基板を投入したり抜
き取ったりする必要があるために基板処理装置の運転を
停止する必要が生じる。

【０００５】また、運転の停止によるスループットの低
下を防止するために膜厚変化量の検査は１日に数回程度
の頻度でしか行われない。したがって、膜厚変化量の検
査で異常が認められた場合には前回の検査から今回の検
査までの間の多数の基板のうち、いずれの基板から不良
基板となっているのかを時間をかけて確認する必要が生
じる。

【０００６】さらに、膜厚変化量を適切に維持するには
基板に形成された膜の膜厚や膜質によって基板処理装置
の条件設定を変更する必要があるが、上記のような事情
により膜厚変化量の検査を頻繁に行うことができないの
で、ある検査から次の検査までの間に処理される基板の
膜厚等は一定のものでなければならないという制限が加
えられる。その結果、異なった膜厚等の基板が誤って処
理されてしまうとその種類の基板（複数の基板を１度に
処理するバッチ処理の場合にはそのロット内の全ての基
板）が全て不良基板となってしまうという問題が生じて
いた。

【０００７】そこで、この発明は以上のような様々な問
題を解決することができる、すなわち基板の表面に形成
された膜の厚さの変化量を適切に管理等することができ
る基板処理装置を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、基板
の表面に形成された膜の厚さを処理液を用いて変化させ
る膜厚変化処理部を含み、かつ所定の方向に１列に配置
された複数の処理部と、前記所定の方向を向く搬送経路
に沿って基板を搬送するとともに前記複数の処理部との
間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段と、前記搬送経
路中の前記膜厚変化処理部よりも前の段階と後の段階と
に相当する位置において、前記膜厚変化処理部による処
理前後の膜の厚さを計測する膜厚計測手段とを備える。

【０００９】請求項２の発明は、請求項１記載の基板処
理装置であって、前記膜厚変化処理部は、基板の表面に
形成された酸化膜の厚さを変化させるエッチング処理を
行う。

【００１０】請求項３の発明は、請求項１または２記載
の基板処理装置であって、前記膜厚計測手段からの計測
結果に基づいて前記膜厚変化処理部の処理前後における
膜の厚さの変化量を求める手段をさらに備える。

【００１１】請求項４の発明は、請求項３記載の基板処
理装置であって、求められた膜の厚さの変化量に基づい
て前記膜厚変化処理部における基板の処理条件を変更す
る変更手段をさらに備える。

【００１２】請求項５の発明は、請求項１ないし４のい
ずれかに記載の基板処理装置であって、前記膜厚計測手
段による前記膜厚変化処理部の処理前における膜の厚さ
の計測結果に基づいて膜の種類を確認する確認手段をさ
らに備える。

【００１３】請求項６の発明は、請求項５記載の基板処
理装置であって、前記確認手段による確認結果に基づい
て前記膜厚変化処理部における基板の処理条件を変更す
る。

【００１４】請求項７の発明は、請求項１ないし６のい
ずれかに記載の基板処理装置であって、前記膜厚変化処
理部よりも前の段階に相当する位置と、後の段階に相当
する位置とが互いに異なる位置にあり、前記膜厚計測手
段は、前記膜厚変化処理部よりも前の段階に相当する位
置にある基板の膜の厚さを計測する第１膜厚計測部と、
前記膜厚変化処理部よりも後の段階に相当する位置にあ
る基板の膜の厚さを計測する第２膜厚計測部とを個別に
有している。

【００１５】請求項８の発明は、請求項７記載の基板処
理装置であって、前記複数の処理部は、前記膜厚変化処
理部の処理後の基板に乾燥処理を施す乾燥処理部をさら
に含み、前記第１膜厚計測部は、前記膜厚変化処理部の
直前の段階に相当する位置に配置されており、前記第２
膜厚計測部は、前記乾燥処理部の直後の段階に相当する
位置に配置されている。

【００１６】請求項９の発明は、請求項７記載の基板処
理装置であって、前記搬送経路の起点となる搬入部と、
前記搬送経路の終点となる搬出部とをさらに備え、前記
第１膜厚計測部が前記搬入部の直後の段階に相当する位
置に配置されており、前記第２膜厚計測部が前記搬出部
の直前の段階に相当する位置に配置されている。

【００１７】請求項１０の発明は、請求項１ないし６の
いずれかに記載の基板処理装置であって、前記搬送経路
には、前記膜厚変化処理部の処理前後のいずれにおいて
も経由する共通経由位置が設定されており、前記膜厚計
測手段が、前記共通経由位置において前記膜厚変化処理
部の処理前後の双方における膜の厚さを計測する単一の
膜厚計測部として構成されている。

【００１８】請求項１１の発明は、請求項１ないし１０
のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記膜厚計
測手段が、基板の膜の厚さを計測する計測端と、計測の
際に基板に対して前記計測端が位置すべき位置情報を格
納する位置情報格納手段と、前記位置情報に基づいて前
記計測端を移動する移動手段とを有する。

【００１９】請求項１２の発明は、請求項１ないし１０
のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記膜厚計
測手段が、基板の所定範囲の画像を取得するエリアセン
サと、前記画像から基板上の計測すべき領域を決定する
領域決定手段と、前記計測すべき領域における膜の厚さ
を求める膜厚算出手段とを有する。

【００２０】

【発明の実施の形態】＜１． 第１の実施の形態＞図１
はこの発明の第１の実施の形態である基板処理装置１０
０の構成を示す平面図である。この基板処理装置１００
は半導体の基板９に対して基板９の表面に予め形成され
ている酸化膜等の膜をバッチ式にてエッチング処理する
ものである。これにより、膜厚を適正な値にまで減少さ
せるようになっている。なお、以下の説明では必要に応
じて各図に示すＸ、Ｙ、Ｚ方向を用いながら説明する。

【００２１】図１に示すように基板処理装置１００では
装置外部から基板９がキャリア９１に収容された状態で
搬入されるとともにキャリア９１から複数枚の基板９を
一括して取り出す機構を備えた搬入部１１０、基板９に
対してエッチング処理を施す３つのエッチング処理部１
３０、エッチング処理後の基板９を洗浄する洗浄処理部
１４０、洗浄後の基板９を乾燥させる乾燥処理部１５
０、および処理後の基板９をキャリア９１に収納する機
構を備えるとともに装置外部へとキャリア９１が搬出さ
れる搬出部１２０をＸ方向に１列に有している。また、
各処理部間にて基板９の搬送を行う搬送ロボット１６０
がこれらの処理部の列に沿って移動できるように配置さ
れている。さらに、搬入部１１０および搬出部１２０の
それぞれには基板９の膜の厚さを計測する第１膜厚計測
部１７０ａおよび第２膜厚計測部１７０ｂが取り付けら
れている。

【００２２】図２は基板処理装置１００における基板９
の搬送経路１００Ｃを示す模式図である。図２に示すよ
うにこの基板処理装置１００では搬送ロボット１６０に
よって搬入部１１０を起点としてＸ方向に基板９が搬送
され、搬送経路１００Ｃの終点である搬出部１２０まで
基板９が搬送される。すなわち、搬入部１１０にてキャ
リア９１から取り出された基板９は搬送ロボット１６０
に渡され、搬送ロボット１６０がＸ方向に基板９を搬送
していく間に搬送ロボット１６０がエッチング処理部１
３０、洗浄処理部１４０、乾燥処理部１５０と基板９の
受け渡しを行うことにより基板９にエッチング処理、洗
浄処理および乾燥処理が施される。そして、一連の処理
が完了した基板９は搬送ロボット１６０から搬出部１２
０に渡されてキャリア９１に収容される。

【００２３】次に基板９が図２に示す搬送経路１００Ｃ
に沿って搬送される際の基板処理装置１００の動作につ
いて図３を用いてさらに詳しく説明する。

【００２４】図３は図１に示す矢印１００Ａの方向から
基板処理装置１００を見たときの斜視図である。図３に
示すように搬入部１１０には膜厚の計測がなされていな
い未処理の基板９がキャリア９１に収容された状態で載
置される。搬入部１１０に載置された複数の基板９は搬
入部１１０の突上部１１１により突き上げられるように
してキャリア９１から取り出される。なお、この突上部
１１１には基板９を起立姿勢にて保持するための溝が形
成されている。

【００２５】キャリア９１から取り出された基板９は図
３に示すようにＹ方向に並ぶ状態となっており、この基
板９が搬送ロボット１６０の２つのハンド１６２に挟持
されて搬送ロボット１６０に渡される。そして、搬送ロ
ボット１６０のヘッド部１６１がＸ方向へと移動するこ
とにより基板９はＹ方向に並んだ状態のままでＸ方向へ
と搬送される。なお、ハンド１６２は基板９を起立姿勢
にて保持することができるように基板９の外縁部がはま
り込むための溝が形成されている。

【００２６】搬送ロボット１６０に基板９が渡されると
図１に示す３つのエッチング処理部１３０のうちのいず
れかのエッチング処理部１３０の上方まで基板９が搬送
される。ここで、図３に示すように処理槽１３１内部の
突上部１３２が上昇してハンド１６２に保持されている
基板９を突き上げるようにして基板９を受け取り、２つ
のハンド１６２の間隔が広がるとともに突上部１３２が
下降することにより基板９が処理槽１３１内部へと導か
れる。そして、基板９は処理槽１３１内部にて薬液（フ
ッ酸やバッファードフッ酸等）に浸漬されてエッチング
処理が施される。

【００２７】エッチング処理が完了すると、搬送ロボッ
ト１６０からエッチング処理部１３０に基板９が渡され
たときとは逆の動作によりエッチング処理部１３０から
搬送ロボット１６０へと基板９が渡される。その後、基
板９は洗浄処理部１４０、乾燥処理部１５０へと搬送さ
れる。なお、洗浄処理部１４０や乾燥処理部１５０と搬
送ロボット１６０との基板９の受け渡しはエッチング処
理部１３０と同様の態様で行われる。

【００２８】搬出部１２０は搬入部１１０と同様の構成
となっており、全ての処理が完了した基板９は搬入部１
１０における動作と逆の動作にて搬送ロボット１６０か
ら搬出部１２０の突上部１１１に渡され、突上部１１１
が基板９をキャリア９１へと収容する。

【００２９】以上、この発明に係る基板処理装置１００
の構成および動作を処理動作の面から説明してきたが、
次にこの基板処理装置１００における基板９の表面に形
成されている膜（酸化膜等）の計測のための構成および
動作について説明する。

【００３０】図１に示したようにこの基板処理装置１０
０では搬入部１１０および搬出部１２０のそれぞれに第
１膜厚計測部１７０ａおよび第２膜厚計測部１７０ｂが
設けられている。図３には第１膜厚計測部１７０ａと搬
入部１１０との位置関係も示している。すなわち、第１
膜厚計測部１７０ａは計測端部１７１と膜厚計１７２と
が光ファイバで接続されるようにして構成されており、
計測端部１７１は搬入部１１０にて突き上げられた基板
９のうちのひとつの基板の主面を計測するようになって
いる。また、膜厚計１７２は計測端部１７１とは離れた
位置に配置されている。なお、搬出部１２０においても
第２膜厚計測部１７０ｂが同様の状態で配置されてい
る。

【００３１】図４は第１膜厚計測部１７０ａおよび第２
膜厚計測部１７０ｂからの情報を処理する構成を示すブ
ロック図である。図４に示すようにこの基板処理装置１
００は第１膜厚計測部１７０ａおよび第２膜厚計測部１
７０ｂに接続されたエッチング量演算部１８１を有して
おり、このエッチング量演算部１８１には膜厚の変化量
であるエッチング量を表示する表示部１８２、およびエ
ッチング処理部１３０での処理条件であるエッチング条
件を補正するエッチング条件補正部１８３が接続されて
いる。さらにこのエッチング条件補正部１８３はエッチ
ング処理部１３０の動作を制御する制御部１３３のエッ
チング条件記憶手段１３３ａに接続されている。

【００３２】図４に示すように第１膜厚計測部１７０ａ
の計測端部１７１は計測の先端となるレンズ部１７３を
有しており、このレンズ部１７３と膜厚計１７２とは光
ファイバ１７４にて接続されている。レンズ部１７３は
計測時、すなわち基板９が突上部１１１により突き上げ
られた際に膜が形成されている基板９の主面９ｆと対向
するようになっており、光ファイバ１７４からの計測用
光を主面９ｆに向けて出射するとともに主面９ｆからの
反射光を光ファイバ１７４に戻す役割を果たす。また、
レンズ部１７３は駆動機構１７５により図３に示すＸ−
Ｚ面内を自在に移動することができるようになってい
る。これにより、主面９ｆの任意の部位に対して計測用
光の照射および反射光の取得が可能とされている。さら
に、駆動機構１７５は樹脂製のベローズ１７６により搬
入部１１０内部と隔離されている。

【００３３】光ファイバ１７４に接続される膜厚計１７
２は光ファイバ１７４に計測用光を供給するとともに主
面９ｆからの反射光を光ファイバ１７４から取得し、取
得された反射光を波長解析することにより主面９ｆ上の
膜の厚さを求める。

【００３４】なお、以上の第１膜厚計測部１７０ａの構
成は第２膜厚計測部１７０ｂにおいても全く同様となっ
ている。したがって、第１膜厚計測部１７０ａでは図２
に示す搬送経路１００Ｃの起点である搬入部１１０にて
キャリア９１から取り出された直後の段階に位置する基
板９の膜の厚さが計測されるが、第２膜厚計測部１７０
ｂでは搬送経路１００Ｃの終点である搬出部１２０にて
キャリア９１に収容される直前の段階に位置する基板９
の膜の厚さが計測される。また、これらの計測は本実施
の形態ではエッチング処理の直前の段階に相当する位置
における計測と乾燥処理の直後の段階に相当する位置に
おける計測にも相当している。

【００３５】次に、第１膜厚計測部１７０ａおよび第２
膜厚計測部１７０ｂ（以下、両者を区別しない場合に単
に、「膜厚計測部１７０」という。）における計測動作
について説明する。

【００３６】図５は膜厚計測部１７０の動作を制御する
構成を示すブロック図であり、図６は動作の流れを示す
流れ図である。

【００３７】駆動機構１７５はレンズ部１７３を基板９
の主面９ｆに平行な面であるＸ−Ｚ面に沿って移動させ
ることができる２軸の駆動機構となっている。そして、
この駆動機構１７５は位置制御部１８４により制御され
る。

【００３８】位置制御部１８４は基板９上の特定の領域
の位置である膜厚管理位置を記憶する膜厚管理位置記憶
部１８４ａを有しており、膜厚計測の動作の開始の際に
位置制御部１８４が膜厚管理位置記憶部１８４ａからレ
ンズ部１７３が位置すべき位置情報を読み出す（ステッ
プＳ１１）。

【００３９】図７は基板９上の膜により形成されている
パターンを示す図である。一般に、基板９上には膜厚を
管理する特定の領域としてＴＥＧ(Test Element Group)
と呼ばれる領域が設けられており、符号９２はこのよう
な領域を例示している。

【００４０】膜厚管理位置記憶部１８４ａから位置情報
が読み出されると位置制御部１８４は駆動機構１７５を
駆動し、レンズ部１７３が基板９上の領域９２の膜厚を
計測することができる位置に配置される（ステップＳ１
２）。そして、レンズ部１７３が所定の位置に配置され
ると配置完了を示す信号が膜厚計１７２へと伝えられ、
膜厚計測部１７０が領域９２の膜厚を計測する（ステッ
プＳ１３）。

【００４１】このように、この基板処理装置１００では
予め膜厚管理位置記憶部１８４ａに記憶されている膜厚
管理位置に基づいて基板９の中心や外周等の予め設定さ
れた基板パターンの特定の領域の膜厚を駆動機構１７５
および位置制御部１８４を用いて適切に計測することが
できる。したがって、処理される基板９の種類に応じて
この膜厚管理位置を変更することにより異なる種類の基
板９に対して所定の領域を直接計測できるので、効率的
で正確な膜厚の管理ができる。なお、基板９の種類の入
力は作業者による入力であってもよく、図４に示した膜
種確認部１８３ａからの入力（動作については後述）で
あってもよい。

【００４２】図８は膜厚計測部１７０の他の形態を示す
図であり、図５に対応する構成のみを示している。な
お、図５と同様の構成については同符号を付している。
また、エッチング量を演算する構成は図４に示した構成
と同様である。図９は図８に示す膜厚計測部１７０の動
作の流れを示す流れ図である。

【００４３】図８に示す膜厚計測部１７０は図５に示す
ものに対して計測端部１７１の先端がエリアセンサ１７
３ａとなっている点で大きく相違しており、膜厚計１７
２へはケーブル１７４ａを介してエリアセンサ１７３ａ
からの画像信号が送られる。また、膜厚計１７２は画像
信号を解析する計測領域決定部１７２ａおよび画像信号
に基づいて膜厚を算出する膜厚演算部１７２ｂを有して
いる。

【００４４】図８に示す膜厚計測部１７０による計測に
おいても、まず、膜厚管理位置記憶部１８４ａから位置
情報が読み出され（ステップＳ２１）、位置制御部１８
４が駆動機構１７５を制御して基板９上の所定の領域の
画像を捉えることができる位置にエリアセンサ１７３ａ
を移動する（ステップＳ２２）。エリアセンサ１７３ａ
が目的の位置に配置されると位置制御部１８４が膜厚計
１７２に配置完了の信号を送り、エリアセンサ１７３ａ
による画像の取得が行われる（ステップＳ２３）。

【００４５】エリアセンサ１７３ａが捉える基板９上の
領域は図７に示した膜厚計測専用の領域９２に限定され
るものではなく、符号９３にて示すように実際に製品と
なるデバイス構造が形成されている領域であってもよ
い。ここで、エリアセンサ１７３ａが捉えた画像は膜厚
計１７２へと送られ、計測領域決定部１７２ａが画像を
パターン解析してエリアセンサ１７３ａが所定の位置に
位置しているか否かを確認する（ステップＳ２４）。

【００４６】エリアセンサ１７３ａが所定の位置に位置
していないと判断されると、位置制御部１８４は膜厚管
理位置記憶部１８４ａから次候補の位置情報を読み出し
てエリアセンサ１７３ａを次候補の位置に移動する（ス
テップＳ２５、Ｓ２６）。その後、再度画像の取得が行
われる（ステップＳ２３）。

【００４７】エリアセンサ１７３ａが所定の位置に位置
していることが確認された場合には、計測領域決定部１
７２ａが画像中の特定のパターンを抽出して計測すべき
領域を決定する（ステップＳ２５、Ｓ２７）。図１０は
図７に示す領域９３をエリアセンサ１７３ａが撮像した
際の画像９３１の例を示している。計測領域決定部１７
２ａは画像９３１中の回路パターンからランド等のある
程度の大きさをもつ領域９３２を特定して計測すべき領
域として決定する。そして、膜厚演算部１７２ｂは決定
された領域９３２における画素濃度等の情報から基板９
上に形成されている膜の厚さを算出する（ステップＳ２
８）。

【００４８】このように、図８に示す膜厚計測部１７０
では、基板９の中心や外周等の特定の膜厚を管理する領
域のみならず、基板９上に形成されている実際のデバイ
スの構造であっても計測すべき領域を特定して正確に計
測することができる。これにより、効率的で正確な膜厚
管理が実現される。

【００４９】なお、エリアセンサ１７３ａを利用する場
合には、基板９とエリアセンサ１７３ａとの相対的な位
置関係を厳密に調整する必要がないので、駆動機構１７
５を設けずに複数種類の基板９の膜厚計測を行うことも
可能である。この場合、エリアセンサ１７３ａの移動が
行われないため、より高速な計測が実現される。

【００５０】また、広域のエリアセンサと局所的エリア
センサとを設けて、広域のエリアセンサで局所的エリア
センサが位置すべき位置を求めた後、局所的エリアセン
サで膜厚計測を行うという方法も可能である。

【００５１】また、計測端部１７１にレンズ部を設け、
膜厚計１７２にエリアセンサを設けてレンズ部とエリア
センサとを光ファイバで接続するようにしてもよい。

【００５２】以上、基板処理装置１００および膜厚計測
部１７０について説明してきたが、この基板処理装置１
００では第１膜厚計測部１７０ａおよび第２膜厚計測部
１７０ｂを設けることにより、第１膜厚計測部１７０ａ
ではエッチング処理前の基板９の膜の厚さを計測するこ
とができ、第２膜厚計測部１７０ｂではエッチング処理
後の基板９の膜の厚さを計測することができる。

【００５３】次に、基板処理装置１００における膜厚算
出後の動作について図４を参照しながら説明する。

【００５４】第１膜厚計測部１７０ａおよび第２膜厚計
測部１７０ｂにより計測された膜の厚さである計測結果
はエッチング量演算部１８１に入力される。エッチング
量演算部１８１ではこれらの膜厚の差が求められ、エッ
チング処理前後における膜厚の変化量であるエッチング
量が求められる。求められたエッチング量は基板処理装
置１００の操作や管理を行っている作業者に提示するた
めに表示部１８２にて表示される。

【００５５】エッチング量演算部１８１にて求められた
エッチング量はエッチング条件補正部１８３へも送ら
れ、エッチング量が適正な値であるか否かが確認され
る。その結果、エッチング量が適正であればそのまま基
板処理装置１００の運転が続行されるが、もしエッチン
グ量が適正でないことが明らかになった場合にはエッチ
ング条件補正部１８３がエッチング条件の変更を行う。
具体的には、薬液の濃度、成分、温度、エッチング時間
等の条件の変更を行う。

【００５６】変更されたエッチング条件はエッチング処
理部１３０のエッチング条件記憶手段１３３ａへと送ら
れて記憶される。これによりエッチング処理部１３０の
動作を制御する制御部１３３はこの変更されたエッチン
グ条件を参照しながらエッチング処理を行う。具体的に
は、処理槽１３１への各種薬液供給源を制御することに
より処理槽１３１内部の薬液の濃度、成分、温度を修正
したり、薬液の入れ替えが行われる。また、場合によっ
ては突上部１３２の降下時間が変更される。

【００５７】以上、この発明に係る基板処理装置１００
の処理動作および膜厚計測動作について説明してきた
が、この基板処理装置１００では搬入部１１０および搬
出部１２０にて基板９の膜の厚さを計測することができ
るので、基板９がキャリア９１から取り出されるごと
に、また、基板９がキャリア９１に収容されるごとに膜
厚を計測することができる。その結果、エッチング処理
が行われるごとにエッチング量の確認を行うことがで
き、不適切なエッチング処理が検出された場合であって
も当該処理に係る基板が不良となるのみであり、不良基
板が多数発生するということはない。すなわち、薬液の
寿命管理を適切に行うことができるとともにロットごと
に多少相違する膜質の基板が投入されても不良基板の発
生を最小限に抑えることができる。

【００５８】また、この基板処理装置１００では膜厚計
測が基板９の搬送途上で自動的に行われるので、従来の
ように基板処理装置を停止させて作業者が基板を膜厚計
まで運ぶという煩わしさや時間の無駄が生じない。その
結果、スループットの向上を図ることができる。

【００５９】次に、この基板処理装置１００の他の利用
態様について説明する。

【００６０】上述のエッチング量確認の動作では図４に
示すように第１膜厚計測部１７０ａからの膜厚計測結果
がエッチング量演算部１８１に入力されるが、さらに破
線の矢印にて示すようにエッチング条件補正部１８３内
の膜種確認部１８３ａに入力することにより次のような
動作が可能となる。

【００６１】まず、第１膜厚計測部１７０ａにより計測
される処理前の基板９の膜の厚さからこれから処理され
る基板９の膜厚や膜質とエッチング処理部１３０の処理
状態とが適合しているか否かを膜種確認部１８３ａに予
め確認させる。これにより、不適切なエッチング処理が
未然に防止され、不良基板の発生を防ぐことが可能とな
る。

【００６２】次に、処理前の基板９の膜の厚さ等の確認
結果から膜厚や膜質と処理条件とが適合していないと判
断され、かつ所定の他の処理条件に適合する膜種である
と判断された場合には、エッチング条件補正部１８３が
エッチング処理部１３０の処理条件を適切なものに変更
する。これにより、複数種類の膜厚や膜質に対して自動
的に適切な処理を施すことが可能となる。

【００６３】例えば、２種類の膜厚の基板９の処理に対
応できる基板処理装置１００がこれらの基板９のうちの
１種類のものについて連続処理を行っている際に、他の
１種類の基板９が誤って混入されていたとしても、第１
膜厚計測部１７０ａからの膜厚計測結果から膜種確認部
１８３ａが現在の処理条件で処理すべき基板９ではない
と判断する。さらに、他の１種類の基板９であると膜厚
計測結果から確認できたときにはエッチング条件補正部
１８３がエッチング条件記憶手段１３３ａの内容を変更
し、他の１種類の基板９の処理が続行される。

【００６４】このように、この基板処理装置１００は基
板９が処理されるごとにエッチング量の確認ができるの
みならず、複数種類の膜質の基板９に対するエッチング
処理に自動的に適切に対応することもできる。

【００６５】＜２． 第２の実施の形態＞図１１はこの
発明に係る第２の実施の形態である基板処理装置２００
の構成を示す平面図である。基板処理装置２００は予め
表面に膜が形成されている基板９に対して枚葉式にてエ
ッチング処理を施す装置である。

【００６６】図１１に示すようにこの基板処理装置２０
０は処理前の基板９をキャリア９１に収容した状態で配
置しておく搬入部２１０、基板９に形成されている膜に
エッチング処理を施すエッチング処理部２３０、エッチ
ング処理後の基板９を洗浄する洗浄処理部２４０、洗浄
後の基板９を乾燥する乾燥処理部２５０、および一連の
処理が完了した基板９をキャリア９１に収容しておく搬
出部２２０を図１１中に示すＸ方向に１列に並んだ状態
で有している。また、これらの各処理部等の間には基板
９の搬送を行うための搬送ロボット２６０が配置されて
いる。さらに、エッチング処理部２３０は薬液供給源２
３１に接続されており、洗浄処理部２４０は洗浄液供給
源２４１に接続されている。なお、エッチング処理部２
３０、洗浄処理部２４０および乾燥処理部２５０はそれ
ぞれ枚葉式の処理部となっており、基板９を主面に平行
な面内にて回転させながら、薬液や洗浄液の付与等をす
る回転式の処理部となっている。

【００６７】さらに、この基板処理装置２００では搬入
部２１０とエッチング処理部２３０との間の搬送ロボッ
ト２６０の上方に基板９の表面に形成された膜の膜厚を
計測する第１膜厚計測部１７０ａを有しており、乾燥処
理部２５０と搬出部２２０との間の搬送ロボット２６０
の上方には第２膜厚計測部１７０ｂを有している。これ
らの膜厚計測部は第１の実施の形態と同様のものであ
り、以下同様の符号を付して示す。

【００６８】図１２は図１１に示した基板処理装置２０
０での基板９の搬送経路２００Ｃを示す図である。図１
２に示すようにこの基板処理装置２００では、搬送経路
２００Ｃは搬入部２１０を起点とし、各処理部等の配列
方向であるＸ方向に沿って搬出部２２０を終点としてい
る。

【００６９】また、第１膜厚計測部１７０ａは搬入部２
１０から取り出された直後の段階にに配置されており、
第２膜厚計測部１７０ｂは搬出部２２０に収容される直
前の段階に配置されている。これらはエッチング処理の
直前の段階、乾燥処理直後の段階にそれぞれ対応してい
る。

【００７０】図１３は図１１中に示す矢印２００Ａの方
向から基板処理装置２００を見たときの様子を示す斜視
図である。搬入部２１０に隣接する搬送ロボット２６０
は搬入部２１０内のキャリア９１から基板９を１枚ずつ
取り出し、取り出された基板９は第１膜厚計測部１７０
ａの計測端部１７１の下方へと搬送される。そして、処
理前の基板９の膜の厚さが第１の実施の形態と同様の動
作にて第１膜厚計測部１７０ａの膜厚計１７２により計
測される。

【００７１】膜厚計測が完了すると搬送ロボット２６０
により基板９はエッチング処理部２３０内の回転台２３
２に載置され、ここでＺ方向を向く軸を中心として回転
されながらノズル２３４から薬液が付与される。これに
より、基板９の表面に形成されている膜にエッチング処
理が施される。なお、基板９に付与された薬液のうち余
剰のものは基板９から飛散して、回転台２３２の側方周
囲を取り囲むカップ２３３に回収される。

【００７２】以上が第１膜厚計測部１７０ａによる処理
前の基板９の膜の厚さを計測する様子の説明であるが、
乾燥処理部２５０と搬出部２２０との間に配置されてい
る搬送ロボット２６０の上方の第２膜厚計測部１７０ｂ
も同様の態様にて処理後の基板９の膜の厚さを計測す
る。

【００７３】このようにして計測される処理前後の基板
９の膜の厚さは図４に示した第１の実施の形態と同様の
構成により処理される。すなわち、処理前後の膜厚の差
からエッチング量演算部１８１によりエッチング量が求
められ、このエッチング量が不適切なものであった場合
にはエッチング条件補正部１８３が処理条件の補正を行
う。そして、補正されたエッチング条件がエッチング処
理部２３０の制御部内のエッチング条件記憶手段に記憶
される。その結果、図１１に示した薬液供給源２３１か
らの薬液の濃度、成分、温度、量等が調節されて次に処
理される基板９に適切な処理が施される。

【００７４】また、図４中破線の矢印にて示すように第
１膜厚計測部１７０ａからの膜厚計測結果に基づいて膜
種確認部１８３ａが処理条件を予め確認したり、エッチ
ング条件補正部１８３が処理条件を変更したりすること
ができるのは第１の実施の形態と同様である。

【００７５】以上のように、この基板処理装置２００で
はエッチング処理部２３０の前の段階と後の段階とに相
当する位置における基板９の膜の厚さを計測することが
できるように第１膜厚計測部１７０ａおよび第２膜厚計
測部１７０ｂを配置しているので、各基板９が処理され
るごとにエッチング量の確認をすることができ、万一不
適切なエッチング処理が行われたとしても迅速に発見す
ることができる。そして、エッチング条件補正部１８３
の作用により、不適切なエッチング処理が発見された場
合には自動的に迅速に処理条件の補正がなされる。

【００７６】また、これらの膜厚計測部は搬送経路２０
０Ｃ上に配置されているので、膜厚計測のためにスルー
プットが低下してしまうこともない。

【００７７】さらに、第１の実施の形態と同様に膜種確
認部１８３ａにて第１膜厚計測部１７０ａからの未処理
基板の膜の厚さを確認することにより、不適切なエッチ
ング処理を未然に防止したり、処理条件の自動変更も可
能である。

【００７８】＜３． 第３の実施の形態＞図１４はこの
発明に係る第３の実施の形態である基板処理装置３００
の構成を示す平面図である。

【００７９】この基板処理装置３００はバッチ式にて基
板９にエッチング処理を施すものであり、基板９をキャ
リア９１に収容した状態で載置しておくインデクサ部３
１０、インデクサ部３１０からのキャリア９１が移載さ
れて基板９を出し入れする出入部３４０、基板９にエッ
チング処理や洗浄処理を施す３つの浸漬処理部３３０、
処理された基板９を乾燥する乾燥処理部３５０を有して
いる。また、３つの浸漬処理部３３０および乾燥処理部
３５０は図１４中に示すＸ方向に１列に配置されてい
る。

【００８０】出入部３４０にはキャリア９１から基板９
が出し入れされる際に基板９の膜の厚さを計測すること
ができるように単一の膜厚計測部３７０が取り付けられ
ている。

【００８１】図１５はこの基板処理装置３００における
基板９の搬送経路３００Ｃを示す図である。キャリア移
載ロボット３１１により基板９はキャリア９１ごと出入
部３４０へと移載され、出入部３４０にて搬送ロボット
３６０に渡される。搬送ロボット３６０は基板９をいず
れかの浸漬処理部３３０へと搬送して渡し、浸漬処理部
３３０は基板９を処理液に浸漬した状態で基板９に対し
てエッチング処理および洗浄処理を施す。

【００８２】エッチング処理および洗浄処理が完了する
と基板９が再び搬送ロボット３６０へと渡され、搬送ロ
ボット３６０は基板９を乾燥処理部３５０に渡す。乾燥
処理部３５０では基板９に対して乾燥処理が施され、乾
燥処理が完了すると基板９が再び搬送ロボット３６０に
渡される。そして、搬送ロボット３６０は出入部３４０
へと基板９を渡して出入部３４０が基板９をキャリア９
１へと収容する。

【００８３】以上が基板処理装置３００におけるエッチ
ング処理の動作であるが、この基板処理装置３００では
基板９の搬送経路３００Ｃがエッチング処理の前後の段
階にて共通して経由する出入部３４０の位置に膜厚計測
部３７０が配置されている。図１６は図１４中に示す矢
印３００Ａから基板処理装置３００を見たときの斜視図
である。

【００８４】出入部３４０と搬送ロボット３６０との基
板９の受け渡しは出入部３４０の突上部３４１と搬送ロ
ボット３６０の２枚の板状のハンド３６１との協調動作
により行われる。すなわち、突上部３４１は基板９をキ
ャリア９１から出し入れする昇降動作を行い、ハンド３
６１はＹ方向を向く軸を中心として回転して突き上げら
れた基板９の外縁部を保持する。なお、ハンド３６１に
は基板９を起立姿勢にて保持することができるように溝
が形成されている。また、図１６に示すように浸漬処理
部３３０の処理槽３３１内部にも突上部３３２が設けら
れており、浸漬処理部３３０と搬送ロボット３６０との
基板９の受け渡しも突上部３３２とハンド３６１との同
様の協調動作により行われる。乾燥処理部３５０につい
ても同様である。

【００８５】膜厚計測部３７０は第１の実施の形態にお
ける第１膜厚計測部１７０ａや第２膜厚計測部１７０ｂ
と同様の構成となっており、光ファイバ等によって接続
されている計測端部３７１および膜厚計３７２とを有し
ている。

【００８６】計測端部３７１は出入部３４０の突上部３
４１により突き上げられた状態の基板９の膜の厚さを計
測することができるように出入部３４０の上方にて搬送
ロボット３６０に対向するように配置されている。すな
わち、図１５に示す搬送経路３００Ｃ上のエッチング処
理前後の共通経由位置３００Ｐに位置する基板９に対し
て計測できるように配置されている。したがって、膜厚
計測部３７０はキャリア９１から取り出される未処理の
基板９の膜の厚さが計測できるとともにキャリア９１へ
と収容される処理済の基板９の膜の厚さも計測できる。

【００８７】図１７は膜厚計測部３７０にて計測された
膜厚計測結果を処理するための構成を示すブロック図で
ある。なお、膜厚計測部３７０の構成は第１の実施の形
態における第１膜厚計測部１７０ａと同様であるため適
宜同様の符号を付して示している。

【００８８】基板処理装置３００における膜厚計測動作
およびその処理は第１の実施の形態である基板処理装置
１００における第１膜厚計測部１７０ａおよび第２膜厚
計測部１７０ｂの計測動作を１つの膜厚計測部３７０に
おいて行っているという点を除いて同様である。すなわ
ち、膜厚計測部３７０による処理前の基板９の膜の厚さ
と処理後の基板９の膜の厚さがともにエッチング量演算
部３８１に入力されてエッチング量が演算され、その結
果が表示部３８２にて表示される。

【００８９】また、求められたエッチング量はエッチン
グ条件補正部３８３にて確認され、適切なエッチング処
理が行われていない場合にはエッチング条件補正部３８
３がエッチング条件を補正してこの補正後のエッチング
条件が浸漬処理部３３０の制御部３３３内のエッチング
条件記憶手段３３３ａに記憶される。これにより、浸漬
処理部３３０における薬液の濃度、成分、温度、薬液か
ら洗浄液への切替時間等が調整される。

【００９０】さらに、図１７中破線の矢印にて示すよう
に膜厚計測部３７０により計測された処理前の基板９の
膜の厚さが膜種確認部３８３ａにて確認されることによ
り、これから処理しようとしている基板９の膜厚や膜質
と浸漬処理部３３０の処理条件とが適合しているか否か
が確認され、必要ならばエッチング条件補正部３８３に
よる処理条件の変更が行われる。

【００９１】以上のように、この基板処理装置３００で
は図１５に示す搬送経路３００Ｃ上のエッチング処理前
後の共通経由位置３００Ｐである出入部３４０の上方に
膜厚計測部３７０を設けているので、１つの膜厚計測部
３７０で処理前後の基板９の膜の厚さを計測することが
でき、基板９の処理ごとにエッチング量を確認すること
ができるとともに不良基板の発生を最小限に抑えること
ができる。

【００９２】また、この基板処理装置３００に設けられ
る膜厚計測部３７０は１つであることから膜厚計測部を
２つ設ける場合に比べて基板処理装置３００の価格の低
減を図ることができる。

【００９３】また、搬送経路３００Ｃ上に膜厚計測部３
７０が配置されていることから膜厚の計測動作を迅速に
行うことができ、スループットが低下するということも
ない。

【００９４】さらに、連続処理している基板９に異種の
膜が形成されている基板９が投入されたとしても、不良
基板の発生を未然に防止するとともに適切な処理条件へ
と自動的に変更することができる。

【００９５】＜４． 変形例＞以上、この発明に係る基
板処理装置について説明してきたが、この発明は上記実
施の形態に限定されるものではなく様々な変更が可能で
ある。

【００９６】例えば、上記実施の形態ではエッチング処
理を行う基板処理装置について説明したが、予め基板の
表面に膜が形成されているとともにこの膜の厚さを処理
液を用いる等して変化させる処理を行う装置であるなら
ば本発明は利用可能である。

【００９７】また、第１および第２の実施の形態では、
別個独立の２つの膜厚計測部を設けているが、完全に独
立なものである必要はない。例えば、計測端部１７１は
２つ設けられているが膜厚計１７２は共通して用いられ
るような構成となっていてもよい。

【００９８】また、第１膜厚計測部１７０ａは未処理の
基板９の膜の厚さを計測できるのであるならば、すなわ
ち搬送経路中において膜厚を変化させる処理よりも前の
段階に相当する位置にある基板に対して計測できるので
あるならばどこに配置されていてもよく、第２膜厚計測
部１７０ｂは処理済の基板９の膜の厚さを計測できるの
であるならば、すなわち膜厚を変化させる処理よりも後
の段階に相当する位置にある基板に対して計測できるの
であるならばどこに配置されていてもよい。

【００９９】さらに、第３の実施の形態では出入部３４
０に膜厚計測部３７０を配置しているが、搬送経路３０
０Ｃ上のエッチング処理前後の共通経由位置であればど
こに配置してもよい。例えば、乾燥処理部３５０の上方
に配置するようにしてもよい。また、膜厚計測部３７０
を１つではなく第１の実施の形態のように２つ設けるよ
うにしてももちろんよい。

【０１００】

【発明の効果】請求項１ないし１２記載の発明では、基
板の搬送途上において膜厚変化処理部の処理前後におけ
る基板の表面に形成された膜の厚さを計測することがで
きる。これにより、スループットを低下させることなく
処理前後の膜の厚さを計測することができる。

【０１０１】また、請求項３記載の発明では処理が行わ
れるごとに膜の厚さの変化量を求めることができるの
で、適切な処理が行われているかどうかを迅速に確認す
ることができる。これにより、不適切な処理条件が放置
されることはなく、不良基板の発生を最小限に抑えるこ
とができる。

【０１０２】また、請求項４記載の発明では、膜の厚さ
の変化量に基づいて基板の処理条件を変更することがで
きるので、不適切な処理条件を迅速に補正することがで
きる。

【０１０３】また、請求項５記載の発明では、処理前に
膜の種類を確認することができるので、不適切な処理を
未然に防止することができ、不良基板の発生を防ぐこと
ができる。

【０１０４】また、請求項６記載の発明では、確認結果
に基づいて基板の処理条件を変更するので、複数種類の
膜厚等の基板に対しても適切に処理を行うことができ
る。

【０１０５】また、請求項１０記載の発明では、単一の
膜厚計測部で膜厚変化処理部の処理前後の基板の表面に
形成された膜の厚さを計測することができるので、基板
処理装置の価格の低減を図ることができる。

【０１０６】また、請求項１１記載の発明では、位置情
報に基づいて基板上の適切な位置で膜の厚さを計測する
ことができる。

【０１０７】また、請求項１２記載の発明では、画像か
ら基板上の計測すべき領域を決定するので、正確な膜厚
計測を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態である基板処理装
置を示す平面図である。

【図２】図１に示す基板処理装置における基板の搬送経
路を示す図である。

【図３】膜厚計測部の設置位置の様子を示す斜視図であ
る。

【図４】膜厚計測結果を処理する構成を示すブロック図
である。

【図５】膜厚計測部の動作を制御する構成を示すブロッ
ク図である。

【図６】膜厚計測の際の動作の流れを示す流れ図であ
る。

【図７】基板上の計測領域を示す図である。

【図８】膜厚計測部の動作を制御する構成の他の例を示
すブロック図である。

【図９】膜厚計測の際の動作の流れの他の例を示す流れ
図である。

【図１０】デバイス構造の例を示す図である。

【図１１】この発明の第２の実施の形態である基板処理
装置を示す平面図である。

【図１２】図１１に示す基板処理装置における基板の搬
送経路を示す図である。

【図１３】膜厚計測部の設置位置の様子を示す斜視図で
ある。

【図１４】この発明の第３の実施の形態である基板処理
装置を示す平面図である。

【図１５】図１４に示す基板処理装置における基板の搬
送経路を示す図である。

【図１６】膜厚計測部の設置位置の様子を示す斜視図で
ある。

【図１７】膜厚計測結果を処理する構成を示すブロック
図である。

【符号の説明】

９ 基板 １００、２００、３００ 基板処理装置 １００Ｃ、２００Ｃ、３００Ｃ 搬送経路 １１０、２１０ 搬入部 １２０、２２０ 搬出部 １３０、２３０ エッチング処理部 １４０、２４０ 洗浄処理部 １５０、２５０、３５０ 乾燥処理部 １６０、２６０、３６０ 搬送ロボット １７０ａ 第１膜厚計測部 １７０ｂ 第２膜厚計測部 １７２ａ 計測領域決定部 １７２ｂ 膜厚演算部 １７３ レンズ部 １７３ａ エリアセンサ １７５ 駆動機構 １８１、３８１ エッチング量演算部 １８３、３８３ エッチング条件補正部 １８３ａ、３８３ａ 膜種確認部 １８４ 位置制御部 １８４ａ 膜厚管理位置記憶部 ３００Ｐ 共通経由位置 ３３０ 浸漬処理部 ３７０ 膜厚計測部 ９３１ 画像

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対して所定の処理を行う基板処理
   装置であって、 基板の表面に形成された膜の厚さを処理液を用いて変化
   させる膜厚変化処理部を含み、かつ所定の方向に１列に
   配置された複数の処理部と、 前記所定の方向を向く搬送経路に沿って基板を搬送する
   とともに前記複数の処理部との間で基板の受け渡しを行
   う基板搬送手段と、 前記搬送経路中の前記膜厚変化処理部よりも前の段階と
   後の段階とに相当する位置において、前記膜厚変化処理
   部による処理前後の膜の厚さを計測する膜厚計測手段
   と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置であって、 前記膜厚変化処理部は、基板の表面に形成された酸化膜
   の厚さを変化させるエッチング処理を行うことを特徴と
   する基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の基板処理装置で
   あって、 前記膜厚計測手段からの計測結果に基づいて前記膜厚変
   化処理部の処理前後における膜の厚さの変化量を求める
   手段、をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３記載の基板処理装置であって、 求められた膜の厚さの変化量に基づいて前記膜厚変化処
   理部における基板の処理条件を変更する変更手段、をさ
   らに備えることを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の基
   板処理装置であって、 前記膜厚計測手段による前記膜厚変化処理部の処理前に
   おける膜の厚さの計測結果に基づいて膜の種類を確認す
   る確認手段、をさらに備えることを特徴とする基板処理
   装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の基板処理装置であって、 前記確認手段による確認結果に基づいて前記膜厚変化処
   理部における基板の処理条件を変更することを特徴とす
   る基板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の基
   板処理装置であって、 前記膜厚変化処理部よりも前の段階に相当する位置と、
   後の段階に相当する位置とが互いに異なる位置にあり、 前記膜厚計測手段は、 前記膜厚変化処理部よりも前の段階に相当する位置にあ
   る基板の膜の厚さを計測する第１膜厚計測部と、 前記膜厚変化処理部よりも後の段階に相当する位置にあ
   る基板の膜の厚さを計測する第２膜厚計測部と、を個別
   に有していることを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項７記載の基板処理装置であって、 前記複数の処理部は、前記膜厚変化処理部の処理後の基
   板に乾燥処理を施す乾燥処理部をさらに含み、 前記第１膜厚計測部は、前記膜厚変化処理部の直前の段
   階に相当する位置に配置されており、 前記第２膜厚計測部は、前記乾燥処理部の直後の段階に
   相当する位置に配置されていることを特徴とする基板処
   理装置。
9. 【請求項９】 請求項７記載の基板処理装置であって、 前記搬送経路の起点となる搬入部と、 前記搬送経路の終点となる搬出部と、をさらに備え、 前記第１膜厚計測部が前記搬入部の直後の段階に相当す
   る位置に配置されており、 前記第２膜厚計測部が前記搬出部の直前の段階に相当す
   る位置に配置されていることを特徴とする基板処理装
   置。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし６のいずれかに記載の
    基板処理装置であって、 前記搬送経路には、前記膜厚変化処理部の処理前後のい
    ずれにおいても経由する共通経由位置が設定されてお
    り、 前記膜厚計測手段が、前記共通経由位置において前記膜
    厚変化処理部の処理前後の双方における膜の厚さを計測
    する単一の膜厚計測部として構成されていることを特徴
    とする基板処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項１ないし１０のいずれかに記載
    の基板処理装置であって、 前記膜厚計測手段が、 基板の膜の厚さを計測する計測端と、 計測の際に基板に対して前記計測端が位置すべき位置情
    報を格納する位置情報格納手段と、 前記位置情報に基づいて前記計測端を移動する移動手段
    と、を有することを特徴とする基板処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項１ないし１０のいずれかに記載
    の基板処理装置であって、 前記膜厚計測手段が、 基板の所定範囲の画像を取得するエリアセンサと、 前記画像から基板上の計測すべき領域を決定する領域決
    定手段と、 前記計測すべき領域における膜の厚さを求める膜厚算出
    手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。