JPH11195568A

JPH11195568A - 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法

Info

Publication number: JPH11195568A
Application number: JP36101297A
Authority: JP
Inventors: Kazutaka Yanagida; 一隆柳田; Kiyobumi Sakaguchi; 清文坂口; Kazuaki Omi; 和明近江; Takao Yonehara; 隆夫米原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-12-26
Filing date: 1997-12-26
Publication date: 1999-07-21

Abstract

(57)【要約】【課題】多孔質層を有する基板を該多孔質層で分離する
装置を提供する。【解決手段】多孔質層１０１ｂを有する貼り合わせ基板
１０１を基板保持部１２０及び１５０により回転させな
がら支持する。ノズル１０２から高速、高圧の水（ジェ
ット）を噴射し、そのジェットを貼り合わせ基板１０１
に挟入させる。基板保持部１２０，１５０は、貼り合わ
せ基板１０１が中心部付近が、内部に注入される水の圧
力により膨張し得るように該貼り合わせ基板１０１を保
持する。これにより、貼り合わせ基板１０１に対して内
側から外側に向かう力（分離力）を効率的に作用させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、試料の分離装置及
びその方法並びに基板の製造方法に係り、特に、内部に
脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分
離装置及びその方法、該装置において使用する試料の支
持装置、並びに、該分離装置を使用した基板の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】絶縁層上に単結晶Ｓｉ層を有する基板と
して、ＳＯＩ（silicon on insulator）構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では達成し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。（１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。（２）放射線耐性に優れている。（３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。（４）ウェル工程が不要である。（５）ラッチアップを防止できる。（６）薄膜化による完全な空乏型電解効果トランジスタ
の形成が可能である。

【０００３】ＳＯＩ構造は、上記のような様々な優位点
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められてきた。

【０００４】ＳＯＩ技術としては、古くは、単結晶サフ
ァイア基板上にＳｉをＣＶＤ（化学気層成長）法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するＳＯＳ（silicon on s
apphire）技術が知られている。このＳＯＳ技術は、最
も成熟したＳＯＩ技術として一応の評価を得たものの、
Ｓｉ層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニウムのＳｉ層への混入、基板の価格、大
面積化への遅れ等の理由により実用化が進んでいない。

【０００５】ＳＯＳ技術に次いで、ＳＩＭＯＸ（separa
tion by ion implanted oxygen）技術が登場した。この
ＳＩＭＯＸ技術に関して、結晶欠陥の低減や製造コスト
の低減等を目指して様々な方法が試みられてきた。この
方法としては、基板に酸素イオンを注入して埋め込み酸
化層を形成する方法、酸化膜を挟んで２枚のウェハを貼
り合わせて一方のウェハを研磨又はエッチングして、薄
い単結晶Ｓｉ層を酸化膜上に残す方法、更には、酸化膜
が形成されたＳｉ基板の表面から所定の深さに水素イオ
ンを打ち込み、他方の基板と貼り合わせた後に、加熱処
理等により該酸化膜上に薄い単結晶Ｓｉ層を残して、貼
り合わせた基板（他方の基板）を剥離する方法等が挙げ
られる。

【０００６】本出願人は、特開平５−２１３３８号にお
いて、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、多孔
質層が形成された単結晶半導体基板上に非多孔質単結晶
層（ＳｉＯ₂）を形成した第１の基板を、絶縁層（Ｓｉ
Ｏ₂）を介して第２の基板に貼り合わせ、その後、多孔
質層で両基板を分離し、第２の基板に非多孔質単結晶層
を移し取るものである。この技術は、ＳＯＩ層の膜厚均
一性が優れていること、ＳＯＩ層の結晶欠陥密度を低減
し得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が良好であること、
高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数１００
Å〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を有するＳＯＩ基板
を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れてい
る。

【０００７】更に、本出願人は、特開平７−３０２８８
９号において、上記の第１の基板と第２の基板とを貼り
合わせた後に、第１の基板を破壊することなく第２の基
板から分離し、その後、分離した第１の基板の表面を平
滑にして再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術
を開示した。この技術は、第１の基板を無駄なく使用で
きるため、製造コストを大幅に低減することができ、製
造工程も単純であるという優れた利点を有する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記の技術において
は、貼り合わせた２枚の基板を分離する際に、両基板の
破損がなく、また、パーティクルの発生による基板や製
造装置等の汚染が少ないことが要求される。

【０００９】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、基板等の試料の分離に好適な分離装置及びそ
の方法、該分離装置において使用する試料の支持装置、
並びに、該分離装置を使用した基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る試料の分離
装置は、内部に脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な
層で分離する分離装置であって、試料に向けて流体を噴
射する噴射部と、試料を両側から挟むようにして保持す
る対向する一対の保持部とを備え、前記一対の保持部
は、前記噴射部から噴射され試料内部に注入された流体
の圧力により該試料の中央部付近が膨張し得るように該
試料を保持することを特徴とする。

【００１１】本発明に係る他の試料の分離装置は、内部
に脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する
分離装置であって、試料に向けて流体を噴射する噴射部
と、試料を両側から挟むようにして保持する対向する一
対の保持部とを備え、前記一対の保持部は、前記噴射部
から噴射され試料内部に注入された流体の圧力により該
試料が波打つことが可能なように該試料を保持すること
を特徴とする。

【００１２】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、内部を抉った形状を有
する接触部を有し、該接触部を試料に接触させて試料を
保持することが好ましい。ここで、前記接触部を多重に
設けてもよい。

【００１３】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、環状の接触部を有し、
該接触部を試料に接触させて該試料を保持することが好
ましい。ここで、前記接触部を多重に設けてもよい。

【００１４】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、１又は複数のストライ
プ状の接触部を有し、該接触部を試料に接触させて該試
料を保持することが好ましい。

【００１５】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、１又は複数の円弧状の
接触部を有し、該接触部を試料に接触させて該試料を保
持することが好ましい。

【００１６】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、本体表面に１又は複数
の突起状の接触部を有し、該接触部を試料に接触させて
該試料を保持することが好ましい。

【００１７】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、放射状の接触部を有
し、該接触部を試料に接触させて該試料を保持すること
が好ましい。

【００１８】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、試料の周辺部と接触す
る接触部を有し、該接触部を試料に接触させて該試料を
保持することが好ましい。ここで、前記接触部は、試料
の周辺部と全周的に接触し得る構造であることが更に好
ましい。

【００１９】上記の分離装置に、試料の面と直交する方
向に設けられた軸を中心にして前記保持部を回転させる
回転機構を更に備えることが好ましい。

【００２０】上記の分離装置に、前記一対の保持部の間
隔を調整する調整機構を更に備えることが好ましい。

【００２１】上記の分離装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、試料を押
圧するように前記一対の保持部の間隔を調整することが
好ましい。

【００２２】上記の分離装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、前記一対
の保持部の間隔を略一定に維持することが好ましい。

【００２３】上記の分離装置において、前記一対の保持
部は、試料を真空吸着する吸着機構を有することが好ま
しい。

【００２４】上記の分離装置は、脆弱な層として多孔質
層を有する基板を分離する処理に好適である。

【００２５】本発明に係る試料の支持装置は、内部に脆
弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分離
装置において使用する試料の支持装置であって、試料を
両側から挟むようにして保持する対向する一対の保持部
を備え、前記一対の保持部は、前記分離装置に設けられ
た噴射部から噴射され試料内部に注入された流体の圧力
により該試料の中央部付近が膨張し得るように該試料を
保持することを特徴とする。

【００２６】本発明に係る他の試料の支持装置は、内部
に脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する
分離装置において使用する試料の支持装置であって、試
料を両側から挟むようにして保持する対向する一対の保
持部を備え、前記一対の保持部は、前記分離装置に設け
られた噴射部から噴射され試料内部に注入された流体の
圧力により該試料が波打つことが可能なように該試料を
保持することを特徴とする。

【００２７】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、内部を抉った形状を有
する接触部を有し、該接触部を試料に接触させて試料を
保持することが好ましい。ここで、前記接触部を多重に
設けてもよい。

【００２８】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、環状の接触部を有し、
該接触部を試料に接触させて該試料を保持することが好
ましい、ここで、前記接触部を多重に設けてもよい。

【００２９】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、１又は複数のストライ
プ状の接触部を有し、該接触部を試料に接触させて該試
料を保持することが好ましい。

【００３０】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、１又は複数の円弧状の
接触部を有し、該接触部を試料に接触させて該試料を保
持することが好ましい。

【００３１】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、本体表面に１又は複数
の突起状の接触部を有し、該接触部を試料に接触させて
該試料を保持することが好ましい。

【００３２】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、放射状の接触部を有
し、該接触部を試料に接触させて該試料を保持すること
が好ましい。

【００３３】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、試料の周辺部と接触する接触部
を有し、該接触部を試料に接触させて該試料を保持する
ことが好ましい。ここで、前記接触部は、試料の周辺部
と全周的に接触し得る構造であることが更に好ましい。

【００３４】上記の支持装置に、試料の面と直交する方
向に設けられた軸を中心にして前記保持部を回転させる
回転機構を更に備えることが好ましい。

【００３５】上記の支持装置に、前記一対の保持部の間
隔を調整する調整機構を更に備えることが好ましい。

【００３６】上記の支持装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、試料を押
圧するように前記一対の保持部の間隔を調整することが
好ましい。

【００３７】上記の支持装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、前記一対
の保持部の間隔を略一定に維持することが好ましい。

【００３８】上記の支持装置において、前記一対の保持
部は、試料を真空吸着する吸着機構を有することが好ま
しい。

【００３９】上記の支持装置は、脆弱な層として多孔質
層を有する基板を支持して、分離処理に供する支持装置
として好適である。

【００４０】本発明に係る試料の分離方法は、上記の分
離装置を使用して脆弱な層を有する試料を分離すること
を特徴とする。

【００４１】上記の分離方法において、前記噴射部から
噴射させる流体として、例えば水を使用することがこと
が好ましい。

【００４２】本発明に係る他の分離方法は、一方の面に
多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の前
記非多孔質層側を第２の基板に貼り合わせてなる基板を
前記多孔質層で分離する分離方法であって、その分離に
際して、上記の分離装置を使用することを特徴とする。

【００４３】本発明に係る基板の製造方法は、一方の面
に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の
前記非多孔質層側を第２の基板に貼り合せる工程と、貼
り合わせた基板を前記多孔質層で分離する分離工程とを
含む基板の製造方法であって、前記分離工程において、
上記の分離装置を使用することを特徴とする。

【００４４】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。

【００４５】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る
ＳＯＩ基板の製造を方法を工程順に説明する図である。

【００４６】図１（ａ）に示す工程では、単結晶Ｓｉ基
板１１を準備して、その表面に陽極化成等により多孔質
Ｓｉ層１２を形成する。次いで、図１（ｂ）に示す工程
では、多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質単結晶Ｓｉ層１３
をエピタキシャル成長法により形成する。これにより、
第１の基板（）が形成される。

【００４７】図１（ｃ）に示す工程では、先ず、単結晶
Ｓｉ基板１４の表面に絶縁層（例えば、ＳｉＯ₂層）１
５を形成した第２の基板（）を準備し、第１の基板
（）と第２の基板（）とを、非多孔質単結晶Ｓｉ層
１３と絶縁層１５とが面するように室温で密着させる。
その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組
合わせた処理により第１の基板（）と第２の基板
（）とを貼り合わせる。この処理により、非多孔質単
結晶Ｓｉ層１３と絶縁層１５が強固に結合される。な
お、絶縁層１５は、上記のように単結晶Ｓｉ基板１４側
に形成しても良いし、非多孔質単結晶Ｓｉ層１３上に形
成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、第
１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１（ｃ）に
示す状態になれば良い。

【００４８】図１（ｄ）に示す工程では、貼り合わせた
２枚の基板を、多孔質Ｓｉ層１２の部分で分離する。こ
れにより、第２の基板側（''＋）は、多孔質Ｓｉ層
１２''／単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基
板１４の積層構造となる。一方、第１の基板側（'）
は、単結晶Ｓｉ基板１１上に多孔質Ｓｉ層１２’を有す
る構造となる。

【００４９】分離後の基板（’）は、残留した多孔質
Ｓｉ層１２’を除去し、必要に応じて、その表面を平坦
化することにより、再び第１の基板（）を形成するた
めの単結晶Ｓｉ基板１１として使用される。

【００５０】貼り合わせた基板を分離した後、図１
（ｅ）に示す工程では、第２の基板側（''＋）の表
面の多孔質層１２''を選択的に除去する。これにより、
単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基板１４の
積層構造、すなわち、ＳＯＩ構造を有する基板が得られ
る。

【００５１】この実施の形態においては、図１（ｄ）に
示す工程、すなわち、貼り合わせた２枚の基板（以下、
貼り合わせ基板）を分離する工程において、分離領域で
ある多孔質Ｓｉ層に対して、選択的に高圧の液体又は気
体（流体）を噴射することにより該分離領域で基板を２
枚に分離する分離装置を使用する。

【００５２】［分離装置の基本構成］この分離装置は、
ウォータージェット法を適用したものである。一般に、
ウォータジェット法は、水（固い材料を切断する場合に
は研磨材を加える）を高速、高圧の束状の流れにして対
象物に対して噴射して、セラミックス、金属、コンクリ
ート、樹脂、ゴム、木材等の切断、加工、表面の塗膜の
除去、表面の洗浄等を行う方法である（ウォータージェ
ット第１巻１号第４ページ参照）。従来、ウォータージ
ェット法は、主に材料の一部を除去することにより、上
記のような切断、加工、塗膜の除去、表面の洗浄を行う
ことに利用されていた。

【００５３】この分離装置は、脆弱な構造部分である貼
り合わせ基板の多孔質層（分離領域）に対して、基板の
面方向に、高速、高圧の流体を束状の流れにして噴射し
て、多孔質層を選択的に崩壊させることにより、多孔質
層の部分で基板を分離するものである。以下では、この
束状の流れを「ジェット」という。また、ジェットを構
成する流体を「ジェット構成媒体」という。ジェット構
成媒体としては、水、アルコール等の有機溶媒、弗酸、
硝酸その他の酸、水酸化カリウムその他のアルカリ、空
気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガス、エッチングガスその
他の気体、プラズマ等を使用し得る。

【００５４】この分離装置を半導体装置の製造工程、例
えば貼り合わせ基板の分離工程に適用する場合、ジェッ
ト構成媒体としては、不純物金属やパーティクル等を極
力除去した純水を使用することが好ましい。ただし、こ
の分離工程は完全低温プロセスであるため、必ずしもジ
ェット構成媒体として高純度の水を使用する必要はな
く、分離工程の終了後に基板を洗浄することもできる。

【００５５】この分離装置は、貼り合せ基板の側面に表
出した多孔質層（分離領域）に向けてジェットを噴射す
ることにより、多孔質層を外周部分から中心部分に向か
って除去する。これにより、貼り合わせ基板は、その本
体部分に損傷を受けることなく、機械的な強度が脆弱な
分離領域のみが除去され、２枚の基板に分離される。な
お、貼り合わせ基板の側面が何等かの薄い層で覆われ
て、多孔質層が表出していない場合においても、ジェッ
トにより当該層を除去することにより、その後は、前述
と同様にして、貼り合わせ基板を分離することができ
る。

【００５６】主にジェットによる切削力のみによって貼
り合わせ基板を分離するには、例えば１平方ｃｍ当たり
数千ｋｇｆ以上の高圧をジェット構成媒体に加える必要
がある。この場合、貼り合わせ基板の外周部が損傷を受
けることや、分離両域内の内圧が高くなることにより、
貼り合わせ基板が割れることが懸念される。

【００５７】そこで、この懸念を避けるため、ジェット
構成媒体に加える圧力を例えば１平方ｃｍ当たり５００
ｋｇｆ程度の低圧にするが好ましい。このように低圧の
ジェットを採用した場合、ジェットを多孔質層に衝突さ
せて、その衝撃により当該多孔質層を切断するというよ
りも、むしろ内部に注入されたジェット構成媒体により
貼り合わせ基板を膨張させて２枚の基板に引き離すこと
により、貼り合わせ基板が分離されることになる。した
がって、切断屑が殆ど発生しない他、基板に与える損傷
も少ない。更に、ジェット構成媒体に研磨材を混ぜる必
要もない。

【００５８】貼り合わせ基板の周辺部においては、上記
の如き貼り合わせ基板を２枚の基板に引き離す効果は、
貼り合わせ基板の外周部に円周方向に沿ってＶ（凹）型
の溝がある場合に極めて有効に作用する。図２７は、Ｖ
型の溝の有無による貼り合わせ基板に作用する力を概念
的に示す図である。図２７（ａ）は、Ｖ型の溝２２を有
する貼り合わせ基板、図２７（ｂ）は、Ｖ型の溝を有し
ない貼り合わせ基板を示す。

【００５９】図２７（ａ）に示すように、Ｖ型の溝２２
を有する貼り合わせ基板においては、矢印２３のよう
に、貼り合わせ基板の内側から外側に向かって力（以
下、分離力）が加わる。一方、図２７（ｂ）に示すよう
に、外周部が凸形状をなす貼り合わせ基板においては、
矢印２４に示すように、貼り合わせ基板の外側から内側
に向かって力が加わる。したがって、外周部が凸形状を
なす貼り合わせ基板においては、分離領域である多孔質
層１２の外周部がジェット２１により除去されない限
り、分離力が作用しない。

【００６０】また、貼り合わせ基板の外周部の表面に薄
い層が形成されている場合であっても、図２７（ａ）に
示すように、Ｖ型の溝２２を有する場合には、貼り合わ
せ基板に分離力が作用するため、当該層を容易に破壊す
ることができる。

【００６１】貼り合わせ基板に加わる軸方向への分離力
は、基板の破損等を防ぐため、例えば１平方ｃｍ当たり
数百ｇｆ程度にすることが好ましい。

【００６２】ジェットを有効に利用するためには、Ｖ型
の溝２２の開口部の幅Ｗ１が、ジェット２１の直径ｄと
同程度又は同程度以上であることが好ましい。例えば、
第１の基板(）及び第２の基板(）が夫々１ｍｍ厚程
度で、貼り合わせ基板が２ｍｍ厚程度の場合を考える。
通常Ｖ型溝２２の開口部の幅Ｗ１は１ｍｍ程度であるの
で、ジェットの直径は１ｍｍ以下であることが好まし
い。一般的なウォータージェット装置では、直径０．１
〜０．５ｍｍ程度のジェットが使用されているため、こ
のような一般的なウォータージェット装置（例えば、ウ
ォータージェットノズル）を流用することが可能であ
る。

【００６３】ここで、ジェットを噴射するノズルの形状
としては、円形の他、種々の形状を採用し得る。例え
ば、スリット状のノズルを採用し、細長い矩形断面のジ
ェットを噴射することにより、ジェットを分離領域に効
率的に挟入（２枚の基板間に差し込むようにして入れ
る）することができる。

【００６４】ジェットの噴射条件は、例えば、分離領域
（例えば、多孔質層）の種類、貼り合わせ基板の外周部
の形状等に応じて決定すればよい。ジェットの噴射条件
として、例えば、ジェット構成媒体に加える圧力、ジェ
ットの走査速度、ノズルの幅又は径（ジェットの径と略
同一）、ノズル形状、ノズルと分離領域との距離、ジェ
ット構成媒体の流量等は、重要なパラメータとなる。

【００６５】貼り合わせ基板の分離方法には、例えば、
１）貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行に
ジェットを挟入すると共にノズルを該貼り合わせ面に沿
って走査する方法、２）貼り合わせ面付近に対して該貼
り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共に貼り合わ
せ基板を走査する方法、３）貼り合わせ面付近に対して
該貼り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共にノズ
ル付近を腰として扇状にジェットを走査する方法、４）
貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行にジェ
ットを挟入すると共に該貼り合わせ基板の略中心を軸と
して該貼り合わせ基板を回転させる方法（貼り合わせ基
板が円盤状の場合に特に有効）等がある。なお、ジェッ
トは、必ずしも貼り合わせ面に対して完全に平行に噴射
する必要はない。

【００６６】図２は、本発明の好適な実施の形態に係る
分離装置の概略構成を示す図である。この分離装置１０
０では、低圧のジェットにより貼り合わせ基板を分離す
べく貼り合わせ基板に効率的に分離力が作用するように
該貼り合わせ基板を支持する。具体的な例を挙げると、
この分離装置１００は、分離処理の際に、貼り合わせ基
板が、その内部に注入されたジェット構成媒体の圧力に
より、その中央部付近が膨張し得るように、該貼り合わ
せ基板を支持する。また、他の例を挙げると、この分離
装置１００は、分離処理の際に、貼り合わせ基板が、そ
の内部に注入されたジェット構成媒体の圧力により波打
つことが可能なように、該貼り合わせ基板を支持する。

【００６７】この分離装置１００は、真空吸着機構を備
えた基板保持部１２０，１５０を有し、この基板保持部
１２０，１５０により貼り合わせ基板１０１を両側から
挟むようにして保持する。貼り合わせ基板１０１は、内
部に脆弱な構成部である多孔質層１０１ｂを有し、この
分離装置１００により、この多孔質層１０１ｂの部分で
２つの基板１０１ａ，１０１ｃに分離される。この分離
装置１００においては、例えば、基板１０１ａが図１に
おける第１の基板側（’）、基板１０１ｃが図１にお
ける第２の基板側（''＋）になるようにセットす
る。

【００６８】基板保持部１２０，１５０は、同一の回転
軸上に存在する。基板保持部１２０は、ベアリング１０
８を介して支持台１０９に回転可能に軸支された回転軸
１０４の一端に連結され、この回転軸１０４の他端はモ
ータ１１０の回転軸に連結されている。したがって、モ
ータ１１０が発生する回転力により、基板保持部１２０
に真空吸着された貼り合わせ基板１０１が回転すること
になる。このモータ１１０は、貼り合わせ基板１０１の
分離の際に、不図示の制御器からの命令に従って、指定
された回転速度で回転軸１０４を回転させる。

【００６９】基板保持部１５０は、ベアリング１１１を
介して支持台１０９に摺動可能かつ回転可能に軸支され
た回転軸１０３の一端に連結され、この回転軸１０３の
他端は、支持台１０９に固定されたエアシリンダ１１２
に連結されている。エアシリンダ１１２が回転軸１０３
を押し出すことにより、貼り合わせ基板１０１は、基板
保持部１５０によって押圧される。

【００７０】基板支持部１２０，１５０は、夫々回転軸
１０４，１０３から取り外すことができる。また、基板
支持部１２０，１５０には、真空吸着機構として、夫々
１又は複数の吸引孔１８１，１８２が設けられており、
この吸引孔１８１，１８２は、夫々回転軸１０４，１０
３中を通して回転シール部１０４ａ，１０３ａに通じて
いる。回転シール部１０４ａ，１０３ａには、夫々真空
ライン１０４ｂ，１０３ｂが連結されている。これらの
真空ライン１０４ｂ，１０３ｂには電磁弁が取り付けら
れており、この電磁弁を制御することにより貼り合わせ
基板１０１の着脱を制御することができる。

【００７１】基板支持部１２０，１５０は、分離処理の
際に分離力が貼り合わせ基板１０１に効率的に作用する
ように貼り合わせ基板１０１を保持する。基板保持部１
２０，１５０の具体的な構成例に関しては後述する。

【００７２】以下、この分離装置１００による基板分離
処理に関して説明する。

【００７３】この分離装置１００に貼り合わせ基板１０
１をセットするには、まず、エアシリンダ１１２に回転
軸１０３を収容させることにより、基板保持部１２０及
び１５０の夫々の吸着面の間に相応の距離を設ける。次
いで、貼り合せ基板１０１を位置合せ軸１１３に貼り合
わせ基板１０１を載せた後、エアシリンダ１１２に回転
軸１０３を押し出させることにより、貼り合わせ基板１
０１を押圧して保持する（図１に示す状態）。なお、位
置合せ軸１１３は、ベアリング１０５，１０７を介して
支持台１０９に回転可能に軸支されている。

【００７４】この実施の形態では、貼り合わせ基板１０
１は、真空吸着ではなく、エアシリンダ１１２による応
圧力により保持される。例えば、その応圧力は、例え
ば、３Ｋｇｆ程度が好適である。ただし、貼り合せ基板
１０１を真空吸着により保持することも勿論可能であ
る。ここで、分離処理の際、基板保持部１２０と基板保
持部１５０との間隔が略一定に維持されるようにエアシ
リンダ１１２を制御することが好ましい。

【００７５】次に、ポンプ１１４からノズル１０２にジ
ェット構成媒体（例えば、水）を送り込み、ノズル１０
２から噴射されるジェットが安定するまで待つ。ジェッ
トが安定したら、シャッタ１０６を開いて、貼り合わせ
基板１０１の分離領域付近にジェットを挟入させる。こ
の時、モータ１１０により貼り合わせ基板１０１を回転
させる。この際、回転軸１０４、基板保持部１２０、貼
り合わせ基板１０１、基板保持部１５０及び回転軸１０
３は一体化して回転する。

【００７６】ジェットが挟入されると、貼り合わせ基板
１０１には、脆弱な構造部である多孔質層１０１ｂに連
続的に注入されるジェット構成媒体の圧力による分離力
が作用し、これにより基板１０１ａ及び１０１ｃを連結
している多孔質層１０１ｂが破壊される。この処理によ
り、貼り合わせ基板１０１は、例えば約２分程で２枚の
基板に分離される。

【００７７】貼り合わせ基板１０１が２枚の基板に分離
されたら、シャッタ１０６を閉じると共にポンプ１１４
の動作を停止する。また、モータ１１０の回転を停止
し、前述の電磁弁を制御することにより、基板保持部１
２０、１５０に夫々分離された基板を真空吸着させる。

【００７８】次に、エアシリンダ１１２に回転軸１０３
を収容させると、物理的に分離されていた２枚の基板
は、ジェット構成媒体（例えば、水）の表面張力を断っ
て２体に引き離される。

【００７９】貼り合わせ基板１０１に分離力を効率的に
作用させるためには、基板保持部１２０及び１５０の構
造を工夫する必要がある。この実施の形態では、分離処
理の際に、貼り合わせ基板が撓むための空間を確保する
ことにより分離力を効率的に利用する。以下、好適な基
板保持部の構成例を列挙する。なお、以下の構成例で
は、基板保持部１２０及び１５０を対称な構造としてい
るが、両者を別個の構造にすることも可能である。

【００８０】［基板保持部の第１の構成例］図３乃至図
５は、本発明の第１の構成例に係る基板保持部の構成を
示す図である。図３は斜視図、図４は正面図、図５は断
面図である。なお、図示の基板保持部１２１、１５１
は、夫々図２に示す基板保持部１２０、１５０の一構成
例である。

【００８１】この構成例に係る基板保持部１２１、１５
１は、貼り合わせ基板１０１との接触部１２１ａ，１５
１ａが環状になっており、この接触部１２１ａ，１５１
ａにより挟まれる部分を「節」、貼り合わせ基板１０１
の中心部付近及び周辺部付近を「腹」として、貼り合わ
せ基板１０１が撓むことができる構造を有する。このよ
うな基板保持部１２１，１５１の構造は、分離処理の際
に貼り合わせ基板１０１の中央部が膨張し得る構造、或
いは、分離処理の際に貼り合わせ基板１０１が波打つこ
とが可能な構造の一例として把握することができる。か
かる構造の基板保持部１２１、１５１を採用することに
より、貼り合わせ基板１０１の内部に分離力を効率的に
作用させることができる。

【００８２】この基板保持部１２１，１５１を用いる
と、貼り合わせ基板１０１に対するジェットの挟入（分
離処理）を開始した後、約３０秒で、貼り合わせ基板１
０１の外周から接触部１２１ａ，１５１ａの付近まで分
離が進行する。そして、分離処理の開始後、約２分で、
貼り合わせ基板１０１の中心部が、内側から外側へ反る
ようにして、すなわち、「腹」を構成するようにして、
貼り合わせ基板１０１が完全に分離される。

【００８３】接触部１２１ａ、１５１ａの外径は、例え
ば３０〜５０ｍｍが好適である。また、接触部１２１
ａ，１５１ａの内径は、例えば外径よりも１０ｍｍ程度
小さい寸法を採用することができる。ただし、分離され
る基板が撓み易くするためには、接触部１２１ａ，１５
１ａの内径を外径に近い寸法にすることが好ましい。

【００８４】貼り合わせ基板１０１が「節」及び「腹」
を構成するようにして撓むことを許容する基板保持部で
あれば、上記の構成例と同様の効果を奏することができ
る。図６乃至図９は、第１の構成例に係る基板保持部の
変形例を示す正面図である。なお、１２２ａ，１５２
ａ，１２３ａ，１５３ａ，１２４ａ，１５４ａ，１２５
ａ，１５５ａは、基板保持部が貼り合わせ基板１０１と
接触する接触部である。図６乃至図８は、内部を抉った
多角形状の接触部の例、図９は、接触部の中心を貼り合
わせ基板１０１の中心からずらした例である。これら
は、ストライプ状の接触部の一例として把握することが
できる。

【００８５】［基板保持部の第２の構成例］図１０及び
図１１は、本発明の第２の構成例に係る基板保持部の構
成を示す図である。図１０は正面図、図１１は断面図で
ある。なお、図示の基板保持部１２６，１５６は、夫々
図２に示す基板保持部１２０、１５０の一構成例であ
る。

【００８６】この構成例に係る基板保持部１２６は、貼
り合わせ基板１０１との接触部として、２つの環状の接
触部１２６ａ及び１２６ｂを有し、同様に、基板保持部
１５６は、貼り合わせ基板１０１との接触部として、２
つの環状の接触部１５６ａ，１５６ｂを有する。この構
成例に係る基板保持部１２６，１５６は、特に大口径
（例えば、８インチ以上）の基板を処理するのに好適で
ある。

【００８７】この基板保持部１２６，１５６によれば、
接触部１２６ａ及び１５６ａにより挟まれる円周状の部
分と、接触部１２６ｂ及び１５６ｂにより挟まれる部分
とを「節」、接触部と接触部との中間部付近及び貼り合
わせ基板１０１の周辺部付近を「腹」として、貼り合わ
せ基板１０１が撓むことができる構造を有する。

【００８８】このように、分離処理の際に、貼り合わせ
基板１０１の中央部付近が膨張するようにして、或い
は、貼り合わせ基板１０１が波打つようにして撓むよう
な構造の基板保持部１２６，１５６を採用することによ
り、貼り合わせ基板１０１の内部に分離力を効率的に作
用させることができる。

【００８９】この基板保持部１２６，１５６を用いる
と、貼り合わせ基板１０１に対するジェットの挟入（分
離処理）を開始した後、約３０秒で、貼り合わせ基板１
０１の外周から外側の接触部１２６ａ，１５６ａの付近
まで分離が進行する。そして、その後、約３０秒で、貼
り合わせ基板１０１は、接触部１２６ｂ，１５６ｂの付
近まで分離される。そして、分離処理の開始後、約３分
で、貼り合わせ基板１０１は、「節」及び「腹」を構成
するようにして反った状態で完全に分離される。

【００９０】接触部の幅（直径差）は、任意に決定し得
るが、分離される基板が撓み易くするためには、小さく
することが好ましい。

【００９１】なお、この構成例は、２重の接触部を設け
たものであるが、３重或いはそれ以上の接触部を設ける
こともできる。

【００９２】［基板保持部の第３の構成例］図１２は、
本発明の第３の構成例に係る基板保持部の構成を示す斜
視図である。なお、図示の基板保持部１２７、１５７
は、図２に示す基板保持部１２０，１５０の一構成例で
ある。

【００９３】この構成例に係る基板保持部１２７，１５
７は、夫々貼り合わせ基板１０１との接触部として複数
の円弧状の接触部１２７ａ，１５７ａを有する。この構
造は、第１の構成例における環状の接触部１２１ａ，１
５１ａを分断する溝１２７ｂ，１５７ｂを有するものと
看做すこともできる。

【００９４】この溝１２７ｂ，１５７ｂは、貼り合わせ
基板１０１の中央部付近に分離力が過度に作用すること
を防止する役割を果たす。すなわち、この溝１２７ｂ，
１５７ｂを設けることにより、貼り合わせ基板１０１の
中央部に注入されたジェット構成媒体を適度に排出し、
中央部付近におけるジェット構成媒体の圧力が過度に高
くなることを防止することができる。したがって、例え
ば、多孔質層に局部的に機械的な構造が強く分離の進行
が遅い部分があることに起因して貼り合わせ基板１０１
が割れることを抑制することができる。

【００９５】この基板保持部１２１，１５１を用いる
と、貼り合わせ基板１０１に対するジェットの挟入（分
離処理）を開始した後、約３０秒で貼り合わせ基板１０
１の外周から接触部１２７ａ，１５７ａの付近まで分離
が進行する。そして、分離処理の開始後、約２分で、貼
り合わせ基板１０１の中心部が、内側から外側に膨張す
るようにして、すなわち「腹」を構成するようにして、
貼り合わせ基板１０１が完全に分離される。

【００９６】図１３は、図１２に示す基板保持部の変形
例を示す斜視図である。なお、図示の基板保持部１２
８，１５８は、図２に示す基板保持部１２０，１５０の
一構成例である。

【００９７】この変形例に係る基板保持部１２８は、本
体１２８ｂ上に円形状に配置された複数の円柱状接触部
１２８ａを有する。また、基板保持部１５８も基板保持
部１２８と同様の構成を有する。この基板保持部１２
８，１５８によっても、貼り合わせ基板１０１の内部に
おけるジェット構成媒体の圧力が過度に高くなることを
避け、貼り合わせ基板１０１が割れることを抑制するこ
とができる。

【００９８】［基板保持部の第４の構成例］図１４は、
本発明の第４の構成例に係る基板保持部の構成を示す斜
視図である。なお、図示の基板保持部１２９，１５９
は、夫々図２に示す基板保持部１２０，１５０の一構成
例である。

【００９９】この構成例に係る基板保持部１２９は、貼
り合わせ基板１０１との接触部として、２種類の円弧状
の接触部１２９ａ及び１２９ｃを有し、この構造は、第
２の構成例における環状の接触部１２６ａ，１２６ｂを
夫々分断する溝１２８ｂ，１１２８ｄを有するものと看
做すことができる。また、基板保持部１５９も基板保持
部１２９と同様の構成を有する。

【０１００】この基板保持部１２９，１５９を用いる
と、貼り合わせ基板１０１に対するジェットの挟入（分
離処理）を開始した後、約３０秒で、貼り合わせ基板１
０１の外周から外側の接触部１２９ａの付近まで分離が
進行する。そして、その後、約３０秒で、貼り合わせ基
板１０１は、内側の接触部１２９ｃの付近まで分離され
る。そして、分離処理の開始後、約３分で、貼り合わせ
基板１０１は、「節」及び「腹」を構成するようにして
波打った状態で完全に分離される。

【０１０１】このように、円弧状の接触部１２９ａ，１
２９ｃの夫々の間に溝１２９ｂ，１２９ｄを設けること
により（基板保持部１５９についても同様）、貼り合わ
せ基板１０１の内部におけるジェット構成媒体の圧力が
過度に高くなることを避けることができる。したがっ
て、例えば、多孔質層に局部的に機械的な構造が強い部
分く分離の進行が遅い部分があることに起因して貼り合
わせ基板１０１が割れることを抑制することができる。

【０１０２】図１５は、図１４に示す基板保持部の変形
例を示す斜視図である。なお、図示の基板保持部１３
０，１６０は、図２に示す基板保持部１２０，１５０の
一構成例である。

【０１０３】この変形例に係る基板保持部１３０は、本
体１３０ｂ上に円形状に２重に配置された複数の円柱状
接触部１３０ａを有する。また、基板保持部１６０も基
板保持部１３０と同様の構成を有する。この基板保持部
１３０，１６０によっても、貼り合わせ基板１０１の内
部におけるジェット構成媒体の圧力が過度に高くなるこ
とを避け、貼り合わせ基板１０１が割れることを防止す
ることができる。

【０１０４】［基板保持部の第５の構成例］図１６及び
図１７は、本発明の第５の構成例に係る基板保持部の構
成を示す図である。図１６は斜視図、図１７は正面図で
ある。なお、図示の基板保持部１３１，１６１は、図２
に示す基板保持部１２０，１５０の一構成例である。

【０１０５】この変形例に係る基板保持部１３１，１６
１は、夫々本体１３１ｂ，１６１ｂ上に配置された複数
の円柱状接触部１３１ａ，１６１ａを有する。この基板
保持部１３１，１６１によれば、貼り合わせ基板１０１
は、接触部１３１ａ，１６１ａにより挟まれる部分を
「節」として波打つように撓むことができるため、貼り
合わせ基板１０１の内部に分離力が効率的に作用する。
また、ジェット構成媒体の排出経路が確保されるため、
貼り合わせ基板１０１の内部におけるジェット構成媒体
の圧力が過度に高くなることを避けることができる。し
たがって、例えば、多孔質層に局部的に機械的な構造が
強く分離の進行が遅い部分があることに起因して貼り合
わせ基板１０１が割れることを抑制することができる。

【０１０６】この基板保持部１３１，１６１を用いる
と、貼り合わせ基板１０１に対するジェットの挟入（分
離処理）の開始後、貼り合わせ基板１０１は、約２分で
完全に分離される。

【０１０７】［基板保持部の第６の構成例］図１８及び
図１９は、本発明の第６の構成例に係る基板保持部の構
成を示す図である。図１８は斜視図、図１９は正面図で
ある。なお、図示の基板保持部１３２，１６２は、図２
に示す基板保持部１２０，１５０の一構成例である。

【０１０８】この構成例に係る基板保持部１３２，１６
２は、貼り合わせ基板１０１との接触面として、夫々本
体１３２ｂ，１６２ｂ上に十字状（放射状）の接触部１
３２ａ，１６２ａを有する。この基板保持部１３２，１
６２によれば、貼り合わせ基板１０１は、接触部１３２
ａ，１６２ａにより挟まれる部分を「節」として波打つ
ように撓むことができるため、貼り合わせ基板１０１に
対して効率的に分離力が作用する。また、ジェット構成
媒体の排出経路が確保されるため、貼り合わせ基板１０
１の内部におけるジェット構成媒体の圧力が過度に高く
なることを避けることができる。したがって、例えば、
多孔質層に局部的に機械的な構造が強く分離の進行が遅
い部分があることに起因して貼り合わせ基板１０１が割
れることを抑制することができる。

【０１０９】この基板保持部１３２，１６２を用いる
と、貼り合わせ基板１０１に対するジェットの挟入（分
離処理）の開始後、約８０秒で、貼り合わせ基板１０１
は完全に分離される。

【０１１０】図２０乃至図２４は、図１９に示す基板保
持部の変形例を示す斜視図である。なお、これらの基板
保持部は、夫々図２に示す基板保持部１２０，１５０の
一構成例である。

【０１１１】図２０に示す基板保持部１３３，１６３
は、貼り合わせ基板１０１との接触部として、本体１３
３ｂ，１６３ｂ上に星型の接触部１３３ａ，１６３ａを
設けた例である。また、図２１に示す基板保持部１３
４，１６４は、同様に、貼り合わせ基板１０１との接触
部として、本体１３４ｂ，１６４ｂ上に星型の接触部１
３３ａ，１６３ａを設けた例である。図２２に示す基板
保持部１３５，１６５は、貼り合わせ基板１０１との接
触部として、夫々本体１３５ｂ，１６５ｂ上に、中央部
で分離された４つの接触部１３５ａ，１６５ｂを十字状
に配置した例である。図２３に示す基板保持部１３６
は、貼り合わせ基板１０１との接触部として、本体１３
６ｂ上に円柱状接触部１３６ａを十字状に配置した例で
ある。なお、基板保持部１６６も基板保持部１３６と同
様である。図２４に示す基板保持部１３７，１６７は、
貼り合わせ基板１０１との接触部として、夫々本体１３
７ｂ，１６７ｂ上に、放射状の接触部１３７ａ，１６７
ａを設けた例である。

【０１１２】［基板保持部の第７の構成例］図２５及び
図２６は、本発明の第７の構成例に係る基板保持部の構
成を示す断面図である。図２５は、貼り合わせ基板１０
１を分離する前の状態、図２６は、貼り合わせ基板１０
１を分離した後の状態を示す。なお、図示の基板保持部
１３８，１６８は、図２に示す基板保持部１２０，１５
０の一構成例である。

【０１１３】この構成例に係る基板保持部１３８，１６
８は、貼り合わせ基板１０１との接触部として、夫々貼
り合わせ基板１０１の周辺部と接触する接触部１３８
ａ，１６８ａを有する。この基板保持部１３８．１６８
によれば、貼り合わせ基板１０１は、接触部１３８ａ，
１６８ａにより挟まれる部分を「節」、貼り合わせ基板
１０１の中央部付近を「腹」として、中央部付近が膨張
するようにして撓むことができるため、貼り合わせ基板
１０１に対して効率的に分離力が作用する。

【０１１４】また、この基板保持部１３８，１６８は、
貼り合わせ基板１０１の撓み量を制限する制限部１３７
ｂ，１６７ｂを中央部に有する。この制限部１３７ｂ，
１６７ｂにより、分離された各基板の撓み量が制限され
るため、各基板が割れることが防止される。

【０１１５】なお、上記の第１乃至第６の構成例に係る
基板保持部の本体の表面も、同様に、撓み量の制限部と
して機能し得る。また、上記の各構成例において、貼り
合わせ基板との接触部が本体から突出する高さは、貼り
合わせ基板の口径、厚さ、ジェットの構成媒体の圧力等
の応じて決定すればよい。

【０１１６】また、上記の分離装置は、貼り合せ基板そ
の他の半導体基板のみならず、種々の試料の分離に使用
することができる。

【０１１７】以上、特定の実施の形態を挙げて特徴的な
技術的思想を説明したが、本発明は、これらの実施の形
態に記載された事項によって限定されるものではなく、
特許請求の範囲に記載された技術的思想の範囲内におい
て様々な変形をなし得る。

【０１１８】

【発明の効果】本発明は、分離対象の試料の損傷を抑え
ると共に分離処理を効率化することができる。

【０１１９】また、本発明に拠れば、良好な基板を製造
することができる。

【０１２０】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板の
製造を方法を工程順に説明する図である。

【図２】本発明の好適な実施の形態に係る分離装置の概
略構成を示す図である。

【図３】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の斜視
図である。

【図４】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の正面
図である。

【図５】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の断面
図である。

【図６】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す図である。

【図７】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す図である。

【図８】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す図である。

【図９】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す図である。

【図１０】本発明の第２の構成例に係る基板保持部の正
面図である。

【図１１】本発明の第２の構成例に係る基板保持部の断
面図である。

【図１２】本発明の第３の構成例に係る基板保持部の斜
視図である。

【図１３】本発明の第３の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す斜視図である。

【図１４】本発明の第４の構成例に係る基板保持部の斜
視図である。

【図１５】本発明の第４の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す斜視図である。

【図１６】本発明の第５の構成例に係る基板保持部の斜
視図である。

【図１７】本発明の第５の構成例に係る基板保持部の正
面図である。

【図１８】本発明の第６の構成例に係る基板保持部の斜
視図である。

【図１９】本発明の第６の構成例に係る基板保持部の正
面図である。

【図２０】本発明の第６の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す斜視図である。

【図２１】本発明の第６の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す斜視図である。

【図２２】本発明の第６の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す斜視図である。

【図２３】本発明の第６の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す斜視図である。

【図２４】本発明の第６の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す斜視図である。

【図２５】本発明の第７の構成例に係る基板保持部の断
面図である。

【図２６】本発明の第７の構成例に係る基板保持部の断
面図である。

【図２７】Ｖ型の溝の有無による貼り合わせ基板に作用
する力を概念的に示す図である。

【符号の説明】

１１単結晶Ｓｉ基板１２，１２’，１２’’ 多孔質Ｓｉ層１２１３非多孔質単結晶Ｓｉ層１４単結晶Ｓｉ基板１５絶縁層１００基板分離装置１０１貼り合わせ基板１０１ａ基板１０１ｂ多孔質層１０１ｃ基板１０２ノズル１０３，１０４回転軸１０３ａ，１０４ａ回転シール部１０３ｂ，１０４ｂ真空ライン１０５，１０７ベアリング１０６シャッタ１０８，１１１ベアリング１０９支持台１１０モータ１１２エアシリンダ１２０〜１３８，１５０〜１６８基板保持部１８１，１８２吸引孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者米原隆夫東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内部に脆弱な層を有する板状の試料を該
脆弱な層で分離する分離装置であって、試料に向けて流体を噴射する噴射部と、試料を両側から挟むようにして保持する対向する一対の
保持部と、を備え、前記一対の保持部は、前記噴射部から噴射され
試料内部に注入された流体の圧力により該試料の中央部
付近が膨張し得るように該試料を保持することを特徴と
する分離装置。
【請求項２】内部に脆弱な層を有する板状の試料を該
脆弱な層で分離する分離装置であって、試料に向けて流体を噴射する噴射部と、試料を両側から挟むようにして保持する対向する一対の
保持部と、を備え、前記一対の保持部は、前記噴射部から噴射され
試料内部に注入された流体の圧力により該試料が波打つ
ことが可能なように該試料を保持することを特徴とする
分離装置。
【請求項３】前記一対の保持部の少なくとも一方は、
内部を抉った形状を有する接触部を有し、該接触部を試
料に接触させて試料を保持することを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載の分離装置。
【請求項４】前記接触部を多重に設けたことを特徴と
する請求項３に記載の分離装置。
【請求項５】前記一対の保持部の少なくとも一方は、
環状の接触部を有し、該接触部を試料に接触させて該試
料を保持することを特徴とする請求項１又は請求項２に
記載の分離装置。
【請求項６】前記接触部を多重に設けたことを特徴と
する請求項５に記載の分離装置。
【請求項７】前記一対の保持部の少なくとも一方は、
１又は複数のストライプ状の接触部を有し、該接触部を
試料に接触させて該試料を保持することを特徴とする請
求項１又は請求項２に記載の分離装置。
【請求項８】前記一対の保持部の少なくとも一方は、
１又は複数の円弧状の接触部を有し、該接触部を試料に
接触させて該試料を保持することを特徴とする請求項１
又は請求項２に記載の分離装置。
【請求項９】前記一対の保持部の少なくとも一方は、
本体表面に１又は複数の突起状の接触部を有し、該接触
部を試料に接触させて該試料を保持することを特徴とす
る請求項１又は請求項２に記載の分離装置。
【請求項１０】前記一対の保持部の少なくとも一方
は、放射状の接触部を有し、該接触部を試料に接触させ
て該試料を保持することを特徴とする請求項１又は請求
項２に記載の分離装置。
【請求項１１】前記一対の保持部の少なくとも一方
は、試料の周辺部と接触する接触部を有し、該接触部を
試料に接触させて該試料を保持することを特徴とする請
求項１又は請求項２に記載の分離装置。
【請求項１２】前記接触部は、試料の周辺部と全周的
に接触し得る構造であることを特徴とする請求項１１に
記載の分離装置。
【請求項１３】試料の面と直交する方向に設けられた
軸を中心にして前記保持部を回転させる回転機構を更に
備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいず
れか１項に記載の分離装置。
【請求項１４】前記一対の保持部の間隔を調整する調
整機構を更に備えることを特徴とする請求項１乃至請求
項１３のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項１５】前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、試料を押圧するように前記一対の保持部の
間隔を調整することを特徴とする請求項１４に記載の分
離装置。
【請求項１６】前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、前記一対の保持部の間隔を略一定に維持す
ることを特徴とする請求項１４に記載の分離装置。
【請求項１７】前記一対の保持部は、試料を真空吸着
する吸着機構を有することを特徴とする請求項１乃至請
求項１６のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項１８】前記試料は、脆弱な層として多孔質層
を有する基板であることを特徴とする請求項１乃至請求
項１７のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項１９】内部に脆弱な層を有する板状の試料を
該脆弱な層で分離する分離装置において使用する試料の
支持装置であって、試料を両側から挟むようにして保持する対向する一対の
保持部を備え、前記一対の保持部は、前記分離装置に設
けられた噴射部から噴射され試料内部に注入された流体
の圧力により該試料の中央部付近が膨張し得るように該
試料を保持することを特徴とする支持装置。
【請求項２０】内部に脆弱な層を有する板状の試料を
該脆弱な層で分離する分離装置において使用する試料の
支持装置であって、試料を両側から挟むようにして保持する対向する一対の
保持部を備え、前記一対の保持部は、前記分離装置に設
けられた噴射部から噴射され試料内部に注入された流体
の圧力により該試料が波打つことが可能なように該試料
を保持することを特徴とする支持装置。
【請求項２１】前記一対の保持部の少なくとも一方
は、内部を抉った形状を有する接触部を有し、該接触部
を試料に接触させて試料を保持することを特徴とする請
求項１９又は請求項２０に記載の支持装置。
【請求項２２】前記接触部を多重に設けたことを特徴
とする請求項２１に記載の支持装置。
【請求項２３】前記一対の保持部の少なくとも一方
は、環状の接触部を有し、該接触部を試料に接触させて
該試料を保持することを特徴とする請求項１９又は請求
項２０に記載の支持装置。
【請求項２４】前記接触部を多重に設けたことを特徴
とする請求項２３に記載の支持装置。
【請求項２５】前記一対の保持部の少なくとも一方
は、１又は複数のストライプ状の接触部を有し、該接触
部を試料に接触させて該試料を保持することを特徴とす
る請求項１９又は請求項２０に記載の支持装置。
【請求項２６】前記一対の保持部の少なくとも一方
は、１又は複数の円弧状の接触部を有し、該接触部を試
料に接触させて該試料を保持することを特徴とする請求
項１９又は請求項２０に記載の支持装置。
【請求項２７】前記一対の保持部の少なくとも一方
は、本体表面に１又は複数の突起状の接触部を有し、該
接触部を試料に接触させて該試料を保持することを特徴
とする請求項１９又は請求項２０に記載の支持装置。
【請求項２８】前記一対の保持部の少なくとも一方
は、放射状の接触部を有し、該接触部を試料に接触させ
て該試料を保持することを特徴とする請求項１９又は請
求項２０に記載の支持装置。
【請求項２９】前記一対の保持部の少なくとも一方
は、試料の周辺部と接触する接触部を有し、該接触部を
試料に接触させて該試料を保持することを特徴とする請
求項１９又は請求項２０に記載の支持装置。
【請求項３０】前記接触部は、試料の周辺部と全周的
に接触し得る構造であることを特徴とする請求項２９に
記載の支持装置。
【請求項３１】試料の面と直交する方向に設けられた
軸を中心にして前記保持部を回転させる回転機構を更に
備えることを特徴とする請求項１９乃至請求項３０のい
ずれか１項に記載の支持装置。
【請求項３２】前記一対の保持部の間隔を調整する調
整機構を更に備えることを特徴とする請求項１９乃至請
求項３１のいずれか１項に記載の支持装置。
【請求項３３】前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、試料を押圧するように前記一対の保持部の
間隔を調整することを特徴とする請求項３２に記載の支
持装置。
【請求項３４】前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、前記一対の保持部の間隔を略一定に維持す
ることを特徴とする請求項３２に記載の支持装置。
【請求項３５】前記一対の保持部は、試料を真空吸着
する吸着機構を有することを特徴とする請求項１９乃至
請求項３４のいずれか１項に記載の支持装置。
【請求項３６】前記試料は、脆弱な層として多孔質層
を有する基板であることを特徴とする請求項１９乃至請
求項３５のいずれか１項に記載の支持装置。
【請求項３７】請求項１乃至請求項１８のいずれか１
項に記載の分離装置を使用して脆弱な層を有する試料を
分離することを特徴とする分離方法。
【請求項３８】前記噴射部から噴射させる流体として
水を使用することを特徴とする請求項３７に記載の分離
方法。
【請求項３９】一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
順に形成した第１の基板の前記非多孔質層側を第２の基
板に貼り合わせてなる基板を前記多孔質層で分離する分
離方法であって、その分離に際して、請求項１乃至請求
項１８のいずれか１項に記載の分離装置を使用すること
を特徴とする分離方法。
【請求項４０】一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
順に形成した第１の基板の前記非多孔質層側を第２の基
板に貼り合せる工程と、貼り合わせた基板を前記多孔質
層で分離する分離工程とを含む基板の製造方法であっ
て、前記分離工程において、請求項１乃至請求項１８の
いずれか１項に記載の分離装置を使用することを特徴と
する基板の製造方法。