JP2000077286A - 試料の分離装置及び分理方法並びに基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】貼り合わせ基板を分離する処理を効率化する。 【解決手段】貼り合わせ基板１０１の中央部を押圧して
支持する第１組の基板支持部４１４及び４２０と、貼り
合わせ基板１０１の外周側の円環状の領域を押圧して支
持する第２組の基板支持部と、ジェットを噴射するノズ
ル４３３とを有し、第１段階では、第１組の基板支持部
４１４及び４２０により貼り合わせ基板１０１を支持し
てジェットにより外周側を分離し、第２段階では、第２
組の基板支持部４３０及び４３１により貼り合わせ基板
１０１を支持してジェットにより中央部を分離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、板状の試料の分離
装置及び分離方法並びに基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】絶縁層上に単結晶Ｓｉ層を有する基板と
して、ＳＯＩ（silicon on insulator）構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では達成し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 （１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。 （２）放射線耐性に優れている。 （３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 （４）ウェル工程が不要である。 （５）ラッチアップを防止できる。 （６）薄膜化による完全な空乏型電解効果トランジスタ
の形成が可能である。

【０００３】ＳＯＩ構造は、上記のような様々な優位点
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められてきた。

【０００４】ＳＯＩ技術としては、古くは、単結晶サフ
ァイア基板上にＳｉをＣＶＤ（化学気層成長）法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するＳＯＳ（silicon on s
apphire）技術が知られている。このＳＯＳ技術は、最
も成熟したＳＯＩ技術として一応の評価を得たものの、
Ｓｉ層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニウムのＳｉ層への混入、基板の価格、大
面積化への遅れ等の理由により実用化が進んでいない。

【０００５】ＳＯＳ技術に次いで各種ＳＯＩ技術が登場
した。このＳＯＩ技術に関して、結晶欠陥の低減や製造
コストの低減等を目指して様々な方法が試みられてき
た。この方法としては、基板に酸素イオンを注入して埋
め込み酸化層を形成する方法、酸化膜を挟んで２枚のウ
ェハを貼り合わせて一方のウェハを研磨又はエッチング
して、薄い単結晶Ｓｉ層を酸化膜上に残す方法、更に
は、酸化膜が形成されたＳｉ基板の表面から所定の深さ
に水素イオンを打ち込み、他方の基板と貼り合わせた後
に、加熱処理等により該酸化膜上に薄い単結晶Ｓｉ層を
残して、貼り合わせた基板（他方の基板）を剥離する方
法等が挙げられる。

【０００６】本出願人は、特開平５−２１３３８号にお
いて、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、多孔
質層が形成された単結晶半導体基板上に非多孔質単結晶
層（単結晶Ｓｉ層を含む）を形成した第１の基板を、絶
縁層を介して第２の基板に貼り合わせ、その後、多孔質
層で両基板を分離し、第２の基板に非多孔質単結晶層を
移し取るものである。この技術は、ＳＯＩ層の膜厚均一
性が優れていること、ＳＯＩ層の結晶欠陥密度を低減し
得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が良好であること、高
価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数１００Å
〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を有するＳＯＩ基板を
同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れている。

【０００７】更に、本出願人は、特開平７−３０２８８
９号において、上記の第１の基板と第２の基板とを貼り
合わせた後に、第１の基板を破壊することなく第２の基
板から分離し、その後、分離した第１の基板の表面を平
滑にして再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術
を開示した。この技術は、第１の基板を無駄なく使用で
きるため、製造コストを大幅に低減することができ、製
造工程も単純であるという優れた利点を有する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記の技術において、
２枚の基板を貼り合わせた基板（以下、貼り合わせ基
板）を多孔質層で分離する際、基板に損傷を与えること
なく、再現性良く分離することが望まれる。

【０００９】本発明は、上記の背景に鑑みてなされたも
のであり、例えば、板状の試料を分離する処理を効率化
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る分離装置
は、板状の試料を分離する分離装置であって、試料を両
側から挟むようにして支持する一対の支持部と、前記支
持部により支持された試料に向けて流体を噴射する噴射
部と、試料が前記一対の支持部により支持される領域の
少なくとも一部を分離処理の中途で変更するための変更
部とを備えることを特徴とする。

【００１１】上記の分離装置において、前記変更部は、
例えば、前記一対の支持部による試料の支持が一時的に
解除された状態で、該試料と前記一対の支持部の少なく
とも一方の支持面との相対的な位置関係を変更すること
が好ましい。

【００１２】上記の分離装置において、前記変更部は、
例えば、前記一対の支持部による試料の支持が一時的に
解除された状態で、該試料を移動させることが好まし
い。

【００１３】上記の分離装置において、前記変更部は、
例えば、前記一対の支持部による試料の支持が一時的に
解除された状態で、該試料を下部から支持して移動させ
ることが好ましい。

【００１４】上記の分離装置において、例えば、前記一
対の支持部により支持された試料を該試料の面に直交す
る軸を中心として回転させるための回転源を更に備える
ことが好ましい。

【００１５】上記の分離装置において、前記変更部は、
例えば、分離処理の中途で前記一対の支持部の少なくと
も一方の形状を変更し、これにより、試料が前記一対の
支持部により支持される領域の少なくとも一部を変更す
ることが好ましい。

【００１６】上記の分離装置において、例えば、前記一
対の支持部の少なくとも一方は、複数の支持面を有し、
前記変更部は、例えば、試料の面に近づく方向又は遠ざ
かる方向に前記複数の支持面を個別に移動させることに
より、試料が前記一対の支持部により支持される領域の
少なくとも一部を変更することが好ましい。

【００１７】上記の分離装置において、例えば、前記一
対の支持部により支持された試料を、該試料の面に直交
する軸を中心として回転させるための回転源を更に備え
ることが好ましい。

【００１８】上記の分離装置において、前記複数の支持
面は、例えば、実質的に前記軸を中心とする円形状の面
と１又は複数の円環状の面とを有することが好ましい。

【００１９】上記の分離装置において、前記変更部は、
例えば、分離処理の中途で、前記一対の支持部の少なく
とも一方を形状が異なる他の支持部と交換することが好
ましい。

【００２０】上記の分離装置において、例えば、前記一
対の支持部を装着する装着部を更に備え、前記一対の支
持部の少なくとも一方は、前記装着部から取り外すこと
が可能であることが好ましい。

【００２１】上記の分離装置において、例えば、前記一
対の支持部により支持された試料を該試料の面に直交す
る軸を中心として回転させるための回転源を更に備え、
前記変更部は、例えば、分離処理の第１段階では、前記
一対の支持部に該試料の中央部付近の領域を支持させ、
分離処理の第２段階では、前記一対の支持部に該試料の
周辺側の領域を支持させることが好ましい。

【００２２】上記の分離装置において、前記一対の支持
部は、例えば、試料を両面から押圧して支持することが
好ましい。

【００２３】上記の分離装置において、前記変更部は、
例えば、試料が前記一対の支持部により支持される領域
を分離処理の中途で他の異なる領域に変更することが好
ましい。

【００２４】上記の分離装置において、例えば、前記試
料は、分離用の層として内部に脆弱な層を有し、前記噴
射部は、該分離用の層の付近に向けて流体を噴射するこ
とが好ましい。

【００２５】上記の分離装置において、例えば、前記試
料は、脆弱な層を内部に有する第１の板状部材を第２の
板状部材に貼り合わせてなり、前記噴射部は、該分離用
の層の付近に向けて流体を噴射することが好ましい。

【００２６】前記脆弱な構造の層は、例えば多孔質層で
ある。前記第１の板状部材は、例えば半導体基板であ
る。前記第１の板状部材は、例えば、半導体基板の片面
に多孔質層を形成し、該多孔質層上に非多孔質層を形成
してなる。前記非多孔質層は、例えば、単結晶半導体層
を含む。

【００２７】本発明に係る分離方法は、板状の試料を分
離する分離方法であって、試料の両面の全領域のうち一
部の領域を支持して該試料に向けて流体を噴射すること
により該試料を分離する分離工程と、前記分離工程の中
途で試料を支持する領域を変更する変更工程とを有する
ことを特徴とする。

【００２８】上記の分離方法において、前記変更工程で
は、例えば、試料を支持する支持部の支持面と該試料と
の相対的な位置関係を変更することが好ましい。

【００２９】上記の分離方法において、前記変更工程で
は、例えば、前記支持部による試料の支持を一時的に解
除して該試料を移動させることが好ましい。

【００３０】上記の分離方法において、前記変更工程で
は、例えば、前記支持部による試料の支持を一時的に解
除し、該試料を下部から支持して移動させることが好ま
しい。

【００３１】上記の分離方法において、例えば、前記分
離工程では、試料の面に直交する軸を中心として該試料
を回転させながら該試料を分離することが好ましい。

【００３２】上記の分離方法において、前記変更工程で
は、例えば、試料を支持する支持部の形状を変更するこ
とにより、該試料を支持する領域を変更することが好ま
しい。

【００３３】上記の分離方法において、例えば、試料を
支持するために複数の支持面を有する支持部を使用し、
前記変更工程では、例えば、該試料の面に近づく方向又
は遠ざかる方向に前記複数の支持面を個別に移動させる
ことにより、該試料を支持する領域を変更することが好
ましい。

【００３４】上記の分離方法において、前記分離工程で
は、例えば、試料の面に直交する軸を中心として該試料
を回転させながら分離することが好ましい。

【００３５】上記の分離方法において、前記複数の支持
面は、例えば、実質的に前記軸を中心とする円形状の面
と１又は複数の円環上の面とを含むことが好ましい。

【００３６】上記の分離方法において、前記変更工程で
は、例えば、試料を支持する支持部を形状が異なる他の
支持部と交換することが好ましい。

【００３７】上記の分離方法において、前記分離工程で
は、例えば、試料の面に直交する軸を中心として該試料
を回転させながら分離し、前記変更工程では、例えば、
前記分離工程の中途で、該試料を支持する領域を中央部
付近の領域から周辺側の領域に変更することが好まし
い。

【００３８】上記の分離方法において、前記分離工程で
は、例えば、試料を両面から押圧して支持しながら該試
料を分離することが好ましい。

【００３９】上記の分離方法において、前記試料は、例
えば、分離用の層として内部に脆弱な層を有し、前記分
離工程では、例えば、該分離用の層の付近に向けて流体
を噴射することが好ましい。

【００４０】前記試料は、例えば、脆弱な層を内部に有
する第１の板状部材を第２の板状部材に貼り合わせてな
る。前記脆弱な構造の層は、例えば、多孔質層である。
前記第１の板状部材は、例えば、半導体基板である。前
記第１の板状部材は、例えば、半導体基板の片面に多孔
質層を形成し、該多孔質層上に非多孔質層を形成してな
る。前記非多孔質層は、例えば、単結晶半導体層を含
む。

【００４１】本発明の基板の製造方法は、内部に脆弱な
層を有する第１の基板を第２の基板に貼り合せて、貼り
合わせ基板を作成する作成工程と、上記の分離装置によ
り前記貼り合わせ基板を前記脆弱な層で分離する分離工
程と、前記分離工程の後に前記第２の基板側の表面に残
った脆弱な層を除去する工程とを含むことを特徴とす
る。

【００４２】本発明の他の基板の製造方法は、脆弱な層
を内部に有する第１の基板を第２の基板に貼り合せて貼
り合わせ基板を作成する作成工程と、上記の分離方法に
より前記貼り合わせ基板を前記脆弱な層で分離する分離
工程と、前記分離工程の後に前記第２の基板側の表面に
残った脆弱な層を除去する工程とを含むことを特徴とす
る。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。

【００４４】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る
ＳＯＩ基板の製造を方法を工程順に説明する図である。

【００４５】図１（ａ）に示す工程では、単結晶Ｓｉ基
板１１を準備して、その表面に陽極化成等により多孔質
Ｓｉ層１２を形成する。次いで、図１（ｂ）に示す工程
では、多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質単結晶Ｓｉ層１３
をエピタキシャル成長法により形成し、その上に絶縁層
（例えば、ＳｉＯ₂層）１５を形成する。これにより、
第１の基板（）が形成される。

【００４６】図１（ｃ）に示す工程では、第２の基板１
４（）を準備し、絶縁層１５が面するようにして第１
の基板（）と第２の基板１４（）とを室温で密着さ
せる。その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれ
らを組合わせた処理により第１の基板（）と第２の基
板１４（）とを貼り合わせる。この処理により、絶縁
層１５と第２の基板１４（）とが強固に結合される。
なお、絶縁層１５は、上記のように非多孔質単結晶Ｓｉ
層１３の上に形成しても良いが、第２の基板１４（）
の上に形成しても良く、両者に形成しても良く、結果と
して、第１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１
（ｃ）に示す状態になれば良い。

【００４７】図１（ｄ）に示す工程では、貼り合わせた
２枚の基板を、多孔質Ｓｉ層１２の部分で分離する。こ
れにより、第２の基板側（''＋）は、多孔質Ｓｉ層
１２''／単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基
板１４の積層構造となる。一方、第１の基板側（'）
は、単結晶Ｓｉ基板１１上に多孔質Ｓｉ層１２’を有す
る構造となる。

【００４８】分離後の基板（’）は、残留した多孔質
Ｓｉ層１２’を除去し、必要に応じて、その表面を平坦
化することにより、再び第１の基板（）を形成するた
めの単結晶Ｓｉ基板１１として使用される。

【００４９】貼り合わせた基板を分離した後、図１
（ｅ）に示す工程では、第２の基板側（''＋）の表
面の多孔質層１２''を選択的に除去する。これにより、
単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基板１４の
積層構造、すなわち、ＳＯＩ構造を有する基板が得られ
る。

【００５０】第２の基板としては、例えば、単結晶Ｓｉ
基板の他、絶縁性基板（例えば、石英基板）や光透過性
基板（例えば、石英基板）等が好適である。

【００５１】この実施の形態では、２枚の基板を貼り合
わせた後にこれを分離する処理を容易にするために、分
離用の領域に脆弱な構造の多孔質層１２を形成するが、
この多孔質層の代わりに、例えば、微小気泡層を形成し
てもよい。微小気泡層は、例えば、半導体基板にイオン
を注入することにより形成することができる。

【００５２】なお、上記の製造方法により製造される基
体は、半導体デバイスの製造のみならず、微細な構造物
の製造にも応用することができる。

【００５３】この実施の形態では、図１（ｄ）に示す工
程、すなわち、貼り合わせた２枚の基板（貼り合わせ基
板）を分離する工程において、分離用の領域である多孔
質Ｓｉ層に対して高圧の液体又は気体（流体）を噴射す
ることにより該分離領域で基板を２枚に分離する分離装
置を使用する。

【００５４】［分離装置の基本構成］この分離装置は、
ウォータージェット法を適用したものである。一般に、
ウォータジェット法は、水を高速、高圧の束状の流れに
して対象物に対して噴射して、セラミックス、金属、コ
ンクリート、樹脂、ゴム、木材等の切断、加工、表面の
塗膜の除去、表面の洗浄等を行う方法である（「ウォー
タージェット」第１巻１号（１９８４年）第４ページ参
照）。

【００５５】この分離装置は、脆弱な構造部分である貼
り合わせ基板の多孔質層（分離用の層）に対して、基板
の面方向に、高速、高圧の流体を束状の流れにして噴射
して、多孔質層を選択的に崩壊させることにより、多孔
質層の部分で基板を分離するものである。以下では、こ
の束状の流れを「ジェット」という。また、ジェットを
構成する流体を「ジェット構成媒体」という。ジェット
構成媒体としては、水、アルコール等の有機溶媒、弗
酸、硝酸その他の酸、水酸化カリウムその他のアルカ
リ、空気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガス、エッチングガ
スその他の気体、或いはプラズマ等であってもよい。

【００５６】この分離装置を半導体装置の製造工程、例
えば、貼り合わせ基板の分離工程に適用する場合、ジェ
ット構成媒体としては、不純物金属やパーティクル等を
極力除去した純水を使用することが好ましい。

【００５７】貼り合わせ基板の外周部には、円周方向に
沿ってＶ（凹）型の溝があることが好ましい。図２は、
貼り合わせ基板に作用する力を概念的に示す図である。
図２（ａ）は、Ｖ型の溝２２を有する貼り合わせ基板、
図２（ｂ）は、Ｖ型の溝を有しない貼り合わせ基板を示
す。

【００５８】図２（ａ）に示すように、Ｖ型の溝２２を
有する貼り合わせ基板においては、矢印２３のように、
貼り合わせ基板の内側から外側に向かって力が加わる。
一方、図２（ｂ）に示すように、外周部が凸形状をなす
貼り合わせ基板においては、矢印２４に示すように、貼
り合わせ基板の外側から内側に向かって力が加わる。し
たがって、外周部が凸形状をなす貼り合わせ基板におい
ては、分離領域である多孔質層１２の外周部がジェット
２１により除去されない限り、分離するための力が作用
しない。

【００５９】また、貼り合わせ基板の外周部の表面に薄
い層が形成されている場合であっても、図２（ａ）に示
すように、Ｖ型の溝２２を有する場合には、貼り合わせ
基板に分離力が作用するため、当該層を容易に破壊する
ことができる。

【００６０】ジェットを有効に利用するためには、Ｖ型
の溝２２の開口部の幅Ｗ１が、ジェット２１の直径ｄと
同程度又は同程度以上であることが好ましい。例えば、
第１の基板(）及び第２の基板(）が夫々１ｍｍ厚程
度で、貼り合わせ基板が２ｍｍ厚程度の場合を考える。
通常Ｖ型の溝２２の開口部の幅Ｗ１は１ｍｍ程度である
ので、ジェットの直径は１ｍｍ以下であることが好まし
い。一般的なウォータージェット装置では、直径０．１
〜０．５ｍｍ程度のジェットが使用されているため、こ
のような一般的なウォータージェット装置（例えば、ウ
ォータージェットノズル）を流用することが可能であ
る。

【００６１】ジェットの噴射条件は、例えば、分離領域
（例えば、多孔質層）の種類、貼り合わせ基板の外周部
の形状等に応じて決定すればよい。ジェットの噴射条件
として、例えば、ジェット構成媒体に加える圧力、ジェ
ットの走査速度、ノズルの幅又は径（ジェットの径と略
同一）、ノズル形状、ノズルと分離領域との距離、ジェ
ット構成媒体の流量等は、重要なパラメータとなる。

【００６２】貼り合わせ基板の分離方法には、例えば、
１）貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行に
ジェットを挟入すると共にノズルを該貼り合わせ面に沿
って走査する方法、２）貼り合わせ面付近に対して該貼
り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共に貼り合わ
せ基板を走査する方法、３）貼り合わせ面付近に対して
該貼り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共にノズ
ル付近を腰として扇状にジェットを走査する方法、４）
貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行にジェ
ットを挟入すると共に該貼り合わせ基板の略中心を軸と
して該貼り合わせ基板を回転させる方法（貼り合わせ基
板が円盤状の場合に特に有効）等がある。

【００６３】本発明者は、上記のような分離処理を効率
的に行う上で、分離処理の際に貼り合わせ基板を支持す
る技術が重要な要素となることを見出した。以下、具体
的に説明する。

【００６４】図１８は、本発明者が本発明をなす前に開
発した貼り合わせ基板１０１の分離装置の構成を概略的
に示す図である。図１８に示す分離装置は、一端に基板
支持部５０３が固定され、他端にモータ（不図示）が連
結され、回転可能に軸支された回転軸５０１と、一端に
基板支持部５０４が固定され、他端にエアシリンダ（不
図示）が連結され、回転可能かつ摺動可能に軸支された
回転軸５０２、ジェット５１１を噴射するノズル５１０
とを備える。

【００６５】貼り合わせ基板１０１を分離する際は、回
転軸５０２に連結されたエアシリンダを作動させて、基
板支持部５０４により貼り合わせ基板１０１の中央部を
一貫して押圧して支持する。この状態で、貼り合わせ基
板１０１を回転させながら、貼り合わせ基板１０１の多
孔質層１０１ｂに向けてノズル５１０からジェットを噴
射させることにより、貼り合わせ基板１０１を２枚の基
板１０１ａ及び１０１ｃに分離することができる。

【００６６】図１８に示す分離装置によれば、貼り合わ
せ基板を効率的に分離することができ、また、基板の損
傷や汚染が少ない。従って、この分離装置は、貼り合わ
せ基板又は他の類似の試料を分離する上で極めて有望で
あると考えられる。しかしながら、以下に示すような解
決すべき課題が残されている。

【００６７】即ち、図１８に示す分離装置では、分離処
理の初期段階から最終段階まで、貼り合わせ基板１０１
の中央部を一貫して支持するために、貼り合わせ基板１
０１の中央部付近を分離する際の効率が低いという問題
がある。

【００６８】貼り合わせ基板１０１は、ジェットの衝撃
による多孔質層１０１ｂの破壊の他、貼り合わせ基板１
０１の内部に注入されるジェット構成媒体の圧力、即
ち、貼り合わせ基板１０１を２枚の基板に引き離す方向
に作用する分離力により分離される。

【００６９】従って、貼り合わせ基板１０１の中央部を
一貫して支持し続けると、貼り合わせ基板に分離力を効
果的に作用させることができず、貼り合わせ基板１０１
は、主にジェットの衝撃により分離される。この場合、
貼り合わせ基板１０１を分離する際の効率が低くなると
言える。

【００７０】そこで、分離処理をより効率的に実行する
ための分離装置の提供が望まれる。以下に、本発明の好
適な実施の形態として、改良された分離装置及び分離方
法を説明する。

【００７１】本発明の好適な実施の形態に係る分離装置
は、一対の基板支持部により貼り合わせ基板を両側から
挟むようにして支持し、該貼り合わせ基板を回転させな
がらジェットにより２枚の基板に分離する装置であっ
て、この分離処理の中途で、基板支持部が貼り合わせ基
板を支持する領域を変更する。

【００７２】具体例を上げると、例えば、分離処理の第
１段階では、貼り合わせ基板の中央部付近の領域を両側
から支持し、この状態で、貼り合わせ基板の外周側の領
域を分離する。そして、分離処理の第２段階では、貼り
合わせ基板の外周側の領域を両側から支持し、この状態
で、貼り合わせ基板の中央部付近の領域を分離する。こ
のように、貼り合わせ基板の外周側の領域を分離する際
は、貼り合わせ基板の中央部付近を支持し、逆に、貼り
合わせ基板の中央部付近の領域を分離する際は、貼り合
わせ基板の外周側の領域を支持することにより、分離力
を効果的に貼り合わせ基板に作用させることができる。

【００７３】ここで、基板支持部により貼り合わせ基板
を支持する領域の変更は、該貼り合わせ基板の片面のみ
に関して行ってもよい。例えば、貼り合わせ基板の一方
の面に関しては、その全面を一貫して支持し続け、他方
の面に関しては、分離処理の中途で、支持する領域を変
更する如きである。

【００７４】また、基板支持部により貼り合わせ基板を
支持する領域の変更は、３回以上行ってもよい。

【００７５】この分離装置によれば、貼り合わせ基板を
支持する領域を分離処理の中途で変更することにより、
貼り合わせ基板に対して分離力を効果的に作用させ、分
離処理を効率化することができる。

【００７６】以下、本発明の好適な実施の形態を列挙す
る。なお、以下の各実施の形態に係る分離装置は、内部
に脆弱な構造部である多孔質層又は微小気泡層を有する
貼り合わせ基板の分離に好適であるが、例えば内部に脆
弱な構造部を有する他の試料の分離にも好適である。

【００７７】［第１の実施の形態］図３及び図４は、本
発明の第１の実施の形態に係る分離装置の概略的な構成
を示す図である。この分離装置１００は、基板支持部１
２０及び１５０を有し、この基板支持部１２０及び１５
０により貼り合わせ基板１０１を両側から挟むようにし
て押圧して支持する。貼り合わせ基板１０１は、内部に
脆弱な構造部である多孔質層１０１ｂを有し、この分離
装置１００により、この多孔質層１０１ｂの部分で２つ
の基板１０１ａ及び１０１ｃに分離される。この分離装
置１００においては、例えば、基板１０１ａが図１にお
ける第１の基板側（’）、基板１０１ｃが図１におけ
る第２の基板側（’’＋）になるようにセットす
る。

【００７８】基板保持部１２０及び１５０は、同一の中
心軸上に存在する。基板保持部１２０は、ベアリング１
０８を介して支持台１０９に回転可能に軸支された回転
軸１０４の一端に連結され、この回転軸１０４の他端に
はモータ１１０の回転軸に連結されている。したがっ
て、モータの発生する回転力により、基板支持部１２０
に押圧された貼り合わせ基板１０１が回転することにな
る。このモータ１２０は、不図示のコントローラにより
制御され、該コントローラから指示される回転速度で回
転軸１０４を回転させたり、回転を停止させたりする。

【００７９】基板支持部１５０は、ベアリング１１１を
介して支持台１０９に摺動可能かつ回転可能に軸支され
た回転軸１０３の一端に連結され、この回転軸１０３の
他端は、支持台１０９に固定されたエアシリンダ１１２
に連結されている。このエアシリンダ１１２は、不図示
のコントローラにより制御される。このエアシリンダ１
１２が回転軸１０３を押し出すことにより、貼り合わせ
基板１０１は、基板支持部１５０により押圧される。

【００８０】基板支持部１２０及び１５０の支持面（貼
り合わせ基板１０１と接触する面）には、不図示の吸着
機構（例えば、真空吸着機構）が設けられている。この
吸着機構により、貼り合わせ基板１０１をより安定的に
保持することができる。また、基板支持部１２０及び基
板支持部１５０の支持面は、軸対象の形状、例えば円形
であることが好ましい。なお、基板支持部１２０と基板
支持部１５０は、必ずしも同一の形状を有する必要はな
い。

【００８１】この分離装置１００は、貼り合わせ基板１
０１と、基板支持部１２０及び１５０との相対的な位置
関係を変更（調整）するための変更部として昇降機構１
６０を備えている。この昇降機構１６０は、貼り合わせ
基板１０１を下方から支持する下方支持部１６２と、ピ
ストン１６１と、該ピストン１６１を昇降させるエアシ
リンダ１６３とを有する。下方支持部１６２は、図４に
示すように、基板支持部１２０及び１５０による貼り合
わせ基板１０１の支持が解除された状態で、貼り合わせ
基板１０１を下方から支持する。そして、エアシリンダ
１６３を作動させて下方支持部１６２を昇降させること
により、貼り合わせ基板１０１と、基板支持部１２０及
び１５０との相対的な位置関係を変更することができ
る。この位置関係の変更の具体例に関しては後述する。

【００８２】その他、この分離装置１００は、ポンプ１
１４及びノズル１０２を有し、ポンプ１１４より高圧の
ジェット構成媒体（例えば、水）をノズル１０２に送り
込み、これによりノズル１０２からジェットを噴射させ
る。また、ノズル１０２の下方には、シャッタ１０６が
配置されている。ここで、ジェットの圧力は、例えば５
００ｋｇｆ／平方ｃｍ程度が好適であり、ノズル１０２
の径は、例えば０．１ｍｍ程度が好適である。

【００８３】以下、この分離装置１００による分離処理
の手順を説明する。この分離処理は、２段階からなる分
離工程と、分離工程の中途で貼り合わせ基板の位置を変
更する変更工程とを有する。

【００８４】＜分離工程の第１段階＞分離工程の第１段
階では、まず、エアシリンダ１１２に回転軸１０３を収
容させることにより、基板支持部１２０と基板支持部１
５０との間に相応の距離を設ける。次いで、基板支持部
１２０と基板支持部１５０との間に搬送ロボット等によ
り貼り合わせ基板１０１を搬送し、該貼り合わせ基板１
０１の中心と基板支持部１２０及び１５０の中心軸とを
位置合わせする。ここで、昇降機構１６０の下方支持部
１６２を所定位置まで上昇させて、下方支持部１６２上
に貼り合わせ基板１０１を載置することにより位置合わ
せを行ってもよい。

【００８５】次いで、エアシリンダ１１２に回転軸１０
３を押し出させることにより、基板支持部１２０及び１
５０により貼り合わせ基板１０１を両側から挟むように
して押圧して保持し、必要に応じて前述の吸着機構を作
動させる。この状態で、貼り合わせ基板１０１の多孔質
層１０１ｂは、ノズル１０２の直下に位置する。図５
は、分離工程の第１段階における貼り合わせ基板１０１
と基板支持部１２０及び１５０との相対的な位置関係を
示す図である。

【００８６】次いで、モータ１１０により貼り合わせ基
板１０１を所定の回転速度で回転させる。これにより、
回転軸１０４、基板支持部１２０、貼り合わせ基板１０
１、基板支持部１５０及び回転軸１０３は一体化して回
転する。

【００８７】次いで、ポンプ１１４からノズル１０２に
ジェット構成媒体（例えば、水）を送り込む。そして、
ノズル１０２から噴射されるジェットが安定したら、シ
ャッタ１０６を開いて、貼り合わせ基板１０１の多孔質
層１０１ｂにジェットを挟入させる。

【００８８】これにより、貼り合わせ基板１０１の多孔
質層１０１ｂには、ジェットによる衝撃力と、貼り合わ
せ基板１０１の内部に注入されるジェット構成媒体の圧
力による分離力とが作用し、分離が進行する。

【００８９】次いで、この実施の形態では、貼り合わせ
基板１０１の外周部側の領域（例えば、基板支持部１２
０及び１５０により押圧される領域よりも外周側の領
域）が分離されるのを待った後（例えば、所定時間の経
過後）に、シャッタ１０６を閉じ、ポンプ１１４及びモ
ータ１１０の動作を停止させる。

【００９０】＜変更工程＞次いで、昇降機構１６０の下
方支持部１６２を上昇させて、該下方支持部１６２によ
り貼り合わせ基板１０１の下方を支持し、その後、エア
シリンダ１１２に回転軸１０３を収容させる。なお、貼
り合わせ基板１０１を基板支持部１５０の吸着機構によ
り吸着していた場合は、その吸着を解除した後に回転軸
１０３を後退させる。

【００９１】次いで、下方支持部１６２を所定位置まで
上昇又は下降させることにより、貼り合わせ基板１０１
と基板支持部１２０及び１５０との位置関係を変更す
る。そして、エアシリンダ１１２に回転軸１０３を押し
出させることにより、貼り合わせ基板１０１を基板支持
部１２０及び１５０により両側から挟むようにして押圧
して保持し、必要に応じて前述の吸着機構を作動させ
る。図６は、分離工程の第２段階における貼り合わせ基
板１０１と基板支持部１２０及び１５０との相対的な位
置関係を示す図である。

【００９２】＜分離工程の第２段階＞分離工程の第２段
階では、まず、モータ１１０により貼り合わせ基板１０
１を所定の回転速度で回転させる。これにより、回転軸
１０４、基板支持部１２０、貼り合わせ基板１０１、基
板支持部１５０及び回転軸１０３は一体化して回転す
る。

【００９３】次いで、ポンプ１１４からノズル１０２に
ジェット構成媒体を再度送り込む。そして、ノズル１０
２から噴射されるジェットが安定したら、シャッタ１０
６を開いて、貼り合わせ基板１０１の多孔質層１０１ｂ
にジェットを挟入させる。

【００９４】これにより、貼り合わせ基板１０１の未分
離（中央部付近）の多孔質層１０１ｂには、ジェットの
衝撃力と、貼り合わせ基板１０１の内部に注入されるジ
ェット構成媒体の圧力による分離力とが作用する。この
ようにして分離が進行し、貼り合わせ基板１０１は完全
に２枚の基板に分離される。

【００９５】貼り合わせ基板１０１が２枚の基板１０１
ａ及び１０１ｃに分離されたら、シャッタ１０６を閉
じ、ポンプ１１４及びモータ１１０の動作を停止させ
る。

【００９６】次いで、分離された２枚の基板１０１ａ及
び１０１ｃを例えば搬送ロボットのロボットハンドに吸
着した後、エアシリンダ１１２により回転軸１０３を後
退させる。そして、例えば搬送ロボットにより２枚の基
板１０１ａ及び１０１ｃを引き離す。

【００９７】ここで、基板支持部１２０及び１５０の各
吸着機構を作動させた状態であれば、回転軸１０３を後
退させることにより、分離された各基板１０１ａ及び１
０１ｃを引き離すことができる。

【００９８】以上のように、この実施の形態では、分離
処理の第１及び第２段階で同一の基板支持部を使用し、
貼り合わせ基板を移動させることにより、基板支持部が
貼り合わせ基板を支持する領域を変更する。したがっ
て、基板支持部の構造として単純な構造を採用すること
ができる。

【００９９】上記の実施の形態では、分離工程の第１段
階及び第２段階との双方を貼り合わせ基板を回転させな
がら実行するが、分離工程の第２段階では、貼り合わせ
基板の回転を実質的に停止させることも有効である。

【０１００】分離工程の第２段階の終盤では、未分離の
領域が急速に小さくなり、逆に、既に分離された領域が
急速に大きくなる。したがって、貼り合わせ基板を回転
させながら分離を進めると、小さな未分離の領域を取り
囲むようにして過大な分離力が全周的に作用すると考え
られる。この場合、第２段階の終盤において、未分離の
領域が一括して引き剥がされて、分離後の各基板の中心
部付近に欠陥が発生する可能性がある。

【０１０１】本発明者は、分離工程の第２段階で貼り合
わせ基板の回転を実質的に停止させることにより、この
欠陥の発生を防止することができることを見出した。こ
の理由は次のように考えられる。

【０１０２】分離工程の第２段階で貼り合わせ基板の回
転を実質的に停止させた場合、第２段階の終盤におい
て、小さくなった未分離の領域の一部に対しては強い分
離力を作用させ、他の部分に対しては弱い分離力を作用
させながら徐々に分離領域を拡大することができる。し
たがって、小さな未分離の領域が一括して引き剥がされ
ることを防止することができると考えられる。

【０１０３】また、本発明者は、上記の欠陥の発生は、
分離工程の第１段階において略円形の領域を未分離の領
域として残し、分離工程の第２段階において貼り合わせ
基板の回転を実質的に停止させることにより一層効果的
に防止されることを見出した。このように分離工程の第
１段階において略円形の未分離の領域を残すには、基板
支持部の支持面を略円形にすることが好ましい。

【０１０４】［第２の実施の形態］この実施の形態は、
貼り合わせ基板の第１の領域（例えば、中央部）を支持
して該貼り合わせ基板を部分的に分離する第１の分離装
置と、該貼り合わせ基板の第２の領域（例えば、外周側
の領域）を支持して該貼り合わせ基板の未分離の領域を
分離する分離装置と、第１の分離装置から第２の分離装
置に貼り合わせ基板を搬送する搬送機構とを有する分離
システムに関する。

【０１０５】図７は、本発明の第２の実施の形態に係る
分離システムにおける第１の分離装置の概略的な構成を
示す図である。図８は、本発明の第２の実施の形態に係
る分離システムにおける第２の分離装置の概略的な構成
を示す図である。なお、図３及び図４に示す第１の実施
の形態に係る分離装置と実質的に同一の構成要素には同
一の符号を付し、原則として説明を省略する。

【０１０６】図７に示す第１の分離装置２００は、円形
の支持面を有する基板支持部１２１及び１５１を備え、
これらにより貼り合わせ基板１０１の中央部付近を支持
する。一方、図８に示す第２の分離装置２０１は、円環
状の支持面を有する基板支持部１２２及び１５２を備
え、これらにより貼り合わせ基板１０１の外周側の領域
（例えば、最外周部と中央部との中間付近の領域）を支
持する。基板支持部１２１、１５１、１２２及び１５２
の支持面には、吸着機構（例えば、真空吸着機構）を備
えることが好ましい。

【０１０７】第１の分離装置２００から第２の分離装置
２０１への貼り合わせ基板１０１の搬送は、搬送機構１
７０によりなされる。この実施の形態では、第１の分離
装置２００と第２の分離装置２０１とは、図７及び図８
においてｙ軸方向に設置される。搬送機構１７０は、貼
り合わせ基板１０１を吸着（例えば、真空吸着、静電吸
着）するロボットハンド１７１と、該ロボットハンド１
７１をｙ軸方向に移動させる駆動軸１７２とを有する。

【０１０８】以下、図７及び図８に示す分離システムに
よる分離処理の手順を説明する。この分離処理は、２段
階からなる分離工程と、使用する分離装置を変更するこ
とにより貼り合わせ基板を支持する領域を変更する変更
工程とを有する。

【０１０９】＜分離工程の第１段階＞第１段階では、図
７に示す第１の分離装置２００により貼り合わせ基板１
０１の外周側を分離する。

【０１１０】具体的には、まず、エアシリンダ１１２に
回転軸１０３を収容させることにより、基板支持部１２
１と基板支持部１５１との間に相応の距離を設ける。次
いで、基板支持部１２１と基板支持部１５１との間に搬
送ロボット等により貼り合わせ基板１０１を搬送し、該
貼り合わせ基板１０１の中心と基板支持部１２１及び１
５１の中心軸とを位置合わせする。

【０１１１】次いで、エアシリンダ１１２に回転軸１０
３を押し出させることにより、貼り合わせ基板１０１を
基板支持部１２１及び１５１により両側から挟むように
して押圧して支持し、必要に応じて前述の吸着機構を作
動させる。この状態で、貼り合わせ基板１０１の多孔質
層１０１ｂは、ノズル１０２の直下に位置する。

【０１１２】次いで、モータ１１０により貼り合わせ基
板１０１を所定の回転速度で回転させる。これにより、
回転軸１０４、基板支持部１２１、貼り合わせ基板１０
１、基板支持部１５１及び回転軸１０３は一体化して回
転する。

【０１１３】次いで、ポンプ１１４からノズル１０２に
ジェット構成媒体（例えば、水）を送り込む。そして、
ノズル１０２から噴射されるジェットが安定したら、シ
ャッタ１０６を開いて、貼り合わせ基板１０１の多孔質
層１０１ｂにジェットを挟入させる。

【０１１４】これにより、貼り合わせ基板１０１の多孔
質層１０１ｂには、ジェットによる衝撃力と、貼り合わ
せ基板１０１の内部に注入されるジェット構成媒体の圧
力による分離力とが作用し、分離が進行する。

【０１１５】図９は、分離工程の第１段階における貼り
合わせ基板の分離の様子を模式的に示す図である。図９
に示すように、分離工程の第１段階では、基板支持部１
２１及び１５１により貼り合わせ基板１０１の中央部付
近を支持するため、貼り合わせ基板１０１は、内部に注
入されたジェット構成媒体の圧力により、その外周側の
領域が反ることができる。したがって、分離工程の第１
段階では、分離の対象となっている外周側の領域に分離
力が効果的に作用し、効率的に分離が進行する。

【０１１６】次いで、この実施の形態では、貼り合わせ
基板１０１の外周部側の領域（例えば、基板支持部１２
０及び１５０により押圧される領域よりも外周側の領
域）が分離されるのを待った後（例えば、所定時間の経
過後）に、シャッタ１０６を閉じ、ポンプ１１４及びモ
ータ１１０の動作を停止させる。

【０１１７】＜変更工程＞変更工程では、まず、図７に
おいて、ロボットハンド１７１の吸着面を貼り合わせ基
板１０１に当接させて該貼り合わせ基板１０１を吸着す
る。次いで、エアシリンダ１１２に回転軸１０３を収容
させることにより、基板支持部１５１を貼り合わせ基板
から引き離し、基板支持部１２１及び１５１による支持
を解除する（吸着機構による吸着の解除を含む）。

【０１１８】次いで、貼り合わせ基板１０１を吸着した
ロボットハンド１７１を駆動軸１７２に沿って図８に示
す第２の分離装置２０１まで搬送し、該貼り合わせ基板
１０１の中心と、第２の分離装置２０１の基板支持部１
２２及び１５２の中心とを位置合わせする。

【０１１９】次いで、エアシリンダ１１２に回転軸１０
３を押し出させることにより、貼り合わせ基板１０１を
基板支持部１２２及び１５２により両側から挟むように
して押圧して支持し、必要に応じて前述の吸着機構を作
動させる。

【０１２０】＜分離工程の第２段階＞第２段階では、図
８に示す第２の分離装置２０１により貼り合わせ基板１
０１の中央部付近を分離する。

【０１２１】具体的には、まず、モータにより貼り合わ
せ基板１０１を所定の回転速度で回転させる。これによ
り、回転軸１０４、基板支持部１２２、貼り合わせ基板
１０１、基板支持部１５２及び回転軸１０３は一体化し
て回転する。

【０１２２】次いで、ポンプ１１４からノズル１０２に
ジェット構成媒体（例えば、水）を送り込む。そして、
ノズル１０２から噴射されるジェットが安定したら、シ
ャッタ１０６を開いて、貼り合わせ基板１０１の多孔質
層１０１ｂにジェットを挟入させる。

【０１２３】これにより、貼り合わせ基板１０１の未分
離（中央部付近）の多孔質層１０１ｂには、ジェットに
よる衝撃力と、貼り合わせ基板１０１の内部に注入され
るジェット構成媒体の圧力による分離力とが作用して分
離が進行し、貼り合わせ基板１０１は完全に分離され
る。

【０１２４】図１０は、分離工程の第２段階における貼
り合わせ基板の分離の様子を模式的に示す図である。図
１０に示すように、分離工程の第２段階では、基板支持
部１２２及び１５２により貼り合わせ基板１０１の外周
側の領域（図示の例では、最外周部と中央部との中間付
近の領域）を支持するため、貼り合わせ基板１０１は、
内部に注入されたジェット構成媒体の圧力により、その
中央部付近が膨張する。したがって、分離工程の第２段
階では、分離の対象となっている中央部付近の領域に分
離力が効果的に作用し、効率的に分離が進行する。

【０１２５】貼り合わせ基板１０１が２枚の基板１０１
ａ及び１０１ｃに分離されたら、シャッタ１０６を閉
じ、ポンプ１１４及びモータ１１０の動作を停止させ
る。次いで、分離された２枚の基板１０１ａ及び１０１
ｃを例えば搬送ロボットのロボットハンドに吸着した
後、エアシリンダ１１２により回転軸１０３を後退させ
る。そして、例えば搬送ロボットにより２枚の基板１０
１ａ及び１０１ｃを引き離す。

【０１２６】ここで、基板支持部１２２及び１５２の各
吸着機構を作動させた状態であれば、回転軸１０３を後
退させることにより、分離された各基板１０１ａ及び１
０１ｃを引き離すことができる。

【０１２７】以上のように、この実施の形態では、分離
処理の第１段階及び第２段階で、基板支持部の形状が異
なる別個の分離装置を使用し、これにより、基板支持部
が貼り合わせ基板を支持する領域を変更する。したがっ
て、分離処理のスループットを向上させると共に各分離
装置の構成を単純化することができる。

【０１２８】また、この実施の形態では、貼り合わせ基
板１０１の中心と回転軸１０４及び１０３の中心とを一
致させているため、貼り合わせ基板１０１を安定して回
転させることができる。

【０１２９】上記の実施の形態では、分離工程の第１段
階及び第２段階との双方を貼り合わせ基板を回転させな
がら実行するが、欠陥の発生を防止するために、分離工
程の第２段階では、前述のように、貼り合わせ基板の回
転を実質的に停止させることも有効である。

【０１３０】［第３の実施の形態］この実施の形態は、
第２の実施の形態の変形例に関する。具体的には、この
実施の形態は、第２の実施の形態に係る第２の分離装置
２０１の基板支持部１２２及び１５２の形状を変更した
ものである。

【０１３１】図１１は、本発明の第３の実施の形態に係
る分離装置の構成を概略的に示す図である。この実施の
形態に係る分離システムは、図７に示す第１の分離装置
２００と図１１に示す第２の分離装置２０２とを、図７
及び図１１においてｙ軸方向に配置してなる。

【０１３２】図１１に示す第２の分離装置２０２は、円
弧状の支持部材（面）を有する基板支持部１２３及び１
５３を備える。図１２は、基板支持部１２３及び１５３
の円弧状の支持部材１２３ａ及び１５３ａを正面から見
た図である。このように、第２の分離装置において、貼
り合わせ基板の外周側の一部を支持することにより、貼
り合わせ基板の中央部へのジェットの注入を効率的に行
うことができる。

【０１３３】図１１に示す第２の分離装置２０２は、円
弧状の支持部材１２３ａ及び１５３ａを対向させるため
の手段を有することが好ましい。例えば、基板支持部１
２３及び基板支持部１５３の両先端部（例えば、支持部
材の裏）に磁石を埋め込み、両先端部が互いに引き合う
ようにすることにより、これを実現することができる。

【０１３４】また、基板支持部１２３及び１５３の支持
部材１２３ａ及び１５３ａの支持面には、吸着機構（例
えば、真空吸着機構）を備えることが好ましい。

【０１３５】以下、図７及び図１１に示す分離システム
による分離処理の手順を説明する。この分離処理は、２
段階からなる分離工程と、使用する分離装置を変更する
ことにより貼り合わせ基板を支持する領域を変更する変
更工程とを有する。

【０１３６】＜分離工程の第１段階＞次いで、分離工程
の第１段階では、図７に示す第１の分離装置２００によ
り第２の実施の形態と同様にして貼り合わせ基板１０１
を部分的に分離する。

【０１３７】＜変更工程＞次いで、変更工程では、搬送
機構１７０により図７に示す第１の分離装置２００から
図１１に示す第２の分離装置２０２に貼り合わせ基板１
０１を搬送し、該貼り合わせ基板１０１の中心と、第２
の分離装置２０２の回転軸１０４及び１０３の中心軸と
を位置合わせする。次いで、基板支持部１２３ａ及び１
５３ａを対向させた状態で、エアシリンダ１１２に回転
軸１０３を押し出させることにより、貼り合わせ基板１
０１を基板支持部１２２及び１５２により両側から挟む
ようにして押圧して支持し、必要に応じて前述の吸着機
構を作動させる。

【０１３８】なお、第１の分離装置２００から第２の分
離装置２０２に貼り合わせ基板１０１を搬送し第２の分
離装置２０２にセットする際は、搬送機構１７０のロボ
ットハンド１７１と基板支持部１２３とが衝突しない位
置に基板支持部１２３を回動させる。また、第２の分離
装置２０２に貼り合わせ基板１０１をセットした後は、
貼り合わせ基板１０１を回転させた時に搬送機構１７０
のロボットハンド１７１と基板支持部１２３とが衝突し
ない位置にロボットハンド１７１を移動させる。

【０１３９】＜分離工程の第２段階＞分離工程の第２段
階では、図１１に示す第２の分離装置２０２により貼り
合わせ基板１０１の中央部付近を分離する。

【０１４０】具体的には、まず、モータ１１０により貼
り合わせ基板１０１を所定の回転速度で回転させる。こ
れにより、回転軸１０４、基板支持部１２３、貼り合わ
せ基板１０１、基板支持部１５３及び回転軸１０３は一
体化して回転する。

【０１４１】次いで、ポンプ１１４からノズル１０２に
ジェット構成媒体（例えば、水）を送り込む。そして、
ノズル１０２から噴射されるジェットが安定したら、シ
ャッタ１０６を開いて、貼り合わせ基板１０１の多孔質
層１０１ｂにジェットを挟入させる。

【０１４２】これにより、貼り合わせ基板１０１の未分
離（中央部付近）の多孔質層１０１ｂには、ジェットに
よる衝撃力と、貼り合わせ基板１０１の内部に注入され
るジェット構成媒体の圧力による分離力とが作用して分
離が進行し、貼り合わせ基板１０１は完全に分離され
る。

【０１４３】図１３は、分離工程の第２段階における貼
り合わせ基板の分離の様子を模式的に示す図である。図
１３に示すように、分離工程の第２段階では、基板支持
部１２３及び１５３により貼り合わせ基板１０１の外周
側の一部の領域（図示の例では、最外周部の円弧状の領
域）を支持するため、貼り合わせ基板１０１は、内部に
注入されたジェット構成媒体の圧力により反ることがで
きる。したがって、分離工程の第２段階では、分離の対
象となっている中央部付近の領域に分離力が効果的に作
用し、効率的に分離が進行する。

【０１４４】貼り合わせ基板１０１が２枚の基板１０１
ａ及び１０１ｃに分離されたら、シャッタ１０６を閉
じ、ポンプ１１４及びモータ１１０の動作を停止させ
る。次いで、分離された２枚の基板１０１ａ及び１０１
ｃを例えば搬送ロボットのロボットハンドに吸着した
後、エアシリンダ１１２により回転軸１０３を後退させ
る。そして、例えば搬送ロボットにより２枚の基板１０
１ａ及び１０１ｃを引き離す。

【０１４５】ここで、基板支持部１２３及び１５３の各
吸着機構を作動させた状態であれば、回転軸１０３を後
退させることにより、分離された各基板１０１ａ及び１
０１ｃを引き離すことができる。

【０１４６】以上のように、この実施の形態では、分離
処理の第１段階及び第２段階で、基板支持部の形状が異
なる別個の分離装置を使用し、これにより、基板支持部
が貼り合わせ基板を支持する領域を変更する。したがっ
て、分離処理のスループットを向上させると共に各分離
装置の構成を単純化することができる。

【０１４７】また、この実施の形態では、貼り合わせ基
板１０１の中心と回転軸１０４及び１０３の中心とを一
致させているため、貼り合わせ基板１０１を安定して回
転させることができる。

【０１４８】更に、この実施の形態では、分離工程の第
２段階において、貼り合わせ基板の外周側の一部の領域
を支持するため、貼り合わせ基板１０１の中央部へのジ
ェットの注入を効率的に行うことができる。

【０１４９】上記の実施の形態では、分離工程の第１段
階及び第２段階との双方を貼り合わせ基板を回転させな
がら実行するが、欠陥の発生を防止するために、分離工
程の第２段階では、前述のように、貼り合わせ基板の回
転を実質的に停止させることも有効である。

【０１５０】［第４の実施の形態］この実施の形態は、
貼り合わせ基板の第１の領域（例えば、中央部）を第１
の基板支持部により支持して該貼り合わせ基板を部分的
に分離し、その後、第１の基板支持部を第２の基板支持
部に交換して、第２の基板支持部により該貼り合わせ基
板の第２の領域（例えば、外周側の領域）を支持して該
貼り合わせ基板の未分離の領域を分離する分離装置に関
する。

【０１５１】図１４は、本発明の第４の実施の形態に係
る分離装置の構成を概略的に示す図である。なお、図１
４においては、ポンプ１１４、ノズル１０２及びシャッ
タ１０６が省略されているが、実際には、これらは図７
に示す分離装置２００と同様の位置に配置されている。

【０１５２】図１４に示す分離装置３００は、回転軸１
０４，１０３に基板支持部を連結するための突起部１０
４ａ，１０３ａを夫々有する。第１の基板支持部１２
１，１５１は、突起部１０４ａ，１０３ａと係合する開
口部１２１ａ，１５１ａを夫々有する。第２の基板支持
部１２２，１５２は、突起部１０４ａ，１０３ａと係合
する開口部１２２ａ，１５２ａを夫々有する。

【０１５３】基板支持部１２１，１５１を夫々回転軸１
０４，１０３に装着するには、搬送機構１８０により基
板支持部１２１及び１５１を把持して回転軸１０４と回
転軸１０３との間に搬送する。そして、基板支持部１２
１及び１５１の中心を回転軸１０４及び１０３の中心に
位置合わせし、エアシリンダ１１２を作動させて回転軸
１０３を押し出させる。これにより、回転軸１０３，１
０４の突起部１０４ａ，１０３ａが基板支持部１２１、
１５１の開口部１２１ａ，１５１ａに係合する。基板支
持部１２２，１５２を夫々回転軸１０４，１０３に装着
する場合も同様である。

【０１５４】ここで、基板支持部を回転軸に装着した状
態でロックする機構（例えば、螺子等）を設けることが
好ましい。

【０１５５】以下、この分離装置１００による分離処理
の手順を説明する。この分離処理は、回転軸に基板支持
部を装着する装着工程と、２段階からなる分離工程と、
分離処理の中途で、基板支持部を交換することにより貼
り合わせ基板を支持する領域を変更する変更工程とを有
する。

【０１５６】＜装着工程＞装着工程では、まず、エアシ
リンダ１１２に回転軸１０３を収容させることにより、
回転軸１０４と回転軸１０３との間に相応の距離を設け
る。次いで、回転軸１０４と回転軸１０３との間に搬送
ロボット１８０により基板支持部１２１及び１５１を一
緒に搬送し、基板支持部１２１及び１５１の中心と回転
軸１０４及び１０３の中心とを位置合わせする。

【０１５７】次いで、エアシリンダ１１２に回転軸１０
３を押し出させることにより、突起部１０４ａ，１０３
ａを夫々基板支持部１２１，１５１の開口部１２１ａ，
１５１ａに係合させる。これにより、基板支持部１２
１，１５１は夫々回転軸１０４，１０３に固定される。

【０１５８】＜分離工程の第１段階＞次いで、分離工程
の第１段階では、第２の実施の形態と同様にして貼り合
わせ基板を部分的に分離する。

【０１５９】＜変更工程＞次いで、変更工程では、ま
ず、不図示の搬送ロボット等により貼り合わせ基板を保
持した後に、エアシリンダ１１２に回転軸１０３を収容
させる。次いで、搬送ロボット１８０により基板支持部
１２１及び１５１を把持して、ｘの正方向及び負方向に
移動させることにより、回転軸１０４及び１０３から取
り外す。

【０１６０】次いで、前述の装着工程と同様にして、基
板支持部１２２，１５２を夫々回転軸１０４，１０３に
固定する。

【０１６１】＜分離工程の第２段階＞次いで、分離工程
の第２段階では、第２の実施の形態と同様にして、貼り
合わせ基板の未分離の領域を分離する。

【０１６２】この実施の形態によれば、基板支持部を交
換する機能を設けることにより、１台の分離装置によ
り、分離工程の第１及び第２段階を実行することができ
る。また、この実施の形態によれば、貼り合わせ基板の
中心と回転軸の中心とを一致させた状態で貼り合わせ基
板を分離するため、貼り合わせ基板を安定して回転させ
ることができる。

【０１６３】上記の実施の形態では、分離工程の第１段
階及び第２段階との双方を貼り合わせ基板を回転させな
がら実行するが、欠陥の発生を防止するために、分離工
程の第２段階では、前述のように、貼り合わせ基板の回
転を実質的に停止させることも有効である。

【０１６４】［第５の実施の形態］この実施の形態は、
複数組の基板支持部（面）として第１及び第２組の基板
支持部を有する分離装置に関する。より具体的には、こ
の分離装置では、まず、第１組の基板支持部により貼り
合わせ基板の第１の領域（例えば、中央部）を第１の領
域を支持して該貼り合わせ基板を部分的に分離し、その
後、第２組の基板支持部により該貼り合わせ基板の第２
の領域（例えば、外周側の領域）を支持して該貼り合わ
せ基板の未分離の領域を分離する。

【０１６５】図１５は、本発明の第５の実施の形態に係
る分離装置の構成を概略的に示す図である。この分離装
置４００は、貼り合わせ基板１０１の中央部付近を支持
する円形状の支持面４１４ａ，４２０ａを夫々有する第
１組の基板支持部４１４及び４２０と、貼り合わせ基板
１０１の外周側の円環状の領域を支持する支持面４３０
ａ，４３１ａを夫々有する第２の基板支持部４３０及び
４３１とを備える。

【０１６６】分離工程の第１段階では、第１組の基板支
持部４１４及び４２０により貼り合わせ基板１０１を両
側から挟むようにして押圧して保持する。一方、分離工
程の第２段階では、第２組の基板保持部４３０及び４３
１により貼り合わせ基板１０１を両側から挟むようにし
て押圧して保持する。

【０１６７】この分離装置１００においては、例えば、
基板１０１ａが図１における第１の基板側（’）、基
板１０１ｃが図１における第２の基板側（’’＋）
になるようにセットする。

【０１６８】第１組の基板支持部４１４，４２０は、夫
々往復動ガイド４１２，４１８を介してシリンダ４０
９，４１５により摺動可能に軸支されており、シリンダ
４０９，４１５の後部から密閉空間４１０，４１６に供
給され又は排出される空気の圧力に従って、前進又は後
退する。第１組の基板支持部４１４，４２０の後端は、
シール部４１３，４１９により密閉されている。

【０１６９】第２組の基板支持部４３０，４３１は、夫
々シリンダ４０９，４１５に固定されている。シリンダ
４０９，４１５は、夫々ベアリング４１１，４１７を介
して支持台４４０に摺動可能かつ回転可能に軸支されて
いる。シリンダ４０９，４１５は、夫々エアシリンダ４
０１，４０３のピストン４０２，４０４の移動に伴って
前進又は後退する。

【０１７０】第２の基板支持部４３１側のシリンダ４１
５にはギア４０８が固定されており、ギア４０６及び４
０７を介して、モータ４０５が発生する回転力が伝達さ
れ、これにより第２の基板支持部４３１が回転する。こ
の時、第１の基板支持部４２０も、シリンダ４１５の回
転運動に付随して回転する。

【０１７１】その他、この分離装置４００は、ポンプ４
３２及びノズル４３３を有し、ポンプ４３２により高圧
のジェット構成媒体（例えば、水）をノズル４３３に送
り込み、これによりノズル４３３からジェットを噴射さ
せる。また、ノズル４３３の下方には、シャッタ４３４
が配置されている。ここで、ジェットの圧力は、例えば
５００ｋｇｆ／平方ｃｍ程度が好適であり、ノズル１０
２の径は、例えば０．１ｍｍ程度が好適である。

【０１７２】以下、この分離装置４００による分離処理
の手順を説明する。この分離処理は、２段階からなる分
離工程と、分離処理の中途で、貼り合わせ基板を支持す
る基板支持部を変更する変更工程とを有する。

【０１７３】＜分離工程の第１段階＞分離工程の第１段
階では、エアシリンダ４０１，４０３に夫々ピストン４
０２，４０４を収容させることにより、第１の基板支持
部４１４及び第２の基板支持部４３０と、第１の基板支
持部４２０及び第２の基板支持部４３１との間に相応の
距離を設ける。次いで、この間に搬送ロボット等により
貼り合わせ基板１０１を搬送し、該貼り合わせ基板１０
１の中心と第１組の基板支持部４１４及び４２０の中心
軸とを位置合わせする。

【０１７４】次いで、密閉空間４１０，４１６内を夫々
高圧状態にすることにより、第１組の基板支持部４１
４，４２０を夫々シリンダ４０９，４１５から押し出さ
せる。これにより、貼り合わせ基板１０１の中央部付近
は、第１組の基板支持部４１４及び４２０により両側か
ら挟むようにして押圧して支持される。なお、この時、
ピストン４０２，４０４は、夫々エアシリンダ４０１，
４０３に収容されているため、第２組の基板支持部４３
０，４３１の支持面４３０ａ，４３１ａは、貼り合わせ
基板１０１と接触しない。この状態で、貼り合わせ基板
１０１の多孔質層１０１ｂは、ノズル４３３の直下に位
置する。

【０１７５】次いで、ポンプ４３２からノズル４３３に
ジェット構成媒体（例えば、水）を送り込む。そして、
ノズル４３３から噴射されるジェットが安定したら、シ
ャッタ４３４を開いて、貼り合わせ基板１０１の多孔質
層１０１ｂにジェットを挟入させる。

【０１７６】これにより、貼り合わせ基板１０１の多孔
質層１０１ｂには、ジェットの衝撃力と、貼り合わせ基
板１０１の内部に注入されるジェット構成媒体の圧力に
よる分離力とが作用し、分離が進行する。

【０１７７】図１６は、分離工程の第１段階における貼
り合わせ基板の分離の様子を模式的に示す図である。図
１６に示すように、分離工程の第１段階では、第１組の
基板支持部４１４及び４２０により貼り合わせ基板１０
１の中央部付近を支持するため、貼り合わせ基板１０１
は、内部に注入されたジェット構成媒体の圧力により、
その外周側の領域が反ることができる。したがって、分
離工程の第１段階では、分離の対象となっている外周側
の領域に分離力が効果的に作用し、効率的に分離が進行
する。

【０１７８】＜変更工程及び分離工程の第２段階＞次い
で、貼り合わせ基板１０１の外周部側の領域（例えば、
最外周部から第２組の基板支持部の支持面４３０ａ及び
４３１ａの内側までの領域）が分離されるのを待った後
に、エアシリンダ４０１，４０３に夫々ピストン４０
２，４０４を押し出させる。これにより、貼り合わせ基
板１０１の外周側の円環状の領域は、、第２組の基板支
持部４３０，４３１の支持面４３０ａ，４３１ａにより
両側から挟むようにして押圧して支持される。

【０１７９】次いで、密閉空間４１０，４１６内を低圧
或いは真空状態にすることにより、第１組の基板支持部
４１４，４２０を夫々シリンダ４０９，４１５に収容さ
せる。

【０１８０】以上のように、貼り合わせ基板１０１を支
持する基板支持部を第１組の基板支持部から第２の基板
支持部に変更することにより、分離工程は、第１段階か
ら第２段階に移行する。

【０１８１】図１７は、分離工程の第２段階における貼
り合わせ基板の分離の様子を模式的に示す図である。図
１７に示すように、分離工程の第２段階では、第２組の
基板支持部４３０及び４３１により貼り合わせ基板の外
周側の領域（図示の例では、最外周部と中央部との中間
付近の領域）を支持するため、貼り合わせ基板１０１
は、内部に注入されたジェット構成媒体の圧力により、
その中央部付近が膨張する。したがって、分離工程の第
２段階では、分離の対象となっている中央部付近の領域
に分離力が効果的に作用し、効率的に分離が進行する。

【０１８２】貼り合わせ基板１０１が２枚の基板１０１
ａ及び１０１ｃに分離されたら、シャッタ４３４を閉
じ、ポンプ４３２及びモータ４０５の動作を停止させ
る。次いで、分離された２枚の基板１０１ａ及び１０１
ｃを例えば搬送ロボットのロボットハンドに吸着した
後、エアシリンダ４０１，４０３により夫々第２組の基
板支持部４３０，４３１を後退させる。そして、例えば
搬送ロボットにより２枚の基板１０１ａ及び１０１ｃを
引き離す。

【０１８３】なお、分離工程の第１段階の終了後に一旦
シャッタ４３４を閉じても構わないが、例えば分離処理
の効率化の観点から考えると、シャッタ４３４を開いた
ままの状態で第１段階から第２段階に移行させることが
好ましい。

【０１８４】以上のように、本実施の形態によれば、分
離装置に複数組の基板支持部を備え、分離処理の中途
で、貼り合わせ基板を支持する基板支持部を変更するこ
とにより、貼り合わせ基板を支持する領域の変更のため
に要する時間を短縮し、分離処理を効率化することがで
きる。

【０１８５】

【発明の効果】本発明によれば、例えば、板状の試料を
分離する処理を効率化することができる。

【０１８６】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板の
製造方法を工程順に説明する図である。

【図２】貼り合わせ基板に作用する力を概念的に示す図
である。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係る分離装置の概
略的な構成を示す図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態に係る分離装置の概
略的な構成を示す図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態に係る分離工程の第
１段階における貼り合わせ基板と基板支持部との相対的
な位置関係を示す図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態に係る分離工程の第
２段階における貼り合わせ基板と基板支持部との相対的
な位置関係を示す図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態に係る分離システム
における第１の分離装置の概略的な構成を示す図であ
る。

【図８】本発明の第２の実施の形態に係る分離システム
における第２の分離装置の概略的な構成を示す図であ
る。

【図９】本発明の第２の実施の形態に係る分離工程の第
１段階における貼り合わせ基板の分離の様子を模式的に
示す図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る分離工程の
第２段階における貼り合わせ基板の分離の様子を模式的
に示す図である。

【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る分離装置の
構成を概略的に示す図である。

【図１２】図１１に示す基板支持部の円弧状の支持部材
を正面から見た図である。

【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る分離工程の
第２段階における貼り合わせ基板の分離の様子を模式的
に示す図である。

【図１４】本発明の第４の実施の形態に係る分離装置の
構成を概略的に示す図である。

【図１５】本発明の第５の実施の形態に係る分離装置の
構成を概略的に示す図である。

【図１６】本発明の第５の実施の形態に係る分離工程の
第１段階における貼り合わせ基板の分離の様子を模式的
に示す図である。

【図１７】本発明の第５の実施の形態に係る分離工程の
第２段階における貼り合わせ基板の分離の様子を模式的
に示す図である。

【図１８】本発明者が本発明をなす前に開発した貼り合
わせ基板の分離装置の構成を概略的に示す図である。

【符号の説明】

１１ 単結晶Ｓｉ基板 １２，１２’，１２’’ 多孔質Ｓｉ層 １３ 非多孔質単結晶Ｓｉ層 １４ 単結晶Ｓｉ基板 １５ 絶縁層 １００，２００〜２０２，３００，４００ 分離装置 １０１ 貼り合わせ基板 １０１ａ 第１の基板 １０１ｂ 多孔質層 １０１ｃ 第２の基板 １０２ ノズル １０３，１０４ 回転軸 １０３ａ，１０４ａ 突起部 １０６ シャッタ １０８，１０９ ベアリング １１０ モータ １１２ エアシリンダ １１４ ポンプ １２０〜１２３，１５０〜１５３ 基板支持部 １２１ａ，１２２ａ，１５１ａ，１５２ａ 開口部 １２３ａ，１５３ａ 支持部材 １６０ 昇降機構 １６１ ピストン １６２ 下方支持部 １６３ エアシリンダ １７０ 搬送機構 １７１ ロボットハンド １７２ 駆動軸 １８０ 搬送機構 ４０１，４０３ エアシリンダ ４０２，４０４ ピストン ４０５ モータ ４０６〜４０８ ギア ４０９，４１５ シリンダ ４１０，４１６ 密閉空間 ４１１，４１７ ベアリング ４１２，４１８ 往復動ガイド ４１３，４１９ シール部 ４１４，４２０ 第１の基板支持部 ４１４ａ，４２０ａ 支持面 ４３０，４３１ 第２の基板支持部 ４３０ａ，４３１ａ 支持面 ４３２ ポンプ ４３３ ノズル ４３４ シャッタ ５０１，５０２ 回転軸 ５０３，５０４ 基板支持部 ５１０ ノズル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近江 和明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 米原 隆夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 3C060 CE11 CE23 CE28 5F043 AA40 DD06 DD30 EE07 EE08 EE35 GG01 GG10

Claims (41)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 板状の試料を分離する分離装置であっ
   て、 試料を両側から挟むようにして支持する一対の支持部
   と、 前記支持部により支持された試料に向けて流体を噴射す
   る噴射部と、 試料が前記一対の支持部により支持される領域の少なく
   とも一部を分離処理の中途で変更するための変更部と、 を備えることを特徴とする分離装置。
2. 【請求項２】 前記変更部は、前記一対の支持部による
   試料の支持が一時的に解除された状態で、該試料と前記
   一対の支持部の少なくとも一方の支持面との相対的な位
   置関係を変更することを特徴とする請求項１に記載の分
   離装置。
3. 【請求項３】 前記変更部は、前記一対の支持部による
   試料の支持が一時的に解除された状態で、該試料を移動
   させることを特徴とする請求項２に記載の分離装置。
4. 【請求項４】 前記変更部は、前記一対の支持部による
   試料の支持が一時的に解除された状態で、該試料を下部
   から支持して移動させることを特徴とする請求項３に記
   載の分離装置。
5. 【請求項５】 前記一対の支持部により支持された試料
   を該試料の面に直交する軸を中心として回転させるため
   の回転源を更に備えることを特徴とする請求項１乃至請
   求項４のいずれか１項に記載の分離装置。
6. 【請求項６】 前記変更部は、分離処理の中途で前記一
   対の支持部の少なくとも一方の形状を変更し、これによ
   り、試料が前記一対の支持部により支持される領域の少
   なくとも一部を変更することを特徴とする請求項１に記
   載の分離装置。
7. 【請求項７】 前記一対の支持部の少なくとも一方は、
   複数の支持面を有し、前記変更部は、試料の面に近づく
   方向又は遠ざかる方向に前記複数の支持面を個別に移動
   させることにより、試料が前記一対の支持部により支持
   される領域の少なくとも一部を変更することを特徴とす
   る請求項６に記載の分離装置。
8. 【請求項８】 前記一対の支持部により支持された試料
   を該試料の面に直交する軸を中心として回転させるため
   の回転源を更に備えることを特徴とする請求項７に記載
   の分離装置。
9. 【請求項９】 前記複数の支持面は、実質的に前記軸を
   中心とする円形状の面と１又は複数の円環状の面とを有
   することを特徴とする請求項８に記載の分離装置。
10. 【請求項１０】 前記変更部は、分離処理の中途で、前
    記一対の支持部の少なくとも一方を形状が異なる他の支
    持部と交換することを特徴とする請求項１に記載の分離
    装置。
11. 【請求項１１】 前記一対の支持部を装着する装着部を
    更に備え、前記一対の支持部の少なくとも一方は、前記
    装着部から取り外すことが可能であることを特徴とする
    請求項１に記載の分離装置。
12. 【請求項１２】 前記一対の支持部により支持された試
    料を該試料の面に直交する軸を中心として回転させるた
    めの回転源を更に備え、前記変更部は、分離処理の第１
    段階では、前記一対の支持部に該試料の中央部付近の領
    域を支持させ、分離処理の第２段階では、前記一対の支
    持部に該試料の周辺側の領域を支持させることを特徴と
    する請求項１に記載の分離装置。
13. 【請求項１３】 前記一対の支持部は、試料を両面から
    押圧して支持することを特徴とする請求項１乃至請求項
    １２のいずれか１項に記載の分離装置。
14. 【請求項１４】 前記変更部は、試料が前記一対の支持
    部により支持される領域を分離処理の中途で他の異なる
    領域に変更することを特徴とする請求項１乃至請求項１
    ３のいずれか１項に記載の分離装置。
15. 【請求項１５】 前記試料は、分離用の層として内部に
    脆弱な層を有し、前記噴射部は、該分離用の層の付近に
    向けて流体を噴射することを特徴とする請求項１乃至請
    求項１４に記載の分離装置。
16. 【請求項１６】 前記試料は、脆弱な層を内部に有する
    第１の板状部材を第２の板状部材に貼り合わせてなり、
    前記噴射部は、該分離用の層の付近に向けて流体を噴射
    することを特徴とする請求項１乃至請求項１４に記載の
    分離装置。
17. 【請求項１７】 前記脆弱な構造の層は、多孔質層であ
    ることを特徴とする請求項１６に記載の分離装置。
18. 【請求項１８】 前記第１の板状部材は、半導体基板で
    あることを特徴とする請求項１６又は請求項１７に記載
    の分離装置。
19. 【請求項１９】 前記第１の板状部材は、半導体基板の
    片面に多孔質層を形成し、該多孔質層上に非多孔質層を
    形成してなることを特徴とする請求項１８に記載の分離
    装置。
20. 【請求項２０】 前記非多孔質層は、単結晶半導体層を
    含むことを特徴とする請求項１９に記載の分離装置。
21. 【請求項２１】 板状の試料を分離する分離方法であっ
    て、試料の両面の全領域のうち一部の領域を支持して該
    試料に向けて流体を噴射することにより該試料を分離す
    る分離工程と、前記分離工程の中途で試料を支持する領
    域を変更する変更工程と、を有することを特徴とする分
    離方法。
22. 【請求項２２】 前記変更工程では、試料を支持する支
    持部の支持面と該試料との相対的な位置関係を変更する
    ことを特徴とする請求項２１に記載の分離方法。
23. 【請求項２３】 前記変更工程では、前記支持部による
    試料の支持を一時的に解除して該試料を移動させること
    を特徴とする請求項２２に記載の分離方法。
24. 【請求項２４】 前記変更工程では、前記支持部による
    試料の支持を一時的に解除し、該試料を下部から支持し
    て移動させることを特徴とする請求項２３に記載の分離
    方法。
25. 【請求項２５】 前記分離工程では、試料の面に直交す
    る軸を中心として該試料を回転させながら該試料を分離
    することを特徴とする請求項２１乃至請求項２４のいず
    れか１項に記載の分離方法。
26. 【請求項２６】 前記変更工程では、試料を支持する支
    持部の形状を変更することにより、該試料を支持する領
    域を変更することを特徴とする請求項２１に記載の分離
    方法。
27. 【請求項２７】 試料を支持するために複数の支持面を
    有する支持部を使用し、前記変更工程では、該試料の面
    に近づく方向又は遠ざかる方向に前記複数の支持面を個
    別に移動させることにより、該試料を支持する領域を変
    更することを特徴とする請求項２６に記載の分離方法。
28. 【請求項２８】 前記分離工程では、試料の面に直交す
    る軸を中心として該試料を回転させながら分離すること
    を特徴とする請求項２７に記載の分離方法。
29. 【請求項２９】 前記複数の支持面は、実質的に前記軸
    を中心とする円形状の面と１又は複数の円環状の面とを
    含むことを特徴とする請求項２８に記載の分離方法。
30. 【請求項３０】 前記変更工程では、試料を支持する支
    持部を形状が異なる他の支持部と交換することを特徴と
    する請求項２１に記載の分離方法。
31. 【請求項３１】 前記分離工程では、試料の面に直交す
    る軸を中心として該試料を回転させながら分離し、前記
    変更工程では、前記分離工程の中途で、該試料を支持す
    る領域を中央部付近の領域から周辺側の領域に変更する
    ことを特徴とする請求項２１に記載の分離方法。
32. 【請求項３２】 前記分離工程では、試料を両面から押
    圧して支持しながら該試料を分離することを特徴とする
    請求項２１乃至請求項３１のいずれか１項に記載の分離
    方法。
33. 【請求項３３】 前記試料は、分離用の層として内部に
    脆弱な層を有し、前記分離工程では、該分離用の層の付
    近に向けて流体を噴射することを特徴とする請求項２１
    乃至請求項３２のいずれか１項に記載の分離方法。
34. 【請求項３４】 前記試料は、脆弱な層を内部に有する
    第１の板状部材を第２の板状部材に貼り合わせてなるこ
    とを特徴とする請求項２１至請求項３３に記載の分離方
    法。
35. 【請求項３５】 前記脆弱な構造の層は、多孔質層であ
    ることを特徴とする請求項３４に記載の分離方法。
36. 【請求項３６】 前記第１の板状部材は、半導体基板で
    あることを特徴とする請求項３４又は請求項３５に記載
    の分離方法。
37. 【請求項３７】 前記第１の板状部材は、半導体基板の
    片面に多孔質層を形成し、該多孔質層上に非多孔質層を
    形成してなることを特徴とする請求項３６に記載の分離
    方法。
38. 【請求項３８】 前記非多孔質層は、単結晶半導体層を
    含むことを特徴とする請求項３７に記載の分離方法。
39. 【請求項３９】 基板の製造方法であって、内部に脆弱
    な層を有する第１の基板を第２の基板に貼り合せて、貼
    り合わせ基板を作成する作成工程と、請求項１乃至請求
    項１４に記載の分離装置により前記貼り合わせ基板を前
    記脆弱な層で分離する分離工程と、前記分離工程の後に
    前記第２の基板側の表面に残った脆弱な層を除去する工
    程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。
40. 【請求項４０】 基板の製造方法であって、脆弱な層を
    内部に有する第１の基板を第２の基板に貼り合せて貼り
    合わせ基板を作成する作成工程と、請求項２１乃至請求
    項３２に記載の分離方法により前記貼り合わせ基板を前
    記脆弱な層で分離する分離工程と、前記分離工程の後に
    前記第２の基板側の表面に残った脆弱な層を除去する工
    程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。
41. 【請求項４１】 請求項３９又は請求項４０に記載の製
    造方法により製造され得る基板。