JPH11195552A - 薄型コンデンサとその製造方法 - Google Patents
薄型コンデンサとその製造方法Info
- Publication number
- JPH11195552A JPH11195552A JP1340398A JP1340398A JPH11195552A JP H11195552 A JPH11195552 A JP H11195552A JP 1340398 A JP1340398 A JP 1340398A JP 1340398 A JP1340398 A JP 1340398A JP H11195552 A JPH11195552 A JP H11195552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ferroelectric
- titanium
- circuit pattern
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 強誘電体の結晶膜を簡単な構成で比較的低温
で形成することが可能な薄型コンデンサとその製造方法
を提供する。 【解決手段】 絶縁性の基板１２の表面に所定の回路パ
ターン１１とその延長の下部電極１４が形成されてお
り、この下部電極１４の表面に所定の形状のチタン膜１
８が形成されている。チタン膜１８の表面には、結晶性
の強誘電体膜２０が形成され、この強誘電体膜２０と回
路パターン１１を接続した上部電極２４が形成されてい
る。
で形成することが可能な薄型コンデンサとその製造方法
を提供する。 【解決手段】 絶縁性の基板１２の表面に所定の回路パ
ターン１１とその延長の下部電極１４が形成されてお
り、この下部電極１４の表面に所定の形状のチタン膜１
８が形成されている。チタン膜１８の表面には、結晶性
の強誘電体膜２０が形成され、この強誘電体膜２０と回
路パターン１１を接続した上部電極２４が形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、機能性結晶膜で
ある強誘電体膜を回路基板に一体に形成した薄型コンデ
ンサとその製造方法に関する。
ある強誘電体膜を回路基板に一体に形成した薄型コンデ
ンサとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チタン酸ストロンチウム（ＳＴ
Ｏ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリ
ウム（ＢＴＯ）等の強誘電体膜は、これらセラミックス
粉体をバインダ中に設けたスクリーン印刷法や、これら
の中間体酸化物のゾルをゲル化させて薄膜を形成するゾ
ルーゲル法、またはこれらの微粒子を真空中で基板上に
積層するスパッタリングや真空蒸着等を用いて形成され
ていた。
Ｏ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリ
ウム（ＢＴＯ）等の強誘電体膜は、これらセラミックス
粉体をバインダ中に設けたスクリーン印刷法や、これら
の中間体酸化物のゾルをゲル化させて薄膜を形成するゾ
ルーゲル法、またはこれらの微粒子を真空中で基板上に
積層するスパッタリングや真空蒸着等を用いて形成され
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、近年電子機器の高度化や多機能化、小型化にともな
い、より高性能である結晶膜を用いた機能膜が要求され
ている。しかし、上記印刷による形成方法の場合、結晶
膜を得るものではなく、素子の性能が劣るものであっ
た。
合、近年電子機器の高度化や多機能化、小型化にともな
い、より高性能である結晶膜を用いた機能膜が要求され
ている。しかし、上記印刷による形成方法の場合、結晶
膜を得るものではなく、素子の性能が劣るものであっ
た。
【０００４】さらに、上記スパッタリング等の場合、形
成した薄膜の結晶成長を促すために、５００℃〜６００
℃の高温での加熱処理工程があり、この高温での工程に
より形成した薄膜が剥離したり、亀裂が生じたり、基板
との反応が発生したりするという問題があった。
成した薄膜の結晶成長を促すために、５００℃〜６００
℃の高温での加熱処理工程があり、この高温での工程に
より形成した薄膜が剥離したり、亀裂が生じたり、基板
との反応が発生したりするという問題があった。
【０００５】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、強誘電体の結晶膜を簡単な構成
で比較的低温で形成することが可能な薄型コンデンサと
その製造方法を提供することを目的とする。
てなされたものであり、強誘電体の結晶膜を簡単な構成
で比較的低温で形成することが可能な薄型コンデンサと
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の薄型コンデン
サは、絶縁性の基板の表面に所定の回路パターンと下部
電極が形成されており、この下部電極の表面に所定の形
状のチタン膜が形成されている。さらにこのチタン膜の
表面には、結晶性の強誘電体膜が形成され、この強誘電
体膜と上記回路パターンを接続した上部電極が形成され
ている。上記強誘電体は、ＰＺＴまたはＳＴＯの結晶で
ある。
サは、絶縁性の基板の表面に所定の回路パターンと下部
電極が形成されており、この下部電極の表面に所定の形
状のチタン膜が形成されている。さらにこのチタン膜の
表面には、結晶性の強誘電体膜が形成され、この強誘電
体膜と上記回路パターンを接続した上部電極が形成され
ている。上記強誘電体は、ＰＺＴまたはＳＴＯの結晶で
ある。
【０００７】またこの発明は、絶縁性の基板の表面に所
定の形状の回路パターンと下部電極とを形成し、次にマ
スキングを施して所定の位置にチタン膜を設け、このチ
タン膜の表面に結晶性の強誘電体膜を形成する。そし
て、この強誘電体膜と上記回路パターンの所定の位置と
を接続するように上部電極を形成する薄型コンデンサの
製造方法である。
定の形状の回路パターンと下部電極とを形成し、次にマ
スキングを施して所定の位置にチタン膜を設け、このチ
タン膜の表面に結晶性の強誘電体膜を形成する。そし
て、この強誘電体膜と上記回路パターンの所定の位置と
を接続するように上部電極を形成する薄型コンデンサの
製造方法である。
【０００８】さらにこの発明は、上記チタン膜が形成さ
れた上記基板を、所望の強誘電体を形成する元素を含有
したアルカリ溶液中に浸漬し、１００℃〜２００℃の温
度で、１気圧以上飽和蒸気圧以下の圧力下で、上記チタ
ン膜表面に結晶性の強誘電体膜を形成し、この後、上記
強誘電体膜と上記電極とを接続する上部電極を形成する
薄型コンデンサの製造方法である。
れた上記基板を、所望の強誘電体を形成する元素を含有
したアルカリ溶液中に浸漬し、１００℃〜２００℃の温
度で、１気圧以上飽和蒸気圧以下の圧力下で、上記チタ
ン膜表面に結晶性の強誘電体膜を形成し、この後、上記
強誘電体膜と上記電極とを接続する上部電極を形成する
薄型コンデンサの製造方法である。
【０００９】上記チタン膜は、スパッタリングまたはチ
タン粒子を溶射するものである。また、上記上部電極
は、上記強誘電体と上記回路パターンとの所定の部位が
接続するように印刷またはスパッタリングにより形成す
るものである。
タン粒子を溶射するものである。また、上記上部電極
は、上記強誘電体と上記回路パターンとの所定の部位が
接続するように印刷またはスパッタリングにより形成す
るものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面に基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形
態の薄型コンデンサ１０を設けた回路基板を示し、所定
の形状の絶縁性基板１２の表面に銅箔やアルミニウム箔
からなる回路パターン１１及びその延長として下部電極
１４が形成されている。絶縁性基板１２は、ガラスエポ
キシ、フェノール、ポリイミド、ポリフェニレンエーテ
ル（ＰＰＥ）、ＰＰＯ、テフロン等の有機ポリマーや無
機物質からなり、用途に合わせて適宜選択可能である。
て図面に基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形
態の薄型コンデンサ１０を設けた回路基板を示し、所定
の形状の絶縁性基板１２の表面に銅箔やアルミニウム箔
からなる回路パターン１１及びその延長として下部電極
１４が形成されている。絶縁性基板１２は、ガラスエポ
キシ、フェノール、ポリイミド、ポリフェニレンエーテ
ル（ＰＰＥ）、ＰＰＯ、テフロン等の有機ポリマーや無
機物質からなり、用途に合わせて適宜選択可能である。
【００１１】下部電極１４の表面には、所定の形状のチ
タン膜１８が形成されている。このチタン膜１８は、チ
タンのみの膜の他、酸化チタン等のチタン化合物やチタ
ン合金を含むものである。さらにこのチタン膜１８の表
面には、結晶性の強誘電体膜２０が形成され、この強誘
電体膜２０と回路パターン１１の所定部位を接続した上
部電極２４が形成されている。強誘電体２０は、チタン
酸ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと称す）またはチタン酸ス
トロンチウム（以下ＳＴＯと称す）の結晶である。
タン膜１８が形成されている。このチタン膜１８は、チ
タンのみの膜の他、酸化チタン等のチタン化合物やチタ
ン合金を含むものである。さらにこのチタン膜１８の表
面には、結晶性の強誘電体膜２０が形成され、この強誘
電体膜２０と回路パターン１１の所定部位を接続した上
部電極２４が形成されている。強誘電体２０は、チタン
酸ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと称す）またはチタン酸ス
トロンチウム（以下ＳＴＯと称す）の結晶である。
【００１２】この実施形態の薄型コンデンサの製造方法
は、先ず、絶縁性基板１２の表面に銅箔やアルミニウム
箔を貼り付け、図示しないレジストを塗布し、所定の回
路のパターンを貼り付ける。次に露光、現像し、レジス
トをパターンに対応した形状にした後、エッチング処理
し、所望の回路パターン２０を形成する。
は、先ず、絶縁性基板１２の表面に銅箔やアルミニウム
箔を貼り付け、図示しないレジストを塗布し、所定の回
路のパターンを貼り付ける。次に露光、現像し、レジス
トをパターンに対応した形状にした後、エッチング処理
し、所望の回路パターン２０を形成する。
【００１３】次に、回路基板１０の表面及び側面にソル
ダーレジスト１６を塗布し、後にチタン膜１８を形成す
る部分の下部電極１４を露出させておく。さらに、下部
電極１４の表面をソフトエッチングし、メタルマスキン
グを施して、下部電極１４の表面が露出するようにす
る。次に、下部電極１４の表面にチタンや酸化チタンを
スパッタリングや溶射し、チタン膜１８を形成する。こ
の後、メタルマスクを除去する。
ダーレジスト１６を塗布し、後にチタン膜１８を形成す
る部分の下部電極１４を露出させておく。さらに、下部
電極１４の表面をソフトエッチングし、メタルマスキン
グを施して、下部電極１４の表面が露出するようにす
る。次に、下部電極１４の表面にチタンや酸化チタンを
スパッタリングや溶射し、チタン膜１８を形成する。こ
の後、メタルマスクを除去する。
【００１４】さらにチタン膜１８上に、いわゆる水熱合
成法により、強誘電体膜のＰＺＴ種結晶膜を形成する。
種結晶膜を形成する水熱合成法では、最初にＰｂ（Ｏ
Ｒ）2、Ｚｒ（ＯＲ）4、Ｔｉ（ＯＲ）4を含む強アルカ
リ溶液に、下部電極１４が露出した絶縁性基板１２を浸
し、２００℃以下、２〜３気圧程度に設定されたオート
クレーブに、溶液とともに入れる。これによりチタン膜
１８のチタンと密着性の強いＰＺＴ種結晶膜を形成す
る。
成法により、強誘電体膜のＰＺＴ種結晶膜を形成する。
種結晶膜を形成する水熱合成法では、最初にＰｂ（Ｏ
Ｒ）2、Ｚｒ（ＯＲ）4、Ｔｉ（ＯＲ）4を含む強アルカ
リ溶液に、下部電極１４が露出した絶縁性基板１２を浸
し、２００℃以下、２〜３気圧程度に設定されたオート
クレーブに、溶液とともに入れる。これによりチタン膜
１８のチタンと密着性の強いＰＺＴ種結晶膜を形成す
る。
【００１５】ここで強アルカリ溶液のＲは、Ｐｂ（Ｏ2
Ｃ11Ｈ19）2＝（Ｐｂ（ＤＰＭ）2）、Ｐｂ（Ｃ
2Ｈ5）4、（Ｃ2Ｈ5）3ＰｂＯＣＨ2Ｃ（ＣＨ3）3、Ｚｒ
（ＤＰＭ）2、Ｚｒ（ｔ−ＯＣ4Ｈ9）4、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ
3Ｈ7）4、Ｔｉ（ＤＰＭ）2、Ｓｒ（ＯＣ2Ｈ40ＣＨ3）2
等の有機金属の有機部組成を示し、適宜選択し用いる。
Ｃ11Ｈ19）2＝（Ｐｂ（ＤＰＭ）2）、Ｐｂ（Ｃ
2Ｈ5）4、（Ｃ2Ｈ5）3ＰｂＯＣＨ2Ｃ（ＣＨ3）3、Ｚｒ
（ＤＰＭ）2、Ｚｒ（ｔ−ＯＣ4Ｈ9）4、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ
3Ｈ7）4、Ｔｉ（ＤＰＭ）2、Ｓｒ（ＯＣ2Ｈ40ＣＨ3）2
等の有機金属の有機部組成を示し、適宜選択し用いる。
【００１６】次に、ＰＺＴ結晶膜が所定の厚みを有する
ように、Ｐｂ（ＯＲ）2、Ｚｒ（ＯＲ）4、Ｔｉ（ＯＲ）
等を含む強アルカリ溶液に絶縁性基板１２を浸し、２０
０℃以下、２〜３気圧程度に設定されたオートクレーブ
に入れ、水熱合成反応を起こし、ＰＺＴ結晶膜２０を形
成する。
ように、Ｐｂ（ＯＲ）2、Ｚｒ（ＯＲ）4、Ｔｉ（ＯＲ）
等を含む強アルカリ溶液に絶縁性基板１２を浸し、２０
０℃以下、２〜３気圧程度に設定されたオートクレーブ
に入れ、水熱合成反応を起こし、ＰＺＴ結晶膜２０を形
成する。
【００１７】そして、アルカリ溶液から絶縁性基板１２
を取り出し、中和処理を施した後、絶縁性基板１２表面
に付着した中和処理液等を洗浄除去し、乾燥させる。ま
たＰＺＴ結晶膜２０の周縁部にショート防止レジスト２
２を印刷し焼き付ける。
を取り出し、中和処理を施した後、絶縁性基板１２表面
に付着した中和処理液等を洗浄除去し、乾燥させる。ま
たＰＺＴ結晶膜２０の周縁部にショート防止レジスト２
２を印刷し焼き付ける。
【００１８】次にＰＺＴ結晶膜２０と回路パターン１１
の所定の部位とを接続させるために上部電極２４を形成
する。上部電極２４は、銅、パラジウム、白金等場合、
スパッタリングを用い、また銀・パラジウム、ニッケ
ル、銅等の導電性ペーストは、印刷により上部電極２４
を設ける。また、これらの表面に樹脂のオーバーコート
２６を印刷し焼き付け、薄型コンデンサ１０を形成す
る。
の所定の部位とを接続させるために上部電極２４を形成
する。上部電極２４は、銅、パラジウム、白金等場合、
スパッタリングを用い、また銀・パラジウム、ニッケ
ル、銅等の導電性ペーストは、印刷により上部電極２４
を設ける。また、これらの表面に樹脂のオーバーコート
２６を印刷し焼き付け、薄型コンデンサ１０を形成す
る。
【００１９】薄型コンデンサ１０を設けた絶縁性基板１
２は、さらに他の部材が実装され、回路基板を形成した
り、あるいは、多層基板用の内層基板として部品内蔵多
層基板を完成させる。
２は、さらに他の部材が実装され、回路基板を形成した
り、あるいは、多層基板用の内層基板として部品内蔵多
層基板を完成させる。
【００２０】ここで、多層基板用内層基板とするには、
各層の表面に露出しＴ赤色パターンの書知恵表面を黒化
処理し、接着性を高めて積層する。積層に際しては、所
定温度に加熱し、プレスして、多層の絶縁性基板１２に
形成された薄型コンデンサ１０を形成する。
各層の表面に露出しＴ赤色パターンの書知恵表面を黒化
処理し、接着性を高めて積層する。積層に際しては、所
定温度に加熱し、プレスして、多層の絶縁性基板１２に
形成された薄型コンデンサ１０を形成する。
【００２１】なお、この水熱合成法では、ＰＺＴ結晶膜
２０以外にも、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）結晶
膜を形成することができる。この場合も上記と同様に、
絶縁性基板１２に下部電極１４、レジスト１６、チタン
膜１８を形成した後、ＰＺＴ結晶膜２０と同様に水熱合
成法でＳＴＯ結晶膜を形成する。
２０以外にも、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）結晶
膜を形成することができる。この場合も上記と同様に、
絶縁性基板１２に下部電極１４、レジスト１６、チタン
膜１８を形成した後、ＰＺＴ結晶膜２０と同様に水熱合
成法でＳＴＯ結晶膜を形成する。
【００２２】この場合、先ずチタン膜１８をＳｒ（Ｏ
Ｒ）2等を含む強アルカリ溶液に、下部電極１４、レジ
スト１６チタン膜１８を有する絶縁性基板１２を浸し、
２００℃以下、２〜３気圧程度に設定されたオートクレ
ーブに溶液とともに入れる。ここで強アルカリ溶液のＲ
は、ＰＺＴ結晶膜２０形成のときに使用した強アルカリ
溶液に含まれる化合物のＲと同じものである。これによ
り、これによりチタン膜１８のチタンと密着性の強いＳ
ＴＯ種結晶膜を形成する。
Ｒ）2等を含む強アルカリ溶液に、下部電極１４、レジ
スト１６チタン膜１８を有する絶縁性基板１２を浸し、
２００℃以下、２〜３気圧程度に設定されたオートクレ
ーブに溶液とともに入れる。ここで強アルカリ溶液のＲ
は、ＰＺＴ結晶膜２０形成のときに使用した強アルカリ
溶液に含まれる化合物のＲと同じものである。これによ
り、これによりチタン膜１８のチタンと密着性の強いＳ
ＴＯ種結晶膜を形成する。
【００２３】次に、ＳＴＯ結晶膜が所定の厚みを有する
ように、Ｓｒ（ＯＲ）2、Ｔｉ（ＯＲ）4等を含む強アル
カリ溶液に絶縁性基板１２を浸し、２００℃以下、２〜
３気圧程度に設定されたオートクレーブに入れ、水熱合
成反応を起こし、ＳＴＯ結晶膜を形成する。
ように、Ｓｒ（ＯＲ）2、Ｔｉ（ＯＲ）4等を含む強アル
カリ溶液に絶縁性基板１２を浸し、２００℃以下、２〜
３気圧程度に設定されたオートクレーブに入れ、水熱合
成反応を起こし、ＳＴＯ結晶膜を形成する。
【００２４】ＰＺＴ結晶膜やＳＴＯ結晶膜などの強誘電
体膜は、それ自体が分極しているため絶縁油中での分極
処理が必要なく、またチタン膜上であればどのような形
状の基板にでも形成することができ、様々な電子機器に
低コストで設けることができる。また、強誘電体膜の表
面には凹凸があるが、内部は空隙が少なく緻密であるこ
とから、製造中の破損等が少ない。さらに、大面積化が
容易で、膜厚も適宜の厚さに設定することができ、形成
する基板１２の種類も選ばない。
体膜は、それ自体が分極しているため絶縁油中での分極
処理が必要なく、またチタン膜上であればどのような形
状の基板にでも形成することができ、様々な電子機器に
低コストで設けることができる。また、強誘電体膜の表
面には凹凸があるが、内部は空隙が少なく緻密であるこ
とから、製造中の破損等が少ない。さらに、大面積化が
容易で、膜厚も適宜の厚さに設定することができ、形成
する基板１２の種類も選ばない。
【００２５】なおこの発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、使用する各部材の材料、製造方法
等は適宜変更することができる。
されるものではなく、使用する各部材の材料、製造方法
等は適宜変更することができる。
【００２６】
【発明の効果】この発明の薄型コンデンサは、基板表面
のチタン膜に強誘電体膜を比較的低温で一体に形成する
ことが可能であることから、種々の絶縁性基板の表面に
直接コンデンサを形成することができ、形状や材質等へ
の制約がなく、しかも簡単な設備で製造することができ
る。
のチタン膜に強誘電体膜を比較的低温で一体に形成する
ことが可能であることから、種々の絶縁性基板の表面に
直接コンデンサを形成することができ、形状や材質等へ
の制約がなく、しかも簡単な設備で製造することができ
る。
【図１】この発明の実施形態の薄型コンデンサを設けた
回路基板を示す断面図である。
回路基板を示す断面図である。
１０ 薄型コンデンサ １２ 絶縁性基板 １４ 下部電極 １６ ソルダーレジスト １８ チタン膜 ２０ ＰＺＴ結晶膜 ２２ ショート防止レジスト ２４ 上部電極 ２６ オーバーコート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 盛勝 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性の基板の表面に所定の回路パター
ンと下部電極が形成され、この下部電極の表面にチタン
膜が設けられ、このチタン膜の表面に電気化学的に形成
された結晶性の強誘電体膜を備え、この強誘電体膜と上
記回路パターンを接続した上部電極が設けられた薄型コ
ンデンサ。 - 【請求項２】 上記強誘電体は、ＰＺＴまたはＳＴＯの
結晶である請求項１記載の薄型コンデンサ。 - 【請求項３】 絶縁性の基板の表面に所定の回路パター
ンと下部電極を形成し、この下部電極の表面の所定の部
位にチタン膜を形成し、このチタン膜が形成された上記
基板を、所望の強誘電体を形成する元素を含有したアル
カリ溶液中に浸漬し、１００℃〜２００℃の温度で、１
気圧以上飽和蒸気圧以下の圧力下で、上記チタン膜表面
に結晶性の強誘電体膜を形成し、この後、上記強誘電体
膜と上記電極とを接続する上部電極を形成する薄型コン
デンサの製造方法。 - 【請求項４】 上記チタン膜は、スパッタリングまたは
チタン粒子を溶射するものである請求項３記載の薄型コ
ンデンサの製造方法。 - 【請求項５】 上記上部電極は、上記強誘電体と上記回
路パターンとの所定の部位が接続するように印刷または
スパッタリングにより形成するものである請求項３記載
の薄型コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340398A JPH11195552A (ja) | 1998-01-06 | 1998-01-06 | 薄型コンデンサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340398A JPH11195552A (ja) | 1998-01-06 | 1998-01-06 | 薄型コンデンサとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195552A true JPH11195552A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=11832174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1340398A Pending JPH11195552A (ja) | 1998-01-06 | 1998-01-06 | 薄型コンデンサとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11195552A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001296263A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-10-26 | Japan Organo Co Ltd | 電気伝導度計および電気伝導度測定用電極とその製造方法 |
| JP2002025854A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜キャパシタ素子 |
| JP2005064413A (ja) * | 2003-08-20 | 2005-03-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 平行平板コンデンサ |
| JP2006286690A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2007251052A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
| JP4513172B2 (ja) * | 2000-05-26 | 2010-07-28 | 宇部興産株式会社 | Ｐｚｔ系結晶膜素子およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-01-06 JP JP1340398A patent/JPH11195552A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001296263A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-10-26 | Japan Organo Co Ltd | 電気伝導度計および電気伝導度測定用電極とその製造方法 |
| JP4513172B2 (ja) * | 2000-05-26 | 2010-07-28 | 宇部興産株式会社 | Ｐｚｔ系結晶膜素子およびその製造方法 |
| JP2002025854A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜キャパシタ素子 |
| JP2005064413A (ja) * | 2003-08-20 | 2005-03-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 平行平板コンデンサ |
| JP2006286690A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2007251052A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7351915B2 (en) | Printed circuit board including embedded capacitor having high dielectric constant and method of fabricating same | |
| US6068782A (en) | Individual embedded capacitors for laminated printed circuit boards | |
| KR100355534B1 (ko) | 가요성 박막 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| US6841080B2 (en) | Multi-layer conductor-dielectric oxide structure | |
| JP4324615B2 (ja) | プリント回路埋め込みコンデンサ | |
| JP2006245588A (ja) | キャパシタ内蔵型プリント回路基板およびその製造方法 | |
| JP3368350B2 (ja) | 薄膜コンデンサおよびその製造方法並びに混成回路基板およびその実装方法 | |
| JP3401220B2 (ja) | フレキシブル薄膜コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH11195552A (ja) | 薄型コンデンサとその製造方法 | |
| JP2000323845A (ja) | 電子回路実装用基板の製造方法 | |
| JPH0143473B2 (ja) | ||
| JP2006287138A (ja) | 受動部品形成用積層フィルム及びシート型受動部品並びにその製造方法 | |
| JP3838876B2 (ja) | 多層回路基板の製造方法 | |
| JP4680332B2 (ja) | チップコンデンサの製造方法 | |
| JP3614915B2 (ja) | チップ状電子部品とその製造方法 | |
| JPH11251185A (ja) | 薄型コンデンサとその製造方法 | |
| JP2001015381A (ja) | 表面実装型複合電子部品とその製造方法 | |
| JP3246166B2 (ja) | 薄膜コンデンサ | |
| JP2002270989A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP4593009B2 (ja) | プリント基板の製造方法 | |
| JP2000299247A (ja) | チップコンデンサ | |
| JPH0265194A (ja) | 厚膜素子を有するプリント配線板の製造方法 | |
| JP2009147238A (ja) | 誘電体構造体、誘電体構造の製造方法、圧着転写方法、及び保持構造 | |
| JPH1065341A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP2006229097A (ja) | コンデンサフィルム及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041216 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20071207 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071219 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20080218 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080827 |