JPH11191957A - 誘導負荷の電流をスイッチング制御するための回路装置 - Google Patents
誘導負荷の電流をスイッチング制御するための回路装置Info
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Abstract
の回路装置を提供して、誘導負荷を流れる電流が電力損
失なしに、または少なくとも電力損失を低減して検出可
能となるように構成することである。 【解決手段】 誘導負荷に並列にフリーホイーリング装
置と、スイッチ装置のオフ状態中に電流測定を行う測定
装置とが接続されている。
Description
子の間に接続されている、スイッチ装置および誘導負荷
の直列接続と、誘導負荷を流れる電流に対応する信号を
検出するための測定装置とを有する、誘導負荷の電流を
スイッチング制御するための回路装置に関する。
えば整流子モータ、回転数制御装置またはスイッチング
電源においては、通常しばしば、誘導負荷を流れる電流
の振幅を測定し、この測定結果に依存して電流制御のス
イッチング経過を調整することが必要となる。このよう
な電流のスイッチング制御の例は、本出願人によるドイ
ツ連邦共和国実用新案出願第9105697.7号明細
書に記載されている。この刊行物に記載されているスイ
ッチング電源は、トランスの1次コイルに直列に設けら
れているパワーMOSFETを有しており、このパワー
MOSFETにいわゆるシャント抵抗がアースに直列に
接続されている。この抵抗において下降する電圧はパワ
ーMOSFETを流れる負荷電流に比例する信号として
検出され、かつパワーMOSFETを制御する制御装置
の制御信号として供給される。
ースイッチに直列に設けられているシャント抵抗であ
る。なぜならこのシャント抵抗は電力損失を生じさせる
からである。しかし誘導負荷のためのこの種のシャント
抵抗または直列抵抗は従来、誘導負荷の電流を検出する
ための唯一の手段であった。回路装置の電力損失が増大
することの他に、この種のシャント抵抗はこれまでは一
様に個別の構成素子として集積されずに設けなければな
らなかった。
負荷の電流をスイッチング制御するための回路装置を提
供して、誘導負荷を流れる電流が電力損失なしに、また
は少なくとも電力損失を低減して検出可能となるように
構成することである。
り、誘導負荷に並列にフリーホイーリング装置と、スイ
ッチ装置のオフ状態中に電流測定を行う測定装置とが接
続されている構成によって解決される。
は、誘導負荷に並列に、測定装置を有するフリーホイー
リング装置を接続して、スイッチ装置のオフ状態中に電
流測定を行う点にある。スイッチ装置がスイッチオンさ
れると、周知のように、誘導負荷の電流は上昇する。ス
イッチ装置が開放されてオフ状態となると、これとは反
対に電流はフリーホイーリング回路をさらに流れる。ス
イッチ装置がオフにされた場合にフリーホイーリング回
路を流れる電流は本発明により検出される。このフリー
ホイーリング回路を流れる電流は、スイッチオン状態に
おいて誘導負荷を流れる電流に対する尺度となり、これ
を所要の制御の目的のために評価することができる。
に比べての重要な利点は、ほとんど電力を損失すること
なく電流を検出できることである。
ホイーリング装置が、誘導負荷に並列に接続された第1
のダイオードによって実現されている。誘導負荷を流れ
る電流を検出するために、このダイオードに並列に第2
のダイオードが接続されている。2つのダイオードのカ
ソード端子は相互接続されており、かつ誘導負荷の1つ
の端子に接続されている。2つのダイオードのアノード
端子はそれぞれ演算増幅器の第1の入力側、および第2
の入力側に接続されており、この演算増幅器の出力側で
測定すべき電流に対応する信号が測定装置により検出さ
れる。上述の第2のダイオードに接続されている演算増
幅器の入力側は、抵抗を介して演算増幅器の出力側に接
続されている。
れたダイオードとしてMOSFETにより実現すること
ができる。有利にはこの場合にスイッチ装置もMOSF
ETとして実現される。スイッチ装置および接続された
ダイオード、すなわち全部で3つのMOSFETの駆動
は、適切な駆動制御装置を介して行われる。
ダイオードは有利には半導体としてモノリシックに集積
化されている。これにより測定の温度に対する非依存性
が保証される。
により詳細に説明する。
一の構成素子は同一の参照眼号によって示されているも
のとする。
るハーフブリッジ回路の基本回路図が示されている。回
路装置は2つの給電電圧端子1、2を有している。第1
の給電電圧端子1は正の電位+Vに接続されており、第
2の給電電圧端子2は基準電位に接続されている。2つ
の給電電圧端子1、2の間にはスイッチ装置装置S1と
誘導負荷Lとの直列接続が設けられている。ここでこの
誘導負荷Lは給電電圧端子2に接続されている。したが
って一方の端子は基準電位に接続されている。誘導負荷
Lに並列にダイオードD1がフリーホイーリングダイオ
ードとして接続されている。このためにダイオードD1
のカソード端子は誘導負荷Lとスイッチ装置S1との接
続点に接続されている。ダイオードD1のアノード端子
は基準電位に接続されている。
ッチ装置S1のスイッチオンおよびスイッチオフの際に
誘導負荷Lを流れる電流が生じる。この電流は所定の値
からスイッチ装置S1のスイッチオンフェーズ中に徐々
に上昇し、スイッチオフフェーズ中、すなわちスイッチ
装置S1のオフ状態中に徐々に降下する。スイッチ装置
S1が再び閉じられると、この経過が繰り返され、電流
Jは再びスイッチ装置S1がオフにされるまで徐々に上
昇する。
中の電流は、ダイオードD1により形成されるフリーホ
イーリング作用によって生ずる。スイッチ装置S1がオ
フにされた場合には、誘導負荷Lから給電された電流が
ダイオードD1を介して基準電位へ流れる。スイッチ装
置S1のスイッチオンフェーズ中にはほぼ給電電圧の電
位+Vに相当する電圧U1がダイオードD1において降
下する。これに対してスイッチ装置S1がオフにされた
場合には、ダイオードD1において電圧は約−0.7V
に降下する。
中に例えば次の形式で行われる。
イオードD2が接続されている。この第2のダイオード
D2のカソード端子は第1のダイオードD1のカソード
端子に接続されており、かつスイッチ装置S1と誘導負
荷Lの接続点に接続されている。ダイオードD1のアノ
ード端子は演算増幅器OPの非反転入力側に接続されて
おり、ダイオードD2のアノード端子は演算増幅器OP
の反転入力側に接続されている。演算増幅器OPの反転
入力側はさらに抵抗Rを介して演算増幅器OPの出力側
に接触接続されている。演算増幅器OPの出力側に測定
装置Mが接続されており、この測定装置は基準電位に対
する演算増幅器OPの出力側の電圧を検出する。演算増
幅器OPの出力側に生じる電圧信号は、誘導負荷Lを流
れる電流に対する尺度であり、これをスイッチ装置S1
のスイッチング制御の際に制御に利用することができ
る。
さい諸元、すなわちダイオードD2のダイオード有効面
積はダイオードD1のダイオード有効面積よりも小さく
構成されている。第2のダイオードD2を介して、ダイ
オードD2のアノード電圧が0Vの値となる程度の大き
な電流を強制的に流す場合、式 J1/J2=AD1/AD2 が成り立つ。ここでJ1はダイオードD1を流れる電流
であり、J2はダイオードD2を流れる電流である。A
D1はダイオードD1のダイオード有効面積に相当し、A
D2はダイオードD2のダイオード有効面積に相当する。
導体としてモノリシックに集積されており、これにより
上述の電流の比J1/J2が温度に依存しないことが保
証される。
が示されている。図3の回路装置とは異なり、誘導負荷
Lは一方の端子で直接に給電電圧端子1(正の電位+
V)に接続されており、他方の端子でスイッチ装置S1
を介して給電電圧端子2(基準電位)に接続されてい
る。ダイオードD1のアノード端子は、スイッチ装置S
1と誘導負荷Lとの接続点に接続されている。2つのダ
イオードD1、D2のカソード端子は一方では給電電圧
端子1に接続されており、他方では演算増幅器OPの非
反転入力側に接続されている。ダイオードD2のアノー
ド端子は、図3と同様に演算増幅器OPの反転入力側に
接続されており、かつ抵抗Rの一方の端子に接触接続さ
れている。抵抗Rの他方の端子は演算増幅器OPの出力
側に接続されている。測定装置Mは給電電圧端子1と演
算増幅器OPの出力側との間に生じる電圧の差を測定す
るために設けられている。
2、図4に関連して説明されたダイオードD1、D2は
2つのMOSFETのT1、T2を設けることにより、
接続されたダイオードとして置き換えられている。MO
SFET T1、T2の2つのドレイン端子Dはスイッ
チ装置S1に接続されている。MOSFET T1のソ
ース端子Sは演算増幅器OPの非反転入力側に接続され
ており、MOSFETT2のソース端子は演算増幅器O
Pの反転入力側に接続されている。2つのMOSFET
T1、T2のドレインソース区間はそれぞれ保護ダイ
オードDSにより橋絡されている。2つのMOSFET
T1、T2のゲート端子Gは相互接続されており、か
つ(ここでは簡単化のために図示しない)制御装置に接
続されている。この制御装置はスイッチ装置S1のオフ
状態においてMOSFET T1、T2をスイッチオン
するので、予め誘導負荷Lを流れる電流のフリーホイー
リング作用が保証される。
S1は同様にMOSFETにより実現可能である。
装置S1を形成するMOSFETと2つのMOSFET
T1、T2とを共通の半導体上に集積回路50に集積
することができる。このような集積回路50は外部から
アクセス可能な端子A、B、C、D、E、Fを有してお
り、一方ではスイッチ装置S1およびMOSFETT
1、T2を端子E、F介して制御することを保証し、他
方では誘導負荷Lと演算増幅器OPの接続を保証する。
比は、セル数の比NT1/NT2に相当する。すなわち J1/J2=NT1/NT2 が成り立つ。
る誘導負荷をスイッチング制御するための回路装置の基
本回路図である。
す図である。
第1の実施例である。
第2の実施例である。
第3の実施例である。
Claims (10)
- 【請求項1】 2つの給電電圧端子(1、2)の間に接
続されている、スイッチ装置(S1)および誘導負荷
(L)の直列接続と、 誘導負荷(L)を流れる電流に対応する信号を検出する
ための測定装置(M)とを有する、誘導負荷の電流をス
イッチング制御するための回路装置において、 誘導負荷(L)に並列にフリーホイーリング装置(D
1)と、スイッチ装置(S1)のオフ状態中に電流測定
を行う測定装置(M)とが接続されている、ことを特徴
とする誘導負荷の電流をスイッチング制御するための回
路装置。 - 【請求項2】 フリーホイーリング装置(D1)は誘導
負荷(L)に並列に接続された第1のダイオード(D
1)である、請求項1記載の回路装置。 - 【請求項3】 第1のダイオード(D1)に並列に第2
のダイオード(D2)が接続されており、 2つのダイオード(D1、D2)のカソード端子(K)
は相互接続されており、かつ共通に誘導負荷(L)の端
子に接続されており、 該2つのダイオード(D1、D2)のアノード端子はそ
れぞれ演算増幅器(OP)の一方の入力端子と他方の入
力端子とに接続されており、 前記演算増幅器(OP)の出力側において、誘導負荷
(L)を流れる電流に対応する信号が測定装置(M)に
よって検出される、請求項2記載の回路装置。 - 【請求項4】 演算増幅器(OP)の出力側と、演算増
幅器(OP)の、第2のダイオード(D2)が接続され
ている入力側との間に抵抗(R)が接続されている、請
求項3記載の回路装置。 - 【請求項5】 第2のダイオード(D2)のダイオード
有効面積は第1のダイオード(D1)のダイオード有効
面積よりも小さく構成されている、請求項3または4記
載の回路装置。 - 【請求項6】 2つのダイオード(D1、D2)はトラ
ンジスタ(T1、T2)により接続されたダイオードと
して構成されている、請求項3から5までのいずれか1
項記載の回路装置。 - 【請求項7】 誘導負荷(L)の第1の端子は基準電位
に接続された供給電圧端子(2)に接続されており、 誘導負荷(L)の第2の端子はスイッチ装置(S1)を
経て、正の給電電位に接続された給電電圧端子(1)に
接続されている、請求項1から6までのいずれか1項記
載の回路装置。 - 【請求項8】 誘導負荷(L)の第1の端子は正の給電
電位に接続された給電電圧端子(1)に接続されてお
り、 誘導負荷(L)の第2の端子は、スイッチ装置(S1)
を経て、基準電位に接続された給電電圧端子(2)に接
続されている、請求項1から6までのいずれか1項記載
の回路装置。 - 【請求項9】 スイッチ装置(S1)はパワー半導体ス
イッチとして、例えばパワーMOSFETとして構成さ
れている、請求項1から8までのいずれか1項記載の回
路装置。 - 【請求項10】 スイッチ装置(S1)およびダイオー
ド(D1、D2)は集積回路(50)として共通の半導
体に集積されて設けられている、請求項1から9までの
いずれか1項記載の回路装置。
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