JPH11191208A - 薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 機械加工を行うことなく、プラズマエッチン
グ工程においてＡＢＳの周辺の角部および糸面部の面取
り加工も行えるようにする。 【解決手段】 本発明のプラズマエッチング工程は、ス
ライダのレールパターンの形成面に対して第１の角度
（θ＝５〜２０度）でイオンビームを照射してレールパ
ターンの形成面を所定の堀込量だけ研削するとともに同
スライダの周辺の角部および糸面部を所定の角度だけ研
削する研削工程と、スライダのレールパターンの形成面
に対して第２の角度（θ＝７５〜８５度）でイオンビー
ムを照射して研削工程により研削された残査の付着物質
を除去する除去工程と、スライダのレールパターンの形
成面に対して第３の角度（θ＝３０〜６０度）でイオン
ビームを照射してレールパターンの形成面の全面をクリ
ーニングするクリーニング工程とを備えるようにしてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、磁気ディスク装
置等に用いられる薄膜磁気ヘッドに係わり、特に、磁気
記録媒体と対向する面側に所定形状のレールパターンを
形成して浮上面としたスライダの空気流出端部側に薄膜
磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドスライダの製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】薄膜磁気ヘッドはスライダと呼ばれるセ
ラミックブロックの後端部面上に薄膜磁気ヘッド素子が
形成されているとともに、スライダの磁気記録媒体との
対向面、即ち、空気ベアリング面（Air Bearing Surfac
e：以下、ＡＢＳという）には所定形状のレールパター
ンが形成されている。このため、磁気記録媒体が回転す
ることにより、スライダはレール前端部のテーパ部から
流入する高速空気流によって、上昇力が付与されて磁気
記録媒体の表面上から０．１μｍ程度の隙間を保って浮
上し、ヘッド先端部が直接磁気記録媒体と接触しないよ
うになっている。このような薄膜磁気ヘッドは一般的に
浮上型磁気ヘッドといわれている。

【０００３】このような浮上型磁気ヘッドのスライダの
ＡＢＳは、浮上量を一定にするため、複雑な形状のレー
ルパターンが形成されている。通常、この種のスライダ
は、アルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）などからなるセラ
ミック基板上に多数の薄膜磁気ヘッド素子を形成し、つ
づいてその基板を棒状にカッティングして素子列（以
下、ローという）とし、所定の研磨加工を施した後、こ
のローを加工することによって、そのＡＢＳに所定形状
のレールパターンを形成したスライダーが得られる。

【０００４】図１０〜図１３は上記したスライダの製造
工程の１例を示す図であり、これらの図１０〜図１３を
用いてスライダ製造の各工程を具体的に説明する。な
お、図１０はロースライシング工程を示す図であり、図
１１フォトリソグフィー工程を示す図であり、図１２は
プラズマエッチング工程を示す図であり、図１３はプラ
ズマエッチング後のローを切断してスライダとする工程
を示す図である。

【０００５】図１０（ａ）に示すように、アルチック
（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）などからなるセラミック基板５０
の表面にウェハープロセスにより複数の薄膜磁気ヘッド
素子５１，５１，・・・を縦方向および横方向に多数形
成して磁気ヘッドウェハー５０ａとする。ついで、図１
０（ｂ）に示すように、この磁気ヘッドウェハー５０ａ
を１列毎のロー５５，５５・・・に切断する。この後、
切断面を研磨して所定のスロートハイト（薄膜磁気ヘッ
ド素子のポール部の長さ）を目標値まで加工した後、ス
ロートハイト加工により残留した応力を研磨により除去
する。この後、図１０（ｃ）に示すように、切断面（研
磨面）が上、下面となるようにして、基板６０の上に各
ロー５５，５５・・・を所定の間隔を隔てて配置する。

【０００６】ついで、図１１（ａ）に示すように、基板
６０上に配置された各ロー５５，５５・・・の切断面上
にレジストあるいはドライフィルムなどの感光性樹脂膜
７０を被着させる。この後、これらの上部に所定形状の
レールパターンを形成したフォトマスクを配置し、紫外
線などの光線をフォトマスク上に照射して、感光性樹脂
膜７０を露光する。ついで、感光性樹脂膜７０を所定の
レール形状のマスクパターンに感光した各ロー５５を現
像液に浸漬し、感光された部分以外の部分の感光性樹脂
膜５５を現像液に溶解させて除去する。すると、図１１
（ｂ）に示すように、切断面上に所定のマスクパターン
７０ａ，７０ａ・・・が形成された各ロー５５が得られ
る。

【０００７】ついで、図１２に示すように、切断面上に
所定のマスクパターン７０ａ，７０ａ・・・を形成した
各ロー５５をプラズマエッチング装置８０の回転軸８１
に取り付けられた回転板８２上に取り付け、プラズマイ
オンガン８３よりアルゴンイオンＡｒ⁺を照射（照射角
度θ＝３０〜６０度）してプラズマエッチング（イオン
ミリング）を行う。プラズマイオンガン８３よりアルゴ
ンイオンＡｒ⁺を照射すると、アルゴンイオンＡｒ⁺は、
プラズマイオンガン８３の前に設けられたシャワーヘッ
ドあるいはグリッド８５を介して供給され、ほぼＸ軸方
向に向いている。一方、回転板８２はＸ軸に対してθだ
け傾斜させて配置されている。このＸ軸と回転板８２と
のなす角度を照射角度（θ）とすると、アルゴンイオン
Ａｒ⁺は照射角度（θ）だけ傾いて照射される。

【０００８】なお、プラズマエッチング装置８０には装
置内を真空にするために図示しない真空ポンプに接続さ
れる接続管８４が配設されている。このイオンミリング
により、マスクパターン７０ａ，７０ａ・・・が形成さ
れた部分以外の切断面は溝状にエッチングされ、マスク
パターン７０ａ，７０ａ・・・が形成された部分はレー
ルパターンとなる。このロー５５を洗浄液で洗浄してマ
スクパターン７０ａ，７０ａ・・・を除去すると、図１
３（ａ）に示すように、所定形状のレールパターン５７
を備えたＡＢＳを形成したロー５５ａが得られる。この
ロー５５ａを各薄膜磁気ヘッド素子毎に切断すると、図
１３（ｂ）に示すようなレールパターン５７が形成され
たスライダー５８が得られる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したようにプラズ
マエッチング加工を行うと、図１４（ｂ）（なお、図１
４（ａ）はプラズマエッチング加工前のローの状態を示
す図であり、図１４（ｂ）はプラズマエッチング加工中
のローの状態を示す図である）に示すように、マスクパ
ターン７０ａのマスク側面７１側にアルゴンイオンＡｒ
⁺の照射により飛散した物質Ｘが再付着する。この再付
着を防止するために、イオンミリングの角度（アルゴン
イオンＡｒ⁺の照射角度θ）を３０〜６０度にして行
う。しかしながら、この角度でイオンミリングを行う
と、図１４（ｂ）に示すように、ＡＢＳの周辺の角部Ｙ
およびマスクパターン７０ａの角部Ｚは直角に保持され
ることとなる。

【００１０】ＡＢＳの周辺の角部Ｙが直角に保持される
と、この角部Ｙが磁気記録媒体に接触して磁気記録媒体
の接触面を傷つけたり、あるいは磁気記録媒体に接触し
てこの角部Ｙが破損し、破片が磁気記録媒体上に飛散す
るという問題を生じる。このため、この角部Ｙをとるた
めの面取り加工（糸面取り、角取り）が必要になる。こ
の面取り加工（糸面取り、角取り）は一般的には機械加
工により行われる。例えば、図１５（ａ）に示すよう
に、ホルダー８１の取付面にスライダ５８をロジン系ワ
ックスなどの接着剤で接着する。このホルダー８１に取
り付けられたスライダ５８のＡＢＳ（研削面）の周辺の
角部を回転砥石８０に押し当てて、ＡＢＳ（研削面）の
周辺の角部を機械的に研磨（糸面取り、角取り）する。

【００１１】また、図１５（ｂ）に示すように、基台９
０上に多数のスライダ５８を並べて固着し、これらの各
スライダ５８のＡＢＳ上にラッピングテープ９１を配置
する。ついで、ラッピングテープ９１の上に硬質ゴムな
どからなる弾性体９２を押し当て、ラッピングテープ９
１を各スライダ５８のＡＢＳにスクイーズして、ＡＢＳ
（研削面）の周辺の角部を機械的に研磨（糸面取り、角
取り）する。

【００１２】しかしながら、図１５（ａ）に示すような
回転砥石８０により面取り加工（糸面取り、角取り）を
行うと、ＡＢＳの周辺の角部あるいは糸面部に欠けを生
じて、この欠けが磁気記録媒体に接触して磁気記録媒体
の接触面を傷つけたり、あるいは破片が磁気記録媒体上
に飛散するという問題を生じる。また、スライダ１個ず
つを面取り加工（糸面取り、角取り）するため、効率が
悪く、生産性が悪いという問題を生じる。

【００１３】また、図１５（ｂ）に示すようなラッピン
グテープ９１によりスクイーズすると、スクイーズが連
続的に行えるため、効率的で生産性が良い反面、同時に
ＡＢＳ（研削面）も僅かながら研磨され、レールパター
ンに変形を来して浮上特性にバラツキを生じるという問
題を生じる。そこで、この発明は上記問題点に鑑みてな
されたものであって、機械加工を行うことなく、プラズ
マエッチング工程においてＡＢＳ（研削面）の周辺の角
部および糸面部の面取り加工も同時に行えるようにする
ことにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】こ
の発明は、磁気記録媒体と対向する面側に所定形状のレ
ールパターンをプラズマエッチング工程により形成して
浮上面としたスライダの空気流出端部側に薄膜磁気ヘッ
ド素子を備えた薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法であ
って、上記課題を解決するために、本発明のプラズマエ
ッチング工程は、スライダのレールパターンの形成面に
対して第１の角度でイオンビームを照射してレールパタ
ーンの形成面を所定の堀込量だけ研削するとともにこの
スライダの周辺の角部および糸面部を所定の角度だけ研
削する研削工程と、スライダのレールパターンの形成面
に対して第２の角度でイオンビームを照射して研削工程
により研削された残査の付着物を除去する除去工程と、
スライダのレールパターンの形成面に対して第３の角度
でイオンビームを照射してレールパターンの形成面の全
面をクリーニングするクリーニング工程とを備えたこと
を特徴とする。

【００１５】このように、研削工程によりスライダのレ
ールパターンの形成面に対して第１の角度でイオンビー
ムを照射して形成面を所定の堀込量だけ研削するととも
に同スライダの周辺の角部および糸面部を所定の角度だ
け研削すると、所定のレールパターンを形成すると同時
にスライダの周辺の角部および糸面部が研削される。こ
のため、スライダの角部が磁気記録媒体に接触すること
が防止できるようになって、磁気記録媒体の接触面を傷
つけたり、あるいは破片が磁気記録媒体上に飛散するこ
とも防止できるようになる。また、各スライダのレール
パターンに変形を生じることもないため、浮上特性にバ
ラツキを生じるという問題も生じなく、効率良くこの種
のスライダを製造できるようになる。

【００１６】また、第２の角度でイオンビームを照射し
て研削工程により研削された残査の付着物を除去するよ
うにすると、新たに残査の除去工程を設けることなくプ
ラズマエッチング工程において容易に取り除くことがで
きるようになって、効率よくこの種のスライダを製造で
きるようになる。さらに、第３の角度でイオンビームを
照射して形成面の全面をクリーニングするようにする
と、新たにクリーニング工程を設けることなく、プラズ
マエッチング工程において容易に研削面をクリーニング
することが可能となって、効率よくこの種のスライダを
製造できるようになる。

【００１７】そして、上述の第１の角度をレールパター
ンの形成面に対して５〜２０度の角度にすると、スライ
ダ周辺の角部および糸面部の研削量が最大となるため、
レールパターンの形成面の堀込量およびスライダ周辺の
角部および糸面部が最適に研削できるようになる。ま
た、第２の角度をレールパターンの形成面に対して７５
〜８５度の角度にすると、再付着物質の減少量が大きい
ため、研削工程において付着した残差を短時間で除去す
ることが可能となる。さらに、第３の角度をレールパタ
ーンの形成面に対して３０〜６０度の角度にすると、堀
込量およびスライダ周辺の角部、糸面部の研削量および
研削物質の付着量が最小になるため、第２の角度で研削
しても残った残査をほぼ完全に取り除くことができ、研
削面全面のクリーニングを施すことが可能となる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法の実施形態を図１〜図５を参照しながら説明
する。なお、図１は薄膜磁気ヘッド素子の形成工程から
ウエハー切断工程、溝切り工程までの一連の工程を示す
図であり、図２は図１（ｄ）のＡ部を拡大して示す図で
あり、図３はフォトリソグラフィー工程を示す図であ
り、図４はプラズマエッチング工程を示す図であり、図
５はスライダ作製工程を示す図である。

【００１９】１．ロー切断工程 図１（ａ）に示すように、アルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−Ｔｉ
Ｃ）などからなるセラミック基板１０の表面にウェハー
プロセスにより複数の薄膜磁気ヘッド素子１１，１１・
・・を縦方向および横方向に多数成膜して薄膜磁気ヘッ
ド素子層（主としてアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる）１
２（図２参照）を形成して磁気ヘッドウェハー１０ａと
する。なお、薄膜磁気ヘッド素子１１は、図２に示すよ
うに、薄膜磁気ヘッド素子１１ａおよびパッド（端子
部）１１ｂからなる。ついで、図１（ｂ）に示すよう
に、磁気ヘッドウェハー１０ａに形成された各薄膜磁気
ヘッド素子１１，１１・・・が１列の素子列（ロー）と
なるように、図示しない切断ブレードを回転させて切断
して、ロー１５，１５・・・を形成する。

【００２０】ついで、図示しないラップ盤の上下の定盤
間に各ロー１５をＡＢＳ（Air Bearing Surface）およ
び背面が定盤に対して上下方向になるようにして挟み込
み、定盤と各ロー１５との間に砥粒を入れ、定盤間を押
し付けるとともに摺り合わせて各ロー１５の各ＡＢＳお
よび背面を両面ラッピング加工を行う。この両面ラッピ
ング加工により、高い平行度と反りの少ないロー１５が
得られる。また、ロー１５の各ＡＢＳおよび背面の極薄
い層（例えば３μｍ）には両面ラッピング処理で生じた
圧縮応力が残留する。この両面ラッピング加工処理にお
いては、例えば、研磨砥粒として０．５μｍのダイヤモ
ンド砥粒あるいは１．５μｍのグリーンシリコンカーバ
イド砥粒等を用いることができる。

【００２１】両面ラッピング処理を行ったロー１５を図
示しないワークホルダー（治具）に背面が接着面（即
ち、ＡＢＳが下面となる）となるようにロジン系ワック
スなどの接着剤で接着した後、接着されたロー１５のＡ
ＢＳが下面となるようにしてワークホルダーをラップ盤
の上に載置する。そして、ダイヤモンド０．５μｍなど
からなる研磨砥粒をラップ盤上に吹き付けながらラップ
盤を回転させてロー１５のＡＢＳを研磨（ラッピング）
して、スロートハイト（薄膜磁気ヘッド素子１１ａのポ
ール部の長さ）を目標値まで加工する。

【００２２】ついで、ロー１５をワークホルダー（治
具）から取り外した後、今度はロー１５のＡＢＳが接着
面（即ち、背面が下面となる）となるようにワークホル
ダー（治具）に接着し、上述したＡＢＳの研磨（ラッピ
ング）と同様にして背面を研磨（ラッピング）する。こ
のようにしてＡＢＳをラッピングした後、背面をラッピ
ングすることにより、ＡＢＳと背面の残留応力がほぼバ
ランスしたロー１５が得られるようになる。

【００２３】ついで、図１（ｃ）に示すように、切断面
が上下面となるようにして、即ち、膜面１２が側面とな
るようにして、各ロー１５を所定の間隔（後のスライダ
周辺の面取り加工の加工量の５倍以上、例えば２５μｍ
以上）だけ隔てて基板２０上に配置するとともに、ロジ
ン系ワックスなどの接着剤で基板２０上に接着した後、
図１（ｄ）に示すように、この磁気ヘッドウェハー１０
ａに形成された薄膜磁気ヘッド素子１１毎、即ち後の工
程において切断されるスライダ毎に溝切加工を行う。こ
の溝切加工により、図２に示すように、各ロー１５の表
面に溝１６が形成される。

【００２４】２．フォトリソグラフィー工程 ついで、図３（ａ）に示すように、基板２０上の各ロー
１５，１５・・・の溝切加工により形成された溝１６の
形成面（ＡＢＳ）上にミリング用レジストフィルムある
いはドライフィルムなどの感光性樹脂膜３０を貼着す
る。この感光性樹脂膜３０は、紫外線が当たることによ
り現像液（例えば、炭酸ナトリウム（Ｎａ ₂ＣＯ₃）水溶
液）に浸漬しても溶け難いネガ型の感光性樹脂により形
成されている。なお、感光性樹脂は紫外線が当たること
により現像液に浸漬すると溶け易くなるポジ型の感光性
樹脂を用いても良い。

【００２５】ついで、ＡＢＳ（Air Bearing Surface）
上に感光性樹脂膜３０が貼着された各ロー１５，１５・
・・のＡＢＳに、図示しない所定のレール形状のパター
ンが形成されたフォトマスクを載置し、このフォトマス
クの上部に配置した図示しない紫外線ランプよりフォト
マスク上に紫外線を照射する。フォトマスク上に紫外線
を照射すると、所定のレール形状のパターンが形成され
たフォトマスクを通過した紫外線は感光性樹脂膜３０を
所定のレール形状のパターンに感光する。感光性樹脂膜
３０の紫外線により感光した部分は硬化し、後の現像工
程において現像液（例えば、炭酸ナトリウム（Ｎａ₂Ｃ
Ｏ₃）水溶液）に浸漬しても溶けにくくなる。

【００２６】ついで、感光性樹脂膜３０を所定のレール
形状のパターンに感光した各ロー１５，１５・・・を現
像液（例えば、炭酸ナトリウム（Ｎａ₂ＣＯ₃）水溶液）
に浸漬すると、感光性樹脂膜３０の感光された部分以外
の部分の感光性樹脂膜３０は現像液（例えば、炭酸ナト
リウム（Ｎａ₂ＣＯ₃）水溶液）に溶解されて除去され
る。これにより、各ロー１５，１５・・・のＡＢＳに
は、図３（ｂ）に示すように、所定のレール形状のマス
クパターン３０ａが形成されることとなる。

【００２７】３．プラズマエッチング工程 ついで、図４に示すように、所定のレール形状のマスク
パターン３０ａが形成された各ロー１５，１５・・・を
プラズマエッチング装置４０の回転軸４１に取り付けら
れた回転板４２上に取り付け、プラズマイオンガン４３
よりアルゴンイオンＡｒ⁺を照射してプラズマエッチン
グ（イオンミリング）を行う。プラズマイオンガン４３
よりアルゴンイオンＡｒ⁺を照射すると、アルゴンイオ
ンＡｒ⁺は、プラズマイオンガン４３の前に設けられた
シャワーヘッドあるいはグリッド４５を介して供給さ
れ、ほぼＸ軸方向に向いている。一方、回転板４２はＸ
軸に対してθだけ傾斜させて配置されている。このＸ軸
と回転板４２とのなす角度を照射角度（θ）とすると、
アルゴンイオンＡｒ⁺は照射角度（θ）だけ傾いて照射
される。なお、プラズマエッチング装置４０には装置内
を真空にするために図示しない真空ポンプに接続される
接続管４４が配設されている。

【００２８】プラズマエッチング（イオンミリング）は
次のようにして行う。まず、図示しない真空ポンプを駆
動して接続管４４からプラズマエッチング装置４０内に
残存する空気を吸引してプラズマエッチング装置４０内
を真空にする。この後、アルゴンイオンＡｒ⁺の照射角
度を５〜２０度になるようにして、即ち、回転軸４１の
角度θを５〜２０度になるようにして、回転板４２を回
転させながら、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイ
オンＡｒ⁺を照射する。

【００２９】照射角度を５〜２０度にしてロー１５のＡ
ＢＳにアルゴンイオンＡｒ⁺を照射することにより、Ａ
ＢＳのマスクパターン３０ａが形成された部分以外のＡ
ＢＳの部位は溝状にエッチングされて、所定のレール形
状で所定の彫込量のレールパターンが形成されるととも
に、スライダ毎に切断された場合の各スライダのＡＢＳ
側の角部および糸面部が所定の面取り量（この面取り量
をブレンド量という）だけ面取りされることとなる。

【００３０】図７はアルゴンイオンＡｒ⁺の照射角度
（θ）と面取り量との関係を示す図あり、この図７に基
づいて、照射角度を５〜２０度にしてＡＢＳを研削する
理由について説明する。ブレンド量については、以下の
ように定義する。即ち、図６（なお、図６は完成したス
ライダを示す）に示すように、スライダのＡＢＳ面の幅
方向（Ｘ方向およびＹ方向）の長さｂ₁および厚み方向
（Ｚ方向）の長さｂ₂の大きい方をブレンド量として表
す。なお、図７の〇印は堀込み深さが３μｍの場合を示
し、■印は堀込み深さが６μｍの場合を示し、照射角度
（θ）が０〜４５度の場合はｂ₁を示し、照射角（θ）
が４６〜９０度の場合はｂ₂を示している。

【００３１】図７より明らかなように、アルゴンイオン
Ａｒ⁺の照射角度（θ）を０〜２０度にするとブレンド
量が多いが、２０度を超すと急激にブレンド量が減少す
る。また、後述する図９より明らかなように、０〜５度
までは再付着量が格段に多くなるため、５〜２０度にす
るとブレンド量が多くかつ再付着量も少なくなる。した
がって、ＡＢＳの研削のための照射角度は５〜２０度に
することが好ましい。

【００３２】ついで、アルゴンイオンＡｒ⁺の照射角度
を７５〜８５度になるようにして、即ち、回転軸４１の
角度θを７５〜８５度になるようにして、回転板４２を
回転させながら、プラズマイオンガン４３よりアルゴン
イオンＡｒ⁺をロー１５のＡＢＳに照射する。照射角度
を７５〜８５度にしてアルゴンイオンＡｒ⁺を照射する
ことにより、マスク段差面に付着した再付着物（ＡＢＳ
にアルゴンイオンＡｒ ⁺が照射されて飛散した物質）が
除去されるようになる。

【００３３】図８はアルゴンイオンＡｒ⁺の照射角度と
再付着物質の減少速度の関係を示す図であり、この図８
に基づいて、照射角度を７５〜８５度にしてＡＢＳに再
付着した物質を除去する理由について説明する。なお、
図８の〇印は堀込み深さが３μｍの場合を示す。

【００３４】図８より明らかなように、アルゴンイオン
Ａｒ⁺の照射角度が７５度以上であると、再付着物質の
減少速度は大きいが、７５度より小さくなると急激に再
付着物質の減少速度が小さくなる。また、後述する図９
より明らかなように、アルゴンイオンＡｒ⁺の照射角度
が８５度より大きくなると、再付着量が急激に大きくな
る。したがって、ＡＢＳに再付着した物質を除去するた
めには、アルゴンイオンＡｒ⁺の照射角度を７５〜８５
度にすることが好ましい。

【００３５】ついで、アルゴンイオンＡｒ⁺の照射角度
を３０〜６０度になるようにして、即ち、回転軸４１の
角度θを３０〜６０度になるようにして、回転板４２を
回転させながら、プラズマイオンガン４３よりアルゴン
イオンＡｒ⁺をロー１５のＡＢＳに照射する。照射角度
を３０〜６０度にアルゴンイオンＡｒ⁺を照射すること
により、短時間でＡＢＳの全面に僅かに残存する再付着
物が除去されるようになる。

【００３６】図９はアルゴンイオンＡｒ⁺の照射角度と
再付着物質の付着厚さの関係を示す図であり、この図８
に基づいて、照射角度を３０〜６０度にしてＡＢＳに全
面に僅かに残存する再付着物質を除去する理由について
説明する。なお、図９の〇印は堀込み深さが３μｍの場
合を示し、■印は堀込み深さが６μｍの場合を示す。

【００３７】図９より明らかなように、アルゴンイオン
Ａｒ⁺の照射角度を３０〜６０度にすると、ほとんど再
付着物質が付着しないことが分かる。したがって、ＡＢ
Ｓの全面に僅かに残存する再付着物質を除去するために
は、アルゴンイオンＡｒ⁺の照射角度を３０〜６０度に
することが好ましい。

【００３８】実施例 ここで、上記したプラズマエッチング工程の具体的な実
施例について説明する。まず、アルゴンイオンＡｒ⁺の
照射角度を２０度になるようにして、即ち、回転軸４１
の角度θを２０度になるようにして、回転板４２を回転
させながら、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオ
ンＡｒ⁺をロー１５のＡＢＳに１９０分間照射した。こ
のとき、基板（アルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ））１０
の堀込み量を測定すると２．５μｍであった。また、マ
スクパターン３０ａが形成された部分と基板１０の表面
との段差部に付着した再付着物質の厚みを測定すると
０．３μｍであった。さらに、ブレンド量（図６のｂ₁
の長さ）を測定すると、基板（アルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−
ＴｉＣ））１０では２．３μｍであり、膜面（アルミナ
（Ａｌ₂Ｏ₃））１２では３．５μｍであった。

【００３９】なお、アルゴンイオンＡｒ⁺の照射条件と
しては、真空度は２×１０^-4（Ｔｏｒｒ）とし、加速電
圧は６００Ｖとし、減速電圧は−２００Ｖとし、ビーム
電流は１６００ｍＡ（０．６ｍＡ／ｃｍ²）とし、アー
ク電圧は７０Ｖとした。

【００４０】ついで、アルゴンイオンＡｒ⁺の照射角度
を７５度になるようにして、即ち、回転軸４１の角度θ
を７５度になるようにして、回転板４２を回転させなが
ら、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオンＡｒ⁺
をロー１５のＡＢＳに３０分間照射した。すると、マス
クパターン３０ａが形成された部分と基板１０の表面と
の段差部に付着した再付着物質は全て除去され、ＡＢＳ
の堀込み面に縞状に最大厚みで０．１μｍの再付着物が
観測された。このときのブレンド量（図６のｂ ₁の長
さ）を測定すると、基板（アルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−Ｔｉ
Ｃ））１０では２．４μｍであり、膜面（アルミナ（Ａ
ｌ₂Ｏ₃））１２では３．７μｍであった。

【００４１】ついで、アルゴンイオンＡｒ⁺の照射角度
を４５度になるようにして、即ち、回転軸４１の角度θ
を４５度になるようにして、回転板４２を回転させなが
ら、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオンＡｒ⁺
をロー１５のＡＢＳに５分間照射した、すると、ＡＢＳ
の堀込み面に縞状に再付着した最大厚みで０．１μｍの
再付着物質は全て除去された。したがって、最終的な基
板（アルチック（Ａｌ ₂Ｏ₃−ＴｉＣ））１０の堀込み量
は２．５μｍとなり、ブレンド量（図６のｂ₁の長さ）
は基板（アルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ））１０では
２．４μｍとなり、膜面（アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃））１２
では３．７μｍとなった。

【００４２】４．スライダ作製工程 プラズマエッチングによりＡＢＳに所定のレール形状の
レールパターンを形成した後、各ロー１５，１５・・・
を洗浄液（例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンよりな
る）で洗浄して、マスクパターン３０ａ、即ち感光性樹
脂膜３０を除去すると、図５（ａ）に示すように、その
ＡＢＳに所定のレール形状のレールパターン１７を備え
たロー１５ａが得られる。

【００４３】感光性樹脂膜３０を除去して、ＡＢＳに所
定のレール形状のレールパターン１７を形成した素子列
ａを各薄膜磁気ヘッド素子毎に切断すると、図５（ｂ）
および図６に示すようなレールパターン１７が形成され
るとともに、その周辺が面取り（糸面取り、角取り）さ
れたスライダー１８が得られる。なお、図６において、
スライダー１８のＡＢＳの両側部に形成された溝部１６
ａは上記した溝切り加工により形成された溝１６を示し
ている。

【００４４】上述したように、本発明においては、プラ
ズマエッチング工程における研削工程において、スライ
ダ１８のレールパターン１７の形成面に対して第１の角
度（５〜２０度）でアルゴンイオンＡｒ⁺を照射してレ
ールパターン１７の形成面を所定の堀込量だけ研削する
とともに同スライダ１８の周辺の角部および糸面部を所
定の角度だけ研削するので、所定のレールパターンを形
成すると同時にスライダの周辺の角部および糸面部が研
削される。このため、スライダの角部が磁気記録媒体に
接触することが防止できるようになって、磁気記録媒体
の接触面を傷つけたり、あるいは破片が磁気記録媒体上
に飛散することも防止できるようになる。また、各スラ
イダのレールパターンに変形を生じることもないため、
浮上特性にバラツキを生じるという問題も生じなく、効
率良くこの種のスライダを製造できるようになる。

【００４５】また、第２の角度（７５〜８５度）でアル
ゴンイオンＡｒ⁺を照射して研削工程により研削された
残査の付着物を除去するようにしているので、新たに残
査の除去工程を設けることなくプラズマエッチング工程
において容易に取り除くことができるようになって、効
率よくこの種のスライダを製造できるようになる。さら
に、第３の角度（３０〜６０度）でアルゴンイオンＡｒ
⁺を照射してレールパターン１７の形成面の全面をクリ
ーニングするようにしているので、新たにクリーニング
工程を設けることなく、プラズマエッチング工程におい
て容易に研削面をクリーニングすることが可能となっ
て、効率よくこの種のスライダを製造できるようにな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 薄膜磁気ヘッド素子の形成工程からウエハー
切断工程、溝切り工程までの一連の工程を示す図であ
る。

【図２】 図１（ｃ）のＡ部を拡大して示す図である。

【図３】 フォトリソグラフィー工程を示す図である。

【図４】 プラズマエッチング工程を示す図である。

【図５】 スライダ作製工程を示す図である。

【図６】 スライダ作製工程を示す図である。

【図７】 アルゴンイオンの照射角度と面取り加工量と
の関係を示す図である。

【図８】 アルゴンイオンの照射角度と再付着物質の減
少速度の関係を示す図である。

【図９】 アルゴンイオンの照射角度と再付着物質の付
着厚さの関係を示す図である。

【図１０】 従来のロースライシング工程を示す図であ
る。

【図１１】 従来のフォトリソグフィー工程を示す図で
ある。

【図１２】 従来のプラズマエッチング工程を示す図で
ある。

【図１３】 従来のプラズマエッチング後のローを切断
してスライダとする工程を示す図である。

【図１４】 従来のプラズマエッチング前とプラズマエ
ッチング中のローの状態を示す図である。

【図１５】 従来のＡＢＳの周辺角部および糸面部を機
械的に研磨する状態を示す図である。

【符号の説明】

１０ａ…磁気ヘッドウェハー、１０…セラミック基板、
１１ａ…薄膜磁気ヘッド素子、１１ｂ…パッド（端子
部）、１２…薄膜磁気ヘッド素子層（膜面）、１５…素
子列（ロー）、１６…溝、１６ａ…溝部、１７…レール
パターン、１８…薄膜磁気ヘッドスライダ、２０…基
板、３０…感光性樹脂膜、４０…プラズマエッチング装
置、４１…回転軸、４２…回転板、４３…プラズマイオ
ンガン

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気記録媒体と対向する面側に所定形状
   のレールパターンをプラズマエッチング工程により形成
   して浮上面としたスライダの空気流出端部側に薄膜磁気
   ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法
   であって、 前記プラズマエッチング工程は、 前記スライダのレールパターンの形成面に対して第１の
   角度でイオンビームを照射して前記レールパターンの形
   成面を所定の堀込量だけ研削するとともに同スライダの
   周辺の角部および糸面部を所定の角度だけ研削する研削
   工程と、 前記スライダのレールパターンの形成面に対して第２の
   角度でイオンビームを照射して前記研削工程により研削
   された残査の付着物質を除去する除去工程と、 前記スライダのレールパターンの形成面に対して第３の
   角度でイオンビームを照射して前記レールパターンの形
   成面の全面をクリーニングするクリーニング工程とを備
   えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドスライダの製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記第１の角度は前記レールパターンの
   形成面に対して５〜２０度の角度であり、 前記第２の角度は前記レールパターンの形成面に対して
   ７５〜８５度の角度であり、 前記第３の角度は前記レールパターンの形成面に対して
   ３０〜６０度の角度であることを特徴とする請求項１に
   記載の薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法。
3. 【請求項３】 前記プラズマエッチング工程の前に、前
   記薄膜磁気ヘッド素子をその表面の縦方向および横方向
   に多数形成したウェハーを１列毎の素子列に切断する切
   断工程と、 前記切断工程により切断された各素子列の切断面を所定
   量だけ研削研磨する研削研磨工程と、 前記研削研磨工程により研削研磨された各素子列の研削
   研磨面を上面として前記スライダ毎に溝切りする溝切り
   工程と、 前記溝切り工程により溝切りされた各素子列の研削研磨
   面を上面とするとともに前記薄膜磁気ヘッド素子の形成
   面が側面となるように所定の間隔を隔てて相隣接して基
   板上に配置する配置工程と、 前記配置された各素子列の表面に感光性樹脂膜を被着す
   るとともにこの感光性樹脂膜の上にフォトマスクを配置
   した後、露光、現像して前記各素子列の表面に所定形状
   のマスクパターンを形成するフォトリソグラフィー工程
   とを備えるとともに、 前記プラズマエッチング工程の後に、 前記素子列を洗浄液で洗浄して前記フォトマスクを除去
   する洗浄工程と、 前記洗浄工程によりフォトマスクが除去された前記各素
   子列を個々のスライダに切断する切断工程とを備えたこ
   とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁
   気ヘッドスライダの製造方法。