JPH11190662A - 単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置 - Google Patents
単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置Info
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- JPH11190662A JPH11190662A JP9358899A JP35889997A JPH11190662A JP H11190662 A JPH11190662 A JP H11190662A JP 9358899 A JP9358899 A JP 9358899A JP 35889997 A JP35889997 A JP 35889997A JP H11190662 A JPH11190662 A JP H11190662A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
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- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 迷光成分を確実に除去することが難しく、融
液表面１７ａの温度を正確に測定することが困難であっ
た。また温度計や演算手段が高価であり、コストが高く
付き易かった。また既存の単結晶引上炉１０に大幅な改
造工事を施す必要があり、面倒であった。 【解決手段】 融液表面１７ａの放射光輝度Ｌ分布を検
出するＣＣＤカメラ２１と、ＣＣＤカメラ２１で測定さ
れた放射光輝度Ｌ分布データに基づいて最小の放射光輝
度Ｌmin を特定すると共に、最小の放射光輝度Ｌmin に
基づいて単結晶引上炉１０内における融液表面１７ａの
温度ＴS を演算する。
液表面１７ａの温度を正確に測定することが困難であっ
た。また温度計や演算手段が高価であり、コストが高く
付き易かった。また既存の単結晶引上炉１０に大幅な改
造工事を施す必要があり、面倒であった。 【解決手段】 融液表面１７ａの放射光輝度Ｌ分布を検
出するＣＣＤカメラ２１と、ＣＣＤカメラ２１で測定さ
れた放射光輝度Ｌ分布データに基づいて最小の放射光輝
度Ｌmin を特定すると共に、最小の放射光輝度Ｌmin に
基づいて単結晶引上炉１０内における融液表面１７ａの
温度ＴS を演算する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は単結晶引上炉内融液
の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置に関し、よ
り詳細には非接触で温度を測定する単結晶引上炉内融液
の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置に関する。
の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置に関し、よ
り詳細には非接触で温度を測定する単結晶引上炉内融液
の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶の品質を確保するためには単結晶
育成の際の融液表面の温度を最適状態に維持する必要が
あり、そのための前提条件として融液表面の温度を正確
に測定することが求められている。融液表面の温度測定
には浸漬式の熱電対や、非接触式の放射温度計等が用い
られている。しかしながら熱電対を用いた温度測定方法
の場合、熱電対が損耗し易く寿命が短い、あるいは融液
中に熱電対の構成成分が混入して引き上げられる単結晶
の品質に悪影響を及ぼす等の問題がある。したがって、
融液表面の温度を長時間にわたり連続的に測定すること
は困難であるという問題があった。
育成の際の融液表面の温度を最適状態に維持する必要が
あり、そのための前提条件として融液表面の温度を正確
に測定することが求められている。融液表面の温度測定
には浸漬式の熱電対や、非接触式の放射温度計等が用い
られている。しかしながら熱電対を用いた温度測定方法
の場合、熱電対が損耗し易く寿命が短い、あるいは融液
中に熱電対の構成成分が混入して引き上げられる単結晶
の品質に悪影響を及ぼす等の問題がある。したがって、
融液表面の温度を長時間にわたり連続的に測定すること
は困難であるという問題があった。
【０００３】この問題に対処するため、放射温度計を用
い、非接触で融液表面の温度を測定する方法が採用され
ている。この放射温度計を用いた温度測定は、測定対象
から放射される熱放射光の輝度が前記測定対象の温度及
び放射率により決定されることを利用した方法であり、
非接触で測定した前記熱放射光の輝度と、別に求めた放
射率とにより温度が求められる。したがって放射温度計
を用いた温度測定方法では、融液中への不純物の混入が
なく、単結晶引き上げ中に融液表面の温度を連続的に測
定することが可能である。
い、非接触で融液表面の温度を測定する方法が採用され
ている。この放射温度計を用いた温度測定は、測定対象
から放射される熱放射光の輝度が前記測定対象の温度及
び放射率により決定されることを利用した方法であり、
非接触で測定した前記熱放射光の輝度と、別に求めた放
射率とにより温度が求められる。したがって放射温度計
を用いた温度測定方法では、融液中への不純物の混入が
なく、単結晶引き上げ中に融液表面の温度を連続的に測
定することが可能である。
【０００４】図７は放射温度計を用いた従来の温度測定
装置が組み込まれている単結晶引上炉を摸式的に示した
断面図であり、図中１１は坩堝を示している。坩堝１１
は略有底円筒形状に形成され、坩堝１１下部には坩堝１
１を回転させながら昇降させる昇降手段（図示せず）が
連結されており、この昇降手段を駆動させると坩堝１１
の高さが調整されるようになっている。坩堝１１の外周
には略円筒形状をしたヒータ１２が配設され、ヒータ１
２には電力供給制御部１２ａが接続されており、またヒ
ータ１２の外周には略円筒形状をした保温筒１３が配設
されている。坩堝１１、ヒータ１２、保温筒１３の外周
にはこれらを囲う態様で下部チャンバ壁１４が配設され
ており、略リング形状をした下部チャンバ上壁部１４ａ
上には上部チャンバ壁１５が立設されている。上部チャ
ンバ壁１５内には引き上げ軸１６ａが吊設され、引き上
げ軸１６ａ下端部には保持具１６ｃを介して種結晶１６
ｂが取り付けられる一方、引き上げ軸１６ａの上端部側
は駆動手段１６に回転させられながら巻き取られるよう
になっている。また下部チャンバ側壁部１４ｂにおける
融液表面１７ａと略同じ高さの箇所には窓孔部４１が形
成され、窓孔部４１は例えば石英ガラス部材４１ａを用
いて封止されている。これら坩堝１１、ヒータ１２、電
力供給制御部１２ａ、保温筒１３、チャンバ壁１４、１
５、引き上げ軸１６ａ、窓孔部４１等を含んで単結晶引
上炉４０が構成されている。坩堝１１内には例えば多結
晶シリコン（Ｓｉ）等の原料をヒータ１２により加熱・
溶融させた融液１７が充填されるようになっている。そ
して種結晶１６ｂを融液表面１７ａに接触させ、引き上
げ軸１６ａを引き上げることにより、融液表面１７ａか
ら単結晶１８が凝固・成長させられる。
装置が組み込まれている単結晶引上炉を摸式的に示した
断面図であり、図中１１は坩堝を示している。坩堝１１
は略有底円筒形状に形成され、坩堝１１下部には坩堝１
１を回転させながら昇降させる昇降手段（図示せず）が
連結されており、この昇降手段を駆動させると坩堝１１
の高さが調整されるようになっている。坩堝１１の外周
には略円筒形状をしたヒータ１２が配設され、ヒータ１
２には電力供給制御部１２ａが接続されており、またヒ
ータ１２の外周には略円筒形状をした保温筒１３が配設
されている。坩堝１１、ヒータ１２、保温筒１３の外周
にはこれらを囲う態様で下部チャンバ壁１４が配設され
ており、略リング形状をした下部チャンバ上壁部１４ａ
上には上部チャンバ壁１５が立設されている。上部チャ
ンバ壁１５内には引き上げ軸１６ａが吊設され、引き上
げ軸１６ａ下端部には保持具１６ｃを介して種結晶１６
ｂが取り付けられる一方、引き上げ軸１６ａの上端部側
は駆動手段１６に回転させられながら巻き取られるよう
になっている。また下部チャンバ側壁部１４ｂにおける
融液表面１７ａと略同じ高さの箇所には窓孔部４１が形
成され、窓孔部４１は例えば石英ガラス部材４１ａを用
いて封止されている。これら坩堝１１、ヒータ１２、電
力供給制御部１２ａ、保温筒１３、チャンバ壁１４、１
５、引き上げ軸１６ａ、窓孔部４１等を含んで単結晶引
上炉４０が構成されている。坩堝１１内には例えば多結
晶シリコン（Ｓｉ）等の原料をヒータ１２により加熱・
溶融させた融液１７が充填されるようになっている。そ
して種結晶１６ｂを融液表面１７ａに接触させ、引き上
げ軸１６ａを引き上げることにより、融液表面１７ａか
ら単結晶１８が凝固・成長させられる。
【０００５】一方、窓孔部４１の略水平方向外側には放
射温度計４３が設置され、放射温度計４３は演算手段４
４に接続されており、これら放射温度計４３、演算手段
４４を含んで温度測定装置４２が構成されており、さら
に演算手段４４は電力供給制御部１２ａに接続されてい
る。融液表面１７ａ近傍の保温筒１３から放射された熱
放射光輝度が放射温度計４３により測定され、この測定
した熱放射光輝度に基づき、演算手段４４において演算
・検出された温度により、電力供給制御部１４ｂではヒ
ータ１２への供給電力を制御し、融液表面１７ａを所定
温度に維持するようになっている。
射温度計４３が設置され、放射温度計４３は演算手段４
４に接続されており、これら放射温度計４３、演算手段
４４を含んで温度測定装置４２が構成されており、さら
に演算手段４４は電力供給制御部１２ａに接続されてい
る。融液表面１７ａ近傍の保温筒１３から放射された熱
放射光輝度が放射温度計４３により測定され、この測定
した熱放射光輝度に基づき、演算手段４４において演算
・検出された温度により、電力供給制御部１４ｂではヒ
ータ１２への供給電力を制御し、融液表面１７ａを所定
温度に維持するようになっている。
【０００６】しかし、上記した温度測定装置４２を用い
た温度測定方法では、ＬＳＩ製造の効率化を目的とした
単結晶１８の大口径化および単結晶引上炉４０の大形化
に伴い、保温筒１３の温度と、融液表面１７ａの温度と
が一致せず、融液表面１７ａの温度を正確に測定するこ
とが難しくなってきている。また融液１７の熱容量は比
較的大きいので、ヒータ１２に接近した坩堝１１近傍の
融液１７と、ヒータ１２から離れた単結晶１８近傍の融
液１７との間には温度差が生じ易く、単結晶１８近傍の
融液表面１７ａの温度を正確に測定することは難しい。
また前記温度差に基づいて融液１７に対流が発生し、融
液表面１７ａの温度が時間的に変動し易く、この変動に
追随して融液表面１７ａの温度を正確に測定することは
難しく、これらの結果、融液表面１７ａを所定温度に維
持することが難しいという問題があった。
た温度測定方法では、ＬＳＩ製造の効率化を目的とした
単結晶１８の大口径化および単結晶引上炉４０の大形化
に伴い、保温筒１３の温度と、融液表面１７ａの温度と
が一致せず、融液表面１７ａの温度を正確に測定するこ
とが難しくなってきている。また融液１７の熱容量は比
較的大きいので、ヒータ１２に接近した坩堝１１近傍の
融液１７と、ヒータ１２から離れた単結晶１８近傍の融
液１７との間には温度差が生じ易く、単結晶１８近傍の
融液表面１７ａの温度を正確に測定することは難しい。
また前記温度差に基づいて融液１７に対流が発生し、融
液表面１７ａの温度が時間的に変動し易く、この変動に
追随して融液表面１７ａの温度を正確に測定することは
難しく、これらの結果、融液表面１７ａを所定温度に維
持することが難しいという問題があった。
【０００７】上記問題に対処するには、融液表面１７ａ
を放射温度計により直接的に測定することが望ましい。
融液表面１７ａにおいては、その周囲にある高温の坩堝
１１側壁上部、ヒータ１２、保温筒１３、下部チャンバ
上壁部１４ａ等を放射源とする放射光が鏡面反射してい
る。したがって放射温度計で融液表面１７ａの温度を測
定しようとすると、融液表面１７ａ自体からの熱放射光
に加え、前記鏡面反射した放射光（迷光）も放射温度計
に入射し、その結果、融液表面１７ａの温度に関して誤
差が生じ易いという問題があった。
を放射温度計により直接的に測定することが望ましい。
融液表面１７ａにおいては、その周囲にある高温の坩堝
１１側壁上部、ヒータ１２、保温筒１３、下部チャンバ
上壁部１４ａ等を放射源とする放射光が鏡面反射してい
る。したがって放射温度計で融液表面１７ａの温度を測
定しようとすると、融液表面１７ａ自体からの熱放射光
に加え、前記鏡面反射した放射光（迷光）も放射温度計
に入射し、その結果、融液表面１７ａの温度に関して誤
差が生じ易いという問題があった。
【０００８】前記迷光による影響を低減して測定精度の
向上を図るため、各種の温度測定装置が提案されてい
る。図８は従来のこの種の温度測定装置が組み込まれて
いる単結晶引上炉を摸式的に示した断面図であり（特開
昭５８−１６８９２７号公報）、図中１４ａは下部チャ
ンバ上壁部を示している。下部チャンバ上壁部１４ａの
所定箇所には融液表面１７ａに向けて窓孔部１９が形成
され、この窓孔部１９は例えば石英ガラス部材１９ａを
用いて封止されている。その他窓孔部４１、石英ガラス
部材４１ａが省略された以外は図７に示したものと略同
様であるので、ここではその構成の詳細な説明は省略す
ることとする。これら坩堝１１、ヒータ１２、電力供給
制御部１２ａ、保温筒１３、チャンバ壁１４、１５、引
き上げ軸１６ａ、窓孔部１９等を含んで単結晶引上炉１
０が構成されている。
向上を図るため、各種の温度測定装置が提案されてい
る。図８は従来のこの種の温度測定装置が組み込まれて
いる単結晶引上炉を摸式的に示した断面図であり（特開
昭５８−１６８９２７号公報）、図中１４ａは下部チャ
ンバ上壁部を示している。下部チャンバ上壁部１４ａの
所定箇所には融液表面１７ａに向けて窓孔部１９が形成
され、この窓孔部１９は例えば石英ガラス部材１９ａを
用いて封止されている。その他窓孔部４１、石英ガラス
部材４１ａが省略された以外は図７に示したものと略同
様であるので、ここではその構成の詳細な説明は省略す
ることとする。これら坩堝１１、ヒータ１２、電力供給
制御部１２ａ、保温筒１３、チャンバ壁１４、１５、引
き上げ軸１６ａ、窓孔部１９等を含んで単結晶引上炉１
０が構成されている。
【０００９】一方、窓孔部１９の斜め上方の放射光軸５
４上には偏光フィルタ５１、シリコン起電力素子５２が
配設され、シリコン起電力素子５２は増幅器５３を介し
て電力供給制御部１２ａに接続されている。これら偏光
フィルタ５１、シリコン起電力素子５２、増幅器５３を
含んで温度測定装置５０が構成されている。このように
構成された温度測定装置５０では、偏光フィルタ５１に
より融液表面１７ａに平行に偏光している成分Ｓ1 と、
垂直に偏光している成分Ｓ2 （共に図示せず）とを分離
測定し、（Ｓ1 ＋Ｓ2 ）−α（Ｓ1 −Ｓ2 ）を演算する
ことにより迷光成分の除去を図っている。なお、αは測
定波長領域、反射角等に関する関数であり、実用上はこ
の値を経験的に設定している。
４上には偏光フィルタ５１、シリコン起電力素子５２が
配設され、シリコン起電力素子５２は増幅器５３を介し
て電力供給制御部１２ａに接続されている。これら偏光
フィルタ５１、シリコン起電力素子５２、増幅器５３を
含んで温度測定装置５０が構成されている。このように
構成された温度測定装置５０では、偏光フィルタ５１に
より融液表面１７ａに平行に偏光している成分Ｓ1 と、
垂直に偏光している成分Ｓ2 （共に図示せず）とを分離
測定し、（Ｓ1 ＋Ｓ2 ）−α（Ｓ1 −Ｓ2 ）を演算する
ことにより迷光成分の除去を図っている。なお、αは測
定波長領域、反射角等に関する関数であり、実用上はこ
の値を経験的に設定している。
【００１０】図９は本発明者等が先に提案した温度測定
装置が組み込まれている単結晶引上炉を摸式的に示した
断面図であり（特開平６−１２９９１１号公報）、図中
１５は上部チャンバ壁を示している。上部チャンバ壁１
５の側壁部１５ａの所定箇所には斜め下方に向けて窓孔
部６１が形成され、この窓孔部６１は例えば石英ガラス
部材６１ａを用いて封止されている。その他の構成は図
８に示した装置と略同様であるので、ここではその構成
の詳細な説明は省略することとする。これら坩堝１１、
ヒータ１２、電力供給制御部１２ａ、保温筒１３、チャ
ンバ壁１４、１５、引き上げ軸１６ａ、窓孔部１９、６
１等を含んで単結晶引上炉６０が構成されている。
装置が組み込まれている単結晶引上炉を摸式的に示した
断面図であり（特開平６−１２９９１１号公報）、図中
１５は上部チャンバ壁を示している。上部チャンバ壁１
５の側壁部１５ａの所定箇所には斜め下方に向けて窓孔
部６１が形成され、この窓孔部６１は例えば石英ガラス
部材６１ａを用いて封止されている。その他の構成は図
８に示した装置と略同様であるので、ここではその構成
の詳細な説明は省略することとする。これら坩堝１１、
ヒータ１２、電力供給制御部１２ａ、保温筒１３、チャ
ンバ壁１４、１５、引き上げ軸１６ａ、窓孔部１９、６
１等を含んで単結晶引上炉６０が構成されている。
【００１１】一方、下部チャンバ上壁部１４ａ内面の所
定箇所には温度測定補助板６３が取り付けられ、温度測
定補助板６３は放射率が既知で、かつ該放射率の角度依
存性が少ない例えば黒鉛材料を用いて形成されている。
他方、窓孔部１９、６１の外方には放射温度計６４、２
色放射温度計６５がそれぞれ配設されており、放射温度
計６４は融液表面１７ａの測定点Ａから放射される熱放
射光６７ａの軸上に設置され、２色放射温度計６５は温
度測定補助板６３の放射源Ｂからの放射光６７ｂの軸上
に設置されている。そして放射源Ｂから放射された放射
光６７ｃが測定点Ａにおいて反射され、この反射光（迷
光）６７ｄが熱放射光６７ａと共に放射温度計６４に入
射するように、温度測定補助板６３、放射温度計６４、
６５の位置及び取り付け角がそれぞれ設定されている。
また放射温度計６４、６５は演算手段６６に接続され、
演算手段６６には電力供給制御部１２ａが接続されてい
る。これら温度測定補助板６３、放射温度計６４、６
５、演算手段６６を含んで温度測定装置６２が構成され
ている。
定箇所には温度測定補助板６３が取り付けられ、温度測
定補助板６３は放射率が既知で、かつ該放射率の角度依
存性が少ない例えば黒鉛材料を用いて形成されている。
他方、窓孔部１９、６１の外方には放射温度計６４、２
色放射温度計６５がそれぞれ配設されており、放射温度
計６４は融液表面１７ａの測定点Ａから放射される熱放
射光６７ａの軸上に設置され、２色放射温度計６５は温
度測定補助板６３の放射源Ｂからの放射光６７ｂの軸上
に設置されている。そして放射源Ｂから放射された放射
光６７ｃが測定点Ａにおいて反射され、この反射光（迷
光）６７ｄが熱放射光６７ａと共に放射温度計６４に入
射するように、温度測定補助板６３、放射温度計６４、
６５の位置及び取り付け角がそれぞれ設定されている。
また放射温度計６４、６５は演算手段６６に接続され、
演算手段６６には電力供給制御部１２ａが接続されてい
る。これら温度測定補助板６３、放射温度計６４、６
５、演算手段６６を含んで温度測定装置６２が構成され
ている。
【００１２】このように構成された温度測定装置６２で
は、反射光６７ｄと測定点Ａから放射される熱放射光６
７ａとが混合された放射光６７の輝度が放射温度計６４
により測定され、この輝度信号６８が演算手段６６に伝
送される。同時に、２色放射温度計６５により測定され
た放射源Ｂの温度信号６９が演算手段６６に伝送され
る。演算手段６６では、放射源Ｂから放射された放射光
６７ｂの輝度が温度信号６９のデータを用いて演算さ
れ、この放射光６７ｂの輝度が放射光６７の輝度から差
し引かれて熱放射光６７ａの輝度が演算される。そして
この熱放射光６７ａの輝度データを用いて演算すること
により、融液表面１７ａにおける測定点Ａの温度が正確
に検出される。
は、反射光６７ｄと測定点Ａから放射される熱放射光６
７ａとが混合された放射光６７の輝度が放射温度計６４
により測定され、この輝度信号６８が演算手段６６に伝
送される。同時に、２色放射温度計６５により測定され
た放射源Ｂの温度信号６９が演算手段６６に伝送され
る。演算手段６６では、放射源Ｂから放射された放射光
６７ｂの輝度が温度信号６９のデータを用いて演算さ
れ、この放射光６７ｂの輝度が放射光６７の輝度から差
し引かれて熱放射光６７ａの輝度が演算される。そして
この熱放射光６７ａの輝度データを用いて演算すること
により、融液表面１７ａにおける測定点Ａの温度が正確
に検出される。
【００１３】図１０は本発明者等が先に提案した温度測
定装置が組み込まれている単結晶引上炉を摸式的に示し
た断面図であり（特願平８−７４９７９号）、図中１４
ａは下部チャンバ上壁部を示している。下部チャンバ上
部壁１４ａの下面所定箇所には迷光除去板７２が取り付
けられており、この迷光除去板７２は反射率が比較的低
く、かつ融液１７に不純物として混入し難い例えば黒鉛
材料を用いて形成されている。また下部チャンバ上部壁
１４ａにおける迷光除去板７２の取り付け箇所近傍には
冷却手段（図示せず）が装備されており、この冷却手段
を作動させると迷光除去板７２が常時所定値以下の温度
に維持されるようになっている。その他の構成は図８に
示した装置と略同様であるので、ここではその構成の詳
細な説明は省略することとする。これら坩堝１１、ヒー
タ１２、電力供給制御部１２ａ、保温筒１３、チャンバ
壁１４、１５、引き上げ軸１６ａ、窓孔部１９、前記冷
却手段等を含んで単結晶引上炉７０が構成されている。
定装置が組み込まれている単結晶引上炉を摸式的に示し
た断面図であり（特願平８−７４９７９号）、図中１４
ａは下部チャンバ上壁部を示している。下部チャンバ上
部壁１４ａの下面所定箇所には迷光除去板７２が取り付
けられており、この迷光除去板７２は反射率が比較的低
く、かつ融液１７に不純物として混入し難い例えば黒鉛
材料を用いて形成されている。また下部チャンバ上部壁
１４ａにおける迷光除去板７２の取り付け箇所近傍には
冷却手段（図示せず）が装備されており、この冷却手段
を作動させると迷光除去板７２が常時所定値以下の温度
に維持されるようになっている。その他の構成は図８に
示した装置と略同様であるので、ここではその構成の詳
細な説明は省略することとする。これら坩堝１１、ヒー
タ１２、電力供給制御部１２ａ、保温筒１３、チャンバ
壁１４、１５、引き上げ軸１６ａ、窓孔部１９、前記冷
却手段等を含んで単結晶引上炉７０が構成されている。
【００１４】一方、窓孔部１９の外方には放射温度計７
３が配設されており、放射温度計７３は融液表面１７ａ
の測定点Ａから放射される熱放射光７５ａの軸上に設置
されている。そして迷光除去板７２の放射源Ｂから放射
された放射光７５ｂが測定点Ａにおいて反射され、この
反射光（迷光）７５ｃが熱放射光７５ａと共に放射温度
計７３に入射するように、迷光除去板７２、放射温度計
７３の位置及び取り付け角がそれぞれ設定されている。
また放射温度計７３は演算手段７４に接続され、演算手
段７４には電力供給制御部１２ａが接続されている。こ
れら迷光除去板７２、放射温度計７３、演算手段７４を
含んで温度測定装置７１が構成されている。
３が配設されており、放射温度計７３は融液表面１７ａ
の測定点Ａから放射される熱放射光７５ａの軸上に設置
されている。そして迷光除去板７２の放射源Ｂから放射
された放射光７５ｂが測定点Ａにおいて反射され、この
反射光（迷光）７５ｃが熱放射光７５ａと共に放射温度
計７３に入射するように、迷光除去板７２、放射温度計
７３の位置及び取り付け角がそれぞれ設定されている。
また放射温度計７３は演算手段７４に接続され、演算手
段７４には電力供給制御部１２ａが接続されている。こ
れら迷光除去板７２、放射温度計７３、演算手段７４を
含んで温度測定装置７１が構成されている。
【００１５】このように構成された温度測定装置７１で
は、反射光７５ｃと、測定点Ａから放射される熱放射光
７５ａとが混合された放射光７５の輝度が放射温度計７
３により測定され、この輝度信号７６が演算手段７４に
伝送される。この際、放射源Ｂが所定温度（例えば融液
１７がＳｉの場合、８００℃以下の温度）に冷却されて
いると、反射光７５ｃの輝度が無視し得る程小さくなる
ので、演算手段７４では放射光７５の輝度を用いて演算
しても、融液表面１７ａにおける測定点Ａの温度を正確
に求めることができる。
は、反射光７５ｃと、測定点Ａから放射される熱放射光
７５ａとが混合された放射光７５の輝度が放射温度計７
３により測定され、この輝度信号７６が演算手段７４に
伝送される。この際、放射源Ｂが所定温度（例えば融液
１７がＳｉの場合、８００℃以下の温度）に冷却されて
いると、反射光７５ｃの輝度が無視し得る程小さくなる
ので、演算手段７４では放射光７５の輝度を用いて演算
しても、融液表面１７ａにおける測定点Ａの温度を正確
に求めることができる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上記した温度測定装置
５０においては、関数αを経験的に設定しており、迷光
成分を確実に除去することが難しく、融液表面１７ａの
温度を正確に測定することが困難である。また温度測定
装置６２においては、１基の単結晶引上炉６０に放射温
度計６４、２色放射温度計６５の２個を必要としてお
り、コストが高く付き易い。また温度測定装置７１にお
いては、前記冷却手段を下部チャンバ上壁部１４ａに装
備する必要があり、既存の単結晶引上炉に大幅な改造工
事を施すのが面倒であるという課題があった。
５０においては、関数αを経験的に設定しており、迷光
成分を確実に除去することが難しく、融液表面１７ａの
温度を正確に測定することが困難である。また温度測定
装置６２においては、１基の単結晶引上炉６０に放射温
度計６４、２色放射温度計６５の２個を必要としてお
り、コストが高く付き易い。また温度測定装置７１にお
いては、前記冷却手段を下部チャンバ上壁部１４ａに装
備する必要があり、既存の単結晶引上炉に大幅な改造工
事を施すのが面倒であるという課題があった。
【００１７】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、特別の改造工事を施す必要もなく、既存の単結晶引
上炉をそのまま使用し、通常１個の温度測定手段を用い
て融液表面の温度を正確、かつ安価に測定することがで
きる単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法及び該方法
に用いる装置を提供することを目的としている。
り、特別の改造工事を施す必要もなく、既存の単結晶引
上炉をそのまま使用し、通常１個の温度測定手段を用い
て融液表面の温度を正確、かつ安価に測定することがで
きる単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法及び該方法
に用いる装置を提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段及びその効果】以下に示し
た記号は、下記のごとく定義する。 Ｌ：融液表面より炉の外方に放射される放射光の輝度 Ｌb(Ｔ）：温度Ｔの黒体における放射光の輝度 Ｌn ′：迷光の輝度 ｎ：チャンバ壁面における迷光の反射回数 ＴS ：融液の表面温度 ＴH ：迷光放射源（チャンバ壁）の温度 εS ：融液表面の放射率（１以下の小数） εC ：チャンバ壁の放射率（１以下の小数） τW ：石英ガラス部材の透過率（１以下の小数） 図５は本発明に係る温度測定装置の作用を説明するため
に摸式的に示した単結晶引上炉の断面図であり、図８に
示した装置と同様に構成されている。石英ガラス部材１
９ａの外方には、例えば図１０に示したものと同じ放射
温度計７３が配設されており、放射温度計７３の入射光
軸は融液表面１７ａの例えば測定点Ａ1〜Ａ3 方向に随
時設定し得るようになっている。
た記号は、下記のごとく定義する。 Ｌ：融液表面より炉の外方に放射される放射光の輝度 Ｌb(Ｔ）：温度Ｔの黒体における放射光の輝度 Ｌn ′：迷光の輝度 ｎ：チャンバ壁面における迷光の反射回数 ＴS ：融液の表面温度 ＴH ：迷光放射源（チャンバ壁）の温度 εS ：融液表面の放射率（１以下の小数） εC ：チャンバ壁の放射率（１以下の小数） τW ：石英ガラス部材の透過率（１以下の小数） 図５は本発明に係る温度測定装置の作用を説明するため
に摸式的に示した単結晶引上炉の断面図であり、図８に
示した装置と同様に構成されている。石英ガラス部材１
９ａの外方には、例えば図１０に示したものと同じ放射
温度計７３が配設されており、放射温度計７３の入射光
軸は融液表面１７ａの例えば測定点Ａ1〜Ａ3 方向に随
時設定し得るようになっている。
【００１９】この場合、測定点Ａ1 〜Ａ3 より窓孔部１
９を介して単結晶引上炉１０の外方に放射される放射光
８１〜８２の輝度Ｌは、それぞれ下記の数１により求め
られる。
９を介して単結晶引上炉１０の外方に放射される放射光
８１〜８２の輝度Ｌは、それぞれ下記の数１により求め
られる。
【００２０】
【数１】 Ｌ＝τW { εS Ｌb(ＴS ）＋（１−εS)
Ｌ′} 数１における第１項のτW ・εS Ｌb(ＴS ）は、融液表
面１７ａの測定点Ａ1〜Ａ3 より放射される熱放射光成
分であり、第２項のτW ・（１−εS)Ｌ′は反射点Ｂ1
〜Ｂ3 より放射され、融液表面１７ａにおける測定点Ａ
1 〜Ａ3 で反射される迷光成分である。
Ｌ′} 数１における第１項のτW ・εS Ｌb(ＴS ）は、融液表
面１７ａの測定点Ａ1〜Ａ3 より放射される熱放射光成
分であり、第２項のτW ・（１−εS)Ｌ′は反射点Ｂ1
〜Ｂ3 より放射され、融液表面１７ａにおける測定点Ａ
1 〜Ａ3 で反射される迷光成分である。
【００２１】一方、温度ＴH が融液表面１７ａに比べて
高いような例えばヒータ１２より放射され、反射点Ｂ1
において１回反射された迷光８１ａの輝度Ｌ1 ′は、下
記の数２により求められる。
高いような例えばヒータ１２より放射され、反射点Ｂ1
において１回反射された迷光８１ａの輝度Ｌ1 ′は、下
記の数２により求められる。
【００２２】
【数２】 Ｌ1 ′＝（１−εC ）Ｌb(ＴH ） この場合、迷光８１ａの輝度Ｌ1 ′は大きい（明るい）
ので、迷光８１ａの輝度Ｌ1 ′を無視することが難し
く、これを無視すると検出温度に誤差が生じることとな
る。
ので、迷光８１ａの輝度Ｌ1 ′を無視することが難し
く、これを無視すると検出温度に誤差が生じることとな
る。
【００２３】他方、例えばヒータ１２、坩堝１１等より
放射され、チャンバ壁１４、１５内をｎ−１回反射さ
れ、反射点Ｂ2 、Ｂ3 においてｎ回目の反射をした迷光
８２ａ、８３ａの輝度Ｌn ′は、下記の数３により求め
られる。
放射され、チャンバ壁１４、１５内をｎ−１回反射さ
れ、反射点Ｂ2 、Ｂ3 においてｎ回目の反射をした迷光
８２ａ、８３ａの輝度Ｌn ′は、下記の数３により求め
られる。
【００２４】
【数３】 Ｌn ′＝（１−εC ）n Ｌb(ＴH ） この場合、反射回数ｎが増大するにつれて迷光８２ａ、
８３ａの輝度Ｌn ′が減衰して小さく（暗く）なるの
で、迷光８２ａ、８３ａの輝度Ｌn ′を無視し得ること
となり、したがってこれを無視した際にも検出温度に誤
差が生じ難くなる。例えば上部チャンバ壁１５の放射率
εC が０．５、反射回数ｎが１回の迷光８１ａの場合に
比べ、上部チャンバ壁１５での反射回数ｎが３回の迷光
８２ａの場合、その輝度Ｌn=3 ′が約１／４に減少する
こととなる。
８３ａの輝度Ｌn ′が減衰して小さく（暗く）なるの
で、迷光８２ａ、８３ａの輝度Ｌn ′を無視し得ること
となり、したがってこれを無視した際にも検出温度に誤
差が生じ難くなる。例えば上部チャンバ壁１５の放射率
εC が０．５、反射回数ｎが１回の迷光８１ａの場合に
比べ、上部チャンバ壁１５での反射回数ｎが３回の迷光
８２ａの場合、その輝度Ｌn=3 ′が約１／４に減少する
こととなる。
【００２５】図６は上記数１〜数３の関係を模式的に示
した曲線図であり、図中Ｃは融液表面１７ａからの放射
光の輝度、Ｄは迷光の輝度、Ｅは測定された放射光の輝
度をそれぞれ示している。融液表面１７ａからの放射光
の輝度Ｃは融液表面１７ａのいずれの測定箇所において
も略一定値である。一方、迷光の輝度Ｄは融液表面１７
ａの測定箇所により異なっており、反射回数ｎが最も多
い箇所では輝度Ｌn ′が最小値Ｄ0 となる。またＥ＝Ｃ
＋Ｄの関係であり、したがって測定した放射光の輝度Ｅ
の中より最小の値Ｅ0 を求めると、融液表面１７ａの温
度をもっとも誤差が小さく検出し得ることとなる。
した曲線図であり、図中Ｃは融液表面１７ａからの放射
光の輝度、Ｄは迷光の輝度、Ｅは測定された放射光の輝
度をそれぞれ示している。融液表面１７ａからの放射光
の輝度Ｃは融液表面１７ａのいずれの測定箇所において
も略一定値である。一方、迷光の輝度Ｄは融液表面１７
ａの測定箇所により異なっており、反射回数ｎが最も多
い箇所では輝度Ｌn ′が最小値Ｄ0 となる。またＥ＝Ｃ
＋Ｄの関係であり、したがって測定した放射光の輝度Ｅ
の中より最小の値Ｅ0 を求めると、融液表面１７ａの温
度をもっとも誤差が小さく検出し得ることとなる。
【００２６】本発明者等は、単結晶引上炉内融液の表面
温度測定方法について研究した結果、融液表面１７ａ内
でもっとも小さい輝度Ｌを測定し、これに基づいて温度
を演算すると、融液表面１７ａの温度を正確、かつ簡単
に求め得ることを知見し、本発明を完成するに至った。
温度測定方法について研究した結果、融液表面１７ａ内
でもっとも小さい輝度Ｌを測定し、これに基づいて温度
を演算すると、融液表面１７ａの温度を正確、かつ簡単
に求め得ることを知見し、本発明を完成するに至った。
【００２７】すなわち本発明に係る単結晶引上炉内融液
の表面温度測定方法は、温度分布測定手段を用いて単結
晶引上炉内融液の表面から放射される放射光輝度分布を
測定し、該測定した放射光輝度分布データを用いて演算
手段により放射光輝度の最小箇所を演算・検出してお
き、該箇所の表面温度を放射温度測定手段を用いて測定
することを特徴としている（１）。
の表面温度測定方法は、温度分布測定手段を用いて単結
晶引上炉内融液の表面から放射される放射光輝度分布を
測定し、該測定した放射光輝度分布データを用いて演算
手段により放射光輝度の最小箇所を演算・検出してお
き、該箇所の表面温度を放射温度測定手段を用いて測定
することを特徴としている（１）。
【００２８】上記した単結晶引上炉内融液の表面温度測
定方法（１）によれば、前記単結晶引上炉が複数台設置
されている場合においても、前記温度分布測定手段及び
前記演算手段は１組準備しておけばよく、これら温度測
定装置を用いて迷光成分の影響がもっとも少ない前記箇
所を演算・検出した後は、比較的安価な前記放射温度測
定手段を用い、前記箇所の表面温度を正確に測定するこ
とができると共に、前記単結晶引上炉の改造、追加設備
も全く必要とせず、コストを大幅に削減することができ
る。
定方法（１）によれば、前記単結晶引上炉が複数台設置
されている場合においても、前記温度分布測定手段及び
前記演算手段は１組準備しておけばよく、これら温度測
定装置を用いて迷光成分の影響がもっとも少ない前記箇
所を演算・検出した後は、比較的安価な前記放射温度測
定手段を用い、前記箇所の表面温度を正確に測定するこ
とができると共に、前記単結晶引上炉の改造、追加設備
も全く必要とせず、コストを大幅に削減することができ
る。
【００２９】また本発明に係る単結晶引上炉内融液の表
面温度測定方法は、上記表面温度測定方法（１）におい
て、前記放射温度測定手段が単色放射温度計であること
を特徴としている（２）。
面温度測定方法は、上記表面温度測定方法（１）におい
て、前記放射温度測定手段が単色放射温度計であること
を特徴としている（２）。
【００３０】上記した単結晶引上炉内融液の表面温度測
定方法（２）によれば、前記放射温度測定手段に安価な
単色放射温度計を用いているので、コストを一層削減す
ることができる。
定方法（２）によれば、前記放射温度測定手段に安価な
単色放射温度計を用いているので、コストを一層削減す
ることができる。
【００３１】また本発明に係る単結晶引上炉内融液の表
面温度測定方法は、温度分布測定手段を用いて単結晶引
上炉内融液の表面から放射される放射光輝度分布を測定
し、該測定した放射光輝度分布データを用いて演算手段
により放射光輝度の最小箇所を演算・検出すると共に、
該箇所の表面温度を求めることを特徴としている
（３）。
面温度測定方法は、温度分布測定手段を用いて単結晶引
上炉内融液の表面から放射される放射光輝度分布を測定
し、該測定した放射光輝度分布データを用いて演算手段
により放射光輝度の最小箇所を演算・検出すると共に、
該箇所の表面温度を求めることを特徴としている
（３）。
【００３２】上記した単結晶引上炉内融液の表面温度測
定方法（３）によれば、単結晶引き上げ工程中に操業条
件が大幅に変動しても、前記温度分布測定手段及び前記
演算手段を用い、迷光成分の影響がもっとも少ない箇所
を正確に把握し、該箇所の表面温度を常時正確に測定す
ることができる。また前記単結晶引上炉の改造、追加設
備も全く必要とせず、コストアップを招くこともない。
定方法（３）によれば、単結晶引き上げ工程中に操業条
件が大幅に変動しても、前記温度分布測定手段及び前記
演算手段を用い、迷光成分の影響がもっとも少ない箇所
を正確に把握し、該箇所の表面温度を常時正確に測定す
ることができる。また前記単結晶引上炉の改造、追加設
備も全く必要とせず、コストアップを招くこともない。
【００３３】また本発明に係る単結晶引上炉内融液の表
面温度測定方法は、上記表面温度測定方法（１）〜
（３）のいずれかにおいて、前記温度分布測定手段がＣ
ＣＤカメラを用いたものであることを特徴としている
（４）。上記した単結晶引上炉内融液の表面温度測定方
法（４）によれば、前記温度分布測定手段に前記ＣＣＤ
カメラを用いているので、比較的簡単な操作で正確に表
面温度分布を測定することができる。
面温度測定方法は、上記表面温度測定方法（１）〜
（３）のいずれかにおいて、前記温度分布測定手段がＣ
ＣＤカメラを用いたものであることを特徴としている
（４）。上記した単結晶引上炉内融液の表面温度測定方
法（４）によれば、前記温度分布測定手段に前記ＣＣＤ
カメラを用いているので、比較的簡単な操作で正確に表
面温度分布を測定することができる。
【００３４】また本発明に係る単結晶引上炉内融液の表
面温度測定方法は、上記表面温度測定方法（１）〜
（３）のいずれかにおいて、前記温度分布測定手段が熱
画像測定装置を用いたものであることを特徴としている
（５）。
面温度測定方法は、上記表面温度測定方法（１）〜
（３）のいずれかにおいて、前記温度分布測定手段が熱
画像測定装置を用いたものであることを特徴としている
（５）。
【００３５】上記した単結晶引上炉内融液の表面温度測
定方法（５）によれば、前記温度分布測定手段に前記熱
画像測定装置を用いているので、一層正確に表面温度分
布及び表面温度を測定することができる。
定方法（５）によれば、前記温度分布測定手段に前記熱
画像測定装置を用いているので、一層正確に表面温度分
布及び表面温度を測定することができる。
【００３６】また本発明に係る単結晶引上炉内融液の表
面温度測定装置は、融液表面の放射光輝度分布を検出す
る温度分布測定手段と、該温度分布測定手段で測定され
た前記放射光輝度分布データに基づいて最小の放射光輝
度を特定すると共に、該最小の放射光輝度に基づいて温
度を演算する演算手段とを備えていることを特徴として
いる（１）。
面温度測定装置は、融液表面の放射光輝度分布を検出す
る温度分布測定手段と、該温度分布測定手段で測定され
た前記放射光輝度分布データに基づいて最小の放射光輝
度を特定すると共に、該最小の放射光輝度に基づいて温
度を演算する演算手段とを備えていることを特徴として
いる（１）。
【００３７】上記した単結晶引上炉内融液の表面温度測
定装置（１）によれば、別の放射温度計を組み合わせる
必要がなく、操作がきわめて簡単になるので、測定精度
を確実に高めることができる。
定装置（１）によれば、別の放射温度計を組み合わせる
必要がなく、操作がきわめて簡単になるので、測定精度
を確実に高めることができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る単結晶引上炉
内融液の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置の実
施の形態を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同
一機能を有する構成部品には同一の符号を付すこととす
る。
内融液の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置の実
施の形態を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同
一機能を有する構成部品には同一の符号を付すこととす
る。
【００３９】図１は実施の形態（１）に係る単結晶引上
炉内融液の表面温度測定方法の第１工程に用いる装置を
摸式的に示した断面図であり、図中１１は坩堝を示して
いる。坩堝１１は略有底円筒形状に形成され、坩堝１１
下部には坩堝１１を回転させながら昇降させる昇降手段
（図示せず）が連結されており、この昇降手段を駆動さ
せると坩堝１１の高さが調整されるようになっている。
坩堝１１の外周には略円筒形状をしたヒータ１２が配設
され、ヒータ１２には電力供給制御部１２ａが接続され
ており、またヒータ１２の外周には略円筒形状をした保
温筒１３が配設されている。坩堝１１、ヒータ１２、保
温筒１３の外周にはこれらを囲う態様で下部チャンバ壁
１４が配設されており、略リング形状をした下部チャン
バ上壁部１４ａ上には上部チャンバ壁１５が立設されて
いる。上部チャンバ壁１５内には引き上げ軸１６ａが吊
設され、引き上げ軸１６ａ下端部には保持具１６ｃを介
して種結晶１６ｂが取り付けられる一方、引き上げ軸１
６ａの上端部側は駆動手段１６に回転させられながら巻
き取られるようになっている。また下部チャンバ上壁部
１４ａの所定箇所には融液表面１７ａに向けて窓孔部１
９が形成され、この窓孔部１９は例えば石英ガラス部材
１９ａを用いて封止されている。これら坩堝１１、ヒー
タ１２、電力供給制御部１２ａ、保温筒１３、チャンバ
壁１４、１５、引き上げ軸１６ａ、窓孔部１９等を含ん
で単結晶引上炉１０が構成されている。坩堝１１内には
例えば多結晶Ｓｉ等の原料をヒータ１２により加熱・溶
融させた融液１７が充填されるようになっている。そし
て種結晶１６ｂを融液表面１７ａに接触させ、引き上げ
軸１６ａを引き上げることにより、融液表面１７ａから
単結晶１８が凝固・成長させられる。
炉内融液の表面温度測定方法の第１工程に用いる装置を
摸式的に示した断面図であり、図中１１は坩堝を示して
いる。坩堝１１は略有底円筒形状に形成され、坩堝１１
下部には坩堝１１を回転させながら昇降させる昇降手段
（図示せず）が連結されており、この昇降手段を駆動さ
せると坩堝１１の高さが調整されるようになっている。
坩堝１１の外周には略円筒形状をしたヒータ１２が配設
され、ヒータ１２には電力供給制御部１２ａが接続され
ており、またヒータ１２の外周には略円筒形状をした保
温筒１３が配設されている。坩堝１１、ヒータ１２、保
温筒１３の外周にはこれらを囲う態様で下部チャンバ壁
１４が配設されており、略リング形状をした下部チャン
バ上壁部１４ａ上には上部チャンバ壁１５が立設されて
いる。上部チャンバ壁１５内には引き上げ軸１６ａが吊
設され、引き上げ軸１６ａ下端部には保持具１６ｃを介
して種結晶１６ｂが取り付けられる一方、引き上げ軸１
６ａの上端部側は駆動手段１６に回転させられながら巻
き取られるようになっている。また下部チャンバ上壁部
１４ａの所定箇所には融液表面１７ａに向けて窓孔部１
９が形成され、この窓孔部１９は例えば石英ガラス部材
１９ａを用いて封止されている。これら坩堝１１、ヒー
タ１２、電力供給制御部１２ａ、保温筒１３、チャンバ
壁１４、１５、引き上げ軸１６ａ、窓孔部１９等を含ん
で単結晶引上炉１０が構成されている。坩堝１１内には
例えば多結晶Ｓｉ等の原料をヒータ１２により加熱・溶
融させた融液１７が充填されるようになっている。そし
て種結晶１６ｂを融液表面１７ａに接触させ、引き上げ
軸１６ａを引き上げることにより、融液表面１７ａから
単結晶１８が凝固・成長させられる。
【００４０】一方、窓孔部１９の外方には温度分布測定
手段としてのＣＣＤカメラ２１が設置され、ＣＣＤカメ
ラ２１の取り付け角は、融液表面１７ａで反射した上部
チャンバ壁１５の部分が視野Ｄに写し込まれるように設
定されている。ＣＣＤカメラ２１は演算手段２２に接続
されており、これらＣＣＤカメラ２１、演算手段２２を
含んで温度測定装置２０が構成されている。演算手段２
２はさらに電力供給制御部１２ａに接続されており、電
力供給制御部１２ａではヒータ１２への供給電力を制御
し、融液表面１７ａを所定温度に維持するようになって
いる。
手段としてのＣＣＤカメラ２１が設置され、ＣＣＤカメ
ラ２１の取り付け角は、融液表面１７ａで反射した上部
チャンバ壁１５の部分が視野Ｄに写し込まれるように設
定されている。ＣＣＤカメラ２１は演算手段２２に接続
されており、これらＣＣＤカメラ２１、演算手段２２を
含んで温度測定装置２０が構成されている。演算手段２
２はさらに電力供給制御部１２ａに接続されており、電
力供給制御部１２ａではヒータ１２への供給電力を制御
し、融液表面１７ａを所定温度に維持するようになって
いる。
【００４１】図３（ａ）は温度測定装置２０における演
算手段２２の動作を概略的に示したフローチャートであ
り、演算手段２２のスイッチ（図示せず）をオンして動
作を開始すると、ステップ（以下、Ｓと記す）１におい
てＣＣＤカメラ２１からの放射光輝度信号Ｌの出力を判
断し、まだ出力されていないと判断すると元に戻る。一
方、出力され始めたと判断すると、視野Ｄ内における各
箇所ごとの放射光輝度信号Ｌデータ（放射光輝度Ｌ分布
データ）を取り込み、演算手段２２のメモリ（図示せ
ず）に記憶する（Ｓ２）。次にＳ３において前記箇所ご
との放射光輝度信号Ｌデータを全て入力・記憶したか否
かを判断し、前記データがまだ全ては入力・記憶されて
いないと判断すると、Ｓ２に戻る。一方、前記データが
全て入力・記憶されたと判断すると、各箇所ごとの放射
光輝度信号Ｌを呼び出し（Ｓ４）、Ｓ５においてこの放
射光輝度信号Ｌの中から最小の放射光輝度信号Ｌmin を
選択する。そして最小の放射光輝度信号Ｌmin を選択す
ると、この信号を放射する箇所Ａを演算・検出・記憶す
ると共に、ディスプレイ（図示せず）等に表示する指令
を出力する（Ｓ６）。次にＳ７においてＣＣＤカメラ２
１のスイッチがオンされているか否かを判断し、オンさ
れていると判断するとＳ１に戻り、再び放射光輝度信号
Ｌmin の放射箇所Ａを確認する。一方、オンされていな
いと判断すると、演算手段２２の動作を終了する。その
後、温度測定装置２０を取り外し、表面温度測定方法の
第１工程を終了する。
算手段２２の動作を概略的に示したフローチャートであ
り、演算手段２２のスイッチ（図示せず）をオンして動
作を開始すると、ステップ（以下、Ｓと記す）１におい
てＣＣＤカメラ２１からの放射光輝度信号Ｌの出力を判
断し、まだ出力されていないと判断すると元に戻る。一
方、出力され始めたと判断すると、視野Ｄ内における各
箇所ごとの放射光輝度信号Ｌデータ（放射光輝度Ｌ分布
データ）を取り込み、演算手段２２のメモリ（図示せ
ず）に記憶する（Ｓ２）。次にＳ３において前記箇所ご
との放射光輝度信号Ｌデータを全て入力・記憶したか否
かを判断し、前記データがまだ全ては入力・記憶されて
いないと判断すると、Ｓ２に戻る。一方、前記データが
全て入力・記憶されたと判断すると、各箇所ごとの放射
光輝度信号Ｌを呼び出し（Ｓ４）、Ｓ５においてこの放
射光輝度信号Ｌの中から最小の放射光輝度信号Ｌmin を
選択する。そして最小の放射光輝度信号Ｌmin を選択す
ると、この信号を放射する箇所Ａを演算・検出・記憶す
ると共に、ディスプレイ（図示せず）等に表示する指令
を出力する（Ｓ６）。次にＳ７においてＣＣＤカメラ２
１のスイッチがオンされているか否かを判断し、オンさ
れていると判断するとＳ１に戻り、再び放射光輝度信号
Ｌmin の放射箇所Ａを確認する。一方、オンされていな
いと判断すると、演算手段２２の動作を終了する。その
後、温度測定装置２０を取り外し、表面温度測定方法の
第１工程を終了する。
【００４２】図２は実施の形態（１）に係る単結晶引上
炉内融液の表面温度測定方法の第２工程に用いる装置を
摸式的に示した断面図であり、図中１０は図１に示した
ものと同一の単結晶引上炉を示している。単結晶引上炉
１０における窓孔部１９の外方には放射温度測定手段と
しての単色放射温度計３１が設置され、単色放射温度計
３１の取り付け角は、単色放射温度計３１の比較的狭い
視野Ｅ内に放射光輝度信号Ｌmin の放射箇所Ａが写し込
まれるように設定されている。単色放射温度計３１は演
算手段３２に接続されており、これら単色放射温度計３
１、演算手段３２を含んで温度測定装置３０が構成され
ている。演算手段３２はさらに電力供給制御部１２ａに
接続されており、この電力供給制御部１２ａではヒータ
１２への供給電力を制御し、融液表面１７ａを所定温度
に維持するようになっている。
炉内融液の表面温度測定方法の第２工程に用いる装置を
摸式的に示した断面図であり、図中１０は図１に示した
ものと同一の単結晶引上炉を示している。単結晶引上炉
１０における窓孔部１９の外方には放射温度測定手段と
しての単色放射温度計３１が設置され、単色放射温度計
３１の取り付け角は、単色放射温度計３１の比較的狭い
視野Ｅ内に放射光輝度信号Ｌmin の放射箇所Ａが写し込
まれるように設定されている。単色放射温度計３１は演
算手段３２に接続されており、これら単色放射温度計３
１、演算手段３２を含んで温度測定装置３０が構成され
ている。演算手段３２はさらに電力供給制御部１２ａに
接続されており、この電力供給制御部１２ａではヒータ
１２への供給電力を制御し、融液表面１７ａを所定温度
に維持するようになっている。
【００４３】図３（ｂ）は温度測定装置３０における演
算手段３２の動作を概略的に示したフローチャートであ
り、演算手段３２のスイッチ（図示せず）をオンして動
作を開始すると、Ｓ８において単色放射温度計３１から
の放射光輝度信号Ｌmin の出力を判断し、まだ出力され
ていないと判断すると元に戻る。一方、出力され始めた
と判断すると、放射光輝度信号Ｌmin に基づいて融液表
面１７ａの温度ＴS を演算・測定し（Ｓ９）、この温度
ＴS をディスプレイ（図示せず）に表示すると共に、こ
の温度ＴS 信号を電力供給制御部１２ａに伝送する（Ｓ
１０）。次にＳ１１において単色放射温度計３１のスイ
ッチがオンされているか否かを判断し、オンされている
と判断するとＳ８に戻り、融液表面１７ａの温度ＴS を
繰り返し測定する。一方、オンされていないと判断する
と、演算手段３２の動作を終了する。
算手段３２の動作を概略的に示したフローチャートであ
り、演算手段３２のスイッチ（図示せず）をオンして動
作を開始すると、Ｓ８において単色放射温度計３１から
の放射光輝度信号Ｌmin の出力を判断し、まだ出力され
ていないと判断すると元に戻る。一方、出力され始めた
と判断すると、放射光輝度信号Ｌmin に基づいて融液表
面１７ａの温度ＴS を演算・測定し（Ｓ９）、この温度
ＴS をディスプレイ（図示せず）に表示すると共に、こ
の温度ＴS 信号を電力供給制御部１２ａに伝送する（Ｓ
１０）。次にＳ１１において単色放射温度計３１のスイ
ッチがオンされているか否かを判断し、オンされている
と判断するとＳ８に戻り、融液表面１７ａの温度ＴS を
繰り返し測定する。一方、オンされていないと判断する
と、演算手段３２の動作を終了する。
【００４４】前記第１工程において放射箇所Ａを検出し
た後は、通常、温度測定装置３０を用いた第２工程のみ
により融液表面１７ａの温度を測定する。この際、単結
晶１８の引き上げに伴って融液１７量が減っても、前記
昇降手段を駆動させて坩堝１１の高さの調整を常時行な
い、放射箇所Ａは略同じ位置に維持する。
た後は、通常、温度測定装置３０を用いた第２工程のみ
により融液表面１７ａの温度を測定する。この際、単結
晶１８の引き上げに伴って融液１７量が減っても、前記
昇降手段を駆動させて坩堝１１の高さの調整を常時行な
い、放射箇所Ａは略同じ位置に維持する。
【００４５】上記説明から明らかなように、実施の形態
（１）に係る単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法で
は、単結晶引上炉１０が複数台設置されている場合にお
いても、ＣＣＤカメラ２１及び演算手段２２は１組準備
しておけばよく、これら温度測定装置２０を用いて迷光
成分の影響がもっとも少ない箇所Ａを演算・検出した後
は、比較的安価な単色放射温度計３１及び演算手段３２
を用い、箇所Ａの表面温度を正確、かつ安価に測定する
ことができると共に、単結晶引上炉１０の改造、追加設
備を全く必要とせず、コストを大幅に削減することがで
きる。
（１）に係る単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法で
は、単結晶引上炉１０が複数台設置されている場合にお
いても、ＣＣＤカメラ２１及び演算手段２２は１組準備
しておけばよく、これら温度測定装置２０を用いて迷光
成分の影響がもっとも少ない箇所Ａを演算・検出した後
は、比較的安価な単色放射温度計３１及び演算手段３２
を用い、箇所Ａの表面温度を正確、かつ安価に測定する
ことができると共に、単結晶引上炉１０の改造、追加設
備を全く必要とせず、コストを大幅に削減することがで
きる。
【００４６】また、放射温度測定手段に安価な単色放射
温度計３１を用いているので、コストを一層削減するこ
とができる。
温度計３１を用いているので、コストを一層削減するこ
とができる。
【００４７】また、温度分布測定手段にＣＣＤカメラ２
１を用いているので、比較的簡単な操作で表面温度分布
を測定することができる。
１を用いているので、比較的簡単な操作で表面温度分布
を測定することができる。
【００４８】実施の形態（２）に係る単結晶引上炉内融
液の表面温度測定方法に用いる装置は、演算手段２６を
除いて図１に示したもの略同様であるため、図１を流用
してこれを説明する。図中２１は図１に示したものと同
様のＣＣＤカメラであり、ＣＣＤカメラ２１は演算手段
２６に接続され、演算手段２６には電力供給制御部１２
ａが接続されている。これらＣＣＤカメラ２１、演算手
段２６を含んで温度測定装置２５が構成されている。そ
の他の構成は実施の形態（１）において説明したものと
略同様であるので、ここではその構成の詳細な説明は省
略することとする。
液の表面温度測定方法に用いる装置は、演算手段２６を
除いて図１に示したもの略同様であるため、図１を流用
してこれを説明する。図中２１は図１に示したものと同
様のＣＣＤカメラであり、ＣＣＤカメラ２１は演算手段
２６に接続され、演算手段２６には電力供給制御部１２
ａが接続されている。これらＣＣＤカメラ２１、演算手
段２６を含んで温度測定装置２５が構成されている。そ
の他の構成は実施の形態（１）において説明したものと
略同様であるので、ここではその構成の詳細な説明は省
略することとする。
【００４９】図４は温度測定装置２５における演算手段
２６の動作を概略的に示したフローチャートであり、Ｓ
２１〜Ｓ２５は図３（ａ）で示したフローチャートのＳ
１〜Ｓ５の場合と略同様であるので、ここではＳ２１〜
Ｓ２５の詳細な説明は省略することとする。Ｓ２５にお
いて放射光輝度信号Ｌが最小の放射光輝度信号Ｌｍｉｎ
であると判断すると、放射光輝度信号Ｌｍｉｎ に基づ
いて融液表面１７ａの温度ＴS を演算・検出し（Ｓ２
６）、この温度ＴS をディスプレイ（図示せず）に表示
すると共に、この温度ＴS 信号を電力供給制御部１２ａ
に伝送する（Ｓ２７）。次にＳ２８においてＣＣＤ２１
のスイッチがオンされているか否かを判断し、オンされ
ていると判断するとＳ２１に戻り、融液表面１７ａの温
度ＴS を順次演算・検出する。一方、オンされていない
と判断すると、演算手段２６の動作を終了する。
２６の動作を概略的に示したフローチャートであり、Ｓ
２１〜Ｓ２５は図３（ａ）で示したフローチャートのＳ
１〜Ｓ５の場合と略同様であるので、ここではＳ２１〜
Ｓ２５の詳細な説明は省略することとする。Ｓ２５にお
いて放射光輝度信号Ｌが最小の放射光輝度信号Ｌｍｉｎ
であると判断すると、放射光輝度信号Ｌｍｉｎ に基づ
いて融液表面１７ａの温度ＴS を演算・検出し（Ｓ２
６）、この温度ＴS をディスプレイ（図示せず）に表示
すると共に、この温度ＴS 信号を電力供給制御部１２ａ
に伝送する（Ｓ２７）。次にＳ２８においてＣＣＤ２１
のスイッチがオンされているか否かを判断し、オンされ
ていると判断するとＳ２１に戻り、融液表面１７ａの温
度ＴS を順次演算・検出する。一方、オンされていない
と判断すると、演算手段２６の動作を終了する。
【００５０】上記説明から明らかなように、実施の形態
（２）に係る単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法で
は、単結晶１８の引き上げ工程中に操業条件が大幅に変
動しても、ＣＣＤカメラ２１及び演算手段２６を用い、
迷光成分の影響がもっとも少ない箇所Ａを正確に把握
し、この箇所Ａの表面温度を常時正確に測定することが
できる。また単結晶引上炉１０の改造、追加設備を全く
必要とせず、コストアップを招くこともない。
（２）に係る単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法で
は、単結晶１８の引き上げ工程中に操業条件が大幅に変
動しても、ＣＣＤカメラ２１及び演算手段２６を用い、
迷光成分の影響がもっとも少ない箇所Ａを正確に把握
し、この箇所Ａの表面温度を常時正確に測定することが
できる。また単結晶引上炉１０の改造、追加設備を全く
必要とせず、コストアップを招くこともない。
【００５１】また、温度分布測定手段にＣＣＤカメラ２
１を用いているので、比較的簡単な操作で正確に表面温
度分布を測定することができる。
１を用いているので、比較的簡単な操作で正確に表面温
度分布を測定することができる。
【００５２】また、実施の形態（２）に係る表面温度測
定装置２５では、別の放射温度計を組み合わせる必要が
なく、操作がきわめて簡単になるので、測定精度を確実
に高めることができる。
定装置２５では、別の放射温度計を組み合わせる必要が
なく、操作がきわめて簡単になるので、測定精度を確実
に高めることができる。
【００５３】なお、実施の形態（１）（２）に係る単結
晶引上炉内融液の表面温度測定方法及び該方法に用いる
装置２０、２５では、いずれも温度分布測定手段として
ＣＣＤカメラ２１を用いた場合について説明した。別の
実施の形態のものでは図示しないが、温度分布測定手段
として熱画像測定装置を用いてもよく、この場合、一層
正確に表面温度を測定することができる。
晶引上炉内融液の表面温度測定方法及び該方法に用いる
装置２０、２５では、いずれも温度分布測定手段として
ＣＣＤカメラ２１を用いた場合について説明した。別の
実施の形態のものでは図示しないが、温度分布測定手段
として熱画像測定装置を用いてもよく、この場合、一層
正確に表面温度を測定することができる。
【００５４】
【実施例】以下、本発明の実施例に係る温度測定方法に
より、融液表面の温度を測定した結果について説明す
る。実施例１では実施の形態（１）に係る温度測定方法
により、視野Ｅの大きさが約２ｍｍの単色放射温度計３
１を用い、その取り付け角（入射角）を約２０°、平面
視放射箇所Ａを坩堝１１の中心から横方向に約７５ｍ
ｍ、手前側に約９０ｍｍの位置に設定して融液表面１７
ａの温度ＴS を測定した。所定箇所Ａと単色放射温度計
３１との距離の変動を±５ｍｍ以内に収めると、温度Ｔ
S の測定誤差を約３０℃以下に減少させることができ
た。
より、融液表面の温度を測定した結果について説明す
る。実施例１では実施の形態（１）に係る温度測定方法
により、視野Ｅの大きさが約２ｍｍの単色放射温度計３
１を用い、その取り付け角（入射角）を約２０°、平面
視放射箇所Ａを坩堝１１の中心から横方向に約７５ｍ
ｍ、手前側に約９０ｍｍの位置に設定して融液表面１７
ａの温度ＴS を測定した。所定箇所Ａと単色放射温度計
３１との距離の変動を±５ｍｍ以内に収めると、温度Ｔ
S の測定誤差を約３０℃以下に減少させることができ
た。
【００５５】また、実施例２では実施の形態（２）に係
る温度測定方法により、ＣＣＤカメラ２１を用い、その
取り付け角（入射角）を約２０°に設定して融液表面１
７ａの温度ＴS を測定した。すると、平面視放射箇所Ａ
は坩堝１１の中心から横方向に約７５ｍｍ、手前側に約
９０ｍｍの位置であることが検出された。このときの放
射箇所Ａにいたる迷光の反射回数ｎは３回であった。ま
た温度ＴS の測定誤差を常時約３０℃以下に減少させる
ことができた。
る温度測定方法により、ＣＣＤカメラ２１を用い、その
取り付け角（入射角）を約２０°に設定して融液表面１
７ａの温度ＴS を測定した。すると、平面視放射箇所Ａ
は坩堝１１の中心から横方向に約７５ｍｍ、手前側に約
９０ｍｍの位置であることが検出された。このときの放
射箇所Ａにいたる迷光の反射回数ｎは３回であった。ま
た温度ＴS の測定誤差を常時約３０℃以下に減少させる
ことができた。
【図１】本発明の実施の形態（１）に係る単結晶引上炉
内融液の表面温度測定方法（第１工程）に用いる装置、
及び実施の形態（２）に係る単結晶引上炉内融液の表面
温度測定方法に用いる装置を摸式的に示した断面図であ
る。
内融液の表面温度測定方法（第１工程）に用いる装置、
及び実施の形態（２）に係る単結晶引上炉内融液の表面
温度測定方法に用いる装置を摸式的に示した断面図であ
る。
【図２】実施の形態１に係る単結晶引上炉内融液の表面
温度測定方法（第２工程）に用いる装置を摸式的に示し
た断面図である。
温度測定方法（第２工程）に用いる装置を摸式的に示し
た断面図である。
【図３】実施の形態１に係る単結晶引上炉内融液の表面
温度測定装置の動作を概略的に示したフローチャートで
あり、（ａ）は第１工程、（ｂ）は第２工程を示してい
る。
温度測定装置の動作を概略的に示したフローチャートで
あり、（ａ）は第１工程、（ｂ）は第２工程を示してい
る。
【図４】実施の形態２に係る単結晶引上炉内融液の表面
温度測定装置の動作を概略的に示したフローチャートで
ある。
温度測定装置の動作を概略的に示したフローチャートで
ある。
【図５】本発明に係る温度測定装置の作用を説明するた
め、摸式的に示した単結晶引上炉の断面図である。
め、摸式的に示した単結晶引上炉の断面図である。
【図６】数１〜数３の関係を模式的に示した曲線図であ
る。
る。
【図７】放射温度計を用いた従来の温度測定装置が組み
込まれている単結晶引上炉を摸式的に示した断面図であ
る。
込まれている単結晶引上炉を摸式的に示した断面図であ
る。
【図８】従来の別の温度測定装置が組み込まれている単
結晶引上炉を摸式的に示した断面図である。
結晶引上炉を摸式的に示した断面図である。
【図９】従来のさらに別の温度測定装置が組み込まれて
いる単結晶引上炉を摸式的に示した断面図である。
いる単結晶引上炉を摸式的に示した断面図である。
【図１０】従来のさらに別の温度測定装置が組み込まれ
ている単結晶引上炉を摸式的に示した断面図である。
ている単結晶引上炉を摸式的に示した断面図である。
１０ 単結晶引上炉 １７ａ 融液表面 ２１ ＣＣＤカメラ ２５ 温度測定装置 ２６ 演算手段
Claims (6)
- 【請求項１】 温度分布測定手段を用いて単結晶引上炉
内融液の表面から放射される放射光輝度分布を測定し、
該測定した放射光輝度分布データを用いて演算手段によ
り放射光輝度の最小箇所を演算・検出しておき、該箇所
の表面温度を放射温度測定手段を用いて測定することを
特徴とする単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法。 - 【請求項２】 前記放射温度測定手段が単色放射温度計
であることを特徴とする請求項１記載の単結晶引上炉内
融液の表面温度測定方法。 - 【請求項３】 温度分布測定手段を用いて単結晶引上炉
内融液の表面から放射される放射光輝度分布を測定し、
該測定した放射光輝度分布データを用いて演算手段によ
り放射光輝度の最小箇所を演算・検出すると共に、該箇
所の表面温度を求めることを特徴とする単結晶引上炉内
融液の表面温度測定方法。 - 【請求項４】 前記温度分布測定手段が、ＣＣＤカメラ
を用いたものであることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれかの項に記載の単結晶引上炉内融液の表面温度測定
方法。 - 【請求項５】 前記温度分布測定手段が、熱画像測定装
置を用いたものであることを特徴とする請求項１〜３の
いずれかの項に記載の単結晶引上炉内融液の表面温度測
定方法。 - 【請求項６】 融液表面の放射光輝度分布を検出する温
度分布測定手段と、該温度分布測定手段で測定された前
記放射光輝度分布データに基づいて最小の放射光輝度を
特定すると共に、該最小の放射光輝度に基づいて温度を
演算する演算手段とを備えていることを特徴とする単結
晶引上炉内融液の表面温度測定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9358899A JPH11190662A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置 |
| US09/220,685 US6187090B1 (en) | 1997-12-26 | 1998-12-23 | Methods and a device for measuring melt surface temperature within apparatus for pulling a single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9358899A JPH11190662A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11190662A true JPH11190662A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18461686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9358899A Pending JPH11190662A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6187090B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11190662A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016222480A (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-28 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法 |
| JP2018150219A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | Ｆｔｂ研究所株式会社 | 大口径ｃｚ単結晶の成長装置およびその成長方法 |
| CN112197866A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-08 | 华北电力大学 | 一种非接触式定点测量的测温***及方法 |
| JPWO2021044907A1 (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW498402B (en) * | 2000-04-26 | 2002-08-11 | Mitsubishi Material Silicon | Method for simulating the shape of the solid-liquid interface between a single crystal and a molten liquid, and the distribution of point defect of a single crystal |
| JP2002005745A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-09 | Nec Corp | 温度測定装置、および温度測定方法 |
| US7282094B2 (en) * | 2003-05-28 | 2007-10-16 | Sumco Corporation | Method of simulation with respect to density distribution and size distribution of void defect within single crystal and oxygen precipitation nucleus within single crystal |
| US20070132898A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-06-14 | Union College | Light transmission based liquid crystal temperature sensor |
| JP5781303B2 (ja) * | 2010-12-31 | 2015-09-16 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ製造方法およびシリカガラスルツボ製造装置 |
| EP2886519B1 (de) * | 2013-12-18 | 2016-05-25 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Vertikal-tiegelziehverfahren zur herstellung eines glaskörpers mit hohem kieselsäuregehalt |
| US9574285B2 (en) * | 2014-12-10 | 2017-02-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for monitoring and controlling thickness of a crystalline layer |
| EP4107315A4 (en) * | 2020-02-19 | 2024-02-28 | Leading Edge Equipment Technologies, Inc. | ACTIVE CONTROL OF THE EDGE OF A CRYSTAL SHEET FORMED ON THE SURFACE OF A MELTED BATH |
| CN111307320B (zh) * | 2020-03-02 | 2021-07-23 | 华北电力大学 | 一种利用ccd相机测量炉膛温度分布的***及方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5653799A (en) * | 1995-06-02 | 1997-08-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal |
| US5961716A (en) * | 1997-12-15 | 1999-10-05 | Seh America, Inc. | Diameter and melt measurement method used in automatically controlled crystal growth |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP9358899A patent/JPH11190662A/ja active Pending
-
1998
- 1998-12-23 US US09/220,685 patent/US6187090B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016222480A (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-28 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法 |
| JP2018150219A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | Ｆｔｂ研究所株式会社 | 大口径ｃｚ単結晶の成長装置およびその成長方法 |
| JPWO2021044907A1 (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | ||
| WO2021044907A1 (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 熱流体状態演算装置 |
| CN112197866A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-08 | 华北电力大学 | 一种非接触式定点测量的测温***及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6187090B1 (en) | 2001-02-13 |
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