JP3484758B2 - 結晶成長装置及び結晶成長方法 - Google Patents
結晶成長装置及び結晶成長方法Info
- Publication number
- JP3484758B2 JP3484758B2 JP10251894A JP10251894A JP3484758B2 JP 3484758 B2 JP3484758 B2 JP 3484758B2 JP 10251894 A JP10251894 A JP 10251894A JP 10251894 A JP10251894 A JP 10251894A JP 3484758 B2 JP3484758 B2 JP 3484758B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal
- melt
- pulling
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
長方法に関し、より詳細には例えば半導体材料として使
用されるシリコン単結晶のような結晶を成長させる際、
前記結晶の直径を制御しつつ引き上げるための結晶成長
装置及び結晶成長方法に関する。
が、この中でもっとも代表的なチョクラルスキー法(以
下、CZ法と記す)の場合、例えばシリコン(以下、S
iと記す)溶融液の表面に種結晶を接触させて引き上げ
ることにより、Si単結晶を成長させている。従来、こ
の引き上げられる単結晶の断面形状(直径)は変動し易
く、この断面形状が変動すると単結晶にスライス加工を
施して形成されるウエハの形状が一定とならず、歩留り
が低下するという問題があった。この問題に対処するた
め、前記単結晶の直径を制御しつつ引き上げる方法が種
々提案されている。すなわちCCDカメラ等を用いる光
学的方法、引き上げられる結晶の重量増加速度あるいは
坩堝の重量減少速度から求める重量法等により前記単結
晶の直径を測定し、該直径が変化したことを確認した
後、前記単結晶の引き上げ速度、前記溶融液の温度等を
調整することにより、前記単結晶の直径を制御してい
る。
的手段を備えたこの種結晶成長装置を摸式的に示した断
面図であり、図中11は略中空円筒形状の炉体を示して
いる。炉体11内の略中央部には略有底円筒形状の石英
坩堝12aが配設されており、石英坩堝12a内には単
結晶用原料を溶融させた溶融液13が充填されている。
石英坩堝12aは黒鉛サセプタ12bにより保持されて
おり、これら石英坩堝12aと黒鉛サセプタ12bとに
より坩堝12が構成されている。黒鉛サセプタ12b下
部には回転軸14の上端部が取り付けられ、回転軸14
の下端部には坩堝回転手段と坩堝昇降手段(ともに図示
せず)とが接続されており、これら坩堝回転・昇降手段
により坩堝12が所定速度で回動するとともに、上下方
向に移動するようになっている。また黒鉛サセプタ12
bの外周には略円筒形状のヒータ15aが配設され、ヒ
ータ15aにはヒータ電源15bが接続されており、こ
れらヒータ15a及びヒータ電源15bを含んで加熱手
段15が構成されている。そしてヒータ電源15bから
の供給電力を変更することにより、ヒータ15aを介し
て坩堝12内における溶融液13の温度が調節されるよ
うになっている。さらにヒータ15aと炉体11との間
には保温筒15cが配設されている。
ケーシング11aが形成されており、ケーシング11a
内における回転軸14の同軸上にはワイヤ17が垂下さ
れ、ワイヤ17下端部にはシードホルダ17aが装着さ
れ、シードホルダ17aには種結晶17bが取り付けら
れている。ケーシング11a上部にはワイヤ回転装置1
8を介してワイヤ引き上げ装置19が配設され、ワイヤ
回転装置18及びワイヤ引き上げ装置19はそれぞれモ
ータ18a、19aを備えており、モータ18aを駆動
するとワイヤ回転装置18を介してワイヤ17が所定速
度で回動するとともに、モータ19aを駆動するとワイ
ヤ17が上下いずれかの方向に所定速度で移動するよう
になっている。これらワイヤ17、ワイヤ回転装置1
8、ワイヤ引き上げ装置19等を含んで引き上げ手段1
6が構成されている。
ており、観測窓11bを挟んで単結晶20と対向する所
定箇所にはCCDカメラ41が配設されている。CCD
カメラ41には画像処理部42が接続されており、これ
らCCDカメラ41と画像処理部42とにより光学的直
径測定手段40が構成されている。ところで、引き上げ
られる単結晶20周囲の溶融液13表面近傍には、図4
(a)に示したように比較的輝度の高いフュージョンリ
ング(fusion ring)部21が形成されている。そしてフ
ュージョンリング部21の形状がCCDカメラ41によ
り撮像され、フュージョンリング部21の外径寸法DF
が画像処理部42により演算され、この外径寸法DF を
単結晶20の直径Dと見做すことにより単結晶20の直
径Dが求められるようになっている。
い、例えばSi単結晶を所定の直径DS になるように成
長させる場合、まず石英坩堝12a内にSi単結晶用原
料を充填し、加熱手段15により坩堝12を所定温度に
加熱し、溶融液13を形成する。次に坩堝12を所定速
度で回転させるとともに、種結晶17bを溶融液13表
面に接触させる。そして引き上げ手段16を用い、ワイ
ヤ17を所定速度で回転させつつ所定速度で引き上げて
ゆくことにより、溶融液13が凝固して形成される単結
晶20を成長させる。この際、光学的直径測定手段40
を用いて単結晶20の直径Dを測定し、これが目標の直
径DS から外れた場合、溶融液13の温度を調整するこ
とにより引き上げる単結晶20の直径Dが目標の直径D
S に復帰するように制御する。また単結晶20が引き上
げられるにつれ、溶融液13の上面レベルが低下して単
結晶20の直径Dが変動するのを防ぐため、前記坩堝昇
降手段を用い、溶融液13の上面レベルが常に一定の高
さに維持されるように制御している。
する方法では、特に坩堝12が大形化し溶融液13の熱
容量が大きくなった場合、ヒータ15aへの供給電力を
調整しても溶融液13の温度変化が遅くなり、単結晶2
0の直径Dを確実に制御することが難しいという問題が
あった。この問題に対処するため、光学的直径測定手段
40を用いて単結晶20の直径Dを測定するとともに、
このデータに基づいて単結晶20の引き上げ速度、坩堝
12の回転速度を調整することにより、引き上げる単結
晶20の直径Dを制御する方法が提案されている(特開
昭62−83395号公報)。引き上げ速度を調整する
と、溶融液13の温度調整の場合に比べて単結晶20の
直径Dに対する制御の応答性が速められる。
合計重量を測定する重量検出素子(図示せず)が引き上
げ手段16の上部に配設された装置を使用し、単結晶2
0の成長にしたがって増大する重量増加速度から単結晶
20の直径Dを求める方法が提案されている(特開昭6
0−127288号公報)。この装置に配設された前記
重量素子には電気抵抗の応力依存性を利用したSi製の
ストレインゲージが用いられており、環境温度変化によ
り電気抵抗が影響されるのを防ぐため、前記重量素子近
傍の温度を一定に保持する調節機構が付設されている。
り引き上げられる単結晶20の直径Dを求める方法にお
いては、前記ストレインゲージが振動に対して安定性に
欠けており、種結晶17bをシードホルダ17aに取り
付ける際、破損し易いという問題があった。また詳細な
説明は省略したが、坩堝の重量減少速度から引き上げら
れる単結晶20の直径Dを求める方法においては、全体
の計測重量が重く、感度が鈍くなり、測定精度が劣ると
いう問題があった。またこれらの方法に用いられる直径
測定装置はいずれも大形となり、コストが高いという課
題もあった。
設された結晶成長装置を用い、溶融液13の温度を調整
することにより単結晶20の直径Dを制御する方法にお
いては、ヒータ15aへの供給電力を調整しても熱伝導
に時間がかかるため、溶融液13の温度変化が遅くな
り、このタイムラグの発生により単結晶20の直径Dを
確実に制御することが難しいという課題があった。した
がって、引き上げられた単結晶20から得られるウエハ
の形状が一定になり難く、以後の取り扱い上の困難性が
解消され難いという課題があった。
設された結晶成長装置を用い、単結晶20の引き上げ速
度、坩堝12の回転速度を調整することにより単結晶2
0の直径Dを制御する方法においては、制御の応答性は
速められる。しかし引き上げ速度を比較的大きくする
と、単結晶20の上下方向における不純物や酸素析出物
の偏析が増大し易いという問題があった。この問題の解
決を図るため、坩堝12の回転速度調整を併行的に行う
ようにしても、なお単結晶20の品質が改善され難いと
いう課題があった。したがって引き上げ速度の変更には
おのずと限界があり、この結果、単結晶の直径Dを確実
に制御することが難しいという課題があった。
のであり、引き上げられる単結晶の品質を低下させるこ
となく、前記単結晶の直径を確実に制御することがで
き、コストを削減することができる結晶成長装置及び結
晶成長方法を提供することを目的としている。
に本発明に係る結晶成長装置は、結晶用原料を溶融させ
る坩堝と、該坩堝の周囲に配設された加熱手段と、前記
坩堝内の溶融液より単結晶を成長させながら引き上げる
引き上げ手段と、前記溶融液と成長する前記単結晶との
界面に形成されたフュージョンリング部の幅を検出する
検出手段と、前記フュージョンリング部の幅に基づいて
前記加熱手段への供給電力及び前記引き上げ手段の引き
上げ速度を制御する制御手段とを備えていることを特徴
としている。
に充填した結晶用原料を溶融させ、この溶融液から単結
晶を成長させながら引き上げる結晶成長方法において、
前記溶融液と成長する前記単結晶との界面に形成される
フュージョンリング部の幅を検出し、該フュージョンリ
ング部の幅に基づいて結晶原料溶解用加熱手段への供給
電力と結晶引き上げ速度とを制御しつつ前記単結晶を引
き上げることを特徴としている。
単結晶の引き上げ速度あるいは溶融液の温度と、フュー
ジョンリング部の幅等との間に相関関係があり、また前
記メニスカス角は、引き上げられる単結晶における直径
の変動に所定時間先立って変化することが明らかとなっ
た。
速度あるいは溶融液の温度と、フュージョンリング部等
との相関関係を説明するため、引き上げられる単結晶及
び溶融液の境界部近傍を摸式的に示した拡大断面図であ
り、(a)は単結晶の成長速度に対して引き上げ速度ま
たは温度がバランスしている場合、(b)は引き上げ速
度が速いかまたは温度が高くなった場合、(c)は引き
上げ速度が遅いかまたは温度が低くなった場合を示して
いる。溶融液13から単結晶20を引き上げ成長させる
場合、単結晶20と溶融液13との界面22の高さHk
は溶融液13表面の高さHyより高くなっており、表面
張力により界面22端部と溶融液13表面との間にメニ
スカス角(傾斜角)θを有するフュージョンリング部2
1が形成される。フュージョンリング部21は傾斜面形
状を有しており、石英坩堝12a(図5)内壁面からの
放射光が反射し易いため、溶融液13表面の他の箇所に
比べて明るく輝いて見える。この際、フュージョンリン
グ部21と単結晶20の垂直面とが成すメニスカス角θ
及びフュージョンリング部21の水平方向における幅W
の間には略比例関係が成り立つこととなる(図4
(a))。また、メニスカス角θと、単結晶20の引き
上げ速度または溶融液13の温度との間には相関関係が
あり、前記引き上げ速度が速いかまたは前記温度が高く
なると、メニスカス角θb は初期のメニスカス角θより
小さくなる。したがってこのときのフュージョンリング
21bの幅Wb は初期の幅Wより小さくなる(図4
(b))。一方、前記引き上げ速度が遅いかまたは前記
温度が低くなると、メニスカス角θc は初期のメニスカ
ス角θより大きくなる。したがってこのときのフュージ
ョンリング21cの幅Wc は初期の幅Wより大きくなる
(図4(c))。
カス角θより小さくなってゆく場合、所定時間後におけ
る単結晶20の直径Dは初期の寸法に比べて小さくなる
一方、メニスカス角θc が初期のメニスカス角θより次
第に大きくなってゆく場合、所定時間後における単結晶
20の直径Dは初期の寸法に比べて大きくなる。したが
ってフュージョンリング部の幅Wを連続的に検出し得れ
ば、メニスカス角θの変動状態を確認し得ることとな
り、所定時間後における単結晶20の直径Dを予測し得
ることとなる。すると早目に溶融液13の温度調整を図
り得ることとなり、単結晶20の直径Dを初期(目的)
の直径DS に制御し得ることとなる。
用原料を溶融させる坩堝と、該坩堝の周囲に配設された
加熱手段と、前記坩堝内の溶融液より単結晶を成長させ
ながら引き上げる引き上げ手段と、前記溶融液と成長す
る前記単結晶との界面に形成されたフュージョンリング
部の幅を検出する検出手段と、前記フュージョンリング
部の幅に基づいて前記加熱手段への供給電力及び前記引
き上げ手段の引き上げ速度を制御する制御手段とを備え
ているので、前記フュージョンリング部に形成されるメ
ニスカス角の変化を確認し得ることとなり、所定時間後
における前記単結晶の直径を予測し得ることとなる。そ
のため、前記結晶引き上げ速度を所定速度に維持した状
態で、前もって前記加熱手段への供給電力を適切に変更
し得ることとなり、前記溶融液の温度をタイミングよく
調整し得ることとなる。この結果、前記単結晶の直径を
確実に制御し得ることとなり、ウエハの形状が一定とな
り、前記ウエハの取り扱いを容易にしてコストを削減し
得るとともに、引き上げられる前記単結晶における品質
の低下を防止し得ることとなる。
溶融液と成長する単結晶との界面に形成されるフュージ
ョンリング部の幅を検出し、該フュージョンリング部の
幅に基づいて結晶原料溶解用加熱手段への供給電力と結
晶引き上げ速度とを制御しつつ前記単結晶を引き上げる
ので、上記した結晶成長装置の場合と同様の作用が得ら
れることとなる。
長方法の実施例を図面に基づいて説明する。なお、従来
例と同一機能を有する構成部品には同一の符号を付すこ
ととする。図1は本発明に係る結晶成長装置の実施例を
摸式的に示した断面図であり、図中11は炉体を示して
いる。炉体11上部には観測窓11bが形成され、観測
窓11bを挟んで単結晶20と対向する所定箇所には2
次元のCCDカメラ31が配設されており、CCDカメ
ラ31は信号処理部32に接続されている。これらCC
Dカメラ31と信号処理部32とを含んで検出手段30
が構成されており、単結晶20の周囲に形成されたフュ
ージョンリング部21近傍における輝度分布が、CCD
カメラ31により撮像されるようになっている。そして
図2に示したように、この輝度信号が信号処理部32に
おいて処理され、所定のしきい値Lにおける2個の輝度
信号間の距離が演算され、フュージョンリング部21の
幅Wが所定時間ごとに検出されるようになっている。ま
た検出手段30は前記輝度信号の最大レベルの変化に伴
って前記しきい値が補正されるように構成されており、
この幅Wが輝度強度により影響を受けるのが防止される
ようになっている。また検出手段30は従来の図5に示
した光学的直径測定手段40と同様、単結晶20の直径
Dも測定し得るようになっている。
おり、連続的に検出される前記幅Wに関するデータが制
御手段33において記憶されるとともに、前記最新の幅
Wのデータと前記一つ前のデータとがそれぞれ呼び出さ
れて比較演算されるようになっている。そして前記幅W
がどの程度増加、減少しているかが判断され、さらに供
給電力を変更するか、引き上げ速度も併せて変更するか
が判断されるようになっている。制御手段33にはヒー
タ電源15bが接続されるとともに、モータ19aが接
続されている。そして制御手段33により前記幅Wの変
動状況に応じて必要とする供給電力量、引き上げ速度が
演算されるとともに、これらの伝達信号が加熱手段1
5、または加熱手段15及び引き上げ手段16に出力さ
れるようになっている。その他の構成は図5に示した従
来の結晶成長装置と同様であるので、ここではその構成
の詳細な説明は省略することとする。
Si単結晶を所定の直径DS になるように成長させる場
合、まず石英坩堝12a内にSi単結晶用原料を充填
し、加熱手段15により坩堝12を所定温度に加熱し、
溶融液13を形成する。次に坩堝12を所定速度で回転
させるとともに、種結晶17bを溶融液13表面に接触
させる。そしてワイヤ17を所定速度で回転させつつ主
に引き上げ速度を制御して引き上げ、溶融液13が凝固
して形成される単結晶20を成長させ始める。次に検出
手段30により単結晶20が所定の直径DS に成長した
ことを確認した後、前記引き上げ速度を所定値に設定・
固定する。次にフュージョンリング21の幅Wを所定時
間ごとに検出しながら、前記幅Wの変動状況に応じて加
熱手段15への供給電力、または加熱手段15への供給
電力及び引き上げ速度を調整し、単結晶20の直径Dが
所定の初期値DS に保持されるように制御する。なお単
結晶20が引き上げられるにつれ、溶融液13の上面レ
ベルが低下して単結晶20の直径Dが変動するのを防ぐ
ため、前記坩堝昇降手段を用い、溶融液13の上面レベ
ルが常に一定の高さに維持されるように制御する。
い、単結晶20の直径Dを所定値に制御することなく、
フュージョンリング部の幅を意識的に変え、単結晶の直
径における変化の発生時期について調査した結果につい
て説明する。図3はこの結果を示した図であり、(a)
はフュージョンリング部の幅Wを変えた際、引き上げら
れる単結晶の直径の変化と、この変化が発生する時間と
を示した曲線図、(b)はこれら変化の時期的ずれに関
する相関強度を計算して求めた曲線図である。
単結晶の直径が増大する約5分前にはフュージョンリン
グ幅が大きくなり、また引き上げられる単結晶の直径が
減少する約5分前にはフュージョンリング幅が小さくな
っており、強い相関関係を有していた。また引き上げら
れる単結晶の直径と、フュージョンリング幅とには略比
例関係が成立していた。
る結晶成長装置では、結晶用原料を溶融させる坩堝12
と、坩堝12の周囲に配設された加熱手段15と、坩堝
12内の溶融液13より単結晶20を成長させながら引
き上げる引き上げ手段16と、溶融液13と成長する単
結晶20との界面に形成されたフュージョンリング部2
1の幅Wを検出する検出手段30と、フュージョンリン
グ部21の幅Wに基づいて加熱手段15への供給電力及
び引き上げ手段16の引き上げ速度を制御する制御手段
33とを備えているので、フュージョンリング部21に
形成されるメニスカス角の変化を確認することができ、
約5分後における単結晶20の直径Dを予測することが
できる。そのため、引き上げ速度を所定速度に維持した
状態で、約5分前に加熱手段15への供給電力を変更す
ることができ、溶融液13の温度をタイミングよく調整
することができる。この結果、単結晶20の直径Dを確
実に制御することができ、ウエハの形状を一定にするこ
とができ、前記ウエハの取り扱いを容易にしてコストを
削減することができるとともに、引き上げられる単結晶
20における品質の低下を防止することができる。
液13と成長する単結晶20との界面に形成されるフュ
ージョンリング部21の幅Wを検出し、フュージョンリ
ング部21の幅Wに基づいて結晶原料溶解用加熱手段1
5への供給電力と結晶引き上げ速度とを制御しつつ単結
晶20を引き上げるので、上記した結晶成長装置の場合
と同様の効果を得ることができる。
2次元のCCDカメラ31が用いられた場合について説
明したが、1次元のCCDカメラを用いてもよい。
長させる場合について説明したが、CZ法を用いて成長
させる別の単結晶でもよい。
長装置にあっては、結晶用原料を溶融させる坩堝と、該
坩堝の周囲に配設された加熱手段と、前記坩堝内の溶融
液より単結晶を成長させながら引き上げる引き上げ手段
と、前記溶融液と成長する前記単結晶との界面に形成さ
れたフュージョンリング部の幅を検出する検出手段と、
前記フュージョンリング部の幅に基づいて前記加熱手段
への供給電力及び前記引き上げ手段の引き上げ速度を制
御する制御手段とを備えているので、前記フュージョン
リング部に形成されるメニスカス角の変化を確認するこ
とができ、所定時間後における前記単結晶の直径を予測
することができる。そのため、前記結晶引き上げ速度を
所定速度に維持した状態で、前もって前記加熱手段への
供給電力を適切に変更することができ、前記溶融液の温
度をタイミングよく調整することができる。この結果、
前記単結晶の直径を確実に制御することができ、ウエハ
の形状を一定にすることができ、前記ウエハの取り扱い
を容易にしてコストを削減することができるとともに、
引き上げられる前記単結晶における品質の低下を防止す
ることができる。
は、溶融液と成長する単結晶との界面に形成されるフュ
ージョンリング部の幅を検出し、該フュージョンリング
部の幅に基づいて結晶原料溶解用加熱手段への供給電力
と結晶引き上げ速度とを制御しつつ前記単結晶を引き上
げるので、上記した結晶成長装置の場合と同様の効果を
得ることができる。
示した断面図である。
出されるフュージョンリング部近傍の輝度信号分布と、
フュージョンリング部の幅Wとの関係を模式的に示した
曲線図である。
径とフュージョンリング部の幅との関係について調査し
た結果を示した図であり、(a)はフュージョンリング
部の幅Wを変えた際、引き上げられる単結晶の直径の変
化と、この変化が発生する時間とを示した曲線図、
(b)はこれら変化の時期的ずれに関する相関強度を計
算して求めた曲線図である。
は溶融液の温度と、フュージョンリング部との相関関係
を説明するため、引き上げられる単結晶及び溶融液の境
界部近傍を摸式的に示した拡大断面図であり、(a)は
単結晶の成長速度に対して引き上げ速度または温度がバ
ランスしている場合、(b)は引き上げ速度が速いかま
たは温度が高い場合、(c)は引き上げ速度が遅いか、
あるいは温度が低い場合を示している。
段を備えた結晶成長装置を摸式的に示した断面図であ
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 結晶用原料を溶融させる坩堝と、該坩堝
の周囲に配設された加熱手段と、前記坩堝内の溶融液よ
り単結晶を成長させながら引き上げる引き上げ手段と、
前記溶融液と成長する前記単結晶との界面に形成された
フュージョンリング部の幅を検出する検出手段と、前記
フュージョンリング部の幅に基づいて前記加熱手段への
供給電力及び前記引き上げ手段の引き上げ速度を制御す
る制御手段とを備えていることを特徴とする結晶成長装
置。 - 【請求項2】 坩堝内に充填した結晶用原料を溶融さ
せ、この溶融液から単結晶を成長させながら引き上げる
結晶成長方法において、前記溶融液と成長する前記単結
晶との界面に形成されるフュージョンリング部の幅を検
出し、該フュージョンリング部の幅に基づいて結晶原料
溶解用加熱手段への供給電力と結晶引き上げ速度とを制
御しつつ前記単結晶を引き上げることを特徴とする結晶
成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10251894A JP3484758B2 (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 結晶成長装置及び結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10251894A JP3484758B2 (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 結晶成長装置及び結晶成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07309694A JPH07309694A (ja) | 1995-11-28 |
JP3484758B2 true JP3484758B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=14329578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10251894A Expired - Fee Related JP3484758B2 (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 結晶成長装置及び結晶成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3484758B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4918897B2 (ja) | 2007-08-29 | 2012-04-18 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引上方法 |
US8012255B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-09-06 | Sumco Phoenix Corporation | Method and apparatus for controlling diameter of a silicon crystal ingot in a growth process |
CN102220632B (zh) * | 2011-06-23 | 2012-12-12 | 英利能源(中国)有限公司 | N型直拉硅单晶的工艺方法 |
JP5924090B2 (ja) * | 2012-04-12 | 2016-05-25 | 株式会社Sumco | 単結晶引き上げ方法 |
DE102013210687B4 (de) | 2013-06-07 | 2018-12-06 | Siltronic Ag | Verfahren zur Regelung des Durchmessers eines Einkristalls auf einen Solldurchmesser |
JP6447537B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2019-01-09 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法および製造装置 |
CN116536751A (zh) * | 2022-09-09 | 2023-08-04 | 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 | 直拉单晶的制备方法以及单晶炉 |
-
1994
- 1994-05-17 JP JP10251894A patent/JP3484758B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07309694A (ja) | 1995-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2128310B1 (en) | Method for measuring distance between lower end surface of heat shielding member and material melt surface, and method for controlling the distance | |
JP3528758B2 (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
KR101028684B1 (ko) | 실리콘 단결정 인상 방법 | |
EP2011905B1 (en) | Method for measuring distance between reference reflector and melt surface | |
US6241818B1 (en) | Method and system of controlling taper growth in a semiconductor crystal growth process | |
KR101579780B1 (ko) | 단결정 직경의 검출방법, 이를 이용한 단결정의 제조방법 및 단결정 제조장치 | |
KR20020081287A (ko) | 성장 속도 및 직경 편차를 최소화하도록 실리콘 결정의성장을 제어하는 방법 | |
KR20100014169A (ko) | 결정 성장 프론트에서 열 구배들의 인-시츄 결정을 위한 절차 | |
JP3484758B2 (ja) | 結晶成長装置及び結晶成長方法 | |
JP4035924B2 (ja) | 単結晶直径の制御方法及び結晶成長装置 | |
US5660629A (en) | Apparatus for detecting the diameter of a single-crystal silicon | |
JP3704710B2 (ja) | 種結晶着液温度の設定方法及びシリコン単結晶の製造装置 | |
KR101398304B1 (ko) | 반도체 결정 성장 시스템에서의 역 작용 직경 제어 | |
JP6939714B2 (ja) | 融液面と種結晶の間隔測定方法、種結晶の予熱方法、及び単結晶の製造方法 | |
JP3867476B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置 | |
JP2003176199A (ja) | 単結晶引上げ装置および引上げ方法 | |
CN216304033U (zh) | 监控单晶炉中硅熔液的液面的状态及坩埚的状态的*** | |
JP3611364B2 (ja) | 単結晶の直径制御方法 | |
US6010568A (en) | Method for adjusting initial position of melt surface | |
KR20230051263A (ko) | 단결정의 제조 방법 | |
US20240125006A1 (en) | Method for detecting surface state of raw material melt, method for producing single crystal, and apparatus for producing cz single crystal | |
JPS61122187A (ja) | 単結晶引上機 | |
JP3655355B2 (ja) | 半導体単結晶製造工程における最適溶融液温度の検知方法 | |
KR101607162B1 (ko) | 단결정 성장 방법 | |
JPH07144993A (ja) | シリコン単結晶の接触検査方法及びその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131024 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |