JPH11186587A - 光検出素子 - Google Patents
光検出素子Info
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- JPH11186587A JPH11186587A JP9349134A JP34913497A JPH11186587A JP H11186587 A JPH11186587 A JP H11186587A JP 9349134 A JP9349134 A JP 9349134A JP 34913497 A JP34913497 A JP 34913497A JP H11186587 A JPH11186587 A JP H11186587A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、感度よく検出できる光検出素子を
提供することが課題である。 【解決手段】 第１導電型の第１半導体部３と、第１半
導体部３上に形成されたこの第１導電と逆導電型である
第２導電型の第２半導体部４と、を備え、被検出光を検
出する光検出素子であって、第２半導体部４の半導体材
料は、第１半導体部３の半導体材料に比べ、被検出光に
対する光吸収係数が小さく、且つ被検出光は第２半導体
部４側から前記第１半導体部３へ導入される。
提供することが課題である。 【解決手段】 第１導電型の第１半導体部３と、第１半
導体部３上に形成されたこの第１導電と逆導電型である
第２導電型の第２半導体部４と、を備え、被検出光を検
出する光検出素子であって、第２半導体部４の半導体材
料は、第１半導体部３の半導体材料に比べ、被検出光に
対する光吸収係数が小さく、且つ被検出光は第２半導体
部４側から前記第１半導体部３へ導入される。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光検出素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、光検出素子として、ｎ型Ｓｉ（シ
リコン）とｐ型Ｓｉによるｐｎホモ接合を用いた光検出
素子やｎ型ＳｉＣ（炭化ケイ素）とｐ型ＳｉＣによるｐ
ｎホモ接合を用いた光検出素子が知られている。
リコン）とｐ型Ｓｉによるｐｎホモ接合を用いた光検出
素子やｎ型ＳｉＣ（炭化ケイ素）とｐ型ＳｉＣによるｐ
ｎホモ接合を用いた光検出素子が知られている。
【０００３】一方、光記録媒体の高密度記録を実現する
ために、近紫外光（例えば、４００ｎｍ）からこの近傍
にある可視光の短波長の半導体レーザ素子が活発に研究
開発されている。
ために、近紫外光（例えば、４００ｎｍ）からこの近傍
にある可視光の短波長の半導体レーザ素子が活発に研究
開発されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｓ
ｉからなる光検出素子では、Ｓｉが紫外光からこの近傍
にある可視光に対して光吸収が大きく、該光が光検出領
域まで十分に達しないといった問題が生じる。この問題
を解決するためには光導入側のＳｉ層の厚みを小さくす
ればよいが、この場合にはオーミック電極の作製やこの
前処理としての素子加工が困難であるといった問題が生
じ得る。
ｉからなる光検出素子では、Ｓｉが紫外光からこの近傍
にある可視光に対して光吸収が大きく、該光が光検出領
域まで十分に達しないといった問題が生じる。この問題
を解決するためには光導入側のＳｉ層の厚みを小さくす
ればよいが、この場合にはオーミック電極の作製やこの
前処理としての素子加工が困難であるといった問題が生
じ得る。
【０００５】また、上記ＳｉＣからなる光検出素子で
は、ＳｉＣが紫外光からこの近傍にある可視光に対して
光吸収が小さく、該光が光検出領域で十分に吸収される
ことなく、この領域を通過してしまうといった問題があ
る。
は、ＳｉＣが紫外光からこの近傍にある可視光に対して
光吸収が小さく、該光が光検出領域で十分に吸収される
ことなく、この領域を通過してしまうといった問題があ
る。
【０００６】従って、上述のような光検出素子では、紫
外光からこの近傍にある可視光に対して感度よく検出で
きないといった問題があった。
外光からこの近傍にある可視光に対して感度よく検出で
きないといった問題があった。
【０００７】本発明は上述の問題点を鑑み成されたもの
であり、感度よく検出できる光検出素子を提供すること
が目的である。
であり、感度よく検出できる光検出素子を提供すること
が目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光検出素子は、
第１導電型の第１半導体部と、該第１半導体部上に形成
されたこの第１導電型と逆導電型である第２導電型の第
２半導体部と、を備え、被検出光を検出する光検出素子
であって、前記第２半導体部の半導体材料は、前記第１
半導体部の半導体材料に比べ、前記被検出光に対する光
吸収係数が小さく、且つ前記被検出光は前記第２半導体
部側から前記第１半導体部へ導入されることを特徴とす
る。
第１導電型の第１半導体部と、該第１半導体部上に形成
されたこの第１導電型と逆導電型である第２導電型の第
２半導体部と、を備え、被検出光を検出する光検出素子
であって、前記第２半導体部の半導体材料は、前記第１
半導体部の半導体材料に比べ、前記被検出光に対する光
吸収係数が小さく、且つ前記被検出光は前記第２半導体
部側から前記第１半導体部へ導入されることを特徴とす
る。
【０００９】本発明では、第１、第２半導体部とのｐｎ
接合または対向部分を含んだ領域が光検出領域となると
共に、第１半導体部に比べて被検出光に対する光吸収係
数が小さい半導体材料からなる第２半導体部側から光を
導入する。
接合または対向部分を含んだ領域が光検出領域となると
共に、第１半導体部に比べて被検出光に対する光吸収係
数が小さい半導体材料からなる第２半導体部側から光を
導入する。
【００１０】従って、光検出領域に到達するまでの光吸
収を抑制しつつ、しかも光検出領域を構成する第１半導
体部によって光が十分に吸収される構成にできる。この
結果、被検出光を感度よく検出できる。
収を抑制しつつ、しかも光検出領域を構成する第１半導
体部によって光が十分に吸収される構成にできる。この
結果、被検出光を感度よく検出できる。
【００１１】この光検出素子としては、バンドギャップ
の小さい半導体部をこれらより大きなバンドギャップを
有する半導体部で挟むダブルヘテロ構造をとる必要がな
い。
の小さい半導体部をこれらより大きなバンドギャップを
有する半導体部で挟むダブルヘテロ構造をとる必要がな
い。
【００１２】特に、前記第２半導体部は前記被検出光を
略透過すると共に、該透過した被検出光は前記第１半導
体部の光検出領域で光吸収されることを特徴とする。
略透過すると共に、該透過した被検出光は前記第１半導
体部の光検出領域で光吸収されることを特徴とする。
【００１３】この場合、光検出領域に到達するまでに光
が殆ど吸収されず、しかも光検出領域を構成する第１半
導体部によって光が十分に吸収される。この結果、被検
出光を感度よく検出できる。
が殆ど吸収されず、しかも光検出領域を構成する第１半
導体部によって光が十分に吸収される。この結果、被検
出光を感度よく検出できる。
【００１４】更に、前記第２半導体部は、前記第１半導
体部に比べてバンドギャップが大きいことを特徴とす
る。
体部に比べてバンドギャップが大きいことを特徴とす
る。
【００１５】この場合、前記第２半導体部の半導体材料
を、前記第１半導体部の半導体材料に比べ、前記被検出
光に対する光吸収係数が小さくできる。
を、前記第１半導体部の半導体材料に比べ、前記被検出
光に対する光吸収係数が小さくできる。
【００１６】また、前記第２半導体部と前記第１半導体
部の間であって、該第１半導体部上に不純物拡散防止の
ための第３半導体部を形成することを特徴とする。
部の間であって、該第１半導体部上に不純物拡散防止の
ための第３半導体部を形成することを特徴とする。
【００１７】この場合、前記第２半導体部と前記第１半
導体部の間での所望な不純物の拡散を防止できるので、
光検出領域が良好になり、被検出光をより感度よく検出
できる。
導体部の間での所望な不純物の拡散を防止できるので、
光検出領域が良好になり、被検出光をより感度よく検出
できる。
【００１８】この第３半導体部はノンドープが好まし
い。
い。
【００１９】この第３半導体部は、第２半導体部と同じ
か又はこれより広いバンドギャップを有するのが好まし
い。
か又はこれより広いバンドギャップを有するのが好まし
い。
【００２０】更に、前記第３半導体部は、前記第２半導
体部と同じ材料からなることを特徴とする。
体部と同じ材料からなることを特徴とする。
【００２１】また、前記第２半導体部はＳｉＣからな
り、前記第１半導体部はＳｉからなることを特徴とす
る。
り、前記第１半導体部はＳｉからなることを特徴とす
る。
【００２２】この場合、紫外光からこの近傍にある可視
光を感度よく検出できる。
光を感度よく検出できる。
【００２３】更に、前記第２半導体部は、３Ｃ−Ｓｉ
Ｃ、４Ｈ−ＳｉＣ、又は６Ｈ−ＳｉＣのいずれかからな
ることを特徴とする。ここで、製造上の観点からは３Ｃ
−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣの順序で好まし
く、特性上の観点からはこの逆がよい。
Ｃ、４Ｈ−ＳｉＣ、又は６Ｈ−ＳｉＣのいずれかからな
ることを特徴とする。ここで、製造上の観点からは３Ｃ
−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣの順序で好まし
く、特性上の観点からはこの逆がよい。
【００２４】更に、前記第２半導体部と前記第１半導体
部の間であって、該第１半導体部上に不純物拡散防止の
ための第３半導体部を形成し、該第３半導体部は前記第
２半導体部より低ドープ又はアンドープのＳｉＣからな
ることを特徴とする。
部の間であって、該第１半導体部上に不純物拡散防止の
ための第３半導体部を形成し、該第３半導体部は前記第
２半導体部より低ドープ又はアンドープのＳｉＣからな
ることを特徴とする。
【００２５】特に、前記第２半導体部は４Ｈ−ＳｉＣか
らなり、前記第１半導体部は３Ｃ−ＳｉＣからなること
を特徴とする。
らなり、前記第１半導体部は３Ｃ−ＳｉＣからなること
を特徴とする。
【００２６】また、前記第２半導体部と前記第１半導体
部の間であって、該第１半導体部上に不純物拡散防止の
ための第３半導体部を形成し、該第３半導体部は４Ｈ−
ＳｉＣからなることを特徴とする。
部の間であって、該第１半導体部上に不純物拡散防止の
ための第３半導体部を形成し、該第３半導体部は４Ｈ−
ＳｉＣからなることを特徴とする。
【００２７】この第３半導体部はノンドープが好まし
い。
い。
【００２８】特に、前記被検出光は、紫外光からこの近
傍にある可視光からなることを特徴とする。更に、この
被検出光は、近紫外光からこの近傍にある可視光からな
ることを特徴とする。
傍にある可視光からなることを特徴とする。更に、この
被検出光は、近紫外光からこの近傍にある可視光からな
ることを特徴とする。
【００２９】尚、前記第１〜第３半導体部は層であって
もよく、第１半導体部を基板とすると共に、前記第２〜
第３半導体部を層とする構成をとってもよい。
もよく、第１半導体部を基板とすると共に、前記第２〜
第３半導体部を層とする構成をとってもよい。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明に係る第１の実施形態の光
検出素子を図を用いて詳細に説明する。図１は本実施形
態の光検出素子の概略模式構成図である。
検出素子を図を用いて詳細に説明する。図１は本実施形
態の光検出素子の概略模式構成図である。
【００３１】図１中、１はｎ型Ｓｉ基板、２はｎ型Ｓｉ
基板１上の端部に蒸着法によって形成された５０００Å
厚のＡｕ−Ｇｅ合金（金−ゲルマニウム合金）からなる
ｎ型側電極、３はｎ型Ｓｉ基板１上に前記電極２と離間
してＣＶＤ法（化学堆積法）によって形成された１〜１
０μｍ厚のｎ型Ｓｉ層（バンドギャップＥSi）、４はｎ
型Ｓｉ層３上にＣＶＤ法によって形成された０．１〜２
μｍ厚のｐ型ＳｉＣ層（バンドギャップＥSiC：ＥSiC＞
ＥSi）、５はｐ型ＳｉＣ層４上の一部にＣＶＤ法によっ
て形成された１〜１０μｍ厚のｐ型ＳｉＣ層、６はｐ型
ＳｉＣ層５上に蒸着法によって形成された５０００Å厚
のＡｌからなるｐ型側電極である。
基板１上の端部に蒸着法によって形成された５０００Å
厚のＡｕ−Ｇｅ合金（金−ゲルマニウム合金）からなる
ｎ型側電極、３はｎ型Ｓｉ基板１上に前記電極２と離間
してＣＶＤ法（化学堆積法）によって形成された１〜１
０μｍ厚のｎ型Ｓｉ層（バンドギャップＥSi）、４はｎ
型Ｓｉ層３上にＣＶＤ法によって形成された０．１〜２
μｍ厚のｐ型ＳｉＣ層（バンドギャップＥSiC：ＥSiC＞
ＥSi）、５はｐ型ＳｉＣ層４上の一部にＣＶＤ法によっ
て形成された１〜１０μｍ厚のｐ型ＳｉＣ層、６はｐ型
ＳｉＣ層５上に蒸着法によって形成された５０００Å厚
のＡｌからなるｐ型側電極である。
【００３２】上記光検出素子では、ｎ型Ｓｉ層３とｐ型
ＳｉＣ層４がヘテロ接合され、この接合を含む領域１０
が光検出領域となり、この領域１０で紫外光からこの近
傍にある可視光が検出できる。
ＳｉＣ層４がヘテロ接合され、この接合を含む領域１０
が光検出領域となり、この領域１０で紫外光からこの近
傍にある可視光が検出できる。
【００３３】斯る光検出素子では、紫外光からこの近傍
にある可視光に対しての光吸収係数が小さいＳｉＣから
なるｐ型ＳｉＣ層４側から光を導入すると共に、ｎ型Ｓ
ｉ層３を構成するＳｉは紫外光からこの近傍にある可視
光に対しての光吸収係数が大きい。
にある可視光に対しての光吸収係数が小さいＳｉＣから
なるｐ型ＳｉＣ層４側から光を導入すると共に、ｎ型Ｓ
ｉ層３を構成するＳｉは紫外光からこの近傍にある可視
光に対しての光吸収係数が大きい。
【００３４】従って、光検出領域１０に到達するまでに
光が殆ど吸収されず、しかも光検出領域１０を構成する
ｎ型Ｓｉ層３によって光が十分に吸収される。この結
果、紫外光からこの近傍にある可視光を感度よく検出で
きる。
光が殆ど吸収されず、しかも光検出領域１０を構成する
ｎ型Ｓｉ層３によって光が十分に吸収される。この結
果、紫外光からこの近傍にある可視光を感度よく検出で
きる。
【００３５】次に、本発明に係る第２の実施形態の光検
出素子を図を用いて詳細に説明する。図２は本実施形態
の光検出素子の概略模式構成図である。
出素子を図を用いて詳細に説明する。図２は本実施形態
の光検出素子の概略模式構成図である。
【００３６】図２中、１１はｎ型Ｓｉ基板、１２はｎ型
Ｓｉ基板１１の上面上にＣＶＤ法（化学堆積法）によっ
て形成された１〜１０μｍ厚のｎ型Ｓｉ層、１３はｎ型
Ｓｉ層１２上にＣＶＤ法によって形成された０．１〜２
μｍ厚のｐ型ＳｉＣ層、１４はｐ型ＳｉＣ層１３上の一
部にＣＶＤ法によって形成された１〜１０μｍ厚のｐ型
ＳｉＣ層、１５はｐ型ＳｉＣ層５上に蒸着法によって形
成された５０００Å厚のＡｌからなるｐ型側電極、１６
はｎ型Ｓｉ基板１１の他の面上全域に蒸着法によって形
成された５０００Å厚のＡｕ−Ｇｅ合金（金−ゲルマニ
ウム合金）からなるｎ型側電極である。
Ｓｉ基板１１の上面上にＣＶＤ法（化学堆積法）によっ
て形成された１〜１０μｍ厚のｎ型Ｓｉ層、１３はｎ型
Ｓｉ層１２上にＣＶＤ法によって形成された０．１〜２
μｍ厚のｐ型ＳｉＣ層、１４はｐ型ＳｉＣ層１３上の一
部にＣＶＤ法によって形成された１〜１０μｍ厚のｐ型
ＳｉＣ層、１５はｐ型ＳｉＣ層５上に蒸着法によって形
成された５０００Å厚のＡｌからなるｐ型側電極、１６
はｎ型Ｓｉ基板１１の他の面上全域に蒸着法によって形
成された５０００Å厚のＡｕ−Ｇｅ合金（金−ゲルマニ
ウム合金）からなるｎ型側電極である。
【００３７】この光検出素子も、ｎ型Ｓｉ層１２とｐ型
ＳｉＣ層１３がヘテロ接合され、この接合を含む領域２
０が光検出領域となり、この領域２０で紫外光からこの
近傍にある可視光が検出できる。
ＳｉＣ層１３がヘテロ接合され、この接合を含む領域２
０が光検出領域となり、この領域２０で紫外光からこの
近傍にある可視光が検出できる。
【００３８】斯る光検出素子では、紫外光からこの近傍
にある可視光に対しての光吸収係数が小さいＳｉＣから
なるｐ型ＳｉＣ層１３側から光を導入すると共に、ｎ型
Ｓｉ層１２を構成するＳｉは紫外光からこの近傍にある
可視光に対しての光吸収係数が大きい。
にある可視光に対しての光吸収係数が小さいＳｉＣから
なるｐ型ＳｉＣ層１３側から光を導入すると共に、ｎ型
Ｓｉ層１２を構成するＳｉは紫外光からこの近傍にある
可視光に対しての光吸収係数が大きい。
【００３９】従って、光検出領域２０に到達するまでに
光が殆ど吸収されず、しかも光検出領域１０を構成する
ｎ型Ｓｉ層１２によって光が十分に吸収される。この結
果、紫外光からこの近傍にある可視光を感度よく検出で
きる。
光が殆ど吸収されず、しかも光検出領域１０を構成する
ｎ型Ｓｉ層１２によって光が十分に吸収される。この結
果、紫外光からこの近傍にある可視光を感度よく検出で
きる。
【００４０】尚、上述ではｎ型Ｓｉ層とｐ型ＳｉＣ層を
直接接合したが、例えば不必要なドーパントの拡散を防
止するために、前記ｐ型ＳｉＣ層より低ドープ（ｐ
--型、ｎ --型、又はアンドープのＳｉＣ層をこれらの間
に形成するようにしてもよい。
直接接合したが、例えば不必要なドーパントの拡散を防
止するために、前記ｐ型ＳｉＣ層より低ドープ（ｐ
--型、ｎ --型、又はアンドープのＳｉＣ層をこれらの間
に形成するようにしてもよい。
【００４１】また、上述では、ＳｉＣ層として３Ｃ−Ｓ
ｉＣを用いたが、これに代えて４Ｈ−ＳｉＣや６Ｈ−Ｓ
ｉＣを用いてもよい。
ｉＣを用いたが、これに代えて４Ｈ−ＳｉＣや６Ｈ−Ｓ
ｉＣを用いてもよい。
【００４２】尚、上記３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉからなる光検
出素子、６Ｈ−ＳｉＣ／Ｓｉからなる光検出素子は、２
００ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは３５０ｎｍ〜１μｍ
の光が感度よく光検出できる。
出素子、６Ｈ−ＳｉＣ／Ｓｉからなる光検出素子は、２
００ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは３５０ｎｍ〜１μｍ
の光が感度よく光検出できる。
【００４３】また、上記４Ｈ−ＳｉＣ／Ｓｉからなる光
検出素子は、２００ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは３０
０ｎｍ〜１μｍの光が感度よく光検出できる。
検出素子は、２００ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは３０
０ｎｍ〜１μｍの光が感度よく光検出できる。
【００４４】また、上述では、ｎ型Ｓｉ基板上にｎ型Ｓ
ｉ層を形成したが、ｎ型Ｓｉ層を形成しないでｎ型Ｓｉ
基板上にｐ型ＳｉＣ層を形成する構成にしてもよい。
ｉ層を形成したが、ｎ型Ｓｉ層を形成しないでｎ型Ｓｉ
基板上にｐ型ＳｉＣ層を形成する構成にしてもよい。
【００４５】また、ｐ型３Ｃ−ＳｉＣ上にｎ型４Ｈ−Ｓ
ｉＣを形成した光検出素子でも、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ側を
光導入側とすることで、紫外光からこの近傍にある可視
光を感度よく検出できる。この４Ｈ−ＳｉＣ／３Ｃ−Ｓ
ｉＣからなる光検出素子は、２００ｎｍ〜５００ｎｍ、
より好ましくは３００ｎｍ〜５００ｎｍの光が感度よく
光検出できる。
ｉＣを形成した光検出素子でも、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ側を
光導入側とすることで、紫外光からこの近傍にある可視
光を感度よく検出できる。この４Ｈ−ＳｉＣ／３Ｃ−Ｓ
ｉＣからなる光検出素子は、２００ｎｍ〜５００ｎｍ、
より好ましくは３００ｎｍ〜５００ｎｍの光が感度よく
光検出できる。
【００４６】更に、上述の各例の導電型を逆導電型とし
た構成でもよい。
た構成でもよい。
【００４７】
【発明の効果】本発明は、感度よく検出できる光検出素
子を提供することができる。
子を提供することができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る光検出素子の概略
模式構成図である。
模式構成図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る光検出素子の概略
模式構成図である。
模式構成図である。
３ ｎ型Ｓｉ層 ４ ｐ型ＳｉＣ層 １２ ｎ型Ｓｉ層 １３ ｐ型ＳｉＣ層
Claims (11)
- 【請求項１】 第１導電型の第１半導体部と、該第１半
導体部上に形成されたこの第１導電型と逆導電型である
第２導電型の第２半導体部と、を備え、被検出光を検出
する光検出素子であって、 前記第２半導体部の半導体材料は、前記第１半導体部の
半導体材料に比べ、前記被検出光に対する光吸収係数が
小さく、且つ前記被検出光は前記第２半導体部側から前
記第１半導体部へ導入されることを特徴とする光検出素
子。 - 【請求項２】 前記第２半導体部は前記被検出光を略透
過すると共に、該透過した被検出光は前記第１半導体部
の光検出領域で光吸収されることを特徴とする請求項１
記載の光検出素子。 - 【請求項３】 前記第２半導体部は、前記第１半導体部
に比べてバンドギャップが大きいことを特徴とする請求
項１〜２の少なくともいずれか１項に記載の光検出素
子。 - 【請求項４】 前記第２半導体部と前記第１半導体部の
間であって、該第１半導体部上に不純物拡散防止のため
の第３半導体部を形成することを特徴とする請求項１〜
３の少なくともいずれか１項に記載の光検出素子。 - 【請求項５】 前記第３半導体部は、前記第２半導体部
と同じ材料からなることを特徴とする請求項４記載の光
検出素子。 - 【請求項６】 前記第２半導体部はＳｉＣからなり、前
記第１半導体部はＳｉからなることを特徴とする請求項
１〜５の少なくともいずれか１項に記載の光検出素子。 - 【請求項７】 前記第２半導体部と前記第１半導体部の
間であって、該第１半導体部上に不純物拡散防止のため
の第３半導体部を形成し、該第３半導体部は前記第２半
導体部より低ドープ又はアンドープのＳｉＣからなるこ
とを特徴とする請求項６記載の光検出素子。 - 【請求項８】 前記第２半導体部は、３Ｃ−ＳｉＣ、４
Ｈ−ＳｉＣ、又は６Ｈ−ＳｉＣのいずれかからなること
を特徴とする請求項６〜７の少なくともいずれか１項に
記載の光検出素子。 - 【請求項９】 前記第２半導体部は４Ｈ−ＳｉＣからな
り、前記第１半導体部は３Ｃ−ＳｉＣからなることを特
徴とする請求項１〜５の少なくともいずれか１項に記載
の光検出素子。 - 【請求項１０】 前記第２半導体部と前記第１半導体部
の間であって、該第１半導体部上に不純物拡散防止のた
めの第３半導体部を形成し、該第３半導体部は４Ｈ−Ｓ
ｉＣからなることを特徴とする請求項９記載の光検出素
子。 - 【請求項１１】 前記被検出光は、紫外光からこの近傍
にある可視光からなることを特徴とする請求項１〜１０
の少なくともいずれか１項に記載の光検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9349134A JPH11186587A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 光検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9349134A JPH11186587A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 光検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186587A true JPH11186587A (ja) | 1999-07-09 |
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ID=18401732
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| JP9349134A Pending JPH11186587A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 光検出素子 |
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| JP (1) | JPH11186587A (ja) |
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1997
- 1997-12-18 JP JP9349134A patent/JPH11186587A/ja active Pending
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