JPH11186210A - Method of drying wafer and drying device - Google Patents
Method of drying wafer and drying deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、基板の乾燥方法
および乾燥装置に関し、さらに詳細には、ウェット洗浄
工程を終えた基板に置換媒体液を供給して乾燥処理を行
なう基板の乾燥技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate drying method and a drying apparatus, and more particularly, to a substrate drying technique in which a replacement medium is supplied to a substrate after a wet cleaning step to perform a drying process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路や液晶ディスプレイ等の
多層薄膜加工製造プロセスでは、基板（以下ウェハと称
する）に付着した微小異物が製品の欠陥の原因となるた
め、製造工程中に洗浄工程を加えるのが一般的であり、
この洗浄工程では洗浄液としての純水が不可欠な媒体と
して使用されるため、洗浄液に濡れたウェハを精密に乾
燥する工程が極めて重要であり、このような精密な乾燥
工程では、通常、乾燥不良による水跡（ウォータマー
ク）をどれだけ残さずに乾燥できるかが乾燥性能の指標
になっている。2. Description of the Related Art In a manufacturing process for processing a multilayer thin film such as a semiconductor integrated circuit and a liquid crystal display, a cleaning process is added during the manufacturing process because minute foreign matters adhering to a substrate (hereinafter, referred to as a wafer) cause defects of a product. Is common,
Since pure water as a cleaning liquid is used as an indispensable medium in this cleaning step, a step of precisely drying a wafer wet with the cleaning liquid is extremely important. How much water marks (water marks) can be dried without leaving a mark is an indicator of drying performance.
【０００３】ところで、ウェハを洗浄する装置はバッチ
式のものと枚葉式のものとがあり、特に枚葉式の洗浄装
置における乾燥方法としては、従来よりスピン乾燥方式
とエアーナイフ乾燥方式が一般に知られている。[0003] Incidentally, there are a batch type and a single-wafer type cleaning apparatus for cleaning wafers. In particular, as a drying method in a single-wafer type cleaning apparatus, a spin drying method and an air knife drying method have been generally used. Are known.
【０００４】スピン乾燥方式は、ウェハを高速回転させ
て回転による遠心力によってウェハ上の洗浄液（たとえ
ば純水）を吹き飛ばすものであり、最近では、上記高速
回転に加えて、不活性ガスやクリーンエアーをウェハ表
面に吹きつけて乾燥の促進を図る方式が好適に採用され
ている。また、エアーナイフ乾燥方式は、水平方向に搬
送されるウェハを上下方向から挟み込む位置にノズルを
配置し、このノズルから加圧された不活性ガスやクリー
ンエアー等の気体を噴射することにより上記ウェハ上の
洗浄液を吹き飛ばすものである。[0004] The spin drying method is a method in which a wafer is rotated at a high speed and a cleaning liquid (eg, pure water) on the wafer is blown off by centrifugal force due to the rotation. Is applied to the surface of the wafer to promote drying. In the air knife drying method, a nozzle is arranged at a position sandwiching a wafer conveyed in the horizontal direction from above and below, and a gas such as an inert gas or clean air pressurized from the nozzle is injected. This is to blow off the above cleaning liquid.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな乾燥方法では、以下のような問題がある。すなわ
ち、このような乾燥方法によると、ウェハ上の洗浄液は
高速にて吹き飛ばされるため、吹き飛ばされた洗浄液は
ミスト状（薄霧）となって雰囲気中を漂い、ウェハに再
付着する。このようにして再付着した洗浄液は、膜状や
球状になってウェハ上に残存し、上述したウォータマー
クを生じさせる原因となる。However, such a drying method has the following problems. That is, according to such a drying method, the cleaning liquid on the wafer is blown off at a high speed, so that the blown-off cleaning liquid becomes a mist (light fog), floats in the atmosphere, and adheres again to the wafer. The cleaning liquid thus re-adhered becomes a film or a spherical shape and remains on the wafer, causing the above-mentioned watermark.
【０００６】この点に関して、近時では、この乾燥工程
に先立って、ウェハ上にイソプロピルアルコール（以下
ＩＰＡと称する）等の親水性を有する溶剤（置換媒体
液）を供給し、予めウェハ上に残留する水分を置換媒体
液によって置換させて上記スピン乾燥等の乾燥処理を行
なうことが提案されているが、この場合、洗浄工程から
置換媒体液の供給までに時間的な間隔が空きすぎるとウ
ェハ上の水が自然乾燥により半乾き状態となり十分な乾
燥性能を得ることができない。その一方、洗浄工程に引
き続いて直ちに置換媒体液を供給すると、ウェハ表面に
残留する水分が多くなるため置換に必要な置換媒体液も
いきおい多量となって不経済である一方、乾燥処理に必
要な時間も増大するという問題があった。[0006] In this regard, recently, prior to this drying step, a hydrophilic solvent (substitution medium solution) such as isopropyl alcohol (hereinafter referred to as IPA) is supplied onto the wafer, and the residual solvent is left on the wafer in advance. It has been proposed to perform the drying treatment such as the spin drying by replacing the water to be replaced with the replacement medium liquid, but in this case, if the time interval from the cleaning step to the supply of the replacement medium liquid is too long, the wafer may be overwhelmed. Water becomes semi-dry due to natural drying, and sufficient drying performance cannot be obtained. On the other hand, if the replacement medium solution is supplied immediately after the cleaning step, the water remaining on the wafer surface increases, so that the replacement medium solution necessary for replacement also becomes extremely large, which is uneconomical. There was a problem that time also increased.
【０００７】本発明はかかる従来の問題に鑑みてなされ
たものであって、その目的とするところは、このような
枚葉での洗浄過程において、経済的にかつ短時間で乾燥
処理を行なうことができ、しかもウォータマークの発生
を十分に抑制することのできる高い乾燥能力を有する乾
燥技術を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such a conventional problem, and an object of the present invention is to perform a drying process economically and in a short time in such a single-wafer washing process. It is an object of the present invention to provide a drying technique having a high drying ability, which can sufficiently suppress the generation of a watermark.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のウェハの乾燥方法は、ウェット洗浄された
ウェハ上に残留する洗浄液を置換媒体液にて置換した後
に所定の乾燥処理を行なうウェハの乾燥方法であって、
上記ウェハ上に置換媒体液を供給し、該ウェハ表面に残
留する洗浄液と上記置換媒体液とを置換させる工程にお
いて、上記ウェハを傾斜させて該ウェハ上に残留する洗
浄液を流下させる工程と、その後に該ウェハ上に置換媒
体液を供給する工程とを含むことを特徴とする。In order to achieve the above object, a method of drying a wafer according to the present invention is to perform a predetermined drying process after replacing a cleaning liquid remaining on a wet-cleaned wafer with a replacement medium liquid. A method for drying a wafer, comprising:
Supplying a replacement medium solution onto the wafer, and replacing the cleaning solution remaining on the wafer surface with the replacement medium solution, inclining the wafer to flow down the cleaning solution remaining on the wafer, And supplying a replacement medium liquid onto the wafer.
【０００９】すなわち、本発明においては、洗浄工程か
ら置換媒体液の供給に至るまでの間に、ウェハを一旦傾
斜させる工程を含むことにより、洗浄工程等でウェハ表
面に付着し残留する水分を流下させて減少させ、その後
に置換媒体液の供給工程が配されるので、ウェハ上の洗
浄液の置換に必要な置換媒体液の量を従来より少なく抑
えることができる。しかも、これにより、続く乾燥処理
においてウェハの乾燥に必要となる時間も従来のものに
比べて短縮することができる。In other words, the present invention includes a step of once tilting the wafer during the period from the cleaning step to the supply of the replacement medium liquid, so that water remaining on the wafer surface during the cleaning step or the like flows down. Then, since the supply step of the replacement medium liquid is provided after that, the amount of the replacement medium liquid necessary for replacing the cleaning liquid on the wafer can be suppressed to be smaller than before. In addition, the time required for drying the wafer in the subsequent drying process can be reduced as compared with the conventional case.
【００１０】そして本発明は好適には、上記洗浄液を流
下させる工程の前に、ウェハの自然乾燥を防止するため
に上記基板を傾斜させて基板上に洗浄液を供給し、該ウ
ェハの乾燥を防止する工程を含む。すなわち、自然乾燥
防止のために供給する洗浄液をウェハを傾斜させた状態
で供給することにより、傾斜による効果としてウェハ上
に供給された洗浄液の殆どは数秒程度の短時間でウェハ
上から落下除去される。In the present invention, preferably, before the step of flowing the cleaning liquid, the cleaning liquid is supplied onto the substrate by inclining the substrate in order to prevent natural drying of the wafer, thereby preventing the drying of the wafer. The step of performing That is, by supplying the cleaning liquid to be supplied for preventing natural drying in a state where the wafer is inclined, most of the cleaning liquid supplied onto the wafer is dropped and removed from the wafer in a short time of about several seconds as an effect of the inclination. You.
【００１１】さらに本発明は好適には、上記置換媒体液
としては上記洗浄液と親和性のある物質、たとえば洗浄
液が純水の場合にはＩＰＡなどの親水性を有する物質が
用いられる。すなわち、ＩＰＡなど水に溶解する置換媒
体液を、洗浄液である純水で濡れたウェハ上に供給する
と、水は置換媒体液に溶解して置換される。このため、
ウェハの表面から水が膜状や球状になって残存すること
なく乾燥されるので、純水中のシリカの析出や、ウェハ
上のＳｉ（シリコン）と純水との反応生成物の析出とい
った水跡、すなわちウォータマークの発生を抑制するこ
とができる。Further, in the present invention, a substance having an affinity for the cleaning liquid, for example, a substance having a hydrophilic property such as IPA when the cleaning liquid is pure water is preferably used as the replacement medium liquid. That is, when a replacement medium solution such as IPA that dissolves in water is supplied onto a wafer wet with pure water as a cleaning solution, water is dissolved in the replacement medium solution and replaced. For this reason,
Water is dried from the surface of the wafer without remaining in the form of a film or a sphere, so that water such as precipitation of silica in pure water and reaction products of Si (silicon) and pure water on the wafer is deposited. Traces, that is, generation of watermarks can be suppressed.
【００１２】また、本発明では、上記置換媒体液を供給
する工程の後に、上記乾燥処理として上記ウェハに気体
を吹きつけて該ウェハ上の置換媒体液を除去する工程が
行なわれるか、あるいは上記乾燥処理として上記ウェハ
を高速回転させて該ウェハ上の置換媒体液を除去する工
程が行なわれ、ウェハ上の置換媒体液の除去が行なわれ
る。Further, in the present invention, after the step of supplying the replacement medium liquid, a step of blowing the gas onto the wafer to remove the replacement medium liquid on the wafer is performed as the drying process, or As a drying process, a step of rotating the wafer at a high speed to remove the replacement medium liquid on the wafer is performed, and the replacement medium liquid on the wafer is removed.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１４】実施形態１ 本発明に係る基板の乾燥装置を図１に示す。この乾燥装
置は、ウェハＷ，Ｗ，…を一枚ずつ処理するもの（枚葉
式）であって、図１(a) に示すように、乾燥の前工程
（図中の入口側）から乾燥の後工程（図中の出口側）に
ウェハＷを搬送する搬送装置１と、上記前工程から搬送
されたウェハＷに純水等の洗浄液Ａを供給する洗浄液供
給装置２と、乾燥処理に先立ちウェハＷに置換媒体液Ｂ
を供給する置換媒体液供給装置３と、ウェハＷ上の置換
媒体液Ｂにクリーンエア等の気体を噴射してこれを除去
（乾燥処理）する気体噴射装置４と、図１(b) に示すよ
うに、上記搬送装置１によって搬送されるウェハＷを傾
斜させる傾斜付与装置５と、これらの動作を含む乾燥装
置全体の動作を制御する制御装置６とを備えてなる。Embodiment 1 FIG. 1 shows an apparatus for drying a substrate according to the present invention. This drying apparatus processes wafers W, W,... One by one (single-wafer type). As shown in FIG. 1 (a), the drying apparatus starts from the pre-drying step (the entrance side in the figure). A transfer device 1 for transferring the wafer W to a subsequent process (an exit side in the drawing), a cleaning liquid supply device 2 for supplying a cleaning solution A such as pure water to the wafer W transferred from the previous process, and a drying process prior to the drying process. Replacement medium liquid B on wafer W
FIG. 1 (b) shows a replacement medium liquid supply device 3 for supplying the gas, a gas injection device 4 for spraying a gas such as clean air onto the replacement medium liquid B on the wafer W and removing (drying) the gas. As described above, the apparatus includes the tilt imparting device 5 for tilting the wafer W transferred by the transfer device 1 and the control device 6 for controlling the operation of the entire drying device including these operations.
【００１５】具体的には、まず、搬送装置１は、複数の
回転ローラ１１，１１，…を備えたローラー搬送機構で
構成される。より詳細には、図１(b) に示すように、こ
の回転ローラ１１はそれぞれ対向する一対の回転部材１
２ａ，１２ｂで構成され、この回転部材１２ａ，１２ｂ
にはウェハＷを載置するための段差１２ｃ，１２ｃが内
向きに対向して形成されている。すなわち、回転ローラ
１１上に載置されるウェハＷは、この段差１２ｃ，１２
ｃにより形成される窪み部分に保持された状態で搬送さ
れる。そして、これらのローラー１１，１１，…が図示
しない回転駆動機構により駆動されることにより、この
回転ローラ１１上に載置されたウェハＷが、設定された
搬送経路上を、後述するように傾斜状態で上記入口側か
ら出口側に向かって搬送される。Specifically, first, the transport device 1 is constituted by a roller transport mechanism having a plurality of rotating rollers 11, 11,. More specifically, as shown in FIG. 1 (b), the rotating roller 11 includes a pair of rotating members 1 facing each other.
2a, 12b, and the rotating members 12a, 12b
Are formed with steps 12c, 12c for mounting the wafer W facing inward. That is, the wafer W placed on the rotating roller 11 is moved by the steps 12c and 12c.
The sheet is conveyed while being held in the recess formed by c. When these rollers 11, 11,... Are driven by a rotation drive mechanism (not shown), the wafer W mounted on the rotation roller 11 is inclined on a set transport path as described later. In this state, it is conveyed from the entrance side to the exit side.
【００１６】すなわち、この搬送装置１の下部には傾斜
付与装置５が配置される（図１(b)参照）。この傾斜付
与装置５は、図１(b) に示すように、上記搬送装置１に
よって搬送されるウェハＷを傾斜させるものであって、
上記搬送経路上を搬送されて前進するウェハＷの右肩な
いしは左肩の一方をわずかに上昇させることによりウェ
ハＷに傾斜が与えられている。具体的には、本実施形態
では、この傾斜付与装置５が上記回転ローラ１１を構成
する一対の回転部材１２ａ，１２ｂの一方の側（図示例
では１２ｂ側）を上昇させることにより、搬送経路その
ものに傾斜を与えてウェハＷを傾斜させている。That is, a tilt imparting device 5 is disposed below the transfer device 1 (see FIG. 1B). As shown in FIG. 1 (b), the tilt applying device 5 tilts the wafer W transferred by the transfer device 1, and
The wafer W is inclined by slightly raising one of the right shoulder and the left shoulder of the wafer W which is transported on the transport path and advances. More specifically, in the present embodiment, the inclination applying device 5 raises one side (12b side in the illustrated example) of the pair of rotating members 12a and 12b constituting the rotating roller 11, thereby forming the transport path itself. Is tilted to tilt the wafer W.
【００１７】そして、この搬送経路の最上流側には、図
１(a) に示すように洗浄液供給装置２が配置されてお
り、上記傾斜付与装置５によって傾斜が与えられ、上記
前工程としての洗浄工程から搬送されるウェハＷに洗浄
液が供給される。この洗浄液供給装置２は、具体的には
洗浄液Ａを噴射するスプレーノズルで構成され、図外の
洗浄液供給源から供給される洗浄液Ａがこのスプレーノ
ズルを介してウェハＷ上に噴射される。A cleaning liquid supply device 2 is disposed at the most upstream side of the transport path as shown in FIG. 1 (a). The cleaning liquid is supplied to the wafer W transferred from the cleaning process. The cleaning liquid supply device 2 is specifically composed of a spray nozzle that sprays a cleaning liquid A, and the cleaning liquid A supplied from a cleaning liquid supply source (not shown) is sprayed onto the wafer W via the spray nozzle.
【００１８】ここで噴射される洗浄液Ａは、前工程とし
ての洗浄工程（ウェット洗浄）で用いられる洗浄液と同
じ種類の洗浄液であり、たとえば前工程として、純水の
満たされた洗浄槽（図示せず）にウェハＷを浸漬する処
理が施されていれば、ここでも純水が噴射される。な
お、ここで洗浄工程に引き続いて再び洗浄液Ａを噴射す
るようにしたのは、搬送経路上を搬送されるウェハＷが
搬送途中で自然乾燥するのを防止するためである。The cleaning liquid A sprayed here is of the same type as the cleaning liquid used in the cleaning step (wet cleaning) as a pre-process. For example, as a pre-process, a cleaning tank (shown in the drawing) filled with pure water is used. If the process for immersing the wafer W is performed in the step (d), pure water is also injected here. Here, the reason why the cleaning liquid A is sprayed again after the cleaning step is to prevent the wafer W conveyed on the conveyance path from drying naturally during the conveyance.
【００１９】そして、本発明では、この乾燥防止用の洗
浄液Ａを供給する際にウェハＷに一定の傾斜角度θが与
えられている。そのため、上記洗浄液供給装置２からウ
ェハＷ上に供給された洗浄液Ａは、適宜この傾斜角度θ
によって下方に流下する。そのため、ウェハＷに供給さ
れ、ウェハＷの表面の乾燥防止に用いられた洗浄液Ａの
殆どは、この傾斜によってウェハＷ外へ数秒程度の短時
間（ウェハＷが径８インチのものなら１秒以下、５５０
ｍｍ幅のものなら１〜２秒程度）で流れ落ちる。つま
り、洗浄液Ａを供給する際にウェハＷに傾斜を与えてお
くことにより、ウェハＷ上に残留する洗浄液Ａの量を短
時間で少なくすることができる。これにより、本発明で
は、後述する置換媒体液供給装置３による置換媒体液Ｂ
の供給量を少なくすることができる。なお、これに付随
して、このウェハＷに与えられる傾斜を利用して、ウェ
ハＷの表面に効率良く洗浄液Ａを供給することにより、
使用する洗浄液Ａの供給量を少なくすることも可能であ
る。In the present invention, when the cleaning liquid A for preventing drying is supplied, the wafer W is given a constant inclination angle θ. For this reason, the cleaning liquid A supplied onto the wafer W from the cleaning liquid supply device 2 is appropriately adjusted to the inclination angle θ.
Flow down. For this reason, most of the cleaning liquid A supplied to the wafer W and used to prevent the surface of the wafer W from drying is moved out of the wafer W for a short time of about several seconds (less than one second if the wafer W has a diameter of 8 inches) due to this inclination. , 550
(1 to 2 seconds if the width is mm). That is, by providing the wafer W with an inclination when supplying the cleaning liquid A, the amount of the cleaning liquid A remaining on the wafer W can be reduced in a short time. Thereby, in the present invention, the replacement medium liquid B by the replacement medium liquid supply device 3 described later is used.
Can be reduced. Along with this, the cleaning liquid A is efficiently supplied to the surface of the wafer W by utilizing the inclination given to the wafer W,
It is also possible to reduce the supply amount of the cleaning liquid A to be used.
【００２０】ところで、このウェハＷの傾斜角度θは、
上記目的を達成するのに必要かつ十分な範囲で適宜設定
されるが、本実施形態ではこの傾斜角度θは５°乃至６
°程度とされる。すなわち、この角度の設定にあたり、
本願出願人がウェハＷの傾斜角度θとウェハＷの残水量
との関係を実際に測定したので、その結果を図２(a)に
示す。By the way, the inclination angle θ of the wafer W is
The tilt angle θ is set as appropriate within a range necessary and sufficient to achieve the above object. In the present embodiment, the inclination angle θ is 5 ° to 6 °.
° degree. That is, in setting this angle,
Since the applicant of the present application actually measured the relationship between the inclination angle θ of the wafer W and the residual water amount of the wafer W, the result is shown in FIG.
【００２１】この図２(a) では、試験用に四角のガラス
板（ウェハＷの代替品）を用いるとともに、上記残水量
を示す代わりに、上記ガラス板を傾斜させた際に当該ガ
ラス板の下端部に現れた純水の幅（残水幅Ｌ）の関係を
示す（図２(b) 参照）。この図２(a) からも明らかなよ
うに、傾斜角度θを大きくしても一定の角度（５°付
近）以上では残水幅Ｌは殆ど変化しない。つまり、ガラ
ス板を傾斜させるとガラス板上の水分はガラス板の下端
部へ集まるとともに、ガラス板の角度を大きくするとガ
ラス板から滴下する。そして、傾斜角度θが５°以上に
なると、滴として落ちる水分は殆どなくなり、後はその
状態がほぼ維持される。したがって、傾斜角度を５°以
上としても余分な水分除去としての効果はそれ程望めな
いため、本実施形態では上記のとおり傾斜角度θが設定
されている。In FIG. 2A, a square glass plate (alternative to the wafer W) is used for the test, and instead of indicating the residual water amount, when the glass plate is tilted, The relationship between the width of the pure water appearing at the lower end (remaining water width L) is shown (see FIG. 2 (b)). As is clear from FIG. 2 (a), even if the inclination angle θ is increased, the remaining water width L hardly changes over a certain angle (around 5 °). That is, when the glass plate is tilted, moisture on the glass plate collects at the lower end of the glass plate, and when the angle of the glass plate is increased, the water drops from the glass plate. When the inclination angle θ is 5 ° or more, almost no water drops as drops, and the state is substantially maintained thereafter. Therefore, even if the inclination angle is set to 5 ° or more, the effect of removing excess water is not so much expected. Therefore, in the present embodiment, the inclination angle θ is set as described above.
【００２２】そして、この洗浄液供給装置２の下流側に
は、置換媒体液供給装置３が配置される（図１(b) 参
照）。この置換媒体液供給装置３は、上記傾斜付与装置
５により傾斜が与えられることにより不必要な洗浄液Ａ
が除去されたウェハＷに対して置換媒体液Ｂを供給する
装置であり、上記洗浄液供給装置２と同様に置換媒体液
を噴射するスプレーノズル３１で構成され、図外の洗浄
液供給源から供給される置換媒体液Ｂが上記スプレーノ
ズル３１を介してウェハＷ上に噴射される。Further, a replacement medium liquid supply device 3 is disposed downstream of the cleaning liquid supply device 2 (see FIG. 1 (b)). This replacement medium liquid supply device 3 is provided with an unnecessary cleaning liquid A by being inclined by the inclination imparting device 5.
Is a device for supplying the replacement medium liquid B to the wafer W from which the cleaning medium has been removed, and comprises a spray nozzle 31 for spraying the replacement medium liquid in the same manner as the cleaning liquid supply device 2, and supplied from a cleaning liquid supply source (not shown). The replacement medium liquid B is sprayed onto the wafer W via the spray nozzle 31.
【００２３】より具体的には、図１(b) に示すように、
このスプレーノズル３１は、ウェハＷの全面に対して置
換媒体液Ｂを噴射可能なようにウェハＷとほぼ同幅の細
長いノズルとされる。そして、このスプレーノズル３１
による置換媒体液Ｂの供給は、図１(b) に示すように、
ウェハＷに傾斜を与えた状態で行なわれることが好まし
い。More specifically, as shown in FIG.
The spray nozzle 31 is an elongated nozzle having substantially the same width as the wafer W so that the replacement medium liquid B can be jetted onto the entire surface of the wafer W. And this spray nozzle 31
The supply of the replacement medium liquid B is performed as shown in FIG.
It is preferable to perform the process in a state where the wafer W is inclined.
【００２４】すなわち、本発明では上記傾斜付与装置５
によって搬送経路自体に傾斜が与えられているので、こ
の傾斜によってウェハＷ上の余分な洗浄液Ａを流下させ
るとともに、ウェハＷをその状態のまま（つまり傾斜を
維持したまま）スプレーノズル３１まで搬送し、そこで
置換媒体液Ｂが供給される。つまり、こうすることによ
り、洗浄液Ａと同様に余分な置換媒体液Ｂも流下させる
ことができ、乾燥に必要な時間の更なる短縮を期待する
ことができる。That is, in the present invention, the inclination imparting device 5 is used.
Since the transfer path itself is inclined, the extra cleaning liquid A on the wafer W flows down by this inclination, and the wafer W is transferred to the spray nozzle 31 in that state (that is, while maintaining the inclination). Then, the replacement medium liquid B is supplied. That is, by doing so, the excess replacement medium liquid B can flow down in the same manner as the cleaning liquid A, and it is possible to expect a further reduction in the time required for drying.
【００２５】そして、このスプレーノズル３１から噴射
される置換媒体液Ｂとしては、上記洗浄液に溶解する物
質、たとえば洗浄液が純水の場合には親水性を有するＩ
ＰＡなどが好適に用いられる。したがって、この置換媒
体液Ｂが供給されると、ウェハＷ上に残留する洗浄液
（純水）にこの置換媒体液（ＩＰＡ）が溶解し、洗浄液
は置換媒体液に置換され、この状態で続く乾燥処理が行
なわれる。なお、置換媒体液Ｂとしては、洗浄液Ａと置
換媒体液Ｂとの溶解度が不足すると、両者が分離して置
換が期待できないため、上述した純水に対するＩＰＡの
ように、洗浄液Ａに十分に溶解されるものであることが
望ましい。The replacement medium liquid B ejected from the spray nozzle 31 is a substance soluble in the above-mentioned cleaning liquid, for example, a hydrophilic liquid I when the cleaning liquid is pure water.
PA and the like are preferably used. Therefore, when the replacement medium liquid B is supplied, the replacement medium liquid (IPA) is dissolved in the cleaning liquid (pure water) remaining on the wafer W, and the cleaning liquid is replaced with the replacement medium liquid, and the subsequent drying is performed in this state. Processing is performed. When the solubility of the cleaning medium A and the replacement medium liquid B is insufficient, the replacement medium liquid B separates the two and cannot be expected to be replaced. It is desirable that it be done.
【００２６】そして、この置換媒体液供給装置３の下流
側には気体噴射装置４が配置される。この気体噴射装置
４としては従来より周知のエアナイフ４１が好適に用い
られる。すなわち、上記置換媒体液供給装置３により置
換媒体液に置換された洗浄液の除去は、このエアナイフ
４１から吹き出されるクリーンエア等の気体の流速によ
って行なわれる。A gas injection device 4 is disposed downstream of the replacement medium liquid supply device 3. As the gas injection device 4, a conventionally known air knife 41 is preferably used. That is, the removal of the cleaning liquid replaced with the replacement medium liquid by the replacement medium liquid supply device 3 is performed by the flow velocity of the gas such as clean air blown out from the air knife 41.
【００２７】しかして、本発明の乾燥装置では、このよ
うにウェハＷに置換媒体液Ｂを供給するにあたり、ウェ
ハＷに傾斜を与えて余分な洗浄液Ａの除去を行なうこと
から、従来に比べ置換媒体液Ｂの使用量を少なく抑える
ことができる一方で、ウェハＷ上の水分が少なくなるた
め、乾燥処理時の搬送速度を従来より早くできる。However, in the drying apparatus of the present invention, when the replacement medium liquid B is supplied to the wafer W in this manner, the wafer W is inclined to remove the excess cleaning liquid A, so that the replacement liquid is reduced compared to the conventional apparatus. While the amount of the medium liquid B used can be reduced, the moisture on the wafer W is reduced, so that the transfer speed during the drying process can be higher than before.
【００２８】この点について、本願出願人が実際に本発
明の乾燥装置によって乾燥処理を行なった結果を以下の
表１および表２に示す。なお、この実験にあたっては、
図３(a) に示すように、５５０×６５０サイズのパレッ
トＰに８インチウェハＷを６枚載せ（図３(b) 参照）、
この状態で０．５％のＨＦ（フッ酸）溶液中に１分間浸
漬してウェハＷ上の酸化膜をエッチングし本乾燥装置に
て乾燥処理したものを用いた。また、ウォータマークの
検出にあたっては、各ウェハＷを１００倍の倍率の顕微
鏡にてウェハ端部１０ｍｍを除いて観察を行なった。ま
た、表１は本実施形態に係る乾燥装置において、傾斜付
与装置５を用いず、すなわち傾斜を与えない状態で乾燥
処理を行なった場合を示し、また、表２は傾斜を与えた
状態を示している。In this regard, Tables 1 and 2 below show the results of the actual drying treatment performed by the applicant of the present invention using the drying apparatus of the present invention. In this experiment,
As shown in FIG. 3A, six 8-inch wafers W are placed on a pallet P of 550 × 650 size (see FIG. 3B).
In this state, an oxide film on the wafer W was immersed in a 0.5% HF (hydrofluoric acid) solution for 1 minute to etch the oxide film on the wafer W, and the wafer W was subjected to a drying treatment. In detecting the watermark, each wafer W was observed with a microscope having a magnification of 100 times, except for the end portion 10 mm of the wafer. Table 1 shows the case where the drying device according to the present embodiment does not use the inclination imparting device 5, that is, the drying process is performed without imparting the inclination, and Table 2 shows the state where the inclination is imparted. ing.
【００２９】[0029]
【表１】 [Table 1]
【００３０】ただし、表１では置換媒体液としてＩＰＡ
を、５５０×６６０サイズのパレットＰに１，０００ｃ
ｃ使用した場合である。However, in Table 1, IPA was used as the replacement medium liquid.
To a pallet P of 550 x 660 size with 1,000 c
c is used.
【００３１】[0031]
【表２】 [Table 2]
【００３２】ただし、表２では置換媒体液としてＩＰＡ
を、５５０×６５０サイズのパレットＰに１００ｃｃ使
用した場合である。However, in Table 2, IPA was used as the replacement medium liquid.
Is a case where 100 cc is used for a pallet P of 550 × 650 size.
【００３３】この表１および表２からも理解できるよう
に、まず、乾燥処理に際して置換媒体液Ｂを用いること
によってウォータマークの減少を図ることができること
は明白であるが（表１参照）、置換媒体液Ｂを用いかつ
ウェハＷに傾斜を与えた場合には、置換媒体液Ｂの使用
量が１／１０であるにもかかわらず、搬送速度を４０ｍ
ｍ／秒としても従来の２０ｍｍ／秒の場合と変わらない
結果が得られた他（表２）、搬送速度を６０ｍｍ／秒と
しても従来の３０ｍｍ／秒と殆ど変わらない結果を得る
ことができた。As can be understood from Tables 1 and 2, it is apparent that the use of the replacement medium liquid B in the drying treatment can reduce the watermark (see Table 1). When the medium W is used and the wafer W is inclined, the transfer speed is set to 40 m despite the use amount of the replacement medium B being 1/10.
In addition to the result that was not different from the conventional case of 20 mm / sec even at m / sec (Table 2), the result was almost the same as the conventional 30 mm / sec even when the conveying speed was 60 mm / sec. .
【００３４】つまり、本実施形態の乾燥装置によれば、
従来に比べ置換媒体液Ｂの使用量が１／１０で、しかも
約２倍の搬送速度にて乾燥可能である。なお、この実験
ではＩＰＡは室温度で供給したが、温度をあげＩＰＡ蒸
気を噴霧すると、表面張力が低下することから、ＩＰＡ
の使用量をさらに削減できる。また、同一使用量の場
合、高速の搬送速度にて乾燥性能を向上させることがで
きる。したがって、この実施形態１の発明によれば、経
済的にしかも短時間で乾燥処理を行なうことができ、し
かもウォータマークの発生も従来より低く抑えることが
できる。That is, according to the drying apparatus of the present embodiment,
The amount of the replacement medium liquid B used is 1/10 of that used in the related art, and drying can be performed at about twice the conveying speed. In this experiment, IPA was supplied at the room temperature. However, when IPA vapor was sprayed by increasing the temperature, the surface tension was reduced.
Can be further reduced. Further, in the case of the same use amount, the drying performance can be improved at a high transport speed. Therefore, according to the first embodiment of the present invention, the drying process can be performed economically and in a short time, and the occurrence of a watermark can be suppressed lower than before.
【００３５】実施形態２ 次に本発明の第２の実施形態について図４を基に説明す
る。Embodiment 2 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【００３６】本実施形態は、乾燥処理にスピン乾燥方式
を採用したもので、洗浄液供給装置２′、置換媒体液供
給装置３′および傾斜付与装置５′が付加されている以
外は他の基本的な構成は従来のスピンドライヤと同様で
ある。The present embodiment employs a spin drying method for the drying process, and is basically the same as that of the first embodiment except that a cleaning liquid supply device 2 ', a replacement medium liquid supply device 3' and a tilt applying device 5 'are added. The configuration is the same as that of the conventional spin dryer.
【００３７】すなわち、この乾燥装置は、ウェハＷを保
持するテーブル（基板保持テーブル）７と、このテーブ
ル７を回転させるための回転駆動装置８およびこれらを
連結する回転軸９とを主要部として構成される。テーブ
ル７にはウェハＷを把持するチャック７１が設けられ、
ウェハＷはこのチャック７１によって上記テーブル７上
に保持される。なお、図４において１０はテーブル７が
回転した際にウェハＷ上の洗浄液等が飛散するので、飛
散防止のためのケーシングを示している。That is, the drying apparatus is mainly composed of a table (substrate holding table) 7 for holding the wafer W, a rotation driving device 8 for rotating the table 7, and a rotating shaft 9 for connecting these. Is done. The table 7 is provided with a chuck 71 for holding the wafer W,
The wafer W is held on the table 7 by the chuck 71. In FIG. 4, reference numeral 10 denotes a casing for preventing the cleaning liquid or the like on the wafer W from scattering when the table 7 rotates.
【００３８】また、この実施形態においては、上記ケー
シング１０の上端付近に上記テーブル７に臨んで洗浄液
供給装置２′が設けられるとともに、上記置換媒体液供
給装置３′が上記ケーシング１０の上端部の開口部１０
ａに対して進出退入可能（図４矢符(A) 参照）に設けら
れている。In this embodiment, a cleaning liquid supply device 2 'is provided near the upper end of the casing 10 so as to face the table 7, and the replacement medium liquid supply device 3' is provided at the upper end of the casing 10. Opening 10
It is provided to be able to enter and exit (see arrow (A) in FIG. 4).
【００３９】しかして、この実施形態においては乾燥装
置が以下のように動作してウェハＷの乾燥処理が行なわ
れる。まず、前工程から図外の搬送装置によって搬送さ
れたウェハＷがテーブル７上に保持される（図４(a) 参
照）。次に傾斜付与装置５′を動作させてウェハＷに傾
斜が与えられる（図４(b) の矢符(B) 参照）。ここで図
示例では、ウェハＷに傾斜を与えるに際して上記回転駆
動装置８から上部が全て傾くように構成されているが、
もちろんテーブル７ないしはウェハＷを傾斜させるもの
であれば他の構成を採用することも可能である。また、
この際の傾斜角度θも上記実施形態１と同様に５°乃至
６°が好適である。In this embodiment, the drying apparatus operates as follows to dry the wafer W. First, the wafer W transferred from the previous process by a transfer device (not shown) is held on the table 7 (see FIG. 4A). Next, the tilting device 5 'is operated to tilt the wafer W (see arrow (B) in FIG. 4 (b)). Here, in the illustrated example, when the wafer W is tilted, the upper portion is tilted from the rotation driving device 8.
Of course, other configurations can be adopted as long as the table 7 or the wafer W is inclined. Also,
In this case, the inclination angle θ is preferably 5 ° to 6 ° as in the first embodiment.
【００４０】そして、この状態で上記テーブル７を低速
で回転させながら上記洗浄液供給装置２′から洗浄液Ａ
がウェハＷに噴射される。これは上記実施形態１と同様
にウェハＷ表面の自然乾燥を防止するためである。な
お、この状態では、上記置換媒体液供給装置３′は退入
状態とされ、スプレーノズル３１は上記ケーシング１０
の外側に退避した状態とされる。In this state, the cleaning liquid A is supplied from the cleaning liquid supply device 2 'while rotating the table 7 at a low speed.
Is sprayed onto the wafer W. This is to prevent natural drying of the surface of the wafer W as in the first embodiment. In this state, the replacement medium liquid supply device 3 'is in the retracted state, and the spray nozzle 31 is
Is retracted to the outside of the vehicle.
【００４１】このようにしてウェハＷに傾斜が与えら
れ、前工程でウェハＷ上に残留する洗浄液Ａが流下する
と、続いて上記置換媒体液供給装置３′がケーシング１
０の開口部１０ａに臨む位置まで進出させられ（図４
(b) の矢符(A) 参照）、この状態で置換媒体液Ｂがウェ
ハＷに噴射される。その際には、上記洗浄液Ａの噴射時
と同様にテーブル７が低速回転させられる。When the cleaning liquid A remaining on the wafer W in the previous step flows down as described above, the inclination is given to the wafer W.
4 is advanced to a position facing the opening 10a of FIG.
(See arrow (A) in (b).) In this state, the replacement medium liquid B is jetted onto the wafer W. At this time, the table 7 is rotated at a low speed in the same manner as when the cleaning liquid A is sprayed.
【００４２】そして、次に乾燥処理としてテーブル７を
高速回転させるのであるが、本実施形態では置換媒体液
Ｂの噴射から数秒程度の間隔をおいてから高速回転に移
行するように構成される。すなわち、置換媒体液Ｂを噴
射した後直ちに高速回転に移行すると、ウェハＷから分
離された置換媒体液Ｂの再付着が多くなり、その結果乾
燥に要する時間の増大や置換媒体液Ｂ中のパーティクル
が付着するなどのおそれがあるので、本実施形態ではこ
れを防止するために置換媒体液Ｂを噴射した時と同程度
の回転数を数秒間維持させている。Then, the table 7 is rotated at a high speed as a drying process. In the present embodiment, the high speed rotation is performed after an interval of about several seconds from the injection of the replacement medium liquid B. That is, when the rotation is shifted to the high-speed rotation immediately after the ejection of the replacement medium liquid B, the reattachment of the replacement medium liquid B separated from the wafer W increases, and as a result, the time required for drying increases and the particles in the replacement medium liquid B In the present embodiment, the rotation speed is maintained for several seconds at the same level as when the replacement medium liquid B is jetted in order to prevent such a situation.
【００４３】そして、このような低速回転を数秒間維持
した後は、通常の乾燥処理と同様にたとえば３，０００
ｒｐｍ程度の高速回転に移行させて、ウェハＷの表面に
残留する置換媒体液（洗浄液からの置換物）を回転によ
る遠心力を利用してウェハＷ表面から除去を行なう。な
お、高速回転した後に、上記傾斜付与装置５′を元の位
置、すなわちテーブル７を水平状態に復帰させておくこ
とは勿論である。After maintaining such a low-speed rotation for several seconds, for example, 3,000 in the same manner as in a normal drying process.
The rotation is shifted to a high speed of about rpm, and the replacement medium liquid (substitute from the cleaning liquid) remaining on the surface of the wafer W is removed from the surface of the wafer W by using the centrifugal force due to the rotation. After the high-speed rotation, the inclination applying device 5 'is, of course, returned to the original position, that is, the table 7 is returned to the horizontal state.
【００４４】このようにして、この第２の実施形態にお
いては、スピン乾燥に際して、ウェハＷに洗浄液Ａの供
給と、これに続いてウェハＷを傾斜させての余分な洗浄
液Ａの除去が行なわれた後、さらに置換媒体液Ｂの供給
が行なわれるので、前工程からの移送にともなうウェハ
Ｗ表面の乾燥が防止できる一方で、従来に比べ置換媒体
液Ｂの使用量を少なく抑えることができる。しかも、こ
の場合も上記実施形態と同様に従来よりウォータマーク
の発生を少なく抑えることができる。As described above, in the second embodiment, at the time of spin drying, the supply of the cleaning liquid A to the wafer W and the subsequent removal of the excess cleaning liquid A by tilting the wafer W are performed. After that, since the replacement medium liquid B is further supplied, it is possible to prevent the surface of the wafer W from being dried due to the transfer from the previous process, while suppressing the usage amount of the replacement medium liquid B as compared with the related art. Moreover, in this case, similarly to the above-described embodiment, the generation of the watermark can be suppressed to be smaller than in the related art.
【００４５】すなわち、この点についても、本願出願人
が実際に本実施形態の乾燥装置によって乾燥処理を行な
ったので、その結果を以下の表３および表４に示す。な
お、この実験においても、ウォータマークの検出にあた
り、乾燥処理後のウェハＷを１００倍の倍率の顕微鏡に
てウェハ端部１０ｍｍを除いて観察を行なった。That is, in this regard, the applicant has actually performed the drying treatment by the drying apparatus of the present embodiment, and the results are shown in Tables 3 and 4 below. Also in this experiment, in detecting the watermark, the wafer W after the drying process was observed with a microscope of 100 times magnification except for the wafer end portion 10 mm.
【００４６】[0046]
【表３】 [Table 3]
【００４７】ただし、表３では置換媒体液としてＩＰＡ
を１００ｃｃ使用した場合である。However, in Table 3, IPA was used as the replacement medium liquid.
Is used when 100 cc is used.
【００４８】[0048]
【表４】 [Table 4]
【００４９】ただし、表４では置換媒体液としてＩＰＡ
を５ｃｃ使用した場合である。However, in Table 4, IPA was used as the replacement medium liquid.
5cc is used.
【００５０】この表３および表４からも理解できるよう
に、まず、乾燥処理に際して置換媒体液Ｂを用いること
によってウォータマークの減少を図ることができること
は明白であるが（表３Ｎｏ．１およびＮｏ．２参照）、
置換媒体液Ｂを用いかつウェハＷに傾斜を与えた場合に
は（表４Ｎｏ．１参照）、上記実施形態１の場合と同様
に従来のものより置換媒体液の使用量の削減という結果
を得ることができた。As can be understood from Tables 3 and 4, it is apparent that the use of the replacement medium liquid B in the drying treatment can reduce the watermark (Table 3 No. 1 and No. 3). .2),
When the replacement medium liquid B is used and the wafer W is inclined (see Table 4 No. 1), the result is that the amount of the replacement medium liquid used is reduced as compared with the conventional one, as in the case of the first embodiment. I was able to.
【００５１】なお、上述した実施形態はあくまでも本発
明の好適な実施態様を示すものであって、本発明はこれ
に限定されることなくその範囲内で種々の設計変更が可
能である。以下に改変例の一例を示す。The above-described embodiment merely shows a preferred embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to this, and various design changes can be made within the scope. An example of the modification will be described below.
【００５２】すなわち、たとえば上記実施形態１では、
傾斜付与装置５が回転ローラ１１を構成する一対の回転
部材１２ａ，１２ｂの一方の側を上昇させることにより
ウェハＷに傾斜を与えていたが、本発明においてはウェ
ハＷ自体に傾斜が与えられる構成であれば回転ローラ１
１を傾斜させる必要はなく、他の構成によることも可能
である。That is, for example, in the first embodiment,
The tilting device 5 tilts the wafer W by raising one side of the pair of rotating members 12a and 12b constituting the rotary roller 11, but in the present invention, the wafer W itself is tilted. Then the rotating roller 1
It is not necessary to incline 1 and other configurations are possible.
【００５３】また、傾斜を与える際の傾斜角度θについ
ても上記実施形態では５°乃至６°としたが、ウェハＷ
上の洗浄液Ａを除去することができれば、他の角度に設
定することも可能である。In the above embodiment, the inclination angle θ for giving the inclination is set to 5 ° to 6 °.
If the upper cleaning liquid A can be removed, it can be set to another angle.
【００５４】さらに、置換媒体液Ｂとして上記実施形態
では主としてＩＰＡを用いた場合について説明したが、
乾燥工程において洗浄液Ａの除去を促進する媒体として
使用されるものであれば、他の媒体を使用することも可
能である。Further, in the above embodiment, the case where IPA is mainly used as the replacement medium liquid B has been described.
Other media can be used as long as they are used as a medium for promoting the removal of the cleaning liquid A in the drying step.
【００５５】また、上記実施形態２では、置換媒体液供
給装置３′が置換媒体液Ｂを噴射する構成を採用した
が、たとえば「とい」状のものを用いて置換媒体液Ｂを
滴下する構成を採用することも可能であり、またそうす
ることによって置換媒体液Ｂの使用量をより少なくする
ことが可能である。In the second embodiment, the replacement medium liquid supply device 3 'employs a structure in which the replacement medium liquid B is jetted. Can be adopted, and by doing so, the usage amount of the replacement medium liquid B can be further reduced.
【００５６】さらに、上記実施形態１および２におい
て、ウェハＷの乾燥防止のために洗浄液供給装置２，
２′から洗浄液Ａが供給されていたが、この洗浄液供給
装置２，２′を用いて同時に洗浄工程を行なわせること
も可能である。Further, in the first and second embodiments, the cleaning liquid supply devices 2 and 2 are provided to prevent the drying of the wafer W.
Although the cleaning liquid A has been supplied from 2 ', the cleaning step can be performed simultaneously using the cleaning liquid supply devices 2 and 2'.
【００５７】[0057]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の基板の乾
燥方法によれば、ウェハに対して置換媒体液を供給する
前に一旦ウェハを傾斜させる工程を含むことから、前工
程となる洗浄工程等によってウェハ表面に付着残留する
水分をこの工程でウェハ外へ流下させることにより減少
させることができる。そして、この状態で置換媒体液の
供給が行なわれるので、ウェハ上の洗浄液の置換に必要
な置換媒体液の量を従来の水平状態のものより少なく抑
えることができる。As described above in detail, according to the method for drying a substrate of the present invention, a step of inclining the wafer once before supplying the replacement medium liquid to the wafer is included, so that the method is a preceding step. Moisture remaining on the wafer surface due to a cleaning process or the like can be reduced by flowing down outside the wafer in this process. Since the replacement medium liquid is supplied in this state, the amount of the replacement medium liquid required for replacing the cleaning liquid on the wafer can be suppressed to be smaller than that in the conventional horizontal state.
【００５８】しかも、ウェハ上の洗浄液を減少させた後
に乾燥処理が行なわれるので、この乾燥処理にかかる時
間を短縮することができ、従来より乾燥工程に必要な時
間を短縮することができる。また、ウェハ上に残留する
洗浄液に対しては置換媒体液の供給を行い、洗浄液を置
換した後に乾燥処理が行なわれるので、乾燥処理後のウ
ォータマークの発生を少なく抑えることができ、乾燥性
能の向上を図ることもできる。Moreover, since the drying process is performed after the amount of the cleaning liquid on the wafer is reduced, the time required for the drying process can be reduced, and the time required for the drying process can be reduced as compared with the conventional case. In addition, since the replacement medium liquid is supplied to the cleaning liquid remaining on the wafer, and the drying processing is performed after the replacement of the cleaning liquid, the generation of a watermark after the drying processing can be suppressed and the drying performance can be reduced. It can also be improved.
【図１】本発明に係る一実施形態である基板の乾燥装置
の概略構成図を示し、図１(a)は該乾燥装置の処理方向
に沿った概略断面図であり、また図１(b) は傾斜付与装
置を動作させて基板に傾斜を持たせた際における図１
(a) のＩ−Ｉ線に沿った断面図を示している。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate drying apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a schematic cross-sectional view of the drying apparatus taken along a processing direction, and FIG. FIG. 1) shows a state in which the substrate is inclined by operating the inclination imparting device.
FIG. 3A is a cross-sectional view taken along the line II.
【図２】ウェハの傾斜角度と残水量との関係を示し、図
２(a) はこの関係をガラス板を用いて実際に試験した際
の実測結果を示す図であり、、また図２(b) は図２(a)
で示す残水幅Ｌの測定方法を説明する説明図である。FIG. 2 shows the relationship between the inclination angle of the wafer and the residual water amount, and FIG. 2 (a) is a diagram showing the results of actual measurement when this relationship was actually tested using a glass plate. Fig. 2 (a)
It is explanatory drawing explaining the measuring method of the remaining water width L shown by.
【図３】本発明に係る基板の乾燥装置による乾燥処理の
実験に用いたパレット外観図を図３(a) に示し、また、
同パレットによるウェハの保持状態を示す断面図を図３
(b) に示す。FIG. 3 (a) shows an external view of a pallet used in an experiment of a drying process by a substrate drying apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a wafer holding state by the pallet.
This is shown in (b).
【図４】本発明に係る他の実施形態である基板の乾燥装
置の概略構成図を示し、図４(a) はウェハに傾斜を与え
ない状態を示し、図４(b) は傾斜を与えた状態を示して
いる。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a substrate drying apparatus according to another embodiment of the present invention. FIG. 4 (a) shows a state in which a wafer is not tilted, and FIG. 4 (b) shows a state in which a wafer is tilted. It shows the state where it was turned on.
Ｗ ウェハ Ａ 洗浄液 Ｂ 置換媒体液 θ 傾斜角度 １ 搬送装置 １１ 回転ローラ ２，２′ 洗浄液供給装置 ３，３′ 置換媒体液供給装置 ３１ スプレーノズル ４ 気体噴射装置 ４１ エアナイフ ５，５′ 傾斜付与装置 ６ 制御装置 ７ テーブル（基板保持テーブル） ８ 回転駆動装置 ９ 回転軸 １０ ケーシング W Wafer A Cleaning liquid B Substitution medium liquid θ Inclination angle 1 Conveying device 11 Rotary roller 2, 2 'Cleaning liquid supply device 3, 3' Substitution medium liquid supply device 31 Spray nozzle 4 Gas injection device 41 Air knife 5, 5 'Tilting device 6 Control device 7 Table (substrate holding table) 8 Rotation drive device 9 Rotation shaft 10 Casing
Claims (8)
浄液を置換媒体液にて置換した後に所定の乾燥処理を行
なう基板の乾燥方法であって、 前記基板上に置換媒体液を供給し、該基板表面に残留す
る洗浄液と前記置換媒体液とを置換させる工程におい
て、 前記基板を傾斜させて該基板上に残留する洗浄液を流下
させる工程と、 その後に該基板上に置換媒体液を供給する工程とを含む
ことを特徴とする基板の乾燥方法。1. A method for drying a substrate, wherein a predetermined drying process is performed after replacing a cleaning liquid remaining on a wet-cleaned substrate with a replacement medium liquid, comprising: supplying a replacement medium liquid onto the substrate; In the step of replacing the cleaning liquid remaining on the substrate surface with the replacement medium liquid, a step of inclining the substrate to flow down the cleaning liquid remaining on the substrate; and thereafter, supplying the replacement medium liquid on the substrate. A method for drying a substrate, comprising:
して、前記基板を傾斜させて基板上に洗浄液を供給し、
該基板の乾燥を防止する工程を含むことを特徴とする請
求項１に記載の基板の乾燥方法。2. A cleaning liquid is supplied onto a substrate by inclining the substrate as a pre-process before the step of flowing the cleaning liquid,
The method for drying a substrate according to claim 1, further comprising a step of preventing the substrate from drying.
性のある物質を用いることを特徴とする請求項１に記載
の基板の乾燥方法。3. The method for drying a substrate according to claim 1, wherein a substance having an affinity for the cleaning liquid is used as the replacement medium liquid.
前記乾燥処理として前記基板に気体を吹きつけて該基板
上の置換媒体液を除去する工程を含むことを特徴とする
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板の乾
燥方法。4. After the step of supplying the replacement medium liquid,
The method for drying a substrate according to any one of claims 1 to 3, further comprising a step of blowing a gas onto the substrate to remove a replacement medium liquid on the substrate as the drying process.
前記乾燥処理として前記基板を高速回転させて該基板上
の置換媒体液を除去する工程を含むことを特徴とする請
求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板の乾燥
方法。5. After the step of supplying the replacement medium liquid,
The method for drying a substrate according to any one of claims 1 to 3, further comprising a step of rotating the substrate at a high speed to remove the replacement medium liquid on the substrate as the drying process.
る搬送装置と、 前記搬送装置の搬送経路上において基板に傾斜を与える
傾斜付与装置と、 前記傾斜付与装置で傾斜が与えられた基板に置換媒体液
を供給する置換媒体液供給装置と、 前記置換媒体液供給装置により置換媒体液が供給された
基板に気体を噴出させる気体噴射装置とを備えたことを
特徴とする基板の乾燥装置。6. A transfer device for transferring a substrate after the wet cleaning step, a tilting device for tilting the substrate on a transfer path of the transfer device, and a substrate having a tilt provided by the tilting device. A substrate drying apparatus, comprising: a replacement medium liquid supply device that supplies a medium liquid; and a gas ejection device that ejects gas to the substrate to which the replacement medium liquid has been supplied by the replacement medium liquid supply device.
を供給する洗浄液供給装置が設けられたことを特徴とす
る請求項６に記載の基板の乾燥装置。7. The apparatus for drying a substrate according to claim 6, wherein a cleaning liquid supply device for supplying a cleaning liquid to the substrate is provided upstream of the transport path.
転させて乾燥させる乾燥装置であって、少なくとも前記
基板を保持する基板保持テーブルと、 この基板保持テーブル上に保持された基板に洗浄液を供
給する洗浄液供給装置と、 前記基板保持テーブル上に保持された基板に置換媒体液
を供給する置換媒体液供給装置と、 前記基板保持テーブルを高速回転させる回転駆動装置
と、 前記基板保持テーブルに保持された基板に傾斜を与える
傾斜付与装置とを備えたことを特徴とする基板の乾燥装
置。8. A drying device for rotating a substrate after a wet cleaning step by rotating the substrate at a high speed to dry the substrate, comprising: a substrate holding table for holding at least the substrate; and a cleaning liquid supplied to the substrate held on the substrate holding table. A cleaning liquid supply device, a replacement medium liquid supply device for supplying a replacement medium liquid to a substrate held on the substrate holding table, a rotation driving device for rotating the substrate holding table at a high speed, and a rotation driving device held by the substrate holding table. And a tilt applying device for tilting the substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36520997A JPH11186210A (en) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | Method of drying wafer and drying device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36520997A JPH11186210A (en) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | Method of drying wafer and drying device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186210A true JPH11186210A (en) | 1999-07-09 |
Family
ID=18483705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36520997A Pending JPH11186210A (en) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | Method of drying wafer and drying device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186210A (en) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041029 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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