JPH11186160A - Substrate aligner and substrate edge exposing method by using the same - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate aligner which has little consumption power and the long life of a light source and can improve throughput, and a substrate edge exposing method using the equipment. SOLUTION: A xenon flash lamp 541 is electrically connected with a control part, and does not generate light while an exposing part 50 is moving. When the exposing part 50 moves, and an exposing head 530 stops above an exposure objective position in the exposure surface of a substrate W, the lamp 541 generates repetition pulse lights at a specified pulse frequency. A quartz rod 542 has a square pole form whose section is square, and all of the six outer surfaces are optically polished. The light generated from the xenon lamp 541 enters a plane of incidence 542a and repeats total reflection from each side surface in the inside. Uniform illuminance distribution is obtained on the output surface 542b and its light is outputted, which forms an image on the exposure surface of the substrate W through an imagery lens system.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光
ディスク用基板等の基板（以下「基板」という。）に露
光を行う基板露光装置およびそれを使用した基板端縁露
光方法に関する。[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
The present invention relates to a substrate exposure apparatus for exposing a substrate (hereinafter, referred to as a “substrate”) such as a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, and a substrate for an optical disk, and a substrate edge exposure method using the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来から基板露光装置、例えば端縁露光
装置においては、その光学系の主要部の構造図である図
１８に示すランプハウス９０１内において、超高圧水銀
灯９０２からの光は楕円鏡９０３で集光され、レジスト
感度に合わせた干渉フィルター９０４および濃度変更可
能なＮＤフィルター９０５を通過後、開閉するシャッタ
ー９０６が開かれている場合にはそれを通過してランプ
ハウス９０１外に至り、光ファイバー９０７ａを複数本
束ねた光ファイバーバンドル９０７に入射する。そし
て、光ファイバーバンドル９０７は図示しない結像レン
ズ系を内部に備えた露光ヘッドに連結されており、その
露光ヘッド内において光ファイバーバンドル９０７の出
射端付近には図示しない矩形形状のスリットが設けられ
ており、このスリットを通過した光は露光ヘッド内に導
かれて結像レンズにより基板の露光面に至り、そこにス
リット形状の像を形成する。また、露光ヘッドには、水
平面内のＸ軸、Ｙ軸からなる２つの直交軸方向の駆動機
構が設けられている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a substrate exposure apparatus, for example, an edge exposure apparatus, light from an ultra-high pressure mercury lamp 902 is reflected by an elliptical mirror in a lamp house 901 shown in FIG. After being condensed at 903 and passing through the interference filter 904 and the ND filter 905 that can change the density according to the resist sensitivity, if the shutter 906 that opens and closes is open, it passes through it and reaches the outside of the lamp house 901. The light enters the optical fiber bundle 907 in which a plurality of optical fibers 907a are bundled. The optical fiber bundle 907 is connected to an exposure head having an imaging lens system (not shown) therein, and a rectangular slit (not shown) is provided in the exposure head near the emission end of the optical fiber bundle 907. The light passing through the slit is guided into the exposure head, reaches the exposure surface of the substrate by the imaging lens, and forms a slit-shaped image there. Further, the exposure head is provided with two orthogonal axis drive mechanisms including an X axis and a Y axis in a horizontal plane.

【０００３】そして、その駆動機構による駆動により露
光ヘッドは基板に対して相対的に移動しつつ、露光対象
領域を通過中はシャッター９０６が開かれ、ＮＤフィル
ター９０５により常時点灯している超高圧水銀灯から発
せられた光が所定の強度になるように調節された後、基
板の露光面にスリット形状の像が露光されていく。[0003] The exposure head is moved relative to the substrate by the drive of the drive mechanism, a shutter 906 is opened while passing through the exposure target area, and an ultra-high pressure mercury lamp that is always turned on by the ND filter 905. After the light emitted from the substrate is adjusted to have a predetermined intensity, a slit-shaped image is exposed on the exposure surface of the substrate.

【０００４】そして、この装置では、このような露光処
理を繰り返し行うことによって基板の露光面におけるチ
ップパターンを形成する領域の外側から端縁部にかけて
の領域である端縁領域全体を露光する。In this apparatus, by repeating such exposure processing, the entire edge area, which is the area from the outside of the area where the chip pattern is formed on the exposure surface of the substrate to the edge, is exposed.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、超高圧水銀
灯は瞬時点灯が不可能であるため、上記のように露光処
理中、常時点灯させているため、シャッター９０６を閉
じている間の発光は無駄になり消費電力がかさみ、さら
に、常時点灯していることにより超高圧水銀灯９０２の
寿命が短くなっていた。Since the ultra-high pressure mercury lamp cannot be turned on instantaneously, the light is always turned on during the exposure process as described above, so that the light emission while the shutter 906 is closed is wasted. As a result, the power consumption is increased, and the lifetime of the ultra-high pressure mercury lamp 902 is shortened due to the constant lighting.

【０００６】また、光ファイバーバンドル９０７は各光
ファイバー９０７ａのクラッドや各光ファイバー９０７
ａ間の隙間のため光のロスがあり、十分な強度が得られ
ず、そのため露光時間が長くなり、スループットが低下
していた。The optical fiber bundle 907 includes a clad of each optical fiber 907a and each optical fiber 907a.
There was a loss of light due to the gap between a and a sufficient intensity could not be obtained, and thus the exposure time was prolonged and the throughput was reduced.

【０００７】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、消費電力が少なく、光源の寿命
が長く、さらに、スループットを向上することができる
基板露光装置およびそれを用いた基板端縁露光方法を提
供することを目的とする。The present invention is intended to overcome the above-mentioned problems in the prior art, and has a low power consumption, a long life of a light source, and a substrate exposure apparatus capable of improving a throughput, and a substrate using the same. It is an object to provide an edge exposure method.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項１の装置は、基板の露光を行う装
置であって、基板にパルス光を照射する光源と、光源か
らの光が基板面上のパターンの非形成箇所に照射される
ように基板と光源とを相対的に移動させる相対移動手段
とを備える。According to a first aspect of the present invention, there is provided an apparatus for exposing a substrate, comprising: a light source for irradiating the substrate with pulsed light; A relative movement unit configured to relatively move the substrate and the light source so that light is applied to a portion of the substrate surface where a pattern is not formed.

【０００９】また、この発明の請求項２の装置は、請求
項１に記載の基板露光装置であって、基板にパルス光を
照射する光源が、キセノンフラッシュランプであること
を特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate exposure apparatus according to the first aspect, wherein the light source for irradiating the substrate with the pulse light is a xenon flash lamp.

【００１０】また、この発明の請求項３の装置は、請求
項１または請求項２に記載の基板露光装置であって、光
源と基板との間に、光源から照射されたパルス光を基板
に導く導光ロッドを配置したことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate exposure apparatus according to the first or second aspect, wherein the pulse light emitted from the light source is applied to the substrate between the light source and the substrate. A light guide rod for guiding is provided.

【００１１】また、この発明の請求項４の装置は、請求
項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板露光装置で
あって、一枚の基板に対して露光処理を行う際に光源を
パルス点灯駆動するとともに、当該一枚の基板に対する
露光処理が終了すると光源のパルス点灯駆動を停止させ
る点灯駆動制御手段を備える。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate exposure apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein a light source is used when performing exposure processing on one substrate. Lighting drive control means for performing pulse lighting driving and stopping the pulse lighting driving of the light source when the exposure processing for the one substrate is completed.

【００１２】また、この発明の請求項５の装置は、請求
項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板露光装置で
あって、相対移動手段がほぼ円形の基板を保持して回転
させる回転保持手段を含み、当該回転保持手段で回転さ
れる基板の端縁領域を光源により基板の円周方向にわた
って露光するものであることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the substrate exposing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the relative moving means holds and rotates the substantially circular substrate. It is characterized by including a holding means, and exposing an edge region of the substrate rotated by the rotation holding means over a circumferential direction of the substrate by a light source.

【００１３】また、この発明の請求項６の基板露光装置
は、基板の露光を行う装置であって、(a) パルス発光が
可能な光源と、光源からのパルス光を導光する導光ロッ
ドとを有し、導光ロッドを通った後のパルス光を基板の
照射光として出射する光学部と、(b) 光学部と基板とを
相対的に移動させて、基板の露光対象領域に対する照射
光の位置決めを行う移動手段と、(c) 相対的な移動と光
源のパルス発光制御とを同期して行う同期制御手段と、
を備える。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a substrate exposing apparatus for exposing a substrate, comprising: (a) a light source capable of pulsed light emission; and a light guide rod for guiding pulsed light from the light source. And an optical unit for emitting pulsed light after passing through the light guide rod as irradiation light of the substrate; and Moving means for positioning the light, and (c) synchronous control means for synchronizing relative movement and pulse light emission control of the light source,
Is provided.

【００１４】また、この発明の請求項７の装置は、請求
項６に記載の基板露光装置であって、同期制御手段が、
露光対象領域を所定の単位領域ごとに間欠的に露光する
間欠露光制御手段を有することを特徴とする。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the substrate exposure apparatus according to the sixth aspect, wherein the synchronization control means comprises:
An intermittent exposure control means for intermittently exposing the exposure target area for each predetermined unit area is provided.

【００１５】また、この発明の請求項８の装置は、請求
項７に記載の基板露光装置であって、間欠露光制御手段
は、単位領域のサイズに応じたピッチで光学部と基板と
を相対的にステップ移動させるとともに、当該ステップ
移動において光学部と基板とが相対的に一時停止してい
る間に光源から繰返しパルス光を発生させる手段である
ことを特徴とする。According to an eighth aspect of the present invention, there is provided the substrate exposure apparatus according to the seventh aspect, wherein the intermittent exposure control means moves the optical section and the substrate relative to each other at a pitch corresponding to the size of the unit area. Means for stepwise moving the light source and repeatedly generating pulsed light from the light source while the optical section and the substrate are relatively temporarily stopped in the stepping movement.

【００１６】また、この発明の請求項９の装置は、請求
項７に記載の基板露光装置であって、間欠露光制御手段
は、単位領域のサイズの複数倍以上の距離にわたって光
学部と基板とを相対的に連続移動させるとともに、当該
連続移動において光学部と基板とが単位領域のサイズに
相当する距離だけ移動するごとに光源から単パルス光を
発生させる手段であることを特徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the substrate exposure apparatus according to the seventh aspect, wherein the intermittent exposure control means includes an optical unit, a substrate, and a light source which are separated from each other by a plurality of times or more of the size of the unit area. And a means for generating a single pulse light from the light source each time the optical unit and the substrate move by a distance corresponding to the size of the unit area in the continuous movement.

【００１７】また、この発明の請求項１０の装置は、請
求項６に記載の基板露光装置であって、導光ロッドの出
射端面近傍にアパーチャー板を設けたことを特徴とす
る。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the substrate exposing apparatus according to the sixth aspect, wherein an aperture plate is provided near an exit end face of the light guide rod.

【００１８】また、この発明の請求項１１の装置は、請
求項８または請求項９に記載の基板露光装置であって、
露光対象領域が基板の端縁領域であることを特徴とす
る。An apparatus according to an eleventh aspect of the present invention is the substrate exposure apparatus according to the eighth or ninth aspect,
The exposure target area is an edge area of the substrate.

【００１９】また、この発明の請求項１２の方法は、請
求項６に記載の基板露光装置を使用して基板の端縁領域
を露光する基板端縁露光方法であって、(A) 光学部と基
板とを相対的に移動させる工程と、(B) 光学部と基板と
が所定の距離だけ相対移動するごとに、端縁領域内の単
位領域を光学部によって露光する工程と、を備え、所定
の距離は単位領域のサイズに応じた距離であることを特
徴とする。According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a substrate edge exposing method for exposing an edge region of a substrate using the substrate exposing apparatus according to the sixth aspect, wherein (A) And the step of relatively moving the substrate, and (B) each time the optical unit and the substrate relatively move by a predetermined distance, the step of exposing a unit area in the edge region by the optical unit, The predetermined distance is a distance according to the size of the unit area.

【００２０】[0020]

【発明の実施の形態】＜１．第１の実施の形態＞ ＜＜１−１．機構的構成＞＞図１は第１の実施の形態に
おける端縁露光装置の斜視図である。図１においては、
水平面をＸ−Ｙ面とし、鉛直方向をＺ軸方向とする３次
元座標系Ｘ−Ｙ−Ｚが定義されている。以下、図１を用
いてこの端縁露光装置の機構的構成について説明してい
く。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <1. First Embodiment >><< 1-1. Mechanical Configuration >> FIG. 1 is a perspective view of an edge exposure apparatus according to the first embodiment. In FIG.
A three-dimensional coordinate system XYZ that defines a horizontal plane as an XY plane and a vertical direction as a Z-axis direction is defined. Hereinafter, the mechanical configuration of the edge exposure apparatus will be described with reference to FIG.

【００２１】この端縁露光装置は感光性樹脂被膜、取り
分け化学増幅型レジスト膜がその面上に形成された基板
の端縁部分の露光を行うのに好適な装置であって、基台
１０、基板回動部２０、Ｙ軸駆動部３０、Ｘ軸駆動部４
０、露光部５０、Ｘ軸センサ６０、Ｙ軸センサ７０、エ
ッジセンサ８０および制御部９０を備えている。The edge exposure apparatus is an apparatus suitable for exposing an edge portion of a substrate having a photosensitive resin film and, in particular, a chemically amplified resist film formed on the surface thereof. Substrate rotating unit 20, Y-axis driving unit 30, X-axis driving unit 4
0, an exposure unit 50, an X-axis sensor 60, a Y-axis sensor 70, an edge sensor 80, and a control unit 90.

【００２２】基板回動部２０は吸着チャック２１０によ
り基板Ｗを吸着保持し、基板回動モータ２２０の駆動に
より基板Ｗを基板Ｗに対して直角方向を回動軸として所
望の角度について回動する。The substrate rotating unit 20 attracts and holds the substrate W by the suction chuck 210, and rotates the substrate W at a desired angle by driving the substrate rotating motor 220 with the direction perpendicular to the substrate W as the rotation axis. .

【００２３】Ｙ軸駆動部３０は基台１０に固設されたＹ
軸モータ３１０と、その回転軸に連結されたＹ軸ボール
ネジ３２０と、Ｙ軸リニアガイド３３０と、それに摺動
自在に取り付けられるとともに、Ｙ軸ボールネジ３２０
により並進駆動されるＹ軸ベース３４０とを備えたＹ軸
方向の並進駆動機構である。The Y-axis driving unit 30 is a Y-axis
A shaft motor 310, a Y-axis ball screw 320 connected to the rotation shaft thereof, a Y-axis linear guide 330, which is slidably mounted on the Y-axis ball screw 320.
And a Y-axis base 340 that is driven to translate in the Y-axis direction.

【００２４】Ｘ軸駆動部４０はＹ軸駆動部３０のＹ軸ベ
ース３４０にＸ軸方向に渡って設けられたＸ軸リニアガ
イド４１０ならびにＸ軸モータ４２０およびそのＸ軸モ
ータ４２０の回動軸に掛けられるとともにＸ軸方向に渡
って設けられたタイミングベルト４３０とを備えるＸ軸
方向の駆動機構である。The X-axis driving section 40 is connected to an X-axis linear guide 410 provided on the Y-axis base 340 of the Y-axis driving section 30 in the X-axis direction, an X-axis motor 420, and a rotation axis of the X-axis motor 420. This is a drive mechanism in the X-axis direction including a timing belt 430 that is hung and provided in the X-axis direction.

【００２５】露光部５０はＸ軸駆動部４０のＸ軸リニア
ガイド４１０に摺動自在に取り付けられた露光ベース５
１０、タイミングベルト４３０の駆動力を露光ベース５
１０に伝える駆動力伝達部材５２０、露光ベース５１０
に設けられた露光ヘッド５３０を備えており、光を基板
Ｗ上に照射して基板Ｗの端縁部分を露光する。なお、露
光ヘッド５３０の構造については後に詳述する。The exposure unit 50 includes an exposure base 5 slidably mounted on an X-axis linear guide 410 of the X-axis drive unit 40.
10. The driving force of the timing belt 430 is
10, a driving force transmitting member 520, and an exposure base 510
Is provided, and irradiates light onto the substrate W to expose an edge portion of the substrate W. The structure of the exposure head 530 will be described later in detail.

【００２６】Ｘ軸センサ６０は露光部５０の露光ベース
５１０の下端に設けられた図示しない突起がその間を通
過可能に発光素子および受光素子が対向して設けられた
フォトセンサであり、露光ベース５１０のＸ軸方向にお
ける所在位置を検出する。The X-axis sensor 60 is a photosensor provided with a light emitting element and a light receiving element facing each other so that a projection (not shown) provided at the lower end of the exposure base 510 of the exposure unit 50 can pass therethrough. Is detected in the X-axis direction.

【００２７】Ｙ軸センサ７０はＹ軸ベース３４０の下面
に設けられた突起と同様の図示しない突起を検知するＸ
軸センサ６０と同様のフォトセンサであり、Ｙ軸ベース
３４０のＹ軸方向における所在位置を検出する。The Y-axis sensor 70 detects a projection (not shown) similar to the projection provided on the lower surface of the Y-axis base 340.
It is a photo sensor similar to the axis sensor 60, and detects the location of the Y axis base 340 in the Y axis direction.

【００２８】エッジセンサ８０もＸ軸センサ６０および
Ｙ軸センサ７０と同様のフォトセンサであり、上下から
基板回動部２０の吸着チャック２１０上に保持された基
板Ｗを挟むように発光素子と受光素子とを備えており、
その基板Ｗのオリエンテーションフラットまたはノッチ
の検出および基板回動部２０の鉛直方向の回動軸に対す
る基板Ｗの偏心量の検出を行う。The edge sensor 80 is a photo sensor similar to the X-axis sensor 60 and the Y-axis sensor 70. The edge sensor 80 receives light from the light-emitting element so as to sandwich the substrate W held on the suction chuck 210 of the substrate rotating unit 20 from above and below. And an element,
Detection of the orientation flat or notch of the substrate W and detection of the amount of eccentricity of the substrate W with respect to the vertical rotation axis of the substrate rotation unit 20 are performed.

【００２９】そして、上記の各部はＣＰＵおよびメモリ
を備える制御部９０に接続されており、そのうち各駆動
部および露光部５０の動作タイミングを制御することに
よって基板Ｗの端縁露光を行っていく。Each of the above units is connected to a control unit 90 having a CPU and a memory, and controls the operation timing of each drive unit and exposure unit 50 to perform edge exposure of the substrate W.

【００３０】つぎに、本発明の主要部である露光部５０
について、その構造図である図２を用いて、より詳細に
説明していく。Next, the exposure unit 50, which is the main part of the present invention, will be described.
Will be described in more detail with reference to FIG.

【００３１】露光ヘッド５３０はキセノンフラッシュラ
ンプ５４１、石英ロッド５４２、ダイクロイックミラー
５４３及び結像レンズ５３１を備えている。The exposure head 530 includes a xenon flash lamp 541, a quartz rod 542, a dichroic mirror 543, and an imaging lens 531.

【００３２】キセノンフラッシュランプ５４１は小型バ
ルブ５４１ａ内にキセノンガスを封入するとともに、楕
円鏡５４１ｂ、電極５４１ｃ、トリガープローブ（図示
せず）を備えたフラッシュランプである。各波長におけ
る相対放射強度分布のグラフである図３に示すように、
このキセノンフラッシュランプ５４１は、図示しない電
源からの電力の供給に伴って、紫外域から赤外域に渡る
広範囲の波長領域に渡ってパルス発光を行うことが可能
で、とりわけ、化学増幅型レジストの感度がよい２００
ｎｍ〜３００ｎｍの波長の光の発光効率がよく、主に紫
外線露光用光源としての使用に適したものとなってい
る。また、キセノンフラッシュランプ５４１は制御部９
０に電気的に接続されており、制御部９０は後述するよ
うに発光の期間、その開始タイミングおよび発光のパル
ス周期を制御することができる。The xenon flash lamp 541 is a flash lamp in which xenon gas is sealed in a small bulb 541a and provided with an elliptical mirror 541b, an electrode 541c, and a trigger probe (not shown). As shown in FIG. 3, which is a graph of the relative radiation intensity distribution at each wavelength,
The xenon flash lamp 541 can emit pulsed light over a wide wavelength range from ultraviolet to infrared with supply of power from a power supply (not shown). Is good 200
It has good luminous efficiency of light having a wavelength of nm to 300 nm and is suitable mainly for use as a light source for ultraviolet exposure. The xenon flash lamp 541 is connected to the control unit 9.
0, and the control unit 90 can control the light emission period, the start timing thereof, and the light emission pulse period, as described later.

【００３３】石英ロッド５４２は、その斜視図である図
４に示すように、その断面が正方形形である四角柱形状
をなした石英製の導光ロッドであり、その６つの外面が
全て光学研磨されている。これにより、キセノンフラッ
シュランプ５４１から発せられた光は楕円鏡５４１ｂに
より集光されて石英ロッド５４２の一端面である入射面
５４２ａに入射し、その内部において各側面により全反
射を繰り返す。これにより、入射面５４２ａから入射し
た光は石英ロッド５４２内部でミキシングされ、他端面
である出射面５４２ｂで均一な照度分布となって２次光
元として再び出射する。また、石英ロッド５４２の外面
が光学研磨されていることにより、それらの面での反射
の際の散乱によるロスは、ほとんど生じないものとなっ
ている。As shown in FIG. 4 which is a perspective view of the quartz rod 542, the quartz rod 542 is a quadrangular prism-shaped light guiding rod having a square cross section, and all six outer surfaces are optically polished. Have been. As a result, the light emitted from the xenon flash lamp 541 is condensed by the elliptical mirror 541b and is incident on the incident surface 542a, which is one end surface of the quartz rod 542, and the internal surface repeats total reflection by each side surface. As a result, the light incident from the incident surface 542a is mixed inside the quartz rod 542, and has a uniform illuminance distribution at the exit surface 542b, which is the other end surface, and exits again as a secondary light source. In addition, since the outer surfaces of the quartz rod 542 are optically polished, loss due to scattering at the time of reflection on those surfaces hardly occurs.

【００３４】ダイクロイックミラー５４３は、ほぼ紫外
波長域、すなわち波長が約２００ｎｍ〜３００ｎｍの領
域の光のみ反射し、その他の波長の光は透過する性質を
備えており、これにより紫外光露光に不要な波長の光は
ダイクロイックミラーを透過し、基板の露光面には到達
しない。そのため、熱による基板Ｗの膨張やレジスト反
応のムラを防ぐことができる。The dichroic mirror 543 has a property of reflecting only light in a substantially ultraviolet wavelength range, that is, a wavelength region of about 200 nm to 300 nm, and transmitting light of other wavelengths, thereby making it unnecessary for ultraviolet light exposure. The light having the wavelength passes through the dichroic mirror and does not reach the exposure surface of the substrate. Therefore, expansion of the substrate W due to heat and unevenness of the resist reaction can be prevented.

【００３５】結像レンズ５３１は鏡筒内部の２群のレン
ズ５３１ａ，５３１ｂからなり、その両側においてテレ
セントリック（物体側にテレセントリックおよび像側に
テレセントリック）となるように構成されている。その
ため、物体側にテレセントリックであることにより、石
英ロッド５４２の出射面５４２ｂのいずれの位置からも
出射面５４２ｂの法線に対して軸対称に主光線が出射す
るのを無駄なく結像レンズ系５３１に取り込むことがで
きる。The imaging lens 531 includes two groups of lenses 531a and 531b inside the lens barrel, and is configured to be telecentric on both sides (telecentric on the object side and telecentric on the image side). Therefore, by being telecentric on the object side, the imaging lens system 531 can efficiently emit a principal ray from any position of the exit surface 542b of the quartz rod 542 with respect to the normal line of the exit surface 542b. Can be captured.

【００３６】また、基板Ｗの露光面が結像レンズ系５３
１に対して上下（デフォーカス）したとしても、主光線
が基板Ｗの露光面に垂直に入射するので、得られる像の
大きさの変化を抑え、高い露光精度を得ることができ
る。The exposure surface of the substrate W is
Even if the light beam moves up and down (defocus) with respect to 1, the chief ray is perpendicularly incident on the exposure surface of the substrate W, so that a change in the size of the obtained image can be suppressed and high exposure accuracy can be obtained.

【００３７】＜＜１−２．処理および効果＞＞以上のよ
うな機構的構成を備えた端縁露光装置は以下のような手
順に従って基板Ｗの端縁露光処理を行っていく。<< 1-2. Processing and Effect >> The edge exposure apparatus having the above-described mechanical configuration performs the edge exposure processing of the substrate W according to the following procedure.

【００３８】図５は端縁露光の処理を示す図である。以
下、この図を用いてこの装置による端縁露光処理につい
て説明していく。FIG. 5 is a diagram showing an edge exposure process. Hereinafter, the edge exposure processing by this apparatus will be described with reference to FIG.

【００３９】図５に示すように、この端縁露光装置では
基板Ｗの外周部の１／４、すなわち、基板Ｗの２本の直
交する直径によりチップパターン露光領域ＣＡ（図５に
おいて基板Ｗ中のハッチングを施した部分）の周辺部分
である端縁露光領域ＥＡ（図５において基板Ｗ中のハッ
チングを施していない部分）を４等分して露光する。な
お、チップパターン露光領域ＣＡは各チップパターンの
外形が正方形のものとなっているため、ほぼ円形の基板
Ｗの中心を４回軸とする回転対称の形状になっている。As shown in FIG. 5, in this edge exposure apparatus, the chip pattern exposure area CA (in FIG. The edge exposure area EA (the unhatched portion in the substrate W in FIG. 5) which is the peripheral portion of the hatched portion is exposed to four equal portions. Since the chip pattern exposure area CA has a square outer shape of each chip pattern, the chip pattern exposure area CA has a rotationally symmetric shape with the center of the substantially circular substrate W as a four-fold axis.

【００４０】予め制御部９０内に基板Ｗの端縁露光領域
ＥＡの形状に関する情報として、その幅やチップパター
ン露光領域ＣＡに隣接する部分の各辺の長さ等の情報が
保存されている。それを基に制御部９０は、端縁露光処
理の際にはＸ軸駆動部４０、Ｙ軸駆動部３０および基板
回動部２０の動作を制御することによって、露光部５０
を開始位置Ｓから順次矢符を付した一点鎖線Ａ１〜Ａ４
に沿って終了位置Ｅまで移動させつつ、端縁露光領域Ｅ
Ａを露光する。その際、図５中に各矩形で示した単位領
域である露光区画のそれぞれの上方に露光ヘッド５３０
が位置するたびに露光部５０を停止させつつ移動させる
ステップ移動を行い、それに伴って各露光区画の露光を
行っていく。As information on the shape of the edge exposure area EA of the substrate W, information such as its width and the length of each side of the portion adjacent to the chip pattern exposure area CA is stored in the control section 90 in advance. Based on this, the control unit 90 controls the operations of the X-axis driving unit 40, the Y-axis driving unit 30, and the substrate rotating unit 20 during the edge exposure processing, so that the exposure unit 50
And dash-dotted lines A1 to A4, which are sequentially marked with arrows from the start position S.
Along the edge exposure area E while moving to the end position E.
A is exposed. At this time, the exposure head 530 is positioned above each of the exposure sections, which are unit areas indicated by rectangles in FIG.
Each time is located, the exposure unit 50 is moved while being stopped while the exposure unit 50 is moved, and the exposure of each exposure section is performed accordingly.

【００４１】図６はその際の露光ヘッド５３０の移動お
よび停止の動作とキセノンフラッシュランプ５４１の繰
り返しパルス発光との関係を示すタイミングチャートで
ある。図６に示すように、制御部９０は、キセノンフラ
ッシュランプ５４１が消灯した状態で露光部５０を移動
させ、各露光区画上方において露光ヘッド５３０が位置
するように露光部５０を停止させると、キセノンフラッ
シュランプ５４１を所定の周波数で数回の繰り返しパル
ス発光させ、その露光区画を露光する。そして、その露
光区画の露光が終了すると、再びキセノンフラッシュラ
ンプ５４１を消灯した状態で露光部５０の移動を開始
し、隣接する露光区画等の次に露光すべき露光区画上方
に移動させる。このように、制御部９０は露光部５０の
移動、停止およびキセノンフラッシュランプ５４１のパ
ルス発光、消灯を繰り返す同期制御を行うことによって
各露光区画を露光していく。FIG. 6 is a timing chart showing the relationship between the operation of moving and stopping the exposure head 530 and the repeated pulse emission of the xenon flash lamp 541 at that time. As shown in FIG. 6, the control unit 90 moves the exposure unit 50 with the xenon flash lamp 541 turned off and stops the exposure unit 50 so that the exposure head 530 is positioned above each exposure section. The flash lamp 541 emits a pulse repeatedly several times at a predetermined frequency, and the exposure section is exposed. Then, when the exposure of the exposure section is completed, the movement of the exposure section 50 is started with the xenon flash lamp 541 turned off again, and the exposure section 50 is moved above the next exposure section to be exposed, such as an adjacent exposure section. As described above, the control unit 90 exposes each exposure section by performing the synchronous control in which the movement and stop of the exposure unit 50 and the pulse emission and extinguishing of the xenon flash lamp 541 are repeated.

【００４２】図５に戻って説明を続ける。開始位置Ｓか
ら移動していった露光ヘッド５３０は露光区画Ｓ１にお
いて露光を行い、上記のようにして矢符を付した一点鎖
線Ａ１に従って順次、各露光区画を露光していく。そし
て、露光区画Ｓ２の露光が終了すると、制御部９０はチ
ャック２１０を回動させて基板Ｗを矢符ＡＡのように時
計回りに９０゜回動させる。Returning to FIG. 5, the description will be continued. The exposure head 530 that has moved from the start position S performs exposure in the exposure section S1, and sequentially exposes each exposure section according to the dashed-dotted line A1 with an arrow as described above. When the exposure of the exposure section S2 is completed, the controller 90 rotates the chuck 210 to rotate the substrate W clockwise by 90 ° as indicated by an arrow AA.

【００４３】つぎに、露光区画Ｓ３を露光し上記と同様
に順次矢符を付した一点鎖線Ａ２のように露光ヘッド５
３０が位置するように、露光部５０が移動しつつ各露光
区画を露光していき、露光区画Ｓ４の露光が終了する
と、制御部９０は再び基板Ｗを時計回りに９０゜回動さ
せ、次は露光区画Ｓ５から露光区画Ｓ６にかけて各露光
区画を露光し、制御部９０はさらにもう一度基板Ｗを時
計回りに９０゜回動させて露光区画Ｓ７から露光区画Ｓ
８にかけて各露光区画を露光して、最終的に終了位置Ｅ
に至り、端縁露光処理を終了する。Next, the exposure section S3 is exposed, and the exposure head 5 is exposed as indicated by an alternate long and short dash line A2 in the same manner as described above.
The exposure unit 50 moves to expose each exposure section so that the position 30 is located. When the exposure of the exposure section S4 is completed, the control unit 90 rotates the substrate W clockwise again by 90 °, and Exposes each of the exposure sections from the exposure section S5 to the exposure section S6, and the control section 90 further rotates the substrate W clockwise by 90 ° again to expose the exposure section S7 to the exposure section S.
Exposure of each exposure section is performed until the end position E
And the edge exposure processing ends.

【００４４】以上説明したように、第１の実施の形態に
よれば、キセノンフラッシュランプ５４１を光源として
用いているので、制御部９０の制御により必要時のみ点
灯することにより露光を行うことが可能であるので、発
光の立ち上がりの遅い光源を常時点灯させておき、必要
時のみ、その光を基板の露光面に結像させるような装置
に比べて、消費電力を抑えることができる。また、それ
に伴い、従来装置で用いていた超高圧水銀灯等の連続点
灯する光源の寿命は１０００時間程度であったが、フラ
ッシュランプは１億回程度の点灯が可能であり、例えば
１０Ｈｚの周波数でで点灯した場合には３０００時間程
度の寿命があることになり、光源の寿命を長くすること
ができる。そのため、ランプ交換作業も上記の例では１
／３程度で済むこととなり、メンテナンス効率もよくな
る。As described above, according to the first embodiment, since the xenon flash lamp 541 is used as a light source, it is possible to perform exposure by turning on only when necessary under the control of the control unit 90. Therefore, power consumption can be suppressed as compared with an apparatus in which a light source having a slow rise in light emission is always turned on and the light is focused on the exposure surface of the substrate only when necessary. Along with this, the life of a continuously lit light source such as an ultra-high pressure mercury lamp used in a conventional apparatus is about 1000 hours, but a flash lamp can be lit about 100 million times, for example, at a frequency of 10 Hz. When the lamp is turned on, the life of the light source is about 3000 hours, and the life of the light source can be extended. Therefore, the lamp replacement work is also one in the above example.
As a result, maintenance efficiency is improved.

【００４５】また、露光量を発光パルス数及びランプ出
力電圧の増減調整で制御できるのでシャッター、ＮＤフ
ィルター等の発光量を調整する機構を光源以外に設ける
必要がないので装置構成を簡素化でき、製造コストを抑
えることができる。Further, since the exposure amount can be controlled by adjusting the number of light emission pulses and the increase / decrease of the lamp output voltage, it is not necessary to provide a mechanism for adjusting the light emission amount such as a shutter and an ND filter other than the light source, so that the apparatus configuration can be simplified, Manufacturing costs can be reduced.

【００４６】また、キセノンフラッシュランプ５４１は
各パルス発光強度が安定しているので、従来の超高圧水
銀ランプ等のように点灯後の発光強度の変化に対する微
妙な制御を行わなくても、繰り返しパルス発光の周波
数、あるいは印加電圧を変更することにより発光強度を
変化させることができ、容易に露光量の調節を行うこと
ができる。Further, since the xenon flash lamp 541 has a stable pulse emission intensity, it is possible to repeat the pulse emission without performing delicate control on the change of the emission intensity after lighting as in a conventional ultra-high pressure mercury lamp or the like. The light emission intensity can be changed by changing the light emission frequency or the applied voltage, and the exposure amount can be easily adjusted.

【００４７】また、第１の実施の形態によれば石英ロッ
ド５４２によりキセノンフラッシュランプ５４１からの
光を導くものとしたので、従来装置のように光ファイバ
ーバンドルを用いた場合と比べて、光ファイバーのクラ
ッドに相当する空気となり、全反射の臨界角を大きくす
ることができる。従って、光源における広い角度範囲か
らの光を露光のために利用することができ、また、従来
装置のように、各光ファイバーのクラッドやそれらの隙
間による光のロスもないので、光源からの光の利用効率
が高くなり、消費電力を抑え、スループットが向上す
る。According to the first embodiment, since the light from the xenon flash lamp 541 is guided by the quartz rod 542, the cladding of the optical fiber is compared with the case where the optical fiber bundle is used as in the conventional apparatus. And the critical angle of total reflection can be increased. Therefore, light from a wide angle range in the light source can be used for exposure, and since there is no light loss due to cladding of each optical fiber and gaps between them as in the conventional apparatus, light from the light source is not emitted. The utilization efficiency is increased, the power consumption is suppressed, and the throughput is improved.

【００４８】また、光ファイバーバンドルを用いた場合
には上記のようなクラッドや隙間によって、出射端にお
ける出射光の照度分布が均一でなかったのに対して、第
１の実施の形態では石英ロッド５４２の出射面５４２ｂ
における出射光の照度分布が均一であるので、均一に露
光でき、露光品質を向上させることができる。When the optical fiber bundle is used, the illuminance distribution of the outgoing light at the outgoing end is not uniform due to the clad and the gap as described above, whereas in the first embodiment, the quartz rod 542 is used. Outgoing surface 542b of
Since the illuminance distribution of the emitted light is uniform, the exposure can be performed uniformly, and the exposure quality can be improved.

【００４９】また、例えば、端縁露光領域に隅領域（例
えば、図５の露光区画Ｓ１０〜Ｓ１７）が存在する場合
に、連続的に移動させつつ露光を行う場合にはその隅領
域において移動方向を変えると、その隅領域の隅に近い
部分はそれ以外の部分に比べて露光されている時間が相
対的に短くなるため露光ムラが生じるが、この装置では
ステップ移動の停止中にのみ露光を行うので、隅領域に
おいても、露光時間が異なることがないので、ムラなく
露光が行え、したがって、チップパターン領域ＣＡへの
露光かぶりを心配することなく、チップパターン領域Ｃ
Ａの近傍まで露光することができ、露光品質を一層向上
させることができる。Also, for example, when a corner area (for example, exposure sections S10 to S17 in FIG. 5) exists in the edge exposure area, and when exposure is performed while moving continuously, the moving direction in the corner area When the angle is changed, the portion near the corner of the corner region is relatively shorter in exposure time than the other portions, resulting in uneven exposure.However, in this apparatus, the exposure is performed only while the step movement is stopped. Since the exposure time is not different even in the corner area, the exposure can be performed without unevenness, and therefore, the chip pattern area C can be exposed without worrying about the exposure fog on the chip pattern area CA.
Exposure can be performed up to the vicinity of A, and the exposure quality can be further improved.

【００５０】さらに、キセノンフラッシュランプ５４１
自体が軽量であるとともに、シャッターやＮＤフィルタ
ー等の光量の調節機構が必要ないので露光ヘッド５３０
が軽量であることから、装置全体を軽くすることがで
き、さらに、キセノンフラッシュランプ５４１、石英ロ
ッド５４２、ダイクロイックミラー５４３を露光ヘッド
５３０内に収納できることにより、ランプハウスを別置
きにする従来装置と比べて省スペースを実現することが
できる。Further, a xenon flash lamp 541
The exposure head 530 is light in weight and does not require a light amount adjusting mechanism such as a shutter or an ND filter.
Is lighter, the entire apparatus can be made lighter, and the xenon flash lamp 541, the quartz rod 542, and the dichroic mirror 543 can be housed in the exposure head 530. Compared to this, space saving can be realized.

【００５１】＜２．第２の実施の形態＞以下、この発明
の第２の実施の形態について説明していく。この発明の
第２の実施の形態における端縁露光装置の機構的構成と
しては露光ヘッド５３０内に２個のキセノンフラッシュ
ランプ５４５ａ，５４５ｂを備え、それらから発せられ
る光を、角柱の隣接する２側面を鏡面とした反射鏡５４
６で反射して、いずれも石英ロッド５４２へ導いてい
る。これにより、１個のキセノンフラッシュランプによ
り発せられる光より強い光を石英ロッド５４２等を通じ
て基板Ｗの露光面に供給することができるものとなって
いる。<2. Second Embodiment> A second embodiment of the present invention will be described below. As a mechanical configuration of the edge exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention, two xenon flash lamps 545a and 545b are provided in an exposure head 530, and light emitted therefrom is transmitted to two adjacent side surfaces of a prism. Mirror 54 with mirror surface
The light is reflected at 6 and guided to the quartz rod 542. Thus, light stronger than the light emitted from one xenon flash lamp can be supplied to the exposure surface of the substrate W through the quartz rod 542 or the like.

【００５２】なお、その他の機構的構成はこの発明の第
１の実施の形態における端縁露光装置と全く同様であ
る。The other mechanical structures are exactly the same as those of the edge exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【００５３】また、このような機構的構成によりパルス
発光の発光強度が第１の実施の形態に比べて大きくなっ
ており、そのため、図８に示すように露光部５０は各露
光区画位置ごとには停止しない連続移動を行いつつ、露
光ヘッド５３０が各露光区画の上方を通過する瞬間に単
パルス発光、すなわち、１パルス分の発光を行うことに
よって端縁露光を行うものとなっている。このように停
止しないで露光を行う場合、問題となるのは露光結果に
「ぼけ」が生じる可能性があることであるが、第２の実
施の形態における単パルス発光の１回の発光に要する時
間は約８０μ秒であり、このような場合、たとえば、露
光ヘッドの移動速度が２００ｍｍ／ｓであったとしても
露光ズレはわずか、１６μｍ程度のものであり、十分に
容認し得るものである。Further, due to such a mechanical structure, the light emission intensity of the pulse light emission is higher than that of the first embodiment. Therefore, as shown in FIG. The edge exposure is performed by performing single-pulse light emission, that is, light emission for one pulse at the moment when the exposure head 530 passes above each exposure section, while performing continuous movement without stopping. If exposure is performed without stopping as described above, the problem is that "blurring" may occur in the exposure result, but it is necessary for one light emission of single pulse emission in the second embodiment. The time is about 80 μs. In such a case, for example, even if the moving speed of the exposure head is 200 mm / s, the exposure deviation is only about 16 μm, which is sufficiently acceptable.

【００５４】また、パルス発光の周波数は露光区画の間
隔（一辺の長さ）と露光部５０の移動速度から求めら
れ、例えば露光区画の間隔が２０ｍｍ、露光部５０の移
動速度が２００ｍｍ／ｓの場合、単パルス発光の周波数
を１０Ｈｚとすればよい。なお、第２の実施の形態にお
けるキセノンフラッシュランプ５４５ａ，５４５ｂは１
００Ｈｚの周波数まで繰り返しパルス発光を行うことが
できるものとなっているので、露光部５０が上記のよう
な移動速度の場合、露光区画の間隔は最も短い場合で２
ｍｍとすることができる。The frequency of the pulse emission is obtained from the interval between the exposure sections (length of one side) and the moving speed of the exposure section 50. For example, the interval between the exposure sections is 20 mm, and the moving speed of the exposure section 50 is 200 mm / s. In this case, the frequency of the single pulse emission may be set to 10 Hz. Note that the xenon flash lamps 545a and 545b in the second embodiment
Since the pulse emission can be repeatedly performed up to the frequency of 00 Hz, when the exposure unit 50 has the above moving speed, the interval between the exposure sections is 2 in the shortest case.
mm.

【００５５】以上のように、第２の実施の形態によれ
ば、上記のような機構的構成を備えるとともに、上記の
ような露光処理を行うものとなっているので、第１の実
施の形態における「隅領域の露光ムラを抑えて露光品質
を一層向上させることができる」という効果以外の効果
を備えるのに加えて、発光強度が大きいため、各露光区
画の露光に必要な時間が短くて済み、とりわけ、端縁露
光中は露光部５０の移動の停止時間を少なくすることが
できるので、端縁露光処理のスループットが格段に向上
する。また、場合によっては露光部５０は各露光区画位
置ごとには停止しない連続移動を行いつつ露光ヘッド５
３０が各露光区画の上方を通過する瞬間に数パルス発光
させて露光を行うこともできる。As described above, according to the second embodiment, since the above-described mechanical structure is provided and the above-described exposure processing is performed, the first embodiment is performed. In addition to having effects other than the effect that “exposure quality can be further improved by suppressing exposure unevenness in corner areas”, the time required for exposure of each exposure section is short due to the large emission intensity. In particular, since the stop time of the movement of the exposure unit 50 can be reduced during the edge exposure, the throughput of the edge exposure processing is significantly improved. In some cases, the exposure unit 50 performs continuous movement without stopping at each exposure section position,
Exposure can also be performed by emitting a few pulses at the moment when 30 passes above each exposure section.

【００５６】なお、第１の実施の形態においても、高出
力のランプを用いる際には、第２の実施の形態と同様
に、連続移動を行ないつつ単パルスあるいは数パルスで
の露光を行なうことができる。In the first embodiment, when a high-power lamp is used, exposure is performed with a single pulse or several pulses while performing continuous movement, as in the second embodiment. Can be.

【００５７】＜３．第３の実施の形態＞以下、この発明
における第３の実施の形態について説明していく。この
発明の第３の実施の形態である基板露光装置の機構的構
成は図１および図２示す第１の実施の形態のそれと全く
同じである。<3. Third Embodiment> Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described. The mechanical configuration of the substrate exposure apparatus according to the third embodiment of the present invention is exactly the same as that of the first embodiment shown in FIGS.

【００５８】ただし、第３の実施の形態では端縁露光の
処理方法が第１および第２の実施の形態と異なってい
る。すなわち、第１の実施の形態では露光ヘッド５３０
をステップ移動させつつ図５に示す基板Ｗの端縁露光領
域ＥＡの複数の露光区画を露光し、また、第２の実施の
形態では露光ヘッド５３０を端縁露光領域ＥＡの複数の
露光区画上を連続移動させつつ、露光ヘッド５３０が各
露光区画の上方を通過する瞬間に単パルス発光を行うこ
とによって端縁露光を行っていたのに対し、第３の実施
の形態では、露光ヘッド５３０が各露光区画上を連続移
動することは第２の実施の形態と同様であるが、キセノ
ンフラッシュランプ５４１を１つしか備えておらず、１
度のパルス発光による発光量が１つの露光区画を露光す
るのに十分なものとはなっていない。そのため、１つの
露光区画あたり複数回のパルス発光を行うように移動速
度とパルス発光間隔を制御することにより十分な露光を
得ている。なお、各露光区画の露光順（露光ヘッド５３
０の移動経路）やそれに伴う基板Ｗの回転については第
１および第２の実施の形態（図５参照）と同様である。However, the third embodiment differs from the first and second embodiments in the processing method for edge exposure. That is, in the first embodiment, the exposure head 530
Is exposed while exposing a plurality of exposure sections of the edge exposure area EA of the substrate W shown in FIG. 5, and in the second embodiment, the exposure head 530 is moved over a plurality of exposure sections of the edge exposure area EA. Is continuously moved, and the edge exposure is performed by emitting a single pulse at the moment when the exposure head 530 passes above each exposure section. On the other hand, in the third embodiment, the exposure head 530 is The continuous movement on each exposure section is the same as in the second embodiment, except that only one xenon flash lamp 541 is provided.
The amount of light emitted by the first pulse emission is not enough to expose one exposure section. Therefore, sufficient exposure is obtained by controlling the moving speed and the pulse emission interval so that pulse emission is performed a plurality of times per exposure section. The order of exposure in each exposure section (exposure head 53
The movement path of “0”) and the accompanying rotation of the substrate W are the same as in the first and second embodiments (see FIG. 5).

【００５９】図９は第３の実施の形態における露光ヘッ
ド５３０の動作とパルス発光との関係を示すタイミング
チャートである。図９に示すように、露光ヘッド５３０
が各露光区画を露光している時間に当たる時間ｔ１，ｔ
３の間は常時、繰り返しパルス発光が行われている。ま
た、時間ｔ２は図５における露光区画以外の上方位置に
露光ヘッド５３０が位置し、例えば基板Ｗが１／４回転
する時間である待機時間等を示している。FIG. 9 is a timing chart showing the relationship between the operation of the exposure head 530 and the pulse emission according to the third embodiment. As shown in FIG.
Is the time during which each exposure section is exposed, t1 and t
During the period 3, pulse emission is repeatedly performed. The time t2 indicates a standby time or the like in which the exposure head 530 is located at an upper position other than the exposure section in FIG.

【００６０】以上のように、第３の実施の形態によれ
ば、上記のような機構的構成を備え、上記のような露光
処理を行うものとなっているので、第２の実施の形態と
ほぼ同様の効果を有するのに加えて、露光ヘッド５３０
を連続移動させつつ、パルス発光を繰り返しながら露光
するので、発光と移動とのタイミングを厳密に制御しな
くてもよいため、その制御を容易に行うことができる。As described above, according to the third embodiment, the above-described mechanical structure is provided and the above-described exposure processing is performed. In addition to having substantially the same effect, the exposure head 530
Exposure is performed while repeating pulse light emission while continuously moving the light source. Therefore, it is not necessary to strictly control the timing of light emission and movement, so that the control can be easily performed.

【００６１】＜４．第４の実施の形態＞以下、この発明
における第４の実施の形態について説明していく。この
発明の第４の実施の形態である基板露光装置の機構的構
成は図１および図２に示す第１の実施の形態のそれと全
く同じである。<4. Fourth Embodiment> A fourth embodiment of the present invention will be described below. The mechanical configuration of a substrate exposure apparatus according to a fourth embodiment of the present invention is exactly the same as that of the first embodiment shown in FIGS.

【００６２】ただし、第１〜第３の実施の形態では図５
に示すように基板Ｗの端縁露光領域ＥＡ全体を露光して
いたのに対して、第４の実施の形態では、その露光処理
方法を示す図１０に示すように、半導体ウエハ等の円形
の基板Ｗの端縁露光領域ＥＡのうちの一部、すなわち、
円周部分から一定の幅の帯状の領域である端縁円周領域
ＥＣのみを露光する点が異なっている。具体的には、露
光ヘッド５３０が基板Ｗの端縁円周領域ＥＣのうち、開
始位置Ｓ（終了位置Ｅでもある）の上方位置で停止した
状態でパルス発光を開始し、露光ヘッド５３０および基
板Ｗの動作とパルス発光との関係を示すタイミングチャ
ートである図１１に示すように常時パルス発光を続けな
がら基板Ｗを１回転させることにより端縁円周領域ＥＣ
を露光していく。ただし、吸着チャック２１０に対する
基板Ｗの偏心を補正するために基板Ｗの半径方向への露
光ヘッド５３０の若干の移動は行う。However, in the first to third embodiments, FIG.
As shown in FIG. 10, the entire edge exposure area EA of the substrate W is exposed, whereas in the fourth embodiment, as shown in FIG. Part of the edge exposure area EA of the substrate W, ie,
The difference is that only the peripheral edge area EC, which is a band-shaped area having a constant width from the circumference, is exposed. Specifically, the pulse light emission is started in a state where the exposure head 530 stops at a position above the start position S (also the end position E) in the peripheral edge area EC of the substrate W, and the exposure head 530 and the substrate As shown in FIG. 11, which is a timing chart showing the relationship between the operation of W and the pulsed light emission, the substrate W is rotated once while continuously emitting the pulsed light, whereby the peripheral edge area EC is formed.
Exposure. However, slight movement of the exposure head 530 in the radial direction of the substrate W is performed to correct the eccentricity of the substrate W with respect to the suction chuck 210.

【００６３】なお、端縁円周領域ＥＣの幅は端縁領域内
に収まる範囲内で任意であり、後の搬送ロボット等によ
る基板Ｗの保持の状況等に応じて、基板Ｗの半径方向に
おける露光ヘッド５３０の位置を調整すればよい。The width of the edge circumferential area EC is arbitrary within a range that can be accommodated in the edge area, and may vary in the radial direction of the substrate W in accordance with the state of holding the substrate W by a later transfer robot or the like. What is necessary is just to adjust the position of the exposure head 530.

【００６４】以上のように、第４の実施の形態によれ
ば、上記のような機構的構成を備え、上記のような露光
処理を行うものとなっているので、第３の実施の形態と
ほぼ同様の効果を有する。As described above, according to the fourth embodiment, the above-described mechanical structure is provided and the above-described exposure processing is performed. It has almost the same effect.

【００６５】＜５．第５の実施の形態＞以下、この発明
における第５の実施の形態について説明していく。この
発明の第５の実施の形態である基板露光装置の機構的構
成は図１および図２示す第１の実施の形態のそれと全く
同じである。<5. Fifth Embodiment> The fifth embodiment of the present invention will be described below. The mechanical configuration of the substrate exposure apparatus according to the fifth embodiment of the present invention is exactly the same as that of the first embodiment shown in FIGS.

【００６６】ただし、第１〜第３の実施の形態では図５
に示すように基板Ｗの端縁露光領域ＥＡ全体を露光して
いたのに対して、第５の実施の形態は、その露光処理方
法を示す図１２に示すように、基板Ｗの端縁領域ＥＡの
うち保持領域ＨＡのみを露光する保持領域露光を行う装
置となっている。ここで保持領域ＨＡとは、この装置に
よる露光の工程において基板Ｗが搬送ロボットにより搬
送される際に、その搬送ロボットがその基板Ｗを保持す
るハンドが接触する部分のことであり、第５の実施の形
態では基板Ｗの３カ所の保持領域ＨＡをハンドにより保
持するものである。However, in the first to third embodiments, FIG.
12, the entire edge exposure area EA of the substrate W is exposed. In the fifth embodiment, as shown in FIG. The apparatus performs a holding area exposure that exposes only the holding area HA in the EA. Here, the holding area HA is a portion where the hand holding the substrate W comes into contact with the transfer robot when the substrate W is transferred by the transfer robot in the exposure process by this apparatus. In the embodiment, three holding areas HA of the substrate W are held by a hand.

【００６７】図１３は第５の実施の形態における露光ヘ
ッド５３０および基板Ｗの動作とパルス発光との関係を
示すタイミングチャートである。具体的には、第４の実
施の形態と同様に基板Ｗの端縁から保持領域ＨＡの共通
の幅ｈｗ分だけ内側に入った位置の上方で露光ヘッド５
３０が停止した状態（ただし、ここでも吸着チャック２
１０に対する基板Ｗの偏心を補正するために基板Ｗの半
径方向への露光ヘッド５３０の若干の移動は行う。）
で、基板Ｗを回転させ、露光ヘッド５３０が保持領域Ｈ
Ａに差し掛かるとパルス発光を数回繰り返し（図１３：
時間ｔ２，ｔ４）、それ以外の領域の上方を露光ヘッド
５３０が通過中はパルス発光を行わない（図１３：時間
ｔ１，ｔ３，ｔ５）。そして、全ての保持領域ＨＡを露
光し終わると、すなわち、露光ヘッド５３０が停止位置
Ｅの上方に位置すると基板Ｗの回転を停止するとともに
パルス発光も停止し、保持領域露光処理は終了する。FIG. 13 is a timing chart showing the relationship between the operation of the exposure head 530 and the substrate W and the pulse emission in the fifth embodiment. Specifically, similarly to the fourth embodiment, the exposure head 5 is positioned above a position inward from the edge of the substrate W by the common width hw of the holding area HA.
30 is stopped (however, the suction chuck 2
A slight movement of the exposure head 530 in the radial direction of the substrate W is performed to correct the eccentricity of the substrate W with respect to 10. )
Then, the substrate W is rotated, and the exposure head 530 is moved to the holding area H.
When pulse A is reached, pulse emission is repeated several times (FIG. 13:
At times t2 and t4), the pulse light emission is not performed while the exposure head 530 passes above the other area (FIG. 13: times t1, t3 and t5). When the exposure of all the holding areas HA is completed, that is, when the exposure head 530 is positioned above the stop position E, the rotation of the substrate W is stopped and the pulse emission is stopped, and the holding area exposure processing ends.

【００６８】なお、この例では保持領域ＨＡは３カ所と
したが、これは一例であって、搬送ロボット等のハンド
による基板Ｗの保持位置が２カ所等その他の数で基板Ｗ
と接するようにして保持する場合は、それらの保持領域
の全てを露光すればよく、また、露光を行う幅ｈｗもそ
のハンドによる保持の状況に応じて露光ヘッド５３０の
円周に垂直な方向の位置を調整すればよい。In this example, the holding area HA is three places. However, this is an example, and the holding position of the substrate W by the hand of the transfer robot or the like may be two places or other places.
In the case where the exposure head is held so as to be in contact with the exposure head, all of the holding areas may be exposed, and the width hw of the exposure may be set in the direction perpendicular to the circumference of the exposure head 530 according to the holding state by the hand. The position can be adjusted.

【００６９】以上のように、第５の実施の形態によれ
ば、上記のような機構的構成を備え、上記のような露光
処理を行うものとなっているので、第２の実施の形態と
ほぼ同様の効果を有する。As described above, according to the fifth embodiment, the above-described mechanical structure is provided, and the above-described exposure processing is performed. It has almost the same effect.

【００７０】＜６．第６の実施の形態＞以下、この発明
における第６の実施の形態について説明していく。図１
４はこの発明の第６の実施の形態である基板露光装置の
斜視図であり、図１５はそのうちの露光ヘッド５３０の
構造図である。また、図１６は第６の実施の形態におけ
るスクライブラインＳＬの露光方法を示す図である。<6. Sixth Preferred Embodiment> The sixth preferred embodiment of the present invention will be described below. FIG.
4 is a perspective view of a substrate exposure apparatus according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 15 is a structural view of an exposure head 530 of the apparatus. FIG. 16 is a diagram illustrating a method of exposing the scribe line SL according to the sixth embodiment.

【００７１】図１６に示すように、後にステッパ等の装
置により行われるチップパターン露光領域ＣＡに露光さ
れるチップパターンＣＰ（斜線部。一部にのみ参照符号
を付した。）間のパターンの形成されない隙間で、後に
個々のダイに分割するためのスクライビングが施される
領域であるスクライブラインＳＬ（一部にのみ参照符号
を付した。）を露光する装置であり、基本的な構造およ
び各部の機能は第１の実施の形態における端縁露光装置
とほぼ同様である。ただし、第１の実施の形態では端縁
領域ＥＡのみを露光するものであるとともに、基板Ｗを
９０゜ずつ回転するものであるのでＸ軸駆動部４０とＹ
軸駆動部３０の可動範囲（ストローク）が短くても露光
できたのに対し、第６の実施の形態の装置では露光幅の
精密な制御を必要とするスクライブラインＳＬを露光す
るものであり、さらに各スクライブラインＳＬは基板Ｗ
のチップパターン露光領域ＣＡを横切るものであるた
め、一方向（図６のＸ軸方向またはＹ軸方向）のスクラ
イブラインＳＬを基板Ｗの９０゜回転ごとに複数回に分
けて露光するのではなく、基板Ｗの回転が停止した状態
で一方向のスクライブラインＳＬを全て露光するものと
している。そのため、第６の実施の形態ではＹ軸駆動部
３０とＸ軸駆動部４０の可動範囲は第１の実施の形態よ
り長くなっているとともに、露光ヘッド５３０がＹ軸の
負方向に付き出したものとなっている。また、それに伴
い基台１０も大きなものとなっている。As shown in FIG. 16, a pattern is formed between chip patterns CP (hatched portions; reference numerals are only partially applied) to be exposed in a chip pattern exposure area CA, which will be performed later by a device such as a stepper. This is an apparatus for exposing a scribe line SL (only a part is provided with a reference numeral), which is a region where scribing for dividing into individual dies is to be performed later, in a gap that is not formed. The function is almost the same as that of the edge exposure apparatus in the first embodiment. However, in the first embodiment, only the edge region EA is exposed, and the substrate W is rotated by 90 °.
While the exposure could be performed even if the movable range (stroke) of the shaft drive unit 30 was short, the apparatus according to the sixth embodiment exposes a scribe line SL that requires precise control of the exposure width. Further, each scribe line SL has a substrate W
, The scribe line SL in one direction (the X-axis direction or the Y-axis direction in FIG. 6) is not exposed a plurality of times every 90 ° rotation of the substrate W. In the state where the rotation of the substrate W is stopped, all the scribe lines SL in one direction are exposed. Therefore, in the sixth embodiment, the movable range of the Y-axis drive unit 30 and the X-axis drive unit 40 is longer than in the first embodiment, and the exposure head 530 sticks out in the negative direction of the Y-axis. It has become something. In addition, the base 10 has also become larger.

【００７２】また、図１５に示すようにスクライブライ
ンＳＬの幅ｓｗに発光幅（従って露光幅）をほぼ合わせ
るために露光ヘッド５３０の先端に幅ｓｗと同じ幅の開
孔を有するアパーチャー板５３２が設けられている。な
お、その他の機構的構成は第１の実施の形態の装置と同
様である。Further, as shown in FIG. 15, an aperture plate 532 having an opening having the same width as the width sw at the tip of the exposure head 530 in order to make the light emission width (and thus the exposure width) substantially match the width sw of the scribe line SL. Is provided. Note that the other mechanical configuration is the same as that of the device of the first embodiment.

【００７３】つぎに、第６の実施の形態におけるスクラ
イブラインＳＬの露光処理について図１６および露光ヘ
ッド５３０および基板Ｗの動作とパルス発光との関係を
示すタイミングチャートである図１７とに基づいて説明
する。なお、図１６には便宜上、直交座標Ｘ−Ｙが規定
されているが、これは他の図における直交座標Ｘ−Ｙ−
Ｚとは無関係である。Next, the exposure processing of the scribe line SL in the sixth embodiment will be described with reference to FIG. 16 and FIG. 17 which is a timing chart showing the relationship between the operation of the exposure head 530 and the substrate W and pulse emission. I do. Note that, in FIG. 16, rectangular coordinates XY are defined for convenience, but this is equivalent to the rectangular coordinates XY-Y in other drawings.
It has nothing to do with Z.

【００７４】図１６において、最初に開始位置Ｓ上方に
位置した露光ヘッド５３０は図１６のＹ軸の正方向に移
動していき、スクライブラインＳＬ１に差し掛かると繰
り返しパルス発光を開始し、そのスクライブラインＳＬ
上では繰り返しパルス発光を続ける（図１７：時間ｔ
１，ｔ３）。そして、スクライブライン領域以外の領域
に差し掛かるとパルス発光を停止する（図１７：時間ｔ
２）。In FIG. 16, the exposure head 530 initially located above the start position S moves in the positive direction of the Y-axis in FIG. 16, and when it approaches the scribe line SL1, starts repeated pulse emission. Line SL
Above, the pulse emission continues repeatedly (FIG. 17: time t
1, t3). Then, the pulse emission is stopped when approaching an area other than the scribe line area (FIG. 17: time t).
2).

【００７５】つぎに、スクライブラインＳＬ１の隣りの
スクライブラインＳＬ２では、露光ヘッド５３０がＹ軸
の負方向に戻りながら同様に露光を行う。以下、同様に
順次隣接する１対のスクライブライン上を露光ヘッド５
３０が基板Ｗ上を横切るようにして往復しながら、その
長手方向がＹ軸方向である全てのスクライブラインＳＬ
を露光し、スクライブラインＳＬ３の露光が終了する
と、基板Ｗを９０゜回転させる（図１７：時間ｔ２）。Next, in the scribe line SL2 adjacent to the scribe line SL1, the exposure head 530 performs the same exposure while returning in the negative Y-axis direction. Hereinafter, similarly, a pair of scribe lines sequentially adjacent to each other
All the scribe lines SL whose longitudinal direction is the Y-axis direction while reciprocating so that the
When the exposure of the scribe line SL3 is completed, the substrate W is rotated by 90 ° (FIG. 17: time t2).

【００７６】そして、今度は図１６においてＸ軸方向に
露光ヘッド５３０が往復しながらスクライブラインＳＬ
４からスクライブラインＳＬ５にかけて、スクライブラ
インＳＬ上を通過する間のみ繰り返しパルス発光を行う
ことによってそれらを露光していき、その長手方向がＸ
軸方向である全てのスクライブラインＳＬの露光が終了
し、露光ヘッド５３０が終了位置Ｅに至るとこの露光処
理は終了する。Then, in FIG. 16, the scribe line SL moves while the exposure head 530 reciprocates in the X-axis direction.
From 4 to the scribe line SL5, they are exposed by repeatedly emitting pulses only while passing over the scribe line SL.
When the exposure of all the scribe lines SL in the axial direction is completed and the exposure head 530 reaches the end position E, this exposure processing ends.

【００７７】以上のように、第６の実施の形態によれ
ば、上記のような機構的構成を備え、上記のような露光
処理を行うものとなっているので、第２の実施の形態と
ほぼ同様の効果を有する。As described above, according to the sixth embodiment, since the above-described mechanical structure is provided and the above-described exposure processing is performed, the sixth embodiment is different from the second embodiment. It has almost the same effect.

【００７８】＜７．変形例＞以上において第１〜第６の
実施の形態においては端縁露光装置に基づいて本発明を
説明したが、この発明はこれに限られず、基板にチップ
パターンを露光するステッパ等の基板露光装置に適用し
てもよい。<7. Modifications> In the above, in the first to sixth embodiments, the present invention has been described based on the edge exposure apparatus. However, the present invention is not limited to this. You may apply to an apparatus.

【００７９】また、上記第１〜第６の実施の形態におい
て、感光性樹脂被膜として化学増幅型レジスト膜が形成
された基板Ｗの露光を対象としたが、その他の種類のフ
ォトレジストに対する装置としてもよい。Further, in the first to sixth embodiments, the exposure of the substrate W on which the chemically amplified resist film is formed as the photosensitive resin film is intended. Is also good.

【００８０】また、上記第１〜第６の実施の形態におい
て、光源をキセノンガスを封入したフラッシュランプと
し、それによる光を結像レンズ系に導く導光手段を石英
製のロッドとしたが、この発明はこれに限られず、クリ
プトンガス等その他の希ガスを封入したフラッシュラン
プや、プラスチック等のその他の素材のロッドを用いて
もよい。In the first to sixth embodiments, the light source is a flash lamp filled with xenon gas, and the light guide means for guiding the light to the imaging lens system is a rod made of quartz. The present invention is not limited to this, and a flash lamp filled with other rare gas such as krypton gas or a rod made of another material such as plastic may be used.

【００８１】また、上記第１〜第６の実施の形態におい
て、結像レンズ系は、像側テレセントリックまたはそれ
に近いレンズ系でロッド出射面全面を均一な照度分布
で、露光面に対してほぼ垂直に結像する系であれば必ず
しも両側テレセントリックでなくてもよく、さらに、露
光ヘッドに結像レンズ系を備えないものとしてもよい。In the first to sixth embodiments, the imaging lens system is an image-side telecentric lens system or a lens system similar thereto and has a uniform illuminance distribution over the entire rod exit surface and is substantially perpendicular to the exposure surface. It is not always necessary to be telecentric on both sides as long as it is a system that forms an image on the same side, and the exposure head may not be provided with an imaging lens system.

【００８２】また、上記第１〜第５の実施の形態におい
て、石英ロッドをその端面が正方形であるものとした
が、この発明はこれに限られず、長方形あるいは任意の
形状でも良い。また、石英ロッドの出射端付近にアパー
チャー板を設け、そのアパーチャー形状（正方形、長方
形、任意形状）を露光区画としてもよい。In the first to fifth embodiments, the quartz rod has a square end face. However, the present invention is not limited to this, and the quartz rod may have a rectangular shape or an arbitrary shape. Alternatively, an aperture plate may be provided near the emission end of the quartz rod, and the aperture shape (square, rectangular, or arbitrary shape) may be used as the exposure section.

【００８３】また、ロッドの形状としては、側面が光軸
に対して傾斜した角錘台形状のものを用いても良い。こ
の場合、ロッドのみで縮小あるいは拡大が行なえ、結像
レンズによって変倍する必要がなくなる。なおロッドの
形状としては円柱形状、多角柱形状等任意の形状をとり
うる。The rod may have a truncated pyramid shape whose side surface is inclined with respect to the optical axis. In this case, reduction or enlargement can be performed only by the rod, and it is not necessary to change the magnification by the imaging lens. The rod may have any shape such as a cylindrical shape or a polygonal shape.

【００８４】また、上記第１〜第４の実施の形態におい
て、端縁露光処理において端縁露光領域ＥＡを４等分し
て９０゜ずつ回動しつつ露光していくものとしたが、こ
の発明はこれに限られず、端縁露光部を２等分して１８
０゜ずつ回動しつつ露光するものとしてもよい。なお、
その場合にはそれぞれの露光区画は長方形であってもよ
い。また、逆に、第６の実施の形態ではスクライブライ
ン露光処理において、Ｘ軸方向またはＹ軸方向のそれぞ
れのスクライブラインＳＬを基板Ｗを回転することなく
露光するものとしたが、この発明はこれに限られず、基
板を９０゜ずつ４回、回動させ、各スクライブラインＳ
Ｌを２回に分けて露光するなど、複数回に分けて各スク
ライブラインＳＬを露光するものとしてもよい。In the first to fourth embodiments, in the edge exposure processing, the edge exposure area EA is divided into four equal parts, and the exposure is performed while rotating by 90 °. The present invention is not limited to this.
The exposure may be performed while rotating by 0 °. In addition,
In that case, each exposure section may be rectangular. Conversely, in the sixth embodiment, in the scribe line exposure processing, each scribe line SL in the X-axis direction or the Y-axis direction is exposed without rotating the substrate W. The substrate is rotated four times by 90 ° each time, and each scribe line S
Each scribe line SL may be exposed a plurality of times, such as exposing L twice.

【００８５】また、上記第１〜第４および第６の実施の
形態において、基板Ｗを回動した後、露光ヘッド５３０
を移動しつつ各露光区画を露光するものとしたが、この
発明はこれに限られず、基板を回動させないで、露光ヘ
ッドを移動することのみで端縁露光部全体を露光するも
のとしてもよい。In the first to fourth and sixth embodiments, the exposure head 530 is rotated after the substrate W is rotated.
Although the exposure sections are exposed while moving, the present invention is not limited to this, and the entire edge exposure section may be exposed only by moving the exposure head without rotating the substrate. .

【００８６】また、上記第１および第２の実施の形態に
おいて、石英ロッドから出射された光をレンズを介して
基板Ｗの露光面に照射するものとしたが、この発明はこ
れに限られず、石英ロッド出射面を基板Ｗに近接させ、
レンズを用いないで出射面からの光を直接、基板Ｗの露
光面に照射するものとしてもよい。また、石英ロッドの
出射面に光ファイバーを接続し、光ファイバーを介して
基板Ｗの露光面に光を照射するものとしてもよい。In the first and second embodiments, the light emitted from the quartz rod is applied to the exposure surface of the substrate W via the lens, but the present invention is not limited to this. Bring the quartz rod exit surface close to the substrate W,
The light from the emission surface may be directly applied to the exposure surface of the substrate W without using a lens. Alternatively, an optical fiber may be connected to the emission surface of the quartz rod, and light may be irradiated on the exposure surface of the substrate W via the optical fiber.

【００８７】さらに、上記第１〜第６の実施の形態で
は、ダイクロイックミラーにより紫外領域の波長のみを
取り出すものとしたが、この発明はこれに限られず、ダ
イクロイックミラーの代わりに紫外線フィルターを設け
て、それに光を透過させた後に基板の露光面に照射する
ことによって露光するものとしてもよい。Further, in the first to sixth embodiments, only the wavelength in the ultraviolet region is extracted by the dichroic mirror. However, the present invention is not limited to this, and an ultraviolet filter is provided instead of the dichroic mirror. Alternatively, the exposure may be performed by irradiating the light on the exposure surface of the substrate after transmitting the light.

【００８８】また、第１〜第６の実施の形態において採
用したパルス発光が可能な光源は、小型バルブ５４１ａ
内に楕円鏡５４１ｂが備えられたキセノンフラッシュラ
ンプ５４１であるが、バルブの外側に楕円鏡が配置され
たものでも良い。The light source capable of pulse emission employed in the first to sixth embodiments is a small bulb 541a.
Although the xenon flash lamp 541 has an elliptical mirror 541b inside, the elliptical mirror may be arranged outside the bulb.

【００８９】[0089]

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項５の発明によれば、基板にパルス光を照射する光源
からの光を基板面上のパターン非形成箇所に照射して露
光を行うため、発光の立ち上がりの遅い光源を常時点灯
させて使用する場合に比べて消費電力を抑えることがで
き、また光源の寿命を長くすることができる。また、連
続移動しつつパルス光を基板に照射して露光することに
より、スループットを向上させることができる。As described above, according to the first to fifth aspects of the present invention, light from a light source for irradiating pulse light to a substrate is irradiated to a portion where a pattern is not formed on the substrate surface to perform exposure. Therefore, power consumption can be suppressed and the life of the light source can be prolonged, as compared with a case where a light source with a slow rise in light emission is always lit and used. Further, the throughput can be improved by irradiating the substrate with the pulse light while performing the continuous movement to perform the exposure.

【００９０】また、請求項２の発明によれば、光源がキ
セノンフラッシュランプであるため、化学増幅型レジス
トの感度のよい２００ｎｍ〜３００ｎｍの波長の光につ
いて発光量が多いので、化学増幅型レジストの被膜が形
成された基板に対する露光を行う際に特に顕著に効率的
で消費電力の少ない装置とすることができる。According to the second aspect of the present invention, since the light source is a xenon flash lamp, a large amount of light is emitted for light having a wavelength of 200 nm to 300 nm, which is sensitive to the chemically amplified resist. When performing exposure on a substrate on which a film is formed, a device that is particularly remarkably efficient and consumes less power can be provided.

【００９１】また、請求項３の発明によれば、導光ロッ
ドにより光源からのパルス光を導光するものとしたの
で、光ファイバーバンドルを用いた場合に比べて臨界角
が大きく、したがって光源からの広い角度範囲からの光
を露光のために利用することができ、また、光ファイバ
ーバンドルを用いた場合の各光ファイバーのクラッドや
それらの隙間による光のロスもないので、光源からの光
の利用効率が高くなり、消費電力を抑え、スループット
が向上する。According to the third aspect of the present invention, since the pulse light from the light source is guided by the light guide rod, the critical angle is larger than in the case where the optical fiber bundle is used. Light from a wide angle range can be used for exposure, and there is no light loss due to the cladding of each optical fiber and the gap between them when using an optical fiber bundle, so the light utilization efficiency from the light source is reduced. Higher, reducing power consumption and improving throughput.

【００９２】また、請求項４の発明によれば、一枚の基
板に対して露光処理を行う際に光源をパルス点灯駆動す
るとともに、当該一枚の基板に対する露光処理が終了す
ると光源のパルス点灯駆動を停止させるため、複数の基
板を連続して露光処理する場合にも光源の立ち上がりに
時間がかからないため、スループットが一層向上し、し
かも立ち上がり時間のかかる光源の場合のように立ち上
がり中の発行量の不安定な光を基板に照射することがな
いため、基板ごとに露光量をほぼ均一に保つことができ
る。According to the fourth aspect of the present invention, the light source is driven by pulse lighting when performing the exposure processing on one substrate, and the light source is pulsed upon completion of the exposure processing on the one substrate. Since the drive is stopped, it does not take much time for the light source to rise even when multiple substrates are continuously exposed, so that throughput is further improved, and the amount of light emitted during startup as in the case of a light source that takes a long time to rise. Since the substrate is not irradiated with the unstable light, the exposure amount can be kept substantially uniform for each substrate.

【００９３】また、請求項５の発明によれば、ほぼ円形
の基板の端縁領域を円周方向に露光することができる。According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to expose the substantially circular edge region of the substrate in the circumferential direction.

【００９４】また、請求項６ないし請求項１２の発明に
よれば、パルス発光が可能な光源を有する光学部と基板
Ｗとの相対的な移動と、その光源のパルス発光制御とを
同期して基板の露光を行っているので、光源を必要時の
み点灯することにより、発光の立ち上がりの遅い光源を
常時点灯させて使用する場合に比べて消費電力を抑える
ことができ、また光源の寿命を長くすることができる。According to the present invention, the relative movement between the optical unit having the light source capable of pulsed light emission and the substrate W and the pulsed light emission control of the light source are synchronized. Since the substrate is exposed, turning on the light source only when necessary can reduce power consumption compared to using a light source with a slow-rising light emission at all times and using it, and extending the life of the light source. can do.

【００９５】また、導光ロッドにより光源からのパルス
光を導光するものとしたので、光ファイバーバンドルを
用いた場合に比べて臨界角が大きく、したがって光源か
らの広い角度範囲からの光を露光のために利用すること
ができ、また、光ファイバーバンドルを用いた場合の各
光ファイバーのクラッドやそれらの隙間による光のロス
もないので、光源からの光の利用効率が高くなり、消費
電力を抑え、スループットが向上する。Further, since the pulse light from the light source is guided by the light guiding rod, the critical angle is large as compared with the case where the optical fiber bundle is used, so that light from a wide angle range from the light source is exposed. In addition, when using an optical fiber bundle, there is no loss of light due to the cladding of each optical fiber or the gap between them, so the efficiency of using light from the light source is increased, power consumption is reduced, and throughput is reduced. Is improved.

【００９６】さらに、請求項９の発明によれば、間欠露
光制御手段が単位領域のサイズの複数倍以上の距離にわ
たって光学部と基板とを相対的に連続移動させるととも
に、当該連続移動において光学部と基板とが単位領域の
サイズに相当する距離だけ移動するごとに光源から単パ
ルス光を発生させるものであるため、光学部と基板との
相対的な移動の停止時間を減らすことができるので、ス
ループットが格段に向上する。Further, according to the ninth aspect of the present invention, the intermittent exposure control means relatively continuously moves the optical unit and the substrate over a distance of a plurality of times or more of the size of the unit area, and in the continuous movement, Since the light source generates monopulse light each time the substrate and the substrate move by a distance corresponding to the size of the unit area, it is possible to reduce the stop time of the relative movement between the optical unit and the substrate, Throughput is significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１の実施の形態における端縁露光装
置の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of an edge exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図２】第１の実施の形態における露光ヘッドの構造図
である。FIG. 2 is a structural diagram of an exposure head according to the first embodiment.

【図３】石英ロッドによる各波長の相対放射強度を示す
グラフである。FIG. 3 is a graph showing a relative radiation intensity of each wavelength by a quartz rod.

【図４】第１の実施の形態における石英ロッドの斜視図
である。FIG. 4 is a perspective view of a quartz rod according to the first embodiment.

【図５】第１の実施の形態における端縁露光の処理手順
を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a processing procedure of edge exposure according to the first embodiment.

【図６】第１の実施の形態における露光ヘッドの動作と
パルス発光との関係を示すタイミングチャートである。FIG. 6 is a timing chart showing the relationship between the operation of the exposure head and pulse emission according to the first embodiment.

【図７】第２の実施の形態における露光ヘッドの構造図
である。FIG. 7 is a structural diagram of an exposure head according to a second embodiment.

【図８】第２の実施の形態における露光ヘッドの動作と
パルス発光との関係を示すタイミングチャートである。FIG. 8 is a timing chart showing the relationship between the operation of the exposure head and the pulse emission according to the second embodiment.

【図９】第３の実施の形態における露光ヘッドの動作と
パルス発光との関係を示すタイミングチャートである。FIG. 9 is a timing chart showing the relationship between the operation of the exposure head and pulse emission according to the third embodiment.

【図１０】第４の実施の形態における端縁円周露光の処
理方法を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a processing method of edge circumferential exposure according to a fourth embodiment.

【図１１】第４の実施の形態における露光ヘッドおよび
基板の動作とパルス発光との関係を示すタイミングチャ
ートである。FIG. 11 is a timing chart showing the relationship between the operation of an exposure head and a substrate and pulsed light emission in a fourth embodiment.

【図１２】第５の実施の形態における保持領域露光の処
理方法を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a processing method for holding area exposure according to a fifth embodiment.

【図１３】第５の実施の形態における露光ヘッドおよび
基板の動作とパルス発光との関係を示すタイミングチャ
ートである。FIG. 13 is a timing chart showing the relationship between the operation of an exposure head and a substrate and pulsed light emission in a fifth embodiment.

【図１４】第６の実施の形態における基板露光装置の斜
視図である。FIG. 14 is a perspective view of a substrate exposure apparatus according to a sixth embodiment.

【図１５】第６の実施の形態における露光ヘッドの構造
図である。FIG. 15 is a structural diagram of an exposure head according to a sixth embodiment.

【図１６】第６の実施の形態におけるスクライブライン
露光の処理手順を示す図である。FIG. 16 is a diagram illustrating a processing procedure of scribe line exposure according to a sixth embodiment.

【図１７】第６の実施の形態における露光ヘッドおよび
基板の動作とパルス発光との関係を示すタイミングチャ
ートである。FIG. 17 is a timing chart showing the relationship between the operation of an exposure head and a substrate and pulsed light emission in a sixth embodiment.

【図１８】従来装置における光学系の主要部の構造図で
ある。FIG. 18 is a structural diagram of a main part of an optical system in a conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２０ 基板回動部（移動手段、相対移動手段） ３０ Ｙ軸駆動部（移動手段、相対移動手段） ４０ Ｘ軸駆動部（移動手段、相対移動手段） ５０ 露光部（光学部） ９０ 制御部（同期制御手段） ５４１，５４５ａ，５４５ｂ キセノンフラッシュラン
プ ５４２ 石英ロッド ＣＡ チップパターン露光領域 ＥＡ 端縁露光領域（端縁領域） Ｓ１〜Ｓ８，Ｓ１０〜Ｓ１７ 露光区画（単位領域） Ｗ 基板Reference Signs List 20 substrate rotating unit (moving unit, relative moving unit) 30 Y-axis driving unit (moving unit, relative moving unit) 40 X-axis driving unit (moving unit, relative moving unit) 50 exposure unit (optical unit) 90 control unit ( Synchronous control means) 541, 545a, 545b Xenon flash lamp 542 Quartz rod CA Chip pattern exposure area EA Edge exposure area (edge area) S1 to S8, S10 to S17 Exposure section (unit area) W substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 修治 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 上原 誠 東京都豊島区目白４丁目15番21号 株式会 社目白プレシジョン内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shuji Shibata 322 Hashizushi Furukawacho, Fushimi-ku, Kyoto Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Makoto Uehara 4--15 Mejiro, Toshima-ku, Tokyo No. 21 Inside Mejiro Precision Co., Ltd.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板の露光を行う装置であって、 基板にパルス光を照射する光源と、 前記光源からの光が基板面上のパターンの非形成箇所に
照射されるように基板と前記光源とを相対的に移動させ
る相対移動手段とを備えたことを特徴とする基板露光装
置。1. An apparatus for exposing a substrate, comprising: a light source for irradiating a substrate with pulsed light; And a relative moving means for relatively moving the substrate. 【請求項２】 基板にパルス光を照射する前記光源が、
キセノンフラッシュランプであることを特徴とする請求
項１に記載の基板露光装置。2. The light source for irradiating a substrate with pulsed light,
The substrate exposure apparatus according to claim 1, wherein the substrate exposure apparatus is a xenon flash lamp. 【請求項３】 前記光源と基板との間に、前記光源から
照射されたパルス光を基板に導く導光ロッドを配置した
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板
露光装置。3. The substrate exposure apparatus according to claim 1, wherein a light guide rod for guiding the pulsed light emitted from the light source to the substrate is arranged between the light source and the substrate. . 【請求項４】 一枚の基板に対して露光処理を行う際に
前記光源をパルス点灯駆動するとともに、当該一枚の基
板に対する露光処理が終了すると前記光源のパルス点灯
駆動を停止させる点灯駆動制御手段を備えたことを特徴
とする請求項１ないし請求項３のうちのいずれかに記載
の基板露光装置。4. A lighting drive control for driving the light source in a pulsed manner when performing an exposure process on one substrate and stopping the pulsed lighting drive of the light source when the exposure process on the one substrate is completed. The substrate exposure apparatus according to claim 1, further comprising a unit. 【請求項５】 前記相対移動手段がほぼ円形の基板を保
持して回転させる回転保持手段を含み、当該回転保持手
段で回転される基板の端縁領域を前記光源により基板の
円周方向にわたって露光するものであることを特徴とす
る請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板露光
装置。5. The apparatus according to claim 1, wherein the relative moving means includes a rotation holding means for holding and rotating the substantially circular substrate, and exposing an edge area of the substrate rotated by the rotation holding means to the substrate in a circumferential direction of the substrate. The substrate exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein: 【請求項６】 基板の露光を行う装置であって、 (a) パルス発光が可能な光源と、前記光源からのパルス
光を導光する導光ロッドとを有し、前記導光ロッドを通
った後のパルス光を前記基板の照射光として出射する光
学部と、 (b) 前記光学部と前記基板とを相対的に移動させて、前
記基板の露光対象領域に対する前記照射光の位置決めを
行う移動手段と、 (c) 前記相対的な移動と前記光源のパルス発光制御とを
同期して行う同期制御手段と、を備えることを特徴とす
る基板露光装置。6. An apparatus for exposing a substrate, comprising: (a) a light source capable of pulsed light emission; and a light guide rod for guiding pulse light from the light source, wherein the light guide rod passes through the light guide rod. (B) relatively moving the optical unit and the substrate to perform positioning of the irradiation light with respect to the exposure target area of the substrate. A substrate exposure apparatus comprising: a moving unit; and (c) a synchronization control unit that synchronizes the relative movement and the pulse emission control of the light source. 【請求項７】 前記同期制御手段が、 前記露光対象領域を所定の単位領域ごとに間欠的に露光
する間欠露光制御手段、を有することを特徴とする請求
項６に記載の基板露光装置。7. The substrate exposure apparatus according to claim 6, wherein said synchronization control means includes intermittent exposure control means for intermittently exposing said exposure target area for each predetermined unit area. 【請求項８】 前記間欠露光制御手段は、 前記単位領域のサイズに応じたピッチで前記光学部と前
記基板とを相対的にステップ移動させるとともに、当該
ステップ移動において前記光学部と前記基板とが相対的
に一時停止している間に前記光源から繰返しパルス光を
発生させる手段、であることを特徴とする請求項７に記
載の基板露光装置。8. The intermittent exposure control means moves the optical unit and the substrate relatively stepwise at a pitch corresponding to the size of the unit area, and moves the optical unit and the substrate in the step movement. 8. The substrate exposure apparatus according to claim 7, further comprising: means for repeatedly generating pulsed light from the light source during a relatively temporary stop. 【請求項９】 前記間欠露光制御手段は、 前記単位領域のサイズの複数倍以上の距離にわたって前
記光学部と前記基板とを相対的に連続移動させるととも
に、当該連続移動において前記光学部と前記基板とが前
記単位領域のサイズに相当する距離だけ移動するごとに
前記光源から単パルス光を発生させる手段、であること
を特徴とする請求項７に記載の基板露光装置。9. The intermittent exposure control unit relatively relatively continuously moves the optical unit and the substrate over a distance equal to or more than a multiple of the size of the unit area, and in the continuous movement, the optical unit and the substrate. 8. The substrate exposure apparatus according to claim 7, wherein the light source generates monopulse light every time the light source moves by a distance corresponding to the size of the unit area. 【請求項１０】 前記導光ロッドの出射端面近傍にアパ
ーチャー板を設けたことを特徴とする請求項６に記載の
基板露光装置。10. The substrate exposure apparatus according to claim 6, wherein an aperture plate is provided near an exit end face of the light guide rod. 【請求項１１】 前記露光対象領域が前記基板の端縁領
域であることを特徴とする請求項８または請求項９に記
載の基板露光装置。11. The substrate exposure apparatus according to claim 8, wherein the exposure target area is an edge area of the substrate. 【請求項１２】 請求項６に記載の基板露光装置を使用
して基板の端縁領域を露光する基板端縁露光方法であっ
て、 (A) 前記光学部と前記基板とを相対的に移動させる工程
と、 (B) 前記光学部と前記基板とが所定の距離だけ相対移動
するごとに、前記端縁領域内の単位領域を前記光学部に
よって露光する工程と、を備え、 前記所定の距離は前記単位領域のサイズに応じた距離で
あることを特徴とする基板端縁露光方法。12. A substrate edge exposure method for exposing an edge region of a substrate using the substrate exposure apparatus according to claim 6, wherein: (A) the optical unit and the substrate are relatively moved. (B) exposing a unit area in the edge area by the optical unit each time the optical unit and the substrate relatively move by a predetermined distance, wherein the predetermined distance Wherein the distance is a distance corresponding to the size of the unit area.