JPH09298154A - Lighting device - Google Patents

Lighting device

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JPH09298154A
JPH09298154A JP8137711A JP13771196A JPH09298154A JP H09298154 A JPH09298154 A JP H09298154A JP 8137711 A JP8137711 A JP 8137711A JP 13771196 A JP13771196 A JP 13771196A JP H09298154 A JPH09298154 A JP H09298154A
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JP
Japan
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reflecting mirror
light source
reticle
reflecting surface
laser light
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Pending
Application number
JP8137711A
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Japanese (ja)
Inventor
Naomasa Shiraishi
直正 白石
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH09298154A publication Critical patent/JPH09298154A/en
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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To change the shape of a variable reflecting mirror in each luminous pulse of a pulsed laser and to remove a spectral component from a quantity-of- light distribution by a method wherein the roughness of the reflective surface of the reflecting mirror is made variable at each position of a secondary light source image, which is formed on the exit surface of an illuminance equalizing means. SOLUTION: The incident side surfaces 38a of elements constituting a fly-eye lens 38 are formed in an imaging relation to a reticle 10 and a quantity-of-light distribution over the incident side surfaces 38a of the elements is integrated over the reticle 10. As the result, the quantity-of-light distribution over the reticle 10 is equalized excluding a spectral component. The exit side surface 38b of the lens 38, the reflective surface of a variable reflecting mirror 54 and a broken line part 62 between condenser lenses 58 and 60 are arranged at positions, which have the relation of a Fourier transform optically to the reticle 10, and these three positions are provided in an imaging relation to each other. The mirror 54 is formed in such a way that the reflective surface of the mirror 54 is roughly deformed by a voltage signal from a driving device 64.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は照明装置に関し、特
に、レーザ光源を用いた露光装置用の照明装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an illumination device, and more particularly to an illumination device for an exposure device using a laser light source.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、リソグラフィ装置等においては、
レーザを光源とした照明装置の採用が検討されている。
この様な照明装置においては、高度に均一化された照度
を得ることが要求される。例えば、ＶＬＳＩ製造用の光
リソグラフィー装置においては、より微細なパターンを
短時間でパターンニングするために、短波長紫外光で、
且つ出力の大きなエキシマレーザの使用が提案されてい
る。また、小型、省スペース化に寄与する光源として、
個体レーザ及びその高調波の使用も検討されている。レ
ーザ光源を使用した場合、レーザ光の高コヒーレンシー
（可干渉性）、特に空間的なコヒーレンシーが原因で、
被照明物である感光基板上に干渉縞（スペックル）が生
じてしまう。そして、被照明物（感光基板）上での干渉
縞は、照度ムラの原因となる。2. Description of the Related Art Recently, in a lithographic apparatus or the like,
The adoption of a lighting device using a laser as a light source is under consideration.
In such an illuminating device, it is required to obtain highly uniform illuminance. For example, in an optical lithography apparatus for manufacturing VLSI, in order to pattern a finer pattern in a short time, short wavelength ultraviolet light is used.
Moreover, it has been proposed to use an excimer laser having a high output. Also, as a light source that contributes to small size and space saving,
The use of solid state lasers and their harmonics is also being considered. When using a laser light source, due to the high coherency (coherence) of the laser light, especially the spatial coherency,
Interference fringes (speckles) occur on the photosensitive substrate that is the object to be illuminated. The interference fringes on the object to be illuminated (photosensitive substrate) cause uneven illuminance.

【０００３】一般に、高度な照度均一性が要求される照
明装置においては、光路中にフライアイ・レンズ等のオ
プチカル・インテグレータ（照度均一化部材）を配置し
ている。フライアイ・レンズを使用する場合には、フラ
イアイ・レンズの各エレメントの入射面が、被照明物の
面と共役（結像関係）となるように配置する。この結
果、被照射面にはフライアイ各エレメント入射面上の光
束が重積されて照射され、平均化効果によって照度の均
一化が図れる。フライアイ・レンズの射出面（一般に被
照射物に対しては、光学的にフーリエ変換の関係となる
面）には、フライアイ・レンズの各エレメントの数だ
け、レーザ光源の像が形成される。すなわち、レーザ光
源があたかも複数個存在するような２次光源群がフライ
アイ・レンズの射出面に形成される。しかし、これらの
２次光源群は、元は１つのレーザ光源の像であるため、
相互にコヒーレントな関係にあり、各２次光源からの照
明光束によって被照明物上には、強い干渉縞（スペック
ル）が形成される。結局、フライアイ・レンズのような
照度均一化部材では、スペックルに関する照度ムラは解
消できないことになる。Generally, in an illuminating device that requires a high degree of illuminance uniformity, an optical integrator (illuminance equalizing member) such as a fly-eye lens is arranged in the optical path. When a fly-eye lens is used, it is arranged so that the incident surface of each element of the fly-eye lens is conjugate (image forming relationship) with the surface of the object to be illuminated. As a result, the luminous flux on each incident surface of each element of the fly's eye is piled up and irradiated on the surface to be irradiated, and the illuminance can be made uniform by the averaging effect. An image of a laser light source is formed on the exit surface of the fly-eye lens (generally, the surface that is optically Fourier-transformed with respect to the object to be irradiated) by the number of each element of the fly-eye lens. . That is, a secondary light source group having a plurality of laser light sources is formed on the exit surface of the fly-eye lens. However, since these secondary light source groups are originally images of one laser light source,
They are in a coherent relationship with each other, and strong interference fringes (speckles) are formed on the object to be illuminated by the illumination light beams from the respective secondary light sources. After all, the illuminance uniformity member such as the fly-eye lens cannot eliminate the illuminance unevenness related to speckles.

【０００４】そこで、照明光路中に反射鏡を設け、その
反射鏡を振動又は回転させたり、光路中に拡散板を設
け、これを光路に垂直な方向に移動させつつ、一定時間
（一定パルス数の）照射を行い、時間的な平均化によっ
て、被照明物上でのスペックルを実質的に除去する方策
が採られている。Therefore, a reflecting mirror is provided in the illumination optical path, and the reflecting mirror is vibrated or rotated, or a diffusing plate is provided in the optical path, and the diffusing plate is moved in a direction perpendicular to the optical path for a fixed time (a fixed number of pulses (2) irradiation and averaging over time to substantially eliminate speckles on the illuminated object.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の方法においては、反射鏡や拡散板という比
較的質量の大きな部材を駆動するため、その駆動にある
程度長い時間が必要となる。このため、少ない積算光量
を必要とする場合や、レーザの高出力化や高パルス周波
数化等により、平均化時間が短くなると、平均化時間内
で十分な駆動を行うことが極めて困難となる。その結
果、十分なスペックル除去が困難になる。However, in the conventional method as described above, since a relatively large mass member such as a reflecting mirror and a diffusing plate is driven, it takes a long time to drive the member. For this reason, when the averaging time is shortened when a small integrated light amount is required or when the laser output is increased or the pulse frequency is increased, it becomes extremely difficult to perform sufficient driving within the averaging time. As a result, it becomes difficult to remove speckles sufficiently.

【０００６】本発明は、上記のような状況に鑑みて成さ
れたものであり、十分なスペックル除去を行い得る照明
装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above situation, and an object thereof is to provide an illuminating device capable of sufficiently removing speckles.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の態様にかかる照明装置は、照度均一
化手段と被照射部材との間に存在する被照射部材に対す
る光学的フーリエ変換面に位置する反射面を有し、該反
射面の凹凸形状が変形可能に構成された反射鏡と；反射
鏡の反射面の凹凸形状を変形させる駆動手段とを備えて
いる。In order to solve the above-mentioned problems, an illumination device according to a first aspect of the present invention is an optical system for an illuminated member existing between an illuminance equalizing means and an illuminated member. A reflecting mirror having a reflecting surface located on the Fourier transform surface and having an irregular shape of the reflecting surface deformable; and a driving unit for deforming the irregular shape of the reflecting surface of the reflecting mirror.

【０００８】本発明の第２の態様にかかる照明装置は、
レーザ光源と照度均一化手段との間に存在する被照射部
材の共役面に位置する反射面を有し、該反射面の凹凸形
状が変形可能に構成された反射鏡と；反射鏡の反射面の
凹凸形状を変形させる駆動手段とを備えている。A lighting device according to a second aspect of the present invention is
A reflecting mirror having a reflecting surface positioned on a conjugate surface of a member to be irradiated existing between the laser light source and the illuminance homogenizing means, the uneven shape of the reflecting surface being deformable; and a reflecting surface of the reflecting mirror And a drive means for deforming the uneven shape.

【０００９】上記のような本発明の照明装置において、
駆動手段としては、マトリクス上に配置されたピエゾ素
子を採用することができる。また、マトリクス上に配置
された微少電極群を利用することもできる。In the lighting device of the present invention as described above,
Piezo elements arranged in a matrix can be used as the driving means. It is also possible to use a group of minute electrodes arranged on a matrix.

【００１０】[0010]

【発明の作用及び効果】上記のように本発明において
は、照度均一化手段の射出面に形成される２次光源像の
各位置での反射面の凹凸を可変としているため、照度均
一化手段と被照明物との間の光路長を各エレメント間で
差を設けることができる。そして、パルスレーザの各発
光パルス毎に可変反射鏡の形状を変化させることによっ
て、スペックルを除去できる。一回のレーザパルスのみ
では、各２次光源間がコヒーレントであるが、可変反射
鏡を変形させつつ、複数のパルスを照射することによ
り、各パルス毎に上記の光路長が変化し、スペックル位
置が変化する。これによって、被照明物上での積算照度
が平均化され、スペックが解消される。As described above, according to the present invention, since the unevenness of the reflecting surface at each position of the secondary light source image formed on the exit surface of the illuminance uniforming means is variable, the illuminance uniformizing means is variable. The optical path length between the element and the object to be illuminated can be different between the respective elements. Then, the speckle can be removed by changing the shape of the variable reflecting mirror for each light emission pulse of the pulse laser. With only one laser pulse, the secondary light sources are coherent, but by irradiating multiple pulses while deforming the variable reflecting mirror, the above optical path length changes for each pulse, resulting in speckle. The position changes. As a result, the integrated illuminance on the object to be illuminated is averaged and the specifications are eliminated.

【００１１】また、反射鏡の反射面の凹凸形状を微少量
（波長程度）だけ変形させれば良く、極めて短い時間で
光路長を変化させることができる。従って、平均化時間
或いはパルスレーザの発光間隔が短縮化された場合に
も、被照明部材上でのスペックルを十分に除去できる。Further, the uneven shape of the reflecting surface of the reflecting mirror may be deformed by a very small amount (about the wavelength), and the optical path length can be changed in an extremely short time. Therefore, even when the averaging time or the emission interval of the pulse laser is shortened, speckles on the illuminated member can be sufficiently removed.

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に示された実施例に基づいて説明する。以下に示す
各実施例は、半導体デバイス製造用の投影露光装置の照
明装置に本発明を適用したものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The embodiments of the present invention will be described below based on embodiments shown in the accompanying drawings. In each of the following embodiments, the present invention is applied to a lighting device of a projection exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device.

【００１３】[0013]

【実施例】図１は、本発明の実施例が適用される投影露
光装置の概略を示す。この投影露光装置は、レチクル１
０上の回路パターンをウエハ１２上に投影露光するもの
であり、露光用の光を射出する照明装置１４と、レチク
ル１０が載置されたレチクルステージ１６と、レチクル
１０上に形成されたパターンをウエハ１２に投影する投
影光学系１８と、ウエハ１４を保持するウエハステージ
２０と、ウエハステージ２０上に固定された反射鏡２２
と、反射鏡２２での反射光に基づいてウエハステージ２
０の位置を検出する干渉計２４と、ウエハステージ２０
を駆動するウエハステージ駆動装置２６とを備えてい
る。本発明は、上述した照明装置１４に適用される。1 shows the outline of a projection exposure apparatus to which an embodiment of the present invention is applied. This projection exposure apparatus has a reticle 1
A circuit pattern on the wafer 0 is projected and exposed on the wafer 12, and an illumination device 14 that emits light for exposure, a reticle stage 16 on which the reticle 10 is mounted, and a pattern formed on the reticle 10 are formed. A projection optical system 18 for projecting on the wafer 12, a wafer stage 20 for holding the wafer 14, and a reflecting mirror 22 fixed on the wafer stage 20.
And the wafer stage 2 based on the light reflected by the reflecting mirror 22.
The interferometer 24 for detecting the position of 0 and the wafer stage 20.
And a wafer stage drive device 26 for driving. The present invention is applied to the lighting device 14 described above.

【００１４】図２は、本発明の第１実施例にかかる照明
装置１４を示す。以下、本実施例について、光路に沿っ
て説明する。図において、エキシマレーザ等のレーザ光
源３０より射出された照明光束は、反射鏡３２、整形レ
ンズ（ビームエキスパンダ３４，３６）により所望のビ
ーム径に整形された後、フライアイレンズ３８に入射す
る。ここで、レーザ光源３０は、レーザ駆動装置４０に
よって駆動される。フライアイレンズ３８に入射した照
明光束は、フライアイレンズ３８によって均一化された
後、開口絞り４２を通過し、リレーレンズ４４を介して
反射鏡４６に入射する。反射鏡４６で反射した光は、リ
レーレンズ４８を透過した後、反射鏡５０で反射し、リ
レーレンズ５２を介して可変反射鏡５４に入射する。可
変反射鏡５４で反射した照明光束は、再びリレーレンズ
５２を透過し、反射鏡５０を経て、照射視野絞り（レチ
クルブラインド）５６に達する。レチクルブラインド５
６を通過した照明光束は、コンデンサレンズ５８，６０
を介してレチクル１０を照明する。レチクルブラインド
５６は、レチクル１０と共役（結像関係）な位置に配置
されており、レチクルブラインド５６の開閉によって、
レチクル１０上での照明エリアを調整できるようになっ
ている。FIG. 2 shows an illuminating device 14 according to the first embodiment of the present invention. Hereinafter, the present embodiment will be described along the optical path. In the figure, an illumination light flux emitted from a laser light source 30 such as an excimer laser is shaped into a desired beam diameter by a reflecting mirror 32 and shaping lenses (beam expanders 34 and 36), and then enters a fly-eye lens 38. . Here, the laser light source 30 is driven by the laser driving device 40. The illumination light flux that has entered the fly-eye lens 38 is made uniform by the fly-eye lens 38, then passes through the aperture stop 42, and enters the reflecting mirror 46 through the relay lens 44. The light reflected by the reflecting mirror 46 passes through the relay lens 48, is then reflected by the reflecting mirror 50, and enters the variable reflecting mirror 54 via the relay lens 52. The illumination light flux reflected by the variable reflecting mirror 54 again passes through the relay lens 52, passes through the reflecting mirror 50, and reaches the irradiation field stop (reticle blind) 56. Reticle blind 5
The illumination light flux that has passed through 6 is the condenser lenses 58 and 60.
The reticle 10 is illuminated via. The reticle blind 56 is arranged at a position conjugate (image forming relationship) with the reticle 10, and by opening and closing the reticle blind 56,
The illumination area on the reticle 10 can be adjusted.

【００１５】フライアイレンズ３８を構成する各エレメ
ントの入射側面３８ａは、レチクル１０と結像関係にな
っており、各エレメントの入射側面３８ａ上の光量分布
がレチクル１０上で積算される。その結果、レチクル１
０上の光量分布は、スペックル分を除いて平均化され
る。フライアイレンズ３８の射出側面３８ｂ、可変反射
鏡５４の反射面（ＶＭ）、及びコンデンサレンズ５８，
６０の間の破線部分６２は、レチクル１０に対して光学
的にフーリエ変換の関係となる位置に配置されている。
そして、これらの３つの位置は、互いに結像関係になっ
ている。フライアイレンズ３８の射出側面３８ｂには、
上述したように、照明光束の開口数を制限する開口絞り
（σ絞り）が配置されている。フライアイレンズ３８の
射出側面３８ｂには、フライアイレンズ３８により形成
されるレーザ光源３０の像（集光点）が各エレメント毎
に形成される。その結果、可変反射鏡５４の反射面（Ｖ
Ｍ）上にも、これらの像（２次光源）が形成されること
になる。可変反射鏡５４の反射面（ＶＭ）は、駆動装置
６４からの電圧信号によって凹凸変形するようになって
いる。The incident side surface 38a of each element forming the fly-eye lens 38 is in an image-forming relationship with the reticle 10, and the light quantity distribution on the incident side surface 38a of each element is integrated on the reticle 10. As a result, reticle 1
The light amount distribution on 0 is averaged except for speckles. The exit surface 38b of the fly-eye lens 38, the reflecting surface (VM) of the variable reflecting mirror 54, and the condenser lens 58,
A broken line portion 62 between 60 is arranged at a position where it has an optical Fourier transform relationship with the reticle 10.
Then, these three positions are in an image forming relationship with each other. On the exit side 38b of the fly-eye lens 38,
As described above, the aperture stop (σ stop) that limits the numerical aperture of the illumination light flux is arranged. An image (focusing point) of the laser light source 30 formed by the fly-eye lens 38 is formed for each element on the exit side surface 38 b of the fly-eye lens 38. As a result, the reflecting surface (V
These images (secondary light source) are also formed on M). The reflecting surface (VM) of the variable reflecting mirror 54 is configured to be unevenly deformed by a voltage signal from the driving device 64.

【００１６】図３及び図４は、可変反射鏡５４の構成を
示す。可変反射鏡５４は、２次元マトリクス上に配列さ
れた電極群Ｅｌｎ上に可変性の誘電体εを塗布し、その
表面にアルミ等の金属（反射面）ＶＭをコートすること
によって成形されている。図中の各電極Ｅｌｎは、可変
反射鏡５４の反射面ＶＭ面上に設けられ、上述した２次
光源像の各位置とそれぞれ一致するように調整されてい
る。可変反射面ＶＭは、レチクル１０に対する光学的フ
ーリエ変換面であり、且つフライアイレンズ射出面３８
ｂと共役な位置に配置されているため、可変反射面ＶＭ
上にはフライアイレンズ３８の各エレメントが形成する
レーザ光源の像（集光点）が形成されることになる。3 and 4 show the structure of the variable reflecting mirror 54. The variable reflecting mirror 54 is formed by coating a variable dielectric substance ε on the electrode group Eln arranged in a two-dimensional matrix, and coating the surface thereof with a metal (reflection surface) VM such as aluminum. . Each electrode Eln in the drawing is provided on the reflecting surface VM surface of the variable reflecting mirror 54, and is adjusted so as to match each position of the above-described secondary light source image. The variable reflection surface VM is an optical Fourier transform surface for the reticle 10, and the fly-eye lens exit surface 38.
Since it is arranged at a position conjugate with b, the variable reflection surface VM
An image (focus point) of the laser light source formed by each element of the fly-eye lens 38 is formed on the top.

【００１７】なお、可変反射鏡５４の反射面ＶＭの位置
は、レチクル１０に対する完全なフーリエ変換面とせ
ず、或いは、フライアイレンズ射出面３８ｂに対する完
全な結像面に配置せずに、これらの位置から微少量ずれ
た位置に配置しても良い。これにより、レーザ光による
可変反射鏡５４の金属膜（ＶＭ）の損傷を回避すること
ができる。すなわち、一般にパルスレーザは、単位時間
（１パルス）あたりのエネルギー密度が高いため、可変
反射面ＶＭに集光点が形成されると金属膜が損傷してし
まう。そこで、可変反射面ＶＭの位置を、レチクル１０
に対するフーリエ変換面、或いは、フライアイレンズ射
出面３８ｂに対する結像面から若干ずらすことにより、
このような不都合を回避することができる。この場合、
各集光点はデフォーカスにより、ある程度広がりを持つ
ことになり、単位面積当たりのエネルギー密度は減少す
る。なお、フライアイレンズ３８の各エレメントの入射
面３８ａとレチクル１０との結像関係に悪影響を与えな
いように、各電極Ｅｌｍに相当する反射面の各領域ＶＭ
ｍは、できるだけ平坦に成形することが望ましい。ま
た、各電極Ｅｌｍを、その配列周期に対して十分なサイ
ズで成形する。The position of the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 54 is not a perfect Fourier transform surface for the reticle 10 or is not arranged on a perfect image forming surface for the fly-eye lens exit surface 38b. It may be arranged at a position slightly deviated from the position. This makes it possible to avoid damage to the metal film (VM) of the variable reflecting mirror 54 due to the laser light. That is, since the pulse laser generally has a high energy density per unit time (1 pulse), the metal film is damaged when the converging point is formed on the variable reflection surface VM. Therefore, the position of the variable reflection surface VM is set to the reticle 10
By a slight shift from the Fourier transform surface for the, or the image plane for the fly-eye lens exit surface 38b.
Such a disadvantage can be avoided. in this case,
Defocusing causes each condensing point to spread to some extent, and the energy density per unit area decreases. Note that each region VM of the reflecting surface corresponding to each electrode Elm is arranged so as not to adversely affect the image forming relationship between the incident surface 38a of each element of the fly-eye lens 38 and the reticle 10.
It is desirable that m be formed as flat as possible. In addition, each electrode Elm is formed in a size sufficient for the array period.

【００１８】可変反射鏡５４の各電極Ｅｌｍには、それ
ぞれリード線Ｌｎが接続され、このリード線Ｌｎ（Ｌ１
〜Ｌ６）は、それぞれ電圧発生装置ＶＳｎ（ＶＳ１〜Ｖ
Ｓ６）に接続されている。一方、反射面ＶＭには、リー
ド線Ｌ０が接続され、固定電圧発生装置ＶＳ０を介して
各電圧発生装置ＶＳｎに接続されている。各電極Ｅｌに
は、可変反射鏡５４の反射面ＶＭを基準（＝０）とし
て、Ｖ０＋Ｖｎの電圧が印可される。各電極Ｅｌに電圧
が印可されると、その電圧によって、反射面ＶＭが電極
Ｅｌ側に引き寄せられる。この時、より高い電圧が印可
された電極Ｅｌ近傍では、反射面ＶＭは大きく電極側に
引き寄せられる。従って、各電極Ｅｌに印可する電圧値
を調整することにより、反射面ＶＭを所望の凹凸形状に
成形することができる。A lead wire Ln is connected to each electrode Elm of the variable reflecting mirror 54, and this lead wire Ln (L1
To L6 are voltage generators VSn (VS1 to V1), respectively.
It is connected to S6). On the other hand, a lead wire L0 is connected to the reflecting surface VM, and is connected to each voltage generator VSn via a fixed voltage generator VS0. A voltage of V0 + Vn is applied to each electrode El with the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 54 as a reference (= 0). When a voltage is applied to each electrode El, the voltage attracts the reflecting surface VM toward the electrode El. At this time, the reflective surface VM is largely attracted to the electrode side in the vicinity of the electrode El to which a higher voltage is applied. Therefore, by adjusting the voltage value applied to each electrode El, the reflecting surface VM can be formed into a desired uneven shape.

【００１９】可変反射鏡５４の反射面ＶＭの変形に要す
る時間は、各電極Ｅｌと反射面ＶＭが形成するコンデン
サの充放電時間に相当し、極めて短い時間となる。例え
ば、各電極Ｅｌの大きさを１ｍｍ×１ｍｍ、誘電体εの
厚さを１０μｍ、被誘電率を４とすると、各電極が形成
するコンデンサの容量は、３．５４×１０-12[Ｆ］とな
る。このため、その放電時間（時定数）は、１つの電極
Ｅｌに対する閉回路の抵抗を１ｋ［Ω］としても、約
３．５［ｎＳ］となる。このため、パルスレーザの繰り
返し周波数が数ｋＨｚ程度まで向上した場合にも、十分
にスペックルの低減を図ることができる。実際には、充
放電時間には、各リード線Ｌの浮遊容量も若干影響する
ことになる。しかしながら、実用上（あるいは事実
上）、これによって動作速度が遅くなることはない。The time required for the deformation of the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 54 corresponds to the charging / discharging time of the capacitor formed by each electrode El and the reflecting surface VM, which is an extremely short time. For example, when the size of each electrode El is 1 mm × 1 mm, the thickness of the dielectric ε is 10 μm, and the dielectric constant is 4, the capacitance of the capacitor formed by each electrode is 3.54 × 10 −12 [F]. Becomes Therefore, the discharge time (time constant) is about 3.5 [nS] even if the closed circuit resistance for one electrode El is 1 k [Ω]. Therefore, even if the repetition frequency of the pulse laser is improved to about several kHz, speckle can be sufficiently reduced. Actually, the stray capacitance of each lead wire L also has a small influence on the charging / discharging time. However, in practice (or in practice), this does not slow down the operating speed.

【００２０】電圧発生装置ＶＳｎ（ＶＳ１〜ＶＳ６）
は、図２に示したレーザ駆動装置４０より出力されるパ
ルスレーザ出力信号Ｌ１に同期して、各電圧Ｖｍ（Ｖ１
〜Ｖ６）を出力する。各電圧Ｖｍの値は、１回のパルス
レーザの発信毎に異なった値に設定される。図３に示し
た状態は、Ｖｍ（Ｖ１〜Ｖ６）を、電圧の高い順にＶ
６，Ｖ１，Ｖ２，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ３とした例である。こ
の時、可変反射鏡５４の反射面ＶＭの凹凸も各電極Ｅｌ
ｍに対応する領域ＶＭｍ毎に、各印可電圧Ｖｍに応じて
変化する。この様な状態で、１パルスの照射を行った
後、パルスレーザ出力信号Ｌ１に同期して、電圧Ｖ１〜
Ｖ６を変更することによって、次のパルス用に図３とは
異なった状態に反射面ＶＭを変形させる。以上のよう
に、レチクル１０上に所定の積算照射量を与えるまで、
各パルス毎に可変反射鏡５４の反射面ＶＭを変形させつ
つ（各Ｖｍに毎回異なる電圧を印可しつつ）レーザ光の
照射を行う。なお、各電極Ｅｌに印可されるべき電圧値
は、予め各電圧発生装置Ｖｎに所定数記憶しておき、パ
ルスレーザ出力信号Ｌ１と同期して、１アドレスずつ読
み出すようにしても良い。Voltage generator VSn (VS1 to VS6)
Are synchronized with the pulse laser output signal L1 output from the laser driving device 40 shown in FIG.
~ V6) is output. The value of each voltage Vm is set to a different value for each transmission of the pulsed laser. In the state shown in FIG. 3, Vm (V1 to V6) is changed to Vm in descending order of voltage.
6, V1, V2, V4, V5, V3. At this time, the unevenness of the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 54 is also affected by each electrode El.
It changes according to each applied voltage Vm for each region VMm corresponding to m. After irradiating one pulse in such a state, the voltages V1 to V1 are synchronized with the pulse laser output signal L1.
By changing V6, the reflecting surface VM is deformed to a state different from that of FIG. 3 for the next pulse. As described above, until a predetermined cumulative dose is given on the reticle 10,
Irradiation of laser light is performed while deforming the reflection surface VM of the variable reflection mirror 54 (applying different voltage to each Vm each time) for each pulse. The voltage value to be applied to each electrode El may be stored in a predetermined number in each voltage generator Vn in advance and read one by one address in synchronization with the pulse laser output signal L1.

【００２１】可変反射鏡５４の反射面ＶＭにおいて反射
する光の光路長変化は、反射面ＶＭの変形量の２倍にな
る。このため、可変反射鏡５４の反射面ＶＭの最大変形
量を照明光束の波長程度に設定することにより、照明光
束の空間的コヒーレンシーの低減を十分に図れる。可変
反射鏡５４の反射面ＶＭが変形すると、レーザ光源３０
からレチクル１０に達する各光束の光路長が、経由する
フライアイレンズ３８のエレメント毎に異なることにな
る。そして、各発光パルス毎にランダムな光路長変化
（ランダムな電圧Ｖｍの変化）により、各光束間のコヒ
ーレンシーはなくなり、レチクル１０上でのスペックル
が解消される。The change in the optical path length of the light reflected on the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 54 is twice the amount of deformation of the reflecting surface VM. Therefore, by setting the maximum deformation amount of the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 54 to about the wavelength of the illumination light flux, the spatial coherency of the illumination light flux can be sufficiently reduced. When the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 54 is deformed, the laser light source 30
The optical path length of each light flux reaching from the reticle 10 to the reticle 10 is different for each element of the fly-eye lens 38 passing through. Then, due to the random change of the optical path length (random change of the voltage Vm) for each light emission pulse, the coherency between the light fluxes disappears and the speckle on the reticle 10 is eliminated.

【００２２】なお、各パルス単位で考察した場合、１パ
ルス毎の光束は互いにコヒーレントであり、振幅的に加
算されるため、レチクル１０上での光強度も変動する。
しかし、本実施例においては、各パルス毎に可変反射鏡
５４の反射面ＶＭの形状が変化し、フライアイレンズ３
８の各エレメントを透過した光束の各々の光路長が変化
するため、レチクル１０上での強度は複数のパルスで平
均化されることになる。この様な現象は、レチクル１０
上の何れの点においても同様であり、従って、レチクル
１０上を照明する光は、極めて高い均一性の照度分布を
有することになる。また、本実施例によると、フライア
イレンズ３８の各エレメントの射出端３８ｂから出力さ
れる光束の光路長を、従来に比べて高速で変化させるこ
とができるため、繰り返し周波数の高いパルスレーザに
対しても十分に適用できる。In consideration of each pulse unit, the light beams for each pulse are coherent with each other and are added in amplitude, so that the light intensity on the reticle 10 also fluctuates.
However, in the present embodiment, the shape of the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 54 changes for each pulse, and the fly-eye lens 3 changes.
Since the optical path length of each light beam transmitted through each element of 8 changes, the intensity on the reticle 10 is averaged by a plurality of pulses. Such a phenomenon is caused by the reticle 10
The same is true at any of the above points, so that the light that illuminates the reticle 10 has an extremely highly uniform illuminance distribution. Further, according to the present embodiment, since the optical path length of the light flux output from the exit end 38b of each element of the fly-eye lens 38 can be changed at a higher speed than in the conventional case, it is possible to obtain a pulse laser with a high repetition frequency. However, it is fully applicable.

【００２３】上記実施例においては、可変反射鏡５４の
反射面ＶＭの変形を、各電極Ｅｌｍが形成するコンデン
サの静電気力を利用して行っているが、本発明はこれに
限定されるものではない。すなわち、図５に示すよう
に、電極Ｅｌｍに代えてピエゾ素子Ｐｚを配置し、各ピ
エゾ素子Ｐｚの一端ＣＥと他端（反射面ＶＭ）間に印可
する電圧を制御することによって、可変反射鏡５４の反
射面ＶＭを変形させても良い。In the above embodiment, the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 54 is deformed by utilizing the electrostatic force of the capacitor formed by each electrode Elm, but the present invention is not limited to this. Absent. That is, as shown in FIG. 5, a piezo element Pz is arranged in place of the electrode Elm, and the voltage applied between one end CE and the other end (reflection surface VM) of each piezo element Pz is controlled, whereby the variable reflecting mirror is controlled. The reflecting surface VM of 54 may be deformed.

【００２４】また、図２に示した装置中のリレーレンズ
３６とフライアイレンズ３８の間に、更にもう１つのフ
ライアイレンズ及びいくつかのリレーレンズを挿入して
も良い。これににより、フライアイレンズが２段構成と
なり、レチクル１０上での一層の照度均一化を図ること
ができる。この場合、図２中のフライアイレンズ３８の
各エレメントの射出面３８ｂには、新たに加えたフライ
アイレンズのエレメントの数だけレーザ集光点（２次光
源）が形成されるため、レチクル１０に対する２次光源
の密度（数）が増大する。更に、各２次光源の共役面
（結像面）である可変反射鏡５４の反射面ＶＭ上にも、
密な光源像が形成されるため、各電極Ｅｌｍもより微
細、且つ細かなピッチで配置する必要がある。Further, another fly-eye lens and some relay lenses may be inserted between the relay lens 36 and the fly-eye lens 38 in the apparatus shown in FIG. As a result, the fly-eye lens has a two-stage configuration, and the illuminance on the reticle 10 can be further uniformized. In this case, laser condensing points (secondary light sources) are formed on the exit surface 38b of each element of the fly-eye lens 38 in FIG. 2 by the number of newly added elements of the fly-eye lens. The density (number) of the secondary light source with respect to is increased. Further, on the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 54 which is a conjugate surface (image forming surface) of each secondary light source,
Since a dense light source image is formed, each electrode Elm also needs to be arranged at a finer and finer pitch.

【００２５】図６は、本発明の第２実施例にかかる照明
装置を示す。尚、図中上述した第１実施例と同一又は対
応する構成要素には同一の符号を付すものとする。図に
おいて、レーザ駆動装置４０によって駆動されるレーザ
光源３０より射出された照明光束は、整形レンズ（ビー
ムエキスパンダ３４，３６）により所望のビーム径に整
形された後、可変反射鏡７０に入射する。可変反射鏡７
０で反射した光は、リレーレンズ７２，７４を透過した
後、フライアイレンズ７６に入射する。フライアイレン
ズ７６で照度均一化が施された照明光束は、コンデンサ
レンズ７８を介してレチクル１０を照明する。FIG. 6 shows an illuminating device according to the second embodiment of the present invention. In the figure, the same or corresponding constituent elements as those of the first embodiment described above are designated by the same reference numerals. In the figure, an illumination light flux emitted from a laser light source 30 driven by a laser driving device 40 is shaped into a desired beam diameter by a shaping lens (beam expanders 34, 36) and then enters a variable reflecting mirror 70. . Variable reflector 7
The light reflected at 0 passes through the relay lenses 72 and 74 and then enters the fly-eye lens 76. The illumination luminous flux whose illuminance is uniformized by the fly-eye lens 76 illuminates the reticle 10 via the condenser lens 78.

【００２６】フライアイレンズ７６を構成する各エレメ
ントの入射側面７６ａは、レチクル１０と結像関係にな
っており、各エレメントの入射側面７６ａ上の光量分布
がレチクル１０上で積算される。その結果、レチクル１
０上の光量分布は、スペックル分を除いて平均化され
る。フライアイレンズ７６の射出側面７６ｂは、レチク
ル１０と光学的にフーリエ変換の関係になっている。フ
ライアイレンズ７６の入射側面７６ａは、レチクル１０
と共役（結像関係）な位置に配置されている。可変反射
鏡７０の反射面（ＶＭ）は、レチクル１０に対して略共
役な位置に配置されている。また、リレーレンズ７２，
７４の間の破線部分８０は、レチクル１０に対して光学
的にフーリエ変換の関係となる位置に配置されている。
フライアイレンズ７６の入射面７６ａが、レチクル１０
と共役であるため、レチクル１０上では、フライアイレ
ンズ７６の各エレメントの入射面での光量分布が結像投
影され、光量分布が積算されて平均化される。この時、
可変反射鏡７０が通常の反射鏡であると、レーザ光源３
０の高い空間的コヒーレンシーのために、フライアイレ
ンズ７６の入射面７６ａでの光束は、各エレメント間で
コヒーレントとなり、上記の光量の加算は振幅的に行わ
れ、強いスペックルを生じてしまう。The incident side surface 76a of each element forming the fly-eye lens 76 has an image-forming relationship with the reticle 10, and the light quantity distribution on the incident side surface 76a of each element is integrated on the reticle 10. As a result, reticle 1
The light amount distribution on 0 is averaged except for speckles. The exit side surface 76b of the fly-eye lens 76 and the reticle 10 are optically Fourier-transformed. The incident side surface 76 a of the fly-eye lens 76 is provided on the reticle 10.
It is arranged at a position conjugate with (image formation relationship with). The reflecting surface (VM) of the variable reflecting mirror 70 is arranged at a position substantially conjugate with the reticle 10. In addition, the relay lens 72,
A broken line portion 80 between 74 is arranged at a position where it has an optical Fourier transform relationship with the reticle 10.
The incident surface 76a of the fly-eye lens 76 is the reticle 10.
Therefore, on the reticle 10, the light amount distribution on the incident surface of each element of the fly-eye lens 76 is image-projected, and the light amount distributions are integrated and averaged. This time,
When the variable reflecting mirror 70 is a normal reflecting mirror, the laser light source 3
Due to the high spatial coherency of 0, the light flux on the incident surface 76a of the fly-eye lens 76 becomes coherent between the elements, and the above-mentioned addition of the light quantity is performed in an amplitude manner, resulting in a strong speckle.

【００２７】図７は、駆動装置８２によって変形する可
変反射鏡７０の構成を示す。可変反射鏡７０は、第１実
施例と同様に２次元マトリクス上に配列された電極群Ｅ
ｌｎ上に可変性の誘電体εを塗布し、その表面にアルミ
等の金属（反射面）ＶＭをコートすることによって成形
される（図４参照）。FIG. 7 shows the structure of the variable reflecting mirror 70 which is deformed by the driving device 82. The variable reflecting mirror 70 has an electrode group E arranged in a two-dimensional matrix as in the first embodiment.
It is molded by applying a variable dielectric ε on ln and coating a metal (reflection surface) VM such as aluminum on the surface thereof (see FIG. 4).

【００２８】可変反射鏡７０の各電極Ｅｌｍには、それ
ぞれリード線Ｌｎが接続され、このリード線Ｌｎ（Ｌ１
〜Ｌ６）は、所定の本数（図では６本）おきに、それぞ
れ電圧発生装置ＶＳｎ（ＶＳ１〜ＶＳ６）に接続されて
いる。一方、反射面ＶＭには、リード線Ｌ０が接続さ
れ、固定電圧発生装置ＶＳ０を介して各電圧発生装置Ｖ
Ｓｎに接続されている。各電極Ｅｌには、可変反射鏡７
０の反射面ＶＭを基準（＝０）として、Ｖ０＋Ｖｎの電
圧が印可される。各電極Ｅｌに電圧が印可されると、そ
の電圧によって、反射面ＶＭが電極Ｅｌ側に引き寄せら
れる。この時、より高い電圧が印可された電極Ｅｌ近傍
では、反射面ＶＭは大きく電極側に引き寄せられる。従
って、各電極Ｅｌに印可する電圧値を調整することによ
り、反射面ＶＭを所望の凹凸形状に成形することができ
る。A lead wire Ln is connected to each electrode Elm of the variable reflecting mirror 70, and this lead wire Ln (L1
To L6) are connected to the voltage generators VSn (VS1 to VS6) at predetermined intervals (six in the figure). On the other hand, the lead wire L0 is connected to the reflecting surface VM, and each voltage generator V is connected via the fixed voltage generator VS0.
It is connected to Sn. A variable reflecting mirror 7 is provided on each electrode El.
A voltage of V0 + Vn is applied with the reflective surface VM of 0 as a reference (= 0). When a voltage is applied to each electrode El, the voltage attracts the reflecting surface VM toward the electrode El. At this time, the reflective surface VM is largely attracted to the electrode side in the vicinity of the electrode El to which a higher voltage is applied. Therefore, by adjusting the voltage value applied to each electrode El, the reflecting surface VM can be formed into a desired uneven shape.

【００２９】可変反射鏡７０の反射面ＶＭの変形に要す
る時間は、各電極Ｅｌと反射面ＶＭが形成するコンデン
サの充放電時間に相当し、極めて短い時間となる。例え
ば、各電極Ｅｌの大きさを１μｍ×１μｍ、誘電体εの
厚さを１０μｍ、被誘電率を４とすると、各電極が形成
するコンデンサの容量は、３．５４×１０-16[Ｆ］とな
る。このため、その放電時間（時定数）は、１つの電極
Ｅｌに対する閉回路の抵抗を１ｋ［Ω］としても、約
０．３５［ｐＳ］となる。このため、パルスレーザの繰
り返し周波数が数ｋＨｚ程度まで向上した場合にも、十
分にスペックルの低減を図ることができる。実際には、
充放電時間には、各リード線Ｌの浮遊容量も若干影響す
ることになる。The time required for the deformation of the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 70 corresponds to the charging / discharging time of the capacitor formed by each electrode El and the reflecting surface VM, which is an extremely short time. For example, if the size of each electrode El is 1 μm × 1 μm, the thickness of the dielectric ε is 10 μm, and the dielectric constant is 4, the capacitance of the capacitor formed by each electrode is 3.54 × 10 −16 [F]. Becomes Therefore, the discharge time (time constant) is about 0.35 [pS] even if the closed circuit resistance for one electrode El is 1 k [Ω]. Therefore, even if the repetition frequency of the pulse laser is improved to about several kHz, speckle can be sufficiently reduced. actually,
The stray capacitance of each lead wire L slightly affects the charge / discharge time.

【００３０】電圧発生装置ＶＳｎ（ＶＳ１〜ＶＳ６）
は、図２に示したレーザ駆動装置４０より出力されるパ
ルスレーザ出力信号Ｌ１に同期して、各電圧Ｖｍ（Ｖ１
〜Ｖ６）を出力する。各電圧Ｖｍの値は、１回のパルス
レーザの発信毎に異なった値に設定される。図７に示し
た状態は、Ｖｎ（Ｖ１〜Ｖ６）に対し、Ｖ１を高電圧に
し、Ｖ４を低電圧にした正弦波状の電圧を印可した例で
ある。この時、可変反射鏡７０の反射面ＶＭも、電極
（Ｅｌ）６個分の周期で正弦波状に凹凸変形を繰り返
す。この様な状態で、１パルスの照射を行った後、パル
スレーザ出力信号Ｌ１に同期して、電圧Ｖ１〜Ｖ６を変
更することによって、次のパルス用に図７とは異なった
状態に反射面ＶＭを変形させる。電圧Ｖ１〜Ｖ６の変化
は、Ｖ１〜Ｖ６を左あるいは右にシフトさせるものでも
良い。また、それまで電極Ｅｌｍ６個分だった周期を３
個分に変更する。即ち、例えば、Ｖ３、Ｖ６を高電圧に
設定し、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ４，Ｖ５を低電圧に設定する。
同様に、電極Ｅｌｍ２個分を１周期とするような変形を
起こすことも可能である。更に、この様な周期の変更
と、上述した左右へのシフトを併用させても良い。な
お、各電極Ｅｌに印可されるべき電圧値は、予め各電圧
発生装置Ｖｎに所定数記憶しておき、パルスレーザ出力
信号Ｌ１と同期して、１アドレスずつ読み出すようにし
ても良い。Voltage generator VSn (VS1 to VS6)
Are synchronized with the pulse laser output signal L1 output from the laser driving device 40 shown in FIG.
~ V6) is output. The value of each voltage Vm is set to a different value for each transmission of the pulsed laser. The state shown in FIG. 7 is an example in which a sinusoidal voltage in which V1 is a high voltage and V4 is a low voltage is applied to Vn (V1 to V6). At this time, the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 70 also repeats the concavo-convex deformation in a sinusoidal shape at a cycle of six electrodes (El). After irradiating one pulse in such a state, by changing the voltages V1 to V6 in synchronization with the pulse laser output signal L1, the reflecting surface is changed to a state different from that of FIG. 7 for the next pulse. Deform the VM. The changes in the voltages V1 to V6 may be to shift V1 to V6 left or right. In addition, the cycle that was 6 electrodes Elm was 3
Change to pieces. That is, for example, V3 and V6 are set to high voltage, and V1, V2, V4 and V5 are set to low voltage.
Similarly, it is also possible to cause a deformation such that two electrodes Elm have one cycle. Further, such a change of the cycle and the above-mentioned left and right shift may be used together. The voltage value to be applied to each electrode El may be stored in a predetermined number in each voltage generator Vn in advance and read one by one address in synchronization with the pulse laser output signal L1.

【００３１】可変反射鏡７０の反射面ＶＭにおいて反射
する光の光路長変化は、反射面ＶＭの変形量の２倍にな
る。このため、可変反射鏡７０の反射面ＶＭの最大変形
量を照明光束の波長程度に設定することにより、照明光
束の空間的コヒーレンシーの低減を十分に図れる。可変
反射鏡７０の反射面ＶＭが変形すると、レーザ光源３０
からレチクル１０に達する各光束の光路長が異なること
になる。そして、各発光パルス毎にランダムな光路長変
化（ランダムな電圧Ｖｍの変化）により、各光束間のコ
ヒーレンシーはなくなり、レチクル１０上でのスペック
ルが解消される。The change in the optical path length of the light reflected on the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 70 is twice the amount of deformation of the reflecting surface VM. Therefore, by setting the maximum deformation amount of the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 70 to about the wavelength of the illumination light flux, the spatial coherency of the illumination light flux can be sufficiently reduced. When the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 70 is deformed, the laser light source 30
The optical path lengths of the light fluxes reaching the reticle 10 from are different. Then, due to the random change of the optical path length (random change of the voltage Vm) for each light emission pulse, the coherency between the light fluxes disappears and the speckle on the reticle 10 is eliminated.

【００３２】例えば、レチクル１０上の一点Ｒ０に達す
る光束は、フライアイレンズ７６の入射面７６ａ（レチ
クル１０と共役）では、点Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４を通
過する各光束であり、可変反射鏡７０上では、それぞれ
点Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４で反射することになる。そし
て、可変反射鏡７０の反射面ＶＭが上記のように変形す
ると、点Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４でそれぞれ反射して、
レチクル１０上の点Ｒ０を照明する４つの光束の光路長
も変動する。なお、各パルス単位で考察した場合、１パ
ルス毎の光束は互いにコヒーレントであり、振幅的に加
算されるため、レチクル１０上での光強度も変動する。
しかし、本実施例においては、各パルス毎に可変反射鏡
７０の反射面ＶＭの形状が変化し、レチクル１０に達す
る光束の各々の光路長が変化するため、レチクル１０上
での強度は複数のパルスで平均化されることになる。こ
の様な現象は、レチクル１０上の何れの点においても同
様であり、従って、レチクル１０上を照明する光は、極
めて高い均一性の照度分布を有することになる。また、
本実施例によると、レチクル１０を照明する光束の光路
長を、従来に比べて高速で変化させることができるた
め、繰り返し周波数の高いパルスレーザに対しても十分
に適用できる。For example, the light flux that reaches one point R0 on the reticle 10 is each light flux that passes through the points F1, F2, F3, and F4 on the incident surface 76a of the fly-eye lens 76 (conjugated with the reticle 10) and is variably reflected. On the mirror 70, the light is reflected at the points M1, M2, M3 and M4, respectively. When the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 70 is deformed as described above, it is reflected at points M1, M2, M3 and M4,
The optical path lengths of the four light beams that illuminate the point R0 on the reticle 10 also change. In consideration of each pulse, the light beams for each pulse are coherent with each other and are added in amplitude, so that the light intensity on the reticle 10 also changes.
However, in the present embodiment, the shape of the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 70 changes for each pulse, and the optical path length of each light beam reaching the reticle 10 changes, so that the intensity on the reticle 10 becomes plural. It will be pulse averaged. Such a phenomenon is the same at any point on the reticle 10, so that the light illuminating the reticle 10 has an illuminance distribution with extremely high uniformity. Also,
According to the present embodiment, the optical path length of the light flux that illuminates the reticle 10 can be changed at a higher speed than in the conventional case, so that the present invention can be sufficiently applied to a pulse laser having a high repetition frequency.

【００３３】上記実施例においては、可変反射鏡７０の
反射面ＶＭの変形を、各電極Ｅｌｍが形成するコンデン
サの静電気力を利用して行っているが、本発明はこれに
限定されるものではない。すなわち、図８に示すよう
に、電極Ｅｌｍに代えてピエゾ素子Ｐｚを配置し、各ピ
エゾ素子Ｐｚの一端ＣＥと他端（反射面ＶＭ）間に印可
する電圧を制御することによって、可変反射鏡７０の反
射面ＶＭを変形させても良い。In the above embodiment, the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror 70 is deformed by utilizing the electrostatic force of the capacitor formed by each electrode Elm, but the present invention is not limited to this. Absent. That is, as shown in FIG. 8, a piezo element Pz is arranged in place of the electrode Elm, and the voltage applied between one end CE and the other end (reflection surface VM) of each piezo element Pz is controlled, whereby the variable reflecting mirror is controlled. The reflective surface VM of 70 may be deformed.

【００３４】また、図６に示した装置中のフライアイレ
ンズ７６とレチクル１０の間に、更にリレーレンズを配
置したり、レチクル１０の照明領域を制限するための視
野絞り（レチクルブラインド）を新たなリレーレンズが
作り出すレチクル１０の共役面に加えても良い。また、
フライアイレンズ７６とコンデンサレンズ７８との間
に、もう１つのフライアイレンズ及びいくつかのリレー
レンズを挿入すれば、レチクル１０上での一層の照度均
一化を図ることができる。Further, a relay lens is further arranged between the fly-eye lens 76 and the reticle 10 in the apparatus shown in FIG. 6, and a field stop (reticle blind) for limiting the illumination area of the reticle 10 is newly added. It may be added to the conjugate surface of the reticle 10 created by another relay lens. Also,
By inserting another fly-eye lens and some relay lenses between the fly-eye lens 76 and the condenser lens 78, it is possible to further uniformize the illuminance on the reticle 10.

【００３５】以上、本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明はこのような実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示した本発明の技術的思想として
の要旨を逸脱しない範囲で、種々の態様を採り得るもの
である。例えば、上記各実施例においては、光源がパル
スレーザであることを前提に説明したが、連続光レーザ
を光源とした装置に適用することもできる。その場合に
は、可変反射鏡（５４，７０）の反射面ＶＭを変形させ
るタイミングは、レーザの出力信号Ｌ１の代わりに、別
のクロック信号を使用する。The present invention has been described above based on the embodiments, but the present invention is not limited to such embodiments, and the gist as the technical idea of the present invention shown in the scope of claims is provided. Various modes can be adopted without departing from the scope. For example, in each of the above-described embodiments, the description has been made on the premise that the light source is a pulse laser, but it can be applied to an apparatus using a continuous light laser as a light source. In that case, another clock signal is used instead of the output signal L1 of the laser for the timing of deforming the reflecting surface VM of the variable reflecting mirror (54, 70).

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】図１は、本発明が適用されるべき投影露光装置
の構成を示す概念図（正面図）である。FIG. 1 is a conceptual diagram (front view) showing a configuration of a projection exposure apparatus to which the present invention is applied.

【図２】図２は、本発明の第１実施例にかかる照明装置
を概念的に示す構成図（正面図）である。FIG. 2 is a configuration diagram (front view) conceptually showing an illumination device according to a first embodiment of the present invention.

【図３】図３は、第１実施例の要部の構成を示す説明図
（断面方向）である。FIG. 3 is an explanatory diagram (cross-sectional direction) showing a configuration of a main part of the first embodiment.

【図４】図４は、第１実施例の要部の構成を示す平面図
である。FIG. 4 is a plan view showing a configuration of a main part of the first embodiment.

【図５】図５は、第１実施例にかかる照明装置の変形例
の要部を示す説明図（断面方向）である。FIG. 5 is an explanatory diagram (cross-sectional direction) showing a main part of a modified example of the illumination device according to the first example.

【図６】図６は、本発明の第２実施例にかかる照明装置
を概念的に示す構成図（正面図）である。FIG. 6 is a configuration diagram (front view) conceptually showing an illuminating device according to a second embodiment of the present invention.

【図７】図７は、第２実施例の要部の構成を示す説明図
（断面方向）である。FIG. 7 is an explanatory diagram (cross-sectional direction) showing a configuration of a main part of the second embodiment.

【図８】図８は、第２実施例にかかる照明装置の変形例
の要部を示す説明図（断面方向）である。FIG. 8 is an explanatory diagram (cross-sectional direction) showing a main part of a modified example of the illumination device according to the second example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０・・・レチクル １２・・・ウエハ １４・・・照明装置 １８・・・投影光学系 ３０・・・レーザ光源 ３８，７６・・・フライアイレンズ ５４，７０・・・可変反射鏡 ６４，８２・・・駆動装置 ＶＭ・・・反射面 Ｅｌｎ・・・電極 Ｐｚ・・・ピエゾ素子 10 ... Reticle 12 ... Wafer 14 ... Illumination device 18 ... Projection optical system 30 ... Laser light source 38, 76 ... Fly-eye lens 54, 70 ... Variable reflecting mirror 64, 82・ ・ ・ Driving device VM ・ ・ ・ Reflecting surface Eln ・ ・ ・ Electrode Pz ・ ・ ・ Piezo element

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 レーザ光源から出力された照明光を照度
均一化手段を介して平板状の被照射部材に照明する照明
装置において、 前記照度均一化手段と前記被照射部材との間に存在する
前記被照射部材に対する光学的フーリエ変換面に位置す
る反射面を有し、該反射面の凹凸形状が変形可能に構成
された反射鏡と；前記反射鏡の前記反射面の凹凸形状を
変形させる駆動手段とを備えたことを特徴とする照明装
置。1. An illumination device for illuminating an illumination light output from a laser light source onto a flat member to be illuminated through an illuminance equalizing means, the illumination device being present between the illuminance equalizing means and the illuminated member. A reflecting mirror having a reflecting surface located on an optical Fourier transform surface with respect to the member to be illuminated, the uneven shape of the reflecting surface being deformable; and a drive for deforming the uneven shape of the reflecting surface of the reflecting mirror. And a lighting device. 【請求項２】 レーザ光源から出力された照明光を照度
均一化手段を介して平板状の被照射部材に照明する照明
装置において、 前記レーザ光源と前記照度均一化手段との間に存在する
前記被照射部材の共役面に位置する反射面を有し、該反
射面の凹凸形状が変形可能に構成された反射鏡と；前記
反射鏡の前記反射面の凹凸形状を変形させる駆動手段と
を備えたことを特徴とする照明装置。2. An illuminating device for illuminating illumination light output from a laser light source onto a flat member to be illuminated through an illuminance equalizing means, wherein the illuminating device exists between the laser light source and the illuminance equalizing means. A reflecting mirror having a reflecting surface positioned on the conjugate surface of the member to be irradiated, the uneven shape of the reflecting surface being deformable; and a driving means for changing the uneven shape of the reflecting surface of the reflecting mirror. A lighting device characterized by the above. 【請求項３】 マスク上に形成されたパターンの像を感
光基板上に転写、露光する露光装置において、 露光用の照明光を出力するレーザ光源と；前記レーザ光
源から射出された前記照明光を照度均一化手段を介して
前記マスク上に照明する照明手段と；前記照度均一化手
段と前記マスクとの間に存在する前記マスクに対する光
学的フーリエ変換面に位置する反射面を有し、該反射面
の凹凸形状が変形可能に構成された反射鏡と；前記反射
鏡の前記反射面の凹凸形状を変形させる駆動手段とを備
えたことを特徴とする露光装置。3. An exposure apparatus that transfers and exposes an image of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate; a laser light source that outputs illumination light for exposure; and the illumination light emitted from the laser light source. Illuminating means for illuminating the mask through the illuminance homogenizing means; and a reflecting surface positioned between the illuminance homogenizing means and the mask and located on an optical Fourier transform surface for the mask, An exposure apparatus comprising: a reflecting mirror whose surface irregularity is deformable; and a driving unit which deforms the irregularity of the reflecting surface of the reflecting mirror. 【請求項４】 マスク上に形成されたパターンの像を感
光基板上に転写、露光する露光装置において、 露光用の照明光を出力するレーザ光源と；前記レーザ光
源から射出された前記照明光を照度均一化手段を介して
前記マスク上に照明する照明手段と；前記レーザ光源と
前記照度均一化手段との間に存在する前記マスクの共役
面に位置する反射面を有し、該反射面の凹凸形状が変形
可能に構成された反射鏡と；前記反射鏡の前記反射面の
凹凸形状を変形させる駆動手段とを備えたことを特徴と
する露光装置。4. An exposure apparatus for transferring and exposing an image of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate; a laser light source that outputs illumination light for exposure; and the illumination light emitted from the laser light source. Illuminating means for illuminating the mask through the illuminance equalizing means; and a reflecting surface located on the conjugate plane of the mask existing between the laser light source and the illuminance equalizing means, An exposure apparatus comprising: a reflecting mirror having a deformable concave-convex shape; and driving means for deforming the concave-convex shape of the reflecting surface of the reflecting mirror. 【請求項５】 前記駆動手段は、マトリクス上に配置さ
れたピエゾ素子から構成されることを特徴とする請求項
１、２、３又は４に記載の装置。5. The apparatus according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein the driving means is composed of piezoelectric elements arranged in a matrix. 【請求項６】 前記駆動手段は、マトリクス上に配置さ
れた微少電極群から構成されることを特徴とする請求項
１、２、３又は４に記載の装置。6. The apparatus according to claim 1, wherein the driving means is composed of a group of minute electrodes arranged in a matrix.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060550A (en) * 1999-06-30 2001-03-06 Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh Method and device for reducing speckle of laser beam and lithography equipment
EP1262836A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-04 Asml Lithographic apparatus
DE10220324A1 (en) * 2002-04-29 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Projection method with pupil filtering and projection lens for this
JP2005049874A (en) * 2003-07-30 2005-02-24 Asml Holding Nv Deformable optical system, deformable optical device and wave front aberration correcting method
US7015491B2 (en) 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
WO2007029613A1 (en) * 2005-09-05 2007-03-15 Kabushiki Kaisha Topcon Mixing apparatus and distance measuring apparatus using same
JP2009545146A (en) * 2006-07-24 2009-12-17 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー Optical device and method for correcting or improving imaging behavior of an optical device
WO2021186488A1 (en) * 2020-03-16 2021-09-23 ギガフォトン株式会社 Light transmitting unit, laser device, and manufacturing method for electronic device

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060550A (en) * 1999-06-30 2001-03-06 Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh Method and device for reducing speckle of laser beam and lithography equipment
EP1262836A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-04 Asml Lithographic apparatus
US6737662B2 (en) 2001-06-01 2004-05-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product
US7015491B2 (en) 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
DE10220324A1 (en) * 2002-04-29 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Projection method with pupil filtering and projection lens for this
US7336342B2 (en) 2002-04-29 2008-02-26 Carl Zeiss Smt Ag Projection method including pupillary filtering and a projection lens therefor
US7791711B2 (en) 2002-04-29 2010-09-07 Carl Zeiss Smt Ag Projection method including pupillary filtering and a projection lens therefor
USRE45511E1 (en) 2003-07-30 2015-05-12 Asml Holding N.V. Method of using deformable mirror using piezoelectric actuators formed as an integrated circuit
JP2005049874A (en) * 2003-07-30 2005-02-24 Asml Holding Nv Deformable optical system, deformable optical device and wave front aberration correcting method
US7372614B2 (en) 2003-07-30 2008-05-13 Asml Holding N.V. Method of using deformable mirror using piezoelectric actuators formed as an integrated circuit
USRE46099E1 (en) 2003-07-30 2016-08-09 Asml Holding N.V. Method of using deformable mirror using piezoelectric actuators formed as an integrated circuit
WO2007029613A1 (en) * 2005-09-05 2007-03-15 Kabushiki Kaisha Topcon Mixing apparatus and distance measuring apparatus using same
JP4755650B2 (en) * 2005-09-05 2011-08-24 株式会社トプコン Mixing device and distance measuring device using the same
JP2009545146A (en) * 2006-07-24 2009-12-17 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー Optical device and method for correcting or improving imaging behavior of an optical device
WO2021186488A1 (en) * 2020-03-16 2021-09-23 ギガフォトン株式会社 Light transmitting unit, laser device, and manufacturing method for electronic device

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